JP6654689B2 - 半導体装置製造用粘着性フィルムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置製造用粘着性フィルムおよび半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の小型化・軽量化を図ることができる技術として、ファンアウト型ＷＬＰ（ウエハレベルパッケージ）が開発されている。
ファンアウト型ＷＬＰの製造方法のひとつであるｅＷＬＢ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）では、支持基板に貼り付けた粘着性フィルム上に、半導体チップ等の複数の電子部品を離間させた状態で仮固定し、封止材により複数の電子部品を一括封止する手法が取られる。ここで、粘着性フィルムは、封止工程等においては電子部品および支持基板に固着させる必要があり、封止後は支持基板とともに封止された電子部品から除去する必要がある。

このようなファンアウト型ＷＬＰの製造方法に関する技術としては、例えば、特許文献１（国際公開第２０１４／１６２９５１Ａ１号パンフレット）に記載のものが挙げられる。

特許文献１には、粘着シートおよび上記粘着シート上に配置された複数の電子部品を備える電子部品仮固定体上に、樹脂シートを配置する積層工程と、上記積層工程により得られた積層体を０．０３〜３ＭＰａでプレスして、上記複数の電子部品および上記複数の電子部品を覆う上記樹脂シートを備える封止体を形成する封止工程とを含む半導体装置の製造方法が記載されている。

国際公開第２０１４／１６２９５１Ａ１号パンフレット

本発明者らの検討によれば、ファンアウト型ＷＬＰの製造方法に使用される、従来の粘着性フィルム上に電子部品を配置して封止材により電子部品を封止するときに、電子部品の封止ムラが発生してしまう場合があることが明らかになった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、粘着性フィルム上に配置された電子部品を封止材により封止するときに、電子部品の封止ムラを抑制することが可能な電子部品仮固定用粘着性フィルムを提供するものである。

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、基材層と、上記基材層の第１面側に設けられ、かつ、電子部品を仮固定するための粘着性樹脂層と、を備える粘着性フィルムにおいて、粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーという尺度が、電子部品の封止ムラを抑制するための粘着性フィルムの設計指針として有効であるという知見を得た。
そして、本発明者らは上記知見を元にさらに鋭意検討した結果、粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーを特定値以下とすることにより、電子部品の封止ムラを抑制することができることを見出して、本発明を完成させた。

本発明によれば、以下に示す半導体装置製造用粘着性フィルムおよび半導体装置の製造方法が提供される。

［１］
半導体装置の製造工程において封止材により電子部品を封止する際に上記電子部品を仮固定するために用いられる粘着性フィルムであって、
基材層と、
上記基材層の第１面側に設けられ、かつ、上記電子部品を仮固定するための粘着性樹脂層（Ａ）と、を備え、
上記粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーが３８．０ｍＮ／ｍ以下である半導体装置製造用粘着性フィルム。
［２］
上記［１］に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
上記封止材がエポキシ樹脂系封止材である半導体装置製造用粘着性フィルム。
［３］
上記［２］に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
下記の方法で測定される、１５０℃における樹脂広がり率が８％以上である半導体装置製造用粘着性フィルム。
（方法）
上記粘着性樹脂層（Ａ）の表面に直径２ｍｍ、厚み１３０μｍのエポキシ樹脂系封止材を付与する。次いで、２３℃で１分間放置後、１５０℃で５分間加熱し、上記エポキシ樹脂系封止材を硬化させる。次いで、硬化後の上記エポキシ樹脂系封止材の面積を測定する。上記エポキシ樹脂系封止材を上記粘着性樹脂層（Ａ）に付与した直後の上記エポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_０とし、硬化後の上記エポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_１としたとき、１００×（Ｘ_１−Ｘ_０）／Ｘ_０を１５０℃における樹脂広がり率とする。
［４］
上記［１］乃至［３］いずれか一つに記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
上記基材層の上記第１面とは反対側の第２面側に外部刺激により粘着力が低下する粘着性樹脂層（Ｂ）をさらに有する半導体装置製造用粘着性フィルム。
［５］
上記［４］に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層（Ｂ）は加熱により粘着力が低下する半導体装置製造用粘着性フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］いずれか一つに記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層（Ａ）は（メタ）アクリル系粘着剤を含む半導体装置製造用粘着性フィルム。
［７］
上記［１］乃至［６］いずれか一つに記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
上記電子部品は上記封止材を用いて圧縮成形により封止される半導体装置製造用粘着性フィルム。
［８］
粘着性フィルムと、上記粘着性フィルムに仮固定された電子部品と、を備える構造体を準備する工程（Ａ）と、
封止材により上記電子部品を封止する工程（Ｂ）と、
上記電子部品から上記粘着性フィルムを除去する工程（Ｃ）と、
を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、
上記粘着性フィルムとして、
上記［１］乃至［７］いずれか一つに記載の半導体装置製造用粘着性フィルムを使用する半導体装置の製造方法。
［９］
上記［８］に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｂ）では、圧縮成形により上記電子部品の封止をおこなう半導体装置の製造方法。

本発明によれば、粘着性フィルム上に配置された電子部品を封止材により封止するときに、電子部品の封止ムラを抑制することが可能な電子部品仮固定用粘着性フィルムを提供することができる。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

本発明に係る実施形態の半導体装置製造用粘着性フィルムの構造の一例を模式的に示した断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体装置製造用粘着性フィルムの構造の一例を模式的に示した断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ〜Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは」アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。

１．半導体装置製造用粘着性フィルム
以下、本実施形態に係る半導体装置製造用粘着性フィルム５０について説明する。
図１および２は、本発明に係る実施形態の半導体装置製造用粘着性フィルム５０の構造の一例を模式的に示した断面図である。図３は、本発明に係る実施形態の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置製造用粘着性フィルム５０（以下、「粘着性フィルム５０」とも示す。）は、半導体装置の製造工程において封止材６０により電子部品７０を封止する際に電子部品７０を仮固定するために用いられる粘着性フィルムであって、基材層１０と、基材層１０の第１面１０Ａ側に設けられ、かつ、電子部品７０を仮固定するための粘着性樹脂層（Ａ）と、を備える。そして、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーが３８．０ｍＮ／ｍ以下である。

上述したように、本発明者らの検討によれば、ファンアウト型ＷＬＰの製造方法に使用される、従来の粘着性フィルム上に電子部品を配置して封止材により電子部品を封止するときに、電子部品の封止ムラが発生してしまう場合があることが明らかになった。

本発明者らは、半導体装置の製造工程において封止材により電子部品を封止する際に、電子部品の封止ムラを抑制することが可能な電子部品仮固定用の粘着性フィルムを実現するために、鋭意検討を重ねた。その結果、基材層１０と、基材層１０の第１面１０Ａ側に設けられ、かつ、電子部品７０を仮固定するための粘着性樹脂層（Ａ）と、を備える粘着性フィルム５０において、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーという尺度が、電子部品の封止ムラを抑制するための設計指針として有効であるという知見を得た。
そして、本発明者らは上記知見を元にさらに鋭意検討した結果、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを３８．０ｍＮ／ｍ以下とすることにより、粘着性フィルム５０への封止材６０の親和性が良好になり、金型内の隅々まで封止材６０を充填させることができ、その結果、電子部品７０の封止ムラを抑制することができることを初めて見出した。
すなわち、本実施形態に係る半導体装置製造用粘着性フィルム５０は、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを上記上限値以下とすることで、粘着性フィルム５０上に配置された電子部品７０を封止材６０により封止するときに、電子部品７０の封止ムラを抑制することが可能となる。
また、本実施形態に係る半導体装置製造用粘着性フィルム５０は、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを上記上限値以下とすることで、粘着性フィルム５０を電子部品７０から剥離した際の電子部品７０への糊残りも抑制することができる。

本実施形態に係る粘着性フィルム５０において、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーは３８．０ｍＮ／ｍ以下であるが、好ましくは３５．０ｍＮ／ｍ以下であり、さらに好ましくは３３．０ｍＮ／ｍ以下であり、特に好ましくは３１．０ｍＮ／ｍ以下である。粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを上記上限値以下とすることにより、半導体装置の製造工程において封止材６０により電子部品７０を封止する際に、電子部品７０をより一層ムラなく封止することが可能となる。また、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを上記上限値以下とすることにより、粘着性フィルム５０を電子部品７０から剥離した際の電子部品７０への糊残りをより一層抑制することができる。
粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーの下限値は特に限定されないが、粘着性樹脂層（Ａ）表面の粘着性をより良好にする観点から、２０．０ｍＮ／ｍ以上であり、好ましくは２５．０ｍＮ／ｍ以上である。

粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーは、例えば、表面自由エネルギーの成分のうちの、極性成分と水素結合成分とを適切に制御することにより上記範囲内に制御することができる。
まず、表面自由エネルギー（γ）は、分散成分（γａ）と、極性成分（γｂ）と、水素結合成分（γｃ）との３成分からなる。つまり、上記３成分の和が表面自由エネルギー（γ）（＝γａ＋γｂ＋γｃ）となる。このことは、日本接着協会紙８（３）、１３１−１４１（１９７２）に記載されており、拡張Ｆｏｗｋｅｓ理論とも称される。
表面自由エネルギーの各成分（分散成分（γａ）、極性成分（γｂ）、水素結合成分（γｃ））は、自動接触角計により求めることができる。自動接触計としては、例えば、協和界面科学製ＣＡ-Ｖ型等がある。具体的には、接触角が既知である蒸留水、ジヨードメタン、１−ブロモナフタレンのそれぞれを、粘着性樹脂層（Ａ）の表面に滴下し、滴下１秒後に、各液滴の接触角を測定し、その測定結果から、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーの各成分を算出する。当該算出は、「奈良県工業技術センター、研究報告、Ｎｏ２６．２０００」の第１ページから第２ページに記載の方法を参照して行うことができる。

本実施形態において、例えば、（１）粘着性樹脂層（Ａ）を構成する各成分の種類や配合割合、（２）粘着性樹脂層（Ａ）を構成する粘着性樹脂における各モノマーの種類や含有割合等を適切に調節することにより、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを上記範囲内に制御することが可能である。
これらの中でも、例えば粘着性樹脂層（Ａ）中の界面活性剤の種類や配合割合、粘着性樹脂層（Ａ）中の開始剤の種類や配合割合、粘着性樹脂層（Ａ）を構成する粘着性樹脂における極性モノマーの種類や含有割合等が、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。
例えば、粘着性樹脂層（Ａ）中の界面活性剤や重合開始剤、粘着性樹脂における極性モノマーの含有割合を減らすと、粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーを低下させることができる。
ここで、粘着性樹脂における極性モノマーとしては、水酸基やカルボキシル基を有するモノマーが挙げられる。

本実施形態に係る粘着性フィルム５０において、下記の方法で測定される、１５０℃における樹脂広がり率が８％以上であることが好ましく、９％以上であることがより好ましく、１０％以上であることがさらに好ましい。
粘着性フィルム５０の樹脂広がり率を上記下限値以上とすることにより、粘着性フィルム５０への封止材６０の親和性がより良好になり、金型内の隅々まで封止材６０をより一層ムラなく充填させることができ、電子部品７０をより一層ムラなく封止することが可能となる。
（方法）
粘着性樹脂層（Ａ）の表面に直径２ｍｍ、厚み１３０μｍのエポキシ樹脂系封止材を付与する。次いで、２３℃で１分間放置後、１５０℃で５分間加熱し、エポキシ樹脂系封止材を硬化させる。次いで、硬化後のエポキシ樹脂系封止材の面積を測定する。エポキシ樹脂系封止材を粘着性樹脂層（Ａ）に付与した直後のエポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_０とし、硬化後のエポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_１としたとき、１００×（Ｘ_１−Ｘ_０）／Ｘ_０を１５０℃における樹脂広がり率とする。

ここで、上記樹脂広がり率の測定に使用されるエポキシ樹脂系封止材としては、エポキシ樹脂を主成分として含むエポキシ樹脂系封止材を用いることができ、例えば、ナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４２１２等を用いることができる。

本実施形態に係る粘着性フィルム５０全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以上５００μｍ以下である。

本実施形態に係る粘着性フィルム５０は、半導体装置の製造工程において電子部品を仮固定するためのフィルム等に用いることができ、特に、ファンアウト型ＷＬＰの製造工程において電子部品を仮固定するためのフィルムとして好適に用いることができる。

次に、本実施形態に係る半導体装置製造用粘着性フィルム５０を構成する各層について説明する。

＜基材層＞
基材層１０は、粘着性フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
基材層１０は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
上記樹脂フィルムを構成する樹脂としては、公知の熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリ（１−ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン−６、ナイロン−６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；ポリイミド；ポリエーテルイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンエーテル等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、透明性や機械的強度、価格等のバランスに優れる観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミドから選択される一種または二種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートから選択される一種または二種以上がより好ましい。

基材層１０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、基材層１０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよいが、基材層１０の機械的強度を向上させる観点から、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであることが好ましい。

基材層１０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは１μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上２５０μｍ以下である。
基材層１０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。

＜粘着性樹脂層（Ａ）＞
粘着性樹脂層（Ａ）は、基材層１０の一方の面側に設けられる層であり、半導体装置の製造工程において封止材６０により電子部品７０を封止する際に、電子部品７０の表面に接触して電子部品７０を仮固定するための層である。

粘着性樹脂層（Ａ）を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。
ここで、（メタ）アクリル系粘着剤は（メタ）アクリル系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。シリコーン系粘着剤はシリコーン系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。ウレタン系粘着剤はウレタン系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。
これらの中でも粘着力の調整を容易にする観点等から、（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。

粘着性樹脂層（Ａ）を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることもできる。放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層（Ａ）は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため、電子部品７０から粘着性フィルム５０を剥離し易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤に使用される（メタ）アクリル系粘着性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）および架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）を含む共重合体が挙げられる。
本実施形態において、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとは、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、またはこれらの混合物を意味する。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー（Ａ）および架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）を含むモノマー混合物を共重合することにより得ることができる。

（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）を形成するモノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２程度のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルである。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂において、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）の含有量は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の全モノマー単位の合計を１００質量％としたとき、１０質量％以上９８．９質量％以下であることが好ましく、８５質量％以上９５質量％以下であることがより好ましい。

架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等である。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂において、モノマー単位（Ｂ）の含有量は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の全モノマー単位の合計を１００質量％としたとき、１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上１０質量％以下であることがさらに好ましい。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、モノマー単位（Ａ）、モノマー単位（Ｂ）以外に、２官能性モノマー（Ｃ）や界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）単位をさらに含んでもよい。
重合性界面活性剤は、モノマー（Ａ）、モノマー（Ｂ）およびモノマー（Ｃ）と共重合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。

２官能性モノマー単位（Ｃ）を形成するモノマー（Ｃ）としては、メタクリル酸アリル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリル酸ビニル、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレートや、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型（例えば、日本油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ−４００）、テトラメチレングリコール型（例えば、日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ−２５０、同ＡＤＴ−８５０）およびこれらの混合型（例えば、日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ−１８００、同ＡＤＰＴ−４０００）であるもの等が挙げられる。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂において、モノマー単位（Ｃ）の含有量は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の全モノマー単位の合計を１００質量％としたとき、０．１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。

重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの（第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等）、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの（第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０、同ＨＳ−１０２５等）、および分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系（花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等）等が挙げられる。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、さらに必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモノマーにより形成されたモノマー単位をさらに含有してもよい。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂の重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。（メタ）アクリル系粘着性樹脂の製造コスト、モノマーの官能基の影響および電子部品７０表面へのイオンの影響等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。
ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、３，３，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、メチルエチルケトンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシフタレート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−ヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物；過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物；２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。

乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。電子部品７０表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物がさらに好ましく、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂に加えて、架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤をさらに含むことが好ましい。
架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂が有する官能基と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために用いる。
このような架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物；トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタン−４，４'−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン等の４官能性エポキシ系化合物；ヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、エポキシ系化合物、４官能性エポキシ系化合物、イソシアネート系化合物およびアジリジン系化合物から選択される一種または二種以上を含むことが好ましい。

架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数が（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の官能基数よりも多くならない程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。
（メタ）アクリル系粘着剤中の架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層（Ａ）の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系粘着性樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上１５質量部以下であることが好ましい。

本実施形態に係る紫外線架橋型粘着剤は、粘着性樹脂に加えて、紫外線重合開始剤をさらに含むことが好ましい。これにより紫外線照射による硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくすることができる。
紫外線重合開始剤の例には、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン系光重合開始剤；４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン等のα−ケトール化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、等のベンゾイン系光重合開始剤；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸等のベンゾフェノン系光重合開始剤等が挙げられる。
紫外線架橋型粘着剤中の紫外線重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上１０質量部以下であることが好ましく、２．５質量部以上５質量部以下であることがより好ましい。

粘着性樹脂層（Ａ）の厚さは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

粘着性樹脂層（Ａ）は、例えば、基材層１０上に粘着剤を塗布することにより形成することができる。粘着剤は溶剤に溶解して塗布液として塗布してもよいし、水系エマルジョンとして塗布してもよいし、液状の粘着剤を直に塗布してもよい。
水系エマルジョンとしては、アクリル系樹脂エマルションを好適に用いることができる。
有機溶剤に溶解した粘着剤塗布液を用いる場合、有機溶剤は特に限定されず、溶解性や乾燥時間を鑑みて公知の中から適宜選択すればよい。有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸メチルなどのエステル系；アセトン、ＭＥＫ等のケトン系；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン等の芳香族系；ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の直鎖ないし環状脂肪族系；イソプロパノール、ブタノール等のアルコール系を例示することができる。有機溶剤として酢酸エチル、トルエンが好ましい。これらの溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
また、基材層１０と粘着性樹脂層（Ａ）とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層１０とフィルム状の粘着性樹脂層（Ａ）とをラミネート（積層）して形成してもよい。

次に、本実施形態に係る粘着性フィルム５０の製造方法について説明する。

本実施形態に係る粘着性フィルム５０は、従来の製造方法とは異なるものであって、製造条件を高度に制御する必要がある。すなわち、以下の２つの条件に係る各種因子を高度に制御する製造方法によって初めて、上述した粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーが、上述した特定の条件を満たす粘着性フィルム５０を得ることができる。
（１）粘着性樹脂層（Ａ）を構成する各成分の種類や配合割合
（２）粘着性樹脂層（Ａ）を構成する粘着性樹脂における各モノマーの種類や含有割合

ただし、本実施形態における粘着性フィルム５０は、上記２つの条件に係る各種因子を高度に制御することを前提に、例えば、製造装置の温度設定等の具体的な製造条件は種々のものを採用することができる。言い換えれば、本実施形態における粘着性フィルム５０は、上記２つの条件に係る各種因子を高度に制御すること以外の点については、公知の方法を採用して作製することが可能である。以下、上記２つの条件に係る各種因子を高度に制御していることを前提に、粘着性フィルム５０の製造方法の一例を説明する。

基材層１０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層（Ａ）を形成し、粘着性フィルム５０が得られる。
また、基材層１０と粘着性樹脂層（Ａ）とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層１０とフィルム状の粘着性樹脂層（Ａ）とをラミネート（積層）して形成してもよい。

＜粘着性樹脂層（Ｂ）＞
本実施形態に係る粘着性フィルム５０において、基材層１０の第１面１０Ａとは反対側の第２面１０Ｂ側に外部刺激により粘着力が低下する粘着性樹脂層（Ｂ）をさらに有してもよい。
これにより、外部刺激を与えることで支持基板８０から粘着性フィルム５０をより容易に剥離することができる。
ここで、外部刺激により粘着力が低下する粘着性樹脂層（Ｂ）としては、例えば、加熱により粘着力が低下する加熱剥離型の粘着性樹脂層や、放射線により粘着力が低下する放射線剥離型の粘着性樹脂層等が挙げられる。これらの中でも加熱により粘着力が低下する加熱剥離型の粘着性樹脂層が好ましい。
また、加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）とは、例えば、加熱により粘着力を低減できる粘着性樹脂層をいう。
加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）としては、例えば、加熱により膨張して粘着力を低減できる加熱膨張型粘着剤により構成された粘着性樹脂層等が挙げられる。
加熱膨張型粘着剤としては、例えば、気体発生成分を含む加熱膨張型粘着剤、膨張して粘着力を低減できる熱膨張性の微小球を含む加熱膨張型粘着剤、熱により接着剤成分が架橋反応することで接着力が低下する加熱膨張型粘着剤等が挙げられる。

本実施形態において、加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）に使用される加熱膨張型粘着剤は、熱を与えることで接着力が低下または喪失する粘着剤である。例えば、１５０℃以下では剥離せず、１５０℃を超える温度で剥離する材料を選択することができ、半導体装置の製造工程中に粘着性フィルム５０が支持基板８０から剥離しない程度の接着力を有していることが好ましい。

加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）に使用される加熱膨張型粘着剤としては、気体発生成分および粘着性樹脂を含む粘着剤、熱膨張性の微小球および粘着性樹脂を含む粘着剤等が挙げられる。
加熱膨張型粘着剤に使用される気体発生成分としては、例えば、アゾ化合物、アジド化合物、メルドラム酸誘導体等を用いることができる。また、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウム、各種アジド類等の無機系発泡剤や、水；トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン系化合物；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３’−ジスルホニルヒドラジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）などのヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）などのセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ´−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ−ニトロソ系化合物等の有機系発泡剤等も用いることができる。気体発生成分は粘着性樹脂に添加されていてもよく、粘着性樹脂に直接結合されていてもよい。

加熱膨張型粘着剤に使用される熱膨張性の微小球としては、ガス化して熱膨張性を示す物質を殻形成物質内に内包させたものを用いることができる。より具体的には、マイクロカプセル化されている発泡剤を用いることができる。このような熱膨張性の微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。上記殻を構成する材料として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性の微小球は、例えば、コアセルベーション法や、界面重合法などにより製造することができる。
熱膨張性の微小球は粘着性樹脂に添加することができる。

気体発生成分および熱膨張性の微小球から選択される少なくとも一種の含有量は、加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定することができ、特に限定されないが、例えば、加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）中の粘着性樹脂１００質量部に対して、例えば１質量部以上１５０質量部以下、好ましくは１０質量部以上１３０質量部以下、さらに好ましくは２５質量部以上１００質量部以下である。
気体が発生する温度や熱膨張性の微小球が熱膨張する温度が、１５０℃を超える温度になるように設計することが好ましい。

気体が発生する温度や熱膨張性の微小球が熱膨張する温度が、１５０℃を超える温度になるように設計することが好ましい。
加熱膨張型粘着剤を構成する粘着性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、スチレン−ジエンブロック共重合体系樹脂等を挙げることができる。これらの中でも（メタ）アクリル系樹脂が好ましい。

また、本実施形態に係る粘着性フィルム５０において、外部刺激を与えることにより粘着性樹脂層（Ｂ）の粘着力を低下させて粘着性樹脂層（Ｂ）から支持基板を剥離する際に電子部品を粘着性樹脂層（Ａ）上に安定的に保持する観点から、粘着性樹脂層（Ａ）中の気体発生成分および熱膨張性の微小球から選択される少なくとも一種の含有量は、粘着性樹脂層（Ａ）の全体を１００質量％としたとき、０．１質量％以下であることが好ましく、０．０５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以下であることがさらに好ましく、粘着性樹脂層（Ａ）中に気体発生成分および熱膨張性の微小球から選択される少なくとも一種が含まれないことが特に好ましい。

粘着性樹脂層（Ｂ）の厚さは特に制限されないが、例えば、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましい。

粘着性樹脂層（Ｂ）は、例えば、基材層１０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
また、基材層１０と粘着性樹脂層（Ｂ）とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層１０とフィルム状の粘着性樹脂層（Ｂ）とをラミネート（積層）して形成してもよい。

＜その他の層＞
本実施形態に係る粘着性フィルム５０は、本実施形態の効果を損なわない範囲で、基材層１０と粘着性樹脂層（Ａ）との間あるいは基材層１０と粘着性樹脂層（Ｂ）との間に、例えば凹凸吸収層、衝撃吸収層、易接着層等がさらに設けられていてもよい。

２．半導体装置の製造方法
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の３つの工程を少なくとも備えている。
（Ａ）粘着性フィルム５０と、粘着性フィルム５０に仮固定された電子部品７０と、を備える構造体１００を準備する工程
（Ｂ）封止材６０により電子部品７０を封止する工程
（Ｃ）電子部品７０から粘着性フィルム５０を除去する工程
そして、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、電子部品７０を仮固定する粘着性フィルムとして、前述した本実施形態に係る半導体装置製造用粘着性フィルム５０を使用する。

以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程について説明する。

（工程（Ａ））
はじめに、粘着性フィルム５０と、粘着性フィルム５０に仮固定された電子部品７０と、を備える構造体１００を準備する。

このような構造体１００は、例えば、以下の手順で作製することができる。
まず、支持基板８０上に、粘着性フィルム５０を、粘着性樹脂層（Ｂ）が支持基板８０側となるように貼着する。粘着性樹脂層（Ｂ）上には保護フィルムが貼付けられていてもよく、当該保護フィルムを剥がし、粘着性樹脂層（Ｂ）の露出面を支持基板８０表面に貼着することができる。
支持基板８０としては、例えば、石英基板、ガラス基板、ＳＵＳ基板等を使用することができる。

次いで、支持基板８０上に貼着された、粘着性フィルム５０の粘着性樹脂層（Ａ）上に電子部品７０を配置することにより構造体１００を得ることができる。
電子部品７０としては、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ディスクリート、発光ダイオード、受光素子等の半導体チップや半導体パネル、半導体パッケージ等を挙げることができる。

（工程（Ｂ））
次いで、封止材６０により電子部品７０を封止する。
封止材６０により電子部品７０を覆い、例えば１５０℃以下の温度で封止材６０を硬化させて、電子部品７０を封止する。
封止材６０としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂を主成分として含むエポキシ樹脂系封止材を用いることができる。特に、粘着性フィルム５０への封止材６０の親和性がより良好になり、電子部品７０をより一層ムラなく封止することが可能となる点から、液状のエポキシ樹脂系封止材が好ましい。
このようなエポキシ樹脂系封止材としては、例えば、ナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４０００シリーズやＴ６９３／Ｒ１０００シリーズ、Ｔ６９３／Ｒ５０００シリーズ等を用いることができる。

封止方法としては、例えば、トランスファー成形、射出成形、圧縮成形、注型成形等が挙げられる。封止材６０で電子部品７０を封止後、例えば１５０℃以下の温度で加熱することによって封止材６０を硬化させ、電子部品７０が封止された構造体２００が得られる。

本実施形態に係る粘着性フィルム５０は封止材６０との親和性が良好であるため、電子部品７０を仮固定するための粘着性フィルムとして粘着性フィルム５０を使用すると、封止材６０の流動中の抵抗が下がり、金型内の隅々まで封止材６０を充填させることができる。
そのため、本実施形態に係る粘着性フィルム５０を用いることにより、封止材の充填ムラが生じ易い圧縮成形により封止する場合でも、電子部品７０を電子部品の封止ムラを抑制することが可能である。特に、圧縮成形が苦手とする角型パネル形状の隅へも封止材６０を充填させることができ、このような形状でも電子部品７０を良好に封止することが可能である。

（工程（Ｃ））
次いで、電子部品７０から粘着性フィルム５０を除去し、半導体装置３００を得る。
ここでは、まず支持基板８０を除去した後、粘着性フィルム５０を除去することが好ましい。
支持基板８０は、例えば、外部刺激を与えることにより粘着性樹脂層（Ｂ）の粘着力を低下させて粘着性樹脂層（Ｂ）から剥離する。支持基板８０は例えば、電子部品７０を封止した後、１５０℃を超える温度に加熱して、加熱剥離型の粘着性樹脂層（Ｂ）の接着力を低下させることにより、粘着性フィルム５０から容易に除去することができる。

電子部品７０から粘着性フィルム５０を除去する方法としては、例えば、機械的に剥離する方法や、粘着性フィルム５０表面の粘着力を低下させてから剥離する方法等が挙げられる。

（工程（Ｄ））
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、得られた半導体装置３００の露出面に、配線層３１０およびバンプ３２０を形成し、半導体装置４００を得る工程（Ｄ）をさらに備えてもよい。

配線層３１０は、最外面に形成された外部接続端子であるパッド（不図示）と、露出した電子部品７０と該パッドとを電気的に接続する配線（不図示）と、を備える。配線層３１０は、従来公知の方法によって形成することができ、多層構造であってもよい。

そして、配線層３１０のパッド上にバンプ３２０を形成し、半導体装置４００を得ることができる。バンプ３２０としては、はんだバンプや金バンプ等を挙げることができる。はんだバンプは、例えば、配線層３１０の外部接続端子であるパッド上にはんだボールを配置し、加熱してはんだを溶融させる（リフローする）ことにより形成することができる。金バンプは、ボールボンディング法、めっき法、Ａｕボール転写法等の方法により形成することができる。

（工程（Ｅ））
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体装置４００をダイシングし、複数の半導体装置５００を得る工程（Ｅ）をさらに備えてもよい。
半導体装置４００のダイシングは、公知の方法で行うことができる。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。

粘着性フィルムの作製に用いた材料の詳細は以下の通りである。

＜粘着性樹脂溶液１＞
脱イオンを行った純水中に、重合開始剤として４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド（大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ）を０．５質量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−ｎ−ブチルを７４．３質量部、およびメタクリル酸メチルを１３．７質量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルを９質量部、重合性界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの（第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０２５）を３質量部それぞれ投入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これをアンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分濃度４２．５％の粘着性樹脂溶液１を得た。

＜粘着性樹脂溶液２＞
脱イオンを行った純水中に、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを０．５質量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチルヘキシルを６３質量部、アクリル酸−ｎ−ブチルを２１質量部、およびメタクリル酸メチルを９質量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルを３質量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリコールジアクリレート（日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ−２５０）を１質量部、重合性界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの（第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０２５）を２質量部それぞれ投入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これをアンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分濃度５６．５％の粘着性樹脂溶液２を得た。

＜粘着性樹脂溶液３＞
脱イオンを行った純水中に、重合開始剤として４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド（大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ）を０．５質量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−ｎ−ブチルを４７質量部、およびメタクリル酸メチルを２１．５質量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルを９質量部、アクリルアミドを７．５質量部、メタクリル酸を１５質量部それぞれ投入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これをアンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分濃度４２．５％の粘着性樹脂溶液３を得た。

＜粘着性樹脂溶液４＞
酢酸エチルおよびトルエンを含む混合溶剤中に、重合開始剤としてｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（日本油脂社製、商品名：パーブチルＯ（登録商標））を０．２６６質量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−ｎ−ブチルを７２質量部、およびメタクリル酸メチルを１８質量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルを７質量部、アクリル酸を３質量部それぞれ投入し、攪拌下で８３〜８７℃において１１時間溶液重合を実施し、固形分濃度４５％のアクリル系樹脂溶液を得た。これを粘着性樹脂溶液４とした。

＜粘着剤塗布液１＞
粘着性樹脂溶液１を５７．４質量部、粘着性樹脂溶液２を４２．６質量部、ジメチルエタノールアミンを０．４質量部、架橋剤であるエポキシ系化合物（ナガセケムテックス社製、Ｅｘ−１６１０）を９．３質量部、それぞれ混合して、粘着剤塗布液１を得た。

＜粘着剤塗布液２＞
粘着性樹脂溶液１を１００質量部、粘着性樹脂溶液３を１質量部、ジメチルエタノールアミンを０．３質量部、架橋剤であるエポキシ系化合物（ナガセケムテックス社製、Ｅｘ−１６１０）を７質量部、それぞれ混合して粘着剤塗布液２を得た。

＜粘着剤塗布液３＞
粘着性樹脂溶液４を４５質量部、架橋剤である１，３−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン（三菱ガス化学社製、固形分濃度１００％、Ｔｅｔｒａｄ−Ｃ）を２質量部それぞれ混合し、酢酸エチルで固形分濃度を３０％に調整して粘着剤塗布液３を得た。

［実施例１］
基材層であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）上に、粘着剤塗布液１を塗布した後、乾燥させて、厚さ１０μｍの粘着性樹脂層を形成し、粘着性フィルムを得た。
得られた粘着性フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。

［実施例２］
粘着剤塗布液１の代わりに粘着剤塗布液２を用いた以外は実施例１と同様にして粘着性フィルムを得た。
得られた粘着性フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。

［実施例３］
粘着剤塗布液１の代わりに粘着剤塗布液３を用いた以外は実施例１と同様にして粘着性フィルムを得た。
得られた粘着性フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。

［比較例１］
一般的にファンアウト型ＷＬＰの製造方法に使用されている、市販の粘着性フィルム（商品名：リバアルファ（登録商標）、日東電工社製）について以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。

＜評価＞
（１）表面自由エネルギーの測定
実施例・比較例で得られた粘着性フィルムの粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーの各成分（分散成分（γａ）、極性成分（γｂ）、水素結合成分（γｃ））は、自動接触角計（協和界面科学製ＣＡ-Ｖ型）により求めた。具体的には、接触角が既知である蒸留水、ジヨードメタン、１−ブロモナフタレンのそれぞれを、粘着性樹脂層の表面に滴下し、滴下１秒後に、各液滴の接触角を測定し、その測定結果から、粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーの各成分を算出した。当該算出は、「奈良県工業技術センター、研究報告、Ｎｏ２６．２０００」の第１ページから第２ページに記載の方法を参照して行った。次いで、得られた分散成分（γａ）と、極性成分（γｂ）と、水素結合成分（γｃ）との和（γａ＋γｂ＋γｃ）を粘着性フィルムの粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーとした。

（２）樹脂広がり率の測定
まず、厚み１３０μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製シートに直径２ｍｍの孔をあけ、予め顕微鏡にて孔の面積を測定した。
次いで、実施例・比較例で得られた粘着性フィルムを、両面テープを用いて粘着性樹脂層面を上にしてスライドガラスに貼り付けた。
次いで、孔をあけたＰＴＦＥ製シートを上記粘着性フィルムの粘着性樹脂層の表面に置き、ＰＴＦＥ製シートの孔に液状のエポキシ樹脂系封止材（ナガセケムテックス社製、Ｔ６９３／Ｒ４２１２）を流し込み、直径２ｍｍ、厚み１３０μｍのエポキシ樹脂系封止材を粘着性樹脂層の表面に印刷した。
次いで、２３℃で１分間放置後、１２０℃または１５０℃で５分間加熱し、エポキシ樹脂系封止材を硬化させた。次いで、硬化後のエポキシ樹脂系封止材の面積を測定した。エポキシ樹脂系封止材を粘着性樹脂層に印刷した直後のエポキシ樹脂系封止材の面積（すなわち、ＰＴＦＥ製シートの孔の面積）をＸ_０とし、硬化後のエポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_１としたとき、１００×（Ｘ_１−Ｘ_０）／Ｘ_０を１２０℃または１５０℃における樹脂広がり率とした。
なお、評価は６回おこない、その平均値を樹脂広がり率とした。

（３）封止性の評価
実施例・比較例で得られた粘着性フィルムの粘着性樹脂層（３００ｍｍ×３００ｍｍ）上にシリコンチップを複数個配置した。
次いで、圧縮成形機を用いて、粘着性樹脂層上に複数個のシリコンチップを液状のエポキシ樹脂系封止材（ナガセケムテックス社製、Ｔ６９３／Ｒ４２１２）により圧縮成形で封止した。
次いで、下記の基準で封止性（封止ムラ）を評価した。
〇：目視により、フローマークやボイド等の外観不良が観察されなかった
×：目視により、フローマークやボイド等の外観不良（白濁部）が観察された

（４）糊残り
封止性の評価で得られた構造体から粘着性フィルムを除去した。次いで、下記の基準で粘着性フィルムの糊残りを評価した。
〇：目視により、シリコンチップ上に糊残りが観察されなかった
×：目視により、シリコンチップ上に糊残りが観察された

粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーが３８．０ｍＮ／ｍ以下である粘着性フィルムを用いた実施例１〜３では、フローマークやボイド等の外観不良が観察されなかった。また、実施例１〜３では、粘着性フィルム剥離後の糊残りも観察されなかった。よって、本実施形態に係る粘着性フィルム５０によれば、粘着性フィルム上に配置された電子部品を封止材により封止するときに、電子部品の封止ムラを抑制でき、さらに電子部品から粘着性フィルムを剥離する際の電子部品への糊残りも抑制できることが理解できる。
これに対し、粘着性樹脂層表面の表面自由エネルギーが３８．０ｍＮ／ｍを超える粘着性フィルムを用いた比較例１では、フローマークやボイド等の外観不良が観察された。さらに、比較例１では、粘着性フィルム剥離後の糊残りも観察された。よって、比較例１の粘着性フィルムでは、粘着性フィルム上に配置された電子部品を封止材により封止するときに電子部品の封止ムラが発生してしまったり、電子部品から粘着性フィルムを剥離する際に電子部品へ糊残りが発生しまったりすることが理解できる。

この出願は、２０１６年３月２９日に出願された日本出願特願２０１６−０６６４３９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (9)

1. 半導体装置の製造工程において封止材により電子部品を封止する際に前記電子部品を仮固定するために用いられる粘着性フィルムであって、
   基材層と、
   前記基材層の第１面側に設けられ、かつ、前記電子部品を仮固定するための粘着性樹脂層（Ａ）と、を備え、
   前記粘着性樹脂層（Ａ）表面の表面自由エネルギーが３８．０ｍＮ／ｍ以下である半導体装置製造用粘着性フィルム。
2. 請求項１に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
   前記封止材がエポキシ樹脂系封止材である半導体装置製造用粘着性フィルム。
3. 請求項２に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
   下記の方法で測定される、１５０℃における樹脂広がり率が８％以上である半導体装置製造用粘着性フィルム。
   （方法）
   前記粘着性樹脂層（Ａ）の表面に直径２ｍｍ、厚み１３０μｍのエポキシ樹脂系封止材を付与する。次いで、２３℃で１分間放置後、１５０℃で５分間加熱し、前記エポキシ樹脂系封止材を硬化させる。次いで、硬化後の前記エポキシ樹脂系封止材の面積を測定する。前記エポキシ樹脂系封止材を前記粘着性樹脂層（Ａ）に付与した直後の前記エポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_０とし、硬化後の前記エポキシ樹脂系封止材の面積をＸ_１としたとき、１００×（Ｘ_１−Ｘ_０）／Ｘ_０を１５０℃における樹脂広がり率とする。
4. 請求項１乃至３いずれか一項に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
   前記基材層の前記第１面とは反対側の第２面側に外部刺激により粘着力が低下する粘着性樹脂層（Ｂ）をさらに有する半導体装置製造用粘着性フィルム。
5. 請求項４に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
   前記粘着性樹脂層（Ｂ）は加熱により粘着力が低下する半導体装置製造用粘着性フィルム。
6. 請求項１乃至５いずれか一項に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
   前記粘着性樹脂層（Ａ）は（メタ）アクリル系粘着剤を含む半導体装置製造用粘着性フィルム。
7. 請求項１乃至６いずれか一項に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムにおいて、
   前記電子部品は前記封止材を用いて圧縮成形により封止される半導体装置製造用粘着性フィルム。
8. 粘着性フィルムと、前記粘着性フィルムに仮固定された電子部品と、を備える構造体を準備する工程（Ａ）と、
   封止材により前記電子部品を封止する工程（Ｂ）と、
   前記電子部品から前記粘着性フィルムを除去する工程（Ｃ）と、
   を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、
   前記粘着性フィルムとして、
   請求項１乃至７いずれか一項に記載の半導体装置製造用粘着性フィルムを使用する半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｂ）では、圧縮成形により前記電子部品の封止をおこなう半導体装置の製造方法。

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