JP6649073B2 - Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof - Google Patents

Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP6649073B2
JP6649073B2 JP2015245256A JP2015245256A JP6649073B2 JP 6649073 B2 JP6649073 B2 JP 6649073B2 JP 2015245256 A JP2015245256 A JP 2015245256A JP 2015245256 A JP2015245256 A JP 2015245256A JP 6649073 B2 JP6649073 B2 JP 6649073B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
eeqa
substrate processing
data
polishing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015245256A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017112212A (en
Inventor
晃一 武田
晃一 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2015245256A priority Critical patent/JP6649073B2/en
Publication of JP2017112212A publication Critical patent/JP2017112212A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6649073B2 publication Critical patent/JP6649073B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置およびその品質保証方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate and a quality assurance method thereof.

近年、装置に対する顧客の品質保証要求が厳しくなってきており、データに基づいた高度な装置品質保証(Enhanced Equipment Quality Assurance:EEQA)を実現可能な装置の納入が求められることが多くなってきている。例えば、基板処理装置においては、ターンテーブルのトルクや回転数、研磨液の流量などを装置エンジニアリングシステム(Equipment Engineering System:EES)データとして管理する必要がある。   In recent years, the quality assurance requirements of customers for equipment have become strict, and there has been an increasing demand for the delivery of equipment capable of realizing advanced equipment quality assurance (EEQA) based on data. . For example, in a substrate processing apparatus, it is necessary to manage the turntable torque, the number of revolutions, the flow rate of the polishing liquid, and the like as Equipment Engineering System (EES) data.

従来のEEQAは、EEQA用レシピを使用して試験を実施する工程、EESデータを装置から取り出す工程、EESデータを外部に送付する工程、EESデータを専用ソフトで解析する工程によって行うのが一般的であった。   Conventional EEQA is generally performed by a process of performing a test using an EEQA recipe, a process of extracting EES data from an apparatus, a process of sending EES data to the outside, and a process of analyzing the EES data with dedicated software. Met.

特開2013−176828号公報JP 2013-176828 A

従来の手法では、工数が多く、特にEESデータを装置から取り出して送付するため、作業効率が極めて悪いという問題があった。また、EESデータを工場外に持ち出すためには、セキュリティ上の申請手続が煩雑であるという問題もあった。   In the conventional method, the number of man-hours is large, and in particular, since EES data is taken out from the apparatus and sent, there is a problem that work efficiency is extremely poor. In addition, there is another problem that the security application procedure is complicated in order to take the EES data out of the factory.

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、効率よくEEQAを実現できる基板処理装置およびその品質保証方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently performing EEQA and a quality assurance method thereof.

本発明の一態様によれば、基板を処理する基板処理部と、装置品質保証運転を行いつつ、前記基板処理部の装置運転データを取得して該装置運転データに基づく異常判定を行う装置品質保証制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
このような態様によれば、装置品質保証運転を行いつつ異常判定を行う。また、基板処理装置が装置品質保証制御部を備えるため、装置運転データを外部に送付する必要はない。よって、効率よくEEQAを実現できる。
According to one aspect of the present invention, a substrate processing unit that processes a substrate, and a device quality that acquires device operation data of the substrate processing unit and performs abnormality determination based on the device operation data while performing device quality assurance operation And a guarantee processing unit.
According to such an aspect, the abnormality is determined while performing the apparatus quality assurance operation. Further, since the substrate processing apparatus includes the apparatus quality assurance control unit, there is no need to send apparatus operation data to the outside. Therefore, EEQA can be efficiently realized.

望ましくは、前記装置品質保証制御部は、前記装置運転データと、所定の基準データとに基づいて、前記異常判定を行ってもよい。
より望ましくは、前記基準データは、基準となる他の基板処理装置で取得されたデータ、当該基板処理装置自身で取得された直近のデータ、または、予め定めたデータである。
これにより、適切な異常判定を行うことができる。
Preferably, the device quality assurance control unit may perform the abnormality determination based on the device operation data and predetermined reference data.
More preferably, the reference data is data acquired by another substrate processing apparatus serving as a reference, latest data acquired by the substrate processing apparatus itself, or predetermined data.
Thereby, appropriate abnormality determination can be performed.

また、前記装置品質保証制御部は、前記異常判定として、前記装置運転データの平均値、標準偏差、立ち上がり時間、立ち下がり時間、最大値および最小値と、前記基準データに基づく基準値とを比較して異常アラームを発してもよい。   Further, the device quality assurance control unit compares the average value, the standard deviation, the rise time, the fall time, the maximum value and the minimum value of the device operation data with the reference value based on the reference data as the abnormality determination. And an abnormal alarm may be issued.

また、前記装置品質保証制御部は、異常と判定されない時の装置運転データと、取得された装置運転データと、の比が所定値を超える場合に予知アラームを発してもよい。
これにより、取得された装置運転データが通常時の装置運転データと大きく外れている場合に、故障を予知する予知アラームを発することができる。
Further, the device quality assurance control unit may issue a prediction alarm when a ratio of the device operation data when it is not determined to be abnormal to the acquired device operation data exceeds a predetermined value.
Thus, when the acquired device operation data is significantly different from the normal device operation data, a prediction alarm for predicting a failure can be issued.

前記装置品質保証運転の終了時には、前記異常判定が終了しているのが望ましい。
これにより、EEQAをより効率よく行うことができる。
At the end of the apparatus quality assurance operation, it is desirable that the abnormality determination has been completed.
Thereby, EEQA can be performed more efficiently.

また、本発明の別の態様によれば、基板を処理する基板処理部を備える基板処理装置の品質保証方法であって、装置品質保証運転を行いつつ、前記基板処理部の装置運転データを取得して該装置運転データに基づく異常判定を行う、基板処理装置の品質保証方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a quality assurance method for a substrate processing apparatus including a substrate processing unit for processing a substrate, wherein the apparatus operation data of the substrate processing unit is acquired while performing an apparatus quality assurance operation. Then, a quality assurance method for the substrate processing apparatus, which performs an abnormality determination based on the apparatus operation data, is provided.

また、本発明の別の態様によれば、基板を処理する基板処理部と、装置品質保証運転を行いつつ、前記基板処理部の装置運転データを取得し、該装置運転データに基づいて前記基板処理部の調整を行う装置品質保証制御部と、を備える基板処理装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a substrate processing unit for processing a substrate, and while performing a device quality assurance operation, obtains device operation data of the substrate processing unit, and based on the device operation data, There is provided a substrate processing apparatus including: a device quality assurance control unit that adjusts a processing unit.

このような態様によれば、装置品質保証運転を行いつつ基板処理装置の調整を行う。また、基板処理装置が装置品質保証制御部を備えるため、装置運転データを外部に送付する必要はない。よって、効率よくEEQAを実現できる。   According to such an embodiment, the substrate processing apparatus is adjusted while performing the apparatus quality assurance operation. Further, since the substrate processing apparatus includes the apparatus quality assurance control unit, there is no need to send apparatus operation data to the outside. Therefore, EEQA can be realized efficiently.

前記装置品質保証制御部は、前記基板処理部の基板処理レシピまたは前記基板処理部の装置パラメータの調整を行ってもよい。   The apparatus quality assurance control unit may adjust a substrate processing recipe of the substrate processing unit or an apparatus parameter of the substrate processing unit.

また、本発明の別の態様によれば、基板を処理する基板処理部を備える基板処理装置の品質保証方法であって、装置品質保証運転を行いつつ、前記基板処理部の装置運転データを取得し、該装置運転データに基づいて前記基板処理部の調整を行う、基板処理装置の品質保証方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a quality assurance method for a substrate processing apparatus including a substrate processing unit for processing a substrate, wherein the apparatus operation data of the substrate processing unit is acquired while performing an apparatus quality assurance operation. Further, there is provided a quality assurance method for a substrate processing apparatus, wherein the method adjusts the substrate processing unit based on the apparatus operation data.

効率よくEEQAを実現できる。   EEQA can be realized efficiently.

基板処理装置100を模式的に示すブロック図。FIG. 2 is a block diagram schematically showing the substrate processing apparatus 100. 研磨モジュール1の要部を示す側面図。FIG. 2 is a side view showing a main part of the polishing module 1. EEQAを実施するためのシステム構成の一例を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a system configuration for performing EEQA. 第1の実施形態に係るEEQAの手順を示すフローチャート。5 is a flowchart illustrating an EEQA procedure according to the first embodiment. 再現性の判定結果を示す画面の一例を示す図。The figure which shows an example of the screen which shows the determination result of reproducibility. トレンドチャートおよびヒストグラムを示す画面。Screen showing trend chart and histogram. 安定性の判定結果を示す画面の一例を示す図。The figure which shows an example of the screen which shows the determination result of stability. 過渡特性の判定結果を示す画面の一例を示す図。The figure which shows an example of the screen which shows the determination result of the transient characteristic. EESデータの時間変化を示す画面。The screen which shows the time change of EES data. 経時変化の判定結果を示す画面の一例を示す図。The figure which shows an example of the screen which shows the determination result of a temporal change. 第2の実施形態に係るEEQAの手順を示すフローチャート。9 is a flowchart illustrating an EEQA procedure according to the second embodiment.

以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、基板処理装置100を模式的に示すブロック図である。基板処理装置100は、1または複数の研磨モジュール1および洗浄モジュール2と、これらモジュール間で基板を搬送する搬送モジュール3と、EEQA制御部50(装置品質保証制御部)とを備えている。処理対象の基板は、研磨モジュール1によって研磨され、洗浄モジュール2によって洗浄および乾燥される。以下では、基板を処理するという意味で、研磨モジュール1、洗浄モジュール2および搬送モジュール3をまとめて基板処理部10とも呼ぶ。
(First Embodiment)
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 includes one or a plurality of polishing modules 1 and cleaning modules 2, a transport module 3 for transporting a substrate between these modules, and an EEQA control unit 50 (device quality assurance control unit). The substrate to be processed is polished by the polishing module 1, and is cleaned and dried by the cleaning module 2. Hereinafter, the polishing module 1, the cleaning module 2, and the transport module 3 are collectively referred to as a substrate processing unit 10 in the sense that the substrate is processed.

EEQA制御部50は基板処理部10のEESデータを取得して品質保証を行う。基板処理装置100内にEEQA制御部50を設けることで、EESデータを外部から取り出す必要はなく、基板処理装置100内で自己完結したシステムでEEQAを実現できる。   The EEQA control unit 50 obtains EES data of the substrate processing unit 10 and performs quality assurance. By providing the EEQA control unit 50 in the substrate processing apparatus 100, it is not necessary to extract the EES data from the outside, and the EEQA can be realized by a self-contained system in the substrate processing apparatus 100.

以下、主に研磨モジュール1を例にとって説明を行うため、研磨モジュール1について詳しく説明する。図2は、研磨モジュール1の要部を示す側面図である。図2に示すように、研磨モジュール1は、研磨ユニット10と、ドレッシングユニット20と、ターンテーブルユニット30と、研磨液供給ノズル40とを備える。研磨ユニット10は、研磨ヘッド11と、研磨ヘッド11に連結されたシャフト12と、シャフト12を回動可能に支持するアーム13と、アーム13を支持する支軸14とを備える。ターンテーブルユニット30は、ターンテーブル31と、研磨パッド32と、テーブル軸33とを備え、研磨パッド32は、ターンテーブル31の上部に載置される。ターンテーブル31は、テーブル軸33周りに回転可能である。   Hereinafter, the polishing module 1 will be described in detail in order to mainly describe the polishing module 1 as an example. FIG. 2 is a side view showing a main part of the polishing module 1. As shown in FIG. 2, the polishing module 1 includes a polishing unit 10, a dressing unit 20, a turntable unit 30, and a polishing liquid supply nozzle 40. The polishing unit 10 includes a polishing head 11, a shaft 12 connected to the polishing head 11, an arm 13 rotatably supporting the shaft 12, and a support shaft 14 supporting the arm 13. The turntable unit 30 includes a turntable 31, a polishing pad 32, and a table shaft 33. The polishing pad 32 is mounted on the turntable 31. The turntable 31 is rotatable around a table axis 33.

研磨ヘッド11は、基板Wを保持する。研磨ヘッド11に連結されたシャフト12は、図示しないモータに接続されている。シャフト12が回転することにより、研磨ヘッド11は、シャフト12の軸を中心に回転する。また、研磨ヘッド11は、支軸14の回転により、研磨パッド32上を移動可能である。研磨ユニット10は、研磨ヘッド11をシャフト12の軸周りに回転させながら、研磨ヘッド11が保持する基板Wを、回転するターンテーブル31上の研磨パッド32に摺接させて、基板Wを研磨する。このとき、研磨液供給ノズル40からは、研磨液が滴下される。   The polishing head 11 holds the substrate W. The shaft 12 connected to the polishing head 11 is connected to a motor (not shown). As the shaft 12 rotates, the polishing head 11 rotates about the axis of the shaft 12. The polishing head 11 is movable on the polishing pad 32 by the rotation of the support shaft 14. The polishing unit 10 polishes the substrate W by rotating the polishing head 11 about the axis of the shaft 12 and bringing the substrate W held by the polishing head 11 into sliding contact with the polishing pad 32 on the rotating turntable 31. . At this time, the polishing liquid is dropped from the polishing liquid supply nozzle 40.

ドレッシングユニット20は、ドレッサ21と、ドレッサに連結されたドレッサシャフト22と、ドレッサシャフト22を回動自在に支持するドレッサアーム23と、ドレッサアーム23を支持する支軸24とを備える。   The dressing unit 20 includes a dresser 21, a dresser shaft 22 connected to the dresser, a dresser arm 23 that rotatably supports the dresser shaft 22, and a support shaft 24 that supports the dresser arm 23.

ドレッサ21は、ダイヤモンド粒子を下側表面に固着させたダイヤモンドディスク211と、ダイヤモンドディスク211を保持するディスク保持部212とを備え、ドレッサシャフト22の下端に連結される。ドレッサシャフト22は、ドレッサアーム23の一端付近に、軸周りに回動可能に連結される。ドレッサアーム23の他端は、回動可能な支軸24に連結される。なお、ダイヤモンドディスク211は、ディスク保持部212の内部で、フレキシブルジョイント(図示しない)によりドレッサシャフト22に接続され、これによりダイヤモンドディスク211と研磨パッド32との平行度がある程度維持されるようになっている。   The dresser 21 includes a diamond disk 211 in which diamond particles are fixed to a lower surface, and a disk holding portion 212 that holds the diamond disk 211, and is connected to a lower end of the dresser shaft 22. The dresser shaft 22 is connected to one end of the dresser arm 23 so as to be rotatable around an axis. The other end of the dresser arm 23 is connected to a rotatable support shaft 24. The diamond disk 211 is connected to the dresser shaft 22 by a flexible joint (not shown) inside the disk holding portion 212, so that the parallelism between the diamond disk 211 and the polishing pad 32 is maintained to some extent. ing.

ドレッサ21に連結されたドレッサシャフト22は、図示しないモータに接続されている。ドレッサシャフト22が回転することにより、ドレッサ21はドレッサシャフト22の軸を中心に回転する。また、ドレッサ21は、支軸24の回転により、研磨パッド32上を移動可能である。ドレッシングユニット20は、ドレッサシャフト22の回転によりドレッサ21を回転させながら、また、ドレッサアーム23を研磨パッド32の半径方向に往復移動させながら、ドレッサ21を、回転するターンテーブル31上の研磨パッド32に摺接させて、ドレッシングを行う。   The dresser shaft 22 connected to the dresser 21 is connected to a motor (not shown). The rotation of the dresser shaft 22 causes the dresser 21 to rotate about the axis of the dresser shaft 22. The dresser 21 can move on the polishing pad 32 by rotating the support shaft 24. The dressing unit 20 rotates the dresser 21 by rotating the dresser shaft 22 and reciprocates the dresser arm 23 in the radial direction of the polishing pad 32, and moves the dresser 21 to the polishing pad 32 on the rotating turntable 31. And dressing is performed.

図3は、EEQAを実施するためのシステム構成の一例を示すブロック図である。イーサネット(登録商標)などを介して、ホストPC51と、複数の基板処理装置100とが同一ネットワーク上に接続されている。   FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of a system configuration for performing EEQA. The host PC 51 and the plurality of substrate processing apparatuses 100 are connected on the same network via Ethernet (registered trademark) or the like.

複数の基板処理装置100のうちの1つはゴールデンツール100aである。ゴールデンツール100aとは基準となる基板処理装置であり、ゴールデンツール100aにて実行されたレシピで問題がなかった場合に、そのレシピが他の基板処理装置100に移植される。ゴールデンツール100aには、EEQA運転(装置品質保証運転)を実行した際のEESデータ(装置運転データ)が保存されている。そして、ゴールデンツール100aとは異なる基板処理装置100のうちの1つがEEQAの実施対象基板処理装置100b(以下、単に対象基板処理装置100bという)となる。   One of the plurality of substrate processing apparatuses 100 is a golden tool 100a. The golden tool 100a is a reference substrate processing apparatus. If there is no problem in the recipe executed by the golden tool 100a, the recipe is transferred to another substrate processing apparatus 100. The golden tool 100a stores EES data (apparatus operation data) when the EEQA operation (apparatus quality assurance operation) is executed. Then, one of the substrate processing apparatuses 100 different from the golden tool 100a is a target substrate processing apparatus 100b to be subjected to EEQA (hereinafter, simply referred to as a target substrate processing apparatus 100b).

図4は、第1の実施形態に係るEEQAの手順を示すフローチャートであり、対象基板処理装置100bにおけるEESデータに異常があるか否かの異常判定を行うものである。なお、EEQA制御部50は、不図示の不揮発性記憶媒体(例えばHDD)、メモリおよびプロセッサ(例えばCPU)を備えており、本フローチャートの少なくとも一部は、不揮発性記憶媒体に記憶されたプログラムがメモリ上に展開されて、プロセッサによって実行されてもよい。   FIG. 4 is a flowchart showing the procedure of the EEQA according to the first embodiment, in which an abnormality is determined as to whether or not the EES data in the target substrate processing apparatus 100b has an abnormality. The EEQA control unit 50 includes a non-volatile storage medium (for example, an HDD), a memory, and a processor (for example, a CPU) (not shown). At least a part of the flowchart includes a program stored in the non-volatile storage medium. It may be expanded on a memory and executed by a processor.

EEQA制御部50はEESデータが異常であるか否かを判定するための基準データを取得しておく(ステップS1)。具体例として、ゴールデンツール100aのIPアドレスを指定することにより、EEQA制御部50は、ゴールデンツール100aに保存されたEESデータ、より詳しくはゴールデンツール100aでEEQA運転を実行した際に取得された最新のEESデータを基準データとして取得してもよい。これにより、生産ラインで実際に稼働している基板処理装置100aのEESデータを基準とすることができる。   The EEQA control unit 50 acquires reference data for determining whether the EES data is abnormal (step S1). As a specific example, by specifying the IP address of the golden tool 100a, the EEQA control unit 50 causes the EES data stored in the golden tool 100a, more specifically, the latest EES data obtained when the EEQA operation is performed by the golden tool 100a. May be obtained as reference data. Thus, the EES data of the substrate processing apparatus 100a actually operating on the production line can be used as a reference.

別の例として、基準データは基板処理装置100のメーカーなどが予め定めてホストPC51で管理されているデータであってもよい。また別の例として、基準データは、対象基板処理装置100bで取得された直近のEESデータであってもよい。なお、基準データは1つの値であってもよいし、幅を持った範囲であってもよい。   As another example, the reference data may be data that is determined in advance by the manufacturer of the substrate processing apparatus 100 and managed by the host PC 51. As another example, the reference data may be the latest EES data acquired by the target substrate processing apparatus 100b. The reference data may be a single value or a range having a width.

続いて、EEQA制御部50は、EEQA運転を開始するとともに、EEQA処理を開始する(ステップS2)。EEQA運転とは、所定のEEQA用レシピを適用し、複数の基板を対象基板処理装置100bに処理させることをいう。EEQA用レシピには、基板処理装置100の運転パラメータ(例えば、研磨モジュール1での処理時間、研磨ヘッド11におけるエアバック圧力やトップリングの回転数、ターンテーブル31の回転数、ドレッサ21の回転数など)や、キャリアから搬出された処理基板がどの処理モジュールで処理されてキャリアに戻るかを規定する搬送ルートなどが定められている。EEQA用レシピは、EEQA制御部50に予め設定されていてもよいし、外部(例えばホストPC51)から設定してもよい。ここでのEEQA処理とは、1枚の基板を処理するのに要する時間に基づいて定まる所定周期(例えば100ms)で、基板処理部10におけるEESデータを取得することをいう。取得されるEESデータの具体例は後述する。   Subsequently, the EEQA control unit 50 starts the EEQA operation and also starts the EEQA process (step S2). The EEQA operation refers to applying a predetermined EEQA recipe and causing the target substrate processing apparatus 100b to process a plurality of substrates. The EEQA recipe includes operating parameters of the substrate processing apparatus 100 (for example, processing time in the polishing module 1, airbag pressure in the polishing head 11, rotation number of the top ring, rotation number of the turntable 31, rotation number of the dresser 21). And the like, and a transfer route that defines which processing module processes the processing substrate unloaded from the carrier and returns to the carrier. The EEQA recipe may be set in advance in the EEQA control unit 50 or may be set from outside (for example, the host PC 51). Here, the EEQA processing refers to acquiring the EES data in the substrate processing unit 10 at a predetermined cycle (for example, 100 ms) determined based on the time required to process one substrate. A specific example of the acquired EES data will be described later.

また、EEQA運転の開始は、具体的には、キャリア内の基板にレシピを割り付けてジョブを作成することによって行われる。基板の枚数や各基板に割り付けるレシピはオペレータがジョブ作成時に選択する。   Further, the start of the EEQA operation is specifically performed by allocating a recipe to a substrate in a carrier and creating a job. The number of boards and the recipe to be assigned to each board are selected by the operator when creating a job.

そして、EEQA制御部50は、EEQA運転を行いつつ、取得されるEESデータに基づく異常判定を行う(ステップS3)。詳しくは後述するが、基板処理部10の異常判定として、EEQA制御部50は、取得されたEESデータに基づく値(EESデータの平均値など)が上記基準データに対して所定範囲を超える場合に異常アラームを発したり、取得されたEESデータが所定の関係を満たして異常が予知される場合に予知アラームを発したりする。EEQA運転が終了するまで、EEQA制御部50は異常判定を継続する(ステップS4)。   Then, the EEQA control unit 50 performs the abnormality determination based on the acquired EES data while performing the EEQA operation (Step S3). As will be described in detail later, as an abnormality determination of the substrate processing unit 10, the EEQA control unit 50 determines whether the value based on the acquired EES data (such as the average value of the EES data) exceeds a predetermined range with respect to the reference data. An abnormal alarm is issued, or a predicted alarm is issued when the acquired EES data satisfies a predetermined relationship and an abnormality is predicted. Until the EEQA operation ends, the EEQA control unit 50 continues the abnormality determination (Step S4).

このように、本実施形態では、EEQA運転中にEESデータを取得してEEQA運転終了後にEESデータの解析を行うのではなく、EEQA運転と、EESデータに基づく異常判定とを並行して行うことを1つの特徴とする。   As described above, in the present embodiment, instead of acquiring the EES data during the EEQA operation and analyzing the EES data after the end of the EEQA operation, the EEQA operation and the abnormality determination based on the EES data are performed in parallel. Is one feature.

EEQA運転が終了し、特に異常がなければ(ステップS5のYES)、EEQA制御部50はEEQA運転を終了する。EEQA運転および異常判定の結果は、例えば顧客に提出するレポート形式で、対象基板処理装置100bからダウンロード可能であるのが望ましい。   The EEQA operation ends, and if there is no particular abnormality (YES in step S5), the EEQA control unit 50 ends the EEQA operation. It is desirable that the results of the EEQA operation and the abnormality determination can be downloaded from the target substrate processing apparatus 100b, for example, in the form of a report to be submitted to the customer.

一方、EEQA運転において異常があれば(ステップS5のNO)、オペレータによって異常個所の調整が行われた上で(ステップS6)、別のモジュール(例えば、ある研磨モジュール1に異常がある場合、他の研磨モジュール1)を稼働させて、再度EEQA運転およびEEQA処理を開始する(ステップS2)。   On the other hand, if there is an abnormality in the EEQA operation (NO in step S5), the abnormal part is adjusted by the operator (step S6), and another module (for example, if there is an abnormality in a certain polishing module 1), The polishing module 1) is operated, and the EEQA operation and the EEQA processing are started again (step S2).

続いて、ステップS3の異常判定について具体例を挙げて説明する。EEQAでは、再現性、安定性、過渡特性および経時変化のうちの少なくとも1つ、望ましくは全てを保障すべく、異常判定が行われる。   Subsequently, the abnormality determination in step S3 will be described with a specific example. In the EEQA, an abnormality determination is performed to guarantee at least one, and preferably all, of reproducibility, stability, transient characteristics, and aging.

再現性の判定には、EEQA運転において対象基板処理装置100bが各基板を処理した際のEESデータの平均値が用いられる。すなわち、EEQA制御部50は、同EESデータの平均値と、EEQA用レシピで規定されている設定値との差が所定の基準値を超えている場合、異常アラームを発する。基準値は上記ステップS1で取得した基準データに基づいて定めることができ、例えばゴールデンツール100aで取得されたEESデータの平均値と、EEQA用レシピで規定されている設定値との差に基づいて定めることができる。   To determine the reproducibility, the average value of the EES data when the target substrate processing apparatus 100b processes each substrate in the EEQA operation is used. That is, the EEQA control unit 50 issues an abnormal alarm when the difference between the average value of the EES data and the set value specified in the EEQA recipe exceeds a predetermined reference value. The reference value can be determined based on the reference data obtained in step S1, for example, based on the difference between the average value of the EES data obtained by the golden tool 100a and the set value specified in the EEQA recipe. Can be determined.

図5は、再現性の判定結果を示す画面の一例を示す図である。この画面は、例えばEEQA制御部50によって不図示のディスプレイに表示される。同画面は、再現性、安定性、過渡特性および経時特性のいずれを表示するかを、オペレータが選択可能なタブXで切り替えられるようになっており、図5は再現性が選択されている。また、洗浄モジュール2、搬送モジュール3および研磨モジュール1のいずれの再現性を表示するかを、やはりオペレータが選択可能なタブYで切り替えられるようになっており、同図では研磨モジュール1が選択されている。さらに、対象基板処理装置100bが備える4つの研磨モジュールA〜Dのうちのいずれを表示するかを、やはりオペレータが選択可能なタブZで切り替えられるようになっており、同図では研磨モジュールBが選択されている。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a screen showing a determination result of reproducibility. This screen is displayed on a display (not shown) by the EEQA control unit 50, for example. On the screen, which of reproducibility, stability, transient characteristics, and temporal characteristics is displayed can be switched by a tab X that can be selected by an operator. In FIG. 5, reproducibility is selected. Also, which of the reproducibility of the cleaning module 2, the transport module 3 and the polishing module 1 is displayed can be switched by a tab Y which can be selected by the operator. ing. Further, which of the four polishing modules A to D included in the target substrate processing apparatus 100b is displayed can be switched by a tab Z that can be selected by the operator. Selected.

研磨モジュール1は、回転しながら基板を研磨するターンテーブル31や、基板を保持してターンテーブルに押し付けるトップリングなどのユニットを有する。各ユニットに対して、EESデータとなる監視内容、監視対象および監視項目が定められている。例えば、ターンテーブル31には、監視内容として回転動作、監視対象として回転モータ、監視項目としてモータトルクおよび回転数が定められている。また、図3のステップS1で取得された基準データがQA管理値として設定されている。   The polishing module 1 has a unit such as a turntable 31 for polishing a substrate while rotating, and a top ring for holding a substrate and pressing the substrate against the turntable. For each unit, monitoring contents, monitoring targets, and monitoring items that are EES data are defined. For example, in the turntable 31, a rotation operation is set as monitoring content, a rotation motor is set as a monitoring target, and a motor torque and a rotation speed are set as monitoring items. In addition, the reference data acquired in step S1 of FIG. 3 is set as a QA management value.

そして、本EEQA運転では基板ごとにSTEP1〜STEP25の処理が行われる。すなわち、ある基板についてSTEP1〜STEP25の処理が行われ、次の基板についてSTEP1〜STEP25の処理が行われる。よって、各STEPについて複数の基板が処理された結果が得られ、各基板を処理した際のEESデータがEEQA制御部50によって記録される。   Then, in this EEQA operation, the processing of STEP 1 to STEP 25 is performed for each substrate. That is, the processing of STEP 1 to STEP 25 is performed on a certain substrate, and the processing of STEP 1 to STEP 25 is performed on the next substrate. Therefore, a result of processing a plurality of substrates for each STEP is obtained, and the EEQA control unit 50 records the EES data obtained when each substrate is processed.

画面の符号31で示すセルには、STEP1で処理された全基板のEESデータ(ここではターンテーブル31の回転モータにおける回転数)の平均値が表示される。さらに、セル31を選択(例えばダブルクリック)すると、図6に示す画面が表示される。この画面は、例えば図5の画面に重畳表示される。   In the cell indicated by reference numeral 31 on the screen, the average value of the EES data (here, the number of rotations of the rotary motor of the turntable 31) of all the substrates processed in STEP 1 is displayed. Further, when the cell 31 is selected (for example, double-clicked), a screen shown in FIG. 6 is displayed. This screen is superimposed on the screen of FIG. 5, for example.

図6はトレンドチャートを含んでおり、その横軸は時間(すなわち処理された基板に対応)、縦軸はSTEP1で処理された各基板のEESデータ値である。すなわち、1つの点が1つの基板を処理した際のEESデータを表している。また、EESデータの平均値μおよびμ±3σ(σは標準偏差)が合わせて表示される。   FIG. 6 includes a trend chart, the horizontal axis of which is time (ie, corresponding to the processed substrate) and the vertical axis of which is the EES data value of each substrate processed in STEP1. That is, one point represents EES data when one substrate is processed. Also, the average value μ and μ ± 3σ (σ is the standard deviation) of the EES data are displayed together.

図6はヒストグラムも含んでおり、その横軸は頻度、縦軸はEESデータである。これにより、EESデータの分布が把握できる。   FIG. 6 also includes a histogram, in which the horizontal axis is frequency and the vertical axis is EES data. Thereby, the distribution of the EES data can be grasped.

続いて、安定性について説明する。安定性の判定には、EEQA運転において対象基板処理装置100bが各基板を処理した際のEESデータの標準偏差が用いられる。すなわち、EEQA制御部50は、同EESデータの標準偏差が所定の基準値を超えている場合、異常アラームを発する。基準値は上記ステップS1で取得した基準データに基づいて定めることができ、例えばゴールデンツール100aで取得されたEESデータの標準偏差に基づいて定めることができる。   Next, the stability will be described. To determine the stability, the standard deviation of the EES data when the target substrate processing apparatus 100b processes each substrate in the EEQA operation is used. That is, the EEQA control unit 50 issues an abnormal alarm when the standard deviation of the EES data exceeds a predetermined reference value. The reference value can be determined based on the reference data acquired in step S1, for example, based on the standard deviation of the EES data acquired by the golden tool 100a.

図7は、安定性の判定結果を示す画面の一例を示す図である。この画面はタブXにおいて安定性が選択された場合に表示される。画面の内容は、図5において各セルにEESデータの平均値が表示されていたものが、標準偏差に置き換えられたものである。やはり、セルを選択した場合に、トレンドチャートおよびヒストグラムを表示するようにしてもよい。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a screen indicating the stability determination result. This screen is displayed when stability is selected in tab X. The contents of the screen are those in which the average value of the EES data is displayed in each cell in FIG. 5 and replaced with the standard deviation. Again, when a cell is selected, a trend chart and a histogram may be displayed.

続いて、過渡特性について説明する。過渡特性の判定には、EEQA運転において対象基板処理装置が各基板を処理した際のEESデータの立ち上がり時間(および/または立ち下がり時間、以下同様)の平均値が用いられる。すなわち、EEQA制御部50は、同EESデータの立ち上がり時間の平均値が所定の基準値を超えている場合、異常アラームを発する。基準値は上記ステップS1で取得した基準データに基づいて定めることができ、例えば、ゴールデンツール100aで取得されたEESデータの立ち上がり時間に基づいて定めることができる。   Next, the transient characteristics will be described. The average value of the rise time (and / or fall time, hereinafter the same) of the EES data when the target substrate processing apparatus processes each substrate in the EEQA operation is used for the determination of the transient characteristics. That is, the EEQA control unit 50 issues an abnormal alarm when the average value of the rise time of the EES data exceeds a predetermined reference value. The reference value can be determined based on the reference data acquired in step S1, for example, based on the rise time of the EES data acquired by the golden tool 100a.

図8は、過渡特性の判定結果を示す画面の一例を示す図である。この画面はタブXにおいて過渡特性が選択された場合に表示される。画面の内容は、図5において各セルにEESデータの平均値が表示されていたものが、立ち上がり時間の平均値に置き換えられたものである。やはり、セルを選択した場合に、トレンドチャートおよびヒストグラムを表示するようにしてもよい。さらに、トレンドチャートにおける1つの点を選択(例えばダブルクリック)すると、図9に示す画面が表示されてもよい。図9は、1つの基板におけるEESデータの時間変化を示している。   FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a screen showing the determination result of the transient characteristic. This screen is displayed when the transient characteristic is selected on tab X. The contents of the screen are such that the average value of the EES data in each cell in FIG. 5 is replaced with the average value of the rise time. Again, when a cell is selected, a trend chart and a histogram may be displayed. Further, when one point in the trend chart is selected (for example, double-clicked), a screen shown in FIG. 9 may be displayed. FIG. 9 shows a time change of the EES data in one substrate.

続いて、経時変化について説明する。経時変化の判定には、EEQA運転において対象基板処理装置が各基板を処理した際のEESデータの最大値(または最小値、以下同様)が用いられる。すなわち、EEQA制御部50は、同EESデータの最大値が所定の基準値を超えている場合、異常アラームを発する。基準値は上記ステップS1で取得した基準データに基づいて定めることができ、例えばゴールデンツール100aで取得されたEESデータの最大値に基づいて定めることができる。   Next, the change with time will be described. The maximum value (or minimum value, hereinafter the same) of the EES data when the target substrate processing apparatus processes each substrate in the EEQA operation is used to determine the change with time. That is, the EEQA control unit 50 issues an abnormal alarm when the maximum value of the EES data exceeds a predetermined reference value. The reference value can be determined based on the reference data acquired in step S1, for example, based on the maximum value of the EES data acquired by the golden tool 100a.

図10は、経時変化の判定結果を示す画面の一例を示す図である。この画面はタブXにおいて経時変化が選択された場合に表示される。画面の内容は、図5において各セルにEESデータの平均値が表示されていたものが、EESデータの最大値に置き換えられたものである。やはり、セルを選択した場合、トレンドチャートおよびヒストグラムを表示するようにしてもよい。   FIG. 10 is a diagram showing an example of a screen showing the determination result of the change with time. This screen is displayed when the change with time is selected on the tab X. The contents of the screen are such that the average value of the EES data is displayed in each cell in FIG. 5 and replaced with the maximum value of the EES data. Again, when a cell is selected, a trend chart and a histogram may be displayed.

以上は、再現性、安定性、過渡特性および経時変化について、基準値と比較して異常がある場合に異常アラームを発するものであった。さらに、異常アラームに加え、EEQA制御部50は予知アラームを発してもよい。   Above, an abnormal alarm is issued when there is an abnormality in the reproducibility, stability, transient characteristics, and change with time as compared with the reference value. Further, in addition to the abnormal alarm, the EEQA control unit 50 may issue a prediction alarm.

すなわち、EEQA制御部50は、異常アラームが発生する度に最も相関の高いEESデータについて、a:異常アラーム名、b:EESデータ名、c:異常アラーム発生時のEESデータ値、d:通常(異常アラームが発生しない)時のEESデータ値を関連付けて内部のデータベースに保存しておく。そして、EEQA処理中に取得されたEESデータ値(c’)が、通常時のEESデータ値(d)から大きく外れた場合、例えばこれらの比c’/dが所定の範囲に収まっていない場合に、EEQA制御部50は予知アラームを発行する。所定の範囲は任意に設定可能である。   That is, the EEQA control unit 50 determines, for the EES data having the highest correlation every time an abnormal alarm occurs, a: abnormal alarm name, b: EES data name, c: EES data value when the abnormal alarm occurs, d: normal ( The EES data value at the time when the abnormal alarm does not occur) is stored in an internal database in association with the EES data value. When the EES data value (c ′) obtained during the EEQA process is greatly deviated from the normal EES data value (d), for example, when the ratio c ′ / d is not within a predetermined range. Then, the EEQA control unit 50 issues a prediction alarm. The predetermined range can be set arbitrarily.

以上説明した異常アラームや予知アラームを発するか否かの判定が、EEQA制御部50による異常判定(図3のステップS3)として行われる。   The determination as to whether or not the above-described abnormality alarm or the predictive alarm is issued is performed as the abnormality determination by the EEQA control unit 50 (Step S3 in FIG. 3).

このように、第1の実施形態では、EEQA運転を行いつつ、異常判定を行う。そのため、EESデータを対象基板処理装置100bの外に持ち出す必要はなく、対象基板処理装置100b内で完結したシステムを構築でき、かつ、EEQA運転の終了時には異常判定を終えることができる。また、オペレータが判定を行う必要はなく、対象基板処理装置100b内のEEQA制御部50が異常判定を自動的に行うことができる。よって、効率よくEEQAを実現できる。   As described above, in the first embodiment, the abnormality determination is performed while performing the EEQA operation. Therefore, it is not necessary to take the EES data out of the target substrate processing apparatus 100b, and a complete system can be constructed in the target substrate processing apparatus 100b, and the abnormality determination can be completed at the end of the EEQA operation. Further, the operator does not need to make a determination, and the EEQA control unit 50 in the target substrate processing apparatus 100b can automatically perform the abnormality determination. Therefore, EEQA can be realized efficiently.

なお、上述したEEQA運転は本運転とは別に行われる。EEQA運転は特定のジョブを選択して行われるが、本運転中もレシピごとにEEQA運転と同様のEESデータを取得し、故障予知などの品質保証に使用してもよい。   The EEQA operation described above is performed separately from the main operation. The EEQA operation is performed by selecting a specific job, but during the main operation, the same EES data as in the EEQA operation may be acquired for each recipe and used for quality assurance such as failure prediction.

(第2の実施形態)
上述した第1の実施形態は、EEQA運転を行いつつ異常判定を行うものであった。これに対し、次に説明する第2の実施形態は、EEQA運転を行いつつ自動調整を行うものである。
(Second embodiment)
In the first embodiment described above, the abnormality is determined while performing the EEQA operation. On the other hand, the second embodiment described below performs automatic adjustment while performing the EEQA operation.

図11は、第2の実施形態に係るEEQAの手順を示すフローチャートである。図3との相違点として、EEQA制御部50は、異常判定に代えて/加えて、基板処理部10の制御、具体的には装置パラメータや基板処理レシピの調整を行う(ステップS3’)。この調整では、EEQA制御部50はまず、取得されるEESデータと、基準データとに基づき、調整が必要か否かを判定する。この判定は、第1の実施形態における異常判定と同様に再現性、安定性、過渡特性および経時変化の観点から判定してもよい。そして、調整が必要と判定された場合、EEQA制御部50は、EESデータが基準データに近づくよう、パラメータやレシピを調整する。この調整のために、先端プロセス制御(Advanced Process Control:APC)機能を適用してもよい。   FIG. 11 is a flowchart illustrating a procedure of EEQA according to the second embodiment. The difference from FIG. 3 is that the EEQA control unit 50 controls the substrate processing unit 10, specifically, adjusts the device parameters and the substrate processing recipe instead of / in addition to the abnormality determination (step S <b> 3 ′). In this adjustment, the EEQA control unit 50 first determines whether adjustment is necessary based on the acquired EES data and the reference data. This determination may be made from the viewpoints of reproducibility, stability, transient characteristics, and aging as in the case of the abnormality determination in the first embodiment. If it is determined that the adjustment is necessary, the EEQA control unit 50 adjusts the parameters and the recipe so that the EES data approaches the reference data. For this adjustment, an advanced process control (APC) function may be applied.

例えば、図2に示すように、研磨モジュール1はドレッサ21を有し、研磨パッド32が設置されたターンテーブル31上で揺動することによってターンテーブル31をドレッシング(目立て)する。EESデータがドレッサ21のトルクであり、この経時変化が悪化してきた場合、基板処理レシピにおける揺動スピードを低下させてもよい。これにより、ドレス機能を一定に保ち、ターンテーブル31を均一にドレッシングできる。   For example, as shown in FIG. 2, the polishing module 1 has a dresser 21 and dresses (sharpens) the turntable 31 by swinging on a turntable 31 on which a polishing pad 32 is installed. If the EES data is the torque of the dresser 21 and this change over time has worsened, the swing speed in the substrate processing recipe may be reduced. Thereby, the dressing function can be kept constant and the turntable 31 can be dressed uniformly.

また、研磨モジュール1は、基板研磨時に、基板をターンテーブル31上の研磨パッド32に加圧するエアバッグを有する。EESデータがエアバッグ圧力であり、この再現性が悪い研磨モジュールがある場合、基板処理においてその研磨モジュールを使用しないようにしてもよい。逆に、エアバッグ圧力の安定性よい研磨モジュール1がある場合、その研磨モジュール1を使用するようにしてもよい。これにより、性能がよい研磨モジュール1を用いて基板を処理でき、優れた研磨特性を維持できる。   The polishing module 1 has an airbag that presses the substrate against the polishing pad 32 on the turntable 31 when polishing the substrate. If the EES data is the airbag pressure and there is a polishing module with poor reproducibility, the polishing module may not be used in substrate processing. Conversely, if there is a polishing module 1 having good airbag pressure stability, the polishing module 1 may be used. Thereby, the substrate can be processed using the polishing module 1 having good performance, and excellent polishing characteristics can be maintained.

このように、第2の実施形態では、EEQA運転を行いつつ、基板処理レシピや装置パラメータを自動調整する。そのため、第1の実施形態と同様、効率よくEEQAを実現できる。   As described above, in the second embodiment, the substrate processing recipe and the device parameters are automatically adjusted while performing the EEQA operation. Therefore, EEQA can be efficiently realized as in the first embodiment.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。   The above embodiments have been described for the purpose of enabling a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains to implement the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described, but is to be accorded the widest scope consistent with the spirit as defined by the appended claims.

1 研磨モジュール
2 洗浄モジュール
3 搬送モジュール
10 基板処理部
50 EEQA制御部
51 ホストPC
100 基板処理装置
100a ゴールデンツール
100b 対象基板処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing module 2 Cleaning module 3 Transport module 10 Substrate processing part 50 EEQA control part 51 Host PC
100 Substrate processing apparatus 100a Golden tool 100b Target substrate processing apparatus

Claims (2)

基板を研磨する研磨パッドと、前記基板を前記研磨パッドに加圧するエアバッグと、を有する研磨モジュールが複数設けられた基板研磨装置と、
開始および終了が予め定められた所定のレシピを適用して装置品質保証運転を行いつつ、前記基板研磨装置における前記エアバッグの圧力を取得し、該エアバッグの圧力に基づいて前記複数の研磨モジュールのうちのいずれを使用するかの調整を行う装置品質保証制御部と、を備える基板処理装置。
A polishing pad for polishing a substrate, and an airbag for pressing the substrate against the polishing pad, a substrate polishing apparatus provided with a plurality of polishing modules,
While performing the apparatus quality assurance operation by applying a predetermined recipe whose start and end are predetermined, the pressure of the airbag in the substrate polishing apparatus is obtained, and the plurality of polishing modules are obtained based on the pressure of the airbag. And a device quality assurance control unit for adjusting which of the two is used.
基板を研磨する研磨パッドと、前記基板を前記研磨パッドに加圧するエアバッグと、を有する研磨モジュールが複数設けられた基板研磨装置の品質保証方法であって、
開始および終了が予め定められた所定のレシピを適用して装置品質保証運転を行いつつ、前記基板研磨装置における前記エアバッグの圧力を取得し、該エアバッグの圧力に基づいて前記複数の研磨モジュールのうちのいずれを使用するかの調整を行う、基板研磨装置の品質保証方法。
A polishing pad for polishing a substrate, and an airbag for pressing the substrate against the polishing pad, a quality assurance method for a substrate polishing apparatus provided with a plurality of polishing modules having:
While performing the apparatus quality assurance operation by applying a predetermined recipe whose start and end are predetermined, the pressure of the airbag in the substrate polishing apparatus is obtained, and the plurality of polishing modules are obtained based on the pressure of the airbag. A quality assurance method for a substrate polishing apparatus, which adjusts which of the above is used.
JP2015245256A 2015-12-16 2015-12-16 Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof Active JP6649073B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015245256A JP6649073B2 (en) 2015-12-16 2015-12-16 Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015245256A JP6649073B2 (en) 2015-12-16 2015-12-16 Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017112212A JP2017112212A (en) 2017-06-22
JP6649073B2 true JP6649073B2 (en) 2020-02-19

Family

ID=59081676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015245256A Active JP6649073B2 (en) 2015-12-16 2015-12-16 Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6649073B2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7074490B2 (en) * 2018-02-08 2022-05-24 株式会社Screenホールディングス Data processing methods, data processing equipment, data processing systems, and data processing programs
JP7075771B2 (en) * 2018-02-08 2022-05-26 株式会社Screenホールディングス Data processing methods, data processing equipment, data processing systems, and data processing programs
JP7188950B2 (en) 2018-09-20 2022-12-13 株式会社Screenホールディングス Data processing method and data processing program
JP7214417B2 (en) * 2018-09-20 2023-01-30 株式会社Screenホールディングス Data processing method and data processing program
JP7181033B2 (en) * 2018-09-20 2022-11-30 株式会社Screenホールディングス DATA PROCESSING METHOD, DATA PROCESSING APPARATUS, AND DATA PROCESSING PROGRAM
JP2021144597A (en) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社荏原製作所 Alarm display device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269108A (en) * 1999-03-15 2000-09-29 Sharp Corp Management system of semiconductor manufacturing apparatus
US7175505B1 (en) * 2006-01-09 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Method for adjusting substrate processing times in a substrate polishing system
JP4658182B2 (en) * 2007-11-28 2011-03-23 株式会社荏原製作所 Polishing pad profile measurement method
JP5548460B2 (en) * 2010-01-13 2014-07-16 大日本スクリーン製造株式会社 Motion information generation device, motion check device, substrate processing system, and motion information generation program
JP5927083B2 (en) * 2012-08-28 2016-05-25 株式会社荏原製作所 Dressing process monitoring method and polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017112212A (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6649073B2 (en) Substrate processing apparatus and quality assurance method thereof
JP4799817B2 (en) Semiconductor wafer surface flattening device
US9095952B2 (en) Reflectivity measurements during polishing using a camera
KR20040064616A (en) In situ sensor based control of semiconductor processing procedure
TW201338913A (en) Remote monitoring system for polishing end point detection device
US9579767B2 (en) Automatic generation of reference spectra for optical monitoring of substrates
US11436392B2 (en) Substrate processing apparatus and storage medium having program stored therein
JP6466131B2 (en) Group spectral data from polishing substrate
WO2019060582A1 (en) Semiconductor fabrication using process control parameter matrix
US10256111B2 (en) Chemical mechanical polishing automated recipe generation
TW202007481A (en) Apparatus and methods for chemical mechanical polishing
US20040149690A1 (en) Computer integrated manufacturing control system for oxide chemical mechanical polishing
CN112247826B (en) Grinding fluid flow control method, device and equipment and readable storage medium
US9673113B2 (en) Method and system for real-time polishing recipe control
TW202218801A (en) Polishing pad conditioning device, cmp device and method thereof
JP2008284668A (en) Apparatus and method for polishing
JP2009033105A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2021106226A (en) Method for determining starting period of use of semiconductor wafer polishing cloth and semiconductor wafer polishing method using the same, and semiconductor wafer polishing system
US20070145010A1 (en) Removal rate estimating method of a chemical mechanical polishing process under mixed products or mixed layers
JP5218892B2 (en) Consumable evaluation method
US20230415302A1 (en) Window logic for control of polishing process
JP2023159949A (en) Parameter adjustment method and polishing endpoint detection system for detecting polishing endpoint
JP2005252036A (en) Method and system of chemicalmechanical polishing and manufacturing method of semiconductor device
US6461965B1 (en) Method for effecting a finishing operation on a semiconductor workpiece
TW202216360A (en) Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180705

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6649073

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250