JP6606236B2

JP6606236B2 - 半導体チップ

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Publication number: JP6606236B2
Application number: JP2018145605A
Authority: JP
Inventors: 紀久生宇都野
Original assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2018-08-02
Filing date: 2018-08-02
Publication date: 2019-11-13
Anticipated expiration: 2030-11-30
Also published as: JP2018198322A

Description

本発明は、太陽電池と二次電池とを接続する配線の抵抗の増加を抑制させることを目的とした半導体チップに関し、特に半導体チップに設ける外部接続端子のレイアウトに特徴を有するものに関する。

特許文献１には、太陽電池から二次電池への充電を制御する機能を備えた充電制御システムとして、太陽電池と、二次電池と、太陽電池と二次電池とを電気的に接続する配線と、該配線上に設けられて二次電池から太陽電池への電流の逆流を防止する逆流防止部を備えたものが開示されている。

特開平８−２５１８１８号公報

ここで、特許文献１の特に図１から想起される充電制御システムを検討すると、図４のような構成になると考えられる。図４に示された充電制御システムは、太陽電池１と、二次電池２と、半導体チップ３と、を備え、さらに半導体チップ３は、太陽電池１と電気的に接続される第１の端子４と、二次電池２と電気的に接続される第２の端子５と、第１の端子４と第２の端子５とを電気的に接続する配線６と、配線６上に形成されて二次電池２から太陽電池１への電流の逆流を防止する逆流防止部７と、を備えている。

しかしながら、図４に示されているように、近年、充電制御システムに用いられる半導体チップ３には、逆流防止部７以外にも、内部回路８として種々の機能を備えた回路等が混載される場合が一般的となっている。

従って、図４に示した従来の充電制御システムに用いられる半導体チップ３のように、太陽電池１と二次電池２とを電気的に接続する配線６が、半導体チップ３の一辺から該一辺に対向する他辺まで延在する構成としてしまうと、配線６が内部回路８の大きさに依存して冗長となり、その分配線抵抗が増加してしまうため、太陽電池１から二次電池２への充電を行う場合に電気的損失を被ってしまうおそれがある。

そこで、本発明では、太陽電池と二次電池とを電気的に接続する配線の長さが他の内部回路の影響を受けにくく、太陽電池から二次電池への充電を行う場合の電気的損失を低減することができる半導体チップを提供する。

本発明にかかる半導体チップは、四辺に縁取られて矩形に形成された半導体チップであって、前記四辺のうちの一辺に沿って形成された第１の端子と、前記一辺に沿って形成された第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する配線と、前記配線に接続され、前記第１の端子に印加される電圧を降下させることなく、前記配線を流れる電流の通電を制御するスイッチ回路と、前記第１の端子及び前記第２の端子を接続する線分と、前記配線と、により囲まれた領域の外側に配置されると共に、前記一辺に沿って形成された、接地電位と電気的に接続された第３の端子に、前記スイッチ回路を流れる電流を供給するトランジスタ回路と、を有することを特徴とする。

また、本発明にかかる半導体チップは、四辺に縁取られて矩形に形成された半導体チップであって、前記四辺のうちの一辺に沿って形成された第１の端子と、前記一辺と隣接する他辺に沿って形成された第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する配線と、前記配線に接続され、前記第１の端子に印加される電圧を降下させることなく、前記配線を流れる電流の通電を制御するスイッチ回路と、前記スイッチ回路を流れる電流を、接地電位と電気的に接続された第３の端子に供給するトランジスタ回路と、を有することを特徴とする。

本発明にかかる半導体チップによれば、太陽電池と電気的に接続される第１の端子と、二次電池と電気的に接続される第２の端子と、のいずれもが、矩形に形成された半導体チップの四辺のうちの一辺に沿って形成され、又は第１の端子が一辺に、第２の端子が該一辺と隣接する他辺に形成されていることから、第１の端子と第２の端子とを電気的に接続する配線が、半導体チップの一辺から該一辺に対向する他辺まで延在して形成されることがない。このため、太陽電池と二次電池とを電気的に接続する配線の長さが他の内部回路の影響を受けにくく、太陽電池から二次電池への充電を行う場合の電気的損失を低減することができる。

本発明の第１の実施形態にかかる半導体チップ１０の構成を示す図である。本発明の第１の実施形態にかかる半導体チップ１０内に形成された放電部７０の詳細回路図である。本発明の第２の実施形態にかかる半導体チップ１０の構成を示す図である。特許文献１に開示された図１から想起される充電制御システムにおける課題を説明するための図である。

本発明にかかる半導体チップについて、図面を参照して以下で詳細に説明する。
（第１の実施形態）

図１は、本発明の第１の実施形態にかかる半導体チップ１０を備えた充電制御システムを示しており、半導体チップ１０と、太陽電池１１と、二次電池１２と、から構成されている。

半導体チップ１０は、四辺としての辺２０ａ、辺２０ｂ、辺２０ｃ、及び辺２０ｄに縁取られて矩形に形成されている。半導体チップ１０は、四辺のうちの一辺としての辺２０ａに沿って形成されて太陽電池１１と電気的に接続される第１の端子３０と、辺２０ａに沿って形成されて二次電池１２と電気的に接続される第２の端子４０と、第１の端子３０と第２の端子４０とを電気的に接続する配線５０と、を有する。太陽電池１１から二次電池１２への充電は、第１の端子３０、配線５０、及び第２の端子４０を介して行われる。

第１の端子３０は、辺２０ａ〜辺２０ｄのうち、辺２０ａに沿い、かつ最も近接した位置に形成されている。第１の端子３０は、太陽電池１１と接続され、半導体チップ１０が太陽電池１１から供給される電力を受け取る窓口としての役割を果たす。

第２の端子４０は、辺２０ａ〜辺２０ｄのうち、辺２０ａに沿い、かつ最も近接した位置に形成されている。第２の端子４０は、二次電池１２と接続され、太陽電池１１から供給されて半導体チップ１０から出力される電力を二次電池１２へ受け渡す窓口としての役割を果たす。なお、第２の端子４０は、第１の端子３０と隣接して形成されている。

配線５０は、第１の端子３０と第２の端子４０とを電気的に接続する配線である。配線５０は、太陽電池１１から二次電池１２への充電を行う場合に、第１の端子３０から入力される太陽電池１１の電力を第２の端子４０に伝送する役割を果たす。

逆流防止部６０は、配線５０上に設けられている。逆流防止部６０は、太陽電池１１の電圧が低下した結果として二次電池１２の電圧が太陽電池１１に向かって逆流することを防止する役割を果たし、例えば、スイッチ素子で構成されている。逆流防止部６０がスイッチ素子で構成されている場合には、太陽電池１１から二次電池１２への充電を行う場合にはスイッチ素子をオンし、太陽電池１１の電圧が二次電池１２の電圧よりも低い場合にはスイッチ素子をオフして二次電池１２から太陽電池１１への逆流を防止する構成としても良い。また、逆流防止部６０は、スイッチ素子ではなく単にダイオードが用いられても良いし、両者を組み合わせても良く、これに限られない。

放電部７０は、接続点５５において配線５０に接続されている。放電部７０は、太陽電池１１から二次電池１２への過充電を防止するために設けられており、二次電池１２に蓄えられた電圧が所定値以上になると、太陽電池１１から二次電池１２への過充電を防止するため、太陽電池１１から配線５０に供給される電力を放電する役割を果たす。

なお、放電部７０は、配線５０と、半導体チップ１０の四辺のうちの辺２０ａとは異なる辺、すなわち、辺２０ｂ、辺２０ｃ、又は辺２０ｄの少なくともいずれか一辺との間に形成されていることが好ましい。放電部７０が配線５０と辺２０ｂ〜辺２０ｄのいずれか一辺との間に形成されていることで、半導体チップ１０が第１の端子３０と第２の端子４０とを結ぶ線分１００と配線５０とで取り囲まれた領域１１０を備えている場合には、放電部７０は領域１１０の外側に形成され、領域１１０の内側に形成されることがなくなるので、放電部７０の形成面積に依存しない配線５０の配線レイアウトが可能となる。このように、配線５０のレイアウトの自由度が向上することにより、放電部７０が領域１１０内に形成される場合に比べて配線５０をより短く形成することができるようになるので、配線５０の配線抵抗をより小さく抑えることができる。

第３の端子８０は、半導体チップの外部から接地電位ＧＮＤが供給されている端子であり、放電部７０と接続されている。配線５０に流れる太陽電池１１から供給された電流は、太陽電池１１から二次電池１２への過充電を防止する必要がある場合に、配線５０に接続された放電部７０及び第３の端子８０を介して接地電位ＧＮＤに流れる。

内部回路９０は、半導体チップ１０内に種々の設計事項に応じて形成されている。内部回路９０は、例えば、二次電池１２に蓄えられた電圧を監視するとともに、二次電池１２の電圧が所定値以上になった場合に放電部７０に対して所定の制御を行う回路であっても良いし、例えば逆流防止部６０に用いられるスイッチ素子を制御する機能を備えた回路であっても良く、これらに限られず種々の回路が形成されていても良い。

図２は、本発明にかかる半導体チップ１０内に形成された放電部７０の一回路図であり、第１の端子３０、第２の端子４０、配線５０、逆流防止部６０、放電部７０、第３の端子８０、及び内部回路９０の回路構成を示している。なお、図２では、図１と同様のものについては同一の番号を付してその説明を省略している。また、図２はあくまでも回路構成を示すものであって、半導体チップ１０内における各々の配置を示すものではない。

放電部７０は、Ｎ型トランジスタである複数の放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎが形成された放電トランジスタ部４５から構成されており、放電トランジスタ部４５に形成された放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々のドレインＤは、配線５０上の接続点５５において配線５０に接続されている。また、放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々のソースＳは、第３の端子８０に接続されている。また、放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々のゲートＧは、例えば、内部回路９０として配線５０に接続されて形成された放電トランジスタ制御部９５にカレントミラー接続されており、放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎのオンオフは放電トランジスタ制御部９５によって制御されている。なお、放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、ＱｎはＰ型トランジスタであっても良い。

放電部７０は、上述のとおり太陽電池１１から二次電池１２への過充電を防止するために用いられる。以下に、放電部７０の放電動作の一例を説明する。なお、以下では放電トランジスタとしてＮ型トランジスタを用いている。

まず、二次電池１２の電圧が所定値以下である場合には、放電トランジスタ制御部９５から放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々のゲートに、０Ｖが供給されており、放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々はいずれもオフしている。次に、二次電池１２の電圧が所定値以上になった場合には、放電トランジスタ制御部９５がこれを検知し、放電トランジスタ制御部９５から放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々のゲートに所定の電圧が印加され、これにより放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎの各々がオンする。放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎがオンすると、太陽電池１１から第１の端子３０を介して配線５０に供給される電流は、放電部７０側に流れ始める。つまり、太陽電池１１から二次電池１２に流れる電流が減少する。以上の動作によって、太陽電池１１から二次電池１２への過充電が防止される。

ここで、放電部７０の放電特性について説明する。放電部７０の放電特性とは、放電トランジスタＱ１、Ｑ２、・・・、Ｑｎがオンした場合に配線５０を流れる電流が放電部７０側に流れる程度を表したものであり、この放電特性が高いほど、配線５０に流れる電流をより放電部７０に引き寄せることができ、太陽電池１１から二次電池１２への過充電を抑制することができる。なお、半導体チップ１０における放電部７０の放電特性は、第１の端子３０から第３の端子８０までの配線抵抗の大きさに依存する。従って、第１の端子３０から第３の端子８０までの配線抵抗をより小さくすることで、より高い放電特性を得ることができる、すなわち、配線５０を伝って第２の端子４０に流れる電流を、より放電部７０側に引き寄せることができる。

以下、放電部７０の放電特性をより高く得ることができる放電部７０の半導体チップ１０内における配置を、再度図１を用いて説明する。

放電部７０は、図１に示すように、配線５０上において第１の端子３０と逆流防止部６０との間に接続されていることが好ましい。言い換えれば、放電部７０は、逆流防止部６０よりも第１の端子３０に近い配線５０上の位置において配線５０に接続されていることが好ましい。これにより、放電部７０が配線５０上において第２の端子４０と逆流防止部６０との間に接続されている場合に比べ、第１の端子３０から放電部７０までの配線長を短くすることができ、配線抵抗を減らすことができるようになるため、放電部７０の放電特性をより高くすることができる。

また、第１の端子３０から放電部７０に至るまでの配線５０における配線抵抗は、第２の端子４０から放電部７０に至るまでの配線５０における配線抵抗よりも小さくすることが好ましい。この一例としては、第１の端子３０から放電部７０に至るまでの配線５０の長さが、第２の端子４０から放電部７０に至るまでの配線５０の長さよりも短いことが挙げられる。

また、第３の端子８０は、半導体チップ１０の四辺のうち、放電部７０が配置された箇所から最も近い辺に沿って形成されていることが好ましい。第３の端子８０が、放電部７０が配置された箇所から最も近い辺に沿って形成されていることで、第３の端子８０が他の辺に形成されている場合に比べ、放電部７０と第３の端子８０とを接続する配線の長さを最も短くすることができ、該配線の配線抵抗を最も小さくすることができるため、放電部７０の放電特性をより高くすることができる。なお、図１に示した半導体チップ１０では、第３の端子８０は、辺２０ａ〜辺２０ｄのうち、辺２０ａに沿い、かつ最も近接した位置に形成されていることが好ましい。

なお、図１では辺２０ａに沿って第１の端子３０と第２の端子４０とが隣接して形成された場合を示したが、これに限られず、第１の端子３０と第２の端子４０との間に、他の外部端子が形成されていても良い。第１の端子３０と第２の端子４０との間に他の外部端子が形成されていたとしても、本発明の第１の実施形態においては第１の端子３０と第２の端子４０とが互いに対向する辺に形成されていないため、その時点で配線５０の配線抵抗の抑制を図ることができているからである。但し、第１の端子３０と第２の端子４０との間には、他の外部端子が形成されず、第１の端子３０と第２の端子４０とは隣接して形成されていることが好ましい。なぜならば、第１の端子３０と第２の端子４０との間に他の外部端子が形成されている場合には、該他の外部端子を避けるような配線５０のレイアウトとする必要が生じる場合があるため、配線５０の配線長が他の外部端子の配置に依存して決定されてしまう場合が生じ、配線５０のレイアウトの自由度の低下を招くおそれがあるが、第１の端子３０と第２の端子４０とが隣接して形成されていることで、他の外部端子の配置に依存せず配線５０の配線長を決定できるので、配線５０のレイアウトの自由度の低下を招くことなく、配線５０の配線抵抗の増加をより抑制できることとなるからである。

以上、本発明の第１の実施形態にかかる半導体チップ１０によれば、第１に、太陽電池１１と電気的に接続される第１の端子３０と、二次電池１２と電気的に接続される第２の端子４０と、のいずれもが、矩形に形成された半導体チップ１０の辺２０ａに沿って形成されていることから、第１の端子３０と第２の端子４０とを電気的に接続する配線５０が半導体チップ１０の一辺から該一辺に対向する他辺まで延在して形成されることがない。このため、太陽電池１１と二次電池１２とを電気的に接続する配線５０の長さが他の内部回路９０の影響を受けにくくなり、太陽電池１１から二次電池１２への充電を行う場合の電気的損失を低減することができる。

また、第２に、放電部７０が、配線５０と、半導体チップ１０の四辺のうちの辺２０ａとは異なる辺、すなわち、辺２０ｂ、辺２０ｃ、又は辺２０ｄの少なくともいずれか一辺との間に形成されていることで、放電部７０の形成面積に依存しない配線５０の配線レイアウトが可能となり、配線５０の配線抵抗をより小さく抑えることができる。

また、第３に、放電部７０が、配線５０上において第１の端子３０と逆流防止部６０との間に接続されていることで、放電部７０が配線５０上において第２の端子４０と逆流防止部６０との間に接続されている場合に比べ、第１の端子３０から放電部７０までの配線長を短くすることができ、配線抵抗を減らすことができる。

また、第４に、第３の端子８０が、半導体チップ１０の四辺のうち、放電部７０が配置された箇所から最も近い辺に沿って形成されていることで、第３の端子８０が他の辺に形成されている場合に比べ、放電部７０と第３の端子８０とを接続する配線の長さを最も短くすることができ、該配線の配線抵抗を最も小さくすることができる。

また、第５に、辺２０ａに沿って第１の端子３０と第２の端子４０とが隣接して形成されていることで、他の外部端子に起因して配線５０のレイアウトの自由度の低下を招くことがないため、配線５０の配線抵抗の増加を抑制することができる。
（第２の実施形態）

図３は、本発明の第２の実施形態にかかる半導体チップ１０を備えた充電制御システムを示しており、半導体チップ１０と、太陽電池１１と、二次電池１２と、から構成されている。なお、本発明の第１の実施形態に記載の充電制御システムと同一の構成については、同一の番号を付してその説明を省略する。

半導体チップ１０は、四辺としての辺２０ａ、辺２０ｂ、辺２０ｃ、及び辺２０ｄに縁取られて矩形に形成されている。半導体チップ１０は、四辺のうちの一辺としての辺２０ａに沿って形成され、太陽電池１１と電気的に接続される第１の端子３０と、辺２０ａと隣接する他辺としての辺２０ｂに沿って形成され、二次電池１２と電気的に接続される第２の端子４０と、第１の端子３０と第２の端子４０とを電気的に接続する配線５０と、を有する。

本発明の第２の実施形態にかかる充電制御システムでは、第１の実施形態にかかる充電制御システムと比較した場合に、第２の端子４０が、辺２０ａと隣接する辺２０ｂに沿って形成されている点が異なる。

第２の端子４０は、辺２０ａ〜辺２０ｄのうち、辺２０ｂに沿い、かつ最も近接した位置に形成されている。第２の端子４０は、二次電池１２と接続され、半導体チップ１０から出力される、太陽電池１１から供給される電力を二次電池１２へ受け渡す窓口としての役割を果たす。なお、第２の端子４０は、第１の端子３０と隣接して形成されている。

放電部７０は、配線５０と、半導体チップ１０の四辺のうちの辺２０ａ及び辺２０ｂとは異なる辺、すなわち、辺２０ｃ、又は辺２０ｄのいずれか一辺との間に形成されていることが好ましい。放電部７０が配線５０と辺２０ｃ又は辺２０ｄのいずれか一辺との間に形成されていることで、半導体チップ１０が第１の端子３０と第２の端子４０とを結ぶ線分１００ａと配線５０とで取り囲まれた領域１１０ａを備えている場合には、放電部７０は領域１１０ａの外側に形成され、領域１１０ａの内側に形成されることがなくなるので、放電部７０の形成面積に依存しない配線５０の配線レイアウトが可能となり、放電部７０が領域１１０ａ内に形成される場合に比べて配線５０をより短く形成することができ、配線５０の配線抵抗をより小さく抑えることができる。

なお、第２の実施形態にかかる半導体チップ１０においては、放電部７０は、辺２０ａ、辺２０ｂ、及び線分１００ａとで取り囲まれた領域１１０ｂ内に形成することが好ましい。例えば、配線抵抗の増加の抑制を意図して配線５０を第１の端子３０と第２の端子４０との最短経路上、すなわち配線５０が最短となるように形成した場合には、領域１１０ｂが未使用領域となる場合がある。この場合には、領域１１０ｂを有効活用するために、放電部７０を領域１１０ｂ内に形成することがより好ましい。また、配線５０が最短となるように配線５０を形成する場合でなくとも、放電部７０を領域１１０ｂに配置して領域１１０ｂを有効活用することが好ましい。

また、放電部７０は、配線５０上において第１の端子３０と逆流防止部６０との間に接続されていることが好ましい。言い換えれば、放電部７０は、逆流防止部６０よりも第１の端子３０に近い配線５０上の位置において配線５０に接続されていることが好ましい。これにより、放電部７０が配線５０上において第２の端子４０と逆流防止部６０との間に接続されている場合に比べ、第１の端子３０から放電部７０までの配線長を短くすることができ、配線抵抗を減らすことができるようになるため、放電部７０の放電特性をより高くすることができる。

また、第１の端子３０から放電部７０に至るまでの配線５０における配線抵抗の大きさは、第２の端子４０から放電部７０に至るまでの配線５０における配線抵抗よりも小さいことが好ましい。この一例としては、第１の端子３０から放電部７０に至るまでの配線５０の長さが、第２の端子４０から放電部７０に至るまでの配線５０の長さよりも短いことが挙げられる。

また、第３の端子８０は、半導体チップ１０の四辺のうち、放電部７０が配置された箇所から最も近い辺に沿って形成されていることが好ましい。第３の端子８０が、放電部７０が配置された箇所から最も近い辺に沿って形成されていることで、第３の端子８０が他の辺に形成されている場合に比べ、放電部７０と第３の端子８０とを接続する配線の長さを最も短くすることができ、該配線の配線抵抗を最も小さくすることができるため、放電部７０の放電特性をより高くすることができる。なお、図３に示した半導体チップ１０では、第３の端子８０は、辺２０ａ〜辺２０ｄのうち、辺２０ａに沿い、かつ近接した位置に形成されていることが好ましい。

なお、図３では第１の端子３０と第２の端子４０とが隣接して形成された場合を示したが、これに限られず、第１の端子３０と第２の端子４０との間に、他の外部端子が形成されていても良い。第１の端子３０と第２の端子４０との間に他の外部端子が形成されていたとしても、本発明の第２の実施形態においては第１の端子３０と第２の端子４０とが互いに対向する辺に形成されていないため、その時点で配線５０の配線抵抗の増加の抑制を図ることができているからである。但し、第１の端子３０と第２の端子４０との間には、他の外部端子が形成されず、第１の端子３０と第２の端子４０とは隣接して形成されていることが好ましい。なぜならば、第１の端子３０と第２の端子４０との間に他の外部端子が形成されている場合には、該他の外部端子を避けるような配線５０のレイアウトとする必要が生じる場合があるため、配線５０の配線長が他の外部端子の配置に依存して決定されてしまう場合が生じ、配線５０のレイアウトの自由度の低下を招くおそれがあるが、第１の端子３０と第２の端子４０とが隣接して形成されていることで、他の外部端子の配置に依存せず配線５０の配線長を決定できるので、配線５０のレイアウトの自由度の低下を招くことなく、配線５０の配線抵抗の増加をより抑制できることとなるからである。

以上、本発明の第２の実施形態にかかる半導体チップ１０によれば、第１に、太陽電池１１と電気的に接続される第１の端子３０が、矩形に形成された半導体チップ１０の辺２０ａに沿って形成され、二次電池１２と電気的に接続される第２の端子４０が、辺２０ａと隣接する辺２０ｂに沿って形成されていることから、第１の端子３０と第２の端子４０とを電気的に接続する配線５０が半導体チップ１０の一辺から該一辺に対向する他辺まで延在して形成されることがない。このため、太陽電池１１と二次電池１２とを電気的に接続する配線５０の長さが他の内部回路９０の影響を受けにくくなり、太陽電池１１から二次電池１２への充電を行う場合の電気的損失を低減することができる。

また、第２に、放電部７０が、配線５０と、半導体チップ１０の辺２０ａ及び辺２０ｂとは異なる辺、すなわち、辺２０ｃ、又は辺２０ｄのいずれか一辺との間に形成されていることで、放電部７０の形成面積に依存しない配線５０の配線レイアウトが可能となり、配線抵抗の増加をより小さく抑えることができる。

また、第５に、第１の端子３０と第２の端子４０とが隣接して形成されていることで、他の外部端子に起因して配線５０のレイアウトの自由度の低下を招くことがないため、配線５０の配線抵抗の増加を抑制することができる。

１０半導体チップ
２０ａ〜２０ｄ辺
３０第１の端子
４０第２の端子
５０配線
６０逆流防止部
７０放電部
８０第３の端子
９０内部回路

Claims

四辺に縁取られて矩形に形成された半導体チップであって、
前記四辺のうちの一辺に沿って形成された第１の端子と、
前記一辺に沿って形成された第２の端子と、
前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する配線と、
前記配線に接続され、前記第１の端子に印加される電圧を降下させることなく、前記配線を流れる電流の通電を制御するスイッチ回路と、
前記第１の端子及び前記第２の端子を接続する線分と、前記配線と、により囲まれた領域の外側に配置されると共に、前記一辺に沿って形成された、接地電位と電気的に接続する第３の端子に、前記スイッチ回路を流れる電流を分岐するトランジスタ回路と、
を有することを特徴とする半導体チップ。
四辺に縁取られて矩形に形成された半導体チップであって、
前記四辺のうちの一辺に沿って形成された第１の端子と、
前記一辺と隣接する他辺に沿って形成された第２の端子と、
前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する配線と、
前記配線に接続され、前記第１の端子に印加される電圧を降下させることなく、前記配線を流れる電流の通電を制御するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を流れる電流を、接地電位と電気的に接続された第３の端子に分岐するトランジスタ回路と、
を有することを特徴とする半導体チップ。
第１の端子及び第２の端子の少なくとも一方に、電圧を供給することができる電池が接続された
請求項１又は請求項２記載の半導体チップ。
前記トランジスタ回路が複数のトランジスタで構成された
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の半導体チップ。