JP6685082B2 - レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置 - Google Patents

レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6685082B2
JP6685082B2 JP2015012891A JP2015012891A JP6685082B2 JP 6685082 B2 JP6685082 B2 JP 6685082B2 JP 2015012891 A JP2015012891 A JP 2015012891A JP 2015012891 A JP2015012891 A JP 2015012891A JP 6685082 B2 JP6685082 B2 JP 6685082B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyester film
laser light
ito
film layer
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015012891A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016137499A (ja
Inventor
美紀 荒川
美紀 荒川
郁祥 中谷
郁祥 中谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP2015012891A priority Critical patent/JP6685082B2/ja
Priority to TW104133584A priority patent/TWI709451B/zh
Priority to KR1020150147812A priority patent/KR20160092475A/ko
Priority to CN201510770294.0A priority patent/CN105817775B/zh
Publication of JP2016137499A publication Critical patent/JP2016137499A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6685082B2 publication Critical patent/JP6685082B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Description

本発明は、多層基板の加工方法、特に、多層基板にレーザ光を照射して加工する加工方法及び加工装置に関する。
多層基板の一例としての薄膜太陽電池は、ガラス基板上に下部電極層としてのMo層が形成され、Mo層の上部にCIGS層等の半導体層が形成されている。そしてさらに、半導体層の上部に透明な上部電極層が形成されている。
また、他の一例としてのタッチパネルでは、ガラス基板の上部に透明電極膜が形成され、さらにその上部に樹脂製の保護カバーが形成されている。
以上のような多層を有する基板をレーザ光によって加工する場合、レーザ光は上部の層に吸収されるので、下部の層が加工されにくい。そこで、下部の層にレーザ光が届くようにレーザ光の出力を上げると、上部の層に与えるダメージが大きくなり、また飛散物が多くなる。
そこで、特許文献1に示されるようなレーザ加工装置が提案されている。この特許文献1の装置では、まず、変調手段によって、レーザ発振器から出力されたレーザ光が、第1のレーザ光と、第1のレーザ光よりも波長の短い第2のレーザ光と、に変調される。これらのレーザ光は、集光レンズによって集光されて基板に照射される。なお、第1のレーザ光は、第2のレーザ光と異なる光路に導入されて、第1のレーザ光の集光レンズに至るまでの光路長が制御される。また、第1のレーザ光と第2のレーザ光の光量はポラライザによって制御される。
特開平5−192779号公報
特許文献1の装置では、1台の装置によって異なる2種類の波長のレーザ光を選択的あるいは同時に基板に照射することができる。しかし、装置の構成が複雑で、装置のコストが高価になるという問題がある。
本発明の課題は、簡単な構成で、装置のコストを高価にすることなく、多層基板を加工できるようにすることにある。
本発明の一側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法は、準備工程と、加工工程と、を含む。準備工程は積層された少なくともポリエステルフィルム層及びITOからなる多層基板を準備する。加工工程は、ポリエステルフィルム層に対して加工可能でかつ透過可能な所定の吸収率を有するとともにITOを加工可能な波長のレーザ光を、ポリエステルフィルム層側から照射してポリエステルフィルム層及びITOを同時に加工する。
ここでは、ポリエステルフィルム層及びITOを含む多層基板に対して、所定の波長のレーザ光がポリエステルフィルム層側から照射される。レーザ光は、ポリエステルフィルム層で吸収されつつ一部が透過し、ITOに到達してITOに吸収される。このため、ポリエステルフィルム層及びITOを、1つの波長のレーザ光によって同時に加工することができる。
本発明の別の側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法では、レーザ光は、ポリエステルフィルム層に対する吸収率が50%以下10%以上であり、かつITOに対する吸収率が10%以上である。
ここでは、前記同様に、レーザ光は、ポリエステルフィルム層で吸収されつつ一部が透過し、ITOに到達してITOに吸収される。このため、ポリエステルフィルム層及びITOを、1つの波長のレーザ光によって同時に加工することができる。
本発明のさらに別の側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法では、レーザ光は、パルス幅が10psec以上200nsec以下のパルスレーザである。
本発明のさらに別の側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法では、レーザ光は連続波レーザである。
本発明のさらに別の側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法では、加工工程では、ポリエステルフィルム層及びITOに溝を形成する。
本発明のさらに別の側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法では、加工工程では、ポリエステルフィルム層及びITOを改質する。
本発明のさらに別の側面に係るレーザ光による多層基板の加工方法では、加工工程では、ポリエステルフィルム層及びITOに亀裂を形成する。
本発明のレーザ光による多層基板の加工装置は、多層基板にレーザ光を照射して加工するための装置であって、支持手段と、加工手段と、を備えている。支持手段は積層された少なくともポリエステルフィルム層及びITOからなる多層基板を支持する。加工手段は、ポリエステルフィルム層に対して加工可能でかつ透過可能な所定の吸収率を有するとともにITOを加工可能な波長のレーザ光を、ポリエステルフィルム層側から照射してポリエステルフィルム層及びITOを同時に加工する。
以上のような本発明では、1つのレーザ光によって多層基板を同時に加工することができ、安価な装置を用いて、かつ短時間で加工を行うことができる。
本発明の一実施形態による方法によって加工されるタッチパネルの断面一部構成図。 ITOとポリエステル層(保護カバー)のレーザ波長に対する透過率を示す図。 本発明の一実施形態による加工装置の概略構成図。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態による方法によって加工されるタッチパネル(多層基板の一例)を示している。このタッチパネル1は、保護カバーとしてのポリエステルフィルム11(第1層)及び透明電極膜としてのITO12(第2層)をガラス基板10に積層して形成されている。より詳細には、ガラス基板10の上面にITO12が形成され、さらにその上面にポリエステルフィルム11が形成されている。
ここで、図2に、ポリエステルフィルム11とITO12のレーザ光の波長(nm)に対する透過率(%)を示している。図において、P1がポリエステルフィルム11の透過率を示し、P2がITO12の透過率を示している。
この図2から明らかなように、ポリエステルフィルム11の上方から、波長が1064nmのレーザ光をタッチパネル1に照射すれば、照射されたレーザ光は、ポリエステルフィルム11をほぼ透過して(透過率80%以上)、ITO12を加工できることがわかる。また、波長が355nmのレーザ光を照射すれば、ポリエステルフィルム11に対する透過率は0%であるので、ITO12にはレーザ光は到達せず、ポリエステルフィルム11のみを加工できることがわかる。
そこで、ポリエステルフィルム11に対して加工可能かつ透過可能な吸率を有し、しかもITO12を加工可能な波長のレーザ光をポリエステルフィルム11側から照射すれば、ポリエステルフィルム11及びITO12を同時に加工できることになる。
具体的には、例えば、波長が885nmの半導体レーザ光をタッチパネル1に照射すれば、このレーザ光は、ポリエステルフィルム11に対して、透過率は約83%(吸収率13%、反射率4%)である。このため、ポリエステルフィルム11を加工できるとともに、レーザ光はポリエステルフィルム11を透過してITO12に到達する。また、このレーザ光は、ITO12に対して、透過率は約63%(吸収率約37%、界面の反射率1%以下)であり、ITO12に対しても加工が可能である。すなわち、ポリエステルフィルム11とITO12とを同時に加工することができる。
[まとめ]
以上の実施形態から、以下の条件で多層基板を加工することによって、1つの波長のレーザ光によって、多層基板を同時に加工できることがわかる。なお、ここでの「加工」とは、各層に溝を形成すること、各層を改質すること、各層に亀裂を形成すること、を含む。
(1)ポリエステルフィルム層(レーザ光が照射される側の層)に対して加工可能かつ透過可能で、ポリエステルフィルム層に積層されたITOを加工可能な波長のレーザ光を、ポリエステルフィルム層側から照射すれば、1つの波長のレーザ光によって多層基板を同時に加工できる。
(2)レーザ光の波長としては、ポリエステルフィルム層に対する吸収率が50%以下10%以上であることが望ましい。加工される材料によっても異なるが、例えば、300nm以上1600nm以下のレーザ光を用いることができる。
(3)レーザ光のパルス幅は10psec以上200nsec以下のレーザ光が好ましい。また、連続波レーザであってもよい。
[加工装置]
に、以上のような加工方法を実施するための加工装置に概略構成を示している。この加工装置25は、レーザ光線発振器26aやレーザ制御部26bを含むレーザ光線発振ユニット26と、レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系27と、伝送光学系27からのレーザ光を集光させるための集光レンズ28と、を有している。レーザ光線発振ユニット26からは、ビーム強度等の照射条件が制御されたパルスレーザ光が出射される。レーザ光線発振ユニット26、伝送光学系27、及び集光レンズ28により、多層基板にレーザ光を照射する加工手段が構成されている。
例えば、レーザ光線発振器26aとして、発振するレーザ光の周波数やパルス幅の切り替え機構を有する発振器を使用することによって、多層基板のポリエステルフィルム層及びITOの吸収率を変更することができる。
多層基板Gはテーブル29に載置されている。テーブル29は、駆動制御部30によって駆動制御され、水平面内で移動が可能である。すなわち、テーブル29に載置された多層基板Gと集光レンズ28から照射されるレーザ光線とは水平面内で相対移動が可能である。また、レーザ光と多層基板Gが載置されるテーブル29とは、相対的に上下方向に移動が可能である。レーザ制御部26b及び駆動制御部30は、加工制御部21によって制御されるようになっている。
なお、加工制御部31は、マイクロコンピュータで構成されており、レーザ制御部26b及び駆動制御部30を制御して、前述のような加工を実行する。
[他の実施形態]
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
10,20 ガラス基板
11 ポリエステルフィルム(保護カバー)
12 ITO

Claims (2)

  1. 多層基板にレーザ光を照射して加工する方法であって、
    積層された少なくともポリエステルフィルム層及びITOからなる多層基板を準備する準備工程と、
    発振するレーザ光の周波数の切り替え機構を有する発振器を使用し、前記ポリエステルフィルム層に対する吸収率が50%以下10%以上であり、かつ前記ITOに対する吸収率が100%以下10%以上である1つの波長のレーザ光を、前記ポリエステルフィルム層側から照射して前記ポリエステルフィルム層及び前記ITOを同時に改質又は前記ポリエステルフィルム層及び前記ITOに同時に亀裂を形成する加工工程と、
    を含む、レーザ光による多層基板の加工方法。
  2. 多層基板にレーザ光を照射して加工するための装置であって、
    積層された少なくともポリエステルフィルム層及びITOからなる多層基板を支持する支持手段と、
    発振するレーザ光の周波数の切り替え機構を有する発振器を含み、前記ポリエステルフィルム層に対する吸収率が50%以下10%以上であり、かつ前記ITOに対する吸収率が100%以下10%以上である1つの波長のレーザ光を、前記ポリエステルフィルム層側から照射して前記ポリエステルフィルム層及び前記ITOを同時に改質又は前記ポリエステルフィルム層及び前記ITOに同時に亀裂を形成する加工手段と、
    を有する、レーザ光による多層基板の加工装
JP2015012891A 2015-01-27 2015-01-27 レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置 Active JP6685082B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015012891A JP6685082B2 (ja) 2015-01-27 2015-01-27 レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置
TW104133584A TWI709451B (zh) 2015-01-27 2015-10-13 利用雷射光之多層基板之加工方法及加工裝置
KR1020150147812A KR20160092475A (ko) 2015-01-27 2015-10-23 레이저 광에 의한 다층 기판의 가공방법 및 가공장치
CN201510770294.0A CN105817775B (zh) 2015-01-27 2015-11-12 利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015012891A JP6685082B2 (ja) 2015-01-27 2015-01-27 レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016137499A JP2016137499A (ja) 2016-08-04
JP6685082B2 true JP6685082B2 (ja) 2020-04-22

Family

ID=56514576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015012891A Active JP6685082B2 (ja) 2015-01-27 2015-01-27 レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6685082B2 (ja)
KR (1) KR20160092475A (ja)
CN (1) CN105817775B (ja)
TW (1) TWI709451B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180063936A (ko) * 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7429913B2 (ja) * 2019-06-07 2024-02-09 Toppanホールディングス株式会社 シート加工方法、および、シート加工装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05192779A (ja) 1992-01-17 1993-08-03 Toshiba Corp レーザ加工装置
JPH08174262A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd エキシマレーザ加工方法
EP0984443B1 (en) * 1998-02-24 2005-11-09 Sony Corporation Optical recording medium
JP4842927B2 (ja) * 2004-05-10 2011-12-21 パナソニック株式会社 超高速レーザパターニングに用いる複合シート材料選択方法
WO2005112129A1 (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Fujitsu Limited 半導体装置およびその製造方法、半導体基板の製造方法
JP2007057622A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Ricoh Co Ltd 光学素子及びその製造方法、光学素子用形状転写型の製造方法及び光学素子用転写型

Also Published As

Publication number Publication date
CN105817775B (zh) 2020-10-23
TWI709451B (zh) 2020-11-11
JP2016137499A (ja) 2016-08-04
CN105817775A (zh) 2016-08-03
KR20160092475A (ko) 2016-08-04
TW201627095A (zh) 2016-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106312314B (zh) 双激光束焊接系统及方法
KR101891341B1 (ko) 접합 기판의 가공 방법 그리고 가공 장치
US20060207976A1 (en) Laser material micromachining with green femtosecond pulses
CN106945190A (zh) SiC晶片的生成方法
KR20160108148A (ko) 적층 기판의 가공 방법 및 레이저광에 의한 적층 기판의 가공 장치
KR20120037369A (ko) 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
JP2010142862A (ja) 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法
JP7174352B2 (ja) 光加工装置、光加工方法及び光加工物の生産方法
WO2012063348A1 (ja) レーザ加工方法及び装置
JP6685082B2 (ja) レーザ光による多層基板の加工方法及び加工装置
JP2009297759A (ja) レーザ接合方法及びレーザ加工装置
JP2010201479A (ja) レーザ光加工装置及びレーザ光加工方法
JP5833093B2 (ja) 加工装置
KR101203106B1 (ko) 씨오피층이 포함된 다층필름의 레이저 절단방법
JP2012240881A (ja) 脆性材料基板の加工方法
WO2013073386A1 (ja) ガラス板の切断方法、及びガラス板の切断装置
JP2005178288A (ja) 脆性材料の割断方法とその装置
CN103846554B (zh) 激光加工方法及激光加工装置
WO2021131642A1 (ja) 樹脂部材の加工方法、樹脂部材の加工装置、および樹脂部品の製造方法
KR101698878B1 (ko) 유리 가공물 절단방법
JP2016164101A (ja) 積層基板の加工方法及びレーザ光による積層基板の加工装置
KR20220035332A (ko) 복합재의 분단 방법
WO2014155846A1 (ja) 加工装置
Nara et al. Stealth Dicing technology with SWIR laser realizing high throughput Si wafer dicing
KR102269138B1 (ko) 기판 절단장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180814

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180815

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181012

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190425

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190509

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190521

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20190621

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200331

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6685082

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150