JP6661290B2 - Ultrasonic probe - Google Patents

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Description

本発明は、超音波プローブに関し、特に、超音波プローブ内に配置される電子回路チップと熱伝導体との接合構造に関する。   The present invention relates to an ultrasonic probe, and more particularly, to a bonding structure between an electronic circuit chip and a heat conductor disposed in the ultrasonic probe.

医療の分野において超音波診断装置が活用されている。超音波診断装置は、被検体に対して超音波を送受波し、これにより得られた受信信号に基づいて超音波画像を形成する装置である。超音波の送受波は、装置本体に有線あるいは無線で接続される超音波プローブにより行われる。超音波プローブの中には、チャンネルリダクション(装置本体と超音波プローブ間における信号線の本数削減)などのための電子回路チップが搭載されたものがある。   2. Description of the Related Art Ultrasonic diagnostic apparatuses are used in the medical field. An ultrasonic diagnostic apparatus is an apparatus that transmits and receives an ultrasonic wave to and from a subject, and forms an ultrasonic image based on a reception signal obtained thereby. The transmission and reception of the ultrasonic waves are performed by an ultrasonic probe connected to the apparatus body by wire or wirelessly. Some ultrasonic probes are equipped with an electronic circuit chip for channel reduction (reducing the number of signal lines between the apparatus main body and the ultrasonic probe).

電子回路チップが搭載された超音波プローブが動作すると、電子回路チップにおいて多大な熱が発生する。一方、超音波プローブは被検体に当接させるものであることから、被検体に接触する部分の表面温度が所定値を超えてはならないという規定が設けられている。そこで、電子回路チップにおいて発生した熱を被検体に接触する部分にできるだけ伝わらないように放熱する技術が提案されている。   When an ultrasonic probe on which an electronic circuit chip is mounted operates, a large amount of heat is generated in the electronic circuit chip. On the other hand, since the ultrasonic probe is to be brought into contact with the subject, there is a provision that the surface temperature of the portion in contact with the subject must not exceed a predetermined value. Therefore, a technique has been proposed in which heat generated in the electronic circuit chip is dissipated so as not to be transmitted as much as possible to the portion in contact with the subject.

例えば、特許文献1には、電子回路チップにおいて発生した熱を電子回路チップの後ろ側、つまり被検体との接触面から離れる方向に移送するよう、熱伝導率の高い物質で形成されたバッキング材(音響エネルギーを減衰させるための支持ブロック)を電子回路チップの後ろ側に配置する構造が開示されている。   For example, Patent Literature 1 discloses a backing material formed of a substance having a high thermal conductivity so that heat generated in an electronic circuit chip is transferred to a rear side of the electronic circuit chip, that is, a direction away from a contact surface with a subject. A structure in which a (support block for attenuating acoustic energy) is disposed behind an electronic circuit chip is disclosed.

特表2014−508022号公報JP 2014-508022 A

電子回路チップにおいて生じた熱を放熱するためには、高い熱伝導率を示す金属で形成される熱伝導体を電子回路チップに直接接触させるのが好適である。このようにすれば、より多くの熱量を電子回路チップから熱伝導体に移送(吸収)させることができる。そして、熱伝導体に吸収された熱を被検体との接触面から離れる方向に移送させることができる。   In order to dissipate the heat generated in the electronic circuit chip, it is preferable that a heat conductor made of a metal having a high thermal conductivity is brought into direct contact with the electronic circuit chip. In this way, more heat can be transferred (absorbed) from the electronic circuit chip to the heat conductor. Then, the heat absorbed by the heat conductor can be transferred in a direction away from the contact surface with the subject.

一方、放熱性能向上のため、若しくは超音波プローブの小型化又は軽量化などのために、パッケージ化されていないチップ、つまりベアチップが電子回路チップとして用いられる場合がある。ベアチップは、電子回路を構成するシリコン基板の表面(裏面)が露出しているものである。これにより、その裏面から効果的な放熱を行える。その結果、電子回路チップの表面が導電性となっている。   On the other hand, an unpackaged chip, that is, a bare chip may be used as an electronic circuit chip in order to improve heat radiation performance or to reduce the size or weight of the ultrasonic probe. The bare chip is one in which the front surface (back surface) of a silicon substrate constituting an electronic circuit is exposed. Thereby, effective heat radiation can be performed from the back surface. As a result, the surface of the electronic circuit chip is conductive.

電子回路チップとしてベアチップが利用されている場合は、電子回路チップの表面が導電性となっているから、導体である熱伝導体を直接電子回路チップに接触させることはできない。熱伝導体に一定の電位(例えばグランド電位)が与えられていれば当然に接触させることはできないし、たとえ熱伝導体の電位が不定だったとしても、熱伝導体は一般に高い熱吸収量を得るために体積が大きくなっており、体積の大きい導体が電子回路の一部に接触すると当該回路の容量リアクタンスが変動するなどして回路の性能に問題が生じる可能性があるため、やはり熱伝導体を直接電子回路チップに接触させることはできない。一方において、熱伝導体は電子回路チップにおいて発生した熱を吸収して移送するためのものであるから、電子回路チップと熱伝導体との間の良好な熱伝導性も確保しなければならない。   When a bare chip is used as an electronic circuit chip, the surface of the electronic circuit chip is conductive, so that a heat conductor, which is a conductor, cannot be directly contacted with the electronic circuit chip. If a certain potential (eg, ground potential) is given to the heat conductor, it cannot be brought into contact naturally, and even if the potential of the heat conductor is uncertain, the heat conductor generally has a high heat absorption. In order to obtain a large volume, if a conductor with a large volume contacts a part of the electronic circuit, the performance of the circuit may be degraded due to fluctuations in the capacitance reactance of the circuit. The body cannot come into direct contact with the electronic circuit chip. On the other hand, since the heat conductor is for absorbing and transferring heat generated in the electronic circuit chip, it is necessary to ensure good thermal conductivity between the electronic circuit chip and the heat conductor.

本発明の目的は、超音波プローブ内において、電子回路チップと熱伝導体との絶縁性を担保しつつ、両者間の十分な熱伝導性を確保することにある。   It is an object of the present invention to ensure sufficient thermal conductivity between an electronic circuit chip and a heat conductor in an ultrasonic probe while ensuring insulation between the two.

本発明に係る超音波プローブは、複数の振動素子と、前記複数の振動素子に供給される複数の送信信号及び前記複数の振動素子から出力される複数の受信信号の少なくとも一方を処理する電子回路と、少なくとも一部が導電性であるチップ面とを有する熱源としての電子回路チップと、前記チップ面に対向する対向面を有する熱伝導体と、前記チップ面と前記対向面との間において熱伝導機能及び電気的絶縁機能を発揮する複合機能層と、を備えることを特徴とする。   An ultrasonic probe according to the present invention includes a plurality of vibration elements, and an electronic circuit that processes at least one of a plurality of transmission signals supplied to the plurality of vibration elements and a plurality of reception signals output from the plurality of vibration elements. An electronic circuit chip as a heat source having a chip surface that is at least partially conductive; a heat conductor having a facing surface facing the chip surface; and a heat conductor between the chip surface and the facing surface. And a composite function layer exhibiting a conduction function and an electrical insulation function.

上記構成によれば、表面(チップ面)の少なくとも一部が導電性である、つまりベアチップである電子回路チップのチップ面と熱伝導体の対向面との間に、熱伝導機能及び電気的絶縁機能を発揮する複合機能層が設けられる。これにより、チップ面と対向面との間の電気的短絡を防ぎつつ、電子回路チップにおいて発生した熱を好適に熱伝導体へ移送することができる。   According to the above configuration, at least a part of the surface (chip surface) is conductive, that is, the heat conduction function and the electrical insulation are provided between the chip surface of the electronic circuit chip which is a bare chip and the facing surface of the heat conductor. A composite functional layer that exerts a function is provided. This makes it possible to preferably transfer the heat generated in the electronic circuit chip to the heat conductor while preventing an electrical short circuit between the chip surface and the opposing surface.

電気的絶縁機能は、複合層に含まれる絶縁体によって実現される。当該絶縁体によりチップ面と対向面の接触を防ぐ、あるいは、チップ面と対向面との間で絶縁破壊が起こり得る程度に両者が近接することを防ぐことで電気的絶縁機能が発揮される。   The electrical insulation function is realized by the insulator included in the composite layer. The electrical insulation function is exhibited by preventing the contact between the chip surface and the opposing surface by the insulator or by preventing the chip surface and the opposing surface from approaching each other to such an extent that dielectric breakdown may occur.

熱伝導機能は、複合機能層をできるだけ薄くすること、つまりチップ面と対向面とをできるだけ近づけることで実現される。あるいは、絶縁性であって熱伝導率の高い物質を複合層に含めるようにしてもよい。その場合であっても、チップ面と対向面との間の距離はできるだけ小さい方が好ましい。チップ面と対向面との距離は、両者の電気的絶縁が担保される(つまりチップ面と対向面との間で絶縁破壊が生じない)限りにおいて最小に設定されるのが好ましい。当該距離は、例えば複合機能層に含まれる絶縁体の絶縁耐力とチップ面と対向面との間に生じ得る電位差を考慮して決定される。なお、当該熱伝導機能により、少なくとも、電子回路チップにおいて生じた熱により超音波プローブの被検体当接面の温度上昇が所定値(例えば規定により定められる温度)以上とならない程度に電子回路チップからの熱を熱伝導体へ移送できればよい。   The heat conduction function is realized by making the composite function layer as thin as possible, that is, by bringing the chip surface and the opposing surface as close as possible. Alternatively, an insulating material having a high thermal conductivity may be included in the composite layer. Even in that case, it is preferable that the distance between the chip surface and the opposing surface be as small as possible. The distance between the chip surface and the opposing surface is preferably set to a minimum as long as electrical insulation between them is ensured (that is, no dielectric breakdown occurs between the chip surface and the opposing surface). The distance is determined in consideration of, for example, the dielectric strength of the insulator included in the composite function layer and the potential difference that can occur between the chip surface and the opposing surface. In addition, by the heat conduction function, at least the heat generated in the electronic circuit chip causes the temperature of the subject contact surface of the ultrasonic probe to rise from the electronic circuit chip to an extent that the temperature does not exceed a predetermined value (for example, a temperature determined by regulation). Any heat can be transferred to the heat conductor.

望ましくは、前記複合機能層は、更に前記電子回路チップと前記熱伝導体とを接着する接着機能を発揮する。   Preferably, the composite function layer further exhibits an adhesive function of adhering the electronic circuit chip and the thermal conductor.

複合機能層が接着機能を有することで、熱伝導体を電子回路チップに対して、複合機能層を介して密着固定させることができる。これにより、チップ面と対向面とが不意に離れたりすることがないので、電子回路チップにおいて生じた熱がより好適に熱伝導体へ移送される。   When the composite function layer has an adhesive function, the heat conductor can be closely adhered to the electronic circuit chip via the composite function layer. Accordingly, the chip surface and the opposing surface do not unexpectedly separate from each other, so that the heat generated in the electronic circuit chip is more appropriately transferred to the heat conductor.

望ましくは、前記複合機能層は、更に衝撃吸収機能を発揮する。   Desirably, the composite functional layer further exhibits a shock absorbing function.

超音波プローブは人の手によって動かされる部品であるため、ぶつけたり、あるいはケーブルが引っ張られたりすることなどによって衝撃を受けやすい。特に、ベアチップである電子回路チップは、衝撃耐性がパッケージチップよりも低い。したがって、電子回路チップが衝撃から保護されることが好ましい。複合機能層が衝撃吸収機能を有することで、少なくとも超音波プローブの後方(超音波送受波面とは反対の方向)から電子回路チップへ伝わる衝撃(例えばケーブルから伝わってくる衝撃)を低減させることができる。   Since the ultrasonic probe is a component that is moved by a human hand, it is susceptible to an impact due to hitting or pulling a cable. In particular, an electronic circuit chip that is a bare chip has lower impact resistance than a package chip. Therefore, it is preferable that the electronic circuit chip is protected from impact. Since the composite functional layer has a shock absorbing function, it is possible to reduce an impact (for example, an impact transmitted from a cable) transmitted to the electronic circuit chip from at least the rear of the ultrasonic probe (the direction opposite to the ultrasonic wave transmitting / receiving surface). it can.

望ましくは、前記複合機能層において、前記チップ面と前記対向面との間に所定の距離を設定し維持する距離設定手段により前記電気的絶縁機能の絶縁性能が一定に維持される。   Preferably, in the composite function layer, the insulation performance of the electrical insulation function is kept constant by distance setting means for setting and maintaining a predetermined distance between the chip surface and the facing surface.

上述のように、電子回路チップから熱伝導体への熱伝導性を高く保つという観点から、チップ面と対向面との間の距離は電気的絶縁が担保される限りにおいて最小に設定される。チップ面と対向面とが極限まで近接していると、チップ面と対向面との間の距離が不意に縮まり電気的短絡を生じるおそれがある。そこで、チップ面と対向面との間の距離を一定に保つ距離設定手段を設けることで両者間の距離が一定に保たれ、複合機能層の絶縁性能が一定に維持される。もちろん、チップ面と対向面との間の距離が維持されることで、複合機能層の熱伝導性能も一定に維持される。   As described above, from the viewpoint of maintaining high thermal conductivity from the electronic circuit chip to the heat conductor, the distance between the chip surface and the opposing surface is set to a minimum as long as electrical insulation is ensured. If the chip surface and the opposing surface are extremely close to each other, the distance between the chip surface and the opposing surface may be unexpectedly reduced, and an electric short circuit may occur. Therefore, by providing a distance setting means for keeping the distance between the chip surface and the opposing surface constant, the distance between them is kept constant, and the insulation performance of the composite functional layer is kept constant. Of course, by maintaining the distance between the chip surface and the opposing surface, the heat transfer performance of the composite functional layer is also kept constant.

望ましくは、前記複合機能層は、絶縁体で形成される薄膜状の絶縁フィルム、前記絶縁フィルムと前記電子回路を接着する第1接着層、及び、前記絶縁フィルムと前記熱伝導体とを接着する第2接着層を含む。   Preferably, the composite functional layer is a thin-film insulating film formed of an insulator, a first adhesive layer that bonds the insulating film to the electronic circuit, and bonds the insulating film to the thermal conductor. Including a second adhesive layer.

当該構成によれば、絶縁フィルム、第1接着層、及び第2接着層によりチップ面と対向面との間の絶縁性が担保される。つまり、絶縁フィルム、第1接着層、及び第2接着層によって、チップ面と対向面との間の距離が、電気的絶縁を担保する限りにおける最小距離に設定される。もちろん第1及び第2の接着層においては、絶縁性の接着剤が用いられるのが好ましい。また、複合機能層に薄膜状の絶縁フィルムを設けることで、複合機能層の厚さ(つまりチップ面と対向面との間の距離)をより小さくすることが可能になる。もちろん、絶縁フィルムとしては絶縁耐圧が大きい物質で形成されるのが好ましい。これにより、電子回路チップから熱伝導体への熱伝導性が高く維持される。また、第1接着層及び第2接着層により接着機能が発揮される。   According to this configuration, the insulating property between the chip surface and the opposing surface is ensured by the insulating film, the first adhesive layer, and the second adhesive layer. That is, the distance between the chip surface and the opposing surface is set to the minimum distance as long as electrical insulation is ensured by the insulating film, the first adhesive layer, and the second adhesive layer. Of course, it is preferable that an insulating adhesive is used for the first and second adhesive layers. Further, by providing a thin insulating film on the composite function layer, the thickness of the composite function layer (that is, the distance between the chip surface and the opposing surface) can be further reduced. Of course, the insulating film is preferably formed of a substance having a high withstand voltage. As a result, the thermal conductivity from the electronic circuit chip to the thermal conductor is kept high. The first and second adhesive layers exhibit an adhesive function.

望ましくは、前記絶縁フィルムの弾性率は、前記第1接着層及び前記第2接着層の弾性率よりも小さい。   Preferably, an elastic modulus of the insulating film is smaller than elastic moduli of the first adhesive layer and the second adhesive layer.

第1及び第2接着層をできるだけ薄くしつつ、且つ、高い接着力を発揮するために、第1及び第2接着層においては弾性率の高い(つまり硬い)硬化型の接着剤を用いなければならない場合がある。そのような場合、第1及び第2接着層では衝撃吸収機能を発揮するのが難しいため、少なくとも第1及び第2接着層よりも弾性率が小さく柔らかい絶縁フィルムを用いることで、絶縁フィルムにおいて衝撃吸収機能を発揮することができる。   In order to make the first and second adhesive layers as thin as possible and exhibit high adhesive strength, a hardening type adhesive having a high elastic modulus (that is, hard) must be used in the first and second adhesive layers. May not be. In such a case, it is difficult for the first and second adhesive layers to exhibit a shock absorbing function. Therefore, by using a soft insulating film having a smaller elastic modulus than at least the first and second adhesive layers, the impact on the insulating film can be reduced. It can exhibit an absorption function.

望ましくは、前記対向面の面積は、前記チップ面の面積よりも大きく、前記絶縁フィルムは、前記対向面の全体を覆うように設けられる。   Preferably, the area of the opposing surface is larger than the area of the chip surface, and the insulating film is provided so as to cover the entire opposing surface.

対向面の面積がチップ面の面積よりも大きい場合、電子回路チップの側面と対向面との間で絶縁破壊により電気的短絡が生じるおそれがある。対向面の全体が絶縁フィルムで覆われていることにより、このような電子回路チップの側面と対向面との間の電気的短絡を防止することができる。   When the area of the opposing surface is larger than the area of the chip surface, there is a possibility that an electrical short circuit may occur between the side surface of the electronic circuit chip and the opposing surface due to dielectric breakdown. Since the entire opposing surface is covered with the insulating film, an electrical short circuit between the side surface of the electronic circuit chip and the opposing surface can be prevented.

本発明によれば、超音波プローブ内において、電子回路チップと熱伝導体との絶縁性を担保しつつ、両者間の十分な熱伝導性を確保することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, sufficient thermal conductivity between an electronic circuit chip and a thermal conductor can be ensured in an ultrasonic probe, ensuring both.

本実施形態に係る超音波プローブの外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the ultrasonic probe concerning this embodiment. 本実施形態に係る超音波プローブの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the ultrasonic probe according to the embodiment. 送受波ユニットの拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a transmission / reception unit. 後側熱伝導体の構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a rear side heat conductor. 複合層の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of a composite layer. 図5(b)に示す複合層の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the composite layer shown in FIG.5 (b). 複合層の熱抵抗と超音波送受波面との温度上昇値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the thermal resistance of a composite layer, and the temperature rise value of an ultrasonic wave transmitting / receiving surface. 反りが生じたASICに複合層を接合した場合の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view when a composite layer is bonded to an ASIC where warpage has occurred. ASICの研磨量の例を示す図である。It is a figure showing an example of a polish amount of ASIC. 好適な研磨方向の例を示す図である。It is a figure showing an example of a suitable polish direction. 研磨後のASICを複合層に接合した場合の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view when the ASIC after polishing is bonded to a composite layer.

以下、本発明に係る用超音波プローブの実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the ultrasonic probe according to the present invention will be described. Note that the present invention is not limited to the following embodiments.

図1は、本実施形態に係る超音波プローブ10の外観斜視図である。超音波プローブ10は前後方向に伸長した形状であり、最前部に設けられた超音波送受波面12から超音波を送受波する。つまり、超音波送受波面12が被検体に対して当接される面である。超音波プローブ10は、防水あるいは防菌のための外皮として前側ケース14及び後側ケース16を有している。前側ケース14及び後側ケース16は組み合わされることで一体となる。これによりプローブケースが構成される。前側ケース14及び後側ケース16は、防水性、防菌性、及び絶縁性の高い物質で構成されるのが好適である。本実施形態では、前側ケース14及び後側ケース16は樹脂で構成されている。超音波プローブ10の最後部からは超音波診断装置本体に接続されるケーブル18が伸びている。ケーブル18と後側ケース16との接合部を保護するためにケーブル保護ブーツ20が設けられる。なお、本明細書においては、超音波プローブ10の短手方向をx軸、長手方向をy軸、x軸及びy軸に直交する方向をz軸とする。また、超音波送受波面12が設けられる側(y軸の正方向側)を「前側」と、その反対方向(y軸の負方向側)を「後側」と記載する。   FIG. 1 is an external perspective view of an ultrasonic probe 10 according to the present embodiment. The ultrasonic probe 10 has a shape elongated in the front-rear direction, and transmits and receives ultrasonic waves from an ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12 provided at the forefront. That is, the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12 is a surface that comes into contact with the subject. The ultrasonic probe 10 has a front case 14 and a rear case 16 as outer skins for waterproofing or sterilization. The front case 14 and the rear case 16 are integrated by being combined. This constitutes a probe case. It is preferable that the front case 14 and the rear case 16 are made of a substance having high waterproofness, antibacterial property, and insulating property. In the present embodiment, the front case 14 and the rear case 16 are made of resin. A cable 18 connected to the ultrasonic diagnostic apparatus main body extends from the rearmost part of the ultrasonic probe 10. A cable protection boot 20 is provided to protect a joint between the cable 18 and the rear case 16. In the present specification, the short direction of the ultrasonic probe 10 is defined as an x-axis, the longitudinal direction is defined as a y-axis, and the direction orthogonal to the x-axis and the y-axis is defined as a z-axis. The side on which the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12 is provided (positive direction side of the y-axis) is referred to as “front side”, and the opposite direction (negative direction side of the y-axis) is referred to as “rear side”.

図2は、超音波プローブ10の分解斜視図である。超音波プローブ10は、ケース内部に、振動子及び電子回路チップを含む送受波ユニット30、振動子からの熱を前側ケース14に伝える前側熱伝導体32、電子回路からの熱を後側ケース16に伝える後側熱伝導体34、中継基板を介して電子回路チップに電気的に接続され超音波診断装置本体からの信号の経路となるFPC(Flexible Printed Circuits)42、FPC42へ接続される線材44、及びFPC42と線材44とを中継するコネクタ46を含んで構成されている。   FIG. 2 is an exploded perspective view of the ultrasonic probe 10. The ultrasonic probe 10 includes a wave transmitting / receiving unit 30 including a vibrator and an electronic circuit chip, a front heat conductor 32 for transmitting heat from the vibrator to the front case 14, and a heat for the rear case 16 inside the case. (FPC) 42, which is electrically connected to the electronic circuit chip via a relay board and serves as a path for signals from the ultrasonic diagnostic apparatus main body, and a wire 44 connected to the FPC 42 , And a connector 46 that relays the FPC 42 and the wire 44.

図3は、送受波ユニット30の拡大図である。送受波ユニット30は、複数の振動素子を含み超音波を送受波する振動子アレイ50、振動子アレイ50に含まれる各振動素子とASIC54とを電気的に接続し、またFPC42とASIC54とを電気的に接続する中継基板52、電子回路チップとしてのASIC54、振動子アレイ50の不要な振動を抑えるバッキング材56、振動子アレイ50と被検体との間の音響インピーダンスの整合を取り超音波の反射を抑制する音響整合層58、及び音響レンズ60を含んで構成されている。図3に示される通り、送受波ユニット30においては、前側から、音響レンズ60、音響整合層58、振動子アレイ50、バッキング材56、中継基板52、ASIC54の順番に配置される。   FIG. 3 is an enlarged view of the transmission / reception unit 30. The transmitting / receiving unit 30 includes a plurality of vibrating elements, a vibrator array 50 for transmitting and receiving ultrasonic waves, electrically connects each vibrating element included in the vibrator array 50 to the ASIC 54, and electrically connects the FPC 42 and the ASIC 54 to each other. Relay substrate 52, ASIC 54 as an electronic circuit chip, backing material 56 for suppressing unnecessary vibration of vibrator array 50, matching of acoustic impedance between vibrator array 50 and subject and reflection of ultrasonic waves And an acoustic lens 60 for suppressing the noise. As shown in FIG. 3, in the transmitting / receiving unit 30, the acoustic lens 60, the acoustic matching layer 58, the vibrator array 50, the backing material 56, the relay board 52, and the ASIC 54 are arranged in this order from the front side.

中継基板52は、例えばガラスエポキシなどの材質で形成される基板である。中継基板52は多層基板であり、各層において電気的配線が施されている。中継基板52の面積は、ASIC54の面積よりも大きくなっており、その裏面52a(後側の面)において、略中央にASIC54が、ASIC54の周囲にコンデンサあるいはサーミスタなどのチップ部品が表面実装されている。中継基板52のおもて面(前側の面)には、バッキング材56に設けられる複数のリード線(後述)と電気的に接触するための複数のパッドが設けられている。   The relay board 52 is a board formed of a material such as glass epoxy. The relay board 52 is a multilayer board, and electrical wiring is provided in each layer. The area of the relay board 52 is larger than the area of the ASIC 54. On the back surface 52 a (rear surface), the ASIC 54 is mounted substantially at the center, and a chip component such as a capacitor or a thermistor is surface-mounted around the ASIC 54. I have. A plurality of pads for electrical contact with a plurality of lead wires (described later) provided on the backing material 56 are provided on the front surface (front surface) of the relay board 52.

ASIC54は、送信サブビームフォーマー及び受信サブビームフォーマーとして機能するものである。送信サブビームフォーマーは、振動子アレイ50が有する各振動素子に、遅延関係をもった複数の送信信号を生成する。受信サブビームフォーマーは、各振動素子から得られる複数の受信信号に対して整相加算処理を行い、受信信号を生成する。受信信号は、FPC42あるいは線材44などを経由して超音波診断装置本体に送られ、装置本体内において処理され1つのビームデータが生成される。ASIC54が上記処理を行うことにより、超音波プローブ10と装置本体との間の信号線の本数が低減される。   The ASIC 54 functions as a transmission sub-beamformer and a reception sub-beamformer. The transmission sub-beamformer generates a plurality of transmission signals having a delay relationship for each vibration element of the transducer array 50. The reception sub-beamformer performs a phasing addition process on a plurality of reception signals obtained from each of the vibration elements to generate a reception signal. The received signal is sent to the main body of the ultrasonic diagnostic apparatus via the FPC 42 or the wire 44, and is processed in the main body of the apparatus to generate one beam data. When the ASIC 54 performs the above-described processing, the number of signal lines between the ultrasonic probe 10 and the apparatus main body is reduced.

ASIC54は、ASIC54において生じた熱を好適に放熱するため、あるいは超音波プローブ10の小型・軽量化の観点から、パッケージングされていないチップ、つまりベアチップとなっている。したがって、その裏面54a(後側の面)に電子回路の一部が露出しており、裏面54aの一部又は全部が導電性となっている。本実施形態では、ASIC54の裏面54aに数十ボルトの電圧が印加される場合がある。   The ASIC 54 is an unpackaged chip, that is, a bare chip, from the viewpoint of appropriately radiating the heat generated in the ASIC 54 or reducing the size and weight of the ultrasonic probe 10. Therefore, a part of the electronic circuit is exposed on the back surface 54a (rear surface), and a part or all of the back surface 54a is conductive. In this embodiment, a voltage of several tens of volts may be applied to the back surface 54a of the ASIC 54.

超音波プローブ10が動作することによりASIC54において熱が生じる。振動子アレイ50においても発熱するが、ASIC54の発熱量は振動子アレイ50の発熱量に比して数倍あるいは十数倍大きくなっている。したがって、超音波プローブ10における主な発熱源はASIC54である。   The operation of the ultrasonic probe 10 generates heat in the ASIC 54. Although the vibrator array 50 also generates heat, the calorific value of the ASIC 54 is several times or tens of times greater than the calorific value of the vibrator array 50. Therefore, the main heat source in the ultrasonic probe 10 is the ASIC 54.

バッキング材56は、振動子アレイ50に含まれる各振動素子の余分な振動を抑えるものである。それと同時に、本実施形態においては、バッキング材56が振動子アレイ50と中継基板52との間に設けられていることから、バッキング材56は、各振動素子と中継基板52とを電気的に接続するための複数のリード線を有している。バッキング材56は、比較的前後に長い形状となっている。これにより、より好適に各振動素子の振動を抑えることができると同時に、主熱源であるASIC54を被検体との接触面である超音波送受波面12(図1参照)からより遠ざけるという効果も奏する。   The backing material 56 suppresses unnecessary vibration of each vibrating element included in the vibrator array 50. At the same time, in the present embodiment, since the backing material 56 is provided between the transducer array 50 and the relay board 52, the backing material 56 electrically connects each vibrating element and the relay board 52. And a plurality of lead wires. The backing material 56 has a relatively long front and rear shape. This makes it possible to more suitably suppress the vibration of each of the vibrating elements, and also has the effect of moving the ASIC 54, which is the main heat source, away from the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12 (see FIG. 1), which is the contact surface with the subject. .

図4は、後側熱伝導体34の構造を示す図である。図2を参照しながら図4を用いて後側熱伝導体34の構造を説明する。後側熱伝導体34は、送受波ユニット30よりも後側、つまり主熱源であるASIC54よりも後側に配置される。図4に示される通り、後側熱伝導体34は、メインフレーム36、上側フレーム38、下側フレーム40を含んで構成される。メインフレーム36、上側フレーム38、及び下側フレーム40は互いに組み合わせ可能な形状となっており、これらが組み合わされることで後側熱伝導体34が構成される。具体的には、メインフレーム36は、上下が解放された構造となっており、板状の上側フレーム38がメインフレーム36の上側解放部を覆うように組み合わされ、同じく板状の下側フレーム40がメインフレーム36の下側解放部を覆うように組み合わされる。   FIG. 4 is a diagram showing the structure of the rear heat conductor 34. The structure of the rear heat conductor 34 will be described with reference to FIG. The rear heat conductor 34 is disposed on the rear side of the wave transmitting / receiving unit 30, that is, on the rear side of the ASIC 54 that is a main heat source. As shown in FIG. 4, the rear heat conductor 34 includes a main frame 36, an upper frame 38, and a lower frame 40. The main frame 36, the upper frame 38, and the lower frame 40 have shapes that can be combined with each other, and the rear heat conductor 34 is configured by combining them. Specifically, the main frame 36 has a structure in which the upper and lower sides are released, and a plate-like upper frame 38 is combined so as to cover an upper release portion of the main frame 36, and a plate-like lower frame 40 is also formed. Are combined so as to cover the lower release portion of the main frame 36.

本実施形態においては、メインフレーム36後部には凸部74と凹部76が設けられる。上側フレーム38後部には、凸部74に対向する位置に凹部80が設けられ、凹部76に対向する位置に凸部78が設けられている。凸部74と凹部80が、凹部76と凸部78とがそれぞれ嵌め合わされる。さらに、上側フレーム38の両側に突出辺82が設けられる。メインフレーム36の突出辺82に対向する位置には溝部84が設けられる。突出辺82と溝部84が嵌め合わされる。上記構造によりメインフレーム36と上側フレーム38とが組み合わされる。下側フレーム40についても同様にメインフレーム36と組み合わされる。   In the present embodiment, a convex portion 74 and a concave portion 76 are provided at the rear of the main frame 36. At the rear of the upper frame 38, a concave portion 80 is provided at a position facing the convex portion 74, and a convex portion 78 is provided at a position facing the concave portion 76. The convex portion 74 and the concave portion 80 are fitted into the concave portion 76 and the convex portion 78, respectively. Further, projecting sides 82 are provided on both sides of the upper frame 38. A groove 84 is provided at a position facing the protruding side 82 of the main frame 36. The protruding side 82 and the groove 84 are fitted. With the above structure, the main frame 36 and the upper frame 38 are combined. The lower frame 40 is similarly combined with the main frame 36.

メインフレーム36、上側フレーム38、及び下側フレーム40が組み合わされた後側熱伝導体34は、xz断面の輪郭が楕円状となる。後側ケース16の内周面のxz断面も同様に楕円状となっており、後側熱伝導体34の外周面が後側ケース16の内周面に丁度収まるようになっている。これにより、後側熱伝導体34と後側ケース16との接触面積が大きくなり、後側熱伝導体34に伝わった熱をより効率的に後側ケース16に伝えることができる。ただし、必ずしも後側熱伝導体34のxz断面輪郭は楕円状である必要はなく、少なくとも一部において後側ケース16の内周面に接触する外周面を有していればよい。もちろん、後側ケース16と後側熱伝導体34の接触面積が大きい方が好ましいため、上述のように後側熱伝導体34の形状は後側ケース16の内周面に即した形状であることが好ましい。   The rear heat conductor 34 in which the main frame 36, the upper frame 38, and the lower frame 40 are combined has an elliptical xz cross section. Similarly, the xz cross section of the inner peripheral surface of the rear case 16 is also elliptical, and the outer peripheral surface of the rear heat conductor 34 just fits on the inner peripheral surface of the rear case 16. Thereby, the contact area between the rear heat conductor 34 and the rear case 16 is increased, and the heat transmitted to the rear heat conductor 34 can be more efficiently transmitted to the rear case 16. However, the xz cross-sectional profile of the rear heat conductor 34 does not necessarily have to be elliptical, and it is sufficient if at least a portion has an outer peripheral surface that contacts the inner peripheral surface of the rear case 16. Of course, since it is preferable that the contact area between the rear case 16 and the rear heat conductor 34 is large, the shape of the rear heat conductor 34 is a shape conforming to the inner peripheral surface of the rear case 16 as described above. Is preferred.

メインフレーム36は、その前側の面であって、ASIC54の裏面54aに対向する前側面70を有している。前側面70の面積は、ASIC54の裏面54aの面積よりも大きくなっている。前側面70がASIC54と後述の複合層を介して間接的に接触することで、ASIC54において発生した熱は、後側熱伝導体34へ吸収され後方へ移送される。これによりASIC54からの熱が超音波送受波面12へと伝わることを防ぐ。前側面70と裏面54aとの接合構造については後に詳述する。   The main frame 36 has a front surface 70 facing the rear surface 54 a of the ASIC 54. The area of the front side surface 70 is larger than the area of the back surface 54a of the ASIC 54. When the front side surface 70 comes into indirect contact with the ASIC 54 via a composite layer described later, the heat generated in the ASIC 54 is absorbed by the rear heat conductor 34 and transferred to the rear. This prevents heat from the ASIC 54 from being transmitted to the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12. The joint structure between the front side surface 70 and the back surface 54a will be described later in detail.

また、メインフレーム36には、前側面70から後側へ伸びるブロック72を有している。ブロック72を有することで、後側熱伝導体34は、筒状の中空構造ではなくある程度中身の詰まった中実構造となる。これにより、後側熱伝導体34の体積が増えることで熱容量が増え、ひいては後側熱伝導体34の熱吸収性あるいは熱伝導性が向上されることになる。熱吸収率や熱伝達率のみを考慮すれば、後側熱伝導体34を完全な中実構造とするのが好ましく、このような態様も採用し得る。しかし、本実施形態では、超音波プローブの軽量化の観点、あるいはFPC42や線材44、あるいはコネクタ46を後側熱伝導体内に収めるためにある程度の空間(隙間部)を残している。   The main frame 36 has a block 72 extending from the front side surface 70 to the rear side. By having the block 72, the rear-side heat conductor 34 has a solid structure rather than a tubular hollow structure, but rather has a solid content. As a result, the heat capacity is increased by increasing the volume of the rear heat conductor 34, thereby improving the heat absorption or heat conductivity of the rear heat conductor 34. In consideration of only the heat absorption coefficient and the heat transfer coefficient, it is preferable that the rear heat conductor 34 has a completely solid structure, and such a mode can be adopted. However, in the present embodiment, a certain amount of space (gap) is left in order to reduce the weight of the ultrasonic probe, or to accommodate the FPC 42, the wire 44, or the connector 46 in the rear heat conductor.

上述のように、メインフレーム36と上側フレーム38及び下側フレーム40とが組み合わされた状態において、ブロック72と上側フレーム38との間、ブロック72と下側フレーム40との間、及びブロック72の後端部より後側の部分において隙間部が生じる。この隙間部にFPC42、コネクタ46及び線材44が配置される。これにより、FPC42、コネクタ46及び線材44も後側熱伝導体34の内部に配置されることになるため、FPC42、コネクタ46及び線材44によって後側熱伝導体34と後側ケース16との接触が妨げられることがない。   As described above, in a state where the main frame 36 is combined with the upper frame 38 and the lower frame 40, between the block 72 and the upper frame 38, between the block 72 and the lower frame 40, and A gap is formed at a portion behind the rear end. The FPC 42, the connector 46, and the wire 44 are arranged in the gap. Accordingly, the FPC 42, the connector 46, and the wire 44 are also disposed inside the rear heat conductor 34, so that the contact between the rear heat conductor 34 and the rear case 16 by the FPC 42, the connector 46, and the wire 44 is achieved. Is not disturbed.

後側熱伝導体34は、熱伝導率の良い物質で形成されるのが好ましい。例えば、銅、アルミ、マグネシウムなどの金属又はその合金、あるいは炭素材料などで形成される。超音波プローブ10の軽量化の観点から、本実施形態においては、後側熱伝導体34の材質として比較的比重の軽いアルミニウムが用いられる。このように、後側熱伝導体34は、金属などで形成されることから導電性となっている。本実施形態では、後側熱伝導体34は、ケーブル18に含まれるグランドシースなどに接続されておりグランド電位となっている。   The rear heat conductor 34 is preferably formed of a material having good heat conductivity. For example, it is formed of a metal such as copper, aluminum, or magnesium or an alloy thereof, or a carbon material. From the viewpoint of reducing the weight of the ultrasonic probe 10, in the present embodiment, aluminum having a relatively low specific gravity is used as the material of the rear heat conductor 34. As described above, the rear heat conductor 34 is made of metal or the like, and thus is conductive. In the present embodiment, the rear heat conductor 34 is connected to a ground sheath or the like included in the cable 18 and has a ground potential.

以下、ASIC54と後側熱伝導体34との間に設けられ、熱伝導機能、電気的絶縁機能、及びその他の機能を発揮する複合層について説明する。上述の通り、ASIC54はベアチップであり、その裏面54aの一部又は全部が導電性となっている。また、後側熱伝導体34は導電性である。したがって、ASIC54の裏面54aと後側熱伝導体34の前側面70とを直接接触させることができない。そのため、本実施形態では、両者の間に複合層を設けている。   Hereinafter, a composite layer that is provided between the ASIC 54 and the rear heat conductor 34 and that exhibits a heat conduction function, an electrical insulation function, and other functions will be described. As described above, the ASIC 54 is a bare chip, and part or all of the back surface 54a is conductive. Further, the rear heat conductor 34 is conductive. Therefore, the back surface 54a of the ASIC 54 and the front surface 70 of the rear heat conductor 34 cannot be brought into direct contact. Therefore, in the present embodiment, a composite layer is provided between the two.

図5には、複合層として利用可能な4つの構造が示されている。図5(a)〜(d)においては、上側が超音波プローブ10の前側であり、下側が超音波プローブ10の後側であり、中継基板52、ASIC54、複合層90a〜d、及び後側熱伝導体34のxy断面図が示されている。   FIG. 5 shows four structures that can be used as composite layers. 5A to 5D, the upper side is the front side of the ultrasonic probe 10, the lower side is the rear side of the ultrasonic probe 10, the relay board 52, the ASIC 54, the composite layers 90a to 90d, and the rear side. An xy sectional view of the heat conductor 34 is shown.

図5(a)に示される複合層90aは、接着剤92及びフィラー94を含んで構成されている。   The composite layer 90a shown in FIG. 5A includes an adhesive 92 and a filler 94.

接着剤92としては絶縁性の接着剤が用いられる。そのため、ASIC54の裏面54aと後側熱伝導体34の前側面70との間に接着剤92が設けられるだけで、裏面54aと前側面70との間における絶縁が実現され得る。しかし、複合層90aにおける熱伝導性を高める(つまりASIC54において発生した熱をより多く後側熱伝導体34へ移送する)ために接着剤92の厚さを非常に薄くした場合、局地的に裏面54aと前側面70とが接触、あるいは近接して絶縁破壊を生じることで、両者の間に電気的短絡が生じるおそれがある。   As the adhesive 92, an insulating adhesive is used. Therefore, only by providing the adhesive 92 between the rear surface 54a of the ASIC 54 and the front surface 70 of the rear heat conductor 34, insulation between the rear surface 54a and the front surface 70 can be realized. However, if the thickness of the adhesive 92 is made very small in order to increase the thermal conductivity of the composite layer 90a (that is, transfer more heat generated in the ASIC 54 to the rear thermal conductor 34), locally, When the back surface 54a and the front side surface 70 come into contact with or approach each other to cause insulation breakdown, an electrical short circuit may occur between them.

そのため、複合層90aにおいては、絶縁性であり球形の複数のフィラー94を接着剤92に混合させている。複数のフィラー94の直径は、フィラー94あるいは接着剤92の絶縁耐力と、裏面54aと前側面70との間に生じ得る電位差を考慮して決定される。つまり、裏面54aと前側面70との間において絶縁破壊が起きない距離と同等に設定される。本実施形態では、フィラー94の径は40μmに設定される。接着剤92に複数のフィラー94が混合されることにより、裏面54aと前側面70との間の距離は、フィラー94の直径以下になることはなく、つまり両者の間の絶縁性が担保され、且つ、絶縁性が担保される限りにおける最小の距離にとなり、つまり複合層90aの熱伝導性が高く維持される。   Therefore, in the composite layer 90a, a plurality of insulating and spherical fillers 94 are mixed with the adhesive 92. The diameter of the plurality of fillers 94 is determined in consideration of the dielectric strength of the filler 94 or the adhesive 92 and the potential difference that can occur between the back surface 54a and the front surface 70. That is, the distance between the back surface 54a and the front side surface 70 is set to be equal to the distance at which the dielectric breakdown does not occur. In the present embodiment, the diameter of the filler 94 is set to 40 μm. By mixing the plurality of fillers 94 into the adhesive 92, the distance between the back surface 54a and the front side surface 70 does not become smaller than the diameter of the filler 94, that is, the insulation between them is ensured, In addition, the distance becomes the minimum as long as the insulation is ensured, that is, the thermal conductivity of the composite layer 90a is maintained high.

フィラー94は、接着剤92と同等の絶縁性能を有し、且つ、高い(少なくとも接着剤92よりも高い)熱伝導率を有する部材で形成される。例えば、窒化アルミニウム(アルミナイトライド)や酸化アルミニウム(アルミナ)などで形成される。これにより、ASIC54で生じた熱を、熱伝導性のよいフィラー94を介して後側熱伝導体34へ移送させることができる。つまり、フィラー94は、裏面54aと前側面70との間の絶縁性を担保すると共に、複合層90aの熱伝導性を向上させる役割を果たしている。   The filler 94 is formed of a member having insulating performance equivalent to that of the adhesive 92 and having a high (at least higher than that of the adhesive 92) thermal conductivity. For example, it is formed of aluminum nitride (aluminum nitride) or aluminum oxide (alumina). Thus, the heat generated in the ASIC 54 can be transferred to the rear heat conductor 34 via the filler 94 having good heat conductivity. That is, the filler 94 plays a role of ensuring the insulation between the back surface 54a and the front side surface 70 and improving the thermal conductivity of the composite layer 90a.

また、複合層90aにおいては、接着剤92がASIC54と後側熱伝導体34とを密着及び固定するための接着機能を発揮する。これにより、ASIC54と後側熱伝導体34との位置関係が固定され、つまり両者の間の距離がフィラー94の直径以上に離れることがなくなり、好適な熱伝導性が維持される。   Further, in the composite layer 90a, the adhesive 92 exerts an adhesive function for adhering and fixing the ASIC 54 and the rear heat conductor 34. Thereby, the positional relationship between the ASIC 54 and the rear heat conductor 34 is fixed, that is, the distance between the two does not exceed the diameter of the filler 94, and the suitable thermal conductivity is maintained.

図5(b)に示される複合層90bは、薄膜状のフィルム96、フィルム96とASIC54とを接着するための前側接着層98、及びフィルム96と後側熱伝導体34とを接着するための後側接着層100を含んで構成されている。   The composite layer 90b shown in FIG. 5B has a thin film 96, a front adhesive layer 98 for bonding the film 96 and the ASIC 54, and a bonding layer 98 for bonding the film 96 and the rear heat conductor 34. It is configured to include the rear adhesive layer 100.

フィルム96、前側接着層98、及び後側接着層100はいずれも絶縁性の物質で形成される。これらの絶縁性の物質が裏面54aと前側面70との間に挟まれることで両者間の絶縁性が担保される。   The film 96, the front adhesive layer 98, and the rear adhesive layer 100 are all formed of an insulating material. Since these insulating materials are sandwiched between the back surface 54a and the front side surface 70, insulation between them is ensured.

フィルム96は、例えば、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタラート(PET)、あるいはポリフェニレンスルファイド(PPS)などで形成されてよい。これらの物質は、絶縁耐力が比較的大きく、フィルム96を例えば4μm程度に薄くしても裏面54aと前側面70との間の絶縁性を担保することができる。もちろん、フィルム96の材質としては、熱伝導率の高い材質である方が好ましい。   The film 96 may be formed of, for example, polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), or polyphenylene sulfide (PPS). These substances have a relatively high dielectric strength, and can secure the insulation between the back surface 54a and the front side surface 70 even when the film 96 is thinned to, for example, about 4 μm. Of course, the material of the film 96 is preferably a material having a high thermal conductivity.

また、複合層90bにおいては、前側接着層98及び後側接着層100により接着機能が発揮される。もちろん、前側接着層98及び後側接着層100は、接着機能が発揮し得る限りにおいてできるだけ薄いのが好ましい。前側接着層98及び後側接着層100は、できるだけ薄く形成され、且つ、確実な接着機能を発揮するため、接着力の強い硬化型の接着剤(例えばエポキシなど)が用いられる。   In the composite layer 90b, the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 exhibit an adhesive function. Of course, the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 are preferably as thin as possible as long as the adhesive function can be exhibited. The front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 are formed as thin as possible and use a hardening adhesive (for example, epoxy or the like) having a strong adhesive force in order to exhibit a reliable adhesive function.

このように、極薄にしても絶縁性が担保できるフィルム96を用いることで、裏面54aと前側面70との距離を数μm程度まで小さくすることができる(つまり複合層90bの厚さを数μm程度まで薄くすることができる)。それにより、複合層90bの熱伝導性が高く維持される。   In this way, by using the film 96 that can ensure insulation even if it is extremely thin, the distance between the back surface 54a and the front surface 70 can be reduced to about several μm (that is, the thickness of the composite layer 90b is reduced to several μm). The thickness can be reduced to about μm). Thereby, the thermal conductivity of the composite layer 90b is kept high.

フィルム96は、弾性率が比較的低く、比較的柔らかい材質で形成されるのが好適である。少なくとも硬化型の接着剤で形成され弾性率が比較的大きい(つまり硬い)前側接着層98及び後側接着層100よりも柔らかい材質で形成されるのが好適である。これにより、フィルム96が、ASIC54と後側熱伝導体34との間における衝撃吸収材として機能する。   The film 96 preferably has a relatively low elastic modulus and is formed of a relatively soft material. It is preferable to be formed of a material that is at least formed of a curable adhesive and has a relatively large elastic modulus (that is, hard) and is softer than the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100. Thus, the film 96 functions as a shock absorber between the ASIC 54 and the rear heat conductor 34.

ベアチップであるASIC54は、パッケージされていないことから衝撃耐性が比較的弱い。また、超音波プローブ10のように、ケーブル18により装置本体と接続されるタイプの超音波プローブにおいては、使用中にケーブル18が引っかかったり引っ張られたりすることによって、超音波プローブ10の後側において衝撃を受ける場合がある。したがって、本実施形態ではフィルム96を比較的柔らかい材質で形成し衝撃吸収材としての機能も持たせることで、衝撃に弱いベアチップであるASIC54を後方からの衝撃から守っている。   The ASIC 54 that is a bare chip has relatively low impact resistance because it is not packaged. Further, in the case of an ultrasonic probe, such as the ultrasonic probe 10, which is connected to the apparatus main body by the cable 18, the cable 18 is caught or pulled during use, so that the rear side of the ultrasonic probe 10 is May be shocked. Therefore, in the present embodiment, the film ASIC is formed of a relatively soft material and has a function as a shock absorbing material, thereby protecting the ASIC 54, which is a bare chip that is vulnerable to shock, from a shock from behind.

絶縁性及び衝撃吸収性などを考慮すると、フィルム96は、優れた絶縁性を有し、且つ弾性率が比較的小さく比較的柔らかいポリイミドで形成されるのが好適である。   In consideration of insulation properties and shock absorption properties, it is preferable that the film 96 be made of polyimide having excellent insulation properties, a relatively small elastic modulus, and a relatively soft polyimide.

図5(b)に示される通り、前側面70の面積はASIC54の面積よりも大きくなっており、フィルム96は前側面70の全体を覆うように設けられている。また、フィルム96が前側面70の全体において接着されるよう後側接着層100も前側面70の全体を覆うように設けられている。この効果について図6を用いつつ説明する。   As shown in FIG. 5B, the area of the front side surface 70 is larger than the area of the ASIC 54, and the film 96 is provided so as to cover the entire front side surface 70. The rear adhesive layer 100 is also provided so as to cover the entire front side surface 70 so that the film 96 is adhered to the entire front side surface 70. This effect will be described with reference to FIG.

図6(a)には、図5(b)に示す複合層90bの変形例である複合層90eが示されている。複合層90eにおいては、フィルム96、前側接着層98、及び後側接着層100のxz面の面積がASIC54の裏面54aと同じ面積となっている。つまり、フィルム96は前側面70の全体を覆っておらず、前側面70はむき出し部分70aを有している。   FIG. 6A shows a composite layer 90e which is a modification of the composite layer 90b shown in FIG. 5B. In the composite layer 90e, the area of the xz plane of the film 96, the front adhesive layer 98, and the rear adhesive layer 100 is the same as the rear surface 54a of the ASIC 54. That is, the film 96 does not cover the entire front side surface 70, and the front side surface 70 has the exposed portion 70a.

複合層90eにおいても絶縁性のフィルム96が設けられているから、複合層90eは裏面54aと前側面70との間における好適な絶縁機能及び熱伝導機能を発揮し得る。現に、複合層90eの態様も採用し得る。しかし、複合層90eの厚さは数μm程度まで小さくなることから、図6(a)に示される通り、ASIC54の側面54bと前側面70のむき出し部分70aとの間の距離がかなり近接する。この状態において、側面54bとむき出し部分70aとの間に比較的大きい電位差が生じると、絶縁破壊が生じて両者の間に電気的短絡が生じるおそれがある。   Since the insulating film 96 is also provided in the composite layer 90e, the composite layer 90e can exhibit a suitable insulating function and heat conduction function between the back surface 54a and the front side surface 70. Actually, the mode of the composite layer 90e can be adopted. However, since the thickness of the composite layer 90e is reduced to about several μm, as shown in FIG. 6A, the distance between the side surface 54b of the ASIC 54 and the exposed portion 70a of the front side surface 70 is considerably short. In this state, if a relatively large potential difference occurs between the side surface 54b and the exposed portion 70a, dielectric breakdown may occur and an electrical short circuit may occur between the two.

この点、図5(b)に示す複合層90bによれば、前側面70の全体がフィルム96で覆われているから、前側面70においてむき出し部分70aが存在しないため、ASIC54の側面54bとの間で電気的短絡が生じるおそれが無い。なお、フィルム96は、必ずしも前側面70の全てを覆う必要はなく、ASIC54の側面54bと前側面70との間において絶縁破壊が生じないようにASIC54付近においてある程度前側面70を覆っていればよい。   In this regard, according to the composite layer 90b shown in FIG. 5B, since the entire front side surface 70 is covered with the film 96, there is no exposed portion 70a on the front side surface 70. There is no danger of an electrical short between them. The film 96 does not necessarily need to cover the entire front side surface 70, but may cover the front side surface 70 to some extent in the vicinity of the ASIC 54 so that dielectric breakdown does not occur between the side surface 54 b of the ASIC 54 and the front side surface 70. .

また、図6(b)に示すように、複合層90eにおいて、ASIC54(送受波ユニット30)と後側熱伝導体34との接着工程において、両者が互いに押しつけられるなどして前側接着層98及び後側接着層100がフィルム96の側端部よりも側方へはみ出してしまい、フィルム96の側方において前側接着層98と後側接着層100とが結合してしまう場合が考えられる。このような場合、エポキシなどの硬化型の接着剤で形成された前側接着層98及び後側接着層100とが一体となってしまい、後方からの衝撃が結合部を介してASIC54へ伝わってしまう。つまり、フィルム96による衝撃吸収機能が好適に発揮できなくなる。   As shown in FIG. 6B, in the bonding step between the ASIC 54 (wave transmitting / receiving unit 30) and the rear heat conductor 34 in the composite layer 90e, the front bonding layer 98 and the front bonding layer 98 are pressed together. It is conceivable that the rear adhesive layer 100 protrudes laterally from the side edge of the film 96, and the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 are bonded on the side of the film 96. In such a case, the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 formed of a curable adhesive such as epoxy are integrated with each other, and an impact from behind is transmitted to the ASIC 54 via the joint. . That is, the shock absorbing function of the film 96 cannot be suitably exhibited.

この点においても、図5(b)に示す複合層90bによれば、フィルム96は前側面70の全体を覆っていることから、ASIC54の側端部から前側接着層98が多少はみ出したとしても、それが後側接着層100と結合することがない。つまり、前側接着層98と後側接着層100との間に常にフィルム96が挟みこまれる形になるから、複合層90bは好適に衝撃吸収機能を発揮することができる。なお、この観点においてもフィルム96が必ずしも前側面70の全てを覆っている必要はなく、前側接着層98のはみ出し部分と後側接着層100とが結合しない程度にASIC54付近においてある程度前側面70を覆っていればよい。   Also in this regard, according to the composite layer 90b shown in FIG. 5B, since the film 96 covers the entire front side surface 70, even if the front adhesive layer 98 slightly protrudes from the side end of the ASIC 54, , It does not bond with the rear adhesive layer 100. That is, since the film 96 is always sandwiched between the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100, the composite layer 90b can suitably exert the shock absorbing function. In this respect, also from this viewpoint, the film 96 does not necessarily cover the entire front side surface 70, and the front side surface 70 is formed to some extent near the ASIC 54 to the extent that the protruding portion of the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 are not bonded. You only need to cover it.

上述の通り、複合層90bの厚さによりその熱伝導性が決定する。図7に、複合層90bの熱抵抗と超音波送受波面12の温度上昇値との関係を示すグラフが示されている。熱抵抗とは、温度の伝えにくさを表す値である。つまり複合層90bの熱抵抗が大きければ、ASIC54において生じた熱が複合層90b側に伝わりにくくなり、その分の熱が前側、つまり超音波送受波面12へ移送されるため超音波送受波面12の温度上昇値が大きくなる。超音波プローブ10における種々の条件(ASIC54の発熱量、その他の構造体における放熱量など)により、超音波送受波面12の上昇温度は10℃以下に抑える必要があるとする。その場合、図7に示すグラフから、複合層90bの熱抵抗を2×10−4[K・m/W]以下にする必要があることになる。本実施形態においては、複合層90bの厚さが約40μmのときに複合層90bの熱抵抗が約2×10−4[K・m/W]となるため、複合層90bの厚みは40μm以下に設定される。 As described above, the thermal conductivity of the composite layer 90b is determined by the thickness of the composite layer 90b. FIG. 7 is a graph showing the relationship between the thermal resistance of the composite layer 90b and the temperature rise value of the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12. The thermal resistance is a value indicating the difficulty in transmitting the temperature. That is, if the thermal resistance of the composite layer 90b is large, the heat generated in the ASIC 54 is less likely to be transmitted to the composite layer 90b side, and the corresponding heat is transferred to the front side, that is, the ultrasonic transmitting / receiving surface 12, so that the ultrasonic transmitting / receiving surface 12 The temperature rise value increases. It is assumed that the rising temperature of the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12 needs to be suppressed to 10 ° C. or less due to various conditions (the amount of heat generated by the ASIC 54 and the amount of heat radiation in other structures) in the ultrasonic probe 10. In this case, from the graph shown in FIG. 7, it is necessary to set the thermal resistance of the composite layer 90b to 2 × 10 −4 [K · m 2 / W] or less. In the present embodiment, when the thickness of the composite layer 90b is about 40 μm, the thermal resistance of the composite layer 90b is about 2 × 10 −4 [K · m 2 / W], so the thickness of the composite layer 90b is 40 μm. It is set as follows.

もちろん、複合層90bがあまりに薄い場合は、フィルム96による絶縁機能及び衝撃吸収機能、あるいは前側接着層98及び後側接着層100による接着機能が十分に発揮されないおそれがあることから、複合層90bの厚さにはおのずと下限がある。つまり、複合層90bの厚さは、熱伝導性と、絶縁性、衝撃吸収性、及び接着性とを考慮して決定される。   Of course, if the composite layer 90b is too thin, the insulating function and the shock absorbing function of the film 96 or the adhesive function of the front adhesive layer 98 and the rear adhesive layer 100 may not be sufficiently exhibited. There is naturally a lower limit to the thickness. That is, the thickness of the composite layer 90b is determined in consideration of thermal conductivity, insulation, shock absorption, and adhesiveness.

本実施形態においては、複合層90bの熱伝導性、絶縁性、衝撃吸収性、及び接着性を考慮し、複合層90bが取り得る厚みの範囲として、取り得る範囲は5〜40μm(このときフィルム96の厚みは4〜35μmを取り得る)、望ましい範囲は、7〜20μm(このときフィルム96の厚みは4〜15μmを取り得る)、好適には8〜10μm(このときフィルム96の厚みは4μm)となっている。   In the present embodiment, in consideration of the thermal conductivity, insulation, shock absorption, and adhesiveness of the composite layer 90b, the possible range of the thickness of the composite layer 90b is 5 to 40 μm (in this case, the film is The thickness of the film 96 can take 4 to 35 μm), a desirable range is 7 to 20 μm (the thickness of the film 96 can take 4 to 15 μm at this time), preferably 8 to 10 μm (the thickness of the film 96 at this time is 4 μm). ).

図5(c)に示される複合層90cは、後側熱伝導体34の前側面70の表面において形成される絶縁性の酸化被膜102、及び酸化被膜102とASIC54の裏面54aとを接着する接着剤104を含んで構成される。   The composite layer 90c shown in FIG. 5C has an insulating oxide film 102 formed on the front surface 70 of the rear heat conductor 34 and an adhesive bonding the oxide film 102 and the back surface 54a of the ASIC 54. Agent 104 is included.

酸化被膜102は、例えば、後側熱伝導体34がアルミニウムの場合アルマイト処理によって形成される。アルマイトは高い絶縁性を示すため、酸化被膜102により絶縁機能が発揮される。また、一般的に金属酸化物の熱伝導率は比較的高いために、酸化被膜102を設けたとしても複合層90cの熱伝導性は高く維持される。もちろん、酸化被膜102の厚さは、絶縁性が担保される限りにおいてできるだけ薄いのが好ましい。   The oxide film 102 is formed, for example, by alumite treatment when the rear heat conductor 34 is aluminum. Since alumite has high insulating properties, the oxide film 102 exhibits an insulating function. Further, since the thermal conductivity of the metal oxide is generally relatively high, the thermal conductivity of the composite layer 90c is kept high even if the oxide film 102 is provided. Of course, it is preferable that the thickness of the oxide film 102 be as thin as possible as long as the insulation is ensured.

複合層90cにおいては、接着剤104がASIC54と後側熱伝導体34とを密着及び固定するための接着機能を発揮する。もちろん、接着剤104も、熱伝導性の観点から、接着機能を発揮し得る限りにおいてできるだけ薄い方が好ましい。   In the composite layer 90c, the adhesive 104 exerts an adhesive function for adhering and fixing the ASIC 54 and the rear heat conductor 34. Of course, the adhesive 104 is preferably as thin as possible from the viewpoint of thermal conductivity as long as the adhesive 104 can exhibit an adhesive function.

図5(d)に示される複合層90dは、ASIC54と後側熱伝導体34との間に挟みこまれる複数のスペーサ106と、絶縁性の接着剤108とを含んで構成される。   The composite layer 90d shown in FIG. 5D includes a plurality of spacers 106 sandwiched between the ASIC 54 and the rear heat conductor 34, and an insulating adhesive 108.

複数のスペーサ106がASIC54と後側熱伝導体34との間に挟みこまれることにより、ASIC54の裏面54a及び後側熱伝導体34の前側面70との間の距離が一定(スペーサ厚)に保たれる。それにより、裏面54aと前側面70との間の絶縁性が担保される。もちろん、スペーサ106は絶縁性の材質で形成される。スペーサ106の厚さも、スペーサ106あるいは接着剤108の絶縁耐力と、裏面54aと前側面70との間に生じ得る電位差を考慮して決定される。   Since the plurality of spacers 106 are sandwiched between the ASIC 54 and the rear heat conductor 34, the distance between the back surface 54a of the ASIC 54 and the front side surface 70 of the rear heat conductor 34 becomes constant (spacer thickness). Will be kept. Thereby, insulation between the back surface 54a and the front side surface 70 is ensured. Of course, the spacer 106 is formed of an insulating material. The thickness of the spacer 106 is also determined in consideration of the dielectric strength of the spacer 106 or the adhesive 108 and the potential difference between the back surface 54a and the front surface 70.

また、スペーサ106としては、熱伝導率の高い材質で形成される。これにより、ASIC54において生じた熱が複数のスペーサ106を介して後側熱伝導体34へ移送される。つまり、スペーサ106は複合層90dの熱伝導性を向上させる役割を果たしている。スペーサ106は、熱伝導率が比較的高く、また絶縁性も比較的大きい窒化アルミニウム(アルミナイトライド)や酸化アルミニウム(アルミナ)などで形成される。   Further, the spacer 106 is formed of a material having high thermal conductivity. As a result, heat generated in the ASIC 54 is transferred to the rear heat conductor 34 via the plurality of spacers 106. That is, the spacer 106 plays a role of improving the thermal conductivity of the composite layer 90d. The spacer 106 is formed of aluminum nitride (aluminum nitride), aluminum oxide (alumina), or the like having relatively high thermal conductivity and relatively high insulating properties.

複合層90dにおいては、接着剤108がASIC54と後側熱伝導体34とを密着及び固定するための接着機能を発揮する。また、接着剤108は、複数のスペーサ106の位置を固定する機能も果たしている。   In the composite layer 90d, the adhesive 108 exhibits an adhesive function for adhering and fixing the ASIC 54 and the rear heat conductor 34. The adhesive 108 also has a function of fixing the positions of the plurality of spacers 106.

以上説明した各複合層によれば、ASIC54の裏面54aと後側熱伝導体34の前側面70との間において電気的絶縁性が担保されつつ、ASIC54から後側熱伝導体34への熱伝導性が高く維持される。つまり、上記各複合層によれば、ASIC54としてベアチップが設けられた場合においても、ASIC54において生じた熱を好適に後側(つまり被検体との接触面である超音波送受波面12とは反対側)へ移送することができる。   According to each of the composite layers described above, heat conduction from the ASIC 54 to the rear heat conductor 34 is maintained while electrical insulation is maintained between the back surface 54a of the ASIC 54 and the front side surface 70 of the rear heat conductor 34. Is maintained at a high level. In other words, according to each of the composite layers, even when a bare chip is provided as the ASIC 54, the heat generated in the ASIC 54 is preferably applied to the rear side (that is, the side opposite to the ultrasonic wave transmitting / receiving surface 12 which is the contact surface with the subject). ).

以下、図8〜図11を用いて、中継基板52にASIC54をリフロー処理によりはんだ付けする際に、ASIC54に反りが生じた場合における処理について説明する。   Hereinafter, a process performed when the ASIC 54 is warped when the ASIC 54 is soldered to the relay board 52 by the reflow process will be described with reference to FIGS. 8 to 11.

図8には、リフロー処理により反りが生じた中継基板52及びASIC54が複合層90aを介して後側熱伝導体34に接合された場合の断面図が示されている。図8に示すように、中継基板52及びASIC54が反った状態において後側熱伝導体34に複合層90aを介して接合されると、裏面54aと前側面70の間の距離がxz平面における各位置において異なることになる。これにより、複合層90aの厚さが余分に大きくなって好適な熱伝導性が維持できなくなったり、あるいは、裏面54aと前側面70との間の距離が絶縁のために必要な距離以下となってしまう箇所ができてしまい絶縁破壊が生じたりするおそれがある。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing a case where the relay board 52 and the ASIC 54 that have been warped by the reflow process are joined to the rear heat conductor 34 via the composite layer 90a. As shown in FIG. 8, when the relay substrate 52 and the ASIC 54 are bonded to the rear heat conductor 34 via the composite layer 90a in a warped state, the distance between the rear surface 54a and the front side surface 70 becomes different in the xz plane. Will differ in location. As a result, the thickness of the composite layer 90a becomes excessively large and a suitable thermal conductivity cannot be maintained, or the distance between the back surface 54a and the front side surface 70 becomes less than the distance required for insulation. There is a possibility that a portion may be formed and dielectric breakdown may occur.

本実施形態においては、ASIC54に反りが生じた場合、反った状態の裏面54aを平坦化して処理後の裏面を前側面70と平行にした上で、ASIC54と後側熱伝導体34とが複合層を介して接合させられる。例えば、図9を参照して、リフロー処理により反ってしまったASIC54のうち、1点鎖線よりも後側の部分を削り取ることによりASICの裏面を平坦化する。   In the present embodiment, when the ASIC 54 is warped, the warped back surface 54a is flattened so that the processed back surface is parallel to the front side surface 70, and then the ASIC 54 and the rear heat conductor 34 are combined. Bonded through layers. For example, referring to FIG. 9, the back surface of the ASIC 54 is flattened by shaving off a portion of the ASIC 54 warped by the reflow process, which is behind the dashed line.

平坦化は、例えばダイシング装置や平面研削盤を用いて行う。平坦化処理において、チップ割れを防ぐために、研削方向をASIC54の劈開方向とは異なる方向に設定する。図10を参照して、ASIC54においてはx軸方向及びz軸方向が劈開方向であるとすると、その方向を避けた矢印方向を研削方向とする。   The flattening is performed using, for example, a dicing device or a surface grinder. In the flattening process, the grinding direction is set to a direction different from the cleavage direction of the ASIC 54 in order to prevent chip cracking. Referring to FIG. 10, in the ASIC 54, assuming that the x-axis direction and the z-axis direction are the cleavage directions, the direction of the arrow avoiding these directions is defined as the grinding direction.

図11に、平坦化処理後のASIC54が複合層90aを介して後側熱伝導体34に接合させられている状態が示されている。図11に示される通り、リフロー処理によりASIC54に反りが生じた場合であっても、平坦化処理を行うことで、ASIC54の反りの影響を生じさせずに、ASIC54の裏面54aと後側熱伝導体34の前側面70との距離を好適に保つことができる。   FIG. 11 shows a state in which the ASIC 54 after the planarization process is bonded to the rear heat conductor 34 via the composite layer 90a. As shown in FIG. 11, even if the ASIC 54 is warped by the reflow process, the flattening process does not cause the ASIC 54 to be warped, and the back surface 54 a of the ASIC 54 and the rear heat transfer The distance from the front side surface 70 of the body 34 can be suitably maintained.

以上、本発明に係る実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。   The embodiment according to the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

10 超音波プローブ、12 超音波送受波面、14 前側ケース、16 後側ケース、18 ケーブル、20 ケーブル保護ブーツ、30 送受波ユニット、32 前側熱伝導体、34 後側熱伝導体、36 メインフレーム、38 上側フレーム、40 下側フレーム、42 FPC、44 線材、46 コネクタ、50 振動子アレイ、52 中継基板、54 ASIC、54a 裏面、54b 側面、56 バッキング材、58 音響整合層、60 音響レンズ、70 前側面、70a むき出し部分、72 ブロック、74,78 凸部、76,80 凹部、82 突出辺、84 溝部、90a,90b,90c,90d,90e 複合層、92,104,108 接着剤、94 フィラー、96 フィルム、98 前側接着層、100 後側接着層、102 酸化被膜、106 スペーサ。   Reference Signs List 10 ultrasonic probe, 12 ultrasonic wave transmitting and receiving surface, 14 front case, 16 rear case, 18 cable, 20 cable protection boot, 30 transmitting and receiving unit, 32 front heat conductor, 34 rear heat conductor, 36 main frame, 38 upper frame, 40 lower frame, 42 FPC, 44 wires, 46 connector, 50 transducer array, 52 relay board, 54 ASIC, 54a back surface, 54b side surface, 56 backing material, 58 acoustic matching layer, 60 acoustic lens, 70 Front side, 70a Exposed portion, 72 blocks, 74, 78 convex portion, 76, 80 concave portion, 82 projecting side, 84 groove portion, 90a, 90b, 90c, 90d, 90e Composite layer, 92, 104, 108 adhesive, 94 filler , 96 film, 98 front adhesive layer, 100 rear adhesive layer, 10 Oxide film, 106 a spacer.

Claims (3)

複数の振動素子と、
前記複数の振動素子に供給される複数の送信信号及び前記複数の振動素子から出力される複数の受信信号の少なくとも一方を処理する電子回路と、少なくとも一部が導電性であるチップ面とを有する熱源としての電子回路チップと、
前記チップ面に対向する対向面を有する熱伝導体と、
前記チップ面と前記対向面との間において熱伝導機能及び電気的絶縁機能を発揮する複合機能層と、
を備え、
前記複合機能層は、前記チップ面と前記対向面との間に所定の距離を設定し維持するための絶縁性のフィラーが混合された絶縁性の接着剤から構成され、
前記フィラーは、前記チップ面と前記対向面との間の絶縁性を担保すべく、前記フィラー又は前記接着剤の絶縁耐力、並びに、前記チップ面と前記対向面との間に生じ得る電位差に応じた直径を有する、
ことを特徴とする超音波プローブ。
A plurality of vibrating elements,
An electronic circuit for processing at least one of a plurality of transmission signals supplied to the plurality of vibration elements and a plurality of reception signals output from the plurality of vibration elements, and a chip surface at least partly of which is conductive An electronic circuit chip as a heat source,
A heat conductor having a facing surface facing the chip surface,
A composite functional layer that exhibits a heat conduction function and an electrical insulation function between the chip surface and the facing surface,
With
The composite functional layer is made of an insulating adhesive mixed with an insulating filler for setting and maintaining a predetermined distance between the chip surface and the facing surface ,
The filler depends on the dielectric strength of the filler or the adhesive, and the potential difference that can occur between the chip surface and the opposing surface, in order to ensure insulation between the chip surface and the opposing surface. Having a diameter of
An ultrasonic probe, characterized in that:
前記複合機能層は、更に前記電子回路チップと前記熱伝導体とを接着する接着機能を発揮する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の超音波プローブ。
The composite functional layer further exhibits an adhesion function of adhering the electronic circuit chip and the heat conductor,
The ultrasonic probe according to claim 1, wherein:
前記複合機能層は、更に衝撃吸収機能を発揮する、
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の超音波プローブ。
The composite functional layer further exerts a shock absorbing function,
The ultrasonic probe according to claim 1, wherein:
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JP2008226946A (en) * 2007-03-09 2008-09-25 Nec Corp Semiconductor device and its manufacturing method
JP5540559B2 (en) * 2009-05-11 2014-07-02 デクセリアルズ株式会社 Method for producing film adhesive for circuit connection
EP2459322B1 (en) * 2009-07-29 2014-11-05 Imacor Inc. Ultrasound imaging transducer acoustic stack with integral electrical connections
US9237880B2 (en) * 2011-03-17 2016-01-19 Koninklijke Philips N.V. Composite acoustic backing with high thermal conductivity for ultrasound transducer array
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