JP6673931B2 - シリコンベース電荷中和システム - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 144
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 144
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 143
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 title claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 78
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 241001354243 Corona Species 0.000 description 59
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 239000003570 air Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000013461 design Methods 0.000 description 17
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 16
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 9
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- VQOXZBDYSJBXMA-NQTDYLQESA-N nystatin A1 Chemical compound O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/CC/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 VQOXZBDYSJBXMA-NQTDYLQESA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009979 protective mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007528 sand casting Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
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Description
本出願は、「SILICON EMITTERS FOR IONIZERS WITH HIGH FREQUENCY WAVEFORMS」と題する、2009年6月18日に出願の米国特許出願第12/456,526号の一部継続出願であり、その米国特許出願の優先権を主張し、その米国特許出願は、2008年6月18日に出願の米国仮特許出願第61/132,422号の恩典及び優先権を主張する。米国特許出願第12/456,626号及び第61/132,422号はいずれも引用することにより本明細書の一部をなす。
該当なし
該当なし
Claims (19)
- 高周波交流(AC)電圧を発生させることと、
少なくとも70%のシリコン重量比かつ99.99%未満のシリコン重量比を含む少なくとも1つの非金属エミッタであって、酸化物層が破壊された少なくとも1つの処理された表面部分を含む少なくとも1つの非金属エミッタに前記高周波AC電圧を送信することと、
前記高周波AC電圧に応答して前記少なくとも1つの非金属エミッタからイオンを発生させることと、
を含んでおり、
シリコンベース部分及び金属電極を備える前記エミッタのシャフトが、ばねタイプスリーブの中に挿入される、
低放出の電荷中和のための方法。 - 前記少なくとも1つの非金属エミッタの前記少なくとも1つの処理された表面部分は、研磨又はサンディング処理に起因してあらかじめ選択された粗さを有するエリアを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理された表面部分は金属めっき又は金属コーティングを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのエミッタの電気抵抗及び組成を監視するための測定デバイスを設けることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの非金属エミッタは、先端構成と、テーパー部構成とを備え、両方の構成が、動作HFコロナ開始電圧及びイオン化電流パラメーターを決定する、請求項1に記載の方法。
- 動作期間中の電圧/電力波形とは異なる電圧/電力波形によって、コロナイオン化期間の始動期間中に前記少なくとも1つの非金属エミッタのプラズマクリーニングを実行することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを発生させることは、前記動作期間中に最小の開始HF電圧及び電力において正イオン及び負イオンを発生させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの非金属エミッタは、約0.03〜0.06の範囲内の第1の比S/Dを含み、
Sは前記少なくとも1つの非金属エミッタを収容するスリーブの厚さであり、
Dは前記少なくとも1つの非金属エミッタのシャフトの直径である、請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの非金属エミッタは、(2−5)/[tan{タンジェント}(0.5α)]の範囲内の第2の比L/Sを含み、
Lは前記少なくとも1つの非金属エミッタのシャフトの露出した部分の長さであり、
Sは前記少なくとも1つの非金属エミッタを収容するスリーブの厚さであり、
αは前記少なくとも1つの非金属エミッタの前記シャフトのテーパー付きの部分のテーパーの角度である、請求項1に記載の方法。 - 少なくとも70%のシリコン重量比かつ99.99%未満のシリコン重量比を含む少なくとも1つの非金属エミッタを備え、
前記少なくとも1つの非金属エミッタは、シリコン酸化物層が破壊された少なくとも1つの処理された表面部分を含み、
前記少なくとも1つの非金属エミッタは、前記高周波AC電圧に応答してイオンを発生させる、
低放出の電荷中和のための装置。 - 前記少なくとも1つの処理された表面部分は、研磨処理部分又はサンディング処理部分を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの処理された表面部分は、金属めっき又は金属コーティングを含む、請求項10に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの非金属エミッタのための前記少なくとも1つの処理された表面部分の電気抵抗及び組成が監視される、請求項10に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの非金属エミッタ及び金属電極がばねタイプスリーブの中に挿入される、請求項10に記載の装置。
- 前記少なくとも1つのエミッタは先端構成と、テーパー部構成とを備え、両方の構成が、動作HFコロナ開始電圧及びイオン化電流パラメーターを決定する、請求項10に記載の装置。
- 動作期間中の電圧/電力波形とは異なる電圧/電力波形によって、コロナイオン化期間の始動期間中に前記少なくとも1つの非金属エミッタのソフトプラズマクリーニングが実行される、請求項10に記載の装置。
- 前記イオンは、最小HF開始電圧及び電力において発生する正イオン及び負イオンを含む、請求項10に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの非金属エミッタは、約0.03〜0.06の範囲内の第1の比S/Dを含み、
Sは前記少なくとも1つの非金属エミッタを収容するスリーブの厚さであり、
Dは前記少なくとも1つの非金属エミッタのシャフトの直径である、請求項10に記載の装置。 - 前記少なくとも1つの非金属エミッタは、(2−5)/[tan{タンジェント}(0.5α)]の範囲内の第2の比L/Sを含み、
Lは前記少なくとも1つの非金属エミッタのシャフトの露出した部分の長さであり、
Sは前記少なくとも1つの非金属エミッタを収容するスリーブの厚さであり、
αは前記少なくとも1つの非金属エミッタの前記シャフトのテーパー付きの部分のテーパーの角度である、請求項10に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/665,994 US9380689B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-03-23 | Silicon based charge neutralization systems |
US14/665,994 | 2015-03-23 | ||
PCT/US2016/020552 WO2016153755A1 (en) | 2015-03-23 | 2016-03-03 | Silicon based charge neutralization systems |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020038190A Division JP7197530B2 (ja) | 2015-03-23 | 2020-03-05 | シリコンベース電荷中和システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018518794A JP2018518794A (ja) | 2018-07-12 |
JP6673931B2 true JP6673931B2 (ja) | 2020-03-25 |
Family
ID=56008846
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017549685A Active JP6673931B2 (ja) | 2015-03-23 | 2016-03-03 | シリコンベース電荷中和システム |
JP2020038190A Active JP7197530B2 (ja) | 2015-03-23 | 2020-03-05 | シリコンベース電荷中和システム |
JP2022199129A Active JP7371213B2 (ja) | 2015-03-23 | 2022-12-14 | シリコンベース電荷中和システム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020038190A Active JP7197530B2 (ja) | 2015-03-23 | 2020-03-05 | シリコンベース電荷中和システム |
JP2022199129A Active JP7371213B2 (ja) | 2015-03-23 | 2022-12-14 | シリコンベース電荷中和システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3275060B1 (ja) |
JP (3) | JP6673931B2 (ja) |
KR (1) | KR102549253B1 (ja) |
CN (1) | CN107624083B (ja) |
TW (2) | TWI772814B (ja) |
WO (1) | WO2016153755A1 (ja) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5447763A (en) | 1990-08-17 | 1995-09-05 | Ion Systems, Inc. | Silicon ion emitter electrodes |
JPH06140127A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Tokyo Tekko Co Ltd | イオナイザー用放電電極 |
KR100489819B1 (ko) | 2001-07-03 | 2005-05-16 | 삼성전기주식회사 | 고주파 교류 고전압을 이용한 정전기 제거장치 |
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JP5373519B2 (ja) | 2009-09-15 | 2013-12-18 | 株式会社日本セラテック | イオナイザ放電針の汚れ検出回路およびイオナイザ放電針の汚れ検出方法 |
US8416552B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-04-09 | Illinois Tool Works Inc. | Self-balancing ionized gas streams |
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-
2016
- 2016-03-03 CN CN201680028350.6A patent/CN107624083B/zh active Active
- 2016-03-03 WO PCT/US2016/020552 patent/WO2016153755A1/en active Application Filing
- 2016-03-03 EP EP16723191.9A patent/EP3275060B1/en active Active
- 2016-03-03 KR KR1020177030293A patent/KR102549253B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-03 JP JP2017549685A patent/JP6673931B2/ja active Active
- 2016-03-23 TW TW109118430A patent/TWI772814B/zh active
- 2016-03-23 TW TW105109042A patent/TWI699056B/zh active
-
2020
- 2020-03-05 JP JP2020038190A patent/JP7197530B2/ja active Active
-
2022
- 2022-12-14 JP JP2022199129A patent/JP7371213B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023038948A (ja) | 2023-03-17 |
CN107624083B (zh) | 2020-09-01 |
JP2018518794A (ja) | 2018-07-12 |
EP3275060B1 (en) | 2018-12-12 |
TWI772814B (zh) | 2022-08-01 |
TWI699056B (zh) | 2020-07-11 |
WO2016153755A1 (en) | 2016-09-29 |
TW202247555A (zh) | 2022-12-01 |
TW202110017A (zh) | 2021-03-01 |
TW201707320A (zh) | 2017-02-16 |
JP7197530B2 (ja) | 2022-12-27 |
KR102549253B1 (ko) | 2023-06-28 |
JP2020095972A (ja) | 2020-06-18 |
EP3275060A1 (en) | 2018-01-31 |
JP7371213B2 (ja) | 2023-10-30 |
KR20170131529A (ko) | 2017-11-29 |
CN107624083A (zh) | 2018-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |