JP6618694B2 - 電界イメージング方法 - Google Patents

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Description

この発明は、電子回路等から染みだした高周波信号の空間分布をその場で観測するための電界イメージング方法に関する。
回路の高周波信号の空間分布をその場で目視し直観で動作概要を捉える。これは本質的革新を招く機能であり、それを可能とする手法は学術的および技術的にとても魅力的である。高速電子回路や先進アンテナの解析や診断、EMIへの対策など、様々な領域での活用が期待される。
上記の高周波信号の空間分布の実時間の可視化の手段として、NICT(情報通信研究機構)から報告された電界カメラがある。この電界カメラによれば、電気光学効果を介して光の超並列性と超高速性が重畳的に活用され、100GHzまでのマイクロ波帯の電界分布が実時間で撮像し表示できる。
「実時間で撮像し表示する」という条件を外すと、様々な形態の電界分布映像化技術が提案または実現されている。これらは空間走査に長時間が必要ながら、さまざまな電子回路や電子機器の周囲の電界が撮像され、直観的解析が適用されている。それゆえに、実時間映像化技術への期待は大きい。
M. Tsuchiya and T. Shiozawa, "Photonics makes microwaves visible," Research Highlights, IEEE Photonics Society Newsletter, Vol. 26, Number 6, December 2012, pp. 9-17.
従来の電界映像化技術に求められる改善すべき点として、センサーヘッドとなる電気光学結晶と平面回路とを密着させる必要があることである。これは、空間分解能を劣化させないための要請であるが、観察の際の非侵襲性を劣化させてしまう。
また、回路表面に有限高さの部品が実装されていたり、電極が埋没していたりする場合には、回路と電気光学結晶との密着は妨げられる。特に、機械的2次元走査を避けて撮像時間短縮を図る電気光学結晶板の場合には、電気光学結晶板が比較的大型のものとなるため、そのような密着は不可能である場合が多い。また、機械的二次元走査を行う場合にも、部品間にセンサーを挿入するためには煩雑な操作が必要となり、場合によっては挿入が不可能となる。侵襲性が増大する場合もある。
このような場合には、電気光学結晶底面や二次元走査面を回路表面から有限の高さに保って撮像することになるが、その場合には横方向空間分解能が劣化し、十分な横方向空間分解能が得られないことがある。この劣化は、基板表面の回路パタンを源とするエバネッセント電界が上空に至る途中で横方向に広がることで基板表面における空間分解能が劣化するためであり、いわばピンボケ状態での撮像となる。
本発明の電界イメージング方法は、電界センサーとセンサー信号処理部と画像信号処理系と表示手段とを備える電界イメージング装置を用いて被測定物の高周波回路から染み出る高周波電界の2次元平面分布(以下、高周波電界分布と略記)を検出して画像化する方法であって、
(1)上記被測定物の表面から所定の離間距離を有する位置において、上記電界センサーにより上記の表面の垂直方向の電界についての高周波電界分布を検出し、
(2)上記センサー信号処理部を用いて上記電界センサーからの信号を処理して画像信号に変換し、
(3)画像信号処理系を用いた上記画像信号の処理においては、(2)で上記画像信号に変換された上記高周波電界分布が上記被測定物の表面での垂直方向の高周波電界分布に連動するものとして、上記高周波電界分布のフーリエ変換関数を、上記2次元平面分布の2次元平面(D平面)上の点Qと上記被測定物の表面の2次元平面(S平面)上の点Pとの距離の3乗の逆数のフーリエ変換関数(Cと記す)で割り算しフーリエ逆変換を行った結果、または、1/Cをフーリエ逆変換したものでD平面で検出された上記高周波電界分布をデコンボリューションした演算結果に比例した演算結果を用いて、上記検出された高周波電界分布のみのデータから上記表面での上記垂直方向の高周波電界分布を逆算し、
(4)上記の逆算で得られた高周波電界分布を表示または出力する、ことで、上記被測定物への擾乱を抑制しつつ、上記電界センサーの上記検出の位置よりも上記被測定物により近づいた位置または上記被測定物の表面に相当する位置での高周波電界分布を画像化することを特徴とする。
ここで、上記の表面には、配線層面や電極面あるいは、それらの面を覆う誘電体層がある場合には、その誘電体層の表面を充てることができる。
電気光学結晶板を上記電界センサーとして用いることで得られる光学的並列性を利用して高周波電界分布の一括撮像を行うことができる。
上記の逆算においては、上記検出された高周波電界分布のみのデータから上記被測定物表面の電荷分布を求め、ガウスのフラックス定理を用いて上記電界センサーの上記検出の位置よりも上記被測定物により近づいた位置または上記被測定物の表面に相当する位置での高周波電界分布をこの電荷分布のみのデータから求めることができる。
また、上記の逆算における電界センサーと被測定物の表面間の上記の所定の離間距離は、上記の検出された高周波電界分布から逆算された上記の高周波電界分布の分解能が最適になる離間距離を上記の所定の離間距離として用いることで、連続して他の被測定物で高周波電界分布のイメージングを行う場合、上記の所定の離間距離に数値を入力することを省略することができる。
また、記(3)で得られる表面の高周波電界分布について、所定の窓関数を乗じた後、空間周波数スペクトルに分解し、所定の濾波特性を持った空間スペクトルフィルタで濾波し、フーリエ逆変換を行って、所定の空間周波数濾波を行ってもよい。
上記空間スペクトルフィルタは、少なくとも高周波数端のスペクトル抑圧度が上記空間周波数スペクトルでの平均に比べて大きいものであることが望ましい。また、高週波数端の他に特定の空間周波数のスペクトルを抑圧することが望ましい場合もある。
被測定物表面の電界測定で、その表面から少し離れた位置から観測してその被測定物への擾乱を抑制しつつ、上記電界センサーの上記検出位置よりも上記被測定物により近づいた位置または上記被測定物の表面に相当する位置での高周波電界分布を画像化することが可能になる。
(a)は、本発明の電界イメージング方法を適用できる装置例を示す図、(b)は電界センサー2の断面を保持機構例と併せて示す図である。 本発明の対象とする装置のブロック図である。 電気光学結晶板の位置について、(a)密着性電界カメラ観察の場合、(b)非密着性電界カメラ観察の場合を示す図で、この解析のために(c)基板表面の電荷と上空の電界の関係を示す。二次元走査の場合には、電気光学結晶板が走査面に相当する。 本発明の原理に従う処理例(ここでは、電気光学結晶板をセンサとして用いるDEI処理例)の流れを示すフローチャートである。 シミュレーションによって得られた高周波電界分布イメージにDEI処理を適用した結果を示す。(a)はhが0.001、0.5および1.0mmの場合の複素指数表示の実数部分であり、(b)と(c)はDEIの結果で高さhが0.5mm、(d)と(e)はDEIの結果で高さhが1.0mmで(a)の場合に対応し、Mは窓関数W2(図4)の半値半幅をピクセル数で表した値に相当する。 図5のDEI結果における電界分布幅(FWHM)の(a)は窓関数W2の幅Mの逆数に対する依存性を示し、点線はMで定まる不確定性の幅を示す。(b)Bは関数のh値依存性を示し、点線はM=60で定まる不確定性の幅を示す。○と◆は、それぞれ0.5mmと1.0mmの高さに対するDEI結果を示し、実線Rおよび実線Bはそれぞれのシミュレーション結果の電界分布幅で、実線Gはマイクロストリップ線路幅である。 実験結果を示す図である。(a)、(b)、(c)のそれぞれは、バンドパスフィルタ、ミアンダ線路、CRLH線路上の2GHz信号の伝搬を撮像した結果(LEI)およびDEI適用結果を示す。光学像の列はEO結晶板を透過して撮影された試料表面のCCD映像で、図1(b)におけるh0は0.5mmの場合である。(d)はh0=0mmに対する結果を示す。(e)は(d)の拡大図である。
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の説明においては、同じ機能あるいは類似の機能をもった装置に、特別な理由がない場合には、同じ符号を用いるものとする。
本発明の電界イメージング方法を適用できる装置例を図1に示す。図1(a)に示す電界カメラでは観察対象の被測定物1である平面回路の直上に電気光学結晶板を用いた電界センサー2が配置される。周波数fRFで動作している上記回路から染み出るエバネッセント電界の分布に対応して電気光学結晶板中に屈折率変化の分布が発生する。局部発振器14からのLO(局部発振)周波数fLOで変調されたレーザー光源10からのレーザー光ビームにより、その屈折率変化が読み取られ、同時に周波数変換が生ずる。最終的にIF(中間周波数:fIF=fRF−fLO)信号の強度変調分布を含むレーザービームとなり、このレーザービームがイメージセンサ(高速CMOS)イメージセンサ12(IS、読み込み周波数fIS)によって受光され、信号処理部と表示部とを備えたコンピュータ13で信号処理され、また高周波電界分布イメージが実時間で表示される。
図1(b)に電界センサー2の断面を保持機構例と併せて詳細に示す。この例では、ZnTe(0.35mm厚)の電気光学結晶板2bの被測定物側にサファイア層2a(0.2mm厚)レーザービーム側に水晶層2c(0.5mm厚)を設けたものを、ポリアセタール製ホルダー2dにポリイミドテープ2e(0.07mm厚)で留めたものである。
図2は、本発明を適用するための装置のブロック図である。つまり、電界センサー52とセンサー信号処理部53と画像信号処理系54と表示装置55とを備える電界イメージング装置のブロック図である。この装置を用いて被測定物1の高周波回路51から染み出る高周波電界の2次元分布を検出する。図1(a)との関連では、電界センサー52に電界センサー2が相当し、センサー信号処理部53には、偏光の変化を検出するための光学系であって、レーザー光源から偏光分岐器7を通り電界センサー2で偏光変調されて反射され偏光分岐器7を通りイメージセンサ12までの光学系とデバイスが相当し、画像信号処理系54と表示装置55とにはコンピュータ13が相当する。
図2においては、電界イメージング装置の例を示したが、磁界分布を画像化する磁界イメージング装置を本発明に用いることは可能である。この場合、磁界センサーを用い、また、センサー信号処理部はその磁界センサーからの信号を表面の磁界分布の画像信号に変換する。
また、図2には、高周波電界分布は、イメージセンサ12で、ほぼ一括で取得する例を示すが、小規模の電界センサーを走査することで、その電界センサー規模よりも大面積の領域の高周波電界分布を画像化することができることは、既によく知られている。
ここで、観察対象の平面回路としてマイクロストリップ線路21を考える(図3)。電気光学結晶板22の底面をマイクロストリップ線路21の上面電極に密着させた状態(図3(a))が、この測定系の空間分解能の上限を与えることは自明である。これに対して本発明では、図3(b)のように電気光学結晶板が上面電極からhだけ離間しているものとする。
<原理>
まず、電磁気学モデルとして図3(c)を考える。z<0の空間が比誘電率εrの誘電体で満たされており、z=0のxy面上には電荷分布ρ(x,y)が存在すると仮定する。ρ(x,y)は平面回路や電気信号によって規定されたものとする。今、xy平面上の一点P(x,y,0)およびhだけ上空にある別の点Q(u,v,h)に着目する。電磁気学に従うと、点Pの電荷分布ρ(x,y)により点Qに発生する電界E0は直線PQの方向にあり、ε0を真空の誘電率として次式で与えられる。
基板表面上(S平面)の電荷の全てが寄与することによって生ずる電界ベクトルで点Qにおける値E(u,v,h)は上式のxy平面内の面積分で与えられ、次の関係を得る。
z方向の電界成分EZに注目すると、次のように表すことが出来る。ここで、*は畳み込み(コンボルーション)演算を表す。
上式がaとbに関する畳み込み積分であることに着目し、フーリエ空間での乗算関係を利用すると次の式を得る。
Z、bのフーリエ変換を、それぞれ、εZ、Bと示した。FとF-1は、それぞれ、フーリエ変換とフーリエ逆変換を表す。
ここで、ガウスの法則(ガウスのフラックス定理)をz=0のxy平面(S平面)に適用すると次式を得る。
この数式によって、D平面のEZ像からS平面のEZ像が分かる。これが、本手法の原理である。
上記の原理の説明は、フーリエ空間で割り算してフーリエ逆変換を行う、という方法に関するが、同じ結果を得る方法として、1/Bをフーリエ逆変換したものでE(x、y、h)をデコンボリューションする、という方法もある。本発明においては、原理的にはこれらの何れの方法で処理してもよいが、データ処理における丸め誤差等の影響を受けづらい方法をとる事が望ましい。
この原理が適用できる周波数範囲は、数5が静電界における関係式であることから、エバネッセント電界が距離rを伝搬する時間の上限により与えられると考えられる。より詳細な吟味のためにはエバネッセント電界の伝搬速度が吟味される必要がある。
<イメージ処理の手順>
図4は、上記原理に従う処理(DEI処理)の流れを示すフローチャートである。まず、電界センサー+センサー信号処理部(31)でLEI像を取得するが、z=hにおけるEzイメージ(32)は、位相情報を包含する複素数のフェーザ映像とする。画素数と画素間隔は、例えばそれぞれ、電界カメラの100×100と0.25mmである。因みに、電界カメラの画素数はさらに大きなものが望ましく、画素間隔は一般に細密なものが望ましい。これから得られる100×100のイメージにFFT(高速フーリエ変換)を施す際、周辺画素が有限値を有すると不連続に起因する雑音が発生するため、例えば、2乗余弦(raised-cosine)窓関数W1(33)を用いる。窓関数としては、他に種々のものが知られており、雑音の発生を抑制できるものを選択して用いればよい。
この際のフーリエ変換(34)には、例えば、画像処理ソフトウェアImageJのFFTプラグインを用いることができる(ImageJは、科学分野での多次元イメージ向けのイメージ処理プログラムでオープンソースである)。また、b関数(36)についても同様である。フーリエ空間(37)でのピクセル間隔Δkは2π/Δ×N(例えばN=128)で与えられる。他のフーリエ変換ソフトウェアでは、フーリエ変換あるいはフーリエ逆変換のNの値として2の累乗以外の設定が可能なものもある。
また、フーリエ空間でのBによる除算(38)の結果、空間周波数が高い成分に過剰な雑音成分が発生する場合がある。これを抑圧するために、例えば、2乗余弦型の窓関数W2(39)を用いる。また、高週波数端の他に特定の空間周波数のスペクトルを抑圧することが望ましい場合もある。この場合も、窓関数としては、種々のものが知られており、雑音の発生を抑制できるものを選択して用いればよい。その窓関数の半値半幅をピクセル数で表す量をMとする。フーリエ逆変換(40)には、例えばImageJのFFT機能を利用することができる。この結果、h=0でのDEI像(41)を得る。
<シミュレーションによる検証>
上記の原理を検証するために数値シミュレーション結果への適用を行った。数値シミュレーションは、EZ(Z=0)とEZ(Z=h)の双方が把握できるため、原理適用の効果を精査する際に有用である。
具体的には、厚さ1.6mmのFR4基板に形成された線幅0.3mmのマイクロストリップ線路(つまり、ガラスエポキシ基板上の線路)に6GHzの信号を右から左に伝搬させるモデルを想定し、汎用電磁界シミュレータHFSSを用いて基板上空の電磁界分布を求めた。hは0.5mmと1.0mmとした。その結果であるEz分布を、図5(a)と(c)に示す(但し、(a)と(c)は、複素電界フェーザ映像の実部のみで、窓関数W1が乗じられている)。ここで、電界映像は8ビットグレイスケールで表示されているが、輝度とコントラストは画像ソフトImageJのアルゴリズムにより自動調整されている点に注意されたい。これらの図におけるマイクロストリップ線路像の分布幅は、上記線幅より明らかに大きく、それぞれの半値全幅は0.88mmおよび1.37mmである。
<空間分解能のM依存性>
まず、数1から6のhについて、h=0.5mmの場合に対して、空間分解能のM(半値全幅)依存性を調べた。結果を図5(a)および図6(a)に示す。Mが無限大の場合、すなわち、窓関数を用いない場合には、若干のノイズ重畳が見られるものの、十分に高い空間分解能が示されていると考えられる。縦方向の分布幅(FWHM)は0.34mmと読み取れる。この値はマイクロストリップ線路の上部電極幅0.3mmに近く、ピクセル間隔0.25mmを考慮すると、量子化誤差の範囲内にとどまっており、本原理が半ば実証されたみることができる。
他方、Mを減ずるとイメージ上の分布幅(FWHM)は増大する。処理前の分布幅を凌駕する場合も生ずる。これは、窓関数がフーリエ空間での高周波成分を制限するためとして説明される。実際、図6(a)では1/Mに比例する形で分布幅が増大する傾向が示されている。M=25の場合は例外となっているが、その原因は現時点で不明である(W1による線幅狭窄の影響ではない)。
同様のM依存性をh=1.0mmの場合に調べた結果を、図5(c)および図6(a)に示す。M依存性はh=0.5mmの場合とほぼ同じであるが、Mが適正値よりも大きくなると、本来の電界成分よりも雑音成分が大きくなり、高周波電界分布イメージが形成されない。これは、hの増大と共に、空間分解能に制約が生ずることを示唆する。
<h依存性>
次に、b(またはB)関数のh値(=hb)を変化させ、その影響を調査した。実際の電界カメラ観察では、電気光学結晶板と基板表面との距離の計測に誤差が加わる可能性があるため、本発明の原理におけるhb依存性の緩急の度合いは重要な情報である。
h=0.5mmの場合には窓関数を用いず、h=1.0mmの場合にはM=60の窓関数を用いた。それぞれ、結果を図5(b)(d)と図6(b)に示す。
まず、hb値がh値と比較して小さい場合、hb値の乖離に応じて空間分解能が劣化する傾向が認められる。また、hb値がh値と比較して過剰となる場合には、ノイズ成分が増大する。これらは、本原理が単なるエッジ強調プロセスではないことを明示すると共に、実際の適用の場合には、hb値の最適化調整プロセスが必要となることを意味する。顕微鏡観察の際に対物レンズに対する試料の位置を調整するプロセスと類似すると考えられる。ともあれ、今回のパラメータに関してはhbに求められる精度は±0.1mm程度である。
<空間分解能について>
以上の結果より、hbおよびMに対して適切な条件が設定されれば、本発明により空間分解能が改善されることが判明した。また、h=0.5mm程度以下の場合には、Mの制限を受けない状況が実現されるため、h=0mmにおける空間分解能に肉薄する結果が得られることも判明した。
なお、以上の議論では電気光学結晶板の厚さを考慮していない。すなわち、厚さゼロの電気光学結晶板を想定している。実際の電界カメラでは有限厚さの電気光学結晶板を用いており、その内部ではz方向の積分効果が生ずる。この影響を修正することによって、さらに分解能を改善できる。また、逆に、分解能が最適になる高さを求めることによってこの修正を行うことができる。
<実験による確認>
実際の電界カメラを用いてDEIの有効性を実証した。
<実験装置>
実験系は、図1(a)に示したものである。同図(b)には電気光学結晶板の断面が保持機構と併せて描かれている。電気光学結晶板は、厚さ0.35mmのものを選択したが、厚さ0.2mmのサファイア製保護板や厚さ0.07mmのポリイミドテープが試料との間に介在する。ここでは、試料上面からポリイミドテープ下端の距離をh0と定義する。
<実験結果>
実験結果を図7に示す。(a)、(b)、(c)のそれぞれは、バンドパスフィルタ、ミアンダ線路、CRLH線路上の2GHz信号の伝搬を撮像した結果(LEI)およびDEI適用結果を示す。いずれも平面回路であり、部品は実装されていない。光学像の列はEO結晶板を透過して撮影された試料表面のCCD映像で、h0は0.5mmの場合である。(d)はh0=0mmに対する結果を示す。(e)は(d)の拡大図である。
<具体例1>
様々なM値とhb値を試行し、空間分解能の改善が最高となる条件を探索したところ、h0=0.5mmに対してはM=35およびhb=0.75mmが該当することが判明した。図7(a)−(c)に見られるように、明らかな空間分解能の改善が認められる。hb=h0+0.25mmが最適条件となったのは、図1(b)にある電気光学結晶板のホルダー構造によるものと考えられる。電気光学結晶板の厚さの影響は不明である。
<具体例2>
0=0mmの条件であっても、実質的には、電気光学結晶板と試料上面との間には有限の乖離があることは上記議論で明白である。よって、h0=0mmもDEIの対象となる。CRLH線路に対する撮像結果について、hb=0.25mmのDEIを適用したところ、明らかな空間分解能の改善が見られた(図7(d))。0.38mm間隔で並ぶ櫛の歯電極の各々からの電界が鮮明に分離されている。
この様に、上記の表面には、配線層面や電極面あるいは、それらの面を覆う誘電体層がある場合には、その誘電体層の表面を充てることができる。
回路表面に有限高さの部品が実装されていたり、電極が埋没していたりする場合に対しても、高精細電界映像が実時間で取得でき、電界イメージング技術の適用対象が格段と広域化することは明らかである。本発明により、従来は困難だった部品実装済み回路、三次元回路、超微細回路などの信号の高精細撮像が侵襲性を極力抑圧した形で可能となり、その瞬時化も可能となる。
高速通信機器やネットワーク、制御回路(自動車、産業機械など)、およびそれらに用いられるコンポーネント等に本発明を適用した場合、その動作や故障、EMIなどの解析診断に必要とされる時間が大幅に短縮され、コストと性能面での競争力が上昇することが見込まれる。
また、高周波電界分布の時間的変化として表示する際に用いる動画は、順次変化する静止画を順次表示することで動画とする通常の動画と同様にして表示することができる。つまり、高周波電界分布についても、順次変化する画像化された高周波電界分布を順次表示することで、その動画表示を行うことは容易である。
1 被測定物
2 電界センサー
2a サファイア層
2b 電気光学結晶板
2c 水晶層
2d ポリアセタール製ホルダー
2e ポリイミドテープ
3 ダイクロイックミラー
4 光源
5 CCDカメラ
6a、6b 偏光調整器
7 偏光分岐器
8 集光レンズ
9 ビームエキスパンダー
10 レーザー光源
11 集光レンズ
12 イメージセンサ
13 コンピュータ
14 局部発振器
15 高周波発振器
16 アンプ
20 誘電体
21 マイクロストリップ線路
22 電気光学結晶板
31 電界センサー+センサー信号処理部
32 Ezイメージ
33 窓関数W1
34 フーリエ変換
35 (未記入)
36 b関数
37 フーリエ空間
38 フーリエ空間でのBによる除算
39 窓関数W2
40 フーリエ逆変換
41 DEI像
42 表示装置
51 高周波回路
52 電界センサー
53 センサー信号処理部
54 画像信号処理系
55 表示手段

Claims (6)

  1. 電界センサーとセンサー信号処理部と画像信号処理系と表示手段とを備える電界イメージング装置を用いて被測定物の高周波回路から染み出る高周波電界の2次元平面分布(以下、高周波電界分布と略記)を検出して画像化する方法であって、
    (1)上記被測定物の表面から所定の離間距離を有する位置において、上記電界センサーにより上記の表面の垂直方向の電界についての高周波電界分布を検出し、
    (2)上記センサー信号処理部を用いて上記電界センサーからの信号を処理して画像信号に変換し、
    (3)画像信号処理系を用いた上記画像信号の処理においては、(2)で上記画像信号に変換された上記高周波電界分布が上記被測定物の表面での垂直方向の高周波電界分布に連動するものとして、上記高周波電界分布のフーリエ変換関数を、上記2次元平面分布の2次元平面(D平面)上の点Qと上記被測定物の表面の2次元平面(S平面)上の点Pとの距離の3乗の逆数のフーリエ変換関数(Cと記す)で割り算しフーリエ逆変換を行った結果、または、1/Cをフーリエ逆変換したものでD平面で検出された上記高周波電界分布をデコンボリューションした演算結果に比例した演算結果を用いて、上記検出された高周波電界分布のみのデータから上記表面での上記垂直方向の高周波電界分布を逆算し、
    (4)上記の逆算で得られた高周波電界分布を表示または出力する、ことで、上記被測定物への擾乱を抑制しつつ、上記電界センサーの上記検出の位置よりも上記被測定物により近づいた位置または上記被測定物の表面に相当する位置での高周波電界分布を画像化することを特徴とする電界イメージング方法。
  2. 電気光学結晶板を上記電界センサーとして用いることで得られる光学的並列性を利用して高周波電界分布の一括撮像を行うことを特徴とする請求項1に記載の電界イメージング方法。
  3. 上記の逆算においては、上記検出された高周波電界分布のみのデータから上記被測定物表面の電荷分布を求め、ガウスのフラックス定理を用いて上記電界センサーの上記検出の位置よりも上記被測定物により近づいた位置または上記被測定物の表面に相当する位置での高周波電界分布をこの電荷分布のみのデータから求めることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の電界イメージング方法。
  4. 上記の逆算における電界センサーと被測定物の表面間の上記の所定の離間距離は、上記の検出された高周波電界分布から逆算された上記の高周波電界分布の分解能が最適になる離間距離を上記の所定の離間距離として用いることで、上記の所定の離間距離に数値を入力することを省略することを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の電界イメージング方法。
  5. 上記(3)で得られる表面の高周波電界分布について、所定の窓関数を乗じた後、空間周波数スペクトルに分解し、所定の濾波特性を持った空間スペクトルフィルタで濾波し、フーリエ逆変換を行って、所定の空間周波数濾波を行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の電界イメージング方法。
  6. 上記空間スペクトルフィルタは、少なくとも高周波数端のスペクトル抑圧度が上記空間周波数スペクトルでの平均に比べて大きいものであることを特徴とする請求項5に記載の電界イメージング方法。
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