JP6665990B2 - Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board - Google Patents

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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は、高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a base material for a high-frequency printed wiring board, a high-frequency printed wiring board, a method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board, and a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board.

近年、電子機器の小型軽量化に伴い、この電子機器に用いられるプリント配線板についても小型化の要求が高まっている。このような点から、今日ではプリント配線板のベースフィルムとして、絶縁性、柔軟性、耐熱性等に優れ、薄膜化を促進可能なるポリイミドフィルムが採用されている(特開2008−235346号公報参照)。   In recent years, as electronic devices have become smaller and lighter, there has been an increasing demand for smaller printed wiring boards used in these electronic devices. From such a point, a polyimide film which is excellent in insulation, flexibility, heat resistance and the like and can promote thinning is adopted as a base film of a printed wiring board today (see JP-A-2008-235346). ).

一方、今日では情報通信量は増大する一方であり、これに応えるため、例えばICカード、携帯通信端末等の機器においてマイクロ波、ミリ波といった高周波領域での通信が盛んになっている。このため、高周波領域で用いた際に伝送損失が小さい高周波プリント配線板が求められている。   On the other hand, the amount of information communication has been increasing today, and in order to respond to this, communication in high frequency ranges such as microwaves and millimeter waves has become popular in devices such as IC cards and portable communication terminals. Therefore, there is a need for a high-frequency printed wiring board having a small transmission loss when used in a high-frequency region.

上記伝送損失αdは、周波数f、誘電体層の比誘電率εr及び誘電正接tanδと以下の関係(式(1))を満たす。   The transmission loss αd satisfies the following relationship (Equation (1)) with the frequency f, the relative dielectric constant εr of the dielectric layer, and the dielectric loss tangent tanδ.

Figure 0006665990
Figure 0006665990

また特に、高周波電流は、表皮効果により導電体の表面側を流れる。このことから、高周波プリント配線板に用いられる誘電体層(ベースフィルム)としては、比誘電率εrを小さくすることで伝送損失αdを低減すると共に、表皮効果による損失を抑制することが特に求められている。   In particular, the high-frequency current flows on the surface of the conductor due to the skin effect. For this reason, as the dielectric layer (base film) used in the high-frequency printed wiring board, it is particularly required to reduce the transmission loss αd by reducing the relative dielectric constant εr and to suppress the loss due to the skin effect. ing.

特開2008−235346号公報JP 2008-235346 A

しかしながら、従来のプリント配線板のベースフィルムの主成分として用いられるポリイミドは、比誘電率εrが比較的大きいため、伝送損失αdを十分に低減することができない。   However, the polyimide used as a main component of the base film of the conventional printed wiring board has a relatively large relative dielectric constant εr, and thus cannot sufficiently reduce the transmission loss αd.

本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made based on the above-described circumstances, and a base for a high-frequency printed wiring board and a high-frequency printed wiring, which can reduce transmission loss and suppress loss due to a skin effect to improve high-frequency characteristics. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a board, a base material for a high-frequency printed wiring board, and a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board.

上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下である。   A base material for a high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention, which has been made to solve the above-described problem, includes a dielectric layer containing a fluororesin as a main component and one surface side of which has been modified, And a seed layer laminated on one surface of the base material, wherein a main component of the seed layer is a metal, and an average thickness of the seed layer is 2 μm or less.

上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、当該高周波プリント配線板用基材を用い形成される。   A high-frequency printed wiring board according to another embodiment of the present invention made in order to solve the above problem has a dielectric layer containing fluorine resin as a main component and one surface side of which has been modified, A printed wiring board comprising a conductive pattern laminated on one surface, and formed using the base material for a high-frequency printed wiring board.

上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質する工程と、上記改質工程後のフィルムの一方の面にシード層を形成する工程とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下である。   A method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board according to another aspect of the present invention made in order to solve the above-described problem includes a step of modifying one surface side of a film containing a fluororesin as a main component, Forming a seed layer on one surface of the film after the modification step, wherein the main component of the seed layer is a metal, and the average thickness of the seed layer is 2 μm or less.

上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、上記誘電体層とこの誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下である高周波プリント配線板用基材を用い形成する。   A method for manufacturing a high-frequency printed wiring board according to another embodiment of the present invention made to solve the above-mentioned problem includes a dielectric layer containing a fluororesin as a main component and having one surface side modified, A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: a conductive pattern laminated on one surface of a body layer, comprising: the dielectric layer; and a seed layer laminated on one surface of the dielectric layer. The main component of the layer is a metal, and the seed layer is formed using a base material for a high-frequency printed wiring board having an average thickness of 2 μm or less.

本発明の高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板は、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上することができる。また、本発明の高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION The base material for high-frequency printed wiring boards and the high-frequency printed wiring board of the present invention can reduce transmission loss and suppress loss due to a skin effect to improve high-frequency characteristics. Further, the method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board and the method for manufacturing a high-frequency printed wiring board according to the present invention provide a base material for a high-frequency printed wiring board and a high-frequency printed wiring that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics. The plate can be manufactured easily and reliably.

本発明の一実施形態に係る高周波プリント配線板用基材を示す模式的部分断面図である。It is a typical fragmentary sectional view showing the substrate for high frequency printed wiring boards concerning one embodiment of the present invention. 図1の高周波プリント配線板用基材の製造方法の改質工程を説明する模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a modification step of the method for manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board in FIG. 図1の高周波プリント配線板用基材の製造方法のシード層形成工程を説明する模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a seed layer forming step of the method for manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board in FIG. 1. 図1の高周波プリント配線板用基材の製造方法のベース層積層工程を説明する模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a base layer laminating step of the method for manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board in FIG. 1. 本発明の第二実施形態に係る高周波プリント配線板用基材を示す模式的部分断面図である。It is a typical fragmentary sectional view showing the substrate for high frequency printed wiring boards concerning a second embodiment of the present invention. 図3の高周波プリント配線板用基材を用いた高周波プリント配線板を示す模式的部分断面図である。FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view showing a high-frequency printed wiring board using the high-frequency printed wiring board base material of FIG. 3. 図4の高周波プリント配線板の製造方法のレジストパターン形成工程を説明する模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a resist pattern forming step of the method for manufacturing the high-frequency printed wiring board in FIG. 4. 図4の高周波プリント配線板の製造方法の第二めっき層積層工程を説明する模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view illustrating a second plating layer laminating step of the method for manufacturing the high-frequency printed wiring board in FIG. 4. 図4の高周波プリント配線板の製造方法のエッチング工程を説明する模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating an etching step of the method for manufacturing the high-frequency printed wiring board in FIG. 4.

[本発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
First, embodiments of the present invention will be listed and described.

本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下である。   A base material for a high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention includes a dielectric layer containing fluorine resin as a main component, one surface of which is modified, and a seed layer laminated on one surface of the dielectric layer. A main component of the seed layer is a metal, and the average thickness of the seed layer is 2 μm or less.

当該高周波プリント配線板用基材は、誘電体層がフッ素樹脂を主成分とするので、この誘電体層の比誘電率が小さく、これによって伝送損失を低減することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材は、この誘電体層の一方の面側が改質処理されているので、この一方の面側にシード層を密着させやすい。特に、当該高周波プリント配線板用基材は、このように誘電体層の一方の面側を改質処理することで、この一方の面の粗面化を防止しつつ、シード層との密着性を高めることができる。そのため、当該高周波プリント配線板用基材は、シード層と誘電体層との当接面の粗面化を抑制して高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止することで、表皮効果による損失を抑制することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材は、シード層の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もこのシード層の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。   In the base material for a high-frequency printed wiring board, since the dielectric layer is mainly composed of a fluororesin, the dielectric layer has a small relative dielectric constant, thereby reducing transmission loss. Further, in the base material for a high-frequency printed wiring board, since the one surface side of the dielectric layer is modified, the seed layer is easily brought into close contact with the one surface side. In particular, the base material for a high-frequency printed wiring board has such a property that one surface of the dielectric layer is modified so as to prevent the one surface from being roughened and to improve the adhesion to the seed layer. Can be increased. Therefore, the base material for a high-frequency printed wiring board suppresses the roughening of the contact surface between the seed layer and the dielectric layer, thereby preventing the propagation distance of the high-frequency characteristic signal from becoming long, thereby increasing the skin effect. Loss can be suppressed. In addition, since the high-frequency printed wiring board base material has an average thickness of the seed layer within the above range, even when miniaturization is required, plating can be formed to a certain thickness on one surface of the seed layer. it can. Accordingly, the base material for a high-frequency printed wiring board can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.

上記金属が銅又は銅合金であるとよい。このように、上記金属が銅又は銅合金であることによって、コストを抑えつつ導通性を高めることができる。   Preferably, the metal is copper or a copper alloy. As described above, since the metal is copper or a copper alloy, conductivity can be improved while suppressing costs.

上記シード層が金属粒子の焼結体から構成されるとよく、上記金属粒子の平均粒子径としては、1nm以上500nm以下が好ましい。このように、上記シード層が金属粒子の焼結体から構成され、かつ上記金属粒子の平均粒子径が上記範囲とされることによって、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、上記誘電体層の一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。   The seed layer is preferably made of a sintered body of metal particles, and the average particle diameter of the metal particles is preferably 1 nm or more and 500 nm or less. As described above, the seed layer is formed of a sintered body of metal particles, and the average particle diameter of the metal particles is in the above range, so that expensive vacuum equipment necessary for physical vapor deposition such as sputtering is required. Without this, a dense and substantially uniform sintered body can be accurately formed on one surface side of the dielectric layer.

また、上記シード層は無電解めっき金属から構成されてもよい。上記シード層が無電解めっき金属から構成されることによっても、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、上記誘電体層の一方の面側にシード層を形成することができる。   Further, the seed layer may be made of an electroless plating metal. Even if the seed layer is made of an electroless plating metal, the seed layer is formed on one surface side of the dielectric layer without requiring expensive vacuum equipment required for physical vapor deposition such as sputtering. Can be.

上記シード層の平均厚みとしては、10nm以上1μm以下が好ましい。このように、上記シード層の平均厚みを上記範囲とすることによって、導通性を維持しつつ、めっきをある程度まで厚く形成することができる。   The average thickness of the seed layer is preferably from 10 nm to 1 μm. By setting the average thickness of the seed layer in the above range, plating can be formed to a certain thickness while maintaining conductivity.

上記シード層の他方の面の算術平均粗さRaとしては、2μm以下が好ましい。このように、上記シード層の他方の面の算術平均粗さRaが上記範囲であることによって、高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止して、表皮効果による損失をさらに抑制することができる。   The arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer is preferably 2 μm or less. As described above, when the arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer is within the above range, it is possible to prevent the propagation distance of the high-frequency characteristic signal from becoming long, and to further suppress the loss due to the skin effect. it can.

上記シード層の一方の面側にめっき層を備えるとよい。このように、上記シート層の一方の面側にめっき層を有することによって、シード層と誘電体層との剥離強度が向上すると共に導通性が高められる。   It is preferable to provide a plating layer on one surface side of the seed layer. As described above, by providing the plating layer on one surface side of the sheet layer, the peel strength between the seed layer and the dielectric layer is improved, and the conductivity is improved.

本発明の一態様に係る高周波プリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、当該高周波プリント配線板用基材を用い形成される。   A high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention includes a dielectric layer containing fluororesin as a main component, a modified surface on one surface side, and a conductive pattern laminated on one surface of the dielectric layer. A printed wiring board comprising the high-frequency printed wiring board base material.

当該高周波プリント配線板は、当該高周波プリント配線板用基材を用いて形成されるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。   Since the high-frequency printed wiring board is formed using the base material for a high-frequency printed wiring board, transmission loss can be reduced and high-frequency characteristics can be improved.

当該高周波プリント配線板は、セミアディティブ法により形成されるとよい。当該高周波プリント配線板は、上記誘電体層の一方の面側が改質処理されているので、シード層の一方の面側にめっきをある程度まで厚く形成することができるため、セミアディティブ法によって容易かつ確実に形成することができる。また、セミアディティブ法によって形成することで、導電パターンの断面を所望の形状にしやすい。これにより、導電パターンの断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。   The high-frequency printed wiring board is preferably formed by a semi-additive method. Since the high-frequency printed wiring board has one surface side of the dielectric layer that has been modified, plating can be formed to a certain thickness on one surface side of the seed layer. It can be formed reliably. Further, by forming the conductive pattern by a semi-additive method, the cross section of the conductive pattern can be easily formed into a desired shape. Thereby, the cross-sectional area of the conductive pattern can be increased to improve the transmission characteristics.

上記導電パターンの断面形状における下底を1辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターンの平均厚みと等しい長方形に対する導電パターンの断面の面積比の平均値としては、0.9以上が好ましい。このように、導電パターンの断面の面積比の平均値を上記範囲とすることによって、導電パターンの断面積を十分に大きくして伝送特性を十分に向上することができる。   The lower base in the cross-sectional shape of the conductive pattern is defined as one side, and the average value of the area ratio of the cross section of the conductive pattern to a rectangle whose length adjacent to this side is equal to the average thickness of the conductive pattern is 0.9 or more. preferable. As described above, by setting the average value of the area ratio of the cross section of the conductive pattern to the above range, the cross sectional area of the conductive pattern can be made sufficiently large and the transmission characteristics can be sufficiently improved.

本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質する工程と、上記改質工程後のフィルムの一方の面にシード層を形成する工程とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下である。   A method for manufacturing a substrate for a high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention includes a step of modifying one surface side of a film containing a fluororesin as a main component, and one surface of the film after the modification step. Forming a seed layer on the substrate, wherein the main component of the seed layer is a metal, and the average thickness of the seed layer is 2 μm or less.

当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質し、この改質処理がなされた面にシード層を形成するので、このフィルムの一方の面の粗面化を防止しつつ、このフィルムとシード層との密着性を高めることができる。また、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、シード層の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もシード層の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能なプリント配線板用基材を容易かつ確実に製造することができる。   In the method of manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board, one surface of a film containing a fluororesin as a main component is modified, and a seed layer is formed on the surface on which the modification treatment is performed. The adhesion between the film and the seed layer can be enhanced while preventing the one surface from being roughened. Further, in the method of manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board, since the average thickness of the seed layer is in the above range, even when miniaturization is required, plating is formed to a certain thickness on one surface of the seed layer. be able to. Therefore, the method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board can easily and reliably manufacture a base material for a printed wiring board that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.

上記シード層形成工程が、金属粒子が溶媒中に分散したインクを上記フィルムの一方の面に塗工する工程と、上記フィルムの一方の面に塗工したインクを焼成する工程とを有するとよく、上記金属粒子の平均粒子径としては、1nm以上500nm以下が好ましい。このように、上記シード層形成工程で、平均粒子径が上記範囲である金属粒子を含む上記インクを上記フィルムの一方の面に塗工した上、塗工したインクを焼成することによって、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を用いることなく、上記フィルムの一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。   The seed layer forming step may include a step of applying an ink in which metal particles are dispersed in a solvent to one surface of the film, and a step of baking the ink applied to one surface of the film. The average particle diameter of the metal particles is preferably from 1 nm to 500 nm. As described above, in the seed layer forming step, the ink containing the metal particles having an average particle diameter in the above range is applied to one surface of the film, and the applied ink is baked to perform sputtering or the like. A dense and substantially uniform sintered body can be accurately formed on one surface side of the film without using expensive vacuum equipment required for physical vapor deposition.

本発明の一態様に係る高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、上記誘電体層とこの誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下である高周波プリント配線板を用い形成する。   According to one embodiment of the present invention, there is provided a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board, including a dielectric layer containing fluorine resin as a main component, one surface of which is modified, and a conductive layer laminated on one surface of the dielectric layer. A method of manufacturing a printed wiring board comprising a pattern, comprising: a dielectric layer; and a seed layer laminated on one surface of the dielectric layer, wherein a main component of the seed layer is a metal; It is formed using a high-frequency printed wiring board having an average layer thickness of 2 μm or less.

当該高周波プリント配線板の製造方法は、上述のような高周波プリント配線板用基材を用いるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。   Since the method for manufacturing a high-frequency printed wiring board uses the base material for a high-frequency printed wiring board as described above, it is possible to easily and reliably manufacture a high-frequency printed wiring board that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics. it can.

なお、本発明において、「平均粒子径」とは、分散液中の体積粒度分布の中心径D50で表されるものを意味する。平均粒子径は、粒子径分布測定装置(例えば、日機装株式会社のマイクロトラック粒度分布計「UPA−150EX」)で測定することができる。「算術平均粗さRa」とは、JIS−B−0601:2001に準じてカットオフ値(λc)2.5mm、評価長さ(l)12.5mmで測定される値を意味する。「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が50質量%以上の成分をいう。「下底」とは、導電パターンの誘電体層側の辺を意味する。また、「平均厚み」とは、対象物の厚み方向に切断した断面における測定長さ内の表面側の界面の平均線と、裏面側の界面の平均線との間の距離を指す。ここで、「平均線」とは、界面に沿って引かれる仮想線であって、界面とこの仮想線とによって区画される山の総面積(仮想線よりも上側の総面積)と谷の総面積(仮想線よりも下側の総面積)とが等しくなるような線を指す。   In the present invention, the “average particle diameter” means the one represented by the center diameter D50 of the volume particle size distribution in the dispersion. The average particle size can be measured with a particle size distribution measuring device (for example, Microtrac particle size distribution analyzer “UPA-150EX” manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). The “arithmetic mean roughness Ra” means a value measured at a cutoff value (λc) of 2.5 mm and an evaluation length (l) of 12.5 mm according to JIS-B-0601: 2001. The “main component” refers to a component having the largest content, for example, a component having a content of 50% by mass or more. "Lower bottom" means the side of the conductive pattern on the dielectric layer side. The “average thickness” refers to the distance between the average line of the interface on the front surface and the average line of the interface on the back surface within the measured length in a cross section cut in the thickness direction of the object. Here, the “average line” is a virtual line drawn along the interface, and the total area of the peaks (the total area above the virtual line) and the total of the valleys defined by the interface and this virtual line are defined. A line whose area (total area below the imaginary line) is equal.

[本発明の実施形態の詳細]
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法を説明する。
[Details of Embodiment of the Present Invention]
Hereinafter, a high-frequency printed wiring board base material, a high-frequency printed wiring board, a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board base material, and a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

[第一実施形態]
<高周波プリント配線板用基材>
図1の高周波プリント配線板用基材1は、誘電体層2と、シード層3と、ベース層4とを備える。高周波プリント配線板用基材1は、可撓性を有し、フレキシブルプリント配線板の基板として用いられる。
[First embodiment]
<Substrate for high frequency printed wiring board>
The base material 1 for a high-frequency printed wiring board in FIG. 1 includes a dielectric layer 2, a seed layer 3, and a base layer 4. The high-frequency printed wiring board substrate 1 has flexibility and is used as a substrate of a flexible printed wiring board.

(誘電体層)
誘電体層2は、フッ素樹脂を主成分とする。ここで、「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも1つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基(以下、「フッ素原子含有基」ともいう)で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも1つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
(Dielectric layer)
The dielectric layer 2 contains a fluororesin as a main component. Here, “fluororesin” means that at least one of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms constituting the repeating unit of the polymer chain is a fluorine atom or an organic group having a fluorine atom (hereinafter, also referred to as a “fluorine atom-containing group”). ). The fluorine atom-containing group is a group in which at least one hydrogen atom in a linear or branched organic group is substituted with a fluorine atom, and examples thereof include a fluoroalkyl group, a fluoroalkoxy group, and a fluoropolyether group. .

上記「フルオロアルキル基」とは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」等が例示できる。具体的なフルオロアルキル基としては、例えばアルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の1つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。   The “fluoroalkyl group” means an alkyl group in which at least one hydrogen atom has been replaced by a fluorine atom, and examples thereof include a “perfluoroalkyl group”. Specific fluoroalkyl groups include, for example, a group in which all hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, a group in which hydrogen atoms other than one hydrogen atom at the terminal of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, and the like. Can be

上記「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」等が例示できる。具体的なフルオロアルコキシ基としては、例えばアルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の1つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。   The “fluoroalkoxy group” means an alkoxy group in which at least one hydrogen atom has been replaced by a fluorine atom, and examples thereof include a “perfluoroalkoxy group”. Specific examples of the fluoroalkoxy group include a group in which all hydrogen atoms of an alkoxy group are substituted with fluorine atoms, a group in which a hydrogen atom other than one hydrogen atom at the terminal of the alkoxy group is substituted with a fluorine atom, and the like. Can be

上記「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位としてオキシアルキレン単位を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する1価の基であって、このアルキレンオキシド鎖又は末端のアルキル基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された1価の基を意味する。フルオロポリエーテル基としては、例えば繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」等が例示できる。   The “fluoropolyether group” is a monovalent group having an oxyalkylene unit as a repeating unit and having an alkyl group or a hydrogen atom at a terminal, and at least one of the alkylene oxide chain and the terminal alkyl group. It means a monovalent group in which a hydrogen atom is substituted by a fluorine atom. Examples of the fluoropolyether group include a “perfluoropolyether group” having a plurality of perfluoroalkylene oxide chains as a repeating unit.

誘電体層2の主成分であるフッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体(ETFE)、ポリビニリデンフルオライド(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体(ECTFE)、ポリフッ化ビニル(PVF)、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ビニリデンフルオライドの3種類のモノマーにより形成される熱可塑性フッ素樹脂(THV)及びフルオロエラストマー等が挙げられる。また、これら化合物を含む混合物やコポリマーも上記フッ素樹脂として使用することができる。   Examples of the fluororesin that is the main component of the dielectric layer 2 include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinyl ether copolymer (PFA), and tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP). ), Tetrafluoroethylene-ethylene copolymer (ETFE), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), chlorotrifluoroethylene-ethylene copolymer (ECTFE), polyvinyl fluoride (PVF) And a thermoplastic fluororesin (THV) formed by three kinds of monomers of tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene, and vinylidene fluoride, and a fluoroelastomer. Further, a mixture or a copolymer containing these compounds can also be used as the fluororesin.

中でも、誘電体層2の主成分として用いられるフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、及びこれらの組み合わせが好ましい。これらのフッ素樹脂は比誘電率が低い材料であるため、これらのフッ素樹脂を誘電体層2の主成分とすることで、伝送損失をより抑制できる。   Among them, the fluororesin used as the main component of the dielectric layer 2 includes tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinyl ether copolymer (PFA), and polytetrafluoroethylene (PTFE), and combinations thereof. Since these fluororesins are materials having a low relative dielectric constant, transmission loss can be further suppressed by using these fluororesins as a main component of the dielectric layer 2.

また、誘電体層2は、任意成分として、例えばエンジニアリングプラスチック、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤、補強材等を含むことができる。この場合、誘電体層2中の任意成分の含有量の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい。   The dielectric layer 2 may be an optional component such as an engineering plastic, a flame retardant, a flame retardant aid, a pigment, an antioxidant, a reflection imparting agent, a hiding agent, a lubricant, a processing stabilizer, a plasticizer, a foaming agent, and a reinforcing agent. Material can be included. In this case, the upper limit of the content of the optional component in the dielectric layer 2 is preferably 50% by mass, more preferably 40% by mass, and still more preferably 30% by mass.

上記エンジニアリングプラスチックとしては、誘電体層2に求められる特性に応じて公知のものから選択して使用でき、典型的には芳香族ポリエーテルケトンを使用することができる。   The engineering plastic can be selected from known ones according to the characteristics required of the dielectric layer 2, and typically, an aromatic polyether ketone can be used.

この芳香族ポリエーテルケトンは、ベンゼン環がパラ位で結合し、剛直なケトン結合(−C(=O)−)又はフレキシブルなエーテル結合(−O−)によってベンゼン環同士が連結された構造を有する熱可塑性樹脂である。芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えばエーテル結合、ベンゼン環、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルケトン(PEK)を挙げることができる。中でも、芳香族ポリエーテルケトンとしては、PEEKが好ましい。このような芳香族ポリエーテルケトンは、耐摩耗性、耐熱性、絶縁性、加工性等に優れる。   This aromatic polyether ketone has a structure in which benzene rings are bonded at the para position and benzene rings are connected to each other by a rigid ketone bond (—C (= O) —) or a flexible ether bond (—O—). Is a thermoplastic resin. Examples of the aromatic polyether ketone include polyether ether ketone (PEEK) having an ether bond, a benzene ring, an ether bond, a benzene ring, a ketone bond, and a benzene ring having a structural unit arranged in this order, an ether bond, a benzene ring. , A polyether ketone (PEK) having a structural unit in which a ketone bond and a benzene ring are arranged in this order. Above all, PEEK is preferred as the aromatic polyether ketone. Such an aromatic polyether ketone is excellent in wear resistance, heat resistance, insulation, workability, and the like.

PEEK等の芳香族ポリエーテルケトンとしては、市販品を使用することができ、例えば市販されている単一のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよく、複数のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを併用してもよく、また変性した芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよい。   As the aromatic polyether ketone such as PEEK, a commercially available product can be used. For example, a single-grade aromatic polyether ketone that is commercially available may be used, and a plurality of grades of aromatic polyether ketone may be used. A ketone may be used in combination, or a modified aromatic polyether ketone may be used.

上記難燃剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば臭素系難燃剤、塩素系難燃剤等のハロゲン系難燃剤などを挙げることができる。   As the flame retardant, various known flame retardants can be used, and examples thereof include a halogen flame retardant such as a bromine flame retardant and a chlorine flame retardant.

上記難燃助剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば三酸化アンチモン等を挙げることができる。   As the flame retardant aid, various known ones can be used, and examples thereof include antimony trioxide.

上記顔料としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等を挙げることができる。   As the pigment, various known pigments can be used, and examples thereof include titanium oxide.

上記酸化防止剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えばフェノール系酸化防止剤等を挙げることができる。   As the antioxidant, various known antioxidants can be used, and examples thereof include a phenolic antioxidant.

上記反射付与剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等を挙げることができる。   As the reflection imparting agent, various known agents can be used, and examples thereof include titanium oxide.

上記補強材としては、誘電体層2よりも線膨張率が小さいものであれば特に限定されるものではないが、絶縁性と、フッ素樹脂の融点で溶融流動しない耐熱性と、フッ素樹脂と同等以上の引っ張り強さと、耐腐食性とを有することが望ましい。このような補強材としては、例えばガラスをクロス状に形成したガラスクロス、このようなガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させたフッ素樹脂含有ガラスクロス、金属、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、アラミド等により形成された耐熱繊維を含む樹脂クロス、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、熱硬化樹脂、架橋樹脂等を主成分とする耐熱フィルムなどから構成することが可能である。なお、上記樹脂クロス及び耐熱フィルムとしては、後述する改質層5a、5bを形成する工程の熱圧着の温度以上の融点(又は熱変形温度)を有するものが好ましい。上記樹脂クロスの織り方としては、誘電体層2を薄くするためには平織りが好ましいが、誘電体層2を屈曲可能とするためには綾織り及びサテン織りが好ましい。この他、公知の織り方を適用することができる。   The reinforcing material is not particularly limited as long as it has a smaller coefficient of linear expansion than the dielectric layer 2. However, it has insulation properties, heat resistance that does not melt and flow at the melting point of the fluororesin, and is equivalent to that of the fluororesin. It is desirable to have the above tensile strength and corrosion resistance. As such a reinforcing material, for example, a glass cloth formed of glass in a cloth shape, a fluororesin-containing glass cloth in which such a glass cloth is impregnated with a fluororesin, metal, ceramics, polytetrafluoroethylene, polyetheretherketone , Polyimide, resin cloth containing heat-resistant fibers formed of aramid, etc., polytetrafluoroethylene, liquid crystal polymer, polyimide, polyamideimide, polybenzimidazole, polyetheretherketone, polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl It can be composed of a heat-resistant film containing a vinyl ether copolymer, a thermosetting resin, a crosslinked resin, or the like as a main component. The resin cloth and the heat-resistant film preferably have a melting point (or heat deformation temperature) higher than the thermocompression bonding temperature in the step of forming the modified layers 5a and 5b described later. The weaving method of the resin cloth is preferably plain weave to make the dielectric layer 2 thin, but twill weave and satin weave are preferable to make the dielectric layer 2 bendable. In addition, a known weaving method can be applied.

また、誘電体層2に中空構造を設けてもよい。この場合、誘電体層2の比誘電率を小さくすることができるため、伝送損失をより効果的に抑制できる。   Further, the dielectric layer 2 may have a hollow structure. In this case, since the dielectric constant of the dielectric layer 2 can be reduced, transmission loss can be more effectively suppressed.

誘電体層2の平均厚みの下限としては、3μmが好ましく、6μmがより好ましい。一方、誘電体層2の平均厚みの上限としては、1mmが好ましく、0.5mmがより好ましく、0.1mmがさらに好ましく、55μmが特に好ましい。誘電体層2の平均厚みが上記下限未満であると、誘電体層2の強度が不十分となるおそれがある。逆に、誘電体層2の平均厚みが上記上限を超えると、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。   The lower limit of the average thickness of the dielectric layer 2 is preferably 3 μm, more preferably 6 μm. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the dielectric layer 2 is preferably 1 mm, more preferably 0.5 mm, further preferably 0.1 mm, and particularly preferably 55 μm. If the average thickness of the dielectric layer 2 is less than the above lower limit, the strength of the dielectric layer 2 may be insufficient. Conversely, if the average thickness of the dielectric layer 2 exceeds the above upper limit, application to electronic devices that require flexibility may be difficult.

誘電体層2の比誘電率の下限としては、1.2が好ましく、1.4がより好ましく、1.6がさらに好ましい。一方、誘電体層2の比誘電率の上限としては、2.7が好ましく、2.5がより好ましく、2.3がさらに好ましい。誘電体層2の比誘電率が上記下限未満であると、誘電体層2の寸法安定性の確保が難しくなる。特に発泡により非誘電率を低下させた場合には、弾性率が低下しすぎて加工及び搬送が困難になりかつ高額化するおそれがある。逆に、誘電体層2の比誘電率が上記上限を超えると、誘電正接が大きくなって伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。   As a minimum of relative permittivity of dielectric layer 2, 1.2 is preferred, 1.4 is more preferred, and 1.6 is still more preferred. On the other hand, the upper limit of the relative permittivity of the dielectric layer 2 is preferably 2.7, more preferably 2.5, and still more preferably 2.3. When the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 is less than the above lower limit, it is difficult to secure the dimensional stability of the dielectric layer 2. In particular, when the non-dielectric constant is reduced by foaming, the elastic modulus is too low, which makes processing and transport difficult and may increase the cost. On the other hand, when the relative dielectric constant of the dielectric layer 2 exceeds the above upper limit, the dielectric loss tangent may increase and transmission loss may not be sufficiently reduced, and sufficient transmission speed may not be obtained.

(改質層)
誘電体層2は、両面側が改質処理されている。具体的には、誘電体層2は、一方の面側及び他方の面側に改質層5a、5bを有する。改質層5a、5bは、シロキサン結合(Si−O−Si)及び親水性官能基を含む。この改質層5a、5bは、誘電体層2の主成分であるフッ素樹脂に、例えば親水性官能基を有し、かつシロキサン結合を生成する改質剤(シランカップリング剤)が結合して形成される。この場合、改質層5a、5bにおいて、例えば親水性官能基がシロキサン結合を構成するSi原子に結合している。ここで、フッ素樹脂と改質剤との間の結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。
(Modified layer)
The dielectric layer 2 is modified on both sides. Specifically, the dielectric layer 2 has the modified layers 5a and 5b on one surface side and the other surface side. The modified layers 5a and 5b include a siloxane bond (Si-O-Si) and a hydrophilic functional group. The modified layers 5a and 5b are formed by, for example, a modifier (silane coupling agent) having a hydrophilic functional group and generating a siloxane bond bonded to a fluororesin which is a main component of the dielectric layer 2. It is formed. In this case, in the modified layers 5a and 5b, for example, a hydrophilic functional group is bonded to a Si atom constituting a siloxane bond. Here, the bond between the fluororesin and the modifier may be composed of only a covalent bond or may include a covalent bond and a hydrogen bond.

改質層5a、5bにおいて、シロキサン結合を構成するSi原子(以下、この原子を「シロキサン結合のSi原子」ともいう)は、例えばN原子、C原子、O原子、及びS原子のいずれか少なくとも1つの原子を介して誘電体層2のC原子と共有結合する。具体的には、シロキサン結合のSi原子は、例えば−O−、−S−、−S−S−、−(CH−、−NH−、−(CH−NH−、−(CH−O−(CH−(n及びmは1以上の整数である)等の原子団を介して誘電体層2のC原子と結合する。 In the modified layers 5a and 5b, a Si atom constituting a siloxane bond (hereinafter, this atom is also referred to as a “siloxane bond Si atom”) is, for example, at least one of an N atom, a C atom, an O atom, and an S atom. It is covalently bonded to C atoms of the dielectric layer 2 through one atom. Specifically, Si atom of the siloxane bond, for example -O -, - S -, - S-S -, - (CH 2) n -, - NH -, - (CH 2) n -NH -, - It bonds to C atoms of the dielectric layer 2 through an atomic group such as (CH 2 ) n —O— (CH 2 ) m — (n and m are integers of 1 or more).

上記親水性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基、メルカプト基、及びこれらの組合せが好ましい。これらの中でもN原子を含む親水性官能基、及びS原子を含む親水性官能基がより好ましい。これらの親水性官能基は、誘電体層2の表面の密着性を向上させる。   Examples of the hydrophilic functional group include a hydroxyl group, a carboxy group, a carbonyl group, an amino group, an amide group, a sulfide group, a sulfonyl group, a sulfo group, a sulfonyldioxy group, an epoxy group, a methacryl group, a mercapto group, and a combination thereof. preferable. Among these, a hydrophilic functional group containing an N atom and a hydrophilic functional group containing an S atom are more preferable. These hydrophilic functional groups improve the adhesion of the surface of the dielectric layer 2.

また、改質層5a、5bは、これら親水性官能基の2種以上を含んでもよい。このように改質層5a、5bに異なる性質の親水性官能基を付与することによって、誘電体層2の表面の反応性等を多様なものとすることができる。これらの親水性官能基は、シロキサン結合の構成要素であるSi原子に直接、又は1つ若しくは複数のC原子を介して結合することができる。   Further, the modified layers 5a and 5b may include two or more of these hydrophilic functional groups. By imparting hydrophilic functional groups having different properties to the modified layers 5a and 5b, the reactivity of the surface of the dielectric layer 2 can be varied. These hydrophilic functional groups can be bonded directly to the Si atom that is a component of the siloxane bond, or via one or more C atoms.

上記の特徴を有する改質層5a、5bを形成するための改質剤としては、分子中に親水性官能基を有するシランカップリング剤が好適であり、中でも加水分解性ケイ素含有官能基を有するものがより好適である。このようなシランカップリング剤は、誘電体層2を構成するフッ素樹脂と化学結合する。シランカップリング剤と誘電体層2のフッ素樹脂との間の化学結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。ここで、「加水分解性ケイ素含有官能基」とは、加水分解によりシラノール基(Si−OH)を形成し得る基をいう。   As a modifier for forming the modified layers 5a and 5b having the above characteristics, a silane coupling agent having a hydrophilic functional group in a molecule is preferable, and among them, a silane coupling agent having a hydrolyzable silicon-containing functional group is preferable. Those are more preferred. Such a silane coupling agent chemically bonds to the fluororesin constituting the dielectric layer 2. The chemical bond between the silane coupling agent and the fluororesin of the dielectric layer 2 may be composed of only a covalent bond or may include a covalent bond and a hydrogen bond. Here, the “hydrolyzable silicon-containing functional group” refers to a group capable of forming a silanol group (Si—OH) by hydrolysis.

改質層5a、5bの表面の純水との接触角の上限としては、90°が好ましく、80°がより好ましく、70°がさらに好ましい。改質層5a、5bの表面の純水との接触角を上記上限以下とすることにより、密着性をより向上させることができる。一方、改質層5a、5bの表面の純水との接触角の下限は特に限定されない。上記接触角は、例えば親水性官能基の種類や量を調整することにより制御できる。なお、上記「純水との接触角」とは、JIS−R−3257(1999年)の静滴法により測定される接触角の値である。   The upper limit of the contact angle of the surfaces of the modified layers 5a and 5b with pure water is preferably 90 °, more preferably 80 °, and even more preferably 70 °. By setting the contact angle of the surfaces of the modified layers 5a and 5b with pure water to the above upper limit or less, the adhesion can be further improved. On the other hand, the lower limit of the contact angle of the surfaces of the modified layers 5a and 5b with pure water is not particularly limited. The contact angle can be controlled, for example, by adjusting the type and amount of the hydrophilic functional group. The “contact angle with pure water” is a value of a contact angle measured by a static drop method according to JIS-R-3257 (1999).

また、この改質層5a、5bは、以下に示すエッチング耐性を有することが好ましい。すなわち、塩化鉄を含み、比重が1.33g/cmであって、遊離塩酸濃度が0.2mol/Lであるエッチング液(温度45℃)に、2分間の条件で浸漬するエッチング処理に対して、改質層5a、5bが除去されないことが好ましい。ここで、「改質層5a、5bが除去されない」とは、親水性が失われないことを示し、改質層5a、5bが設けられた部分における純水との接触角が90°を超えないことを示す。改質層5a、5bが上記エッチング耐性を有すると、高周波プリント配線板用基材1を用いて導電パターンを形成する際に、導電パターンと誘電体層2との間にエッチング液が浸入することを抑制できるため、導電パターンと誘電体層2との間の密着性を良好に維持できる。上記エッチング耐性は、例えば後述する好ましいシランカップリング剤を用いることにより改質層5a、5bに付与することができる。なお、エッチング処理により、改質層5a、5bが形成されている領域において疎水性を示す微小部分が斑状に生じる場合もあるが、この領域全体として親水性を有する場合は、このような状態は親水性が維持されているものとする。 Further, it is preferable that the modified layers 5a and 5b have the following etching resistance. That is, the etching treatment in which iron chloride is contained, the specific gravity is 1.33 g / cm 3 , and the concentration of free hydrochloric acid is 0.2 mol / L (temperature: 45 ° C.) is immersed in an etching solution for 2 minutes. Therefore, it is preferable that the modified layers 5a and 5b are not removed. Here, “the modified layers 5a and 5b are not removed” means that the hydrophilicity is not lost, and the contact angle with pure water in the portion where the modified layers 5a and 5b are provided exceeds 90 °. Indicates no. If the modified layers 5a and 5b have the above etching resistance, an etchant may enter between the conductive pattern and the dielectric layer 2 when forming the conductive pattern using the base material 1 for a high-frequency printed wiring board. Therefore, the adhesion between the conductive pattern and the dielectric layer 2 can be favorably maintained. The etching resistance can be imparted to the modified layers 5a and 5b by using, for example, a preferable silane coupling agent described later. It should be noted that the etching process may cause patchy microscopic portions in the region where the modified layers 5a and 5b are formed, but when the entire region has hydrophilicity, such a state is not satisfied. It is assumed that hydrophilicity is maintained.

また、改質層5a、5bは、塩化銅を含有するエッチング液に対するエッチング耐性を有することが好ましい。なお、改質層5a、5bが上記塩化鉄含有エッチング液に対するエッチング耐性を有する場合は、この改質層5a、5bは、塩化銅を含有するエッチング液に対して上記と同様のエッチング耐性を有することが確認されている。   Further, it is preferable that the modified layers 5a and 5b have etching resistance to an etching solution containing copper chloride. When the modified layers 5a and 5b have the etching resistance to the above-mentioned iron chloride-containing etching solution, the modified layers 5a and 5b have the same etching resistance to the etching solution containing copper chloride as described above. That has been confirmed.

改質層5a、5bの平均厚みの下限としては、10nmが好ましく、20nmがより好ましい。また、改質層5a、5bの平均厚みの上限としては、400nmが好ましく、200nmがより好ましい。改質層5a、5bの平均厚みを上記下限以上とすることにより、密着性をより向上させることができる。一方、改質層5a、5bの平均厚みが上記上限を超えると、改質層5a、5bに起因する誘電損の影響により高周波特性が不十分となるおそれがある。よって、改質層5a、5bの平均厚みを上記範囲内とすることで、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、改質層5a、5bの平均厚みは、例えば電子顕微鏡等により測定できる。   The lower limit of the average thickness of the modified layers 5a and 5b is preferably 10 nm, more preferably 20 nm. The upper limit of the average thickness of the modified layers 5a and 5b is preferably 400 nm, more preferably 200 nm. By setting the average thickness of the modified layers 5a and 5b to be equal to or more than the above lower limit, the adhesion can be further improved. On the other hand, when the average thickness of the modified layers 5a and 5b exceeds the upper limit, the high-frequency characteristics may be insufficient due to the influence of dielectric loss caused by the modified layers 5a and 5b. Therefore, by setting the average thickness of the modified layers 5a and 5b within the above range, the function of suppressing the transmission loss and the function of improving the adhesion can be exhibited in a well-balanced manner. The average thickness of the modified layers 5a and 5b can be measured by, for example, an electron microscope.

誘電体層2中の改質層5a、5bの含有量の上限は、10質量%が好ましく、5質量%がより好ましく、1質量%がさらに好ましい。上記含有量を上記上限以下とすることにより、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、上記含有量の下限については、密着性を向上できる限り特にない。   The upper limit of the content of the modified layers 5a and 5b in the dielectric layer 2 is preferably 10% by mass, more preferably 5% by mass, and still more preferably 1% by mass. When the content is equal to or less than the upper limit, the function of suppressing transmission loss and the function of improving adhesion can be exhibited in a well-balanced manner. The lower limit of the content is not particularly limited as long as the adhesion can be improved.

(シード層)
シード層3は、誘電体層2の一方の面に積層される。具体的には、シード層3は、誘電体層2の改質層5aの一方の面に積層される。シード層3は、一方の面側にめっきを形成するためのめっき形成用の金属層である。シード層3は、金属を主成分とする。具体的には、シード層3は、金属粒子の焼結体から構成される。
(Seed layer)
The seed layer 3 is laminated on one surface of the dielectric layer 2. Specifically, the seed layer 3 is laminated on one surface of the modified layer 5a of the dielectric layer 2. The seed layer 3 is a metal layer for plating for forming plating on one surface side. The seed layer 3 contains a metal as a main component. Specifically, the seed layer 3 is composed of a sintered body of metal particles.

上記金属としては、一定の導通性を有する限り特に限定されるものではないが、誘電体層2とシード層3との間の密着力向上の観点から、その金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基並びにその金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基が生成されるものであるものが好ましく、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、コストを抑えつつ導通性及び誘電体層2との密着性を高めることができる銅又は銅合金が好ましい。   The metal is not particularly limited as long as it has a certain conductivity, but from the viewpoint of improving the adhesion between the dielectric layer 2 and the seed layer 3, a metal oxide based on the metal or the metal It is preferred that a group derived from an oxide and a metal hydroxide based on the metal or a group derived from the metal hydroxide be generated, for example, copper, nickel, aluminum, gold, silver, palladium, and chromium. Or alloys of these and the like. Among them, copper or a copper alloy that can increase conductivity and adhesion to the dielectric layer 2 while suppressing cost is preferable.

上記金属粒子の平均粒子径の下限としては、1nmが好ましく、30nmがより好ましい。一方、上記金属粒子の平均粒子径の上限としては、500nmが好ましく、100nmがより好ましい。上記金属粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、シード層3を形成するにあたり、上記金属粒子のインク中での分散性及び安定性が低下するおそれがあり、ひいては誘電体層2の一方の面に緻密で均一な焼結体を形成するのが困難になるおそれがある。逆に、上記金属粒子の平均粒子径が上記上限を超えると、上記金属粒子がインク中に沈殿しやすくなるおそれや、インクを塗布した際に上記金属粒子の密度が均一になり難くなるおそれがある。   The lower limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 1 nm, more preferably 30 nm. On the other hand, the upper limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 500 nm, more preferably 100 nm. If the average particle diameter of the metal particles is less than the lower limit, the dispersibility and stability of the metal particles in the ink may be reduced in forming the seed layer 3. It may be difficult to form a dense and uniform sintered body on the surface. Conversely, when the average particle diameter of the metal particles exceeds the upper limit, the metal particles may be likely to precipitate in the ink, or the density of the metal particles may not be easily uniform when the ink is applied. is there.

シード層3の平均厚みの下限としては、10nmが好ましく、50nmがより好ましく、100nmがさらに好ましい。一方、シード層3の平均厚みの上限としては、2μmとされ、1.5μmがより好ましく、1μmがさらに好ましく、500nmが特に好ましい。シード層3の平均厚みが上記下限未満であると、平面視においてシード層3に切れ目が生じて導通性が低下するおそれがある。逆に、シード層3の平均厚みが上記上限を超えると、めっきに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。これに対し、シード層3の平均厚みが上記範囲であることによって、導通性を維持しつつ、めっきをある程度まで厚く形成することができる。   The lower limit of the average thickness of the seed layer 3 is preferably 10 nm, more preferably 50 nm, and still more preferably 100 nm. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the seed layer 3 is 2 μm, preferably 1.5 μm, more preferably 1 μm, and particularly preferably 500 nm. If the average thickness of the seed layer 3 is less than the above lower limit, a cut may occur in the seed layer 3 in a plan view and the conductivity may be reduced. Conversely, if the average thickness of the seed layer 3 exceeds the above upper limit, the time required for plating may be long, and the productivity may be reduced. On the other hand, when the average thickness of the seed layer 3 is in the above range, the plating can be formed to a certain thickness while maintaining the conductivity.

シード層3の他方の面の算術平均粗さRaの上限としては、2μmが好ましく、1μmがより好ましく、0.5μmがさらに好ましい。シード層3の他方の面の算術平均粗さRaが上記上限を超えると、高周波特性信号の伝播距離が長くなり、表皮効果による損失が多くなるおそれがある。なお、シード層3の他方の面の算術平均粗さRaの下限としては、特に限定されるものではなく、例えば0.001μmとすることができる。   The upper limit of the arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer 3 is preferably 2 μm, more preferably 1 μm, and still more preferably 0.5 μm. If the arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer 3 exceeds the upper limit, the propagation distance of the high-frequency characteristic signal becomes longer, and the loss due to the skin effect may increase. Note that the lower limit of the arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer 3 is not particularly limited, and may be, for example, 0.001 μm.

(ベース層)
ベース層4は、誘電体層2の他方の面の全面に亘って配設されるグランド層である。ベース層4は、金属を主成分とする。ベース層4の主成分としては、例えば銅、銀、金、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、製造コストを抑えつつ、導通性を向上可能な銅又は銅合金が好ましい。
(Base layer)
The base layer 4 is a ground layer provided over the entire other surface of the dielectric layer 2. The base layer 4 contains a metal as a main component. The main components of the base layer 4 include, for example, copper, silver, gold, stainless steel, iron, aluminum, nickel, and alloys thereof. Among them, copper or a copper alloy that can improve conductivity while suppressing the production cost is preferable.

ベース層4の平均厚みの下限としては、1μmが好ましく、10μmがより好ましい。一方、ベース層4の平均厚みの上限としては、2000μmが好ましく、300μmがより好ましい。ベース層4の平均厚みが上記下限未満であると、十分な導通性が得られないと共に、強度が不足してベース層4の一方の面に誘電体層2を的確に積層できないおそれがある。逆に、ベース層4の平均厚みが上記上限を超えると、コストが嵩むと共に当該高周波プリント配線板用基材1が不必要に厚くなるおそれがある。   The lower limit of the average thickness of the base layer 4 is preferably 1 μm, more preferably 10 μm. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the base layer 4 is preferably 2000 μm, more preferably 300 μm. If the average thickness of the base layer 4 is less than the lower limit, sufficient conductivity may not be obtained, and the strength may be insufficient, so that the dielectric layer 2 may not be properly laminated on one surface of the base layer 4. Conversely, if the average thickness of the base layer 4 exceeds the above upper limit, the cost increases and the base material 1 for a high-frequency printed wiring board may be unnecessarily thick.

<高周波プリント配線板用基材の製造方法>
次に、図2A乃至図2Cを参照して、当該高周波プリント配線板用基材1の製造方法について説明する。
<Production method of base material for high frequency printed wiring board>
Next, a method for manufacturing the base material 1 for a high-frequency printed wiring board will be described with reference to FIGS. 2A to 2C.

当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルム2a(以下、単に「フッ素樹脂フィルム2a」ともいう。)の両面側を改質する工程と、この改質工程後のフィルムの一方の面にシード層3を形成する工程と、この改質工程後のフィルムの他方の面にベース層4を積層する工程とを備える。なお、以下においては、シード層形成工程の後にベース層積層を行う場合について説明するが、シード層形成工程の前にベース層積層工程を行ってもよい。   The method for producing the base material for a high-frequency printed wiring board includes a step of modifying both sides of a film 2a containing a fluororesin as a main component (hereinafter, also simply referred to as a "fluororesin film 2a"), and a step of modifying this step. The method includes a step of forming the seed layer 3 on one surface of the film after the step, and a step of laminating the base layer 4 on the other surface of the film after the modification step. In the following, a case where the base layer lamination is performed after the seed layer formation step will be described. However, the base layer lamination step may be performed before the seed layer formation step.

<改質工程>
改質工程では、図2Aに示すように、フッ素樹脂フィルム2aの両面を改質する。具体的には、フッ素樹脂フィルム2aの両面に改質層5a、5bを形成する。改質工程では、例えば改質剤である上述のシランカップリング剤と、アルコールと、水とを含むプライマ材料をフッ素樹脂フィルム2aの両面に積層し、乾燥によりこのプライマ材料のアルコールを除去する。この改質工程によって、フッ素樹脂フィルム2aの両面が改質されることで、誘電体層2が形成される。
<Reforming process>
In the modification step, as shown in FIG. 2A, both surfaces of the fluororesin film 2a are modified. Specifically, the modified layers 5a and 5b are formed on both surfaces of the fluororesin film 2a. In the reforming step, for example, a primer material containing the above-mentioned silane coupling agent as a modifier, an alcohol, and water is laminated on both surfaces of the fluororesin film 2a, and the alcohol of the primer material is removed by drying. By this modification step, both surfaces of the fluororesin film 2a are modified, so that the dielectric layer 2 is formed.

プライマ材料全体におけるシランカップリング剤の含有量の下限としては、0.1質量%が好ましく、0.5質量%がより好ましい。また、シランカップリング剤のプライマ材料全体における含有量の上限としては、5質量%が好ましく、3質量%がより好ましい。シランカップリング剤の含有量を上記下限以上とすることにより、密着性をより向上できる。一方、シランカップリング剤の含有量が上記上限を超えると、シランカップリング剤の凝集が生じ、均一な厚みのプライマ材料の膜が形成され難くなるおそれがある。   As a minimum of content of a silane coupling agent in the whole primer material, 0.1 mass% is preferred and 0.5 mass% is more preferred. Further, the upper limit of the content of the silane coupling agent in the entire primer material is preferably 5% by mass, and more preferably 3% by mass. When the content of the silane coupling agent is equal to or more than the above lower limit, the adhesion can be further improved. On the other hand, when the content of the silane coupling agent exceeds the above upper limit, aggregation of the silane coupling agent occurs, which may make it difficult to form a primer material film having a uniform thickness.

上記プライマ材料に含まれるアルコールとしては、例えばメタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノール、t−ブタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。これらのアルコール群から選択される1種又は2種以上が、上記アルコールとして使用できる。   Examples of the alcohol contained in the primer material include methanol, ethanol, n-propanol, n-butanol, t-butanol, and isopropyl alcohol. One or more selected from these alcohol groups can be used as the alcohol.

上記プライマ材料に含まれる水は、シランカップリング剤を加水分解させる物質であり、微量で足りるが、例えばアルコール100質量部に対して0.01質量部以上0.1質量部以下に設定される。なお、上記水としては、空気中に存在する水分や、アルコールに含まれる不純物としての水分を用いてもよい。   The water contained in the primer material is a substance that hydrolyzes the silane coupling agent, and a small amount is sufficient. For example, water is set to 0.01 part by mass or more and 0.1 part by mass or less based on 100 parts by mass of alcohol. . As the water, water existing in the air or water as an impurity contained in alcohol may be used.

<シード層形成工程>
シード層形成工程では、図2Bに示すように、フッ素樹脂フィルム2aを改質して形成される誘電体層2の一方の面にシード層3を形成する。シード層形成工程は、塗工工程と、焼成工程とを有する。
<Seed layer forming step>
In the seed layer forming step, as shown in FIG. 2B, the seed layer 3 is formed on one surface of the dielectric layer 2 formed by modifying the fluororesin film 2a. The seed layer forming step includes a coating step and a firing step.

(塗工工程)
塗工工程は、金属粒子が溶媒中に分散したインクを誘電体層2の一方の面に塗工する。以下、上記塗工工程について詳説する。
(Coating process)
In the coating step, an ink in which metal particles are dispersed in a solvent is coated on one surface of the dielectric layer 2. Hereinafter, the coating step will be described in detail.

(金属粒子)
上記インクに分散させる金属粒子は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができる。中でも、液相還元法によれば、製造コストをより低減できる上、水溶液中での攪拌等により、容易に金属粒子の粒子径を均一にすることができる。上記金属粒子は、このように、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造されることによって、上述のように平均粒子径が1nm以上500nm以下に調整される。
(Metal particles)
The metal particles dispersed in the ink can be produced by a high-temperature treatment method, a liquid phase reduction method, a gas phase method, or the like. Among them, according to the liquid phase reduction method, the production cost can be further reduced, and the particle diameter of the metal particles can be easily made uniform by stirring in an aqueous solution. The metal particles are manufactured by the high-temperature treatment method, the liquid-phase reduction method, the gas-phase method, or the like, so that the average particle diameter is adjusted to 1 nm or more and 500 nm or less as described above.

液相還元法によって上記金属粒子を製造するためには、例えば水に金属粒子を形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と分散剤とを溶解すると共に、還元剤を加えて一定時間金属イオンを還元反応させればよい。液相還元法の場合、製造される金属粒子は形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は、硝酸銅(II)(Cu(NO)、硫酸銅(II)五水和物(CuSO・5HO)等が挙げられる。また銀の場合は硝酸銀(I)(AgNO)、メタンスルホン酸銀(CHSOAg)等、金の場合はテトラクロロ金(III)酸四水和物(HAuCl・4HO)、ニッケルの場合は塩化ニッケル(II)六水和物(NiCl・6HO)、硝酸ニッケル(II)六水和物(Ni(NO・6HO)等が挙げられる。他の金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。 In order to produce the metal particles by a liquid phase reduction method, for example, a water-soluble metal compound and a dispersant that are the source of metal ions forming the metal particles are dissolved in water, and a reducing agent is added. The reduction reaction of the metal ions may be performed for a certain period of time. In the case of the liquid phase reduction method, the produced metal particles have a uniform spherical or granular shape and can be made into fine particles. For example, in the case of copper, copper (II) nitrate (Cu (NO 3 ) 2 ) or copper (II) sulfate pentahydrate (CuSO 4 .5H 2 O) and the like. Silver (I) nitrate in the case of silver addition (AgNO 3), silver methanesulfonate (CH 3 SO 3 Ag) or the like, in the case of gold tetrachloroaurate (III) acid tetrahydrate (HAuCl 4 · 4H 2 O) In the case of nickel, nickel (II) chloride hexahydrate (NiCl 2 .6H 2 O), nickel nitrate (II) hexahydrate (Ni (NO 3 ) 2 .6H 2 O) and the like can be mentioned. As for other metal particles, water-soluble compounds such as chlorides, nitric acid compounds, and sulfuric acid compounds can be used.

上記還元剤としては、液相(水溶液)の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、3価のチタンイオンや2価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどが挙げられる。中でも、上記還元剤としては3価のチタンイオンが好ましい。なお、3価のチタンイオンを還元剤とする液相還元法は、チタンレドックス法という。チタンレドックス法では、3価のチタンイオンが4価に酸化される際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、金属粒子を析出させる。チタンレドックス法で得られる金属粒子は、粒子径が小さくかつ揃っているため、金属粒子がより高密度に充填され、塗膜をより緻密な膜に形成することができる。   As the reducing agent, various reducing agents capable of reducing and precipitating metal ions in a liquid phase (aqueous solution) reaction system can be used. Examples of the reducing agent include sodium borohydride, sodium hypophosphite, hydrazine, transition metal ions such as trivalent titanium ion and divalent cobalt ion, ascorbic acid, reducing sugars such as glucose and fructose, Examples include polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin. Above all, a trivalent titanium ion is preferable as the reducing agent. The liquid phase reduction method using trivalent titanium ions as a reducing agent is referred to as a titanium redox method. In the titanium redox method, metal ions are reduced by redox action when trivalent titanium ions are oxidized to tetravalent, and metal particles are precipitated. Since the metal particles obtained by the titanium redox method have small and uniform particle diameters, the metal particles are more densely packed, and the coating film can be formed into a more dense film.

金属粒子の粒子径を調整するには、金属化合物、分散剤及び還元剤の種類並びに配合割合を調整すると共に、金属化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、pH等を調整すればよい。反応系のpHの下限としては7が好ましく、反応系のpHの上限としては13が好ましい。反応系のpHを上記範囲とすることで、微小な粒子径の金属粒子を得ることができる。このときpH調整剤を用いることで、反応系のpHを上記範囲に容易に調整することができる。このpH調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア等の一般的な酸又はアルカリが使用できるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物を含まない硝酸及びアンモニアが好ましい。   In order to adjust the particle diameter of the metal particles, adjust the types and mixing ratios of the metal compound, the dispersant and the reducing agent, and adjust the stirring speed, temperature, time, pH, etc., when the metal compound is subjected to the reduction reaction. I just need. The lower limit of the pH of the reaction system is preferably 7, and the upper limit of the pH of the reaction system is preferably 13. By setting the pH of the reaction system within the above range, metal particles having a fine particle diameter can be obtained. At this time, the pH of the reaction system can be easily adjusted to the above range by using the pH adjuster. As the pH adjuster, a common acid or alkali such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, sodium hydroxide, sodium carbonate, and ammonia can be used. Particularly, in order to prevent deterioration of peripheral members, an alkali metal or alkaline earth is used. Nitric acid and ammonia which do not contain impurities such as metals, halogens, sulfur, phosphorus and boron are preferred.

金属粒子の平均粒子径の下限としては、1nmが好ましく、10nmがより好ましく、
30nmがさらに好ましい。また、金属粒子の平均粒子径の上限としては、500nmが好ましく、300nmがより好ましく、100nmがさらに好ましい。金属粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、インク中での金属粒子の分散性及び安定性が低下するおそれがある。一方、金属粒子の平均粒子径が上記上限を超えると、金属粒子が沈殿しやすくなるおそれがあると共に、インクを塗布した際に金属粒子の密度が不均一になるおそれがある。
The lower limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 1 nm, more preferably 10 nm,
30 nm is more preferred. In addition, the upper limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 500 nm, more preferably 300 nm, and still more preferably 100 nm. If the average particle size of the metal particles is less than the above lower limit, the dispersibility and stability of the metal particles in the ink may be reduced. On the other hand, when the average particle diameter of the metal particles exceeds the above upper limit, the metal particles may be easily precipitated, and the density of the metal particles may be non-uniform when the ink is applied.

インク中の金属粒子の含有割合の下限としては、5質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、20質量%がさらに好ましい。また、インク中の金属粒子の含有割合の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい。金属粒子の含有割合を上記下限以上とすることで、塗膜をより緻密な膜に形成することができる。一方、金属粒子の含有割合が上記上限を超えると、塗膜の膜厚が不均一になるおそれがある。   As a minimum of content rate of metal particles in ink, 5 mass% is preferred, 10 mass% is more preferred, and 20 mass% is still more preferred. Further, the upper limit of the content ratio of the metal particles in the ink is preferably 50% by mass, more preferably 40% by mass, and still more preferably 30% by mass. By setting the content ratio of the metal particles to the lower limit or more, the coating film can be formed into a denser film. On the other hand, when the content ratio of the metal particles exceeds the above upper limit, the film thickness of the coating film may be non-uniform.

(その他の成分)
上記インクには、金属粒子以外に分散剤が含まれていてもよい。この分散剤としては、特に限定されず、金属粒子を良好に分散させることができる種々の分散剤を用いることができる。分散剤の分子量の下限としては、2,000が好ましく、分散剤の分子量の上限としては、30,000が好ましい。分子量が上記範囲の分散剤を用いることで、金属粒子をインク中に良好に分散させることができ、塗膜の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限未満の場合、金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがある。一方、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大きすぎて、塗膜の焼成時において、金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大きすぎると、塗膜の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導通性を低下させるおそれがある。
(Other components)
The ink may contain a dispersant other than the metal particles. The dispersant is not particularly limited, and various dispersants capable of favorably dispersing metal particles can be used. The lower limit of the molecular weight of the dispersant is preferably 2,000, and the upper limit of the molecular weight of the dispersant is preferably 30,000. By using a dispersant having a molecular weight in the above range, the metal particles can be dispersed well in the ink, and the film quality of the coating film can be made dense and free from defects. When the molecular weight of the dispersant is less than the lower limit, the effect of preventing aggregation of the metal particles and maintaining the dispersion may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the molecular weight of the dispersant exceeds the above upper limit, the bulk of the dispersant is too large, and during sintering of the coating film, sintering of the metal particles may be inhibited to cause voids. If the bulk of the dispersant is too large, the denseness of the coating film may be reduced, or the decomposition residue of the dispersant may lower the conductivity.

上記分散剤は、周辺部材の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボキシ基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール(ポリビニルアルコール)、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、1分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤などを挙げることができる。   The dispersant preferably does not contain sulfur, phosphorus, boron, halogen and alkali from the viewpoint of preventing deterioration of peripheral members. Preferred dispersants are those having a molecular weight in the above range, such as amine-based polymer dispersants such as polyethyleneimine and polyvinylpyrrolidone, and polyacrylic acid and hydrocarbon-based high-molecular weight compounds having a carboxy group in the molecule such as carboxymethylcellulose. Molecular dispersants, poval (polyvinyl alcohol), styrene-maleic acid copolymers, olefin-maleic acid copolymers, copolymers having a polar group such as a copolymer having a polyethyleneimine moiety and a polyethylene oxide moiety in one molecule. Molecular dispersants and the like can be mentioned.

上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解させた溶液の状態でインクに配合することもできる。インクに分散剤を配合する場合、分散剤の含有割合の下限としては、100質量部の金属粒子に対して1質量部が好ましい。また、分散剤の含有割合の上限としては、100質量部の金属粒子に対して60質量部が好ましい。上記分散剤の含有割合が上記下限未満の場合、金属粒子の凝集防止効果が不十分となるおそれがある。一方、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、塗膜の焼成時に過剰の分散剤が金属粒子の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、分散剤の分解残渣が不純物として残存して導通性を低下させるおそれがある。   The dispersant may be incorporated in the ink in the form of a solution dissolved in water or a water-soluble organic solvent. When a dispersant is added to the ink, the lower limit of the content of the dispersant is preferably 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of metal particles. Further, the upper limit of the content ratio of the dispersant is preferably 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. When the content of the dispersant is less than the lower limit, the effect of preventing metal particles from agglomerating may be insufficient. On the other hand, when the content ratio of the dispersant exceeds the upper limit, there is a possibility that an excess dispersant inhibits the sintering of the metal particles at the time of firing the coating film to generate voids, and the decomposition residue of the dispersant is reduced. It may remain as an impurity and lower the conductivity.

上記インクにおける分散媒としては、例えば水が使用できる。水を分散媒とする場合、水の含有割合の下限としては、100質量部の金属粒子に対して20質量部が好ましい。また、水の含有割合の上限としては、100質量部の金属粒子に対して1,900質量部が好ましい。分散媒である水は、例えば分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子を良好に分散させる役割を果たすが、上記水の含有割合が上記下限未満の場合、この分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。一方、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、インク中の金属粒子の含有割合が少なくなり、必要な厚みと密度とを有する良好な焼結体3を形成できないおそれがある。   As the dispersion medium in the ink, for example, water can be used. When water is used as the dispersion medium, the lower limit of the water content is preferably 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. The upper limit of the water content is preferably 1,900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of metal particles. Water serving as a dispersion medium plays a role of, for example, sufficiently swelling the dispersant and dispersing the metal particles surrounded by the dispersant satisfactorily. The swelling effect may be insufficient. On the other hand, when the content of the water exceeds the upper limit, the content of the metal particles in the ink decreases, and there is a possibility that a good sintered body 3 having a required thickness and density cannot be formed.

上記インクには、粘度調整や蒸気圧調整等のために必要に応じて有機溶媒を配合できる。このような有機溶媒としては、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類;エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類などが挙げられる。   An organic solvent can be added to the ink as needed for viscosity adjustment, vapor pressure adjustment, and the like. As such an organic solvent, various organic solvents that are water-soluble can be used. Specific examples thereof include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, sec-butyl alcohol, and tert-butyl alcohol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin and other esters; glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether;

インクに有機溶媒を配合する場合、有機溶媒の含有割合の下限としては、100質量部の金属粒子に対して30質量部が好ましい。また、有機溶媒の含有割合の上限としては、100質量部の金属粒子に対して900質量部が好ましい。有機溶媒の含有割合が上記下限未満であると、インクの粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。一方、有機溶媒の含有割合が上記上限を超えると、例えば水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、インク中で金属粒子の凝集が生じるおそれがある。   When an organic solvent is added to the ink, the lower limit of the content ratio of the organic solvent is preferably 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of metal particles. The upper limit of the content ratio of the organic solvent is preferably 900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. When the content ratio of the organic solvent is less than the above lower limit, the effects of adjusting the viscosity of the ink and adjusting the vapor pressure may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the content ratio of the organic solvent exceeds the above upper limit, for example, the swelling effect of the dispersant by water becomes insufficient, and there is a possibility that metal particles may aggregate in the ink.

なお、液相還元法で金属粒子を製造する場合、液相(水溶液)の反応系で析出させた金属粒子は、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いてインクを調製することができる。この場合は、粉末状の金属粒子と、水等の分散媒と、必要に応じて分散剤、有機溶媒等とを所定の割合で配合し、金属粒子を含むインクとすることができる。このとき、金属粒子を析出させた液相(水溶液)を出発原料としてインクを調製することが好ましい。具体的には、析出した金属粒子を含む液相(水溶液)を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて金属粒子の濃度を調整した後、さらに必要に応じて有機溶媒を所定の割合で配合することによって金属粒子を含むインクを調製する。この方法では、金属粒子の乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一なシード層3を形成しやすい。   In the case of producing metal particles by a liquid phase reduction method, the metal particles precipitated in a reaction system of a liquid phase (aqueous solution) are once formed into a powder form through steps such as filtration, washing, drying, and crushing. Can be used to prepare an ink. In this case, an ink containing metal particles can be obtained by mixing powdered metal particles, a dispersion medium such as water, and, if necessary, a dispersant, an organic solvent, and the like at a predetermined ratio. At this time, it is preferable to prepare an ink using a liquid phase (aqueous solution) in which metal particles are precipitated as a starting material. Specifically, the liquid phase (aqueous solution) containing the precipitated metal particles is subjected to a treatment such as ultrafiltration, centrifugation, washing, and electrodialysis to remove impurities, and if necessary, is concentrated to remove water. . Alternatively, conversely, after adding water to adjust the concentration of the metal particles, an ink containing the metal particles is prepared by further mixing an organic solvent at a predetermined ratio as needed. According to this method, generation of coarse and irregular particles due to aggregation of metal particles during drying can be prevented, and a dense and uniform seed layer 3 can be easily formed.

(インクの塗布方法)
金属粒子を分散させたインクを誘電体層2の一方の面に塗布する方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布法を用いることができる。また、スクリーン印刷、ディスペンサ等により誘電体層2の一方の面の一部のみにインクを塗布するようにしてもよい。インクの塗布後、例えば室温で乾燥することにより塗膜が形成される。
(Ink application method)
Examples of a method of applying the ink in which the metal particles are dispersed to one surface of the dielectric layer 2 include a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a die coating method, a slit coating method, a roll coating method, and a dip coating method. Can be used. Alternatively, ink may be applied to only a part of one surface of the dielectric layer 2 by screen printing, a dispenser, or the like. After the application of the ink, a coating film is formed, for example, by drying at room temperature.

(焼成工程)
焼成工程は、塗工した上記インクを焼成する。詳細には、上記焼成工程は、誘電体層2の一方の面に塗工したインクから形成される塗膜を乾燥した後、熱処理する。この焼成工程によって上記金属粒子同士が焼結して焼結体を構成すると共にこの焼結体が誘電体層2の一方の面に固着される。これにより、誘電体層2の一方の面に平均厚みが2μm以下のシード層3が形成される。なお、インクに含まれ得る分散剤やその他の有機物は、焼成によって揮発又は分解される。また、シード層3と誘電体層2との界面近傍では、焼成によって金属粒子が酸化されるため、金属粒子に基づく金属水酸化物やその金属水酸化物に由来する基の生成を抑えつつ、金属粒子に基づく金属酸化物やその金属酸化物に由来する基(以下、これらをまとめて「金属酸化物等」ともいう。)が生成する。このシード層3と誘電体層2との界面近傍に生成した金属酸化物等は、誘電体層2を構成するフッ素樹脂と強く結合するため、シード層3と誘電体層2との間の密着力が大きくなる。
(Firing process)
In the firing step, the coated ink is fired. Specifically, in the baking step, a coating film formed from the ink applied to one surface of the dielectric layer 2 is dried and then heat-treated. In this firing step, the metal particles are sintered together to form a sintered body, and the sintered body is fixed to one surface of the dielectric layer 2. Thereby, a seed layer 3 having an average thickness of 2 μm or less is formed on one surface of the dielectric layer 2. The dispersant and other organic substances that can be contained in the ink are volatilized or decomposed by firing. Further, in the vicinity of the interface between the seed layer 3 and the dielectric layer 2, the metal particles are oxidized by firing, so that the generation of metal hydroxide based on the metal particles and the group derived from the metal hydroxide is suppressed. A metal oxide based on metal particles and a group derived from the metal oxide (hereinafter collectively referred to as “metal oxide or the like”) are generated. The metal oxide or the like generated near the interface between the seed layer 3 and the dielectric layer 2 is strongly bonded to the fluororesin constituting the dielectric layer 2, so that the adhesion between the seed layer 3 and the dielectric layer 2 is small. Strength increases.

上記焼成は、シード層3と誘電体層2との界面近傍の金属粒子の酸化を促進させるため、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。この場合、焼成雰囲気の酸素濃度の下限としては、1体積ppmが好ましく、10体積ppmがより好ましい。また、上記酸素濃度の上限としては、10,000体積ppmが好ましく、1,000体積ppmがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限未満であると、シード層3と誘電体層2との界面近傍における金属酸化物等の生成量が少なくなり、誘電体層2とシード層3との間の密着力を向上させることができなくなるおそれがある。一方、上記酸素濃度が上記上限を超えると、金属粒子の過度の酸化によりシード層3の導通性が低下するおそれがある。   The baking is preferably performed in an atmosphere containing a certain amount of oxygen in order to promote oxidation of metal particles near the interface between the seed layer 3 and the dielectric layer 2. In this case, the lower limit of the oxygen concentration in the firing atmosphere is preferably 1 ppm by volume, more preferably 10 ppm by volume. Further, the upper limit of the oxygen concentration is preferably 10,000 ppm by volume, more preferably 1,000 ppm by volume. If the oxygen concentration is less than the lower limit, the amount of metal oxide or the like generated in the vicinity of the interface between the seed layer 3 and the dielectric layer 2 is reduced, and the adhesion between the dielectric layer 2 and the seed layer 3 is reduced. There is a possibility that it cannot be improved. On the other hand, if the oxygen concentration exceeds the upper limit, the conductivity of the seed layer 3 may be reduced due to excessive oxidation of the metal particles.

上記乾燥は、例えば室温で行うことができる。   The drying can be performed, for example, at room temperature.

上記熱処理温度の下限としては、100℃が好ましく、150℃がより好ましい。一方、上記熱処理の温度の上限としては、400℃が好ましく、350℃がより好ましい。上記熱処理温度が上記下限未満であると、シード層3と誘電体層2との界面近傍における金属酸化物等の生成量が少なくなり、誘電体層2とシード層3との間の密着力を向上させることができなくなるおそれがある。一方、上記熱処理温度が上記上限を超えると、誘電体層2が変形するおそれがある。なお、熱処理時間については、特に限定されないが、例えば30分以上600分以下の範囲とすればよい。   As a minimum of the above-mentioned heat treatment temperature, 100 ° C is preferred and 150 ° C is more preferred. On the other hand, the upper limit of the temperature of the heat treatment is preferably 400 ° C, more preferably 350 ° C. When the heat treatment temperature is lower than the lower limit, the amount of metal oxide or the like generated near the interface between the seed layer 3 and the dielectric layer 2 is reduced, and the adhesion between the dielectric layer 2 and the seed layer 3 is reduced. There is a possibility that it cannot be improved. On the other hand, when the heat treatment temperature exceeds the upper limit, the dielectric layer 2 may be deformed. The heat treatment time is not particularly limited, but may be, for example, in a range from 30 minutes to 600 minutes.

<ベース層積層工程>
ベース層積層工程では、図2Cに示すように、ベース層4を誘電体層2の他方の面に積層する。ベース層積層工程では、例えばベース層4を構成する金属箔を誘電体層2に熱圧着する。また、この熱圧着は、ベース層4と誘電体層2との間に気泡や空隙が形成されないようにするために、減圧下で行うことが好ましい。また、ベース層4の酸化を抑制するため、低酸素条件下(例えば窒素雰囲気中)で行うことが好ましい。
<Base layer lamination process>
In the base layer laminating step, the base layer 4 is laminated on the other surface of the dielectric layer 2 as shown in FIG. 2C. In the base layer laminating step, for example, a metal foil constituting the base layer 4 is thermocompression-bonded to the dielectric layer 2. This thermocompression bonding is preferably performed under reduced pressure in order to prevent bubbles or voids from being formed between the base layer 4 and the dielectric layer 2. Further, in order to suppress oxidation of the base layer 4, it is preferable to perform the treatment under low oxygen conditions (for example, in a nitrogen atmosphere).

<利点>
当該高周波プリント配線板用基材1は、誘電体層2がフッ素樹脂を主成分とするので、誘電体層2の比誘電率が小さく、これによって伝送損失を低減することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材1は、誘電体層2の一方の面側が改質処理されているので、この一方の面側にシード層3を密着させやすい。特に、当該高周波プリント配線板用基材1は、このように誘電体層2の一方の面側を改質処理することで、この一方の面の粗面化を防止しつつ、シード層3との密着性を高めることができる。そのため、当該高周波プリント配線板用基材1は、シード層3と誘電体層2との当接面の粗面化を抑制して高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止することで、表皮効果による損失を抑制することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材1は、シード層3の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もシード層3の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材1は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
<Advantages>
In the base material 1 for a high-frequency printed wiring board, since the dielectric layer 2 is mainly composed of a fluororesin, the dielectric constant of the dielectric layer 2 is small, so that transmission loss can be reduced. In addition, since the high-frequency printed wiring board base material 1 is modified on one surface side of the dielectric layer 2, the seed layer 3 is easily brought into close contact with the one surface side. In particular, the base material 1 for a high-frequency printed wiring board is formed by modifying the surface of one side of the dielectric layer 2 so as to prevent the surface of the dielectric layer 2 from being roughened. Can be improved in adhesion. Therefore, the base material 1 for a high-frequency printed wiring board suppresses the roughening of the contact surface between the seed layer 3 and the dielectric layer 2 to prevent the propagation distance of the high-frequency characteristic signal from becoming longer. Loss due to the skin effect can be suppressed. Further, in the base material 1 for a high-frequency printed wiring board, since the average thickness of the seed layer 3 is in the above range, even when miniaturization is required, plating is formed to a certain thickness on one surface of the seed layer 3. be able to. Therefore, the base material 1 for a high-frequency printed wiring board can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.

従って、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能なプリント配線板用基材を容易かつ確実に製造することができる。   Therefore, the method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board can easily and reliably manufacture a base material for a printed wiring board that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.

当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、上記シード層形成工程が、平均粒子径が上記範囲である金属粒子を含む上記インクを上記フィルムの一方の面に塗工した上、塗工したインクを焼成するので、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を用いることなく、誘電体層2の一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。   In the method for producing a base material for a high-frequency printed wiring board, the seed layer forming step is performed by applying the ink containing metal particles having an average particle diameter in the above range to one surface of the film, and then applying the ink. Since the ink is fired, a dense and substantially uniform sintered body can be accurately formed on one surface side of the dielectric layer 2 without using expensive vacuum equipment necessary for physical vapor deposition such as sputtering. .

[第二実施形態]
<高周波プリント配線板用基材>
図3の高周波プリント配線板用基材11は、図1の高周波プリント配線板用基材1を用いて形成される。図3の高周波プリント配線板11は、誘電体層2と、シード層3と、ベース層4と、めっき層(第一めっき層12)とを備える。高周波プリント配線板11は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。誘電体層2、シード層3及びベース層4は、図1の高周波プリント配線板用基材1と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
[Second embodiment]
<Substrate for high frequency printed wiring board>
The high frequency printed wiring board base material 11 of FIG. 3 is formed using the high frequency printed wiring board base material 1 of FIG. The high-frequency printed wiring board 11 of FIG. 3 includes a dielectric layer 2, a seed layer 3, a base layer 4, and a plating layer (first plating layer 12). The high-frequency printed wiring board 11 is a flexible printed wiring board having flexibility. The dielectric layer 2, the seed layer 3, and the base layer 4 are the same as those of the high-frequency printed wiring board substrate 1 of FIG.

(第一めっき層)
第一めっき層12は、シード層3の一方の面に積層される。第一めっき層12を構成するめっき金属は、シード層3の外面だけでなく、シード層3の内部(シード層3を構成する金属粒子間の隙間)に入り込む。シード層3に空隙が残存していると、この空隙部分が破壊起点となってシード層3が誘電体層2から剥離しやすくなるが、この空隙部分に第一めっき層12を構成する金属が充填されていることによって誘電体層2からの剥離が防止される。また、シード層3を形成する金属粒子の空隙に第一めっき層12の金属が充填されることによって導通性が向上する。第一めっき層12を形成するためのめっき方法は、特に限定されず、無電解めっきであっても電気めっきであってもよいが、シード層3を形成する金属粒子間の空隙をより的確に埋めることでシード層3及び誘電体層2の剥離強度を容易かつ確実に向上できる無電解めっきが好ましい。
(First plating layer)
The first plating layer 12 is laminated on one surface of the seed layer 3. The plating metal forming the first plating layer 12 enters not only the outer surface of the seed layer 3 but also the inside of the seed layer 3 (the gap between the metal particles forming the seed layer 3). If a void remains in the seed layer 3, the void portion serves as a fracture starting point, and the seed layer 3 is easily peeled off from the dielectric layer 2. In this void portion, the metal constituting the first plating layer 12 is removed. The filling prevents the dielectric layer 2 from peeling off. In addition, the conductivity of the first plating layer 12 is improved by filling the voids of the metal particles forming the seed layer 3 with the metal of the first plating layer 12. The plating method for forming the first plating layer 12 is not particularly limited, and may be electroless plating or electroplating. However, the gap between the metal particles forming the seed layer 3 can be more accurately determined. It is preferable to use electroless plating which can easily and surely increase the peel strength of the seed layer 3 and the dielectric layer 2 by filling.

上記無電解めっきに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀等を用いることができるが、シード層3の主成分が銅又は銅合金である場合、シード層3との密着性を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。なお、無電解めっきに用いるめっき液は、ニッケル以外の金属を無電解めっきに用いる場合、めっき金属に加えてニッケル又はニッケル化合物を含有させたものを用いることが好ましい。   As the metal used for the electroless plating, copper, nickel, silver, or the like having good conductivity can be used. However, when the main component of the seed layer 3 is copper or a copper alloy, adhesion to the seed layer 3 is considered. Then, it is preferable to use copper or nickel. When a metal other than nickel is used for the electroless plating, it is preferable to use a plating solution containing nickel or a nickel compound in addition to the plating metal.

無電解めっきの手順としては、特に限定されず、例えばクリーナ工程、水洗工程、酸処理工程、水洗工程、プレディップ工程、アクチベータ工程、水洗工程、還元工程、水洗工程等の処理と共に、公知の手段で無電解めっきを行えばよい。   The procedure of the electroless plating is not particularly limited, and includes, for example, a cleaning step, a rinsing step, an acid treatment step, a rinsing step, a pre-dip step, an activator step, a rinsing step, a reduction step, a rinsing step, and other known means. May be used for electroless plating.

また、上記電気めっきに用いる金属としては、特に限定されるものではなく、上記無電解めっきに用いる金属と同様の金属が挙げられる。また、また、上記電気めっきの手順としても、特に限定されるものではなく、公知の電気めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。   The metal used for the electroplating is not particularly limited, and may be the same metal as the metal used for the electroless plating. Also, the procedure of the electroplating is not particularly limited, and may be appropriately selected from known electroplating baths and plating conditions.

第一めっき層12の平均厚みの下限としては、0.2μmが好ましく、0.3μmがより好ましい。一方、第一めっき層12の平均厚みの上限としては、1μmが好ましく、0.5μmがより好ましい。第一めっき層12の平均厚みが上記下限未満であると、第一めっき層12を構成する金属がシード層3内の空隙に十分に充填されないおそれがある。逆に、第一めっき層12の平均厚みが上記上限を超えると、無電解めっきに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。   The lower limit of the average thickness of the first plating layer 12 is preferably 0.2 μm, more preferably 0.3 μm. On the other hand, the upper limit of the average thickness of the first plating layer 12 is preferably 1 μm, more preferably 0.5 μm. If the average thickness of the first plating layer 12 is less than the lower limit, the metal forming the first plating layer 12 may not be sufficiently filled in the voids in the seed layer 3. Conversely, when the average thickness of the first plating layer 12 exceeds the above upper limit, the time required for electroless plating is lengthened, and the productivity may be reduced.

<利点>
当該高周波プリント配線板用基材11は、第一めっき層12を有するので、シード層3を形成する金属粒子間の空隙にめっきによる金属が充填される。そのため、当該プリント配線板用基材11は、シード層3と誘電体層2との剥離強度を向上できると共に導通性を高めることができる。
<Advantages>
Since the base material 11 for a high-frequency printed wiring board has the first plating layer 12, the gap between the metal particles forming the seed layer 3 is filled with the metal by plating. Therefore, the printed wiring board base material 11 can improve the peel strength between the seed layer 3 and the dielectric layer 2 and can also enhance the conductivity.

<高周波プリント配線板>
図4の高周波プリント配線板21は、図3の高周波プリント配線板用基材11を用い形成される。高周波プリント配線板21は、誘電体層2と、ベース層4と、導電パターン22とを備える。高周波プリント配線板21は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。高周波プリント配線板21の形成方法としては、特に限定されるものではなく、セミアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれの方法を用いることもできる。ただし、導電パターン22の断面を所望の形状にするためにはセミアディティブ法によるのが好ましい。以下では、当該高周波プリント配線板21をセミアディティブ法によって形成する場合について説明する。なお、誘電体層2及びベース層4は、図1の高周波プリント配線板用基材と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
<High frequency printed wiring board>
The high-frequency printed wiring board 21 of FIG. 4 is formed using the high-frequency printed wiring board base material 11 of FIG. The high-frequency printed wiring board 21 includes the dielectric layer 2, the base layer 4, and the conductive pattern 22. The high-frequency printed wiring board 21 is a flexible printed wiring board having flexibility. The method of forming the high-frequency printed wiring board 21 is not particularly limited, and any of a semi-additive method and a subtractive method can be used. However, in order to make the cross section of the conductive pattern 22 a desired shape, it is preferable to use the semi-additive method. Hereinafter, a case where the high-frequency printed wiring board 21 is formed by a semi-additive method will be described. Note that the dielectric layer 2 and the base layer 4 are the same as the base material for the high-frequency printed wiring board in FIG.

(導電パターン)
導電パターン22は、誘電体層2の一方の面に積層される。導電パターン22は、図3の高周波プリント配線板用基材11のシード層3及び第一めっき層12の層上に電気めっき及びエッチングを施すいわゆるセミアディティブ法により形成される。電気めっきの手順は、特に限定されず、例えば公知の電気銅めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。
(Conductive pattern)
The conductive pattern 22 is laminated on one surface of the dielectric layer 2. The conductive pattern 22 is formed by a so-called semi-additive method in which electroplating and etching are performed on the seed layer 3 and the first plating layer 12 of the base material 11 for a high-frequency printed wiring board in FIG. The procedure of electroplating is not particularly limited, and may be appropriately selected, for example, from known electroplating baths and plating conditions.

導電パターン22の厚みは、どのようなプリント回路を作製するかによって設定されるもので特に限定されないが、例えば導電パターン22の平均厚みの下限としては、1μmが好ましく、2μmがより好ましい。また、導電パターン22の平均厚みの上限としては、100μmが好ましく、50μmがより好ましい。導電パターン22の平均厚みが上記下限未満であると、導電パターン22が損傷しやすくなるおそれがある。一方、導電パターン22の平均厚みが上記上限を超えると、当該高周波プリント配線板21の薄板化が困難となるおそれがある。   The thickness of the conductive pattern 22 is set in accordance with what kind of printed circuit is to be produced, and is not particularly limited. For example, the lower limit of the average thickness of the conductive pattern 22 is preferably 1 μm, and more preferably 2 μm. Further, the upper limit of the average thickness of the conductive pattern 22 is preferably 100 μm, more preferably 50 μm. If the average thickness of the conductive pattern 22 is less than the above lower limit, the conductive pattern 22 may be easily damaged. On the other hand, when the average thickness of the conductive pattern 22 exceeds the upper limit, it may be difficult to make the high-frequency printed wiring board 21 thinner.

導電パターン22の下底及び上底は略平行に配設されている。ここで、「略平行」とは、下底及び上底のなす角が0°±10°の範囲をいい、好ましくは0°±5°の範囲をいう。また、「上底」とは、下底と対向する辺である。   The lower bottom and the upper bottom of the conductive pattern 22 are disposed substantially in parallel. Here, “substantially parallel” refers to a range in which the angle between the lower base and the upper base is 0 ° ± 10 °, and preferably a range of 0 ° ± 5 °. The “upper bottom” is a side facing the lower bottom.

導電パターン22の断面形状における下底に対する上底の長さ比の平均値の下限としては、0.9が好ましく、0.95がより好ましい。上記長さ比の平均値が上記下限未満であると、導電パターン22の断面積が十分大きくならず、伝送特性を十分に向上できないおそれがある。また、上記長さ比の平均値の上限としては、1とすることができる。なお、少なくとも導電パターン22が含む配線部において上記長さ比が上記範囲を満たすことが好ましい。またここで、導電パターン22の一方の面が厚み方向に湾曲している場合等において、「上底」は、導電パターン22の下底から平均厚みの9/10の位置における仮想直線によって置き換えることも可能である。また、「導電パターンの断面」とは、面積が最小となる断面を意味し、例えば導電パターンの軸方向と垂直な面における断面をいう。   The lower limit of the average value of the length ratio of the upper base to the lower base in the cross-sectional shape of the conductive pattern 22 is preferably 0.9, and more preferably 0.95. If the average value of the length ratio is less than the lower limit, the cross-sectional area of the conductive pattern 22 may not be sufficiently large, and the transmission characteristics may not be sufficiently improved. In addition, the upper limit of the average value of the length ratio can be set to 1. In addition, it is preferable that the above-mentioned length ratio satisfies the above-mentioned range at least in the wiring portion included in the conductive pattern 22. Here, in the case where one surface of the conductive pattern 22 is curved in the thickness direction, the “upper bottom” is replaced by a virtual straight line at a position 9/10 of the average thickness from the lower bottom of the conductive pattern 22. Is also possible. Further, the “cross section of the conductive pattern” means a cross section having a minimum area, for example, a cross section in a plane perpendicular to the axial direction of the conductive pattern.

また、導電パターン22の断面形状は略長方形とされている。具体的には、導電パターン22の断面形状における下底を1辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターン22の平均厚みと等しい長方形に対する導電パターン22の断面の面積比の平均値の下限としては、0.9が好ましく、0.95がより好ましい。上記断面の面積比の平均値が上記下限未満であると、導電パターン22の断面積が十分大きくならず、伝送特性を十分に向上できないおそれがある。また、上記断面の面積比の平均値の上限としては、1とすることができる。なお、少なくとも導電パターン22が含む配線部において上記面積比が上記範囲を満たすことが好ましい。   The cross-sectional shape of the conductive pattern 22 is substantially rectangular. Specifically, the lower base in the cross-sectional shape of the conductive pattern 22 is defined as one side, and the length of the side adjacent to this side is equal to the average thickness of the conductive pattern 22. As a minimum, 0.9 is preferred and 0.95 is more preferred. If the average value of the cross-sectional area ratio is less than the lower limit, the cross-sectional area of the conductive pattern 22 may not be sufficiently large, and the transmission characteristics may not be sufficiently improved. In addition, the upper limit of the average value of the area ratio of the cross section can be set to 1. It is preferable that the area ratio satisfies the above range at least in a wiring portion included in the conductive pattern 22.

なお、導電パターン22の断面形状は、例えば後述するレジストパターンの非積層領域の断面形状の制御により調整することができる。   The cross-sectional shape of the conductive pattern 22 can be adjusted, for example, by controlling the cross-sectional shape of a non-laminated region of the resist pattern described later.

<高周波プリント配線板の製造方法>
次に、図5A乃至図5Cを参照して、当該高周波プリント配線板の製造方法について説明する。ここでは、当該高周波プリント配線板をセミアディティブ法により形成する方法について説明する。
<Production method of high frequency printed wiring board>
Next, a method for manufacturing the high-frequency printed wiring board will be described with reference to FIGS. 5A to 5C. Here, a method of forming the high-frequency printed wiring board by a semi-additive method will be described.

当該高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層2と、誘電体層2の一方の面に積層される導電パターン22とを備える当該高周波プリント配線板21の製造方法として用いられる。当該高周波プリント配線板の製造方法は、上述の当該高周波プリント配線板用基材11を用い、セミアディティブ法により形成する。当該高周波プリント配線板の製造方法は、導電パターン形成工程を備える。   The method for manufacturing the high-frequency printed wiring board includes a dielectric layer 2 containing fluororesin as a main component, one surface of which is modified, and a conductive pattern 22 laminated on one surface of the dielectric layer 2. It is used as a method for manufacturing the high-frequency printed wiring board 21. The high-frequency printed wiring board is manufactured by a semi-additive method using the above-described base material 11 for a high-frequency printed wiring board. The method for manufacturing a high-frequency printed wiring board includes a conductive pattern forming step.

<導電パターン形成工程>
導電パターン形成工程は、図5A乃至図5Cに示すように、第一めっき層12の一方の面にレジストパターンYを形成する工程、このレジストパターンYから露出する第一めっき層12の表面にめっきを行い第二めっき層23を積層する工程、上記レジストパターンYを剥離する工程、及び第二めっき層23をマスクとしシード層3及び第一めっき層12をエッチングする工程を有する。
<Conductive pattern forming step>
As shown in FIGS. 5A to 5C, the conductive pattern forming step includes forming a resist pattern Y on one surface of the first plating layer 12 and plating the surface of the first plating layer 12 exposed from the resist pattern Y. And a step of laminating the second plating layer 23, stripping the resist pattern Y, and etching the seed layer 3 and the first plating layer 12 using the second plating layer 23 as a mask.

(レジストパターン形成工程)
レジストパターン形成工程では、図5Aに示すようにレジストパターンYを第一めっき層12の一方の面に形成する。具体的には、第一めっき層12の一方の面にレジスト膜を積層し、その後露光及び現像することで所定のパターンを有するレジストパターンYを形成する。上記レジスト膜の積層方法としては、例えばレジスト組成物を第一めっき層12の一方の面に塗工する方法、ドライフィルムフォトレジストを第一めっき層12の一方の面に積層する方法等が挙げられる。レジスト膜の露光及び現像条件は用いるレジスト組成物等に応じて適宜調節可能である。
(Resist pattern formation step)
In the resist pattern forming step, a resist pattern Y is formed on one surface of the first plating layer 12 as shown in FIG. 5A. Specifically, a resist film is laminated on one surface of the first plating layer 12, and then exposed and developed to form a resist pattern Y having a predetermined pattern. Examples of the method of laminating the resist film include a method of applying a resist composition on one surface of the first plating layer 12, a method of laminating a dry film photoresist on one surface of the first plating layer 12, and the like. Can be Exposure and development conditions of the resist film can be appropriately adjusted depending on the resist composition used and the like.

(第二めっき層積層工程)
第二めっき層積層工程では、図5Bに示すように、電気めっきを行いレジストパターンYの非積層領域に第二めっき層23を形成する。
(Second plating layer lamination process)
In the second plating layer laminating step, as shown in FIG. 5B, electroplating is performed to form the second plating layer 23 in the non-laminated region of the resist pattern Y.

(レジストパターン剥離工程)
レジストパターン剥離工程では、第一めっき層12からレジストパターンYを剥離する。具体的には、剥離液を用いてレジストパターンYを剥離する。この剥離液としては、公知のものを用いることができ、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性水溶液、アルキルベンゼンスルホン酸等の有機酸系溶液、エタノールアミン等の有機アミン類と極性溶剤との混合液などが挙げられる。
(Resist pattern stripping process)
In the resist pattern stripping step, the resist pattern Y is stripped from the first plating layer 12. Specifically, the resist pattern Y is stripped using a stripper. As the stripping solution, known ones can be used, for example, an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, an organic acid solution such as alkylbenzene sulfonic acid, and a polar solvent with an organic amine such as ethanolamine. A mixed solution is exemplified.

(エッチング工程)
エッチング工程では、図5Cに示すように、第二めっき層23をマスクとしシード層3及び第一めっき層12をエッチングする。このエッチングにより、誘電体層2の一方の面に導電パターン22が形成される。
(Etching process)
In the etching step, as shown in FIG. 5C, the seed layer 3 and the first plating layer 12 are etched using the second plating layer 23 as a mask. By this etching, a conductive pattern 22 is formed on one surface of the dielectric layer 2.

<利点>
当該高周波プリント配線板21は、当該高周波プリント配線板用基材11を用いて形成されるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
<Advantages>
Since the high-frequency printed wiring board 21 is formed using the high-frequency printed wiring board base material 11, transmission loss can be reduced and high-frequency characteristics can be improved.

当該高周波プリント配線板21は、誘電体層2の一方の面側が改質処理されているので、シード層の一方の面側にめっきをある程度まで厚く形成することができるため、セミアディティブ法によって容易かつ確実に形成することができる。また、当該高周波プリント配線板21は、セミアディティブ法によって形成することで、導電パターン22の断面を所望の形状にしやすい。従って、当該高周波プリント配線板21は、導電パターン22の断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。   Since the high-frequency printed wiring board 21 is modified on one surface side of the dielectric layer 2, plating can be formed to a certain thickness on one surface side of the seed layer. And it can form reliably. Further, by forming the high-frequency printed wiring board 21 by a semi-additive method, the cross section of the conductive pattern 22 can be easily formed into a desired shape. Therefore, the high-frequency printed wiring board 21 can improve the transmission characteristics by increasing the sectional area of the conductive pattern 22.

当該高周波プリント配線板の製造方法は、当該高周波プリント配線板用基材11を用いるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板21を容易かつ確実に製造することができる。   Since the method for manufacturing the high-frequency printed wiring board uses the base material 11 for the high-frequency printed wiring board, the high-frequency printed wiring board 21 capable of reducing transmission loss and improving high-frequency characteristics can be easily and reliably manufactured. .

当該高周波プリント配線板の製造方法は、セミアディティブ法によって形成するので、導電パターン22の断面を所望の形状にしやすい。従って、当該高周波プリント配線板の製造方法は、導電パターン22の断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。   Since the method of manufacturing the high-frequency printed wiring board is formed by a semi-additive method, the cross section of the conductive pattern 22 can be easily formed into a desired shape. Therefore, the method for manufacturing a high-frequency printed wiring board can improve the transmission characteristics by increasing the cross-sectional area of the conductive pattern 22.

[その他の実施形態]
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
[Other Embodiments]
The embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment, but is indicated by the appended claims, and is intended to include all modifications within the scope and meaning equivalent to the appended claims. You.

例えば、上記シード層は、平均厚みが2μm以下である限り、焼結体に限定されるものではなく、例えば無電解めっき金属から構成されてもよい。シード層が無電解めっき金属から構成される場合のこの金属としては、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、コストを抑えつつ導通性及び誘電体層との密着性を高めることができる銅又は銅合金が好ましい。上記シード層が無電解めっき金属から構成されることによっても、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、誘電体層の一方の面側にシード層を形成することができる。なお、シード層が無電解めっき金属から構成される場合、このシード層の平均厚み及び他方の面の算術平均粗さRaとしては、図1のシード層3と同一とすることができる。また、シード層は、焼結体、無電解めっき金属以外に例えば銅箔等から構成されてもよい。   For example, the seed layer is not limited to a sintered body as long as the average thickness is 2 μm or less, and may be made of, for example, an electroless plated metal. When the seed layer is composed of an electroless plating metal, examples of the metal include copper, nickel, aluminum, gold, silver, palladium, chromium, and alloys thereof. Among them, copper or a copper alloy that can increase conductivity and adhesion to a dielectric layer while suppressing cost is preferable. Even when the seed layer is made of an electroless plating metal, the seed layer can be formed on one surface side of the dielectric layer without requiring expensive vacuum equipment required for physical vapor deposition such as sputtering. it can. When the seed layer is made of an electroless plating metal, the average thickness of the seed layer and the arithmetic average roughness Ra of the other surface can be the same as those of the seed layer 3 in FIG. The seed layer may be made of, for example, a copper foil or the like in addition to the sintered body and the electroless plated metal.

上記誘電体層は、シード層が積層される側の面のみが改質されていてもよい。また、上記誘電体層は、必ずしも一方の面の全面が改質処理される必要はなく、導電パターンを形成する上で必要な箇所のみ改質処理されていてもよい。   Only the surface of the dielectric layer on which the seed layer is laminated may be modified. In addition, the dielectric layer does not necessarily need to be modified on the entire surface of one surface, and may be modified only on a portion necessary for forming a conductive pattern.

上記誘電体層は、必ずしもシランカップリング剤によって改質される必要はなく、例えば酸素、窒素、水素、アルゴン、アンモニア等のプラズマガスを誘電体層の表面に噴射することによって改質処理することもできる。このプラズマ処理は、誘電体層表面にプラズマを接触させることにより、誘電体層の外表面のフッ素樹脂をエッチングし、外表面に酸素原子又は窒素原子を付加することで誘電体層の表面を改質するものである。また、このプラズマ処理は、親水基を有する化合物を含む不活性ガスのプラズマを用いて行ってもよい。   The dielectric layer does not necessarily need to be modified by a silane coupling agent, and may be modified by, for example, injecting a plasma gas such as oxygen, nitrogen, hydrogen, argon, or ammonia onto the surface of the dielectric layer. Can also. In this plasma treatment, the plasma is brought into contact with the surface of the dielectric layer to etch the fluororesin on the outer surface of the dielectric layer, and oxygen or nitrogen atoms are added to the outer surface to modify the surface of the dielectric layer. Quality. This plasma treatment may be performed using plasma of an inert gas containing a compound having a hydrophilic group.

当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしもシード層の一方の面側に上記第一めっき層を有しなくてもよい。当該高周波プリント配線板用基材は、例えば上記シード層の一方の面に直接第二めっき層を積層することで導電パターンを形成してもよい。   The high-frequency printed wiring board substrate does not necessarily have to have the first plating layer on one surface side of the seed layer. The base material for a high-frequency printed wiring board may form a conductive pattern by, for example, directly laminating a second plating layer on one surface of the seed layer.

当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしもフレキシブルプリント配線板の基板として用いられる必要はなく、リジッドプリント配線板の基板として用いられてもよい。また、上記ベース層は、必ずしも上記誘電体層の他方の面の全面に積層される必要はなく、エッチング処理等によって適宜導電パターンが形成されてもよい。   The base material for a high-frequency printed wiring board does not necessarily need to be used as a substrate of a flexible printed wiring board, and may be used as a substrate of a rigid printed wiring board. Further, the base layer does not necessarily have to be laminated on the entire surface of the other surface of the dielectric layer, and a conductive pattern may be appropriately formed by etching or the like.

当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしも誘電体層の他方の面にベース層を備える必要はない。当該高周波プリント配線板用基材は、例えば高周波プリント配線板の任意の製造過程においてベース層を積層してもよい。   The base material for a high-frequency printed wiring board does not necessarily need to include the base layer on the other surface of the dielectric layer. The base material for the high-frequency printed wiring board may be formed by laminating a base layer in, for example, an arbitrary manufacturing process of the high-frequency printed wiring board.

以上のように、本発明の高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板は、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上することができ、高周波を用いた通信機器等に好適に用いられる。また、本発明の高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法は、高周波を用いた通信機器等に適した高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板を製造するのに適している。   As described above, the high-frequency printed wiring board base material and the high-frequency printed wiring board of the present invention can reduce transmission loss, suppress loss due to the skin effect, improve high-frequency characteristics, and use high frequency. It is suitably used for communication equipment and the like. Further, the method of manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board and the method of manufacturing a high-frequency printed wiring board of the present invention manufacture a base material for a high-frequency printed wiring board and a high-frequency printed wiring board suitable for a communication device or the like using a high frequency. Suitable for

1、11 高周波プリント配線板用基材
2 誘電体層
2a フッ素樹脂フィルム
3 シード層
4 ベース層
5a、5b 改質層
12 第一めっき層
21 高周波プリント配線板
22 導電パターン
23 第二めっき層
Y レジストパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 11 High frequency printed wiring board base material 2 Dielectric layer 2a Fluororesin film 3 Seed layer 4 Base layers 5a, 5b Modified layer 12 First plating layer 21 High frequency printed wiring board 22 Conductive pattern 23 Second plating layer Y Resist pattern

Claims (11)

フッ素樹脂を主成分とし、少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する誘電体層と、
この誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層と
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが2μm以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さRaが2μm以下である高周波プリント配線板用基材。
A dielectric layer having a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side, containing a fluororesin as a main component,
A seed layer laminated on one surface of the modified layer of the dielectric layer,
The main component of the seed layer is a metal,
Ri der average thickness 2μm or less of the seed layer,
A base material for a high-frequency printed wiring board, wherein the other surface of the seed layer has an arithmetic average roughness Ra of 2 μm or less .
上記金属が銅又は銅合金である請求項1に記載の高周波プリント配線板用基材。   The base material for a high-frequency printed wiring board according to claim 1, wherein the metal is copper or a copper alloy. 上記シード層が金属粒子の焼結体から構成され、
上記金属粒子の平均粒子径が1nm以上500nm以下である請求項1又は請求項2に記載の高周波プリント配線板用基材。
The seed layer is composed of a sintered body of metal particles,
The base material for a high-frequency printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the metal particles have an average particle size of 1 nm or more and 500 nm or less.
上記シード層が無電解めっき金属から構成される請求項1又は請求項2に記載の高周波プリント配線板用基材。   The base material for a high-frequency printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the seed layer is made of an electroless plating metal. 上記シード層の平均厚みが10nm以上1μm以下である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の高周波プリント配線板用基材。   The high-frequency printed wiring board substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein an average thickness of the seed layer is 10 nm or more and 1 µm or less. 上記シード層の一方の面側にめっき層を備える請求項1から請求項のいずれか1項に記載の高周波プリント配線板用基材。 The base material for a high-frequency printed wiring board according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a plating layer on one surface side of the seed layer. フッ素樹脂を主成分とし、少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する誘電体層と、
この誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層を含む導電パターンと
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが2μm以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さRaが2μm以下である高周波プリント配線板。
A dielectric layer having a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side, containing a fluororesin as a main component,
A conductive pattern including a seed layer laminated on one surface of the modified layer of the dielectric layer,
The main component of the seed layer is a metal,
Ri der average thickness 2μm or less of the seed layer,
A high-frequency printed wiring board having an arithmetic mean roughness Ra of the other surface of the seed layer of 2 μm or less .
上記導電パターンの断面形状における下底を1辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターンの平均厚みと等しい長方形に対する導電パターンの断面の面積比の平均値が0.9以上である請求項に記載の高周波プリント配線板。 The bottom of the cross-sectional shape of the conductive pattern is defined as one side, and the average value of the area ratio of the cross section of the conductive pattern to a rectangle whose length adjacent to this side is equal to the average thickness of the conductive pattern is 0.9 or more. Item 8. A high-frequency printed wiring board according to item 7 . フッ素樹脂を主成分とするフィルムの少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を形成する工程と、
上記改質工程後のフィルムの改質層の一方の面にシード層を形成する工程と
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが2μm以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さRaが2μm以下である高周波プリント配線板用基材の製造方法。
A step of forming a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side of a film containing a fluororesin as a main component,
Forming a seed layer on one surface of the modified layer of the film after the modification step,
The main component of the seed layer is a metal,
Ri der average thickness 2μm or less of the seed layer,
A method for producing a base material for a high-frequency printed wiring board , wherein the arithmetic mean roughness Ra of the other surface of the seed layer is 2 μm or less .
上記シード層形成工程が、
金属粒子が溶媒中に分散したインクを上記フィルムの一方の面に塗工する工程と、
上記フィルムの一方の面に塗工したインクを焼成する工程と
を有し、
上記金属粒子の平均粒子径が1nm以上500nm以下である請求項に記載の高周波プリント配線板用基材の製造方法。
The seed layer forming step,
A step of applying an ink in which metal particles are dispersed in a solvent to one surface of the film,
Baking the ink applied to one surface of the film,
The method for producing a substrate for a high-frequency printed wiring board according to claim 9 , wherein the metal particles have an average particle diameter of 1 nm or more and 500 nm or less.
フッ素樹脂を主成分とし、少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する誘電体層と、
この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンと
を備えるプリント配線板の製造方法であって、
上記誘電体層とこの誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが2μm以下であり、上記シード層の他方の面の算術平均粗さRaが2μm以下である高周波プリント配線板用基材を用い形成する高周波プリント配線板の製造方法。
A dielectric layer having a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side, containing a fluororesin as a main component,
And a conductive pattern laminated on one surface of the dielectric layer, comprising:
And a seed layer laminated on one surface of the modified layer of the dielectric layer and the dielectric layer, the main component of the seed layer is a metal state, and are the mean thickness 2μm or less of the seed layer And a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board formed by using a base material for a high-frequency printed wiring board in which the other surface of the seed layer has an arithmetic average roughness Ra of 2 μm or less .
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