JP6714943B2 - Fuse element and fuse element - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 239
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 239
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 212
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 197
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 236
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 22
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 6
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920007962 Styrene Methyl Methacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- ADFPJHOAARPYLP-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methylprop-2-enoate;styrene Chemical compound COC(=O)C(C)=C.C=CC1=CC=CC=C1 ADFPJHOAARPYLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
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Description
本発明は、電流経路上に実装され、定格を超える異常な電流（過電流）が流れたときに自己発熱により溶断し当該電流経路を遮断するヒューズエレメント及びヒューズ素子に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a fuse element and a fuse element which are mounted on a current path and blow off due to self-heating when an abnormal current (overcurrent) exceeding a rating flows to cut off the current path.
従来から、電流経路に過電流が流れた際、当該電流経路上に配置された回路素子を保護するために、ヒューズエレメントが用いられている。このようなヒューズエレメントとしては、Ｐｂ含有ハンダが好まれて用いられている。しかしながら、２００７年に施行されたＲｏＨＳ指令により鉛含有ハンダの使用は制限されることとなり、今後鉛フリー化に対する要求はますます強くなるものと予想される。 Conventionally, a fuse element has been used to protect a circuit element arranged on a current path when an overcurrent flows through the current path. As such a fuse element, Pb-containing solder is preferably used. However, the RoHS Directive enforced in 2007 restricts the use of lead-containing solder, and it is expected that the demand for lead-free solder will become stronger in the future.
このような状況下において、例えば、特許文献１には、低融点金属層の表面に高融点金属層を積層し、過電流による発熱時には、低融点金属層が溶融しながら高融点金属層を侵食することで高融点金属の融点よりも低い温度で速やかに溶断することが可能なＰｂフリーのヒューズエレメントについて開示がなされている。 Under such circumstances, for example, in Patent Document 1, a refractory metal layer is laminated on the surface of the low melting point metal layer, and when heat is generated due to an overcurrent, the low melting point metal layer is melted and erodes the refractory metal layer. By doing so, a Pb-free fuse element that can be blown quickly at a temperature lower than the melting point of the high melting point metal is disclosed.
低融点金属層の表面に高融点金属層を積層したヒューズエレメントを回路基板にリフロー実装した場合、リフロー温度で低融点金属が溶融しても積層された高融点金属は溶融しないので、エレメント形状は維持されるといった利点がある。 When a fuse element in which a high melting point metal layer is laminated on the surface of a low melting point metal layer is reflow mounted on a circuit board, the laminated high melting point metal does not melt even if the low melting point metal melts at the reflow temperature. It has the advantage of being maintained.
しかしながら、実際のリフロー条件によっては、溶融した低融点金属が高融点金属内で流動して偏在し、エレメント形状も変化してしまうことがあった。このような事象が発生した場合、溶断箇所が設計上の位置からずれる、又は低融点金属が無くなった部分の導体抵抗が上昇するといった不具合が生じる恐れがある。 However, depending on the actual reflow conditions, the molten low melting point metal may flow and be unevenly distributed in the high melting point metal, and the element shape may change. When such an event occurs, there is a possibility that the fusing location may be displaced from the designed position, or the conductor resistance of the portion where the low melting point metal has disappeared may increase.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リフロー実装時における温度で低融点金属が溶融したとしても、溶断箇所が設計上の位置からずれる、又は低融点金属が無くなった部分の導体抵抗が上昇するといった不具合の発生を抑制することが可能なヒューズエレメント及びヒューズ素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, even if the low melting point metal is melted at the temperature during reflow mounting, the fusing point is displaced from the design position, or the conductor of the part where the low melting point metal is lost. An object of the present invention is to provide a fuse element and a fuse element capable of suppressing the occurrence of a defect such as an increase in resistance.
上記課題を解決するために、本発明に係るヒューズエレメントは、ヒューズ素子の通電経路を構成し、定格を超える電流が通電することによって自己発熱により溶断するヒューズエレメントにおいて、低融点金属層と上記低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、上記低融点金属層が、上記高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、上記低融点金属層が、厚さの異なる高膜厚部と低膜厚部とを有することを特徴とするヒューズエレメントとしている。
In order to solve the above problems, a fuse element according to the present invention is a fuse element that constitutes an energizing path of a fuse element and fuses by self-heating when a current exceeding a rating is energized. Having a high melting point metal layer laminated on the melting point metal layer, the low melting point metal layer is a fuse element using the action of eroding and melting the high melting point metal layer, the low melting point metal layer , The fuse element is characterized by having a high film thickness portion and a low film thickness portion having different thicknesses.
また、本発明に係る他の形態のヒューズエレメントは、ヒューズ素子の通電経路を構成し、定格を超える電流が通電することによって自己発熱により溶断するヒューズエレメントにおいて、低融点金属層と上記低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、上記低融点金属層が、上記高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、上記低融点金属層が、ヒューズエレメントの溶断箇所の厚さ方向において山折り部と谷折り部とを有することを特徴としている。
A fuse element according to another aspect of the present invention is a fuse element that constitutes an energizing path of the fuse element and melts by self-heating when a current exceeding a rating is applied to the low melting point metal layer and the low melting point metal. A low melting point metal layer, wherein the low melting point metal layer has a function of eroding and fusing the high melting point metal layer, and the low melting point metal layer is a fuse element. Is characterized by having a mountain fold portion and a valley fold portion in the thickness direction of the fusing point .
また、本発明に係るヒューズ素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に搭載され、定格を超える電流が通電することによって自己発熱により溶断するヒューズエレメントとを備え、上記ヒューズエレメントは、低融点金属層と、上記低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、上記低融点金属層が、上記高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、上記低融点金属層が、ヒューズエレメントの溶断箇所の厚さ方向において山折り部と谷折り部とを有することを特徴としている。 Further, a fuse element according to the present invention comprises an insulating substrate and a fuse element mounted on the insulating substrate and fused by self-heating when a current exceeding a rating is applied, and the fuse element is a low melting point metal layer. And a high-melting-point metal layer laminated on the low-melting-point metal layer, wherein the low-melting-point metal layer is a fuse element using the action of eroding and melting the high-melting-point metal layer, It is characterized in that the metal layer has a mountain fold portion and a valley fold portion in the thickness direction of the fused portion of the fuse element .
本発明によれば、リフロー実装時における温度で溶融した低融点金属層の移動が制限されるため、溶断箇所が設計上の位置からずれる、又は低融点金属が無くなった部分の導体抵抗が上昇するといった不具合の発生を抑制することが可能なヒューズエレメント及びヒューズ素子を提供することができる。 According to the present invention, the movement of the low-melting-point metal layer melted at the temperature during reflow mounting is restricted, so that the fusing point is displaced from the designed position, or the conductor resistance of the portion where the low-melting point metal is lost increases. It is possible to provide a fuse element and a fuse element capable of suppressing the occurrence of such problems.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本発明は、以下の記述のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following description, and can be appropriately modified without departing from the scope of the present invention. Also, the drawings are schematic, and the ratios of the respective dimensions may differ from the actual ones. Specific dimensions should be judged in consideration of the following description. Further, it is needless to say that the drawings include portions in which dimensional relationships and ratios are different from each other.
本発明の一形態に係るヒューズエレメントは、低融点金属層と当該低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、溶融した低融点金属が高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、低融点金属層と高融点金属層との何れかが又は両方が厚さの異なる高膜厚部と低膜厚部とを有することで、リフロー実装時における温度で溶融した低融点金属層の移動を制限するものである。 A fuse element according to an aspect of the present invention has a low-melting-point metal layer and a high-melting-point metal layer laminated on the low-melting-point metal layer, and the molten low-melting-point metal corrodes and melts the high-melting-point metal layer. In the fuse element using, the low-melting-point metal layer and the high-melting-point metal layer or both have a high-thickness portion and a low-thickness portion having different thicknesses. The movement of the low-melting-point metal layer melted in (3) is restricted.
［ヒューズエレメント］
図１（ａ）は本発明を適用したヒューズエレメント１０の断面形状を説明する概略断面図であり、図１（ｂ）はヒューズエレメント１０の斜視図である。ヒューズエレメント１０は、内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、当該低融点金属層１１の両面に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント１０は、低融点金属層１１が高膜厚部１１ａと当該高膜厚部１１ａよりも厚み方向における膜厚が薄い低膜厚部１１ｂとを備える。
[Fuse element]
FIG. 1A is a schematic sectional view for explaining a sectional shape of a fuse element 10 to which the present invention is applied, and FIG. 1B is a perspective view of the fuse element 10. The fuse element 10 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on both surfaces of the low melting point metal layer 11. The fuse element 10 includes a low-melting-point metal layer 11 having a high-thickness portion 11a and a low-thickness portion 11b having a smaller thickness in the thickness direction than the high-thickness portion 11a.
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、ヒューズエレメント１０の低融点金属層１１は、断面形状において略矩形状に形成された低膜厚部１１ｂの厚み方向両側に略台形状に形成された高膜厚部１１ａを有し、低膜厚部１１ｂと高膜厚部１１ａとは長さ方向において連続して形成されている。ここで、高膜厚部１１ａは低膜厚部１１ｂに対して２倍以上の厚みを有するように構成するのが好ましい。なお、本発明の説明において、厚み方向とは図１（ａ）紙面上におけるヒューズエレメントの上下方向を表し、長さ方向とは同図紙面上においてヒューズエレメントの左右方向を表すものとする。そして、ヒューズエレメント１０の高融点金属層１２は、低融点金属層１１の外面形状に応じて所定の厚みを有するよう積層されている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the low-melting-point metal layer 11 of the fuse element 10 has a substantially trapezoidal shape on both sides in the thickness direction of the low-thickness portion 11b formed in a substantially rectangular cross section. The high-thickness portion 11a is formed on the lower part, and the low-thickness portion 11b and the high-thickness portion 11a are continuously formed in the length direction. Here, the high film thickness portion 11a is preferably configured to have a thickness that is at least twice as large as that of the low film thickness portion 11b. In the description of the present invention, the thickness direction means the vertical direction of the fuse element on the paper surface of FIG. 1A, and the length direction means the horizontal direction of the fuse element on the paper surface of the same figure. The high melting point metal layer 12 of the fuse element 10 is laminated so as to have a predetermined thickness according to the outer surface shape of the low melting point metal layer 11.
図１（ｃ）は本発明を適用したヒューズエレメント２０の断面形状を説明する概略断面図であり、図１（ｄ）はヒューズエレメント２０の斜視図である。ヒューズエレメント２０は、ヒューズエレメント１０と同様に内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、当該低融点金属層１１に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント２０は、内層たる低融点金属層１１と外層たる高融点金属層１２とが、それぞれ高膜厚部１１ａ及び低膜厚部１１ｂと高膜厚部１２ａ及び低膜厚部１２ｂとを備える。 FIG. 1C is a schematic sectional view for explaining the sectional shape of a fuse element 20 to which the present invention is applied, and FIG. 1D is a perspective view of the fuse element 20. Like the fuse element 10, the fuse element 20 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on the low melting point metal layer 11. .. The fuse element 20 includes a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer, and includes a high film thickness portion 11a and a low film thickness portion 11b, a high film thickness portion 12a and a low film thickness portion 12b, respectively. ..
図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、ヒューズエレメント２０は、ヒューズエレメント１０と同形状の低融点金属層１１を備え、高融点金属層１２積層後のヒューズエレメント２０の外面形状が平面形状となるように当該高融点金属層１２が積層されている。換言すると、ヒューズエレメント２０の高融点金属層１２は、低融点金属層１１の低膜厚部１１ｂに対応する部分において厚み方向に高膜厚部１２ａを有し、低融点金属層１１の高膜厚部１１ａに対応する部分において厚み方向に高膜厚部１２ａよりも厚みが薄い低膜厚部１２ｂを有するよう積層されている。 As shown in FIGS. 1C and 1D, the fuse element 20 includes a low melting point metal layer 11 having the same shape as the fuse element 10, and the outer surface shape of the fuse element 20 after the high melting point metal layer 12 is laminated. The refractory metal layer 12 is laminated so that the metal has a planar shape. In other words, the high melting point metal layer 12 of the fuse element 20 has a high film thickness portion 12a in the thickness direction at a portion corresponding to the low film thickness portion 11b of the low melting point metal layer 11, and the high melting point metal layer 11 has a high film thickness. In the portion corresponding to the thick portion 11a, the low film thickness portion 12b having a smaller thickness than the high film thickness portion 12a is laminated in the thickness direction.
図２（ａ）は本発明を適用したヒューズエレメント３０の断面形状を説明する概略断面図であり、図２（ｂ）はヒューズエレメント３０の斜視図である。ヒューズエレメント３０は、内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、当該低融点金属層１１に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント３０は、内層たる低融点金属層１１が高膜厚部１１ａと当該高膜厚部１１ａよりも厚み方向における膜厚が薄い低膜厚部１１ｂとを備える。 2A is a schematic cross-sectional view illustrating the cross-sectional shape of the fuse element 30 to which the present invention is applied, and FIG. 2B is a perspective view of the fuse element 30. The fuse element 30 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on the low melting point metal layer 11. In the fuse element 30, the low melting point metal layer 11 as an inner layer includes a high film thickness portion 11a and a low film thickness portion 11b having a smaller film thickness in the thickness direction than the high film thickness portion 11a.
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ヒューズエレメント３０の低融点金属層１１は、断面形状において略矩形状に形成された低膜厚部１１ｂの厚み方向片側に略台形状に形成された高膜厚部１１ａを有し、低膜厚部１１ｂと高膜厚部１１ａとは長さ方向において連続して形成されている。そして、ヒューズエレメント３０の高融点金属層１２は、低融点金属層１１の外面形状に応じて所定の厚みを有するよう積層されている。 As shown in FIGS. 2A and 2B, the low-melting-point metal layer 11 of the fuse element 30 has a substantially trapezoidal shape on one side in the thickness direction of the low-thickness portion 11b formed in a substantially rectangular cross section. The high-thickness portion 11a is formed on the lower part, and the low-thickness portion 11b and the high-thickness portion 11a are continuously formed in the length direction. The high melting point metal layer 12 of the fuse element 30 is laminated so as to have a predetermined thickness according to the outer surface shape of the low melting point metal layer 11.
図２（ｃ）は本発明を適用したヒューズエレメント４０の断面形状を説明する概略断面図であり、図２（ｄ）はヒューズエレメント４０の斜視図である。ヒューズエレメント４０は、ヒューズエレメント３０と同様に内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、当該低融点金属層１１に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント４０は、内層たる低融点金属層１１と外層たる高融点金属層１２とが、それぞれ高膜厚部１１ａ及び低膜厚部１１ｂと高膜厚部１２ａ及び低膜厚部１２ｂとを備える。 2C is a schematic cross-sectional view for explaining the cross-sectional shape of the fuse element 40 to which the present invention is applied, and FIG. 2D is a perspective view of the fuse element 40. Like the fuse element 30, the fuse element 40 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on the low melting point metal layer 11. .. The fuse element 40 includes a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer, and includes a high film thickness portion 11a and a low film thickness portion 11b, a high film thickness portion 12a and a low film thickness portion 12b, respectively. ..
図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、ヒューズエレメント４０は、ヒューズエレメント３０と同形状の低融点金属層１１を備え、高融点金属層１２積層後のヒューズエレメント４０の外面形状が平面形状となるように当該高融点金属層１２が積層されている。換言すると、ヒューズエレメント４０の高融点金属層１２は、低融点金属層１１の低膜厚部１１ｂに対応する部分において厚み方向に高膜厚部１２ａを有し、低融点金属層１１の高膜厚部１１ａに対応する部分において厚み方向に高膜厚部１２ａよりも厚みが薄い低膜厚部１２ｂを有するよう積層されている。 As shown in FIGS. 2C and 2D, the fuse element 40 includes the low melting point metal layer 11 having the same shape as the fuse element 30, and the outer surface shape of the fuse element 40 after the high melting point metal layer 12 is laminated. The refractory metal layer 12 is laminated so that the metal has a planar shape. In other words, the high melting point metal layer 12 of the fuse element 40 has a high film thickness portion 12a in the thickness direction at a portion corresponding to the low film thickness portion 11b of the low melting point metal layer 11, and the high melting point metal layer 11 has a high film thickness. In the portion corresponding to the thick portion 11a, the low film thickness portion 12b having a smaller thickness than the high film thickness portion 12a is laminated in the thickness direction.
ここで、本発明の他の形態に係るヒューズエレメントは、低融点金属層と当該低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、溶融した低融点金属が高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、低融点金属層が、厚さ方向において山折り部と谷折り部とを有することで、リフロー実装時における温度で溶融した低融点金属層の移動を制限するものである。 Here, a fuse element according to another aspect of the present invention has a low melting point metal layer and a high melting point metal layer laminated on the low melting point metal layer, and the melted low melting point metal corrodes the high melting point metal layer. In the fuse element using the action of melting and melting, the low melting point metal layer has a mountain fold portion and a valley fold portion in the thickness direction, so that the low melting point metal layer melted at the temperature during reflow mounting Is to limit.
図３（ａ）は本発明を適用したヒューズエレメント５０の断面形状を説明する概略断面図であり、図３（ｂ）はヒューズエレメント５０の斜視図である。ヒューズエレメント５０は、内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、当該低融点金属層１１に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント５０は、内層たる低融点金属層１１が、厚さ方向において山折り部１１ｃと谷折り部１１ｄとを備える。 FIG. 3A is a schematic sectional view for explaining the sectional shape of the fuse element 50 to which the present invention is applied, and FIG. 3B is a perspective view of the fuse element 50. The fuse element 50 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on the low melting point metal layer 11. In the fuse element 50, the low melting point metal layer 11 as an inner layer includes a mountain fold portion 11c and a valley fold portion 11d in the thickness direction.
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、ヒューズエレメント５０の低融点金属層１１は、断面形状において山折り部１１ｃと谷折り部１１ｄとを有し、山折り部１１ｃと谷折り部１１ｄとは長さ方向において連続して形成されている。そして、ヒューズエレメント５０の高融点金属層１２は、低融点金属層１１の外面形状（山折り部１１ｃと谷折り部１１ｄとの形状）に応じて所定の厚みを有するよう積層されている。 As shown in FIGS. 3A and 3B, the low-melting-point metal layer 11 of the fuse element 50 has a mountain fold portion 11c and a valley fold portion 11d in cross section, and the mountain fold portion 11c and the valley fold portion 11c. The folded portion 11d is formed continuously in the length direction. The high melting point metal layer 12 of the fuse element 50 is laminated so as to have a predetermined thickness according to the outer surface shape of the low melting point metal layer 11 (the shape of the mountain fold portion 11c and the valley fold portion 11d).
図３（ｃ）は本発明を適用したヒューズエレメント６０の断面形状を説明する概略断面図であり、図３（ｄ）はヒューズエレメント６０の斜視図である。ヒューズエレメント６０は、ヒューズエレメント５０と同様に内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、当該低融点金属層１１に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント７０は、内層たる低融点金属層１１が山折り部１１ｃ及び谷折り部１１ｄを、外層たる高融点金属層１２が高膜厚部１２ａ及び低膜厚部１２ｂを備える。 FIG. 3C is a schematic sectional view for explaining the sectional shape of the fuse element 60 to which the present invention is applied, and FIG. 3D is a perspective view of the fuse element 60. Like the fuse element 50, the fuse element 60 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on the low melting point metal layer 11. .. In the fuse element 70, the low melting point metal layer 11 as an inner layer includes a mountain fold portion 11c and a valley fold portion 11d, and the high melting point metal layer 12 as an outer layer includes a high film thickness portion 12a and a low film thickness portion 12b.
図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、ヒューズエレメント６０は、ヒューズエレメント５０と同形状の低融点金属層１１を備え、高融点金属層１２積層後のヒューズエレメント６０の外面形状が平面形状となるように当該高融点金属層１２が積層されている。換言すると、ヒューズエレメント６０の高融点金属層１２は、低融点金属層１１の山折り部１１ｃに対応する部分において厚み方向に低膜厚部１２ｂを有し、低融点金属層１１の谷折り部１１ｄに対応する部分において厚み方向に低膜厚部１２ｂよりも厚みが厚い高膜厚部１２ａを有するよう積層されている。 As shown in FIGS. 3C and 3D, the fuse element 60 includes the low melting point metal layer 11 having the same shape as the fuse element 50, and the outer surface shape of the fuse element 60 after the high melting point metal layer 12 is laminated. The refractory metal layer 12 is laminated so that the metal has a planar shape. In other words, the high melting point metal layer 12 of the fuse element 60 has the low film thickness portion 12b in the thickness direction in the portion corresponding to the mountain fold portion 11c of the low melting point metal layer 11, and the valley fold portion of the low melting point metal layer 11 is formed. The portion corresponding to 11d is laminated so as to have a high film thickness portion 12a that is thicker than the low film thickness portion 12b in the thickness direction.
ところで、ヒューズエレメント１０〜６０等においては、内層たる低融点金属層１１が高膜厚部１１ａと当該高膜厚部１１ａよりも厚み方向における膜厚が薄い低膜厚部１１ｂとを備える構成について説明したが、これに限らず、ヒューズエレメントの構成として外層たる高融点金属層１２のみが高膜厚部１２ａ及び低膜厚部１２ｂを備える構成とすることも可能である。 By the way, in the fuse elements 10 to 60 etc., the low melting point metal layer 11 as an inner layer is provided with a high film thickness portion 11a and a low film thickness portion 11b having a film thickness in the thickness direction smaller than the high film thickness portion 11a. Although described, the present invention is not limited to this, and the fuse element may have a structure in which only the high melting point metal layer 12 as the outer layer has the high film thickness portion 12a and the low film thickness portion 12b.
図４（ａ）は高融点金属層１２のみが高膜厚部１２ａ及び低膜厚部１２ｂを備えるヒューズエレメント７０の断面形状を説明する概略断面図であり、図４（ｂ）はヒューズエレメント７０の斜視図である。ヒューズエレメント７０は、内層と外層とからなる積層構造体であり、内層として低融点金属層１１、低融点金属層１１に積層された外層として高融点金属層１２を有する。ヒューズエレメント７０は、外層たる高融点金属層１２が高膜厚部１２ａと当該高膜厚部１２ａよりも厚み方向における膜厚が薄い低膜厚部１２ｂとを備える。 4A is a schematic cross-sectional view for explaining the cross-sectional shape of the fuse element 70 in which only the high-melting-point metal layer 12 has the high-thickness portion 12a and the low-thickness portion 12b, and FIG. FIG. The fuse element 70 is a laminated structure including an inner layer and an outer layer, and has a low melting point metal layer 11 as an inner layer and a high melting point metal layer 12 as an outer layer laminated on the low melting point metal layer 11. The fuse element 70 includes a high-thickness metal layer 12 as an outer layer, and a high-thickness portion 12a and a low-thickness portion 12b having a smaller thickness in the thickness direction than the high-thickness portion 12a.
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ヒューズエレメント７０の低融点金属層１１は、断面形状において略矩形状に形成されており、当該低融点金属層１１表面に厚み方向両側に略台形状に形成された高膜厚部１２ａ、当該高膜厚部１２ａよりも厚み方向における膜厚が薄い低膜厚部１２ｂを有する高融点金属層１２が積層されている。 As shown in FIGS. 4A and 4B, the low melting point metal layer 11 of the fuse element 70 is formed in a substantially rectangular shape in cross section, and both sides in the thickness direction are formed on the surface of the low melting point metal layer 11. The high-melting-point metal layer 12 having a high-thickness portion 12a formed in a substantially trapezoidal shape and a low-thickness portion 12b having a smaller thickness in the thickness direction than the high-thickness portion 12a is laminated.
次に、ヒューズエレメント１０〜７０を構成する低融点金属層１１及び高融点金属層１２について説明する。低融点金属層１１としては、例えば、Ｓｎ、又はＳｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金といった、所謂、「Ｐｂフリーハンダ」と称される金属材料を用いることができる。そして、これらの金属材料に対して圧延、伸線、アニール処理等を施すことにより、所望の断面積を有する金属素材（素線、箔、延板）を得ることができる。低融点金属層１１の融点は、必ずしもリフロー炉の温度よりも高い必要はなく、２００℃〜２４０℃程度で溶融してもよい。また、高融点金属層１２は低融点金属層１１の表面に積層された金属層であり、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ又はＣｕを主成分とする合金を用いることができ、ヒューズエレメント１０〜７０をリフロー炉によって絶縁基板上に実装を行う場合においても溶融しない高い融点を有するものとする。 Next, the low melting point metal layer 11 and the high melting point metal layer 12 which form the fuse elements 10 to 70 will be described. As the low-melting point metal layer 11, for example, a so-called “Pb-free solder” metal material such as Sn, Sn—Cu alloy, Sn—Bi alloy, or Sn—Ag alloy can be used. Then, by subjecting these metal materials to rolling, wire drawing, annealing treatment, etc., metal materials (element wires, foils, rolled sheets) having a desired cross-sectional area can be obtained. The melting point of the low melting point metal layer 11 does not necessarily need to be higher than the temperature of the reflow furnace, and may be melted at about 200°C to 240°C. The high melting point metal layer 12 is a metal layer laminated on the surface of the low melting point metal layer 11, and for example, Ag, Cu, Ag or an alloy containing Cu as a main component can be used, and the fuse elements 10 to 70 are used. Has a high melting point that does not melt even when it is mounted on an insulating substrate by a reflow furnace.
ヒューズエレメント１０〜７０は、内層となる低融点金属層１１に、外層として高融点金属層１２を積層することによって、リフロー炉の温度が低融点金属層１１の溶融温度を超えた場合であっても、ヒューズエレメント１０〜７０として溶断するに至らない。したがって、ヒューズエレメント１０〜７０は、リフローによって効率よく実装することができる。なお、リフロー炉の温度が低融点金属層１１の溶融温度を超え、当該低融点金属が溶融したとてしても、低融点金属層１１と高融点金属層１２との何れか又は両方が厚さの異なる高膜厚部と低膜厚部とを有するため、低融点金属の移動を抑制することができる。 In the fuse elements 10 to 70, the temperature of the reflow furnace exceeds the melting temperature of the low melting point metal layer 11 by stacking the high melting point metal layer 12 as the outer layer on the low melting point metal layer 11 serving as the inner layer. However, the fuse elements 10 to 70 do not blow out. Therefore, the fuse elements 10 to 70 can be efficiently mounted by reflow. Even if the temperature of the reflow furnace exceeds the melting temperature of the low melting point metal layer 11 and the low melting point metal is melted, either or both of the low melting point metal layer 11 and the high melting point metal layer 12 are thick. Since it has a high film thickness portion and a low film thickness portion having different thicknesses, it is possible to suppress the movement of the low melting point metal.
また、ヒューズエレメント１０〜７０は、所定の定格電流が流れている間は、自己発熱によっても溶断することがない。そして、定格電流よりも高い値の電流が流れると、自己発熱によって溶融し、電極間の電流経路を遮断する。このとき、ヒューズエレメント１０〜７０は、溶融した低融点金属層１１が高融点金属層１２を侵食することにより、高融点金属層１２が溶融温度よりも低い温度で溶融する。したがって、ヒューズエレメント１０〜７０は、低融点金属層１１による高融点金属層１２の侵食作用を利用して短時間で溶断することができる。加えて、ヒューズエレメント１０〜７０の溶融金属は、後述するように、電極を介して絶縁基板上に実装された場合、電極の物理的な引き込み作用により左右に分断することから、速やかに、かつ確実に、電極間の電流経路を遮断することができる。 Further, the fuse elements 10 to 70 are not blown by self-heating while a predetermined rated current is flowing. Then, when a current having a value higher than the rated current flows, it melts by self-heating and cuts off the current path between the electrodes. At this time, in the fuse elements 10 to 70, the melted low-melting point metal layer 11 corrodes the high-melting point metal layer 12, so that the high-melting point metal layer 12 is melted at a temperature lower than the melting temperature. Therefore, the fuse elements 10 to 70 can be blown in a short time by utilizing the erosion effect of the high melting point metal layer 12 by the low melting point metal layer 11. In addition, as will be described later, the molten metal of the fuse elements 10 to 70, when mounted on an insulating substrate via electrodes, is divided into right and left by the physical pulling action of the electrodes, so quickly and The current path between the electrodes can be reliably cut off.
また、ヒューズエレメント１０〜７０は、内層となる低融点金属層１１に高融点金属層１２が積層されて構成されているため、溶断温度を従来の高融点金属からなるチップヒューズ等よりも大幅に低減することができる。したがって、ヒューズエレメント１０〜７０は、同一サイズのチップヒューズ等に比して、断面積を大きくでき定格電流を大幅に向上させることができる。また、同じ定格電流を持つチップヒューズよりも小型化、薄型化を図ることができ、速溶断性に優れる。 In addition, since the fuse elements 10 to 70 are configured by laminating the high melting point metal layer 12 on the low melting point metal layer 11 serving as an inner layer, the fusing temperature is significantly higher than that of a conventional chip fuse made of a high melting point metal. It can be reduced. Therefore, the fuse elements 10 to 70 can have a larger cross-sectional area and can greatly improve the rated current as compared with chip fuses of the same size. Further, the chip fuse can be made smaller and thinner than the chip fuse having the same rated current, and is excellent in quick-melting property.
また、ヒューズエレメント１０〜７０は、ヒューズ素子が組み込まれた電気系統に異常に高い電圧が瞬間的に印加されるサージへの耐性（耐パルス性）を向上することができる。すなわち、ヒューズエレメント１０〜７０は、例えば、１００Ａの電流が数ｍｓｅｃ流れたような場合にまで溶断してはならない。この点、極短時間で流れる大電流は導体の表面を流れることから（表皮効果）、ヒューズエレメント１０〜７０は、外層として抵抗値の低いＡｇメッキ等の高融点金属層が設けられているため、サージによって印加された電流を流しやすく、自己発熱による溶断を防止することができる。したがって、ヒューズエレメント１０〜７０は、従来のハンダ合金からなるヒューズに対して、大幅にサージに対する耐性を向上させることができる。 In addition, the fuse elements 10 to 70 can improve resistance (pulse resistance) to a surge in which an abnormally high voltage is instantaneously applied to an electric system in which the fuse element is incorporated. That is, the fuse elements 10 to 70 should not be blown even when a current of 100 A flows for several msec. In this respect, since a large current flowing in an extremely short time flows on the surface of the conductor (skin effect), the fuse elements 10 to 70 are provided with a refractory metal layer such as Ag plating having a low resistance value as an outer layer. The current applied by the surge can easily flow, and the fusing due to self-heating can be prevented. Therefore, the fuse elements 10 to 70 can significantly improve the surge resistance with respect to the fuse made of the conventional solder alloy.
ところで、ヒューズエレメント１０〜６０は、低融点金属層１１の体積を高融点金属１２の体積よりも大きくすることが好ましい。ヒューズエレメント１０〜６０は、低融点金属の体積を多くすることにより、効果的に高融点金属層の侵食による短時間での溶断を行うことができる。 By the way, in the fuse elements 10 to 60, it is preferable that the volume of the low melting point metal layer 11 is larger than that of the high melting point metal 12. By increasing the volume of the low-melting point metal, the fuse elements 10 to 60 can effectively perform the fusing in a short time due to the erosion of the high-melting point metal layer.
具体的にヒューズエレメント１０〜６０は、内層が低融点金属層１１、外層が高融点金属層１２の被覆構造であり、低融点金属層１１と高融点金属層１２との層厚比が、低融点金属層１１：高融点金属層１２＝１０：１〜３：１としてもよい。これにより、確実に低融点金属層１１の体積を、高融点金属層１２の体積よりも多くすることができ、効果的に高融点金属層１２の侵食による短時間での溶断を行うことができる。 Specifically, the fuse elements 10 to 60 have a coating structure in which the inner layer is the low melting point metal layer 11 and the outer layer is the high melting point metal layer 12, and the layer thickness ratio between the low melting point metal layer 11 and the high melting point metal layer 12 is low. The melting point metal layer 11: the high melting point metal layer 12 may be 10:1 to 3:1. As a result, the volume of the low-melting point metal layer 11 can be reliably made larger than that of the high-melting point metal layer 12, and the fusing can be effectively performed in a short time due to the erosion of the high-melting point metal layer 12. ..
すなわち、ヒューズエレメント１０〜６０は、内層を構成する低融点金属層１１の上下面に高融点金属層１２が積層されることから、層厚比が、低融点金属層１１：高融点金属層１２＝３：１以上に低融点金属が厚くなるほど低融点金属層の体積が高融点金属層の体積よりも多くすることができる。また、ヒューズエレメント１０〜６０は、層厚比が、低融点金属層１１：高融点金属層１２＝１０：１を超えて低融点金属層が厚く、高融点金属層が薄くなると、高融点金属層１２が、リフロー実装時の熱で溶融した低融点金属層１１によって浸食されてしまう恐れがある。 That is, in the fuse elements 10 to 60, since the high melting point metal layers 12 are laminated on the upper and lower surfaces of the low melting point metal layer 11 forming the inner layer, the layer thickness ratio is low melting point metal layer 11:high melting point metal layer 12. The volume of the low melting point metal layer can be made larger than that of the high melting point metal layer as the thickness of the low melting point metal increases to 3:1 or more. In the fuse elements 10 to 60, when the layer thickness ratio exceeds the low melting point metal layer 11:high melting point metal layer 12=10:1 and the low melting point metal layer is thick and the high melting point metal layer is thin, the high melting point metal layer The layer 12 may be eroded by the low melting point metal layer 11 melted by the heat during the reflow mounting.
そして、ヒューズエレメント１０〜７０は、厚さ方向において低融点金属層１１と高融点金属層１２との何れか又は両方が厚さの異なる高膜厚部と低膜厚部とを有するため、リフロー実装時における温度で溶融した低融点金属層の移動を制限することができ、溶断箇所が設計上の位置からずれる、又は低融点金属が無くなった部分の導体抵抗が上昇するといった不具合の発生を抑制することができる。同様に、ヒューズエレメント１０〜７０は、低融点金属層１１を厚さ方向において山折り部と谷折り部とを有するよう構成することができるため、リフロー実装時における温度で溶融した低融点金属層の移動を制限することができる。 In the fuse elements 10 to 70, the low-melting-point metal layer 11 and the high-melting-point metal layer 12 or both in the thickness direction have high-thickness portions and low-thickness portions having different thicknesses. It is possible to limit the movement of the low melting point metal layer melted at the temperature during mounting, and suppress the occurrence of defects such as the fusing point being displaced from the designed position or the conductor resistance increasing at the part where the low melting point metal is gone. can do. Similarly, in the fuse elements 10 to 70, since the low melting point metal layer 11 can be configured to have the mountain fold portion and the valley fold portion in the thickness direction, the low melting point metal layer melted at the temperature during the reflow mounting. You can restrict the movement of.
［ヒューズエレメントの製造方法］
ヒューズエレメント１０、３０、５０、及び７０は、低融点金属層１１の表面に高融点金属をメッキ技術を用いて成膜後、プレス加工によて製造することができる。ヒューズエレメント１０、３０、５０、及び７０は、例えば、長尺状のハンダ箔の表面にＡｇメッキ等を施工後、プレス加工することによって効率よく製造でき、使用時には、サイズに応じて切断することで、容易に用いることができる。
[Fuse element manufacturing method]
The fuse elements 10, 30, 50, and 70 can be manufactured by pressing after forming a high melting point metal on the surface of the low melting point metal layer 11 using a plating technique. The fuse elements 10, 30, 50, and 70 can be efficiently manufactured, for example, by applying Ag plating or the like on the surface of a long-sized solder foil and then press working, and cut according to the size at the time of use. Therefore, it can be easily used.
また、ヒューズエレメント２０、４０、及び６０は、低融点金属層１１からなる金属素材を所定の形状にプレス加工後、当該低融点金属膜１１の表面をメッキ技術を用いて成膜することにより製造することができる。 The fuse elements 20, 40, and 60 are manufactured by pressing a metal material made of the low-melting point metal layer 11 into a predetermined shape, and then forming the surface of the low-melting point metal film 11 using a plating technique. can do.
また、ヒューズエレメント１０〜７０は、低融点金属箔と高融点金属箔とを貼り合わせることにより製造してもよい。ヒューズエレメント１０〜７０は、例えば、圧延した２枚のＣｕ箔、或はＡｇ箔の間に、同じく圧延したハンダ箔を挟んでプレスすることにより製造することができる。この場合、低融点金属箔は、高融点金属箔よりも柔らかい材料を選択することが好ましい。これにより、厚みのばらつきを吸収して低融点金属箔と高融点金属箔とを隙間なく密着させることができる。また、低融点金属箔はプレス加工によって膜厚が薄くなるため、予め厚めにしておくとよい。プレス加工により低融点金属箔がヒューズエレメント端面よりはみ出した場合は、切り落として形を整えることが好ましい。 The fuse elements 10 to 70 may be manufactured by bonding a low melting metal foil and a high melting metal foil. The fuse elements 10 to 70 can be manufactured by, for example, pressing two rolled Cu foils or Ag foils with a rolled solder foil sandwiched therebetween. In this case, the low melting point metal foil is preferably selected from a material softer than the high melting point metal foil. This makes it possible to absorb the variation in thickness and bring the low-melting-point metal foil and the high-melting-point metal foil into close contact with each other without a gap. Further, since the low melting point metal foil is thinned by pressing, it is preferable to make it thicker in advance. When the low-melting-point metal foil protrudes from the end surface of the fuse element by press working, it is preferable to cut it off to adjust the shape.
その他、ヒューズエレメント１０〜７０は、蒸着等の薄膜成形技術や、他の周知の積層技術を用いることによっても、低融点金属層に高融点金属層を積層したヒューズエレメントを形成することができる。 In addition, as the fuse elements 10 to 70, a fuse element in which a high melting point metal layer is laminated on a low melting point metal layer can be formed by using a thin film forming technique such as vapor deposition or another well-known laminating technique.
［ヒューズエレメントの応用例］
次に、ヒューズエレメント１０〜７０の応用例について説明する。以後の説明においては、ヒューズエレメント１０〜７０の代表例としてヒューズエレメント１０に対する応用例について説明するが、本応用例は他のヒューズエレメント２０〜７０に適用可能であることは無論である。
[Application example of fuse element]
Next, application examples of the fuse elements 10 to 70 will be described. In the following description, an application example of the fuse element 10 will be described as a representative example of the fuse elements 10 to 70, but it goes without saying that this application example is applicable to the other fuse elements 20 to 70.
ヒューズエレメント１０は、図５に示すように、低融点金属層１１の対向する２つの端面を除く外周部が高融点金属層１２によって被覆されたヒューズエレメント１０'として構成してもよく、図６に示すように、高融点金属層１２を最外層としたときに、さらに当該最外層の高融点金属層１２の表面に酸化防止膜１３を形成してもよい。ヒューズエレメント１０は、最外層の高融点金属層１２がさらに酸化防止膜１３によって被覆されることにより、例えば、高融点金属層１２としてＣｕメッキやＣｕ箔を形成した場合にも、Ｃｕの酸化を防止することができる。したがって、ヒューズエレメント１０は、Ｃｕの酸化によって溶断時間が長くなる事態を防止することができ、短時間で溶断させることができる。 As shown in FIG. 5, the fuse element 10 may be configured as a fuse element 10 ′ in which the outer peripheral portion of the low melting point metal layer 11 excluding two opposing end surfaces is covered with the high melting point metal layer 12. When the refractory metal layer 12 is the outermost layer, the antioxidant film 13 may be further formed on the surface of the outermost refractory metal layer 12, as shown in FIG. In the fuse element 10, the outermost refractory metal layer 12 is further covered with the anti-oxidation film 13, so that even when Cu plating or Cu foil is formed as the refractory metal layer 12, Cu is not oxidized. Can be prevented. Therefore, the fuse element 10 can prevent a situation in which the fusing time is prolonged due to the oxidation of Cu, and can be blown in a short time.
また、ヒューズエレメント１０は、高融点金属層１２としてＣｕ等の安価で酸化しやすい金属を用いることができ、Ａｇ等の高価な金属材料を用いることなく形成することも可能である。 In addition, the fuse element 10 can be made of an inexpensive and easily oxidized metal such as Cu as the refractory metal layer 12, and can be formed without using an expensive metal material such as Ag.
また、酸化防止膜１３は、内層の低融点金属層１１と同じ金属材料を用いることができる。例えば、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダを用いることができる。また、酸化防止膜１３は、高融点金属の表面にＳｎメッキを施すことにより形成することができる。その他、酸化防止膜１３は、Ａｕメッキやプリフラックスによっても形成することができる。 Further, the antioxidant film 13 can be made of the same metal material as the low melting point metal layer 11 of the inner layer. For example, Pb-free solder whose main component is Sn can be used. Further, the antioxidant film 13 can be formed by performing Sn plating on the surface of the refractory metal. In addition, the antioxidant film 13 can also be formed by Au plating or preflux.
また、ヒューズエレメント１０は、図７に示すように、外周の少なくとも一部に保護部材１４を設けてもよい。保護部材１４は、ヒューズエレメント１０のリフロー実装時における接続用ハンダの流入や内装の低融点金属層１１の流出を防止して形状を維持するとともに、定格電流を超える電流が流れたときにも溶融ハンダの流入を防止して定格電流の上昇による速溶断性の低下を防止するものである。 Further, as shown in FIG. 7, the fuse element 10 may be provided with a protection member 14 on at least a part of its outer circumference. The protection member 14 maintains its shape by preventing inflow of connection solder and outflow of the low melting point metal layer 11 in the interior during reflow mounting of the fuse element 10, and also melts when a current exceeding the rated current flows. It prevents the inflow of solder and prevents the deterioration of the rapid fusing property due to the increase of the rated current.
すなわち、ヒューズエレメント１０は、外周に保護部材１４を設けることにより、リフロー温度下で溶融した低融点金属層１１の流出を防止し、エレメント形状を維持することができる。特に、低融点金属層１１の上面及び下面に高融点金属層１２を積層し側面から低融点金属層が露出しているヒューズエレメント１０においては、外周部に保護部材１４を設けることにより当該側面からの低融点金属の流出が防止され、形状を維持することができる。 That is, the fuse element 10 can prevent the low melting point metal layer 11 melted at the reflow temperature from flowing out and maintain the element shape by providing the protective member 14 on the outer periphery. Particularly, in the fuse element 10 in which the high melting point metal layer 12 is laminated on the upper surface and the lower surface of the low melting point metal layer 11 and the low melting point metal layer is exposed from the side surface, by providing the protective member 14 on the outer peripheral portion, The low melting point metal is prevented from flowing out, and the shape can be maintained.
また、ヒューズエレメント１０は、外周に保護部材を設けることにより、定格電流を超える電流が流れたときに溶融ハンダの流入を防止することができる。ヒューズエレメント１０は電極にハンダ接続されている場合、定格電流を超える電流が流れた際の発熱により、電極への接続用のハンダや低融点金属層１１を構成する金属が溶融し、溶断すべきヒューズエレメント１０の中央部に流入する恐れがある。ヒューズエレメント１０は、ハンダ等の溶融金属が流入すると抵抗値が下がり、発熱が阻害され、所定の電流値において溶断しない、又は溶断時間が延び、或は溶断後に電極間の絶縁信頼性を損なう恐れがある。そこで、ヒューズエレメント１０は、保護部材１４を外周に設けることで、溶融金属の流入を防止し、抵抗値を固定させて、所定の電流値で速やかに溶断させ、かつ電極間の絶縁信頼性を確保することができる。 In addition, the fuse element 10 can prevent the inflow of the molten solder when a current exceeding the rated current flows by providing a protective member on the outer circumference. When the fuse element 10 is soldered to the electrode, heat generated when a current exceeding the rated current flows causes the solder for connecting to the electrode and the metal forming the low melting point metal layer 11 to melt and melt. The fuse element 10 may flow into the central portion of the fuse element 10. When a molten metal such as solder flows into the fuse element 10, the resistance value is reduced, heat generation is hindered, the fuse element does not melt at a predetermined current value, or the melting time is extended, or the insulation reliability between electrodes is impaired after the melting. There is. Therefore, in the fuse element 10, by providing the protective member 14 on the outer periphery, the molten metal is prevented from flowing in, the resistance value is fixed, the fuse element 10 is quickly blown at a predetermined current value, and the insulation reliability between the electrodes is improved. Can be secured.
このため、保護部材１４としては、絶縁性やリフロー温度における耐熱性を備え、かつ溶融ハンダ等に対するレジスト性を備えた材料を用いることが好ましい。絶縁性を示す樹脂しては、例えば、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−メタクリル酸メチル共重合体、ポリメタクリル酸メチル、酢酸セルロース、ポリアミド、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル等を挙げることができる。これらの絶縁性樹脂は単独で用いてもよく、複数組み合わせてもよい。そして、例えば、保護部材として、ポリイミドフィルムを用い、接着剤によってテープ状のヒューズエレメント１０の中央部に貼り付けることにより保護部材を有するヒューズエレメント１０を形成することができる。また、保護部材は、絶縁性、耐熱性、レジスト性を備えたインクをヒューズエレメントの外周に塗布することにより形成することができる。或は、保護部材は、ソルダーレジストを用い、ヒューズエレメントの外周に塗布することにより形成することができる。 For this reason, it is preferable to use, as the protective member 14, a material having insulation properties, heat resistance at the reflow temperature, and resist properties against molten solder or the like. Examples of the insulating resin include polyimide, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polytetrafluoroethylene, polystyrene, styrene-acrylonitrile copolymer, styrene-methyl methacrylate copolymer, and polymethyl methacrylate. , Cellulose acetate, polyamide, phenol resin, melamine resin, silicone resin, unsaturated polyester and the like. These insulating resins may be used alone or in combination. Then, for example, the fuse element 10 having the protective member can be formed by using a polyimide film as the protective member and adhering it to the central portion of the tape-shaped fuse element 10 with an adhesive. Further, the protective member can be formed by applying ink having insulating properties, heat resistance, and resist properties to the outer circumference of the fuse element. Alternatively, the protective member can be formed by applying a solder resist to the outer periphery of the fuse element.
上述したフィルム、インク、ソルダーレジスト等からなる保護部材は、長尺状のヒューズエレメントの外周に貼着又は塗工により形成することができ、また使用時には保護部材が設けられたヒューズエレメントを切断すればよく、取扱い性にも優れる。 The protective member made of the above-mentioned film, ink, solder resist or the like can be formed by pasting or coating on the outer periphery of the elongated fuse element, and the fuse element provided with the protective member can be cut off when in use. Good and easy to handle.
また、保護部材として、図８に示すような、ヒューズエレメント１０を収納する保護ケース１７を用いてもよい。図８（ａ）に示すように、この保護ケース１７は、例えば、上面が開口された筐体１６と、筐体の上面を覆う蓋体１５とからなる。保護ケース１７は、電極と接続されるヒューズエレメントの両端を外方へ導出させる開口部を有する。保護ケース１７は、ヒューズエレメントを導出する開口部を除き閉塞され、溶融ハンダ等の筐体内への侵入を防止する。保護ケース１７は、絶縁性、耐熱性、レジスト性を備えたエンジニアリングプラスチック等を用いて形成することができる。 Further, a protective case 17 for accommodating the fuse element 10 as shown in FIG. 8 may be used as the protective member. As shown in FIG. 8A, the protective case 17 includes, for example, a housing 16 having an open top surface and a lid body 15 that covers the top surface of the housing. The protective case 17 has an opening for leading out both ends of the fuse element connected to the electrode. The protective case 17 is closed except for an opening through which the fuse element is led out, and prevents molten solder or the like from entering the housing. The protective case 17 can be formed using an engineering plastic or the like having insulating properties, heat resistance, and resist properties.
保護ケース１７は、図８（ｂ）に示すように筐体１６の開口された上面側よりヒューズエレメント１０を収納し、図８（ｃ）に示すように蓋体１５によって閉塞することにより形成される。ヒューズエレメント１０は、電極と接続される両端が下方に折り曲げられ、筐体１６の側面より導出される。筐体１６は、蓋体１５によって閉塞されることにより、蓋体１５の内面に形成された凸部と筐体１６の側面によって、ヒューズエレメント１０が導出する開口部が形成される。 The protective case 17 is formed by accommodating the fuse element 10 from the upper surface side of the housing 16 which is opened as shown in FIG. 8B and closing it with a lid 15 as shown in FIG. 8C. It Both ends of the fuse element 10 connected to the electrodes are bent downward and led out from the side surface of the housing 16. When the housing 16 is closed by the lid body 15, the protrusion formed on the inner surface of the lid body 15 and the side surface of the housing 16 form an opening through which the fuse element 10 is led out.
このような保護部材１４や保護ケース１７が設けられたヒューズエレメントは、ヒューズ素子に組み込まれて用いられる以外にも、自身がヒューズ素子として、そのまま電子部品の回路基板上に直接表面実装されてもよい。 The fuse element provided with the protective member 14 and the protective case 17 as described above is not only used by being incorporated in a fuse element, but also by itself as a fuse element, which is directly surface-mounted on a circuit board of an electronic component. Good.
［ヒューズ素子］
次に、本発明を適用したヒューズ素子１００について説明する。図９はヒューズ素子１００の断面形状を説明する概略断面図である。図９に示すように、ヒューズ素子１００は絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上に設けられた第１の電極１０２及び第２の電極１０３と、第１の電極１０２及び第２の電極１０３の間に亘って実装され、定格電流を超える電流が流れた際に自己発熱によって溶断し、当該第１の電極１０２と第２の電極１０３との間の電流経路を遮断するヒューズエレメント１０とを備え、カバー部材１０７で覆われている。なお、以後の説明においても、ヒューズエレメント１０〜７０の代表例としてヒューズエレメント１０を適用した例について説明するが、本発明に係るヒューズ素子には他のヒューズエレメント２０〜７０が適用可能であることは無論である。
[Fuse element]
Next, the fuse element 100 to which the present invention is applied will be described. FIG. 9 is a schematic sectional view illustrating the sectional shape of the fuse element 100. As shown in FIG. 9, the fuse element 100 includes an insulating substrate 101, a first electrode 102 and a second electrode 103 provided on the insulating substrate 101, and a first electrode 102 and a second electrode 103. A fuse element 10 that is mounted over the entire length of the fuse element and that melts by self-heating when a current exceeding the rated current flows, and that interrupts the current path between the first electrode 102 and the second electrode 103. It is covered with a cover member 107. In the following description, an example in which the fuse element 10 is applied as a representative example of the fuse elements 10 to 70 will be described, but other fuse elements 20 to 70 can be applied to the fuse element according to the present invention. Is of course.
絶縁基板１０１は、例えば、アルミナ、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニア等の絶縁性を有する部材によって方形状に形成される。その他、絶縁基板１０１としては、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等の、所謂、プリント配線用基板に用いられる材料を用いてもよい。 The insulating substrate 101 is formed in a square shape by using an insulating member such as alumina, glass ceramics, mullite, or zirconia. In addition, as the insulating substrate 101, a material used for a so-called printed wiring board such as a glass epoxy board or a phenol board may be used.
そして、絶縁基板１０１の相対向する両端部には、第１の電極１０２及び第２の電極１０３が形成されている。第１の電極１０２及び第２の電極１０３は、それぞれ、Ｃｕ配線等の導電パターンによって形成され、表面に適宜、酸化防止対策としてＳｎメッキ等の保護層１０４が設けられている。また、第１の電極１０２及び第２の電極１０３は絶縁基板１０１の表面１０１ａより、側面を介して裏面１０１ｂに至る。ヒューズ素子１００は、絶縁基板１０１の裏面１０１ｂに形成された第１の電極１０２及び第２の電極１０３を介して回路基板の電流回路上に実装される。 Then, the first electrode 102 and the second electrode 103 are formed on both ends of the insulating substrate 101 facing each other. Each of the first electrode 102 and the second electrode 103 is formed of a conductive pattern such as Cu wiring, and a protective layer 104 such as Sn plating is appropriately provided on the surface as an antioxidation measure. The first electrode 102 and the second electrode 103 extend from the front surface 101a of the insulating substrate 101 to the back surface 101b via the side surface. The fuse element 100 is mounted on the current circuit of the circuit board via the first electrode 102 and the second electrode 103 formed on the back surface 101b of the insulating substrate 101.
前述したとおり、第１の電極１０２及び第２の電極１０３との間に亘って実装されたヒューズエレメント１０は、定格電流を超える電流が流れたときに、自己発熱により溶断し、第１の電極１０２と第２の電極１０３との間の電流経路を遮断するものである。図１（ａ）及び図１（ｂ）で示したように、ヒューズエレメント１０の低融点金属層１１は、断面形状において略矩形状に形成された低膜厚部１１ｂの厚み方向両側に略台形状に形成された高膜厚部１１ａを有し、低膜厚部１１ｂと高膜厚部１１ａとは長さ方向において連続して形成されている。加えて、高融点金属層１２は、低融点金属層１１の外面形状に応じて所定の厚みを有するよう積層されている。このような構成を有するヒューズエレメント１０は、ハンダ等の接着材料１０５を介して第１の電極１０２及び第２の電極１０３に搭載された後、リフローハンダ付け等により絶縁基板１０１上に接続される。このとき、ヒューズエレメント１０の低融点金属層１１は、厚さの異なる高膜厚部と低膜厚部とを備えるため、リフロー実装時における温度で溶融した低融点金属層の移動が制限されることとなり、溶断箇所が設計上の位置からずれる、又は低融点金属が無くなった部分の導体抵抗が上昇するといった不具合の発生を抑制することができる。 As described above, the fuse element 10 mounted between the first electrode 102 and the second electrode 103 is melted by self-heating when a current exceeding the rated current flows, and the first electrode The current path between 102 and the second electrode 103 is cut off. As shown in FIGS. 1A and 1B, the low-melting-point metal layer 11 of the fuse element 10 is substantially trapezoidal on both sides in the thickness direction of the low-thickness portion 11b formed in a substantially rectangular cross section. It has a high film thickness portion 11a formed in a shape, and the low film thickness portion 11b and the high film thickness portion 11a are continuously formed in the length direction. In addition, the high melting point metal layer 12 is laminated so as to have a predetermined thickness according to the outer surface shape of the low melting point metal layer 11. The fuse element 10 having such a configuration is mounted on the first electrode 102 and the second electrode 103 via an adhesive material 105 such as solder, and then connected to the insulating substrate 101 by reflow soldering or the like. .. At this time, since the low melting point metal layer 11 of the fuse element 10 includes a high film thickness portion and a low film thickness portion having different thicknesses, movement of the low melting point metal layer melted at the temperature during reflow mounting is restricted. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of a defect in which the fusing location is displaced from the designed position or the conductor resistance of the portion where the low melting point metal is lost increases.
また、本発明に係るヒューズ素子１００では、絶縁基板１０１とは別に単体でヒューズエレメント１０を形成し、且つ絶縁基板１０１の表面１０１ａから離間して実装されている。したがって、ヒューズ素子１００は、ヒューズエレメント１０の溶断時にも、溶融金属が絶縁基板１０１へ食い込むこともなく、第１の電極１０２及び第２の電極１０３上に引き込まれ、確実に第１の電極１０２と第２の電極１０３との間を絶縁することができる。 Further, in the fuse element 100 according to the present invention, the fuse element 10 is formed separately from the insulating substrate 101, and is mounted separately from the surface 101a of the insulating substrate 101. Therefore, the fuse element 100 is drawn into the first electrode 102 and the second electrode 103 without the molten metal biting into the insulating substrate 101 even when the fuse element 10 is blown, and the first electrode 102 is surely drawn. And the second electrode 103 can be insulated from each other.
さらに、本発明に係るヒューズ素子１００では、ヒューズエレメント１０上の外層の略全面にフラックス１０６を塗布する形態としてもよい。フラックス１０６を塗布することにより、低融点金属層１１の濡れ性を高めるとともに、低融点金属が溶融している間の酸化物を除去し、高融点金属への侵食作用を促進させることができる。また、フラックス１０６を、最外層の高融点金属層１２の表面に、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダ等の酸化防止膜を形成した場合においても、当該酸化防止膜の酸化物を除去することができるため、高融点金属層１２の酸化を防止することができる。 Further, in the fuse element 100 according to the present invention, the flux 106 may be applied to substantially the entire outer layer on the fuse element 10. By applying the flux 106, it is possible to enhance the wettability of the low melting point metal layer 11, remove oxides while the low melting point metal is molten, and promote the erosion action on the high melting point metal. Further, even when the flux 106 is formed on the surface of the outermost refractory metal layer 12 with an antioxidant film such as Pb-free solder having Sn as a main component, the oxide of the antioxidant film should be removed. Therefore, the refractory metal layer 12 can be prevented from being oxidized.
また、本発明の他の形態としてヒューズ素子１１０は、図１０に示すように、ヒューズエレメント１０を第１の電極１０２及び第２の電極１０３と接続されたクランプ端子１０８によって実装する形態としてもよい。クランプ端子１０８は、ヒューズエレメント１０の端部を圧着により挟持することで、容易に接続することができる。 Further, as another form of the present invention, as shown in FIG. 10, the fuse element 110 may be a form in which the fuse element 10 is mounted by a clamp terminal 108 connected to the first electrode 102 and the second electrode 103. .. The clamp terminal 108 can be easily connected by sandwiching the end portion of the fuse element 10 by crimping.
クランプ端子１０８によって物理的に嵌合接続するヒューズエレメント１０は、図９及び図１０に示すようなヒューズ素子１００及びヒューズ素子１１０に組み込まれる以外にも、例えば、図１１に示すように、自身がヒューズ素子として、そのままヒューズボックスやブレーカー装置に直接組み込む形態としてもかまわない。この場合、ヒューズエレメント１０は、絶縁端子台１１１上に配設された第１の電線端子１１２及び第２の電線端子１１３とクランプ端子１０８とによって挟持され、クランプ端子１０８、電線端子１１２、１１３及び絶縁端子台１１１を貫通するボルト１１４と絶縁端子台１１１の裏面に配されたナット１１５等の締結具によって固定される。 The fuse element 10, which is physically fitted and connected by the clamp terminal 108, is not only incorporated into the fuse element 100 and the fuse element 110 as shown in FIGS. 9 and 10, but also, for example, as shown in FIG. The fuse element may be directly incorporated in the fuse box or the breaker device as it is. In this case, the fuse element 10 is sandwiched between the first electric wire terminal 112 and the second electric wire terminal 113 arranged on the insulating terminal block 111 and the clamp terminal 108, and the clamp terminal 108, the electric wire terminals 112, 113, and It is fixed by a bolt 114 penetrating the insulating terminal block 111 and a fastener such as a nut 115 arranged on the back surface of the insulating terminal block 111.
［低融点金属の移動抑制効果試験］
次に、本発明を適用したヒューズエレメントでの低融点金属の移動抑制効果試験について説明する。図１２（ａ）は本試験において参照例として用いた低融点金属層１１の両面に高融点金属層１２を積層したヒューズエレメント２００の断面形状を説明する概略断面図であり、図１２（ｂ）は本発明に係るヒューズエレメントの代表例として図１（ａ）に示すヒューズエレメント１０に相当し、低融点金属層１１が１か所の高膜厚部１１ａと２ヶ所の低膜厚部１１ｂとを有するヒューズエレメント３００の断面形状を説明する概略断面図である。
[Low-melting-point metal migration inhibitory effect test]
Next, the effect of suppressing the movement of the low melting point metal in the fuse element to which the present invention is applied will be described. FIG. 12A is a schematic cross-sectional view illustrating the cross-sectional shape of the fuse element 200 in which the high-melting-point metal layers 12 are laminated on both surfaces of the low-melting-point metal layer 11 used as a reference example in this test, and FIG. 1 corresponds to the fuse element 10 shown in FIG. 1A as a typical example of the fuse element according to the present invention. The low melting point metal layer 11 has one high film thickness portion 11a and two low film thickness portions 11b. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a cross-sectional shape of a fuse element 300 having
図１２（ａ）に示すヒューズエレメント２００及び図１２（ｂ）に示すヒューズエレメント３００のそれぞれをリフロー実装時の一般的な設定温度である２４０℃で、４分間加熱後、Ｘ線画像により低融点金属の移動有無を確認した。 Each of the fuse element 200 shown in FIG. 12(a) and the fuse element 300 shown in FIG. 12(b) is heated at 240° C. which is a general set temperature during reflow mounting for 4 minutes, and then a low melting point is obtained by an X-ray image. It was confirmed whether or not the metal had moved.
その結果、単に低融点金属層１１の両面に高融点金属層１２を積層したヒューズエレメント２００では、４分間の加熱に伴い低融点金属の厚みが薄い箇所が生じ、低融点金属の制御不能な移動が発生していることが確認された。一方、低融点金属層１１が１か所の高膜厚部１１ａと２ヶ所の低膜厚部１１ｂとを有するヒューズエレメント３００では、４分間の加熱後においても低融点金属の移動が低膜厚部１１ｂにおいてブロックされ、当該低融点金属の移動を制御することが可能であることが確認された。 As a result, in the fuse element 200 in which the high melting point metal layer 12 is simply laminated on both surfaces of the low melting point metal layer 11, a portion where the thickness of the low melting point metal is thin occurs due to heating for 4 minutes, and the low melting point metal moves uncontrollably. Was confirmed to have occurred. On the other hand, in the fuse element 300 in which the low-melting point metal layer 11 has one high-thickness portion 11a and two low-thickness portions 11b, the movement of the low-melting point metal is low even after heating for 4 minutes. It was confirmed that it was possible to control the movement of the low melting point metal, which was blocked in the portion 11b.
以上のように、本発明に係るヒューズエレメント及びヒューズ素子によれば、リフロー実装時における温度で低融点金属が溶融したとしても、溶断箇所が設計上の位置からずれる、又は低融点金属が無くなった部分の導体抵抗が上昇するといった不具合の発生を抑制することが可能なヒューズエレメント及びヒューズ素子を提供することができる。 As described above, according to the fuse element and the fuse element according to the present invention, even if the low melting point metal is melted at the temperature at the time of reflow mounting, the fusing point is displaced from the design position or the low melting point metal is eliminated. It is possible to provide a fuse element and a fuse element that can suppress the occurrence of defects such as an increase in the conductor resistance of a part.
１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０ ヒューズエレメント
１１ 低融点金属層
１２ 低融点金属層
１１ａ、１２ａ 高膜厚部
１１ｂ、１２ｂ 低膜厚部
１３ 酸化防止膜
１４ 保護部材
１５ 蓋部
１６ 筐体
１７ 保護ケース
１００、１１０ ヒューズ素子
１０１ 絶縁基板
１０２ 第１の電極
１０３ 第２の電極
１０４ 保護層
１０５ 接着材料
１０６ フラックス
１０７ カバー部材
１０８ クランプ端子
１１１ 結合端子台
１１２ 第１の電線端子
１１３ 第２の電線端子
１１４ ボルト
１１５ ナット
10, 20, 30, 40, 50, 60, 70 Fuse element 11 Low melting point metal layer 12 Low melting point metal layer 11a, 12a High film thickness portion 11b, 12b Low film thickness portion 13 Antioxidation film 14 Protective member 15 Lid portion 16 Housing 17 Protective cases 100 and 110 Fuse element 101 Insulating substrate 102 First electrode 103 Second electrode 104 Protective layer 105 Adhesive material 106 Flux 107 Cover member 108 Clamp terminal 111 Coupling terminal block 112 First wire terminal 113 Second Wire terminal 114 bolt 115 nut
Claims (5)
低融点金属層とLow melting point metal layer and
上記低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、Having a high melting point metal layer laminated on the low melting point metal layer,
上記低融点金属層が、上記高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、The low melting point metal layer is a fuse element using the action of eroding and melting the high melting point metal layer,
上記低融点金属層が、ヒューズエレメントの溶断箇所の厚さ方向において山折り部と谷折り部とを有することを特徴とするヒューズエレメント。 A fuse element, wherein the low-melting-point metal layer has a mountain fold portion and a valley fold portion in a thickness direction of a fused portion of the fuse element.
上記高融点金属層はＡｇ、Ｃｕ，Ａｇ又はＣｕを主成分とする合金であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のヒューズエレメント。The fuse element according to claim 1 or 2, wherein the refractory metal layer is Ag, Cu, Ag or an alloy containing Cu as a main component.
上記絶縁基板に搭載され、定格を超える電流が通電することによって自己発熱により溶断するヒューズエレメントとを備え、Equipped with a fuse element that is mounted on the insulating substrate and melts by self-heating when a current exceeding the rating is applied,
上記ヒューズエレメントは、The fuse element is
低融点金属層と、A low melting point metal layer,
上記低融点金属層に積層された高融点金属層とを有し、Having a high melting point metal layer laminated on the low melting point metal layer,
上記低融点金属層が、上記高融点金属層を侵食し溶断する作用を用いたヒューズエレメントであって、The low melting point metal layer is a fuse element using the action of eroding and melting the high melting point metal layer,
上記低融点金属層が、ヒューズエレメントの溶断箇所の厚さ方向において山折り部と谷折り部とを有することを特徴とするヒューズ素子。A fuse element, wherein the low-melting-point metal layer has a mountain fold portion and a valley fold portion in a thickness direction of a fused portion of the fuse element.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015048355A JP6714943B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | Fuse element and fuse element |
| TW105107061A TW201707036A (en) | 2015-03-11 | 2016-03-08 | Fuse element and fuse device |
| PCT/JP2016/001356 WO2016143353A1 (en) | 2015-03-11 | 2016-03-10 | Fuse element and fuse device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015048355A JP6714943B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | Fuse element and fuse element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016170892A JP2016170892A (en) | 2016-09-23 |
| JP6714943B2 true JP6714943B2 (en) | 2020-07-01 |
Family
ID=56880253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015048355A Active JP6714943B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | Fuse element and fuse element |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6714943B2 (en) |
| TW (1) | TW201707036A (en) |
| WO (1) | WO2016143353A1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6707428B2 (en) * | 2016-09-16 | 2020-06-10 | デクセリアルズ株式会社 | Fuse element, fuse element, protection element |
| EP4095000A4 (en) | 2020-01-20 | 2024-03-20 | Autoliv Dev | Airbag device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134438A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing fuse element |
| JPS57109558U (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-06 | ||
| JP5026914B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-09-19 | 太平洋精工株式会社 | Fuse element and fusible link using this fuse element |
| JP6324684B2 (en) * | 2013-08-21 | 2018-05-16 | デクセリアルズ株式会社 | Protective element |
| JP6437239B2 (en) * | 2013-08-28 | 2018-12-12 | デクセリアルズ株式会社 | Fuse element, fuse element |
-
2015
- 2015-03-11 JP JP2015048355A patent/JP6714943B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-08 TW TW105107061A patent/TW201707036A/en unknown
- 2016-03-10 WO PCT/JP2016/001356 patent/WO2016143353A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016170892A (en) | 2016-09-23 |
| WO2016143353A1 (en) | 2016-09-15 |
| TW201707036A (en) | 2017-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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