JP6685445B2 - Substrate aligning apparatus, substrate processing apparatus, substrate aligning method, substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、複数の基板を間隔をあけて整列させた状態で処理する際に用いられる基板整列装置、基板処理装置、基板整列方法、基板処理方法に関するものである。
The present invention relates to a substrate alignment apparatus, a substrate processing apparatus, a substrate alignment method, and a substrate processing method used when processing a plurality of substrates in a state of being aligned with a space therebetween.

半導体部品などを製造する際には、基板処理装置を用いて半導体ウエハやガラス基板などの基板に対してエッチングや洗浄などの各種処理を施す。   When manufacturing semiconductor components and the like, a substrate processing apparatus is used to perform various processes such as etching and cleaning on substrates such as semiconductor wafers and glass substrates.

基板処理装置では、複数枚の基板を間隔をあけて整列させた状態で、搬送や液処理などが行われる。   In the substrate processing apparatus, transportation and liquid processing are performed in a state where a plurality of substrates are aligned at intervals.

たとえば、特許文献1に開示された基板処理装置には、基板がキャリアに収容されて搬送される。キャリアには、複数枚(たとえば、25枚)の基板が上下に間隔をあけて水平に収容される。基板処理装置では、搬送装置を用いてキャリアに収容された複数枚の基板を2回に分けて受け取るとともに載置台に受け渡す。これにより、載置台では、2回に分けて受け取った複数枚の基板(たとえば、50枚)によって一括処理するロットが形成される。また、基板処理装置では、搬送装置を用いてロットを形成する複数枚の基板を液処理装置に搬送する。液処理装置で一括処理された基板は、搬送装置を用いて液処理装置から載置台を介してキャリアに収容される。   For example, in the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, a substrate is housed in a carrier and conveyed. A plurality of (for example, 25) substrates are accommodated horizontally in the carrier with an interval vertically provided. In the substrate processing apparatus, a plurality of substrates housed in a carrier are received by a transfer device in two batches and are transferred to a mounting table. As a result, on the mounting table, a lot for batch processing is formed by a plurality of substrates (for example, 50 substrates) received in two batches. Further, in the substrate processing apparatus, a plurality of substrates forming a lot are transferred to the liquid processing apparatus using the transfer device. The substrates collectively processed by the liquid processing apparatus are stored in the carrier from the liquid processing apparatus via the mounting table using the transfer device.

上記基板処理装置の搬送装置には、基板を1枚ずつ支持するための基板支持体が複数枚の基板と同様に間隔をあけて配列される。搬送装置では、間隔をあけて整列された複数枚の基板の間に各基板支持体を挿入し、複数の基板支持体で複数枚の基板を同時に搬送(受け取り、受け渡し)する。   In the transfer device of the substrate processing apparatus, the substrate supports for supporting the substrates one by one are arranged at intervals like the plurality of substrates. In the transfer device, each substrate support is inserted between a plurality of substrates arranged at intervals, and the plurality of substrates are simultaneously transferred (received and delivered) by the plurality of substrate supports.

特開2015−56631号公報JP, 2005-56631, A

ところが、基板処理装置で処理される基板は、各種処理の過程で平坦な状態から部分的に反り上がったり反り下がったりする状態に変形することがある。   However, the substrate processed by the substrate processing apparatus may be deformed from a flat state to a state where the substrate is partially warped or warped down in the course of various treatments.

このように反った状態の基板を配置させると、基板支持体で基板を受け取る際に基板と基板支持体とが接触してしまい、基板を良好に受け取ることができないおそれがある。   If the substrate in such a warped state is arranged, the substrate and the substrate support may come into contact with each other when the substrate is received by the substrate support, and the substrate may not be properly received.

そこで、本発明では、複数の基板を整列させる基板整列装置又は基板整列方法であって、基板を回転させて基準となる位置を揃え、予め測定された基板の変形状態に基づき、前記基板の外周端に沿って部分的に反り上がった位置及び反り下がった位置とは異なる位置で基板受取装置が前記基板を受け取れるように、前記基準となる位置を揃えて前記複数の基板を整列させることにした。
Therefore, in the present invention, there is provided a substrate aligning apparatus or a substrate aligning method for aligning a plurality of substrates, wherein the substrates are rotated to align a reference position, and the outer circumference of the substrate is determined based on a deformation state of the substrate measured in advance. The plurality of substrates are aligned by aligning the reference positions so that the substrate receiving device can receive the substrate at a position different from the position where the substrate is partially warped and the position where the substrate is warped downward. ..

また、本発明では、前記基準となる位置は、前記基板のノッチの位置であることにした。
Further, in the present invention, the reference position is the position of the notch of the substrate.

また、本発明では、前記基板配列装置又は基板整列方法により整列された複数の基板を一括して処理することにした。
In the present invention, a plurality of substrates arranged by the substrate arranging device or the substrate arranging method are collectively processed.

本発明によれば、基板に反りが生じていても、基板を基板支持体で良好に受け取ることができ、基板を良好に処理することができる。   According to the present invention, even if the substrate is warped, the substrate can be favorably received by the substrate support, and the substrate can be favorably processed.

基板処理システムを示す平面説明図。Plane explanatory drawing which shows a substrate processing system. 基板処理を示す説明図。Explanatory drawing which shows a board | substrate process. 基板の受け取りを示す平面説明図(a)、側面説明図(b)。The plane explanatory view (a) showing the receipt of a substrate, and the side explanatory view (b). 基板の反り状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the warp state of a board | substrate. 基板の反り状態の測定結果を示す説明図。Explanatory drawing which shows the measurement result of the curvature state of a board | substrate. 基板の受け取りを示す平面説明図。The plane explanatory view showing receipt of a substrate.

以下に、本発明に係る基板処理システムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, a specific configuration of the substrate processing system according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に示すように、基板処理システム1は、キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6、制御部7を有する。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carrier loading / unloading unit 2, a lot forming unit 3, a lot placing unit 4, a lot transporting unit 5, a lot processing unit 6, and a control unit 7.

キャリア搬入出部2は、複数枚(たとえば、25枚)の基板(シリコンウエハ)8を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア9の搬入及び搬出を行う。   The carrier loading / unloading unit 2 loads and unloads a carrier 9 in which a plurality of (for example, 25) substrates (silicon wafers) 8 are vertically arranged in a horizontal posture.

このキャリア搬入出部2には、複数個のキャリア9を載置するキャリアステージ10と、キャリア9の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア9を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア9を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板8をロット処理部6で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板8をロット処理部6で処理した後に一時的に保管する。   In the carrier loading / unloading section 2, a carrier stage 10 on which a plurality of carriers 9 are placed, a carrier carrying mechanism 11 for carrying the carriers 9, carrier stocks 12, 13 for temporarily storing the carriers 9, A carrier mounting table 14 on which the carrier 9 is mounted is provided. Here, the carrier stock 12 is temporarily stored before the substrate 8 to be a product is processed by the lot processing unit 6. In addition, the carrier stock 13 is temporarily stored after the substrate 8 to be a product is processed by the lot processing unit 6.

そして、キャリア搬入出部2は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア9をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部2は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア9は、外部へ搬出される。   Then, the carrier loading / unloading unit 2 carries the carrier 9 carried into the carrier stage 10 from the outside to the carrier stock 12 or the carrier mounting table 14 by using the carrier carrying mechanism 11. Further, the carrier loading / unloading section 2 carries the carrier 9 placed on the carrier placing table 14 to the carrier stock 13 or the carrier stage 10 by using the carrier carrying mechanism 11. The carrier 9 carried to the carrier stage 10 is carried out to the outside.

ロット形成部3は、1又は複数のキャリア9に収容された基板8を組合せて同時に処理される複数枚(たとえば、50枚)の基板8からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板8の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板8の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。   The lot forming unit 3 combines the substrates 8 accommodated in one or a plurality of carriers 9 to form a lot composed of a plurality of (for example, 50) substrates 8 to be simultaneously processed. When forming a lot, the lot may be formed so that the surfaces of the substrate 8 on which the pattern is formed face each other, and the surface of the substrate 8 on which the pattern is formed may be The lots may be formed so that they all face one side.

このロット形成部3には、複数枚の基板8を搬送する基板搬送機構15と、基板8を回転させて基準となる位置(たとえば、ノッチの位置)を揃えて整列させるウエハアライナー16とが設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板8の搬送途中で基板8の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。   The lot forming unit 3 is provided with a substrate transfer mechanism 15 that transfers a plurality of substrates 8 and a wafer aligner 16 that rotates the substrates 8 to align and align reference positions (for example, notch positions). Has been. The substrate transport mechanism 15 can change the posture of the substrate 8 from the horizontal posture to the vertical posture and from the vertical posture to the horizontal posture during the transportation of the substrate 8.

そして、ロット形成部3は、基板搬送機構15を用いて基板8をキャリア載置台14に載置されたキャリア9からロット載置部4に搬送し、ロット載置部4で一括して処理するロットを形成する。また、ロット形成部3は、基板搬送機構15を用いてロット載置部4に載置されたロットを形成する基板8をキャリア載置台14に載置されたキャリア9へ搬送する。ロット形成部3では、必要に応じて基板8をキャリア載置台14からロット載置部4に搬送する途中においてウエハアライナー16を用いて基板8を整列させる。なお、基板搬送機構15は、たとえば、複数枚の基板8を支持するための基板支持部として、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)の基板8を支持する処理前基板支持部と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)の基板8を支持する処理後基板支持部の2種類を有している。これにより、処理前の基板8等に付着したパーティクル等が処理後の基板8等に転着するのを防止する。また、基板搬送機構15は、これに限られることはなく、1種類の基板支持部で処理前の基板8と処理後の基板8を支持するものであってもよい。   Then, the lot forming unit 3 conveys the substrate 8 from the carrier 9 placed on the carrier placing table 14 to the lot placing unit 4 by using the substrate carrying mechanism 15, and the lot placing unit 4 collectively processes the substrate 8. Form a lot. Further, the lot forming section 3 uses the substrate transfer mechanism 15 to transfer the substrate 8 forming the lot placed on the lot placing section 4 to the carrier 9 placed on the carrier placing table 14. In the lot forming unit 3, the substrates 8 are aligned by using the wafer aligner 16 during the transportation of the substrates 8 from the carrier mounting table 14 to the lot mounting unit 4 as needed. The substrate transfer mechanism 15 may be, for example, a pre-process substrate support unit that supports the pre-process substrate 8 (before being transferred by the lot transfer unit 5) as a substrate support unit that supports a plurality of substrates 8. There are two types of post-processing substrate support portions that support the substrate 8 after processing (after being transported by the lot transport portion 5). This prevents particles and the like attached to the unprocessed substrate 8 and the like from transferring to the processed substrate 8 and the like. Further, the substrate transport mechanism 15 is not limited to this, and one type of substrate supporting unit may support the unprocessed substrate 8 and the processed substrate 8.

ロット載置部4は、ロット搬送部5によってロット形成部3とロット処理部6との間で搬送されるロットを一時的に載置(待機)する。   The lot placement unit 4 temporarily places (standby) the lot transported by the lot transport unit 5 between the lot formation unit 3 and the lot processing unit 6.

このロット載置部4には、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて載置される。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18では、ロットを形成する複数枚の基板8がキャリア9に収容された状態の半分の間隔で載置される。   Into the lot placing section 4, there are a loading side lot placing table 17 on which a lot before processing (before being conveyed by the lot conveying section 5) and a post-processing (after being conveyed by the lot conveying section 5). An unloading side lot placing table 18 on which lots are placed is provided. On the loading-side lot loading table 17 and the unloading-side lot loading table 18, a plurality of substrates 8 for one lot are placed side by side in a vertical posture. On the loading-side lot placing table 17 and the unloading-side lot placing table 18, a plurality of substrates 8 forming a lot are placed at a half interval of the state of being accommodated in the carrier 9.

そして、ロット載置部4では、ロット形成部3で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部5を介してロット処理部6に搬入される。また、ロット載置部4では、ロット処理部6からロット搬送部5を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部3に搬送される。   Then, in the lot placement unit 4, the lot formed by the lot formation unit 3 is placed on the loading-side lot placement table 17, and the lot is loaded into the lot processing unit 6 via the lot transport unit 5. Further, in the lot placing section 4, the lot carried out from the lot processing section 6 via the lot carrying section 5 is placed on the carry-out side lot placing table 18, and the lot is carried to the lot forming section 3.

ロット搬送部5は、ロット載置部4とロット処理部6との間やロット処理部6の内部間でロットの搬送を行う。   The lot transfer unit 5 transfers a lot between the lot placement unit 4 and the lot processing unit 6 or between the lot processing units 6.

このロット搬送部5には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部4とロット処理部6に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板8を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。   The lot transfer unit 5 is provided with a lot transfer mechanism 19 that transfers a lot. The lot transfer mechanism 19 is composed of a rail 20 arranged along the lot placing section 4 and the lot processing section 6, and a moving body 21 that moves along the rail 20 while holding a plurality of substrates 8. The movable body 21 is provided with a substrate holder 22 that holds a plurality of substrates 8 lined up in front and behind in a vertical posture so as to be movable back and forth.

そして、ロット搬送部5は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部6に受渡す。また、ロット搬送部5は、ロット処理部6で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部5は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部6の内部においてロットの搬送を行う。   Then, the lot transport unit 5 receives the lot placed on the loading-side lot placement table 17 by the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, and delivers the lot to the lot processing unit 6. In addition, the lot transfer unit 5 receives the lot processed by the lot processing unit 6 by the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19 and transfers the lot to the unload-side lot mounting table 18. Further, the lot transfer unit 5 uses the lot transfer mechanism 19 to transfer the lot inside the lot processing unit 6.

ロット処理部6は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を1ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。   The lot processing unit 6 treats a plurality of substrates 8 lined up and down in a vertical posture as one lot for etching, cleaning, and drying.

このロット処理部6には、基板8の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板8の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板8のエッチング処理を行う2台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。   The lot processing unit 6 includes a drying processing device 23 that performs a drying process of the substrate 8, a substrate holding body cleaning processing device 24 that performs a cleaning process of the substrate holding body 22, and a cleaning processing device 25 that performs a cleaning process of the substrate 8. And two etching processing devices 26 for etching the substrate 8 are provided side by side.

乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、乾燥用の処理ガス(IPA(イソプロピルアルコール)等)が供給される。基板昇降機構28には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板8の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。   In the drying processing apparatus 23, a substrate elevating mechanism 28 is provided in a processing tank 27 so as to be vertically movable. A processing gas for drying (IPA (isopropyl alcohol) or the like) is supplied to the processing tank 27. The substrate elevating mechanism 28 holds a plurality of substrates 8 for one lot side by side in a vertical posture. The drying processing device 23 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19 by the substrate elevating mechanism 28, and elevates and lowers the lot by the substrate elevating mechanism 28, thereby using the processing gas for drying supplied to the processing tank 27. The substrate 8 is dried. Further, the drying processing device 23 transfers the lot from the substrate elevating mechanism 28 to the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19.

基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。   The substrate holder cleaning processing apparatus 24 is configured to be capable of supplying a processing liquid for cleaning and a drying gas to the processing tank 29, and after supplying the processing liquid for cleaning to the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19, The substrate holder 22 is cleaned by supplying a dry gas.

洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30,31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液(SC−1等)が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。   The cleaning processing apparatus 25 has a cleaning processing tank 30 and a rinsing processing tank 31, and substrate lifting mechanisms 32 and 33 are provided in the processing tanks 30 and 31 so as to be vertically movable. In the cleaning treatment tank 30, a cleaning treatment liquid (SC-1 etc.) is stored. The rinse treatment bath 31 stores a rinse treatment liquid (pure water or the like).

エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36,37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液(リン酸水溶液)が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。   The etching processing apparatus 26 has a processing tank 34 for etching and a processing tank 35 for rinsing, and substrate elevating mechanisms 36, 37 are provided in the respective processing tanks 34, 35 so as to be vertically movable. A processing liquid for etching (phosphoric acid aqueous solution) is stored in the processing bath for etching 34. A rinsing treatment bath (pure water or the like) is stored in the rinsing treatment tank 35.

これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置26は、同様の構成となっている。エッチング処理装置26について説明すると、基板昇降機構36,37には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板8のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板8のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。   The cleaning processing device 25 and the etching processing device 26 have the same configuration. Explaining the etching processing apparatus 26, a plurality of substrates 8 for one lot are held side by side in a vertical posture side by side in the substrate elevating mechanisms 36, 37. The etching processing apparatus 26 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19 by the substrate elevating mechanism 36, and moves the lot up and down by the substrate elevating mechanism 36 so that the lot is immersed in the processing solution for etching in the processing tank 34. Then, the substrate 8 is etched. After that, the etching processing apparatus 26 transfers the lot from the substrate elevating mechanism 36 to the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19. In addition, the etching processing apparatus 26 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19 by the substrate elevating mechanism 37, and elevates the lot by the substrate elevating mechanism 37 to move the lot to the treatment liquid for rinsing the treatment tank 35. And the substrate 8 is rinsed. After that, the etching processing device 26 transfers the lot from the substrate elevating mechanism 37 to the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19.

制御部7は、基板処理システム1の各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6など)の動作を制御する。   The control unit 7 controls the operation of each unit of the substrate processing system 1 (the carrier loading / unloading unit 2, the lot forming unit 3, the lot placing unit 4, the lot transporting unit 5, the lot processing unit 6, and the like).

この制御部7は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体38を備える。記憶媒体38には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部7は、記憶媒体38に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部7の記憶媒体38にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   The control unit 7 is, for example, a computer, and includes a computer-readable storage medium 38. The storage medium 38 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 7 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage medium 38. The program may be stored in the computer-readable storage medium 38, and may be installed in the storage medium 38 of the control unit 7 from another storage medium. Examples of the computer-readable storage medium 38 include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

基板処理システム1は、以上に説明したように構成しており、以下に説明するように制御部7によって制御されて基板8を処理する。   The substrate processing system 1 is configured as described above, and is controlled by the control unit 7 to process the substrate 8 as described below.

まず、基板処理システム1は、一括して液処理等を行うロットを形成する(ロット形成工程)。   First, the substrate processing system 1 forms a lot for batch liquid processing and the like (lot forming step).

このロット形成工程では、基板処理システム1は、キャリア搬入出部2においてキャリア搬送機構11を用いて複数枚(たとえば、25枚)の基板8が収容されたキャリア9をキャリアステージ10又はキャリアストック12からキャリア載置台14に搬入する(キャリア搬入工程S1)。   In this lot forming process, the substrate processing system 1 uses the carrier transfer mechanism 11 in the carrier loading / unloading unit 2 to load the carrier 9 containing a plurality of (for example, 25) substrates 8 into the carrier stage 10 or the carrier stock 12. The carrier is loaded into the carrier mounting table 14 (carrier loading step S1).

その後、基板処理システム1は、ロット形成部3において基板搬送機構15を用いてキャリア9に収容された複数枚の基板8を受け取り、ウエハアライナー16に搬送する(基板受取工程S2)。   Then, the substrate processing system 1 uses the substrate transfer mechanism 15 in the lot forming section 3 to receive the plurality of substrates 8 accommodated in the carrier 9 and transfer them to the wafer aligner 16 (substrate receiving step S2).

その後、基板処理システム1は、ウエハアライナー16を用いて複数枚の基板8を整列させる(基板整列工程S3)。   After that, the substrate processing system 1 aligns the plurality of substrates 8 using the wafer aligner 16 (substrate aligning step S3).

その後、基板処理システム1は、基板搬送機構15を用いて複数枚の基板8をウエハアライナー16から受け取り、搬入側ロット載置台17に受け渡す(基板受渡工程S4)。   After that, the substrate processing system 1 receives the plurality of substrates 8 from the wafer aligner 16 by using the substrate transfer mechanism 15 and transfers them to the loading-side lot mounting table 17 (substrate transfer step S4).

基板処理システム1は、異なるキャリア9に収容された複数枚(たとえば、25枚)の基板8に対しても上記と同様のキャリア搬入工程S5、基板受取工程S6、基板整列工程S7、基板受渡工程S8を行う。2度目の基板受渡工程S8で受け渡された複数枚の基板8は、一度目の基板受渡工程S4で受け渡された複数枚の基板8の間に挿入される。これにより、ロット載置部4の搬入側ロット載置台17には、2回に分けて搬送された複数枚(たとえば、50枚)の基板8によって一括処理されるロットが形成される。搬入側ロット載置台17では、ロットを形成する複数枚の基板8がキャリア9に収容された状態の半分の間隔で載置される。なお、2回目のキャリア搬入工程S5〜基板受渡工程S8を行わずに1個のキャリア9に収容された基板8でロットを形成してもよく、キャリア搬入工程S5〜基板受渡工程S8を複数回繰り返して行うことで複数個のキャリア9に収容された基板8でロットを形成してもよい。また、基板整列工程S3,S7を行わずに基板搬送機構15によって基板8をキャリア載置台14から搬入側ロット載置台17に直接搬送してもよい。基板8は、キャリア9に収容された水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更されて搬入側ロット載置台17に載置される。   The substrate processing system 1 has the same carrier loading step S5, substrate receiving step S6, substrate aligning step S7, and substrate passing step with respect to a plurality of (eg, 25) substrates 8 housed in different carriers 9 as described above. Do S8. The plurality of substrates 8 delivered in the second substrate delivery step S8 are inserted between the plurality of substrates 8 delivered in the first substrate delivery step S4. As a result, a lot to be collectively processed is formed on the loading-side lot mounting table 17 of the lot mounting unit 4 by a plurality of (e.g., 50) substrates 8 conveyed in two batches. On the loading-side lot placement table 17, a plurality of substrates 8 forming a lot are placed at half the intervals of the state of being accommodated in the carrier 9. It should be noted that a lot may be formed with the substrates 8 accommodated in one carrier 9 without performing the second carrier loading step S5 to substrate delivery step S8, and the carrier loading step S5 to substrate delivery step S8 may be performed a plurality of times. The lot may be formed by the substrates 8 accommodated in the plurality of carriers 9 by repeating the process. Alternatively, the substrate 8 may be directly transferred from the carrier mounting table 14 to the loading-side lot mounting table 17 by the substrate transfer mechanism 15 without performing the substrate alignment steps S3 and S7. The substrate 8 is placed on the loading-side lot placement table 17 with its posture changed from the horizontal posture housed in the carrier 9 to the vertical posture.

その後、基板処理システム1は、ロット搬送部5においてロット搬送機構19を用いてロットを形成する複数枚(たとえば、50枚)の基板8をロット載置部4の搬入側ロット載置台17からロット処理部6のエッチング処理装置26に搬入する(ロット搬入工程S9)。ロットは、エッチング処理装置26の基板昇降機構36に搬入される。   After that, the substrate processing system 1 uses the lot transfer mechanism 5 in the lot transfer unit 5 to form a plurality of (for example, 50) substrates 8 from the loading-side lot mounting table 17 of the lot mounting unit 4 into lots. It is carried into the etching processing apparatus 26 of the processing unit 6 (lot carrying-in step S9). The lot is carried into the substrate elevating mechanism 36 of the etching processing apparatus 26.

次に、基板処理システム1は、ロットを形成する複数枚の基板8を一括して処理する(ロット処理工程)。   Next, the substrate processing system 1 collectively processes a plurality of substrates 8 forming a lot (lot processing step).

このロット処理工程では、基板処理システム1は、ロットを形成する基板8をエッチング処理する(エッチング処理工程S10)。このエッチング処理工程S10では、エッチング処理装置26の基板昇降機構36を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽34に貯留したエッチング用の処理液にロットを浸漬させる。   In this lot processing step, the substrate processing system 1 performs etching processing on the substrates 8 forming a lot (etching processing step S10). In this etching processing step S10, the substrate elevating mechanism 36 of the etching processing device 26 is lowered and raised after a lapse of a predetermined time, and the lot is immersed in the etching processing liquid stored in the processing bath 34.

その後、基板処理システム1は、ロットをエッチング処理装置26の処理槽34,35の間で搬送する(槽間搬送工程S11)。この槽間搬送工程S11では、ロット搬送機構19を用いてエッチング用の処理槽34の基板昇降機構36で保持されたロットをリンス用の処理槽35の基板昇降機構37に搬送させる。   After that, the substrate processing system 1 transfers the lot between the processing tanks 34 and 35 of the etching processing apparatus 26 (inter-tank transfer step S11). In the inter-bath transfer step S11, the lot held by the substrate elevating mechanism 36 of the etching processing tank 34 is transferred to the substrate elevating mechanism 37 of the rinse processing tank 35 by using the lot transfer mechanism 19.

その後、基板処理システム1は、ロットを形成する基板8をリンス処理する(リンス処理工程S12)。このリンス処理工程S12では、エッチング処理装置26の基板昇降機構37を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽35に貯留したリンス用の処理液にロットを浸漬させる。   After that, the substrate processing system 1 performs the rinse process on the substrates 8 forming the lot (rinse process step S12). In this rinse processing step S12, the substrate elevating mechanism 37 of the etching processing apparatus 26 is lowered and raised after a lapse of a predetermined time, and the lot is immersed in the rinse treatment liquid stored in the treatment bath 35.

その後、基板処理システム1は、ロットをエッチング処理装置26と洗浄処理装置25との間で搬送する(装置間搬送工程S13)。この装置間搬送工程S13では、ロット搬送機構19を用いてエッチング処理装置26の基板昇降機構37で保持されたロットを洗浄処理装置25の基板昇降機構32に搬送させる。   After that, the substrate processing system 1 transfers the lot between the etching processing apparatus 26 and the cleaning processing apparatus 25 (inter-apparatus transfer step S13). In this inter-apparatus transfer step S13, the lot held by the substrate lift mechanism 37 of the etching processing apparatus 26 is transferred to the substrate lift mechanism 32 of the cleaning processing apparatus 25 using the lot transfer mechanism 19.

その後、基板処理システム1は、ロットを形成する基板8を洗浄処理する(洗浄処理工程S14)。この洗浄処理工程S14では、洗浄処理装置25の基板昇降機構32を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽30に貯留した洗浄用の処理液にロットを浸漬させる。   After that, the substrate processing system 1 performs a cleaning process on the substrates 8 forming the lot (cleaning process step S14). In this cleaning processing step S14, the substrate elevating mechanism 32 of the cleaning processing device 25 is lowered and raised after a lapse of a predetermined time, and the lot is immersed in the cleaning processing liquid stored in the processing tank 30.

その後、基板処理システム1は、ロットを洗浄処理装置25の処理槽30,31の間で搬送する(槽間搬送工程S15)。この槽間搬送工程S15では、ロット搬送機構19を用いて洗浄用の処理槽30の基板昇降機構32で保持されたロットをリンス用の処理槽31の基板昇降機構33に搬送させる。   After that, the substrate processing system 1 transfers the lot between the processing tanks 30 and 31 of the cleaning processing apparatus 25 (inter-tank transfer step S15). In the inter-tank transfer step S15, the lot held by the substrate elevating mechanism 32 of the cleaning processing tank 30 is transferred to the substrate elevating mechanism 33 of the rinse processing tank 31 using the lot transfer mechanism 19.

その後、基板処理システム1は、ロットを形成する基板8をリンス処理する(リンス処理工程S16)。このリンス処理工程S16では、洗浄処理装置25の基板昇降機構33を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽31に貯留したリンス用の処理液にロットを浸漬させる。   After that, the substrate processing system 1 rinses the substrates 8 forming the lot (rinsing process S16). In this rinse processing step S16, the substrate elevating mechanism 33 of the cleaning processing apparatus 25 is lowered and raised after a lapse of a predetermined time, and the lot is immersed in the rinse treatment liquid stored in the treatment bath 31.

その後、基板処理システム1は、ロットを洗浄処理装置25と乾燥処理装置23との間で搬送する(装置間搬送工程S17)。この装置間搬送工程S17では、ロット搬送機構19を用いて洗浄処理装置25の基板昇降機構33で保持されたロットを乾燥処理装置23の基板昇降機構28に搬送させる。   After that, the substrate processing system 1 transfers the lot between the cleaning processing device 25 and the drying processing device 23 (inter-device transfer step S17). In this inter-apparatus transfer step S17, the lot held by the substrate elevating mechanism 33 of the cleaning processing apparatus 25 is conveyed to the substrate elevating mechanism 28 of the drying processing apparatus 23 by using the lot conveying mechanism 19.

その後、基板処理システム1は、ロットを形成する基板8を乾燥処理する(乾燥処理工程S18)。この乾燥処理工程S18では、乾燥処理装置23の基板昇降機構28を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽27にて乾燥用の処理ガスをロットに供給する。   After that, the substrate processing system 1 performs a drying process on the substrates 8 forming the lot (drying process S18). In the drying processing step S18, the substrate elevating mechanism 28 of the drying processing device 23 is lowered and raised after a predetermined time has elapsed, and the processing gas for drying is supplied to the lot in the processing tank 27.

このように、基板処理システム1では、ロットを形成する複数枚の基板8を一括して同時にエッチング処理〜乾燥処理を行う。   Thus, in the substrate processing system 1, a plurality of substrates 8 forming a lot are collectively subjected to the etching process to the drying process at the same time.

次に、基板処理システム1は、ロットを形成する基板8をキャリア9に収容する(キャリア収容工程)。   Next, the substrate processing system 1 stores the substrate 8 forming the lot in the carrier 9 (carrier storing step).

このキャリア収容工程では、基板処理システム1は、ロット搬送部5においてロット搬送機構19を用いてロットを形成する基板8を乾燥処理装置23から搬出側ロット載置台18に搬出する(ロット搬出工程S19)。   In this carrier accommodating step, the substrate processing system 1 uses the lot transfer mechanism 19 in the lot transfer section 5 to carry out the substrate 8 forming a lot from the drying processing device 23 to the carry-out side lot mounting table 18 (lot carry-out step S19). ).

その後、基板処理システム1は、基板搬送機構15を用いて複数枚(たとえば、25枚)の基板8を搬出側ロット載置台18から受け取る(基板受取工程S20)。   After that, the substrate processing system 1 receives a plurality of (for example, 25) substrates 8 from the carry-out side lot mounting table 18 using the substrate transfer mechanism 15 (substrate receiving step S20).

その後、基板処理システム1は、基板搬送機構15を用いて複数枚の基板8をキャリア載置台14に載置されたキャリア9に受け渡す(基板受渡工程S21)。   After that, the substrate processing system 1 uses the substrate transfer mechanism 15 to transfer the plurality of substrates 8 to the carrier 9 mounted on the carrier mounting table 14 (substrate transfer step S21).

その後、基板処理システム1は、キャリア搬入出部2においてキャリア搬送機構11を用いてキャリア9をキャリア載置台14からキャリアステージ10又はキャリアストック13に搬出する(キャリア搬出工程S22)。   After that, the substrate processing system 1 carries out the carrier 9 from the carrier mounting table 14 to the carrier stage 10 or the carrier stock 13 by using the carrier carrying mechanism 11 in the carrier carrying-in / out unit 2 (carrier carrying-out step S22).

基板処理システム1は、残りの複数枚(たとえば、25枚)の基板8に対しても上記と同様の基板受取工程S23、基板受渡工程S24、キャリア搬出工程S25を行う。これにより、ロットを形成した複数枚(たとえば、50枚)の基板8が2個のキャリア9に複数枚(たとえば、25枚)ずつに分かれて収容される。なお、2回目の基板受取工程S23〜キャリア搬出工程S25を行わずに1個のキャリア9に基板8を収容してもよく、基板受取工程S23〜キャリア搬出工程S25を複数回繰り返して行うことで複数個のキャリア9に基板8を分けて収容してもよい。基板8は、搬出側ロット載置台18に載置された垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更されてキャリア9に収容される。   The substrate processing system 1 performs the substrate receiving step S23, the substrate delivering step S24, and the carrier unloading step S25 similar to the above on the remaining plurality (for example, 25) of substrates 8. Thereby, a plurality of (for example, 50) substrates 8 forming a lot are separately stored in two carriers 9 (for example, 25). The substrates 8 may be accommodated in one carrier 9 without performing the second substrate receiving step S23 to the carrier unloading step S25. By repeating the substrate receiving step S23 to the carrier unloading step S25 multiple times. The substrate 8 may be separately housed in a plurality of carriers 9. The substrate 8 is accommodated in the carrier 9 with its posture changed from the vertical posture placed on the unloading side lot placing table 18 to the horizontal posture.

以上に説明したように、基板処理システム1では、複数枚の基板8が整列され、複数枚同時に搬送(受け取り、受け渡し)され、複数枚同時に処理される。   As described above, in the substrate processing system 1, the plurality of substrates 8 are aligned, the plurality of substrates 8 are simultaneously conveyed (received, delivered), and the plurality of substrates are simultaneously processed.

複数枚の基板8は、図3に模式的示すように、所定の間隔(T)をあけて平行に整列され、キャリア9の内部では上下に間隔をあけて水平姿勢で収容され、搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18では前後に間隔をあけて垂直姿勢で載置される。一方、キャリア9と搬入側ロット載置台17又は搬出側ロット載置台18との間で基板8を搬送する基板搬送機構15には、所定の間隔(t(t=T))をあけて平行に配列された複数個(たとえば、25個)の基板支持体39が設けられている。そして、基板搬送機構15は、複数個の基板支持体39を基板8に沿って(基板8の表面或は裏面と概ね平行に)基板8の外周外方から基板8の中央部に向けて直線的に移動させることで、各基板支持体39を基板8と基板8との間の間隙から基板8の中央部に向けて挿入する。基板8は、挿入後の基板支持体39を基板8に向けて(基板8の表面或は裏面と直交する向きに)移動させることで基板支持体39によって支持される。   As schematically shown in FIG. 3, the plurality of substrates 8 are aligned in parallel at a predetermined interval (T), and are accommodated in the carrier 9 in a horizontal posture with vertical intervals, and the loading side lot. The placing table 17 and the unloading side lot placing table 18 are placed in a vertical posture with a front-rear interval. On the other hand, the substrate transport mechanism 15 that transports the substrate 8 between the carrier 9 and the loading-side lot loading table 17 or the unloading-side lot loading table 18 is arranged in parallel at a predetermined interval (t (t = T)). A plurality of (for example, 25) substrate supports 39 arranged are provided. Then, the substrate transfer mechanism 15 linearly moves the plurality of substrate supports 39 along the substrate 8 (generally parallel to the front surface or the back surface of the substrate 8) from the outer periphery of the substrate 8 toward the central portion of the substrate 8. The respective substrate supports 39 are inserted from the gaps between the substrates 8 toward the central portion of the substrates 8 by moving the substrate supports 39 by moving the substrates. The board 8 is supported by the board support 39 by moving the board support 39 after insertion toward the board 8 (in a direction orthogonal to the front surface or the back surface of the board 8).

このように整列された基板8では、基板8が平坦である場合には、間隔Tが一定に維持され、基板8と基板8との間に基板保持体39を基板8と衝突させることなく円滑に挿入することができる。   In the substrate 8 arranged in this way, when the substrate 8 is flat, the interval T is maintained constant, and the substrate holder 39 is smoothly interposed between the substrates 8 without colliding with the substrate 8. Can be inserted into.

しかしながら、全ての基板8が必ずしも常に平坦な状態のままであるとは限られない。基板8は、上記基板処理システム1での処理や上記基板処理システム1に搬入される前の処理において、各種処理の過程で平坦な状態から部分的(局部的)に反り上がったり反り下がったりする状態に変形する。従来においては、基板8の外周端が反り上がった(反り下がった)概略椀型曲面状に変形した基板8が多く見られた。また、最近の3DNAND形成等に行われる3次元的な積層を基板8に施した場合には、基板8が、図4及び図5に示すように、外周端に沿って部分的(局部的)に反り上がった位置A,Cと反り下がった位置B,Dが対称に形成された概略鞍型曲面状に変形することが新たに確認された。この基板8では、図4中に一点鎖線で示す等高線のように基板8の中心部から位置A及び位置Cに向けて徐々に上方(表面側)へ向けて反り、図4中に二点鎖線で示す等高線のように基板8の中心から位置B及びDに向けて徐々に下方(裏面側)へ向けて反っており、全体として鞍型の形状に変形している。この基板8では、たとえばノッチ40が形成された位置が反り下がっている。この基板8の外周端の高さ(反り量)をノッチ40の位置から基板8の外周端に沿って円周方向に計測すると、図5に示すように、位置D(角度θ=0度)から位置A(θ=90度)に向けて徐々に反り上がり、位置Aで部分的(局部的)に反り上がり、位置A(角度θ=90度)から位置B(θ=180度)に向けて徐々に反り下がり、位置Bで部分的(局部的)に反り下がり、位置B(角度θ=180度)から位置C(θ=270度)に向けて徐々に反り上がり、位置Cで部分的(局部的)に反り上がり、位置C(角度θ=270度)から位置D(θ=360度(0度))に向けて徐々に反り下がり、位置Dで部分的(局部的)に反り下がる。なお、基板8は、ロットで一括処理する場合にノッチ40を揃えて整列させて処理されるために、ロットを形成する全ての基板8がノッチ40を基準に同様の傾向(形状)で反る(変形する)ことが確認された。   However, not all the substrates 8 always remain flat. In the process of the substrate processing system 1 and the process before being carried into the substrate processing system 1, the substrate 8 is partially (locally) warped or warped from a flat state in the course of various processes. Transforms into. Conventionally, there are many substrates 8 that are deformed into a substantially bowl-shaped curved surface in which the outer peripheral edge of the substrate 8 is warped up (curved down). In addition, when the substrate 8 is subjected to a three-dimensional stacking that has recently been performed in 3D NAND formation or the like, the substrate 8 is partially (locally) along the outer peripheral edge as shown in FIGS. 4 and 5. It was newly confirmed that the positions A and C that warped upward and the positions B and D that warped downward were deformed into a substantially saddle-shaped curved surface formed symmetrically. In this substrate 8, as indicated by a dashed-dotted line in FIG. 4, the substrate 8 is gradually warped upward (toward the surface) from the center of the substrate 8 toward the positions A and C, and the two-dot chain line in FIG. As shown by contour lines in FIG. 3, the substrate 8 is gradually warped downward from the center of the substrate 8 toward the positions B and D (back surface side), and is deformed into a saddle shape as a whole. In this substrate 8, for example, the position where the notch 40 is formed is warped down. When the height (warp amount) of the outer peripheral edge of the substrate 8 is measured in the circumferential direction from the position of the notch 40 along the outer peripheral edge of the substrate 8, the position D (angle θ = 0 degree) is obtained as shown in FIG. From the position A (θ = 90 degrees) to the position A (θ = 90 degrees) and from the position A (angle θ = 90 degrees) to the position B (θ = 180 degrees). Is gradually warped down, partially (locally) at position B, gradually warped from position B (angle θ = 180 degrees) toward position C (θ = 270 degrees), and partially at position C. (Locally) warp, gradually warp from position C (angle θ = 270 degrees) toward position D (θ = 360 degrees (0 degrees)), and partially (locally) warp at position D . Since the substrates 8 are processed with the notches 40 aligned and aligned when collectively processed in a lot, all the substrates 8 forming a lot warp with the same tendency (shape) based on the notches 40. It was confirmed (deformed).

このように反った状態の基板8では以下のような不具合が生じるおそれがある。たとえばキャリア9の内部で基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り下がった位置Bを基板支持体39側に向け上下に間隔をあけて水平姿勢で複数枚整列させた場合には、基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り下がった位置Bがある部分の下がりが大きくなってしまい、基板支持体39で基板8を受け取る際に基板支持体39を挿入すると基板8と基板支持体39とが接触(衝突)してしまい、基板8を良好に受け取ることができない。また、たとえば搬入側ロット載置台17又は搬出側ロット載置台18で基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り下がった位置Bを真上に向けた状態で基板8を前後に間隔をあけて垂直姿勢で複数枚整列させた場合には、垂直姿勢の基板8に大きな傾きが生じる状態となってしまう。その状態で基板支持体39で基板8を受け取ると基板8と基板支持体39とが接触(衝突)してしまい、基板8を良好に受け取ることができない。また、ロット形成時には、ロットを形成する複数枚の基板8がキャリア9に収容された状態の半分の間隔(T/2)で整列されることになるため、基板8同士が接触(衝突)して、基板8を損傷させてしまう。特に、ロット形成時に基板8の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成した場合には、基板8同士の(接触)衝突が顕著に起こる。なお、上記不具合は、反った状態の基板8を複数枚並べて整列させた場合に限られず、1枚の基板8の場合であっても起こり得る。   The substrate 8 in such a warped state may have the following problems. For example, when a plurality of (horizontal) portions of the substrate 9 are warped in the inside of the carrier 9 along the outer peripheral edge of the substrate 8 toward the substrate support 39 side, the plurality of substrates are aligned in a horizontal posture with vertical intervals. Causes a large decrease in the portion where the position B is partially (locally) warped down along the outer peripheral edge of the substrate 8, and the substrate support 39 is inserted when the substrate 8 is received by the substrate support 39. Then, the substrate 8 and the substrate support 39 contact (collide) with each other, and the substrate 8 cannot be received well. Further, for example, the substrate 8 is moved back and forth with the position B, which is partially (locally) warped down along the outer peripheral edge of the substrate 8 on the loading side lot mounting table 17 or the unloading side lot mounting table 18, facing upward. When a plurality of substrates are aligned in the vertical posture at intervals, a large inclination occurs in the substrate 8 in the vertical posture. If the substrate 8 is received by the substrate support 39 in this state, the substrate 8 and the substrate support 39 contact (collide) with each other, and the substrate 8 cannot be received well. Further, at the time of forming the lot, the plurality of substrates 8 forming the lot are aligned at a half interval (T / 2) of the state of being accommodated in the carrier 9, so that the substrates 8 come into contact (collide) with each other. As a result, the substrate 8 is damaged. In particular, when the lots are formed such that the surfaces of the substrates 8 on which the patterns are formed face each other during the formation of the lots, the (contact) collisions between the substrates 8 remarkably occur. The above-mentioned problem is not limited to the case where a plurality of warped substrates 8 are arranged side by side and may occur even in the case of one substrate 8.

そこで、上記基板処理システム1の基板搬送機構15では、図6に示すように、基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り上がった位置A,C及び反り下がった位置B,Dとは異なる位置から基板8の中央部に向けて基板支持体39を挿入させることにした。基板支持体39を挿入させる位置は、基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り上がった位置A,C及び反り下がった位置B,Dとは異なる位置であればいずれでもよいが、基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り上がった位置A,Cと反り下がった位置B,Dとの間(望ましくは中間)の位置が好ましい。   Therefore, in the substrate transfer mechanism 15 of the substrate processing system 1, as shown in FIG. 6, positions A and C that are partially (locally) raised along the outer peripheral edge of the substrate 8 and positions B that are downwardly warped are shown. The substrate support 39 is inserted from a position different from D toward the center of the substrate 8. The position where the substrate support 39 is inserted may be any position different from the positions A and C which are partially (locally) warped and the positions B and D which are warped downward along the outer peripheral edge of the substrate 8. However, a position between the positions A and C that are partially (locally) warped up and the positions B and D that are warped down along the outer peripheral edge of the substrate 8 (preferably in the middle) is preferable.

そのために、上記基板処理システム1では、基板整列工程S3,S7においてウエハアライナー16を用いて基板8の外周端に沿って部分的に反り上がった位置A,C及び反り下がった位置B,Dとは異なる位置から基板8の中央部に向けて基板支持体39が挿入されて基板8を受け取れるように複数枚の基板8を整列させる。たとえば、基板8の外周端に沿った変形状態を図5に示すように測定し、部分的に反り上がった位置A,Cと部分的に反り下がった位置B,Dを検出し、それらの中間の位置が基板支持体39の挿入位置となるように基板8を一枚ずつ回転させて整列させる。基板8の変形状態の測定は、基板処理システム1の内部で行ってもよく、また、基板処理システム1に搬送する前に予め行っておいてもよい。また、同時に処理された複数枚の基板8は、同様に変形する傾向があることから、基板8の変形状態を1枚だけ測定し、残りの基板8は、ノッチ40の位置を揃えて整列させるだけにしてもよい。さらに、基板処理システム1の内部で基板8の整列を行う場合に限られず、基板処理システム1の外部のウエハアライナー16a(図1参照。)で予め基板8を整列させてキャリア9に収容して基板処理システム1に搬入してもよい。   Therefore, in the substrate processing system 1, in the substrate aligning steps S3 and S7, the wafer aligner 16 is used to partially warp the positions A and C along the outer peripheral edge of the substrate 8 and the warped and lowered positions B and D. The substrate support 39 is inserted from different positions toward the central portion of the substrates 8 to align the plurality of substrates 8 so as to receive the substrates 8. For example, the deformation state along the outer peripheral edge of the substrate 8 is measured as shown in FIG. 5, the partially warped positions A and C and the partially warped positions B and D are detected, and the intermediate position between them is detected. The substrates 8 are rotated one by one so as to be aligned so that the position is the insertion position of the substrate support 39. The measurement of the deformed state of the substrate 8 may be performed inside the substrate processing system 1, or may be performed in advance before being transferred to the substrate processing system 1. Further, since the plurality of substrates 8 processed at the same time tend to be similarly deformed, only one deformed state of the substrate 8 is measured, and the remaining substrates 8 are aligned with the notches 40 aligned. You can leave it alone. Further, it is not limited to the case where the substrates 8 are aligned inside the substrate processing system 1, and the substrates 8 are previously aligned by the wafer aligner 16a (see FIG. 1) outside the substrate processing system 1 and accommodated in the carrier 9. It may be loaded into the substrate processing system 1.

これにより、上記基板処理システム1では、基板搬送機構15において、基板8の外周端に沿って部分的(局部的)に反り上がった位置A,C及び反り下がった位置B,Dとは異なる位置から基板8の中央部に向けて基板支持体39を挿入させて基板8を受け取る。また、基板8は、乾燥処理装置23や洗浄処理装置25やエッチング処理装置26において、基板8の外周端に沿って部分的に反り上がった位置A,C又は反り下がった位置B,Dが揃えられた状態で処理される。   As a result, in the substrate processing system 1, in the substrate transfer mechanism 15, the positions A and C that are partially (locally) warped up along the outer peripheral edge of the substrate 8 and the positions B and D that are warped down are different from each other. The substrate support 39 is inserted from the direction toward the center of the substrate 8 to receive the substrate 8. Further, the substrate 8 is aligned with the positions A and C that are partially warped or the positions B and D that are warped downward along the outer peripheral edge of the substrate 8 in the dry processing device 23, the cleaning processing device 25, and the etching processing device 26. Is processed in the specified state.

そのため、上記基板処理システム1では、間隔をあけて整列させた複数枚の基板8に反りが生じていても、基板8と基板支持体39との接触や基板8同士の接触を回避することができるので、基板8を基板支持体39で良好に受け取ることができ、複数枚の基板8を一括して良好に処理することができる。   Therefore, in the substrate processing system 1, even if the plurality of substrates 8 aligned at intervals are warped, contact between the substrate 8 and the substrate support 39 or contact between the substrates 8 can be avoided. Therefore, the substrates 8 can be satisfactorily received by the substrate support 39, and a plurality of substrates 8 can be collectively processed satisfactorily.

上記基板処理システム1では、複数個(たとえば、25個)の基板支持体39が設けられ、複数個の基板支持体39を基板8の外周外方から中央部に向けて移動させる基板搬送機構15について説明したが、これに限られず、たとえば、基板搬送機構15は、複数個の基板支持体39のうちの少なくとも1個の基板支持体39を基板8の外周外方から中央部に向けて移動させるものであってもよく、また、基板支持体39が1個だけ設けられ、その基板支持体39を基板8の外周外方から中央部に向けて移動させるものであってもよい。   In the substrate processing system 1, a plurality of (for example, 25) substrate supports 39 are provided, and the substrate transfer mechanism 15 moves the plurality of substrate supports 39 from the outer periphery of the substrate 8 toward the central portion. However, the present invention is not limited to this, and for example, the substrate transfer mechanism 15 moves at least one substrate support 39 of the plurality of substrate supports 39 from the outer periphery of the substrate 8 toward the central portion. Alternatively, only one substrate support 39 may be provided and the substrate support 39 may be moved from the outer periphery of the substrate 8 toward the central portion.

なお、上記基板処理システム1において、ウエハアライナー16又はウエハアライナー16aは、本発明に係る基板整列装置に該当し、基板搬送機構15は、本発明に係る基板受取装置に該当し、乾燥処理装置23や洗浄処理装置25やエッチング処理装置26は、本発明に係る基板液処理装置に該当する。   In the substrate processing system 1, the wafer aligner 16 or the wafer aligner 16a corresponds to the substrate aligning apparatus according to the present invention, the substrate transfer mechanism 15 corresponds to the substrate receiving apparatus according to the present invention, and the drying processing apparatus 23. The cleaning processing apparatus 25 and the etching processing apparatus 26 correspond to the substrate liquid processing apparatus according to the present invention.

また、本発明は、外周端に沿って部分的に反り上がった位置と反り下がった位置とが対称に繰り返し形成された概略鞍型曲面状に変形した基板8に限られず、外周端に沿って部分的に反り上がった位置と反り下がった位置とが形成されるように変形したあらゆる基板に適用することができる。   Further, the present invention is not limited to the substrate 8 deformed into a substantially saddle-shaped curved surface in which the position where the part is partially warped and the position where the part is warped is repeatedly formed along the outer peripheral edge, It can be applied to any substrate that has been deformed so that a partially warped position and a partially warped position are formed.

また、本発明は、複数枚の基板8を一括処理するバッチ式処理装置に限られず、1枚づつ基板8を処理するスピン処理装置等の枚葉式処理装置にも適用することができる。   Further, the present invention is not limited to the batch type processing apparatus for collectively processing a plurality of substrates 8 but can be applied to a single wafer processing apparatus such as a spin processing apparatus for processing the substrates 8 one by one.

1 基板処理システム
8 基板
39 基板支持体
1 Substrate processing system 8 Substrate
39 Substrate support

Claims (6)

複数の基板を整列させる基板整列装置であって、
前記基板整列装置は、基板を回転させて基準となる位置を揃え、
予め測定された基板の変形状態に基づき、前記基板の外周端に沿って部分的に反り上がった位置及び反り下がった位置とは異なる位置で基板受取装置が前記基板を受け取れるように、前記基準となる位置を揃えて前記複数の基板を整列させることを特徴とする基板整列装置。
A substrate aligning device for aligning a plurality of substrates, comprising:
The substrate aligning device rotates the substrates to align a reference position,
Based on the deformation state of the substrate measured in advance, the substrate receiving device can receive the substrate at a position different from the position where the substrate is partially warped and the position where the substrate is warped downward along the outer peripheral edge of the substrate. A substrate aligning device, wherein the plurality of substrates are aligned at the same positions.
前記基準となる位置は、前記基板のノッチの位置であることを特徴とする請求項1に記載の基板整列装置。   The substrate alignment apparatus according to claim 1, wherein the reference position is a position of a notch of the substrate. 請求項1又は請求項2に記載の基板整列装置と、
前記基板整列装置で整列された複数の基板を受け取る基板受取装置と、
を有し、
前記複数の基板を一括して処理することを特徴とする基板処理装置。
A substrate alignment apparatus according to claim 1 or 2;
A substrate receiving device for receiving a plurality of substrates aligned by the substrate aligning device;
Have
A substrate processing apparatus, wherein the plurality of substrates are collectively processed.
複数の基板を整列させる基板整列方法であって、
前記複数の基板を一枚ずつ回転させて基準となる位置を揃えることと、
予め測定された基板の変形状態に基づき、前記基板の外周端に沿って部分的に反り上がった位置及び反り下がった位置とは異なる位置で基板受取装置が前記基板を受け取れるように、前記基準となる位置を揃えて前記複数の基板を整列させることと、
を含むことを特徴とする基板整列方法。
A substrate alignment method for aligning a plurality of substrates, comprising:
Rotating the plurality of substrates one by one to align the reference positions,
Based on the deformation state of the substrate measured in advance, the substrate receiving device can receive the substrate at a position different from the position where the substrate is partially warped and the position where the substrate is warped downward along the outer peripheral edge of the substrate. Aligning the plurality of substrates at the same position,
A method for aligning substrates, comprising:
前記基準となる位置は、前記基板のノッチの位置であることを特徴とする請求項4に記載の基板整列方法。   The substrate alignment method according to claim 4, wherein the reference position is a position of a notch of the substrate. 請求項4又は請求項5に記載の基板整列方法により整列された複数の基板を一括して処理することを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method comprising: collectively processing a plurality of substrates aligned by the substrate alignment method according to claim 4 or 5.
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