JP6615544B2 - Flow rate adjusting device and processing device - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、流量調整装置及び処理装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a flow control device and a processing device.

複数の開口から流体を供給する装置が知られる。例えば、プラズマを用いる処理装置において、シャワープレートが複数の開口からガスを供給する。   Devices for supplying fluid from a plurality of openings are known. For example, in a processing apparatus using plasma, a shower plate supplies gas from a plurality of openings.

特開２０１０−２１４０４号公報JP 2010-21404 A

シャワープレートのような種々の装置において、複数の開口からそれぞれ供給される流体の量は一定であり、個別に制御し難い。   In various apparatuses such as a shower plate, the amount of fluid supplied from each of the plurality of openings is constant and difficult to control individually.

一つの実施形態に係る流量調整装置は、第１の壁と、複数の第２の壁と、外壁と、圧力調整部とを備える。前記第１の壁は、第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、を有する。前記複数の第２の壁は、互いに離間する位置で前記第２の面にそれぞれ接続され、前記第１の面に開口するとともに流体が通る複数の開口を形成し、それぞれが変形することにより前記開口の広さを変更可能である。前記外壁は、前記第１の壁を有し、前記複数の第２の壁を収容する。前記圧力調整部は、前記外壁の内部であって前記複数の第２の壁の間の圧力を変化させる。前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有する。前記圧力調整部は、前記第１の部屋の圧力と、前記第２の部屋の圧力と、を互いに異ならせる。 A flow control device according to one embodiment includes a first wall, a plurality of second walls, an outer wall, and a pressure adjustment unit . The first wall has a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface. The plurality of second walls are respectively connected to the second surface at positions spaced apart from each other, form a plurality of openings that open to the first surface and allow fluid to pass through, and are deformed by deforming each of the plurality of second walls. The size of the opening can be changed. The outer wall includes the first wall and accommodates the plurality of second walls. The pressure adjusting unit changes the pressure between the plurality of second walls inside the outer wall. The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall forming a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed. The pressure adjusting unit makes the pressure in the first chamber different from the pressure in the second chamber.

図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment. 図２は、第１の実施形態のシャワープレートの下面図である。FIG. 2 is a bottom view of the shower plate according to the first embodiment. 図３は、第１の実施形態のシャワープレートを、図２のＦ３−Ｆ３線に沿って示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the shower plate of the first embodiment along the line F3-F3 of FIG. 図４は、第１の実施形態のシャワープレートを、図２のＦ４−Ｆ４線に沿って示す断面図である。4 is a cross-sectional view of the shower plate according to the first embodiment taken along line F4-F4 of FIG. 図５は、第１の実施形態の筒壁が変形したシャワープレートを示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the shower plate in which the cylindrical wall of the first embodiment is deformed. 図６は、第２の実施形態に係るシャワープレートを下方向から見た断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the shower plate according to the second embodiment as viewed from below. 図７は、第３の実施形態に係るシャワープレートを下方向から見た断面図である。FIG. 7: is sectional drawing which looked at the shower plate which concerns on 3rd Embodiment from the downward direction. 図８は、第４の実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the fourth embodiment. 図９は、第４の実施形態のシャワープレートを下方向から見た断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the shower plate of the fourth embodiment as viewed from below. 図１０は、第５の実施形態に係るシャワープレートを下方向から見た断面図である。FIG. 10: is sectional drawing which looked at the shower plate which concerns on 5th Embodiment from the downward direction. 図１１は、第６の実施形態に係る筒壁が変形したシャワープレートを示す断面図である。FIG. 11: is sectional drawing which shows the shower plate which the cylinder wall concerning 6th Embodiment deform | transformed. 図１２は、第７の実施形態に係るシャワープレートの一部を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the shower plate according to the seventh embodiment.

以下に、第１の実施形態について、図１乃至図５を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、実施形態に係る構成要素や、当該要素の説明について、複数の表現を併記することがある。当該構成要素及び説明について、記載されていない他の表現がされることは妨げられない。さらに、複数の表現が記載されない構成要素及び説明について、他の表現がされることは妨げられない。   The first embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 5. In the present specification, basically, a vertically upward direction is defined as an upward direction and a vertically downward direction is defined as a downward direction. In addition, a plurality of expressions may be written together for the constituent elements according to the embodiment and the description of the elements. It is not precluded that other expressions not described in the component and description are made. Furthermore, it is not prevented that other expressions are given for the components and descriptions in which a plurality of expressions are not described.

図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置１０を概略的に示す断面図である。半導体製造装置１０は、処理装置及び流量調整装置の一例であり、例えば、製造装置、吸排気装置、供給装置、及び装置とも称され得る。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the first embodiment. The semiconductor manufacturing apparatus 10 is an example of a processing apparatus and a flow rate adjusting apparatus, and may be referred to as a manufacturing apparatus, an intake / exhaust apparatus, a supply apparatus, and an apparatus, for example.

処理装置は半導体製造装置１０に限らず、対象となる物体に、例えば加工、洗浄、及び試験のような処理を行う他の装置であっても良い。処理装置は、例えば、蒸着又はドライエッチングのための装置であっても良い。また、流量調整装置は半導体製造装置１０に限らず、液体又は気体のような流体を供給又は吸引するための他の装置であっても良い。   The processing apparatus is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus 10 and may be another apparatus that performs processing such as processing, cleaning, and testing on the target object. The processing apparatus may be, for example, an apparatus for vapor deposition or dry etching. Further, the flow rate adjusting device is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus 10 and may be another device for supplying or sucking a fluid such as liquid or gas.

各図面に示されるように、本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、半導体製造装置１０の幅に沿う。Ｙ軸は、半導体製造装置１０の奥行き（長さ）に沿う。Ｚ軸は、半導体製造装置１０の高さに沿う。   As shown in each drawing, in this specification, an X axis, a Y axis, and a Z axis are defined. The X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other. The X axis is along the width of the semiconductor manufacturing apparatus 10. The Y axis is along the depth (length) of the semiconductor manufacturing apparatus 10. The Z axis is along the height of the semiconductor manufacturing apparatus 10.

本実施形態の半導体製造装置１０は、三次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような半導体装置の半導体ウェハ（以下、ウェハと称する）１１を製造する。半導体製造装置１０は、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）によって、基板１２に例えばシリコンの膜１３を成長させることで、ウェハ１１を製造する。なお、半導体製造装置１０は、これに限らず、例えば他の半導体装置を製造しても良い。   The semiconductor manufacturing apparatus 10 of this embodiment manufactures a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) 11 of a semiconductor device such as a three-dimensional NAND flash memory. The semiconductor manufacturing apparatus 10 manufactures a wafer 11 by growing, for example, a silicon film 13 on a substrate 12 by plasma CVD (chemical vapor deposition). The semiconductor manufacturing apparatus 10 is not limited to this, and other semiconductor devices may be manufactured, for example.

図１に示すように、半導体製造装置１０は、製造部２１と、材料供給装置２２と、冷媒供給装置２３と、複数の供給管２４と、複数の排出管２５とを有する。材料供給装置２２は、供給部の一例である。冷媒供給装置２３は、媒体供給部の一例である。   As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 10 includes a manufacturing unit 21, a material supply apparatus 22, a refrigerant supply apparatus 23, a plurality of supply pipes 24, and a plurality of discharge pipes 25. The material supply device 22 is an example of a supply unit. The refrigerant supply device 23 is an example of a medium supply unit.

製造部２１は、筐体３１と、ステージ３２と、真空ポンプ３３と、電源３４と、シャワープレート３５とを有する。ステージ３２は、例えば、処理部、支持部、載置部、又は台とも称され得る。シャワープレート３５は、例えば、流路構造、構造体、部材、送部、又は流量調整装置とも称され得る。   The manufacturing unit 21 includes a housing 31, a stage 32, a vacuum pump 33, a power supply 34, and a shower plate 35. The stage 32 may also be referred to as a processing unit, a support unit, a placement unit, or a table, for example. The shower plate 35 may also be referred to as a flow path structure, a structure, a member, a feeding unit, or a flow rate adjusting device, for example.

筐体３１は、密封可能な箱状に形成される。筐体３１の内部に、チャンバ３１ａが設けられる。チャンバ３１ａは、処理室の一例である。チャンバ３１ａに、ステージ３２と、シャワープレート３５とが収容される。半導体製造装置１０は、チャンバ３１ａにおいてウェハ１１を製造する。   The casing 31 is formed in a sealable box shape. A chamber 31 a is provided inside the housing 31. The chamber 31a is an example of a processing chamber. The stage 32 and the shower plate 35 are accommodated in the chamber 31a. The semiconductor manufacturing apparatus 10 manufactures the wafer 11 in the chamber 31a.

真空ポンプ３３は、筐体３１のチャンバ３１ａに接続される。真空ポンプ３３は、チャンバ３１ａの気体を吸引する。真空ポンプ３３は、チャンバ３１ａを減圧し、例えば真空にする。なお、真空ポンプ３３の動作はこれに限らない。   The vacuum pump 33 is connected to the chamber 31 a of the housing 31. The vacuum pump 33 sucks the gas in the chamber 31a. The vacuum pump 33 depressurizes the chamber 31a, for example, to make a vacuum. The operation of the vacuum pump 33 is not limited to this.

ステージ３２は、支持部３２ａを有する。支持部３２ａは、Ｚ軸に沿う正方向（上方向）に向き、基板１２を支持する。支持部３２ａは、チャンバ３１ａで製造されたウェハ１１を支持する。   The stage 32 has a support portion 32a. The support part 32a faces the positive direction (upward direction) along the Z axis and supports the substrate 12. The support part 32a supports the wafer 11 manufactured in the chamber 31a.

電源３４は、高周波の交流電流を出力する。電源３４は、ステージ３２に接続される。電源３４は、ステージ３２を介して、支持部３２ａに支持される基板１２に高周波電圧を印加する。なお、電源３４の動作はこれに限らない。   The power supply 34 outputs a high-frequency alternating current. The power source 34 is connected to the stage 32. The power supply 34 applies a high-frequency voltage to the substrate 12 supported by the support portion 32 a via the stage 32. The operation of the power supply 34 is not limited to this.

シャワープレート３５は、ステージ３２から離間した位置で、ステージ３２の上方向に配置される。このため、ステージ３２の支持部３２ａに支持された基板１２（ウェハ１１）は、Ｚ軸に沿う方向において、ステージ３２とシャワープレート３５との間に位置する。   The shower plate 35 is disposed above the stage 32 at a position spaced from the stage 32. For this reason, the substrate 12 (wafer 11) supported by the support portion 32a of the stage 32 is located between the stage 32 and the shower plate 35 in the direction along the Z axis.

図２は、第１の実施形態のシャワープレート３５の下面図である。図３は、第１の実施形態のシャワープレート３５を、図２のＦ３−Ｆ３線に沿って示す断面図である。図４は、第１の実施形態のシャワープレート３５を、図２のＦ４−Ｆ４線に沿って示す断面図である。   FIG. 2 is a bottom view of the shower plate 35 of the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the shower plate 35 of the first embodiment along the line F3-F3 of FIG. 4 is a cross-sectional view showing the shower plate 35 of the first embodiment along the line F4-F4 of FIG.

図３に示すように、シャワープレート３５は、外壁４１と、複数の筒壁４２と、を有する。外壁４１は、例えば、筐体又は壁とも称され得る。複数の筒壁４２は、第２の壁、第１の筒壁、及び第２の筒壁の一例であり、例えば、側壁、内壁、変形部、又は流路とも称され得る。   As shown in FIG. 3, the shower plate 35 includes an outer wall 41 and a plurality of cylindrical walls 42. The outer wall 41 may be referred to as a housing or a wall, for example. The plurality of cylindrical walls 42 are examples of the second wall, the first cylindrical wall, and the second cylindrical wall, and may be referred to as, for example, a side wall, an inner wall, a deformed portion, or a flow path.

外壁４１は、底壁４５と、上壁４６と、周壁４７と、中壁４８とを有する。底壁４５は、第１の壁の一例である。外壁４１は、例えば、実質的に円柱の箱型に形成され、複数の筒壁４２を収容する。なお、外壁４１の形状はこれに限らない。   The outer wall 41 has a bottom wall 45, an upper wall 46, a peripheral wall 47, and an intermediate wall 48. The bottom wall 45 is an example of a first wall. The outer wall 41 is formed in a substantially cylindrical box shape, for example, and accommodates a plurality of cylindrical walls 42. The shape of the outer wall 41 is not limited to this.

底壁４５は、実質的に円形の板状に形成される。なお、底壁４５は、例えば、四角形のような他の形状に形成されても良い。底壁４５は、第１の面４５ａと、第２の面４５ｂとを有する。   The bottom wall 45 is formed in a substantially circular plate shape. The bottom wall 45 may be formed in another shape such as a quadrangle, for example. The bottom wall 45 has a first surface 45a and a second surface 45b.

第１の面４５ａは、Ｚ軸に沿う負方向（下方向）に向く実質的に平坦な面である。第１の面４５ａは、シャワープレート３５の表面（外面）を形成する。このため、第１の面４５ａは、チャンバ３１ａに面する。第１の面４５ａは、ステージ３２と、ステージ３２に支持された基板１２（ウェハ１１）に向く。   The first surface 45a is a substantially flat surface that faces in the negative direction (downward) along the Z-axis. The first surface 45 a forms the surface (outer surface) of the shower plate 35. For this reason, the first surface 45a faces the chamber 31a. The first surface 45a faces the stage 32 and the substrate 12 (wafer 11) supported by the stage 32.

第２の面４５ｂは、上方向に向く実質的に平坦な面である。第２の面４５ｂは、第１の面４５ａの反対側に位置する。このため、第２の面４５ｂは、外壁４１の内部に向き、外壁４１の内面を形成する。   The second surface 45b is a substantially flat surface facing upward. The second surface 45b is located on the opposite side of the first surface 45a. For this reason, the second surface 45 b faces the inside of the outer wall 41 and forms the inner surface of the outer wall 41.

上壁４６は、底壁４５と同じく、実質的に円形の板状に形成される。なお、上壁４６は、例えば、四角形のような他の形状に形成されても良い。上壁４６は、底壁４５から離間した位置で、底壁４５の上方向に配置される。上壁４６は、第３の面４６ａと、第４の面４６ｂとを有する。   Similar to the bottom wall 45, the upper wall 46 is formed in a substantially circular plate shape. The upper wall 46 may be formed in another shape such as a square. The upper wall 46 is disposed upward from the bottom wall 45 at a position spaced from the bottom wall 45. The upper wall 46 has a third surface 46a and a fourth surface 46b.

第３の面４６ａは、上方向に向く実質的に平坦な面である。第３の面４６ａは、シャワープレート３５の表面（外面）を形成する。このため、第３の面４６ａは、チャンバ３１ａに面する。   The third surface 46a is a substantially flat surface facing upward. The third surface 46 a forms the surface (outer surface) of the shower plate 35. Therefore, the third surface 46a faces the chamber 31a.

第４の面４６ｂは、下方向に向く実質的に平坦な面である。第４の面４６ｂは、第３の面４６ａの反対側に位置する。このため、第４の面４６ｂは、外壁４１の内部に向き、外壁４１の内面を形成する。第４の面４６ｂは、底壁４５の第２の面４５ｂに向く。   The fourth surface 46b is a substantially flat surface facing downward. The fourth surface 46b is located on the opposite side of the third surface 46a. For this reason, the fourth surface 46 b faces the inside of the outer wall 41 and forms the inner surface of the outer wall 41. The fourth surface 46 b faces the second surface 45 b of the bottom wall 45.

周壁４７は、実質的に円筒形状に形成され、Ｚ軸に沿う方向に延びる。なお、周壁４７は、例えば、四角形の筒状のような他の形状に形成されても良い。周壁４７は、底壁４５の周縁と、上壁４６の周縁とを接続する。周壁４７は、外壁４１に収容された複数の筒壁４２を囲む。   The peripheral wall 47 is formed in a substantially cylindrical shape and extends in a direction along the Z axis. The peripheral wall 47 may be formed in other shapes such as a rectangular tube shape, for example. The peripheral wall 47 connects the peripheral edge of the bottom wall 45 and the peripheral edge of the upper wall 46. The peripheral wall 47 surrounds the plurality of cylindrical walls 42 accommodated in the outer wall 41.

中壁４８は、底壁４５及び上壁４６と同じく、実質的に円形の板状に形成される。なお、中壁４８は、例えば、四角形のような他の形状に形成されても良い。中壁４８は、底壁４５から離間するとともに、上壁４６から離間した位置で、Ｚ軸に沿う方向における底壁４５と上壁４６との間に配置される。中壁４８は、第５の面４８ａと、第６の面４８ｂとを有する。   The middle wall 48 is formed in a substantially circular plate shape, like the bottom wall 45 and the top wall 46. The inner wall 48 may be formed in another shape such as a quadrangle, for example. The middle wall 48 is disposed between the bottom wall 45 and the upper wall 46 in the direction along the Z axis at a position separated from the bottom wall 45 and at a distance from the upper wall 46. The middle wall 48 has a fifth surface 48a and a sixth surface 48b.

第５の面４８ａは、下方向に向く実質的に平坦な面である。第５の面４８ａは、底壁４５の第２の面４５ｂと向かい合う。第６の面４８ｂは、上方向に向く実質的に平坦な面である。第６の面４８ｂは、第５の面４８ａの反対側に位置する。第６の面４８ｂは、上壁４６の第４の面４６ｂと向かい合う。   The fifth surface 48a is a substantially flat surface facing downward. The fifth surface 48 a faces the second surface 45 b of the bottom wall 45. The sixth surface 48b is a substantially flat surface facing upward. The sixth surface 48b is located on the opposite side of the fifth surface 48a. The sixth surface 48 b faces the fourth surface 46 b of the upper wall 46.

複数の筒壁４２はそれぞれ、実質的に円筒形状に形成され、Ｚ軸に沿う方向に延びる。なお、筒壁４２は、例えば、四角形の筒状のような他の形状に形成されても良い。本実施形態において、複数の筒壁４２は、互いに同一の形状を有する。なお、複数の筒壁４２は、互いに異なる形状を有しても良い。   Each of the plurality of cylindrical walls 42 is formed in a substantially cylindrical shape and extends in a direction along the Z axis. The cylinder wall 42 may be formed in other shapes such as a rectangular cylinder. In the present embodiment, the plurality of cylindrical walls 42 have the same shape. The plurality of cylindrical walls 42 may have different shapes.

複数の筒壁４２はそれぞれ、第１の端部４２ａと、第２の端部４２ｂとを有する。第１の端部４２ａは、下方向における筒壁４２の端部であり、底壁４５の第２の面４５ｂに接続される。第２の端部４２ｂは、上方向における筒壁４２の端部であり、中壁４８の第５の面４８ａに接続される。   Each of the plurality of cylindrical walls 42 has a first end portion 42a and a second end portion 42b. The first end portion 42 a is an end portion of the cylindrical wall 42 in the downward direction, and is connected to the second surface 45 b of the bottom wall 45. The second end portion 42 b is an end portion of the cylindrical wall 42 in the upward direction, and is connected to the fifth surface 48 a of the middle wall 48.

複数の筒壁４２は、互いに離間する位置で底壁４５の第２の面４５ｂに接続される。例えば、複数の筒壁４２は、Ｘ軸に沿う方向に実質的に等間隔に並べられるとともに、Ｙ軸に沿う方向に実質的に等間隔に並べられる。なお、複数の筒壁４２の配置はこれに限らない。   The plurality of cylindrical walls 42 are connected to the second surface 45b of the bottom wall 45 at positions spaced apart from each other. For example, the plurality of cylindrical walls 42 are arranged at substantially equal intervals in the direction along the X axis, and are arranged at substantially equal intervals in the direction along the Y axis. In addition, arrangement | positioning of the some cylinder wall 42 is not restricted to this.

複数の筒壁４２は、複数の開口５１を形成する。開口５１は、それぞれの筒壁４２の内部に設けられ、Ｚ軸に沿う方向に延びる。開口５１は、筒壁４２の第１の端部４２ａが接続された底壁４５の、第１の面４５ａに開口する。すなわち、開口５１は、チャンバ３１ａに開口する。さらに、開口５１は、筒壁４２の第２の端部４５ｂが接続された中壁４８の、第６の面４８ｂに開口する。   The plurality of cylindrical walls 42 form a plurality of openings 51. The opening 51 is provided inside each cylindrical wall 42 and extends in the direction along the Z axis. The opening 51 opens in the first surface 45a of the bottom wall 45 to which the first end portion 42a of the cylindrical wall 42 is connected. That is, the opening 51 opens into the chamber 31a. Furthermore, the opening 51 opens to the sixth surface 48b of the middle wall 48 to which the second end 45b of the cylindrical wall 42 is connected.

複数の筒壁４２はそれぞれ、内周面４２ｃと外周面４２ｄとをさらに有する。内周面４２ｃは、筒状の筒壁４２の内面であり、開口５１を形成する。外周面４２ｄは、筒状の筒壁４２の外面であり、内周面４２ｃの反対側に位置する。   Each of the plurality of cylindrical walls 42 further includes an inner peripheral surface 42c and an outer peripheral surface 42d. The inner peripheral surface 42 c is an inner surface of the cylindrical tube wall 42 and forms an opening 51. The outer peripheral surface 42d is the outer surface of the cylindrical cylindrical wall 42 and is located on the opposite side of the inner peripheral surface 42c.

Ｚ軸に沿う方向に延びる筒壁４２の厚さは、実質的に一定である。本実施形態において、筒壁４２の厚さは、筒壁４２の径方向における、内周面４２ｃと外周面４２ｄとの間の距離である。なお、筒壁４２の厚さは、部分的に異なっても良い。   The thickness of the cylindrical wall 42 extending in the direction along the Z axis is substantially constant. In the present embodiment, the thickness of the cylindrical wall 42 is a distance between the inner peripheral surface 42 c and the outer peripheral surface 42 d in the radial direction of the cylindrical wall 42. Note that the thickness of the cylindrical wall 42 may be partially different.

筒壁４２の厚さは、例えば、筒壁４２の長さ（Ｚ軸に沿う方向における寸法）の１０分の１である。なお、筒壁４２の厚さはこれに限らない。筒壁４２の厚さは、例えば、以下の（数１）式によって定められる。

Figure 0006615544
上記（数１）式において、ｈは筒壁４２の厚さであり、αは筒壁４２の線膨張率であり、ΔＴは筒壁４２の内周面４２ｃと外周面４２ｄとの温度差であり、Ｌは筒壁４２のＺ軸に沿う方向における長さであり、ｄ１は筒壁４２が変形した場合における筒壁４２の内径（開口５１）の最大の直径であり、ｄ０は筒壁４２が変形した場合における筒壁４２の内径（開口５１）の最小の直径である。なお、筒壁４２の厚さは、他の条件によって設定されても良い。 The thickness of the cylindrical wall 42 is, for example, one tenth of the length (dimension in the direction along the Z axis) of the cylindrical wall 42. The thickness of the cylindrical wall 42 is not limited to this. The thickness of the cylindrical wall 42 is determined by, for example, the following equation (Equation 1).
Figure 0006615544
 In the above equation (1), h is the thickness of the cylindrical wall 42, α is the linear expansion coefficient of the cylindrical wall 42, and ΔT is the temperature difference between the inner peripheral surface 42c and the outer peripheral surface 42d of the cylindrical wall 42. Yes, L is the length of the cylindrical wall 42 in the direction along the Z-axis, d 1 is the maximum diameter of the inner diameter (opening 51) of the cylindrical wall 42 when the cylindrical wall 42 is deformed, and d 0 is the cylinder This is the minimum diameter of the inner diameter (opening 51) of the cylindrical wall 42 when the wall 42 is deformed. Note that the thickness of the cylindrical wall 42 may be set according to other conditions.

底壁４５の厚さは、複数の筒壁４２のそれぞれの厚さよりも厚い。本実施形態において、底壁４５の厚さは、第１の面４５ａと直交する方向における、第１の面４５ａと第２の面４５ｂとの間の距離である。底壁４５の厚さは一定であるが、部分的に異なっても良い。筒壁４２の厚さと底壁４５の厚さとの少なくとも一方が部分的に異なる場合、底壁４５の厚さの平均は、筒壁４２の厚さの平均よりも厚い。   The thickness of the bottom wall 45 is thicker than the thickness of each of the plurality of cylindrical walls 42. In the present embodiment, the thickness of the bottom wall 45 is a distance between the first surface 45a and the second surface 45b in a direction orthogonal to the first surface 45a. The thickness of the bottom wall 45 is constant, but may be partially different. When at least one of the thickness of the cylindrical wall 42 and the thickness of the bottom wall 45 is partially different, the average thickness of the bottom wall 45 is thicker than the average thickness of the cylindrical wall 42.

外壁４１の内部に、拡散流路５３が設けられる。拡散流路５３は、上壁４６と中壁４８との間に位置し、周壁４７に囲まれる空間である。当該拡散流路５３に、複数の開口５１が開口する。言い換えると、複数の開口５１は、拡散流路５３とチャンバ３１ａとを接続する。   A diffusion channel 53 is provided inside the outer wall 41. The diffusion channel 53 is a space located between the upper wall 46 and the middle wall 48 and surrounded by the peripheral wall 47. A plurality of openings 51 are opened in the diffusion channel 53. In other words, the plurality of openings 51 connect the diffusion flow path 53 and the chamber 31a.

外壁４１の内部に、内部空洞５５がさらに設けられる。内部空洞５５は、外壁の内部の一例である。内部空洞５５は、Ｚ軸に沿う方向において底壁４５と中壁４８との間に位置し、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において周壁４７に囲まれるとともに複数の筒壁４２の外側に位置する空間である。言い換えると、内部空洞５５は、複数の筒壁４２の間に設けられる。筒壁４２は、内部空洞５５と開口５１とを隔てる。   An internal cavity 55 is further provided inside the outer wall 41. The inner cavity 55 is an example of the inside of the outer wall. The internal cavity 55 is located between the bottom wall 45 and the middle wall 48 in the direction along the Z-axis, and when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane), it is surrounded by the peripheral wall 47 and a plurality of cylindrical walls 42 is a space located outside 42. In other words, the internal cavity 55 is provided between the plurality of cylindrical walls 42. The cylindrical wall 42 separates the internal cavity 55 and the opening 51.

上壁４６に、拡散流路５３に開口する材料供給口６１が設けられる。材料供給口６１は、上壁４６の第４の面４６ｂに開口する。なお、材料供給口６１は、例えば、周壁４７に設けられても良い。   A material supply port 61 that opens to the diffusion channel 53 is provided in the upper wall 46. The material supply port 61 opens in the fourth surface 46 b of the upper wall 46. The material supply port 61 may be provided in the peripheral wall 47, for example.

図４に示すように、中壁４８に、複数の冷媒供給口６３と、複数の冷媒排出口６４とが設けられる。冷媒供給口６３は、供給口の一例である。冷媒排出口６４は、排出口の一例である。複数の冷媒供給口６３と複数の冷媒排出口６４とはそれぞれ、内部空洞５５に開口する。   As shown in FIG. 4, the middle wall 48 is provided with a plurality of refrigerant supply ports 63 and a plurality of refrigerant discharge ports 64. The refrigerant supply port 63 is an example of a supply port. The refrigerant discharge port 64 is an example of a discharge port. Each of the plurality of refrigerant supply ports 63 and the plurality of refrigerant discharge ports 64 opens into the internal cavity 55.

図２に示すように、複数の冷媒供給口６３はそれぞれ、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において、底壁４５の中心の近傍に設けられる。底壁４５の中心は、例えば、底壁４５の重心である。   As shown in FIG. 2, each of the plurality of refrigerant supply ports 63 is provided in the vicinity of the center of the bottom wall 45 when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane). The center of the bottom wall 45 is the center of gravity of the bottom wall 45, for example.

複数の冷媒排出口６４はそれぞれ、冷媒供給口６３よりも、底壁４５の中心から遠い位置に設けられる。言い換えると、それぞれの冷媒排出口６４と底壁４５の周縁（周壁４７）との間の距離は、それぞれの冷媒供給口６３と底壁４５の周縁（周壁４７）との間の距離よりも短い。   Each of the plurality of refrigerant discharge ports 64 is provided at a position farther from the center of the bottom wall 45 than the refrigerant supply port 63. In other words, the distance between each refrigerant discharge port 64 and the periphery (peripheral wall 47) of the bottom wall 45 is shorter than the distance between each refrigerant supply port 63 and the periphery (peripheral wall 47) of the bottom wall 45. .

図１の材料供給装置２２は、シャワープレート３５にガスＧを供給する。ガスＧは、流体の一例であり、例えば、ウェハ１１を形成する膜１３の材料である。図１に示すように、材料供給装置２２は、タンク７１と、ガス供給管７２，７３と、バルブ７４とを有する。   The material supply device 22 in FIG. 1 supplies the gas G to the shower plate 35. The gas G is an example of a fluid, for example, a material of the film 13 that forms the wafer 11. As shown in FIG. 1, the material supply device 22 includes a tank 71, gas supply pipes 72 and 73, and a valve 74.

タンク７１は、ガスＧを収容する。なお、タンク７１は、例えば、膜１３の材料とキャリアガスとを収容しても良い。ガス供給管７２は、タンク７１とバルブ７４とを接続する。ガス供給管７３は、バルブ７４と、シャワープレート３５とを接続する。言い換えると、ガス供給管７２，７３は、タンク７１とシャワープレート３５とを接続し、バルブ７４はタンク７１とシャワープレート３５との間に介在する。   The tank 71 stores the gas G. The tank 71 may contain, for example, the material of the film 13 and the carrier gas. The gas supply pipe 72 connects the tank 71 and the valve 74. The gas supply pipe 73 connects the valve 74 and the shower plate 35. In other words, the gas supply pipes 72 and 73 connect the tank 71 and the shower plate 35, and the valve 74 is interposed between the tank 71 and the shower plate 35.

図３に示すように、ガス供給管７３は、シャワープレート３５の上壁４６に接続される。なお、ガス供給管７３は、他の位置に接続されても良い。ガス供給管７３は、タンク７１のガスＧを、ガス供給管７２及びバルブ７４を介して、材料供給口６１から拡散流路５３に供給する。バルブ７４は、拡散流路５３に供給されるガスＧの量を変化させる。   As shown in FIG. 3, the gas supply pipe 73 is connected to the upper wall 46 of the shower plate 35. The gas supply pipe 73 may be connected to another position. The gas supply pipe 73 supplies the gas G in the tank 71 from the material supply port 61 to the diffusion flow path 53 via the gas supply pipe 72 and the valve 74. The valve 74 changes the amount of gas G supplied to the diffusion channel 53.

拡散流路５３に供給されたガスＧは、当該拡散流路５３に開口する複数の開口５１を通って、チャンバ３１ａに流出する。言い換えると、材料供給装置２２は、拡散流路５３及び複数の開口５１を通して、チャンバ３１ａにガスＧを供給する。   The gas G supplied to the diffusion flow path 53 flows out into the chamber 31 a through the plurality of openings 51 opening in the diffusion flow path 53. In other words, the material supply device 22 supplies the gas G to the chamber 31 a through the diffusion flow path 53 and the plurality of openings 51.

図１の冷媒供給装置２３は、複数の供給管２４と複数の排出管２５とのそれぞれによって、シャワープレート３５に接続される。図４に示すように、複数の供給管２４と複数の排出管２５とはそれぞれ、上壁４６を貫通し、中壁４８に接続される。   1 is connected to the shower plate 35 by a plurality of supply pipes 24 and a plurality of discharge pipes 25, respectively. As shown in FIG. 4, the plurality of supply pipes 24 and the plurality of discharge pipes 25 respectively penetrate the upper wall 46 and are connected to the middle wall 48.

冷媒供給口６３は、供給管２４を介して、冷媒供給装置２３に接続される。冷媒供給装置２３は、供給管２４を介して、冷媒供給口６３から内部空洞５５に冷媒Ｍを供給する。冷媒Ｍは、温度媒体の一例であり、例えば、水のような液体、又は二酸化炭素のような気体である。   The refrigerant supply port 63 is connected to the refrigerant supply device 23 via the supply pipe 24. The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M from the refrigerant supply port 63 to the internal cavity 55 via the supply pipe 24. The refrigerant M is an example of a temperature medium, and is, for example, a liquid such as water or a gas such as carbon dioxide.

冷媒排出口６４は、排出管２５を介して、冷媒供給装置２３に接続される。冷媒供給装置２３は、排出管２５を介して、冷媒排出口６４から内部空洞５５の冷媒Ｍを回収する。言い換えると、内部空洞５５の冷媒Ｍは、冷媒排出口６４から排出される。   The refrigerant discharge port 64 is connected to the refrigerant supply device 23 via the discharge pipe 25. The refrigerant supply device 23 collects the refrigerant M in the internal cavity 55 from the refrigerant discharge port 64 via the discharge pipe 25. In other words, the refrigerant M in the internal cavity 55 is discharged from the refrigerant discharge port 64.

冷媒供給装置２３は、冷媒排出口６４から排出された冷媒Ｍの温度を所定の温度に冷却し、冷媒供給口６３から再び内部空洞５５に供給する。言い換えると、冷媒供給装置２３は、内部空洞５５で冷媒Ｍを循環させる。   The refrigerant supply device 23 cools the temperature of the refrigerant M discharged from the refrigerant discharge port 64 to a predetermined temperature, and supplies it again to the internal cavity 55 from the refrigerant supply port 63. In other words, the refrigerant supply device 23 circulates the refrigerant M in the internal cavity 55.

上記の半導体製造装置１０は、例えば以下に説明するように、ステージ３２の基板１２に向かってガスＧを吐出する。なお、半導体製造装置１０がガスＧを吐出する方法は、下記に説明される方法に限られない。   The semiconductor manufacturing apparatus 10 discharges the gas G toward the substrate 12 of the stage 32 as described below, for example. Note that the method by which the semiconductor manufacturing apparatus 10 discharges the gas G is not limited to the method described below.

まず、半導体製造装置１０は、図１に示す真空ポンプ３３を作動させる。真空ポンプ３３は、チャンバ３１ａの気体を吸引し、チャンバ３１ａを真空にする。シャワープレート３５の外壁４１は、チャンバ３１ａが真空になった状態でも当該外壁４１の変形を抑制可能な剛性を有する。   First, the semiconductor manufacturing apparatus 10 operates the vacuum pump 33 shown in FIG. The vacuum pump 33 sucks the gas in the chamber 31a and evacuates the chamber 31a. The outer wall 41 of the shower plate 35 has rigidity capable of suppressing deformation of the outer wall 41 even when the chamber 31a is in a vacuum state.

次に、図４に示すように、冷媒供給装置２３が、供給管２４を介して内部空洞５５に冷媒Ｍを供給するとともに、排出管２５を介して内部空洞５５の冷媒Ｍを回収する。このように、冷媒供給装置２３は、内部空洞５５で冷媒Ｍを循環させる。   Next, as shown in FIG. 4, the refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M to the internal cavity 55 via the supply pipe 24 and collects the refrigerant M in the internal cavity 55 via the discharge pipe 25. Thus, the refrigerant supply device 23 circulates the refrigerant M in the internal cavity 55.

次に、図３に示すように、材料供給装置２２が、ガス供給管７２，７３及びバルブ７４を介して、拡散流路５３にガスＧを供給する。ガスＧは、拡散流路５３から、複数の開口５１を通って、チャンバ３１ａに供給される。   Next, as shown in FIG. 3, the material supply device 22 supplies the gas G to the diffusion channel 53 via the gas supply pipes 72 and 73 and the valve 74. The gas G is supplied from the diffusion channel 53 through the plurality of openings 51 to the chamber 31a.

冷媒供給装置２３によって内部空洞５５に供給される冷媒Ｍの温度は、開口５１を通るガスＧの温度よりも低い。このため、複数の筒壁４２のそれぞれの内周面４２ｃ側の部分と、外周面４２ｄ側の部分とで、温度差が生じる。言い換えると、筒壁４２の内部と、当該筒壁４２の外部との間で、温度差が生じる。ガスＧの温度は、例えば、常温（２０℃±１５℃）である。なお、ガスＧの温度はこれに限らない。   The temperature of the refrigerant M supplied to the internal cavity 55 by the refrigerant supply device 23 is lower than the temperature of the gas G passing through the opening 51. For this reason, a temperature difference arises in the part by the side of each inner peripheral surface 42c of the some cylindrical wall 42, and the part by the side of the outer peripheral surface 42d. In other words, a temperature difference occurs between the inside of the cylindrical wall 42 and the outside of the cylindrical wall 42. The temperature of the gas G is, for example, normal temperature (20 ° C. ± 15 ° C.). The temperature of the gas G is not limited to this.

少なくとも冷媒Ｍが冷媒供給口６３から内部空洞５５に供給されたとき、冷媒Ｍの温度は、開口５１を通るガスＧの温度よりも低い。本実施形態において、冷媒Ｍが冷媒排出口６４から排出されるときも、冷媒Ｍの温度は、開口５１を通るガスＧの温度よりも低い。内部空洞５５の外部において、冷媒Ｍの温度は、開口５１を通るガスＧの温度より高くても良い。   When at least the refrigerant M is supplied from the refrigerant supply port 63 to the internal cavity 55, the temperature of the refrigerant M is lower than the temperature of the gas G passing through the opening 51. In the present embodiment, even when the refrigerant M is discharged from the refrigerant discharge port 64, the temperature of the refrigerant M is lower than the temperature of the gas G passing through the opening 51. Outside the internal cavity 55, the temperature of the refrigerant M may be higher than the temperature of the gas G passing through the opening 51.

筒壁４２の内周面４２ｃ側の部分は、ガスＧに接するため、外周面４２ｄ側の部分よりも温度が高い。このため、筒壁４２の内周面４２ｃ側の部分は、外周面４２ｄ側の部分よりも大きく熱膨張する。   Since the portion on the inner peripheral surface 42c side of the cylindrical wall 42 is in contact with the gas G, the temperature is higher than the portion on the outer peripheral surface 42d side. For this reason, the portion of the cylindrical wall 42 on the inner peripheral surface 42c side thermally expands more than the portion on the outer peripheral surface 42d side.

逆の表現をすれば、筒壁４２の外周面４２ｄ側の部分は、冷媒Ｍに接するため、内周面４２ｃ側の部分よりも温度が低い。このため、筒壁４２の外周面４２ｄ側の部分の熱膨張量は、内周面４２ｃ側の部分の熱膨張量よりも小さい。   In other words, since the portion on the outer peripheral surface 42d side of the cylindrical wall 42 is in contact with the refrigerant M, the temperature is lower than the portion on the inner peripheral surface 42c side. For this reason, the amount of thermal expansion of the portion on the outer peripheral surface 42d side of the cylindrical wall 42 is smaller than the amount of thermal expansion of the portion on the inner peripheral surface 42c side.

図５は、第１の実施形態の筒壁４２が変形したシャワープレート３５を、図２のＦ３−Ｆ３線に沿って示す断面図である。上記のように、筒壁４２の内周面４２ｃ側の部分と、外周面４２ｄ側の部分とで、熱膨張の差が生じる。このため、筒壁４２は、当該筒壁４２の内周面４２ｃが、当該筒壁４２が形成する開口５１の内部に突出するように、変形する。筒壁４２は、このように変形することにより、開口５１の径を縮小（変更）する。なお、筒壁４２は、変形により、開口５１の一部の径を縮小すれば良い。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing the shower plate 35 in which the cylindrical wall 42 of the first embodiment is deformed along the line F3-F3 in FIG. As described above, a difference in thermal expansion occurs between the portion on the inner peripheral surface 42c side of the cylindrical wall 42 and the portion on the outer peripheral surface 42d side. For this reason, the cylindrical wall 42 is deformed so that the inner peripheral surface 42 c of the cylindrical wall 42 protrudes into the opening 51 formed by the cylindrical wall 42. By deforming the cylindrical wall 42 in this way, the diameter of the opening 51 is reduced (changed). In addition, the cylindrical wall 42 should just reduce the diameter of a part of opening 51 by a deformation | transformation.

図５に示すように、以下の説明において、複数の筒壁４２を筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄと個別に称することがある。筒壁４２Ａは、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において、底壁４５の中心の近傍に設けられる。筒壁４２Ｂは、底壁４５を平面視した場合において、筒壁４２Ａよりも底壁４５の中心から遠い位置に設けられる。筒壁４２Ｃは、底壁４５を平面視した場合において、筒壁４２Ｂよりも底壁４５の中心から遠い位置に設けられる。筒壁４２Ｄは、底壁４５を平面視した場合において、筒壁４２Ｃよりも底壁４５の中心から遠い位置に設けられる。   As shown in FIG. 5, in the following description, the plurality of cylinder walls 42 may be individually referred to as cylinder walls 42 </ b> A, 42 </ b> B, 42 </ b> C, 42 </ b> D. The cylindrical wall 42A is provided in the vicinity of the center of the bottom wall 45 when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane). The cylindrical wall 42B is provided at a position farther from the center of the bottom wall 45 than the cylindrical wall 42A when the bottom wall 45 is viewed in plan. The cylindrical wall 42C is provided at a position farther from the center of the bottom wall 45 than the cylindrical wall 42B when the bottom wall 45 is viewed in plan. The cylinder wall 42D is provided at a position farther from the center of the bottom wall 45 than the cylinder wall 42C when the bottom wall 45 is viewed in plan.

図４に示すように、冷媒供給口６３は、底壁４５の中心の近傍に設けられる。一方、冷媒排出口６４は、冷媒供給口６３よりも、底壁４５の中心から遠い位置に設けられる。すなわち、内部空洞５５において、冷媒Ｍは、筒壁４２Ａの近傍から、筒壁４２Ｄの近傍に向かって流れる。   As shown in FIG. 4, the refrigerant supply port 63 is provided in the vicinity of the center of the bottom wall 45. On the other hand, the refrigerant discharge port 64 is provided at a position farther from the center of the bottom wall 45 than the refrigerant supply port 63. That is, in the internal cavity 55, the refrigerant M flows from the vicinity of the cylindrical wall 42A toward the vicinity of the cylindrical wall 42D.

冷媒Ｍは、内部空洞５５を流れる間、筒壁４２を介して、当該筒壁４２の内側の開口５１を通るガスＧから熱を受け取る。このため、筒壁４２Ａの近傍における冷媒Ｍの温度は、筒壁４２Ｄの近傍における冷媒Ｍの温度よりも低い。言い換えると、内部空洞５５において、底壁４５の中心から離れるに従って上昇する温度勾配が生じる。   While flowing through the internal cavity 55, the refrigerant M receives heat from the gas G passing through the opening 51 inside the cylindrical wall 42 via the cylindrical wall 42. For this reason, the temperature of the refrigerant M in the vicinity of the cylindrical wall 42A is lower than the temperature of the refrigerant M in the vicinity of the cylindrical wall 42D. In other words, a temperature gradient is generated in the internal cavity 55 that increases as the distance from the center of the bottom wall 45 increases.

筒壁４２の変形量は、当該筒壁４２の内側の開口５１を通るガスＧと、当該筒壁４２の近傍のガスＧとの温度差が大きいほど、大きくなる。このため、筒壁４２Ａの変形量は、筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。言い換えると、変形した筒壁４２Ａの開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｄの開口５１の直径よりも小さい。詳しく述べると、変形した筒壁４２Ａの開口５１における最小の直径は、変形した筒壁４２Ｄの開口５１における最小の直径よりも小さい。   The amount of deformation of the cylindrical wall 42 increases as the temperature difference between the gas G passing through the opening 51 inside the cylindrical wall 42 and the gas G near the cylindrical wall 42 increases. For this reason, the deformation amount of the cylindrical wall 42A is larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42D. In other words, the diameter of the opening 51 of the deformed cylinder wall 42A is smaller than the diameter of the opening 51 of the deformed cylinder wall 42D. More specifically, the minimum diameter in the opening 51 of the deformed cylinder wall 42A is smaller than the minimum diameter in the opening 51 of the deformed cylinder wall 42D.

同様に、筒壁４２Ｂの変形量は、筒壁４２Ａの変形量よりも小さく、筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。筒壁４２Ｃの変形量は、筒壁４２Ａの変形量よりも小さく、筒壁４２Ｂの変形量よりも小さく、筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。このため、複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。   Similarly, the deformation amount of the cylindrical wall 42B is smaller than the deformation amount of the cylindrical wall 42A and larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42D. The deformation amount of the cylindrical wall 42C is smaller than the deformation amount of the cylindrical wall 42A, smaller than the deformation amount of the cylindrical wall 42B, and larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42D. For this reason, the plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases.

開口５１の径の一例について説明する。例えば、筒壁４２がアルミニウムによって形成され、筒壁４２の長さ（Ｚ軸に沿う方向における寸法）が４０ｍｍであり、筒壁４２の厚さが０．５ｍｍであり、常温における開口５１の直径が１ｍｍであるとする。この場合、ガスＧと冷媒Ｍとの温度差が１０℃である場合、開口５１の最小の直径は、約０．８ｍｍとなる。ガスＧと冷媒Ｍとの温度差が２０℃である場合、開口５１の最小の直径は、約０．７ｍｍとなる。ガスＧと冷媒Ｍとの温度差が３０℃である場合、開口５１の最小の直径は、約０．６ｍｍとなる。なお、開口５１の径の変化はこれに限らない。   An example of the diameter of the opening 51 will be described. For example, the cylinder wall 42 is made of aluminum, the length of the cylinder wall 42 (dimension in the direction along the Z axis) is 40 mm, the thickness of the cylinder wall 42 is 0.5 mm, and the diameter of the opening 51 at room temperature. Is 1 mm. In this case, when the temperature difference between the gas G and the refrigerant M is 10 ° C., the minimum diameter of the opening 51 is about 0.8 mm. When the temperature difference between the gas G and the refrigerant M is 20 ° C., the minimum diameter of the opening 51 is about 0.7 mm. When the temperature difference between the gas G and the refrigerant M is 30 ° C., the minimum diameter of the opening 51 is about 0.6 mm. In addition, the change of the diameter of the opening 51 is not restricted to this.

複数の筒壁４２が以上のように変形することで、筒壁４２Ａの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量よりも少ない。すなわち、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるそれぞれのガスＧの量は、互いに異なる。開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、当該開口５１の最小の直径が小さいほど、少ない。   By deforming the plurality of cylindrical walls 42 as described above, the amount of gas G supplied to the chamber 31a through the opening 51 inside the cylindrical wall 42A is supplied to the chamber 31a through the opening 51 inside the cylindrical wall 42D. Less than the amount of gas G That is, the amounts of the respective gases G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a are different from each other. The amount of the gas G supplied from the opening 51 to the chamber 31a is smaller as the minimum diameter of the opening 51 is smaller.

図１に示すように、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されたガスＧは、チャンバ３１ａにおいてプラズマ化し、プラズマＰを生じさせる。プラズマＰは、シャワープレート３５と、ステージ３２に支持された基板１２との間に生じる。   As shown in FIG. 1, the gas G supplied to the chamber 31a from the plurality of openings 51 is turned into plasma in the chamber 31a to generate plasma P. The plasma P is generated between the shower plate 35 and the substrate 12 supported by the stage 32.

上記のようにプラズマＰを発生させるプラズマＣＶＤによって、基板１２の表面に膜１３が成長する。半導体製造装置１０は、基板１２に膜１３を成膜することで、ウェハ１１を製造する。   The film 13 is grown on the surface of the substrate 12 by plasma CVD for generating the plasma P as described above. The semiconductor manufacturing apparatus 10 manufactures a wafer 11 by forming a film 13 on a substrate 12.

上述のシャワープレート３５は、例えば、三次元プリンタによって積層造形される。シャワープレート３５は、例えば、金属のような導電性の材料によって作られる。なお、シャワープレート３５は、他の材料によって作られても良い。シャワープレート３５の材料として、シャワープレート３５が供給する流体（ガスＧ）に対して耐性を有する材料が選択される。   The above-described shower plate 35 is layered and formed by, for example, a three-dimensional printer. The shower plate 35 is made of, for example, a conductive material such as metal. The shower plate 35 may be made of other materials. As the material of the shower plate 35, a material having resistance to the fluid (gas G) supplied by the shower plate 35 is selected.

三次元プリンタは、例えば、Ｚ軸に沿う方向において、粉末状の材料の層の形成と、材料の層の固化とを繰り返すことで、シャワープレート３５を形成する。このため、シャワープレート３５の外壁４１及び複数の筒壁４２は、一体的に形成される。このような積層造形によれば、複数の開口５１、拡散流路５３、及び内部空洞５５が設けられた中空のシャワープレート３５を、容易に製造することができる。   For example, the three-dimensional printer forms the shower plate 35 by repeating the formation of the powdery material layer and the solidification of the material layer in the direction along the Z-axis. For this reason, the outer wall 41 and the plurality of cylindrical walls 42 of the shower plate 35 are integrally formed. According to such layered modeling, a hollow shower plate 35 provided with a plurality of openings 51, diffusion channels 53, and internal cavities 55 can be easily manufactured.

シャワープレート３５は、積層造形以外の方法によって形成されても良い。例えば、複数の筒壁４２と、底壁４５と、上壁４６と、周壁４７と、中壁４８とを溶接することで、シャワープレート３５が形成されても良い。   The shower plate 35 may be formed by a method other than additive manufacturing. For example, the shower plate 35 may be formed by welding a plurality of cylindrical walls 42, a bottom wall 45, an upper wall 46, a peripheral wall 47, and an intermediate wall 48.

第１の実施形態に係る半導体製造装置１０において、複数の筒壁４２が、底壁４５の第２の面４５ｂにそれぞれ接続され、第１の面４５ａに開口する複数の開口５１を形成する。筒壁４２は、変形することにより開口５１の径を変形可能である。言い換えると、シャワープレート３５は、当該シャワープレート３５の内部に内部空洞５５が設けられることで、開口５１の径を変形可能である。開口５１の径が変更されると、当該開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量が変化する。従って、個別に開口５１の径を変更することにより、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの分布を制御することができる。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the first embodiment, the plurality of cylindrical walls 42 are respectively connected to the second surface 45b of the bottom wall 45 to form a plurality of openings 51 that open to the first surface 45a. The diameter of the opening 51 can be changed by deforming the cylindrical wall 42. In other words, the diameter of the opening 51 can be changed in the shower plate 35 by providing the internal cavity 55 inside the shower plate 35. When the diameter of the opening 51 is changed, the amount of the gas G supplied to the chamber 31a through the opening 51 changes. Therefore, the distribution of the gas G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a can be controlled by individually changing the diameters of the openings 51.

本実施形態における処理装置の一例である半導体製造装置１０は、三次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるウェハ１１を製造する。このようなウェハ１１において、三次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの特性を決定するゲート寸法及びスペース幅は、膜１３の厚さに依存する。   A semiconductor manufacturing apparatus 10 that is an example of a processing apparatus in the present embodiment manufactures a wafer 11 that is a three-dimensional NAND flash memory. In such a wafer 11, the gate size and space width that determine the characteristics of the three-dimensional NAND flash memory depend on the thickness of the film 13.

それぞれの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量が同一の場合、基板１２の中央における膜１３の厚さが、基板１２の周縁における膜１３の厚さよりも厚くなることがある。膜１３の厚さは、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの分布により定まる。例えば、底壁４５を平面視した場合に、底壁４５の中心の近傍における開口５１から供給されるガスＧの量を、底壁４５中心から遠い開口５１から供給されるガスＧの量よりも少なくすることで、膜１３の厚さが均一になり得る。   When the amount of the gas G supplied from each opening 51 to the chamber 31 a is the same, the thickness of the film 13 at the center of the substrate 12 may be larger than the thickness of the film 13 at the periphery of the substrate 12. The thickness of the film 13 is determined by the distribution of the gas G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a. For example, when the bottom wall 45 is viewed in plan, the amount of the gas G supplied from the opening 51 in the vicinity of the center of the bottom wall 45 is larger than the amount of the gas G supplied from the opening 51 far from the center of the bottom wall 45. By reducing the thickness, the thickness of the film 13 can be uniform.

上述のように、本実施形態の半導体製造装置１０は、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの分布を制御する。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   As described above, the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to this embodiment controls the distribution of the gas G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

筒壁４２が個別に変形することで、複数の開口５１からチャンバ３１ａにそれぞれ供給されるガスＧの量が個別に制御される。一方、バルブ７４が、拡散流路５３に供給されるガスＧの量を制御することで、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量が全体的に制御される。   By individually deforming the cylindrical wall 42, the amount of gas G respectively supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a is individually controlled. On the other hand, the valve 74 controls the amount of the gas G supplied to the diffusion channel 53, whereby the amount of the gas G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a is controlled as a whole.

底壁４５の厚さは、複数の筒壁４２のそれぞれの厚さよりも厚い。さらに、複数の筒壁４２は、底壁４５と中壁４８とを接続する。言い換えると、複数の筒壁４２は、底壁４５を、中壁４８に支持する。このため、複数の筒壁４２の変形により、底壁４５が変形することが抑制される。従って、底壁４５の変形により複数の開口５１の向きが変わることが抑制される。   The thickness of the bottom wall 45 is thicker than the thickness of each of the plurality of cylindrical walls 42. Further, the plurality of cylindrical walls 42 connect the bottom wall 45 and the middle wall 48. In other words, the plurality of cylindrical walls 42 support the bottom wall 45 on the middle wall 48. For this reason, deformation of the bottom wall 45 due to deformation of the plurality of cylindrical walls 42 is suppressed. Therefore, the direction of the plurality of openings 51 is prevented from changing due to the deformation of the bottom wall 45.

外壁４１は、複数の筒壁４２を収容する。冷媒供給装置２３は、外壁４１の内部であって複数の筒壁４２の間に設けられる内部空洞５５に、冷媒Ｍを供給する。従って、冷媒Ｍにより、外壁４１と、開口５１を通るガスＧと、の温度を制御することが可能である。   The outer wall 41 accommodates a plurality of cylindrical walls 42. The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M to the internal cavity 55 provided between the plurality of cylindrical walls 42 inside the outer wall 41. Therefore, the temperature of the outer wall 41 and the gas G passing through the opening 51 can be controlled by the refrigerant M.

外壁４１に、冷媒供給装置２３に接続された冷媒供給口６３と、冷媒供給口６３よりも底壁４５の中央から遠い位置に開口して外壁４１の内部の冷媒Ｍが排出される冷媒排出口６４と、が設けられる。冷媒Ｍの温度は、ガスＧの温度よりも低い。このため、筒壁４２は、開口５１を通るガスＧと、内部空洞５５に供給された冷媒Ｍとの温度差により変形し、開口５１の径を縮小する。ガスＧと冷媒Ｍとの温度差は、冷媒供給口６３が設けられた位置から、当該冷媒供給口６３よりも底壁４５の中央から遠い冷媒排出口６４が設けられた位置に向かって減少する。このため、冷媒供給口６３に近い筒壁４２の変形量は、冷媒排出口６４に近い筒壁４２の変形量よりも大きい。従って、例えば、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央から遠い筒壁４２Ｄの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   A refrigerant supply port 63 connected to the refrigerant supply device 23 on the outer wall 41, and a refrigerant discharge port that opens to a position farther from the center of the bottom wall 45 than the refrigerant supply port 63 and discharges the refrigerant M inside the outer wall 41. 64 is provided. The temperature of the refrigerant M is lower than the temperature of the gas G. For this reason, the cylindrical wall 42 is deformed by a temperature difference between the gas G passing through the opening 51 and the refrigerant M supplied to the internal cavity 55, and the diameter of the opening 51 is reduced. The temperature difference between the gas G and the refrigerant M decreases from the position where the refrigerant supply port 63 is provided toward the position where the refrigerant discharge port 64 which is farther from the center of the bottom wall 45 than the refrigerant supply port 63 is provided. . For this reason, the deformation amount of the cylindrical wall 42 close to the refrigerant supply port 63 is larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42 close to the refrigerant discharge port 64. Therefore, for example, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42A near the center of the bottom wall 45 is the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42D far from the center of the bottom wall 45. Less than. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

複数の筒壁４２は、ガスＧ及び冷媒Ｍ以外の熱源から熱を受けることにより変形しても良い。例えば、筒壁４２は、シャワープレート３５に取り付けられたヒータによって加熱されても良い。しかし、チャンバ３１ａは真空ポンプ３３によって真空にされるため、チャンバ３１ａの熱は、筒壁４２に伝わりにくい。   The plurality of cylindrical walls 42 may be deformed by receiving heat from a heat source other than the gas G and the refrigerant M. For example, the cylinder wall 42 may be heated by a heater attached to the shower plate 35. However, since the chamber 31 a is evacuated by the vacuum pump 33, the heat of the chamber 31 a is not easily transmitted to the cylindrical wall 42.

以下に、第２の実施形態について、図６を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。   Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to FIG. In the following description of the plurality of embodiments, components having the same functions as the components already described are denoted by the same reference numerals as those described above, and further description may be omitted. . In addition, a plurality of components to which the same reference numerals are attached do not necessarily have the same functions and properties, and may have different functions and properties according to each embodiment.

図６は、第２の実施形態に係るシャワープレート３５を下方向から見た断面図である。図６に示すように、第２の実施形態の外壁４１は、第１の隔壁８１と、第２の隔壁８２とを有する。第１の隔壁８１と第２の隔壁８２とはそれぞれ、第３の壁の一例である。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the shower plate 35 according to the second embodiment as viewed from below. As shown in FIG. 6, the outer wall 41 of the second embodiment includes a first partition 81 and a second partition 82. Each of the first partition 81 and the second partition 82 is an example of a third wall.

第１の隔壁８１は、Ｚ軸に沿う方向に延びる筒状に形成され、内部空洞５５に配置される。Ｚ軸に沿う方向における第１の隔壁８１の一方の端部は、底壁４５の第２の面４５ｂに接続される。第１の隔壁８１の他方の端部は、中壁４８の第５の面４８ａに接続される。   The first partition 81 is formed in a cylindrical shape extending in the direction along the Z axis and is disposed in the internal cavity 55. One end of the first partition 81 in the direction along the Z axis is connected to the second surface 45 b of the bottom wall 45. The other end of the first partition 81 is connected to the fifth surface 48 a of the middle wall 48.

第１の隔壁８１は、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂを囲む。言い換えると、第１の隔壁８１は、内部空洞５５を、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂが設けられた部分と、複数の筒壁４２Ｃ，４２Ｄが設けられた部分と、に区切る。なお、第１の隔壁８１はこれに限らず、例えば、筒壁４２Ａのみを囲んでも良いし、筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを囲んでも良い。   The first partition wall 81 surrounds the plurality of cylindrical walls 42A and 42B when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane). In other words, the first partition wall 81 divides the internal cavity 55 into a portion provided with a plurality of cylindrical walls 42A and 42B and a portion provided with a plurality of cylindrical walls 42C and 42D. The first partition 81 is not limited to this, and may surround only the cylindrical wall 42A, or may surround the cylindrical walls 42A, 42B, and 42C, for example.

第２の隔壁８２は、Ｚ軸に沿う方向に延びる筒状に形成され、内部空洞５５に配置される。Ｚ軸に沿う方向における第２の隔壁８２の一方の端部は、底壁４５の第２の面４５ｂに接続される。第２の隔壁８２の他方の端部は、中壁４８の第５の面４８ａに接続される。   The second partition wall 82 is formed in a cylindrical shape extending in the direction along the Z axis, and is disposed in the internal cavity 55. One end of the second partition wall 82 in the direction along the Z axis is connected to the second surface 45 b of the bottom wall 45. The other end of the second partition wall 82 is connected to the fifth surface 48 a of the middle wall 48.

第２の隔壁８２は、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを囲むとともに、第１の隔壁８１を囲む。言い換えると、第２の隔壁８２は、内部空洞５５を、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃが設けられた部分と、複数の筒壁４２Ｄが設けられた部分と、に区切る。なお、第２の隔壁８２はこれに限らず、例えば、筒壁４２Ａのみを囲んでも良いし、筒壁４２Ａ，４２Ｂを囲んでも良い。   The second partition wall 82 surrounds the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, and 42C and the first partition wall 81 when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane). In other words, the second partition wall 82 divides the internal cavity 55 into a portion provided with a plurality of cylindrical walls 42A, 42B, and 42C and a portion provided with a plurality of cylindrical walls 42D. The second partition 82 is not limited to this, and may, for example, surround only the cylindrical wall 42A, or may surround the cylindrical walls 42A, 42B.

第１の隔壁８１と第２の隔壁８２とによって、内部空洞５５に、第１の部屋８５と、第２の部屋８６と、第３の部屋８７とが形成される。第１の部屋８５は、第１の部屋の一例である。第２の部屋８６は、第１の部屋又は第２の部屋の一例である。第３の部屋８７は、第２の部屋の一例である。   A first chamber 85, a second chamber 86, and a third chamber 87 are formed in the internal cavity 55 by the first partition wall 81 and the second partition wall 82. The first room 85 is an example of a first room. The second room 86 is an example of a first room or a second room. The third room 87 is an example of a second room.

第１の部屋８５は、内部空洞５５の第１の隔壁８１に囲まれた部分である。第１の部屋８５に、複数の筒壁４２のうち、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂが配置される。   The first chamber 85 is a portion surrounded by the first partition wall 81 of the internal cavity 55. Among the plurality of tube walls 42, a plurality of tube walls 42 </ b> A and 42 </ b> B are arranged in the first chamber 85.

第２の部屋８６は、内部空洞５５の第１の隔壁８１と第２の隔壁８２との間の部分である。第２の部屋８６は、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において、第１の部屋８５よりも底壁４５の中央から遠い部分を有する。第２の部屋８６に、複数の筒壁４２のうち、複数の筒壁４２Ｃが配置される。   The second chamber 86 is a portion between the first partition 81 and the second partition 82 of the internal cavity 55. The second room 86 has a portion farther from the center of the bottom wall 45 than the first room 85 when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane). A plurality of cylindrical walls 42 </ b> C among the plurality of cylindrical walls 42 are arranged in the second chamber 86.

第３の部屋８７は、内部空洞５５の第２の隔壁８２と周壁４７との間の部分である。第３の部屋８７は、底壁４５を平面視した場合（Ｘ‐Ｙ平面）において、第２の部屋８６よりも底壁４５の中央から遠い部分を有する。第３の部屋８７に、複数の筒壁４２のうち、複数の筒壁４２Ｄが配置される。   The third chamber 87 is a portion between the second partition wall 82 and the peripheral wall 47 of the internal cavity 55. The third room 87 has a portion farther from the center of the bottom wall 45 than the second room 86 when the bottom wall 45 is viewed in plan (XY plane). Among the plurality of tube walls 42, a plurality of tube walls 42 </ b> D are arranged in the third chamber 87.

第２の実施形態において、少なくとも一つの冷媒供給口６３が、第１乃至第３の部屋８５〜８７にそれぞれ開口する。さらに、少なくとも一つの冷媒排出口６４が、第１乃至第３の部屋８５〜８７にそれぞれ開口する。第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれにおいて、冷媒排出口６４は、冷媒供給口６３から離間した位置に設けられる。   In the second embodiment, at least one refrigerant supply port 63 opens into the first to third chambers 85 to 87, respectively. Further, at least one refrigerant discharge port 64 opens into the first to third chambers 85 to 87, respectively. In each of the first to third chambers 85 to 87, the refrigerant discharge port 64 is provided at a position separated from the refrigerant supply port 63.

第１の部屋８５に設けられた冷媒供給口６３は、第１の供給口の一例である。当該冷媒供給口６３は、第１の部屋８５に開口し、供給管２４を介して冷媒供給装置２３に接続される。冷媒供給装置２３は、第１の部屋８５に開口する冷媒供給口６３から、第１の部屋８５に冷媒Ｍを供給する。   The refrigerant supply port 63 provided in the first chamber 85 is an example of a first supply port. The refrigerant supply port 63 opens to the first chamber 85 and is connected to the refrigerant supply device 23 via the supply pipe 24. The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M to the first chamber 85 from the refrigerant supply port 63 that opens to the first chamber 85.

第１の部屋８５に設けられた冷媒排出口６４は、第１の排出口の一例である。当該冷媒排出口６４は、第１の部屋８５に開口し、排出管２５を介して冷媒供給装置２３に接続される。第１の部屋８５の冷媒Ｍは、第１の部屋８５に開口する冷媒排出口６４から、冷媒供給装置２３へと排出される。   The refrigerant discharge port 64 provided in the first chamber 85 is an example of a first discharge port. The refrigerant discharge port 64 opens into the first chamber 85 and is connected to the refrigerant supply device 23 via the discharge pipe 25. The refrigerant M in the first chamber 85 is discharged from the refrigerant discharge port 64 opened to the first chamber 85 to the refrigerant supply device 23.

第２の部屋８６に設けられた冷媒供給口６３は、第１の供給口又は第２の供給口の一例である。当該冷媒供給口６３は、第２の部屋８６に開口し、供給管２４を介して冷媒供給装置２３に接続される。冷媒供給装置２３は、第２の部屋８６に開口する冷媒供給口６３から、第２の部屋８６に冷媒Ｍを供給する。   The refrigerant supply port 63 provided in the second chamber 86 is an example of a first supply port or a second supply port. The refrigerant supply port 63 opens to the second chamber 86 and is connected to the refrigerant supply device 23 via the supply pipe 24. The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M to the second chamber 86 from the refrigerant supply port 63 that opens to the second chamber 86.

第２の部屋８６に設けられた冷媒排出口６４は、第１の排出口又は第２の排出口の一例である。当該冷媒排出口６４は、第２の部屋８６に開口し、排出管２５を介して冷媒供給装置２３に接続される。第２の部屋８６の冷媒Ｍは、第２の部屋８６に開口する冷媒排出口６４から、冷媒供給装置２３へと排出される。   The refrigerant outlet 64 provided in the second chamber 86 is an example of a first outlet or a second outlet. The refrigerant discharge port 64 opens into the second chamber 86 and is connected to the refrigerant supply device 23 via the discharge pipe 25. The refrigerant M in the second chamber 86 is discharged from the refrigerant discharge port 64 opened to the second chamber 86 to the refrigerant supply device 23.

第３の部屋８７に設けられた冷媒供給口６３は、第２の供給口の一例である。当該冷媒供給口６３は、第３の部屋８７に開口し、供給管２４を介して冷媒供給装置２３に接続される。冷媒供給装置２３は、第３の部屋８７に開口する冷媒供給口６３から、第３の部屋８７に冷媒Ｍを供給する。   The refrigerant supply port 63 provided in the third chamber 87 is an example of a second supply port. The refrigerant supply port 63 opens to the third chamber 87 and is connected to the refrigerant supply device 23 via the supply pipe 24. The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M to the third chamber 87 from the refrigerant supply port 63 that opens to the third chamber 87.

第３の部屋８７に設けられた冷媒排出口６４は、第２の排出口の一例である。当該冷媒排出口６４は、第３の部屋８７に開口し、排出管２５を介して冷媒供給装置２３に接続される。第３の部屋８７の冷媒Ｍは、第３の部屋８７に開口する冷媒排出口６４から、冷媒供給装置２３へと排出される。   The refrigerant outlet 64 provided in the third chamber 87 is an example of a second outlet. The refrigerant discharge port 64 opens into the third chamber 87 and is connected to the refrigerant supply device 23 via the discharge pipe 25. The refrigerant M in the third chamber 87 is discharged from the refrigerant discharge port 64 opened to the third chamber 87 to the refrigerant supply device 23.

冷媒供給装置２３は、第１乃至第３の部屋８５〜８７に、それぞれ温度の異なる冷媒Ｍを供給する。なお、半導体製造装置１０は、第１乃至第３の部屋８５〜８７にそれぞれ温度の異なる冷媒Ｍを供給する三つの冷媒供給装置２３を有しても良い。   The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerants M having different temperatures to the first to third rooms 85 to 87, respectively. The semiconductor manufacturing apparatus 10 may include three refrigerant supply apparatuses 23 that supply the refrigerant M having different temperatures to the first to third chambers 85 to 87, respectively.

冷媒供給装置２３は、第１の部屋８５に、開口５１を通るガスＧよりも温度が低い冷媒Ｍを供給する。第１の部屋８５に供給される冷媒Ｍは、第１の温度媒体の一例である。   The refrigerant supply device 23 supplies the first chamber 85 with the refrigerant M having a temperature lower than that of the gas G passing through the opening 51. The refrigerant M supplied to the first chamber 85 is an example of a first temperature medium.

冷媒供給装置２３は、第２の部屋８６に、開口５１を通るガスＧよりも温度が低く、第１の部屋８５に供給される冷媒Ｍよりも温度が高い冷媒Ｍを供給する。第２の部屋８６に供給される冷媒Ｍは、第１の温度媒体又は第２の温度媒体の一例である。   The refrigerant supply device 23 supplies the second chamber 86 with the refrigerant M having a temperature lower than that of the gas G passing through the opening 51 and higher than that of the refrigerant M supplied to the first chamber 85. The refrigerant M supplied to the second chamber 86 is an example of a first temperature medium or a second temperature medium.

冷媒供給装置２３は、第３の部屋８７に、開口５１を通るガスＧよりも温度が低く、第１の部屋８５に供給される冷媒Ｍよりも温度が高く、且つ第２の部屋８６に供給される冷媒Ｍよりも温度が高い冷媒Ｍを供給する。第３の部屋８７に供給される冷媒Ｍは、第２の温度媒体の一例である。   The refrigerant supply device 23 is supplied to the third chamber 87 at a temperature lower than that of the gas G passing through the opening 51, higher than that of the refrigerant M supplied to the first chamber 85 and supplied to the second chamber 86. The refrigerant M having a temperature higher than that of the refrigerant M to be supplied is supplied. The refrigerant M supplied to the third chamber 87 is an example of a second temperature medium.

上記の半導体製造装置１０において、ガスＧが開口５１を通るとともに、内部空洞５５の第１乃至第３の部屋８５〜８７に冷媒Ｍが供給される。このため、複数の筒壁４２はそれぞれ、内周面４２ｃ側の部分と外周面４２ｄ側の部分との温度差によって変形する。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above, the gas G passes through the opening 51 and the refrigerant M is supplied to the first to third chambers 85 to 87 of the internal cavity 55. For this reason, each of the plurality of cylindrical walls 42 is deformed by a temperature difference between the portion on the inner peripheral surface 42c side and the portion on the outer peripheral surface 42d side.

第１の部屋８５に供給される冷媒Ｍの温度は、第２の部屋８６に供給される冷媒Ｍの温度よりも低く、且つ第３の部屋８７に供給される冷媒Ｍの温度よりも低い。このため、第１の部屋８５に配置された複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂの変形量は、第２の部屋８６に配置された複数の筒壁４２Ｃの変形量よりも大きく、且つ第３の部屋８７に配置された複数の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   The temperature of the refrigerant M supplied to the first chamber 85 is lower than the temperature of the refrigerant M supplied to the second chamber 86 and lower than the temperature of the refrigerant M supplied to the third chamber 87. Therefore, the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42A and 42B arranged in the first chamber 85 is larger than the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42C arranged in the second chamber 86, and the third chamber. The amount of deformation of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> D arranged at 87 is larger. Therefore, the diameters of the inner openings 51 of the deformed cylinder walls 42A and 42B are smaller than the diameters of the inner openings 51 of the deformed cylinder walls 42C and 42D.

第２の部屋８６に供給される冷媒Ｍの温度は、第３の部屋８７に供給される冷媒Ｍの温度よりも低い。このため、第２の部屋８６に配置された複数の筒壁４２Ｃの変形量は、第３の部屋８７に配置された複数の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ｃのそれぞれの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。以上のように、複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。   The temperature of the refrigerant M supplied to the second chamber 86 is lower than the temperature of the refrigerant M supplied to the third chamber 87. For this reason, the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> C arranged in the second chamber 86 is larger than the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> D arranged in the third chamber 87. Accordingly, the diameter of each inner opening 51 of the deformed cylindrical wall 42C is smaller than the diameter of each inner opening 51 of the deformed cylindrical wall 42D. As described above, the plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases.

複数の筒壁４２が以上のように変形することで、筒壁４２Ａ，４２Ｂの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量よりも少ない。すなわち、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるそれぞれのガスＧの量は、互いに異なる。   By deforming the plurality of cylindrical walls 42 as described above, the amount of the gas G supplied to the chamber 31a through the openings 51 inside the cylindrical walls 42A and 42B is transferred to the chamber 31a through the openings 51 inside the cylindrical wall 42D. Less than the amount of gas G supplied. That is, the amounts of the respective gases G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a are different from each other.

第２の実施形態の半導体製造装置１０において、例えば、第１の隔壁８１は、内部空洞５５に第１の部屋８５と、第１の部屋８５よりも底壁４５の中央から遠い部分を有する第２の部屋８６とを形成する。第２の部屋８６に供給される冷媒Ｍは、第１の部屋８５に供給される冷媒Ｍよりも温度が高い。このため、第１の部屋８５の筒壁４２の変形量は、第２の部屋８６の筒壁４２の変形量よりも大きい。従って、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央からより遠い筒壁４２Ｃの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 of the second embodiment, for example, the first partition 81 includes a first chamber 85 in the internal cavity 55 and a portion farther from the center of the bottom wall 45 than the first chamber 85. 2 chambers 86 are formed. The refrigerant M supplied to the second chamber 86 has a higher temperature than the refrigerant M supplied to the first chamber 85. For this reason, the deformation amount of the cylindrical wall 42 of the first chamber 85 is larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42 of the second chamber 86. Therefore, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42A near the center of the bottom wall 45 is more than the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42C farther from the center of the bottom wall 45. Less. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

以下に、第３の実施形態について、図７を参照して説明する。図７は、第３の実施形態に係るシャワープレート３５を下方向から見た断面図である。図７に示すように、第３の実施形態の外壁４１は、第２の実施形態と同じく第１の隔壁８１と、第２の隔壁８２とを有する。これにより、内部空洞５５に、第１乃至第３の部屋８５〜８７が形成される。   Below, 3rd Embodiment is described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the shower plate 35 according to the third embodiment as viewed from below. As shown in FIG. 7, the outer wall 41 of the third embodiment has a first partition 81 and a second partition 82 as in the second embodiment. As a result, first to third chambers 85 to 87 are formed in the internal cavity 55.

一方、第３の実施形態において、複数の冷媒供給口６３は、第１の部屋８５に開口する。本実施形態において、第１の部屋８５は、第１の部屋の一例である。なお、冷媒供給口６３は、例えば、第２の部屋８６にさらに開口しても良い。   On the other hand, in the third embodiment, the plurality of refrigerant supply ports 63 open to the first chamber 85. In the present embodiment, the first room 85 is an example of a first room. Note that the refrigerant supply port 63 may be further opened in the second chamber 86, for example.

冷媒供給口６３は、供給管２４を介して冷媒供給装置２３に接続される。冷媒供給装置２３は、第１の部屋８５に開口する冷媒供給口６３から、第１の部屋８５に冷媒Ｍを供給する。   The refrigerant supply port 63 is connected to the refrigerant supply device 23 via the supply pipe 24. The refrigerant supply device 23 supplies the refrigerant M to the first chamber 85 from the refrigerant supply port 63 that opens to the first chamber 85.

第３の実施形態において、複数の冷媒排出口６４は、第３の部屋８７に開口する。本実施形態において、第３の部屋８７は、第２の部屋の一例である。なお、冷媒排出口６４は、例えば、第２の部屋８６にさらに開口しても良い。   In the third embodiment, the plurality of refrigerant discharge ports 64 open to the third chamber 87. In the present embodiment, the third room 87 is an example of a second room. The refrigerant discharge port 64 may be further opened in the second chamber 86, for example.

冷媒排出口６４は、排出管２５を介して冷媒供給装置２３に接続される。第３の部屋８７の冷媒Ｍは、第３の部屋８７に開口する冷媒排出口６４から、冷媒供給装置２３へと排出される。   The refrigerant discharge port 64 is connected to the refrigerant supply device 23 via the discharge pipe 25. The refrigerant M in the third chamber 87 is discharged from the refrigerant discharge port 64 opened to the third chamber 87 to the refrigerant supply device 23.

第１の隔壁８１に、複数の第１の連通孔９１が設けられる。第１の連通孔９１は、第１の部屋８５と第２の部屋８６とを接続する。複数の第１の連通孔９１のそれぞれの断面積は、第１の部屋８５の断面積よりも狭く、且つ第２の部屋８６の断面積よりも狭い。   A plurality of first communication holes 91 are provided in the first partition wall 81. The first communication hole 91 connects the first room 85 and the second room 86. The cross-sectional area of each of the plurality of first communication holes 91 is narrower than the cross-sectional area of the first chamber 85 and narrower than the cross-sectional area of the second chamber 86.

第２の隔壁８２に、複数の第２の連通孔９２が設けられる。第２の連通孔９２は、第２の部屋８６と第３の部屋８７とを接続する。複数の第２の連通孔９２のそれぞれの断面積は、第２の部屋８６の断面積よりも狭く、且つ第３の部屋８７の断面積よりも狭い。   A plurality of second communication holes 92 are provided in the second partition wall 82. The second communication hole 92 connects the second room 86 and the third room 87. The cross-sectional area of each of the plurality of second communication holes 92 is narrower than the cross-sectional area of the second chamber 86 and narrower than the cross-sectional area of the third chamber 87.

第１及び第２の連通孔９１，９２と第２の部屋８６とによって、第１の部屋８５と第３の部屋８７とが接続される。すなわち、第１の部屋８５は、複数の第１の連通孔９１と、第２の部屋８６と、複数の第２の連通孔９２とを介して、第３の部屋８７に接続される。第１及び第２の連通孔９１，９２と第２の部屋８６とは、流路の一例である。   The first room 85 and the third room 87 are connected by the first and second communication holes 91 and 92 and the second room 86. That is, the first room 85 is connected to the third room 87 via the plurality of first communication holes 91, the second room 86, and the plurality of second communication holes 92. The first and second communication holes 91 and 92 and the second chamber 86 are examples of flow paths.

上記の半導体製造装置１０において、ガスＧが開口５１を通るとともに、内部空洞５５の第１乃至第３の部屋８５〜８７に冷媒Ｍが供給される。まず、冷媒Ｍは、冷媒供給口６３から第１の部屋８５に供給される。第１の部屋８５において、冷媒Ｍは、筒壁４２Ａ，４２Ｂを介して、当該筒壁４２Ａ，４２Ｂの内側の開口５１を通るガスＧから熱を受け取る。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above, the gas G passes through the opening 51 and the refrigerant M is supplied to the first to third chambers 85 to 87 of the internal cavity 55. First, the refrigerant M is supplied from the refrigerant supply port 63 to the first chamber 85. In the first chamber 85, the refrigerant M receives heat from the gas G passing through the openings 51 inside the cylindrical walls 42A and 42B via the cylindrical walls 42A and 42B.

第１の部屋８５の冷媒Ｍは、第１の連通孔９１を通って、第２の部屋８６に供給される。第２の部屋８６において、冷媒Ｍは、筒壁４２Ｃを介して、当該筒壁４２Ｃの内側の開口５１を通るガスＧから熱を受け取る。   The refrigerant M in the first chamber 85 is supplied to the second chamber 86 through the first communication hole 91. In the second chamber 86, the refrigerant M receives heat from the gas G passing through the opening 51 inside the cylindrical wall 42C via the cylindrical wall 42C.

第２の部屋８６の冷媒Ｍは、第２の連通孔９２を通って、第３の部屋８７に供給される。第３の部屋８７において、冷媒Ｍは、筒壁４２Ｄを介して、当該筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通るガスＧから熱を受け取る。第３の部屋８７の冷媒Ｍは、冷媒排出口６４から排出される。   The refrigerant M in the second chamber 86 is supplied to the third chamber 87 through the second communication hole 92. In the third chamber 87, the refrigerant M receives heat from the gas G passing through the opening 51 inside the cylindrical wall 42D via the cylindrical wall 42D. The refrigerant M in the third chamber 87 is discharged from the refrigerant discharge port 64.

以上のように、冷媒Ｍは、第１の部屋８５で筒壁４２Ａ，４２Ｂから熱を受け取った後、第２の部屋８６で筒壁４２Ｃから熱を受け取る。第２の部屋８６の筒壁４２Ｃから熱を受け取った冷媒Ｍは、第３の部屋８７で筒壁４２Ｄから熱を受け取る。このため、第１の部屋８５における冷媒Ｍの温度は、第２の部屋８６における冷媒Ｍの温度よりも低く、且つ第３の部屋８７における冷媒Ｍの温度よりも低い。第２の部屋８６における冷媒Ｍの温度は、第３の部屋８７における冷媒Ｍの温度よりも低い。なお、内部空洞５５における冷媒Ｍの流れはこれに限らない。第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれにおける冷媒Ｍの温度は、開口５１を通るガスＧの温度よりも低い。このように、第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれにおける冷媒Ｍの温度が異なる。このため、筒壁４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの変形量は、筒壁４２Ｃの変形量よりも大きい。さらに、筒壁４２Ｃの変形量は、筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。   As described above, the refrigerant M receives heat from the cylindrical walls 42 </ b> A and 42 </ b> B in the first chamber 85 and then receives heat from the cylindrical wall 42 </ b> C in the second chamber 86. The refrigerant M that has received heat from the cylindrical wall 42 </ b> C of the second chamber 86 receives heat from the cylindrical wall 42 </ b> D in the third chamber 87. For this reason, the temperature of the refrigerant M in the first chamber 85 is lower than the temperature of the refrigerant M in the second chamber 86 and lower than the temperature of the refrigerant M in the third chamber 87. The temperature of the refrigerant M in the second chamber 86 is lower than the temperature of the refrigerant M in the third chamber 87. The flow of the refrigerant M in the internal cavity 55 is not limited to this. The temperature of the refrigerant M in each of the first to third chambers 85 to 87 is lower than the temperature of the gas G passing through the opening 51. Thus, the temperature of the refrigerant | coolant M in each of the 1st thru | or 3rd chambers 85-87 differs. For this reason, the deformation amount of each of the cylindrical walls 42A and 42B is larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42C. Further, the deformation amount of the cylindrical wall 42C is larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42D.

変形した筒壁４２Ａ，４２Ｂの開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｃの開口５１の直径よりも小さい。変形した筒壁４２Ｃの開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｄの開口５１の直径よりも小さい。すなわち、複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。   The diameter of the opening 51 of the deformed cylinder walls 42A and 42B is smaller than the diameter of the opening 51 of the deformed cylinder wall 42C. The diameter of the opening 51 of the deformed cylinder wall 42C is smaller than the diameter of the opening 51 of the deformed cylinder wall 42D. That is, the plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases.

複数の筒壁４２が以上のように変形することで、筒壁４２Ａの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量よりも少ない。すなわち、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるそれぞれのガスＧの量は、互いに異なる。   By deforming the plurality of cylindrical walls 42 as described above, the amount of gas G supplied to the chamber 31a through the opening 51 inside the cylindrical wall 42A is supplied to the chamber 31a through the opening 51 inside the cylindrical wall 42D. Less than the amount of gas G That is, the amounts of the respective gases G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a are different from each other.

第３の実施形態の半導体製造装置１０において、第１及び第２の隔壁８１，８２は、内部空洞５５に、冷媒供給口６３から冷媒Ｍが供給される第１の部屋８５と、第１の部屋８５よりも底壁４５の中央から遠い部分を有し、冷媒排出口６４から冷媒Ｍが排出される第３の部屋８７とを形成する。第１の部屋８５と第３の部屋８７とは、第１及び第２の連通孔９１，９２と第２の部屋８６とによって接続される。冷媒Ｍは、第１の部屋８５において温度を上げられてから、第１及び第２の連通孔９１，９２と第２の部屋８６とを通って第３の部屋８７に供給される。すなわち、第１の部屋８５における冷媒Ｍの温度は、第３の部屋８７における冷媒Ｍの温度よりも低い。このため、第１の部屋８５の筒壁４２Ａの変形量は、第３の部屋８７の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央からより遠い筒壁４２Ｄの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 of the third embodiment, the first and second partition walls 81 and 82 include the first chamber 85 in which the refrigerant M is supplied from the refrigerant supply port 63 to the internal cavity 55, and the first A third room 87 having a portion farther from the center of the bottom wall 45 than the room 85 and from which the refrigerant M is discharged from the refrigerant discharge port 64 is formed. The first room 85 and the third room 87 are connected by the first and second communication holes 91 and 92 and the second room 86. The refrigerant M is heated in the first chamber 85 and then supplied to the third chamber 87 through the first and second communication holes 91 and 92 and the second chamber 86. That is, the temperature of the refrigerant M in the first chamber 85 is lower than the temperature of the refrigerant M in the third chamber 87. For this reason, the deformation amount of the cylindrical wall 42 </ b> A of the first chamber 85 is larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42 </ b> D of the third chamber 87. Therefore, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42A near the center of the bottom wall 45 is more than the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42D farther from the center of the bottom wall 45. Less. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

以下に、第４の実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、第４の実施形態に係る半導体製造装置１０を概略的に示す断面図である。図８に示すように、第４の実施形態の半導体製造装置１０は、冷媒供給装置２３、供給管２４、及び排出管２５の代わりに、圧力ポンプ１０１と、複数の接続管１０２とを有する。圧力ポンプ１０１は、圧力調整部の一例である。   The fourth embodiment will be described below with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 8, the semiconductor manufacturing apparatus 10 of the fourth embodiment includes a pressure pump 101 and a plurality of connection pipes 102 instead of the refrigerant supply apparatus 23, the supply pipe 24, and the discharge pipe 25. The pressure pump 101 is an example of a pressure adjustment unit.

図９は、第４の実施形態のシャワープレート３５を下方向から見た断面図である。図９に示すように、第４の実施形態の外壁４１は、第２の実施形態と同じく第１の隔壁８１と、第２の隔壁８２とを有する。これにより、内部空洞５５に、第１乃至第３の部屋８５〜８７が形成される。   FIG. 9 is a cross-sectional view of the shower plate 35 of the fourth embodiment as viewed from below. As shown in FIG. 9, the outer wall 41 of the fourth embodiment has a first partition 81 and a second partition 82 as in the second embodiment. As a result, first to third chambers 85 to 87 are formed in the internal cavity 55.

第４の実施形態の中壁４８に、冷媒供給口６３及び冷媒排出口６４の代わりに、複数の接続口１０４が設けられる。複数の接続口１０４は、第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれに開口する。   Instead of the refrigerant supply port 63 and the refrigerant discharge port 64, a plurality of connection ports 104 are provided on the middle wall 48 of the fourth embodiment. The plurality of connection ports 104 open to the first to third rooms 85 to 87, respectively.

複数の接続口１０４はそれぞれ、接続管１０２を介して、圧力ポンプ１０１に接続される。圧力ポンプ１０１は、接続管１０２を介して、接続口１０４から第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれに、空気のような圧力媒体を供給又は吸引する。なお、圧力媒体は、他の流体であっても良い。   Each of the plurality of connection ports 104 is connected to the pressure pump 101 via the connection pipe 102. The pressure pump 101 supplies or sucks a pressure medium such as air from the connection port 104 to each of the first to third chambers 85 to 87 via the connection pipe 102. The pressure medium may be another fluid.

圧力ポンプ１０１は、第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれに圧力媒体を供給することで、第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれの圧力を上昇させる。一方、圧力ポンプ１０１は、第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれから圧力媒体を吸引することで、第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれの圧力を低下させる。すなわち、圧力ポンプ１０１は、内部空洞５５の第１乃至第３の部屋８５〜８７のそれぞれの圧力を変化させる。   The pressure pump 101 increases the pressure in each of the first to third chambers 85 to 87 by supplying a pressure medium to each of the first to third chambers 85 to 87. On the other hand, the pressure pump 101 reduces the pressure of each of the first to third chambers 85 to 87 by sucking the pressure medium from each of the first to third chambers 85 to 87. That is, the pressure pump 101 changes the pressure in each of the first to third chambers 85 to 87 of the internal cavity 55.

ガスＧが開口５１を通るとき、第１の部屋８５の圧力が、筒壁４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの開口５１の内部の圧力より高い場合、筒壁４２Ａ，４２Ｂはそれぞれ、当該筒壁４２Ａ，４２Ｂの開口５１の内部に突出するように変形する。筒壁４２は、このように変形することにより、開口５１の径を縮小（変更）する。すなわち、第４の実施形態の筒壁４２は、開口５１の内部と、内部空洞５５との圧力差によって変形する。   When the gas G passes through the opening 51, when the pressure in the first chamber 85 is higher than the pressure inside the respective openings 51 of the cylindrical walls 42A and 42B, the cylindrical walls 42A and 42B are respectively the cylindrical walls 42A and 42B. It deform | transforms so that it may protrude inside the opening 51 of this. By deforming the cylindrical wall 42 in this way, the diameter of the opening 51 is reduced (changed). That is, the cylindrical wall 42 of the fourth embodiment is deformed by a pressure difference between the inside of the opening 51 and the internal cavity 55.

同様に、第２の部屋８６の圧力が、筒壁４２Ｃのそれぞれの開口５１の内部の圧力より高い場合、筒壁４２Ｃはそれぞれ、当該筒壁４２Ｃの開口５１の内部に突出するように変形する。第３の部屋８７の圧力が、筒壁４２Ｄのそれぞれの開口５１の内部の圧力より高い場合、筒壁４２Ｄはそれぞれ、当該筒壁４２Ｄの開口５１の内部に突出するように変形する。   Similarly, when the pressure in the second chamber 86 is higher than the pressure inside each opening 51 of the cylindrical wall 42C, the cylindrical wall 42C is deformed so as to protrude into the opening 51 of the cylindrical wall 42C. . When the pressure in the third chamber 87 is higher than the pressure inside each opening 51 of the cylinder wall 42D, each cylinder wall 42D is deformed so as to protrude into the opening 51 of the cylinder wall 42D.

上記の半導体製造装置１０において、ガスＧが開口５１を通るとともに、内部空洞５５の第１乃至第３の部屋８５〜８７に圧力媒体が供給される。このため、複数の筒壁４２はそれぞれ、開口５１の内部と、内部空洞５５との圧力差によって変形する。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above, the gas G passes through the opening 51 and a pressure medium is supplied to the first to third chambers 85 to 87 of the internal cavity 55. For this reason, each of the plurality of cylindrical walls 42 is deformed by a pressure difference between the inside of the opening 51 and the internal cavity 55.

圧力ポンプ１０１は、第１の部屋８５の圧力を、第２の部屋８６の圧力よりも高く、且つ第３の部屋８７の圧力よりも高くする。これにより、第１の部屋８５に配置された複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂの変形量は、第２の部屋８６に配置された複数の筒壁４２Ｃの変形量よりも大きく、且つ第３の部屋８７に配置された複数の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   The pressure pump 101 makes the pressure in the first chamber 85 higher than the pressure in the second chamber 86 and higher than the pressure in the third chamber 87. Thereby, the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42A and 42B arranged in the first chamber 85 is larger than the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42C arranged in the second chamber 86, and the third chamber. The amount of deformation of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> D arranged at 87 is larger. Therefore, the diameters of the inner openings 51 of the deformed cylinder walls 42A and 42B are smaller than the diameters of the inner openings 51 of the deformed cylinder walls 42C and 42D.

圧力ポンプ１０１は、第２の部屋８６の圧力を、第３の部屋８７の圧力よりも高くする。このため、第２の部屋８６に配置された複数の筒壁４２Ｃの変形量は、第３の部屋８７に配置された複数の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ｃのそれぞれの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   The pressure pump 101 makes the pressure in the second chamber 86 higher than the pressure in the third chamber 87. For this reason, the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> C arranged in the second chamber 86 is larger than the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> D arranged in the third chamber 87. Accordingly, the diameter of each inner opening 51 of the deformed cylindrical wall 42C is smaller than the diameter of each inner opening 51 of the deformed cylindrical wall 42D.

以上のように、圧力ポンプ１０１は、第１乃至第３の部屋８５〜８７の圧力を互いに異ならせ、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄの変形量を個別に制御する。複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。なお、圧力ポンプ１０１は、例えば、条件に応じて、第１乃至第３の部屋８５〜８７の圧力を実施的に同一にしても良いし、第３の部屋８７の圧力を第１の部屋８５の圧力より高くしても良い。   As described above, the pressure pump 101 makes the pressures in the first to third chambers 85 to 87 different from each other, and individually controls the deformation amounts of the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, and 42D. The plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases. Note that the pressure pump 101 may, for example, make the pressures in the first to third chambers 85 to 87 substantially the same depending on conditions, and the pressure in the third chamber 87 may be set to the first chamber 85. It may be higher than the pressure.

複数の筒壁４２が以上のように変形することで、筒壁４２Ａ，４２Ｂの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量よりも少ない。すなわち、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるそれぞれのガスＧの量は、互いに異なる。   By deforming the plurality of cylindrical walls 42 as described above, the amount of the gas G supplied to the chamber 31a through the openings 51 inside the cylindrical walls 42A and 42B is transferred to the chamber 31a through the openings 51 inside the cylindrical wall 42D. Less than the amount of gas G supplied. That is, the amounts of the respective gases G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a are different from each other.

第４の実施形態の半導体製造装置１０において、圧力ポンプ１０１は、内部空洞５５の圧力を変化させる。例えば、内部空洞５５の圧力が開口５１の内部の圧力よりも高くされることで、筒壁４２は変形し、開口５１の径を縮小する。第１及び第２の隔壁８１，８２は、内部空洞５５に、例えば、第１の部屋８５と、第１の部屋８５よりも底壁４５の中央から遠い部分を有する第２の部屋８６とを形成する。圧力ポンプ１０１は、第１の部屋８５の圧力と、第２の部屋８６の圧力と、を互いに異ならせる。例えば、圧力ポンプ１０１が第１の部屋８５の圧力を第２の部屋８６の圧力よりも高くすることで、第１の部屋８５の筒壁４２Ａ，４２Ｂの変形量は、第２の部屋８６の筒壁４２Ｃの変形量よりも大きくなる。従って、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａ，４２Ｂの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央からより遠い筒壁４２Ｃの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 of the fourth embodiment, the pressure pump 101 changes the pressure of the internal cavity 55. For example, when the pressure in the internal cavity 55 is made higher than the pressure in the opening 51, the cylindrical wall 42 is deformed and the diameter of the opening 51 is reduced. The first and second partition walls 81 and 82 include, for example, a first chamber 85 and a second chamber 86 having a portion farther from the center of the bottom wall 45 than the first chamber 85 in the internal cavity 55. Form. The pressure pump 101 makes the pressure in the first chamber 85 and the pressure in the second chamber 86 different from each other. For example, when the pressure pump 101 makes the pressure in the first chamber 85 higher than the pressure in the second chamber 86, the deformation amount of the cylindrical walls 42 </ b> A and 42 </ b> B in the first chamber 85 can be reduced in the second chamber 86. It becomes larger than the deformation amount of the cylindrical wall 42C. Therefore, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical walls 42A and 42B close to the center of the bottom wall 45 is the gas supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42C farther from the center of the bottom wall 45. Less than G. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

以下に、第５の実施形態について、図１０を参照して説明する。第５の実施形態の半導体製造装置１０は、第４の実施形態と同じく、圧力ポンプ１０１、接続管１０２を有する。第５の実施形態の中壁４８に、第４の実施形態と同じく、接続口１０４が設けられる。   The fifth embodiment will be described below with reference to FIG. The semiconductor manufacturing apparatus 10 of the fifth embodiment includes a pressure pump 101 and a connecting pipe 102 as in the fourth embodiment. As in the fourth embodiment, the connection port 104 is provided in the middle wall 48 of the fifth embodiment.

図１０は、第５の実施形態に係るシャワープレート３５を下方向から見た断面図である。図１０に示すように、第３の実施形態と同じく、第１の隔壁８１に複数の第１の連通孔９１が設けられ、第２の隔壁８２に複数の第２の連通孔９２が設けられる。すなわち、第１の部屋８５と第３の部屋８７とは、第１及び第２の連通孔９１，９２と第２の部屋８６とによって接続される。   FIG. 10 is a cross-sectional view of the shower plate 35 according to the fifth embodiment as viewed from below. As shown in FIG. 10, as in the third embodiment, the first partition 81 is provided with a plurality of first communication holes 91, and the second partition 82 is provided with a plurality of second communication holes 92. . That is, the first room 85 and the third room 87 are connected by the first and second communication holes 91 and 92 and the second room 86.

接続口１０４は、第１の部屋８５に開口する。本実施形態において、第１の部屋８５は、第１の部屋の一例である。なお、接続口１０４は、例えば、第２の部屋８６又は第３の部屋８７に開口しても良い。   The connection port 104 opens into the first room 85. In the present embodiment, the first room 85 is an example of a first room. Note that the connection port 104 may open to the second room 86 or the third room 87, for example.

上記の半導体製造装置１０において、ガスＧが開口５１を通るとともに、内部空洞５５の第１乃至第３の部屋８５〜８７に圧力媒体が供給される。このため、複数の筒壁４２はそれぞれ、開口５１の内部と、内部空洞５５との圧力差によって変形する。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above, the gas G passes through the opening 51 and a pressure medium is supplied to the first to third chambers 85 to 87 of the internal cavity 55. For this reason, each of the plurality of cylindrical walls 42 is deformed by a pressure difference between the inside of the opening 51 and the internal cavity 55.

圧力ポンプ１０１は、第１の部屋８５に圧力媒体を供給する。これにより、第１の部屋８５の圧力が上昇する。第１の部屋８５の圧力媒体は、第１の連通孔９１を通り、第２の部屋８６に供給される。これにより、第２の部屋８６の圧力が上昇する。第２の部屋８６の圧力上昇は、第１の部屋８５の圧力上昇よりも遅い。   The pressure pump 101 supplies a pressure medium to the first chamber 85. As a result, the pressure in the first chamber 85 increases. The pressure medium in the first chamber 85 passes through the first communication hole 91 and is supplied to the second chamber 86. As a result, the pressure in the second chamber 86 increases. The pressure increase in the second chamber 86 is slower than the pressure increase in the first chamber 85.

第２の部屋８６の圧力媒体は、第２の連通孔９２を通り、第３の部屋８７に供給される。これにより、第３の部屋８７の圧力が上昇する。第３の部屋８７の圧力上昇は、第１の部屋８５の圧力上昇よりも遅く、且つ第２の部屋８６の圧力上昇よりも遅い。   The pressure medium in the second chamber 86 is supplied to the third chamber 87 through the second communication hole 92. As a result, the pressure in the third chamber 87 increases. The pressure increase in the third chamber 87 is slower than the pressure increase in the first chamber 85 and slower than the pressure increase in the second chamber 86.

第１乃至第３の部屋８５〜８７の圧力は、時間経過により同一になっても良い。しかし、第２の部屋８６の圧力が第１の部屋８５の圧力と同一になる前において、第２の部屋８６の圧力は、第１の部屋８５の圧力よりも低い。さらに、第３の部屋８７の圧力が第２の部屋８６の圧力と同一になる前において、第３の部屋８７の圧力は、第１の部屋８５の圧力よりも低く、且つ第２の部屋８６の圧力よりも低い。   The pressures in the first to third chambers 85 to 87 may be the same over time. However, the pressure in the second chamber 86 is lower than the pressure in the first chamber 85 before the pressure in the second chamber 86 becomes equal to the pressure in the first chamber 85. Further, before the pressure in the third chamber 87 becomes the same as the pressure in the second chamber 86, the pressure in the third chamber 87 is lower than the pressure in the first chamber 85 and the second chamber 86. Lower than the pressure.

以上のように、圧力ポンプ１０１が第１の部屋８５に圧力媒体を供給すると、第１乃至第３の部屋８５〜８７の圧力に差が生じる。このため、第１の部屋８５に配置された複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂの変形量は、第２の部屋８６に配置された複数の筒壁４２Ｃの変形量よりも大きく、且つ第３の部屋８７に配置された複数の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   As described above, when the pressure pump 101 supplies the pressure medium to the first chamber 85, a difference occurs in the pressures in the first to third chambers 85 to 87. Therefore, the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42A and 42B arranged in the first chamber 85 is larger than the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42C arranged in the second chamber 86, and the third chamber. The amount of deformation of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> D arranged at 87 is larger. Therefore, the diameters of the inner openings 51 of the deformed cylinder walls 42A and 42B are smaller than the diameters of the inner openings 51 of the deformed cylinder walls 42C and 42D.

さらに、第２の部屋８６に配置された複数の筒壁４２Ｃの変形量は、第３の部屋８７に配置された複数の筒壁４２Ｄの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ｃのそれぞれの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   Further, the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> C arranged in the second chamber 86 is larger than the deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42 </ b> D arranged in the third chamber 87. Accordingly, the diameter of each inner opening 51 of the deformed cylindrical wall 42C is smaller than the diameter of each inner opening 51 of the deformed cylindrical wall 42D.

以上のように、圧力ポンプ１０１は、第１の部屋８５の圧力を変化させることで、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄの変形量を個別に制御する。複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。なお、圧力ポンプ１０１は、例えば、条件に応じて、第１の部屋８５の圧力を第３の部屋８７の圧力より低くしても良い。   As described above, the pressure pump 101 individually controls the deformation amounts of the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, and 42D by changing the pressure in the first chamber 85. The plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases. For example, the pressure pump 101 may lower the pressure in the first chamber 85 than the pressure in the third chamber 87 according to conditions.

複数の筒壁４２が以上のように変形することで、筒壁４２Ａ，４２Ｂの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量よりも少ない。すなわち、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるそれぞれのガスＧの量は、互いに異なる。   By deforming the plurality of cylindrical walls 42 as described above, the amount of the gas G supplied to the chamber 31a through the openings 51 inside the cylindrical walls 42A and 42B is transferred to the chamber 31a through the openings 51 inside the cylindrical wall 42D. Less than the amount of gas G supplied. That is, the amounts of the respective gases G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a are different from each other.

第５の実施形態の半導体制御装置１０において、例えば、第１の隔壁８１は、内部空洞５５に、第１の部屋８５と、第１の部屋８５よりも底壁４５の中央から遠い部分を有する第２の部屋８６とを形成する。圧力ポンプ１０１は、第２の部屋８６に第１の連通孔９１によって接続された第１の部屋８５の圧力を変化させる。第１の連通孔９１が設けられることで、第２の部屋８６の圧力は第１の部屋８５の圧力に応じて変化するが、第２の部屋８６における圧力の変化は第１の部屋８５の圧力の変化よりも遅い。例えば、圧力ポンプ１０１が第１の部屋８５の圧力を高くすると、第２の部屋８６の圧力は第１の部屋８５の圧力上昇よりも遅く上昇する。すなわち、第１の部屋８５の圧力と第２の部屋８６の圧力との差が生じるため、第１の部屋８５の筒壁４２Ａ，４２Ｂの変形量は、第２の部屋８６の筒壁４２Ｃの変形量よりも大きくなる。従って、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａ，４２Ｂの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央からより遠い筒壁４２Ｃの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   In the semiconductor control device 10 of the fifth embodiment, for example, the first partition 81 has a first chamber 85 and a portion farther from the center of the bottom wall 45 than the first chamber 85 in the internal cavity 55. A second chamber 86 is formed. The pressure pump 101 changes the pressure of the first chamber 85 connected to the second chamber 86 by the first communication hole 91. By providing the first communication hole 91, the pressure in the second chamber 86 changes according to the pressure in the first chamber 85, but the change in pressure in the second chamber 86 changes in the first chamber 85. Slower than the pressure change. For example, when the pressure pump 101 increases the pressure in the first chamber 85, the pressure in the second chamber 86 increases later than the pressure increase in the first chamber 85. That is, since the difference between the pressure in the first chamber 85 and the pressure in the second chamber 86 is generated, the deformation amount of the cylindrical walls 42A and 42B in the first chamber 85 is the same as that in the cylindrical wall 42C in the second chamber 86. It becomes larger than the amount of deformation. Therefore, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical walls 42A and 42B close to the center of the bottom wall 45 is the gas supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42C farther from the center of the bottom wall 45. Less than G. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

以下に、第６の実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１は、第６の実施形態に係る筒壁４２が変形したシャワープレート３５を示す断面図である。図１１に示すように、第６の実施形態の外壁４１は、第１及び第２の隔壁８１，８２を有さないが、第１及び第２の隔壁８１，８２を有しても良い。   The sixth embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the shower plate 35 in which the cylindrical wall 42 according to the sixth embodiment is deformed. As shown in FIG. 11, the outer wall 41 of the sixth embodiment does not include the first and second partition walls 81 and 82, but may include the first and second partition walls 81 and 82.

第６の実施形態において、筒壁４２Ａの厚さは、複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの厚さよりも薄い。さらに、筒壁４２Ａの熱膨張率は、複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの熱膨張率よりも高い。本説明において、筒壁４２Ａは第１の筒壁の一例であり、筒壁４２Ｂは第２の筒壁の一例である。   In the sixth embodiment, the thickness of the cylindrical wall 42A is thinner than the thickness of each of the multiple cylindrical walls 42B. Furthermore, the coefficient of thermal expansion of the cylindrical wall 42A is higher than the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42B. In this description, the cylinder wall 42A is an example of a first cylinder wall, and the cylinder wall 42B is an example of a second cylinder wall.

複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの厚さは、複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの厚さよりも薄い。さらに、複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの熱膨張率は、複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの熱膨張率よりも高い。本説明において、筒壁４２Ｂは第１の筒壁の一例であり、筒壁４２Ｃは第２の筒壁の一例である。   Each thickness of the plurality of cylindrical walls 42B is thinner than each thickness of the plurality of cylindrical walls 42C. Furthermore, the thermal expansion coefficient of each of the plurality of cylindrical walls 42B is higher than the thermal expansion coefficient of each of the plurality of cylindrical walls 42C. In this description, the cylinder wall 42B is an example of a first cylinder wall, and the cylinder wall 42C is an example of a second cylinder wall.

複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの厚さは、複数の筒壁４２Ｄのそれぞれの厚さよりも薄い。さらに、複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの熱膨張率は、複数の筒壁４２Ｄのそれぞれの熱膨張率よりも高い。本説明において、筒壁４２Ｃは第１の筒壁の一例であり、筒壁４２Ｄは第２の筒壁の一例である。   Each thickness of the plurality of cylindrical walls 42C is thinner than each thickness of the plurality of cylindrical walls 42D. Furthermore, the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42C is higher than the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42D. In this description, the cylinder wall 42C is an example of a first cylinder wall, and the cylinder wall 42D is an example of a second cylinder wall.

以上のように、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄは、互いに異なる厚さを有する。なお、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄのうち少なくとも二つが同一の厚さを有しても良い。さらに、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄは、互いに異なる熱膨張率を有する。言い換えると、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄは、互いに異なる材料によって作られる。なお、複数の筒壁４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄのうち少なくとも二つが同一の熱膨張率を有しても良い。   As described above, the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, and 42D have different thicknesses. Note that at least two of the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, and 42D may have the same thickness. Further, the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, 42D have different thermal expansion coefficients. In other words, the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, 42D are made of different materials. Note that at least two of the plurality of cylindrical walls 42A, 42B, 42C, and 42D may have the same coefficient of thermal expansion.

上記の半導体製造装置１０において、ガスＧが開口５１を通るとともに、内部空洞５５に冷媒Ｍが供給される。このため、複数の筒壁４２はそれぞれ、内周面４２ｃ側の部分と外周面４２ｄ側の部分との温度差によって変形する。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above, the gas G passes through the opening 51 and the refrigerant M is supplied to the internal cavity 55. For this reason, each of the plurality of cylindrical walls 42 is deformed by a temperature difference between the portion on the inner peripheral surface 42c side and the portion on the outer peripheral surface 42d side.

内周面４２ｃ側の部分と外周面４２ｄ側の部分との温度差が一定である場合、筒壁４２の変形量は、当該筒壁４２の厚さが薄いほど大きい。さらに、内周面４２ｃ側の部分と外周面４２ｄ側の部分との温度差が一定である場合、筒壁４２の変形量は、当該筒壁４２の熱膨張率が薄いほど大きい。   When the temperature difference between the portion on the inner peripheral surface 42c side and the portion on the outer peripheral surface 42d side is constant, the amount of deformation of the cylindrical wall 42 increases as the thickness of the cylindrical wall 42 decreases. Furthermore, when the temperature difference between the portion on the inner peripheral surface 42c side and the portion on the outer peripheral surface 42d side is constant, the amount of deformation of the cylindrical wall 42 increases as the coefficient of thermal expansion of the cylindrical wall 42 decreases.

筒壁４２Ａの厚さは、複数の筒壁４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの厚さよりも薄い。さらに、筒壁４２Ａの熱膨張率は、複数の筒壁４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの熱膨張率よりも高い。このため、筒壁４２Ａの変形量は、複数の筒壁４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ａの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   The thickness of the cylinder wall 42A is thinner than the thickness of each of the plurality of cylinder walls 42B, 42C, 42D. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the cylindrical wall 42A is higher than the thermal expansion coefficient of each of the multiple cylindrical walls 42B, 42C, and 42D. For this reason, the deformation amount of the cylinder wall 42A is larger than the deformation amounts of the plurality of cylinder walls 42B, 42C, and 42D. Therefore, the diameter of the opening 51 inside the deformed cylinder wall 42A is smaller than the diameter of the opening 51 inside each of the deformed cylinder walls 42B, 42C, 42D.

同様に、複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの厚さは、複数の筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの厚さよりも薄い。さらに、複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの熱膨張率は、複数の筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの熱膨張率よりも高い。このため、複数の筒壁４２Ｂのそれぞれの変形量は、複数の筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ｂの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｃ，４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。   Similarly, the thickness of each of the plurality of cylindrical walls 42B is thinner than the thickness of each of the plurality of cylindrical walls 42C and 42D. Furthermore, the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42B is higher than the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42C and 42D. For this reason, each deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42B is larger than each deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42C and 42D. Accordingly, the diameter of the opening 51 inside the deformed cylinder wall 42B is smaller than the diameter of the opening 51 inside each of the deformed cylinder walls 42C and 42D.

複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの厚さは、複数の筒壁４２Ｄのそれぞれの厚さよりも薄い。さらに、複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの熱膨張率は、複数の筒壁４２Ｄのそれぞれの熱膨張率よりも高い。このため、複数の筒壁４２Ｃのそれぞれの変形量は、複数の筒壁４２Ｄのそれぞれの変形量よりも大きい。従って、変形した筒壁４２Ｃの内側の開口５１の直径は、変形した筒壁４２Ｄのそれぞれの内側の開口５１の直径よりも小さい。以上のように、複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。   Each thickness of the plurality of cylindrical walls 42C is thinner than each thickness of the plurality of cylindrical walls 42D. Furthermore, the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42C is higher than the coefficient of thermal expansion of each of the plurality of cylindrical walls 42D. For this reason, each deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42C is larger than each deformation amount of the plurality of cylindrical walls 42D. Therefore, the diameter of the opening 51 inside the deformed cylindrical wall 42C is smaller than the diameter of each opening 51 inside the deformed cylindrical wall 42D. As described above, the plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases.

複数の筒壁４２が以上のように変形することで、筒壁４２Ａの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量は、筒壁４２Ｄの内側の開口５１を通してチャンバ３１ａに供給されるガスＧの量よりも少ない。すなわち、複数の開口５１からチャンバ３１ａに供給されるそれぞれのガスＧの量は、互いに異なる。   By deforming the plurality of cylindrical walls 42 as described above, the amount of gas G supplied to the chamber 31a through the opening 51 inside the cylindrical wall 42A is supplied to the chamber 31a through the opening 51 inside the cylindrical wall 42D. Less than the amount of gas G That is, the amounts of the respective gases G supplied from the plurality of openings 51 to the chamber 31a are different from each other.

第６の実施形態の半導体製造装置１０において、筒壁４２は、開口５１を通るガスＧと、内部空洞５５の冷媒Ｍとの温度差により変形し、開口５１の径を縮小する。ガスＧと冷媒Ｍとの温度差が一定である場合、筒壁４２の変形量は、当該筒壁４２の厚さが薄いほど大きい。筒壁４２Ａの厚さは、筒壁４２Ｂの厚さよりも薄い。従って、例えば筒壁４２Ａと筒壁４２Ｂとが略同一の温度に加熱された場合、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央からより遠い筒壁４２Ｂの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 of the sixth embodiment, the cylindrical wall 42 is deformed due to a temperature difference between the gas G passing through the opening 51 and the refrigerant M in the internal cavity 55, thereby reducing the diameter of the opening 51. When the temperature difference between the gas G and the refrigerant M is constant, the amount of deformation of the cylindrical wall 42 increases as the thickness of the cylindrical wall 42 decreases. The thickness of the cylinder wall 42A is thinner than the thickness of the cylinder wall 42B. Therefore, for example, when the cylindrical wall 42A and the cylindrical wall 42B are heated to substantially the same temperature, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42A near the center of the bottom wall 45 This is less than the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42B farther from the center. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

筒壁４２は、開口５１を通るガスＧと、内部空洞５５の冷媒Ｍとの温度差により変形し、開口５１の径を縮小する。ガスＧと冷媒Ｍとの温度差が一定である場合、筒壁４２の変形量は、当該筒壁４２の熱膨張率が高いほど大きい。筒壁４２Ａの熱膨張率は、筒壁４２Ｂの熱膨張率よりも高い。従って、例えば筒壁４２Ａと筒壁４２Ｂとが略同一の温度に加熱された場合、底壁４５の中央に近い筒壁４２Ａの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧは、底壁４５の中央からより遠い筒壁４２Ｂの開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧよりも少なくなる。これにより、基板１２の表面において成長する膜１３の厚さを均一にすることが可能であり、ウェハ１１の特性の低下を抑制できる。   The cylindrical wall 42 is deformed by a temperature difference between the gas G passing through the opening 51 and the refrigerant M in the internal cavity 55, and the diameter of the opening 51 is reduced. When the temperature difference between the gas G and the refrigerant M is constant, the amount of deformation of the cylindrical wall 42 increases as the coefficient of thermal expansion of the cylindrical wall 42 increases. The thermal expansion coefficient of the cylindrical wall 42A is higher than the thermal expansion coefficient of the cylindrical wall 42B. Therefore, for example, when the cylindrical wall 42A and the cylindrical wall 42B are heated to substantially the same temperature, the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42A near the center of the bottom wall 45 This is less than the gas G supplied to the chamber 31a from the opening 51 of the cylindrical wall 42B farther from the center. Thereby, the thickness of the film 13 grown on the surface of the substrate 12 can be made uniform, and the deterioration of the characteristics of the wafer 11 can be suppressed.

以下に、第７の実施形態について、図１２を参照して説明する。図１２は、第７の実施形態に係るシャワープレート３５の一部を示す断面図である。図１２に示すように、複数の筒壁４２はそれぞれ、第１の圧電体１１１と、第２の圧電体１１２と、二つの電極１１３とによって形成される。第１及び第２の圧電体１１１，１１２は、圧電体の一例であり、例えば、圧電素子とも称され得る。   The seventh embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the shower plate 35 according to the seventh embodiment. As shown in FIG. 12, the plurality of cylindrical walls 42 are each formed of a first piezoelectric body 111, a second piezoelectric body 112, and two electrodes 113. The first and second piezoelectric bodies 111 and 112 are examples of piezoelectric bodies, and may be referred to as piezoelectric elements, for example.

第１及び第２の圧電体１１１，１１２はそれぞれ、Ｚ軸に沿う方向に延びる円筒形状に形成される。なお、第１及び第２の圧電体１１１，１１２は、他の形状に形成されても良い。   The first and second piezoelectric bodies 111 and 112 are each formed in a cylindrical shape extending in the direction along the Z axis. Note that the first and second piezoelectric bodies 111 and 112 may be formed in other shapes.

第１の圧電体１１１の一方の端部は、底壁４５の第２の面４５ｂに接続される。第１の圧電体１１１の他方の端部は、第２の圧電体１１２の一方の端部に接続される。第２の圧電体１１２の他方の端部は、中壁４８の第５の面４８ａに接続される。   One end of the first piezoelectric body 111 is connected to the second surface 45 b of the bottom wall 45. The other end of the first piezoelectric body 111 is connected to one end of the second piezoelectric body 112. The other end of the second piezoelectric body 112 is connected to the fifth surface 48 a of the middle wall 48.

二つの電極１１３は、第１及び第２の圧電体１１１，１１２によって形成される筒壁４２の、内周面４２ｃと、外周面４２ｄとを覆う。半導体製造装置１０は、複数の筒壁４２のそれぞれの電極１１３に、個別に電圧を印加する。   The two electrodes 113 cover the inner peripheral surface 42 c and the outer peripheral surface 42 d of the cylindrical wall 42 formed by the first and second piezoelectric bodies 111 and 112. The semiconductor manufacturing apparatus 10 individually applies a voltage to each electrode 113 of the plurality of cylindrical walls 42.

内周面４２ｃを覆う電極１１３と、外周面４２ｄを覆う電極１１３との間に電位差が生じると、第１及び第２の圧電体１１１，１１２によって形成された筒壁４２が、当該筒壁４２が形成する開口５１の内部に突出するように変形する。筒壁４２は、このように変形することにより、開口５１の径を縮小（変更）する。図１２は、電極１１３の間に電位差が生じた筒壁４２を実線で示し、電極１１３の間の電位が等しい筒壁４２を二点鎖線で示す。   When a potential difference is generated between the electrode 113 covering the inner peripheral surface 42c and the electrode 113 covering the outer peripheral surface 42d, the cylindrical wall 42 formed by the first and second piezoelectric bodies 111 and 112 becomes the cylindrical wall 42. It deform | transforms so that it may protrude into the inside of the opening 51 which forms. By deforming the cylindrical wall 42 in this way, the diameter of the opening 51 is reduced (changed). In FIG. 12, the cylindrical wall 42 in which a potential difference is generated between the electrodes 113 is indicated by a solid line, and the cylindrical wall 42 having the same potential between the electrodes 113 is indicated by a two-dot chain line.

第７の実施形態の半導体製造装置１０において、筒壁４２は、第１及び第２の圧電体１１１，１１２によって形成される。これにより、それぞれの筒壁４２の電極１１３に電圧を印加することで、複数の開口５１の径をより正確に変更できる。従って、開口５１からチャンバ３１ａに供給されるガスＧの分布をより正確に制御することができる。   In the semiconductor manufacturing apparatus 10 of the seventh embodiment, the cylindrical wall 42 is formed by the first and second piezoelectric bodies 111 and 112. Thereby, the diameter of the some opening 51 can be changed more correctly by applying a voltage to the electrode 113 of each cylindrical wall 42. Therefore, the distribution of the gas G supplied from the opening 51 to the chamber 31a can be controlled more accurately.

以上の複数の実施形態に示されるように、複数の筒壁４２は、温度差、圧力差、厚さの差、熱膨張係数の差、又は圧電体の変形によって変形させられる。一つの実施形態の筒壁４２において、これらの複数の変形の原理が互いに組み合わされても良い。   As shown in the plurality of embodiments described above, the plurality of cylindrical walls 42 are deformed by a temperature difference, a pressure difference, a thickness difference, a thermal expansion coefficient difference, or a deformation of the piezoelectric body. In the cylindrical wall 42 of one embodiment, these multiple deformation principles may be combined with each other.

さらに、ガスＧが通る全ての開口５１の全てが変形可能な筒壁４２によって形成されなくても良い。例えば、ガスＧが通る複数の開口５１のうち少なくとも一つが、底壁４５よりも厚く、底壁４５よりも変形しにくい壁によって形成されても良い。   Furthermore, all the openings 51 through which the gas G passes may not be formed by the deformable cylindrical wall 42. For example, at least one of the plurality of openings 51 through which the gas G passes may be formed by a wall that is thicker than the bottom wall 45 and harder to deform than the bottom wall 45.

さらに、上述の複数の実施形態において、複数の筒壁４２が変形することにより、複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って広くなる。しかし、複数の筒壁４２が変形することにより、複数の開口５１は、底壁４５の中心から離れるに従って狭くなっても良いし、部分的に狭くなっても良い。   Furthermore, in the above-described embodiments, the plurality of openings 51 become wider as the distance from the center of the bottom wall 45 increases as the plurality of cylindrical walls 42 are deformed. However, as the plurality of cylindrical walls 42 are deformed, the plurality of openings 51 may become narrower as the distance from the center of the bottom wall 45 increases, or may partially narrow.

以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、第２の壁は、変形することにより開口の径を変形可能である。開口の径が変更されると、当該開口を通して処理室に供給される流体の量が変化する。従って、個別に開口の径を変更することにより、開口から処理室に供給される流体の分布を制御することができる。   According to at least one embodiment described above, the diameter of the opening can be deformed by deforming the second wall. When the diameter of the opening is changed, the amount of fluid supplied to the processing chamber through the opening changes. Therefore, the distribution of the fluid supplied from the opening to the processing chamber can be controlled by individually changing the diameter of the opening.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、出願当初の特許請求の範囲の内容を付記する。
［１］
第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、を有する第１の壁と、
互いに離間する位置で前記第２の面にそれぞれ接続され、前記第１の面に開口する複数の開口を形成し、それぞれが変形することにより前記開口の径を変更可能な、複数の第２の壁と、
を有する流量調整装置。
［２］
前記第１の壁の厚さは、前記複数の第２の壁のそれぞれの厚さよりも厚い、［１］の流量調整装置。
［３］
前記第１の壁を有し、前記複数の第２の壁を収容する外壁と、
前記外壁の内部であって前記複数の第２の壁の間に温度媒体を供給する媒体供給部と、
をさらに具備する、［１］又は［２］の流量調整装置。
［４］
前記外壁に、当該外壁の内部に開口して前記媒体供給部に接続された供給口と、前記供給口よりも前記第１の壁の中央から遠い位置において前記外壁の内部に開口して前記外壁の内部の前記温度媒体が排出される排出口と、が設けられ、
前記温度媒体の温度は、前記流体の温度よりも低い、
［３］の流量調整装置。
［５］
前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有し、前記第１の部屋に開口して前記媒体供給部に接続された第１の供給口と、前記第１の部屋に開口して前記第１の部屋の前記温度媒体が排出される第１の排出口と、前記第２の部屋に開口して前記媒体供給部に接続された第２の供給口と、前記第２の部屋に開口して前記第２の部屋の前記温度媒体が排出される第２の排出口と、が設けられ、
前記温度媒体は、前記第１の部屋に供給されるとともに前記流体よりも温度が低い第１の温度媒体と、前記第２の部屋に供給されるとともに前記流体よりも温度が低く且つ前記第１の温度媒体よりも温度が高い第２の温度媒体と、を有する、
［３］の流量調整装置。
［６］
前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有し、前記第１の部屋に開口して前記媒体供給部に接続された供給口と、前記第２の部屋に開口して前記第２の部屋の前記温度媒体が排出される排出口と、が設けられ、
前記第３の壁に、前記第１の部屋と前記第２の部屋とを接続する流路が設けられ、
前記温度媒体の温度は、前記流体の温度よりも低い、
［３］の流量調整装置。
［７］
前記第１の壁を有し、前記複数の第２の壁を収容する外壁と、
前記外壁の内部であって前記複数の第２の壁の間の圧力を変化させる圧力調整部と、
をさらに具備し、
前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有し、
前記圧力調整部は、前記第１の部屋の圧力と、前記第２の部屋の圧力と、を互いに異ならせる、
［１］又は［２］の流量調整装置。
［８］
前記第１の壁を有し、前記複数の第２の壁を収容する外壁と、
前記外壁の内部であって前記複数の第２の壁の間の圧力を変化させる圧力調整部と、
をさらに具備し、
前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有し、
前記第３の壁に、前記第１の部屋と前記第２の部屋とを接続する流路が設けられ、
前記圧力調整部は、前記第１の部屋の圧力を変化させる、
［３］の流量調整装置。
［９］
前記複数の第２の壁は、前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の径を変更可能な第１の筒壁と、前記第１の筒壁よりも前記第１の壁の中央から遠い位置で前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の径を変更可能な第２の筒壁と、を有し、
前記第１の筒壁の厚さは、前記第２の筒壁の厚さよりも薄い、
［１］乃至［８］のいずれか一つの流量調整装置。
［１０］
前記複数の第２の壁は、前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の径を変更可能な第１の筒壁と、前記第１の筒壁よりも前記第１の壁の中央から遠い位置で前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の径を変更可能な第２の筒壁と、を有し、
前記第１の筒壁の熱膨張率は、前記第２の筒壁の熱膨張率よりも大きい、
［１］乃至［９］のいずれか一つの流量調整装置。
［１１］
前記複数の第２の壁はそれぞれ、圧電体によって形成される、［１］又は［２］の流量調整装置。
［１２］
処理室が設けられた筐体と、
前記複数の開口を通して前記処理室に流体を供給する供給部と、
［１］乃至［１１］のいずれか一つの流量調整装置と、
をさらに具備し、
前記第１の面は、前記処理室に面する、
処理装置。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
The contents of the claims at the beginning of the application are added below.
[1]
A first wall having a first surface and a second surface located opposite the first surface;
A plurality of second holes connected to the second surface at positions spaced apart from each other, forming a plurality of openings opening in the first surface, and changing the diameter of the opening by deforming each of the plurality of openings. With walls,
A flow rate adjusting device.
[2]
The flow regulating device according to [1], wherein the thickness of the first wall is thicker than the thickness of each of the plurality of second walls.
[3]
An outer wall having the first wall and accommodating the plurality of second walls;
A medium supply unit for supplying a temperature medium between the plurality of second walls inside the outer wall;
The flow rate adjusting device according to [1] or [2], further comprising:
[4]
A supply port that opens into the outer wall and is connected to the medium supply unit, and that opens to the inside of the outer wall at a position farther from the center of the first wall than the supply port. And a discharge port through which the temperature medium is discharged.
The temperature of the temperature medium is lower than the temperature of the fluid;
[3] The flow control device.
[5]
The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall that forms a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and is open to the first chamber and connected to the medium supply unit A first supply port; a first discharge port that opens to the first chamber and discharges the temperature medium of the first chamber; and opens to the second chamber to the medium supply unit. A connected second supply port, and a second discharge port that opens into the second chamber and discharges the temperature medium in the second chamber,
The temperature medium is supplied to the first chamber and has a temperature lower than that of the fluid, and the temperature medium is supplied to the second chamber and has a temperature lower than that of the fluid. A second temperature medium having a temperature higher than that of the temperature medium.
[3] The flow control device.
[6]
The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall that forms a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and is open to the first chamber and connected to the medium supply unit A supply port, and a discharge port that opens into the second chamber and discharges the temperature medium of the second chamber are provided,
A flow path connecting the first room and the second room is provided in the third wall,
The temperature of the temperature medium is lower than the temperature of the fluid;
[3] The flow control device.
[7]
An outer wall having the first wall and accommodating the plurality of second walls;
A pressure adjusting unit that changes the pressure between the plurality of second walls inside the outer wall;
Further comprising
The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall that forms a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed,
The pressure adjusting unit makes the pressure in the first chamber different from the pressure in the second chamber;
[1] or [2] flow control device.
[8]
An outer wall having the first wall and accommodating the plurality of second walls;
A pressure adjusting unit that changes the pressure between the plurality of second walls inside the outer wall;
Further comprising
The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall that forms a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed,
A flow path connecting the first room and the second room is provided in the third wall,
The pressure adjusting unit changes the pressure of the first chamber;
[3] The flow control device.
[9]
The plurality of second walls are connected to the second surface, form the opening that opens in the first surface, and are deformed to change a diameter of the opening; The opening is connected to the second surface at a position farther from the center of the first wall than the first cylindrical wall, and the opening is formed in the first surface. A second cylindrical wall whose diameter can be changed,
The thickness of the first tube wall is thinner than the thickness of the second tube wall,
The flow rate adjustment device according to any one of [1] to [8].
[10]
The plurality of second walls are connected to the second surface, form the opening that opens in the first surface, and are deformed to change a diameter of the opening; The opening is connected to the second surface at a position farther from the center of the first wall than the first cylindrical wall, and the opening is formed in the first surface. A second cylindrical wall whose diameter can be changed,
The thermal expansion coefficient of the first cylindrical wall is larger than the thermal expansion coefficient of the second cylindrical wall.
The flow rate adjustment device according to any one of [1] to [9].
[11]
The flow rate adjusting device according to [1] or [2], wherein each of the plurality of second walls is formed of a piezoelectric body.
[12]
A housing provided with a processing chamber;
A supply section for supplying a fluid to the processing chamber through the plurality of openings;
Any one of [1] to [11]
Further comprising
The first surface faces the processing chamber;
Processing equipment.

１０…半導体製造装置、２３…冷媒供給装置、３１…筐体、３１ａ…チャンバ、３５…シャワープレート、４１…外壁、４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄ…筒壁、４５…底壁、４５ａ…第１の面、４５ｂ…第２の面、５１…開口、５５…内部空洞、６３…冷媒供給口、６４…冷媒排出口、８１…第１の隔壁、８２…第２の隔壁、８５…第１の部屋、８６…第２の部屋、８７…第３の部屋、９１…第１の連通孔、９２…第２の連通孔、１０１…圧力ポンプ、１１１…第１の圧電体、１１２…第２の圧電体、Ｇ…ガス、Ｍ…冷媒。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor manufacturing apparatus, 23 ... Refrigerant supply device, 31 ... Housing, 31a ... Chamber, 35 ... Shower plate, 41 ... Outer wall, 42, 42A, 42B, 42C, 42D ... Cylindrical wall, 45 ... Bottom wall, 45a ... 1st surface, 45b ... 2nd surface, 51 ... opening, 55 ... internal cavity, 63 ... refrigerant supply port, 64 ... refrigerant discharge port, 81 ... 1st partition, 82 ... 2nd partition, 85 ... 1st surface 1st chamber, 86 ... second chamber, 87 ... third chamber, 91 ... first communication hole, 92 ... second communication hole, 101 ... pressure pump, 111 ... first piezoelectric body, 112 ... first 2 piezoelectric bodies, G ... gas, M ... refrigerant.

Claims (5)

第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、を有する第１の壁と、
互いに離間する位置で前記第２の面にそれぞれ接続され、前記第１の面に開口するとともに流体が通る複数の開口を形成し、それぞれが変形することにより前記開口の広さを変更可能な、複数の第２の壁と、
前記第１の壁を有し、前記複数の第２の壁を収容する外壁と、
前記外壁の内部であって前記複数の第２の壁の間の圧力を変化させる圧力調整部と、
を具備し、
前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有し、
前記圧力調整部は、前記第１の部屋の圧力と、前記第２の部屋の圧力と、を互いに異ならせる、
流量調整装置。 A first wall having a first surface and a second surface located opposite the first surface;
A plurality of openings that are connected to the second surface at positions spaced apart from each other and open to the first surface and through which a fluid passes, and the width of the opening can be changed by deforming each; A plurality of second walls;
An outer wall having the first wall and accommodating the plurality of second walls;
A pressure adjusting unit that changes the pressure between the plurality of second walls inside the outer wall;
Comprising
The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall that forms a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed,
The pressure adjusting unit makes the pressure in the first chamber different from the pressure in the second chamber;
Flow control device. 第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、を有する第１の壁と、
互いに離間する位置で前記第２の面にそれぞれ接続され、前記第１の面に開口するとともに流体が通る複数の開口を形成し、それぞれが変形することにより前記開口の広さを変更可能な、複数の第２の壁と、
前記第１の壁を有し、前記複数の第２の壁を収容する外壁と、
前記外壁の内部であって前記複数の第２の壁の間の圧力を変化させる圧力調整部と、
を具備し、
前記外壁は、当該外壁の内部に、前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第１の部屋と、前記第１の部屋よりも前記第１の壁の中央から遠い部分を有するとともに前記複数の第２の壁のうち少なくとも一つが配置される第２の部屋と、を形成する第３の壁を有し、
前記第３の壁に、前記第１の部屋と前記第２の部屋とを接続する流路が設けられ、
前記圧力調整部は、前記第１の部屋の圧力を変化させる、
流量調整装置。 A first wall having a first surface and a second surface located opposite the first surface;
A plurality of openings that are connected to the second surface at positions spaced apart from each other and open to the first surface and through which a fluid passes, and the width of the opening can be changed by deforming each; A plurality of second walls;
An outer wall having the first wall and accommodating the plurality of second walls;
A pressure adjusting unit that changes the pressure between the plurality of second walls inside the outer wall;
Comprising
The outer wall includes, in the outer wall, a first room in which at least one of the plurality of second walls is disposed, and a portion farther from the center of the first wall than the first room. And a third wall that forms a second chamber in which at least one of the plurality of second walls is disposed,
A flow path connecting the first room and the second room is provided in the third wall,
The pressure adjusting unit changes the pressure of the first chamber;
Flow control device. 第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、を有する第１の壁と、
互いに離間する位置で前記第２の面にそれぞれ接続され、前記第１の面に開口するとともに流体が通る複数の開口を形成し、それぞれが変形することにより前記開口の広さを変更可能な、複数の第２の壁と、
を具備し、
前記複数の第２の壁は、前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の広さを変更可能な第１の筒壁と、前記第１の筒壁よりも前記第１の壁の中央から遠い位置で前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の広さを変更可能な第２の筒壁と、を有し、
前記第１の筒壁の厚さは、前記第２の筒壁の厚さよりも薄い、
流量調整装置。 A first wall having a first surface and a second surface located opposite the first surface;
A plurality of openings that are connected to the second surface at positions spaced apart from each other and open to the first surface and through which a fluid passes, and the width of the opening can be changed by deforming each; A plurality of second walls;
Comprising
The plurality of second walls are connected to the second surface, form the opening that opens in the first surface, and can change the width of the opening by deformation. The opening is connected to the second surface at a position farther from the center of the first wall than the first cylindrical wall, and the opening is formed in the first surface and deformed to form the opening. A second cylindrical wall capable of changing the width of
The thickness of the first tube wall is thinner than the thickness of the second tube wall,
Flow control device. 第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、を有する第１の壁と、
互いに離間する位置で前記第２の面にそれぞれ接続され、前記第１の面に開口するとともに流体が通る複数の開口を形成し、それぞれが変形することにより前記開口の広さを変更可能な、複数の第２の壁と、
を具備し、
前記複数の第２の壁は、前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の広さを変更可能な第１の筒壁と、前記第１の筒壁よりも前記第１の壁の中央から遠い位置で前記第２の面に接続され、前記第１の面に開口する前記開口を形成し、変形することにより前記開口の広さを変更可能な第２の筒壁と、を有し、
前記第１の筒壁の熱膨張率は、前記第２の筒壁の熱膨張率よりも大きい、
流量調整装置。 A first wall having a first surface and a second surface located opposite the first surface;
A plurality of openings that are connected to the second surface at positions spaced apart from each other and open to the first surface and through which a fluid passes, and the width of the opening can be changed by deforming each; A plurality of second walls;
Comprising
The plurality of second walls are connected to the second surface, form the opening that opens in the first surface, and can change the width of the opening by deformation. The opening is connected to the second surface at a position farther from the center of the first wall than the first cylindrical wall, and the opening is formed in the first surface and deformed to form the opening. A second cylindrical wall capable of changing the width of
The thermal expansion coefficient of the first cylindrical wall is larger than the thermal expansion coefficient of the second cylindrical wall.
Flow control device. 処理室が設けられた筐体と、
前記複数の開口を通して前記処理室に前記流体を供給する供給部と、
請求項１乃至請求項４のいずれか一つの流量調整装置と、
をさらに具備し、
前記第１の面は、前記処理室に面する、
処理装置。 A housing provided with a processing chamber;
A supply section for supplying the fluid to the processing chamber through the plurality of openings;
A flow rate adjusting device according to any one of claims 1 to 4 ,
Further comprising
The first surface faces the processing chamber;
Processing equipment.
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