JP6708085B2 - Electronic parts - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品、特に、インダクタを備えた電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component, particularly an electronic component including an inductor.

従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層インダクタが知られている。該積層インダクタは、複数の絶縁層及び複数の導体パターンを備えている。複数の絶縁層は、積層されることにより、直方体状の本体を構成している。複数の絶縁層の材料は、磁性材料（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト）である。また、複数の導体パターンは、複数の絶縁層の主面上に設けられている。複数の導体パターンは、絶縁層を貫通するスルーホールにより接続されている。これにより、螺旋状のコイルが形成されている。 As an invention relating to a conventional electronic component, for example, a laminated inductor described in Patent Document 1 is known. The laminated inductor includes a plurality of insulating layers and a plurality of conductor patterns. By stacking the plurality of insulating layers, a rectangular parallelepiped main body is formed. The material of the plurality of insulating layers is a magnetic material (Ni-Cu-Zn ferrite). In addition, the plurality of conductor patterns are provided on the main surfaces of the plurality of insulating layers. The plurality of conductor patterns are connected by through holes penetrating the insulating layer. As a result, a spiral coil is formed.

特開平６−２１５９４７号公報JP-A-6-215947

ところで、本願発明者は、特許文献１に記載の積層インダクタでは、コイルのインダクタンス値に製造ばらつきが発生することを発見した。そして、本願発明者は、コイルのインダクタンス値の製造ばらつきの原因を検討したところ、以下の理由に到達した。積層インダクタの製造工程では、複数の絶縁層を積層・圧着して未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を焼成する。積層体の焼成では、絶縁層及び導体パターンが収縮する。絶縁層の収縮率の方が導体パターンの収縮率よりも大きい。積層体内の各部において収縮率が異なると、焼成後の積層体内では残留応力が発生する。残留応力は、絶縁層の材料である磁性材料の透磁率を変化（低下）させる。そして、残留応力の大きさや分布は積層インダクタ毎にばらつくので、磁性材料の透磁率の変化量も積層インダクタ毎にばらつく。その結果、特許文献１に記載の積層インダクタでは、コイルのインダクタンス値に製造ばらつきが発生する。 By the way, the inventor of the present application has found that in the laminated inductor described in Patent Document 1, manufacturing variation occurs in the inductance value of the coil. Then, the inventor of the present application examined the cause of the manufacturing variation of the inductance value of the coil, and arrived at the following reason. In the manufacturing process of a laminated inductor, a plurality of insulating layers are laminated and pressure-bonded to form an unfired laminated body. After that, the unfired laminate is fired. When the laminated body is fired, the insulating layer and the conductor pattern shrink. The contraction rate of the insulating layer is larger than that of the conductor pattern. If the shrinkage ratio is different in each part in the laminate, residual stress occurs in the laminate after firing. The residual stress changes (decreases) the magnetic permeability of the magnetic material that is the material of the insulating layer. Since the magnitude and distribution of the residual stress vary from laminated inductor to laminated inductor, the amount of change in magnetic permeability of the magnetic material also varies from laminated inductor to laminated inductor. As a result, in the laminated inductor described in Patent Document 1, manufacturing variation occurs in the inductance value of the coil.

そこで、本発明の目的は、インダクタのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できる電子部品を提供することである。 Then, the objective of this invention is providing the electronic component which can reduce the manufacturing variation of the inductance value of an inductor.

本発明の第１の形態である電子部品は、フェライトセラミックスを材料とする複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有し、かつ、磁性領域及び該磁性領域よりも低い透磁率を有する低透磁率領域を有する積層体と、前記積層体に設けられ、かつ、前記積層方向から見たときに、所定方向に巻く螺旋形状を有するインダクタと、を備えており、前記インダクタは、前記積層方向に並ぶ複数のインダクタ導体層を含んでおり、前記複数のインダクタ導体層は、前記積層方向の最も一方側に位置する第１のインダクタ導体層、及び、該積層方向の最も他方側に位置する第２のインダクタ導体層を含んでおり、前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域は、前記低透磁率領域であり、前記複数のインダクタ導体層の内の前記第１のインダクタ導体層及び前記第２のインダクタ導体層を除く１以上のインダクタ導体層には、磁性領域が接していること、を特徴とする。 The electronic component according to the first aspect of the present invention has a structure in which a plurality of insulating layers made of ferrite ceramics are stacked in the stacking direction, and has a magnetic region and a magnetic permeability lower than that of the magnetic region. A laminate having a low magnetic permeability region having, and an inductor provided in the laminate and having a spiral shape wound in a predetermined direction when viewed from the stacking direction, wherein the inductor is the A plurality of inductor conductor layers arranged in the stacking direction, wherein the plurality of inductor conductor layers are located on the first side of the first side in the stacking direction and on the other side of the stacking direction. A second inductor conductor layer, and a region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance of ¼ of the thickness of the first inductor conductor layer, and/or the second inductor conductor layer. region from the surface of the conductor layer to 1/4 the distance of the thickness of the second inductor conductor layer, said low permeability region der is, the first inductor conductor layer of the plurality of inductor conductor layer And a magnetic region is in contact with at least one inductor conductor layer other than the second inductor conductor layer .

本発明によれば、インダクタのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できる。 According to the present invention, manufacturing variations in the inductance value of the inductor can be reduced.

電子部品１０，１０ａ〜１０ｇの外観斜視図である。It is an appearance perspective view of electronic parts 10 and 10a-10g. 一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of layered product 12 of electronic parts 10 concerning one embodiment. 図１の電子部品１０のＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a sectional structural view of the electronic component 10 of FIG. 1 taken along the line AA. 電子部品１０に相当するモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。FIG. 5 is a diagram showing in color the magnitude of residual stress generated in a model corresponding to the electronic component 10. 第１のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude|size of the residual stress which arises in a 1st model by the color. Ｎｉの検出結果を示した画像である。It is an image showing the detection result of Ni. 図６の画像におけるＮｉの検出率と図６の上下方向の位置との関係を示したグラフである。7 is a graph showing the relationship between the Ni detection rate in the image of FIG. 6 and the vertical position of FIG. 6. 第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルのインダクタンス値及びインダクタンス値のばらつきを示したグラフである。It is the graph which showed the inductance value of the 2nd sample, the 3rd sample, and the 4th sample, and the dispersion|variation of an inductance value. 比率Ｅと応力Ｆ１〜Ｆ４の平均値との関係を示したグラフである。It is a graph which showed the relation between ratio E and the average value of stress F1-F4. 図１の電子部品１０ａのＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a sectional structural view of the electronic component 10a of FIG. 1 taken along the line AA. 図１の電子部品１０ｂのＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10b in FIG. 図１の電子部品１０ｃのＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10c in FIG. 電子部品１０ｄの積層体１２の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of layered product 12 of electronic parts 10d. 図１の電子部品１０ｄのＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10d in FIG. 第２のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude of the residual stress which arises in a 2nd model by the color. 図１の電子部品１０ｅのＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a cross-sectional structural view of the electronic component 10e of FIG. 1 taken along the line AA. 第３のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude of the residual stress which occurs in a 3rd model by the color. 電子部品１０ｆの積層体１２の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of layered product 12 of electronic parts 10f. 図１の電子部品１０ｆのＡ−Ａ線における断面構造図である。FIG. 2 is a sectional structural view of the electronic component 10f of FIG. 1 taken along the line AA. 第４のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude of the residual stress which arises in a 4th model by the color. 電子部品１０ｇの積層体１２の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of layered product 12 of electronic parts 10g. 図１の電子部品１０ｇのＢ−Ｂ線における断面構造図である。FIG. 3 is a cross-sectional structural view of the electronic component 10g of FIG. 1 taken along the line BB. 第５のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude of the residual stress which arises in a 5th model by the color. 第６のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude of the residual stress which arises in a 6th model by the color. 第７のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。It is the figure which showed the magnitude of the residual stress which arises in a 7th model by the color.

（電子部品の構成）
一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇの外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品１０のＡ−Ａ線における断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向を上下方向と定義する。また、電子部品１０を上側から見たときに、電子部品１０に長辺に沿った方向を左右方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向を前後方向と定義する。なお、上下方向、左右方向及び前後方向は、一例であり、電子部品１０の使用時における上下方向、左右方向及び前後方向と一致していなくてもよい。 (Composition of electronic parts)
An electronic component according to an embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an external perspective view of the electronic components 10, 10a to 10g. FIG. 2 is an exploded perspective view of the laminated body 12 of the electronic component 10 according to the embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional structural view of the electronic component 10 of FIG. 1 taken along the line AA. Hereinafter, the stacking direction of the electronic component 10 is defined as the vertical direction. Further, when the electronic component 10 is viewed from above, the direction along the long side of the electronic component 10 is defined as the left-right direction, and the direction along the short side of the electronic component 10 is defined as the front-back direction. The up-down direction, the left-right direction, and the front-back direction are examples, and may not be the same as the up-down direction, the left-right direction, and the front-back direction when the electronic component 10 is used.

電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ、インダクタＬ（図１には図示せず）及び引き出し導体層２０ａ，２０ｂ（図１には図示せず）を備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic component 10 includes a laminated body 12, external electrodes 14a and 14b, an inductor L (not shown in FIG. 1), and lead conductor layers 20a and 20b (not shown in FIG. 1). Equipped).

積層体１２は、直方体状をなす焼成体である。積層体１２は、絶縁体層１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｇ，１６ｆ〜１６ｊ（複数の絶縁体層の一例）がこの順に上側から下側へと積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ〜１６ｊ，１７ａ〜１７ｇは、上側から見たときに、長方形状を有しており、フェライトセラミックスを材料とする。絶縁体層１６ａ〜１６ｊの材料は、磁性体材料（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）である。絶縁体層１７ａ〜１７ｇの材料は、非磁性体材料（例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）である。ただし、磁性体材料及び非磁性体材料はこれに限らない。これにより、積層体１２は、図３に示すように、磁性を有する（すなわち、比透磁率が１より大きい）磁性領域Ｒ１，Ｒ２及び磁性を有さない（すなわち、比透磁率が１）非磁性領域Ｒ３を有している。すなわち、磁性領域Ｒ１は、絶縁体層１６ａ〜１６ｅにより形成されている。磁性領域Ｒ２は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｊにより形成されている。非磁性領域Ｒ３は、絶縁体層１７ａ〜１７ｇにより形成されている。このように、積層体１２において、非磁性領域Ｒ３は、上下方向から磁性領域Ｒ１，Ｒ２に挟まれている。なお、非磁性領域Ｒ３は、磁性領域Ｒ１，Ｒ２よりも低い透磁率を有する低透磁率領域であってもよい。 The laminated body 12 is a fired body having a rectangular parallelepiped shape. The laminated body 12 has a structure in which the insulating layers 16a to 16e, 17a to 17g, 16f to 16j (an example of a plurality of insulating layers) are laminated in this order from the upper side to the lower side. The insulating layers 16a to 16j and 17a to 17g have a rectangular shape when viewed from the upper side and are made of ferrite ceramics. The material of the insulating layers 16a to 16j is a magnetic material (for example, Ni—Cu—Zn ferrite). The material of the insulator layers 17a to 17g is a non-magnetic material (for example, Cu-Zn ferrite). However, the magnetic material and the non-magnetic material are not limited to this. As a result, as shown in FIG. 3, the laminated body 12 has the magnetic regions R1 and R2 having magnetism (that is, the relative magnetic permeability is larger than 1) and the magnetic regions R1 and R2 having no magnetism (that is, the relative magnetic permeability is 1). It has a magnetic region R3. That is, the magnetic region R1 is formed of the insulating layers 16a to 16e. The magnetic region R2 is formed of the insulating layers 16f to 16j. The nonmagnetic region R3 is formed by the insulating layers 17a to 17g. As described above, in the stacked body 12, the nonmagnetic region R3 is sandwiched between the magnetic regions R1 and R2 from the vertical direction. The nonmagnetic region R3 may be a low magnetic permeability region having a lower magnetic permeability than the magnetic regions R1 and R2.

外部電極１４ａは、積層体１２の左面の全面を覆っており、上面、下面、前面及び後面に折り返されている。外部電極１４ｂは、積層体１２の右面の全面を覆っており、上面、下面、前面及び後面に折り返されている。外部電極１４ａ，１４ｂは、例えば、Ａｇを主成分とする下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきが施された構造を有する。 The external electrode 14a covers the entire left surface of the laminated body 12, and is folded back to the upper surface, the lower surface, the front surface, and the rear surface. The external electrode 14b covers the entire right surface of the laminated body 12, and is folded back to the upper surface, the lower surface, the front surface, and the rear surface. The external electrodes 14a and 14b have a structure in which, for example, a base electrode containing Ag as a main component is plated with Ni and Sn.

インダクタＬは、図２に示すように、積層体１２に内蔵されており、上側から見たときに、時計回り方向（所定方向の一例）に巻きながら上側から下側へと進行する弦巻形状（ｈｅｌｉｘ）を有している。インダクタＬは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ（複数のインダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ１〜ｖ３を含んでいる。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄはそれぞれ、絶縁体層１７ｃ〜１７ｆの上面上に設けられている。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、上側から下側へとこの順に並んでいる。 As shown in FIG. 2, the inductor L is built in the laminated body 12, and when viewed from the upper side, the inductor L is wound in the clockwise direction (an example of a predetermined direction) and advances from the upper side to the lower side. Helix). The inductor L includes inductor conductor layers 18a to 18d (an example of a plurality of inductor conductor layers) and via hole conductors v1 to v3. The inductor conductor layers 18a to 18d are provided on the upper surfaces of the insulator layers 17c to 17f, respectively. As a result, the inductor conductor layers 18a to 18d are arranged in this order from the upper side to the lower side.

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、互いに重なり合うことにより、上側から見たときに、長方形状の軌道Ｒを形成している。軌道Ｒは、前後方向に平行な２本の短辺及び左右方向に平行な２本の長辺を有する。そして、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、上側から見たときに、軌道Ｒの一部が切り欠かれた形状を有している。インダクタ導体層１８ａは、軌道Ｒの左側の短辺の前半分が切り欠かれている。インダクタ導体層１８ｂは、軌道Ｒの前側の長辺の左端近傍が切り欠かれている。インダクタ導体層１８ｃは、軌道Ｒの前側の長辺の中央近傍が切り欠かれている。インダクタ導体層１８ｄは、軌道Ｒの前側の長辺の右端近傍が切り欠かれている。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、上側から見たときに、時計回り方向に巻く形状を有している。以下では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。 The inductor conductor layers 18a to 18d overlap each other to form a rectangular track R when viewed from above. The track R has two short sides parallel to the front-rear direction and two long sides parallel to the left-right direction. The inductor conductor layers 18a to 18d have a shape in which a part of the track R is cut out when viewed from the upper side. The inductor conductor layer 18a is formed by cutting out the front half of the short side on the left side of the track R. The inductor conductor layer 18b is cut out near the left end of the long side on the front side of the track R. The inductor conductor layer 18c is cut out near the center of the long side on the front side of the track R. The inductor conductor layer 18d is cut out near the right end of the long side on the front side of the track R. As a result, the inductor conductor layers 18a to 18d have a shape wound in a clockwise direction when viewed from above. Hereinafter, the clockwise end portion of the inductor conductor layers 18a to 18d in the clockwise direction is referred to as an upstream end, and the clockwise end portion of the inductor conductor layers 18a to 18d in the clockwise direction is referred to as a downstream end.

次に、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの断面形状について図３を参照しながら説明する。以下では、インダクタ導体層の断面とは、インダクタ導体層が延びる方向（以下、延在方向）に直交する断面を意味する。また、線幅方向とは、インダクタ導体層を上側から見たときに、インダクタ導体層の延在方向に直交する方向である。 Next, the cross-sectional shapes of the inductor conductor layers 18a to 18d will be described with reference to FIG. Hereinafter, the cross section of the inductor conductor layer means a cross section orthogonal to a direction in which the inductor conductor layer extends (hereinafter, extending direction). The line width direction is a direction orthogonal to the extending direction of the inductor conductor layer when the inductor conductor layer is viewed from above.

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの断面形状において、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの線幅方向の中央が最も大きな厚みとなっている。そして、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの線幅方向の両端に近づくにしたがって厚みが小さくなっている。また、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの線幅方向の中央は、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの線幅方向の両端よりも上側に突出している。インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄの線幅方向の中央は、インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄの線幅方向の両端よりも下側に突出している。 In the cross-sectional shape of the inductor conductor layers 18a to 18d, the center of the inductor conductor layers 18a to 18d in the line width direction has the largest thickness. The thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d becomes smaller toward both ends in the line width direction. In addition, the center of the inductor conductor layers 18a and 18b in the line width direction protrudes above both ends of the inductor conductor layers 18a and 18b in the line width direction. The center in the line width direction of the inductor conductor layers 18c and 18d projects below the ends of the inductor conductor layers 18c and 18d in the line width direction.

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１７ｃを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａの下流端とインダクタ導体層１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１７ｄを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｂの下流端とインダクタ導体層１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１７ｅを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｃの下流端とインダクタ導体層１８ｄの上流端とを接続している。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄがこの順に直列に接続されている。ビアホール導体ｖ１〜ｖ３は、絶縁体層１７ｃ〜１７ｅを上下方向に貫通するビアホールにＡｇを主成分とする導電性ペーストが充填されて形成される。 The via-hole conductor v1 passes through the insulating layer 17c in the top-bottom direction, and connects the downstream end of the inductor conductor layer 18a and the upstream end of the inductor conductor layer 18b. The via-hole conductor v2 passes through the insulating layer 17d in the top-bottom direction, and connects the downstream end of the inductor conductive layer 18b and the upstream end of the inductor conductive layer 18c. The via-hole conductor v3 penetrates the insulating layer 17e in the vertical direction and connects the downstream end of the inductor conductive layer 18c and the upstream end of the inductor conductive layer 18d. As a result, the inductor conductor layers 18a to 18d are connected in series in this order. The via-hole conductors v1 to v3 are formed by filling via holes penetrating the insulating layers 17c to 17e in the vertical direction with a conductive paste containing Ag as a main component.

引き出し導体層２０ａは、絶縁体層１７ｃの上面上に設けられており、インダクタ導体層１８ａの上流端から左側に向かって延びている。引き出し導体層２０ａの左端は、絶縁体層１７ｃの左側の短辺に接することにより、外部電極１４ａに接続されている。 The lead conductor layer 20a is provided on the upper surface of the insulator layer 17c and extends from the upstream end of the inductor conductor layer 18a toward the left side. The left end of the lead conductor layer 20a is connected to the external electrode 14a by contacting the left short side of the insulator layer 17c.

引き出し導体層２０ｂは、絶縁体層１７ｆの上面上に設けられており、インダクタ導体層１８ｄの下流端から右側に向かって延びている。引き出し導体層２０ｂの右端は、絶縁体層１７ｆの右側の短辺に接することにより、外部電極１４ｂに接続されている。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ及び引き出し導体層２０ａ，２０ｂは、Ａｇを主成分とする導電性ペーストが絶縁体層１７ｃ〜１７ｆの上面上に塗布されて形成される。 The lead conductor layer 20b is provided on the upper surface of the insulator layer 17f, and extends from the downstream end of the inductor conductor layer 18d toward the right side. The right end of the lead conductor layer 20b is connected to the external electrode 14b by contacting the right short side of the insulator layer 17f. The inductor conductor layers 18a to 18d and the lead conductor layers 20a and 20b are formed by applying a conductive paste containing Ag as a main component on the upper surfaces of the insulator layers 17c to 17f.

ここで、インダクタ導体層１８ａと引き出し導体層２０ａとの境界、及び、インダクタ導体層１８ｄと引き出し導体層２０ｂとの境界について説明する。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、互いに重なり合うことにより、上側から見たときに、長方形状の軌道Ｒを形成している。従って、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、軌道Ｒ上に位置している部分である。一方、引き出し導体層２０ａ，２０ｂは、軌道Ｒとは重なっていない。従って、引き出し導体層２０ａとインダクタ導体層１８ａとの境界は、引き出し導体層２０ａが軌道Ｒに接している部分である。同様に、引き出し導体層２０ｂとインダクタ導体層１８ｄとの境界は、引き出し導体層２０ｂが軌道Ｒに接している部分である。 Here, a boundary between the inductor conductor layer 18a and the lead conductor layer 20a and a boundary between the inductor conductor layer 18d and the lead conductor layer 20b will be described. The inductor conductor layers 18a to 18d overlap each other to form a rectangular track R when viewed from above. Therefore, the inductor conductor layers 18a to 18d are portions located on the track R. On the other hand, the lead conductor layers 20a and 20b do not overlap the track R. Therefore, the boundary between the lead conductor layer 20a and the inductor conductor layer 18a is the portion where the lead conductor layer 20a is in contact with the track R. Similarly, the boundary between the lead conductor layer 20b and the inductor conductor layer 18d is the portion where the lead conductor layer 20b is in contact with the track R.

ところで、電子部品１０では、図３に示すように、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ（インダクタ導体層１８ａが第１のインダクタ導体層の一例、インダクタ導体層１８ｄが第２のインダクタ導体層の一例、インダクタ導体層１８ｂ，１８ｃが第３のインダクタ導体層の一例）の表面からインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの１／４の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３である。以下に、インダクタ導体層１８ａを例に挙げて説明する。図３に示すように、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの１／４の距離までの領域を領域ｒ１〜ｒ４（図３では、領域ｒ１，ｒ２のみ図示）と定義する。 By the way, in the electronic component 10, as shown in FIG. 3, inductor conductor layers 18a to 18d (the inductor conductor layer 18a is an example of a first inductor conductor layer, the inductor conductor layer 18d is an example of a second inductor conductor layer, and The region where the conductor layers 18b and 18c are from the surface of the third inductor conductor layer) to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is the nonmagnetic region R3. The inductor conductor layer 18a will be described below as an example. As shown in FIG. 3, regions r1 to r4 (regions r1 and r2 are shown in FIG. 3) are defined as regions from the surface of the inductor conductor layers 18a to 18d to a distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d. It is defined as.

電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄはそれぞれ、絶縁体層１７ｃ〜１７ｆの上面上に設けられている。従って、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、非磁性領域Ｒ３内に設けられている。そのため、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの１／４の距離までの領域ｒ１〜ｒ４は、非磁性領域Ｒ３である。電子部品１０では、更に、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの１／３の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３である。更に、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの１／２の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３である。更に、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みと等しい距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３である。 In the electronic component 10, the inductor conductor layers 18a to 18d are provided on the upper surfaces of the insulator layers 17c to 17f, respectively. Therefore, the inductor conductor layers 18a to 18d are provided in the nonmagnetic region R3. Therefore, the regions r1 to r4 from the surface of the inductor conductor layers 18a to 18d to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d are nonmagnetic regions R3. In the electronic component 10, the region from the surface of the inductor conductor layers 18a to 18d to the distance ⅓ of the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is the nonmagnetic region R3. Further, the region from the surface of the inductor conductor layers 18a to 18d to the distance of 1/2 of the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is the nonmagnetic region R3. Further, the region from the surface of the inductor conductor layers 18a to 18d to the distance equal to the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is the nonmagnetic region R3.

ここで、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みについて説明する。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みとは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの上下方向における厚みである。ただし、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みは、図３に示すように、線幅方向の位置において異なっている。そこで、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みとは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの延在方向に直交する断面におけるインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの最大値と定義する。電子部品１０ａでは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの線幅方向の中央における厚みである。 Here, the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d will be described. The thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is the vertical thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d. However, the thicknesses of the inductor conductor layers 18a to 18d are different at positions in the line width direction, as shown in FIG. Therefore, the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is defined as the maximum value of the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d in the cross section orthogonal to the extending direction of the inductor conductor layers 18a to 18d. In the electronic component 10a, the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d is the thickness of the inductor conductor layers 18a to 18d at the center in the line width direction.

また、電子部品１０では、インダクタＬが非磁性領域Ｒ３内に収まっている。そのため、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄを囲んでいる非磁性領域は一つに繋がっている。 In addition, in the electronic component 10, the inductor L is contained in the nonmagnetic region R3. Therefore, the nonmagnetic regions surrounding the inductor conductor layers 18a to 18d are connected together.

（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。 (Method of manufacturing electronic components)
Below, the manufacturing method of the electronic component 10 is demonstrated, referring FIG.

まず、絶縁体層１６ａ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、第１のフェライトセラミック粉末を得る。 First, a ceramic green sheet to be the insulating layers 16a to 16j is prepared. Specifically, ferric oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), nickel oxide (NiO), and copper oxide (CuO) were weighed at a predetermined ratio, and the respective materials were put into a ball mill as raw materials. , Wet blending. The mixture obtained is dried and then ground and the powder obtained is calcined at 800° C. for 1 hour. The obtained calcined powder is wet-milled with a ball mill, dried and then crushed to obtain a first ferrite ceramic powder.

第１のフェライトセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られた第１のセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６ａ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。 A binder, a plasticizer, a wetting agent, and a dispersant are added to the first ferrite ceramic powder and mixed by a ball mill, and then defoaming is performed under reduced pressure. The obtained first ceramic slurry is formed into a sheet shape on a carrier sheet by a doctor blade method and dried to produce ceramic green sheets to be the insulating layers 16a to 16j.

次に、絶縁体層１７ａ〜１７ｇとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、第２のフェライトセラミック粉末を得る。 Next, a ceramic green sheet to be the insulator layers 17a to 17g is prepared. Specifically, ferric oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), and copper oxide (CuO) are weighed at a predetermined ratio, and each material is put into a ball mill as a raw material and wet blending is performed. The mixture obtained is dried and then ground, and the powder obtained is calcined at 800° C. for 1 hour. The obtained calcined powder is wet-milled with a ball mill, dried and then crushed to obtain a second ferrite ceramic powder.

第２のフェライトセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られた第２のセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１７ａ〜１７ｇとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。 A binder, a plasticizer, a wetting agent, and a dispersant are added to the second ferrite ceramic powder and mixed by a ball mill, and then defoaming is performed under reduced pressure. The obtained second ceramic slurry is formed into a sheet shape on a carrier sheet by a doctor blade method and dried to produce a ceramic green sheet to be the insulating layers 17a to 17g.

次に、絶縁体層１７ｃ〜１７ｅとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ３を形成する。具体的には、絶縁体層１７ｃ〜１７ｅとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。更に、ビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性材料からなるペーストを印刷塗布などの方法により充填して、ビアホール導体ｖ１〜ｖ３を形成する。 Next, the via hole conductors v1 to v3 are formed on each of the ceramic green sheets to be the insulating layers 17c to 17e. Specifically, the ceramic green sheets to be the insulating layers 17c to 17e are irradiated with a laser beam to form via holes. Further, the via holes are filled with a paste made of a conductive material such as Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof by a method such as print coating to form the via hole conductors v1 to v3.

次に、絶縁体層１７ｃ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ及び引き出し導体層２０ａ，２０ｂを形成する。該導電性材料からなるペーストは、例えば、Ａｇに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。なお、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ及び引き出し導体層２０ａ，２０ｂを形成する工程とビアホールに対して導電性材料からなるペーストを充填する工程とを同じ工程において行ってもよい。 Next, by applying a paste made of a conductive material onto the ceramic green sheets to be the insulating layers 17c to 17f by a method such as a screen printing method or a photolithography method, the inductor conductive layers 18a to 18d and the lead conductors are formed. The layers 20a and 20b are formed. The paste made of the conductive material is, for example, Ag added with a varnish and a solvent. The step of forming the inductor conductor layers 18a to 18d and the lead conductor layers 20a and 20b and the step of filling the via holes with the paste made of a conductive material may be performed in the same step.

次に、絶縁体層１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｇ，１６ｆ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートを上側から下側へとこの順に積層して未焼成のマザー積層体を得る。具体的には、絶縁体層１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｇ，１６ｆ〜１６ｊとなるべきセラミックグリーンシートを１枚ずつ積層及び仮圧着する。圧着条件は、１００トン以上１２０トン以下の圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて本圧着を施す。 Next, ceramic green sheets to be the insulating layers 16a to 16e, 17a to 17g, and 16f to 16j are laminated in this order from the upper side to the lower side to obtain an unfired mother laminated body. Specifically, the ceramic green sheets to be the insulating layers 16a to 16e, 17a to 17g, 16f to 16j are laminated one by one and temporarily pressed. The pressure bonding condition is a pressure of 100 tons to 120 tons and a time of 3 seconds to 30 seconds. Thereafter, the unfired mother laminate is subjected to main pressure bonding with a hydrostatic press.

次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２を得る。この未焼成の積層体１２に脱バインダー処理及び焼成を行う。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８７０℃以上９００℃以下で２．５時間の条件で行う。 Next, the mother laminated body is cut into a laminated body 12 having a predetermined size with a cutting blade. Thus, the unfired laminated body 12 is obtained. The unfired laminate 12 is subjected to binder removal processing and firing. The binder removal treatment is performed, for example, in a low oxygen atmosphere at 500° C. for 2 hours. The firing is performed, for example, at 870° C. or higher and 900° C. or lower for 2.5 hours.

以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工を施して、面取りを行う。その後、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを、積層体１２の表面に塗布する。そして、塗布した電極ペーストを約８００℃の温度で１時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき下地電極を形成する。 Through the above steps, the fired laminated body 12 is obtained. The laminate 12 is barrel-processed and chamfered. After that, an electrode paste made of a conductive material containing Ag as a main component is applied to the surface of the laminate 12. Then, the applied electrode paste is baked at a temperature of about 800° C. for 1 hour. As a result, base electrodes to be the external electrodes 14a and 14b are formed.

最後に、下地電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。 Finally, the outer electrodes 14a and 14b are formed by performing Ni plating/Sn plating on the surface of the base electrode. Through the above steps, the electronic component 10 as shown in FIG. 1 is completed.

（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できる。より詳細には、本願発明者は、以下に説明するように、特許文献１に記載の積層インダクタにおいて、コイルのインダクタンス値に製造ばらつきが発生することを発見した。特許文献１に記載の積層インダクタの製造工程では、複数の絶縁層を積層・圧着して未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を焼成する。積層体の焼成では、絶縁層及び導体パターンが収縮する。絶縁層の収縮率の方が導体パターンの収縮率よりも大きい。積層体内の各部において収縮率が異なると、焼成後の積層体内では残留応力が発生する。残留応力は、絶縁層の材料である磁性材料の透磁率を変化（低下）させる。そして、残留応力の大きさや分布は積層インダクタ毎にばらつくので、磁性材料の透磁率の変化量も積層インダクタ毎にばらつく。その結果、特許文献１に記載の積層インダクタでは、コイルのインダクタンス値に製造ばらつきが発生する。 (effect)
The electronic component 10 according to the present embodiment can reduce manufacturing variations in the inductance value of the inductor L. More specifically, the inventor of the present application has discovered that manufacturing variations occur in the inductance value of the coil in the laminated inductor described in Patent Document 1, as described below. In the manufacturing process of the laminated inductor described in Patent Document 1, a plurality of insulating layers are laminated and pressure-bonded to form an unfired laminated body. After that, the unfired laminate is fired. When the laminated body is fired, the insulating layer and the conductor pattern shrink. The contraction rate of the insulating layer is larger than that of the conductor pattern. If the shrinkage ratio is different in each part in the laminate, residual stress occurs in the laminate after firing. The residual stress changes (decreases) the magnetic permeability of the magnetic material that is the material of the insulating layer. Since the magnitude and distribution of the residual stress vary from laminated inductor to laminated inductor, the amount of change in magnetic permeability of the magnetic material also varies from laminated inductor to laminated inductor. As a result, in the laminated inductor described in Patent Document 1, manufacturing variation occurs in the inductance value of the coil.

そこで、本願発明者は、第１のコンピュータシミュレーションを行って、電子部品において残留応力が発生しやすい位置を特定した。第１のコンピュータシミュレーションでは、本願発明者は、電子部品に発生する残留応力をコンピュータにより演算した。演算に用いたソフトは、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）である。図４は、モデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。演算に用いたモデルは、電子部品１０において非磁性領域Ｒ３が磁性領域となった構造を有している。また、電子部品１０が４層のインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄを有しているのに対して、演算に用いたモデルは、１０層のインダクタ導体層を有している。図４は、図１のＡ−Ａ線における断面構造図に相当する。図４において、右側の色分けされた棒状のグラフは、色と応力との関係を示している。 Therefore, the inventor of the present application performed a first computer simulation to identify a position where residual stress is likely to occur in the electronic component. In the first computer simulation, the inventor of the present application calculated the residual stress generated in the electronic component by a computer. The software used for the calculation is a finite element method simulator Femtet (registered trademark). FIG. 4 is a diagram showing in color the magnitude of residual stress generated in the model. The model used for the calculation has a structure in which the nonmagnetic region R3 in the electronic component 10 is a magnetic region. Further, the electronic component 10 has four inductor conductor layers 18a to 18d, whereas the model used for the calculation has ten inductor conductor layers. FIG. 4 corresponds to a sectional structural view taken along the line AA of FIG. In FIG. 4, a color-coded bar-shaped graph on the right side shows the relationship between color and stress.

図４に示すように、モデルでは、最も上側（積層方向の最も一方側の一例）に位置するインダクタ導体層（第１のインダクタの一例）の線幅方向の両端近傍において、非常に大きな残留応力が発生していることが分かる。同様に、最も下側（積層方向の最も他方側の一例）に位置するインダクタ導体層（第２のインダクタの一例）の線幅方向の両端近傍において、非常に大きな残留応力が発生していることが分かる。 As shown in FIG. 4, in the model, a very large residual stress is generated in the vicinity of both ends in the line width direction of the inductor conductor layer (an example of the first inductor) located on the uppermost side (an example of the most one side in the stacking direction). It can be seen that is occurring. Similarly, extremely large residual stress is generated in the vicinity of both ends in the line width direction of the inductor conductor layer (an example of the second inductor) located at the lowermost side (an example of the other side in the stacking direction). I understand.

電子部品において残留応力が相対的に大きい位置は、電子部品において焼成の影響を相対的に大きく受けている位置である。一方、電子部品において残留応力が相対的に小さい位置は、電子部品において焼成の影響を相対的に小さく受けている位置である。複数の電子部品を同時に焼成した場合、炉内の位置等によって焼成条件がばらつく。電子部品において焼成の影響を相対的に小さく受けている位置は、焼成条件がばらついても、焼成の影響に大きなばらつきが発生しにくい。すなわち、電子部品において焼成の影響を相対的に小さく受けている位置では、残留応力のばらつきが生じにくい。一方、電子部品において焼成の影響を相対的に大きく受けている位置は、焼成条件がばらつくと、焼成の影響に大きなばらつきが発生し易い。すなわち、電子部品において焼成の影響を相対的に大きく受けている位置では、残留応力のばらつきが生じ易い。その結果、最も上側に位置するインダクタ導体層及び最も下側に位置する線幅方向の両端付近において、残留応力のばらつきも大きくなりやすい。 The position where the residual stress is relatively large in the electronic component is the position where the firing is relatively large in the electronic component. On the other hand, a position where the residual stress is relatively small in the electronic component is a position where the influence of firing is relatively small in the electronic component. When a plurality of electronic components are fired at the same time, firing conditions vary depending on the position in the furnace. At a position where the influence of firing is relatively small in the electronic component, even if the firing conditions vary, the influence of firing does not largely vary. That is, the residual stress is unlikely to vary at positions where the influence of firing is relatively small in the electronic component. On the other hand, at the position where the influence of firing is relatively large in the electronic component, if the firing conditions are varied, the influence of firing is likely to be greatly varied. That is, the residual stress is likely to vary at a position in the electronic component that is relatively affected by firing. As a result, variations in residual stress are likely to be large near the inductor conductor layer located on the uppermost side and both ends in the line width direction located on the lowermost side.

まず、本願発明者は、電子部品１０内において具体的にどのような残留応力が発生しているのかを明確にするために、第２のコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、本願発明者は、以下に説明する第１のモデルを作成して、電子部品に発生する残留応力をコンピュータにより演算した。第２のコンピュータシミュレーションでは、第１のコンピュータシミュレーションと同様に、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。第１のモデルの構造は、第１のコンピュータシミュレーションで用いたモデルの構造と同様である。以下に、第１のモデルの詳細な条件を記載する。 First, the inventor of the present application performed a second computer simulation in order to clarify what kind of residual stress is generated in the electronic component 10. Specifically, the inventor of the present application created a first model described below and calculated the residual stress generated in the electronic component by a computer. In the second computer simulation, the finite element method simulator Femtet (registered trademark) was used as in the first computer simulation. The structure of the first model is similar to the structure of the model used in the first computer simulation. The detailed conditions of the first model are described below.

積層体の左右方向の長さ：０．７８３ｍｍ
積層体の前後方向の幅 ：０．７８３ｍｍ
積層体の上下方向の高さ：０．４８０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅：０．０９４ｍｍ
インダクタ導体層の厚み：０．０１２ｍｍ
インダクタ導体層の線幅方向の端部から積層体の側面までの距離：０．１０８ｍｍ
上下方向に隣り合うインダクタ導体層間の距離：０．００９ｍｍ
インダクタ導体層の層数：１０層
インダクタＬの巻き数：９．５周
最も上側に位置するインダクタ導体層から積層体の上面までの距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層から積層体の下面までの距離：０．１４０ｍｍ Horizontal length of laminated body: 0.783 mm
Width in the front-back direction of the laminated body: 0.783 mm
Vertical height of laminated body: 0.480 mm
Line width of inductor conductor layer: 0.094mm
Inductor conductor layer thickness: 0.012mm
Distance from the end of the inductor conductor layer in the line width direction to the side surface of the laminate: 0.108 mm
Distance between vertically adjacent inductor conductor layers: 0.009 mm
Number of layers of the inductor conductor layer: 10 layers Number of turns of the inductor L: 9.5 rounds Distance from the inductor conductor layer located at the uppermost side to the upper surface of the laminated body, and from the inductor conductor layer located at the lowermost side to the laminated body To the bottom surface of the: 0.140mm

また、第１のモデルと電子部品１０とでは、インダクタ導体層の層数が異なる。ただし、以下の説明では、第１のモデルにおける最も上側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０におけるインダクタ導体層１８ａとを対応させる。第１のモデルにおける最も下側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０におけるインダクタ導体層１８ｄとを対応させる。 Further, the number of inductor conductor layers is different between the first model and the electronic component 10. However, in the following description, the uppermost inductor conductor layer in the first model and the inductor conductor layer 18a in the electronic component 10 are made to correspond to each other. The lowermost inductor conductor layer in the first model is associated with the inductor conductor layer 18d in the electronic component 10.

インダクタ導体層１８ａ（最も上側に位置するインダクタ導体層）の線幅方向の端部を端部Ｐａ，Ｐｂとする。端部Ｐａは、インダクタ導体層１８ａの右端である。端部Ｐｂは、インダクタ導体層１８ａの左端である。また、インダクタ導体層１８ｄ（最も下側に位置するインダクタ導体層）の線幅方向の端部を端部Ｐｃ，Ｐｄとする。端部Ｐｃは、インダクタ導体層１８ｄの右端である。端部Ｐｄは、インダクタ導体層１８ｄの左端である。 The end portions in the line width direction of the inductor conductor layer 18a (the uppermost inductor conductor layer) are defined as end portions Pa and Pb. The end portion Pa is the right end of the inductor conductor layer 18a. The end portion Pb is the left end of the inductor conductor layer 18a. Further, the end portions in the line width direction of the inductor conductor layer 18d (the inductor conductor layer located at the lowermost side) are defined as end portions Pc and Pd. The end portion Pc is the right end of the inductor conductor layer 18d. The end portion Pd is the left end of the inductor conductor layer 18d.

図５は、第１のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。本願発明者は、図５における残留応力Ｆ１〜Ｆ４を測定した。残留応力Ｆ１は、端部Ｐａから上側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ２は、端部Ｐｂから上側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ３は、端部Ｐａから右側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ４は、端部Ｐｂから左側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。表１は、第２のシミュレーションの結果を示した表である。 FIG. 5 is a diagram showing in color the magnitude of the residual stress generated in the first model. The inventor of the present application measured the residual stresses F1 to F4 in FIG. The residual stress F1 is the residual stress at a point separated from the end portion Pa by the distance X upward. The residual stress F2 is the residual stress at a point separated from the end Pb by the distance X upward. The residual stress F3 is the residual stress at a point separated from the end portion Pa to the right by the distance X. The residual stress F4 is the residual stress at a point separated from the end Pb to the left by the distance X. Table 1 is a table showing the results of the second simulation.

表１では、０μｍ〜１５μｍの範囲で、１μｍ刻みでＸを変化させたときのシミュレーション結果を示した。Ｘ＝０における残留応力Ｆ１，Ｆ３は、端部Ｐａにおける残留応力を示す。また、Ｘ＝０における残留応力Ｆ２，Ｆ４は、端部Ｐｂにおける残留応力を示す。よって、６４個のデータのうち、Ｘ＝０の４つのデータに重複が発生している。したがって、表１では、端部Ｐａ，Ｐｂ及びその周囲の６２ヶ所の残留応力が示されている。 Table 1 shows the simulation results when X is changed in steps of 1 μm in the range of 0 μm to 15 μm. The residual stresses F1 and F3 at X=0 indicate the residual stress at the end portion Pa. Further, the residual stresses F2 and F4 at X=0 indicate the residual stress at the end Pb. Therefore, out of 64 data, duplication occurs in 4 data of X=0. Therefore, in Table 1, residual stresses at the end portions Pa and Pb and at 62 places around the end portions are shown.

また、表１における変化率とは、各点における残留応力の減少率を示している。基準となる残留応力は、Ｘ＝０とした端部Ｐａ，Ｐｂにおける残留応力である。また、変化率平均とは、Ｆ１〜Ｆ４変化率の平均値である。 The rate of change in Table 1 indicates the rate of decrease of residual stress at each point. The standard residual stress is the residual stress at the ends Pa and Pb where X=0. The average change rate is an average value of the change rates F1 to F4.

表１によれば、端部Ｐａ，Ｐｂから離れるにしたがって、残留応力が小さくなっていることが分かる。そのため、端部Ｐａ，Ｐｂ付近に非磁性領域を配置することが好ましい。そこで、本願発明者は、最も上側に位置するインダクタ導体層及び最も下側に位置するインダクタ導体層の周囲に存在する非磁性領域の厚みの好ましい値を求めるために、以下に説明する実験を行った。 According to Table 1, it can be seen that the residual stress decreases as the distance from the ends Pa and Pb increases. Therefore, it is preferable to arrange the nonmagnetic region near the ends Pa and Pb. Therefore, the inventor of the present application conducts an experiment described below in order to obtain a preferable value of the thickness of the nonmagnetic region existing around the inductor conductor layer located on the uppermost side and the inductor conductor layer located on the lowermost side. It was

そこで、電子部品１０では、図３に示すように、インダクタ導体層１８ａ，１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ，１８ｄの厚みの１／４の距離までの領域ｒ１，ｒ４は、非磁性領域Ｒ３の一部である。領域ｒ１，ｒ４は、残留応力のばらつきが大きくなりやすいインダクタ導体層１８ａ，１８ｄの線幅方向の両端付近を含んでいる。非磁性領域Ｒ３の比透磁率は１である。そのため、非磁性領域Ｒ３において残留応力が発生しても、非磁性領域Ｒ３の比透磁率は低下しない。故に、インダクタ導体層１８ａ，１８ｄの線幅方向の両端付近において、比透磁率の低下量のばらつきが抑制されるようになる。よって、電子部品１０によれば、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できる。 Therefore, in the electronic component 10, as shown in FIG. 3, the regions r1 and r4 from the surface of the inductor conductor layers 18a and 18d to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layers 18a and 18d are the non-magnetic regions R3. It is a part. The regions r1 and r4 include the vicinity of both ends of the inductor conductor layers 18a and 18d in the line width direction in which variations in residual stress are likely to be large. The relative magnetic permeability of the nonmagnetic region R3 is 1. Therefore, even if residual stress occurs in the nonmagnetic region R3, the relative magnetic permeability of the nonmagnetic region R3 does not decrease. Therefore, in the vicinity of both ends of the inductor conductor layers 18a and 18d in the line width direction, variations in the amount of decrease in relative permeability are suppressed. Therefore, according to the electronic component 10, manufacturing variations in the inductance value of the inductor L can be reduced.

ところで、本願発明者は、以下の実験及びコンピュータシミュレーションを行って、インダクタ導体層１８ａ，１８ｄの表面からインダクタ導体層１８ａ，１８ｄの厚みの１／４の距離までの領域を非磁性領域とすることが好ましいことを見出した。以下に、実験及びコンピュータシミュレーションについて説明する。 By the way, the inventor of the present application conducts the following experiments and computer simulations to make a region from the surface of the inductor conductor layers 18a, 18d to a distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layers 18a, 18d a nonmagnetic region. Have been found to be preferable. The experiment and computer simulation will be described below.

まず、本願発明者は、非磁性領域の定義を明確にするために、以下に説明する第１の実験を行った。本願発明者は、電子部品１０の第１のサンプルを作製した。本願発明者は、第１のサンプルの非磁性領域と磁性領域の境界部分において、ＳＥＭ−ＥＤＸのマッピングを行い、以下に示す条件で、ＷＤＸによるＮｉの検出を行った。 First, the present inventor conducted a first experiment described below in order to clarify the definition of the nonmagnetic region. The inventor of the present application produced a first sample of the electronic component 10. The inventor of the present application performed SEM-EDX mapping in the boundary portion between the non-magnetic region and the magnetic region of the first sample, and detected Ni by WDX under the following conditions.

前処理条件
フラットミリング（ＩＭ３０００）／３ｋＶ／５ｍｉｎ／６０°処理後、Ｃコーティング処理 Pretreatment condition Flat milling (IM3000)/3kV/5min/60° treatment, then C coating treatment

分析条件
ＦＥ−ＷＤＸ（装置名：日本電子ＪＸＡ−８５００Ｆ）
加速電圧：１５．０ｋＶ
照射電流：５×１０-８Ａ
ピクセル数（画素数）：２５６×２５６
ピクセルサイズ：０．４（１０００倍）
Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅ（１つの画素での取り込み時間）：４０ｍｓ
分析深さ：１μｍ〜２μｍ
測定可能元素：Ｂ〜Ｕ Analysis condition FE-WDX (device name: JEOL JXA-8500F)
Accelerating voltage: 15.0kV
Irradiation current: 5×10 -8 A
Number of pixels (number of pixels): 256 x 256
Pixel size: 0.4 (1000 times)
Dwell Time (uptake time for one pixel): 40 ms
Analysis depth: 1 μm to 2 μm
Measurable element: B to U

図６は、Ｎｉの検出結果を示した画像である。図６において、色が薄い部分はＮｉの検出量が少ない部分であり、比透磁率が低いことを意味する。また、色が濃い部分はＮｉの検出量が多い部分であり、比透磁率が高いことを意味する。図６の画像では、磁性領域と非磁性領域とが隣り合っている。そして、焼成により、磁性領域内のＮｉが焼成によって非磁性領域に拡散している。これにより、磁性領域と非磁性領域との境界には拡散領域（図６のグレーの領域）が形成されている。 FIG. 6 is an image showing the detection result of Ni. In FIG. 6, a light-colored portion is a portion where the amount of Ni detected is small, which means that the relative magnetic permeability is low. Further, a dark-colored portion is a portion where a large amount of Ni is detected, which means that the relative magnetic permeability is high. In the image of FIG. 6, the magnetic region and the non-magnetic region are adjacent to each other. Then, Ni in the magnetic region is diffused into the non-magnetic region by firing. As a result, a diffusion region (gray region in FIG. 6) is formed at the boundary between the magnetic region and the nonmagnetic region.

図７は、図６の画像におけるＮｉの検出率と図６の上下方向の位置との関係を示したグラフである。図７において、縦軸はＮｉの検出率を示し、横軸は図６の上下方向の位置を示している。Ｎｉの検出率は、図６におけるＮｉの検出量の最大値に対する各位置におけるＮｉの検出量の比の値である。本願発明者は、図７に示すように、Ｎｉの検出率が１０％以下となる領域を非磁性領域と定義した。以下では、非磁性領域とは、Ｎｉの検出率が１０％以下となる領域を意味する。 FIG. 7 is a graph showing the relationship between the Ni detection rate in the image of FIG. 6 and the vertical position of FIG. 7, the vertical axis represents the Ni detection rate, and the horizontal axis represents the vertical position in FIG. The Ni detection rate is the ratio of the Ni detection amount at each position to the maximum Ni detection amount in FIG. The inventor of the present application defined a region where the Ni detection rate is 10% or less as a non-magnetic region as shown in FIG. 7. Hereinafter, the nonmagnetic region means a region where the Ni detection rate is 10% or less.

次に、本願発明者は、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１との距離Ｄ（図３参照）、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２との距離Ｄ（図３参照）と、インダクタンス値及びインダクタンス値のばらつきとの関係を調べる第２の実験を行った。以下に、距離Ｄの定義について、図３を参照しながら説明する。 Next, the inventor of the present application has found that the distance D (see FIG. 3) between the uppermost inductor conductor layer and the magnetic region R1 and the distance D (lowerest distance between the lowermost inductor conductor layer and the magnetic region R2). A second experiment for examining the relationship between the inductance value and the variation in the inductance value was performed. The definition of the distance D will be described below with reference to FIG.

以下のサンプルと電子部品１０とでは、インダクタ導体層の層数が異なる。ただし、以下の説明では、サンプルにおける最も上側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０におけるインダクタ導体層１８ａとを対応させる。サンプルにおける最も下側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０におけるインダクタ導体層１８ｄとを対応させる。そして、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１との距離Ｄは、最も上側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐａから磁性領域Ｒ１までの距離とする。また、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２との距離Ｄは、最も下側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｃから磁性領域Ｒ２までの距離とする。なお、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１との距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２との距離は、互いに等しいので共に距離Ｄとした。 The following sample and the electronic component 10 have different numbers of inductor conductor layers. However, in the following description, the inductor conductor layer located on the uppermost side of the sample and the inductor conductor layer 18a of the electronic component 10 are made to correspond to each other. The inductor conductor layer located at the lowermost side in the sample is made to correspond to the inductor conductor layer 18d in the electronic component 10. The distance D between the uppermost inductor conductor layer and the magnetic region R1 is the distance from the end Pa of the uppermost inductor conductor layer to the magnetic region R1. The distance D between the lowermost inductor conductor layer and the magnetic region R2 is the distance from the end Pc of the lowermost inductor conductor layer to the magnetic region R2. The distance between the uppermost inductor conductor layer and the magnetic region R1 and the distance between the lowermost inductor conductor layer and the magnetic region R2 are equal to each other, and thus the distance D is used.

本願発明者は、電子部品１０と同様の構成を有する第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルを３０個ずつ作製した。以下に、第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルの条件を記載する。 The inventor of the present application manufactured 30 second, 3rd, and 4th samples each having the same configuration as the electronic component 10. The conditions of the second sample, the third sample and the fourth sample are described below.

各サンプルの積層体の左右方向の長さ：０．７８３ｍｍ
各サンプルの積層体の前後方向の幅 ：０．７８３ｍｍ
各サンプルの積層体の上下方向の高さ：０．４８０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅：０．０９４ｍｍ
インダクタ導体層の厚み：０．０１２ｍｍ
インダクタ導体層の線幅方向の端部から積層体の側面までの距離：０．１０８ｍｍ
上下方向に隣り合うインダクタ導体層間の距離：０．００９ｍｍ
インダクタ導体層の層数：１０層
インダクタＬの巻き数：９．５周
最も上側に位置するインダクタ導体層から積層体の上面までの距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層から積層体の下面までの距離：０．１４０ｍｍ The length of the laminated body of each sample in the left-right direction: 0.783 mm
Width of each sample in the front-rear direction: 0.783 mm
Vertical height of laminated body of each sample: 0.480 mm
Line width of inductor conductor layer: 0.094mm
Inductor conductor layer thickness: 0.012mm
Distance from the end of the inductor conductor layer in the line width direction to the side surface of the laminate: 0.108 mm
Distance between vertically adjacent inductor conductor layers: 0.009 mm
Number of layers of the inductor conductor layer: 10 layers Number of turns of the inductor L: 9.5 rounds Distance from the inductor conductor layer located at the uppermost side to the upper surface of the laminated body, and from the inductor conductor layer located at the lowermost side to the laminated body To the bottom surface of the: 0.140mm

第２のサンプルでは、距離Ｄを０ｍｍとした。すなわち、第２のサンプルでは、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１とが接していると共に、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２とが接している。第３のサンプルでは、距離Ｄを７．８μｍ（後述する表２では、８μｍと表記）とした。第４のサンプルでは、距離Ｄを１４．４μｍ（後述する表２では、１５μｍと表記）とした。そして、本願発明者は、各サンプルのインダクタンス値（３０個の平均値）を測定すると共に、各サンプルのインダクタンス値のばらつきを計算した。インダクタンス値のばらつきは、３０個のサンプルのインダクタンス値の標準偏差を３０個のサンプルのインダクタンス値の平均値で割った値である。 In the second sample, the distance D was 0 mm. That is, in the second sample, the inductor conductor layer located on the uppermost side is in contact with the magnetic region R1, and the inductor conductor layer located on the lowermost side is in contact with the magnetic region R2. In the third sample, the distance D was set to 7.8 μm (in Table 2 described later, expressed as 8 μm). In the fourth sample, the distance D was set to 14.4 μm (described as 15 μm in Table 2 described later). Then, the inventor of the present application measured the inductance value (average value of 30 pieces) of each sample and calculated the variation of the inductance value of each sample. The variation in the inductance value is a value obtained by dividing the standard deviation of the inductance values of the 30 samples by the average value of the inductance values of the 30 samples.

図８は、第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルのインダクタンス値及びインダクタンス値のばらつきを示したグラフである。図８に示すように、距離Ｄが大きくなるにしたがって、インダクタンス値が低くなることが分かる。ただし、図８に示すように、距離Ｄが大きくなるにしたがって、インダクタンス値のばらつきが小さくなることが分かる。従って、図８のグラフより、距離Ｄが大きくなるにしたがって、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できることが分かる。第２の実験より、インダクタ導体層の近傍に磁性領域Ｒ１，Ｒ２を位置させないことによって、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できることが分かる。 FIG. 8 is a graph showing the inductance values of the second sample, the third sample, and the fourth sample and the variations in the inductance values. As shown in FIG. 8, it can be seen that the inductance value decreases as the distance D increases. However, as shown in FIG. 8, it can be seen that the variation in the inductance value decreases as the distance D increases. Therefore, it can be seen from the graph of FIG. 8 that the manufacturing variation in the inductance value of the inductor L can be reduced as the distance D increases. From the second experiment, it is understood that the manufacturing variation of the inductance value of the inductor L can be reduced by not locating the magnetic regions R1 and R2 near the inductor conductor layer.

更に、本願発明者は、第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルを用いて、以下の表２を作成した。表２は、第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルのインダクタンス値、インダクタンス値の変化率及びインダクタンス値のばらつきを示した表である。本願発明者は、距離Ｄが１μｍ〜７μｍ，９μｍ〜１４μｍである電子部品のインダクタンス値、インダクタンス値の変化率及びインダクタンス値のばらつきを、第２のサンプル、第３のサンプル及び第４のサンプルのインダクタンス値、インダクタンス値の変化率及びインダクタンス値のばらつきから補間により算出した。 Further, the inventor of the present application created Table 2 below using the second sample, the third sample, and the fourth sample. Table 2 is a table showing the inductance values of the second sample, the third sample, and the fourth sample, the rate of change of the inductance value, and the variation of the inductance value. The inventor of the present application calculated the inductance value, the rate of change of the inductance value, and the variation of the inductance value of the electronic component having the distance D of 1 μm to 7 μm and 9 μm to 14 μm by the second sample, the third sample, and the fourth sample. It was calculated by interpolation from the inductance value, the rate of change of the inductance value, and the variation of the inductance value.

表２によれば、距離Ｄが大きくなるにしたがって、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できることが分かる。ただし、距離Ｄが１５μｍである第４のサンプルでは、距離Ｄが０μｍである第１のサンプルに比べて、インダクタンス値が２８％低下している。よって、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、距離Ｄが１５μｍ以下であることが好ましい。また、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきは、距離Ｄが１３μｍ〜１５μｍでは、０．４５％となり、下げ止まっている。したがって、距離Ｄは、１３μｍ以下であることがより好ましい。 From Table 2, it is understood that the variation of the inductance value of the inductor L can be suppressed as the distance D increases. However, in the fourth sample having the distance D of 15 μm, the inductance value is 28% lower than that of the first sample having the distance D of 0 μm. Therefore, in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value, the distance D is preferably 15 μm or less. Further, the variation in the inductance value of the inductor L is 0.45% when the distance D is 13 μm to 15 μm, which is a decrease. Therefore, the distance D is more preferably 13 μm or less.

ところで、本願発明者は、インダクタ導体層の厚みを変化させて、第３のシミュレーションを行った。具体的には、本願発明者は、インダクタ導体層の厚みが６μｍ、１８μｍであるモデルを作成し、第３のコンピュータシミュレーションを行った。そして、比率Ｅと応力Ｆ１〜Ｆ４の平均値との関係を演算した。比率Ｅとは、インダクタ導体層の厚みに対する距離Ｄの比の値である。図９は、比率Ｅと応力Ｆ１〜Ｆ４の平均値との関係を示したグラフである。縦軸は応力をＦ１〜Ｆ４の平均値を示し、横軸は比率Ｅを示す。 By the way, the inventor of the present application performed a third simulation by changing the thickness of the inductor conductor layer. Specifically, the inventor of the present application created a model in which the thickness of the inductor conductor layer is 6 μm and 18 μm, and performed a third computer simulation. Then, the relationship between the ratio E and the average value of the stresses F1 to F4 was calculated. The ratio E is the value of the ratio of the distance D to the thickness of the inductor conductor layer. FIG. 9 is a graph showing the relationship between the ratio E and the average value of the stresses F1 to F4. The vertical axis represents the average value of stresses F1 to F4, and the horizontal axis represents the ratio E.

図９によれば、比率Ｅと応力Ｆ１〜Ｆ４の平均値との関係は、インダクタ導体層の厚みが変化したとしても、大きく変化していないことが分かる。すなわち、応力Ｆ１〜Ｆ４の平均値は、比率Ｅに依存し、インダクタ導体層の厚みにあまり依存していないことが分かる。ここで、表２によれば、インダクタ導体層の厚みが１２μｍである場合には、距離Ｄが３μｍであれば、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを十分に抑制できる。すなわち、比率Ｅが０．２５（１／４）であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できると言える。同様に、比率Ｅが０．３３（１／３）であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できると言える。更に、比率Ｅが０．５（１／２）であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できると言える。更に、比率Ｅが１．０であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できると言える。また、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．２５（例えば、インダクタ導体層の厚みが１２μｍであり、距離Ｄが１５μｍである）以下であることが好ましい。更に、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．０８（例えば、インダクタ導体層の厚みが１２μｍであり、距離Ｄが１３μｍである）以下であることがより好ましい。 According to FIG. 9, it can be seen that the relationship between the ratio E and the average value of the stresses F1 to F4 does not change significantly even if the thickness of the inductor conductor layer changes. That is, it can be seen that the average value of the stresses F1 to F4 depends on the ratio E and does not depend so much on the thickness of the inductor conductor layer. Here, according to Table 2, when the thickness of the inductor conductor layer is 12 μm, the variation in the inductance value of the inductor L can be sufficiently suppressed if the distance D is 3 μm. That is, if the ratio E is 0.25 (1/4), it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. Similarly, if the ratio E is 0.33 (1/3), it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. Furthermore, if the ratio E is 0.5 (1/2), it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. Furthermore, if the ratio E is 1.0, it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. In order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value, the ratio E is 1.25 (for example, the thickness of the inductor conductor layer is 12 μm, and the distance D is 15 μm. It is preferably the following. Furthermore, in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value, the ratio E is 1.08 (for example, the thickness of the inductor conductor layer is 12 μm, and the distance D is 13 μm. It is more preferable that

また、電子部品１０では、積層体１２が磁性領域Ｒ１，Ｒ２を含んでいるので、インダクタＬにおいて大きなインダクタンス値を得ることができる。 Further, in the electronic component 10, since the laminated body 12 includes the magnetic regions R1 and R2, the inductor L can have a large inductance value.

（第１の変形例ないし第３の変形例）
以下に、第１の変形例に係る電子部品１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１０は、図１の電子部品１０ａのＡ−Ａ線における断面構造図である。電子部品１０ａの外観斜視図については図１を援用する。 (First Modification to Third Modification)
The electronic component 10a according to the first modification will be described below with reference to the drawings. FIG. 10 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10a of FIG. FIG. 1 is referred to for an external perspective view of the electronic component 10a.

電子部品１０ａは、非磁性領域Ｒ３の形状において電子部品１０と相違する。電子部品１０ａでは、非磁性領域Ｒ３は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの周囲のみに存在している。そのため、電子部品１０ａでは、非磁性領域Ｒ３は、四角筒状をなしている。従って、上側から見たときに、インダクタＬの中心軸近傍には、非磁性領域Ｒ３が存在しない。また、非磁性領域Ｒ３は、積層体１２内に内蔵されており、積層体１２の表面には露出していない。 The electronic component 10a differs from the electronic component 10 in the shape of the nonmagnetic region R3. In the electronic component 10a, the nonmagnetic region R3 exists only around the inductor conductor layers 18a to 18d. Therefore, in the electronic component 10a, the nonmagnetic region R3 has a square tubular shape. Therefore, when viewed from above, the nonmagnetic region R3 does not exist near the central axis of the inductor L. Further, the nonmagnetic region R3 is built in the laminated body 12 and is not exposed on the surface of the laminated body 12.

以上のような電子部品１０ａは、印刷工法により作製される。電子部品１０の絶縁体層１６ａ〜１６ｊを形成するための第１のセラミックスラリーのスクリーン印刷、及び、電子部品１０の絶縁体層１７ａ〜１７ｇを形成するための第２のセラミックスラリーのスクリーン印刷を繰り返すことにより、電子部品１０ａを形成する。ただし、印刷工法による電子部品１０ａの作製は、一般的な工法により実現できるのでこれ以上の説明を省略する。 The electronic component 10a as described above is manufactured by the printing method. Screen printing of the first ceramic slurry for forming the insulator layers 16a to 16j of the electronic component 10 and screen printing of the second ceramic slurry for forming the insulator layers 17a to 17g of the electronic component 10. By repeating this, the electronic component 10a is formed. However, since the production of the electronic component 10a by the printing method can be realized by a general method, further description will be omitted.

以上の様な電子部品１０ａにおいて、第２のコンピュータシミュレーションを行ったところ、電子部品１０と同じ結果が得られた。よって、電子部品１０ａでは、電子部品１０と同様に、比率Ｅが０．２５（１／４）であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できると言える。同様に、比率Ｅが０．３３（１／３）であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できると言える。更に、比率Ｅが０．５（１／２）であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できると言える。更に、比率Ｅが１．０であれば、インダクタ導体層の厚みに関わらず、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できると言える。また、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．２５以下であることが好ましい。更に、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．０８以下であることがより好ましい。 When the second computer simulation was performed on the electronic component 10a as described above, the same result as the electronic component 10 was obtained. Therefore, in the electronic component 10a, like the electronic component 10, if the ratio E is 0.25 (1/4), variation in the inductance value of the inductor L can be suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. .. Similarly, if the ratio E is 0.33 (1/3), it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. Furthermore, if the ratio E is 0.5 (1/2), it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. Furthermore, if the ratio E is 1.0, it can be said that the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed regardless of the thickness of the inductor conductor layer. Further, in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value, the ratio E is preferably 1.25 or less. Furthermore, in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of the reduction in the inductance value, the ratio E is more preferably 1.08 or less.

次に、第２の変形例及び第３の変形例に係る電子部品１０ｂ，１０ｃについて説明する。図１１は、図１の電子部品１０ｂのＡ−Ａ線における断面構造図である。図１２は、図１の電子部品１０ｃのＡ−Ａ線における断面構造図である。電子部品１０ｂ，１０ｃの外観斜視図については図１を援用する。 Next, electronic components 10b and 10c according to the second modification and the third modification will be described. FIG. 11 is a sectional structural view of the electronic component 10b of FIG. 1 taken along the line AA. FIG. 12 is a sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10c in FIG. FIG. 1 is incorporated by reference for external perspective views of the electronic components 10b and 10c.

図１１に示すように、非磁性領域Ｒ３は、積層体１２の前面、後面、右面及び左面から露出していてもよい。また、図１２に示すように、非磁性領域Ｒ３は、積層体１２を上下方向に貫通することによって、積層体１２の上面及び下面から露出していてもよい。 As shown in FIG. 11, the nonmagnetic region R3 may be exposed from the front surface, the rear surface, the right surface, and the left surface of the stacked body 12. Further, as shown in FIG. 12, the non-magnetic region R3 may be exposed from the upper surface and the lower surface of the stacked body 12 by penetrating the stacked body 12 in the vertical direction.

（第４の変形例）
第４の変形例に係る電子部品１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１３は、電子部品１０ｄの積層体１２の分解斜視図である。図１４は、図１の電子部品１０ｄのＡ−Ａ線における断面構造図である。電子部品１０ｄの外観斜視図については図１を援用する。 (Fourth Modification)
An electronic component 10d according to the fourth modification will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is an exploded perspective view of the laminated body 12 of the electronic component 10d. FIG. 14 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10d shown in FIG. FIG. 1 is referred to for an external perspective view of the electronic component 10d.

電子部品１０ｄは、積層体１２が絶縁体層２１ａ〜２１ｄを更に含んでいる点において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ｄについて説明する。 The electronic component 10d is different from the electronic component 10 in that the laminated body 12 further includes insulating layers 21a to 21d. Hereinafter, the electronic component 10d will be described focusing on the difference.

絶縁体層２１ａ〜２１ｄはそれぞれ、絶縁体層１７ｃ〜１７ｆの上面上に設けられており、絶縁体層１７ｃ〜１７ｆと同じ材料（すなわち、非磁性材料）により作製されている。また、絶縁体層２１ａの上面とインダクタ導体層１８ａの上面とは一つの平面を形成している（すなわち、面一である）。絶縁体層２１ｂの上面とインダクタ導体層１８ｂの上面とは一つの平面を形成している（すなわち、面一である）。絶縁体層２１ｃの上面とインダクタ導体層１８ｃの上面とは一つの平面を形成している（すなわち、面一である）。絶縁体層２１ｄの上面とインダクタ導体層１８ｄの上面とは一つの平面を形成している（すなわち、面一である）。 The insulator layers 21a to 21d are provided on the upper surfaces of the insulator layers 17c to 17f, respectively, and are made of the same material as the insulator layers 17c to 17f (that is, a nonmagnetic material). Further, the upper surface of the insulator layer 21a and the upper surface of the inductor conductor layer 18a form a single plane (that is, they are flush with each other). The upper surface of the insulator layer 21b and the upper surface of the inductor conductor layer 18b form one plane (that is, they are flush with each other). The upper surface of the insulator layer 21c and the upper surface of the inductor conductor layer 18c form one plane (that is, they are flush with each other). The upper surface of the insulator layer 21d and the upper surface of the inductor conductor layer 18d form one plane (that is, they are flush with each other).

電子部品１０ｄの製造工程では、電子部品１０の製造工程に対して、絶縁体層２１ａ〜２１ｄとなるべきセラミックグリーン層を形成する工程が追加される。以下に、絶縁体層２１ａ〜２１ｄとなるべきセラミックグリーン層を形成する工程について説明する。絶縁体層１７ｃ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれの上にインダクタ導体層１８ａ〜１８ｄ及び引き出し導体層２０ａ，２０ｂを形成する。その後、絶縁体層１７ｃ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれの上に第２のセラミックスラリーを塗布して、絶縁体層２１ａ〜２１ｄとなるべきセラミックグリーン層を形成する。この後に行われる積層工程以降の工程は、電子部品１０における積層工程以降の工程と同じであるので説明を省略する。 In the manufacturing process of the electronic component 10d, a process of forming a ceramic green layer to be the insulator layers 21a to 21d is added to the manufacturing process of the electronic component 10. Below, the process of forming the ceramic green layers to be the insulator layers 21a to 21d will be described. The inductor conductor layers 18a to 18d and the lead conductor layers 20a and 20b are formed on each of the ceramic green sheets to be the insulator layers 17c to 17f. After that, the second ceramic slurry is applied onto each of the ceramic green sheets to be the insulating layers 17c to 17f to form ceramic green layers to be the insulating layers 21a to 21d. Since the processes after the laminating process performed after this are the same as the processes after the laminating process in the electronic component 10, the description thereof will be omitted.

電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄが設けられている領域における積層体１２の上下方向の厚みは、残余の領域における積層体１２の上下方向の厚みよりも、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの厚みの分だけ大きい。そのため、積層体１２の圧着工程において、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの断面形状が上側又は下側に突出するように変形する。 In the electronic component 10, the vertical thickness of the laminated body 12 in the region where the inductor conductive layers 18a to 18d are provided is smaller than that of the inductor conductive layers 18a to 18d in the remaining region. It's big by the thickness. Therefore, in the crimping process of the laminated body 12, the cross-sectional shapes of the inductor conductor layers 18a to 18d are deformed so as to project upward or downward.

一方、電子部品１０ｄでは、絶縁体層２１ａ〜２１ｄが設けられている。そのため、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄが設けられている領域における積層体１２の上下方向の厚みは、残余の領域における積層体１２の上下方向の厚みと実質的に等しい。よって、積層体１２の圧着工程において、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄの断面形状が上側又は下側に突出するように変形しない。電子部品１０ｄでは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、上底及び下底を有する台形状の断面形状を有している。 On the other hand, in the electronic component 10d, the insulator layers 21a to 21d are provided. Therefore, the vertical thickness of the stacked body 12 in the region where the inductor conductor layers 18a to 18d are provided is substantially equal to the vertical thickness of the stacked body 12 in the remaining region. Therefore, in the crimping process of the laminate 12, the inductor conductor layers 18a to 18d are not deformed so as to project upward or downward. In the electronic component 10d, the inductor conductor layers 18a to 18d have a trapezoidal cross-sectional shape having an upper bottom and a lower bottom.

以下では、インダクタ導体層１８ａ（最も上側に位置するインダクタ導体層）の上底の端部を端部Ｐｅ，Ｐｆとする。端部Ｐｅは、インダクタ導体層１８ａの上底の右端である。端部Ｐｆは、インダクタ導体層１８ａの上底の左端である。そして、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１との距離Ｄは、最も上側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｅから磁性領域Ｒ１までの距離とする。 Below, the end portions of the upper bottom of the inductor conductor layer 18a (the inductor conductor layer located on the uppermost side) are referred to as end portions Pe and Pf. The end Pe is the right end of the upper bottom of the inductor conductor layer 18a. The end portion Pf is the left end of the upper bottom of the inductor conductor layer 18a. The distance D between the uppermost inductor conductor layer and the magnetic region R1 is the distance from the end Pe of the uppermost inductor conductor layer to the magnetic region R1.

また、インダクタ導体層１８ｄ（最も下側に位置するインダクタ導体層）の下底の端部を端部Ｐｇ，Ｐｈとする。端部Ｐｇは、インダクタ導体層１８ｄの下底の右端である。端部Ｐｈは、インダクタ導体層１８ｄの下底の左端である。そして、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２との距離Ｄは、最も下側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｇから磁性領域Ｒ２までの距離とする。 In addition, the bottom end portions of the inductor conductor layer 18d (the inductor conductor layer located at the lowermost side) are defined as end portions Pg and Ph. The end portion Pg is the right end of the lower bottom of the inductor conductor layer 18d. The end portion Ph is the left end of the lower bottom of the inductor conductor layer 18d. The distance D between the lowest inductor conductor layer and the magnetic region R2 is the distance from the end Pg of the lowest inductor conductor layer to the magnetic region R2.

本願発明者は、第２のコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、本願発明者は、以下に説明する第２のモデルを作成して、電子部品に発生する残留応力をコンピュータにより演算した。第２のコンピュータシミュレーションでは、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。第２のモデルの構造は、図１４に示す電子部品１０ｄの構造と同様である。以下に、第２のモデルの詳細な条件を記載する。 The inventor of the present application performed a second computer simulation. Specifically, the inventor of the present application created a second model described below and calculated the residual stress generated in the electronic component by a computer. In the second computer simulation, a finite element method simulator Femtet (registered trademark) was used. The structure of the second model is similar to the structure of the electronic component 10d shown in FIG. The detailed conditions of the second model are described below.

各モデルの積層体の左右方向の長さ：０．７８３ｍｍ
各モデルの積層体の前後方向の幅 ：０．７８３ｍｍ
各モデルの積層体の上下方向の高さ：０．４８０ｍｍ
インダクタ導体層の上底の線幅：０．１００ｍｍ
インダクタ導体層の下底の線幅：０．０８０ｍｍ
インダクタ導体層の厚み：０．０２０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅方向の端部から積層体の側面までの距離：０．１０８ｍｍ
上下方向に隣り合うインダクタ導体層間の距離：０．００９ｍｍ
インダクタ導体層の層数：１０層
インダクタＬの巻き数：９．５周
最も上側に位置するインダクタ導体層から積層体の上面までの距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層から積層体の下面までの距離：０．１００ｍｍ Horizontal length of each model stack: 0.783 mm
Width of each model stack in the front-rear direction: 0.783 mm
Vertical height of stack of each model: 0.480 mm
Line width of the upper bottom of the inductor conductor layer: 0.100 mm
Line width of the bottom of the inductor conductor layer: 0.080 mm
Inductor conductor layer thickness: 0.020mm
Distance from the end of the inductor conductor layer in the line width direction to the side surface of the laminate: 0.108 mm
Distance between vertically adjacent inductor conductor layers: 0.009 mm
Number of layers of the inductor conductor layer: 10 layers Number of turns of the inductor L: 9.5 rounds Distance from the inductor conductor layer located at the uppermost side to the upper surface of the laminated body, and from the inductor conductor layer located at the lowermost side to the laminated body To the bottom of the: 0.100mm

また、第２のモデルと電子部品１０ｄとでは、インダクタ導体層の層数が異なる。ただし、以下の説明では、第２のモデルにおける最も上側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０ｄにおけるインダクタ導体層１８ａとを対応させる。第２のモデルにおける最も下側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０ｄにおけるインダクタ導体層１８ｄとを対応させる。 Further, the number of inductor conductor layers is different between the second model and the electronic component 10d. However, in the following description, the uppermost inductor conductor layer in the second model and the inductor conductor layer 18a in the electronic component 10d are made to correspond to each other. The lowermost inductor conductor layer in the second model is associated with the inductor conductor layer 18d in the electronic component 10d.

図１５は、第２のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。図１５に示すように、モデルでは、最も上側に位置するインダクタ導体層の上底の両端（端部Ｐｅ，Ｐｆ）、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の下底の両端（端部Ｐｇ，Ｐｈ）において、非常に大きな残留応力が発生していることが分かる。 FIG. 15 is a diagram showing in color the magnitude of residual stress generated in the second model. As shown in FIG. 15, in the model, both ends (ends Pe and Pf) of the upper bottom of the inductor conductor layer and both ends (ends of the bottom of the inductor conductor layer located at the bottom). It can be seen that a very large residual stress is generated in Pg, Ph).

本願発明者は、残留応力Ｆ１，Ｆ５を算出した。残留応力Ｆ１は、端部Ｐｅから上側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ５は、端部Ｐｇから下側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。表３は、第２のシミュレーションの結果を示した表である。 The inventor of the present application calculated the residual stresses F1 and F5. The residual stress F1 is the residual stress at a point separated from the end Pe by the distance X upward. The residual stress F5 is a residual stress at a point apart from the end Pg by a distance X downward. Table 3 is a table showing the results of the second simulation.

表３によれば、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が４６％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できる。 According to Table 3, it can be seen that when the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 5 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 46%. Therefore, if the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 5 μm), it is possible to suppress the variation in relative permeability and the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが６．５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が４９．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが６．５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, when the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 6.5 μm), it can be seen that the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 49.5%. Therefore, if the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 6.5 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

更に、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が５７．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 10 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 57.5%. Therefore, if the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 10 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

更に、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが２０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が６８．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが２０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 20 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 68.5%. Therefore, if the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 20 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

また、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが２５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が７１．５％低下していることが分かる。しかしながら、インダクタンス値が１２％低下している。よって、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが２５μｍ）以下であることが好ましい。 Further, it can be seen that when the ratio E is 1.25 (that is, the distance X is 25 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 71.5%. However, the inductance value is reduced by 12%. Therefore, the ratio E is preferably 1.25 (that is, the distance X is 25 μm) or less in order to both suppress the variation in the inductance value of the inductor L and the decrease in the inductance value.

（第５の変形例）
第５の変形例に係る電子部品１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１６は、図１の電子部品１０ｅのＡ−Ａ線における断面構造図である。電子部品１０ｅの外観斜視図については図１を援用する。 (Fifth Modification)
An electronic component 10e according to the fifth modification will be described with reference to the drawings. FIG. 16 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10e in FIG. FIG. 1 is referred to for an external perspective view of the electronic component 10e.

電子部品１０ｅは、インダクタＬがインダクタ導体層１９ａ〜１９ｄを更に含んでいる点において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ｅについて説明する。 The electronic component 10e differs from the electronic component 10 in that the inductor L further includes inductor conductor layers 19a to 19d. Hereinafter, the electronic component 10e will be described focusing on the difference.

インダクタ導体層１９ａは、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ａと同じ形状を有しており、インダクタ導体層１８ａ上にスクリーン印刷により形成されている。インダクタ導体層１８ａ，１９ａは、一つのインダクタ導体層を構成している。また、インダクタ導体層１８ａ，１９ａの線幅方向の両端は、図１６に示すように、上下に２つに枝分かれした構造を有している。 The inductor conductor layer 19a has the same shape as the inductor conductor layer 18a when viewed from above, and is formed on the inductor conductor layer 18a by screen printing. The inductor conductor layers 18a and 19a form one inductor conductor layer. Further, both ends of the inductor conductor layers 18a and 19a in the line width direction have a structure in which they are vertically branched into two, as shown in FIG.

インダクタ導体層１９ｂ〜１９ｄの構造は、インダクタ導体層１９ａと同じであるので説明を省略する。 The structure of the inductor conductor layers 19b to 19d is the same as that of the inductor conductor layer 19a, and the description thereof will be omitted.

以下では、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ（最も上側に位置するインダクタ導体層）の内のインダクタ導体層１９ａの線幅方向の端部を端部Ｐｉ，Ｐｊとする。端部Ｐｉは、インダクタ導体層１９ａの右端である。端部Ｐｊは、インダクタ導体層１９ａの左端である。そして、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１との距離Ｄは、最も上側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｉから磁性領域Ｒ１までの距離とする。 Below, the end portions in the line width direction of the inductor conductor layer 19a of the inductor conductor layers 18a, 19a (the inductor conductor layer located at the uppermost side) are referred to as end portions Pi, Pj. The end portion Pi is the right end of the inductor conductor layer 19a. The end portion Pj is the left end of the inductor conductor layer 19a. The distance D between the uppermost inductor conductor layer and the magnetic region R1 is the distance from the end Pi of the uppermost inductor conductor layer to the magnetic region R1.

また、インダクタ導体層１８ｄ，１９ｄ（最も下側に位置するインダクタ導体層）の内のインダクタ導体層１８ｄの線幅方向の端部を端部Ｐｋ，Ｐｌとする。端部Ｐｋは、インダクタ導体層１８ｄの右端である。端部Ｐｌは、インダクタ導体層１８ｄの左端である。そして、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２との距離Ｄは、最も下側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｋから磁性領域Ｒ２までの距離とする。 Further, the end portions in the line width direction of the inductor conductor layer 18d of the inductor conductor layers 18d and 19d (the inductor conductor layer located at the lowermost side) are defined as end portions Pk and Pl. The end portion Pk is the right end of the inductor conductor layer 18d. The end portion Pl is the left end of the inductor conductor layer 18d. The distance D between the lowest inductor conductor layer and the magnetic region R2 is the distance from the end Pk of the lowest inductor conductor layer to the magnetic region R2.

本願発明者は、第２のコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、本願発明者は、以下に説明する第３のモデルを作成して、電子部品に発生する残留応力をコンピュータにより演算した。第２のコンピュータシミュレーションでは、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。第３のモデルの構造は、図１６に示す電子部品１０ｄの構造と同様である。以下に、第３のモデルの詳細な条件を記載する。 The inventor of the present application performed a second computer simulation. Specifically, the inventor of the present application created a third model described below and calculated the residual stress generated in the electronic component by a computer. In the second computer simulation, a finite element method simulator Femtet (registered trademark) was used. The structure of the third model is similar to the structure of the electronic component 10d shown in FIG. The detailed conditions of the third model are described below.

積層体の左右方向の長さ：０．７８３ｍｍ
積層体の前後方向の幅 ：０．７８３ｍｍ
積層体の上下方向の高さ：０．４８０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅：０．０８０ｍｍ
上下に隣接する同じ形状を有する２層のインダクタ導体層の厚みの合計：０．０３００ｍｍ
インダクタ導体層の線幅方向の端部から積層体の側面までの距離：０．１０８ｍｍ
上下方向に隣り合うインダクタ導体層間の距離：０．００９ｍｍ
インダクタ導体層の層数：１２層
インダクタＬの巻き数：１３．５周
最も上側に位置するインダクタ導体層から積層体の上面までの距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層から積層体の下面までの距離：０．１４８ｍｍ Horizontal length of laminated body: 0.783 mm
Width in the front-back direction of the laminated body: 0.783 mm
Vertical height of laminated body: 0.480 mm
Line width of inductor conductor layer: 0.080mm
Total thickness of two inductor conductor layers having the same shape vertically adjacent to each other: 0.0300 mm
Distance from the end of the inductor conductor layer in the line width direction to the side surface of the laminate: 0.108 mm
Distance between vertically adjacent inductor conductor layers: 0.009 mm
Number of layers of the inductor conductor layer: 12 layers Number of turns of the inductor L: 13.5 circumference Distance from the inductor conductor layer located on the uppermost side to the upper surface of the laminate, and the inductor conductor layer located on the lowermost side to the laminate To bottom surface of the: 0.148mm

また、第３のモデルと電子部品１０ｅとでは、インダクタ導体層の層数が異なる。ただし、以下の説明では、第３のモデルにおける最も上側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０ｅにおけるインダクタ導体層１９ａとを対応させる。第３のモデルにおける最も下側に位置するインダクタ導体層と電子部品１０ｅにおけるインダクタ導体層１８ｄとを対応させる。 Further, the number of inductor conductor layers is different between the third model and the electronic component 10e. However, in the following description, the uppermost inductor conductor layer in the third model and the inductor conductor layer 19a in the electronic component 10e are associated with each other. The lowermost inductor conductor layer in the third model is associated with the inductor conductor layer 18d in the electronic component 10e.

図１７は、第３のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。図１７に示すように、モデルでは、最も上側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の両端（端部Ｐｉ，Ｐｊ）、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の両端（端部Ｐｋ，Ｐｌ）において、非常に大きな残留応力が発生していることが分かる。 FIG. 17 is a diagram showing in color the magnitude of the residual stress generated in the third model. As shown in FIG. 17, in the model, both ends (ends Pi and Pj) of the inductor conductor layer located on the uppermost side in the line width direction and both ends of the inductor conductor layer located on the lowermost side in the line width direction ( It can be seen that very large residual stress is generated at the ends Pk, Pl).

本願発明者は、残留応力Ｆ１，Ｆ５を測定した。残留応力Ｆ１は、端部Ｐｌから上側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ５は、端部Ｐｋから下側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。表４は、第２のシミュレーションの結果を示した表である。 The inventor of the present application measured residual stresses F1 and F5. The residual stress F1 is the residual stress at a point separated from the end Pl by the distance X upward. The residual stress F5 is the residual stress at a point apart from the end Pk by a distance X downward. Table 4 is a table showing the results of the second simulation.

表４によれば、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが７．５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が５６．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが７．５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できる。 According to Table 4, when the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 7.5 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 56.5%. Therefore, if the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 7.5 μm), it is possible to suppress variations in relative permeability and variations in the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が６３．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 10 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 63.5%. Therefore, if the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 10 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

更に、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が７０．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, when the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 15 μm), it can be seen that the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 70.5%. Therefore, if the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 15 μm), it is possible to further suppress the variation in the relative magnetic permeability and further suppress the variation in the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが２０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が８０％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが２０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, when the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 20 μm), it can be seen that the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 80%. Therefore, if the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 20 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

また、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが２５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が８３％低下していることが分かる。しかしながら、インダクタンス値が１４％低下している。よって、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが２５μｍ）以下であることが好ましい。 Further, it can be seen that when the ratio E is 1.25 (that is, the distance X is 25 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 83%. However, the inductance value is reduced by 14%. Therefore, the ratio E is preferably 1.25 (that is, the distance X is 25 μm) or less in order to both suppress the variation in the inductance value of the inductor L and the decrease in the inductance value.

（第６の変形例）
第６の変形例に係る電子部品１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１８は、電子部品１０ｆの積層体１２の分解斜視図である。図１９は、図１の電子部品１０ｆのＡ−Ａ線における断面構造図である。電子部品１０ｆの外観斜視図については図１を援用する。 (Sixth Modification)
An electronic component 10f according to the sixth modification will be described with reference to the drawings. FIG. 18 is an exploded perspective view of the laminated body 12 of the electronic component 10f. FIG. 19 is a cross-sectional structural view taken along the line AA of the electronic component 10f in FIG. FIG. 1 is referred to for an external perspective view of the electronic component 10f.

電子部品１０ｆは、インダクタＬがインダクタ導体層１８'ａ，１８’ｂ及びビアホール導体ｖ１１を更に含んでいる点において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ｆについて説明する。 The electronic component 10f is different from the electronic component 10 in that the inductor L further includes inductor conductor layers 18'a, 18'b and a via-hole conductor v11. Hereinafter, the electronic component 10f will be described focusing on the difference.

インダクタ導体層１８’ａは、絶縁体層１７ｃの上面上に設けられており、上側から見たときに、時計回り方向に周回しながら外周側から内周側へと向かう渦巻形状（ｓｐｉｒａｌ）を有している。インダクタ導体層１８’ｂは、絶縁体層１７ｄの上面上に設けられており、上側から見たときに、時計回り方向に周回しながら内周側から外周側へと向かう渦巻形状（ｓｐｉｒａｌ）を有している。また、インダクタ導体層１８'ａ，１８’ｂは、矩形状の断面形状を有している。ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１７ｃを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８’ａの内周側の端部とインダクタ導体層１８'ｂの内周側の端部とを接続している。電子部品１０ｆでは、インダクタ導体層１８’ａ，１８’ｂは、上下方向に延びる短辺を有する長方形状の断面形状を有している。 The inductor conductor layer 18'a is provided on the upper surface of the insulator layer 17c, and has a spiral shape extending from the outer peripheral side to the inner peripheral side while rotating in the clockwise direction when viewed from above. Have The inductor conductor layer 18'b is provided on the upper surface of the insulator layer 17d, and has a spiral shape extending from the inner peripheral side to the outer peripheral side while rotating in the clockwise direction when viewed from above. Have The inductor conductor layers 18'a and 18'b have a rectangular cross-sectional shape. The via-hole conductor v11 penetrates the insulating layer 17c in the up-down direction and connects the inner peripheral side end of the inductor conductive layer 18'a and the inner peripheral side end of the inductor conductive layer 18'b. There is. In the electronic component 10f, the inductor conductor layers 18'a and 18'b have a rectangular cross-sectional shape having short sides extending in the vertical direction.

以下では、インダクタ導体層１８’ａ（最も上側に位置するインダクタ導体層）における最外周の部分を最外周６０ａと呼ぶ。そして、最外周６０ａの上側の長辺の端部を端部Ｐｍ，Ｐｎとする。端部Ｐｍは、上側の長辺の右端（外側の端部）である。端部Ｐｆは、上側の長辺の左端（内側の端部）である。そして、最も上側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ１との距離Ｄは、最も上側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｍから磁性領域Ｒ１までの距離とする。 Hereinafter, the outermost peripheral portion of the inductor conductor layer 18'a (the inductor conductor layer located on the uppermost side) is referred to as the outermost periphery 60a. Then, the ends of the upper long sides of the outermost circumference 60a are defined as the ends Pm and Pn. The end Pm is the right end (outer end) of the upper long side. The end Pf is the left end (inner end) of the upper long side. The distance D between the uppermost inductor conductor layer and the magnetic region R1 is the distance from the end Pm of the uppermost inductor conductor layer to the magnetic region R1.

また、インダクタ導体層１８’ｂ（最も下側に位置するインダクタ導体層）における最外周の部分を最外周６０ｂと呼ぶ。そして、最外周６０ｂの下側の長辺の端部を端部Ｐｏ，Ｐｐとする。端部Ｐｏは、下側の長辺の右端（外側の端部）である。端部Ｐｐは、下側の長辺の左端（内側の端部）である。そして、最も下側に位置するインダクタ導体層と磁性領域Ｒ２との距離Ｄは、最も下側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｏから磁性領域Ｒ２までの距離とする。 The outermost peripheral portion of the inductor conductor layer 18'b (the inductor conductor layer located at the lowermost side) is referred to as the outermost periphery 60b. Then, the end portions of the lower long sides of the outermost periphery 60b are defined as end portions Po and Pp. The end Po is the right end (outer end) of the lower long side. The end Pp is the left end (inner end) of the lower long side. The distance D between the lowest inductor conductor layer and the magnetic region R2 is the distance from the end Po of the lowest inductor conductor layer to the magnetic region R2.

本願発明者は、第２のコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、本願発明者は、以下に説明する第４のモデルを作成して、電子部品に発生する残留応力をコンピュータにより演算した。第２のコンピュータシミュレーションでは、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。第４のモデルの構造は、図１８及び図１９に示す電子部品１０ｆの構造と同様である。以下に、第４のモデルの詳細な条件を記載する。 The inventor of the present application performed a second computer simulation. Specifically, the inventor of the present application created a fourth model described below and calculated the residual stress generated in the electronic component by a computer. In the second computer simulation, a finite element method simulator Femtet (registered trademark) was used. The structure of the fourth model is similar to that of the electronic component 10f shown in FIGS. 18 and 19. The detailed conditions of the fourth model are described below.

積層体の左右方向の長さ：０．４００ｍｍ
積層体の前後方向の幅 ：０．４００ｍｍ
積層体の上下方向の高さ：０．４８０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅：０．０５０ｍｍ
インダクタ導体層の厚み：０．０３０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅方向の端部から積層体の側面までの距離：０．１０８ｍｍ
上下方向に隣り合うインダクタ導体層間の距離：０．００９ｍｍ
インダクタ導体層の層数：２層
インダクタＬの巻き数：７．５周
最も上側に位置するインダクタ導体層から積層体の上面までの距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層から積層体の下面までの距離：０．０８９ｍｍ Horizontal length of laminated body: 0.400 mm
Width of laminated body in the front-back direction: 0.400 mm
Vertical height of laminated body: 0.480 mm
Line width of inductor conductor layer: 0.050mm
Inductor conductor layer thickness: 0.030 mm
Distance from the end of the inductor conductor layer in the line width direction to the side surface of the laminate: 0.108 mm
Distance between vertically adjacent inductor conductor layers: 0.009 mm
Number of layers of inductor conductor layer: Number of windings of two-layer inductor L: 7.5 distance Distance from the inductor conductor layer located at the uppermost side to the upper surface of the laminate, and the inductor conductor layer located at the lowermost side to the laminate Distance to bottom surface of: 0.089mm

図２０は、第４のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。図２０に示すように、モデルでは、最も上側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｍ、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の端部Ｐｏにおいて、非常に大きな残留応力が発生していることが分かる。 FIG. 20 is a diagram showing in color the magnitude of residual stress generated in the fourth model. As shown in FIG. 20, in the model, a very large residual stress is generated at the end Pm of the inductor conductor layer located on the uppermost side and the end Po of the inductor conductor layer located on the lowermost side. I understand.

本願発明者は、残留応力Ｆ１，Ｆ５を測定した。残留応力Ｆ１は、端部Ｐｍから上側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ５は、端部Ｐｏから下側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。表５は、第２のシミュレーションの結果を示した表である。 The inventor of the present application measured residual stresses F1 and F5. The residual stress F1 is the residual stress at a point separated from the end Pm by the distance X upward. The residual stress F5 is a residual stress at a point apart from the end Po by a distance X downward. Table 5 is a table showing the results of the second simulation.

表５によれば、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが７．５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が５７％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが７．５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できる。 According to Table 5, when the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 7.5 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 57%. Therefore, if the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 7.5 μm), it is possible to suppress variations in relative permeability and variations in the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が６２．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, when the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 10 μm), it can be seen that the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 62.5%. Therefore, if the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 10 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

更に、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が６９％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 15 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 69%. Therefore, if the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 15 μm), it is possible to further suppress the variation in the relative magnetic permeability and further suppress the variation in the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが３０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が７８．５％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが３０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, when the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 30 μm), it can be seen that the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 78.5%. Therefore, if the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 30 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

また、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが３７.５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ５の変化率の平均が８１．５％低下していることが分かる。しかしながら、インダクタンス値が大きく低下する。よって、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが３７．５μｍ）以下であることが好ましい。 Further, it can be seen that when the ratio E is 1.25 (that is, the distance X is 37.5 μm), the average change rate of the stresses F1 and F5 is reduced by 81.5%. However, the inductance value is greatly reduced. Therefore, the ratio E is preferably 1.25 (that is, the distance X is 37.5 μm) or less in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value.

（第７の変形例）
第７の変形例に係る電子部品１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図２１は、電子部品１０ｇの積層体１２の分解斜視図である。図２２は、図１の電子部品１０ｇのＢ−Ｂ線における断面構造図である。電子部品１０ｇの外観斜視図については図１を援用する。 (Seventh Modification)
An electronic component 10g according to the seventh modification will be described with reference to the drawings. FIG. 21 is an exploded perspective view of the laminated body 12 of the electronic component 10g. FIG. 22 is a sectional structural view of the electronic component 10g of FIG. 1 taken along the line BB. FIG. 1 is referred to for an external perspective view of the electronic component 10g.

電子部品１０ｇは、インダクタＬがインダクタ導体層５０のみを含んでいる点において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ｇについて説明する。 The electronic component 10g differs from the electronic component 10 in that the inductor L includes only the inductor conductor layer 50. Hereinafter, the electronic component 10g will be described focusing on the difference.

インダクタＬは、インダクタ導体層５０のみを含んでおり、その他のインダクタ導体層を含んでいない。すなわち、インダクタＬは、１つの導体層により構成されており、該導体層とは異なる層に設けられている導体層やビアホール導体層を含まない。インダクタ導体層５０は、絶縁体層１７ｃの上面上に設けられ、左右方向に延びる直線状の導体層である。インダクタ導体層５０の左端は外部電極１４ａに接続され、インダクタ導体層５０の右端は外部電極１４ｂに接続される。電子部品１０ｇでは、インダクタ導体層５０は、線幅方向の両端に近づくにしたがって上下方向の厚みが薄くなる形状を有している。 The inductor L includes only the inductor conductor layer 50 and does not include other inductor conductor layers. That is, the inductor L is composed of one conductor layer and does not include a conductor layer or a via-hole conductor layer provided in a layer different from the conductor layer. The inductor conductor layer 50 is a linear conductor layer provided on the upper surface of the insulator layer 17c and extending in the left-right direction. The left end of the inductor conductor layer 50 is connected to the external electrode 14a, and the right end of the inductor conductor layer 50 is connected to the external electrode 14b. In the electronic component 10g, the inductor conductor layer 50 has a shape in which the thickness in the vertical direction becomes thinner toward both ends in the line width direction.

以下では、インダクタ導体層５０の線幅方向の端部を端部Ｐｑ，Ｐｒと呼ぶ。端部Ｐｑは、インダクタ導体層５０の前側の端部である。端部Ｐｒは、インダクタ導体層５０の後ろ側の端部である。そして、インダクタ導体層５０と磁性領域Ｒ１との距離Ｄは、インダクタ導体層５０の端部Ｐｑから磁性領域Ｒ１までの距離とする。インダクタ導体層５０と磁性領域Ｒ２との距離Ｄは、インダクタ導体層５０の端部Ｐｑから磁性領域Ｒ２までの距離とする。 Below, the end portions of the inductor conductor layer 50 in the line width direction are referred to as end portions Pq and Pr. The end Pq is a front end of the inductor conductor layer 50. The end Pr is the rear end of the inductor conductor layer 50. The distance D between the inductor conductor layer 50 and the magnetic region R1 is the distance from the end Pq of the inductor conductor layer 50 to the magnetic region R1. The distance D between the inductor conductor layer 50 and the magnetic region R2 is the distance from the end Pq of the inductor conductor layer 50 to the magnetic region R2.

本願発明者は、第２のコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、本願発明者は、以下に説明する第５のモデルを作成して、電子部品に発生する残留応力をコンピュータにより演算した。第２のコンピュータシミュレーションでは、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。第５のモデルの構造は、図２１及び図２２に示す電子部品１０ｇの構造と同様である。以下に、第５のモデルの詳細な条件を記載する。 The inventor of the present application performed a second computer simulation. Specifically, the inventor of the present application created a fifth model described below and calculated the residual stress generated in the electronic component by a computer. In the second computer simulation, a finite element method simulator Femtet (registered trademark) was used. The structure of the fifth model is similar to the structure of the electronic component 10g shown in FIGS. 21 and 22. The detailed conditions of the fifth model are described below.

積層体の左右方向の長さ：０．４００ｍｍ
積層体の前後方向の幅：０．５００ｍｍ
積層体の上下方向の高さ：０．４６０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅：０．２４０ｍｍ
インダクタ導体層の厚み：０．０５０ｍｍ
インダクタ導体層の線幅方向の端部から積層体の側面までの距離：０．１３０ｍｍ
インダクタ導体層の層数：１層
最も上側に位置するインダクタ導体層から積層体の上面までの距離、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層から積層体の下面までの距離：０．０８８５ｍｍ Horizontal length of laminated body: 0.400 mm
Width in the front-back direction of the laminated body: 0.500 mm
Vertical height of laminated body: 0.460 mm
Inductor conductor layer line width: 0.240 mm
Inductor conductor layer thickness: 0.050mm
Distance from the end of the inductor conductor layer in the line width direction to the side surface of the laminate: 0.130 mm
Number of layers of the inductor conductor layer: 1 layer The distance from the inductor conductor layer located on the uppermost side to the upper surface of the laminated body, and the distance from the inductor conductor layer located on the lowermost side to the lower surface of the laminated body: 0.0885 mm

図２３は、第５のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。本願発明者は、残留応力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ６を測定した。残留応力Ｆ１は、端部Ｐｑから上側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ２は、端部Ｐｑから右側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。残留応力Ｆ６は、端部Ｐｑから下側に距離Ｘだけ離れた点における残留応力である。表６は、第２のシミュレーションの結果を示した表である。 FIG. 23 is a diagram showing in color the magnitude of residual stress generated in the fifth model. The inventor of the present application measured residual stresses F1, F2 and F6. The residual stress F1 is the residual stress at a point separated from the end Pq by the distance X upward. The residual stress F2 is the residual stress at a point separated from the end Pq to the right by the distance X. The residual stress F6 is the residual stress at a point apart from the end Pq by a distance X downward. Table 6 is a table showing the results of the second simulation.

表６によれば、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが７．５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ６の変化率の平均が５４％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．２５（すなわち、距離Ｘが７．５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを抑制できる。 According to Table 6, when the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 7.5 μm), the average change rate of the stresses F1, F2, and F6 is reduced by 54%. Therefore, if the ratio E is 0.25 (that is, the distance X is 7.5 μm), it is possible to suppress variations in relative permeability and variations in the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ６の変化率の平均が６１％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．３３（１／３）（すなわち、距離Ｘが１０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 10 μm), the average change rate of the stresses F1, F2, and F6 is decreased by 61%. Therefore, if the ratio E is 0.33 (1/3) (that is, the distance X is 10 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

更に、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ６の変化率の平均が７０．３％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが０．５（すなわち、距離Ｘが１５μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 15 μm), the average change rate of the stresses F1, F2, and F6 is reduced by 70.3%. Therefore, if the ratio E is 0.5 (that is, the distance X is 15 μm), it is possible to further suppress the variation in the relative magnetic permeability and further suppress the variation in the inductance value of the inductor L.

更に、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが３０μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ６の変化率の平均が８１．３％低下していることが分かる。よって、比率Ｅが１.０（すなわち、距離Ｘが３０μｍ）であれば、比透磁率のばらつきを更に抑制でき、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきを更に抑制できる。 Further, it can be seen that when the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 30 μm), the average change rate of the stresses F1, F2, and F6 is reduced by 81.3%. Therefore, if the ratio E is 1.0 (that is, the distance X is 30 μm), the variation in relative permeability can be further suppressed, and the variation in the inductance value of the inductor L can be further suppressed.

また、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが３７.５μｍ）であれば、応力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ６の変化率の平均が８４．３％低下していることが分かる。しかしながら、インダクタンス値が大きく％低下する。よって、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するためには、比率Ｅが１．２５（すなわち、距離Ｘが３７．５μｍ）以下であることが好ましい。 Further, it can be seen that when the ratio E is 1.25 (that is, the distance X is 37.5 μm), the average change rate of the stresses F1, F2, and F6 is reduced by 84.3%. However, the inductance value is greatly reduced by %. Therefore, the ratio E is preferably 1.25 (that is, the distance X is 37.5 μm) or less in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value.

（まとめ）
以上のように、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇでは、インダクタ導体層の断面形状が異なっている。そのため、大きな内部応力が発生する位置も僅かに異なっている。ただし、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇにおいて、大きな内部応力が発生する位置は、概ね、最も上側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍である。よって、最も上側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍が、非磁性領域Ｒ３となっていれば、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきが抑制される。 (Summary)
As described above, the electronic conductors 10, 10a to 10g have different cross-sectional shapes of the inductor conductor layers. Therefore, the positions where large internal stress is generated are slightly different. However, in the electronic components 10, 10a to 10g, the position where a large internal stress is generated is generally in the vicinity of the end portion in the line width direction of the inductor conductor layer located on the uppermost side and the inductor conductor layer located on the lowermost side. Is near the end of the line width direction. Therefore, if the vicinity of the end in the line width direction of the inductor conductor layer located on the uppermost side and the end of the inductor conductor layer located on the lowermost side in the line width direction are the non-magnetic regions R3, Manufacturing variations in the inductance value of the inductor L are suppressed.

ただし、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇでは、インダクタ導体層の断面形状が異なっている。そのため、最も上側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍の定義も、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇ毎に異なってくる。そこで、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇにおいて、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきを抑制するためには、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であればよい。これにより、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇにおいて、最も上側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍が非磁性領域Ｒ３となる。 However, the cross-sectional shapes of the inductor conductor layers are different between the electronic components 10 and 10a to 10g. Therefore, the definition of the vicinity of the end portion in the line width direction of the inductor conductor layer located at the uppermost side and the vicinity of the end portion in the line width direction of the inductor conductor layer located at the lowermost side are also defined for each electronic component 10, 10a to 10g. Will be different. Therefore, in order to suppress manufacturing variations in the inductance value of the inductor L in the electronic components 10, 10a to 10g, the distance from the surface of the inductor conductor layer located on the uppermost side to a distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layer. The region may be the non-magnetic region R3. As a result, in the electronic components 10, 10a to 10g, the vicinity of the end portion of the inductor conductor layer located on the uppermost side in the line width direction becomes the nonmagnetic region R3.

同じ理由により、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇにおいて、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／３の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であることが好ましい。同様に、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／２の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であることが好ましい。同様に、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みと等しい距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であることが好ましい。 For the same reason, in the electronic components 10, 10a to 10g, the region from the surface of the inductor conductor layer located at the uppermost side to the distance of 1/3 of the thickness of the inductor conductor layer is preferably the nonmagnetic region R3. . Similarly, the region from the surface of the inductor conductor layer located on the uppermost side to the distance of 1/2 of the thickness of the inductor conductor layer is preferably the nonmagnetic region R3. Similarly, the region from the surface of the inductor conductor layer located on the uppermost side to the distance equal to the thickness of the inductor conductor layer is preferably the nonmagnetic region R3.

また、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇでは、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するために、比率Ｅが１．２５以下であることが好ましいとした。これは、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であり、かつ、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離だけ離れた位置は、非磁性領域Ｒ３と磁性領域Ｒ１との境界であることを意味する。 In addition, in the electronic components 10, 10a to 10g, the ratio E is preferably 1.25 or less in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value. This is because the region from the surface of the inductor conductor layer located on the uppermost side to the distance of 1.25 times the thickness of the inductor conductor layer is the non-magnetic region R3 and the inductor conductor layer located on the uppermost side is A position separated from the surface by a distance of 1.25 times the thickness of the inductor conductor layer means a boundary between the nonmagnetic region R3 and the magnetic region R1.

更に、インダクタＬのインダクタンス値の製造ばらつきを抑制するためには、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であればよい。これにより、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇにおいて、最も下側に位置するインダクタ導体層の線幅方向の端部近傍が非磁性領域Ｒ３となる。 Further, in order to suppress the manufacturing variation of the inductance value of the inductor L, the region from the surface of the inductor conductor layer located at the lowermost side to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layer is the non-magnetic region R3. If As a result, in the electronic components 10, 10a to 10g, the vicinity of the end portion in the line width direction of the inductor conductor layer located at the bottom becomes the nonmagnetic region R3.

同じ理由により、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇにおいて、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／３の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であることが好ましい。同様に、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／２の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であることが好ましい。同様に、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みと等しい距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であることが好ましい。 For the same reason, in the electronic components 10, 10a to 10g, the region from the surface of the inductor conductor layer located at the lowermost side to the distance of ⅓ of the thickness of the inductor conductor layer is the nonmagnetic region R3. preferable. Similarly, a region from the surface of the inductor conductor layer located at the lowermost side to a distance of ½ of the thickness of the inductor conductor layer is preferably the nonmagnetic region R3. Similarly, a region from the surface of the inductor conductor layer located at the lowermost side to a distance equal to the thickness of the inductor conductor layer is preferably the nonmagnetic region R3.

また、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇでは、インダクタＬのインダクタンス値のばらつきの抑制とインダクタンス値の低下の抑制とを両立するために、比率Ｅが１．２５以下であることが好ましいとした。これは、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３であり、かつ、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離だけ離れた位置は、非磁性領域Ｒ３と磁性領域Ｒ２との境界であることを意味する。 In addition, in the electronic components 10, 10a to 10g, the ratio E is preferably 1.25 or less in order to achieve both suppression of variation in the inductance value of the inductor L and suppression of reduction in the inductance value. This is because the region from the surface of the inductor conductor layer located at the lowermost side to the distance 1.25 times the thickness of the inductor conductor layer is the non-magnetic region R3, and the inductor conductor located at the lowermost side. A position separated from the surface of the layer by a distance of 1.25 times the thickness of the inductor conductor layer means a boundary between the nonmagnetic region R3 and the magnetic region R2.

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記電子部品１０，１０ａ〜１０ｇに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。 (Other embodiments)
The electronic component according to the present invention is not limited to the electronic components 10, 10a to 10g and can be modified within the scope of the gist thereof.

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｇの構成を任意に組み合わせてもよい。 The configurations of the electronic components 10 and 10a to 10g may be arbitrarily combined.

なお、螺旋形状とは、３次元の螺旋形状（弦巻（ｈｅｌｉｘ））及び２次元の螺旋形状（渦巻（ｓｐｉｒａｌ））の両方を含む意味である。また、螺旋形状は、複数の２次元の螺旋形状（渦巻（ｓｐｉｒａｌ））が接続された形状も含む。 The spiral shape is meant to include both a three-dimensional spiral shape (helix) and a two-dimensional spiral shape (spiral). The spiral shape also includes a shape in which a plurality of two-dimensional spiral shapes (spirals) are connected.

また、インダクタＬは、積層体１２に設けられていればよく、積層体１２の表面から露出していてもよい。 Further, the inductor L may be provided in the laminated body 12 and may be exposed from the surface of the laminated body 12.

また、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｄは、上側から見たときに重なり合っているが、ずれて重なっていなくてもよい。 Further, although the inductor conductor layers 18a to 18d overlap with each other when viewed from the upper side, they may not be offset and overlap.

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｆにおいて、インダクタ導体層１８ｂ，１８ｃの表面からインダクタ導体層１８ｂ，１８ｃの厚みの１／４の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３でなくてもよい。すなわち、インダクタ導体層１８ｂ，１８ｃには、磁性領域が接していてもよい。 In the electronic components 10, 10a to 10f, the region from the surface of the inductor conductor layers 18b, 18c to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layers 18b, 18c may not be the nonmagnetic region R3. That is, the magnetic regions may be in contact with the inductor conductor layers 18b and 18c.

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｆでは、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域、及び、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域は、非磁性領域Ｒ３である。しかしながら、最も上側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域のみが、非磁性領域Ｒ３であってもよいし、最も下側に位置するインダクタ導体層の表面から該インダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域のみが、非磁性領域Ｒ３であってもよい。 In the electronic components 10, 10a to 10f, the region from the surface of the inductor conductor layer located on the uppermost side to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layer and the inductor conductor layer located on the lowermost side. A region from the surface to a distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layer is a nonmagnetic region R3. However, only the region from the surface of the inductor conductor layer located on the uppermost side to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layer may be the nonmagnetic region R3, or the inductor conductor layer located on the lowermost side. Only the region from the surface of the layer to the distance of ¼ of the thickness of the inductor conductor layer may be the non-magnetic region R3.

なお、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面（積層方向の一方側の面）までの距離は、インダクタ導体層１８ａの線幅よりも大きい。ただし、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面までの距離は、インダクタ導体層１８ａの線幅以下であってもよい。 In the electronic component 10, the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface (one surface in the stacking direction) of the multilayer body 12 is larger than the line width of the inductor conductor layer 18a. However, the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface of the laminated body 12 may be equal to or smaller than the line width of the inductor conductor layer 18a.

ただし、本願発明者は、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行って、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面までの距離は、インダクタ導体層１８ａの線幅よりも大きいことが好ましいことを導き出した。より詳細には、第６のモデル及び第７のモデルを作成した。第６のモデルでは、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面までの距離は、インダクタ導体層１８ａの線幅よりも大きい。第７のモデルでは、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面までの距離は、インダクタ導体層１８ａの線幅よりも小さい。そして、本願発明者は、第６のモデル及び第７のモデルに発生する残留応力をコンピュータにより演算した。演算に用いたソフトは、有限要素法シミュレータＦｅｍｔｅｔ（登録商標）である。図２４は、第６のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。図２５は、第７のモデルに発生する残留応力の大きさを色で示した図である。図２４及び図２５は、図１のＡ−Ａ線における断面構造図に相当する。図２４及び図２５において、色が薄い部分では大きな残留応力が発生しており、色が濃い部分では小さな残留応力が発生している。 However, the inventor of the present application conducted the computer simulation described below and found that the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface of the laminated body 12 is preferably larger than the line width of the inductor conductor layer 18a. More specifically, the sixth model and the seventh model were created. In the sixth model, the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface of the laminated body 12 is larger than the line width of the inductor conductor layer 18a. In the seventh model, the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface of the laminated body 12 is smaller than the line width of the inductor conductor layer 18a. Then, the inventor of the present application calculated the residual stress generated in the sixth model and the seventh model by a computer. The software used for the calculation is a finite element method simulator Femtet (registered trademark). FIG. 24 is a diagram showing in color the magnitude of the residual stress generated in the sixth model. FIG. 25 is a diagram showing in color the magnitude of residual stress generated in the seventh model. 24 and 25 correspond to the sectional structural view taken along the line AA of FIG. 24 and 25, a large residual stress is generated in the light-colored portion, and a small residual stress is generated in the dark-colored portion.

図２４及び図２５に示すように、第６のモデルの方が第７のモデルよりも、インダクタ導体層１８ａの上側に発生する応力が低減されていることが分かる。これは、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面までの距離が大きくなると、積層体１２内で発生した応力が分散されるためである。よって、インダクタ導体層１８ａから積層体１２の上面までの距離は、インダクタ導体層１８ａの線幅よりも大きいことが好ましい。 As shown in FIGS. 24 and 25, it can be seen that the stress generated in the upper side of the inductor conductor layer 18a is reduced in the sixth model than in the seventh model. This is because as the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface of the laminated body 12 increases, the stress generated in the laminated body 12 is dispersed. Therefore, the distance from the inductor conductor layer 18a to the upper surface of the laminated body 12 is preferably larger than the line width of the inductor conductor layer 18a.

なお、非磁性領域Ｒ３には、Ｂｉ又はＳｉが含まれていてもよい。これにより、非磁性領域Ｒ３が焼成されやすくなる。 The nonmagnetic region R3 may contain Bi or Si. As a result, the nonmagnetic region R3 is easily baked.

なお、電子部品１０ｇにおいて、インダクタ導体層１８ａは、直線状の形状を有していなくてもよく、例えば、上側から見たときに、周回する形状を有していてもよい。よって、インダクタ導体層１８ａは、上側から見たときに、渦巻状をなしていてもよい。 In addition, in the electronic component 10g, the inductor conductor layer 18a may not have a linear shape, and may have, for example, a circular shape when viewed from above. Therefore, the inductor conductor layer 18a may have a spiral shape when viewed from above.

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、インダクタのインダクタンス値の製造ばらつきを低減できる点で優れている。 INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention is useful for electronic parts, and is particularly excellent in that manufacturing variations in the inductance value of the inductor can be reduced.

１０，１０ａ〜１０ｇ：電子部品
１２：積層体
１６ａ〜１６ｊ，１７ａ〜１７ｇ，２１ａ〜２１ｄ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｄ，１８’ａ，１８’ｂ，１９ａ〜１９ｄ，５０：インダクタ導体層
Ｌ：インダクタ
Ｐａ〜Ｐｒ：端部
Ｒ：軌道
Ｒ１，Ｒ２：磁性領域
Ｒ３：非磁性領域 10, 10a to 10g: Electronic component 12: Laminates 16a to 16j, 17a to 17g, 21a to 21d: Insulator layers 18a to 18d, 18'a, 18'b, 19a to 19d, 50: Inductor conductor layer L: Inductors Pa to Pr: Ends R: Trajectories R1, R2: Magnetic region R3: Nonmagnetic region

Claims (8)

フェライトセラミックスを材料とする複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有し、かつ、磁性領域及び該磁性領域よりも低い透磁率を有する低透磁率領域を有する積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記積層方向から見たときに、所定方向に巻く螺旋形状を有するインダクタと、
を備えており、
前記インダクタは、前記積層方向に並ぶ複数のインダクタ導体層を含んでおり、
前記複数のインダクタ導体層は、前記積層方向の最も一方側に位置する第１のインダクタ導体層、及び、該積層方向の最も他方側に位置する第２のインダクタ導体層を含んでおり、
前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域は、前記低透磁率領域であり、
前記複数のインダクタ導体層の内の前記第１のインダクタ導体層及び前記第２のインダクタ導体層を除く１以上のインダクタ導体層には、磁性領域が接していること、
を特徴とする電子部品。 A laminated body having a structure in which a plurality of insulating layers made of ferrite ceramics are laminated in a laminating direction, and having a magnetic region and a low magnetic permeability region having a magnetic permeability lower than that of the magnetic region,
An inductor having a spiral shape that is provided in the stacked body and that winds in a predetermined direction when viewed from the stacking direction;
Is equipped with
The inductor includes a plurality of inductor conductor layers arranged in the stacking direction,
The plurality of inductor conductor layers include a first inductor conductor layer located on the most one side in the stacking direction and a second inductor conductor layer located on the most other side in the stacking direction,
A region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance of ¼ of the thickness of the first inductor conductor layer and/or from the surface of the second inductor conductor layer to the second inductor conductor layer region of distance of 1/4 of the thickness of the Ri low magnetic permeability region der,
A magnetic region is in contact with at least one inductor conductor layer of the plurality of inductor conductor layers except the first inductor conductor layer and the second inductor conductor layer,
An electronic component characterized by. 前記積層体は、焼成体であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。 The laminated body is a fired body,
The electronic component according to claim 1, wherein: 前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域、及び、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１／４の距離までの領域は、前記低透磁率領域であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。 A region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance of ¼ of the thickness of the first inductor conductor layer, and the thickness of the second inductor conductor layer from the surface of the second inductor conductor layer. The region up to a distance of 1/4 of the above is the low magnetic permeability region,
The electronic component according to claim 1 or 2, characterized in that. 前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１／３の距離までの領域、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１／３の距離までの領域は、前記低透磁率領域であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。 A region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance of 1/3 of the thickness of the first inductor conductor layer, and/or the surface of the second inductor conductor layer to the second inductor conductor layer. The region up to a distance of ⅓ of the thickness is the low magnetic permeability region,
The electronic component according to any one of claims 1 to 3 , wherein: 前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１／２の距離までの領域、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１／２の距離までの領域は、前記低透磁率領域であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。 A region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance of ½ of the thickness of the first inductor conductor layer and/or from the surface of the second inductor conductor layer to the second inductor conductor layer The area up to a distance of 1/2 of the thickness of is the low magnetic permeability area,
The electronic component according to any one of claims 1 to 4 , characterized in that: 前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みと等しい距離までの領域、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みと等しい距離までの領域は、前記低透磁率領域であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。 A region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance equal to the thickness of the first inductor conductor layer, and/or the thickness of the second inductor conductor layer from the surface of the second inductor conductor layer. The area up to an equal distance is the low magnetic permeability area,
The electronic component according to any one of claims 1 to 5 . 前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離までの領域、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離までの領域は、前記低透磁率領域であり、
前記第１のインダクタ導体層の表面から該第１のインダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離だけ離れた位置、及び／又は、前記第２のインダクタ導体層の表面から該第２のインダクタ導体層の厚みの１．２５倍の距離だけ離れた位置は、前記低透磁率領域と前記磁性領域との境界であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。 A region from the surface of the first inductor conductor layer to a distance of 1.25 times the thickness of the first inductor conductor layer and/or the surface of the second inductor conductor layer to the second inductor conductor. A region up to a distance of 1.25 times the layer thickness is the low magnetic permeability region,
A position separated from the surface of the first inductor conductor layer by a distance of 1.25 times the thickness of the first inductor conductor layer, and/or the surface of the second inductor conductor layer, the second inductor. A position separated by a distance of 1.25 times the thickness of the conductor layer is a boundary between the low magnetic permeability region and the magnetic region,
7. The electronic component according to any one of claims 1 to 6 . 前記第１のインダクタ導体層から前記積層体の前記積層方向の一方側の面までの距離は、前記第１のインダクタ導体層の線幅よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。 A distance from the first inductor conductor layer to one surface of the laminate in the laminating direction is larger than a line width of the first inductor conductor layer;
The electronic component according to any one of claims 1 to 7 , characterized in that.
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