JP6655125B2 - 細胞観察装置及び細胞観察方法 - Google Patents

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Description

本発明は、細胞を含む試料から電圧印加に伴い発せられた光を測定する細胞観察装置及び細胞観察方法に関する。
創薬分野では、細胞などの試料に投与した薬品の影響を、細胞から放出された光を測定して評価する場合がある。特許文献1には、細胞が配置される複数のウェルが配列されたマルチウェルプレートを対象にウェル内の観察領域に電界を発生させるための電極アレイを備えた測定装置が開示されている。この電極アレイは、2枚の平行平板電極である陰極及び陽極からなる。また、特許文献2には、細胞の電場刺激に応じた生物学的応答を蛍光検出によってモニターする測定装置が開示され、この測定装置には正極及び負極からなる同軸ケーブルの形状の電極対を、細胞が配置されたウェルに配置可能な構成が採用されている。
特表2007−534927号公報 特表2005−514909号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の測定装置では、細胞が配置されるウェル内の観察領域としては、陰極と陽極との中間の円形状領域とされている。そのために、プレートに配列された複数のウェルに対して観察領域を適切に設定することが困難な傾向にある。また、上記特許文献2に記載の測定装置では、ウェル内の観察領域は特に設定されていない。
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、複数配列されたウェル内の試料からの光を高感度に解析することが可能な細胞観察装置及び細胞観察方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の一形態に係る細胞観察装置は、細胞を含む試料を保持するウェルが複数配列されたマイクロプレートによって保持された細胞から放出された光を測定する細胞観察装置であって、マイクロプレートを載置するための載置部と、陽極と陰極とを含む電極対が複数配列された電気刺激部と、マイクロプレートのウェル内に電極対が配置されるように、電気刺激部の位置を制御する位置制御部と、マイクロプレートのウェル内の試料からの光を検出する光検出部と、光検出部による検出結果に応じて得られた光強度分布を対象に、ウェルの境界の位置を特定し、ウェルの境界の位置を基に解析領域を設定し、解析領域の光強度を解析することによって、試料に関する解析情報を取得する情報解析部と、を備える。
或いは、本発明の他の形態に係る細胞観察方法は、細胞を含む試料を保持するウェルが複数配列されたマイクロプレートによって保持された細胞から放出された光を測定する細胞観察方法であって、マイクロプレートを載置部に載置する載置ステップと、陽極と陰極とを含む電極対が複数配列された電気刺激部に対して、マイクロプレートのウェル内に電極対が配置されるように、位置を制御する位置制御ステップと、マイクロプレートのウェル内の試料からの光を検出する光検出ステップと、光検出ステップにおける検出結果に応じて得られた光強度分布を対象に、ウェルの境界の位置を特定し、ウェルの境界の位置を基に解析領域に設定し、解析領域の光強度を解析することによって、試料に関する解析情報を取得する情報解析ステップと、を備える。
本発明によれば、複数配列されたウェル内の試料からの光を高感度に解析することが可能になる。
本発明の好適な一実施形態に係る細胞観察装置1の概略構成を示す図である。 図1のマイクロプレート20の構成を示す斜視図である。 図1のマイクロプレート20の断面構造を示す側面断面図である。 図1の電気刺激部16の一部破断断面図である。 図1の細胞観察装置1の試料Sの光測定時の動作を示すフローチャートである。 図5における解析領域の決定動作の詳細を示すフローチャートである。 解析領域の決定動作時の電気刺激部16とマイクロプレート20との位置関係を示す一部破断断面図である。 解析領域の決定動作時にデータ解析装置50によって取得された電極対17の反射像を含む2次元光像Gを示す図である。 図1の細胞観察装置1の試料Sの光測定時の別の動作を示すフローチャートである。 解析領域の決定動作時にデータ解析装置50によって取得された電極対17の反射像を含む2次元光像Gを示す図である。 図1の細胞観察装置1の試料Sの光測定時の別の動作を示すフローチャートである。 図11における解析領域の決定動作の詳細を示すフローチャートである。 解析領域の決定動作時の電気刺激部16とマイクロプレート20との位置関係を示す一部破断断面図である。 動画像取得部40によって撮像されたウェル21の画像において設定される解析領域の範囲を示す図である。 動画像取得部40によって撮像されたウェル21の画像において設定される解析領域の範囲を示す図である。 本実施形態の変形例にかかる電極対17の構造と、それに対応してデータ解析装置50によって設定される解析領域のイメージを示す図である。 本実施形態の変形例にかかる電極対17の構造と、それに対応してデータ解析装置50によって設定される解析領域のイメージを示す図である。 細胞観察装置1において電気刺激を行っていない場合に取得された96個の各ウェル21毎の二次元光像の解析領域における平均蛍光強度の時間変化の測定結果を示す図である。 細胞観察装置1において電気刺激を行った場合に取得された96個の各ウェル21毎の二次元光像の解析領域における平均蛍光強度の時間変化の測定結果を示す図である。 図18及び図19の測定結果から1つのウェルに対応する測定結果を抽出して示す図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明による細胞観察装置、及び細胞観察方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図面は説明用のために作成されたものであり、説明の対象部位を特に強調するように描かれている。そのため、図面における各部材の寸法比率は、必ずしも実際のものとは一致しない。
図1は、本発明による細胞観察装置1の一実施形態を模式的に示す構成図である。また、図2は、マイクロプレート20の構成の一例を示す斜視図である。また、図3は、図2に示したマイクロプレート20の断面構造を示す側面断面図である。本実施形態による細胞観察装置1は、試料ケースとしてマイクロプレート20を用い、マイクロプレート20によって保持された状態で測定位置Pに配置された試料Sからの蛍光を測定するための装置である。
また、試料Sは所定の細胞を含む。所定の細胞には、例えば神経細胞がある。また、本実施形態における細胞観察装置及び細胞観察方法は、蛍光測定以外にも、例えば燐光や発光など、試料から放出された光を測定する光測定全般に適用可能である。以下、細胞観察装置1の構成について説明する。
図1に示す細胞観察装置1は、データ取得装置10、位置制御コントローラ(位置制御部)30、撮像制御コントローラ32、及びデータ解析装置(情報解析部)50を備えて構成されている。データ取得装置10は、蛍光測定の対象となる細胞を保持したマイクロプレート20が内部に収容される暗箱15と、暗箱15の内部に設置されて測定位置Pに配置された試料Sからの蛍光の測定に用いられる動画像取得部40とを有している。
本実施形態において試料ケースとして用いられているマイクロプレート20は、図2及び図3に示すように、複数のウェル(保持部)21が二次元アレイ状に配列された板状部材であり、その複数のウェル21のそれぞれにおいて、試料Sを保持可能な構成となっている。ウェル21の断面形状としては、円形状、楕円形状、又は矩形状等が挙げられる。図2に示した構成例では、複数のウェル21として、8×12=96個の円形状のウェル21が二次元アレイ状に配置されている。また、このマイクロプレート20の底面22は、試料Sに照射される蛍光測定用の励起光、及び試料Sから放出される蛍光を透過可能な材質によって形成されている。なお、一般に細胞観察装置1においては、マイクロプレート20の底面22は、測定対象となる試料Sから放出された光を透過可能な材質によって形成されていれば良い。
暗箱15内においては、マイクロプレート20は、蛍光観察用の開口を有するマイクロプレートホルダ(載置部)11に載置されている。また、これらのマイクロプレート20及びマイクロプレートホルダ11を、暗箱15内で所定の方向(図1中においては、右側から左側へと向かう方向)に搬送するマイクロプレート搬送機構12が、暗箱15内に設置されている。
搬送機構12でのマイクロプレート20の搬送方向に対して搬入側となる暗箱15の一方側には、試料Sが保持された測定前のマイクロプレート20を所定枚数(例えば、25枚)ストックしておくための搬入側マイクロプレートストッカー13が設置されている。また、マイクロプレート20の搬送方向に対して搬出側となる暗箱15の他方側には、測定後のマイクロプレート20をストックしておくための搬出側マイクロプレートストッカー14が設置されている。
このような構成において、搬入側マイクロプレートストッカー13から暗箱15内へと搬入されたマイクロプレート20は、マイクロプレートホルダ11によって保持されるとともに搬送機構12によって搬送される。そして、マイクロプレート20は測定位置Pで一旦停止させられ、この状態で、マイクロプレート20によって保持された試料Sに対して必要な光測定が行われる。測定完了後、マイクロプレート20は再び搬送機構12によって搬送され、搬出側マイクロプレートストッカー14へと搬出される。なお、図1においては、搬送機構12、及びストッカー13、14については、マイクロプレート20を搬入、搬送、搬出するための具体的な構成の図示を省略している。
蛍光測定の実行時にマイクロプレート20及び試料Sが配置される測定位置Pの上方には、マイクロプレート20のウェル21内に挿入されて試料Sに電界を発生させるための電気刺激部16が設置されている。また、測定位置Pの下方には、ウェル21内に収容された試料Sからマイクロプレート20の底面22を介して放出される蛍光の検出に用いられる動画像取得部(光検出部)40が設置されている。
動画像取得部40は、マイクロプレート20のウェル21内に保持された試料Sから放出された光を含むマイクロプレート20の二次元の光強度分布を表す二次元光像を検出して、二次元光像の動画像データを取得する動画像取得手段である。検出される二次元光像としては、少なくとも1つのウェル21内に保持された試料Sから放出された光を含む光強度分布であればよい。この動画像取得部40は、撮像装置45と、導光光学系41と、光学フィルタ部42と、励起光源43とによって構成されている。撮像装置45は、複数の画素が二次元に配列された二次元画素構造を有し、試料Sから放出される蛍光による二次元の光検出画像である蛍光画像を検出する。この撮像装置45としては、例えば高感度のCCDカメラやCMOSイメージカメラを用いることができる。また、必要があれば、カメラの前段にイメージ増倍管、リレーレンズ等を配置して動画像取得部40を構成しても良い。なお、動画像取得部40は、静止画を取得してもよく、動画及び/又は静止画を取得する画像取得部としての機能を有する。
また、マイクロプレート20が配置される測定位置Pと、撮像装置45との間には、導光光学系41が設置されている。導光光学系41は、複数のウェル21のそれぞれに試料Sが保持されたマイクロプレート20を底面22側からみた二次元光像を撮像装置45へと導く光学系である。導光光学系41の具体的な構成については、マイクロプレート20及び撮像装置45の構成等に応じ、必要な機能(例えば集光機能、光像縮小機能等)を実現可能な光学素子によって適宜構成すれば良い。そのような光学素子としては、例えばテーパファイバがある(特開2001−188044号公報参照)。また、導光光学系41としては、凹凸を有する導光部材を有する光照射装置を用いる構成でもよい(特開2010−230397号公報および特開2010−230396号公報参照)。
また、図1においては、さらに、導光光学系41と撮像装置45との間に、必要に応じて蛍光の導光光路上への光学フィルタの配置、切換等を行うことが可能な光学フィルタ部42が設置されている。ただし、このような光学フィルタ部42については、不要であれば設けなくても良い。
励起光源43は、試料Sに対して蛍光測定用の励起光を供給するための励起光供給手段である。励起光源43の具体的な構成としては、蛍光測定の対象となる試料Sの種類、試料Sに照射する励起光の波長等に応じて適宜構成すれば良いが、例えば、光を供給する照明光源と、励起光の波長の選択、切換を行うための光学フィルタ部とによって構成することができる。また、試料Sに対して行われる光測定の種類により、励起光の供給が不要な場合には、励起光源43を設けない構成としても良い。
本実施形態においては、導光光学系41は、マイクロプレート20及び試料Sからの二次元光像を撮像装置45へと導くとともに、励起光源43からの励起光を試料Sへと導くことが可能な光学系として構成される。このような光学系は、例えば、マイクロプレート20からの蛍光を通過させるとともに、励起光源43からの励起光を反射させるダイクロイックミラー等を用いて構成することができる。なお、図1においては、導光光学系41における蛍光及び励起光の光路を、それぞれ実線及び破線によって模式的に示している。
次に、電気刺激部16の構成について詳細に説明する。図4は、電気刺激部16がマイクロプレート20に挿入された状態での電気刺激部16の一部破断断面図である。電気刺激部16は、マイクロプレート20に向けて垂直に伸びる複数の電極対17が2次元的に配列されるようにベース部18に固定された構造を有している。詳細には、電極対17は、マイクロプレート20のウェル21に対向して伸びるように、マイクロプレート20の複数のウェル21の二次元アレイ状の配列に対応して二次元状に配列されている。それぞれの電極対17は、先端が開口された円筒状の形状を有する陰極17aと、陰極17aの中心軸上に配置されるように陰極17a内部に挿入された棒状(例えば、円柱状の形状)の陽極17bとによって構成され、陰極17aの外径がウェル21の内径よりも小さくされている。なお、陰極17aの円筒状の形状としては、断面が円形状であってもよいし、楕円形状であってもよい。また、電極対17は、陽極17bの先端が陰極17aの先端上の開口面から所定距離(例えば、1μm以上1.0mm以下の範囲)だけ引っ込むような構造、すなわち、陽極17bの先端のベース部18からの距離が、陰極17aの先端のベース部18からの距離よりも所定距離だけ小さくされた形状を有する。これにより、円筒状の形状で陰極17a内に棒状の陽極17bが収まり、陰極17aの先端から陽極17bが突出せず、陰極17aの先端と陽極17bの先端が同じ高さとならない構成となっている。ここで、電極対17は、陰極17aと陽極17bとがそれぞれ一部材によって構成されるものには限定されず、どちらか或いは両方が複数部材によって構成されていてもよい。
また、電気刺激部16には、電極対17をベース部18を介して支持する移動機構19が設けられている。移動機構19は、電極対17をマイクロプレート20に対して接近或いは後退させるように移動させる駆動機構であり、試料Sの観察時にそれぞれの電極対17を対向するウェル21内に配置させるように駆動すると共に、試料Sの観察終了時に電極対17をウェル21内から離脱させるように駆動する。
このような構成のデータ取得装置10に対し位置制御コントローラ(位置制御部)30、撮像制御コントローラ32が接続されている。位置制御コントローラ30は、移動機構19に電気的に接続され、試料Sの光測定開始時に、電極対17をマイクロプレート20のウェル21内に配置させるように移動機構19を制御する。また、位置制御コントローラ30は、電極対17にも電気的に接続され、電極対17の陰極17aと陽極17bとの間に所定の電位差が生じるように、陰極17aと陽極17bにそれぞれ所定の電圧を印加する。撮像制御コントローラ32は、励起光源43による励起光の照射、及び撮像装置45によるマイクロプレート20における二次元の蛍光画像の撮像を制御する。
さらに、位置制御コントローラ30及び撮像制御コントローラ32に対し、データ解析装置50が接続されている。このデータ解析装置50は、動画像取得部40によって取得された光検出画像を含む動画像データを撮像制御コントローラ32を経由して取得し、動画像データを対象にして解析処理を行う解析処理手段である。また、データ解析装置50は、位置制御コントローラ30及び撮像制御コントローラ32を介して、データ取得装置10の各部の動作を制御することによって、細胞観察装置1における試料Sに対する蛍光測定を制御する(詳細は後述する)。また、図1においては、データ解析装置50には、測定結果等を表示する表示装置61と、データの入力や蛍光測定に必要な指示の入力等に用いられる入力装置62とが接続されている。
以下、図5及び図6を参照しながら、細胞観察装置1による試料Sの光測定時の動作を説明すると共に、本実施形態にかかる細胞観察方法について詳述する。図5は、細胞観察装置1の試料Sの光測定時の動作を示すフローチャート、図6は、図5における解析領域の決定動作の詳細を示すフローチャートである。
まず、細胞の光測定の開始入力が入力装置62を介して入力されると、データ解析装置50において、処理対象の動画像データに含まれる二次元光像もしくは静止画像における解析領域が決定される(ステップS01:解析領域決定ステップ)。次に、マイクロプレートストッカー13内の試料Sが保持された測定対象のマイクロプレート20が、マイクロプレートホルダ11に載置された状態で、マイクロプレート搬送機構12によって暗箱15内の測定位置Pまで搬送される(ステップS02:載置ステップ)。そして、データ解析装置50によって移動機構19を利用して電気刺激部16の位置が制御されることにより、複数の電極対17の先端がマイクロプレート20の対応するウェル21にそれぞれ挿入される(ステップS03:位置制御ステップ)。このとき、電極対17は、陰極17aの先端がウェル21の底面に所定距離接近するまでウェル21内に挿入される。これにより、陽極17bは、その先端がウェル21の底面から所定距離(例えば、1μm〜1.0mm)ほど離れた状態で配置される。
その後、データ解析装置50によって位置制御コントローラ30が制御されることによって、電極対17に電圧が供給されてマイクロプレート20のウェル21内に電界が生じる(電気刺激の付与)。電界が発生した状態で、動画像取得部40によってウェル21内に保持された試料Sから放出された蛍光を含むマイクロプレート20の二次元光像が検出され、その二次元光像を表す動画像データがデータ解析装置50によって取得される。なお、動画像取得部40のフレームレートは電圧印加の周波数よりも高く設定されている。さらに、取得された動画像データに含まれる二次元光像を対象に、データ解析装置50により、マイクロプレートホルダ11上のマイクロプレート20の電極対17に対面する領域の一部に設定された解析領域における光強度が解析されることによって、試料Sに関する解析情報が取得されて表示装置61に出力される(ステップS04:光検出ステップ、情報解析ステップ)。試料S中の細胞には膜電位感受性蛍光色素が付与されているので、電気刺激を印加したときには、細胞のイオンチャネルに開閉に伴う膜電位の変化が蛍光の強度変化として観察される。このような解析領域における光強度の解析手法としては、解析領域における画素値の変化の振幅、変化率、ピーク周期、ピーク回数、ピーク時間、立ち上がり時間、立ち下がり時間、及びピーク変動幅等を評価値として算出する手法が考えられる。
図6に移って、図5のステップS01の解析領域決定ステップの詳細手順を説明する。最初に、マイクロプレートストッカー13内のウェル21が空の状態の参照用のマイクロプレート20が、マイクロプレートホルダ11に載置された状態で、マイクロプレート搬送機構12によって暗箱15内の測定位置Pまで搬送される(ステップS11)。次に、データ解析装置50によって電気刺激部16の位置が制御されることにより、複数の電極対17の先端がマイクロプレート20の対応するウェル21にそれぞれ挿入される(ステップS12)。図7には、この時の電気刺激部16とマイクロプレート20との位置関係を示しており、電極対17は、陰極17aの先端がウェル21の底面に所定距離接近するまでウェル21内に挿入される。これにより、陽極17bは、その先端がウェル21の底面から所定距離(例えば、1μm〜1.0mm)ほど離れた状態で配置される。
その後、励起光源43によってマイクロプレート20の底面22(図3)に照明光を照射させながら、動画像取得部40によって、複数のウェル21を含むマイクロプレート20の二次元光像が検出され、その二次元光像を表す動画像データ又は静止画像データがデータ解析装置50によって取得される(ステップS13)。この2次元光像には当然に電極対17の反射像も映し出される。さらに、取得された動画像データに含まれる二次元光像を対象に、データ解析装置50により、電極対17の陽極17b及び陰極17aの先端の位置が特定され、記憶される(ステップS14)。図8(a)には、データ解析装置50によって取得された電極対17の反射像を含む2次元光像Gの一例を示している。同図に示すように、2次元光像Gには、リング状の陰極17aの端部の反射像G11及び円形の陽極17bの反射像G12が映し出されている。データ解析装置50は、輝度差を検出することにより、円形の陽極17bの反射像G12の範囲を、陽極17bの先端をウェル21の底面上に延長した領域として特定する。
そして、データ解析装置50により、特定された反射像G12の範囲を含む領域が二次元光像における解析領域として設定され、記憶される(ステップS15)。図8(b)には、データ解析装置50によって設定される2次元光像G上の解析領域の一例を示している。同図に示すように、2次元光像Gには、円形の陽極17bの反射像G12を含むような矩形の解析領域Rが設定される。この解析領域Rの形状としては矩形には限定されず、円形、多角形等の他の形状であってもよい。このように、それぞれのウェル21に対する解析領域の位置、座標もしくは範囲を記憶することで、光測定時に同じ種類のマイクロプレートを用いる場合、マイクロプレート20をマイクロプレートホルダ11に載置するたびに解析領域を設定する必要がなく、光測定時間を短縮できる。
ただし、細胞観察装置1による解析領域の設定は、試料Sを対象にした光測定動作の途中で実行されてもよい。この場合、測定に用いるマイクロプレート毎に解析領域を設定するので、解析領域を精度よく設定できる。図9は、このような場合の細胞観察装置1による試料Sの光測定時の動作手順を示している。
この場合、まず、細胞の光測定の開始入力が入力装置62を介して入力されると、マイクロプレートストッカー13内の試料Sが保持された測定対象のマイクロプレート20が、マイクロプレートホルダ11に載置された状態で、マイクロプレート搬送機構12によって暗箱15内の測定位置Pまで搬送される(ステップS21:載置ステップ)。次に、励起光源43によってマイクロプレート20の底面22(図3)に照明光を照射させながら、動画像取得部40によって、96個のウェル21を含むマイクロプレート20の二次元光像が検出され、その二次元光像を表す動画像データがデータ解析装置50によって取得される(ステップS22)。この2次元光像には、ウェル21の反射像、場合によっては試料Sから発せられる蛍光像も映し出される。さらに、取得された動画像データに含まれる二次元光像を対象に、データ解析装置50により、ウェル21の境界の位置が特定され、その境界位置を基に解析領域が決定される(ステップS23)。図10(a)には、データ解析装置50によって取得されたウェル21の反射像を含む2次元光像Gの一例を示している。同図に示すように、2次元光像Gには、円形のウェル21の反射像G22が映し出されている。データ解析装置50は、輝度差を検出することにより円形のウェル21の反射像G22の境界を特定する。そして、図10(b)に示すように、データ解析装置50により、2次元光像Gにおいて反射像G22の境界の中心に矩形の解析領域Rが設定される。この解析領域Rとしては、反射像G22の境界内の中心点を含む所定の画素幅を有する矩形領域が設定され、解析領域Rの画素幅としては、解析領域Rが陽極17bの先端をウェル21の底面上に延長した領域を含むような十分な値に予め設定される。この解析領域Rの形状としては矩形には限定されず、円形、多角形等の他の形状であってもよい。
その後、データ解析装置50によって移動機構19を利用して電気刺激部16の位置が制御されることにより、複数の電極対17の先端がマイクロプレート20の対応するウェル21にそれぞれ挿入される(ステップS24:位置制御ステップ)。次に、データ解析装置50によって位置制御コントローラ30が制御されることによって、電極対17に電圧が供給されてマイクロプレート20のウェル21内に電界が発生する(電気刺激の付与)。電界が発生した状態で、動画像取得部40によってウェル21内に保持された試料Sから放出された蛍光を含むマイクロプレート20の二次元光像が検出され、その二次元光像を表す動画像データもしくは静止画像データがデータ解析装置50によって取得される。さらに、取得された動画像データに含まれる二次元光像を対象に、データ解析装置50により、マイクロプレートホルダ11上のマイクロプレート20の電極対17に対面する領域の一部に設定された解析領域における光強度が解析されることによって、試料Sに関する解析情報が取得されて表示装置61に出力される(ステップS25:光検出ステップ、情報解析ステップ)。
また、上述した細胞観察装置1による解析領域の設定は、マイクロプレート20の二次元光像に表れた電極対17の反射像を参照して実行されてもよい。図11及び図12は、このような場合の細胞観察装置1による試料Sの光測定時の動作手順を示している。
この場合、まず、マイクロプレートストッカー13内の試料Sが保持された測定対象のマイクロプレート20が、マイクロプレートホルダ11に載置された状態で、マイクロプレート搬送機構12によって暗箱15内の測定位置Pまで搬送される(ステップS31:載置ステップ)。そして、データ解析装置50によって移動機構19を利用して電気刺激部16の位置が制御されることにより、複数の電極対17の先端がマイクロプレート20の対応するウェル21にそれぞれ挿入される(ステップS32:位置制御ステップ)。次に、データ解析装置50において、処理対象の動画像データに含まれる二次元光像における解析領域が決定される(ステップS33:解析領域決定ステップ)。
その後、データ解析装置50によって位置制御コントローラ30が制御されることによって、電極対17に電圧が供給されてマイクロプレート20のウェル21内に電界が発生する(電気刺激の付与)。電界が生じた状態で、動画像取得部40によってウェル21内に保持された試料Sから放出された蛍光を含むマイクロプレート20の二次元光像が検出され、その二次元光像を表す動画像データがデータ解析装置50によって取得される。さらに、取得された動画像データに含まれる二次元光像を対象に、データ解析装置50により、マイクロプレートホルダ11上のマイクロプレート20の電極対17に対面する領域の一部に設定された解析領域における光強度が解析されることによって、試料Sに関する解析情報が取得されて表示装置61に出力される(ステップS34:光検出ステップ、情報解析ステップ)。
図12に移って、図11のステップS33の解析領域決定ステップの詳細手順を説明する。最初に、測定用のマイクロプレート20が測定位置Pまで搬送されて電極対17がウェル21に挿入された状態(図13)で、励起光源43によってマイクロプレート20の底面22(図3)に照明光が照射される。そして、動画像取得部40によって、少なくとも1つのウェル21を含むマイクロプレート20の二次元光像が検出され、その二次元光像を表す動画像データもしくは静止画像データがデータ解析装置50によって取得される(ステップS41)。なお、マイクロプレート20の二次元光像としては、複数のウェル21を含むことが好ましい。この場合、複数のウェルに対して一括して解析領域を設定することができる。この2次元光像には当然に電極対17の反射像も映し出される。このとき、電極対17の反射像は、陰極17aおよび陽極17bの先端から反射された光に基づいている。さらに、取得された動画像データに含まれる二次元光像を対象に、データ解析装置50により、図6のステップS14,S15と同様にして、二次元光像における解析領域が設定される(ステップS42,S43)。このとき、データ解析装置50は、電極対17の陰極17aもしくは陽極17bの先端の反射像に基づいて、解析領域を設定する。具体的には、二次元光像から、陰極17aもしくは陽極17bの先端の形状を認識し、その形状に基づいて、解析領域を設定する。
上述した細胞観察装置1による解析領域の設定方法では、陽極17bの先端をウェル21の底面上に延長した領域を含むような解析領域が設定されていたが、それ以外にも、試料Sに含まれる細胞が反応する電界強度の閾値、及び細胞がダメージを受ける電界強度の閾値に応じて、以下のように解析領域を設定してもよい。
図14(a),(b)及び図15(a),(b)には、動画像取得部40によって撮像されたウェル21の画像において設定される解析領域の範囲と、その画像に対応するウェル21内の電界強度Eの分布を示している。
図14(a)は、電極対17に印加される電位が比較的小さい場合の解析領域の設定例であり、ウェル21の反射像G41の中心に検出された陽極17bの反射像G42を覆うように円形の解析領域R41が設定される。この解析領域R41は、その範囲の電界強度が、細胞が反応する電界強度の閾値Eと細胞がダメージを受ける電界強度の閾値Eとの間の値となるように設定される。例えば、電極対17の陽極17b先端からウェル21の底面までの距離がdであり、陽極17bの反射像G42の半径がaである場合には、解析領域R41は、陽極17bに対面するウェル21上の一部の範囲として、反射像G42の中心から半径L1の円形状に設定され、この半径L1はa≦L1≦a+dの範囲の値が設定される。ただし、試料Sの細胞の反応が活発な場合には、半径L1は0<L1<aの範囲の値に設定されてもよい。
また、図14(b)は、電極対17に印加される電位を比較的大きくした場合の解析領域の設定例であり、ウェル21の反射像G41の中心に検出された陽極17bの反射像G42を覆うように解析領域R41より大きい解析領域R42が設定される。この解析領域R42は、陽極17bの先端をウェル21の底面上に延長した領域に加えその領域の外側のリング状の近傍領域も含み、その範囲の電界強度が、細胞が反応する電界強度の閾値Eと細胞がダメージを受ける電界強度の閾値Eとの間の値となるように設定される。例えば、電極対17の陽極17b先端からウェル21の底面までの距離がdであり、陽極17bの反射像G42の半径がaである場合には、解析領域R42は、反射像G42の中心から半径L2の円形状に設定され、この半径L2はa+d<L2≦a+3×dの範囲の値が設定される。
また、図15(a)は、電極対17に印加される電位をさらに大きくした場合の解析領域の設定例であり、ウェル21の反射像G41の中心に検出された陽極17bの反射像G42の外側に、リング状の解析領域R43が設定される。この解析領域R43は、陽極17bの先端をウェル21の底面上に延長した領域を除いたその領域の外側のリング状の近傍領域であり、その範囲の電界強度が、細胞が反応する電界強度の閾値Eと細胞がダメージを受ける電界強度の閾値Eとの間の値となるように設定される。すなわち、ウェル21の中心の細胞がダメージを受けた領域を除くように解析領域が設定される。例えば、電極対17の陽極17b先端からウェル21の底面までの距離がdであり、陽極17bの反射像G42の半径がaである場合には、解析領域R43は、反射像G42の中心に対応する位置を中心とした円形領域から半径L3の円形領域を除くように設定され、この半径L3は0<L3≦aの範囲の値が設定される。
また、図15(b)は、電極対17によって印加される電位の分布が非対称な場合の解析領域の設定例であり、陽極17bの反射像G42の外側に、一部が切り欠かれたリング状の解析領域R44が設定される。この解析領域R44は、その範囲の電界強度が、細胞が反応する電界強度の閾値Eと細胞がダメージを受ける電界強度の閾値Eとの間の値となるように設定される。すなわち、陽極17bの反射像G42の外側の電界強度が小さく細胞の反応が弱い部分を除いた解析領域が設定される。
以上説明した細胞観察装置1及び細胞観察装置1による細胞観察方法によれば、マイクロプレート20に複数配列されたウェル21内に陽極17bと陰極17aとを含む電極対17が配置され、この電極対17により電界が発生した状態でウェル21内の試料Sからの蛍光が動画像取得部40によって検出され、データ解析装置50によって、その検出結果に応じた二次元光像を対象にウェル21上の陽極17bに対面する領域の一部が解析領域に設定され、解析領域の光強度を基に解析情報が取得される。これにより、電気刺激によって反応が生じた細胞を含む範囲が効率的に解析され、ノイズに起因する光強度に対する細胞の反応に起因する光強度の比率を大きくすることができる。その結果、細胞を含む試料Sからの蛍光を高感度に解析することが可能となる。特に、マイクロプレート20に播種された細胞を観察対象にする場合には、ウェル21上に均一に細胞を配置させることは困難である。細胞観察装置1によれば検出領域を最適化して高感度な解析結果を得ることができる。
上記の細胞観察装置1においては、陽極17bの先端をウェル21底面上に延長した領域を含むように解析領域が設定されるので、ウェル21上において印加される電界の強度が高い領域を解析領域に設定することができる結果、試料Sからの蛍光をさらに高感度に解析することができる。
また、陽極17bの先端を延長した領域及び該領域の近傍領域を含むように解析領域を設定することにより、ウェル21上において細胞の反応が比較的弱い場合であってもウェル21上において印加される電界の強度が高い領域を広く解析領域に設定することができる結果、試料Sからの蛍光をさらに高感度に解析することができる。
また、陽極17bの先端を延長した領域を除く該領域の近傍領域を含むように解析領域を設定することにより、ウェル21上において印加電界が強すぎて細胞にダメージが生じた場合であっても、反応が生じた細胞の範囲を効率的に解析領域に設定することができる。すなわち、陽極17bの先端の延長領域においては、細胞に電極が接触したり電界が強すぎたりして細胞が反応しないためにその延長領域を解析対象から除く一方、その延長領域の近傍においては細胞が反応しやすいためにその近傍が解析領域として設定される。その結果、反応が生じた細胞を対象にノイズの少ない解析結果を得ることができる。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、データ解析装置50による解析領域の設定は、電極対17に供給する電位に応じて解析領域の大きさを変更するように、次のように実行されてもよい。すなわち、印加電位をEに設定した場合に図14(a)に示したような半径L1の解析領域R41を設定した後に、印加電圧をE=n×E(nは2以上の整数)に増加させた場合を想定する。この場合、陽極17bの反射像G42の縁とウェル21の反射像G41の縁との距離をGとすると、半径L2=a+L4となるような図14(b)に示したような解析領域R42が設定され、このときの半径の加算値L4は、印加電圧の倍率の増加に応じて増加された値L4=(1−1/n)×Gに設定される。
また、電気刺激部16の電極対17の構造は同軸形状には限定されず、様々な形状を採用できる。さらに、データ解析装置50は、この電極対17の構造に対応して解析領域を設定することができる。
上述したように、データ解析装置50は、マイクロプレートホルダ11に載置されたマイクロプレート20の二次元光像に基づいて、ウェル21に対して解析領域を設定する。このとき、データ解析装置50は、マイクロプレート20の二次元光像に含まれる対象物の反射像に基づいて解析領域を設定する構成としてもよい。この場合、対象物としては、マイクロプレート20のウェル21の内壁であっても良いし、電気刺激部16の陰極17aもしくは陽極17bであってもよく、また、それらには限定されない。これらの場合、複数のウェルに対して、解析領域を適切に設定することができる。
図16及び図17には、本実施形態の変形例にかかる電極対17の構造と、それに対応してデータ解析装置50によって設定される解析領域のイメージを示している。図16(a)〜(d)及び図17(a)〜(b)には、それぞれ、右側には電極対17のマイクロプレート20の底面に垂直な方向に沿った断面、左側には電極対17のマイクロプレート20のマイクロプレート20の底面沿った断面図をウェル21の反射像G41の内側に設定される解析領域の範囲R51〜R56と共に示している。また、反射像G41内部の点線は電極対17によって形成される電位の等電位線を示している。これらの図に示すように、電極対17は、図16(a)に示す同軸形状の他、図16(b)に示すような棒状の陽極17bと平板状の陰極17aの組み合わせの構造、図16(c)に示すような2本の棒状の陽極17bで平板状の陰極17aを挟むような構造、図16(d)に示すような2本の棒状の陽極17bで棒状の陰極17aを挟むような構造、図17(a)に示すような棒状の陽極17bと棒状の陰極17aの組み合わせの構造、及び図17(b)に示すような棒状の陽極17bとそれに対向する2本の棒状の陰極17aの組み合わせの構造を採用することができる。また、平板状の陽極と陰極を平行に配置した平行電極対の構造を採用してもよい。いずれの電極対17の構造に対して設定される解析領域の範囲R51〜R56であっても、マイクロプレート20の底面上の陽極17bの先端に対面する領域の一部であって、陽極17bの先端を延長した範囲を含み、陽極17bの先端近傍の等電位線の形状に対応した範囲に設定される。
また、上述の実施例では、マイクロプレートストッカー13内の試料Sが保持された測定対象のマイクロプレート20が、マイクロプレートホルダ11に載置された状態で、マイクロプレート搬送機構12によって暗箱15内の測定位置Pに搬送される構成としたが、マイクロプレート20を手動で暗箱15内の測定位置Pに配置する構成としてもよい。
上述した実施形態の細胞観察装置1及びそれを用いた細胞観察方法においては、試料Sとして筋肉を構成する心筋細胞(心筋を構成する細胞)や骨格筋細胞を測定対象としてもよい。心筋細胞や骨格筋細胞は、活動電位が引き金となって伸縮を行う。この際、カルシウムイオンが、細胞膜を介して細胞外から細胞内へ、又は細胞内から細胞外へ移動するため、カルシウムイオンに反応する色素で染色してその蛍光を観察することで、心筋細胞や骨格筋細胞の伸縮の様子が確認できる。通常、生体内の筋細胞は活動電位を制御するペースメーカー細胞により伸縮を行うが、iPS細胞やES細胞などの幹細胞から生まれた心筋細胞や骨格筋細胞は、ペースメーカーとなる細胞が存在しなかったり、制御がうまくできなかったりする場合がある。ただ、このような筋細胞でも、細胞観察装置1を用いて外部から電気刺激を与えることで、活動電位を制御し、細胞を伸縮させることができる。近年、心筋細胞や骨格筋細胞を用いて創薬評価を行う需要が高まっている。特に、外部からの電気刺激を行う本実施形態は、通常のペーシング(pacing)に加え、薬効が拍動数に依存する化合物の評価を可能にし、また意図的に不整脈を起こさせることもできるので、様々な化合物の評価手法として有効なものである。
ここで、筋細胞を対象にした実施例について説明する。
マイクロプレート20の96個のウェル21内に保持される試料Sとして、生後1〜4日のSDラットの心臓(心室)の心筋細胞を1ウェルあたり2×10個(cells)となるまで培養したものを用いた。このマイクロプレート20としては、ウェル21をコラーゲンIコーティングしたものを用いた。また、心筋細胞はカルシウム色素(Cal520-AM)で染色した。
位置制御ステップ(図5:S03)では、データ解析装置50により、心筋細胞が保持されたウェル21内に電極対17が配置されるように制御される。その後の光検出ステップ(図5:S04)では、データ解析装置50の制御により、電極対17に電圧が供給されてウェル21内の心筋細胞に電気刺激が付与される。詳細には、電極対17には、波高値が5Vで時間幅が5msの矩形波のパルス電圧を繰り返し周波数が1Hzで5秒間印加される。この繰り返し周波数は0.5Hz〜2Hzの範囲に設定されることが好ましい。同時に、データ解析装置50により、電極対17に電圧が印加された状態で1フレームあたり31ms、つまり、フレームレートが30フレーム/秒でマイクロプレート20の二次元光像を表す動画像データが取得される。そして、データ解析装置50により、取得された動画像データを用いて解析領域における蛍光強度が解析される。
図18及び図19には、本実施例において取得された96個の各ウェル21毎の二次元光像の解析領域における平均蛍光強度の時間変化の測定結果を示しており、図18はパルス電圧による電気刺激を行っていない場合の測定結果、図19はパルス電圧による電気刺激を行った場合の測定結果を示している。これらの測定結果においては、各ウェル21毎の測定結果を、1列〜12列及びA行〜H列の2次元で配列して示している。これらの測定結果により、パルス電圧によるペーシングを行っていない場合には、96個のウェルの中の一部のウェルにはペースメーカーとなる細胞が働いて蛍光強度の変化がみられるが、全くペースメーカーが働いていないウェルも存在することがわかる。一方、パルス電圧によるペーシングを行っている場合には、96個の全てのウェルで蛍光強度の変化が観測された。
さらに、図20には、図18及び図19の測定結果のうちのB行3列のウェルのものを抽出して示しており、(a)が電気刺激を行っていない場合、(b)が電気刺激を行った場合の結果を示している。このように、ペーシングなしの場合にはまだらなピークが観測されていたが、ペーシングを行った場合には電気刺激のタイミングT1に応じて周期的な蛍光ピークが観測され、心筋細胞のペーシング用途に上記の細胞観察装置および細胞観察方法が有効であることが確認できた。
なお、矩形波のパルス電圧を心筋細胞にランダムに印加することにより、不整脈の状態での観察にも上記の細胞観察装置および細胞観察方法は有効である。
本発明の一側面の細胞観察装置は、細胞を含む試料を保持する保持部が複数配列された試料ケースによって保持された細胞から放出された光を測定する細胞観察装置であって、試料ケースを載置するための載置部と、陽極と陰極とを含む電極対が複数配列された電気刺激部と、試料ケースの保持部内に電極対が配置されるように、電気刺激部の位置を制御する位置制御部と、試料ケースの保持部内の試料からの光を検出する光検出部と、光検出部による検出結果に応じて得られた光強度分布を対象に、保持部上の陽極に対面する領域の一部を解析領域に設定し、解析領域の光強度を解析することによって、試料に関する解析情報を取得する情報解析部と、を備える。
或いは、本発明の他の側面の細胞観察方法は、細胞を含む試料を保持する保持部が複数配列された試料ケースによって保持された細胞から放出された光を測定する細胞観察方法であって、試料ケースを載置部に載置する載置ステップと、陽極と陰極とを含む電極対が複数配列された電気刺激部に対して、試料ケースの保持部内に電極対が配置されるように、位置を制御する位置制御ステップと、試料ケースの保持部内の試料からの光を検出する光検出ステップと、光検出ステップにおける検出結果に応じて得られた光強度分布を対象に、保持部上の陽極に対面する領域の一部を解析領域に設定し、解析領域の光強度を解析することによって、試料に関する解析情報を取得する情報解析ステップと、を備える。
このような細胞観察装置、及び細胞観察方法によれば、試料ケースに複数配列された保持部内に陽極と陰極とを含む電極対が配置され、この電極対により電界が発生した状態で保持部内の試料からの光が光検出部によって検出され、情報解析部によって、その検出結果に応じた光強度分布を対象に保持部上の陽極に対面する領域の一部が解析領域に設定され、解析領域の光強度を基に解析情報が取得される。これにより、電気刺激によって反応が生じた細胞を含む範囲が効率的に解析され、ノイズに起因する光強度に対する細胞の反応に起因する光強度の比率を大きくすることができる。その結果、細胞を含む試料からの光を高感度に解析することが可能となる。
ここで、上記の細胞観察装置においては、情報解析部は、光強度分布における対象物の反射光像に基づいて、解析領域を設定する、ことが好適である。上記の細胞観察方法においては、情報解析ステップで、光強度分布における対象物の反射光像に基づいて、解析領域を設定する、ことが好適である。こうすれば、保持部上の陽極に対面する領域が容易に特定され、解析領域を効率的かつ正確に設定することができる。
また、上記対象物は、電気刺激部の陰極の先端、もしくは陽極の先端である、ことが好適である。この場合、解析領域をより正確に設定することができる。
さらに、上記対象物は、試料ケースの保持部の内壁である、ことも好適である。こうすれば、解析領域をより確実に設定することができる。
また、情報解析部は、陽極の先端を延長した領域を含むように解析領域を設定する、ことが好適である。かかる構成を採れば、保持部上において印加される電界の強度が高い領域を解析領域に設定することができる結果、試料からの光をさらに高感度に解析することができる。
また、情報解析部は、陽極の先端を延長した領域及び該領域の近傍領域を含むように解析領域を設定する、ことも好適である。かかる情報解析部を備えれば、保持部上において細胞の反応が比較的弱い場合であっても保持部上において印加される電界の強度が高い領域を広く解析領域に設定することができる結果、試料からの光をさらに高感度に解析することができる。
さらに、情報解析部は、陽極の先端を延長した領域を除く該領域の近傍領域を含むように解析領域を設定する、ことも好適である。かかる情報解析部を備えれば、保持部上において印加電界が強すぎて細胞にダメージが生じた場合であっても、反応が生じた細胞の範囲を効率的に解析領域に設定することができる。
1…細胞観察装置、11…マイクロプレートホルダ(載置部)、16…電気刺激部、17…電極対、17a…陰極、17b…陽極、20…マイクロプレート(試料ケース)、21…ウェル(保持部)、22…底面、30…位置制御コントローラ(位置制御部)、40…動画像取得部(光検出部)、50…データ解析装置(情報解析部)、S…試料。

Claims (8)

  1. 細胞を含む試料を保持するウェルが複数配列されたマイクロプレートによって保持された前記細胞から放出された光を測定する細胞観察装置であって、
    前記マイクロプレートを載置するための載置部と、
    陽極と陰極とを含む電極対が複数配列された電気刺激部と、
    前記マイクロプレートの前記ウェル内に前記電極対が配置されるように、前記電気刺激部の位置を制御する位置制御部と、
    前記マイクロプレートの前記ウェル内の前記試料からの光を検出する光検出部と、
    前記光検出部による検出結果に応じて得られた光強度分布を対象に、前記ウェルの境界の位置を特定し、前記ウェルの境界の位置を基に解析領域を設定し、前記解析領域の光強度を解析することによって、前記試料に関する解析情報を取得する情報解析部と、
    を備え
    前記情報解析部は、前記光強度分布における前記陽極あるいは前記陰極の先端の像に基づいて前記解析領域をさらに設定する、
    細胞観察装置。
  2. 前記情報解析部は、前記光強度分布における輝度差に基づいて、前記ウェルの境界の位置を特定する、
    請求項1記載の細胞観察装置。
  3. 前記情報解析部は、前記電極対に印加される電位に応じて、前記解析領域の大きさを設定する、請求項1又は2に記載の細胞観察装置。
  4. 前記位置制御部は、筋細胞を含む前記試料を保持する前記ウェル内に前記電極対が配置されるように制御し、
    前記情報解析部は、前記電極対に繰り返しパルス電圧を印加した状態での前記解析領域の光強度を解析する、
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の細胞観察装置。
  5. 細胞を含む試料を保持するウェルが複数配列されたマイクロプレートによって保持された前記細胞から放出された光を測定する細胞観察方法であって、
    前記マイクロプレートを載置部に載置する載置ステップと、
    陽極と陰極とを含む電極対が複数配列された電気刺激部に対して、前記マイクロプレートの前記ウェル内に前記電極対が配置されるように、位置を制御する位置制御ステップと、
    前記マイクロプレートの前記ウェル内の前記試料からの光を検出する光検出ステップと、
    前記光検出ステップにおける検出結果に応じて得られた光強度分布を対象に、前記ウェルの境界の位置を特定し、前記ウェルの境界の位置を基に解析領域に設定し、前記解析領域の光強度を解析することによって、前記試料に関する解析情報を取得する情報解析ステップと、
    を備え、
    前記情報解析ステップでは、前記光強度分布における前記陽極あるいは前記陰極の先端の像に基づいて前記解析領域をさらに設定する、
    細胞観察方法。
  6. 前記情報解析ステップでは、前記光強度分布における輝度差に基づいて、前記ウェルの境界の位置を特定する、
    請求項5に記載の細胞観察方法。
  7. 前記情報解析ステップでは、前記電極対に印加される電位に応じて、前記解析領域の大きさを設定する、
    請求項5又は6に記載の細胞観察方法。
  8. 前記位置制御ステップでは、筋細胞を含む前記試料を保持する前記ウェル内に前記電極対が配置されるように制御し、
    前記情報解析ステップでは、前記電極対に繰り返しパルス電圧を印加した状態での前記解析領域の光強度を解析する、
    請求項5〜7のいずれか1項に記載の細胞観察方法。
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