JP6696162B2 - 放射線検出素子及び放射線検出装置 - Google Patents

放射線検出素子及び放射線検出装置 Download PDF

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Description

本発明は、放射線検出素子及び放射線検出装置に関する。特に、放射線検出素子を構成するピクセル電極の構造に関する。
ピクセル型電極によるガス増幅を用いた放射線検出器の研究が進められている。ピクセル型電極によるガス増幅を用いた放射線検出装置は、従来の検出装置による放射線検出では不十分であった検出領域、特に、画像イメージングにおいて、大面積かつリアルタイムイメージングができるという特徴がある。
ピクセル型電極によるガス増幅を用いた放射線検出装置の構造に関しては、例えば、特許文献1を参照することができる。
特許第3354551号公報
従来のピクセル型電極による放射線検出装置においては、分解能を改善するためにピクセル電極のピッチを小さく配置すると、ガス増幅率が低下することが問題となっていた。
そこで本発明は、放射線検出素子において、ガス増幅率が低下することなく、分解能を向上させることを目的の一つとする。また、本発明は、ガス増幅率が低下することなく、分解能を向上させた放射線検出装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態によると、絶縁部材の第1面に配置された開口部を有する第1電極と、第1電極の開口部に配置された第2電極と、を有するピクセル電極を複数備え、複数のピクセル電極は行方向及び列方向に配列され、行方向及び列方向において、ピクセル電極のピッチが380μm以下であり、第1電極と第2電極の面積比率が14.5:1から154.6:1の範囲であることを特徴とする放射線検出素子が提供される。
ピクセル電極は、ピッチが300μm以下で、第1電極と第2電極の面積比率が15.9:1から69.1:1の範囲であってもよい。
ピクセル電極は、ピッチが200μmで、第1電極と第2電極の面積比率が14.5:1から21.7:1の範囲であってもよい。
本発明の一実施形態によると、絶縁部材の第1面に配置された開口部を有する第1電極と、第1電極の開口部に配置された第2電極と、を有するピクセル電極を複数備え、複数のピクセル電極は行方向及び列方向に配列され、行方向及び列方向において、ピクセル電極のピッチが380μm以下であり、Pはピクセル電極のピッチ、Cは第1電極同士の間隔、Rは第2電極の半径、Gは第1電極と第2電極との間隔としたときに、200(μm)≦P≦380(μm)、10(μm)≦C、30(μm)≦Rを満たし、第1電極と第2電極の面積比率が14.5:1から[(P−C)P-(R+G)2×3.14]/(3.14×R2):1の範囲であることを特徴とする放射線検出素子が提供される。
本発明の一実施形態に係る放射線検出装置は、前記放射線検出素子を備えてもよい。
放射線検出装置は、分解能が95μm以下であって、ガス増幅率2000以上であってもよい。
本発明の一実施形態によると、ガス増幅率が低下することなく、分解能を向上させた放射線検出装置を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る放射線検出素子を備える放射線検出装置の一例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る放射線検出素子を示す断面図(A)と平面図(B)である。 本発明の一実施形態に係る放射線検出装置の放射線検出原理を示す模式図である。 シミュレーション1におけるガス増幅率とピクセル電極のピッチの関係を示すグラフである。 ピクセル電極周辺の電位分布をシミュレーションにより求めた結果を示し、(A)はピクセル電極のピッチが280μmの場合、(B)は310μmの場合、(C)は360μmの場合、(D)は400μmの場合をそれぞれ示す。 シミュレーション2におけるガス増幅率とピクセル電極のピッチの関係を示すグラフである。 本発明の実施例1に係る放射線検出素子を用いた放射線検出装置の一例を示す平面図である。 本発明の実施例2に係る放射線検出素子を用いた放射線検出装置の一例を示す平面図である。 比較例1に係る放射線検出素子を用いた放射線検出装置の一例を示す平面図(A)及び断面図(B)である。 比較例2に係る放射線検出素子を用いた放射線検出装置の一例を示す平面図(A)及び断面図(B)である。 アノード電極の面積に対するカソード電極の面積の比と、ピクセル電極のピッチの関係を示すグラフである。 アノード電極の面積に対するカソード電極の面積の比と、ピクセル電極のピッチの関係を示すグラフである。
以下、図面を参照して、本発明の放射線検出素子及び放射線検出装置について詳細に説明する。なお、本発明の放射線検出素子及び放射線検出装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
[放射線検出装置の概要]
図1および図2を用いて、本発明の一実施形態に係る放射線検出素子10及び放射線検出装置100の構造の概要を説明する。
本発明の一実施形態に係る放射線検出素子10は、絶縁部材102、カソード電極104、アノード電極106、アノード電極パターン108及び基板130を有している。
図2は本発明の一実施形態に係る放射線検出素子10を示す断面図(A)と平面図(B)である。図2(B)には、放射線検出素子10の平面図を示し、図2(A)には図2(B)のA−A’線における断面図を示している。図2に示すように、カソード電極104は、絶縁部材102の第1面に複数配置されている。カソード電極104は、複数の開口部105を有している。カソード電極104は、ストリップ状に形成されているので、カソードストリップ電極ともいう。
図2に示すように、本実施形態においては、アノード電極パターン108は、絶縁部材102の第1面の反対側の第2面に配置される。絶縁部材102はカソード電極104の開口部105に貫通孔を備え、アノード電極106が貫通孔を介して第1面に露出するよう配置される。アノード電極106は、絶縁部材102の第1面から反対側の第2面まで絶縁部材102を貫通し、アノード電極パターン108と接続する。言い換えると、アノード電極106は、絶縁部材からなる基板130の上に配置されたアノード電極パターン108と接続し、絶縁部材102を貫通するように配置される。本実施形態においては、アノード電極106は、開口部105のそれぞれにおいて先端が露出している形状を有しているが、開口部105のそれぞれにおいて先端が露出しないような形状(先端が絶縁部材102の上面と概略一致する形状、又は先端が絶縁部材102の内部に位置する形状を含む。)でもよい。本実施形態においては、カソード電極104が延在する方向と、アノード電極106が接続するアノード電極パターン108が延在する方向とは概略垂直である。
ここで、カソード電極104、開口部105、アノード電極106、絶縁部材102を含むピクセル電極の最小繰り返し単位をピクセル電極1とする。ピクセル電極1は概略正方形である。ピクセル電極の一辺の長さをPとすると、カソード電極104のピッチ及びアノード電極106のピッチもPとなる。図1では1個の放射線検出素子10に6個のピクセル電極1を示したが、これに限定されない。複数のピクセル電極1を有すればよい。
本実施形態に係る放射線検出素子10が有するピクセル電極1は行方向及び列方向に配列され、行方向及び列方向におけるピッチは380μm以下であり、好ましくは300μm以下であり、より好ましくは200μmである。言い換えると、本実施形態に係る放射線検出素子10は、第1面におけるアノード電極106の行方向及び列方向におけるピッチが380μm以下であり、好ましくは300μm以下であり、より好ましくは200μmである。これにより、本実施形態に係る放射線検出装置100の分解能は向上する。
本実施形態に係る放射線検出素子10が有するピクセル電極1は、第1面におけるカソード電極104とアノード電極106の面積比率が14.5:1から154.6:1の範囲である。好ましくは14.5:1から[(P−C)P-(R+G)2×3.14]/(3.14×R2):1の範囲である。ただし、Pはピクセル電極のピッチ、Cはカソード電極104同士の間隔、Rはアノード電極106の半径、Gはカソード電極104とアノード電極106との間隔としたときに、200(μm)≦P≦380(μm)、10(μm)≦C、30(μm)≦Rを満たす。これにより、各電極間での電位差を維持することができ、本実施形態に係る放射線検出装置100のガス増幅率の低下を抑制することができる。
通常、アノード電極とカソード電極との間隔を単純に狭くすると放電が発生しやすくなる。しかし、本実施形態では、低い電圧でもガス増幅を維持できるようになることから放電の可能性も回避できる。
放射線検出素子10はさらに基板表面にはリード配線124が設けられており、アノード電極106はアノード電極パターン108と層間接続部126を介して、このリード配線124に接続される。すなわちアノード電極106、アノード電極パターン108、層間接続部126、およびリード配線124は、一つの導電体であり、リード配線124はアノード電極106の接続端子として機能する。なお、本実施形態においては、アノード電極106、アノード電極パターン108、層間接続部126、およびリード配線124は別に設けられ、それぞれが電気的に接続されている形態について説明しているが、これに限定されるわけではなく、一体形成されていてもよい。アノード電極パターン108は、ストリップ状に形成されているので、アノードストリップパターンともいう。
複数のカソード電極104と、複数のアノード電極106の、絶縁部材102の第1面での高さが均一であれば、高電圧を印加して電気力線をアノード電極106に集中させても放電が発生しない。
本発明の一実施形態に係る絶縁部材102および基板130の材料はポリイミドであるが、絶縁性を備えた材料ならこれに限定しない。本実施形態に係る、カソード電極104、アノード電極106、アノード電極パターン108、層間接続部126、およびリード配線124の材料は銅であるが、導電性を備えた金属材料ならこれに限定しない。
本発明の一実施形態に係る放射線検出素子10は、上述したような構成をとることにより、アノード電極106とカソード電極104の一部とを含むピクセル電極1が複数配置されていることになる。放射線検出素子10において、アノード電極106はマトリクス状に配置された構成を有する。
図1は、本発明の一実施形態に係る放射線検出装置100の一例を示す概略構成図である。図1に示すように、本実施形態に係る放射線検出装置100は、ドリフト電極110と、放射線検出素子10及びチャンバー111を備えている。ドリフト電極110と、放射線検出素子10は、一定のスペースを介して上下に向かい合って配置される。カソード電極104を第1電極、アノード電極106を第2電極、ドリフト電極110を第3電極という場合がある。
図1で示すように放射線検出装置100の構成は、アルゴンやキセノンなどの希ガスとエタン、メタンなどの分子性気体の混合ガスで封入されたチャンバー111内に配置する。放射線検出装置100は、ピクセル電極10とドリフト電極110の間に入射した放射線を、放射線検出素子10によって検出する。
[放射線検出の原理]
図3を用いて、本発明の一実施形態に係る放射線検出装置の動作原理を説明する。それぞれのカソード電極104とアノード電極106の間に電圧を印加することで、電場が形成される。カソード電極104はGNDに接続されており、ドリフト電極110とカソード電極104との間にも電圧が印加され、電場が形成される。
放射線が入射した時、ドリフト電極110とカソード電極104との間に発生させた電場の影響により、入射する放射線が存在する気体との相互作用により発生させた電子は電子雲を形成し、アノード電極106とカソード電極104からなるピクセル電極1の方向へ引き寄せられる。このとき、引き寄せられた電子は気体原子と衝突し、気体原子を電離する。ガス増幅により電離した電子は雪崩的に増殖し、アノード電極106で収集される電子群は、電気信号として読み出すことができる程度にまで達する。そして、この電気信号をアノード電極パターン108を通して接続端子であるリード配線124から外部に読み出すことができる。一方、カソード電極104には電子群に誘導された正電荷が生じ、ここから得られる電気信号をカソード電極の接続端子部104aから外部に読みだすことができる。これらの電気信号を時系列に計測することにより、荷電粒子の飛跡を測定することができる。
本実施形態に係る放射線検出素子10が有するピクセル電極1のピッチは380μm以下であり、好ましくは300μm以下であり、より好ましくは200μmである。言い換えると、本実施形態に係る放射線検出素子10は、第1面におけるアノード電極106のピッチが380μm以下であり、好ましくは300μm以下であり、より好ましくは200μmである。これにより、本実施形態に係る放射線検出装置100の分解能は向上する。
本実施形態に係る放射線検出素子10が有するピクセル電極1は、第1面におけるカソード電極104とアノード電極106の面積比率が14.5:1から154.6:1の範囲である。好ましくは14.5:1から[(P−C)P-(R+G)2×3.14]/(3.14×R2):1の範囲である。ただし、Pはピクセル電極のピッチ、Cはカソード電極104同士の間隔、Rはアノード電極106の半径、Gはカソード電極104とアノード電極106との間隔としたときに、200(μm)≦P≦380(μm)、10(μm)≦C、30(μm)≦Rを満たす。これにより、各電極間での電位差を維持することができ、本実施形態に係る放射線検出装置100のガス増幅率の低下を抑制することができる。
このような条件を備える放射線検出素子10を有する放射線検出装置100は、分解能が向上し、ガス増幅率の低下を抑制することができる。さらに、電圧を抑えることができることから、放電の可能性も回避できる。
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
上述した本発明に係る放射線検出素子を有する放射線検出装置について、より詳細に説明する。
本願発明の一実施形態に係る放射線検出素子の分解能を改善し、且つガス増幅率を維持するために、ピクセル電極のピッチ及びアノード電極とカソード電極の面積比率を検討した。
[シミュレーション1]
シミュレータGarfield++を用いてガス増幅のシミュレーションを行った。
まず、カソード電極の開口径及びアノード電極の直径を変化させずに、カソード電極のピッチ及びアノード電極のピッチを縮小させた。このときのシミュレーションで用いたパラメータは、次の通りである。
固定値
アノード電極の半径(R):30μm
カソード電極の開口径:250μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
変数
カソード電極及びアノード電極のピッチ(P):280〜600μm
図4はシミュレーション1におけるガス増幅率と各電極ピッチの関係を示すグラフである。ここでアノード電極とカソード電極間の電圧は460Vに固定して、各電極のピッチを600μmから280μmまで小さくした。図4に示すように、各電極ピッチが600μm〜400μmでは徐々にガス増幅率が低下し、400μm未満ではこのガス増幅率の低下が顕著になることがわかった。
ガス増幅率が低下する一因として、アノード電極の面積に対してカソード電極の面積が減ることにより、電子が1つのアノード電極に集束せず、隣接するアノード電極へ分散するため、ガス増幅率が低下することが考えられた。これを検証するため、シミュレータElmerを用いて電場計算を行った。
図5は各電極ピッチ(280、310、360、400μm)における、ピクセル電極の電位をシミュレートした断面図である。図5に示すように、各電極ピッチが小さくなるにつれて、高電位の領域が広がった。すなわち、カノード電極の面積が小さくなるにつれて、各電極間での電位差が小さくなる結果となった。各電極間での電位差が小さくなることで、電子が1つのアノード電極に集束せず分散してしまうという仮説を裏付ける結果となった。
[シミュレーション2]
上記結果から、各電極ピッチが400μm未満の時には、アノード電極径、カソード電極開口径、カソード電極幅の寸法仕様の変更が必要なことがわかった。このため次に、カソード電極の開口径及びアノード電極の直径も、各電極間のピッチと連動して縮小させたシミュレーションを行った。すなわちアノード電極とカソード電極の面積比率を固定して各電極のピッチを縮小した。このときのシミュレーションで用いたパラメータは、次の通りである。
固定値
カソード電極同士の間隔(C):10μm
変数
アノード電極の半径(R):21〜30μm
カソード電極の開口径:175〜250μm
カソード電極及びアノード電極のピッチ(P):280〜400μm
図6は、シミュレーション2におけるガス増幅率と各電極ピッチの関係を示すグラフである。ここでアノード電極とカソード電極間の電圧は460Vに固定して、各電極のピッチ、カソード電極の開口径及びアノード電極の直径を小さくした。図6に示すように、アノード電極とカソード電極の面積比率を固定すると、各電極ピッチが小さくなるほど、ガス増幅率は増加することが分かった。
実動作においては、アノード電極とカソード電極間の距離が小さくなるにつれて放電が生じやすくなる。しかしながらガス増幅率を改善することによって、印加する電圧を抑えることが可能となる。
[実施例1]
図7は、本発明の実施例1に係る放射線検出素子40を用いた放射線検出装置400の一例を示す平面図である。
図7に示すように、本発明の実施例1に係る放射線検出素子40は、後述する比較例に係る放射線検出素子(図9A、比較例1)の分解能を改善するため、ピクセル電極1の構成を縮小した。
例えば、カソード電極104のピッチ及びアノード電極106のピッチを400μmから300μmに縮小する。このような放射線検出素子におけるカソード電極104およびアノード電極106の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:262.5μm
カソード電極の開口径:187.5μm
カソード電極のピッチ(P):300μm
アノード電極の半径(R):22.5μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に300μm
カソード電極同士の間隔(C):37.5μm
カソード電極とアノード電極との間隔:71μm
表1に示すように、このような放射線検出素子40を備える放射線検出装置400の分解能は、100μmから75μmに改善することができた。アノード電極に440Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000であり、比較例2でみられたガス増幅率の低下を抑制することができた。さらに、電圧を抑えることができたことから、放電の可能性も回避できた。
[実施例2]
図8は、本発明の実施例2に係る放射線検出素子50を用いた放射線検出装置500の一例を示す平面図である。
図8に示すように、本発明の実施例2に係る放射線検出素子50は、実施例1の放射線検出素子(図7)の分解能をより改善するため、ピクセル電極1の構成をさらに縮小した。
例えば、カソード電極のピッチ及びアノード電極のピッチを300μmから200μmに縮小する。このような放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:190μm
カソード電極の開口径:170μm
カソード電極のピッチ(P):200μm
アノード電極の半径(R):15μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に200μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:70μm
表1に示すように、このような放射線検出素子50を備える放射線検出装置500の分解能は、75μmから50μmにさらに改善することができた。アノード電極に460Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は1347となるが、電圧を475Vに上げることでガス増幅率を2000にでき、後述する比較例2でみられたガス増幅率の低下を抑制することができた。475Vを印加したが、カソード電極104とアノード電極106との間隔が70μmである状況では放電は生じなかった。よって、この間隔は475Vに対して耐圧があることがわかった。
[比較例1]
図9は比較例1の放射線検出素子20を用いた放射線検出装置200の一例を示す平面図(A)と断面図(B)である。
比較例1に係る放射線検出素子20は、絶縁部材902、カソード電極904、アノード電極906、アノード電極パターン908及び基板930を有している。
ここで、カソード電極904、開口部905、アノード電極906、絶縁部材902を含むピクセル電極の最小繰り返し単位をピクセル電極9とする。ピクセル電極9は概略正方形である。ピクセル電極の一辺の長さをPとすると、カソード電極904のピッチ及びアノード電極906のピッチもPとなる。
比較例1に係る放射線検出素子におけるカソード電極904およびアノード電極906の幅、ピッチ等は次の通りである。
比較例1の放射線検出素子の構成は、以下の通りである。
カソード電極の幅:350μm
カソード電極の開口径:250μm
カソード電極のピッチ(P):400μm
アノード電極の半径(R):30μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に400μm
カソード電極同士の間隔(C):50μm
カソード電極とアノード電極との間隔(G):95μm
表1に示すように、比較例1の放射線検出素子20を備える放射線検出装置200において、分解能は100μmであり、アノード電極に460Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000である。
放射線検出装置の分解能を改善するためには、一般的に、ピクセル電極9のピッチを小さく配列する方法がとられる。しかしながら、カソード電極904とアノード電極906との間隔が小さくなると、放電する可能性が高くなってしまう。このため、放電の可能性を回避し、かつ分解能を改善する方法がとられる。すなわち、カソード電極904の開口径及びアノード電極906の直径を変化させずに、カソード電極のピッチ及びアノード電極のピッチを縮小する。
例えば、カソード電極のピッチ及びアノード電極のピッチを400μmから300μmに縮小する。このような放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
[比較例2]
比較例2の放射線検出素子の構成は、以下の通りである。
カソード電極の幅:290μm
カソード電極の開口径:250μm
カソード電極のピッチ(P):300μm
アノード電極の半径(R):30μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に300μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:95μm
図10は分解能を改善した比較例2の放射線検出素子30を用いた放射線検出装置300の一例を示す平面図(A)と断面図(B)である。
表1に示すように、このような放射線検出素子30を備える放射線検出装置300において、分解能は75μmであり、アノード電極に460Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は834である。比較例1と比べると、分解能は改善するが、ガス増幅率はおよそ半減してしまうことが分かった。これはシミュレーションの結果と一致する。高いガス増幅率が必要とされるγ線を検出する医療用途において、特に大きな課題となった。
図9B及び図10Bに示すように、ガス増幅率が低下する一因として、アノード電極の面積に対してカソード電極の面積が減ることにより、電子が1つのアノード電極に集束せず、隣接するアノード電極へ分散するため、ガス増幅率が低下することが考えられた。
[実施例3]
表2に示すように、本発明の実施例3に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:190μm
カソード電極の開口径:175μm
カソード電極のピッチ(P):200μm
アノード電極の半径(R):17.5μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に200μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:70μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は50μmであり、アノード電極に460Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は902.2であった。しかし、電圧を482Vにすることでガス増幅率を2000にでき、比較例2のようなガス増幅率の低下を抑えることができた。482Vを印加したが、カソード電極104とアノード電極106との間隔70μmは十分な耐圧があった。
[比較例3]
表2に示すように、比較例3に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:190μm
カソード電極の開口径:180μm
カソード電極のピッチ(P):200μm
アノード電極の半径(R):20μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に200μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:70μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は50μmであるが、アノード電極に460Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は621.8であった。電圧を484Vに上げたところで、放電が生じたため、ガス増幅率を1500にしかできず、ガンマ線を検出するのに必要なガス増幅率2000を確保することができなかった。
[実施例4]
表3に示すように、本発明の実施例4に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:290μm
カソード電極の開口径:176μm
カソード電極のピッチ(P):300μm
アノード電極の半径(R):17μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に300μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:71μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は75μmであるが、アノード電極に448Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000であった。比較例2でみられたガス増幅率の低下を抑制することができた。さらに、電圧を抑えることができたことから、放電の可能性も回避できた。
[実施例5]
表3に示すように、本発明の実施例5に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:258μm
カソード電極の開口径:225μm
カソード電極のピッチ(P):300μm
アノード電極の半径(R):27.5μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に300μm
カソード電極同士の間隔(C):42μm
カソード電極とアノード電極との間隔:85μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は75μmであるが、アノード電極に480Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000であった。比較例2でみられたガス増幅率の低下を抑制することができた。
[比較例4]
表3に示すように、比較例4に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:290μm
カソード電極の開口径:130μm
カソード電極のピッチ(P):300μm
アノード電極の半径(R):15μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に300μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:50μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は75μmであるが、アノード電極に457Vの電圧をかけた時、放電が多発し、計測ができなくなった。
[比較例5]
表3に示すように、比較例5に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:250μm
カソード電極の開口径:205μm
カソード電極のピッチ(P):300μm
アノード電極の半径(R):32.5μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に300μm
カソード電極同士の間隔(C):50μm
カソード電極とアノード電極との間隔:70μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は75μmだが、アノード電極に483Vの電圧をかけた時、放電が多発し計測ができなかった。カソード電極104とアノード電極106との間隔は70μmでは483Vに対して耐圧がないことがわかった。
[実施例6]
表4に示すように、本発明の実施例6に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:370μm
カソード電極の開口径:200μm
カソード電極のピッチ(P):380μm
アノード電極の半径(R):15μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に380μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:85μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は95μmであり、アノード電極に411Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000であった。
[実施例7]
表4に示すように、本発明の実施例7に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:330μm
カソード電極の開口径:250μm
カソード電極のピッチ(P):380μm
アノード電極の半径(R):30μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に380μm
カソード電極同士の間隔(C):50μm
カソード電極とアノード電極との間隔:95μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は95μmであり、アノード電極に461Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000であった。
[実施例8]
表4に示すように、本発明の実施例8に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:310μm
カソード電極の開口径:270μm
カソード電極のピッチ(P):380μm
アノード電極の半径(R):35μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に380μm
カソード電極同士の間隔(C):70μm
カソード電極とアノード電極との間隔:100μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は95μmであり、アノード電極に480Vの電圧をかけた時、ガス増幅率は2000であった。
[比較例6]
表4に示すように、比較例6に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:370μm
カソード電極の開口径:130μm
カソード電極のピッチ(P):380μm
アノード電極の半径(R):15μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に380μm
カソード電極同士の間隔(C):10μm
カソード電極とアノード電極との間隔:50μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は95μmであり、アノード電極に404Vの電圧をかけた時、放電が多発した。
[比較例7]
表4に示すように、比較例7に係る放射線検出素子におけるカソード電極およびアノード電極の幅、ピッチ等は、次の通りである。
カソード電極の幅:310μm
カソード電極の開口径:260μm
カソード電極のピッチ(P):380μm
アノード電極の半径(R):60μm
アノード電極のピッチ(P):行方向及び列方向に380μm
カソード電極同士の間隔(C):70μm
カソード電極とアノード電極との間隔:70μm
このような放射線検出素子を備える放射線検出装置の分解能は95μmであり、アノード電極に516Vの電圧をかけた時、放電が多発した。
以上の構造とすることにより、図11にピクセル電極のピッチに対するアノード電極106の面積に対するカソード電極104の面積の比Sの関係を示す。154.6<Sでは放電が多発し、S<14.5ではゲインが2000に達しなくなる。図11の結果より、アノード電極106の面積に対するカソード電極104の面積の比Sが14.5以上、154.6以下の範囲を満たす本実施形態に係る本発明の放射線検出素子を用いた放射線検出装置は、ガス増幅率が低下することなく、分解能を向上させた放射線検出装置を提供することが可能となる。
図12ではさらに詳細を説明する。上記の比較例の結果を四角で、実施例の結果を丸で図中にプロットすると、ガス増幅率が2000で計測ができる範囲は、3つの線で囲まれた三角の領域であることがわかる。第1面におけるカソード電極104とアノード電極106の面積比率が14.5:1から[(P−C)P-(R+G)2×3.14]/(3.14×R2):1の範囲を満たす本実施形態に係る本発明の放射線検出素子を用いた放射線検出装置は、ガス増幅率が低下することなく、分解能を向上させた放射線検出装置を提供することが可能となる。ただし、Pはピクセル電極のピッチ、Cはカソード電極104同士の間隔、Rはアノード電極106の半径、Gはカソード電極104とアノード電極106との間隔としたときに、200(μm)≦P≦380(μm)、10(μm)≦C、30(μm)≦Rである。
1:ピクセル電極
10、20、30、40、50:放射線検出素子
100、200、300、400、500:放射線検出装置
102:絶縁部材
104:カソード電極
104a:カソード電極104の接続端子
105:開口部
106:アノード電極(=124:リード配線+126:層間接続部+108:アノード電極パターン)
106a:アノード電極106の接続端子
108:アノード電極パターン
110:ドリフト電極
111:チャンバー
124:リード配線(=106a:アノード電極106の接続端子)
126:層間接続部
130:基板

Claims (6)

  1. 絶縁部材の第1面に配置された、開口部を有する第1電極と、
    前記第1電極の前記開口部に配置された第2電極と、を有するピクセル電極を複数備え、複数の前記ピクセル電極は、行方向及び列方向に配列され、
    前記行方向及び列方向において、前記ピクセル電極のピッチが200μm以上380μm以下であり、
    前記第1電極と前記第2電極の面積比率が14.5:1から154.6:1の範囲であり、
    前記第1電極と前記第2電極間に印加される電圧は411V以上482V以下であることを特徴とする放射線検出素子。
  2. 前記ピクセル電極のピッチが200μmより大きく300μm以下で、前記第1電極と前記第2電極の面積比率が15.9:1から69.1:1の範囲であり、
    前記第1電極と前記第2電極間に印加される電圧は440V以上480V以下であることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出素子。
  3. 前記ピクセル電極のピッチが200μmで、前記第1電極と前記第2電極の面積比率が14.5:1から21.7:1の範囲であり、
    前記第1電極と前記第2電極間に印加される電圧は475V以上482V以下であることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出素子。
  4. 絶縁部材の第1面に配置された、開口部を有する第1電極と、
    前記第1電極の前記開口部に配置された第2電極と、を有するピクセル電極を複数備え、複数の前記ピクセル電極は、行方向及び列方向に配列され、
    前記行方向及び列方向において、前記ピクセル電極のピッチが200μm以上380μm以下であり、
    Pはピクセル電極のピッチ、Cは第1電極同士の間隔、Rは第2電極の半径、Gは第1電極と第2電極との間隔としたときに、200(μm)≦P≦380(μm)、10(μm)≦C、15(μm)≦R、70(μm)≦Gを満たし、
    前記第1電極と前記第2電極の面積比率が14.5:1から[(P−C)P-(R+G)2×
    3.14]/(3.14×R2):1の範囲であり、
    前記第1電極と前記第2電極間に印加される電圧は411V以上482V以下であることを特徴とする放射線検出素子。
  5. 請求項1乃至4の何れか1項に記載された前記放射線検出素子を備える放射線検出装置。
  6. 分解能が95μm以下であって、ガス増幅率2000以上であることを特徴とする請求項5に記載の放射線検出装置。
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