JP6608728B2 - Circuit board and electronic device - Google Patents

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Description

本発明は、金属板を有する回路基板および電子装置に関するものである。   The present invention relates to a circuit board having a metal plate and an electronic device.

従来、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の電子部品が搭載された電
子装置に用いられる回路基板として、例えば、セラミック焼結体等からなる絶縁基板の上面に金属板が接合されたものが用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a circuit board used in an electronic device on which an electronic component such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is mounted, for example, a circuit board in which a metal plate is bonded to an upper surface of an insulating substrate made of a ceramic sintered body or the like is used. ing.

回路基板の金属板は、電子部品を外部電気回路に電気的に接続するための回路を形成している。回路基板に搭載された電子部品が金属板に電気的に接続されて電子装置が作製される。このときに、電子部品は樹脂材料等の被覆材で被覆される。このような電子装置においては、金属板を介して電子部品と外部電気回路とが互いに電気的に接続される。   The metal plate of the circuit board forms a circuit for electrically connecting the electronic component to an external electric circuit. Electronic devices mounted on the circuit board are electrically connected to a metal plate to produce an electronic device. At this time, the electronic component is covered with a covering material such as a resin material. In such an electronic device, an electronic component and an external electric circuit are electrically connected to each other through a metal plate.

また、絶縁基板の下面に他の金属板および他の絶縁基板が順次積層された構造の回路基板も、外部への放熱性の向上等のために用いられるようになってきている(例えば、特許文献1を参照)。下側の金属板が放熱用の外部基板等に接合、実装されて、外部への放熱が行なわれる。   In addition, a circuit board having a structure in which another metal plate and another insulating board are sequentially laminated on the lower surface of the insulating board is also used for improving heat dissipation to the outside (for example, patents). Reference 1). The lower metal plate is bonded and mounted on an external substrate for heat dissipation and the like, and heat is released to the outside.

特開2003−86747号公報JP 2003-86747 A

上記従来技術の回路基板および電子装置においては、回路基板全体が上方向に凸状に反りやすい傾向があった。これは、電子部品が搭載される金属板の平面視における面積よりも、放熱用の金属板の平面視における面積の方が大きいことによる。すなわち、互いに接合された絶縁基板と金属板とを有する回路基板において、これらの接合温度から常温まで温度が低下する間に、熱膨張係数の小さい絶縁基板と熱膨張係数の大きい金属板との間に生じる熱応力が、放熱用の金属板側においてより大きい傾向がある。この熱応力の差によって回路基板全体に、上方向に凸状の反りが生じやすくなる。このような反りが生じると、例えば下側の金属板の外部基板等に対する熱的な接続の効率が低下して、回路基板および電子装置としての放熱性が低下する可能性がある。   In the conventional circuit board and electronic device, the entire circuit board tends to warp upward in a convex shape. This is because the area in plan view of the metal plate for heat dissipation is larger than the area in plan view of the metal plate on which the electronic component is mounted. That is, in a circuit board having an insulating substrate and a metal plate bonded to each other, between the insulating substrate having a small thermal expansion coefficient and the metal plate having a large thermal expansion coefficient while the temperature decreases from the bonding temperature to room temperature. Tends to be larger on the side of the metal plate for heat dissipation. Due to this difference in thermal stress, an upward convex warpage is likely to occur on the entire circuit board. When such warpage occurs, for example, the efficiency of thermal connection of the lower metal plate to an external substrate or the like may be reduced, and heat dissipation as a circuit board and an electronic device may be reduced.

本発明の1つの態様の回路基板は、それぞれに上面および下面を有する第1セラミック板および第2セラミック板と、前記第1セラミック板の前記上面に配置された第1金属板と、前記第2セラミック板の前記下面に配置され、平面視における前記第1金属板の面積よりも大きい面積を有する第2金属板と、前記第1セラミック板の前記下面と前記第2セラミック板の前記上面との間に挟まれて配置された第3金属板とを備えており、該第3金属板が、内部が空洞である凹部を含む下面を有しており、前記第3金属板の厚みが、前記第1金属板の厚みおよび前記第2金属板の厚みのいずれよりも大きい。
The circuit board according to one aspect of the present invention includes a first ceramic plate and a second ceramic plate each having an upper surface and a lower surface, a first metal plate disposed on the upper surface of the first ceramic plate, and the second A second metal plate disposed on the lower surface of the ceramic plate and having an area larger than an area of the first metal plate in plan view; and the lower surface of the first ceramic plate and the upper surface of the second ceramic plate. A third metal plate disposed between them, and the third metal plate has a lower surface including a recess having a hollow inside , and the thickness of the third metal plate is It is larger than both the thickness of the first metal plate and the thickness of the second metal plate.

本発明の1つの態様の電子装置は、回路基板と、前記第1金属板上または前記搭載部に搭載された電子部品と、該電子部品から前記第2セラミック板の側面にかけて一体的に被覆しているモールド樹脂とを備える。   An electronic device according to an aspect of the present invention integrally covers a circuit board, an electronic component mounted on the first metal plate or on the mounting portion, and from the electronic component to a side surface of the second ceramic plate. Mold resin.

本発明の1つの態様の回路基板によれば、上記構成であることから、第3金属板から第2セラミック板に加わる熱応力が凹部で緩和される。そのため、第1金属板と第2金属板との平面視における互いの面積の差による熱応力差を効果的に低減することができる。したがって、第2セラミック板に加わる応力を第1セラミック板に加わる応力以下に低減することができ、上方向への凸状の反りが抑制された回路基板を提供することができる。この回路基板によれば、放熱性の高い電子装置を容易に製作することができる。   According to the circuit board of one aspect of the present invention, because of the above configuration, the thermal stress applied from the third metal plate to the second ceramic plate is relaxed by the recess. Therefore, the thermal stress difference due to the difference in area between the first metal plate and the second metal plate in plan view can be effectively reduced. Therefore, the stress applied to the second ceramic plate can be reduced below the stress applied to the first ceramic plate, and a circuit board in which upward convex warpage is suppressed can be provided. According to this circuit board, an electronic device with high heat dissipation can be easily manufactured.

また、本発明の1つの態様の電子装置によれば、上記構成の回路基板を含んでいることから、外部基板に対して効果的に熱的接続することが容易であり、放熱性の向上に有効な電子装置を提供することができる。   Moreover, according to the electronic device of one aspect of the present invention, since the circuit board having the above-described configuration is included, it is easy to effectively thermally connect to the external board, and the heat dissipation is improved. An effective electronic device can be provided.

(a)は本発明の第1の実施形態の回路基板を示す平面図であり、(b)は本発明の第1の実施形態の電子装置を示す断面図である。(A) is a top view which shows the circuit board of the 1st Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing which shows the electronic device of the 1st Embodiment of this invention. (a)は図1に示す回路基板の第1の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows the 1st modification of the circuit board shown in FIG. 1, (b) is sectional drawing in the AA of (a). (a)は図1に示す回路基板の第2の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows the 2nd modification of the circuit board shown in FIG. 1, (b) is sectional drawing in the AA of (a). (a)は図1に示す回路基板の第3の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows the 3rd modification of the circuit board shown in FIG. 1, (b) is sectional drawing in the AA of (a). (a)は図1に示す回路基板の第4の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows the 4th modification of the circuit board shown in FIG. 1, (b) is sectional drawing in the AA of (a). (a)は本発明の第2の実施形態の回路基板を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows the circuit board of the 2nd Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the AA of (a). (a)は図6に示す回路基板の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows the modification of the circuit board shown in FIG. 6, (b) is sectional drawing in the AA of (a). 本発明の第2の実施形態の電子装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electronic device of the 2nd Embodiment of this invention.

以下、図面を参照して本発明の回路基板および電子装置について説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に回路基板および電子装置が使用されるときの上下を限定するものではない。また同様に説明の便宜上、以下の各例における回路基板は電子部品が搭載された状態で示している。   The circuit board and electronic device of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the distinction between the upper and lower sides in the following description is for convenience, and does not limit the upper and lower sides when the circuit board and the electronic device are actually used. Similarly, for convenience of explanation, the circuit boards in the following examples are shown with electronic components mounted thereon.

(第1の実施形態)
図1および図2を参照して、本発明の実施形態の回路基板20および電子装置30について説明する。図1(a)は本発明の第1の実施形態の回路基板20を示す断面図であり、図1(b)は本発明の第1の実施形態の電子装置30を示す断面図である。図1(b)に示す電子装置30に含まれる回路基板10の断面図は、例えば図1(a)のA−A線における断面図である。
(First embodiment)
A circuit board 20 and an electronic device 30 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1A is a sectional view showing a circuit board 20 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view showing an electronic device 30 according to the first embodiment of the present invention. The cross-sectional view of the circuit board 10 included in the electronic device 30 shown in FIG. 1B is, for example, a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.

回路基板20は、絶縁体部分として、それぞれ上面および下面を有する平板状の第1セラミック板1および第2セラミック板2を有している。第1セラミック板1の上面に第1金属板3が下面を重ねて配置され、第2セラミック板2の下面に第2金属板4が上面を重ねて配置されている。これらの第1セラミック板1の下面と第2セラミック板2の上面との間に挟まれて第3金属板5が配置されている。すなわち、下側から順次積層された、第2金属板4、第2セラミック板2、第3金属板5、第1セラミック板1および第1金属板3によって、実施形態の回路基板20が基本的に構成されている。   The circuit board 20 has a flat plate-like first ceramic plate 1 and second ceramic plate 2 each having an upper surface and a lower surface as insulator portions. The first metal plate 3 is disposed with the lower surface superimposed on the upper surface of the first ceramic plate 1, and the second metal plate 4 is disposed with the upper surface superimposed on the lower surface of the second ceramic plate 2. A third metal plate 5 is disposed between the lower surface of the first ceramic plate 1 and the upper surface of the second ceramic plate 2. That is, the circuit board 20 of the embodiment is basically composed of the second metal plate 4, the second ceramic plate 2, the third metal plate 5, the first ceramic plate 1, and the first metal plate 3 that are sequentially stacked from the lower side. It is configured.

第1セラミック板1および第2セラミック板2は、後述するように窒化ケイ素質焼結体
等のセラミック材料からなる。また、第1金属板3、第2金属板4および第3金属板5は、後述するように銅等の金属材料からなる。
The first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 are made of a ceramic material such as a silicon nitride sintered body, as will be described later. Moreover, the 1st metal plate 3, the 2nd metal plate 4, and the 3rd metal plate 5 consist of metal materials, such as copper, so that it may mention later.

また、回路基板20の第1金属板3上に電子部品6が搭載されるとともに、電子部品6と第1金属板3とがボンディングワイヤ7等で電気的に接続され、電子部品6から第2セラミック板2の側面にかけてエポキシ樹脂等のモールド樹脂8で被覆されて電子装置30が製作される。すなわち、本発明の第1の実施形態の電子装置30は、上記構成の回路基板20と、第1金属板3上に搭載された電子部品6と、電子部品6から第1金属板3および第1セラミック板1の上面および第1セラミック板1および第3金属板5の側面を越えて第2セラミック板2の側面にかけて一体的に被覆しているモールド樹脂8とによって基本的に構成されている。   In addition, the electronic component 6 is mounted on the first metal plate 3 of the circuit board 20, and the electronic component 6 and the first metal plate 3 are electrically connected by a bonding wire 7 or the like. The electronic device 30 is manufactured by covering the side surface of the ceramic plate 2 with a mold resin 8 such as an epoxy resin. That is, the electronic device 30 according to the first embodiment of the present invention includes the circuit board 20 having the above configuration, the electronic component 6 mounted on the first metal plate 3, the electronic component 6 to the first metal plate 3, and the first metal plate 3. The upper surface of the first ceramic plate 1 and the mold resin 8 integrally covering the side surfaces of the second ceramic plate 2 beyond the side surfaces of the first ceramic plate 1 and the third metal plate 5 are basically constituted. .

モールド樹脂8は、例えば、回路基板20に電子部品6を搭載した後に、これらを未硬化のエポキシ樹脂等のモールド樹脂8用の材料で被覆して、未硬化の樹脂材料を硬化させることで所定位置に形成することができる。   For example, after the electronic component 6 is mounted on the circuit board 20, the mold resin 8 is coated with a material for the mold resin 8 such as an uncured epoxy resin, and the uncured resin material is cured. Can be formed in position.

なお、図1(b)に示す例では、モールド樹脂8は、第2セラミック板2の側面を越えて第2金属板4の側面まで被覆している。言い換えれば、この実施形態の電子装置30においては、第2金属板4の下面のみがモールド樹脂8で被覆されておらず、外部に露出している。   In the example shown in FIG. 1B, the mold resin 8 covers the side surface of the second metal plate 4 beyond the side surface of the second ceramic plate 2. In other words, in the electronic device 30 of this embodiment, only the lower surface of the second metal plate 4 is not covered with the mold resin 8 and is exposed to the outside.

第1金属板3は、回路基板20に搭載される電子部品6を外部基板(図示せず)に電気的に接続する導電路の一部として機能する。図1に示す例では、第1セラミック板1の上面に複数の第1金属板3が接合されている。それぞれの第1金属板3は、例えば互いに電気的に独立した回路を形成して、前述したように、電子部品6の異なる電極(図示せず)がボンディングワイヤ7等によって電気的に接続されている。電子部品6の異なる電極は、例えば大電流用および制御信号用のそれぞれの電極である。   The first metal plate 3 functions as a part of a conductive path that electrically connects the electronic component 6 mounted on the circuit board 20 to an external board (not shown). In the example shown in FIG. 1, a plurality of first metal plates 3 are joined to the upper surface of the first ceramic plate 1. Each first metal plate 3 forms, for example, an electrically independent circuit, and as described above, different electrodes (not shown) of the electronic component 6 are electrically connected by the bonding wires 7 or the like. Yes. Different electrodes of the electronic component 6 are, for example, electrodes for a large current and a control signal.

電子部品6の第1金属板3に対する接合は、例えばスズ−銀系はんだ、金−シリコン系ろう材等の、いわゆる低融点ろう材(符号なし)によって行なわれる。あらかじめ第1金属板3の上面の所定部位に低融点ろう材のフィルムまたはペースト等を配置しておいて、その部分に電子部品6の下面を位置合わせしてセットし、加熱してろう付けする。以上によって電子部品6が第1金属板3に接合される。この電子部品6が上記のように第1金属板3に電気的に接続されて、電子部品6の回路基板20に対する搭載が行なわれる。   The electronic component 6 is joined to the first metal plate 3 by a so-called low melting point brazing material (no symbol) such as a tin-silver solder or a gold-silicon brazing material. A low melting point brazing film or paste or the like is placed in advance on a predetermined portion of the upper surface of the first metal plate 3, and the lower surface of the electronic component 6 is aligned and set in that portion and brazed by heating. . Thus, the electronic component 6 is joined to the first metal plate 3. The electronic component 6 is electrically connected to the first metal plate 3 as described above, and the electronic component 6 is mounted on the circuit board 20.

ボンディングワイヤ7は、例えばいわゆる金ワイヤまたはアルミニウムワイヤであり、一方の端部が電子部品6に接続され、他方の端部が第1金属板3の所定部位に接続されている。   The bonding wire 7 is, for example, a so-called gold wire or aluminum wire, and one end portion is connected to the electronic component 6 and the other end portion is connected to a predetermined portion of the first metal plate 3.

第2金属板4は、例えば外部に熱を放散するための放熱材として機能する。例えば、第2金属板4の下面が放熱材(図示せず)に接合されれば、第2金属板4から放熱材に熱が伝導され、放熱材から外部に効果的に熱が放散される。この熱は、回路基板20に搭載される電子部品6の作動に伴って発生するものである。電子部品6で発生した熱が、第1金属板3、第1セラミック板1、第3金属板5および第2セラミック板2を順次伝わって、第2金属板4に伝導される。つまり、この場合には、電子部品6(電子部品6が搭載される第1金属板3)から第2金属板4にかけて、電子部品6で発生する熱を外部に放散する伝熱路が形成される。   The second metal plate 4 functions as, for example, a heat dissipation material for radiating heat to the outside. For example, if the lower surface of the second metal plate 4 is joined to a heat dissipation material (not shown), heat is conducted from the second metal plate 4 to the heat dissipation material, and heat is effectively dissipated from the heat dissipation material to the outside. . This heat is generated with the operation of the electronic component 6 mounted on the circuit board 20. Heat generated in the electronic component 6 is sequentially transmitted through the first metal plate 3, the first ceramic plate 1, the third metal plate 5, and the second ceramic plate 2 to be conducted to the second metal plate 4. That is, in this case, a heat transfer path is formed from the electronic component 6 (the first metal plate 3 on which the electronic component 6 is mounted) to the second metal plate 4 to dissipate the heat generated in the electronic component 6 to the outside. The

また、第2金属板4は、外部基板(外部基板が有する電気回路等)に対する電気的な接続用の端子として機能することもできる。この場合には、第2金属板4の下面が外部電気
回路の所定部位に対向して接合されれば、第2金属板4を介して回路基板20および電子装置30と外部電気回路との電気的な接続が行なわれる。この電気的な接続は、例えば第2金属板4を接地電位とするために行なわれる。
The second metal plate 4 can also function as a terminal for electrical connection to an external substrate (such as an electric circuit included in the external substrate). In this case, if the lower surface of the second metal plate 4 is joined so as to face a predetermined portion of the external electric circuit, the circuit board 20 and the electronic device 30 are electrically connected to the external electric circuit via the second metal plate 4. Connection is made. This electrical connection is made, for example, to set the second metal plate 4 to the ground potential.

第1の実施形態の電子装置30について、第2金属板4の下面が外部基板等(図示せず)に接合、実装される。これによって、電子装置30の外部基板への実装が行なわれ、第2金属板4を介して電子装置30から外部への放熱が行なわれる。なお、外部基板は、例えば放熱フィンまたは冷却管等の放熱用の機能部分(図示せず)を有しているものでもよい。   In the electronic device 30 of the first embodiment, the lower surface of the second metal plate 4 is bonded and mounted on an external substrate or the like (not shown). As a result, the electronic device 30 is mounted on the external substrate, and heat is radiated from the electronic device 30 to the outside via the second metal plate 4. The external substrate may have a heat radiation function part (not shown) such as a heat radiation fin or a cooling pipe.

第2金属板4の下面と外部基板との接合は、例えば、固定用孔10にねじ等を通し、外部基板にねじ止めしたり、回路基板20の周囲をばね等で上から押さえることによって行なわれる。この接合で電子装置30が外部基板に対して機械的に接続されるとともに、熱的に接続される。この熱的な接続の効果を高めるためには、第2金属板4の下面と外部基板との間に隙間(つまり、熱伝導率が小さい空気)が存在しないことが好ましい。   The lower surface of the second metal plate 4 and the external substrate are joined by, for example, passing a screw or the like through the fixing hole 10 and screwing it to the external substrate or pressing the periphery of the circuit substrate 20 from above with a spring or the like. It is. The electronic device 30 is mechanically connected to the external substrate and thermally connected by this bonding. In order to enhance the effect of this thermal connection, it is preferable that there is no gap (that is, air having a low thermal conductivity) between the lower surface of the second metal plate 4 and the external substrate.

第3金属板5は、第1セラミック板1と第2セラミック板2との間に介在して、これらの間の熱伝導を効果的に行なわせる伝熱層として機能する。そのため、第1セラミック板1の下面と第3金属板5の上面とが接合され、第2セラミック板2の上面と第3金属板5の下面とが接合されている。   The third metal plate 5 is interposed between the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 and functions as a heat transfer layer that effectively conducts heat between them. Therefore, the lower surface of the first ceramic plate 1 and the upper surface of the third metal plate 5 are joined, and the upper surface of the second ceramic plate 2 and the lower surface of the third metal plate 5 are joined.

実施形態の回路基板20において、第1金属板3および第2金属板4のいずれよりも第3金属板5の方が厚い。つまり、第1金属板3および第2金属板4に比べて厚く、剛性が比較的大きい第3金属板5が第1セラミック板1と第2セラミック板2との間に配置されている。そのため、回路基板20全体としての剛性が従来よりも高められている。第3金属板5の剛性が比較的高いことは、回路基板20の反りを抑制することに対して有効である。   In the circuit board 20 of the embodiment, the third metal plate 5 is thicker than both the first metal plate 3 and the second metal plate 4. That is, the third metal plate 5 that is thicker than the first metal plate 3 and the second metal plate 4 and has relatively high rigidity is disposed between the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2. For this reason, the rigidity of the circuit board 20 as a whole is enhanced as compared with the prior art. The relatively high rigidity of the third metal plate 5 is effective for suppressing the warp of the circuit board 20.

なお、第2金属板4および第3金属板5の少なくとも一方は、接地用の導体としての機能を有するものでもよい。このような接地用の導体が配置されているときには、制御信号等の信号が伝送される回路板としての第1金属板3と外部との間の電磁的な遮蔽に対して有効である。   Note that at least one of the second metal plate 4 and the third metal plate 5 may have a function as a grounding conductor. When such a grounding conductor is disposed, it is effective for electromagnetic shielding between the first metal plate 3 serving as a circuit board to which a signal such as a control signal is transmitted and the outside.

第1の実施形態の回路基板20においては、第3金属板5の下面が凹部5aを有している。そのため、第2セラミック板2に加わる熱応力が凹部5aで緩和される。これは、凹部5aがないと仮定したときに比べて、熱膨張率が第2セラミック板2に比べて大きい第3金属板5の収縮時(降温時)に生じる応力が、凹部5a部分の変形によって低減できることによる。   In the circuit board 20 of the first embodiment, the lower surface of the third metal plate 5 has a recess 5a. Therefore, the thermal stress applied to the second ceramic plate 2 is relaxed by the recess 5a. This is because the stress generated when the third metal plate 5 contracts (when the temperature falls) is larger than that of the second ceramic plate 2 as compared with the case where there is no recess 5a. It can be reduced by.

そのため、第1金属板3と第2金属板4との平面視における互いの面積の差による熱応力差を効果的に低減することができる。したがって、第2セラミック板2に加わる応力を第1セラミック板1に加わる応力以下に低減することができ、上方向への凸状の反りが抑制された回路基板20を提供することができる。この回路基板20によれば、放熱性の高い電子装置30を容易に製作することができる。   Therefore, the thermal stress difference due to the difference in area between the first metal plate 3 and the second metal plate 4 in plan view can be effectively reduced. Therefore, the stress applied to the second ceramic plate 2 can be reduced below the stress applied to the first ceramic plate 1, and the circuit board 20 in which the upward convex warpage is suppressed can be provided. According to this circuit board 20, it is possible to easily manufacture the electronic device 30 with high heat dissipation.

すなわち、仮に回路基板20全体が上方向に凸状に反っていたとすると、例えば固定用孔10を用いて回路基板20の第2金属板4の下面と外部基板とをねじ止め等で接続するときに、電子部品6の直下の最も熱経路の短いその下面の中央部に空気層(隙間)が生じる可能性があるために、外部基板に伝わる熱が空気層で遮断される可能性が比較的大きい。そのため、外部基板への熱伝導が大幅に低下して、放熱性が低下する可能性がある。これに対して、第1の実施形態の回路基板20では、回路基板20全体の上方向への凸状の反りが抑制されているため、第2金属板4の下面と外部基板との間に空気層(隙間)が生じる可能性
が効果的に低減されている。
That is, if the entire circuit board 20 is warped upward, for example, when the lower surface of the second metal plate 4 of the circuit board 20 and the external board are connected by screws or the like using the fixing holes 10. In addition, since there is a possibility that an air layer (gap) is generated in the central portion of the lower surface of the bottom surface having the shortest heat path immediately below the electronic component 6, there is a relatively high possibility that the heat transmitted to the external substrate is blocked by the air layer. large. As a result, heat conduction to the external substrate is significantly reduced, and heat dissipation may be reduced. On the other hand, in the circuit board 20 of the first embodiment, since the upward convex warpage of the circuit board 20 is suppressed, the gap between the lower surface of the second metal plate 4 and the external board is suppressed. The possibility of an air layer (gap) occurring is effectively reduced.

また、凹部5aにおいては熱伝導率が小さくなるが、その配置の位置を、第3金属板5の外周部等の伝熱量が比較的小さい位置に設定することもできるため、凹部5aの存在に起因した伝熱性の低下の可能性は効果的に低減することができる。また、凹部5aは、その数、平面視での大きさ等を適宜調整することによって、第3金属板5の伝熱層としての機能を良好に確保することもできる。   Further, although the thermal conductivity is small in the concave portion 5a, the position of the arrangement can be set to a position where the amount of heat transfer such as the outer peripheral portion of the third metal plate 5 is relatively small. The possibility of the resulting decrease in heat transfer can be effectively reduced. Moreover, the function as a heat-transfer layer of the 3rd metal plate 5 can also be ensured favorable by adjusting the number of the recessed parts 5a, the magnitude | size by planar view, etc. suitably.

上記のような伝熱性を考慮した凹部5aの配置としては、例えば図1に示す例のように、平面視における第3金属板5の周縁部(外周部)に、複数の凹部5aが互いに間隔をおいて配置された例を挙げることができる。   As the arrangement of the recesses 5a in consideration of the heat transfer as described above, a plurality of recesses 5a are spaced apart from each other at the peripheral edge (outer peripheral part) of the third metal plate 5 in a plan view as in the example shown in FIG. An example can be given in which

この場合、複数の凹部5aは、平面透視で第1金属板3が形成されていない部分に形成するようにしてもよい。これによって、例えば回路基板20全体の上下で応力(熱応力)が偏ることが抑制される。そのため、例えば応力の偏りに起因した回路基板20の局部的な反り等の変形も効果的に抑制できる。   In this case, you may make it form the some recessed part 5a in the part in which the 1st metal plate 3 is not formed by planar seeing. As a result, for example, stress (thermal stress) is suppressed from being biased up and down over the entire circuit board 20. Therefore, for example, deformation such as local warping of the circuit board 20 due to stress bias can be effectively suppressed.

第1セラミック板1および第2セラミック板2は、電気絶縁材料からなる。電気絶縁材料としては、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス、ムライト質セラミックス、炭化ケイ素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスおよび窒化ケイ素質セラミックス等のセラミック材料が挙げられる。これらセラミック材料の中では、放熱性に影響する熱伝導性に関しては、炭化ケイ素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスおよび窒化ケイ素質セラミックスがより高い。また、機械的強度の点に関しては、窒化ケイ素質セラミックスおよび炭化ケイ素質セラミックスがより高い。   The first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 are made of an electrically insulating material. Examples of the electrical insulating material include ceramic materials such as aluminum oxide ceramics, mullite ceramics, silicon carbide ceramics, aluminum nitride ceramics, and silicon nitride ceramics. Among these ceramic materials, silicon carbide ceramics, aluminum nitride ceramics, and silicon nitride ceramics are higher in terms of thermal conductivity that affects heat dissipation. In terms of mechanical strength, silicon nitride ceramics and silicon carbide ceramics are higher.

第1セラミック板1および第2セラミック板2が窒化ケイ素質セラミックスのように機械的強度が比較的高いセラミック材料からなる場合には、第1金属板3および第2金属板4等との熱膨張係数差に起因する熱応力による第1セラミック板1および第2セラミック板2におけるクラックの発生等の機械的な破壊の可能性が低減される。   When the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 are made of a ceramic material having a relatively high mechanical strength such as silicon nitride ceramics, thermal expansion with the first metal plate 3 and the second metal plate 4 is performed. The possibility of mechanical destruction such as generation of cracks in the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 due to thermal stress caused by the coefficient difference is reduced.

第1セラミック板1および第2セラミック板2の厚みは、例えば約0.1mm〜1mmで
あり、回路基板20および電子装置30の所定の外形寸法および機械的強度等の条件に応じて適宜設定すればよい。
The thicknesses of the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 are, for example, about 0.1 mm to 1 mm, and can be appropriately set according to conditions such as predetermined external dimensions and mechanical strength of the circuit board 20 and the electronic device 30. Good.

第1セラミック板1および第2セラミック板2は、例えば窒化ケイ素質セラミックスからなる場合であれば、次のような方法で作製することができる。まず、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤および溶剤を添加混合して泥漿物(スラリー)にする。次に、このスラリーをドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法でシート状に加工してセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を作製する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打抜き加工等を施して所定形状に成形するとともに、必要に応じて複数枚を積層して積層体を作製する。その後、この積層体(セラミックグリーンシート)を窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気において約1600〜2000℃の温度で焼成する。以上の工程によって第1セラミック板1および第2セラミック板2をそれぞれ製作することができる。   If the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 are made of, for example, silicon nitride ceramics, they can be produced by the following method. First, a suitable organic binder, plasticizer and solvent are added to and mixed with raw material powders such as silicon nitride, aluminum oxide, magnesium oxide and yttrium oxide to form a slurry. Next, the slurry is processed into a sheet shape by a molding method such as a doctor blade method or a calender roll method to produce a ceramic green sheet (ceramic green sheet). Next, the ceramic green sheet is subjected to an appropriate punching process or the like and formed into a predetermined shape, and a plurality of sheets are laminated as necessary to produce a laminate. Thereafter, this laminate (ceramic green sheet) is fired at a temperature of about 1600 to 2000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere such as a nitrogen atmosphere. Through the above steps, the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 can be manufactured.

第1金属板3は、例えば銅またはアルミニウム等の金属材料によって形成されている。また、第1金属板3は、銅またはアルミニウム等を主成分とする合金の金属材料によって形成されていてもよい。第1金属板3は、例えば銅からなる場合であれば、銅の板材に対して切断、圧延またはエッチング等の金属加工を施して、第1金属板3としての所定の形状および寸法に加工することによって製作することができる。   The first metal plate 3 is formed of a metal material such as copper or aluminum, for example. Moreover, the 1st metal plate 3 may be formed with the metal material of the alloy which has copper or aluminum as a main component. If the first metal plate 3 is made of, for example, copper, the copper plate material is subjected to metal processing such as cutting, rolling, or etching to be processed into a predetermined shape and dimensions as the first metal plate 3. Can be produced.

第2金属板4についても、第1金属板3と同様の材料を用い、同様の方法で作製することができる。なお、第2金属板4は、放熱性または接地電位の安定を考慮すれば、第1金属板3のように複数に分かれている形態よりも、平面視における面積が比較的大きいものが1つ配置されている方が望ましい。   The second metal plate 4 can also be manufactured in the same manner using the same material as the first metal plate 3. The second metal plate 4 has a relatively large area in plan view as compared with the first metal plate 3 in a plurality of divided forms in consideration of heat dissipation or ground potential stability. It is desirable to arrange.

第3金属板5も、例えば第1金属板3および第2金属板4と同様に銅または銅を主成分とする合金やアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金のように熱伝導率が高い金属材料によって形成されている。したがって、電子部品6で発生した熱が上記伝熱路によって第3金属板5まで効率よく伝導される。   Similarly to the first metal plate 3 and the second metal plate 4, the third metal plate 5 is also a metal having a high thermal conductivity, such as copper or an alloy containing copper as a main component or aluminum or an alloy containing aluminum as a main component. It is made of material. Therefore, the heat generated in the electronic component 6 is efficiently conducted to the third metal plate 5 through the heat transfer path.

上記のように第1セラミック板1および第1金属板3と第2セラミック板2および第2金属板4との間の熱伝導率が効果的に高められている。これによって、放熱性に優れた電子装置30を製作することが可能な回路基板20とすることができ、この回路基板20を備えることによって放熱性に優れた電子装置30とすることができる。   As described above, the thermal conductivity between the first ceramic plate 1 and the first metal plate 3 and the second ceramic plate 2 and the second metal plate 4 is effectively increased. Thus, the circuit board 20 capable of manufacturing the electronic device 30 having excellent heat dissipation can be obtained, and by providing the circuit board 20, the electronic device 30 having excellent heat dissipation can be provided.

第3金属板5の厚みは、例えば銅からなる場合であれば、第1金属板3および第2金属板4の厚みのいずれよりも厚い約0.5〜10mm程度に設定すればよい。なお、第3金属板
5は、第1金属板3および第2金属板4の厚みを合わせた厚みよりも厚いものでもよい。この場合には、実施形態の回路基板20の見かけの熱膨張係数が、仮に窒化ケイ素質焼結体の単板を絶縁基板として使用した場合の回路基板(図示せず)の見かけの熱膨張係数よりも大きくなり、モールド樹脂8の熱膨張係数に近付く。つまり、両者の熱膨張係数の差に起因する応力がより小さくなる。
If the thickness of the 3rd metal plate 5 is a case where it consists of copper, for example, what is necessary is just to set to about 0.5-10 mm thicker than any of the thickness of the 1st metal plate 3 and the 2nd metal plate 4. FIG. The third metal plate 5 may be thicker than the combined thickness of the first metal plate 3 and the second metal plate 4. In this case, the apparent thermal expansion coefficient of the circuit board 20 of the embodiment is an apparent thermal expansion coefficient of a circuit board (not shown) when a single plate of a silicon nitride sintered body is used as an insulating substrate. Larger than the thermal expansion coefficient of the mold resin 8. That is, the stress resulting from the difference between the thermal expansion coefficients of the two becomes smaller.

第3金属板5についても、第1金属板3と同様の材料を用い、同様の方法で作製することができる。第3金属板5についても、放熱性および剛性の確保を考慮すれば、第1金属板3のように複数に分かれている形態よりも、平面視における面積が比較的大きいものが1つ配置されている方が望ましい。この場合、凹部5aの所定の形状、寸法および配置位置において第3金属板5の下面に研削加工またはエッチング加工等の加工を施して、凹部5aを形成することができる。   The third metal plate 5 can also be manufactured in the same manner using the same material as the first metal plate 3. As for the third metal plate 5, in consideration of ensuring heat dissipation and rigidity, one plate having a relatively large area in plan view is arranged as compared with the first metal plate 3 divided into a plurality of forms. It is desirable to have. In this case, the recess 5a can be formed by applying processing such as grinding or etching to the lower surface of the third metal plate 5 at a predetermined shape, size, and arrangement position of the recess 5a.

複数の第1金属板3および第2金属板4は、第1セラミック板1の上面または第2セラミック板2の下面に、例えばAg−Cu系のろう材(図示せず)を介して接合されている。このろう材は、第1セラミック板1および第2セラミック板2に対して濡れることによって強固に接合されるために、例えば、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも1種の活性金属材料を含有していてもよい。また、このろう材は、例えばインジウムおよびスズのうち少なくとも1種の金属材料を有していてもよい。なお、このろう材の厚みは、例えば約5〜100μm程度であればよい。   The plurality of first metal plates 3 and second metal plates 4 are joined to the upper surface of the first ceramic plate 1 or the lower surface of the second ceramic plate 2 through, for example, an Ag—Cu brazing material (not shown). ing. This brazing material contains at least one active metal material of, for example, titanium, hafnium and zirconium in order to be firmly bonded to the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 by being wetted. May be. Moreover, this brazing material may have at least one metal material of indium and tin, for example. In addition, the thickness of this brazing material should just be about 5-100 micrometers, for example.

第3金属板5についても、例えば上記と同様のろう材によって、第1セラミック板1および第2セラミック板2に接合されている。すなわち、第3金属板5の上面と第1セラミック板1の下面とがろう材を介して接合されているとともに、第3金属板5の下面と第2セラミック板2の上面とがろう材を介して接合されている。ろう材による第1セラミック板1および第2セラミック板2と、第1金属板3、第2金属板4および第3金属板5との接合は、例えばこれらの部材を所定の位置関係に合わせるとともにジグ等で仮固定しておき、炉内で所定の温度に加熱することによって行なうことができる。それぞれの部材の接合は、一括して行なうようにしてもよく、いくつかに分けて逐次行なうようにしてもよい。   The third metal plate 5 is also joined to the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 by, for example, the same brazing material as described above. That is, the upper surface of the third metal plate 5 and the lower surface of the first ceramic plate 1 are joined via the brazing material, and the lower surface of the third metal plate 5 and the upper surface of the second ceramic plate 2 are made of the brazing material. Are joined through. The joining of the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 to the first metal plate 3, the second metal plate 4 and the third metal plate 5 with the brazing material, for example, adjusts these members to a predetermined positional relationship. It can be performed by temporarily fixing with a jig or the like and heating to a predetermined temperature in the furnace. The joining of each member may be performed in a lump, or may be performed sequentially in several steps.

なお、第1金属板3および第2金属板4のそれぞれの露出表面には、ニッケルおよび金
等のめっき層が被着されていてもよい。めっき層は、例えば、第1金属板3および第2金属板4のそれぞれの露出表面から順に被着されたニッケルめっき層および金めっき層によって構成され、第1金属板3および第2金属板4のそれぞれの露出表面を全面的に被覆するものである。このめっき層の被着によって、上記のような電子部品6の搭載および外部電気回路に対する接続等をより容易で強固なものとすることができる。
Note that a plating layer of nickel, gold, or the like may be applied to the exposed surfaces of the first metal plate 3 and the second metal plate 4. The plating layer is constituted by, for example, a nickel plating layer and a gold plating layer that are sequentially deposited from the exposed surfaces of the first metal plate 3 and the second metal plate 4, and the first metal plate 3 and the second metal plate 4. Each of the exposed surfaces is entirely covered. By applying this plating layer, the mounting of the electronic component 6 and the connection to an external electric circuit as described above can be made easier and stronger.

(第1の実施形態の変形例)
上記実施形態の回路基板20および電子装置30の種々の変形例について、以下に説明する。以下の説明において、実施形態の回路基板20および電子装置30と同様の点については説明を省略する。
(Modification of the first embodiment)
Various modifications of the circuit board 20 and the electronic device 30 of the above embodiment will be described below. In the following description, description of the same points as those of the circuit board 20 and the electronic device 30 of the embodiment will be omitted.

図2(a)は図1に示す回路基板20の第1の変形例を示す平面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A線における断面図である。図2において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図2に示す例においては、第1セラミック板1の厚みが第2セラミック板2の厚みよりも大きい。   2A is a plan view showing a first modification of the circuit board 20 shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2A. In FIG. 2, the same parts as those in FIG. In the example shown in FIG. 2, the thickness of the first ceramic plate 1 is larger than the thickness of the second ceramic plate 2.

このように第1セラミック板1の厚みが比較的大きい場合には、第1セラミック板1上の第1金属板3と、第1セラミック板1よりも下側の第2金属板4および第3金属板5のそれぞれとの間の距離をより大きくすることができる。また、この間に介在する絶縁材(セラミック材料)の長さもより大きくすることができる。   As described above, when the thickness of the first ceramic plate 1 is relatively large, the first metal plate 3 on the first ceramic plate 1, the second metal plate 4 below the first ceramic plate 1, and the third metal plate 3. The distance between each of the metal plates 5 can be further increased. In addition, the length of the insulating material (ceramic material) interposed therebetween can be further increased.

そのため、この場合には、第1金属板3と、第2金属板4および第3金属板5のそれぞれとの間の絶縁破壊電圧を高めることができる。言い換えれば、上記放熱性の向上に加えて、信号が伝送される金属回路(第1金属板3)と、接地側の金属板(第2金属板4および第3金属板5)の間の絶縁破壊電圧の向上にも有効な回路基板20とすることができる。   Therefore, in this case, the dielectric breakdown voltage between the first metal plate 3 and each of the second metal plate 4 and the third metal plate 5 can be increased. In other words, in addition to the improvement in heat dissipation, the insulation between the metal circuit (first metal plate 3) through which the signal is transmitted and the metal plate on the ground side (second metal plate 4 and third metal plate 5). The circuit board 20 that is also effective in improving the breakdown voltage can be obtained.

図3(a)は図1に示す回路基板20の第2の変形例を示す平面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A線における断面図である。図3において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図3に示す例においては、第3金属板5の凹部5a内に、第3金属板5よりも熱膨張率が小さい板体9が配置されている。この板体9は、第3金属板5と接合している。   FIG. 3A is a plan view showing a second modification of the circuit board 20 shown in FIG. 1, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the same parts as those in FIG. In the example shown in FIG. 3, a plate body 9 having a smaller coefficient of thermal expansion than the third metal plate 5 is disposed in the recess 5 a of the third metal plate 5. The plate body 9 is joined to the third metal plate 5.

第3金属板5の下面の凹部5a内に、熱膨張係数が比較的小さい(低熱膨張性の)板体9が配置されて第3金属板5と接合している場合には、第2セラミック板2に加わる応力が減少する。つまり、熱膨張係数が比較的小さい板体9の配置によって、第3金属板5のみかけの熱膨張係数が小さくなる。そのため、第2セラミック板2と第3金属板5等との熱膨張率の差に起因した熱応力自体が低減する。   When a plate body 9 having a relatively small thermal expansion coefficient (low thermal expansion) is disposed in the recess 5a on the lower surface of the third metal plate 5 and joined to the third metal plate 5, the second ceramic The stress applied to the plate 2 is reduced. That is, the apparent thermal expansion coefficient of the third metal plate 5 is reduced by the arrangement of the plate body 9 having a relatively small thermal expansion coefficient. Therefore, the thermal stress itself due to the difference in thermal expansion coefficient between the second ceramic plate 2 and the third metal plate 5 is reduced.

また、板体9は、第3金属板5だけでなく第2セラミック板2にも接合されていてもよく、第2セラミック板2のみに接合されていてもよい。板体9が第2セラミック板2に接合されていれば、第2セラミック板2の剛性が高まり、回路基板20全体が凸状に反る可能性が効果的に低減される。これによって、回路基板20の第2金属板4側を平坦に近付けることができる。また、前述したように第3金属板5の外周部に凹部5aが設けられていれば、平面透視において凹部5aよりも内側では第2金属板4の熱による膨張および収縮が比較的大きいため、回路基板20が下方向に凸状になりやすくなる。そのため、外部基板に対する熱的な接続が、特に電子部品6の直下で効果的なものになる。したがって、放熱性の向上が容易な回路基板20とすることができる。   Further, the plate body 9 may be bonded not only to the third metal plate 5 but also to the second ceramic plate 2, or may be bonded only to the second ceramic plate 2. If the plate body 9 is bonded to the second ceramic plate 2, the rigidity of the second ceramic plate 2 is increased, and the possibility that the entire circuit board 20 is warped is effectively reduced. Thereby, the second metal plate 4 side of the circuit board 20 can be brought close to flat. Further, as described above, if the concave portion 5a is provided in the outer peripheral portion of the third metal plate 5, expansion and contraction due to heat of the second metal plate 4 is relatively large inside the concave portion 5a in a plan view, The circuit board 20 tends to be convex downward. Therefore, the thermal connection to the external board becomes effective particularly directly under the electronic component 6. Therefore, the circuit board 20 can be easily improved in heat dissipation.

板体9を形成する材料としては、例えばムライト質セラミックス、炭化ケイ素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスおよび窒化ケイ素質セラミックス等の低熱膨張
係数のセラミック材料、タングステン、モリブデン等の低熱膨張係数の金属材料および300℃以下で低熱膨張係数を示す種々の合金材料等が挙げられる。この合金材料としては、
例えば42アロイおよびインバー等の鉄−ニッケル系合金であって300℃以下で低熱膨張
係数を示す合金が挙げられる。このような材料にレーザー切断、打ち抜きおよび切削等から選択した加工を施すことによって、板体9を作製することができる。
Examples of the material for forming the plate 9 include ceramic materials having a low thermal expansion coefficient such as mullite ceramics, silicon carbide ceramics, aluminum nitride ceramics and silicon nitride ceramics, metal materials having a low thermal expansion coefficient such as tungsten and molybdenum, and the like. Examples include various alloy materials exhibiting a low thermal expansion coefficient at 300 ° C. or lower. As this alloy material,
Examples thereof include iron-nickel alloys such as 42 alloy and Invar, which exhibit a low thermal expansion coefficient at 300 ° C. or lower. By subjecting such a material to processing selected from laser cutting, punching, and cutting, the plate body 9 can be manufactured.

また、板体9は、例えば第1セラミック板1、第2セラミック板2と第1金属板3、第2金属板4、第3金属板5とを接合しているろう材と同じ組成の銀ろう等のろう材(図示せず)によって第3金属板5または第2セラミック板2に接合することができる。ろう材は、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも1種の活性金属材料を含有するものでもよい。   Further, the plate body 9 is, for example, silver having the same composition as the brazing material joining the first ceramic plate 1, the second ceramic plate 2 and the first metal plate 3, the second metal plate 4, and the third metal plate 5. It can be joined to the third metal plate 5 or the second ceramic plate 2 by a brazing material (not shown) such as brazing. The brazing material may contain at least one active metal material of titanium, hafnium and zirconium.

なお、凹部5aの深さを板体9の厚みよりもろう材の厚み分深く形成しておき、板体9の上下両主面を第3金属板5と第2セラミック板2とにろう材で接合した場合には、凹部5aの範囲は板体9を介して熱伝導されるようになる。この場合に、板体9を窒化アルミニウム質セラミックスもしくは炭化ケイ素質セラミックス等の高熱伝導性のセラミックスまたはタングステンもしくはモリブデン等の高熱伝導性の金属からなるものしとてもよい。このようにした場合には、凹部5aの範囲においても熱伝導率が比較的高い。これによって、より高い熱伝導性(放熱性)を持った回路基板20とすることができる。   In addition, the depth of the recess 5 a is formed deeper than the thickness of the plate body 9 by the thickness of the brazing material, and the upper and lower main surfaces of the plate body 9 are connected to the third metal plate 5 and the second ceramic plate 2. In this case, the range of the recess 5a is thermally conducted through the plate body 9. In this case, the plate 9 is made of a high thermal conductivity ceramic such as aluminum nitride ceramic or silicon carbide ceramic or a high thermal conductivity metal such as tungsten or molybdenum, which is very good. In such a case, the thermal conductivity is relatively high even in the range of the recess 5a. Thereby, the circuit board 20 having higher thermal conductivity (heat dissipation) can be obtained.

図4(a)は図1に示す回路基板20の第3の変形例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。図4において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図4に示す例では、第1セラミック板1が薄肉部1aを有している。また、第1セラミック板1の厚みが、第2セラミック板2の厚みよりも大きい。   4A is a plan view showing a third modification of the circuit board 20 shown in FIG. 1, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 4, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 4, the 1st ceramic board 1 has the thin part 1a. Further, the thickness of the first ceramic plate 1 is larger than the thickness of the second ceramic plate 2.

薄肉部1aは、第1セラミック板1の厚みが部分的に他よりも薄くなっている部分であり、例えば、第1セラミック板1の上面にくぼみまたは溝等が設けられた部分である。このような薄肉部1aが第1セラミック板1にあるときには、薄肉部1aの剛性は厚みが薄い分低いために、第1セラミック板1の剛性は低下する。そのため、仮に互いに同じ基板厚みであれば、第1セラミック板1の剛性は第2セラミック板2の剛性よりも小さくなる。言い換えれば、平面視における面積がより小さい第1金属板3との間で生じる熱応力が比較的小さい第1セラミック板1の剛性が第2セラミック板2に比べ比較的小さくなる。これによって、第1金属板3と第2金属板4との平面視における互いの面積の差に伴う熱応力差による変形量の差も小さくなる。したがって、回路基板20全体の凸状の変形を効果的に抑制することができる。   The thin portion 1a is a portion where the thickness of the first ceramic plate 1 is partially thinner than the others, for example, a portion where a recess or a groove is provided on the upper surface of the first ceramic plate 1. When such a thin portion 1a is present on the first ceramic plate 1, the rigidity of the thin portion 1a is low because the thickness is small, so the rigidity of the first ceramic plate 1 is lowered. Therefore, if the substrate thicknesses are the same, the rigidity of the first ceramic plate 1 is smaller than the rigidity of the second ceramic plate 2. In other words, the rigidity of the first ceramic plate 1 with relatively small thermal stress generated between the first metal plate 3 having a smaller area in plan view is relatively smaller than that of the second ceramic plate 2. As a result, the difference in deformation due to the difference in thermal stress accompanying the difference in area between the first metal plate 3 and the second metal plate 4 in plan view is also reduced. Therefore, the convex deformation of the entire circuit board 20 can be effectively suppressed.

また、第1セラミック板1が薄肉部1aを有している場合には、上記のように第1セラミック板1の厚みを比較的大きくしたとしても、その厚みの増加によって生じる第1セラミック板1と第2セラミック板2の熱応力差による変形量の差の増加を抑制することができる。つまり、第2金属板4が上方向に凸状に反りやすくなる可能性が効果的に低減される。したがって、第1金属板3と、第2金属板4および第3金属板5のそれぞれとの間の絶縁破壊電圧を高めることができるとともに、放熱性を高めることも可能な回路基板20とすることができる。   Moreover, when the 1st ceramic board 1 has the thin part 1a, even if it makes the thickness of the 1st ceramic board 1 comparatively large as mentioned above, the 1st ceramic board 1 which arises by the increase in the thickness And the increase in the difference in deformation due to the difference in thermal stress between the second ceramic plate 2 can be suppressed. That is, the possibility that the second metal plate 4 tends to warp upward is effectively reduced. Therefore, the circuit board 20 can increase the dielectric breakdown voltage between the first metal plate 3 and each of the second metal plate 4 and the third metal plate 5 and can also improve heat dissipation. Can do.

薄肉部1aは、例えば第1セラミック板1を2層のセラミックグリーンシートの積層で作成する場合には、第1セラミック板1となる上側のセラミックグリーンシートの所定部位に機械的な打ち抜き加工またはレーザ加工等で薄肉部1aとなる孔を形成し、下側となるセラミックグリーンシートと密着させ、焼成一体化することで形成することができる。   For example, when the first ceramic plate 1 is formed by laminating two ceramic green sheets, the thin-walled portion 1a is formed by mechanical punching or laser at a predetermined portion of the upper ceramic green sheet that becomes the first ceramic plate 1. It can be formed by forming a hole to be the thin-walled portion 1a by processing or the like, bringing it into close contact with the ceramic green sheet on the lower side and firing and integrating it.

図5(a)は図1に示す回路基板20の第4の変形例を示す平面図であり、図5(b)は
図5(a)のA−A線における断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図5に示す例では、第1セラミック板1が、第1セラミック板1を厚み方向に貫通する貫通孔1bを有している。
FIG. 5A is a plan view showing a fourth modification of the circuit board 20 shown in FIG. 1, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 5, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 5, the first ceramic plate 1 has a through hole 1 b that penetrates the first ceramic plate 1 in the thickness direction.

この貫通孔1bは、第3の変形例における薄肉部1aと同様の機能を有している。すなわち、例えば第1セラミック板1の厚みが第2セラミック板2よりも大きい場合でも、貫通孔1bによって第1セラミック板1と第2セラミック板2の熱応力差による変形量の差の増加を抑制して、回路基板20全体の変形(上方向に凸状になること)を抑制できる。   The through hole 1b has the same function as the thin portion 1a in the third modification. That is, for example, even when the thickness of the first ceramic plate 1 is larger than that of the second ceramic plate 2, an increase in the difference in deformation due to the thermal stress difference between the first ceramic plate 1 and the second ceramic plate 2 is suppressed by the through holes 1b. Thus, deformation of the entire circuit board 20 (being convex in the upward direction) can be suppressed.

貫通孔1bは、例えば第1セラミック板1または第1セラミック板1となるセラミックグリーンシートの所定部位に機械的な打ち抜き加工またはレーザ加工等を施すことで形成することができる。   The through hole 1b can be formed, for example, by subjecting a predetermined portion of the ceramic green sheet to be the first ceramic plate 1 or the first ceramic plate 1 to mechanical punching or laser processing.

なお、薄肉部1aおよび貫通孔1bの位置は、第1金属板3と第3金属板5との間の電気絶縁性、電子部品6から第2金属板4に至る伝熱経路の有効な確保を考慮して適宜調整することが望ましい。例えば、薄肉部1aは電位差が大きく加わる第1金属板3から薄肉部1aの凹み深さ以上、貫通孔1bは第1セラミック板1の厚み以上離して形成すると、樹脂モールド後にモールド樹脂8が薄肉部1aや貫通孔1bに充填されなかった場合でも第1セラミック板1上のモールド樹脂8によって絶縁性が確保できる。   The positions of the thin-walled portion 1a and the through-hole 1b are such that the electrical insulation between the first metal plate 3 and the third metal plate 5 and the effective heat transfer path from the electronic component 6 to the second metal plate 4 are ensured. It is desirable to adjust appropriately considering the above. For example, if the thin portion 1a is formed to be separated from the first metal plate 3 to which a large potential difference is applied by the depth of the recess of the thin portion 1a or more than the thickness of the first ceramic plate 1, the mold resin 8 is thin after resin molding. Even when the portion 1a and the through hole 1b are not filled, the insulating property can be secured by the mold resin 8 on the first ceramic plate 1.

(第2の実施形態)
図6(a)は本発明の第2の実施形態の回路基板20を示す断面図であり、図6(b)は図6(a)のA−A線における断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。
(Second Embodiment)
6A is a cross-sectional view showing a circuit board 20 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 6A. 5, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

第2の実施形態の回路基板20においては、第1セラミック板1が、第1セラミック板1を厚み方向に貫通する開口部1cを有している。また、この開口部1c内において第3金属板5が上方向に突出した凸部5cを有している。第2の実施形態の回路基板20は、これらの点が第1の実施形態の回路基板20と異なり、他の点については第1の実施形態と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。   In the circuit board 20 of the second embodiment, the first ceramic plate 1 has an opening 1c that penetrates the first ceramic plate 1 in the thickness direction. In addition, the third metal plate 5 has a convex portion 5c protruding upward in the opening 1c. The circuit board 20 of the second embodiment is different from the circuit board 20 of the first embodiment in these points, and the other points are the same as those in the first embodiment. Explanation of these similar points is omitted.

本実施形態の回路基板20では、この凸部5cの上面に電子部品6が搭載される。搭載される電子部品6は、第1の実施形態の場合と同様に第1金属板3、つまり信号の伝送路等にボンディングワイヤ7等を介して電気的に接続される。   In the circuit board 20 of the present embodiment, the electronic component 6 is mounted on the upper surface of the convex portion 5c. The electronic component 6 to be mounted is electrically connected to the first metal plate 3, that is, a signal transmission path or the like via a bonding wire 7 or the like as in the case of the first embodiment.

本実施形態の回路基板20は、第3金属板5の凸部5c上に電子部品6が搭載されるので、電子部品6から第3金属板5に熱が伝わりやすい。そのため、電子部品6から第3金属板5を通って第2金属板4に至る伝熱経路全体の熱伝導率を高めることができる。   Since the electronic component 6 is mounted on the convex portion 5 c of the third metal plate 5 in the circuit board 20 of the present embodiment, heat is easily transmitted from the electronic component 6 to the third metal plate 5. Therefore, the thermal conductivity of the entire heat transfer path from the electronic component 6 through the third metal plate 5 to the second metal plate 4 can be increased.

また、本実施形態においても、第3金属板5が下面に凹部5aを有している。そのため、回路基板20全体が凸状になるようなことは効果的に抑制されている。したがって、上記の電子部品6から第3金属板5への伝熱性の向上とあわせて、外部への放熱性に優れた回路基板20を提供することができる。   Also in this embodiment, the third metal plate 5 has a recess 5a on the lower surface. Therefore, it is effectively suppressed that the entire circuit board 20 becomes convex. Therefore, it is possible to provide the circuit board 20 that is excellent in heat dissipation to the outside in addition to the improvement in heat transfer from the electronic component 6 to the third metal plate 5.

第1の実施形態では第1セラミック板1の電子部品6が搭載される部分に、本実施形態では開口部1cが形成されているため、平面視で開口部1cに重なる部分においては、第1セラミック板1は存在していない。この部分において、第2セラミック板2の下面に第2金属板4が接合しており、上面には第2金属板4より厚い第3金属板5が接合している。そのため、第2セラミック板2は上面に大きな収縮の熱応力が加わることになるので、回路基板20は電子部品6の搭載部の直下部分では下に凸の形状となりやすい。そのために
、本実施形態の回路基板20が下方向に凸状(図示せず)になれば、発熱する電子部品6から外部基板への最も熱経路の短いその直下(第2金属板4の下面の中央部)に、外部基板との間で空気層(隙間)が生じる可能性を小さくすることができるようになる。そのために、例えば、固定用孔10にねじ等を通し、外部基板にねじ止めしたり、回路基板20の周囲をばね等で上から押さえることによって、電子装置30を外部基板に対して機械的、熱的に接続した場合には、より効率的に外部に熱を逃がすことができる。
In the first embodiment, the opening 1c is formed in the portion of the first ceramic plate 1 where the electronic component 6 is mounted. In the present embodiment, the opening 1c is formed in a portion overlapping the opening 1c in plan view. The ceramic plate 1 does not exist. In this portion, the second metal plate 4 is bonded to the lower surface of the second ceramic plate 2, and the third metal plate 5 thicker than the second metal plate 4 is bonded to the upper surface. For this reason, the second ceramic plate 2 is subjected to a large shrinking thermal stress on the upper surface, so that the circuit board 20 tends to have a downwardly convex shape immediately below the mounting portion of the electronic component 6. For this reason, if the circuit board 20 of the present embodiment is convex downward (not shown), it is immediately below the shortest heat path from the heat generating electronic component 6 to the external board (the lower surface of the second metal plate 4). The possibility that an air layer (gap) is generated between the external substrate and the external substrate can be reduced. For this purpose, for example, by passing a screw or the like through the fixing hole 10 and screwing it to the external board, or pressing the periphery of the circuit board 20 with a spring or the like from above, the electronic device 30 is mechanically connected to the external board. When thermally connected, heat can be released to the outside more efficiently.

第1セラミック板1の開口部1cは、平面視において、上面に電子部品6が搭載される第3金属板5の凸部5cが収まることができる程度の大きさで設けられている。言い換えれば、回路基板20における電子部品6の搭載領域を含む程度の大きさを有する開口部1cが第1セラミック板1に形成されている。なお、平面視において開口部1cが大きくなり過ぎると、第1セラミック板1の機械的な強度の低下等を生じる可能性がある。そのため、開口部1cのコーナーは鋭角とせずRを取ることにより応力が集中しない形状とする。   The opening 1c of the first ceramic plate 1 is provided in such a size that the convex portion 5c of the third metal plate 5 on which the electronic component 6 is mounted can be accommodated on the upper surface in plan view. In other words, the first ceramic plate 1 is formed with an opening 1 c having a size that includes the mounting area of the electronic component 6 on the circuit board 20. Note that if the opening 1c is too large in plan view, the mechanical strength of the first ceramic plate 1 may be reduced. For this reason, the corner of the opening 1c is not an acute angle, but is formed in a shape in which stress is not concentrated by taking R.

なお、凸部5cは第3金属板5を加工して形成するだけでなく、平板の第3金属板5の電子部品6搭載部に熱伝導率の良い銅やモリブデン等の金属をろう材で接合して形成してもよい。なお、低熱膨張のモリブデン板を凸部5cとする場合には、平面視において開口部1cの面積の50%未満であれば、電子部品6の搭載部の直下部分では下に凸の形状なのでよい。   The convex portion 5c is not only formed by processing the third metal plate 5, but a metal such as copper or molybdenum having a good thermal conductivity is used as a brazing material for the electronic component 6 mounting portion of the flat third metal plate 5. It may be formed by bonding. In the case where the low thermal expansion molybdenum plate is used as the convex portion 5c, the shape may be a convex shape directly below the mounting portion of the electronic component 6 as long as it is less than 50% of the area of the opening 1c in plan view. .

図7(a)は図6に示す回路基板20の変形例を示す平面図であり、図7(b)は図7(a)のA−A線における断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。   FIG. 7A is a plan view showing a modification of the circuit board 20 shown in FIG. 6, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 7A. 5, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

図7に示す例においては、第1セラミック板1の開口1cを囲む部位において第3金属板5が上面側の凹部5bを有している。言い換えれば、第3金属板5は、凸部5cの周囲において段状であって他の部分よりも上面の高さが低くなり、その分、厚みが小さくなっている。この場合には回路基板20は電子部品6の搭載部の直下部分では下に凸の形状となることにおいては図6と同様である。そして、第3金属板5の上面に上面側の凹部5bを形成しているために、第1セラミック板1に第3金属板5から加わる熱応力が緩和されるために、開口部1cの寸法によって第1セラミック板1の機械的な強度の低下等を生じる可能性が小さくなるので、開口部1cの設計の自由度が高くなる。また、開口部1c部分に上面側の凹部5bが形成されているために開口部1c部分のボンディングワイヤ7と第3金属板5表面との距離を上面側の凹部5bの深さ分広げることができるため、より絶縁性が高く確保できる。   In the example shown in FIG. 7, the third metal plate 5 has a concave portion 5 b on the upper surface side at a portion surrounding the opening 1 c of the first ceramic plate 1. In other words, the third metal plate 5 is stepped around the convex portion 5c and has a lower upper surface than the other portions, and the thickness is reduced accordingly. In this case, the circuit board 20 has the same convex shape as that in FIG. Since the upper surface side concave portion 5b is formed on the upper surface of the third metal plate 5, the thermal stress applied to the first ceramic plate 1 from the third metal plate 5 is relieved, so that the size of the opening 1c is reduced. As a result, the possibility that the mechanical strength of the first ceramic plate 1 is lowered is reduced, so that the degree of freedom in designing the opening 1c is increased. In addition, since the concave portion 5b on the upper surface side is formed in the opening portion 1c, the distance between the bonding wire 7 in the opening portion 1c portion and the surface of the third metal plate 5 can be increased by the depth of the concave portion 5b on the upper surface side. Therefore, higher insulation can be secured.

図8は、本発明の第2の実施形態の電子装置30を示す断面図である。図8において図1
と同様の部位には同様の符号を付している。第2の実施形態の電子装置30は、第2の実施形態の回路基板20に電子部品6が搭載されて製作されている。これ以外の点は、第1の実施形態の電子装置30と同様である。
FIG. 8 is a sectional view showing an electronic device 30 according to the second embodiment of the present invention. In FIG.
The same code | symbol is attached | subjected to the site | part similar to. The electronic device 30 of the second embodiment is manufactured by mounting the electronic component 6 on the circuit board 20 of the second embodiment. Other points are the same as those of the electronic device 30 of the first embodiment.

本実施形態の電子装置30によれば、前述したように第3金属板5(凸部5c)上に電子部品が直接に搭載されるので、外部への放熱性の向上に関して有利な電子装置30の提供が可能である。   According to the electronic device 30 of the present embodiment, since the electronic component is directly mounted on the third metal plate 5 (convex portion 5c) as described above, the electronic device 30 is advantageous in terms of improving heat dissipation to the outside. Can be provided.

なお、第1および第2の実施形態およびそれぞれの変形例において、電子部品6の第1セラミック板1上または第3金属板5の凸部5c上への接合は、例えば、はんだおよび金−スズ合金等の種々の接合材で行なうことができる。   In addition, in 1st and 2nd embodiment and each modification, joining to the convex part 5c of the electronic component 6 on the 1st ceramic plate 1 or the 3rd metal plate 5 is solder and gold-tin, for example Various bonding materials such as alloys can be used.

1・・・第1セラミック板
1a・・・薄肉部
1b・・・貫通孔
1c・・・開口部
2・・・第2セラミック板
3・・・第1金属板
4・・・第2金属板
5・・・第3金属板
5a・・・凹部
5b・・・上面側の凹部
5c・・・凸部
6・・・電子部品
7・・・ボンディングワイヤ
8・・・モールド樹脂
9・・・板体
10・・・固定用孔
20・・・回路基板
30・・・電子装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st ceramic plate 1a ... Thin part 1b ... Through-hole 1c ... Opening part 2 ... 2nd ceramic plate 3 ... 1st metal plate 4 ... 2nd metal plate 5 ... 3rd metal plate 5a ... Concave portion 5b ... Concave portion 5c on the upper surface side ... Convex portion 6 ... Electronic component 7 ... Bonding wire 8 ... Mold resin 9 ... Plate body
10 ... Hole for fixing
20 ... Circuit board
30 ・ ・ ・ Electronic device

Claims (8)

それぞれに上面および下面を有する第1セラミック板および第2セラミック板と、
前記第1セラミック板の前記上面に配置された第1金属板と、
前記第2セラミック板の前記下面に配置され、平面視における前記第1金属板の面積よりも大きい面積を有する第2金属板と、
前記第1セラミック板の前記下面と前記第2セラミック板の前記上面との間に挟まれて配置された第3金属板とを備えており、
該第3金属板が、内部が空洞である凹部を含む下面を有しており、前記第3金属板の厚みが前記第1金属板の厚みおよび前記第2金属板の厚みのいずれよりも大きいことを特徴とする回路基板。
A first ceramic plate and a second ceramic plate each having an upper surface and a lower surface;
A first metal plate disposed on the upper surface of the first ceramic plate;
A second metal plate disposed on the lower surface of the second ceramic plate and having an area larger than the area of the first metal plate in plan view ;
A third metal plate disposed between the lower surface of the first ceramic plate and the upper surface of the second ceramic plate,
The third metal plate has a lower surface including a recess having a hollow inside , and the thickness of the third metal plate is larger than both the thickness of the first metal plate and the thickness of the second metal plate. A circuit board characterized by that.
前記第1セラミック板の厚みが前記第2セラミック板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, wherein a thickness of the first ceramic plate is larger than a thickness of the second ceramic plate. 前記凹部内に、前記第3金属板よりも熱膨張率が小さい板体が配置されており、該板体が前記第3金属板および前記第2セラミック板の少なくとも一方と接合していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板。 A plate body having a smaller coefficient of thermal expansion than the third metal plate is disposed in the recess, and the plate body is joined to at least one of the third metal plate and the second ceramic plate. The circuit board according to claim 1, wherein the circuit board is characterized by the following. 前記第1セラミック板が薄肉部を有していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, wherein the first ceramic plate has a thin portion. 前記第1セラミック板が、該第1セラミック板を厚み方向に貫通する貫通孔を有していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の回路基板。 The circuit board according to claim 1, wherein the first ceramic plate has a through-hole penetrating the first ceramic plate in a thickness direction. 前記第1セラミック板が、該第1セラミック板を厚み方向に貫通する開口部を有しており、該開口部内において前記第3金属板が上方向に突出した凸部を有していることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の回路基板。 The first ceramic plate has an opening that penetrates the first ceramic plate in the thickness direction, and the third metal plate has a convex portion protruding upward in the opening. The circuit board according to any one of claims 1 to 5, characterized in that: 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の回路基板と、
前記第1金属板上に搭載された電子部品と、
該電子部品から前記第2セラミック板の側面にかけて一体的に被覆しているモールド樹脂とを備えること特徴とする電子装置。
The circuit board according to any one of claims 1 to 5,
An electronic component mounted on the first metal plate;
An electronic apparatus comprising: a mold resin integrally covering the electronic component and a side surface of the second ceramic plate.
請求項6に記載の回路基板と、
前記凸部の上面に搭載された電子部品と、
該電子部品から前記第2セラミック板の側面にかけて一体的に被覆しているモールド樹脂とを備えること特徴とする電子装置。
A circuit board according to claim 6;
An electronic component mounted on the upper surface of the convex portion;
An electronic apparatus comprising: a mold resin integrally covering the electronic component and a side surface of the second ceramic plate.
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