JP6616520B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6616520B2 JP6616520B2 JP2018542478A JP2018542478A JP6616520B2 JP 6616520 B2 JP6616520 B2 JP 6616520B2 JP 2018542478 A JP2018542478 A JP 2018542478A JP 2018542478 A JP2018542478 A JP 2018542478A JP 6616520 B2 JP6616520 B2 JP 6616520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- processing region
- processing
- active species
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 231
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 88
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 25
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 11
- 238000006057 reforming reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
(1)基板処理装置の構成
本発明の第1実施形態に係る基板処理装置は、処理炉としてのプロセスチャンバ202を備えている。
図1及び図2に示されているように、プロセスチャンバ202は、円筒状の気密容器である反応容器203を備えている。反応容器203内には、ウエハ200を処理する処理室201が形成されている。
仕切板205の下側、すなわち反応容器203内の底側中央には、反応容器203の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成された基板載置台としてのサセプタ217が設けられている。サセプタ217は、ウエハ200の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。
サセプタ217の内部には、加熱部としてのヒータ218が一体的に埋め込まれており、ウエハ200を加熱できるように構成されている。ヒータ218に電力が供給されると、ウエハ200表面が所定温度にまで加熱可能に構成されている。
第1処理領域201aにおける反応容器203の天井部には、第1ガス導入部281が設けられている。第1ガス導入部281の上端に設けられた第1ガス導入口281aには、第1ガス供給管231aの下流端が接続されている。第1ガス導入部281は、スリット状に開口する第1ガス噴出口283から第1処理領域201aに、第1ガス供給管231aから供給された第1元素含有ガスを噴出させるように構成されている。第1ガス供給管231aには、第1元素含有ガス供給源231b、マスフローコントローラ(MFC)231c、及び開閉弁であるバルブ231dが設けられている。
反応容器203の天井部の中央部には、不活性ガス導入部282が設けられている。不活性ガス導入部282の第1パージ領域207a側および第2パージ領域207b側における側壁には、それぞれ第1パージ領域207aに開口する第1不活性ガス噴出口256、第2パージ領域207bに開口する第2不活性ガス噴出口257が設けられている。
反応容器203の天井部であって、第2処理領域201bの上方には、連通口203aが設けられている。連通口203aには後述するプラズマ生成室290が接続される(プラズマ生成室290の開口部を連通口203aとしてみなしてもよい)。さらにプラズマ生成室290の上部には、天井292に設けられた酸素含有ガス噴出孔294b及びバッファ室294aが設けられている。バッファ室294aの上部には酸素含有ガス導入孔292aが設けられており、酸素含有ガスがバッファ室294a及び酸素含有ガス噴出孔294bを介してプラズマ生成室290内に供給される。
図2に示されているように、反応容器203の底部には、反応容器203内を排気する排気口240が設けられている。各々の排気口240には、排気管241の上流端が接続されている。排気管241の合流部分よりも下流側には、圧力センサ248、APC(Auto Pressure Controller)バルブ243、およびバルブ245を介して、真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力となるよう真空排気し得るように構成されている。主に、排気管241、APCバルブ243及びバルブ245により排気系が構成される。
図2及び図3に示されているように、反応容器203の第2処理領域201bにおける天井部には、少なくとも反応容器203の半径方向においてウエハ200の基板径よりも長い開口部を有する連通口203aが設けられている。連通口203aの上部には、プラズマ生成室290が接続されている。プラズマ生成室290は側壁291及び天井292を有する。
図4に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ300は、CPU(Central Processing Unit)301a、RAM(Random Access Memory)301b、記憶装置301c、I/Oポート301dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM301b、記憶装置301c、I/Oポート301dは、内部バス301eを介して、CPU301aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ300には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置302が接続されている。
続いて、本実施形態に係る半導体製造工程の一工程として、プロセスチャンバ202を備える基板処理装置を用いる基板処理工程について説明する。
まず、サセプタ217をウエハ200の搬送位置まで下降させることにより、ウエハ突き上げピン266がサセプタ217表面よりも突出した状態とする。続いて、ウエハ移載機を用いて、所定枚数(5枚)のウエハ200(処理基板)をウエハ突き上げピン266上にそれぞれ水平姿勢で載置する。続いて、サセプタ217を上昇させることにより、各載置部217b上にウエハ200を載置する。更に、ゲートバルブ151を閉じて反応容器203内を密閉し、真空ポンプ246を、少なくとも基板搬入・載置工程(S102)から後述する基板搬出工程(S106)が終了するまでの間、常に作動させた状態とする。
薄膜形成工程S104では、第1処理領域201a内に第1元素含有ガスであるTMAガスを供給し、第2処理領域201b内に酸素含有ガスである混合ガスを供給してウエハ200上にAl2O3膜を形成する。
ウエハ200が各ウエハ載置部217bに載置されたら、回転機構267によってサセプタ217の回転を開始する。サセプタ217の回転速度は例えば1回転/分以上100回転/分以下である。
ウエハ200が所望とする温度に達し、サセプタ217が所望とする回転速度に到達したら、第1処理領域201a内に不活性ガスと共にTMAガスの供給を開始し、更に第2処理領域201b内に混合ガスを供給する。
次に、プラズマ生成部270のコイル293に高周波電力の供給を開始することによって、第2処理領域201bの上部空間であるプラズマ生成室290内において混合ガスをプラズマ状態で励起する。
その後、プラズマ生成部270によるプラズマ生成を継続し、ウエハ200の上にAl2O3の層を形成していく改質工程S208を行う。改質工程S208では、ウエハ200が第1処理領域201a、第1パージ領域204a、第2処理領域201b、第2パージ領域204bの順に通過するようにサセプタ217が継続して回転している。これによりウエハ200には、TMAガスの供給、不活性ガスの供給、プラズマ状態とされた混合ガスの供給、不活性ガスの供給を1サイクルとして、このサイクルが順に実施される。
ウエハ200が第1処理領域201aを通過するときに、TMAガスがウエハ200に供給される。ウエハ200表面の上には、TMAガスがウエハ200の上に接触することによって「第1元素含有層」としてのAl含有層が形成される。
次に、ウエハ200は第1パージ領域204aに移動する。ウエハ200が第1パージ領域204aを通過するときに、第1処理領域201aにおいてウエハ200に結合できなかったTMAガスの成分が、不活性ガスによってウエハ200上から除去される。
次に、ウエハ200は第2処理領域201bに移動する。ここでウエハ200は、小判型形状もしくは楕円形状をした側壁291の水平断面(連通口203aと同一形状)の長辺方向と直交するように回転方向Rに移動しながらプラズマ生成室290の下方を通過する。
次に、ウエハ200は第2パージ領域204bに移動する。ウエハ200が第2パージ領域204bを通過するときに、第2処理領域201bにおいてウエハ200に結合できなかった混合ガスの成分が、不活性ガスによってウエハ200上から除去される。
この間、コントローラ300は、上記1サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。具体的には、コントローラ300は、サセプタ217の回転数をカウントする。所定回数実施していないとき(S310でNoの場合)はさらにサセプタ217の回転を継続させて、S302、S304、S306、S308のサイクルを繰り返す。所定回数実施したとき(S310でYesの場合)は改質工程S208を終了する。
次に、改質工程208の後に、プラズマ生成部270の電力供給を停止し、プラズマ生成を停止する。
プラズマ生成停止S210の後、少なくともバルブ232d及びバルブ233dを閉じ、第1元素含有ガス及び混合ガスの第1処理領域201a及び第2処理領域201bへの供給を停止する。
ガス供給停止S212の後、サセプタ217の回転を停止する。以上により、薄膜形成工程S104が終了する。
次に、サセプタ217を下降させ、サセプタ217の表面から突出させたウエハ突き上げピン266上にウエハ200を支持させる。その後、ゲートバルブ151を開き、ウエハ移載機を用いてウエハ200を反応容器203の外へ搬出する。以上により、基板処理工程を終了する。
ここで、改質工程S208におけるAl2O3の層の形成において、以下のような課題が存在する。
比較例1では、本実施形態におけるプロセスチャンバ202を用いて、以下の処理条件においてAl2O3膜の形成処理を行った。処理手順は上述の本実施形態のものと同様である。以下の処理条件では、プラズマ励起される酸素含有ガスとしてO2ガスのみを用いており、H2ガスの混合は行っていない。
・高周波電力:500W
・供給流量1(TMAガス/N2ガス):20sccm/225sccm
・供給流量2(O2ガス/H2ガス):3000sccm/供給無し
・処理室内圧力:120Pa
・基板温度:200℃
・サセプタ回転速度:60rpm
・処理時間:25min
一方、本実施形態の第1の実施例として、以下の処理条件においてAl2O3膜の形成処理を行った。第1の実施例と比較例1との処理条件における違いは、酸素含有ガスにおけるH2ガスの混合の有無のみである。
・供給流量1(TMAガス/N2ガス):20sccm/225sccm
・供給流量2(O2ガス/H2ガス):2750sccm/250sccm
a)比較例1
・面内膜厚均一性[±%]:2.30%
・面内膜厚均一性[ρ%]:1.46%
・面内最大膜厚差:85.19Å
・成膜レート[Å/サイクル]:1.23
b)第1の実施例
・面内膜厚均一性[±%]:0.76%
・面内膜厚均一性[ρ%]:0.55%
・面内最大膜厚差:29.95Å
・成膜レート[Å/サイクル]:1.32
続いて第2の実施例として、酸素含有ガスにおけるO2ガスとH2ガスの流量比率を変化させ、それぞれの流量比率におけるウエハ200の面内膜厚均一性と、形成されるAl2O3膜の膜質を示すWERを測定した。図7にその測定結果を示す。なお、処理条件はO2ガスとH2ガスの流量比率以外は、第1の実施例と同じである。
続いて、本実施形態においては第1元素含有ガスとしてTMAガスを用いるのに対して、第2元素含有ガスとして四塩化チタン(TiCl4)ガスを用いる例を比較例2として説明する。比較例2では、TiCl4ガスを用いることにより、ウエハ200上に酸化チタン(TiO)膜を形成する。
・供給流量1(TiCl4ガス/N2ガス):60sccm/350sccm
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
201a 第1処理領域
201b 第2処理領域
203 反応容器
206 プラズマ生成部
217 サセプタ
Claims (10)
- 処理室内に回転自在に設けられた基板載置台上に、前記基板載置台の回転方向に沿って複数の基板を載置する工程と、
前記基板載置台の回転方向に沿って前記処理室内に設けられた第1処理領域および第2処理領域を前記基板が通過するように前記基板載置台を回転させる工程と、
前記第1処理領域内に第1元素を含有する第1元素含有ガスを供給する工程と、
酸素ガス及び水素ガスを含む混合ガスをプラズマ励起して活性種を生成し、前記活性種を前記第2処理領域内に供給する工程と、を有し、
前記混合ガスにおける酸素ガスと水素ガスの比率は95:5〜50:50の範囲の所定の比率である、
半導体装置の製造方法。 - 前記混合ガスにおける酸素ガスと水素ガスの比率は90:10〜50:50の範囲の所定の比率である、請求項1記載の方法。
- 前記基板を前記基板載置台上に載置する工程の後、前記基板を100℃以上300℃未満の範囲の所定温度に加熱する工程を更に有する、請求項1記載の方法。
- 前記基板を所定温度に加熱する工程では、前記基板を100℃以上200℃以下の範囲の所定温度に加熱する、請求項3記載の方法。
- 前記第1元素含有ガスは、メチル基を有する有機金属化合物を含むガスである、請求項1記載の方法。
- 前記有機金属化合物は、トリメチルアルミニウムである、請求項5記載の方法。
- 前記活性種を前記第2処理領域内に供給する工程では、前記活性種を前記第2処理領域に設けられた活性種供給口を介して前記第2処理領域内に供給する、
請求項1記載の方法。 - 前記混合ガスはプラズマ生成部により励起され、
前記プラズマ生成部は、前記混合ガスが供給されるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の周囲に設けられ、高周波電力の印加を受けて前記プラズマ生成室内に供給された前記混合ガスをプラズマ励起するコイルと、を有し、
前記活性種供給口は、前記第2処理領域内を通過する前記基板に対向するように前記第2処理領域の上部に設けられる、
請求項7記載の方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の基板が載置される基板載置面を備えた基板載置台と、
前記基板載置面に載置された前記基板を加熱するよう構成された加熱部と、
前記基板載置台を回転させる回転機構と、
前記基板載置台の回転方向に沿って前記処理室内に設けられた、前記複数の基板を処理する第1処理領域および第2処理領域と、
前記第1処理領域に第1元素を含有する第1元素含有ガスを供給する第1元素含有ガス供給部と、
酸素ガス及び水素ガスを含む混合ガスをプラズマ励起して活性種を生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に前記混合ガスを供給する混合ガス供給部と、
前記第2処理領域内に設けられ、前記プラズマ生成部で生成された前記活性種を前記第2処理領域内に供給する活性種供給口と、
前記混合ガスにおける酸素ガスと水素ガスの比率が95:5〜50:50の範囲の所定の比率となるように前記混合ガス供給部を制御するように前記加熱部を制御するよう構成された制御部と、
を備える基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内に回転自在に設けられた基板載置台上に、前記基板載置台の回転方向に沿って複数の基板を載置する手順と、
前記基板載置台の回転方向に沿って前記処理室内に設けられた第1処理領域および第2処理領域を前記基板が通過するように前記基板載置台を回転させる手順と、
前記第1処理領域内に第1元素を含有する第1元素含有ガスを供給する工程と、
酸素ガス及び水素ガスを含む混合ガスをプラズマ励起して活性種を生成し、前記活性種を前記第2処理領域内に供給する手順と、を有し、
前記混合ガスにおける酸素ガスと水素ガスの比率は95:5〜50:50の範囲の所定の比率である、
コンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016191016 | 2016-09-29 | ||
JP2016191016 | 2016-09-29 | ||
PCT/JP2017/034048 WO2018061965A1 (ja) | 2016-09-29 | 2017-09-21 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018061965A1 JPWO2018061965A1 (ja) | 2019-01-31 |
JP6616520B2 true JP6616520B2 (ja) | 2019-12-04 |
Family
ID=61760685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542478A Active JP6616520B2 (ja) | 2016-09-29 | 2017-09-21 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6616520B2 (ja) |
WO (1) | WO2018061965A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020059133A1 (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 |
KR102686799B1 (ko) | 2018-11-08 | 2024-07-22 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 루테늄 전구체 및 환원 가스를 사용하는 화학 증착 공정 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4921837B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010126797A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
JP2014060309A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2016111291A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 株式会社Joled | 原子層堆積装置 |
-
2017
- 2017-09-21 WO PCT/JP2017/034048 patent/WO2018061965A1/ja active Application Filing
- 2017-09-21 JP JP2018542478A patent/JP6616520B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018061965A1 (ja) | 2018-04-05 |
JPWO2018061965A1 (ja) | 2019-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101846846B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
KR101141891B1 (ko) | 반도체 처리용의 산화 방법 및 장치와, 컴퓨터로 판독 가능한 매체 | |
US7811945B2 (en) | Selective plasma processing method | |
JP6124477B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 | |
JP5775633B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP5938491B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 | |
US20130022760A1 (en) | Plasma nitriding method | |
JPWO2006106665A1 (ja) | 基板の窒化処理方法および絶縁膜の形成方法 | |
WO2018055730A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP2015181149A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体 | |
US20170194135A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
JP2019140206A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP6616520B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP7165743B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP6436886B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP6342503B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
US10453676B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and recording medium | |
JP2011029416A (ja) | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 | |
JP6603413B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP2022124285A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
WO2020066800A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
WO2017014179A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
WO2023053262A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP7478832B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム | |
JP6224263B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6616520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |