JP6728094B2 - Ferromagnetic material sputtering target - Google Patents

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Description

本発明は磁気記録媒体中の磁性薄膜の形成に適したCo−Pt系の強磁性材スパッタリングターゲットに関する。 The present invention relates to a Co—Pt based ferromagnetic material sputtering target suitable for forming a magnetic thin film in a magnetic recording medium.

ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるCoをベースとした材料が用いられている。 In the field of magnetic recording represented by a hard disk drive, a material based on Co, which is a ferromagnetic metal, is used as a material of a magnetic thin film that is responsible for recording.

磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。ところが、マグネトロンスパッタ装置で強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタ使用とすると、磁石からの磁束の多くは強磁性体であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという問題が生じる。この問題を解決するには、強磁性金属であるCoの含有割合を減らすことが考えられる。しかし、Coを減少させると、所望の磁気記録膜を得ることができないため本質的な解決策ではない。また、ターゲットの厚みを薄くすることで漏洩磁束を向上させることは可能だが、この場合はターゲットライフが短くなり、頻繁にターゲットを交換する必要が生じるのでコストアップの要因になる。 A magnetic thin film is often produced by sputtering a sputtering target containing the above material as a component with a DC magnetron sputtering device in terms of high productivity. However, when a ferromagnetic material sputtering target is used for sputtering in a magnetron sputtering device, most of the magnetic flux from the magnet passes through the inside of the target, which is a ferromagnetic material, so the leakage magnetic flux is reduced and discharge does not occur during sputtering. Or, there arises a problem that the discharge is not stable even if it is discharged. In order to solve this problem, it can be considered to reduce the content ratio of Co which is a ferromagnetic metal. However, if Co is reduced, it is not an essential solution because the desired magnetic recording film cannot be obtained. Further, it is possible to improve the leakage magnetic flux by reducing the thickness of the target, but in this case, the target life becomes short and it becomes necessary to replace the target frequently, which causes a cost increase.

そこで、従来はCr比率を高めて部分的に非磁性にし、漏洩磁束を高めるという手法が採用されてきた。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはCoを主成分とするCo−Cr系やCo−Cr−Pt系の強磁性合金が用いられてきた。また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Coを主成分とするCo−Cr−Pt系の強磁性合金に酸化物や炭素等の非磁性粒子を分散させた複合材料が多く用いられている。しかし、最近の主流となっている組成は、Crが少ない、もしくは全く含まない組成であり、従来の方法では漏洩磁束を高める効果を十分に得ることが難しい。 Therefore, conventionally, a method of increasing the Cr ratio to partially make it non-magnetic to increase the leakage magnetic flux has been adopted. For example, a Co—Cr-based or Co—Cr—Pt-based ferromagnetic alloy containing Co as a main component has been used for a recording layer of a hard disk adopting an in-plane magnetic recording method. Further, in a recording layer of a hard disk adopting a perpendicular magnetic recording system which has been put into practical use in recent years, a non-magnetic particle such as oxide or carbon is dispersed in a Co—Cr—Pt type ferromagnetic alloy containing Co as a main component. Many composite materials are used. However, the recent mainstream composition is a composition containing little or no Cr, and it is difficult to sufficiently obtain the effect of increasing the leakage flux by the conventional method.

このような背景から、WO2012/077665号においては、Ptが5mol%以上、Crが20mol%以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットにおいて、金属素地(A)と、前記(A)の中に、Ptを40〜76mol%含有するCo−Pt合金相(B)とを有していることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットが提案されている。当該文献によれば、Co−Pt合金相(B)の直径は小さすぎると、金属素地(A)と相(B)との間の拡散が進行して構成要素の違いが不明確になるため、10μm以上であることが好ましいとされる。また、当該文献によれば、Co−Pt合金相(B)の直径は大きすぎるとスパッタ時のパーティクルの問題が発生しやすくなることから、150μm以下であることが望ましいとされる。 From such a background, in WO2012/077665, in a sputtering target composed of a metal having a composition of Pt of 5 mol% or more, Cr of 20 mol% or less and the balance of Co, the metal base (A) and the (A) Among them, a ferromagnetic material sputtering target characterized by having a Co—Pt alloy phase (B) containing 40 to 76 mol% of Pt is proposed. According to this document, if the diameter of the Co—Pt alloy phase (B) is too small, the diffusion between the metal base (A) and the phase (B) proceeds and the difference in the constituent elements becomes unclear. It is preferably 10 μm or more. Further, according to the document, if the diameter of the Co—Pt alloy phase (B) is too large, the problem of particles during sputtering tends to occur, so it is desirable that the diameter is 150 μm or less.

また、WO2012/081669号においては、Crが20mol%以下、Ptが5mol%以上、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットにおいて、金属素地(A)と、前記(A)の中に、Ptを40〜76mol%含有するCo−Pt合金相(B)と前記相(B)とは異なるCo又はCoを主成分とする金属又は合金相(C)を有することを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットが提案されている。当該文献によれば、Co−Pt合金相(B)の直径は小さすぎると、金属素地(A)と相(B)との間の拡散が進行して構成要素の違いが不明確になるため、10μm以上であることが好ましいとされる。また、当該文献によれば、Co−Pt合金相(B)の直径は大きすぎるとスパッタ時のパーティクルの問題が発生しやすくなることから、150μm以下であることが望ましいとされる。 Further, in WO2012/081669, in a sputtering target composed of a metal having a composition of Cr of 20 mol% or less, Pt of 5 mol% or more, and the balance of Co, the metal base (A) and the (A) are A ferromagnetic material characterized by having a Co-Pt alloy phase (B) containing 40 to 76 mol% of Pt and Co or a metal or alloy phase (C) containing Co as a main component different from the phase (B). Sputtering targets have been proposed. According to this document, if the diameter of the Co—Pt alloy phase (B) is too small, the diffusion between the metal base (A) and the phase (B) proceeds and the difference in the constituent elements becomes unclear. It is preferably 10 μm or more. Further, according to the document, if the diameter of the Co—Pt alloy phase (B) is too large, the problem of particles during sputtering is likely to occur, so it is desirable that the diameter is 150 μm or less.

WO2012/077665号WO2012/077665 WO2012/081669号WO2012/081669

特許文献1及び特許文献2に記載されているように、金属素地中にCo−Pt合金相を有する強磁性材スパッタリングターゲットは漏洩磁束を高めることができるという利点が得られる。しかしながら、本発明者の検討結果によれば、当該スパッタリングターゲットはスパッタ時のパーティクルの抑制に関して未だ改善の余地が残されている。そこで、本発明は漏洩磁束が高く、スパッタリング時におけるパーティクルの発生も抑制可能なCo−Pt系強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題の一つとする。 As described in Patent Document 1 and Patent Document 2, a ferromagnetic material sputtering target having a Co—Pt alloy phase in the metal matrix has an advantage that leakage flux can be increased. However, according to the examination result of the present inventor, the sputtering target still has room for improvement regarding suppression of particles during sputtering. Therefore, it is an object of the present invention to provide a Co—Pt based ferromagnetic material sputtering target which has a high leakage magnetic flux and can suppress the generation of particles during sputtering.

特許文献1及び特許文献2においては、Co−Pt合金相は10μm以上の直径を有する相とすべきことが教示されているが、このような粗大なCo−Pt合金相はスパッタ時のパーティクルの発生の原因になることが分かった。そこで、本発明者は漏洩磁束を高めることができるCo−Pt合金相の利点を活かしながらパーティクルの抑制に有効な手段を鋭意検討したところ、Co−Pt合金相を微細化しつつ、Co相を粗大化するという手法が有効であることを見出した。本発明は斯かる知見に基づいて完成したものである。 Although Patent Documents 1 and 2 teach that the Co—Pt alloy phase should be a phase having a diameter of 10 μm or more, such a coarse Co—Pt alloy phase is a particle of particles during sputtering. It turned out to be the cause of the outbreak. Therefore, the present inventor diligently studied an effective means for suppressing particles while taking advantage of the advantage of the Co—Pt alloy phase capable of increasing the leakage magnetic flux. As a result, the Co phase was coarsened while the Co phase was made finer. It was found that the method of making it effective is effective. The present invention has been completed based on these findings.

本発明は一側面において、
Co:Pt=X:100−X(59≦X<100)のモル比で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有し、金属Crを0mol%以上20mol%以下含有する強磁性材スパッタリングターゲットであって、
金属Coを90mol%以上含有し、平均粒径が30〜300μmのCo粒子相と、
モル比でCo:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有する平均粒径が7μm以下のCo−Pt合金粒子相を有する強磁性材スパッタリングターゲットである。
According to one aspect of the present invention,
Co:Pt=X:100-X (59≦X<100) at a molar ratio of a metal Co and a metal Pt in a total amount of 70 mol% or more and a metal Cr content of 0 mol% or more and 20 mol% or less. The target,
A Co particle phase containing 90 mol% or more of metallic Co and having an average particle size of 30 to 300 μm,
A Co-Pt alloy containing metallic Co and metallic Pt in a total amount of 70 mol% or more and having an average particle size of 7 μm or less under the condition of Co:Pt=Y:100-Y (20≦Y≦60.5) in a molar ratio. It is a ferromagnetic material sputtering target having a particle phase.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットの一実施形態においては、B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Al、Si及びZnよりなる群から選択される一種又は二種以上の第三元素を合計で30mol%以下含有する。 In one embodiment of the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, one selected from the group consisting of B, Ti, V, Mn, Zr, Nb, Ru, Mo, Ta, W, Al, Si and Zn, or It contains 30 mol% or less in total of two or more kinds of third elements.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットの別の一実施形態においては、炭素、酸化物、窒化物、炭化物及び炭窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を合計で25mol%以下含有する。 In another embodiment of the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, one or more non-magnetic materials selected from the group consisting of carbon, oxides, nitrides, carbides and carbonitrides in total. Contains 25 mol% or less.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットの更に別の一実施形態においては、2θの測定範囲を30°〜60°としたXRD測定において、33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有する。 In still another embodiment of the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, in the XRD measurement in which the measurement range of 2θ is 30° to 60°, 33.27±2°, 41.52±2°, 47. It has peaks at positions of .76±2°, 49.44±2°, and 54.21±2°.

本発明は別の一側面において、
金属Coを90mol%以上含有し、メジアン径が30〜300μmのCo粉末を用意する工程と、
モル比でCo:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有する、メジアン径が7μm以下のCo−Pt合金粉末を用意する工程と、
Co−Pt合金粉末とCo粉末を混合し、モル比でCo:Pt=X:100−X(59≦X<100)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有し、金属Crを0mol%以上20mol%以下含有する混合粉末を得る工程と、
該混合粉末を焼成する工程と、
を含む強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法である。
In another aspect of the present invention,
A step of preparing Co powder containing 90 mol% or more of metallic Co and having a median diameter of 30 to 300 μm;
A Co-Pt alloy having a median diameter of 7 [mu]m or less, containing metallic Co and metallic Pt in a total amount of 70 mol% or more under the condition of Co:Pt=Y:100-Y (20≤Y≤60.5) in molar ratio. A step of preparing powder,
Co—Pt alloy powder and Co powder are mixed, and the total content of metallic Co and metallic Pt is 70 mol% or more under the condition that the molar ratio is Co:Pt=X:100−X (59≦X<100). A step of obtaining a mixed powder containing metallic Cr of 0 mol% or more and 20 mol% or less,
Baking the mixed powder,
Is a method of manufacturing a ferromagnetic material sputtering target including.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態においては、前記混合粉末を得る工程は、更にB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Al、Si及びZnよりなる群から選択される一種又は二種以上の粉末を混合することを含む。 In one embodiment of the method for manufacturing a ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, the step of obtaining the mixed powder further includes B, Ti, V, Mn, Zr, Nb, Ru, Mo, Ta, W, Al, Mixing one or more powders selected from the group consisting of Si and Zn.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法の別の一実施形態においては、前記混合粉末を得る工程は、更に炭素、酸化物、窒化物、炭化物及び炭窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を混合することを含む。 In another embodiment of the method for manufacturing a ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, the step of obtaining the mixed powder is further selected from the group consisting of carbon, oxide, nitride, carbide and carbonitride. It includes mixing one or more non-magnetic materials.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法の更に別の一実施形態においては、メジアン径が10μm以下のCo−Pt合金粉末を用意する工程は、Co:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)のモル比でCo粉及びPt粉を混合した粉末を、800℃〜1000℃の加熱温度で焼成し、2θの測定範囲を30°〜60°としたXRD測定において、2θ=33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有する第一の焼結体を得る工程と、第一の焼結体を粉砕する工程とを含む。 In still another embodiment of the method for manufacturing a ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, the step of preparing a Co—Pt alloy powder having a median diameter of 10 μm or less includes Co:Pt=Y:100-Y(20 In the XRD measurement in which a powder obtained by mixing Co powder and Pt powder in a molar ratio of ≦Y≦60.5) is fired at a heating temperature of 800° C. to 1000° C. and a measurement range of 2θ is 30° to 60°, 2θ=33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2°, 49.44±2°, and first sintered body having peaks at respective positions of 54.21±2° And a step of crushing the first sintered body.

本発明は更に別の一側面において、本発明に係るスパッタリングターゲットを用いることを含む磁気記録膜の製造方法である。 The present invention, in yet another aspect, is a method for producing a magnetic recording film, which comprises using the sputtering target according to the present invention.

本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。本発明によれば、ターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。また、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタ時のパーティクルが少なく、安定したスパッタリングが可能となる。 The ferromagnetic material sputtering target of the present invention becomes a target with a large leakage magnetic flux, and when used in a magnetron sputtering apparatus, the promotion of ionization of an inert gas proceeds efficiently and a stable discharge can be obtained. According to the present invention, it is possible to increase the thickness of the target, which reduces the frequency of replacement of the target and has the advantage that the magnetic thin film can be manufactured at low cost. Further, the ferromagnetic material sputtering target of the present invention has few particles at the time of sputtering and enables stable sputtering.

比較例1のXRDプロファイルを示す。The XRD profile of the comparative example 1 is shown. 比較例2のXRDプロファイルを示す。4 shows an XRD profile of Comparative Example 2. 比較例3のXRDプロファイルを示す。The XRD profile of the comparative example 3 is shown. 実施例1のXRDプロファイルを示す。3 shows an XRD profile of Example 1. 実施例2のXRDプロファイルを示す。3 shows an XRD profile of Example 2. 実施例3のXRDプロファイルを示す。7 shows an XRD profile of Example 3. 実施例5のXRDプロファイルを示す。8 shows an XRD profile of Example 5. 実施例7のXRDプロファイルを示す。8 shows an XRD profile of Example 7.

(1.全体組成)
本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは一実施形態において、モル比でCo:Pt=X:100−X(59≦X<100)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有し、金属Crを0mol%以上20mol%以下含有する。当該組成は、強磁性材である金属Coの含有量が多く、また、漏洩磁束を増加させる効果のある金属Crの含有量が少ないため、一般には高い漏洩磁束が得られ難い組成である。本発明によれば、高い漏洩磁束が得られ難い組成のスパッタリングターゲットについて、ターゲットの組織に工夫を与えることによって、漏洩磁束を高め、更にはパーティクルを低減することができるようになる。
(1. Overall composition)
In one embodiment, the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention has a molar ratio of Co:Pt=X:100−X (59≦X<100), and the total amount of metallic Co and metallic Pt is 70 mol% or more. The content of Cr is 0 mol% or more and 20 mol% or less. Since the composition has a large content of the metal Co, which is a ferromagnetic material, and a small content of the metal Cr, which has an effect of increasing the leakage magnetic flux, it is generally difficult to obtain a high leakage magnetic flux. According to the present invention, with respect to a sputtering target having a composition in which a high leakage magnetic flux is hard to be obtained, it is possible to increase the leakage magnetic flux and further reduce particles by devising the structure of the target.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは、ハードディスクメディア製造用途を考慮すると、一実施形態において70≦X≦90とすることができ、別の一実施形態においては80≦X≦85とすることができる。 The ferromagnetic material sputtering target according to the present invention can be set to 70≦X≦90 in one embodiment and 80≦X≦85 in another embodiment in consideration of a hard disk media manufacturing application. it can.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは、一実施形態において金属Co及び金属Ptを合計で75mol%以上含有することができ、別の一実施形態において金属Co及び金属Ptを合計で85mol%以上含有することができる。また、本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは、一実施形態において金属Co及び金属Ptを合計で95mol%以下含有することができ、別の一実施形態において金属Co及び金属Ptを合計で90mol%以下含有することができる。金属Co及び金属Ptを合計で75〜95mol%含有する強磁性材スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録膜用に好適である。 The ferromagnetic material sputtering target according to the present invention may contain metal Co and metal Pt in a total amount of 75 mol% or more in one embodiment, and metal Co and metal Pt in a total amount of 85 mol% or more in another embodiment. can do. Further, the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention may contain metal Co and metal Pt in a total amount of 95 mol% or less in one embodiment, and metal Co and metal Pt in a total amount of 90 mol% in another embodiment. The following can be contained. A ferromagnetic material sputtering target containing a total of 75 to 95 mol% of metal Co and metal Pt is suitable for a perpendicular magnetic recording film.

本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは、一実施形態において金属Crを0mol%以上15mol%以下含有することができ、別の一実施形態において金属Crを0mol%以上10mol%以下含有することができ、更に別の一実施形態において金属Crを0mol%以上5mol%以下含有することができ、更に別の一実施形態において金属Crを0mol%以上1mol%以下含有することができ、更に別の一実施形態において金属Crを含有しない。 The ferromagnetic material sputtering target according to the present invention may contain 0 mol% or more and 15 mol% or less of metal Cr in one embodiment, and may contain 0 mol% or more and 10 mol% or less of metal Cr in another embodiment. In yet another embodiment, the metal Cr can be contained in an amount of 0 mol% or more and 5 mol% or less, and in yet another embodiment, the metal Cr can be included in an amount of 0 mol% or more and 1 mol% or less. In the form, it does not contain metallic Cr.

(2.Co−Pt合金粒子相)
このようなCoリッチな組成のスパッタリングターゲットにおいて漏洩磁束を高めるには、スパッタリングターゲットがCo:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)のモル比で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上、好ましくは80mol%以上、より好ましくは90mol%以上、更により好ましくは99mol%以上含有するCo−Pt合金粒子相を有することが望ましい。当該Co−Pt合金粒子相はL10構造の規則相を形成して高い磁気異方性を示すことができるため、漏洩磁束の増加に寄与する。漏洩磁束を増加する観点から、好ましくは25≦Y≦55であり、より好ましくは34.5≦Y≦55であり、更により好ましくは40≦Y≦50である。当該Co−Pt合金粒子相はターゲット組織中で分散して存在することができる。
(2. Co-Pt alloy particle phase)
In order to increase the leakage magnetic flux in the sputtering target having such a Co-rich composition, the sputtering target contains metallic Co and metallic Pt at a molar ratio of Co:Pt=Y:100-Y (20≦Y≦60.5). It is desirable to have a Co-Pt alloy particle phase containing 70 mol% or more in total, preferably 80 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, and even more preferably 99 mol% or more. The Co—Pt alloy particle phase can form an ordered phase having an L1 0 structure and exhibit high magnetic anisotropy, thus contributing to an increase in leakage magnetic flux. From the viewpoint of increasing the leakage magnetic flux, preferably 25≦Y≦55, more preferably 34.5≦Y≦55, and even more preferably 40≦Y≦50. The Co-Pt alloy particle phase can exist in a dispersed state in the target structure.

Co−Pt合金粒子相は、漏洩磁束の向上に寄与するものの、平均粒径が大きいとパーティクルの増加をもたらす要因となる。特許文献1及び特許文献2においては、Co−Pt合金粒子相によるスパッタ時のパーティクルの問題は150μmを超える直径のときに生じるとされているが、Co−Pt合金粒子相は出来る限り微細であることが望ましい。そこで、本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、上記Co−Pt合金粒子相の平均粒径は7μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましく、2μm以下であることが更により好ましい。但し、当該Co−Pt合金粒子相の平均粒径は、小さすぎると焼結中に他の相との拡散が促進されL10構造が失われる可能性が高くなることから、0.1μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましく、0.5μm以上であることが更により好ましい。 Although the Co-Pt alloy particle phase contributes to the improvement of the leakage magnetic flux, it becomes a factor to increase the particles when the average particle diameter is large. In Patent Documents 1 and 2, the problem of particles during sputtering due to the Co—Pt alloy particle phase is said to occur when the diameter exceeds 150 μm, but the Co—Pt alloy particle phase is as fine as possible. Is desirable. Therefore, in the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention, the average particle size of the Co—Pt alloy particle phase is preferably 7 μm or less, more preferably 5 μm or less, and even more preferably 2 μm or less. preferable. However, if the average particle size of the Co—Pt alloy particle phase is too small, diffusion with other phases is promoted during sintering and the possibility of losing the L1 0 structure increases, so the average particle size is 0.1 μm or more. Preferably, it is 0.2 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, and even more preferably 0.5 μm or more.

Co−Pt合金粒子相は、漏洩磁束を増加させる効果を高めるという観点から、スパッタリングターゲットの全体の質量に対して、20質量%以上であることが好ましく、30質量%以上であることがより好ましく、40質量%以上であることが更により好ましい。また、Co−Pt合金粒子相は、非磁性材料を微細に分散させるという観点から、スパッタリングターゲットの全体の質量に対して、70質量%以下であることが好ましく、65質量%以下であることがより好ましく、60質量%以下であることが更により好ましい。 From the viewpoint of enhancing the effect of increasing the leakage magnetic flux, the Co-Pt alloy particle phase is preferably 20% by mass or more, and more preferably 30% by mass or more, with respect to the total mass of the sputtering target. Is more preferably 40% by mass or more. Further, the Co-Pt alloy particle phase is preferably 70% by mass or less, and preferably 65% by mass or less, with respect to the total mass of the sputtering target, from the viewpoint of finely dispersing the non-magnetic material. More preferably, it is even more preferably 60% by mass or less.

(3.Co粒子相)
本発明に係るCoリッチな組成のスパッタリングターゲットは一実施形態において、Co−Pt合金粒子相に加えて、金属Coを90mol%以上含有するCo粒子相を有する。Co粒子相はターゲット中に含まれるCo−Pt合金粒子相の割合を高めるために、金属Coを95mol%以上含有することが好ましく、99.9mol%以上含有することがより好ましい。当該Co粒子相はターゲット組織中で分散して存在することができる。
(3. Co particle phase)
In one embodiment, the sputtering target having a Co-rich composition according to the present invention has a Co particle phase containing 90 mol% or more of metallic Co in addition to the Co—Pt alloy particle phase. In order to increase the ratio of the Co—Pt alloy particle phase contained in the target, the Co particle phase preferably contains metallic Co in an amount of 95 mol% or more, and more preferably 99.9 mol% or more. The Co particle phase can exist in a dispersed manner in the target structure.

Co−Pt合金粒子相を微細化した場合に、Co粒子相も微細化するとCo−Pt合金粒子相との接触点が増加し焼結中に構成元素の拡散が促進されL10構造が失われるという問題が生じる。そこで、Co粒子相は逆に粗大化することが望ましい。具体的には、金属Coを90mol%以上含有するCo粒子相の平均粒径は30μm以上であることが好ましく、50μm以上であることがより好ましく、100μm以上であることが更により好ましい。但し、当該Co粒子相の平均粒径は、大きすぎるとパーティクルの発生原因になってしまう懸念があることから、300μm以下であることが好ましく、200μm以下であることがより好ましく、150μm以下であることが更により好ましい。 When the Co-Pt alloy particle phase is miniaturized, if the Co particle phase is also miniaturized, the number of contact points with the Co-Pt alloy particle phase increases, diffusion of the constituent elements is promoted during sintering, and the L1 0 structure is lost. The problem arises. Therefore, it is desirable to coarsen the Co particle phase. Specifically, the average particle size of the Co particle phase containing 90 mol% or more of metallic Co is preferably 30 μm or more, more preferably 50 μm or more, and even more preferably 100 μm or more. However, the average particle size of the Co particle phase is preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less, and more preferably 150 μm or less, because if it is too large, it may cause generation of particles. It is even more preferable.

Co粒子相は、漏洩磁束を増加させるため、さらに焼結中におけるCo−Pt合金粒子相の拡散を抑制するという観点から、スパッタリングターゲットの全体の質量に対して、15質量%以上であることが好ましく、25質量%以上であることがより好ましく、30質量%以上であることが更により好ましい。また、Co粒子相は、粗大な粒子であるため混合時に他の原料との分散性を高めるという観点から、スパッタリングターゲットの全体の質量に対して、50質量%以下であることが好ましく、45質量%以下であることがより好ましく、40質量%以下であることが更により好ましい。 Since the Co particle phase increases the leakage magnetic flux, and from the viewpoint of further suppressing the diffusion of the Co—Pt alloy particle phase during sintering, it is 15% by mass or more with respect to the total mass of the sputtering target. It is more preferably 25% by mass or more, still more preferably 30% by mass or more. In addition, since the Co particle phase is coarse particles, it is preferably 50% by mass or less with respect to the total mass of the sputtering target from the viewpoint of improving dispersibility with other raw materials during mixing, and 45 mass% % Or less, and more preferably 40% by mass or less.

(4.第三元素)
本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは、第三元素として、B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Al、Si及びZnよりなる群から選択される一種又は二種以上を単体金属又は合金として合計で30mol%以下、例えば0.01〜20mol%、典型的には0.05〜10mol%含有してもよい。これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。配合割合は上記範囲内で様々に調整でき、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。なお、本発明においてはBも金属として取り扱う。
(4. Third element)
The ferromagnetic material sputtering target according to the present invention is, as the third element, one selected from the group consisting of B, Ti, V, Mn, Zr, Nb, Ru, Mo, Ta, W, Al, Si and Zn, or A total of 30 mol% or less, for example, 0.01 to 20 mol%, typically 0.05 to 10 mol%, may be contained as a single metal or alloy of two or more kinds. These are elements added as necessary in order to improve the characteristics of the magnetic recording medium. The mixing ratio can be variously adjusted within the above range, and any of them can maintain the characteristics as an effective magnetic recording medium. In the present invention, B is also treated as a metal.

上記第三元素は、Co−Pt合金粒子相中に存在してもよく、Co粒子相中に存在してもよく、Co−Pt合金粒子相及びCo粒子相とは区別可能な別の粒子相中に存在することができる。当該別の粒子相はターゲット組織中で分散して存在することができる。しかしながら、第三元素は、微細に分散している方がパーティクル低減に有利であるという理由により、上記第三元素はCo−Pt合金粒子相中に存在するか、又は微細な別の粒子相中に存在することが好ましい。なお、上記第三元素が単体金属又は合金の粒子相ではなく、酸化物、窒化物、炭化物又は炭窒化物として粒子相を形成している場合には第三元素の粒子相ではなく後述する非磁性材料の粒子相として取り扱う。 The third element may be present in the Co-Pt alloy particle phase or may be present in the Co particle phase, and is a particle phase different from the Co-Pt alloy particle phase and the Co particle phase. Can exist inside. The separate particle phase can be present dispersed in the target tissue. However, the third element is present in the Co—Pt alloy particle phase or in another fine particle phase because the finer dispersion is more advantageous for particle reduction. Is preferably present. Incidentally, when the third element is not a particle phase of a simple metal or alloy, but forms a particle phase as an oxide, a nitride, a carbide or a carbonitride, it is not the particle phase of the third element and will be described later. Treated as the particle phase of magnetic materials.

上記第三元素が別の粒子相中に存在する場合、当該別の粒子相はCo−Pt合金粒子相と相互に分散し合う複合相を形成することが好ましい。また、後述する非磁性材料の粒子相が更に存在する場合には、当該別の粒子相はCo−Pt合金粒子相及び非磁性材料の粒子相と相互に分散し合う複合相を形成することが好ましい。上記第三元素が別の粒子相を形成する場合には、当該第三元素の粒子相の平均粒径は20μm以下であることが好ましく、10μm以下であることがより好ましく、5μm以下であることが更により好ましい。但し、当該第三元素の粒子相の平均粒径は、小さすぎると混合粉作製工程中に大気中の酸素によって酸化が進む懸念があることから、0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましく、2μm以上であることが更により好ましい。 When the third element is present in another particle phase, the other particle phase preferably forms a composite phase in which the Co-Pt alloy particle phase is mutually dispersed. Further, when a particle phase of a non-magnetic material described later is further present, the other particle phase may form a composite phase in which the Co-Pt alloy particle phase and the particle phase of the non-magnetic material are mutually dispersed. preferable. When the third element forms another particle phase, the average particle diameter of the particle phase of the third element is preferably 20 μm or less, more preferably 10 μm or less, and 5 μm or less. Are even more preferred. However, the average particle size of the particle phase of the third element is preferably 0.5 μm or more, because if the average particle size of the particle phase of the third element is too small, oxidation may proceed due to oxygen in the atmosphere during the mixed powder preparation process. And more preferably 2 μm or more.

(5.非磁性材料)
本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは添加材料として、炭素、酸化物、窒化物、炭化物及び炭窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を合計で25mol%以下、例えば5〜20mol%、典型的には5〜15mol%含有してもよい。この場合、スパッタリングターゲットは、グラニュラー構造をもつ磁気記録膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクドライブの記録膜の材料に好適な特性を備えることができる。
(5. Non-magnetic material)
The ferromagnetic material sputtering target according to the present invention contains, as an additive material, one or more non-magnetic materials selected from the group consisting of carbon, oxides, nitrides, carbides and carbonitrides in total of 25 mol% or less, For example, the content may be 5 to 20 mol %, typically 5 to 15 mol %. In this case, the sputtering target can have characteristics suitable for the material of the magnetic recording film having the granular structure, particularly the recording film of the hard disk drive adopting the perpendicular magnetic recording system.

炭化物の例としては、B、Ca、Nb、Si、Ta、Ti、W及びZrよりなる群から選択される元素の一種又は二種以上の炭化物が挙げられる。酸化物の例としては、Si、Al、B、Ba、Be、Co、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn及びZrよりなる群から選択される元素の一種又は二種以上の酸化物が挙げられる。酸化物の中でもSiO2はスパッタリングターゲットの高密度化に寄与する効果が大きいため、添加することが好ましい。窒化物の例としては、Al、Ca、Nb、Si、Ta、Ti及びZrよりなる群から選択される元素の一種又は二種以上の窒化物が挙げられる。これらの非磁性材料は要求される磁性薄膜の磁気特性に応じて適宜添加すればよい。なお、Cr酸化物及びCo酸化物は、金属として添加するCr及びCoとは異なるものとして認識される。 Examples of the carbide include one or two or more kinds of carbides selected from the group consisting of B, Ca, Nb, Si, Ta, Ti, W and Zr. Examples of oxides include Si, Al, B, Ba, Be, Co, Ca, Ce, Cr, Dy, Er, Eu, Ga, Gd, Ho, Li, Mg, Mn, Nb, Nd, Pr, Sc. Oxides of one or more elements selected from the group consisting of Sm, Sr, Ta, Tb, Ti, V, Y, Zn and Zr. Among the oxides, SiO 2 has a large effect of contributing to increasing the density of the sputtering target, and therefore it is preferable to add SiO 2 . Examples of the nitride include one or more nitrides of elements selected from the group consisting of Al, Ca, Nb, Si, Ta, Ti and Zr. These non-magnetic materials may be added appropriately according to the required magnetic properties of the magnetic thin film. The Cr oxide and Co oxide are recognized as different from Cr and Co added as metals.

非磁性材料は、Co−Pt合金粒子相及びCo粒子相と区別可能な非磁性材料の粒子相としてターゲット組織中で分散して存在することができる。その場合、非磁性材料の粒子相の平均粒径は2μm以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましく、0.5μm以下であることが更により好ましい。但し、当該非磁性材料の粒子相の平均粒径は、小さすぎると混合粉作製工程中に互いに凝集して塊(粗大な二次粒子)となる懸念があることから、0.05μm以上であることが好ましく、0.1μm以上であることがより好ましく、0.2μm以上であることが更により好ましい。 The non-magnetic material can be present as a particle phase of the non-magnetic material that is distinguishable from the Co-Pt alloy particle phase and the Co particle phase in a dispersed state in the target structure. In that case, the average particle diameter of the particle phase of the non-magnetic material is preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, and even more preferably 0.5 μm or less. However, the average particle size of the particle phase of the non-magnetic material is 0.05 μm or more, because if it is too small, there is a risk of agglomeration with each other during the mixed powder preparation process to form lumps (coarse secondary particles). The thickness is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.2 μm or more.

(6.XRDのプロファイル)
本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは一実施形態において、2θの測定範囲を30°〜60°としたXRD測定において、33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有する。スパッタリングターゲットがこのようなXRDのプロファイルを有することで、漏洩磁束をより大きくすることが可能となる。理論によって本発明が限定されることを意図するものではないが、上記各ピークはL10構造に由来しており、本発明に係るスパッタリングターゲットの組成からみて、Co−Pt合金粒子相がL10構造の規則相を形成している場合に、このようなピークが観察されると推察される。
(6. XRD profile)
In one embodiment, the ferromagnetic material sputtering target according to the present invention is 33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2 in XRD measurement in which the measurement range of 2θ is 30° to 60°. There are peaks at respective positions of °, 49.44±2°, and 54.21±2°. Since the sputtering target has such an XRD profile, it is possible to further increase the leakage magnetic flux. Although the present invention is not intended to be limited by theory, the above-mentioned peaks are derived from the L1 0 structure, and the composition of the sputtering target according to the present invention shows that the Co—Pt alloy particle phase is L1 0. It is presumed that such a peak is observed when the ordered phase of the structure is formed.

2θ=33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有するというのは、各位置におけるピーク強度のバックグラウンド強度(2θ=37.0〜38.0°の強度の平均値)に対する比が2以上であることを意味し、一般には当該比は2〜200とすることができる。 2θ=33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2°, 49.44±2°, and 54.21±2° have a peak at each position. It means that the ratio of the peak intensity to the background intensity (average value of the intensity of 2θ=37.0 to 38.0°) in 2 is 2 or more, and the ratio can be generally set to 2 to 200.

とりわけ、漏洩磁束を高めるためにはL10構造がしっかりと形成されていることが必要であるとの理由から、XRD測定の2θの測定範囲が30°〜60°における最も強いピークが41.52±2°に存在することが好ましい。41.52±2°はCo−PtのL10構造の最強ピークである。 In particular, since it is necessary for the L1 0 structure to be firmly formed in order to increase the leakage magnetic flux, the strongest peak at 41 in the measurement range of 2θ of 30° to 60° in XRD measurement is 41.52. It is preferably present at ±2°. 41.52 ± 2 ° is a strongest peak of L1 0 structure of Co-Pt.

本発明においてスパッタリングターゲットのXRD測定は以下の条件で測定される。測定装置としてX線回折装置(実施例ではリガク社製UltimaIVを使用した。)を用い、管球はCu、測定条件は管電圧40kv、管電流30mA、スキャンスピード4°/min、ステップ0.02°とし、θ/2θ法でスパッタ面に水平な面に対して測定する。スパッタ面に水平な面であれば、表面でも切断面でも構わない。 In the present invention, the XRD measurement of the sputtering target is measured under the following conditions. An X-ray diffractometer (Ultima IV manufactured by Rigaku Co., Ltd. was used as a measuring device) was used as a measuring device, a tube was Cu, measuring conditions were a tube voltage of 40 kv, a tube current of 30 mA, a scan speed of 4°/min, and a step of 0.02. And is measured on a surface horizontal to the sputtering surface by the θ/2θ method. It may be a surface or a cut surface as long as it is a surface horizontal to the sputtering surface.

(7.製法)
本発明に係る強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の手順によって作製することができる。
(7. Manufacturing method)
The ferromagnetic material sputtering target according to the present invention can be manufactured by the following procedure using the powder sintering method.

純度が90mol%以上、好ましくは95mol%以上、より好ましくは99.9mol%以上のCo粉末を用意する。Co粉末は溶解鋳造した金属コバルトのインゴットを粉砕して作製してもよいし、ガスアトマイズ法により作製してもよい。当該Co粉末のメジアン径は30μm以上であることが好ましく、50μm以上であることがより好ましく、100μm以上であることが更により好ましい。但し、当該Co粉末のメジアン径は、大きすぎると他の粉末材料との均一に混合することが難しいことやスパッタリング中にパーティクルの原因となる懸念があることから、300μm以下であることが好ましく、200μm以下であることがより好ましく、150μm以下であることが更により好ましい。メジアン径は粉砕や篩別により調整可能である。 A Co powder having a purity of 90 mol% or more, preferably 95 mol% or more, more preferably 99.9 mol% or more is prepared. The Co powder may be produced by crushing an ingot of melt-cast metallic cobalt, or may be produced by a gas atomizing method. The median diameter of the Co powder is preferably 30 μm or more, more preferably 50 μm or more, and even more preferably 100 μm or more. However, the median diameter of the Co powder is preferably 300 μm or less, because if it is too large, it may be difficult to uniformly mix it with other powder materials or particles may be caused during sputtering. It is more preferably 200 μm or less, and even more preferably 150 μm or less. The median diameter can be adjusted by crushing or sieving.

また、Co:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)のモル比となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上、好ましくは80mol%以上、より好ましくは90mol%以上、更により好ましくは99mol%以上含有するCo−Pt合金粉末を用意する。L10構造を発達させるという観点から、当該Co−Pt合金粉末のメジアン径は7μm以下であることが好ましく、6μm以下であることがより好ましく、5μm以下であることが更により好ましい。但し、当該Co−Pt合金粉末のメジアン径は、小さすぎると混合工程中に大気中の酸素で酸化してしまう懸念があるであることから、0.1μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがより好ましく、1μm以上であることが更により好ましい。 In addition, under the condition that the molar ratio is Co:Pt=Y:100-Y (20≦Y≦60.5), the total amount of metallic Co and metallic Pt is 70 mol% or more, preferably 80 mol% or more, more preferably 90 mol. % Or more, and more preferably 99 mol% or more, of a Co—Pt alloy powder is prepared. From the viewpoint of developing the L1 0 structure, the median diameter of the Co—Pt alloy powder is preferably 7 μm or less, more preferably 6 μm or less, and even more preferably 5 μm or less. However, the median diameter of the Co—Pt alloy powder is preferably 0.1 μm or more, and 0.5 μm, because if it is too small, there is a concern that it may be oxidized by oxygen in the atmosphere during the mixing step. More preferably, it is more preferably 1 μm or more.

このようなCo−Pt合金粉末を作製する方法としては、Co:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)のモル比でCo粉末及びPt粉末を混合した粉末を、不活性雰囲気下、800℃〜1000℃の加熱温度で焼成する方法がある。当該焼成方法により、2θの測定範囲を30°〜60°としたXRD測定において、2θ=33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有するCo−Pt合金のスポンジを得ることができる。不活性雰囲気としては、例えば、真空雰囲気、Arガス雰囲気等の希ガス雰囲気、及び、窒素ガス雰囲気が挙げられる。得られたスポンジを粉砕することで得られた粉末を篩別することによりメジアン径を調整可能である。 As a method for producing such a Co-Pt alloy powder, a powder obtained by mixing Co powder and Pt powder in a molar ratio of Co:Pt=Y:100-Y (20≤Y≤60.5) is inert. There is a method of firing at a heating temperature of 800° C. to 1000° C. in an atmosphere. According to the firing method, in the XRD measurement in which the measurement range of 2θ was 30° to 60°, 2θ=33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2°, 49.44±2° , And a Co—Pt alloy sponge having a peak at each position of 54.21±2° can be obtained. Examples of the inert atmosphere include vacuum atmosphere, rare gas atmosphere such as Ar gas atmosphere, and nitrogen gas atmosphere. The median diameter can be adjusted by sieving the powder obtained by crushing the obtained sponge.

次いで、Co−Pt合金粉末とCo粉末を混合し、Co:Pt=X:100−X(59≦X<100)のモル比で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有する混合粉末を得る。 Next, a Co-Pt alloy powder and a Co powder are mixed, and a mixed powder containing a total of 70 mol% or more of metal Co and metal Pt in a molar ratio of Co:Pt=X:100-X (59≦X<100). To get

必要に応じて、B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Al、Si及びZnよりなる群から選択される一種又は二種以上の第三元素の粉末を用意する。第三元素の粉末は、混合粉末中の合計濃度が先述したスパッタリングターゲット中の所定濃度となるように添加することが好ましい。第三元素の粉末のメジアン径は20μm以下であることが好ましく、10μm以下であることがより好ましく、5μm以下であることが更により好ましい。但し、第三元素の粉末のメジアン径は、小さすぎると混合粉作製工程中に大気中の酸素によって酸化が進む懸念があるであることから、0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましく、2μm以上であることが更により好ましい。 Prepare powders of one or more third elements selected from the group consisting of B, Ti, V, Mn, Zr, Nb, Ru, Mo, Ta, W, Al, Si and Zn, as needed. To do. The powder of the third element is preferably added so that the total concentration in the mixed powder becomes the predetermined concentration in the above-mentioned sputtering target. The median diameter of the powder of the third element is preferably 20 μm or less, more preferably 10 μm or less, and even more preferably 5 μm or less. However, if the median diameter of the powder of the third element is too small, there is a concern that oxygen in the atmosphere may promote oxidation during the mixed powder preparation process, so it is preferably 0.5 μm or more, and 1 μm or more. It is more preferable, and it is even more preferable that the thickness is 2 μm or more.

必要に応じて、炭素、酸化物、窒化物、炭化物及び炭窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上の非磁性材料の粉末を用意する。非磁性材料の粉末は、混合粉末中の合計濃度が先述したスパッタリングターゲット中の所定濃度となるように添加することが好ましい。非磁性材料の粉末のメジアン径は2μm以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましく、0.5μm以下であることが更により好ましい。但し、当該非磁性材料の粉末のメジアン径は、小さすぎると混合粉作製工程中に大気中の酸素によって酸化が進む懸念があることから、0.05μm以上であることが好ましく、0.1μm以上であることがより好ましく、0.2μm以上であることが更により好ましい。 If necessary, powder of one or more non-magnetic materials selected from the group consisting of carbon, oxides, nitrides, carbides and carbonitrides is prepared. The powder of the non-magnetic material is preferably added so that the total concentration in the mixed powder becomes the predetermined concentration in the above-mentioned sputtering target. The median diameter of the non-magnetic material powder is preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, and even more preferably 0.5 μm or less. However, the median diameter of the powder of the non-magnetic material is preferably 0.05 μm or more, and 0.1 μm or more, because if the median diameter of the powder is too small, there is a concern that oxygen in the atmosphere may promote oxidation during the mixed powder preparation process. Is more preferable and 0.2 μm or more is even more preferable.

必要に応じて、更にCr粉末を用意する。Cr粉末を添加する場合は、混合粉末中の金属Crの合計濃度が先述したスパッタリングターゲット中の所定濃度範囲内となるように留意する。Cr粉末のメジアン径は10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましく、3μm以下であることが更により好ましい。但し、Cr粉末のメジアン径は、小さすぎると混合粉作製工程中に大気中の酸素によって酸化が進む懸念があることから、1μm以上であることが好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、2μm以上であることが更により好ましい。 If necessary, further Cr powder is prepared. When Cr powder is added, care should be taken so that the total concentration of metallic Cr in the mixed powder falls within the predetermined concentration range in the sputtering target described above. The median diameter of the Cr powder is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, and even more preferably 3 μm or less. However, the median diameter of the Cr powder is preferably 1 μm or more, more preferably 1.5 μm or more, because if the median diameter of the Cr powder is too small, oxidation in the air may proceed during the mixed powder preparation process. It is even more preferably 2 μm or more.

なお、上記の各原料粉におけるメジアン径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における体積値基準での積算値50%(D50)での粒径を意味する。実施例においては、HORIBA社製の型式LA−920の粒度分布測定装置を使用し、粉末をエタノールの溶媒中に分散させて湿式法にて測定した。屈折率は金属コバルトの値を使用した。 The median diameter in each of the above raw material powders means the particle diameter at an integrated value of 50% (D50) on the volume value basis in the particle size distribution obtained by the laser diffraction/scattering method. In the examples, a particle size distribution analyzer of model LA-920 manufactured by HORIBA was used, and the powder was dispersed in a solvent of ethanol, and the measurement was carried out by a wet method. As the refractive index, the value of metallic cobalt was used.

上記原料粉を所望の組成となるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。このとき、粉砕容器内に不活性ガスを封入して原料粉の酸化をできるかぎり抑制することが望ましい。不活性ガスとしては、Ar、N2ガスが挙げられる。 The above raw material powders are weighed so as to have a desired composition, and are mixed for pulverization using a known method such as a ball mill. At this time, it is desirable to suppress the oxidation of the raw material powder as much as possible by sealing an inert gas in the crushing container. Examples of the inert gas include Ar and N 2 gas.

このようにして得られた混合粉末をホットプレス法で真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下において成形・焼結する。また、前記ホットプレス法以外にも、プラズマ放電焼結法など様々な加圧焼結方法を使用することができる。特に、熱間等方加圧加工法(HIP)は、焼結体の密度向上に有効であり、ホットプレス法と熱間等方加圧加工法をこの順に実施することが焼結体の密度向上の観点から好ましい。 The mixed powder thus obtained is molded and sintered by a hot pressing method in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere. In addition to the hot pressing method, various pressure sintering methods such as plasma discharge sintering method can be used. In particular, the hot isostatic pressing method (HIP) is effective for improving the density of the sintered body, and it is preferable to carry out the hot pressing method and the hot isostatic pressing method in this order. It is preferable from the viewpoint of improvement.

焼結時の保持温度は、ターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、700〜1200℃の温度範囲で保持すればよい。当該温度範囲の中でも、L10構造の規則相を多くするという観点からは、焼結時の保持温度は1050℃以下とすることが好ましく、1000℃以下とすることがより好ましく、950℃以下とすることがさらにより好ましい。また、焼結時の圧力は300〜500kg/cm2であることが好ましい。熱間等方加圧加工時の保持温度は焼結体の組成にもよるが、多くの場合、700〜1200℃の温度範囲である。当該温度範囲の中でも、L10構造の規則相を多くするという観点からは、1050℃以下とすることが好ましく、1000℃以下とすることがより好ましく、950℃以下とすることがさらにより好ましい。また、加圧力は100MPa以上に設定することが好ましい。 The holding temperature during sintering is preferably set to the lowest temperature in the temperature range in which the target is sufficiently densified. Although it depends on the composition of the target, in most cases, the temperature may be maintained in the temperature range of 700 to 1200°C. From the viewpoint of increasing the number of ordered phases of the L1 0 structure within the temperature range, the holding temperature during sintering is preferably 1050° C. or lower, more preferably 1000° C. or lower, and 950° C. or lower. It is even more preferable to do so. The pressure during sintering is preferably 300 to 500 kg/cm 2 . The holding temperature at the time of hot isostatic pressing depends on the composition of the sintered body, but in most cases, it is in the temperature range of 700 to 1200°C. From the viewpoint of increasing the number of ordered phases of the L1 0 structure within the temperature range, the temperature is preferably 1050° C. or lower, more preferably 1000° C. or lower, and even more preferably 950° C. or lower. Moreover, it is preferable to set the applied pressure to 100 MPa or more.

焼結時間は、焼結体の密度向上のために0.3時間以上とすることが好ましく、0.5時間以上とすることがより好ましく、1.0時間以上とすることが更により好ましい。また、焼結時間は、結晶粒の粗大化を防止するために3.0時間以下とすることが好ましく、2.0時間以下とすることがより好ましく、1.5時間以下とすることが更により好ましい。 The sintering time is preferably 0.3 hours or more, more preferably 0.5 hours or more, and even more preferably 1.0 hour or more in order to improve the density of the sintered body. Further, the sintering time is preferably 3.0 hours or less, more preferably 2.0 hours or less, and further preferably 1.5 hours or less in order to prevent coarsening of crystal grains. Is more preferable.

得られた焼結体を、旋盤等を用いて所望の形状に成形加工することにより、本発明に係るスパッタリングターゲットを作製することができる。ターゲット形状には特に制限はないが、例えば平板状(円盤状や矩形板状を含む)及び円筒状が挙げられる。本発明に係るスパッタリングターゲットは、磁気記録膜の成膜に使用するスパッタリングターゲットとして特に有用である。 The sputtering target according to the present invention can be produced by molding the obtained sintered body into a desired shape using a lathe or the like. The target shape is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate shape (including a disk shape and a rectangular plate shape) and a cylindrical shape. The sputtering target according to the present invention is particularly useful as a sputtering target used for forming a magnetic recording film.

以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。 Hereinafter, examples of the present invention will be shown together with comparative examples, but these examples are provided for better understanding of the present invention and its advantages, and are not intended to limit the present invention. ..

(1.スパッタリングターゲットの作製)
原料粉末として、表1に記載の各メジアン径のCo粉末、Pt粉末、Co−Pt合金粉末、Cr粉末、B23粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Co34粉末、Cr23粉末、B粉末、Ru粉末、Ta粉末、Ta25粉末、CoO粉末、Si34粉末、SiC粉末を用意した。何れも高純度品であり、不可避的不純物以外は含まない。これらの粉末のメジアン径は篩別して適宜調整した。
(1. Preparation of sputtering target)
As the raw material powder, Co powder, Pt powder, Co—Pt alloy powder, Cr powder, B 2 O 3 powder, TiO 2 powder, SiO 2 powder, Co 3 O 4 powder, Cr 2 having each median diameter shown in Table 1 are used. O 3 powder, B powder, Ru powder, Ta powder, Ta 2 O 5 powder, CoO powder, Si 3 N 4 powder, and SiC powder were prepared. All of them are high-purity products and contain no impurities other than unavoidable impurities. The median diameter of these powders was screened and appropriately adjusted.

上記の原料粉末のうち、Co−Pt合金粉末は以下の手順で用意した。Co−Pt合金粉末中のCoモル比(Y)が表3に記載の値になるように、メジアン径が3μmのCo粉末及びメジアン径が2μmのPt粉末を自動乳鉢を用いて2時間回転させて混合した。次いで、得られた混合粉末を試験番号に応じて表5に記載の事前熱処理温度として真空雰囲気で2時間焼成した。次いで、得られたスポンジを粉砕することで得られた粉末を篩別することにより表1に記載の各種メジアン径を有するCo−Pt合金粉末を得た。ただし、比較例3におけるCo−Pt粉はガスアトマイズ法により作製したものを篩別して使用した。 Among the above raw material powders, Co—Pt alloy powder was prepared by the following procedure. Rotate Co powder having a median diameter of 3 μm and Pt powder having a median diameter of 2 μm for 2 hours using an automatic mortar so that the Co molar ratio (Y) in the Co—Pt alloy powder becomes the value described in Table 3. Mixed. Next, the obtained mixed powder was fired for 2 hours in a vacuum atmosphere at the preheat treatment temperature shown in Table 5 according to the test number. Next, the obtained sponge was crushed to obtain a powder obtained by sieving to obtain Co-Pt alloy powder having various median diameters shown in Table 1. However, the Co-Pt powder in Comparative Example 3 was used after being screened by a gas atomizing method.

Figure 0006728094
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次に、上記の各原料粉末を試験番号に応じて表3の組成欄に記載のモル比となるように、表2に示す質量比で、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次いで、得られた混合粉末をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中で表5に示す温度で、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件下でホットプレスして、焼結体を得た。次に、ホットプレスから取り出した焼結体に、表5に示す温度で熱間等方加圧加工を施した。また、加圧力は100〜200MPaの範囲に設定した。さらにこれを、汎用旋盤および平面研削盤を用いて研削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。原料粉末の混合割合から計算した各試験番号におけるターゲット組成、及びターゲット中の金属Co及び金属Ptの合計に対する金属Coのモル比(X)(%)を表3に示す。また、Co−Pt合金粒子相中の金属Co及び金属Ptの合計に対する金属Coのモル比(Co−Pt合金粉末の組成に等しい)(Y)(%)を表3に示す。 Next, the above raw material powders were placed in a ball mill pot with a capacity of 10 liters together with the zirconia balls as the grinding media at the mass ratios shown in Table 2 so that the molar ratios described in the composition column of Table 3 were obtained according to the test numbers. Encapsulate and rotate for 20 hours to mix. Next, the obtained mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed under a vacuum atmosphere at a temperature shown in Table 5 for a holding time of 2 hours and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. .. Next, the sintered body taken out from the hot press was subjected to hot isostatic pressing at the temperature shown in Table 5. Further, the pressing force was set in the range of 100 to 200 MPa. Further, this was ground using a general-purpose lathe and a surface grinder to obtain a disk-shaped sputtering target having a diameter of 180 mm and a thickness of 5 mm. Table 3 shows the target composition in each test number calculated from the mixing ratio of the raw material powders, and the molar ratio (X) (%) of metallic Co to the total of metallic Co and metallic Pt in the target. Table 3 shows the molar ratio of metallic Co to the total of metallic Co and metallic Pt in the Co—Pt alloy particle phase (equal to the composition of the Co—Pt alloy powder) (Y) (%).

Figure 0006728094
Figure 0006728094

Figure 0006728094
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(2.ターゲット組織の分析)
上記手順により得られた各スパッタリングターゲットについて、下記に示す手順により観察し、Co粒子相、Co−Pt合金粒子相、第三元素の粒子相、及び非磁性材料の相の平均粒径を求めた。なお、Co粒子相、Co−Pt合金粒子相、第三元素の粒子相および非磁性材料の相はFE−EPMAの元素マッピング画像を用いて特定した。結果を表4に示す。
(2. Analysis of target organization)
Each sputtering target obtained by the above procedure was observed by the following procedure, and the average particle diameters of the Co particle phase, the Co—Pt alloy particle phase, the particle phase of the third element, and the phase of the nonmagnetic material were obtained. .. The Co particle phase, the Co-Pt alloy particle phase, the particle phase of the third element, and the phase of the non-magnetic material were identified using the element mapping image of FE-EPMA. The results are shown in Table 4.

(2−1 Co−Pt合金粒子相)
本発明において、Co−Pt合金粒子相の平均粒径は、以下の方法により算出する。スパッタリングターゲットのスパッタリング面に対して水平となる面の切断面を鏡面研磨したものを用いて、3000倍で撮影した縦70μm×横95μmのSEM写真上において、横方向に水平な二本の切断線によって写真を縦方向に等間隔で3分割し、各切断線によって切断されるCo−Pt合金粒子相の切断長さを測定し、その切断長さの平均値(μm)を視野毎に求める。なお、切断線の太さは写真の縦方向の長さの400分の1の太さとする。これを任意の10視野において実施し、10視野の平均値を測定値とする。なお、視野に一部分のみ含まれるCo−Pt合金粒子相は測定対象から除く。
(2-1 Co-Pt alloy particle phase)
In the present invention, the average particle size of the Co-Pt alloy particle phase is calculated by the following method. Using a mirror-polished cut surface that is horizontal to the sputtering surface of the sputtering target, two laterally horizontal cutting lines on a SEM photograph of length 70 μm × width 95 μm taken at 3000 times. The photograph is divided into three parts at equal intervals in the vertical direction, the cutting length of the Co—Pt alloy particle phase cut along each cutting line is measured, and the average value (μm) of the cutting length is determined for each visual field. The thickness of the cutting line is 1/400 of the vertical length of the photograph. This is carried out in any 10 visual fields, and the average value of the 10 visual fields is used as the measured value. The Co-Pt alloy particle phase, which is included only partly in the visual field, is excluded from the measurement target.

(2−2 Co粒子相)
本発明において、Co粒子相の平均粒径は、以下の方法により算出する。Co粒子相の大きさの測定は、スパッタリングターゲットのスパッタリング面に対して水平となる面の切断面を鏡面研磨したものを用いて、220倍で撮影した縦1120μm×横1500μmのSEM写真上において、横方向に水平な二本の切断線によって写真を縦方向に等間隔で3分割し、各切断線によって切断されるCo粒子相の切断長さを測定し、その切断長さの平均値(μm)を視野毎に求める。なお、切断線の太さは写真の縦方向の長さの400分の1の太さとする。これを任意の10視野において実施し、10視野の平均値を測定値とする。なお、視野に一部分のみ含まれるCo粒子相は測定対象から除く。
(2-2 Co particle phase)
In the present invention, the average particle size of the Co particle phase is calculated by the following method. The size of the Co particle phase was measured by using a mirror-polished cut surface of the surface that is horizontal to the sputtering surface of the sputtering target, and on a SEM photograph of 1120 μm in length×1500 μm in width taken at 220 times. The photograph was divided into three parts at equal intervals in the vertical direction by two horizontal cutting lines, and the cutting length of the Co particle phase cut by each cutting line was measured. The average cutting length (μm) ) For each field of view. The thickness of the cutting line is 1/400 of the vertical length of the photograph. This is carried out in any 10 visual fields, and the average value of the 10 visual fields is used as the measured value. Note that the Co particle phase, which is included only partly in the visual field, is excluded from the measurement target.

(2−3 第三元素の粒子相)
本発明において、第三元素が独立した粒子相を形成する場合の、第三元素の粒子相の平均粒径は、以下の方法により算出する。スパッタリングターゲットのスパッタリング面に対して水平となる面の切断面を鏡面研磨したものを用いて、1000倍で撮影した縦215μm×横290μmのSEM写真上において、横方向に水平な二本の切断線によって写真を縦方向に等間隔で3分割し、各切断線によって切断される第三元素の粒子相の切断長さを測定し、その切断長さの平均値(μm)を視野毎に求める。なお、切断線の太さは写真の縦方向の長さの400分の1の太さとする。これを任意の10視野において実施し、10視野の平均値を測定値とする。なお、視野に一部分のみ含まれる第三元素の粒子相は測定対象から除く。
(2-3 Particle Phase of Third Element)
In the present invention, when the third element forms an independent particle phase, the average particle size of the particle phase of the third element is calculated by the following method. Using a mirror-polished cut surface that is horizontal to the sputtering surface of the sputtering target, two horizontal cutting lines are formed on the SEM photograph of 215 μm in length × 290 μm in width taken at 1000 times. The photograph is divided into three parts at equal intervals in the vertical direction, the cutting length of the particle phase of the third element cut along each cutting line is measured, and the average value (μm) of the cutting length is obtained for each visual field. The thickness of the cutting line is 1/400 of the vertical length of the photograph. This is carried out in any 10 visual fields, and the average value of the 10 visual fields is used as the measured value. The particle phase of the third element, which is included in the visual field only partially, is excluded from the measurement target.

(2−4 非磁性材料の粒子相)
本発明において、非磁性材料の粒子相の平均粒径は、以下の方法により算出する。スパッタリングターゲットのスパッタリング面に対して水平となる面の切断面を鏡面研磨したものを用いて、3000倍で撮影した縦70μm×横95μmのSEM写真上において、横方向に水平な二本の切断線によって写真を縦方向に等間隔で3分割し、各切断線によって切断される非磁性材料の粒子相の切断長さを測定し、その切断長さの平均値(μm)を視野毎に求める。なお、切断線の太さは写真の縦方向の長さの400分の1の太さとする。これを任意の10視野において実施し、10視野の平均値を測定値とする。なお、視野に一部分のみ含まれる非磁性材料の粒子相は測定対象から除く。
(2-4 Particle phase of non-magnetic material)
In the present invention, the average particle size of the particle phase of the nonmagnetic material is calculated by the following method. Using a mirror-polished cut surface that is horizontal to the sputtering surface of the sputtering target, two laterally horizontal cutting lines on a SEM photograph of 70 μm in length × 95 μm in width taken at 3000 times. The photograph is divided into three parts at equal intervals in the vertical direction, the cutting length of the particle phase of the non-magnetic material cut along each cutting line is measured, and the average value (μm) of the cutting length is determined for each visual field. The thickness of the cutting line is 1/400 of the vertical length of the photograph. This is carried out in any 10 visual fields, and the average value of the 10 visual fields is used as the measured value. The particle phase of the non-magnetic material, which is included in the visual field only partially, is excluded from the measurement target.

Figure 0006728094
Figure 0006728094

(3.漏洩磁束の測定)
上記手順により得られた各スパッタリングターゲットについて、漏洩磁束の測定をASTM F2086−01(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2)に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、0°、30°、60°、90°、120°と回転させて測定した漏洩磁束密度(PTF)を、ASTMで定義されているreference fieldの値で割り返し、100を掛けてパーセントで表した。そしてこれら5点について平均した結果を、平均漏洩磁束密度(PTF(%))として表5に記載した。
(3. Measurement of leakage magnetic flux)
The leakage magnetic flux of each sputtering target obtained by the above procedure was measured according to ASTM F2086-01 (Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2). The leakage magnetic flux density (PTF) measured by fixing the center of the target and rotating it at 0°, 30°, 60°, 90° and 120° was divided by the value of the reference field defined in ASTM, and 100 Multiplied by and expressed as a percentage. The results of averaging these 5 points are shown in Table 5 as the average leakage magnetic flux density (PTF (%)).

(4.パーティクルの測定)
上記手順により得られた各スパッタリングターゲットを、マグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が0.07μm以上のパーティクルの個数を表面異物検査装置(Candela CS920、KLA−Tencor社製)で測定した。結果を表5に示す。
(4. Particle measurement)
Each of the sputtering targets obtained by the above procedure was attached to a magnetron sputtering device (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva) and sputtering was performed. The sputtering conditions were an input power of 1 kW, an Ar gas pressure of 1.7 Pa, a pre-sputtering of 2 kWhr, and a film formation for 20 seconds on a silicon substrate having a diameter of 4 inches. Then, the number of particles having a particle diameter of 0.07 μm or more attached to the substrate was measured by a surface foreign matter inspection device (Candela CS920, manufactured by KLA-Tencor). The results are shown in Table 5.

(5.XRD測定)
上記手順により得られた各スパッタリングターゲットのスパッタ面に対して水平となる面の切断面を鏡面研磨したものに対してX線回折装置(リガク社製UltimaIV)を使用して先述した測定条件でXRD測定を行った。XRD測定においては、2θの測定範囲を30°〜60°とし、33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各回折角(2θ)におけるピーク強度のバックグラウンド強度(2θ=37.0〜38.0°の強度の平均値)に対する比を調査した。結果を表5に示す。また、比較例1、比較例2、比較例3、実施例1、実施例2、実施例3、実施例5及び実施例7のXRDプロファイルを図1〜図8にそれぞれ掲載する。
(5. XRD measurement)
Using the X-ray diffractometer (Ultima IV manufactured by Rigaku Co., Ltd.) under the measurement conditions described above, the cut surface of each sputtering target, which is horizontal to the sputtering surface, obtained by the above procedure is mirror-polished. The measurement was performed. In the XRD measurement, the measurement range of 2θ is set to 30° to 60°, 33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2°, 49.44±2°, and 54.21±. The ratio of the peak intensity at each diffraction angle (2θ) of 2° to the background intensity (average value of the intensity of 2θ=37.0 to 38.0°) was investigated. The results are shown in Table 5. Moreover, the XRD profiles of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Comparative Example 3, Example 1, Example 2, Example 3, Example 5, and Example 7 are shown in FIGS. 1 to 8, respectively.

Figure 0006728094
Figure 0006728094

Claims (9)

Co:Pt=X:100−X(59≦X<100)のモル比で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有し、金属Crを0mol%以上20mol%以下含有する強磁性材スパッタリングターゲットであって、
金属Coを90mol%以上含有し、平均粒径が30〜300μmのCo粒子相と、
モル比でCo:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有する平均粒径が7μm以下のCo−Pt合金粒子相を有する強磁性材スパッタリングターゲット。
Co:Pt=X:100-X (59≦X<100) at a molar ratio of a metal Co and a metal Pt in a total amount of 70 mol% or more and a metal Cr content of 0 mol% or more and 20 mol% or less. The target,
A Co particle phase containing 90 mol% or more of metallic Co and having an average particle size of 30 to 300 μm,
A Co-Pt alloy containing metallic Co and metallic Pt in a total amount of 70 mol% or more and having an average particle size of 7 μm or less under the condition of Co:Pt=Y:100-Y (20≦Y≦60.5) in a molar ratio. A ferromagnetic material sputtering target having a particle phase.
B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Al、Si及びZnよりなる群から選択される一種又は二種以上の第三元素を合計で30mol%以下含有する請求項1に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。 A total of 30 mol% or less of one or more third elements selected from the group consisting of B, Ti, V, Mn, Zr, Nb, Ru, Mo, Ta, W, Al, Si and Zn. Item 1. The ferromagnetic material sputtering target according to Item 1. 炭素、酸化物、窒化物、炭化物及び炭窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を合計で25mol%以下含有する請求項1又は2に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。 The ferromagnetic material sputtering target according to claim 1 or 2, containing 25 mol% or less in total of one or more non-magnetic materials selected from the group consisting of carbon, oxides, nitrides, carbides and carbonitrides. .. 2θの測定範囲を30°〜60°としたXRD測定において、33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有する請求項1〜3の何れか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。 In XRD measurement with a measurement range of 2θ of 30° to 60°, 33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2°, 49.44±2°, and 54.21±2. The ferromagnetic material sputtering target according to any one of claims 1 to 3, which has a peak at each position of °. 金属Coを90mol%以上含有し、メジアン径が30〜300μmのCo粉末を用意する工程と、
モル比でCo:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有する、メジアン径が7μm以下のCo−Pt合金粉末を用意する工程と、
Co−Pt合金粉末とCo粉末を混合し、モル比でCo:Pt=X:100−X(59≦X<100)となる条件で、金属Co及び金属Ptを合計で70mol%以上含有し、金属Crを0mol%以上20mol%以下含有する混合粉末を得る工程と、
該混合粉末を焼成する工程と、
を含む請求項1〜4の何れか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。
A step of preparing Co powder containing 90 mol% or more of metallic Co and having a median diameter of 30 to 300 μm;
A Co-Pt alloy having a median diameter of 7 μm or less, which contains metallic Co and metallic Pt in a total amount of 70 mol% or more under the condition that Co:Pt=Y:100-Y (20≦Y≦60.5) in a molar ratio. A step of preparing powder,
Co—Pt alloy powder and Co powder are mixed, and the total content of metallic Co and metallic Pt is 70 mol% or more under the condition that the molar ratio is Co:Pt=X:100−X (59≦X<100). A step of obtaining a mixed powder containing metallic Cr of 0 mol% or more and 20 mol% or less,
Baking the mixed powder,
The method for manufacturing a ferromagnetic material sputtering target according to claim 1, further comprising:
前記混合粉末を得る工程は、更にB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Al、Si及びZnよりなる群から選択される一種又は二種以上の粉末を混合することを含む請求項5に記載の製造方法。 In the step of obtaining the mixed powder, one or more powders selected from the group consisting of B, Ti, V, Mn, Zr, Nb, Ru, Mo, Ta, W, Al, Si and Zn are further mixed. The manufacturing method according to claim 5, further comprising: 前記混合粉末を得る工程は、更に炭素、酸化物、窒化物、炭化物及び炭窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を混合することを含む請求項5又は6に記載の製造方法。 The step of obtaining the mixed powder further includes mixing one or more non-magnetic materials selected from the group consisting of carbon, oxides, nitrides, carbides and carbonitrides. The manufacturing method described. メジアン径が10μm以下のCo−Pt合金粉末を用意する工程は、Co:Pt=Y:100−Y(20≦Y≦60.5)のモル比でCo粉及びPt粉を混合した粉末を、800℃〜1000℃の加熱温度で焼成し、2θの測定範囲を30°〜60°としたXRD測定において、2θ=33.27±2°、41.52±2°、47.76±2°、49.44±2°、及び54.21±2°の各位置にピークを有する第一の焼結体を得る工程と、第一の焼結体を粉砕する工程とを含む請求項5〜7の何れか一項に記載の製造方法。 In the step of preparing a Co—Pt alloy powder having a median diameter of 10 μm or less, a powder obtained by mixing Co powder and Pt powder at a molar ratio of Co:Pt=Y:100-Y (20≦Y≦60.5) is used. In the XRD measurement in which the firing temperature was 800° C. to 1000° C. and the measurement range of 2θ was 30° to 60°, 2θ=33.27±2°, 41.52±2°, 47.76±2° , 49.44±2°, and 54.21±2°, and a step of obtaining a first sintered body having peaks at respective positions and a step of crushing the first sintered body. 7. The manufacturing method according to any one of 7. 請求項1〜4の何れか一項に記載のスパッタリングターゲットを用いることを含む磁気記録膜の製造方法。 A method of manufacturing a magnetic recording film, comprising using the sputtering target according to claim 1.
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