JP6600019B2 - Method for manufacturing electronic substrate and anisotropic conductive paste - Google Patents

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Description

本発明は、電子基板の製造方法および異方性導電ペーストに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic substrate and an anisotropic conductive paste.

近年、フレキシブル基板(フレキシブル性を有する配線基板)とリジット基板(フレキシブル性を有しない配線基板)との接続や、電子部品と配線基板との接続には、異方性導電接着剤(異方性導電フィルム、異方性導電ペースト)を用いた接続方式が利用されている。例えば、電子部品と配線基板とを接続する場合には、電極が形成された電子部品と、電極のパターンが形成された配線基板との間に異方性導電ペーストを配置し、電子部品と配線基板とを熱圧着して電気的接続を確保している。   In recent years, anisotropic conductive adhesives (anisotropic) have been used for connection between flexible boards (wiring boards having flexibility) and rigid boards (wiring boards not having flexibility) and between electronic components and wiring boards. A connection method using a conductive film or an anisotropic conductive paste is used. For example, when connecting an electronic component and a wiring board, an anisotropic conductive paste is disposed between the electronic component on which the electrode is formed and the wiring board on which the electrode pattern is formed, and the electronic component and the wiring are connected. The electrical connection is ensured by thermocompression bonding with the substrate.

異方性導電ペーストとしては、はんだ粉末と、熱硬化性樹脂と、カルボン酸系硬化剤と、イミダゾール系硬化剤と、アミン系硬化剤とを含有するペーストが提案されている(例えば、特許文献1)。電子部品と配線基板とを熱圧着させると、接続対象である電子部品および配線基板の電極同士をはんだ接合することができ、これらの電極同士の間での導電性が確保される。一方、電子部品の電極同士の間隙や配線基板の電極同士の間隙では、樹脂成分内にはんだ粉末が埋設されたような状態となり、隣接電極間の絶縁性が確保される。   As an anisotropic conductive paste, a paste containing a solder powder, a thermosetting resin, a carboxylic acid-based curing agent, an imidazole-based curing agent, and an amine-based curing agent has been proposed (for example, Patent Documents). 1). When the electronic component and the wiring substrate are thermocompression bonded, the electrodes of the electronic component to be connected and the wiring substrate can be soldered together, and conductivity between these electrodes is ensured. On the other hand, in the gap between the electrodes of the electronic component and the gap between the electrodes of the wiring board, the solder component is embedded in the resin component, and insulation between adjacent electrodes is ensured.

特開2013−045650号公報JP2013-045650A

特許文献1に記載のような異方性導電ペーストを用いる場合には、電極表面の全体がはんだ接合されるわけではなく、電極表面の一部がはんだ接合されて、電極同士の間での導電性が確保される。導電性については、これで十分ではあるが、例えば、高周波電流や大きな電流が流れる場合などを考慮すると、電極表面の全体がはんだ接合される方がより好ましい。   In the case of using an anisotropic conductive paste as described in Patent Document 1, the entire electrode surface is not solder-bonded, and a part of the electrode surface is solder-bonded so that conduction between the electrodes can be achieved. Sex is secured. For conductivity, this is sufficient, but it is more preferable that the entire electrode surface is soldered in consideration of, for example, a case where a high-frequency current or a large current flows.

そこで、本発明は、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性を有する電子基板を作製できる電子基板の製造方法、並びにその方法に用いる異方性導電ペーストを提供することを目的とする。   Then, this invention aims at providing the manufacturing method of the electronic substrate which can produce the electronic substrate which has high connection reliability using an anisotropic conductive paste, and the anisotropic conductive paste used for the method .

前記課題を解決すべく、本発明は、以下のような電子基板の製造方法および異方性導電ペーストを提供するものである。
すなわち、本発明の電子基板の製造方法は、第一配線基板と、第二配線基板または電子部品とを、異方性導電ペーストを用いて接続して電子基板を作製する電子基板の製造方法であって、前記異方性導電ペーストが、(A)融点が150℃以下であるはんだ粉末と、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化剤、および(D)活性剤を含む熱硬化性樹脂組成物とを含有し、前記(A)成分の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、50質量%超75質量%以下であり、前記熱硬化性樹脂組成物の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、25質量%以上50質量%未満であり、前記第一配線基板上に前記異方性導電ペーストを塗布する塗布工程と、前記異方性導電ペースト上に前記第二配線基板または前記電子部品を配置し、前記(A)成分の融点よりも高い温度で、前記第二配線基板または前記電子部品を前記第一配線基板に熱圧着する熱圧着工程と、前記熱圧着工程後の前記第一配線基板および前記第二配線基板または前記電子部品を加熱して、前記熱硬化性樹脂組成物を硬化させる熱硬化工程と、を備え、前記第一配線基板の電極のピッチ、および、前記第二配線基板または前記電子部品の電極のピッチが、それぞれ60μm以上500μm以下であり、前記第一配線基板の電極の厚みと、前記第二配線基板または前記電子部品の電極の厚みとの合計が、20μm以上100μm以下であることを特徴とする方法である。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following method for manufacturing an electronic substrate and anisotropic conductive paste.
That is, the method for manufacturing an electronic substrate according to the present invention is a method for manufacturing an electronic substrate in which an electronic substrate is manufactured by connecting a first wiring substrate and a second wiring substrate or an electronic component using an anisotropic conductive paste. A thermosetting resin composition, wherein the anisotropic conductive paste comprises (A) a solder powder having a melting point of 150 ° C. or less, (B) an epoxy resin, (C) a curing agent, and (D) an activator. The blending amount of the component (A) is more than 50% by weight and 75% by weight or less with respect to 100% by weight of the anisotropic conductive paste, and the blending amount of the thermosetting resin composition Is an application step of applying the anisotropic conductive paste on the first wiring board, and anisotropy, with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste. The second wiring board or the electronic part on a conductive paste A thermocompression bonding step in which the second wiring board or the electronic component is thermocompression bonded to the first wiring board at a temperature higher than the melting point of the component (A), and the first after the thermocompression bonding process. A thermosetting step of heating the wiring board and the second wiring board or the electronic component to cure the thermosetting resin composition, and the pitch of the electrodes of the first wiring board, and the second The pitch of the electrodes of the wiring board or the electronic component is 60 μm or more and 500 μm or less, respectively, and the total of the thickness of the electrode of the first wiring board and the thickness of the electrode of the second wiring board or the electronic component is 20 μm. The method is characterized by being 100 μm or less.

本発明の異方性導電ペーストは、前記電子基板の製造方法に用いる異方性導電ペーストであって、(A)融点が150℃以下であるはんだ粉末と、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化剤、および(D)活性剤を含む熱硬化性樹脂組成物とを含有し、前記(A)成分の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、50質量%超75質量%以下であり、前記熱硬化性樹脂組成物の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、25質量%以上50質量%未満であることを特徴とするものである。   An anisotropic conductive paste of the present invention is an anisotropic conductive paste used in the method for producing an electronic substrate, wherein (A) a solder powder having a melting point of 150 ° C. or less, (B) an epoxy resin, (C) A thermosetting resin composition containing a curing agent and (D) an activator, and the blending amount of the component (A) is more than 50% by mass with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste. The blending amount of the thermosetting resin composition is 25% by mass or more and less than 50% by mass with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste.

なお、本発明において、異方性導電ペーストとは、接続対象となる電極同士を導通させることができ、基板の垂直方向では導電性を有するが、それ以外の箇所では基板の面方向に絶縁性を有する異方性導電材を形成できるペーストのことをいう。
また、本発明の電子基板の製造方法によれば、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性を有する電子基板を作製できる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
In the present invention, the anisotropic conductive paste means that the electrodes to be connected can be electrically connected to each other, and has conductivity in the vertical direction of the substrate, but is insulative in the surface direction of the substrate in other portions. The paste which can form the anisotropic electrically-conductive material which has this.
In addition, according to the method for manufacturing an electronic substrate of the present invention, the reason why an electronic substrate having high connection reliability can be manufactured using an anisotropic conductive paste is not necessarily clear, but the present inventors are as follows. To guess.

すなわち、本発明に用いる異方性導電ペーストを、はんだ粉末の融点以上の温度で熱圧着する場合には、鉛フリーはんだ粉末同士が溶融するとともにそれぞれが近接していき、その周囲のはんだ同士で接合して大きくなる。また、熱圧着により、電子部品および配線基板の電極同士の間隔も短くなるので、上記のようにして大きくなった溶融はんだにより、電極同士をはんだ接合することができる。さらに、この溶融はんだに周囲のはんだ粉末が集まって電極表面の全体にはんだ接合ができる。一方で、配線基板の電極同士の間隙などに存在するはんだ粉末は、溶融はんだにより周囲のはんだ粉末が集められることで少なくなる。結果として、配線基板の電極同士の間では絶縁性が確保される。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。   That is, when the anisotropic conductive paste used in the present invention is thermocompression bonded at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder powder, the lead-free solder powders are melted and close to each other, and the surrounding solders Join and grow. Moreover, since the space | interval of the electrodes of an electronic component and a wiring board also becomes short by thermocompression bonding, electrodes can be solder-joined by the molten solder enlarged as mentioned above. Further, the surrounding solder powder gathers on the molten solder, and solder bonding can be performed on the entire surface of the electrode. On the other hand, the amount of solder powder existing in the gap between the electrodes of the wiring board is reduced by collecting the surrounding solder powder by molten solder. As a result, insulation is ensured between the electrodes of the wiring board. As described above, the present inventors speculate that the effects of the present invention are achieved.

本発明によれば、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性を有する電子基板を作製できる電子基板の製造方法、並びにその方法に用いる異方性導電ペーストを提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the anisotropic conductive paste which can produce the electronic substrate which can produce the electronic substrate which has high connection reliability using anisotropic conductive paste, and the anisotropic conductive paste used for the method can be provided.

本実施形態に用いる第一配線基板の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the 1st wiring board used for this embodiment. 本実施形態における図1のII−II断面図である。It is II-II sectional drawing of FIG. 1 in this embodiment. 本実施形態に用いる第二配線基板の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the 2nd wiring board used for this embodiment. 本実施形態における図3のIV−IV断面図である。It is IV-IV sectional drawing of FIG. 3 in this embodiment. 本実施形態において、異方性導電ペースト上に第二配線基板を配置した状態の一例を示す概略図である。In this embodiment, it is the schematic which shows an example of the state which has arrange | positioned the 2nd wiring board on anisotropic conductive paste. 本実施形態において、第二配線基板を第一配線基板に熱圧着する状態の一例を示す概略図である。In this embodiment, it is the schematic which shows an example of the state which thermocompression-bonds a 2nd wiring board to a 1st wiring board. 本実施形態において、異方性導電ペースト上に第二配線基板を配置した状態の一例を示す概略図である。In this embodiment, it is the schematic which shows an example of the state which has arrange | positioned the 2nd wiring board on anisotropic conductive paste. 本実施形態において、第二配線基板を第一配線基板に熱圧着する状態の一例を示す概略図である。In this embodiment, it is the schematic which shows an example of the state which thermocompression-bonds a 2nd wiring board to a 1st wiring board. 実施例1で得られた評価基板におけるリジット基板の櫛形電極の部分を示す写真である。4 is a photograph showing a comb-shaped electrode portion of a rigid substrate in the evaluation substrate obtained in Example 1. FIG. 比較例1で得られた評価基板におけるリジット基板の櫛形電極の部分を示す写真である。6 is a photograph showing a comb-shaped electrode portion of a rigid substrate in an evaluation substrate obtained in Comparative Example 1; 実施例1で得られた評価基板における櫛形電極の部分の断面を示す写真である。2 is a photograph showing a cross-section of a comb-shaped electrode portion on an evaluation substrate obtained in Example 1. FIG. 比較例1で得られた評価基板における櫛形電極の部分の断面を示す写真である。4 is a photograph showing a cross section of a comb-shaped electrode portion in an evaluation substrate obtained in Comparative Example 1. FIG.

[異方性導電ペースト]
先ず、本実施形態の異方性導電ペーストについて説明する。
本実施形態の異方性導電ペーストは、後述する本実施形態の電子基板の製造方法に用いる異方性導電ペーストである。そして、この異方性導電ペーストは、以下説明する(A)融点が150℃以下であるはんだ粉末と、以下説明する熱硬化性樹脂組成物とを含有し、(A)成分の配合量が、異方性導電ペースト100質量%に対して、50質量%超75質量%以下であり、熱硬化性樹脂組成物の配合量が、異方性導電ペースト100質量%に対して、25質量%以上50質量%未満であるものである。
(A)成分の配合量が50質量%以下の場合(熱硬化性樹脂組成物の配合量が50質量%以上の場合)には、得られる異方性導電ペーストを熱圧着した場合に、電極表面の全体がはんだ接合を形成することができない。他方、(A)成分の配合量が75質量%を超える場合(熱硬化性樹脂組成物の配合量が25質量%未満の場合)には、はんだブリッジにより、異方性を示さなくなる。また、得られる異方性導電ペーストにおいて、絶縁性と接続信頼性とのバランスをとるという観点から、(A)成分の配合量は、50.5質量%以上70質量%以下であることが好ましく、50.5質量%以上65質量%以下であることがより好ましい。
[Anisotropic conductive paste]
First, the anisotropic conductive paste of this embodiment will be described.
The anisotropic conductive paste of the present embodiment is an anisotropic conductive paste used for the electronic substrate manufacturing method of the present embodiment described later. And this anisotropic conductive paste contains (A) a solder powder whose melting point is 150 ° C. or less, which will be described below, and a thermosetting resin composition which will be described below. More than 50 mass% and 75 mass% or less with respect to 100 mass% of the anisotropic conductive paste, and the blending amount of the thermosetting resin composition is 25 mass% or more with respect to 100 mass% of the anisotropic conductive paste. It is less than 50% by mass.
When the blending amount of the component (A) is 50% by mass or less (when the blending amount of the thermosetting resin composition is 50% by mass or more), the obtained anisotropic conductive paste is subjected to thermocompression bonding. The entire surface cannot form a solder joint. On the other hand, when the blending amount of the component (A) exceeds 75% by mass (when the blending amount of the thermosetting resin composition is less than 25% by mass), the anisotropy is not exhibited by the solder bridge. Further, in the obtained anisotropic conductive paste, the blending amount of the component (A) is preferably 50.5% by mass or more and 70% by mass or less from the viewpoint of balancing insulation and connection reliability. More preferably, it is 50.5 mass% or more and 65 mass% or less.

[(A)成分]
本実施形態に用いる(A)はんだ粉末は、150℃以下の融点を有するものである。また、このはんだ粉末は、環境への影響の観点から、鉛フリーはんだ粉末であることが好ましい。ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、100質量ppm以下であることが好ましい。
[(A) component]
The (A) solder powder used in the present embodiment has a melting point of 150 ° C. or lower. Moreover, it is preferable that this solder powder is a lead-free solder powder from a viewpoint of the influence on an environment. Here, the lead-free solder powder refers to a solder metal or alloy powder to which lead is not added. However, it is allowed that lead is present as an inevitable impurity in the lead-free solder powder, but in this case, the amount of lead is preferably 100 mass ppm or less.

前記(A)成分は、スズ(Sn)、ビスマス(Bi)、銅(Cu)、銀(Ag)、アンチモン(Sb)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、およびチタン(Ti)からなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる金属または合金であることが好ましい。例えば、スズ基のはんだとしては、Sn−0.7Cuなどのスズ−銅系;Sn−3.5Agなどのスズ−銀系;Sn−3.0Ag−0.5Cu、Sn−3.5Ag−0.7Cu、Sn−1.0Ag−0.7Cu、Sn−0.3Ag−0.7Cuなどのスズ−銀−銅系;Sn−2.5Ag−1.0Bi−0.5Cu、Sn−1.0Ag−2.0Bi−0.5Cuなどのスズ−銀−ビスマス−銅系;Sn−3.5Ag−0.5Bi−8.0Inなどのスズ−銀−ビスマス−インジウム系;Sn−1.0Ag−0.7Cu−2.0Bi−0.2Inなどのスズ−銀−銅−ビスマス−インジウム系;Sn−58Biなどのスズ−ビスマス系;Sn−1.0Ag−58Biなどのスズ−銀−ビスマス系;Sn−5.0Sbなどのスズーアンチモン系;Sn−9Znなどのスズ−亜鉛系;Sn−8.0Zn−3.0Biなどのスズ−亜鉛−ビスマス系;Sn−30In−12Sb−3Znなどのスズ−インジウム−アンチモン−亜鉛系;Sn−56Bi−4Tiなどのスズ−ビスマス−チタン系;Sn−3.5Ag−4Tiなどのスズ−銀−チタン系;Sn−52Inなどのスズ−インジウム系などが挙げられる。インジウム基のはんだとしては、金属インジウムのインジウム系;In−3.0Agなどのインジウム−銀系が挙げられる。また、上記金属、合金には更に微量成分として、上記の金属以外にも、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)、リン(P)、セリウム(Ce)、ゲルマニウム(Ge)、シリコン(Si)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、ジルコニウム(Zr)、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、鉛(Pb)などを含有していてもよい。これらの中でも、低融点特性の点から、スズ−ビスマス系、スズ−銀−ビスマス系、スズ−インジウム系、インジウム系、インジウム−銀系などがより好ましい。   The component (A) is a group consisting of tin (Sn), bismuth (Bi), copper (Cu), silver (Ag), antimony (Sb), indium (In), zinc (Zn), and titanium (Ti). It is preferably a metal or alloy made of at least one metal selected from the group consisting of: For example, tin-based solders include tin-copper such as Sn-0.7Cu; tin-silver such as Sn-3.5Ag; Sn-3.0Ag-0.5Cu, Sn-3.5Ag-0 Tin-silver-copper systems such as .7Cu, Sn-1.0Ag-0.7Cu, Sn-0.3Ag-0.7Cu; Sn-2.5Ag-1.0Bi-0.5Cu, Sn-1.0Ag Tin-silver-bismuth-copper system such as -2.0Bi-0.5Cu; Tin-silver-bismuth-indium system such as Sn-3.5Ag-0.5Bi-8.0In; Sn-1.0Ag-0 Tin-silver-copper-bismuth-indium system such as 7Cu-2.0Bi-0.2In; Tin-bismuth system such as Sn-58Bi; Tin-silver-bismuth system such as Sn-1.0Ag-58Bi; Sn -5.0 Sb tin-antimony system; S Tin-zinc based such as Sn-9Zn; tin-zinc-bismuth based such as Sn-8.0Zn-3.0Bi; tin-indium-antimony-zinc based such as Sn-30In-12Sb-3Zn; Sn-56Bi-4Ti Tin-bismuth-titanium system such as Sn-3.5Ag-4Ti; tin-silver-titanium system such as Sn-52In; tin-indium system such as Sn-52In. Examples of the indium-based solder include indium-based metal indium; indium-silver-based such as In-3.0Ag. In addition to the above metals, iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo), phosphorus (P), cerium (Ce), Germanium (Ge), silicon (Si), gallium (Ga), aluminum (Al), niobium (Nb), vanadium (V), calcium (Ca), magnesium (Mg), zirconium (Zr), gold (Au), Palladium (Pd), platinum (Pt), lead (Pb), etc. may be contained. Among these, tin-bismuth, tin-silver-bismuth, tin-indium, indium, indium-silver, and the like are more preferable from the viewpoint of low melting point characteristics.

前記(A)成分の平均粒子径は、通常1μm以上40μm以下であるが、はんだ付けパッドのピッチが狭い電子基板にも対応するという観点から、1μm以上20μm以下であることがより好ましく、2μm以上15μm以下であることがさらにより好ましく、3μm以上12μm以下であることが特に好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。   The average particle diameter of the component (A) is usually 1 μm or more and 40 μm or less, but is preferably 1 μm or more and 20 μm or less, more preferably 2 μm or more, from the viewpoint of corresponding to an electronic substrate having a narrow soldering pad pitch. More preferably, it is 15 μm or less, and particularly preferably 3 μm or more and 12 μm or less. The average particle size can be measured with a dynamic light scattering type particle size measuring device.

[熱硬化性樹脂組成物]
本実施形態に用いる熱硬化性樹脂組成物は、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化剤、および(D)活性剤を含むものである。そして、この熱硬化性樹脂組成物の酸価は、10mgKOH/g以上55mgKOH/g以下であることが好ましく、15mgKOH/g以上50mgKOH/g以下であることがより好ましく、30mgKOH/g以上45mgKOH/g以下であることが特に好ましい。はんだの活性化という観点からは、酸価が前記下限以上であることが好ましく、得られる異方性導電ペーストにおける絶縁性の観点からは、酸価が前記上限以下であることが好ましい。
[Thermosetting resin composition]
The thermosetting resin composition used in the present embodiment includes (B) an epoxy resin, (C) a curing agent, and (D) an activator. The acid value of the thermosetting resin composition is preferably from 10 mgKOH / g or higher 55 mg KOH / g, more preferably at most 15 mgKOH / g or more 50mgKOH / g, 30mgKOH / g or more 45 mg KOH / g by particularly preferably less. From the viewpoint of activation of the solder, the acid value is preferably equal to or higher than the lower limit, and from the viewpoint of insulation in the obtained anisotropic conductive paste, the acid value is preferably equal to or lower than the upper limit.

[(B)成分]
本実施形態に用いる(B)エポキシ樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を適宜用いることができる。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビフェニル型、ナフタレン型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、およびジシクロペンタジエン型などのエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、これらのエポキシ樹脂は、常温で液状のものを含有することが好ましく、常温で固形のものを用いる場合には、常温で液状のものと併用することが好ましい。
[Component (B)]
As (B) epoxy resin used for this embodiment, a well-known epoxy resin can be used suitably. Examples of such epoxy resins include bisphenol A type, bisphenol F type, biphenyl type, naphthalene type, cresol novolac type, phenol novolac type, and dicyclopentadiene type epoxy resins. These epoxy resins may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types. Further, these epoxy resins preferably contain a liquid at normal temperature, and when a solid at normal temperature is used, it is preferably used in combination with a liquid at normal temperature.

(B)成分の配合量としては、熱硬化性樹脂組成物100質量%に対して、70質量%以上95質量%以下であることが好ましく、75質量%以上92質量%以下であることがより好ましく、80質量%以上90質量%以下であることが特に好ましい。(B)成分の配合量が前記下限以上であれば、落下衝撃に対する耐性を向上できる。他方、(B)成分の配合量が前記上限以下であれば、得られる異方性導電ペーストの粘度を低くでき、塗布性を向上できる。   (B) As a compounding quantity of a component, it is preferable that it is 70 to 95 mass% with respect to 100 mass% of thermosetting resin compositions, and it is more preferable that it is 75 to 92 mass%. It is particularly preferably 80% by mass or more and 90% by mass or less. (B) If the compounding quantity of a component is more than the said minimum, the tolerance with respect to a drop impact can be improved. On the other hand, if the blending amount of the component (B) is not more than the above upper limit, the viscosity of the obtained anisotropic conductive paste can be lowered and the coating property can be improved.

[(C)成分]
本実施形態に用いる(C)硬化剤としては、イミダゾール類、イミダゾール誘導体およびエポキシ樹脂アミンアダクト系硬化剤などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、硬化性および硬化物の性能の観点から、イミダゾール類およびイミダゾール誘導体の少なくともいずれか1つと、エポキシ樹脂アミンアダクト系硬化剤と併用することが好ましい。
なお、本実施形態に用いる熱硬化性樹脂組成物は、はんだの凝集を阻害しないことが好ましい。この観点から、熱硬化性樹脂組成物は、熱圧着時に硬化が進み過ぎないことが好ましく、(C)成分は、熱圧着時に硬化が進みにくいものを選択することが好ましい。
[Component (C)]
Examples of the curing agent (C) used in the present embodiment include imidazoles, imidazole derivatives, and epoxy resin amine adduct curing agents. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable to use together with at least any one of imidazoles and imidazole derivatives, and an epoxy resin amine adduct type hardening | curing agent from a viewpoint of sclerosis | hardenability and the performance of hardened | cured material.
In addition, it is preferable that the thermosetting resin composition used for this embodiment does not inhibit solder aggregation. From this point of view, it is preferable that the thermosetting resin composition does not progress excessively during thermocompression bonding, and it is preferable to select a component (C) that is difficult to cure during thermocompression bonding.

イミダゾール類としては、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、および2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンなどが挙げられる。これらの中でも、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、および1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイトなどを用いることが好ましい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
イミダゾール類の市販品としては、2P4MHZ、2PHZ−PW、2E4MZ−A、2MZ−A、2MA−OK、2PZ−CN、2PZCNS−PW、C11Z−CN、およびC11Z−Aなど(四国化成工業社製など、商品名)が挙げられる。
Examples of imidazoles include 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl. -(1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2 '-Methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, etc. And the like. Among these, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, and It is preferable to use 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate or the like. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of commercially available imidazoles include 2P4MHZ, 2PHZ-PW, 2E4MZ-A, 2MZ-A, 2MA-OK, 2PZ-CN, 2PZCNS-PW, C11Z-CN, and C11Z-A (manufactured by Shikoku Chemical Industries, etc. , Product name).

イミダゾール誘導体は、イミダゾール類から誘導して得られるものである。前記イミダゾール誘導体の市販品としては、サンマイド LH−210、Imicure AMI−2、および、Imicure HAPIなど(エアープロダクツ社製、商品名)が挙げられる。
エポキシ樹脂アミンアダクト系硬化剤としては、例えば、アミキュアPN−23、PN−F、MY−24、VDH、UDH、PN−31、PN−40(味の素ファインテクノ社製、商品名)、EH−3615S、EH−3293S、EH−3366S、EH−3842、EH−3670S、EH−3636AS、EH−4346S(ADEKA社製、商品名)が挙げられる。
Imidazole derivatives are those derived from imidazoles. Examples of commercially available imidazole derivatives include Sanmide LH-210, Imicure AMI-2, and Imicure HAPI (trade name, manufactured by Air Products).
Examples of the epoxy resin amine adduct-based curing agent include Amicure PN-23, PN-F, MY-24, VDH, UDH, PN-31, and PN-40 (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., trade name), EH-3615S. , EH-3293S, EH-3366S, EH-3842, EH-3670S, EH-3636AS, EH-4346S (trade name, manufactured by ADEKA).

(C)成分の配合量は、熱硬化性樹脂組成物100質量%に対して、1質量%以上15質量%以下であることが好ましく、2質量%以上10質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上6質量%以下であることが特に好ましい。(C)成分の配合量が前記下限以上であれば、得られる異方性導電ペーストの硬化性を向上できる。他方、(C)成分の配合量が前記上限以下であれば、得られる異方性導電ペーストの保存安定性を向上できる。   The amount of component (C) is preferably 1% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 2% by mass or more and 10% by mass or less with respect to 100% by mass of the thermosetting resin composition. The content is particularly preferably 3% by mass or more and 6% by mass or less. If the compounding quantity of (C) component is more than the said minimum, the sclerosis | hardenability of the anisotropic conductive paste obtained can be improved. On the other hand, if the amount of component (C) is not more than the above upper limit, the storage stability of the resulting anisotropic conductive paste can be improved.

[(D)成分]
本実施形態に用いる(D)活性剤としては、有機酸、有機酸アミン塩、非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、環境対策の観点からは、有機酸、有機酸アミン塩を用いることが好ましい。
[(D) component]
Examples of the (D) activator used in the present embodiment include organic acids, organic acid amine salts, non-dissociative activators, and amine activators. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, it is preferable to use an organic acid or an organic acid amine salt from the viewpoint of environmental measures.

有機酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、グリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、ジグリコール酸などが挙げられる。これらの中でも、グルタル酸、アジピン酸などが好ましい。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、ピコリン酸などが挙げられる。
Examples of the organic acid include other organic acids besides monocarboxylic acid and dicarboxylic acid.
Monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tuberculostearic acid Arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, glycolic acid and the like.
Examples of the dicarboxylic acid include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, diglycolic acid and the like. Of these, glutaric acid and adipic acid are preferred.
Examples of other organic acids include dimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anisic acid, citric acid, and picolinic acid.

有機酸アミン塩は、前記有機酸のアミン塩である。アミンとしては、適宜公知のアミンを用いることができる。このようなアミンは、芳香族アミンであってもよく、脂肪族アミンであってもよい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。このようなアミンとしては、有機酸アミン塩の安定性などの観点から、炭素数3〜13のアミンを用いることが好ましく、炭素数4〜7の1級アミンを用いることがより好ましい。
芳香族アミンとしては、ベンジルアミン、アニリン、1,3−ジフェニルグアニジンなどが挙げられる。これらの中でも、ベンジルアミンが特に好ましい。
脂肪族アミンとしては、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられる。
The organic acid amine salt is an amine salt of the organic acid. As the amine, a known amine can be appropriately used. Such an amine may be an aromatic amine or an aliphatic amine. These may be used alone or in combination of two or more. As such an amine, an amine having 3 to 13 carbon atoms is preferably used, and a primary amine having 4 to 7 carbon atoms is more preferably used from the viewpoint of the stability of the organic acid amine salt.
Aromatic amines include benzylamine, aniline, 1,3-diphenylguanidine and the like. Of these, benzylamine is particularly preferred.
Examples of the aliphatic amine include propylamine, butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, cyclohexylamine, and triethanolamine.

非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の2つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば2,3−ジブロモプロパノール、2,3−ジブロモブタンジオール、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、1,4−ジブロモ−2−ブタノール、トリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、1,3−ジクロロ−2−プロパノール、1,4−ジクロロ−2−ブタノールなどの塩素化アルコール、3−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシル化合物としては、2−ヨード安息香酸、3−ヨード安息香酸、2−ヨードプロピオン酸、5−ヨードサリチル酸、5−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物、2−クロロ安息香酸、3−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物、2,3−ジブロモプロピオン酸、2,3−ジブロモコハク酸、2−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物、その他これらに類する化合物が挙げられる。   Examples of the non-dissociative activator include non-salt organic compounds in which halogen atoms are bonded by a covalent bond. The halogenated compound may be a compound formed by covalent bonding of chlorine, bromine and fluorine, such as chlorinated, brominated and fluoride, but any two or all of chlorine, bromine and fluorine may be used. The compound which has the following covalent bond may be sufficient. In order to improve the solubility in an aqueous solvent, these compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl compound. Examples of the halogenated alcohol include 2,3-dibromopropanol, 2,3-dibromobutanediol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, 1,4-dibromo-2-butanol, Brominated alcohols such as tribromoneopentyl alcohol, chlorinated alcohols such as 1,3-dichloro-2-propanol and 1,4-dichloro-2-butanol, fluorinated alcohols such as 3-fluorocatechol, and the like Compounds. Examples of the halogenated carboxyl compound include 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, 5-iodoanthranilic acid, and the like, 2-chlorobenzoic acid, 3-chloro Examples thereof include carboxylated carboxyl compounds such as chloropropionic acid, brominated carboxyl compounds such as 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid and 2-bromobenzoic acid, and the like.

アミン系活性剤としては、アミン類(エチレンジアミンなどのポリアミンなど)、アミン塩類(トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、ジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩(塩酸、硫酸、臭化水素酸など))、アミノ酸類(グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、バリンなど)、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩(塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、セバシン酸塩など)、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。   Amine-based activators include amines (such as polyamines such as ethylenediamine), amine salts (such as amines such as trimethylolamine, cyclohexylamine, and diethylamine) and organic acid salts and inorganic acid salts such as amino alcohols (hydrochloric acid, sulfuric acid, bromide). Hydroacid, etc.), amino acids (glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, valine, etc.), amide compounds and the like. Specifically, diphenylguanidine hydrobromide, cyclohexylamine hydrobromide, diethylamine salt (hydrochloride, succinate, adipate, sebacate, etc.), triethanolamine, monoethanolamine, etc. And the hydrobromide of the amine.

(D)成分の配合量としては、熱硬化性樹脂組成物100質量%に対して、0.1質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上8質量%以下であることがより好ましく、1質量%以上5質量%以下であることが特に好ましい。(D)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ粉末の表面への活性作用を高めることができる。また、(D)成分の配合量が前記上限以下であれば、得られる異方性導電ペーストの絶縁性を向上できる。   (D) As a compounding quantity of a component, it is preferable that it is 0.1 to 10 mass% with respect to 100 mass% of thermosetting resin compositions, and is 0.5 to 8 mass%. More preferably, it is more preferably 1% by mass or more and 5% by mass or less. If the blending amount of the component (D) is not less than the lower limit, the active action on the surface of the solder powder can be enhanced. Moreover, if the compounding quantity of (D) component is below the said upper limit, the insulation of the anisotropic conductive paste obtained can be improved.

[他の成分]
本実施形態に用いる熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、(B)成分〜(D)成分以外に、チクソ剤、界面活性剤、カップリング剤、消泡剤、粉末表面処理剤、反応抑制剤、沈降防止剤などの添加剤を含有していてもよい。これらの添加剤の配合量としては、熱硬化性樹脂組成物100質量%に対して、0.01質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.05質量%以上5質量%以下であることがより好ましい。
なお、本実施形態に用いる熱硬化性樹脂組成物は、はんだの凝集を阻害しないことが好ましい。この観点から、熱硬化性樹脂組成物は、チクソ剤などを含有しないことが好ましい。また、チクソ剤を用いる場合、その配合量は、熱硬化性樹脂組成物100質量%に対して、2質量以下であることが好ましく、1質量%以下であることがより好ましい。
[Other ingredients]
The thermosetting resin composition used in the present embodiment, if necessary, in addition to the components (B) to (D), a thixotropic agent, a surfactant, a coupling agent, an antifoaming agent, a powder surface treatment agent, You may contain additives, such as a reaction inhibitor and a sedimentation inhibitor. As a compounding quantity of these additives, it is preferable that it is 0.01 mass% or more and 10 mass% or less with respect to 100 mass% of thermosetting resin compositions, and 0.05 mass% or more and 5 mass% or less. More preferably.
In addition, it is preferable that the thermosetting resin composition used for this embodiment does not inhibit solder aggregation. From this viewpoint, it is preferable that the thermosetting resin composition does not contain a thixotropic agent. Moreover, when using a thixotropic agent, it is preferable that the compounding quantity is 2 mass% or less with respect to 100 mass% of thermosetting resin compositions, and it is more preferable that it is 1 mass% or less.

[電子基板の製造方法]
次に、本実施形態の電子基板の製造方法について、図面に基づいて説明する。図1〜図8は、本実施形態の電子基板の製造方法を説明するための図である。
本実施形態の電子基板の製造方法は、第一配線基板と、第二配線基板または電子部品とを、前述した異方性導電ペーストを用いて接続して電子基板を作製する方法である。
また、本実施形態の電子基板の製造方法は、以下説明する塗布工程、熱圧着工程、および熱硬化工程を備える。
[Electronic substrate manufacturing method]
Next, the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment is demonstrated based on drawing. FIGS. 1-8 is a figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment.
The method for manufacturing an electronic substrate according to this embodiment is a method in which an electronic substrate is manufactured by connecting a first wiring substrate and a second wiring substrate or an electronic component using the anisotropic conductive paste described above.
Moreover, the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment is provided with the application | coating process, thermocompression-bonding process, and thermosetting process which are demonstrated below.

電子部品としては、チップ、およびパッケージ部品などが挙げられる。
第一配線基板および第二配線基板としては、フレキシブル性を有するフレキシブル基板、フレキシブル性を有しないリジット基板のいずれも用いることができる。なお、ここでは、第一配線基板として、リジット基板を用い、第二配線基板として、フレキシブル基板を用いて、リジット基板とフレキシブル基板とを、前述した異方性導電ペーストを用いて接続する場合を例に挙げて説明する。
Examples of the electronic component include a chip and a package component.
As the first wiring board and the second wiring board, any of a flexible board having flexibility and a rigid board having no flexibility can be used. Here, a rigid substrate is used as the first wiring substrate, a flexible substrate is used as the second wiring substrate, and the rigid substrate and the flexible substrate are connected using the anisotropic conductive paste described above. An example will be described.

リジット基板1は、図1に示すように、第一基材としてのリジット基材11と、第一配線12と、第一絶縁被膜としてのソルダレジスト膜13とを備えている。また、リジット基板1とフレキシブル基板2との接続部分において、図1および図2に示すように、リジット基板1の端部においては、第一配線12を覆うように、ソルダレジスト膜13が設けられていることが好ましい。このソルダレジスト膜13により、熱圧着時に、異方性導電ペーストを堰き止めることができるため、異方性導電ペースト中のはんだが、リジット基板1の端部に流出し過剰に集まってブリッジとなるような問題を抑制できる。
また、リジット基板1には、図1に示すように、リジット基板1とフレキシブル基板2との接続部分において、平面視において、ソルダレジスト膜13が設けられていない接続領域AAが、ソルダレジスト膜13に囲われるように、設けられていることが好ましい。接続領域AAの外側にあるソルダレジスト膜13により、熱圧着時に、異方性導電ペーストを堰き止めることができるため、異方性導電ペースト中のはんだが、流出し過剰に集まってブリッジとなるような問題を抑制できる。接続領域AAは、平面視において、四角形状であることが好ましい。
フレキシブル基板2は、図3および図4に示すように、第二基材としてのフレキシブル基材21と、第二配線22と、第二絶縁被膜としてのカバーレイ23とを備えている。
As shown in FIG. 1, the rigid substrate 1 includes a rigid base material 11 as a first base material, a first wiring 12, and a solder resist film 13 as a first insulating film. Further, as shown in FIGS. 1 and 2, a solder resist film 13 is provided at the end portion of the rigid substrate 1 so as to cover the first wiring 12 at the connection portion between the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2. It is preferable. This solder resist film 13 can dam the anisotropic conductive paste at the time of thermocompression bonding, so that the solder in the anisotropic conductive paste flows out to the end of the rigid substrate 1 and excessively gathers to form a bridge. Such a problem can be suppressed.
Further, in the rigid substrate 1, as shown in FIG. 1, in the connection portion between the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2, a connection area AA in which the solder resist film 13 is not provided in a plan view is formed in the solder resist film 13. It is preferable that it is provided so that it may be surrounded by. The solder resist film 13 outside the connection area AA can dam the anisotropic conductive paste during thermocompression bonding, so that the solder in the anisotropic conductive paste flows out and gathers excessively to form a bridge. Can be suppressed. The connection area AA is preferably rectangular in plan view.
As shown in FIGS. 3 and 4, the flexible substrate 2 includes a flexible substrate 21 as a second substrate, a second wiring 22, and a coverlay 23 as a second insulating film.

本実施形態の電子基板の製造方法においては、リジット基板1の電極のピッチ、および、フレキシブル基板2の電極のピッチが、それぞれ60μm以上500μm以下であることが必要である。電極のピッチが前記範囲外である場合には、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性と絶縁性とを両立できない。
また、本実施形態の電子基板の製造方法においては、リジット基板1の電極の厚みと、フレキシブル基板2の電極の厚みとの合計が、20μm以上100μm以下であることが必要である。厚みの合計が前記範囲外である場合には、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性と絶縁性とを両立できない。
In the electronic substrate manufacturing method of the present embodiment, the pitch of the electrodes of the rigid substrate 1 and the pitch of the electrodes of the flexible substrate 2 are required to be 60 μm or more and 500 μm or less, respectively. When the pitch of the electrodes is out of the above range, it is impossible to achieve both high connection reliability and insulation using an anisotropic conductive paste.
Moreover, in the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment, the sum total of the thickness of the electrode of the rigid board | substrate 1 and the thickness of the electrode of the flexible substrate 2 needs to be 20 micrometers or more and 100 micrometers or less. When the total thickness is out of the above range, it is impossible to achieve both high connection reliability and insulation using an anisotropic conductive paste.

塗布工程においては、第一配線基板としてのリジット基板1上に異方性導電ペースト3を塗布する。
ここで用いる塗布装置としては、例えば、ディスペンサー、スクリーン印刷機、ジェットディスペンス、およびメタルマスク印刷機が挙げられる。
また、塗布膜の厚みは、特に限定されないが、10μm以上500μm以下であることが好ましく、20μm以上300μm以下であることがより好ましく、30μm以上100μm以下であることが特に好ましい。厚みが前記下限以上であれば、リジット基板とフレキシブル基板との付着力を向上できる。他方、厚みが前記上限以下であれば、接続部分以外にペーストがはみ出しにくくできる。
In the application step, the anisotropic conductive paste 3 is applied on the rigid substrate 1 as the first wiring substrate.
Examples of the coating device used here include a dispenser, a screen printer, a jet dispenser, and a metal mask printer.
The thickness of the coating film is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 500 μm or less, more preferably 20 μm or more and 300 μm or less, and particularly preferably 30 μm or more and 100 μm or less. If thickness is more than the said minimum, the adhesive force of a rigid board | substrate and a flexible substrate can be improved. On the other hand, if the thickness is less than or equal to the above upper limit, the paste can hardly protrude beyond the connection portion.

熱圧着工程においては、異方性導電ペースト3上に第二配線基板としてのフレキシブル基板2を配置し、(A)成分の融点よりも高い温度で、フレキシブル基板2をリジット基板1に熱圧着する。
熱圧着時の温度が、(A)成分の融点よりも高いという条件を満たさない場合には、はんだを十分に溶融させることができず、リジット基板1およびフレキシブル基板2の間に十分なはんだ接合を形成できず、リジット基板1およびフレキシブル基板2の間の導電性が不十分となる。なお、熱圧着時の温度は、(A)成分の融点よりも5℃以上高いことが好ましく、(A)成分の融点よりも10℃以上高いことがより好ましく、(A)成分の融点よりも30℃以上高いことが特に好ましい。
熱圧着時の圧力は、特に限定されないが、0.05MPa以上3MPa以下とすることが好ましく、0.2MPa以上2MPa以下とすることがより好ましく、0.5MPa以上1.5MPa以下とすることが特に好ましい。圧力が前記下限以上であれば、リジット基板1およびフレキシブル基板2の間に十分なはんだ接合を形成でき、リジット基板1およびフレキシブル基板2の間の導電性を向上できる。他方、圧力が前記上限以下であれば、リジット基板1に過度のストレスがかかることを抑制でき、デッドスペースを少なくできる。
なお、本実施形態においては、上記のように、熱圧着時の圧力を、従来の方法による場合と比較して、低い圧力範囲に設定することができる。そのため、熱圧着工程に用いる装置の低コスト化を達成することもできる。
熱圧着時の時間は、特に限定されないが、通常、1秒間以上60秒間以下であり、2秒間以上20秒間以下であることが好ましく、3秒間以上15秒間以下であることがより好ましい。
In the thermocompression bonding step, the flexible substrate 2 as the second wiring substrate is disposed on the anisotropic conductive paste 3, and the flexible substrate 2 is thermocompression bonded to the rigid substrate 1 at a temperature higher than the melting point of the component (A). .
If the temperature at the time of thermocompression bonding does not satisfy the condition that the melting point of the component (A) is higher than the melting point, the solder cannot be sufficiently melted and sufficient solder bonding between the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2 is achieved. Cannot be formed, and the conductivity between the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2 becomes insufficient. The temperature at the time of thermocompression bonding is preferably 5 ° C. or more higher than the melting point of component (A), more preferably 10 ° C. or more higher than the melting point of component (A), and higher than the melting point of component (A). It is particularly preferable that the temperature is 30 ° C. or higher.
The pressure during thermocompression bonding is not particularly limited, but is preferably 0.05 MPa or more and 3 MPa or less, more preferably 0.2 MPa or more and 2 MPa or less, and particularly preferably 0.5 MPa or more and 1.5 MPa or less. preferable. If the pressure is equal to or higher than the lower limit, a sufficient solder joint can be formed between the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2, and the conductivity between the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2 can be improved. On the other hand, if the pressure is equal to or lower than the upper limit, it is possible to suppress the rigid substrate 1 from being excessively stressed and to reduce the dead space.
In the present embodiment, as described above, the pressure at the time of thermocompression bonding can be set to a lower pressure range as compared with the conventional method. Therefore, cost reduction of the apparatus used for a thermocompression bonding process can also be achieved.
Although the time at the time of thermocompression bonding is not particularly limited, it is usually 1 second to 60 seconds, preferably 2 seconds to 20 seconds, and more preferably 3 seconds to 15 seconds.

上記の熱圧着工程の一形態としては、図5および図6に示すように、下記条件(x1)〜(x3)を満たすことが好ましい。
条件(x1):異方性導電ペースト3上にフレキシブル基板2を配置する際に、平面視において、フレキシブル基板2の端部と、ソルダレジスト膜13とが重なっている。
条件(x2):異方性導電ペースト3上にフレキシブル基板2を配置する際に、平面視において、リジット基板1の端部と、カバーレイ23とが重なっていない。
条件(x3):熱圧着の際に、平面視において、熱圧着に用いるヒートツール4が、接続領域AAの全領域にわたり重なっている。
条件(x1)および(x2)を満たす場合には、熱圧着時に、ヒートツール4による圧力が異方性導電ペースト3に直接的にかからなくなる。また、接続領域AAの外側にソルダレジスト膜13による堰ができることになり、熱圧着時に、接続領域AAの外側に異方性導電ペースト3が流れ出るのを確実に防止できる。さらに、条件(x3)により、接続領域AAの全領域にわたり、熱圧着がされるために、より確実にはんだ接合を形成できる。
As one form of said thermocompression-bonding process, as shown in FIG.5 and FIG.6, it is preferable to satisfy | fill the following conditions (x1)-(x3).
Condition (x1): When the flexible substrate 2 is disposed on the anisotropic conductive paste 3, the end portion of the flexible substrate 2 and the solder resist film 13 overlap in plan view.
Condition (x2): When the flexible substrate 2 is disposed on the anisotropic conductive paste 3, the end portion of the rigid substrate 1 and the coverlay 23 do not overlap in plan view.
Condition (x3): During thermocompression bonding, the heat tool 4 used for thermocompression bonding overlaps over the entire connection area AA in plan view.
When the conditions (x1) and (x2) are satisfied, the pressure by the heat tool 4 is not directly applied to the anisotropic conductive paste 3 at the time of thermocompression bonding. Further, a weir with the solder resist film 13 is formed outside the connection area AA, and it is possible to reliably prevent the anisotropic conductive paste 3 from flowing outside the connection area AA during thermocompression bonding. Furthermore, since the thermocompression bonding is performed over the entire area of the connection area AA according to the condition (x3), the solder joint can be more reliably formed.

上記の熱圧着工程の他の形態としては、図7および図8に示すように、下記条件(y1)〜(y3)を満たすことが好ましい。
条件(y1):異方性導電ペースト3上にフレキシブル基板2を配置する際に、平面視において、フレキシブル基板2の端部と、ソルダレジスト膜13が重なっている。
条件(y2):異方性導電ペースト3上にフレキシブル基板2を配置する際に、平面視において、リジット基板1の端部と、カバーレイ23とが重なっている。
条件(y3):熱圧着の際に、平面視において、熱圧着に用いるヒートツール4と、接続領域AAとが重なっているが、接続領域AAの周縁部が、ヒートツール4と重なっていない。
条件(y1)および(y2)を満たす場合には、熱圧着時に、ヒートツール4による圧力が異方性導電ペースト3に直接的にかからなくなる。また、また、接続領域AAの外側にソルダレジスト膜13による堰ができることになり、熱圧着時に、接続領域AAの外側に異方性導電ペースト3が流れ出るのを確実に防止できる。さらに、条件(y3)により、図8に示すように、フレキシブル基板2が変形することになり、これにより、接続領域AAの周縁部から、異方性導電ペースト3中の気泡などを逃がすことができるために、異方性導電ペースト3中のボイドより確実に抑制できる。
As another form of said thermocompression-bonding process, as shown in FIG.7 and FIG.8, it is preferable to satisfy | fill the following conditions (y1)-(y3).
Condition (y1): When the flexible substrate 2 is disposed on the anisotropic conductive paste 3, the end portion of the flexible substrate 2 and the solder resist film 13 overlap each other in plan view.
Condition (y2): When the flexible substrate 2 is disposed on the anisotropic conductive paste 3, the end portion of the rigid substrate 1 and the cover lay 23 overlap each other in plan view.
Condition (y3): In thermocompression bonding, the heat tool 4 used for thermocompression bonding and the connection area AA overlap in plan view, but the peripheral edge of the connection area AA does not overlap with the heat tool 4.
When the conditions (y1) and (y2) are satisfied, the pressure by the heat tool 4 is not directly applied to the anisotropic conductive paste 3 at the time of thermocompression bonding. In addition, a weir is formed by the solder resist film 13 outside the connection area AA, and it is possible to reliably prevent the anisotropic conductive paste 3 from flowing outside the connection area AA during thermocompression bonding. Furthermore, as shown in FIG. 8, the flexible substrate 2 is deformed by the condition (y3), and this allows air bubbles in the anisotropic conductive paste 3 to escape from the peripheral portion of the connection area AA. Therefore, it can be more reliably suppressed than the voids in the anisotropic conductive paste 3.

熱硬化工程においては、前記熱圧着工程後のリジット基板1およびフレキシブル基板2を加熱して、前記熱硬化性樹脂組成物を硬化させる。
加熱炉としては、公知の加熱炉を適宜用いることができる。
加熱条件としては、加熱温度が、100℃以上150℃以下であることが好ましく、110℃以上135℃以下であることがより好ましく、120℃以上130℃以下であることが特に好ましい。加熱温度が前記範囲内であれば、熱硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
加熱時間は、10分間以上2時間以下であることが好ましく、15分間以上1時間以下であることがより好ましく、20分間以上40分間以下であることが特に好ましい。加熱時間が前記範囲内であれば、熱硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
In the thermosetting step, the rigid substrate 1 and the flexible substrate 2 after the thermocompression bonding step are heated to cure the thermosetting resin composition.
As the heating furnace, a known heating furnace can be appropriately used.
As heating conditions, the heating temperature is preferably 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or higher and 135 ° C. or lower, and particularly preferably 120 ° C. or higher and 130 ° C. or lower. When the heating temperature is within the above range, the thermosetting resin composition can be sufficiently cured, and there is little adverse effect on the electronic component mounted on the electronic substrate.
The heating time is preferably 10 minutes or more and 2 hours or less, more preferably 15 minutes or more and 1 hour or less, and particularly preferably 20 minutes or more and 40 minutes or less. When the heating time is within the above range, the thermosetting resin composition can be sufficiently cured, and there is little adverse effect on the electronic components mounted on the electronic substrate.

以上のような本実施形態の電子基板の製造方法によれば、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性を有する電子基板を作製できる。
なお、本発明の異方性導電ペーストおよび電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
According to the electronic substrate manufacturing method of the present embodiment as described above, an electronic substrate having high connection reliability can be manufactured using an anisotropic conductive paste.
The manufacturing method of the anisotropic conductive paste and the electronic substrate of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, etc. within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention. It is.

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
((A)成分)
はんだ粉末:平均粒子径は12μm(粒子径範囲:5μm〜20μm)、はんだの融点は139℃、はんだの組成は42Sn/58Bi
((B)成分)
エポキシ樹脂A:液状エポキシ樹脂、商品名「ZX−1059」、新日鉄住金化学社製
エポキシ樹脂B:ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、商品名「NC−3000」、日本化薬社製
エポキシ樹脂C:テトラキス(グリシジルオキシフェニル)エタン、商品名「GTR−1800」、日本化薬社製
((C)成分)
硬化剤:2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、商品名「キュアゾール2MZA−PW」、四国化成工業社製
((D)成分)
活性剤A:アジピン酸
活性剤B:ベンジルアミンアジピン酸塩
(他の成分)
チクソ剤:商品名「ゲルオールD」、新日本理化社製
EXAMPLES Next, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples. In addition, the material used in the Example and the comparative example is shown below.
((A) component)
Solder powder: average particle size is 12 μm (particle size range: 5 μm to 20 μm), solder melting point is 139 ° C., solder composition is 42 Sn / 58 Bi
((B) component)
Epoxy resin A: Liquid epoxy resin, trade name “ZX-1059”, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. epoxy resin B: Biphenyl novolac type epoxy resin, trade name “NC-3000”, Nippon Kayaku Co., Ltd. epoxy resin C: Tetrakis ( Glycidyloxyphenyl) ethane, trade name “GTR-1800”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (component (C))
Curing agent: 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, trade name “Cureazole 2MZA-PW”, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. (component (D))
Activator A: Adipic acid Activator B: Benzylamine adipate (other ingredients)
Thixo: Brand name “Gelall D”, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.

[実施例1]
エポキシ樹脂A60質量%、エポキシ樹脂B20質量%、エポキシ樹脂C10質量%、硬化剤5質量%、活性剤A2質量%、活性剤B2質量%、およびチクソ剤1質量%を容器に投入し、攪拌機にて予備混合した後、3本ロールを用いて室温にて混合し分散させて熱硬化性樹脂組成物を得た。
その後、得られた熱硬化性樹脂組成物49.5質量%に対し、はんだ粉末50.5質量%を容器に投入し、混練機にて2時間混合することで異方性導電ペーストを調製した。
次に、リジット基板(基材:FR−4、ライン幅:100μm、ピッチ:200μm、銅厚:18μm)を準備し、リジット基板の櫛形電極上に、得られた異方性導電ペーストをメタルマスク印刷機にて塗布した(厚み:0.05mm)。そして、異方性導電ペースト上に、フレキシブル基板(ライン幅:100μm、ピッチ:200μm、銅厚:12μm)を配置し、熱圧着装置(大橋製作所社製)を用いて、温度190℃、圧力1MPa、圧着時間10秒の条件で、フレキシブル基板をリジット基板に熱圧着し(熱圧着工程)、その後、温度120℃にて30分間の加熱処理を施して(熱硬化工程)、フレキシブル基板付のリジット基板(評価基板)を作製した。なお、熱圧着工程および熱硬化工程における加熱条件を表1に示す。
[Example 1]
60% by mass of epoxy resin A, 20% by mass of epoxy resin B, 10% by mass of epoxy resin C, 5% by mass of curing agent, 2% by mass of activator A, 2% by mass of activator B, and 1% by mass of thixotropic agent are charged into a container. After preliminary mixing, the mixture was dispersed and mixed at room temperature using three rolls to obtain a thermosetting resin composition.
Then, with respect to 49.5 mass% of obtained thermosetting resin compositions, 50.5 mass% of solder powder was put into a container, and the anisotropic conductive paste was prepared by mixing for 2 hours with a kneader. .
Next, a rigid substrate (base material: FR-4, line width: 100 μm, pitch: 200 μm, copper thickness: 18 μm) was prepared, and the obtained anisotropic conductive paste was applied to a metal mask on the comb-shaped electrode of the rigid substrate. It apply | coated with the printing machine (thickness: 0.05 mm). A flexible substrate (line width: 100 μm, pitch: 200 μm, copper thickness: 12 μm) is placed on the anisotropic conductive paste, and a thermocompression bonding apparatus (manufactured by Ohashi Seisakusho Co., Ltd.) is used at a temperature of 190 ° C. and a pressure of 1 MPa. Then, the flexible substrate is thermocompression bonded to the rigid substrate under the condition of the bonding time of 10 seconds (thermocompression process), and then subjected to a heat treatment at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes (thermosetting process). A substrate (evaluation substrate) was produced. Table 1 shows the heating conditions in the thermocompression bonding step and the thermosetting step.

[実施例2]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
また、得られた異方性導電ペーストを用いた以外は実施例1と同様にして、フレキシブル基板付のリジット基板(評価基板)を作製した。なお、熱圧着工程および熱硬化工程における加熱条件を表1に示す。
[Example 2]
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
A rigid substrate (evaluation substrate) with a flexible substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used. Table 1 shows the heating conditions in the thermocompression bonding step and the thermosetting step.

[比較例1]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
次に、リジット基板(基材:FR−4、ライン幅:100μm、ピッチ:200μm、銅厚:18μm)を準備し、リジット基板の櫛形電極上に、得られた異方性導電ペーストをメタルマスク印刷機にて塗布した(厚み:0.05mm)。そして、塗布後のリジット基板に対し、130℃の温度で6秒間のプリヒートを行い、その後、異方性導電ペースト上に、フレキシブル基板(ライン幅:100μm、ピッチ:200μm、銅厚:12μm)を配置し、熱圧着装置(大橋製作所社製)を用いて、温度180℃、圧力3MPa、圧着時間15秒の条件で、フレキシブル基板をリジット基板に熱圧着して(熱圧着工程)、フレキシブル基板付のリジット基板(評価基板)を作製した。なお、熱圧着工程における加熱条件を表1に示す。
[Comparative Example 1]
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
Next, a rigid substrate (base material: FR-4, line width: 100 μm, pitch: 200 μm, copper thickness: 18 μm) was prepared, and the obtained anisotropic conductive paste was applied to a metal mask on the comb-shaped electrode of the rigid substrate. It apply | coated with the printing machine (thickness: 0.05 mm). The rigid substrate after coating is preheated at a temperature of 130 ° C. for 6 seconds, and then a flexible substrate (line width: 100 μm, pitch: 200 μm, copper thickness: 12 μm) is formed on the anisotropic conductive paste. Using a thermocompression bonding device (manufactured by Ohashi Seisakusho Co., Ltd.), a flexible substrate is thermocompression bonded to a rigid substrate (thermocompression process) under conditions of a temperature of 180 ° C., a pressure of 3 MPa, and a crimping time of 15 seconds. A rigid substrate (evaluation substrate) was prepared. The heating conditions in the thermocompression bonding process are shown in Table 1.

[比較例2]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
また、得られた異方性導電ペーストを用いた以外は実施例1と同様にして、フレキシブル基板付のリジット基板(評価基板)を作製した。なお、熱圧着工程および熱硬化工程における加熱条件を表1に示す。
[Comparative Example 2]
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
A rigid substrate (evaluation substrate) with a flexible substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used. Table 1 shows the heating conditions in the thermocompression bonding step and the thermosetting step.

<異方性導電ペーストの評価>
異方性導電ペーストの評価(導通性、絶縁性、はんだ接合)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。なお、はんだ接合については、比較例2の評価を行わなかった。
(1)導通性
デジタルマルチメーター(アジレント・テクノロジー社製の「34410A」)を用いて、評価基板の抵抗値を測定した。なお、リジット基板の電極とフレキシブル基板の電極に、それぞれ端子を接続して抵抗値を測定した。測定基準として抵抗値が測定されれば、導通していることがわかり、回路の形成が可能であると判断できる。導通性は、以下の基準に従って評価した。
○:抵抗値が100mΩ以下である。
×:抵抗値が高すぎて、測定できない。
(2)絶縁性
評価基板の櫛形電極の部分に、ハイレジスタントメーター(Agilent社製)を用いて、15Vの電圧を印加した時の絶縁抵抗値(単位:Ω)を測定した。絶縁性は、以下の基準に従って評価した。
○:絶縁抵抗値が1.0×1010Ω以上である。
×:絶縁抵抗値が1.0×10Ω未満である。
(3)はんだ接合
評価基板からフレキシブル基板を剥離して、リジット基板の櫛形電極の部分を目視にて観察した。実施例1で得られた評価基板におけるリジット基板の櫛形電極の部分を示す写真を図9に示す。また、比較例1で得られた評価基板におけるリジット基板の櫛形電極の部分を示す写真を図10に示す。
また、評価基板の櫛形電極の部分を切断し、その部分の断面を拡大鏡にて観察した。実施例1で得られた評価基板における櫛形電極の部分の断面を示す写真を図11に示す。また、比較例1で得られた評価基板における櫛形電極の部分の断面を示す写真を図12に示す。
そして、以下の基準に従って、はんだ接合を評価した。
○:電極表面の表面積の90%以上に、はんだがぬれていた。
△:電極表面の表面積の50%以上90%未満に、はんだがぬれていた。
×:電極表面の表面積の50%未満に、はんだがぬれていた。
<Evaluation of anisotropic conductive paste>
The anisotropic conductive paste was evaluated (conductivity, insulation, solder joint) by the following method. The obtained results are shown in Table 1. Note that Comparative Example 2 was not evaluated for solder joints.
(1) Conductivity The resistance value of the evaluation board was measured using a digital multimeter (“34410A” manufactured by Agilent Technologies). In addition, the terminal was connected to the electrode of the rigid board | substrate and the electrode of the flexible board | substrate, respectively, and resistance value was measured. If the resistance value is measured as a measurement standard, it can be seen that the circuit is conductive and it can be determined that the circuit can be formed. The conductivity was evaluated according to the following criteria.
○: Resistance value is 100 mΩ or less.
X: Resistance value is too high to measure.
(2) Insulation The insulation resistance value (unit: Ω) was measured when a voltage of 15 V was applied to the comb electrode portion of the evaluation substrate using a high resistance meter (manufactured by Agilent). Insulation was evaluated according to the following criteria.
A: The insulation resistance value is 1.0 × 10 10 Ω or more.
×: Insulation resistance value is less than 1.0 × 10 8 Ω.
(3) Solder bonding The flexible substrate was peeled from the evaluation substrate, and the comb-shaped electrode portion of the rigid substrate was visually observed. The photograph which shows the part of the comb-shaped electrode of the rigid board | substrate in the evaluation board | substrate obtained in Example 1 is shown in FIG. Moreover, the photograph which shows the part of the comb-shaped electrode of the rigid board | substrate in the evaluation board | substrate obtained by the comparative example 1 is shown in FIG.
Moreover, the part of the comb-shaped electrode of the evaluation substrate was cut, and the cross section of the part was observed with a magnifier. A photograph showing a cross section of the comb-shaped electrode portion of the evaluation substrate obtained in Example 1 is shown in FIG. Moreover, the photograph which shows the cross section of the part of the comb-shaped electrode in the evaluation board | substrate obtained by the comparative example 1 is shown in FIG.
And the solder joint was evaluated according to the following criteria.
A: Solder was wet to 90% or more of the surface area of the electrode surface.
Δ: The solder was wet to 50% or more and less than 90% of the surface area of the electrode surface.
X: The solder was wet to less than 50% of the surface area of the electrode surface.

表1および図9〜12に示す結果からも明らかなように、本発明の電子基板の製造方法により評価基板を作製した場合(実施例1および2)には、導通性、絶縁性およびはんだ接合が全て良好な結果であった。従って、本発明の電子基板の製造方法によれば、異方性導電ペーストを用いて、高い接続信頼性を有する電子基板を作製できることが確認された。
これに対し、異方性導電ペースト中の(A)成分の配合量が少な過ぎる場合(比較例1)には、電極表面の一部のみがはんだ接合されていて、電極表面の全体がはんだ接合されていないことが分かった。また、異方性導電ペースト中の(A)成分の配合量が多過ぎる場合(比較例2)には、絶縁性が不十分となることが分かった。
As is apparent from the results shown in Table 1 and FIGS. 9 to 12, when the evaluation board was produced by the method for producing an electronic board of the present invention (Examples 1 and 2), the electrical conductivity, the insulation, and the solder joint Were all good results. Therefore, according to the method for manufacturing an electronic substrate of the present invention, it was confirmed that an electronic substrate having high connection reliability can be manufactured using an anisotropic conductive paste.
On the other hand, when the blending amount of the component (A) in the anisotropic conductive paste is too small (Comparative Example 1), only a part of the electrode surface is soldered and the entire electrode surface is soldered. I found out that it was not done. Moreover, when there were too many compounding quantities of (A) component in anisotropic conductive paste (comparative example 2), it turned out that insulation is inadequate.

本発明の電子基板の製造方法は、配線基板同士(例えば、フレキシブル基板とリジット基板)を接続する技術や、電子部品と配線基板とを接続する技術として好適に用いることができる。   The method for producing an electronic board of the present invention can be suitably used as a technique for connecting wiring boards (for example, a flexible board and a rigid board) or a technique for connecting an electronic component and a wiring board.

1…リジット基板
11…リジット基材
12…第一配線
13…ソルダレジスト膜
2…フレキシブル基板
21…フレキシブル基材
22…第二配線
23…カバーレイ
3…異方性導電ペースト
4…ヒートツール
AA…接続領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Rigid board | substrate 11 ... Rigid base material 12 ... First wiring 13 ... Solder resist film 2 ... Flexible board 21 ... Flexible base material 22 ... Second wiring 23 ... Coverlay 3 ... Anisotropic conductive paste 4 ... Heat tool AA ... Connection area

Claims (6)

第一配線基板と、第二配線基板または電子部品とを、異方性導電ペーストを用いて接続して電子基板を作製する電子基板の製造方法であって、
前記異方性導電ペーストが、(A)融点が150℃以下であるはんだ粉末と、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化剤、および(D)活性剤を含む熱硬化性樹脂組成物とを含有し、
前記(A)成分の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、50質量%超75質量%以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、25質量%以上50質量%未満であり、
前記(C)成分が、イミダゾール類、イミダゾール誘導体およびエポキシ樹脂アミンアダクト系硬化剤からなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記(C)成分の配合量が、前記熱硬化性樹脂組成物100質量%に対して、1質量%以上6質量%以下であり、
前記第一配線基板上に前記異方性導電ペーストを塗布する塗布工程と、
前記異方性導電ペースト上に前記第二配線基板または前記電子部品を配置し、前記(A)成分の融点よりも高い温度で、前記第二配線基板または前記電子部品を前記第一配線基板に熱圧着する熱圧着工程と、
前記熱圧着工程後の前記第一配線基板および前記第二配線基板または前記電子部品を、加熱温度が100℃以上130℃以下であり、かつ加熱時間が10分間以上2時間以下である条件で、加熱して、前記熱硬化性樹脂組成物を硬化させる熱硬化工程と、を備え、
前記第一配線基板の電極のピッチ、および、前記第二配線基板または前記電子部品の電極のピッチが、それぞれ60μm以上500μm以下であり、
前記第一配線基板の電極の厚みと、前記第二配線基板または前記電子部品の電極の厚みとの合計が、20μm以上100μm以下である
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
A method for manufacturing an electronic substrate, wherein an electronic substrate is manufactured by connecting a first wiring substrate and a second wiring substrate or an electronic component using an anisotropic conductive paste,
The anisotropic conductive paste comprises (A) a solder powder having a melting point of 150 ° C. or less, and (B) an epoxy resin, (C) a curing agent, and (D) a thermosetting resin composition containing an activator. Contains,
The blending amount of the component (A) is more than 50% by mass and 75% by mass or less with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste,
The amount of the thermosetting resin composition is 25% by mass or more and less than 50% by mass with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste,
The component (C) is at least one selected from the group consisting of imidazoles, imidazole derivatives, and epoxy resin amine adduct curing agents,
The amount of the component (C) is 1% by mass to 6% by mass with respect to 100% by mass of the thermosetting resin composition,
An application step of applying the anisotropic conductive paste on the first wiring board;
The second wiring board or the electronic component is disposed on the anisotropic conductive paste, and the second wiring board or the electronic component is placed on the first wiring board at a temperature higher than the melting point of the component (A). A thermocompression bonding process for thermocompression bonding;
The first wiring board and the second wiring board or the electronic component after the thermocompression bonding step are heated under a condition where the heating temperature is 100 ° C. or higher and 130 ° C. or lower and the heating time is 10 minutes or longer and 2 hours or shorter. A thermosetting step of heating and curing the thermosetting resin composition,
The pitch of the electrodes of the first wiring board and the pitch of the electrodes of the second wiring board or the electronic component are 60 μm or more and 500 μm or less, respectively.
The sum of the thickness of the electrode of said 1st wiring board and the thickness of said 2nd wiring board or the electrode of said electronic component is 20 micrometers or more and 100 micrometers or less. The manufacturing method of the electronic board characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載の電子基板の製造方法において、
前記第一配線基板は、第一基材と、第一配線と、第一絶縁被膜とを備え、
前記第一配線基板および前記第二配線基板または前記電子部品との接続部分における前記第一配線基板の端部においては、前記第一配線を覆うように、前記第一絶縁被膜が設けられている
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic substrate of Claim 1,
The first wiring board includes a first base material, a first wiring, and a first insulating coating,
The first insulating coating is provided so as to cover the first wiring at an end portion of the first wiring board at a connection portion between the first wiring board and the second wiring board or the electronic component. A method of manufacturing an electronic substrate.
請求項1に記載の電子基板の製造方法において、
前記第一配線基板は、第一基材と、第一配線と、第一絶縁被膜とを備え、
前記第一配線基板には、前記第一配線基板および前記第二配線基板または前記電子部品との接続部分に、平面視において、前記第一絶縁被膜が設けられておらず、前記第一絶縁被膜に囲われている接続領域が設けられている
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic substrate of Claim 1,
The first wiring board includes a first base material, a first wiring, and a first insulating coating,
In the first wiring substrate, the first insulating coating is not provided in a plan view at the connection portion between the first wiring substrate and the second wiring substrate or the electronic component. A method for manufacturing an electronic substrate, comprising: a connection region surrounded by a substrate.
請求項3に記載の電子基板の製造方法において、
前記第二配線基板は、第二基材と、第二配線と、第二絶縁被膜とを備え、
前記熱圧着工程が、下記条件(x1)〜(x3)を満たす
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
条件(x1):前記異方性導電ペースト上に前記第二配線基板を配置する際に、平面視において、前記第二配線基板の端部と、前記第一絶縁被膜とが重なっている。
条件(x2):前記異方性導電ペースト上に前記第二配線基板を配置する際に、平面視において、前記第一配線基板の端部と、前記第二絶縁被膜とが重なっていない。
条件(x3):熱圧着の際に、平面視において、熱圧着に用いるヒートツールが、前記接続領域の全領域にわたり重なっている。
In the manufacturing method of the electronic substrate of Claim 3,
The second wiring board includes a second base material, a second wiring, and a second insulating film,
The said thermocompression-bonding process satisfy | fills the following conditions (x1)-(x3). The manufacturing method of the electronic substrate characterized by the above-mentioned.
Condition (x1): When the second wiring board is disposed on the anisotropic conductive paste, the end portion of the second wiring board and the first insulating coating overlap in plan view.
Condition (x2): When the second wiring board is disposed on the anisotropic conductive paste, the end of the first wiring board does not overlap the second insulating film in plan view.
Condition (x3): At the time of thermocompression bonding, the heat tool used for thermocompression bonding overlaps over the entire region of the connection region in plan view.
請求項3に記載の電子基板の製造方法において、
前記第二配線基板は、第二基材と、第二配線と、第二絶縁被膜とを備え、
前記熱圧着工程が、下記条件(y1)〜(y3)を満たす
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
条件(y1):前記異方性導電ペースト上に前記第二配線基板を配置する際に、平面視において、前記第二配線基板の端部と、前記第一絶縁被膜とが重なっている。
条件(y2):前記異方性導電ペースト上に前記第二配線基板を配置する際に、平面視において、前記第一配線基板の端部と、前記第二絶縁被膜とが重なっている。
条件(y3):熱圧着の際に、平面視において、熱圧着に用いるヒートツールと、前記接続領域とが重なっているが、前記接続領域の周縁部が、ヒートツールと重なっていない。
In the manufacturing method of the electronic substrate of Claim 3,
The second wiring board includes a second base material, a second wiring, and a second insulating film,
The said thermocompression-bonding process satisfy | fills the following conditions (y1)-(y3). The manufacturing method of the electronic substrate characterized by the above-mentioned.
Condition (y1): When the second wiring board is disposed on the anisotropic conductive paste, the end portion of the second wiring board and the first insulating coating overlap in plan view.
Condition (y2): When the second wiring board is disposed on the anisotropic conductive paste, the end portion of the first wiring board and the second insulating coating overlap in plan view.
Condition (y3): In thermocompression bonding, the heat tool used for thermocompression bonding and the connection region overlap in plan view, but the peripheral edge of the connection region does not overlap with the heat tool.
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の電子基板の製造方法に用いる異方性導電ペーストであって、
(A)融点が150℃以下であるはんだ粉末と、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化剤、および(D)活性剤を含む熱硬化性樹脂組成物とを含有し、
前記(A)成分の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、50質量%超75質量%以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物の配合量が、前記異方性導電ペースト100質量%に対して、25質量%以上50質量%未満である
ことを特徴とする異方性導電ペースト。
An anisotropic conductive paste used in the method for manufacturing an electronic substrate according to any one of claims 1 to 5,
(A) a solder powder having a melting point of 150 ° C. or less, and (B) an epoxy resin, (C) a curing agent, and (D) a thermosetting resin composition containing an activator,
The blending amount of the component (A) is more than 50% by mass and 75% by mass or less with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste,
The anisotropic conductive paste, wherein the blending amount of the thermosetting resin composition is 25% by mass or more and less than 50% by mass with respect to 100% by mass of the anisotropic conductive paste.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3804269B2 (en) * 1998-03-31 2006-08-02 カシオ計算機株式会社 Flexible wiring board bonding structure
JP2000165009A (en) * 1998-11-30 2000-06-16 Optrex Corp Electrode terminal connecting structure
JP4423970B2 (en) * 2003-12-26 2010-03-03 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 Circuit connection structure and connection method
JP4648294B2 (en) * 2006-12-12 2011-03-09 パナソニック株式会社 Electrode bonding method and electrode bonding structure
JP2010061923A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co Electric connection method and electrically connected connection structure
JP5681432B2 (en) * 2010-10-01 2015-03-11 ナミックス株式会社 Epoxy resin composition and semiconductor device using the same
JP5802081B2 (en) * 2011-08-24 2015-10-28 株式会社タムラ製作所 Anisotropic conductive paste
JP5860191B1 (en) * 2014-06-05 2016-02-16 積水化学工業株式会社 Conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP2017022112A (en) * 2015-07-14 2017-01-26 積水化学工業株式会社 Connection structure

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