JP6692889B2 - 発光装置および発光システム - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置および発光システムに関する。
近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。
有機ＥＬを利用した発光装置の一つに、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１の技術は、有機ＥＬを利用した表示装置に光透過性（シースルー）を持たせるために、第２電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第２電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。なお、特許文献１に記載の技術において、複数の第２電極の間には、画素を画定するために、透光性の絶縁膜が形成されている。特許文献１において、この絶縁膜の材料として、酸化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂などの樹脂材料が例示されている。
特開２０１１−２３３３６号公報
片面（おもて面）からのみ光を取り出したい透過型の発光装置において、逆側の面（裏面）からも一部の光が漏れ出てしまう場合がある。この場合、裏面側から発光装置を介して反対側を視認しにくくなったり、おもて面での光取り出し効率が低下したりする。
本発明が解決しようとする課題としては、透過型の発光装置において、発光面とは逆の面から光を漏れにくくすることが一例として挙げられる。
請求項１に記載の発明は、
透光性の基板と、
前記基板の第１面に形成され、透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する透光性領域と、
前記基板の前記第１面側に位置しており、前記基板の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層と、
を備え、
前記低屈折率層は、前記基板に垂直な方向から見て、隣り合う二つの前記発光部の少なくとも一部およびその間の前記透光性領域を連続して覆うように設けられている発光装置
である。
請求項１３に記載の発明は、
空間を外部から仕切る透光性の仕切部材と、
前記仕切部材に配置された透光性の基板と、
前記基板の第１面に形成され、透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する透光性領域と、
前記基板の前記第１面側に位置しており、前記基板の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層と、
を備え、
前記低屈折率層は、前記基板に垂直な方向から見て、隣り合う二つの前記発光部の少なくとも一部およびその間の前記透光性領域を連続して覆うように設けられている発光システム
である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 低屈折率層と基板との界面、および、基板と空気との界面における光の反射、屈折の様子を示す模式図である。 実施形態に係る発光装置の平面図である。 低屈折率層の屈折率ｎＬと、裏面漏れ光の抑制率との関係を示す図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例５に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例６に係る発光システムの構成例を示す断面図である。 実施例６に係る発光システムの他の構成例を示す断面図である。 実施例７に係る発光システムの構成例を示す断面図である。 実施例８に係る発光システムの構成例を示す断面図である。 実施例８に係る発光システムの他の構成例を示す断面図である。 実施例９に係る発光システムの構成例を示す断面図である。 実施例１０に係る発光システムの構成例を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。人物Ｐは、図１の基板１００に垂直な方向から発光装置１０の光射出面を見ている。実施形態に係る発光装置１０は、照明装置または表示装置である。図１は、発光装置１０が照明装置である場合を示している。
本実施形態に係る発光装置１０は、透光性の基板１００、複数の発光部１４０、透光性領域、被覆部材２００、および低屈折率層４００を備える。発光部１４０は、基板１００の第１面Ｓ１に形成されており、透光性の第１電極１１０、光反射性の第２電極１３０、および第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置する有機層１２０を有する。透光性領域は、複数の発光部１４０の間に位置する。被覆部材２００は、発光部１４０を覆っている。そして、低屈折率層４００は、基板１００の第１面Ｓ１側に位置しており、基板１００の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する。以下、詳細に説明する。
なお、以下では、発光部１４０を基準に基板１００が設けられた側を発光装置１０のおもて面、被覆部材２００が設けられた側を発光装置１０の裏面と呼ぶ。
本実施形態において、発光装置１０は基板１００、複数の発光部１４０、及び絶縁膜１５０を備えている。基板１００は透光性の材料が用いられている。複数の発光部１４０は互いに離間しており、いずれも、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０は透光性の電極であり、第２電極１３０は遮光性あるいは光反射性を有する電極である。第１電極１１０と第２電極１３０の少なくとも一部は重なっている。ただし第２電極１３０の形成される領域の一部は透光性の電極であってもよい。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁膜１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。また、絶縁膜１５０の少なくとも一部は第２電極１３０で覆われていない。
そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、発光装置１０は、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６（透光性領域）を有している。第１領域１０２は第２電極１３０と重なる領域である。つまり、第１領域１０２は基板１００に垂直な方向から見た場合において、第２電極１３０に覆われている領域である。第２電極１３０が遮光性を有している場合、第１領域１０２は、発光装置１０または基板１００の表面から裏面、及び裏面から表面のそれぞれにおいて光を通さない領域である。第２領域１０４は、第２電極１３０に覆われていないが、絶縁膜１５０と重なる領域である。第３領域１０６は、第２電極１３０に覆われておらず、絶縁膜１５０とも重ならない領域である。そして、第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭いため、発光装置１０は、十分な光透過性を有している。なお、第２領域１０４及び第３領域１０６によって透光性領域が形成されていてもよい。
図２は、低屈折率層４００と基板１００との界面、および、基板１００と空気との界面における光の反射、屈折の様子を示す模式図である。本図中、実線および破線の矢印は、発光部１４０から出射した光の光路の例を示している。基板１００と空気との界面に基板１００側からの光が臨界角θｃ１より小さい入射角で入射した場合には（本図中、Ｌ１）、光の一部は反射光（本図中、Ｌ２）となり、一部は出射光（本図中、Ｌ３）となる。ここで、基板１００の屈折率をｎＳとして、臨界角θｃ１＝ａｒｃｓｉｎ（１／ｎＳ）が成り立つ。一方、基板１００と空気との界面に基板１００側からの光が臨界角θｃ１以上の入射角で入射した場合には（本図中、Ｌ４，Ｌ５）、基板１００のおもて面Ｓ２に達した全ての光が全反射する（本図中、Ｌ６，Ｌ７）。そして、反射した光（Ｌ２，Ｌ６）の一部は、基板１００の裏面（第１面）Ｓ１から被覆部材２００側に透過し（本図中、Ｌ８，Ｌ９）、裏面漏れ光の原因となる。
ここで、基板１００と低屈折率層４００との界面において、基板１００側からの入射角が臨界角θｃ２以上の場合（Ｌ７）、全反射によって光は基板１００側に戻り（Ｌ１０）、被覆部材２００側への光の侵入を抑制することができる。すなわち、高屈折率の材料から、低屈折率の材料へは光が透過しにくいということができる。したがって、裏面漏れ光が減少する。なお、低屈折率層４００の屈折率をｎＬとして、臨界角θｃ２＝ａｒｃｓｉｎ（ｎＬ／ｎＳ）が成り立つ。また、本図では、基板１００に接して低屈折率層４００が設けられている例について説明したが、基板１００と低屈折率層４００との間に他の層が存在する場合にも同様に考えることができる。低屈折率層４００は、発光部１４０より裏面側であれば、発光装置１０の積層構造のうち、どの層に形成されていても良い。
基板１００を被覆部材２００や接着層２１０で覆う場合には、基板１００の裏面１０９が空気中に露出される場合に比べて、基板１００の裏面Ｓ１側での全反射が起きにくく、裏面漏れ光が生じやすくなる。それに対し、本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層４００を備えることにより、被覆部材２００が設けられた発光装置１０の裏面側へ出射される光を低減することができる。
図１に戻り、発光装置１０の各構成要素について説明する。基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さｄは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形や円形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。基板１００の屈折率ｎＳは特に限定されないが、たとえば１．５以上である。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。
基板１００の一面には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光装置１０が照明装置の場合、複数の発光部１４０はライン状に延在している。一方、発光装置１０が表示装置の場合、複数の発光部１４０はマトリクスを構成するように配置されているか、セグメントを構成したり所定の形状を表示したりするように（例えばアイコンを表示するように）なっていてもよい。そして複数の発光部１４０は、画素別に形成されている。
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。本図において、基板１００の上には、複数の線状の第１電極１１０が互いに平行に形成されている。このため、第２領域１０４及び第３領域１０６には第１電極１１０は位置していない。なお、第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極であるため、第２領域１０４および第３領域１０６に位置しても良い。
また、第１電極１１０には補助電極（不図示）が設けられていても良い。この場合、補助電極は、第１電極１１０よりも抵抗値が低い材料によって、第１電極１１０に接触して形成される。補助電極は第１電極１１０の上層（有機層１２０側）にあっても下層（基板１００側）にあってもよい。補助電極は例えば少なくとも一つの金属層を用いて形成される。また、補助電極が第１電極１１０の上層にある場合、補助電極の上部は、絶縁膜１５０によって覆われており、補助電極は有機層１２０及び第２電極１３０のいずれにも直接接続しない。補助電極を設けることにより第１電極１１０の見かけ上の抵抗値を低くすることができる。
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、発光装置１０は複数の線状の第２電極１３０を有している。第２電極１３０は、第１電極１１０のそれぞれに対して設けられており、かつ第１電極１１０よりも幅が広くなっている。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第１電極１１０の全体が第２電極１３０によって重なっており、また覆われている。また、第１電極１１０は、第２電極１３０よりも幅が広く、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第２電極１３０の全体が第１電極１１０によって覆われていてもよい。
本図の例では、第１電極１１０および有機層１２０は発光部１４０毎に設けられているが、第１電極１１０および有機層１２０の少なくとも一方が、隣り合う二つ以上の発光部１４０にわたって連続して設けられていても良い。すなわち、第１電極１１０および有機層１２０の少なくとも一方が第１領域１０２、第２領域１０４、および第３領域１０６にわたって設けられていても良い。
本実施形態において、第１電極１１０の縁は、絶縁膜１５０によって覆われている。絶縁膜１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。第２電極１３０の幅方向の縁は、絶縁膜１５０上に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜１５０の一部は第２電極１３０からはみ出ている。また本図に示す例において、有機層１２０は絶縁膜１５０の上及び側面にも形成されている。ただし、有機層１２０は隣り合う発光部１４０の間で分断されている。また、有機層１２０が透光性を有する場合は、隣り合う発光部１４０の間で分断されていなくても良い。
そして上記したように、発光装置１０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は第２電極１３０と重なる領域である。第２領域１０４は、第２電極１３０に覆われていないが、絶縁膜１５０と重なる領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第２領域１０４にも形成されている。第３領域１０６は、第２電極１３０に覆われておらず、絶縁膜１５０とも重ならない領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第３領域１０６の少なくとも一部には形成されていない。そして第２領域１０４の幅は、第３領域１０６の幅よりも狭い。また第３領域１０６の幅は第１領域１０２の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。第１領域１０２の幅を１とした場合、第２領域１０４の幅は例えば０以上（又は０超）０．２以下であり、第３領域１０６の幅は例えば０．３以上２以下である。また第１領域１０２の幅は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、第２領域１０４の幅は例えば０μｍ以上（又は０μｍ超）１００μｍ以下であり、第３領域１０６の幅は例えば１５μｍ以上１０００μｍ以下である。
低屈折率層４００は、基板１００の表面に垂直な方向から見て、透光性領域を少なくとも覆うように設けられている。たとえば、低屈折率層４００は隣り合う二つの発光部１４０の間の領域に設けられており、第２領域１０４および第３領域１０６に設けられている。本図の例では、低屈折率層４００は、基板１００の表面に垂直な方向から見て、基板１００の縁（端部）を除いた全体を覆うように設けられている。たとえば基板１００の縁には端子等が設けられていても良い。低屈折率層４００は、隣り合う二つの発光部１４０およびその間の領域を連続して覆うように設けられているとも言える。低屈折率層４００が基板１００の縁を除いた全体を覆うように設けられていることにより、外気や封止のダメージから発光部１４０を保護することができる。また、本実施形態において低屈折率層４００は、発光部１４０と被覆部材２００との間に位置している。すなわち、低屈折率層４００は被覆部材２００とは別途設けられている。また、本図の例では、低屈折率層４００のうちの基板１００側の面は第２電極１３０と接しており、かつ、低屈折率層４００の被覆部材２００側の面は接着層２１０と接している。
低屈折率層４００は、基板１００上を覆っており、光透過性の膜である。低屈折率層４００の材質は特に限定されないが、たとえばＳｉＯｘ、ＭｇＦ２等の無機膜、ＳｉＯｘ、ＭｇＦ２等の微粒子を含有する樹脂、およびフッ素化樹脂等が挙げられる。樹脂材料におけるベース材料は特に限定されないが、アクリル、エポキシ等を用いることができる。低屈折率層４００の形成方法は、特に限定されないが、たとえば蒸着やスパッタリング法等の真空成膜法、ダイコート法やインクジェット法等の塗布法が挙げられる。また、低屈折率層４００の厚さはたとえば１０ｎｍ以上１００μｍ以下である。低屈折率層４００が透明であるため、発光装置１０の光透過性を維持することができる。低屈折率層４００の屈折率ｎＬは基板１００の屈折率ｎＳよりも低ければ特に限定されないが、例えば１以上１．５以下である。
被覆部材２００は、発光部１４０および絶縁膜１５０を覆い、直接、又は接着層２１０を介して発光部１４０に固定されている。被覆部材２００は、例えば封止部材としての機能を有する。そして、被覆部材２００の一の面は発光装置１０の裏面側に露出している。また、被覆部材２００および接着層２１０は光透過性を有する。本図では、被覆部材２００が接着層２１０を介して発光部１４０に固定されている例を示している。被覆部材２００として、例えば、樹脂フィルムやガラスなどを用いることができる。本図の例では、接着層２１０の基板１００に対向する面は低屈折率層４００に接しており、かつ、接着層２１０の基板１００と反対側の面は被覆部材２００に接している。
また、被覆部材２００の縁を接着材で基板１００に固定し、被覆部材２００と基板１００の間に乾燥機能をもつ材料を充填してもよい。
なお、被覆部材２００にはさらにバリア層等が設けられても良い。その場合、被覆部材２００とバリア層を合わせて被覆部材とみなすことができる。
一方、水分バリア性の高い膜を直接発光部１４０の上に成膜することで封止してもよい。封止膜としては、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機バリア膜や、それらを含むバリア積層膜、またはそれらの混合膜を用いることができる。これらは、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの真空成膜法で形成することができる。また、封止膜の上層に樹脂膜を設けておくことで、無機封止膜に傷がつきバリア性が損なわれるのを抑制することができる。このような場合には、無機バリア膜、バリア積層膜、樹脂膜を合わせて被覆部材２００とする。低屈折率層４００は、発光部１４０と被覆部材２００との間に位置している。被覆部材２００は低屈折率層４００に接する。この場合、被覆部材２００の厚さは特に限定されないが、例えば１０ｎｍ以上１ｍｍ以下である。
図３は本実施形態に係る発光装置１０の平面図である。なお、本図では、接着層２１０、被覆部材２００および低屈折率層４００は省略されており、図１は図３のＡ−Ａ断面に対応している。本図に示す例において、複数の発光部１４０は、互いに離間しており、それぞれ基板１００に垂直な方向から見て同一方向に延在している。また、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６は、いずれも線状かつ同一方向に延在している。そして図１および図３に示すように、第２領域１０４、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６が、この順に繰り返し並んでいる。
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁膜１５０を形成する。例えば絶縁膜１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、たとえば真空蒸着法を用いて低屈折率層４００を形成し、さらに被覆部材２００を用いて発光部１４０を封止する。
上述の通り、発光装置１０は、基板１００の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層４００を備える。以下では、低屈折率層４００についてさらに説明する。
図４は、低屈折率層４００の屈折率ｎＬと、裏面漏れ光の抑制率との関係を示す図である。本図の縦軸は低屈折率層４００の屈折率ｎＬであり、横軸は裏面漏れ光の抑制率（％）である。ここで、裏面漏れ光の抑制率は、基板１００と空気との界面で全反射した光に対する、基板１００と低屈折率層４００との界面で全反射させることができる光の割合であり、以下の様に算出することができる。
基板１００側から基板１００と空気との界面に入射する光のうち、入射角θ［ｒａｄ］がθｃ１≦θ＜π／２の範囲にある光が全反射する。そして、入射角θ［ｒａｄ］がθｃ２≦θ＜π／２の範囲にある光はさらに基板１００と低屈折率層４００との界面で全反射する。なお、θｃ１＜θｃ２である。したがって、基板１００と空気との界面で全反射する光に対する、基板１００と低屈折率層４００との界面で全反射する光の割合は、角度の比率において、（π／２−θｃ２）／（π／２−θｃ１）で表される。
上述の通り、θｃ１＝ａｒｃｓｉｎ（１／ｎＳ）およびθｃ２＝ａｒｃｓｉｎ（ｎＬ／ｎＳ）が成り立ち、本図は、基板１００の屈折率ｎＳを１．６とした場合の関係を示している。
低屈折率層４００の屈折率ｎＬは、上述の様に基板１００の屈折率ｎＳよりも低ければよく、特に限定されないが、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（３θｃ１／１０＋７π／２０）が成り立つことが好ましく、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（θｃ１／２＋π／４）が成り立つことがより好ましく、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（７θｃ１／１０＋３π／２０）が成り立つことがさらに好ましい。本図に示す様に、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（３θｃ１／１０＋７π／２０）が成り立てば、基板１００の表側で全反射する光のうち、３０％以上を低屈折率層４００で反射させることができる。また、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（θｃ１／２＋π／４）が成り立てば、基板１００の表側で全反射する光のうち、５０％以上を低屈折率層４００で反射させることができる。そして、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（７θｃ１／１０＋３π／２０）が成り立てば、基板１００の表側で全反射する光のうち、７０％以上を低屈折率層４００で反射させることができる。
以上、本実施形態によれば、発光装置１０は、基板１００の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層４００を備える。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
なお、基板１００は複数の層から構成されている場合がある。例えば、基板にはバリア層が形成される場合がある。バリア層の一例として、無機バリア層と樹脂層の積層構造があげられる。また、基板１００の少なくとも一面に反射防止膜等の光学フィルムを設けても良い。この場合、バリア層や光学フィルム等の複数の層を含んで基板１００と定義することができる。このように、基板１００が複数の層から構成される場合でも、屈折率ｎＳの層の中でθ＞ａｒｃｓｉｎ（１／ｎＳ）の角度θをもつ光が空気界面で全反射することは変わらない。なおここで、θは、当該層と他の層（おもて面側）との界面での光の入射角を示す。また、どの層に関しても同様に上述の理論が成り立つ。したがって、屈折率ｎＳとしてはどの層の屈折率を用いても構わない。最も厚い層の屈折率を用いてもよいし、最表層の屈折率を用いてもよいし、最も高い屈折率をｎＳとしてもよい。すなわち、少なくとも一つの層の屈折率が基板１００の屈折率ｎＳよりも低ければよく、少なくとも一つの層の屈折率をｎＳとしてｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（３θｃ１／１０＋７π／２０）が成り立つことが好ましく、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（θｃ１／２＋π／４）が成り立つことがより好ましく、ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（７θｃ１／１０＋３π／２０）が成り立つことがさらに好ましい。中でも、最も低い屈折率をｎＳとして上記の関係が満たされる場合に、より高い効果が得られる。
（実施例１）
図５は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、発光部１４０と低屈折率層４００の間に保護層１６２が設けられている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。以下に詳しく説明する。
保護層１６２は、基板１００の表面に垂直な方向から見て、少なくとも発光部１４０を覆っている。本図の例では、保護層１６２は基板１００の縁を除いた全体を覆うように設けられている。また、本図の例では保護層１６２の基板１００に対向する面は第２電極１３０に接しており、かつ、保護層１６２の基板１００と反対側の面は低屈折率層４００に接している。保護層１６２は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成される。また、保護層１６２の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
保護層１６２は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成される。この場合、保護層１６２の段差被覆性は高くなる。またこの場合、保護層１６２は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、保護層１６２は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
ただし、保護層１６２は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、保護層１６２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
なお、発光部１４０と低屈折率層４００との間には、保護層１６２以外の層がさらに設けられていても良いし、保護層１６２の代わりに他の層がさらに設けられていても良い。また、保護層１６２は低屈折率層４００と被覆部材２００との間に設けられていても良いし、低屈折率層４００と被覆部材２００との間には他の層がさらに設けられていても良い。
以上、本実施例によれば、実施形態と同様、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。さらに、保護層１６２としてバリア性の高い膜を形成することで、水分やガス、低屈折率層４００や被覆部材２００等の形成プロセスによるダメージから、発光部１４０を保護することができる。ひいては、発光装置１０の製造プロセスの自由度を上げることができる。
（実施例２）
図６は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、低屈折率層４００が第１電極１１０の縁を覆うように設けられている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様である。以下に詳しく説明する。
本実施例に係る発光装置１０は、低屈折率層４００が実施形態の絶縁膜１５０の機能を兼ねている。低屈折率層４００は、基板１００の表面に垂直な方向から見て、発光部１４０が形成されていない領域のみを覆っている。また、低屈折率層４００は、基板１００の表面に垂直な方向から見て、発光部１４０が形成されていない領域全体を覆っている。そして、低屈折率層４００は、発光部１４０を画定している。本図の例では低屈折率層４００は、基板１００に対向する面において基板１００および第１電極１１０に接し、かつ、基板１００と反対側の面において有機層１２０に接している。また、本図では発光部１４０を覆う保護層１６２が設けられている例を示しているが、保護層１６２は省略しても良い。
本実施例に係る発光装置１０では、隣り合う二つの第１領域１０２の間の領域が第３領域１０６であり、第１領域１０２と第３領域１０６とが交互に設けられている。
本実施例において低屈折率層４００は例えばフッ素系樹脂からなる。その他、低屈折率層４００としてはＳｉＯｘ、ＭｇＦ２などの低屈折粒子を含有する樹脂を用いてもよい。ベースとなる樹脂の種類は特に限定されないが、ポリイミド、アクリル、エポキシなどを用いることができる。また、本実施例おいて低屈折率層４００の厚さは、例えば１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。本実施例に係る低屈折率層４００は、第１電極１１０を形成した後、有機層１２０を形成する前に例えば塗布法により形成される。例えば低屈折率層４００が感光性の樹脂で形成されている場合、低屈折率層４００は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。
以上、本実施例によれば、実施形態と同様、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。くわえて、本実施例によれば、低屈折率層４００で第１電極１１０の縁が覆われている。したがって、低屈折率層４００が絶縁膜１５０の機能を兼ねることができ、絶縁膜１５０と低屈折率層４００を別々の工程で形成する必要が無い。
また、基板１００上に実施形態のような絶縁膜１５０を設ける場合には、絶縁膜１５０が基板１００と接合するエッジ部分で生じる剥離を抑制するため、接合部に第１電極１１０と同じ材質の膜を細線状にパターニングして設ける場合がある。それに対し、本実施例では低屈折率層４００は発光部１４０と重なる領域以外の全面に設けられているため基板１００から剥離しにくい。よって、そのような細線のパターンを設ける必要が無い。
（実施例３）
図７は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、低屈折率層４００が接着層２１０である。すなわち、接着層２１０が低屈折率層４００を兼ねている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様である。以下に詳しく説明する。
本実施例では、屈折率が基板１００の屈折率ｎＳよりも低い材料で接着層２１０を形成する。本実施例において、低屈折率層４００は、基板１００の縁を除いた全体を覆うように設けられている。また、本図の例では低屈折率層４００の基板１００に対向する面は保護層１６２に接しており、かつ、低屈折率層４００の基板１００と反対側の面は被覆部材２００に接している。なお、本図では発光部１４０を覆う保護層１６２が設けられている例を示しているが、保護層は、複数層を積層した構造でも構わないし、省略しても良い。保護層１６２を省略する場合、低屈折率層４００の基板１００側の面は基板１００および第２電極１３０に接するよう設けられる。
本実施例において低屈折率層４００は、例えばＳｉＯｘ、ＭｇＦ２などの低屈折粒子を含有する接着剤からなる。ベースとなる接着剤としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができるが、これに限られない。また、低屈折率層４００の厚さは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下である。
以上、本実施例によれば、実施形態と同様、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。くわえて、本実施例によれば、接着層２１０が低屈折率層４００を兼ねている。したがって、低屈折率層４００のために製造の工程を増やす必要が無い。
（実施例４）
実施例４に係る発光装置１０について以下に説明する。本実施例に係る発光装置１０は被覆部材２００が低屈折率層４００である、すなわち被覆部材２００が低屈折率層４００を兼ねている点を除いて実施例１に係る発光装置１０と同様である。本実施例に係る発光装置１０は、図７と同様の断面図で説明することができる。ただし、接着層２１０は低屈折率層４００ではなくてよい。
本実施例では、屈折率が基板１００の屈折率ｎＳよりも低い材料で被覆部材２００を形成する。本実施例において、低屈折率層４００は、基板１００の縁を除いた全体を覆うように設けられている。
被覆部材２００が接着層２１０を介して発光部１４０に固定されている場合、低屈折率層４００は、例えば、ＳｉＯｘ、ＭｇＦ２などの低屈折粒子を含有する樹脂や、フッ素系樹脂からなる。ベースとなる樹脂は特に限定されないが、ＰＥＮ、ＰＥＴなどを用いることができる。また、低屈折率層４００の厚さは特に限定されないが、たとえば１０μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。低屈折率層４００は一方の面が接着層２１０に接し、他方の面が発光装置１０の裏側に露出している。なお、低屈折率層４００（被覆部材２００）の少なくとも一方の面には、上述の通りさらにバリア層等が設けられても良い。
一方、接着層２１０を設けずに、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などからなる保護層１６２上に、低屈折率層４００としての被覆部材２００を設けてもよい。この場合、屈折率層４００は、保護層１６２に対して接着層２１０を介さず固定される。低屈折率層４００は、例えばＳｉＯｘ、ＭｇＦ２などの低屈折粒子を含有する樹脂や、フッ素系樹脂からなる。低屈折率層４００は無機封止膜（保護層１６２）に傷がつきバリア性が損なわれるのを抑制する機能も兼ねる。この場合、低屈折率層４００の厚さは特に限定されないが、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
なお、本実施例に係る発光装置１０には実施例１のように発光部１４０を覆う保護層１６２が設けられていても良いし、保護層１６２は省略されていても良い。
以上、本実施例によれば、実施形態と同様、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。くわえて、本実施例によれば、被覆部材２００が低屈折率層４００を兼ねている。したがって、低屈折率層４００のために製造の工程を増やす必要が無い。
（実施例５）
図８は、実施例５に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、低屈折率層４００が設けられている位置を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。図８では、低屈折率層４００が接着層２１０と被覆部材２００との間に設けられている例を示しているが、低屈折率層４００は被覆部材２００の反対側の面に設けられていてもよい。以下に詳しく説明する。
本実施例では、屈折率が基板１００の屈折率ｎＳよりも低い低屈折率層４００を、被覆部材２００に形成する。低屈折率層４００は、水分・ガスに対してバリア性を有していてもよいし、有していなくてもよい。ただし、バリア性を持たない場合には、別途バリア層が積層されていることが好ましい。本実施例において、低屈折率層４００は、基板１００の縁を除いた全体を覆うように設けられている。また、本図の例では低屈折率層４００の基板１００に対向する面は接着層２１０に接しており、かつ、低屈折率層４００の基板１００と反対側の面は被覆部材２００に接している。本実施例において低屈折率層４００は、例えばＳｉＯｘ、ＭｇＦ２等の無機膜、ＳｉＯｘ、ＭｇＦ２等の微粒子を含有する樹脂、およびフッ素系樹脂等からなる。また、低屈折率層４００の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００μｍ以下である。
本実施例に係る発光装置１０の製造方法は、第２電極１３０を形成する工程までは実施形態に係る発光装置１０の製造方法と同じである。本実施例の方法においては、別途、被覆部材２００の少なくともどちらか一面に低屈折率層４００を例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの真空成膜法により成膜しておく。低屈折率層４００がバリア層を兼ねていても構わない。そして、被覆部材２００を接着層２１０で貼り付ける。
なお、本実施例において、実施例１のように、発光部１４０と接着層２１０との間にさらに保護層１６２が設けられていても良い。
以上、本実施例によれば、実施形態と同様、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。くわえて、本実施例によれば、低屈折率層４００が被覆部材２００に積層して設けられている。すなわち、低屈折率層４００を被覆部材２００に積層した上で、発光部１４０上に固定することができる。したがって、発光装置１０を構成する材料や製造プロセスの自由度が高い。
（実施例６）
図９は、実施例６に係る発光システムの構成例を示す断面図である。この発光システムは、上述した発光装置１０及び仕切部材２０を有している。具体的には、発光システムは、透光性の仕切部材２０、透光性の基板１００、複数の発光部１４０、透光性領域、被覆部材２００、および低屈折率層４００を備える。仕切部材２０は、空間を外部から仕切る。基板１００は、仕切部材２０に配置されている。発光部１４０は、基板１００の第１面Ｓ１に形成されている。また、発光部１４０は、透光性の第１電極１１０、光反射性の第２電極１３０および、第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置する有機層１２０を有する。透光性領域は、複数の発光部１４０の間に位置する。被覆部材２００は、発光部１４０を覆っている。低屈折率層４００は、基板１００の第１面Ｓ１側に位置しており、基板１００の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する。以下に詳しく説明する。
仕切部材２０は透光性を有しており、空間を外部から仕切っている。この空間は、例えば人が滞在する空間、又は商品等のものが配置されている空間である。発光装置１０は、上記した実施形態、実施例１から実施例５のいずれかと同様の構成を有している。本図に示す例において、基板１００のうち発光部１４０が設けられている側の面（第１面１００ａ）は、人が滞在する空間を向いている。
仕切部材２０は、例えば人が移動するための移動体３０の窓、又はショーケースの窓であり、ガラス又は透光性の樹脂を用いて形成されている。移動体３０は、例えば自動車、列車、又は飛行機である。移動体３０が自動車の場合、仕切部材２０はフロントガラス、リアガラス、又は座席の横に取り付けられた窓ガラス（例えばドアガラス）である。仕切部材２０がリアガラスの場合、複数の発光部１４０は例えばブレーキランプとして機能する。また、仕切部材２０がフロントガラス又はリアガラスの場合、複数の発光部１４０はターンランプであってもよい。また、仕切部材２０は、会議室などの部屋の内部と外部を仕切る窓であってもよい。発光部１４０の点灯／非点灯により、会議室を利用しているか否かを識別できる発光システムでも良い。
そして、発光装置１０の第２面１００ｂは、接着層３００を介して仕切部材２０の内面（第１面２２）に固定されている。ここで、第２面１００ｂは、第１面１００ａとは反対側の面であり、光取出側の面である。このため、発光装置１０の発光部１４０から放射された光は、仕切部材２０を介して上記した空間（例えば移動体３０）の外部に放射される。一方、発光装置１０は光透過性を有している。このため、人は、仕切部材２０を介して空間の外部や内部を視認することができる。例えば移動体３０の内側に位置する人は、仕切部材２０を介して移動体３０の外部を視認することができる。
接着層３００は発光装置１０を仕切部材２０に固定している。このような機能を果たす材料であれば、接着層３００の材料はとくに限定はされない。本実施例において、基板１００の第２面１００ｂの一部（例えば互いに対向する２辺）が、接着層３００を介して仕切部材２０の第１面２２に固定されている。したがって、基板１００と第１面２２との間にはエアギャップが形成されている。この様な場合でも、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
図１０は、実施例６に係る発光システムの他の構成例を示す断面図である。本図に示す様に、基板１００の第２面１００ｂの全面が接着層３００を介して仕切部材２０の第１面２２に固定されていてもよい。ここで、例えば仕切部材２０と基板１００がともにガラスで形成された場合など、仕切部材２０の屈折率と発光装置１０の基板１００の屈折率がほぼ同じ場合は、接着層３００には、両者と同じか近い屈折率を有する材料を用いる。また、仕切部材２０と基板１００とで屈折率とが異なる（例えば、仕切部材２０がプラスチックで形成され、基板１００がガラスで形成される）場合は、接着層３００の屈折率は仕切部材２０の屈折率と基板１００の屈折率の間の数値が好ましい。このようにすると、発光装置１０の発光を、仕切部材２０を介して外部へ効率よく光取り出しができる。本図の例においても、実施形態と同様に、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
（実施例７）
図１１は、実施例７に係る発光システムの構成例を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、発光装置１０が仕切部材２０のうち移動体３０の外側の面（第２面２４）に取り付けられている点を除いて、実施例６に係る発光システムと同様の構成である。
本実施例に係る発光装置１０は、上記した実施形態、実施例１から実施例５のいずれかと同じ構成を有している。ただし、発光装置１０は、仕切部材２０とは逆側の面が光取出面となっている。このようにするためには、発光装置１０の第１面１００ａ側の面を仕切部材２０に対向させればよい。
本実施例によっても、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
また、発光装置１０からの光は仕切部材２０を介さずに直接移動体３０の外部に放射される。このため、実施例６と比較して、移動体３０の外部にいる人は発光装置１０からの光を認識しやすい。また、移動体３０の外部すなわち仕切部材の２０の第２面２４側に発光装置１０を取り付けているので、発光装置１０の発光が仕切部材２０で反射して移動体３０の内部へ入ることを抑制できる。
（実施例８）
図１２は、実施例８に係る発光システムの構成例を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、固定部材３１０を用いて発光装置１０を仕切部材２０に固定している点を除いて、実施例６に係る発光システムと同様の構成である。
固定部材３１０は枠状の部材であり、下面が接着層３００を用いて仕切部材２０に固定されている。固定部材３１０の上部は固定部材３１０の内側に向けて折れ曲がっており、この折れ曲がっている部分で発光装置１０の縁を押さえている。ただし、固定部材３１０の形状は本図に示す例に限定されない。
本実施例において、発光装置１０の第２面１００ｂには、基板１００に垂直な方向から見て発光部１４０を囲むように凸部１０１が設けられている。したがって、基板に垂直な方向から見て１４０と重なる領域において、基板１００と第１面２２との間にはエアギャップが形成されている。凸部１０１はたとえば樹脂材料により形成される。ただし、発光装置１０に凸部１０１が設けられておらず、エアギャップが形成されていなくてもよい。この様な場合でも、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
図１３は、実施例８に係る発光システムの他の構成例を示す断面図である。本図に示すように、移動体３０の外側に向けて凸になる方向に仕切部材２０が湾曲している場合がある。このような場合において、平板上の発光装置１０を仕切部材２０の内面（第１面２２）に直接固定することは難しい。しかし、固定部材３１０を用いると、このような場合でも発光装置１０を仕切部材２０の第１面２２に固定することができる。なお、基板１００には、図１２に示した凸部１０１が設けられていても良いし、設けられていなくても良い。
本実施例においても、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
（実施例９）
図１４は、実施例９に係る発光システムの構成例を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、仕切部材２０に複数の発光装置１０が取り付けられている点を除いて、上記した実施例６〜８のいずれかと同様の構成である。なお、図１４では、図１２に対応する例を簡略化して示している。複数の発光装置１０は、互いに同一の制御信号に従って発光及び消灯が制御されていてもよいし、互いに異なる制御信号に従って発光及び消灯が制御されていてもよい。
本実施例によっても、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
（実施例１０）
図１５は、実施例１０に係る発光システムの構成例を示す断面図である。本実施例に係る発光システムは、仕切部材２０の構成及び発光装置１０の位置を除いて、実施例６に係る発光システムと同様の構成である。
本実施例において、仕切部材２０は、複数枚の透光部材２１（例えばガラス板や樹脂板）を重ねた構成を有している。そして、発光装置１０は、隣り合う透光部材２１の間に挟まれることにより、仕切部材２０に取り付けられている。
本実施例において、発光装置１０の第２面１００ｂには、基板１００に垂直な方向から見て発光部１４０を囲むように凸部１０１が設けられている。したがって、基板に垂直な方向から見て発光部１４０と重なる領域において、基板１００と透光部材２１の基板１００に対向する面２１１との間にはエアギャップが形成されている。ただし、発光装置１０に凸部１０１が設けられておらず、エアギャップが形成されていなくてもよい。
本実施例においても、発光装置１０が低屈折率層４００を備えることにより、裏面漏れ光を低減することができる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 透光性の基板と、
前記基板の第１面に形成され、透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する透光性領域と、
前記発光部を覆う被覆部材と、
前記基板の前記第１面側に位置しており、前記基板の屈折率ｎ Ｓ よりも低い屈折率ｎ Ｌ を有する低屈折率層と、
を備える発光装置。
２． １．に記載の発光装置において、
θ ｃ１ ＝ａｒｃｓｉｎ（１／ｎ Ｓ ）としたとき、
ｎ Ｌ ＜ｎ Ｓ ×ｓｉｎ（３θ ｃ１ ／１０＋７π／２０）が成り立つ発光装置。
３． ２．に記載の発光装置において、
ｎ Ｌ ＜ｎ Ｓ ×ｓｉｎ（θ ｃ１ ／２＋π／４）が成り立つ発光装置。
４． ３．に記載の発光装置において、
ｎ Ｌ ＜ｎ Ｓ ×ｓｉｎ（７θ ｃ１ ／１０＋３π／２０）が成り立つ発光装置。
５． １．〜４．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記複数の発光部は、互いに離間しており、それぞれ前記基板に垂直な方向から見て同一方向に延在している発光装置。
６． １．〜５．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記低屈折率層は、前記基板の表面に垂直な方向から見て、前記透光性領域を少なくとも覆うように設けられている発光装置。
７． ６．に記載の発光装置において、
前記低屈折率層は、前記基板の表面に垂直な方向から見て、前記基板の縁を除いた全体を覆うように設けられている発光装置。
８． １．〜６．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記低屈折率層は、前記第１電極の縁を覆うように設けられている発光装置。
９． １．〜７．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記被覆部材は前記低屈折率層である発光装置。
１０． １．〜７．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記低屈折率層は、前記発光部と前記被覆部材との間に位置する発光装置。
１１． １０．に記載の発光装置において、
前記低屈折率層は、接着層である発光装置。
１２． １０．に記載の発光装置において、
前記低屈折率層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下である発光装置。
１３． 空間を外部から仕切る透光性の仕切部材と、
前記仕切部材に配置された透光性の基板と、
前記基板の第１面に形成され、透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する透光性領域と、
前記発光部を覆う被覆部材と、
前記基板の前記第１面側に位置しており、前記基板の屈折率ｎ Ｓ よりも低い屈折率ｎ Ｌ を有する低屈折率層と、
を備える発光システム。

Claims (13)

  1. 透光性の基板と、
    前記基板の第１面に形成され、透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する透光性領域と、
    前記基板の前記第１面側に位置しており、前記基板の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層と、
    を備え、
    前記低屈折率層は、前記基板に垂直な方向から見て、隣り合う二つの前記発光部の少なくとも一部およびその間の前記透光性領域を連続して覆うように設けられている発光装置。
  2. 請求項１に記載の発光装置において、
    θｃ１＝ａｒｃｓｉｎ（１／ｎＳ）としたとき、
    ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（３θｃ１／１０＋７π／２０）が成り立つ発光装置。
  3. 請求項２に記載の発光装置において、
    ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（θｃ１／２＋π／４）が成り立つ発光装置。
  4. 請求項３に記載の発光装置において、
    ｎＬ＜ｎＳ×ｓｉｎ（７θｃ１／１０＋３π／２０）が成り立つ発光装置。
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記複数の発光部は、互いに離間しており、それぞれ前記基板に垂直な方向から見て同一方向に延在している発光装置。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記低屈折率層は、前記基板の表面に垂直な方向から見て、前記透光性領域を少なくとも覆うように設けられている発光装置。
  7. 請求項６に記載の発光装置において、
    前記低屈折率層は、前記基板の表面に垂直な方向から見て、前記基板の縁を除いた全体を覆うように設けられている発光装置。
  8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記低屈折率層は、前記第１電極の縁を覆うように設けられている発光装置。
  9. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記発光部を覆う被覆部材をさらに備え、
    前記被覆部材は前記低屈折率層である発光装置。
  10. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記発光部を覆う被覆部材をさらに備え、
    前記低屈折率層は、前記発光部と前記被覆部材との間に位置する発光装置。
  11. 請求項１０に記載の発光装置において、
    前記低屈折率層は、接着層である発光装置。
  12. 請求項１０に記載の発光装置において、
    前記低屈折率層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下である発光装置。
  13. 空間を外部から仕切る透光性の仕切部材と、
    前記仕切部材に配置された透光性の基板と、
    前記基板の第１面に形成され、透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、
    前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する透光性領域と、
    前記基板の前記第１面側に位置しており、前記基板の屈折率ｎＳよりも低い屈折率ｎＬを有する低屈折率層と、
    を備え、
    前記低屈折率層は、前記基板に垂直な方向から見て、隣り合う二つの前記発光部の少なくとも一部およびその間の前記透光性領域を連続して覆うように設けられている発光システム。
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