JP6634795B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
近年、電子機器の小型、軽量化、及び高機能化の要求が高まっている。これらの要求に応じて電子機器を構成する半導体装置についても、小型化、薄型化、及び高密度実装化が求められている。 In recent years, there has been an increasing demand for smaller, lighter, and more sophisticated electronic devices. In response to these demands, semiconductor devices constituting electronic devices are also required to be smaller, thinner, and more densely mounted.
このような半導体装置の製造には、基板又は仮止め材等に固定された半導体チップを封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位の半導体装置となるようにダイシングする手順が採用されている。このような過程の中で、上記要求に応えるべく、封止樹脂で封止後に封止体を研削して薄型化を図る技術が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2等を参照)。フリップチップBGA(Ball Grid Array)、フリップチップSiP(System in Package)、ファンイン型ウェハレベルパッケージ、及びファンアウト型ウェハレベルパッケージ等の薄型半導体装置の製造においては、研削による薄型化に加えて、薄厚半導体チップを適用することも重要な要素となる。
In the manufacture of such a semiconductor device, a semiconductor chip fixed to a substrate or a temporary fixing material is sealed with a sealing resin, and if necessary, the sealed object is turned into a semiconductor device for each electronic component. A dicing procedure is employed. In such a process, in order to meet the above demand, a technique for grinding a sealing body after sealing with a sealing resin to reduce the thickness has been proposed (for example,
ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型かつ高密度の半導体装置の製造工程においては、まず、支持体上に形成した仮止め材層の上に、複数の薄厚の半導体チップを仮固定後、当該半導体チップを封止材で埋め込む。その後、封止材を研削することによって露出した半導体チップ表面に再配線を形成し、次いで半導体チップから仮止め材層付き支持体を剥離する工程が提案されている。 In a manufacturing process of a thin and high-density semiconductor device such as a fan-out type wafer level package, first, a plurality of thin semiconductor chips are temporarily fixed on a temporary fixing material layer formed on a support, and The semiconductor chip is embedded with a sealing material. Thereafter, a process has been proposed in which a rewiring is formed on the exposed semiconductor chip surface by grinding the sealing material, and then the support with the temporary fixing material layer is separated from the semiconductor chip.
上記工程においては、薄厚の半導体チップを低ストレスで仮固定できる仮止め剤が求められている。 In the above process, a temporary fixing agent capable of temporarily fixing a thin semiconductor chip with low stress is required.
本発明の目的は、上記課題を解決する一手段として、ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型かつ高密度の半導体装置を低ストレスで製造できる半導体装置の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a thin and high-density semiconductor device such as a fan-out type wafer level package with low stress as one means for solving the above problem.
本発明者らは、鋭意検討した結果、薄型かつ高密度の半導体装置の製造方法において、放射エネルギー照射によって支持体の軽剥離化が可能な仮固定用シートを適用することにより、上記半導体装置を低ストレスで製造することができる本発明を完成させた。 The present inventors have conducted intensive studies, and as a result, in a method for manufacturing a thin and high-density semiconductor device, by applying a temporary fixing sheet capable of lightening the support by irradiation with radiant energy, The present invention that can be manufactured with low stress has been completed.
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、光透過性支持体上に、樹脂組成物を含む仮固定用シートを積層する工程と、仮固定用シート上に半導体チップを仮固定する工程と、仮固定された半導体チップを覆う封止体を形成する工程と、光透過性支持体と反対側の半導体チップの表面が露出するように、封止体を研削する工程と、封止体から露出した半導体チップの表面に配線を形成する工程と、半導体チップから、光透過性支持体及び仮固定用シートを剥離する工程と、を備え、仮固定用シートを剥離する工程において、前記光透過性支持体側から前記仮固定用シートに放射エネルギーを照射することにより、前記仮固定用シートの前記樹脂組成物を分解して前記光透過性支持体を剥離した後に、前記半導体チップ及び前記封止体から前記仮固定用シートを剥離する。 That is, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of laminating a temporary fixing sheet containing a resin composition on a light-transmitting support, and a step of temporarily fixing a semiconductor chip on the temporary fixing sheet. Forming a sealing body covering the temporarily fixed semiconductor chip, grinding the sealing body so that the surface of the semiconductor chip opposite to the light-transmitting support is exposed, and Forming a wiring on the exposed surface of the semiconductor chip; and peeling off the light-transmitting support and the temporary fixing sheet from the semiconductor chip. By irradiating the temporary fixing sheet with radiant energy from the transparent support side, the resin composition of the temporary fixing sheet is decomposed to release the light-transmitting support, and then the semiconductor chip and the sealing are removed. Body Peeling the temporary fixing sheet.
この半導体装置の製造方法では、仮固定用シートを剥離する工程においては、光透過性支持体側から仮固定用シートに放射エネルギーを照射することにより、仮固定用シートの樹脂組成物を分解して光透過性支持体を剥離する。このように放射エネルギーの照射によって仮固定用シートの樹脂組成物を分解することにより、仮固定用シートから光透過性支持体を容易に剥離できる。このような仮固定用シートを適用することにより、例えば、ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型かつ高密度の半導体装置を低ストレスで製造することが可能になる。加えて、光透過性支持体の大面積化にも対応が可能になるので、上記半導体装置の製造効率を向上できる。 In the method for manufacturing a semiconductor device, in the step of peeling the temporary fixing sheet, the temporary fixing sheet is irradiated with radiant energy from the light-transmitting support side to decompose the resin composition of the temporary fixing sheet. The light-transmitting support is peeled off. Thus, by decomposing the resin composition of the temporary fixing sheet by irradiation with the radiant energy, the light-transmitting support can be easily separated from the temporary fixing sheet. By applying such a temporary fixing sheet, for example, a thin and high-density semiconductor device such as a fan-out type wafer level package can be manufactured with low stress. In addition, since it is possible to cope with an increase in the area of the light-transmitting support, the manufacturing efficiency of the semiconductor device can be improved.
また、仮固定用シートを剥離する工程において、1064nmの波長の光を発生するYAGレーザーによって放射エネルギーを供給してもよい。この場合、仮固定用シートにコスト性よく放射エネルギーを供給できる。 Further, in the step of peeling off the temporary fixing sheet, radiant energy may be supplied by a YAG laser that generates light having a wavelength of 1064 nm. In this case, radiant energy can be supplied to the temporary fixing sheet with good cost.
また、仮固定用シートとして、光透過性支持体に接する光熱変換層と、光熱変換層上に設けられると共に半導体チップを仮固定する粘着層とを有する積層シートを用い、仮固定用シートを積層する工程において、光熱変換層が光透過性支持体に接し、粘着層が光透過性支持体と反対側に位置するように、仮固定用シートを光透過性支持体上に積層してもよい。この場合、例えば光熱変換層に光透過性支持体に対する軽剥離性を持たせると共に粘着層に高温熱履歴耐性を持たせることができる。これにより、単一の樹脂層から構成される仮固定用シートではトレードオフの関係となり困難である、光透過性支持体に対する軽剥離性と高温熱履歴耐性との両立が可能となる。このような仮固定用シートを用いることによって配線を形成する工程等にて加熱処理を行ったとしても、当該仮固定用シートの熱破壊等が抑制されるので、ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型かつ高密度の半導体装置を信頼性良く製造できる。 Further, as the temporary fixing sheet, a laminated sheet having a light-to-heat conversion layer in contact with the light transmitting support and an adhesive layer provided on the light-to-heat conversion layer and temporarily fixing the semiconductor chip is used, and the temporary fixing sheet is laminated. In the step of performing, the temporary fixing sheet may be laminated on the light-transmitting support so that the light-heat conversion layer is in contact with the light-transmitting support and the adhesive layer is located on the opposite side to the light-transmitting support. . In this case, for example, the light-to-heat conversion layer can be made to have a light peeling property with respect to the light-transmitting support, and the adhesive layer can have high-temperature heat history resistance. As a result, it is possible to achieve both light peelability and high-temperature thermal history resistance of the light-transmitting support, which is difficult because of the provisional fixing sheet made of a single resin layer, which is difficult to achieve. Even if a heating process is performed in a step of forming wiring by using such a temporary fixing sheet, thermal destruction of the temporary fixing sheet is suppressed, so that a fan-out type wafer level package is used. A thin, high-density semiconductor device can be manufactured with high reliability.
また、仮固定用シートとして、無機充填材を含んだ粘着層を有する積層シートを用いてもよい。この場合、仮固定用シートにおける粘着層の高温熱履歴耐性が向上する。 Further, a laminated sheet having an adhesive layer containing an inorganic filler may be used as the temporary fixing sheet. In this case, the high-temperature thermal history resistance of the adhesive layer in the temporary fixing sheet is improved.
本発明によれば、支持体の軽剥離化が可能で高温熱履歴耐性を有する仮固定用シートを適用することにより、ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型かつ高密度の半導体装置を低ストレスで製造できる。 According to the present invention, a thin and high-density semiconductor device such as a fan-out type wafer-level package can be reduced in stress by applying a temporary fixing sheet capable of lightly peeling a support and having high-temperature thermal history resistance. It can be manufactured by
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図面の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description. For convenience of the drawings, the dimensional ratios in the drawings do not always match those in the description.
以下では、図1(a)〜(d)、図2(a)〜(c)、及び図3(a)〜(d)を用いながら本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図1(a)に示すように、まず、光透過性支持体1を準備する。
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1A to 1D, 2A to 2C, and 3A to 3D. As shown in FIG. 1A, first, a light-transmitting
光透過性支持体1は、後述する放射エネルギー8(図3(a)を参照)を透過し、後述する仮固定用シート2の光熱変換層2A(図1(b)を参照)への放射エネルギーの透過を妨げないものである。光透過性支持体1の放射エネルギー8の透過率は、例えば50%以上である。光透過性支持体1は、後述する研削される封止体4(図2(a)を参照)を平坦な状態に維持し、後述する研削作業及び搬送作業時に破損しない材料であることが望ましい。また、光透過性支持体1は、研削時の被研削体の反りを防止するために十分な剛性を有することが望ましい。光透過性支持体1の好適な例としては、ガラス板又はアクリル板などが挙げられる。上記光透過性支持体1の形状、及び大きさについては、限定されるものではなく、例えばウェハ状、またはパネル(スクエア)状などであってもよい。
The light-transmitting
次に、図1(b)に示すように、光透過性支持体1上に仮固定用シート2を積層する。仮固定用シート2は、光透過性支持体1に接するシート状の光熱変換層2Aと、シート状の光熱変換層2A上に設けられ、光透過性支持体1と反対側に位置する粘着層2Bとが積層されたシートである。仮固定用シート2は、例えば真空ラミネータ等の装置を使用し、加熱加圧状態で対応する面上に貼り合せることによって積層される。
Next, as shown in FIG. 1B, a
光熱変換層2Aは、光吸収材及び樹脂組成物を有する。光熱変換層2Aは、例えば、適当な溶剤に光吸収剤及び樹脂組成物を分散、溶解させてワニスを調製し、このワニスを塗工してシート状にして得ることができる。
The light-to-
光熱変換層2Aの光吸収材は、後述する放射エネルギー8(図3(a)を参照)を吸収するものである。光吸収材は、例えば、カーボンブラック、カーボンファイバー、グライファイト粉の他、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル等の微粒子金属粉末、又は黒色酸化チタン等の金属酸化物粉末などが挙げられる。光吸収材としては、カーボンブラックが好ましい。カーボンブラックは、後述する放射エネルギー8照射後の光熱変換層2Aと光透過性支持体1との剥離に要する力を有意に低下させ、仮固定用シート2に対する光透過性支持体1の分離性を促進できる。
The light absorbing material of the light-to-
光熱変換層2Aの厚さは、光透過性支持体1との分離を可能にする限り制限は無いが、通常は1μm〜50μmである。光熱変換層2Aの厚さは、5〜25μmであることが好ましい。光熱変換層2Aの厚さが1μmを下回ると、十分な光吸収に必要とされる光吸収剤の濃度が高くなる。このため、光熱変換層2Aの製膜性が悪くなり、結果として光透過性支持体1と仮固定用シート2との接着不良を起こすおそれがある。一方、光熱変換層2Aの厚さが50μmを超えると、後述する放射エネルギー8(図3(a)を参照)による光熱変換層2Aの発熱が樹脂組成物の熱分解のために十分でなく、光透過性支持体1が仮固定用シート2から剥離することが困難になるおそれがある。
The thickness of the light-to-
光熱変換層2A中の光吸収剤の濃度は、光吸収剤の種類、粒子形態、及び分散度などによっても異なる。光吸収材として粒径5〜500nm程度の一般的なカーボンブラックが用いられる場合、当該光吸収材の濃度は、通常、5〜70体積%であり、好ましくは10〜60体積%であり、より好ましくは20〜55体積%である。光吸収材の濃度が5体積%未満の場合、光熱変換層2Aの発熱が樹脂組成物の熱分解のためには不十分であるおそれがある。また、光吸収材の濃度が70体積%を超えると、光熱変換層2Aの製膜性が悪くなり、他の層との接着不良などを生じやすくなる。なお、光吸収材の粒径は、仮固定用シートを600℃のオーブンで2時間加熱し、樹脂成分を分解及び揮発させ、残存物(例えば無機フィラー等)をSEMで観察する方法、又はレーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定する方法により導き出すことができる。
The concentration of the light absorbing agent in the light-to-
光熱変換層2Aの樹脂組成物としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、又はフッ素樹脂などが使用できる。これらの樹脂組成物は、単独、または二種以上を混合して使用してもよい。さらに剥離性を高めるために、上記樹脂組成物に離型剤を添加してもよい。具体例としては、離型剤として長鎖アルキル系離型剤、シリコーン系離型剤、又はフッ素系離型剤を使用できる。これらの離型剤は、単独、または二種以上を混合して使用してもよい。
As the resin composition of the light-to-
上記樹脂組成物のガラス転移温度(Tg)は、20℃〜100℃であることが望ましい。この場合、当該樹脂組成物は、後述する放射エネルギー8(図3(a)を参照)によって熱分解した後に冷却した時に分離した亀裂部同士が再接着(融着)することを防止できると共に、後述する封止体の研削工程に耐え得る硬度を保持できる。一方、上記樹脂組成物のTgが100℃を超える場合、光熱変換層2Aを光透過性支持体1へ貼り合せるときの温度が高くなりすぎ、光透過性支持体1が反りを起こす可能性が高くなってしまう。なお、樹脂組成物のTgは、TG−DTA(示差熱熱重量同時測定装置)、DSC(示差走査熱量分析装置)、またはフィルム化したサンプルに対してレオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製粘弾性アナライザーRSA−2を用いて算出する。粘弾性アナライザーRSA−2を用いる場合、例えば35mm×10mm×40μm厚のサンプルを、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度−150〜300℃の条件で測定したときの、主分散ピーク温度(tanδピークが最大となる温度)をTgとする。
The glass transition temperature (Tg) of the resin composition is desirably 20 ° C to 100 ° C. In this case, the resin composition can prevent re-adhesion (fusion) between cracks separated when cooled after being thermally decomposed by radiant energy 8 (see FIG. 3A) described below, and Hardness that can withstand the sealing body grinding step described below can be maintained. On the other hand, when the Tg of the resin composition exceeds 100 ° C., the temperature at which the light-
仮固定用シート2を構成する粘着層2Bは、粘着性を有し、樹脂組成物を含む。粘着層2Bは、適当な溶剤に樹脂組成物(必要に応じて無機フィラーを添加する)を溶解、分散させてワニスを調製し、このワニスを塗工してシート状にして得ることができる。粘着層2Bの厚さは、1μm〜500μmが好ましく、5μm〜50μmがより好ましい。
The
粘着層2Bの樹脂組成物としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、又はフッ素樹脂などが使用できる。これらの樹脂組成物は、単独、または二種以上を混合して使用してもよい。さらに剥離性を高めるために、上記樹脂組成物に離型剤を添加してもよい。具体例としては、離型剤として長鎖アルキル系離型剤、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤を使用できる。これらの離型剤は、単独、または二種以上を混合して使用してもよい。
As the resin composition of the
粘着層2Bの樹脂組成物のガラス転移温度(Tg)は、−35℃〜50℃の範囲であることが望ましく、−10℃〜30℃であることがより望ましい。この場合、当該樹脂組成物は、望ましくは20℃〜100℃の温度範囲で上記粘着層2Bの上に複数の半導体チップ3(図1(c)を参照)を仮固定可能な粘着性を保持できる。上記樹脂組成物のTgが−35℃を下回る場合、粘着層2Bの製膜時の表面タックが強くなり過ぎて取扱い性が低下するおそれが高くなる。また、粘着層2BのTgが50℃を超える場合、半導体チップ3(図1(c)を参照)を仮固定(仮圧着)する際の温度が100℃を超える可能性が高くなる。
The glass transition temperature (Tg) of the resin composition of the
上記粘着層2Bには、樹脂組成物に加えて無機充填材が含まれてもよい。この場合、後述する封止体4(図1(d)を参照)及び再配線5(図2(b)を参照)を形成する際等の高温熱履歴による熱溶融をさらに抑制でき、仮固定用シート2の高温熱履歴耐性をさらに向上できる。無機充填材は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填材を用いることができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、又は窒化ホウ素などの粉末が挙げられる。これらの無機充填材は単独、または2種以上併用することもできる。無機充填材として球状溶融シリカを用いる場合、樹脂組成物への分散性、及び粘着層2Bの製膜性の観点で好ましい。無機充填材の平均粒径は、5〜500nmの範囲であることが好ましい。無機充填材の平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
The
次に、図1(c)に示すように、光透過性支持体1上に形成した仮固定用シート2の粘着層2B上に、複数の半導体チップ3を仮固定する。仮固定用シート2の粘着層2B上に、所定条件(例えば室温(20℃)、または加熱状態)で、複数の半導体チップ3を個別に圧着して仮固定する。半導体チップ3の仮固定後、必要に応じて仮固定用シート2を所定条件で熱硬化してもよい。複数の半導体チップ3のそれぞれは、予め、半導体ウェハを所定サイズに切断してチップ状に個片化したものである。半導体チップ3の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時若しくは圧着工程等の際の割れ抑制の観点から、1μm〜1000μmが好ましく、10μm〜500μmがより好ましく、50μm〜200μmがさらに好ましい。
Next, as shown in FIG. 1C, a plurality of
次に、図1(d)に示すように、仮固定用シート2上に仮固定した複数の半導体チップ3を覆う封止体4を形成する。封止体4は、例えば封止シートを用いて形成される。この封止シートから形成される封止体4による半導体チップ3の封止には、例えばコンプレッション封止成形機、または真空ラミネート装置が用いられる。例えば、上記装置を使用して、40℃〜180℃(好ましくは60℃〜150℃)、0.1〜10MPa(好ましくは0.5〜8MPa)、かつ0.5〜10分間の条件で熱溶融させた封止シートにて半導体チップ3を覆い、封止体4を形成する。封止シートは、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどの剥離ライナー上に積層された状態で準備されてもよい。この場合、封止シートが半導体チップ3側に配置されて半導体チップ3を埋め込んだ後、剥離ライナーを剥離することにより封止体4を形成する。
Next, as shown in FIG. 1D, a sealing
封止シートの厚さは、特に限定されないが、最低限、封止体4が半導体チップ3の厚み以上になることを必須とする。この場合、封止シートの厚さは、半導体チップ3の厚さを鑑み、50μm〜2000μm、好ましくは70μm〜1500μm、より好ましくは100μm〜1000μmである。封止シートの厚さが50μm未満であると、使用する半導体チップ3の厚さも薄くする必要がある。この場合、半導体チップ3を仮固定用シート2上に仮固定して配置する際、もしくは封止シートで半導体チップ3を埋め込み封止する際に当該半導体チップ3が割れやすくなる傾向にある。また、封止シートの厚さが2000μmを超えると、その後の工程に時間がかかる傾向にあり、好ましくない。
Although the thickness of the sealing sheet is not particularly limited, it is essential that the thickness of the sealing
封止シートの製造方法は、特に限定されない。例えば、下記樹脂組成物の混練物を調製し、得られた混練物を塗工して封止シートを形成する方法、あるいは得られた混練物をシート状に塑性加工して形成する方法が挙げられる。 The method for producing the sealing sheet is not particularly limited. For example, a method of preparing a kneaded material of the following resin composition and coating the obtained kneaded material to form a sealing sheet, or a method of plastically processing the obtained kneaded material into a sheet shape and forming the same. Can be
封止シートを構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物又は熱可塑性樹脂組成物のいずれかでもよい。樹脂組成物は、耐熱性、その他の信頼性の観点から、熱硬化性樹脂組成物が好ましい。この場合、上記装置を使用して好適に封止体4を形成できる。また、封止体4にて半導体チップ3を覆った後、所定の条件で熱硬化を目的とした加熱処理を行うことができる。この場合、半導体チップ3を覆う封止体4の全体を加熱する。熱硬化処理の条件として、加熱温度が100℃以上、好ましくは120℃以上である。一方、加熱温度の上限は、200℃以下、好ましくは180℃以下である。加熱時間は、10分以上、好ましくは120分以下である。
The resin composition constituting the sealing sheet may be either a thermosetting resin composition or a thermoplastic resin composition. The resin composition is preferably a thermosetting resin composition from the viewpoint of heat resistance and other reliability. In this case, the sealing
次に、図2(a)に示すように、埋め込んだ半導体チップ3の表面3aが露出するように封止体4を研削する。封止体4を研削する方法としては、特に限定されず、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法を挙げることができる。なお、半導体チップ3の表面3aとは、光透過性支持体1と反対側の面である。
Next, as shown in FIG. 2A, the sealing
次に、図2(b)に示すように、露出した半導体チップ3の表面3aに再配線(配線)5を形成する。再配線5の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ3上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成した後、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線5を形成することができる。再配線5を形成した後、再配線5及び封止体上へポリイミド又はPBO(ポリベンゾオキサゾール)などの絶縁層を形成してもよい。なお、セミアディティブ法とは、金属シード層を形成し、所望のパターンを有するレジストを金属シード層上に形成し、金属シード層における露出した部分を電解めっき法等により厚膜化し、レジストを除去した後、薄い金属シード層をエッチングして配線を得る方法である。
Next, as shown in FIG. 2B, a rewiring (wiring) 5 is formed on the exposed
次に、図2(c)に示すように、形成した再配線5上にバンプ6を形成するバンピング加工を行う。バンピング加工は、半田ボール又は半田メッキなどを用いた公知の方法で行うことができる。以下では、再配線5及びバンプ6が形成された半導体チップ3と研削された封止体4との集合体をデバイス形成体7とも呼称する。
Next, as shown in FIG. 2C, a bumping process for forming a
次に、図3(a),(b)に示すように、半導体チップ3から、光透過性支持体1及び仮固定用シート2を剥離する。本剥離工程においては、光透過性支持体1から仮固定用シート2を剥離する工程と、半導体チップ3から仮固定用シート2を剥離する工程とを含む。
Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the light-transmitting
光透過性支持体1から仮固定用シート2を剥離する工程では、図3(a)に示すように、光透過性支持体1側から放射エネルギー8を仮固定用シート2の光熱変換層2Aに照射する。このとき、光熱変換層2Aに含まれる光吸収剤によって放射エネルギー8が吸収され、当該放射エネルギー8は光熱変換層2Aにて熱エネルギーに変換される。発生した熱エネルギーが光熱変換層2Aの温度を急激に上昇させることにより、光熱変換層2Aを構成する樹脂組成物が熱分解する。それによって、光熱変換層2A内(特に、光熱変換層2Aと光透過性支持体1との界面付近の光熱変換層2A内)でボイド(空隙)が生成し、光熱変換層2Aの一部が崩壊することにより、光透過性支持体1が仮固定用シート2から分離する。
In the step of peeling the
放射エネルギー8は、仮固定用シート2の光熱変換層2Aが吸収する光の波長を出力し、且つ、光熱変換層2Aが熱溶融あるいは熱分解して、光透過性支持体1と仮固定用シート2とを分離するのに十分なエネルギーの光を出力できるレーザー光によって供給される。レーザー光の具体例としては、1064nmの波長の光を発生するYAGレーザー、532nmの波長の光を発生する2倍高階調YAGレーザー、又は780nm〜1300nmの波長の光を発生する半導体レーザーが挙げられる。レーザー照射装置の規模、汎用性、コストの観点から、レーザー光として1064nmの波長の光を発生するYAGレーザーが好ましく使用される。レーザー照射条件については、光透過性支持体1と、仮固定用シート2とを分離する出力と、半導体チップ3及び封止体4等へのダメージ軽減、隣接領域への漏れエネルギーを低減できる出力のバランスを考慮して設定される。
The
上記のようにして、仮固定用シート2から光透過性支持体1を剥離した後、粘着層2Bを、デバイス形成体7から垂直方向に引き上げるようにして剥がす。例えば、デバイス形成体7と粘着層2B間よりも高い粘着力を有する粘着テープを、仮固定用シート2のデバイス形成体7と接する面とは反対側の面に貼り合せた後、当該粘着テープと粘着層2Bとをデバイス形成体7からまとめて剥がす方法をとってもよい。これにより、図3(c)に示されるように、デバイス形成体7から仮固定用シート2が除去される。
After peeling the light-transmitting
最後に、図3(d)に示すように、半導体チップ3、封止体4、再配線5、及びバンプ6などの要素からなるデバイス形成体7のダイシングを行う。具体的には、隣接する半導体チップ3の間に位置する封止体4をダイシングすることにより、再配線5及びバンプ6が設けられた半導体チップ3を個変化する。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置を得ることができる。
Finally, as shown in FIG. 3D, dicing is performed on a
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置10の製造方法では、仮固定用シート2を剥離する工程においては、光透過性支持体1側から仮固定用シート2に放射エネルギー8を照射することにより、仮固定用シート2の樹脂組成物を分解して光透過性支持体1を剥離する。このように放射エネルギー8の照射によって仮固定用シート2の樹脂組成物を分解することにより、仮固定用シート2から光透過性支持体1を容易に剥離できる。このような仮固定用シート2を適用することにより、例えば、ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型の半導体装置10を、薄厚の半導体チップ3を封止体4で埋め込み、封止体4の研削によって露出した半導体チップ3の表面3aに再配線5を形成した後、低ストレスで光透過性支持体1を半導体装置10から剥離することが可能になる。加えて、光透過性支持体1の大面積化にも対応が可能になるので、半導体装置10の製造効率を向上できる。
As described above, in the method of manufacturing the
また、仮固定用シート2を剥離する工程において、1064nmの波長の光を発生するYAGレーザーによって放射エネルギー8を供給してもよい。この場合、仮固定用シート2にコスト性よく放射エネルギー8を供給できる。
In the step of peeling off the
また、仮固定用シート2として、光透過性支持体1に接する光熱変換層2Aと、光熱変換層2A上に設けられると共に半導体チップ3を仮固定する粘着層2Bとを有する積層シートを用い、仮固定用シート2を積層する工程において、光熱変換層2Aが光透過性支持体1に接し、粘着層2Bが光透過性支持体1と反対側に位置するように、仮固定用シート2を光透過性支持体1上に積層してもよい。この場合、光熱変換層2Aに光透過性支持体1に対する軽剥離性を持たせると共に、粘着層2Bに高温熱履歴耐性を持たせることができる。これにより、単一の樹脂層から構成される仮固定用シートではトレードオフの関係となり困難である、光透過性支持体に対する軽剥離性と高温熱履歴耐性との両立が可能となる。このような仮固定用シート2を用いることによって再配線5を形成する工程等にて加熱処理を行ったとしても、当該仮固定用シート2の熱破壊等が抑制されるので、ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型かつ高密度の半導体装置10を信頼性良く製造できる。
Further, as the
また、仮固定用シート2として、無機充填材を含んだ粘着層2Bを有する積層シートを用いてもよい。この場合、仮固定用シート2における粘着層2Bの高温熱履歴耐性が向上する。
Further, as the
以下、本発明に関し、実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist.
<仮固定用シートの製造>
以下に示す通り、光熱変換層2A用の樹脂組成物及び粘着層2B用の樹脂組成物をそれぞれ調製し、光熱変換層2A及び粘着層2Bが積層された仮固定用シート2を形成した。
<Manufacture of temporary fixing sheet>
As shown below, a resin composition for the light-to-
<光熱変換層シートの製造>
アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製HTR−860P−DR3)100質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC株式会社製YDCN−700−10)115質量部、硬化剤としてのフェノールアラルキル樹脂(三井化学株式会社製XLC−LL)87質量部、シリコーン系離型剤(日立化成ポリマー株式会社製TA31−209E)55質量部、硬化促進剤(四国化成工業株式会社製2PZ−CN)1質量部、カーボンブラック(ライオン株式会社製 ケッチェンブラックEC600JD)15質量部、及びシクロヘキサノン200質量部を秤量、及び撹拌し、仮固定用シートの光熱変換層用の樹脂組成物を調製した。次に、調製した樹脂組成物を、離型処理した厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に塗布し、90℃で10分間、次いで120℃で30分間加熱乾燥して、基材フィルム付き20μm厚の光熱変換層シートを得た。
<Production of light-to-heat conversion layer sheet>
100 parts by mass of acrylic rubber (HTR-860P-DR3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation), 115 parts by mass of cresol novolac type epoxy resin (YDCN-700-10 manufactured by DIC Corporation), phenol aralkyl resin as a curing agent (Mitsui Chemicals Co., Ltd.) 87 parts by mass of a company XLC-LL), 55 parts by mass of a silicone release agent (TA31-209E made by Hitachi Chemical Co., Ltd.), 1 part by mass of a curing accelerator (2PZ-CN made by Shikoku Chemicals Co., Ltd.), carbon black 15 parts by mass (Ketjen Black EC600JD manufactured by Lion Corporation) and 200 parts by mass of cyclohexanone were weighed and stirred to prepare a resin composition for a light-heat conversion layer of a sheet for temporary fixing. Next, the prepared resin composition is applied on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm, and is heated and dried at 90 ° C. for 10 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes to obtain a base film. A light-to-heat conversion layer sheet having a thickness of 20 μm was obtained.
<粘着層シートの製造>
アクリルゴム(ナガセケムテックス株式会社製HTR−860P−DR3)100質量部、硬化促進剤(四国化成工業株式会社製2PZ−CN)1質量部、シリコーン系離型剤(日立化成ポリマー株式会社製TA31−209E)20質量部、シクロヘキサノン200質量部を秤量、及び撹拌し、仮固定用シートの粘着層用の樹脂組成物を調製した。次に、調製した樹脂組成物を、離型処理した厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に塗布し、90℃で10分間、次いで120℃で30分間加熱乾燥して、基材フィルム付き20μm厚の粘着層シートを得た。
<Production of adhesive layer sheet>
100 parts by mass of acrylic rubber (HTR-860P-DR3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation), 1 part by mass of curing accelerator (2PZ-CN manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.), silicone release agent (TA31 manufactured by Hitachi Chemical Polymer Co., Ltd.) -209E) 20 parts by mass of cyclohexanone and 200 parts by mass of cyclohexanone were weighed and stirred to prepare a resin composition for the adhesive layer of the temporary fixing sheet. Next, the prepared resin composition is applied on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm, and is heated and dried at 90 ° C. for 10 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes to obtain a base film. An adhesive layer sheet having a thickness of 20 μm was obtained.
<仮固定用シートの作製>
上記基材フィルム付き光熱変換層シートと、基材フィルム付き粘着層シートとを、それぞれ基材フィルムとは反対側同士が接するようにして、ロールラミネーターで80℃にてラミネートして、光熱変換層、及び粘着層の積層シートとし、これを仮固定用シートとした。
<Preparation of temporary fixing sheet>
The light-to-heat conversion layer sheet with the base film and the adhesive layer sheet with the base film are laminated at 80 ° C. with a roll laminator such that the opposite sides of the base film are in contact with each other. , And a laminated sheet of an adhesive layer, and this was used as a temporary fixing sheet.
<光透過性支持体上への仮固定用シートの形成>
まず、光透過性支持体1として厚さ1.0mm、9インチサイズの無アルカリガラス板を準備した。前記ガラス板上に、上記仮固定用シートを、光熱変換層側面がガラス板に接するようにして、ロールラミネーターで80℃にてラミネートして、支持体上に仮固定用シートを形成した。なお、仮固定用シートをガラス板に接触させる前に、光熱変換層の基材フィルムは予め剥がした。
<Formation of Temporary Fixing Sheet on Light-Transmissive Support>
First, a non-alkali glass plate having a thickness of 1.0 mm and a size of 9 inches was prepared as the light-transmitting
<半導体チップの実装(仮固定)>
7.3mm×7.3mmに加工した200μm厚の半導体チップを裏面が仮固定用シートの粘着層に貼り合わされるように実装(仮固定)した。実装にはフリップチップボンダーを用いた。
<Semiconductor chip mounting (temporary fixing)>
A 200 μm thick semiconductor chip processed to 7.3 mm × 7.3 mm was mounted (temporarily fixed) such that the back surface was bonded to the adhesive layer of the temporary fixing sheet. A flip chip bonder was used for mounting.
<封止シートの形成>
以下に示すように熱硬化性樹脂組成物を調製し、封止シートを形成した。具体的には、エポキシ樹脂としてのクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC株式会社製、製品名:エピクロンN660)70質量部と、硬化剤としてのフェノキシ樹脂(新日鐵化学株式会社製、製品名:YP−55)100質量部と、メラミン変性フェノールノボラック樹脂(DIC株式会社製、製品名:LA7054)30質量部と、無機フィラー成分としての硫酸バリウム200質量部とを、直径1.0mmのジルコニアビーズを用いたスターミルLMZ(アシザワファインテック株式会社製、「スターミル」は登録商標)で、周速12m/sにて3時間分散して熱硬化性樹脂組成物を調製した。
<Formation of sealing sheet>
A thermosetting resin composition was prepared as shown below, and a sealing sheet was formed. Specifically, 70 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, product name: Epicron N660) as an epoxy resin and a phenoxy resin (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., product name: YP -55) 100 parts by mass, 30 parts by mass of a melamine-modified phenol novolak resin (manufactured by DIC Corporation, product name: LA7054), and 200 parts by mass of barium sulfate as an inorganic filler component were mixed with zirconia beads having a diameter of 1.0 mm. Using a Star Mill LMZ (manufactured by Ashizawa Finetech Co., Ltd., “Star Mill” is a registered trademark), the mixture was dispersed at a peripheral speed of 12 m / s for 3 hours to prepare a thermosetting resin composition.
無機フィラー成分としては、平均粒径が300nmの硫酸バリウムを用いた。熱硬化性樹脂組成物における無機フィラーの分散状態は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「UPA−EX150」(日機装株式会社製)、及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「MT−3100」(日機装株式会社製)を用いて測定し、当該無機フィラーの最大粒径が2μm以下となっていることを確認した。 Barium sulfate having an average particle size of 300 nm was used as the inorganic filler component. The dispersion state of the inorganic filler in the thermosetting resin composition is determined by a dynamic light scattering type nanotrack particle size distribution analyzer “UPA-EX150” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.) and a laser diffraction scattering type microtrack particle size distribution meter “MT-3100”. (Manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), and it was confirmed that the maximum particle size of the inorganic filler was 2 μm or less.
上述のようにして得た熱硬化性樹脂組成物の溶液を支持層である16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人株式会社製、商品名:G2−16)上に均一に塗布することにより、熱硬化性樹脂組成物層を形成した。その後、熱風対流式乾燥機を用いて熱硬化性樹脂組成物層を100℃で約10分間乾燥することによって、支持層上に膜厚が50μmの封止用フィルムを得た。 The solution of the thermosetting resin composition obtained as described above is uniformly applied on a 16 μm-thick polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin Limited, trade name: G2-16), which is a support layer, so that thermosetting is performed. A conductive resin composition layer was formed. Thereafter, the thermosetting resin composition layer was dried at 100 ° C. for about 10 minutes using a hot air convection dryer to obtain a sealing film having a thickness of 50 μm on the support layer.
次いで、封止フィルムに埃などが付着しないように、支持層と接している側とは反対側の表面上にポリエチレンフィルム(タマポリ株式会社製、商品名:NF−15)を保護フィルムとして貼り合せ、封止シートを形成した。 Then, a polyethylene film (trade name: NF-15, manufactured by Tamapoly Co., Ltd.) is bonded as a protective film on the surface opposite to the side in contact with the support layer so that dust and the like do not adhere to the sealing film. Thus, a sealing sheet was formed.
<コンプレッション封止>
得られた封止シートを6インチサイズに加工し、仮固定用シート上に仮固定した半導体チップ上に、封止シートを形成した。詳細には、まず、上記熱硬化性樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂フィルムの保護フィルムのみを剥がし、半導体チップ上に封止シートを載置した。次に、プレス式真空ラミネータ(株式会社名機製作所製MVLP−500)を用いて半導体素子上に封止シートを積層し、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを剥離した。プレス条件は、プレス熱盤温度80℃、真空引き時間20秒、ラミネートプレス時間30秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.4MPaとした。コンプレッション封止後の封止シートの厚みが350μmとなるように、繰返し封止シートを積層した。次いで、コンプレッション封止設備(アピックヤマダ株式会社製WCM−300MS)を用いて半導体素子搭載面を8インチサイズにコンプレッション封止した。封止温度140℃、封止圧力4.8MPa、封止時間10分の条件で封止した。次いで、クリーンオーブンで150℃、1時間の条件で加熱硬化した。
<Compression sealing>
The obtained sealing sheet was processed into a 6-inch size, and a sealing sheet was formed on the semiconductor chip temporarily fixed on the temporary fixing sheet. Specifically, first, only the protective film of the thermosetting resin film made of the thermosetting resin composition was peeled off, and the sealing sheet was placed on the semiconductor chip. Next, a sealing sheet was laminated on the semiconductor element using a press-type vacuum laminator (MVLP-500 manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), and the polyethylene terephthalate (PET) film was peeled off. The pressing conditions were as follows: a hot platen temperature of 80 ° C., a vacuum evacuation time of 20 seconds, a lamination press time of 30 seconds, a pressure of 4 kPa or less, and a pressure of 0.4 MPa. The sealing sheet was repeatedly laminated so that the thickness of the sealing sheet after compression sealing was 350 μm. Next, the semiconductor element mounting surface was compression-sealed to an 8-inch size using a compression sealing facility (WCM-300MS manufactured by Apic Yamada Co., Ltd.). Sealing was performed under the conditions of a sealing temperature of 140 ° C., a sealing pressure of 4.8 MPa, and a sealing time of 10 minutes. Next, it was heated and cured in a clean oven at 150 ° C. for 1 hour.
<封止体の研削>
グラインダーを用いて封止体を研削した。封止体を徐々に研削し、半導体チップの能動面(表面)が露出するまで研削した。
<Grinding of sealing body>
The sealed body was ground using a grinder. The sealed body was gradually ground until the active surface (surface) of the semiconductor chip was exposed.
<再配線層の形成>
半導体チップの能動面(表面)側に再配線層を形成した。具体的には、まずスピンコーターで感光性材料を塗布し、露光・現像処理を行った。次いで、所定温度200℃で窒素雰囲気下(酸素濃度50ppm以下)にて、1時間加熱し、感光性材料を硬化した。次いで、スパッタ法により、Tiを100nm蒸着し、連続してCuを300nm蒸着し、シード層を形成した。次いで、ドライフィルムレジスト(日立化成株式会社製、商品名:Photec RY−3525)をロールラミネーターで貼着し、パターンを形成したフォトツールを密着させ、株式会社オーク製作所製EXM−1201型露光機を使用して、100mJ/cm2のエネルギー量で露光を行った。次いで、30℃の1重量%炭酸ナトリウム水溶液で、90秒間スプレー現像を行い、ドライフィルムレジストを開口させた。次いで、電解銅メッキ法により、シード層上に、厚さ7μmの銅メッキを形成した。次いで、剥離液により、ドライフィルムレジストを剥離した。次いで、シード層をエッチング液により除去した。次いで、スピンコーターで再度、感光性材料を塗布し、露光・現像処理を行った。次いで、所定温度200℃で窒素雰囲気下(酸素濃度50ppm以下)にて、1時間加熱し、感光性材料を硬化した。
<Formation of rewiring layer>
A rewiring layer was formed on the active surface (front surface) side of the semiconductor chip. Specifically, first, a photosensitive material was applied using a spin coater, and exposure and development were performed. Next, the photosensitive material was cured at a predetermined temperature of 200 ° C. in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 50 ppm or less) for one hour. Next, 100 nm of Ti was vapor-deposited by sputtering, and 300 nm of Cu was continuously vapor-deposited to form a seed layer. Then, a dry film resist (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: Phototec RY-3525) is attached with a roll laminator, and a photo tool on which a pattern is formed is brought into close contact with the film. Exposure was performed using an energy amount of 100 mJ / cm 2 . Subsequently, spray development was performed for 90 seconds with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. to open the dry film resist. Next, a 7 μm-thick copper plating was formed on the seed layer by an electrolytic copper plating method. Next, the dry film resist was stripped off with a stripping solution. Next, the seed layer was removed with an etchant. Next, a photosensitive material was applied again by a spin coater, and exposure and development were performed. Next, the photosensitive material was cured at a predetermined temperature of 200 ° C. in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 50 ppm or less) for one hour.
<バンプ搭載>
まず、市販の無電解ニッケル/金めっき液を用いて、ニッケルめっき厚2μm、金めっき厚0.1μmとなるようにめっき処理を行い、銅メッキ上にニッケル/金層を形成した。次いで、リフロー装置を用いて、窒素雰囲気下(酸素濃度100ppm以下)ではんだボールをニッケル/金層上に搭載した。これにより、再配線及びはんだバンプが形成された半導体チップと封止体との集合であるデバイス形成体を形成した。
<Bump mounting>
First, using a commercially available electroless nickel / gold plating solution, plating was performed to a nickel plating thickness of 2 μm and a gold plating thickness of 0.1 μm to form a nickel / gold layer on copper plating. Next, the solder balls were mounted on the nickel / gold layer under a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 100 ppm or less) using a reflow apparatus. As a result, a device formed body which is a set of the semiconductor chip on which the rewiring and the solder bumps were formed and the sealing body was formed.
<仮固定用シート付き支持体の分離(剥離)>
上記のようにして得た、デバイス形成体から、仮固定用シート付き支持体を分離するため、光透過性支持体側から、レーザー出力10W、周波数30MHz、レーザースキャン速度4000m/s、レーザースキャン幅0.3mmの条件で、1064nmの波長の光を発生するYAGレーザーによる放射エネルギーを照射した。この後、光透過性支持体を仮固定用シートの光熱変換層から手動で剥離した。その後、上記デバイス形成体から仮固定用シートを剥離するため、仮固定用シートに粘着テープ(電気化学株式会社製、AD−80H−30A)を貼り付け、180°の方向(すなわち、仮固定用シートと垂直に交わる方向)にピールした。これにより、デバイス形成体の半導体チップを損傷させることなく、仮固定用シートの光熱変換層及び粘着層を上記半導体チップから同時に剥離できた。
<Separation (peeling) of support with temporary fixing sheet>
In order to separate the support with the sheet for temporary fixing from the device formed body obtained as described above, a laser output of 10 W, a frequency of 30 MHz, a laser scan speed of 4000 m / s, and a laser scan width of 0 from the light-transmitting support side. Irradiation energy from a YAG laser generating light at a wavelength of 1064 nm was applied under a condition of 0.3 mm. Thereafter, the light-transmitting support was manually peeled off from the light-heat conversion layer of the temporary fixing sheet. Then, in order to peel the temporary fixing sheet from the device formed body, an adhesive tape (AD-80H-30A manufactured by Denki Kagaku Co., Ltd.) is attached to the temporary fixing sheet, and the 180 ° direction (that is, the temporary fixing sheet is used). (Direction perpendicular to the sheet). As a result, the light-to-heat conversion layer and the adhesive layer of the temporary fixing sheet could be simultaneously peeled from the semiconductor chip without damaging the semiconductor chip of the device formed body.
<個片化>
最後に、デバイス形成体の封止体をダイシングすることによってパッケージサイズが9.6mm×9.6mmの半導体装置を支障なく得ることができた。
<Individualization>
Finally, a semiconductor device having a package size of 9.6 mm × 9.6 mm was successfully obtained by dicing the sealing body of the device formed body.
1…光透過性支持体、2…仮固定用シート、2A…光熱変換層、2B…粘着層、3…半導体チップ、4…封止体、5…再配線、6…バンプ、7…デバイス形成体、8…放射エネルギー、10…半導体装置。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記仮固定用シート上に半導体チップを仮固定する工程と、
仮固定された前記半導体チップを覆う封止体を形成する工程と、
前記光透過性支持体と反対側の前記半導体チップの表面が露出するように、前記封止体を研削する工程と、
前記封止体から露出した前記半導体チップの前記表面に配線を形成する工程と、
前記半導体チップから、前記光透過性支持体及び前記仮固定用シートを剥離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記仮固定用シートを剥離する工程において、前記光透過性支持体側から前記仮固定用シートに放射エネルギーを照射することにより、前記仮固定用シートの前記樹脂組成物を分解して前記光透過性支持体を剥離した後に、前記半導体チップ及び前記封止体から前記仮固定用シートを剥離し、
前記仮固定用シートとして、前記光透過性支持体に接する光熱変換層と、前記光熱変換層上に設けられると共に前記半導体チップを仮固定し、無機充填材を含む粘着層とを有する積層シートを用いる、
半導体装置の製造方法。 Laminating a temporary fixing sheet containing the resin composition on the light-transmitting support,
Temporarily fixing a semiconductor chip on the temporary fixing sheet,
Forming a sealing body covering the temporarily fixed semiconductor chip,
Grinding the sealing body so that the surface of the semiconductor chip on the side opposite to the light-transmitting support is exposed,
Forming a wiring on the surface of the semiconductor chip exposed from the sealing body,
From the semiconductor chip, a step of peeling the light transmitting support and the temporary fixing sheet,
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
In the step of peeling off the temporary fixing sheet, the resin composition of the temporary fixing sheet is decomposed by irradiating the temporary fixing sheet with radiant energy from the light-transmitting support side. After peeling the support, peeling the temporary fixing sheet from the semiconductor chip and the sealing body ,
As the temporary fixing sheet, a light-to-heat conversion layer that is in contact with the light-transmitting support, and a laminated sheet that is provided on the light-to-heat conversion layer and temporarily fixes the semiconductor chip and has an adhesive layer including an inorganic filler. Use,
A method for manufacturing a semiconductor device.
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