JP6636079B2 - プローブピンガイド構造及びプローブカード - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハーに複数形成されたＩＣチップ等の電気的特性を測定する際に使用されるプローブカードに関する。

従来、半導体ウェハーに形成されたＩＣチップ等の電気的特性を測定する際に、測定機としてのテスターが用いられる。テスターは、テストプログラムに従って動作し、テスターからの信号がＩＣチップ上の電極に入力されると、ＩＣチップで所定の回路動作後に出力信号が出力され、テスターで判定される。

その際、ＩＣチップの電極と、テスターとを電気的に接続するプローブカードが用いられる。プローブカードには、垂直型プローブカードやＭＥＭＳ型プローブカード等があり、先端部がＩＣチップのそれぞれの電極パッドに押圧される複数のプローブピンがセットされている。このプローブカードは、複数のプローブピンをセットするためのプローブピンガイド構造を備えている。このような、プローブピンガイド構造の例として、例えば特許文献１のプローブカード用ガイド板が開示されている。

特開２００７−５７４４７号公報

特許文献１には、アッパーガイド板およびボトムガイド板を備えるプローブカード用ガイド板であって、アッパーガイド板およびボトムガイド板にガイド穴が設けられ、ボトムガイド板に設けられたガイド穴が１段目のガイド穴および２段目のガイド穴の２段構成となっており、１段目のガイド穴の底面に複数の２段目のガイド穴が設けられているものが開示されている。

ところが、近年のＩＣチップの微細化傾向により、ＩＣチップに配列される電極パッドの間隔が狭くなって狭ピッチ化してきており、その結果、プローブピンの幅やプローブピンの間隔も狭くなってきている。特許文献１のプローブカード用ガイド板によれば、ボトムガイド板には、プローブピンをガイドするガイド穴をプローブピン毎に設ける必要がある。

ガイド穴の加工方法として、まずガイド穴の直径より小さい直径の小穴を、ドリル或いはレーザを用いて貫通させ、その小穴の回りを切削しながら所望の直径のガイド穴を形成する方法が主流となっている。そうすると、電極パッドの配列が狭ピッチ化することにより、隣り合う穴の間が狭くなり、ガイド穴の加工の際に、隣り合う穴の間に割れ、ひび或いは、欠け等が発生する虞がある。そのため、特許文献１の様に、プローブピン毎にガイド穴を設ける構成のプローブカードでは、電極パッドの配列が狭ピッチ化すると、プローブカードの製造が困難で製造歩留が低下する虞があるという問題があった。

そこで、本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＩＣチップの電極パッドの配列が狭ピッチとなっても、プローブカードの製作が容易でプローブカードの製造歩留を向上させることが可能なプローブピンガイド構造及びそのガイド構造を備えるプローブカードを提供することにある。

請求項１の発明は、半導体ウェハーに形成されたＩＣチップの電極パッドに接触させるプローブピンをガイドするプローブピンのガイド構造であって、前記半導体ウェハーの上方に配置されて前記プローブピンをガイドするガイド部を備え、前記ガイド部は、前記半導体ウェハーの上方に対向配置されるガイド板と、前記ガイド板を貫通するスリットであり、前記プローブピンの略正方形状の断面の略一辺の幅と、長方形状の前記ＩＣチップの略長辺の長さとを有し、そのスリット方向に列設される複数の前記プローブピンが挿入されるガイドスリットと、前記ガイド板上に配置される板であり、板面が前記ガイド板に平行で、側辺が前記ガイドスリットに沿いつつ配置され、しかも前記側辺に、前記側辺と交差する溝が複数凹設されるガイド側溝板と、を含み、前記ガイド板は、その上面又は下面に設けられて前記ガイド側溝板を嵌合させる凹部を備え、前記プローブピンのそれぞれが各前記溝にガイドされつつ前記電極パッドに接触する、プローブピンガイド構造である。

請求項２の発明は、請求項１に記載のプローブピンガイド構造を備えるプローブカードである。

本発明は、半導体ウェハーに形成されたＩＣチップの電極パッドに接触させるプローブピンをガイドするプローブピンのガイド構造であって、前記半導体ウェハーの上方に配置されて前記プローブピンをガイドするガイド部を備え、前記ガイド部は、前記半導体ウェハーの上方に対向配置されるガイド板と、前記板を貫通するスリットであり、そのスリット方向に列設される複数の前記プローブピンが挿入されるガイドスリットと、前記ガイド板上に配置される板であり、板面が前記ガイド板に平行で、側辺が前記ガイドスリットに沿いつつ配置され、しかも前記側辺に、前記側辺と交差する溝が複数凹設されるガイド側溝板と、を含み、前記プローブピンのそれぞれが各前記溝にガイドされつつ前記電極パッドに接触する構成であるから、プローブカード製造の際に、半導体ウェハーの電極パッドの配列方向に沿ったガイドスリットをガイド板に設け、プローブピンの略幅の溝が、電極パッドの配列ピッチで側辺に凹設されたガイド側溝板をガイド板に貼設すれば良いので、ＩＣチップの電極パッドの配列が狭ピッチとなっても、プローブカードの製作が容易でプローブカードの製造歩留を向上させることが可能なプローブピンガイド構造を提供できる。

また、複数の前記ガイド部を備える構成であるから、例えば２つのガイド部を上下２段に配置し、プローブピンの上端側を上側のガイド部でガイドしつつ、プローブピンの下端側を下側のガイド部でガイドできるので、垂直プローブピン等の様な丈の長いプローブピンに好適なプローブピンガイド構造を提供できる。

また、前記ガイド板は、前記ガイド側溝板を嵌合させる凹部を備える構成であるから、ガイド板の凹部にガイド側溝板を嵌合させれば、ガイド板とガイド側溝板とを含めた厚さが、凹部を形成していない箇所のガイド板の厚さ程度で済むので、例えばマイクロカンチレバー等の様に丈が短いプローブピンに好適なプローブピンガイド構造を提供できる。

また、上述したプローブピンガイド構造を備えるプローブカードであるから、ＩＣチップの電極パッドの配列が狭ピッチとなっても、製作が容易で製造歩留を向上させることが可能なプローブカードを提供できる。

本発明の第１実施形態に係るプローブカードの構造を示す断面説明図である。 本発明の第１実施形態に係るプローブカードの分解斜視説明図である。 本発明の第１実施形態に係るプローブカードのガイド板を説明する要部拡大斜視説明図である。 本発明の第１実施形態に係るプローブカードのガイド板の一部を切り欠いた要部拡大斜視説明図である。 本発明の第２実施形態に係るプローブカードの構造を示す断面説明図である。 本発明の第２実施形態に係るプローブカードの要部拡大斜視説明図である。 本発明の第２実施形態に係るプローブカードの要部拡大斜視説明図である。 本発明の第２実施形態に係るプローブカードを裏面側から見た要部拡大斜視説明図である。

発明のプローブピンガイド構造は、ＩＣチップの電気的特性を測定するテスターとＩＣチップ上に形成された電極パッドとの間の信号授受に用いられるプローブカードに用いられる構造である。
上述する測定の際にプローブカードは、テスターに接続されるテストヘッド等に取り付けられて用いられ、台座等に吸着された半導体ウェハー上に配置される。プローブカードには複数のプローブピンが設けられており、プローブカードと半導体ウェハーとは、プローブピンの先端がＩＣチップ上の電極パッドの上方に位置する様に位置合わせが行われる。位置が合ったところでプローブカードがウェハー側に押下げられ或いは台座が上昇することで、プローブピンの先端と電極パッドとが接触しつつ測定が行われる。測定が終わると、例えば次に測定するＩＣチップの位置までウェハー台座がステップ移動し、これを順次繰り返すことで、半導体ウェハー上に形成された複数のＩＣチップが全数検査される。

以下、本発明の実施形態について図を用いて説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプローブカードについて図１〜図４を用いて説明する。
本実施形態のプローブカード１０は、図に示す様に、プローブピン１２と、回路基板１４と、プローブピン１２を保持するプローブピンガイド構造１６とを備える。なお、図１において、符号２０は、測定対象である半導体ウェハーを示す。半導体ウェハー２０は、図１に示す様に、水平に配置され、その裏面側が台座２１上に真空吸着された状態で配置される。本実施形態の半導体ウェハー２０には、図４に示す様に、測定対象となるＩＣチップ２３が複数パターニングされている。また、本実施形態のＩＣチップ２３は、図４に示す様に、長方形状にパターニングされており、対向する長辺近傍には、各長辺に沿って複数の電極パッド２２が所定の間隔で配列されている。

本実施形態においてプローブピン１２は、図１及び図４に示す様に、垂直型プローブピンが採用される。より詳しくは、プローブピン１２は、図１及び図４に示す様に、断面が略正方形状で直線状のピンの中間部分が半円弧状に湾曲して形成され、上端近傍及び下端近傍はそれぞれ直線状に形成される。本実施形態のプローブピン１２は、その断面が略正方形状としているが、プローブピンの断面は略正方形状に限るものではなく、円形であっても良い。

回路基板１４は、例えばガラスエポキシ系樹脂で、図２に示す様に、円板状に形成され、内部には積層回路配線（図示しない）がパターニングされている。また、回路基板１４の上面１４ａ及び底面１４ｂにも回路配線がパターニングされており、図１に示すように、底面１４ｂにはプローブピン１２の上端と電気的に接触するための接触パッド１８が設けられる。そして、回路基板１４は、上述したテストヘッドを介してテスターへと接続される。

そして、プローブピン１２は、図１及び図４に示す様に、後述するプローブピンガイド構造１６に保持され、その下端が、電極パッド２２に当接する。

次に、本実施形態のプローブピンガイド構造１６は、図１〜図４に示す様に、ガイド部としての第１ガイド部３０及び第２ガイド部３４と、スペーサ３８等を備える。なお、図３（ａ）は、ガイド板３３の上方にガイド側溝板３２を配置した様子を示し、図３（ｂ）は、第１ガイド部３０にガイド側溝板３２を取り付けた様子を示す。また、図４において、一点鎖線Ｌは、切り欠き線を示す。

まず、スペーサ３８は、図１及び図２に示す様に、例えば回路基板１４の外径と略同じ外径を有するリング状部材で形成される。そして、スペーサ３８は、図１及び図２に示す様に、例えばリング状部材の円中心と回路基板１４との円中心とが重なる態様で、回路基板１４の下方に配置され、ネジ２７等で回路基板１４に連結される。またスペーサ３８は、図１及び図２に示す様に、スペーサ３８の内周側に、スペーサ３８の上面から下がった段部であり、リング状部材の円中心を中心としたリング状の段部３８ａを含み、断面視で略Ｌ字状に形成される。この段部３８ａについては、後述する。

次に、第１ガイド部３０は、図１及び図４に示す様に、ガイド板３３と、ガイドスリット４０と、ガイド側溝板３２とを備える。
ガイド板３３は、図１及び図２に示す様に、例えば略５００μｍの厚さで、回路基板１４の直径よりある程度小さい直径のセラミック円板で形成される。
そして、ガイド板３３は、プローブカード１０が、上述したテストヘッド等に取り付けられて半導体ウェハー２０の上方に配置されると、図１及び図４に示す様に、半導体ウェハー２０と平行な状態で半導体ウェハー２０の上方に対向配置される。

次に、ガイドスリット４０は、図１〜図４に示す様に、ガイド板３３を貫通するスリットであり、プローブピン１２の断面の略正方形状の略一辺の幅と、ＩＣチップ２３の略長辺の長さのスリットで形成される。また、本実施形態のガイドスリット４０は、図４に示す様に、プローブカード１０と半導体ウェハー２０との相互の位置合わせがされた状態で、ＩＣチップ２３の長辺方向に沿って配列された電極パッド２２列と重なる位置に配置される。そして、ガイドスリット４０には、図４に示す様に、複数本のプローブピン１２、より詳しくはプローブピン１２の下側の直線状部分が挿入される。

本実施形態においては、図３及び図４に示す様に、一つのＩＣチップ２３に対して、２本のガイドスリット４０ａ，４０ｂが対応して配置されている。ガイドスリットの本数は、本実施形態の様に、１チップに対して２本に限るものではなく、ＩＣチップの各辺に沿って電極パッドが配列されている場合は、１チップの各辺に沿った４本のガイドスリットを備えていても良い。

次に、ガイド側溝板３２は、図３及び図４に示す様に、例えばガイド板３３と略同じ厚さを有する長方形状のセラミック板材で形成される。より詳しくは、ガイド側溝板３２は、ガイドスリット４０の長さの側辺３５と、上述したガイドスリット４０ａとガイドスリット４０ｂ間の長さの幅辺３７とを有する長方形状に形成される。更に、ガイド側溝板３２の側辺３５には、図１、図３及び図４に示す様に、側辺３５と交差する溝３９が複数凹設される。より詳しくは、溝３９の幅と深さは、プローブピン１２の断面の正方形状の辺と略同じ長さ、すなわちプローブピン１２の垂直な下端部分が通過可能な形状で形成され、ガイド側溝板３２の板面に直交する方向に切削形成される。

そして、ガイド側溝板３２は、図１、図３及び図４に示す様に、その板面がガイド板３３に平行で、側辺３５，３５がガイドスリット４０ａ，４０ｂにそれぞれ沿った状態で、ガイド板３３上に例えば接着剤等で貼設される。その際、各溝３９は、上述した様にプローブカード１０と半導体ウェハー２０との相互の位置合わせがされると、図４に示す様に、電極パッド２２の上方に位置する態様で配列される。
本実施形態において、ガイド側溝板３２は、ガイド板３３の上面側に取り付けられているが、下面側に取り付けられていても良い。

この様に形成される第１ガイド部３０は、図１及び図２に示す様に、ガイド板３３が、スペーサ３８の底面に例えば接着剤等で貼着されて、スペーサ３８に取り付けられる。そして、ガイド側溝板３２の各溝３９には、図１及び図４に示す様に、各プローブピン１２の下端側の直線部分が挿入され、ガイドスリット４０を通過したプローブピン１２の下端側が、第１ガイド部３０の下方に露出する。

次に、本実施形態の第２ガイド部３４について説明するが、第２ガイド部３４と第１ガイド部３０との相違点は、図１に示す様に、ガイド側溝板３２がガイド板３３の下面側に貼着されている点であり、同じ部材に同じ符号を付し、その説明を省略する。
そして、第２ガイド部３４のガイド側溝板３２の各溝３９には、図１及び図４に示す様に、各プローブピン１２の上端側の直線部分が挿入され、ガイドスリット４０を通過したプローブピン１２の上端側が、第２ガイド部３４の上方に露出し、更に各プローブピン１２の上端は、接触パッド１８に当接される。この様に、プローブピン１２がセットされた第２ガイド部３４は、図１及び図２に示す様に、スペーサ３８の段部３８ａに、ガイド板３３の周辺部分が貼設される態様で、スペーサ３８に取り付けられる。

以上の様に構成されるプローブカード１０は、テスターに接続されるテストヘッド（図示しない）等に取り付けられ、台座２１に吸着された半導体ウェハー２０上に配置される。そして、プローブカード１０と半導体ウェハー２０とは、図１及び図２に示す様に、プローブピン１２の先端がＩＣチップ２３上の電極パッド２２の上方に位置する様に位置合わせが行われる。位置が合ったところでプローブカード１０を半導体ウェハー２０側に押下げ或いは台座２１が上昇することで、プローブピン１２の先端と電極パッド２２とを接触させつつ測定が行われる。

このように、本実施形態のプローブカード１０は、半導体ウェハー２０に形成されたＩＣチップ２３の電極パッド２２に接触させるプローブピンをガイドするプローブピンのガイド構造であって、半導体ウェハー２０の上方に配置されてプローブピン１２をガイドするガイド部としての第１ガイド部３０を備え、第１ガイド部３０は、半導体ウェハー２０の上方に対向配置されるガイド板３３と、ガイド板３３を貫通するスリットであり、そのスリット方向に列設される複数のプローブピン１２が挿入されるガイドスリット４０と、ガイド板３３上に配置される板であり、板面がガイド板３３に平行で、側辺３５がガイドスリット４０に沿いつつ配置され、しかも側辺３５に、側辺３５と交差する溝３９が複数凹設されるガイド側溝板３２と、を含み、プローブピン１２のそれぞれが各溝３９にガイドされつつ電極パッド２２に接触する構成のプローブピンガイド構造１６を備える。
しかも、本実施形態のプローブカード１０は、第１ガイド部３０の上方にガイド部として第２ガイド部３４を更に備え、プローブピン１２の上端側の直線部分を第２ガイド部３４でガイドし、下端側の直線部分を第１ガイド部３０でガイドしており、複数のガイド部３０，３４を備える構成となっているのである。

次に、本発明の第２実施形態に係るプローブカード５０について図５〜図８を用いて説明する。なお、図５において、２点鎖線で示す円は、拡大箇所を示す円である。
本実施形態のプローブカード５０は、プローブピン５１と、回路基板５２と、プローブピン５１を保持するプローブピンガイド構造５３とを備える。

まず、プローブピン５１は、マイクロカンチレバー型と呼ばれるプローブピンであり、図６に示す様に、その全体が一定の厚さｔを有して形成される。より詳しくは、プローブピン５１は、図５及び図６に示す様に、略正方形状の断面を有する角棒状の頭部５４、頭部５４の下端に連続し、頭部５４の幅を一方向に拡幅させた拡幅部５５、拡幅部５５の下端から上述した拡幅方向と逆の方向に伸びる梁部５６、梁部５６の突出端から下方に突出して下端が電極パッド２２に当接する当接部５７を含む。本実施形態のプローブピン５１は、例えば電気メッキにより成膜された金属薄膜をベースに、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて外形が形成される。

次に、回路基板５２は、回路基板１４と同様にガラスエポキシ樹脂等が用いられ、回路配線（図示しない）がパターニングされている。回路基板５２は、図５に示すように、例えば上側円板５２ａの下面の中央部に、上側円板５２ａの直径より小さい直径の下側円板５２ｂを同心円状に配置した形状で形成される。そして、回路基板５２の底面５２ｃには、図５に示す様に、プローブピン５１の上端と電気的に接触するための接触パッド１８が設けられる。

本実施形態のプローブピンガイド構造５３は、図５〜図８に示す様に、ガイド部としての第３ガイド部５８と、スペーサ５９等を備える。

次に、第３ガイド部５８は、図５〜図８に示す様に、ガイド板６０と、ガイドスリット６３と、ガイド側溝板６１とを備える。なお、図６は、図５の要部を拡大した要部拡大斜視図である。図７（ａ）は、ガイド側溝板６１とプローブピン５１との関係を説明する要部拡大斜視説明図であり、図７（ｂ）は、ガイドスリット４０、ガイド側溝板６１及びプローブピン５１の関係を説明する要部拡大斜視説明図である。図８（ａ）は、説明の便宜上、ガイド側溝板６１を取り除いた状態で第３ガイド部５８の裏面から視た要部拡大斜視説明図である。図８（ｂ）は、第３ガイド部５８の裏面から視た要部拡大斜視説明図である。

本実施形態のガイド板６０と第１実施形態のガイド板３３との相違点は、後述するガイド側溝板６１を嵌合させる凹部６２を備える点である。
本実施形態の凹部６２は、図５、図６及び図８に示す様に、ガイド板６０の厚さの略２分の１の深さで平面視矩形状に形成される。より詳しくは、前記矩形状は、図６〜図８に示す様に、ＩＣチップ２３の長辺方向の電極パッド２２列の長さの長辺と、ＩＣチップ２３の対向する電極パッド２２列間の長さの短辺を有する。言い換えると、前記矩形状は、ＩＣチップ２３の矩形状と略相似形で、対向する電極パッド２２列で略挟まれる大きさの矩形状に形成される。本実施形態において、凹部６２は、ガイド板６０の下面側に形成されるが、凹部は、裏面側に替えて上面側に設けられていてもよい。

次に、本実施形態のガイドスリット６３は、ガイド板６０を貫通するスリットであり、第１実施形態のガイドスリット４０と同様な長さと、プローブピン５１の頭部５４の略正方形状の断面の略一辺の幅を有して形成される。本実施形態のガイドスリット６３は、図５〜図８に示す様に、凹部６２の長辺に沿って設けられ、１つのＩＣチップ２３に対して、図８に示す様に、２本のガイドスリット６３ａ，６３ｂが対応して設けられる。

次に、本実施形態のガイド側溝板６１は、凹部６２に嵌合可能な長方形状のセラミック板材で形成される。上述した凹部の長辺に対応するガイド側溝板６１の側辺６４には、図６〜図８に示す様に、側辺６４と交差する溝６５が複数列設される。この点は、第１実施形態のガイド側溝板３２と同様である。より詳しくは、溝６５の幅は、プローブピン５１の頭部５４の厚さと略同じで、溝６５の深さは、頭部５４の幅と略同じに形成される。この様に、溝６５の形状は、プローブピン５１の垂直な頭部５４が通過可能な形状で形成される。

そして、ガイド側溝板６１は、図６及び図８に示す様に、ガイド板６０の凹部６２に嵌合され、例えば接着剤で取り付けられる。その際、溝６５列は、図６、図７（ｂ）及び図８（ｂ）に示す様に、ガイド側溝板６１の側辺６４に列設されるため、溝６５列が、ガイドスリット６３に沿って並んだ状態で取り付けられる。
この溝６５には、図５〜図８に示す様に、プローブピン５１の頭部５４がそれぞれ挿入され、例えば接着剤等で保持される。

次に、本実施形態のスペーサ５９は、図５に示す様に、上述した回路基板５２の下側円板５２ｂの外周と略同じ内径で、下側円板５２ｂの厚さよりやや厚いリング状の板材で形成される。このスペーサ５９は、図５に示す様に、その内周部分に下側円板５２ｂを嵌合させた状態で、ネジ２７等で上側円板５２ａに連結される。
そして、第３ガイド部５８は、図５に示す様に、ガイド板６０が、スペーサ５９の下面に、例えば接着剤等でスペーサ５９に貼設される。

この様に、プローブピン５１がプローブピンガイド構造５３で保持されると、図５に示す様に、その頭部５４の先端部近傍は、ガイド板６０の上面より露出する態様でプローブピンガイド構造５３に保持され、その先端部は、接触パッド１８に当接する。また、梁部５６は、図５及び図６に示す様に、その一端側が片持ちされた状態となり、当接部５７が電極パッド２２に当接する。

上述した様に、従来のプローブピン毎に微細な孔をガイド板に開ける方法では、電極パッドの間隔が狭ピッチ化するにつれて、ガイド板の孔と孔の間にヒビやカケが発生しやすくなり製造歩留が低下する虞がある。この問題を防止するために、ガイド板の板厚を厚くして強度を向上させることが考えられる。しかし、従来のドリルやレーザによる開孔の方法では、孔の深さが深くなるにつれ、孔の径が小さくなり、断面がテーパー状になる。したがって、板厚を厚くするとテーパーの長さが長くなり、隣り合う孔の基端部どうしが連設するという虞がある。

この点、本実施形態の プローブピンガイド構造１６，５３によれば、側溝板として板厚が厚い板材を用いても、例えば溝幅と同じ厚さの円板状の切削刃を回転させながら板の側辺に溝を設けて側溝板とし、ガイド板に空けたスリットにこの側溝板の側辺を沿う態様で配置すれば良いので、ガイド板や側溝板にヒビやカケが発生し難く、プローブカードの製造歩留を向上させることが可能なプローブピンガイド構造を提供できる。

これまで説明して来た様に、プローブピンガイド構造１６，５３によれば、ＩＣチップの電極パッドの配列が狭ピッチとなっても、プローブカードの製作が容易でプローブカードの製造歩留を向上させることが可能なプローブピンガイド構造及びそのガイド構造を備えるプローブカードを提供できる。

以上、本発明の実施形態のうちいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらはあくまでも例示であり、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。

１０，５０ プローブカード
１２，５１ プローブピン
２０ 半導体ウェハー
２２ 電極パッド
２３ ＩＣチップ
３０，３４，５８ ガイド部
３３，６０ ガイド板
３２，６１ ガイド側溝板
３５，６４ 側辺
３９，６５ 溝
４０，６３ ガイドスリット

Claims (2)

1. 半導体ウェハーに形成されたＩＣチップの電極パッドに接触させるプローブピンをガイドするプローブピンのガイド構造であって、
   前記半導体ウェハーの上方に配置されて前記プローブピンをガイドするガイド部を備え、
   前記ガイド部は、
   前記半導体ウェハーの上方に対向配置されるガイド板と、
   前記ガイド板を貫通するスリットであり、前記プローブピンの略正方形状の断面の略一辺の幅と、長方形状の前記ＩＣチップの略長辺の長さとを有し、そのスリット方向に列設される複数の前記プローブピンが挿入されるガイドスリットと、
   前記ガイド板上に配置される板であり、板面が前記ガイド板に平行で、側辺が前記ガイドスリットに沿いつつ配置され、しかも前記側辺に、前記側辺と交差する溝が複数凹設されるガイド側溝板と、を含み、
   前記ガイド板は、その上面又は下面に設けられて前記ガイド側溝板を嵌合させる凹部を備え、
   前記プローブピンのそれぞれが各前記溝にガイドされつつ前記電極パッドに接触することを特徴とするプローブピンガイド構造。
2. 請求項１に記載のプローブピンガイド構造を備えるプローブカード。
   

Images