JP6625110B2 - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
S11、第一基板150を提供し、第一基板150の表面にフォトレジスト層160が設置される。
S12、フォトマスク100はフォトレジスト層160の表面を被覆し、フォトマスク100は、第二基板110と、第二基板110の表面に設置される複合層140とを含む。
S13、紫外光180でフォトマスク100を照射し、紫外光180は第二基板110及び複合層140を透過してフォトレジスト層160に入射させ、フォトレジスト層160を露光させる。
S14、フォトマスク100をフォトレジスト層160の表面から除去し、露光されたフォトレジスト層160を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体170を獲得する。
S1、第一基板150と離れるフォトレジストマイクロナノ構造体170の表面及びフォトレジストマイクロナノ構造体170が被覆されない第一基板150の表面に予備層190を設置して、複合構造体を形成する。
S2、複合構造体をアセトンに浸漬して、フォトレジストマイクロナノ構造体170を除去して、第一基板150の表面にパターン化のマイクロナノ構造体152を形成する。
S21、第一基板150を提供し、第一基板150の表面にフォトレジスト層160を設置する。
S22、フォトマスク200はフォトレジスト層160の表面を被覆し、フォトマスク200は少なくとも二つの第二基板110と、各第二基板110の表面に設置される複合層140と、を含む。
S23、紫外光180でフォトマスク200を照射し、紫外光180は第二基板110及び複合層140を透過してフォトレジスト層160に入射させ、フォトレジスト層160を露光させる。
S24、フォトマスク200をフォトレジスト層160の表面から除去し、露光されたフォトレジスト層160を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体170を獲得する。
S31、第一基板150を提供し、第一基板150の表面にフォトレジスト層160を設置する。
S32、フォトマスク300はフォトレジスト層160の表面を被覆し、フォトマスク300は順に積層された第二基板110と、カーボンナノチューブ層120と、第三基板109と、を含む。
S33、紫外光180はフォトマスク300を照射し且つ透過して、フォトレジスト層160に入射させ、フォトレジスト層160を露光させる。
S34、フォトマスク300をフォトレジスト層160の表面から除去し、露光されたフォトレジスト層160を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体170を獲得する。
S41、第一基板150を提供し、第一基板150の表面にフォトレジスト層160を設置する。
S42、フォトマスク400はフォトレジスト層160の表面を被覆し、フォトマスク400は第二基板110と、第一パターン化クロム層122と、カーボンナノチューブ層120と、カバー層130と、を含む。
S43、紫外光180でフォトマスク400を照射し且つ透過して、紫外光180はフォトレジスト層160に入射させ、フォトレジスト層160を露光させる。
S44、フォトマスク400をフォトレジスト層160の表面から除去し、露光されたフォトレジスト層160を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体170を獲得する。
S51、第二基板110を提供し、第二基板110の表面にクロム層121を沈積する。
S52、カーボンナノチューブ層120をクロム層121の表面に設置し、クロム層121の一部表面を露出させる。
S53、カーボンナノチューブ層120をマスクとして、クロム層121をエッチングして、第一パターン化クロム層122を得る。
S54、第二基板110と離れるカーボンナノチューブ層120の表面にカバー層130を沈積する。
S61、第一基板150を提供し、第一基板150の表面にフォトレジスト層160を設置する。
S62、フォトマスク500はフォトレジスト層160の表面を被覆し、フォトマスク500は第二基板110と、第一パターン化クロム層122と、カーボンナノチューブ層120と、カバー層130と、を含む。
S63、紫外光180でフォトマスク500を照射し且つ透過して、紫外光180はフォトレジスト層160に入射させ、フォトレジスト層160を露光させる。
S64、フォトマスク500をフォトレジスト層160の表面から除去し、露光されたフォトレジスト層160を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体170を獲得する。
S71、第四基板101を提供し、第四基板101の表面にカーボンナノチューブ層120を設置する。
S72、第四基板101と離れるカーボンナノチューブ層120の表面にクロム層121を沈積し、クロム層121は第一パターン化クロム層122及び第二パターン化クロム層123を含み、第一パターン化クロム層122はカーボンナノチューブ層120の表面に沈積し、第二パターン化クロム層123はカーボンナノチューブ層120の空隙に対応する第四基板101の表面に沈積する。
S73、第一パターン化クロム層122が沈積したカーボンナノチューブ層120を第四基板101の表面から第二基板110の表面に移動して、カーボンナノチューブ層120を第二基板110の表面に接触して設置させる。
S74、第二基板110と離れる第一パターン化クロム層122の表面にカバー層130を沈積する。
S81、第一基板150を提供し、第一基板150の表面にフォトレジスト層160を設置する。
S82、フォトマスク600はフォトレジスト層160の表面を被覆し、フォトマスク600は第二基板110と、カーボンナノチューブ複合構造体141と、カバー層130と、を含む。
S83、紫外光180でフォトマスク600を照射し且つ透過して、紫外光180はフォトレジスト層160に入射させ、フォトレジスト層160を露光させる。
S84、フォトマスク600をフォトレジスト層160の表面から除去し、露光されたフォトレジスト層160を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体170を獲得する。
S91、カーボンナノチューブ複合構造体141を提供し、カーボンナノチューブ複合構造体141はカーボンナノチューブ層120及びカーボンナノチューブ層120を被覆するクロム層121を含む。
S92、第二基板110を提供し、カーボンナノチューブ複合構造体141は第二基板110の表面に設置し、且つ第二基板110の一部の表面を露出させる。
S93、第二基板110と離れるカーボンナノチューブ複合構造体141の表面にカバー層130を沈積する。
101 第四基板
109 第三基板
110 第二基板
120 カーボンナノチューブ層
121 クロム層
122 第一パターン化クロム層
123 第二パターン化クロム層
130 カバー層
140 複合層
141 カーボンナノチューブ複合構造体
150 第一基板
152 マイクロナノ構造体
160 フォトレジスト層
170 フォトレジストマイクロナノ構造体
180 紫外光
190 予備層
Claims (4)
- 基板と、カーボンナノチューブ複合構造体と、カバー層と、を含むフォトマスクであって、
前記カーボンナノチューブ複合構造体は前記基板の表面に設置され、前記カーボンナノチューブ複合構造体はカーボンナノチューブ層及び前記カーボンナノチューブ層におけるカーボンナノチューブを被覆するクロム層を含み、
前記基板と離れる前記カーボンナノチューブ複合構造体の表面は前記カバー層に被覆されることを特徴とするフォトマスク。 - 前記基板は紫外光に対する透過率が60%以上であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- カーボンナノチューブ複合構造体を提供する第一ステップであって、前記カーボンナノチューブ複合構造体はカーボンナノチューブ層及び前記カーボンナノチューブ層におけるカーボンナノチューブを被覆するクロム層を含む第一ステップと、
基板を提供し、カーボンナノチューブ複合構造体を前記基板の表面に設置し、且つ前記基板の一部の表面を露出させる第二ステップと、
前記基板と離れる前記カーボンナノチューブ複合構造体の表面にカバー層を沈積する第三ステップと、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 第一基板を提供し、第一基板の表面にフォトレジスト層が設置される第一ステップと、
請求項1に記載の前記フォトマスクで前記フォトレジスト層の表面を被覆する第二ステップと、
紫外光で前記フォトマスクを照射し、前記紫外光は前記フォトマスクを透過して、前記フォトレジスト層を露光させる第三ステップと、
前記フォトマスクを前記フォトレジスト層の表面から除去し、露光された前記フォトレジスト層を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体を獲得する第四ステップと、
を含むことを特徴とするマイクロナノ構造体の製造方法。
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