JP6700852B2 - 電子部品、めっき方法、及びめっき装置 - Google Patents
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Description
本発明は、めっき処理が施された電子部品、この電子部品のめっき方法及びめっき装置に関する。
従来、めっき層として、例えば特許文献１に開示されるように、硬度が高く、耐食性並びに耐摩耗性に優れたＮｉ−Ｗ合金めっき（ニッケルタングステン合金めっき）が知られている。このＮｉ−Ｗ合金めっきは、例えば銅合金等の金属基材上に形成される。そして、銅合金上に形成されたＮｉ−Ｗ合金めっき上に、例えばＡｕ合金のフラッシュめっきが施される。このように、金属基材としての銅合金上にＮｉ−Ｗ合金めっきを施すことにより、めっきの緻密性を確保することができ、めっき中に形成されるピンホールの数を少なくすることができる。
また、上述のように金属基材としての銅合金上にＮｉ−Ｗ合金めっきを施す際の手法として、例えば特許文献２及び特許文献３には、順方向パルスと逆方向パルスとを交互に印加する手法、いわゆるＰＰＲ（Pulse Periodic Reverse）を用いてめっきを行うことが開示されている。ＰＰＲを用いためっき処理では、周期的にパルスの方向が逆転する。この手法によれば、Ｎｉ−Ｗ合金めっきを更に緻密にすることができるとともに、Ｎｉ−Ｗ合金めっきに発生するクラックを抑制することができる。また、この手法によれば、Ｎｉ−Ｗ合金めっきの厚さを全体的に均一にすることができる。
ところで、Ｎｉ−Ｗ合金めっきを銅合金の表面に形成する際、上述したＰＰＲを用いて行うと、金属基材としての銅合金に含まれる銅がめっき液中に溶出してしまう。そうすると、その銅が不純物としてＮｉ−Ｗ合金めっきに含まれ、Ｎｉ−Ｗ合金めっきに相当数のピンホールが形成されるため、Ｎｉ−Ｗ合金めっきの特性が劣化してしまう。その結果、Ｎｉ−Ｗ合金めっきが施された端子等の電子部品の特性も劣化してしまう。
本発明は、上記課題を解決するためのものであり、その目的は、電子部品に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっきの特性の劣化を防止することである。
（１）上記課題を解決するために、この発明のある局面に係る電子部品は、金属基材と、前記金属基材の表面に形成された第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層と、前記第１めっき層の表面に形成された第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層と、を備えている。
この構成では、金属基材の表面に、第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層が形成される際、金属基材に含まれる金属（例えば銅）がめっき液中に溶出する場合がある。そうすると、その金属が不純物として第１めっき層に含まれてしまうため、該第１めっき層に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
一方、その第１めっき層の表面に、第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される際、第１めっき層に含まれる不純物としての前記金属がめっき液中に溶出する場合がある。しかしながら、第１めっき層に含まれる金属は、金属基材中に含まれる金属と比べて僅かであるため、第１めっき層に含まれる金属のめっき液中への溶出量は僅かである。すなわち、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層を形成するためのめっき液中には、前記金属が僅かな量だけ含まれているため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層には、僅かな数のピンホールのみが形成される。
従って、この構成によると、電子部品に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっき層の特性の劣化を防止できる。
（２）好ましくは、前記電子部品は、前記第２めっき層の表面に形成された第３めっき層としての金合金めっき層を更に備えている。
この構成によれば、比較的導電率が高い金を第３めっき層に用いることにより、電子部品の電気特性（例えば接触抵抗）を向上することができる。
ところで、従来のめっき構造（金属基材表面にＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成され、更にその表面に金合金めっき層が形成された構成）では、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層に形成された相当数のピンホールを封止するために、例えば金合金めっき層の厚さが厚く形成されていた。しかしそうすると、比較的高価な材料である金の使用量が増大し、電子部品が高コストとなっていた。
この点につき、この構成によれば、電子部品の電気特性を維持しつつ、第２めっき層の表面に形成される金合金めっき層に用いられる金の使用量を低減することが可能となる。具体的には、この構成によれば、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層のピンホールの数を少なくすることができるため、従来のめっき構造において行われていたように金合金めっき層を厚くする必要がなくなる。これにより、比較的高価な金の使用量を低減することができ、電子部品を低コスト化できる。
（３）更に好ましくは、前記電子部品では、前記金属基材として銅合金が用いられている。
この構成によれば、比較的導電率が高い銅を金属基材に用いることにより、電子部品の電気特性（例えば導電性）を向上することができる。
ところで、例えば従来のめっき構造（金属基材表面にＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成され、更にその表面に金合金めっき層が形成された構成）では、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層に相当数のピンホールが形成されやすい。そうなると、金属基材に含まれる銅がそのピンホールを介して金合金めっき層に入り込んで拡散する。そうすると、金合金めっき層中で銅と金とが合金化してしまい、金合金めっき層の特性（例えば接触抵抗等の電気特性）が大きく劣化してしまう。すなわち、ここで説明した従来のめっき構造では、良好な電気特性を有する電子部品を製造するために金属基材として銅合金及び最表層のめっき層として金合金を用いた場合、その結果として、金合金の特性が劣化するおそれがある。
この点につき、この構成によれば、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層にごく僅かな数のピンホールのみが形成される。言い換えれば、この構成によれば、従来と比べて、金属基材に含まれる銅が金合金めっき層に入り込む際に通過する通路としてのピンホールの数を大幅に低減できる。そうすると、金合金めっき層中における銅の拡散量を少なくすることができるため、金合金の特性劣化を防止できる。すなわち、この構成によれば、良好な電気特性を有する電子部品を製造するために金属基材として銅合金及び最表層めっきとして金合金を用いた場合に従来問題となっていた最表層めっきの特性劣化を防止できる、という大きな効果を得ることができる。
（４）上記課題を解決するために、この発明のある局面に係るめっき方法は、金属基材にめっき処理を施すためのめっき方法であって、前記金属基材の表面に第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層を形成する工程と、前記第１めっき層を形成する工程で形成された前記第１めっき層の表面に第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層を形成する工程と、を含んでいる。
この方法では、金属基材の表面に、第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層が形成される際、金属基材に含まれる金属（例えば銅）がめっき液中に溶出する場合がある。そうすると、その金属が不純物として第１めっき層に含まれてしまうため該第１めっき層に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
一方、その第１めっき層の表面に、第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される際、第１めっき層に含まれる不純物としての前記金属がめっき液中に溶出する場合がある。しかしながら、第１めっき層に含まれる金属は、金属基材中に含まれる金属と比べて僅かであるため、第１めっき層に含まれる金属のめっき液中への溶出量は僅かである。すなわち、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層を形成するためのめっき液中には、前記金属が僅かな量だけ含まれているため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層には、僅かな数のピンホールのみが形成される。
従って、この方法によると、電子部品に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっき層の特性の劣化を防止できる。
（５）上記課題を解決するために、この発明のある局面に係るめっき装置は、複数の金属基材を有するフープ材を所定方向に搬送しながら各前記金属基材にめっき処理を施すめっき装置であって、前記所定方向に搬送される前記フープ材が浸漬されるめっき液であって、前記金属基材の表面に第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層を形成するための第１めっき液、が溜められる第１めっき槽と、前記第１めっき層が形成された前記フープ材が浸漬されるめっき液であって、前記第１めっき層の表面に第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層を形成するための第２めっき液、が溜められ、前記第１めっき槽よりも前記所定方向における下流側に設けられた第２めっき槽と、を備えている。
この構成では、複数の前記金属基材を有するフープ材を所定方向に搬送しながら、第１めっき層及び第２めっき層を順次、形成することができる。これにより、めっき処理が施された電子部品等を、複数、連続的に形成することができる。
また、この構成では、金属基材の表面に、第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層が形成される際、金属基材に含まれる金属（例えば銅）が第１めっき液中に溶出する場合がある。そうすると、その金属が不純物として第１めっき層に含まれてしまうため該第１めっき層に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
一方、その第１めっき層の表面に、第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される際、第１めっき層に含まれる不純物としての前記金属が第２めっき液中に溶出する場合がある。しかしながら、第１めっき層に含まれる金属は、金属基材中に含まれる金属と比べて僅かであるため、第１めっき層に含まれる金属の第２めっき液中への溶出量は僅かである。すなわち、第２めっき液中には、前記金属が僅かな量だけ含まれているため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層には、僅かな数のピンホールのみが形成される。
従って、この構成によると、電子部品に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっき層の特性の劣化を防止できる。
ところで、従来のめっき構造（金属基材表面にＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成され、更にその表面に金合金めっき層が形成された構成）を有する端子等を製造する場合、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層を形成するためのめっき液中への金属基材に含まれる金属の溶出量が比較的多く、その金属の濃度が許容限界を超えると、そのめっき処理が中断されていた。
この点につき、この構成によれば、第２めっき液中に溶出する前記金属の溶出量を低減することができる。そうすると、第２めっき液中に含まれる前記金属の濃度が許容限界を超えにくくなるため、従来のようにめっき処理が頻繁に中断されることがない。従って、この構成によれば、めっき処理が頻繁に中断されることなく、めっき処理を連続的に行うことができる。
本発明によれば、電子部品に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっきの特性の劣化を防止できる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しつつ説明する。本発明は、端子等の電子部品、この電子部品のめっき方法及びめっき装置に広く適用できる。
［メス端子の概略構成］
図１は、本発明の実施形態に係るメス端子１０の斜視図である。また、図２は、図１に示すメス端子１０のコンタクト部１１を拡大して示す図である。
図１は、本発明の実施形態に係るメス端子１０の斜視図である。また、図２は、図１に示すメス端子１０のコンタクト部１１を拡大して示す図である。
図１に示すメス端子１０は、図示しないコネクタに用いられる端子である。メス端子１０の先端部分は、一対の板バネで構成されたコンタクト部１１として設けられている。当該コンタクト部１１に相手側コネクタのオス端子（図示省略）が挿入され、挟まれて保持されることにより、コネクタと相手側コネクタとが電気的に接続される。
［めっき層の構成］
図３は、図２におけるＩＩＩ部の断面図であって、メス端子１０の表面部分のめっき構造について説明するための図である。
図３は、図２におけるＩＩＩ部の断面図であって、メス端子１０の表面部分のめっき構造について説明するための図である。
メス端子１０の表面には、複数のめっき層が形成されている。具体的には、メス端子１０は、金属基材１２と、該金属基材１２の表面に形成された第１めっき層１３、第２めっき層１４、及び第３めっき層１５と、を備えている。
金属基材１２は、板状の金属部材がプレス加工によって折り曲げられることにより形成された部分である。金属基材１２の形状は、図１に示すメス端子１０の形状と概ね同じである。本実施形態では、電気伝導率の観点から、金属基材１２として銅合金が用いられている。
第１めっき層１３は、金属基材１２の表面に形成されためっき層である。第１めっき層１３は、ニッケル、又はＮｉ−Ｃｏ合金によって構成されている。第１めっき層１３の厚さは、例えば０．３〜１．５μｍの範囲内である。
第２めっき層１４は、第１めっき層１３の表面に形成されためっき層である。第２めっき層１４は、Ｎｉ−Ｗ合金によって構成されている。第２めっき層１４の厚さは、例えば０．６〜１．５μｍの範囲内である。しかし、これに限らず、第２めっき層１４の厚さは１．５μｍ以上であってもよい。
第３めっき層１５は、第２めっき層１４の表面に形成されためっき層である。第３めっき層１５は、例えばＡｕ−Ｃｏ合金のフラッシュめっきである。第２めっき層１４の厚さは、例えば０．０６〜１．３μｍの範囲内である。
［フープ材の構成］
図４は、めっき処理が施される前の金属基材１２が複数形成されたフープ材１の一部の斜視図である。
図４は、めっき処理が施される前の金属基材１２が複数形成されたフープ材１の一部の斜視図である。
フープ材１は、細長い帯状に形成された帯状部２と、帯状部２に沿って等間隔に並んだ複数の金属基材１２と、帯状部２と金属基材１２とを連結する連結部３とを有し、これらが一体に形成されている。フープ材１は、細長いフープ状の金属板がプレス加工されることにより形成される。フープ材１は、金属基材１２を構成する材料（本実施形態の場合、銅合金）で構成されている。本実施形態に係るメス端子１０は、詳しくは後述するが、所定方向に沿って搬送されるフープ材１に第１めっき層１３、第２めっき層１４、及び第３めっき層１５が順に形成された後、連結部３が切除されることにより、形成される。
［めっき装置］
図５は、本発明の実施形態に係るめっき装置２０を側方から視た模式図である。また、図６は、図５に示すめっき装置２０を上方から視た模式図である。メス端子１０は、図５及び図６に示すめっき装置２０によって形成される。めっき装置２０では、図示しない巻取りリールが、該めっき装置２０における下流側に設けられている。そして、めっき装置２０では、巻取りリールがフープ材１を巻き取ることにより、該フープ材１が上流側から下流側へ（具体的には、図５及び図６の矢印Ａ方向側へ）順次搬送されながら、以下で詳しく説明するように、該フープ材１にめっき処理が施される。
図５は、本発明の実施形態に係るめっき装置２０を側方から視た模式図である。また、図６は、図５に示すめっき装置２０を上方から視た模式図である。メス端子１０は、図５及び図６に示すめっき装置２０によって形成される。めっき装置２０では、図示しない巻取りリールが、該めっき装置２０における下流側に設けられている。そして、めっき装置２０では、巻取りリールがフープ材１を巻き取ることにより、該フープ材１が上流側から下流側へ（具体的には、図５及び図６の矢印Ａ方向側へ）順次搬送されながら、以下で詳しく説明するように、該フープ材１にめっき処理が施される。
めっき装置２０は、第１めっき処理部２５と、第２めっき処理部３０と、第３めっき処理部３５と、を備えている。
第１めっき処理部２５は、第１めっき槽２６と、第１めっき用給電部２７と、第１めっき用カソード２８とを有している。
第１めっき槽２６は、第１めっき層１３を形成するための第１めっき液Ｗ１が内部に溜められた槽である。第１めっき液Ｗ１は、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、メタンスルホン酸ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッケル、塩化コバルト、炭酸コバルト、及びグルコン酸コバルトから選択される１種又は２種以上の成分を有している。
図７は、各めっき処理部２５，３０，３５で印加されるパルス状の電圧を模式的に示す図である。第１めっき処理部２５では、第１めっき用給電部２７と第１めっき用カソード２８との間で、図７に示すような順方向パルスと逆方向パルスとが周期的に印加される。すなわち、第１めっき処理部２５では、ＰＰＲ（Pulse Periodic Reverse）を用いてめっき処理が行われる。これにより、第１めっき層の厚さを概ね均一にすることができる。
第２めっき処理部３０は、第２めっき槽３１と、第２めっき用給電部３２と、第２めっき用カソード３３とを有している。
第２めっき槽３１は、第２めっき層１４を形成するための第２めっき液Ｗ２が内部に溜められた槽である。第２めっき液Ｗ２は、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル、メタンスルホン酸ニッケル、硫酸ニッケル、臭化ニッケル、塩化コバルト、炭酸コバルト、及びグルコン酸コバルトから選択される１種又は２種以上の成分と、硫酸コバルト、スルファミン酸コバルト、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸カリウム、ジニトロジアンミンパラジウム、ビスマス酸ナトリウム、塩化イリジウム、及び硫酸マンガンから選択される１種又は２種以上の成分と、を有している。
第２めっき処理部３０では、第２めっき用給電部３２と第２めっき用カソード３３との間で、図７に示すような順方向パルスと逆方向パルスとが周期的に印加される。すなわち、第２めっき処理部３０では、第１めっき処理部２５の場合と同様、ＰＰＲ（Pulse Periodic Reverse）を用いてめっき処理が行われる。これにより、第２めっき層の厚さを概ね均一にすることができる。
第３めっき処理部３５は、第３めっき槽３６と、第３めっき用給電部３７と、第３めっき用カソード３８とを有している。
第３めっき槽３６は、第３めっき層１５を形成するための第３めっき液Ｗ３が内部に溜められた槽である。第３めっき液Ｗ３は、シアン化第一金カリウム、シアン化第二金カリウム、シアン化金アンモニウム、シアン化銀カリウム、硝酸銀、シアン化銀、塩化白金酸アンモニウム、及び塩化イリジウム酸アンモニウムから選択される１種又は２種以上の成分と、硫酸コバルト、スルファミン酸コバルト、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸カリウム、ビスマス酸ナトリウム、塩化イリジウム、及び硫酸マンガンから選択される１種又は２種以上の成分と、を有している。
第３めっき処理部３５では、第３めっき用給電部３７と第３めっき用カソード３８との間で、図７に示すような順方向パルスと逆方向パルスとが周期的に印加される。すなわち、第３めっき処理部３５では、第１めっき処理部２５及び第２めっき処理部３０の場合と同様、ＰＰＲ（Pulse Periodic Reverse）を用いてめっき処理が行われる。これにより、第３めっき層の厚さを概ね均一にすることができる。
なお、図５及び図６での図示は省略したが、めっき装置２０は、酸洗処理部、脱脂処理部、乾燥処理部等を適宜、備えている。酸洗処理部は、例えば各めっき処理部の上流側に設けられている。各酸洗処理部は、上流側から搬送されてきたフープ材１に対して酸洗処理を行うことにより、フープ材１の表面に形成された酸化皮膜層、或いはフープ材１の表面に形成されためっき層の表面に形成された酸化皮膜層を除去する。脱脂処理部は、例えば第１めっき処理部２５の上流側に設けられ、フープ材１表面に付着した汚れを除去する。乾燥処理部は、例えば第３めっき処理部３５の下流側に設けられ、水分が付着したフープ材１の表面を乾燥する。
なお、ここでは、各めっき処理部２５，３０，３５の全てでＰＰＲによるめっき処理が行われる例を挙げて説明したが、これに限らず、本実施形態に係るめっき装置２０によれば、各めっき処理部２５，３０，３５において、順方向パルスのみを周期的に印加することもできる。すなわち、めっき装置２０によれば、任意のめっき処理部２５，３０，３５においてＰＰＲによるめっき処理を行うことができる。また、めっき装置２０によれば、各めっき処理部２５，３０，３５の電流についても、個別に任意に設定することが可能である。
［めっき方法］
図８は、フープ材１に第１から第３のめっき層を形成する際の工程を示すフローチャートである。図８を参照して、本実施形態に係るめっき方法について説明する。
図８は、フープ材１に第１から第３のめっき層を形成する際の工程を示すフローチャートである。図８を参照して、本実施形態に係るめっき方法について説明する。
まず、ステップＳ１では、めっき装置２０が起動される。そうすると、図示しない巻取りリールがフープ材１を巻き取ることにより、該フープ材１が上流側から下流側へ順次搬送される。また、めっき装置２０が起動されると、各給電部２７，３２，３７と対応する各カソード２８，３３，３８との間で、図７に示すような順方向パルスと逆方向パルスとが周期的に印加される。
次に、ステップＳ２では、フープ材１の表面に第１めっき層１３が形成される。具体的には、ステップＳ２では、フープ材１が、パルス状の電圧が印加された第１めっき液Ｗ１中を順次通過することにより、その表面に第１めっき層１３が形成される。
次に、ステップＳ３では、上述したステップＳ２によってフープ材１の表面に形成された第１めっき層１３の表面に、第２めっき層１４が形成される。具体的には、ステップＳ３では、フープ材１が、パルス状の電圧が印加された第２めっき液Ｗ２中を順次通過することにより、第１めっき層１３の表面に第２めっき層１４が形成される。
次に、ステップＳ４では、上述したステップＳ３によって形成された第２めっき層１４の表面に、第３めっき層１５が形成される。具体的には、ステップＳ４では、フープ材１が、パルス状の電圧が印加された第３めっき液Ｗ３中を順次通過することにより、第２めっき層１４の表面に第３めっき層１５が形成される。
以上のようにして３層のめっき層１３〜１５が形成されたフープ材１は、乾燥処理等が行われた後、巻取りリールによって巻き取られる。その後、めっき処理が完了したフープ材１における連結部３（図４参照）が切断されることにより、メス端子１０が完成する。
［実施例］
次に、本実施形態に係るメス端子１０と同じめっき構造を有する試験片Ａ１〜Ａ４について性能評価試験を行った結果について説明する。以下では、各性能評価試験で用いられる試験片の構成について説明する。そしてその後、性能評価試験結果について説明する。
次に、本実施形態に係るメス端子１０と同じめっき構造を有する試験片Ａ１〜Ａ４について性能評価試験を行った結果について説明する。以下では、各性能評価試験で用いられる試験片の構成について説明する。そしてその後、性能評価試験結果について説明する。
［実施例に係る試験片、及び比較例に係る試験片の構成］
本実施例に係る試験片Ａ１〜Ａ４は、図３を参照して、金属基材１２としての銅合金、第１めっき層１３としてのニッケルめっき層、第２めっき層１４としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層、及び第３めっき層１５としてのＡｕ−Ｃｏめっき層、を備えている。なお、試験片Ａ１〜３の金属基材１２は、片状に形成されており、試験片Ａ４の金属基材１２は、以下で詳しく説明するピンプローブ状に形成されている。
本実施例に係る試験片Ａ１〜Ａ４は、図３を参照して、金属基材１２としての銅合金、第１めっき層１３としてのニッケルめっき層、第２めっき層１４としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層、及び第３めっき層１５としてのＡｕ−Ｃｏめっき層、を備えている。なお、試験片Ａ１〜３の金属基材１２は、片状に形成されており、試験片Ａ４の金属基材１２は、以下で詳しく説明するピンプローブ状に形成されている。
図９は、比較例に係る試験片Ｂ１〜Ｂ４のめっき構造を模式的に示す断面図である。上述した実施例に係る試験片Ａ１〜Ａ４の比較対象となる比較例に係る試験片Ｂ１〜Ｂ４は、図９に示すように、金属基材１２としての銅合金、該金属基材１２の表面に形成されたニッケルめっき層１３、該ニッケルめっき層１３の表面に形成されたＡｕ−Ｃｏめっき層１５、を備えている。すなわち、比較例に係る試験片Ｂ１〜Ｂ４は、実施例に係る試験片Ａ１〜Ａ４と比べて、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層が省略された構成となっている。なお、試験片Ｂ１〜３の金属基材１２は、片状に形成されており、試験片Ｂ４の金属基材１２は、以下で詳しく説明するピンプローブ状に形成されている。
実施例に係る試験片Ａ１では、硝酸ばっき後、Ａｕ−Ｃｏめっきの表面状態が確認された。試験片Ａ１では、第１めっき層（ニッケルめっき層）の厚さと第２めっき層（Ｎｉ−Ｗ合金めっき層）の厚さとを足した値が１．１２５μｍとなっている。また、第３めっき層（Ａｕ−Ｃｏ合金めっき層）の厚さは、０．０６３μｍである。
比較例に係る試験片Ｂ１は、実施例に係る試験片Ａ１の比較対象となる試験片である。比較例に係る試験片Ｂ１では、硝酸ばっき後、Ａｕ−Ｃｏめっきの表面状態が確認された。試験片Ｂ１のニッケルめっき層の厚さは３．０８８μｍ、Ａｕ−Ｃｏめっき層の厚さは０．９８８μｍである。
実施例に係る試験片Ａ２では、複合ガス中に放置された後、Ａｕ−Ｃｏめっきの表面の状態が確認された。試験片Ａ２では、第１めっき層（ニッケルめっき層）の厚さと第２めっき層（Ｎｉ−Ｗ合金めっき層）の厚さとを足した値が１．１２５μｍとなっている。また、第３めっき層（Ａｕ−Ｃｏめっき層）の厚さは、０．０６３μｍである。
比較例に係る試験片Ｂ２は、実施例に係る試験片Ａ２の比較対象となる試験片である。比較例に係る試験片Ｂ２では、複合ガス中に放置された後、Ａｕ−Ｃｏめっきの表面状態が確認された。試験片Ｂ２のニッケルめっき層の厚さは２．９１３μｍ、Ａｕ−Ｃｏめっき層の厚さは０．９３５μｍである。
実施例に係る試験片Ａ３，Ａ４は、複合ガス中に放置した後の接触抵抗試験に用いられるものである。この接触抵抗試験のＮ数は、６である。すなわち、接触抵抗試験では、試験片Ａ３，Ａ４が、それぞれ６つずつ用いられた。試験片Ａ３，Ａ４では、第１めっき層（ニッケルめっき層）の厚さと第２めっき層（Ｎｉ−Ｗ合金めっき層）の厚さとを足した値が１．１２５μｍとなっている。また、第３めっき層（Ａｕ−Ｃｏめっき層）の厚さは、０．０６０〜０．１００μｍの範囲内である。なお、試験片Ａ４は、図１０に示すピンプローブ状に形成されている。
比較例に係る試験片Ｂ３，Ｂ４は、それぞれ、実施例に係る試験片Ａ３，Ａ４のそれぞれの比較対象となるものである。比較例に係る試験片Ｂ３，Ｂ４は、複合ガス中に放置した後の接触抵抗試験に用いられるものである。試験片Ｂ３，Ｂ４のニッケルめっき層の厚さは３．０００〜４．０００μｍの範囲内である。また、試験片Ｂ３，Ｂ４のＡｕ−Ｃｏめっき層の厚さは、０．３００〜０．４００μｍの範囲内である。なお、試験片Ｂ４は、図１０に示すピンプローブ状に形成されている。
［硝酸ばっき後のＡｕ−Ｃｏめっきの表面状態確認結果］
図１１は、硝酸ばっき試験後における試験片Ａ１のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。また、図１２は、硝酸ばっき試験後における試験片Ｂ１のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。硝酸ばっき試験は、試験片Ａ１及び試験片Ｂ１の双方において、同条件で行った。図１１及び図１２では、Ａｕ−Ｃｏめっき層１５における腐食した部分が、楕円枠Ｅ内における濃い色で示されている。
図１１は、硝酸ばっき試験後における試験片Ａ１のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。また、図１２は、硝酸ばっき試験後における試験片Ｂ１のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。硝酸ばっき試験は、試験片Ａ１及び試験片Ｂ１の双方において、同条件で行った。図１１及び図１２では、Ａｕ−Ｃｏめっき層１５における腐食した部分が、楕円枠Ｅ内における濃い色で示されている。
図１１に示すように、試験片Ａ１のＡｕ−Ｃｏめっき層１５には腐食部分が確認されなかった、一方、図１２に示すように、試験片Ｂ１のＡｕ−Ｃｏめっき層１５には、複数の腐食部分Ｃ（図１２の楕円枠内における黒色の部分）が確認された。これにより、本実施形態に係るめっき構造の方が、従来から知られているめっき構造よりも、硝酸ばっき試験における耐腐食性の観点において優れていることが確認できた。
［複合ガス中に放置した後のＡｕ−Ｃｏめっきの表面状態確認結果］
図１３は、複合ガス中に放置した後の試験片Ａ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。また、図１４は、複合ガス中に放置した後の試験片Ｂ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。複合ガスとしては、３種の複合ガス（０．５±０．１ｐｐｍのＨ２Ｓ、２．０±０．２ｐｐｍのＳＯ２、１．０±０．２ｐｐｍのＮＯ２）を用いた。複合ガス試験では、各試験片Ａ２，Ｂ２が、３５℃、湿度７５％の条件下で、上述した３種の複合ガス中に６４８時間放置された。
図１３は、複合ガス中に放置した後の試験片Ａ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。また、図１４は、複合ガス中に放置した後の試験片Ｂ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の表面写真である。複合ガスとしては、３種の複合ガス（０．５±０．１ｐｐｍのＨ２Ｓ、２．０±０．２ｐｐｍのＳＯ２、１．０±０．２ｐｐｍのＮＯ２）を用いた。複合ガス試験では、各試験片Ａ２，Ｂ２が、３５℃、湿度７５％の条件下で、上述した３種の複合ガス中に６４８時間放置された。
図１３に示すように、複合ガス中に放置した後の試験片Ａ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５には、比較的細かい腐食部分Ｃが複数、確認された。複合ガス中に放置した後の試験片Ａ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の腐食面積率（楕円枠Ｅ内の面積に対する、楕円枠Ｅ内に含まれる腐食部分Ｃの面積のパーセンテージ）は、１０．５９％であった。一方、複合ガス中に放置した後の試験片Ｂ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５には、比較的面積が広い腐食部分が複数、確認された。試験片Ｂ２のＡｕ−Ｃｏめっき層１５の腐食面積率は、３０％であった。これにより、本実施形態に係るめっき構造の方が、従来から知られているめっき構造よりも、複合ガス試験における耐腐食性の観点において優れていることが確認できた。
［複合ガス中に放置した後の接触抵抗試験結果］
図１５は、複合ガス中に放置した後の試験片Ａ３と試験片Ａ４との間の接触抵抗試験結果を示すグラフである。また、図１６は、複合ガス中に放置した後の試験片Ｂ３と試験片Ｂ４との間の接触抵抗試験結果を示すグラフである。接触抵抗試験では、一対の試験片Ａ３，Ａ４、及び一対の試験片Ｂ３，Ｂ４がそれぞれ６つ、準備される。そして、接触抵抗試験では、試験片Ａ３，Ｂ３の表面に、ピンプローブ状に形成された試験片Ａ４，Ｂ４の接触部Ｃｔ（図１０参照）が所定の荷重となるように押し当てられ、その状態で一対の試験片の間の接触抵抗が測定される。
図１５は、複合ガス中に放置した後の試験片Ａ３と試験片Ａ４との間の接触抵抗試験結果を示すグラフである。また、図１６は、複合ガス中に放置した後の試験片Ｂ３と試験片Ｂ４との間の接触抵抗試験結果を示すグラフである。接触抵抗試験では、一対の試験片Ａ３，Ａ４、及び一対の試験片Ｂ３，Ｂ４がそれぞれ６つ、準備される。そして、接触抵抗試験では、試験片Ａ３，Ｂ３の表面に、ピンプローブ状に形成された試験片Ａ４，Ｂ４の接触部Ｃｔ（図１０参照）が所定の荷重となるように押し当てられ、その状態で一対の試験片の間の接触抵抗が測定される。
なお、図１５における符号Ｐ１＿ｍａｘは、荷重Ｘ１時において、６つの一対の試験片Ａ３，Ａ４のうち最も接触抵抗が高い試験片Ａ３，Ａ４の接触抵抗値を示す点であり、符号Ｐ１＿ｍｉｍは、荷重Ｘ１時において、６つの一対の試験片Ａ３，Ａ４のうち最も接触抵抗が低い試験片Ａ３，Ａ４の接触抵抗値を示す点である。また、符号Ｐ２＿ｍａｘは、荷重Ｘ２時において、６つの一対の試験片Ａ３，Ａ４のうち最も接触抵抗が高い試験片Ａ３，Ａ４の接触抵抗値を示す点であり、符号Ｐ２＿ｍｉｍは、荷重Ｘ２時において、６つの一対の試験片Ａ３，Ａ４のうち最も接触抵抗が低い試験片Ａ３，Ａ４の接触抵抗値を示す点である。また、符号Ｐ３＿ｍａｘは、荷重Ｘ３時において、６つの一対の試験片Ａ３，Ａ４のうち最も接触抵抗が高い試験片Ａ３，Ａ４の接触抵抗値を示す点であり、符号Ｐ３＿ｍｉｍは、荷重Ｘ３時において、６つの一対の試験片Ａ３，Ａ４のうち最も接触抵抗が低い試験片Ａ３，Ａ４の接触抵抗値を示す点である。
また、図１６における符号Ｑ１＿ｍａｘは、荷重Ｘ１時において、６つの一対の試験片Ｂ３，Ｂ４のうち最も接触抵抗が高い試験片Ｂ３，Ｂ４の接触抵抗値を示す点であり、符号Ｑ１＿ｍｉｍは、荷重Ｘ１時において、６つの一対の試験片Ｂ３，Ｂ４のうち最も接触抵抗が低い試験片Ｂ３，Ｂ４の接触抵抗値を示す点である。また、符号Ｑ２＿ｍａｘは、荷重Ｘ２時において、６つの一対の試験片Ｂ３，Ｂ４のうち最も接触抵抗が高い試験片Ｂ３，Ｂ４の接触抵抗値を示す点であり、符号Ｑ２＿ｍｉｍは、荷重Ｘ２時において、６つの一対の試験片Ｂ３，Ｂ４のうち最も接触抵抗が低い試験片Ｂ３，Ｂ４の接触抵抗値を示す点である。また、符号Ｑ３＿ｍａｘは、荷重Ｘ３時において、６つの一対の試験片Ｂ３，Ｂ４のうち最も接触抵抗が高い試験片Ｂ３，Ｂ４の接触抵抗値を示す点であり、符号Ｑ３＿ｍｉｍは、荷重Ｘ３時において、６つの一対の試験片Ｂ３，Ｂ４のうち最も接触抵抗が低い試験片Ｂ３，Ｂ４の接触抵抗値を示す点である。
図１５及び図１６を参照して、試験片Ａ３と試験片Ａ４との間の荷重が比較的大きい場合（荷重Ｘ２及び荷重Ｘ３の場合）には、複合ガス中に放置した後の試験片Ａ３及びＡ４の間の接触抵抗と、複合ガス中に放置した後の試験片Ｂ３及びＢ４の間の接触抵抗との間には、大きな差は確認できなかった。しかし、試験片Ａ３と試験片Ａ４との間の荷重が小さい場合（荷重Ｘ１の場合）には、試験片Ａ３及びＡ４の間の接触抵抗の方が、試験片Ｂ３及びＢ４の間の接触抵抗よりも小さいことが確認できた。すなわち、本実施形態に係るめっき構造の方が、従来から知られているめっき構造よりも、複合ガス試験後の低接触抵抗の観点において優れていることが確認できた。
［本実施形態のめっき構造が耐腐食性及び接触抵抗の観点で優れている理由の考察］
以下では、本実施形態のめっき構造が耐腐食性及び接触抵抗の観点において、既知のめっき構造（具体的には、上述した試験片Ｂ１〜Ｂ４が有するめっき構造）よりも優れている理由について説明する。しかしその前に、本実施形態のめっき構造におけるニッケルめっき層及びＮｉ−Ｗ合金めっき層に形成されるピンホールの数、及び、既知のめっき構造におけるニッケルめっき層に形成されるピンホールの数について説明する。
以下では、本実施形態のめっき構造が耐腐食性及び接触抵抗の観点において、既知のめっき構造（具体的には、上述した試験片Ｂ１〜Ｂ４が有するめっき構造）よりも優れている理由について説明する。しかしその前に、本実施形態のめっき構造におけるニッケルめっき層及びＮｉ−Ｗ合金めっき層に形成されるピンホールの数、及び、既知のめっき構造におけるニッケルめっき層に形成されるピンホールの数について説明する。
例えば既知のめっき構造を有する端子を製造する場合、以下のような手法がある。具体的には、銅合金等の金属基材上にニッケルめっき層を形成し、更にその表面に金合金めっき層を形成する手法がある。この手法において、例えばニッケルめっき層を形成する際にＰＰＲを用いてめっき処理を行うことにより、ニッケルめっき層を、金属基材の表面全体に亘って均一な厚さに形成することができる。
しかしながら、ＰＰＲを用いてめっき処理を行うと、逆方向パルスが印加された場合に金属基材中に含まれる銅がめっき液中に溶出する。そうすると、めっき液中に溶出した銅が不純物としてニッケルめっき層に含まれてしまい、ニッケルめっき層中に相当数のピンホールが形成される。
一方、本実施形態では、銅合金等の金属基材上にＰＰＲによりニッケルめっき層が形成された後、その表面に、同じくＰＰＲによりＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される。
ＰＰＲを用いてニッケルめっき層を形成すると、逆方向パルスが印加された場合に金属基材中に含まれる銅が、ニッケルめっき用のめっき液中に溶出する。そうすると、めっき液中に溶出した銅が不純物としてニッケルめっき層に含まれてしまい、ニッケルめっき層に相当数のピンホールが形成される。
その後、ＰＰＲを用いてＮｉ−Ｗ合金めっき層を形成すると、逆方向パルスが印加された場合に、ニッケルめっき層に不純物として含まれる銅が、Ｎｉ−Ｗ合金めっき用のめっき液中に溶出する。しかしながら、ニッケルめっき層に不純物として含まれる銅は、銅合金に含まれる銅に比べれば僅かであるため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層に形成されるピンホールの数は、ごく僅かである。
以上のように、既知のめっき構造におけるニッケルめっき層には相当数のピンホールが形成される一方、本実施形態のめっき構造におけるＮｉ−Ｗ合金めっき層にはごく僅かな数のピンホールのみが形成される。
上述のような相当数のピンホールが形成された既知のめっき構造を有する試験片Ｂ１〜Ｂ４にガス試験（上述した硝酸ばっき試験、及び複合ガス試験）を行うと、金属基材の銅がピンホールを介して金合金めっき中に拡散し、該銅と金合金めっき中の金とが合金化する。そうすると、金合金めっきの接触抵抗が増大してしまう。
これに対して、上述のようなごく僅かな数のピンホールのみが形成された本実施形態のめっき構造を有する試験片Ａ１〜Ａ４にガス試験を行うと、試験片Ｂ１〜Ｂ４の場合と同様、金属基材の銅がピンホールを介して金合金めっき中に拡散する。しかしながら、本実施形態のめっき構造に含まれるＮｉ−Ｗ合金めっき層には、ごく僅かな数のピンホールしか形成されていないため、金合金めっき中における銅と金とが合金化する量もごく僅かである。従って、既知のめっき構造の場合と比べて、金合金めっきの接触抵抗の増大を大幅に抑制することができる。
［省金化について］
本実施形態に係るメス端子１０では、最表層の部分がＡｕ−Ｃｏ合金めっき層で構成されている。金めっきの原材料として用いられる金は比較的高価であるため、低コスト化の観点において、金合金めっき層に用いられる金の使用量を低減することが求められている。
本実施形態に係るメス端子１０では、最表層の部分がＡｕ−Ｃｏ合金めっき層で構成されている。金めっきの原材料として用いられる金は比較的高価であるため、低コスト化の観点において、金合金めっき層に用いられる金の使用量を低減することが求められている。
この点につき、本実施形態に係るめっき構造によれば、従来と比べて大幅に金の使用量を低減することができる。
［硝酸ばっき試験結果から算出される省金化率］
硝酸ばっき試験で用いられた実施例の試験片Ａ１のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．０６３μｍであり、比較例の試験片Ｂ１のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．９８８μｍである。上述した通り、硝酸ばっき試験結果によれば、実施例の試験片Ａ１の方が比較例の試験片Ｂ１よりも優れているため、硝酸ばっき試験結果の観点からすると、｛（０．９８８−０．０６３）／０．９８８｝×１００＝９３．６％以上、金の使用量を低減することができる。
硝酸ばっき試験で用いられた実施例の試験片Ａ１のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．０６３μｍであり、比較例の試験片Ｂ１のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．９８８μｍである。上述した通り、硝酸ばっき試験結果によれば、実施例の試験片Ａ１の方が比較例の試験片Ｂ１よりも優れているため、硝酸ばっき試験結果の観点からすると、｛（０．９８８−０．０６３）／０．９８８｝×１００＝９３．６％以上、金の使用量を低減することができる。
［複合ガス試験結果から算出される省金化率］
複合ガス試験で用いられた実施例の試験片Ａ２のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．０６３μｍであり、比較例の試験片Ｂ２のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．９３５μｍである。上述した通り、複合ガス試験結果によれば、実施例の試験片Ａ２の方が比較例の試験片Ｂ２よりも優れているため、複合ガス試験結果の観点からすると、｛（０．９３５−０．０６３）／０．９３５｝×１００＝９３．２％以上、金の使用量を低減することができる。
複合ガス試験で用いられた実施例の試験片Ａ２のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．０６３μｍであり、比較例の試験片Ｂ２のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．９３５μｍである。上述した通り、複合ガス試験結果によれば、実施例の試験片Ａ２の方が比較例の試験片Ｂ２よりも優れているため、複合ガス試験結果の観点からすると、｛（０．９３５−０．０６３）／０．９３５｝×１００＝９３．２％以上、金の使用量を低減することができる。
［接触抵抗試験から算出される省金化率］
複合ガス試験後、接触抵抗試験が行われた実施例の試験片Ａ３，Ａ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．０６０〜０．１００μｍの範囲内であり、比較例の試験片Ｂ３，Ｂ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．３００〜０．４００μｍの範囲内である。上述した通り、接触抵抗試験結果によれば、実施例の試験片Ａ３，Ａ４の方が比較例の試験片Ｂ３，Ｂ４よりも優れている。本試験から省金化率を算出するにあたり、上述した場合と同様の式により省金化率を算出するために、試験片Ａ３，Ａ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さを０．０８０μｍとし、試験片Ｂ３，Ｂ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さを０．３５０μｍとする。そして、省金化率を算出すると、｛（０．３５０−０．０８０）／０．３５０｝×１００＝７７．１％となる。すなわち、接触抵抗試験結果の観点からすると、７７．１％以上、金の使用量を低減することができる。
複合ガス試験後、接触抵抗試験が行われた実施例の試験片Ａ３，Ａ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．０６０〜０．１００μｍの範囲内であり、比較例の試験片Ｂ３，Ｂ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さは０．３００〜０．４００μｍの範囲内である。上述した通り、接触抵抗試験結果によれば、実施例の試験片Ａ３，Ａ４の方が比較例の試験片Ｂ３，Ｂ４よりも優れている。本試験から省金化率を算出するにあたり、上述した場合と同様の式により省金化率を算出するために、試験片Ａ３，Ａ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さを０．０８０μｍとし、試験片Ｂ３，Ｂ４のＡｕ−Ｃｏ合金めっき層の厚さを０．３５０μｍとする。そして、省金化率を算出すると、｛（０．３５０−０．０８０）／０．３５０｝×１００＝７７．１％となる。すなわち、接触抵抗試験結果の観点からすると、７７．１％以上、金の使用量を低減することができる。
［効果］
以上のように、本実施形態に係るメス端子１０では、金属基材の表面に、第１めっき層１３としてのニッケルめっき層が形成される際、金属基材１２に含まれる銅が第１めっき液Ｗ１中に溶出する場合がある。そうすると、銅が不純物として第１めっき層１３に含まれてしまうため該第１めっき層１３に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
以上のように、本実施形態に係るメス端子１０では、金属基材の表面に、第１めっき層１３としてのニッケルめっき層が形成される際、金属基材１２に含まれる銅が第１めっき液Ｗ１中に溶出する場合がある。そうすると、銅が不純物として第１めっき層１３に含まれてしまうため該第１めっき層１３に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
一方、その第１めっき層１３の表面に、第２めっき層１４としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される際、第１めっき層１３に含まれる不純物としての銅が第２めっき液Ｗ２中に溶出する場合がある。しかしながら、第１めっき層１３に含まれる銅は、金属基材１２中に含まれる銅と比べて僅かであるため、第１めっき層１３に含まれる銅の第２めっき液Ｗ２中への溶出量は僅かである。すなわち、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層を形成するための第２めっき液Ｗ２中には、銅が僅かな量だけ含まれているため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層には、僅かな数のピンホールのみが形成される。
従って、メス端子１０によると、メス端子１０に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっき層の特性の劣化を防止できる。
また、メス端子１０によれば、比較的導電率が高い金を第３めっき層１５に用いることにより、メス端子１０の電気特性（例えば接触抵抗）を向上することができる。
ところで、従来のめっき構造（金属基材表面にＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成され、更にその表面に金合金めっき層が形成された構成）では、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層に形成された相当数のピンホールを封止するために、例えば金合金めっき層の厚さを厚くしていた。しかしそうすると、比較的高価な材料である金の使用量が増大し、メス端子１０が高コストとなっていた。
この点につき、メス端子１０によれば、該メス端子１０の電気特性を維持しつつ、第２めっき層１４の表面に形成されるＡｕ−Ｃｏめっき層１５に用いられる金の使用量を低減することが可能となる。具体的には、この構成によれば、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層のピンホールの数を少なくすることができるため、従来のめっき構造において行われていたように金合金めっき層を厚くする必要がなくなる。これにより、比較的高価な金の使用量を低減することができ、メス端子１０を低コスト化できる。
また、メス端子１０によれば、比較的導電率が高い銅を金属基材１２に用いることにより、メス端子１０の電気特性（例えば導電性）を向上することができる。
ところで、例えば従来のめっき構造（金属基材表面にＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成され、更にその表面に金合金めっき層が形成された構成）では、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層に相当数のピンホールが形成されやすい。そうなると、金属基材に含まれる銅がそのピンホールを介して金合金めっき層に入り込んで拡散する。そうすると、金合金めっき層中で銅と金とが合金化してしまい、金合金めっき層の特性（例えば接触抵抗等の電気特性）が大きく劣化してしまう。すなわち、ここで説明した従来のめっき構造では、良好な電気特性を有するメス端子１０を製造するために金属基材として銅合金及び最表層のめっき層として金合金を用いた場合、金合金の特性が劣化するおそれがある。
この点につき、メス端子１０によれば、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層にごく僅かな数のピンホールのみが形成される。言い換えれば、メス端子１０によれば、従来と比べて、金属基材１２に含まれる銅が金合金めっき層に入り込む際に通過する通路としてのピンホールの数を大幅に低減できる。そうすると、金合金めっき層中における銅の拡散量を少なくすることができるため、金合金の特性劣化を防止できる。すなわち、メス端子１０によれば、良好な電気特性を有するメス端子を製造するために金属基材として銅合金及び最表層めっきとして金合金を用いた場合に従来問題となっていた最表層めっきの特性劣化を防止できる、という大きな効果を得ることができる。
また、メス端子１０のめっき方法では、金属基材１２の表面に、第１めっき層１３としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層が形成される際、金属基材１２に含まれる銅が第１めっき液Ｗ１中に溶出する場合がある。そうすると、銅が不純物として第１めっき層１３に含まれてしまうため該第１めっき層１３に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
一方、その第１めっき層１３の表面に、第２めっき層１４としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される際、第１めっき層１３に含まれる不純物としての銅が第２めっき液Ｗ２中に溶出する場合がある。しかしながら、第１めっき層１３に含まれる銅は、金属基材１２中に含まれる銅と比べて僅かであるため、第１めっき層１３に含まれる銅の第２めっき液Ｗ２中への溶出量は僅かである。すなわち、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層を形成するための第２めっき液Ｗ２中には、銅が僅かな量だけ含まれているため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層には、僅かな数のピンホールのみが形成される。
従って、本実施形態に係るめっき方法によると、メス端子１０に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっき層の特性の劣化を防止できる。
また、めっき装置２０では、複数の金属基材１２を有するフープ材１を所定方向に搬送しながら、第１めっき層１３及び第２めっき層１４を順次、形成することができる。これにより、めっき処理が施されたメス端子１０を、複数、連続的に形成することができる。
また、めっき装置２０では、金属基材１２の表面に、第１めっき層１３としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層が形成される際、金属基材１２に含まれる銅が第１めっき液Ｗ１中に溶出する場合がある。そうすると、銅が不純物として第１めっき層１３に含まれてしまうため該第１めっき層１３に相当数のピンホールが形成されてしまう場合がある。
一方、その第１めっき層１３の表面に、第２めっき層１４としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成される際、第１めっき層１３に含まれる不純物としての銅が第２めっき液Ｗ２中に溶出する場合がある。しかしながら、第１めっき層１３に含まれる銅は、金属基材１２中に含まれる銅と比べて僅かであるため、第１めっき層１３に含まれる銅の第２めっき液Ｗ２中への溶出量は僅かである。すなわち、第２めっき液Ｗ２中には、銅が僅かな量だけ含まれているため、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層には、僅かな数のピンホールのみが形成される。
従って、本実施形態に係るめっき装置２０によると、メス端子１０に形成されるＮｉ−Ｗ合金めっき層の特性の劣化を防止できる。
ところで、従来のめっき構造（金属基材表面にＮｉ−Ｗ合金めっき層が形成され、更にその表面に金合金めっき層が形成された構成）を有する端子等を製造する場合、Ｎｉ−Ｗ合金めっき層を形成するためのめっき液中への金属基材に含まれる金属の溶出量が比較的多く、その金属の濃度が許容限界を超えると、そのめっき処理が中断されていた。
この点につき、めっき装置２０によれば、第２めっき液Ｗ２中に溶出する銅の溶出量を低減することができる。そうすると、第２めっき液Ｗ２中に含まれる銅の濃度が許容限界を超えにくくなるため、従来のようにめっき処理が頻繁に中断されることなく、連続してめっき処理を行うことができる。従って、めっき装置２０によれば、めっき処理が頻繁に中断されることなく、めっき処理を連続的に行うことができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
［変形例］
（１）上述した実施形態では、本発明の適用例としてコネクタのメス端子１０を例に挙げて説明したが、この限りでなく、その他の電子部品に適用することもできる。例えば、本発明は、コネクタのオス端子、或いはリレーに適用することもできる。
（１）上述した実施形態では、本発明の適用例としてコネクタのメス端子１０を例に挙げて説明したが、この限りでなく、その他の電子部品に適用することもできる。例えば、本発明は、コネクタのオス端子、或いはリレーに適用することもできる。
（２）上述した実施形態では、金属基材として銅合金を用いる例を挙げて説明したが、これに限らず、その他の金属が用いられてもよい。例えば一例として、ステンレス鋼が用いられてもよい。
（３）上述した実施形態では、第１めっき層としてニッケルめっき層を例に挙げて説明したが、これに限らず、第１めっき層として、Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき層が用いられてもよい。
本発明は、めっきが施される端子等の電子部品に広く適用することができる。
１ フープ材
１０ メス端子（電子部品）
１２ 金属基材
１３ 第１めっき層
１４ 第２めっき層
１５ 第３めっき層
２０ めっき装置
２６ 第１めっき槽
３１ 第２めっき槽
１０ メス端子（電子部品）
１２ 金属基材
１３ 第１めっき層
１４ 第２めっき層
１５ 第３めっき層
２０ めっき装置
２６ 第１めっき槽
３１ 第２めっき槽
Claims (4)
- 金属基材と、
前記金属基材の表面に形成された第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層と、
前記第１めっき層の表面に形成された第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層と、
前記第２めっき層の表面に形成された第３めっき層としての金合金めっき層と、
を備えていることを特徴とする、電子部品。 - 請求項１に記載の電子部品において、
前記金属基材として銅合金が用いられていることを特徴とする、電子部品。 - 金属基材にめっき処理を施すためのめっき方法であって、
前記金属基材の表面に第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層を形成する工程と、
前記第１めっき層を形成する工程で形成された前記第１めっき層の表面に第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層を形成する工程と、
前記第２めっき層を形成する工程で形成された前記第２めっき層の表面に第３めっき層としての金合金めっき層を形成する工程と、
を含んでいることを特徴とする、めっき方法。 - 複数の金属基材を有するフープ材を所定方向に搬送しながら各前記金属基材にめっき処理を施すめっき装置であって、
前記所定方向に搬送される前記フープ材が浸漬されるめっき液であって、前記金属基材の表面に第１めっき層としてのニッケルめっき層又はＮｉ−Ｃｏ合金めっき層を形成するための第１めっき液、が溜められる第１めっき槽と、
前記第１めっき層が形成された前記フープ材が浸漬されるめっき液であって、前記第１めっき層の表面に第２めっき層としてのＮｉ−Ｗ合金めっき層を形成するための第２めっき液、が溜められ、前記第１めっき槽よりも前記所定方向における下流側に設けられた第２めっき槽と、
前記第２めっき層が形成された前記フープ材が浸漬されるめっき液であって、前記第２めっき層の表面に第３めっき層としての金合金めっき層を形成するための第３めっき液、が溜められ、前記第２めっき槽よりも前記所定方向における下流側に設けられた第３めっき槽と、
を備えていることを特徴とする、めっき装置。
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