JP6601173B2 - Exposure apparatus, substrate manufacturing system, exposure method, and substrate manufacturing method - Google Patents

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本発明は、露光装置、基板製造システム、露光方法、および基板製造方法に関し、特に、複数の半導体チップを同一の配線基板上に搭載してから配線パターンを形成する、マルチチップマウント(Multi−chip Mount)と呼ばれる製造方式に使用される露光装置等に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus, a substrate manufacturing system, an exposure method, and a substrate manufacturing method, and more particularly, a multi-chip mount (Multi-chip mount) that forms a wiring pattern after mounting a plurality of semiconductor chips on the same wiring substrate. The present invention relates to an exposure apparatus used in a manufacturing method called “Mount”.

スマートフォンの普及やデータクラウド化などによって、CPUの処理速度やメモリアクセス速度のさらなる向上が求められている。これらを達成するために、例えば、基板の配線をファイン化(細く高密度化)すると、消費電力が増えるという課題が生ずる。
この課題を解決するために、半導体チップ(以下「チップ」と称する)を実装したプリント基板(以下「基板」と称する)の配線距離を短くすることが考えられる。そのための一つの手段として、「Multi−chip Mount」(マルチチップマウント)という基板の製造方式が提案されている。
Due to the spread of smartphones and the creation of data clouds, further improvements in CPU processing speed and memory access speed are required. In order to achieve these, for example, if the wiring of the substrate is refined (thinned and densified), there arises a problem that power consumption increases.
In order to solve this problem, it is conceivable to shorten the wiring distance of a printed circuit board (hereinafter referred to as “substrate”) on which a semiconductor chip (hereinafter referred to as “chip”) is mounted. As one means for that purpose, a substrate manufacturing method called “Multi-chip Mount” (multi-chip mount) has been proposed.

マルチチップマウントによる基板の製造方法には、Chip−First法とRDL−First法がある。
Chip−First法では、基板に、電極を形成したチップを載せ(以下、「マウントする」ともいう)、次にチップの上にレジストを塗布し、チップの電極に接続する配線パターンを形成する。
RDL−First法では、まず基板上に配線パターンを形成し、次にその配線パターンの上に、電極が接触するようにチップをマウントする。
これら二つの製造方法には、長所及び短所があるが、現在のところ、Chip−First法を採用するユーザが多い。その理由について以下に説明する。
配線パターンを形成するための露光装置の露光精度(即ちパターンの形成精度)は、1μmまたはそれ未満であり、この精度で配線パターンを製作することができる(露光装置の利点)。
There are a Chip-First method and an RDL-First method for manufacturing a substrate by multi-chip mounting.
In the Chip-First method, a chip on which an electrode is formed is placed on a substrate (hereinafter also referred to as “mounting”), a resist is then applied on the chip, and a wiring pattern connected to the electrode of the chip is formed.
In the RDL-First method, a wiring pattern is first formed on a substrate, and then a chip is mounted on the wiring pattern so that the electrodes are in contact with each other.
These two manufacturing methods have advantages and disadvantages, but at present, many users adopt the Chip-First method. The reason will be described below.
The exposure accuracy (that is, the pattern formation accuracy) of the exposure apparatus for forming the wiring pattern is 1 μm or less, and the wiring pattern can be manufactured with this accuracy (advantage of the exposure apparatus).

これに対してマウント装置でチップを基板にマウントする位置の精度(マウント精度)は5μm程度であり、この程度の精度でしかチップを基板上にマウントできない。
RDL−First法は、上記したように、先に基板に配線パターンを形成し、その上にチップをマウントする。そのため、露光装置が1μm以下の精度で配線パターンを形成しても、マウント装置は、チップ(の電極)を、その精度に合わせて配線パターン上に置くことができない。即ち、この方法では高精度で配線パターンの形成が可能な露光装置の利点を十分に発揮できない。
On the other hand, the accuracy (mounting accuracy) at which the chip is mounted on the substrate by the mounting device is about 5 μm, and the chip can be mounted on the substrate only with such accuracy.
In the RDL-First method, as described above, a wiring pattern is first formed on a substrate, and a chip is mounted thereon. Therefore, even if the exposure apparatus forms the wiring pattern with an accuracy of 1 μm or less, the mounting apparatus cannot place the chip (electrode) on the wiring pattern in accordance with the accuracy. That is, this method cannot sufficiently exhibit the advantages of an exposure apparatus that can form a wiring pattern with high accuracy.

これに対して、Chip−First法は、先にチップを基板にマウントする。そして配線パターンは、マウントしたチップの電極に合わせて形成すればよい。マウントしたチップの電極の位置が多少ずれていても、露光装置の高い露光精度を利用すれば、チップの位置に合わせて配線パターンを形成できる。
このような理由で、多くのユーザがChip−First法を採用している。
しかしながら、チップをマウントする位置が、電極のパッドで補える以上にずれてしまった場合には、配線パターン形成の露光装置における露光精度がいくら高くても配線をパッドに接続することができない。マウント装置の精度が悪い場合にはこのようなことが生じ得る。
On the other hand, in the Chip-First method, the chip is first mounted on the substrate. The wiring pattern may be formed in accordance with the electrode of the mounted chip. Even if the position of the electrode of the mounted chip is slightly shifted, a wiring pattern can be formed in accordance with the position of the chip by utilizing the high exposure accuracy of the exposure apparatus.
For this reason, many users adopt the Chip-First method.
However, if the mounting position of the chip is shifted beyond what can be compensated by the electrode pad, the wiring cannot be connected to the pad no matter how high the exposure accuracy in the exposure apparatus for forming the wiring pattern is. This can occur when the accuracy of the mounting device is poor.

特に、近年、基板に対するチップの実装密度が高まるにつれて、チップはより小型化され、電極パッドの大きさも小さくなる傾向にある。そのため、チップのマウントの位置がわずかにずれるだけでも、配線が電極パッドに接続できなくなることも増えてきた。
この問題に対応する露光装置として、例えば特許文献1に記載の装置が提案されている。しかし、この特許文献1に記載されている装置は、直接描画装置と呼ばれているものであり、パターンを形成したマスクを使い、このパターンをワークに露光転写する方式のものではない。ユーザの中には、直接描画の方式を使わず、パターンを形成したマスクを使う方式で、上記の問題を解決すること望む場合も出てきた。
In particular, in recent years, as the mounting density of the chip on the substrate increases, the chip is further miniaturized and the size of the electrode pad tends to be reduced. For this reason, even if the mounting position of the chip is slightly deviated, the wiring cannot be connected to the electrode pad.
As an exposure apparatus corresponding to this problem, for example, an apparatus described in Patent Document 1 has been proposed. However, the apparatus described in Patent Document 1 is called a direct drawing apparatus, and is not a system that uses a mask on which a pattern is formed and exposes and transfers this pattern onto a workpiece. Some users have desired to solve the above problem by using a pattern-formed mask instead of using a direct drawing method.

特開2012−42587号公報JP 2012-42587 A

そこで、本発明は、マスクを使う場合であっても、Chip−First法でチップの電極が確実に配線と接続できる露光装置、基板製造システム、露光方法、および基板製造方法を提案することを課題する。   Therefore, the present invention has an object to propose an exposure apparatus, a substrate manufacturing system, an exposure method, and a substrate manufacturing method in which a chip electrode can be reliably connected to a wiring by the Chip-First method even when a mask is used. To do.

上記課題を解決するために、本発明に係る露光装置の一態様は、基板上に搭載されたチップの搭載位置を検出する検出部と、前記基板に対する前記チップの設計位置を記憶した記憶部と、前記搭載位置および前記設計位置に基づいて、前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンの形成位置を決めるつなぎ位置決定部と、前記形成位置に前記つなぎパターンを露光する露光部と、を備える。
このような露光装置によれば、実際にチップが搭載された搭載位置と設計位置とに基づいてつなぎパターンの形成位置が決められるので、チップの搭載位置が設計位置から大きくずれていても、つなぎパターンによってチップの電極と配線パターンが確実に接続される。
In order to solve the above problems, an aspect of the exposure apparatus according to the present invention includes a detection unit that detects a mounting position of a chip mounted on a substrate, and a storage unit that stores a design position of the chip with respect to the substrate. A connection position determining unit that determines a formation position of a connection pattern that connects the electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode based on the mounting position and the design position; and the connection pattern is provided at the formation position. An exposure unit for exposing.
According to such an exposure apparatus, since the connecting pattern formation position is determined based on the mounting position where the chip is actually mounted and the design position, even if the chip mounting position is greatly deviated from the design position, the connection position is determined. The electrode of the chip and the wiring pattern are reliably connected by the pattern.

前記露光装置において、前記露光部は、前記つなぎパターンのマスクを前記形成位置に位置合わせして該つなぎパターンを露光するものであってもよい。
本発明に係る露光装置はこのようにマスクを用いる露光方式にも応用可能である。
また、上記課題を解決するために、本発明に係る基板製造システムの一態様は、基板上にチップを搭載する搭載装置と、前記チップの電極と該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンを、前記基板上における該チップの搭載位置と該基板に対する該チップの設計位置とに基づいて決定した形成位置に形成するつなぎパターン形成部と、前記基板上に前記配線パターンを形成する配線パターン形成部と、を備える。
このような基板製造システムによれば、つなぎパターンによってチップの電極と配線パターンが確実に接続されるので、信頼性の高い基板が製造される。
In the exposure apparatus, the exposure unit may expose the connection pattern by aligning the mask of the connection pattern at the formation position.
The exposure apparatus according to the present invention can be applied to an exposure method using a mask in this way.
In order to solve the above problems, an aspect of the substrate manufacturing system according to the present invention is a connection between a mounting device for mounting a chip on a substrate and an electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode. A connection pattern forming portion for forming a pattern at a formation position determined based on a mounting position of the chip on the substrate and a design position of the chip with respect to the substrate, and a wiring pattern for forming the wiring pattern on the substrate A forming part.
According to such a substrate manufacturing system, the electrode of the chip and the wiring pattern are reliably connected by the connecting pattern, and thus a highly reliable substrate is manufactured.

また、上記課題を解決するために、本発明に係る露光方法は、基板上に搭載されたチップの搭載位置を検出する検出工程と、前記基板に対する前記チップの設計位置および前記搭載位置に基づいて、前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンの形成位置を決めるつなぎ位置決定工程と、前記形成位置に前記つなぎパターンを露光する露光工程と、を有する。このような露光方法によれば、チップの電極と配線パターンとを接続する位置につなぎパターンを確実に形成することが出来る。
さらに、上記課題を解決するために、本発明に係る基板製造方法は、基板上にチップを搭載する搭載工程と、前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンを、前記基板上における該チップの搭載位置と該基板に対する該チップの設計位置とに基づいて決定した形成位置に形成するつなぎパターン形成工程と、前記基板上に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を有する。
このような基板製造方法によれば、つなぎパターンによってチップの電極と配線パターンが確実に接続されるので、信頼性の高い基板が製造される。
In order to solve the above problems, an exposure method according to the present invention is based on a detection step of detecting a mounting position of a chip mounted on a substrate, and a design position and a mounting position of the chip with respect to the substrate. And a connection position determining step for determining a connection position of a connection pattern connecting the electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode, and an exposure process for exposing the connection pattern to the formation position. According to such an exposure method, a connecting pattern can be reliably formed at a position where the electrode of the chip and the wiring pattern are connected.
Furthermore, in order to solve the above-described problems, a substrate manufacturing method according to the present invention includes a connecting pattern that connects a mounting step of mounting a chip on a substrate, an electrode of the chip, and a wiring pattern connected to the electrode. A connection pattern forming step for forming the chip on the substrate at a formation position determined based on a mounting position of the chip and a design position of the chip with respect to the substrate; and a wiring pattern forming step for forming the wiring pattern on the substrate. And having.
According to such a substrate manufacturing method, the electrode of the chip and the wiring pattern are reliably connected by the connecting pattern, so that a highly reliable substrate is manufactured.

本発明の露光装置、基板製造システム、露光方法、および基板製造方法によれば、Chip−First法でチップの電極が確実に配線と接続できる。   According to the exposure apparatus, the substrate manufacturing system, the exposure method, and the substrate manufacturing method of the present invention, the chip electrode can be reliably connected to the wiring by the Chip-First method.

本発明の実施形態によって製造される基板の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the board | substrate manufactured by embodiment of this invention. プリント基板上に形成されるモジュール基板の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the module board formed on a printed circuit board. 比較例のマウント工程を示す図であるIt is a figure which shows the mounting process of a comparative example. 比較例の配線露光工程で用いられる配線マスクの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the wiring mask used at the wiring exposure process of a comparative example. 比較例の配線露光工程を示す図である。It is a figure which shows the wiring exposure process of a comparative example. マウント位置が設計位置から大幅にずれた例を示す図である。It is a figure which shows the example which the mounting position shifted | deviated significantly from the design position. 本発明の基板製造システムの一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of the board | substrate manufacturing system of this invention. 本実施形態のマウント工程を示す図である。It is a figure which shows the mounting process of this embodiment. 本実施形態のつなぎパターン形成工程の前段を示す図である。It is a figure which shows the front | former stage of the connection pattern formation process of this embodiment. 本実施形態のつなぎパターン形成工程の後段を示す図である。It is a figure which shows the back | latter stage of the connection pattern formation process of this embodiment. 本実施形態の配線パターン形成工程を示す図である。It is a figure which shows the wiring pattern formation process of this embodiment. つなぎパターンを作成する為の露光装置を示す図である。It is a figure which shows the exposure apparatus for producing a connection pattern. 実装されたチップが有するチップマークを示す図である。It is a figure which shows the chip | tip mark which the mounted chip | tip has. 理想的な位置にチップが存在する場合のチップマークを示す図である。It is a figure which shows the chip | tip mark when a chip | tip exists in an ideal position. 基板に対して位置決めされる配線マスクが有するマスクマークを示す図である。It is a figure which shows the mask mark which the wiring mask positioned with respect to a board | substrate has. つなぎマスクが有するマスクマークを示す図である。It is a figure which shows the mask mark which a connection mask has.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
まず、製造対象となる基板について説明する。
図1は、本発明の実施形態によって製造される基板の例を示す図である。
製造対象のプリント基板1は、チップが実装され配線が形成された完成品の基板(回路基板)である。このプリント基板1上には多数のモジュール基板2が形成されており、これらのモジュール基板2はプリント基板1の完成後に分割されて他のプリント基板上などに搭載される。
図2は、プリント基板上に形成されるモジュール基板2の例を示す図である。
図2に示す例のモジュール基板2では、第1チップ3_1、第2チップ3_2、第3チップ3_3という例えば3つのチップが基板4上に実装されている。各チップ3_1、3_2、3_3には例えば6〜7個の電極5が形成されており、各チップ3_1、3_2、3_3の電極5が配線6によって互いに接続されることで1つのモジュールを形成している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, a substrate to be manufactured will be described.
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a substrate manufactured according to an embodiment of the present invention.
The printed circuit board 1 to be manufactured is a completed board (circuit board) on which a chip is mounted and wiring is formed. A large number of module boards 2 are formed on the printed board 1, and these module boards 2 are divided after the printed board 1 is completed and mounted on other printed boards.
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the module substrate 2 formed on the printed circuit board.
In the module substrate 2 of the example shown in FIG. 2, for example, three chips, a first chip 3_1, a second chip 3_2, and a third chip 3_3, are mounted on the substrate 4. For example, 6 to 7 electrodes 5 are formed on each chip 3_1, 3_2, and 3_3. The electrodes 5 of each chip 3_1, 3_2, and 3_3 are connected to each other by the wiring 6 to form one module. Yes.

このようなモジュール基板2をChip−First法で製造する比較例の製造手順について以下説明する。
比較例の製造手順では、まず、基板にチップをマウントするマウント工程が実行される。
図3は、比較例のマウント工程を示す図である。
マウント工程では、基板4に、第1チップ3_1、第2チップ3_2、第3チップ3_3の3つのチップを、設計で決められた設計位置7_1、7_2、7_3にマウントする。上述したように各チップ3_1、3_2、3_3には例えば6〜7個の電極5が形成されている。チップ3_1、3_2、3_3は、電極5が紙面の上側になるように基板4上に載せられる。
基板4には複数(図3の例では例えば2個)のワーク・アライメントマーク(ワークマーク)8が形成されている。なお、このようなワークマーク8に換えて、ワークマーク8として使用できるパターン(他とは判別のつくユニークな形状をしたパターン)が形成される場合もある。
各チップ3_1、3_2、3_3が基板4上に載せられる際には、ワークマーク8を基準とした設計位置7_1、7_2、7_3に各チップ3_1、3_2、3_3が載せられる。
A manufacturing procedure of a comparative example for manufacturing such a module substrate 2 by the Chip-First method will be described below.
In the manufacturing procedure of the comparative example, first, a mounting process for mounting a chip on a substrate is executed.
FIG. 3 is a diagram illustrating a mounting process of a comparative example.
In the mounting process, three chips of the first chip 3_1, the second chip 3_2, and the third chip 3_3 are mounted on the substrate 4 at design positions 7_1, 7_2, and 7_3 determined by design. As described above, for example, 6 to 7 electrodes 5 are formed in each of the chips 3_1, 3_2, and 3_3. The chips 3_1, 3_2, and 3_3 are placed on the substrate 4 so that the electrode 5 is on the upper side of the paper surface.
A plurality of (for example, two in the example of FIG. 3) work alignment marks (work marks) 8 are formed on the substrate 4. Note that a pattern that can be used as the work mark 8 (a pattern having a unique shape that can be distinguished from others) may be formed instead of the work mark 8.
When the chips 3_1, 3_2, and 3_3 are placed on the substrate 4, the chips 3_1, 3_2, and 3_3 are placed at the design positions 7_1, 7_2, and 7_3 with respect to the work mark 8.

図3に示すマウント工程によってチップ3_1、3_2、3_3が基板4にマウントされた後、基板4の全面に、導電性や絶縁性を有する膜の成膜や、レジストの塗布が行われる。その後、基板4上に配線を形成するための配線露光工程が行われる。
図4は、比較例の配線露光工程で用いられる配線マスク9の一例を示す図である。
この配線マスク9は、基板4に配線6(図2)を形成するための露光装置に用いるマスクである。配線マスク9には、基板4に形成する配線6のパターン10が形成されている。また、基板4との位置合せを行うための、マスク・アライメントマーク(マスクマーク)11が形成されている。
After the chips 3_1, 3_2, and 3_3 are mounted on the substrate 4 by the mounting process shown in FIG. 3, a film having conductivity or insulation is formed on the entire surface of the substrate 4, and a resist is applied. Thereafter, a wiring exposure process for forming wiring on the substrate 4 is performed.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a wiring mask 9 used in the wiring exposure process of the comparative example.
The wiring mask 9 is a mask used in an exposure apparatus for forming the wiring 6 (FIG. 2) on the substrate 4. On the wiring mask 9, a pattern 10 of the wiring 6 to be formed on the substrate 4 is formed. Further, a mask alignment mark (mask mark) 11 for alignment with the substrate 4 is formed.

図5は、比較例の配線露光工程を示す図である。
配線露光工程では、基板4上に塗布されたレジストを露光装置にて露光する。この比較例の場合、各チップ3_1、3_2、3_3が設計位置に理想的にマウントされることを前提としている。このため、露光装置では、ワークマーク8とマスクマーク11が一致するように位置合せを行い、図4に示す配線マスク9に形成されている配線パターン10を基板4に露光(転写)する。その後、現像工程、エッチング工程などを行い、各チップ3_1、3_2、3_3の電極5間に配線6が形成される。
各チップ3_1、3_2、3_3に形成されている電極5は、配線6の幅よりも大きな径を有するパッド状のものとなっている。そのため、チップ3_1、3_2、3_3を基板4にマウントする際、マウント位置が設計位置から多少ずれたとしても、形成される配線6は電極5と接続できる。
FIG. 5 is a diagram showing a wiring exposure process of a comparative example.
In the wiring exposure process, the resist applied on the substrate 4 is exposed by an exposure apparatus. In the case of this comparative example, it is assumed that each chip 3_1, 3_2, 3_3 is ideally mounted at the design position. Therefore, the exposure apparatus performs alignment so that the work mark 8 and the mask mark 11 coincide with each other, and exposes (transfers) the wiring pattern 10 formed on the wiring mask 9 shown in FIG. Thereafter, a development process, an etching process, and the like are performed, and wiring 6 is formed between the electrodes 5 of the chips 3_1, 3_2, and 3_3.
The electrodes 5 formed on the chips 3_1, 3_2, and 3_3 are in a pad shape having a diameter larger than the width of the wiring 6. Therefore, when the chips 3_1, 3_2, and 3_3 are mounted on the substrate 4, the formed wiring 6 can be connected to the electrode 5 even if the mounting position is slightly deviated from the design position.

しかしながら、上述したマウント工程におけるマウント位置の精度は、配線露光工程における露光位置の精度に較べて低く、マウント位置が設計位置から大幅にずれて配線がパッドに接続できない場合がある。
図6は、マウント位置が設計位置から大幅にずれた例を示す図である。
図6に示す例では、3つのチップ3_1、3_2、3_3のマウント位置が設計位置から大幅にずれている。第1チップ3_1は設計位置7_1に対して平行にずれており、第2チップ3_2と第3チップ3_3は、設計位置7_2と設計位置7_3に対して回転してずれている。その結果、いくつかの配線6がパッド状の電極5に届かない状態となっている。
本発明では、このような状態であっても全ての配線6を電極5に接続するために、後述するつなぎパターンを形成する。
However, the accuracy of the mounting position in the mounting process described above is lower than the accuracy of the exposure position in the wiring exposure process, and the mounting position may deviate significantly from the design position, and the wiring may not be connected to the pad.
FIG. 6 is a diagram illustrating an example in which the mount position is significantly deviated from the design position.
In the example shown in FIG. 6, the mount positions of the three chips 3_1, 3_2, and 3_3 are significantly deviated from the design positions. The first chip 3_1 is shifted in parallel with the design position 7_1, and the second chip 3_2 and the third chip 3_3 are rotated and shifted with respect to the design position 7_2 and the design position 7_3. As a result, some wires 6 do not reach the pad-like electrode 5.
In the present invention, in order to connect all the wirings 6 to the electrodes 5 even in such a state, a connection pattern described later is formed.

以下、本発明の基板製造システムの実施形態について説明する。
図7は、本発明の基板製造システムの一実施形態を示す図である。
本実施形態の基板製造システム100は、マウント装置110と、つなぎパターン形成部120と、配線パターン形成部130を備えている。基板製造システム100の構成としては、つなぎパターン作成部120と配線パターン形成部130との間に例えば研磨装置などを備える構成や、マウント装置110の前に前工程部を備える構成や配線パターン形成部130の後に後工程部を備える構成も考えられるが、ここでは図7に示す構成例について説明する。
Hereinafter, embodiments of the substrate manufacturing system of the present invention will be described.
FIG. 7 is a diagram showing an embodiment of the substrate manufacturing system of the present invention.
The board manufacturing system 100 according to the present embodiment includes a mounting device 110, a connecting pattern forming unit 120, and a wiring pattern forming unit 130. As a configuration of the substrate manufacturing system 100, for example, a configuration in which a polishing apparatus or the like is provided between the connecting pattern creation unit 120 and the wiring pattern formation unit 130, a configuration in which a pre-process unit is provided in front of the mounting device 110, or a wiring pattern formation unit Although a configuration including a post-process unit after 130 is conceivable, the configuration example shown in FIG. 7 will be described here.

つなぎパターン形成部120は、例えば、成膜装置121と塗布装置122と露光装置123と現像装置124とエッチング装置125と積層装置126を備えている。配線パターン形成部130も、例えば成膜装置131と塗布装置132と露光装置133と現像装置134とエッチング装置135と積層装置136を備えている。
つなぎパターン形成部120の露光装置123が本発明の露光装置の一実施形態に相当する。また、図7に示す基板製造システム100で本発明の基板製造方法の一実施形態が実行され、つなぎパターン形成部120の露光装置123で本発明の露光方法の一実施形態が実行される。
このような基板製造システム100による基板製造の手順を、具体的な例を示して説明する。なお、この基板製造システム100により、図1に示すような、多数のモジュール基板2が形成されたプリント基板1が製造されるが、以下の説明では1つのモジュール基板に着目して製造手順を説明する。
基板製造システム100では、Chip−First法によって基板が製造され、マウント装置110でマウント工程が実行される。このマウント工程が、本発明にいう搭載工程の一例に相当する。
The connecting pattern forming unit 120 includes, for example, a film forming device 121, a coating device 122, an exposure device 123, a developing device 124, an etching device 125, and a stacking device 126. The wiring pattern forming unit 130 also includes, for example, a film forming device 131, a coating device 132, an exposure device 133, a developing device 134, an etching device 135, and a stacking device 136.
The exposure apparatus 123 of the connection pattern forming unit 120 corresponds to an embodiment of the exposure apparatus of the present invention. Moreover, one embodiment of the substrate manufacturing method of the present invention is executed by the substrate manufacturing system 100 shown in FIG. 7, and one embodiment of the exposure method of the present invention is executed by the exposure apparatus 123 of the joint pattern forming unit 120.
A procedure for manufacturing a substrate by the substrate manufacturing system 100 will be described with a specific example. The printed circuit board 1 on which a large number of module boards 2 are formed as shown in FIG. 1 is manufactured by the board manufacturing system 100. In the following description, the manufacturing procedure will be described focusing on one module board. To do.
In the substrate manufacturing system 100, the substrate is manufactured by the Chip-First method, and the mounting process is executed by the mounting apparatus 110. This mounting process corresponds to an example of a mounting process according to the present invention.

図8は、本実施形態のマウント工程を示す図である。
図8に示す例では、1つの基板150上に例えば2つのチップ160がマウントされるものとする。基板150上には、基板150の位置を確認するとともに基板上の位置の基準とするためのアライメントマーク(ワークマーク)151が例えば2つ形成されており、このワークマーク151の位置を基準として各チップ160の設計位置152が決められている。また、各チップ160には、各チップ160を基板150に対して位置決めするためのアライメントマーク(チップマーク)162が例えば2つずつ形成されている。図7に示すマウント装置110は、基板150上のワークマーク151と各チップ160のチップマーク162を検出し、各チップ160を設計位置152に位置決めして基板150上に置く。
FIG. 8 is a diagram showing the mounting process of the present embodiment.
In the example illustrated in FIG. 8, for example, two chips 160 are mounted on one substrate 150. On the substrate 150, for example, two alignment marks (work marks) 151 for confirming the position of the substrate 150 and serving as a reference for the position on the substrate are formed, and each of the positions of the work mark 151 is used as a reference. The design position 152 of the chip 160 is determined. Each chip 160 is formed with two alignment marks (chip marks) 162 for positioning each chip 160 with respect to the substrate 150, for example. The mounting apparatus 110 shown in FIG. 7 detects the work mark 151 on the substrate 150 and the chip mark 162 of each chip 160, positions each chip 160 at the design position 152, and places it on the substrate 150.

各チップ160には例えば4つずつ円形パッド状の電極161が形成されており、図8に示す例では、2つのチップ160の相互間で電極161が1対1に接続されるものとする。しかし、本実施形態のマウント工程で実際に各チップ160がマウントされる位置は、設計位置152から大幅にずれて一部の電極161に配線パターンが届かない位置になる場合がある。
このようなマウント工程の後、つなぎパターン形成部120で、つなぎパターンを形成するつなぎパターン形成工程が実行される。
For example, four circular pad-shaped electrodes 161 are formed on each chip 160. In the example shown in FIG. 8, the electrodes 161 are connected one-to-one between the two chips 160. However, the position where each chip 160 is actually mounted in the mounting process of the present embodiment may be a position where the wiring pattern does not reach a part of the electrodes 161 by being significantly deviated from the design position 152.
After such a mounting process, the connecting pattern forming unit 120 executes a connecting pattern forming process for forming a connecting pattern.

図9は、本実施形態のつなぎパターン形成工程の前段を示す図である。
つなぎパターン形成工程では、チップ160がマウントされた基板150全体に、図7に示す成膜装置121で導電性や絶縁性の必要な膜が成膜され、塗布装置122でレジストが塗布される。その後、露光装置123でつなぎパターン171が露光される。露光装置123では、つなぎパターン171を有するつなぎマスク170が用いられ、つなぎパターン171が基板150上に露光(転写)される。図9に示す例では、つなぎパターン171の形状は、チップ160上の電極161の形状と同一のパッド状となっている。
つなぎパターン171は、電極161と配線パターンとをつなぐ位置に露光(転写)される。露光位置の決め方の詳細は後述するが、露光装置123では、つなぎマスク170上のアライメントマーク(マスクマーク)172と、基板150上のワークマーク151と、チップ160上のチップマーク162が検出され、それらの位置に基づいて露光位置が決定される。チップマーク162を検出する工程が、本発明にいう検出工程の一例に相当し、つなぎパターン171を露光する工程が、本発明にいう露光工程の一例に相当する。
FIG. 9 is a diagram showing a preceding stage of the connection pattern forming process of the present embodiment.
In the connecting pattern forming step, a film that requires conductivity and insulation is formed on the entire substrate 150 on which the chip 160 is mounted by the film forming apparatus 121 shown in FIG. 7, and a resist is applied by the coating apparatus 122. Thereafter, the connecting pattern 171 is exposed by the exposure device 123. In the exposure apparatus 123, a connection mask 170 having a connection pattern 171 is used, and the connection pattern 171 is exposed (transferred) onto the substrate 150. In the example shown in FIG. 9, the shape of the connection pattern 171 is the same pad shape as the shape of the electrode 161 on the chip 160.
The connection pattern 171 is exposed (transferred) to a position connecting the electrode 161 and the wiring pattern. Although details of how to determine the exposure position will be described later, the exposure apparatus 123 detects an alignment mark (mask mark) 172 on the joint mask 170, a work mark 151 on the substrate 150, and a chip mark 162 on the chip 160, An exposure position is determined based on these positions. The step of detecting the chip mark 162 corresponds to an example of the detection step according to the present invention, and the step of exposing the connection pattern 171 corresponds to an example of the exposure step according to the present invention.

ここでは、プリント基板上に多数形成されるモジュール基板のうちの1つの基板150に着目して露光の工程を説明したが、他のモジュール基板についても同様の手順がステップ&リピートの手法で繰り返される。
また、露光装置123では、基板150上にマウントされた各チップ160に対応した各つなぎマスク170が用いられてつなぎパターン171が露光される。図9では2つのチップ160のうち図の左側に示されたチップ160に対応したつなぎパターン171の露光について説明したが、その後、図9の右側に示されたチップ160についてもつなぎパターンが露光される。
Here, the exposure process has been described by focusing on one of the module substrates 150 formed on the printed circuit board, but the same procedure is repeated for other module substrates using the step-and-repeat technique. .
In the exposure apparatus 123, the connection pattern 171 is exposed using the connection masks 170 corresponding to the chips 160 mounted on the substrate 150. In FIG. 9, the exposure of the connection pattern 171 corresponding to the chip 160 shown on the left side of the figure among the two chips 160 has been described. Thereafter, the connection pattern of the chip 160 shown on the right side of FIG. 9 is exposed. The

図10は、本実施形態のつなぎパターン形成工程の後段を示す図である。
ここでは、基板150上にマウントされた2つのチップ160のうち図10の右側に示されたチップ160に対応したつなぎパターン181を有するつなぎマスク180が露光装置123で用いられ、つなぎパターン181が基板150上に露光(転写)される。この場合も、つなぎパターン181の露光位置を決めるために、つなぎマスク180上のマスクマーク182と、基板150上のワークマーク151と、チップ160上のチップマーク162が検出される。また、図10に示すつなぎパターン181も、電極161と配線パターンとをつなぐ位置に露光(転写)される。
FIG. 10 is a diagram illustrating a subsequent stage of the connection pattern forming process of the present embodiment.
Here, a connection mask 180 having a connection pattern 181 corresponding to the chip 160 shown on the right side of FIG. 10 among the two chips 160 mounted on the substrate 150 is used in the exposure apparatus 123, and the connection pattern 181 is used as the substrate. 150 is exposed (transferred). Also in this case, in order to determine the exposure position of the connection pattern 181, the mask mark 182 on the connection mask 180, the work mark 151 on the substrate 150, and the chip mark 162 on the chip 160 are detected. Further, the connection pattern 181 shown in FIG. 10 is also exposed (transferred) to a position connecting the electrode 161 and the wiring pattern.

露光装置123によるつなぎパターン171、181の露光の後は、図7に示す現像装置124でつなぎパターンが現像され、エッチング装置125でつなぎパターンがエッチングされ、積層装置126で導電性や絶縁性の必要な層が更に積層されて、つなぎパターンの層が完成する。
このようなつなぎパターン形成部120における工程が、本発明にいうつなぎパターン形成工程の一例に相当する。
このようにつなぎパターン形成部120でつなぎパターンの層が形成されると、次に、配線パターン形成部130で配線パターンが形成される。
図11は、本実施形態の配線パターン形成工程を示す図である。
配線パターン形成工程では、つなぎパターン171、181が形成された基板150全体に、図7に示す成膜装置131で導電性や絶縁性の必要な膜が成膜され、塗布装置132でレジストが塗布される。その後、露光装置133で配線パターン191が露光される。露光装置133では、配線パターン191を有する配線マスク190が用いられ、配線パターン191が基板150上に露光(転写)される。
After the exposure of the connection patterns 171 and 181 by the exposure device 123, the connection pattern is developed by the developing device 124 shown in FIG. 7, the connection pattern is etched by the etching device 125, and the laminating device 126 needs to be conductive or insulating. Further layers are further laminated to complete a stitch pattern layer.
Such a process in the connecting pattern forming unit 120 corresponds to an example of a connecting pattern forming process according to the present invention.
When the connecting pattern forming unit 120 forms the connecting pattern layer as described above, the wiring pattern forming unit 130 forms a wiring pattern.
FIG. 11 is a diagram showing a wiring pattern forming process of the present embodiment.
In the wiring pattern forming step, a film that requires conductivity and insulation is formed by the film forming apparatus 131 shown in FIG. 7 on the entire substrate 150 on which the connecting patterns 171 and 181 are formed, and a resist is applied by the coating apparatus 132. Is done. Thereafter, the wiring pattern 191 is exposed by the exposure device 133. In the exposure apparatus 133, a wiring mask 190 having a wiring pattern 191 is used, and the wiring pattern 191 is exposed (transferred) onto the substrate 150.

配線パターン191の露光位置は、本実施形態では、つなぎパターン171、181の露光位置を決める際に併せて決定される。その決定された露光位置に配線パターン191を位置決めするために、配線パターン形成部130の露光装置133は、配線マスク190上に形成されたアライメントマーク(マスクマーク)192と、基板150上のワークマーク151を検出する。
配線パターン191の露光後、図7に示す現像装置134で配線パターンが現像され、エッチング装置135で配線パターンがエッチングされ、積層装置136で導電性や絶縁性の必要な層が更に積層されて、配線パターンの層が完成する。このような配線パターン形成部130における工程が、本発明にいう配線パターン形成工程の一例に相当する。
このように形成された配線パターン191は、チップ160のマウント位置が設計位置から大幅にずれた場合であっても、つなぎパターン171、181を介することで確実に
チップ160の電極161に接続されることになり、これによってモジュールの回路が確実に形成される。即ち、このように製造されたプリント基板(およびモジュール基板)は信頼性が高い。
In the present embodiment, the exposure position of the wiring pattern 191 is determined when the exposure positions of the connection patterns 171 and 181 are determined. In order to position the wiring pattern 191 at the determined exposure position, the exposure apparatus 133 of the wiring pattern forming unit 130 includes an alignment mark (mask mark) 192 formed on the wiring mask 190 and a work mark on the substrate 150. 151 is detected.
After the exposure of the wiring pattern 191, the wiring pattern is developed by the developing device 134 shown in FIG. 7, the wiring pattern is etched by the etching device 135, and a layer that requires conductivity or insulation is further laminated by the laminating device 136. The wiring pattern layer is completed. Such a process in the wiring pattern forming unit 130 corresponds to an example of a wiring pattern forming process according to the present invention.
The wiring pattern 191 formed in this way is reliably connected to the electrode 161 of the chip 160 via the connection patterns 171 and 181 even when the mounting position of the chip 160 is greatly deviated from the design position. As a result, the circuit of the module is reliably formed. That is, the printed circuit board (and module board) manufactured in this way has high reliability.

次に、つなぎパターン作成部120の露光装置123について詳細に説明する。
図12は、つなぎパターンを作成するための露光装置123を示す図である。
露光装置123は、光照射装置210と、マスクステージ220と、投影レンズ230と、ワークステージ240と、アライメント顕微鏡250と、制御装置260と、モニタ270を備えている。マスクステージ220およびワークステージ240には、それぞれ、マスクステージ駆動機構225およびワークステージ駆動機構245が付設されている。
マスクステージ220には、つなぎパターン171(181)とマスクマーク172(182)が形成されたつなぎマスク170(180)が置かれて保持される。マスクステージ220は、マスクステージ駆動機構225により駆動されることでつなぎマスク170(180)の位置を変更する。
Next, the exposure apparatus 123 of the connection pattern creation unit 120 will be described in detail.
FIG. 12 is a diagram showing an exposure apparatus 123 for creating a connection pattern.
The exposure device 123 includes a light irradiation device 210, a mask stage 220, a projection lens 230, a work stage 240, an alignment microscope 250, a control device 260, and a monitor 270. A mask stage drive mechanism 225 and a work stage drive mechanism 245 are attached to the mask stage 220 and the work stage 240, respectively.
On the mask stage 220, a joining mask 170 (180) on which a joining pattern 171 (181) and a mask mark 172 (182) are formed is placed and held. The mask stage 220 is driven by the mask stage driving mechanism 225 to change the position of the joint mask 170 (180).

光照射装置210は露光光を出射するものである。光照射装置210が出射した露光光は、つなぎマスク170(180)と投影レンズ230を介して、ワークステージ240上のワークに照射され、つなぎパターン171(181)がワーク上に投影されて露光(転写)される。投影レンズ230は、つなぎパターン171(181)をワーク上に拡大あるいは縮小して投影するものであってもよいが、本実施形態では等倍で投影するものとする。
ワークステージ240には、図8に示すようにチップ160がマウントされ成膜やレジスト塗布を経た基板150がワークとして載置されて保持される。上述したように、基板150上の各チップ160にはチップマーク162が設けられており、基板150にはワークマーク151が設けられている。
The light irradiation device 210 emits exposure light. The exposure light emitted from the light irradiation device 210 is irradiated onto the work on the work stage 240 via the joint mask 170 (180) and the projection lens 230, and the joint pattern 171 (181) is projected onto the work and exposed ( Transcribed). The projection lens 230 may project the connection pattern 171 (181) by enlarging or reducing it on the work, but in the present embodiment, it is projected at the same magnification.
As shown in FIG. 8, a chip 150 is mounted on the work stage 240, and a substrate 150 having undergone film formation and resist coating is placed and held as a work. As described above, the chip mark 162 is provided on each chip 160 on the substrate 150, and the work mark 151 is provided on the substrate 150.

また、ワークステージ240の表面の、マスクマーク172(182)が投影される位置には、ミラー241が設けられている。このミラー241は、ワークステージ240に投影されるマスクマーク172(182)像を反射する。ワークステージ240は、ワークステージ駆動機構245により駆動されることで基板150の位置を変更する。
マスクステージ220およびワークステージ240は、それぞれ、マスクステージ駆動機構225およびワークステージ駆動機構245により駆動され、マスクステージ220およびワークステージ240面に平行で互いに直交する2方向であるXY方向に移動するとともに、XY平面に垂直な軸を中心としたθ方向に回転する。
アライメント顕微鏡250は、投影レンズ230とワークステージ240との間に挿入自在なものであり、例えば2個所に設けられているが図12にはそのうちの1箇所のみが図示されている。アライメント顕微鏡250は、基板150がワークステージ240に載る前に投影レンズ230とワークステージ240との間に挿入され、つなぎマスク170(180)の位置を確認する為に、ワークステージ240のミラー241で反射されたマスクマーク172(182)の像を検出する。
A mirror 241 is provided on the surface of the work stage 240 at a position where the mask mark 172 (182) is projected. The mirror 241 reflects the mask mark 172 (182) image projected on the work stage 240. The work stage 240 changes the position of the substrate 150 by being driven by the work stage drive mechanism 245.
The mask stage 220 and the work stage 240 are driven by the mask stage driving mechanism 225 and the work stage driving mechanism 245, respectively, and move in the XY directions, which are two directions parallel to the mask stage 220 and the work stage 240 and orthogonal to each other. , Rotate in the θ direction about an axis perpendicular to the XY plane.
The alignment microscope 250 can be freely inserted between the projection lens 230 and the work stage 240. For example, the alignment microscope 250 is provided at two places, but only one of them is shown in FIG. The alignment microscope 250 is inserted between the projection lens 230 and the work stage 240 before the substrate 150 is placed on the work stage 240, and is used by a mirror 241 of the work stage 240 to confirm the position of the connection mask 170 (180). An image of the reflected mask mark 172 (182) is detected.

また、アライメント顕微鏡250は、基板150がワークステージ240上に置かれ、つなぎパターン171(181)が基板150上に露光される前に、基板150と各チップ160の位置を確認する為に、基板150上のワークマーク151と、チップ160上のチップマーク162を検出する。検出後、アライメント顕微鏡250は、基板150上から退避する。
アライメント顕微鏡250は、ハーフミラー251と、複数のレンズ252、253と、CCDカメラ254を備えている。ハーフミラー251を介してアライメント顕微鏡250内に取り込まれたチップマーク162などの像光はレンズ252、253を経てCCDカメラ254上に結像し、CCDカメラ254で受像されて受像データが制御部260に送られる。
In addition, the alignment microscope 250 is configured to check the position of the substrate 150 and each chip 160 before the substrate 150 is placed on the work stage 240 and the connection pattern 171 (181) is exposed on the substrate 150. The work mark 151 on 150 and the chip mark 162 on the chip 160 are detected. After the detection, the alignment microscope 250 is retracted from the substrate 150.
The alignment microscope 250 includes a half mirror 251, a plurality of lenses 252 and 253, and a CCD camera 254. The image light such as the chip mark 162 taken into the alignment microscope 250 through the half mirror 251 forms an image on the CCD camera 254 via the lenses 252 and 253, and is received by the CCD camera 254. Sent to.

制御部260は、CCDカメラ254で受像した画像を処理して位置座標を求める画像処理部261と、チップマーク162などの位置座標から基板150に対するつなぎパターン171(181)の露光位置を決める演算部262と、位置座標情報などの各種パラメータを記憶する記憶部263と、基板150上におけるチップ160の設計位置を示す位置情報を登録する登録部264と、求められた露光位置に基板150などを位置合わせする位置合わせ制御部265を備えている。
演算部262により露光位置を決める工程は、本発明にいうつなぎ位置決定工程の一例に相当し、演算部262は本発明にいうつなぎ位置決定部の一例に相当する。露光位置を決める詳細な手順については後述する。
画像処理部261によって処理された画像や位置情報は、確認のためにモニタ270の画面に表示される。アライメント顕微鏡250と画像処理部261とを併せたものが、本発明にいう検出部の一例に相当する。
The control unit 260 processes the image received by the CCD camera 254 to obtain position coordinates, and a calculation unit that determines the exposure position of the connection pattern 171 (181) with respect to the substrate 150 from the position coordinates such as the chip mark 162. 262, a storage unit 263 that stores various parameters such as position coordinate information, a registration unit 264 that registers position information indicating the design position of the chip 160 on the substrate 150, and the substrate 150 and the like at the obtained exposure position. An alignment control unit 265 for alignment is provided.
The step of determining the exposure position by the calculation unit 262 corresponds to an example of a connection position determination step according to the present invention, and the calculation unit 262 corresponds to an example of a connection position determination unit according to the present invention. A detailed procedure for determining the exposure position will be described later.
The image and position information processed by the image processing unit 261 are displayed on the screen of the monitor 270 for confirmation. A combination of the alignment microscope 250 and the image processing unit 261 corresponds to an example of the detection unit referred to in the present invention.

登録部264に登録された位置情報は記憶部263に記憶される。この記憶部263が、本発明にいう記憶部の一例に相当する。
上述したマスクステージ駆動機構225およびワークステージ駆動機構245は、位置合わせ制御部265により制御され、マスクステージ220およびワークステージ240の双方あるいは一方を、演算部262によって決められた位置へと駆動する。これにより、つなぎマスク170(180)と基板150との位置関係がつなぎパターン171(181)の露光位置を実現する位置関係となる。そしてこの位置関係でつなぎパターン171(181)が基板150に露光される。露光は光照射装置210からワークステージ240に至る部分で実行され、光照射装置210とマスクステージ220と投影レンズ230とワークステージ240とを併せたものが、本発明にいう露光部の一例に相当する。
The position information registered in the registration unit 264 is stored in the storage unit 263. The storage unit 263 corresponds to an example of a storage unit according to the present invention.
The mask stage drive mechanism 225 and the work stage drive mechanism 245 described above are controlled by the alignment control unit 265 and drive both or one of the mask stage 220 and the work stage 240 to positions determined by the calculation unit 262. Thereby, the positional relationship between the connection mask 170 (180) and the substrate 150 becomes the positional relationship that realizes the exposure position of the connection pattern 171 (181). The connection pattern 171 (181) is exposed on the substrate 150 in this positional relationship. The exposure is performed in a portion from the light irradiation device 210 to the work stage 240, and the combination of the light irradiation device 210, the mask stage 220, the projection lens 230, and the work stage 240 corresponds to an example of the exposure unit referred to in the present invention. To do.

次に、基板150に対するつなぎパターン171(181)の露光位置を決める決定方法について説明する。
本実施形態では、電極161の具体的な位置や配線パターン191の具体的な形状を用いて露光位置を決めるのではなく、チップマーク162の検出位置などに基づいて露光位置を決める。
ここで、個々のチップマーク162や個々のマスクマーク172(182)などを互いに区別する表記方法を改めて定義する。
図13は、実装されたチップ160が有するチップマーク162を示す図である。
基板150上に実装されている各チップ160に設けられた各チップマーク162を個々に区別する為に、i番目のチップ160に設けられたj番目のチップマーク162をti,jと表記することとする。即ち、1番目(図13の左側)のチップ160の2番目(図13の下側)のチップマーク162はt1,2と表記し、2番目(図13の右側)のチップ160の1番目(図13の上側)のチップマーク162はt2,1と表記する。各チップマークti,jの具体的な位置は検出によって求められる。
Next, a determination method for determining the exposure position of the connection pattern 171 (181) with respect to the substrate 150 will be described.
In the present embodiment, the exposure position is not determined based on the specific position of the electrode 161 or the specific shape of the wiring pattern 191, but based on the detection position of the chip mark 162 or the like.
Here, a notation method for distinguishing individual chip marks 162 and individual mask marks 172 (182) from each other will be defined again.
FIG. 13 is a diagram showing a chip mark 162 included in the mounted chip 160.
In order to individually distinguish each chip mark 162 provided on each chip 160 mounted on the substrate 150, the j-th chip mark 162 provided on the i-th chip 160 is denoted as ti , j . I will do it. That is, the second (lower side of FIG. 13) chip mark 162 of the first (left side of FIG. 13) is represented by t1,2, and the first (right side of FIG. 13) first chip 160. The chip mark 162 (upper side in FIG. 13) is expressed as t 2,1 . The specific position of each chip mark t i, j is obtained by detection.

図14は、理想的な位置にチップが存在する場合のチップマークを示す図である。
基板150上に設定された設計位置152にチップが理想的に載っている場合の各チップマークを個々に区別する為に、i番目の設計位置152に在るチップに設けられたj番目のチップマーク162をsi,jと表記することとする。即ち、1番目(図14の左側)の設計位置152の2番目(図14の下側)のチップマーク162はs1,2と表記し、2番目(図14の右側)の設計位置152の1番目(図14の上側)のチップマーク162はs2,1と表記する。各チップマークsi,jの具体的な位置は、基板150のワークマーク151の検出位置と設計位置情報から算出される。
FIG. 14 is a diagram illustrating a chip mark when a chip is present at an ideal position.
In order to distinguish each chip mark when the chip is ideally placed at the design position 152 set on the substrate 150, the j-th chip provided on the chip at the i-th design position 152 The mark 162 is expressed as s i, j . That is, the second (lower side of FIG. 14) chip mark 162 of the first (left side of FIG. 14) chip mark 162 is denoted as s1,2 and the second (right side of FIG. 14) design position 152. The first chip mark 162 (upper side in FIG. 14) is expressed as s 2,1 . The specific position of each chip mark s i, j is calculated from the detected position of the work mark 151 on the substrate 150 and the design position information.

図15は、基板に対して位置決めされる配線マスク190が有するマスクマーク192を示す図である。
ここでは配線マスク190上の各マスクマーク192は、設計位置にチップが理想的に載っている場合の各チップマークsi,jと対応しており、配線マスク190が設計上の位置に配置されると各マスクマーク192が各チップマークsi,jに1対1で重なる配置になっているものとする。なお、このようなマスクマーク192の配置は、配線パターン191やつなぎパターンの露光位置決定を説明するために便宜的に決められた配置である。実際の露光に使用される配線マスク190には、ワークマークなどとの位置関係が明確に決められている限り任意の箇所にマスクマーク192が配置可能である。
FIG. 15 is a diagram showing a mask mark 192 included in the wiring mask 190 positioned with respect to the substrate.
Here, each mask mark 192 on the wiring mask 190 corresponds to each chip mark si , j when the chip is ideally placed at the design position, and the wiring mask 190 is arranged at the design position. Then, it is assumed that each mask mark 192 is arranged to overlap each chip mark s i, j on a one-to-one basis. The arrangement of the mask marks 192 is determined for convenience in order to explain the exposure position determination of the wiring pattern 191 and the connection pattern. On the wiring mask 190 used for actual exposure, the mask mark 192 can be placed at any position as long as the positional relationship with the work mark or the like is clearly determined.

各チップマークsi,jに1対1で対応している各マスクマーク192を個々に区別する為に、i番目の設計位置152に在るj番目のチップマークsi,jに対応したマスクマーク192をmi,jと表記することとする。即ち、1番目のチップの2番目のチップマークs1,2に対応した図の左下のマスクマーク192はm1,2と表記し、2番目のチップの1番目のチップマークs2,1に対応した図の右上のマスクマーク192はm2,1と表記する。各マスクマークmi,jの具体的な位置は、つなぎパターンの露光位置とともに算出される。 In order to distinguish each mask mark 192 corresponding to each chip mark s i, j on a one-to-one basis, a mask corresponding to the j th chip mark s i, j at the i th design position 152 The mark 192 is denoted as mi, j . That is, the lower left mask mark 192 corresponding to the second chip mark s 1,2 of the first chip is denoted as m 1,2 and the first chip mark s 2,1 of the second chip. The mask mark 192 at the upper right of the corresponding figure is denoted as m 2,1 . The specific position of each mask mark mi, j is calculated together with the exposure position of the connection pattern.

図16は、つなぎマスクが有するマスクマークを示す図である。
各つなぎマスク170、180は、基板上に配置される各チップに対応しており、各つなぎマスク170、180上の各マスクマーク172、182は、つなぎパターン171、181がチップの電極に完全に重なった場合にチップマークs1,2と1対1で重なる配置になっているものとする。なお、このようなマスクマーク172、182の配置も、配線パターンやつなぎパターン171、181の露光位置決定を説明するために便宜的に決められた配置である。実際の露光に使用されるつなぎマスク170、180には、ワークマークなどとの位置関係が明確に決められている限り任意の箇所にマスクマーク172、182が配置可能である。
FIG. 16 is a diagram illustrating mask marks included in the connection mask.
Each joint mask 170, 180 corresponds to each chip arranged on the substrate, and each mask mark 172, 182 on each joint mask 170, 180 is such that the joint pattern 171, 181 is completely on the chip electrode. It is assumed that the chip marks s 1 and 2 overlap with each other when they overlap. The arrangement of the mask marks 172 and 182 is also an arrangement determined for convenience in order to explain the exposure position determination of the wiring pattern and the connection patterns 171 and 181. Mask marks 172 and 182 can be arranged at arbitrary positions on the connection masks 170 and 180 used for actual exposure as long as the positional relationship with a work mark or the like is clearly determined.

各マスクマーク172、182を個々に区別する為に、i番目のチップのj番目のチップマークsi,jに対応したマスクマーク172、182をpi,jと表記することとする。即ち、1番目のチップの2番目のチップマークs1,2に対応した図の左下のマスクマーク172はp1,2と表記し、2番目のチップの1番目のチップマークs2,1に対応した図の右上のマスクマーク182はp2,1と表記する。各マスクマークpi,jの具体的な位置は、検出された各チップマークti,jの位置などから算出される。
上記説明した定義によれば、実際のチップマークti,jと、理想位置のチップマークsi,jと、配線マスクのマスクマークmi,jと、つなぎマスクのマスクマークpi,jは、添え字i,jが一致しているマーク同士が互いに対応していることが分かる。
In order to distinguish the mask marks 172 and 182 individually, the mask marks 172 and 182 corresponding to the j-th chip mark s i, j of the i-th chip are denoted by p i, j . That is, the lower left mask mark 172 corresponding to the second chip mark s 1 , 2 of the first chip is represented as p 1,2, and the first chip mark s 2,1 of the second chip The mask mark 182 in the upper right of the corresponding figure is denoted as p 2,1 . The specific position of each mask mark pi , j is calculated from the position of each detected chip mark ti , j .
According to the definition explained above, the actual chip mark t i, j , the chip mark s i, j at the ideal position, the mask mark mi, j of the wiring mask , and the mask mark p i, j of the connection mask are It can be seen that marks having the same suffixes i and j correspond to each other.

次に、上記のように定義された表記に基づいて、マーク間距離を以下のように定義する。
i番目のチップのj番目の実際のチップマークti,jと、配線マスクのマスクマークmi,jとのマーク間距離はri,jと定義する。例えば、1番目のチップの1番目のマークであればr1,1は、ワークマークt1,1とマスクマークm1,1の距離になる。
i番目のチップのj番目の理想位置のチップマークsi,jと、配線マスクのマスクマークmi,jとのマーク間距離はwi,jと定義する。
また、i番目のチップのj番目の実際のチップマークti,jと、つなぎマスクのマスクマークpi,jとのマーク間距離はui,jと定義し、つなぎマスクのマスクマークpi,jと、配線マスクのマスクマークmi,jとのマーク間距離はvi,jと定義する。
このような定義を用いて、まず、つなぎパターン無しで各チップの電極を配線パターンで接続可能な条件について考察する。
基板上に実際に載った各チップに対して配線マスクを最適に位置合わせする場合は、以下の式(1)の値を最小にすればよい。
Next, based on the notation defined as described above, the distance between marks is defined as follows.
i th chip of the j-th actual chip mark t i, and j, the mask mark m i wiring mask mark distance between j is defined as r i, j. For example, for the first mark of the first chip, r 1,1 is the distance between the work mark t 1,1 and the mask mark m 1,1 .
i th chip mark s i of the j-th ideal position of the chip, and j, the mask mark m i wiring mask mark distance between j is defined as w i, j.
Further, the mark-to-mark distance between the j-th actual chip mark t i, j of the i-th chip and the mask mark p i, j of the joint mask is defined as u i, j, and the mask mark p i of the joint mask is defined. , J and the mask mark m i, j of the wiring mask are defined as v i, j .
Using such definitions, first, the conditions under which the electrodes of each chip can be connected by a wiring pattern without a connection pattern will be considered.
When the wiring mask is optimally aligned with respect to each chip actually mounted on the substrate, the value of the following equation (1) may be minimized.

Figure 0006601173
しかし、上記式(1)の値が最小の場合であっても、電極と配線パターンが接続上最適な位置になるわけではない。電極と配線パターンが接続するためには、以下の式(2)を満たす必要がある。
Figure 0006601173
However, even when the value of the above equation (1) is the minimum, the electrode and the wiring pattern are not optimal positions for connection. In order to connect the electrode and the wiring pattern, the following formula (2) needs to be satisfied.

Figure 0006601173
Figure 0006601173

ここでtolは、ユーザから与えられるパラメータであり、チップマークti,jに対してマスクマークmi,jがずれても配線が電極に届く許容値である。このtolの具体的な値は、電極(パッド)の径や配線の太さなどから求められているものとする。また、本来ならばtolはチップ毎に異なる値が与えられ得るものであるがここでは説明の簡便のため、全チップに共通の値が与えられているものとする。
式(2)の条件を満たしながら式(1)の値が最小値となるように配線マスクの位置を求めると、電極と配線パターンが接続される位置関係が得られることになる。そのような位置関係を演繹的に算出するためには、以下の式(3)を用いる。
Here, tor r is a parameter given by the user, and is an allowable value that allows the wiring to reach the electrode even if the mask mark mi, j deviates from the chip mark ti , j . The specific value of tol r is assumed to be obtained from such thickness in the radial and wiring electrodes (pads). In addition, originally, tor r may be given a different value for each chip, but here, for convenience of explanation, it is assumed that a common value is given to all the chips.
When the position of the wiring mask is determined so that the value of Expression (1) becomes the minimum value while satisfying the condition of Expression (2), the positional relationship between the electrode and the wiring pattern is obtained. In order to calculate such a positional relationship a priori, the following formula (3) is used.

Figure 0006601173
Figure 0006601173

ここでαは、配線マスクの位置が設計上の位置からずれたズレ量に相当する変数である。この式(3)は、最大のri,j=tolという条件下でαについて演繹的に解く事ができるが、α≦1を満たす解が存在していれば、電極と配線パターンが接続される現実的な位置関係が存在することになる。つまり、そのような解のαに相当する露光位置で配線パターンの露光を行えば電極と配線パターンが接続されることになる。
このような解法を、つなぎパターンを用いる場合に拡張すると、以下の式(4)と式(5)が得られる。
Here, α is a variable corresponding to the amount of deviation of the position of the wiring mask from the designed position. This equation (3) can be solved a priori for α under the maximum r i, j = tol r , but if there is a solution satisfying α ≦ 1, the electrode and the wiring pattern are connected. There will be a realistic positional relationship. That is, if the wiring pattern is exposed at the exposure position corresponding to α of such a solution, the electrode and the wiring pattern are connected.
When such a solution is extended to the case of using a connection pattern, the following equations (4) and (5) are obtained.

Figure 0006601173
Figure 0006601173

Figure 0006601173
Figure 0006601173

ここで、tolおよびtolは、ユーザから与えられるパラメータであり、チップマークti,jおよびマスクマークmi,jに対してつなぎマスクのマスクマークpi,jがずれてもつなぎパターンが配線および電極に届く許容値である。
上記の式(4)を、最大のui,j=tolかつ最大のvi,j=tolという条件下でαおよびβについて解き、α+β≦1を満たす解が存在していれば、つなぎパターンを介して電極と配線パターンが接続される現実的な位置関係が存在することになる。つまり、そのような解のαおよびβに相当する露光位置でつなぎパターンおよび配線パターンの露光を行えばつなぎパターンを介して電極と配線パターンが接続されることになる。
図12に示す制御部260の演算部262では、このような解法によって露光位置が算出される。
さらに、上述した解法を、つなぎパターンを複数回用いる場合に拡張する事も出来る。この場合は、以下の式(6)と式(7)が得られる。
Here, tol u and tol v are parameters given by the user, and the joint pattern in which the mask mark p i, j of the joint mask is shifted from the chip mark t i, j and the mask mark mi, j This is the allowable value that reaches the wiring and electrodes.
The above equation (4), the maximum of u i, j = tol u and largest v i, j = tol v solve for alpha and beta in conditions of, if it exists is a solution satisfying α + β ≦ 1, There is a realistic positional relationship in which the electrode and the wiring pattern are connected via the connecting pattern. That is, if the connection pattern and the wiring pattern are exposed at the exposure positions corresponding to α and β of such a solution, the electrode and the wiring pattern are connected through the connection pattern.
In the calculation unit 262 of the control unit 260 shown in FIG. 12, the exposure position is calculated by such a solution.
Furthermore, the above-described solution can be extended to use a connection pattern a plurality of times. In this case, the following equations (6) and (7) are obtained.

Figure 0006601173
Figure 0006601173

Figure 0006601173
Figure 0006601173

ここで、ui,j,kは、i番目のチップのj番目の実際のチップマークti,jと、k番目のつなぎマスクのマスクマークpi,j,kとのマーク間距離であり、vi,j,kは、k番目のつなぎマスクのマスクマークpi,j,kと配線マスクのマスクマークmi,jとのマーク間距離である。
このような式(6)および式(7)も上記同様に解くことが出来る。
チップがワーク(基板)にマウントされる精度と、電極と配線とをつなぐのに必要な重ね合わせ精度が分かっていれば、つなぎパターンが最大で何層必要であるか(つなぎパターンを最大で何回形成すればよいか)は経験的にわかるはずであるから、つなぎパターンの層を実際のマウント位置に関わらず常にその層数分形成してもよい。
あるいは、露光装置でチップマークとワークマークを検出することで実際のマウント精度が得られるので、そのように得られたマウント精度に応じてつなぎパターンが何層必要か(つなぎパターンを何回形成するか)を演算し、その層数だけつなぎパターンを露光形成するようにしてもよい。
なお、つなぎパターンは、他の配線や他の電極と短絡しない位置に形成しなければならない。また、チップのマウントがあまりにも大きな位置ずれを生じていた場合、電極と配線端部の中間位置につなぎパターンを形成しても、両者を接続できない場合もある。これらについては、露光装置を以下のように制御することで対応する。
Here, u i, j, k is the mark-to-mark distance between the j-th actual chip mark t i, j of the i-th chip and the mask mark p i, j, k of the k-th joint mask. , v i, j, k is the k-th mask mark p i tether mask, j, k and the mask mark m i wiring mask mark distance between j.
Such equations (6) and (7) can also be solved in the same manner as described above.
If you know the accuracy with which the chip is mounted on the workpiece (substrate) and the overlay accuracy required to connect the electrode and the wiring, how many layers of the connection pattern are required (what is the maximum number of connection patterns)? Since it should be known empirically whether or not the number of layers should be formed, the number of layers of the connecting pattern may always be formed for the number of layers regardless of the actual mounting position.
Alternatively, since the actual mounting accuracy can be obtained by detecting the chip mark and the work mark with the exposure apparatus, the number of connecting patterns required in accordance with the mounting accuracy thus obtained (how many connecting patterns are formed) Or the like, and the connection pattern may be formed by exposure for the number of layers.
Note that the connection pattern must be formed at a position where it is not short-circuited with other wirings or other electrodes. In addition, when the chip mount is too large in position, even if a connecting pattern is formed at an intermediate position between the electrode and the wiring end, the two may not be connected. These are dealt with by controlling the exposure apparatus as follows.

電極の径の大きさ、配線端部の位置、つなぎパターンの径の大きさはあらかじめ設定されており既知のものであるので、図12に示す露光装置123の制御部260の記憶部263に記憶させておく。そして、露光装置123がチップマークを検出したら演算部262で電極の位置座標を演算する。さらに、記憶しておいた上記情報に基づいて、形成するつなぎパターンで電極と配線端部とを接続できるかを演算し、つなぎパターンを形成した際に他の電極や配線と短絡しないかも演算する。これらの演算により、つなぎパターンを形成しても電極と配線端部とを接続できない、あるいはつなぎパターンを形成すると他の電極や配線と短絡するといった結果が得られた場合は、制御部260は、露光動作を停止し、その旨を示す信号(警告メッセージなど)をモニタ270に表示する。   Since the diameter of the electrode, the position of the wiring end, and the diameter of the connecting pattern are preset and known, they are stored in the storage unit 263 of the control unit 260 of the exposure apparatus 123 shown in FIG. Let me. When the exposure device 123 detects the chip mark, the calculation unit 262 calculates the position coordinates of the electrode. Further, based on the above stored information, it is calculated whether the connection pattern to be formed can connect the electrode and the wiring end, and whether the connection pattern is formed is also calculated whether it is not short-circuited with other electrodes or wiring. . By these operations, even when the connection pattern is formed, the electrode and the wiring end cannot be connected, or when the connection pattern is formed, a result such as short-circuiting with another electrode or wiring is obtained. The exposure operation is stopped, and a signal (warning message or the like) indicating that is displayed on the monitor 270.

なお、上記説明では、配線パターンの露光位置を設計位置からずらすとともにつなぎパターンを形成する例を示したが、本発明では、配線パターンの露光位置は設計位置からずらさずに、つなぎパターンの形成のみで電極と配線とを接続してもよい。この場合、式(4)、式(6)においてwi,j=0、かつβ=1−αとなる。
また、上記説明では、つなぎパターンとして、マウントの誤差で離れてしまった配線パターンと電極とを繋ぐための専用のつなぎパターンを例示したが、本発明にいうつなぎパターンは、例えば層の高さを合わせるためなどの他の目的で配線パターンと電極との間に設けられている中間のパターンを、チップの搭載位置に基づいて決められた箇所につなぎパターンとして形成したものであってもよい。
In the above description, the example in which the exposure position of the wiring pattern is shifted from the design position and the connection pattern is formed is shown. However, in the present invention, the exposure position of the wiring pattern is not shifted from the design position, and only the connection pattern is formed. The electrode and the wiring may be connected with each other. In this case, w i, j = 0 and β = 1−α in the equations (4) and (6).
Moreover, in the above description, the connection pattern dedicated to connecting the wiring pattern separated from the electrode due to the mounting error and the electrode is exemplified as the connection pattern. However, the connection pattern referred to in the present invention has, for example, the height of the layer. An intermediate pattern provided between the wiring pattern and the electrode for other purposes such as alignment may be formed as a connection pattern at a location determined based on the mounting position of the chip.

100…基板製造システム、110…マウント装置、120…つなぎパターン形成部、130…配線パターン形成部、123…露光装置、150…基板、160…チップ、170,180…つなぎマスク、190…配線マスク   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Board | substrate manufacturing system, 110 ... Mounting apparatus, 120 ... Connection pattern formation part, 130 ... Wiring pattern formation part, 123 ... Exposure apparatus, 150 ... Board | substrate, 160 ... Chip | tip, 170,180 ... Connection mask, 190 ... Wiring mask

Claims (4)

基板上に搭載されたチップの搭載位置を検出する検出部と、
前記基板に対する前記チップの設計位置を記憶した記憶部と、
前記搭載位置および前記設計位置に基づいて、前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンの形成位置を決めるつなぎ位置決定部と、
前記形成位置に前記つなぎパターンを露光する露光部と、
を備え
前記露光部が、前記つなぎパターンのマスクを前記形成位置に位置合わせして該つなぎパターンを露光するものであることを特徴とする露光装置。
A detection unit for detecting the mounting position of the chip mounted on the substrate;
A storage unit storing a design position of the chip with respect to the substrate;
Based on the mounting position and the design position, a connection position determination unit that determines a formation position of a connection pattern that connects the electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode;
An exposure unit that exposes the connection pattern at the formation position;
Equipped with a,
The exposure apparatus, wherein the exposure unit aligns the mask of the connection pattern at the formation position and exposes the connection pattern .
基板上にチップを搭載する搭載装置と、
前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンを、前記基板上における該チップの搭載位置と該基板に対する該チップの設計位置とに基づいて決定した形成位置に形成するつなぎパターン形成部と、
前記基板上に前記配線パターンを形成する配線パターン形成部と、
を備え
前記露光部が、前記つなぎパターンのマスクを前記形成位置に位置合わせして該つなぎパターンを露光するものであることを特徴とする基板製造システム。
A mounting device for mounting the chip on the substrate;
A connection pattern connecting the electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode is formed at a formation position determined based on a mounting position of the chip on the substrate and a design position of the chip with respect to the substrate. A connecting pattern forming section;
A wiring pattern forming portion for forming the wiring pattern on the substrate;
Equipped with a,
The substrate manufacturing system , wherein the exposure unit aligns the mask of the connection pattern at the formation position and exposes the connection pattern .
基板上に搭載されたチップの搭載位置を検出する検出工程と、
前記基板に対する前記チップの設計位置および前記搭載位置に基づいて、前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンの形成位置を決めるつなぎ位置決定工程と、
前記形成位置に前記つなぎパターンを露光する露光工程と、
を有し、
前記露光工程が、前記つなぎパターンのマスクを前記形成位置に位置合わせして該つなぎパターンを露光する工程であることを特徴とする露光方法。
A detection process for detecting the mounting position of the chip mounted on the substrate;
Based on the design position and mounting position of the chip with respect to the substrate, a connection position determination step for determining a formation position of a connection pattern that connects the electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode;
An exposure step of exposing the connection pattern to the formation position;
Have a,
The exposure method, wherein the exposure step is a step of aligning a mask of the connection pattern at the formation position and exposing the connection pattern .
基板上にチップを搭載する搭載工程と、
前記チップの電極と、該電極に接続される配線パターンとを繋ぐつなぎパターンを、前記基板上における該チップの搭載位置と該基板に対する該チップの設計位置とに基づいて決定した形成位置に形成するつなぎパターン形成工程と、
前記基板上に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
を有し、
前記つなぎパターン形成工程が、前記つなぎパターンのマスクを前記形成位置に位置合わせして該つなぎパターンを露光して形成する工程であることを特徴とする基板製造方法。
A mounting process for mounting the chip on the substrate;
A connection pattern connecting the electrode of the chip and a wiring pattern connected to the electrode is formed at a formation position determined based on a mounting position of the chip on the substrate and a design position of the chip with respect to the substrate. Connecting pattern forming process;
A wiring pattern forming step of forming the wiring pattern on the substrate;
Have a,
The method for manufacturing a substrate, wherein the connecting pattern forming step is a step of aligning a mask of the connecting pattern at the forming position and exposing the connecting pattern to form the connecting pattern .
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