JP6589362B2 - Thin-film solar cell processing apparatus and thin-film solar cell processing method - Google Patents
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Description
本発明は薄膜太陽電池の加工装置、および、薄膜太陽電池の加工方法に関する。 The present invention relates to a thin film solar cell processing apparatus and a thin film solar cell processing method.
従来の薄膜太陽電池の製造工程は、基板上に形成された半導体または金属の薄膜を複数の領域に分割するためのスクライブラインを形成するスクライブ加工を含む。スクライブ加工方法の１つとしてメカニカルスクライブ法が知られている。メカニカルスクライブ法では、半導体または金属の薄膜に刃物を押し付けながら刃物を走査することにより、薄膜にスクライブラインを形成する。 A conventional manufacturing process of a thin film solar cell includes a scribe process for forming a scribe line for dividing a semiconductor or metal thin film formed on a substrate into a plurality of regions. A mechanical scribing method is known as one of scribing methods. In the mechanical scribe method, a scribe line is formed on a thin film by scanning the blade while pressing the blade against a semiconductor or metal thin film.
メカニカルスクライブ法の一例である特許文献１の加工方法では、スクライブラインの加工前に薄膜の下層が露出した部分である開口部を形成し、開口部においてスクライブラインの加工開始点に対応する箇所に刃物を降下させ、その刃物を走査することにより薄膜にスクライブラインを形成する。 In the processing method of Patent Document 1, which is an example of a mechanical scribing method, an opening is formed in which the lower layer of the thin film is exposed before processing of the scribe line, and the opening corresponds to the processing start point of the scribe line. A scribe line is formed in the thin film by lowering the blade and scanning the blade.
メカニカルスクライブ法の別の一例である特許文献２の加工方法では、最初に刃先のエッジ部を薄膜に押し付けて切り込みを形成し、次に刃先を薄膜から離間させ、次に刃先の姿勢を変えて刃先の面取り部を薄膜に押し付け、その状態で刃物を走査することにより薄膜にスクライブラインを形成する。 In the processing method of Patent Document 2, which is another example of the mechanical scribing method, the edge portion of the blade edge is first pressed against the thin film to form a cut, then the blade edge is separated from the thin film, and then the posture of the blade edge is changed. A scribe line is formed in the thin film by pressing the chamfered portion of the blade edge against the thin film and scanning the blade in that state.
薄膜太陽電池の製造に関して、生産性を高めるためにスクライブ加工に要する工程を簡素化し、加工時間を短縮することが望まれる。一方、特許文献１の加工方法によれば、スクライブラインを形成する前に開口部を形成する工程が必要となるため、加工工程が複雑化するおそれ、および、スクライブラインの形成に要する時間が長くなるおそれがある。また、特許文献２の加工方法によれば、薄膜に切り込みを形成する工程とスクライブラインを形成する工程との間に、刃物の昇降および刃物の姿勢の変更が必要となるため、装置の構成が複雑化するおそれ、および、スクライブラインの加工に要する時間が長くなるおそれがある。 Regarding the manufacture of thin-film solar cells, it is desired to simplify the steps required for scribe processing and increase the processing time in order to increase productivity. On the other hand, according to the processing method of Patent Document 1, since a step of forming an opening is required before forming a scribe line, the processing step may be complicated, and the time required for forming the scribe line is long. There is a risk. Moreover, according to the processing method of patent document 2, since the raising / lowering of a cutter and the change of the attitude | position of a cutter are needed between the process of forming a notch in a thin film, and the process of forming a scribe line, the structure of an apparatus is required. There is a possibility that it may become complicated and a time required for processing the scribe line may be increased.
なお、薄膜太陽電池の薄膜をスクライブ加工するために用いられる刃物の刃先は、一般に先端の幅が数十μｍ程度であることから、刃物を加工対象物に向けて降下させる速度が速い場合、刃物が加工対象物に接触したときに刃先が損傷するおそれがある。このため、スクライブ加工に要する時間を短縮するために、刃物を降下させる速度を速めるという手法を取りにくい。 Note that the blade edge of a blade used for scribing a thin film of a thin film solar cell generally has a tip width of about several tens of μm. Therefore, if the blade is lowered toward the workpiece, the blade is fast. There is a possibility that the cutting edge is damaged when the touches the workpiece. For this reason, in order to shorten the time required for scribe processing, it is difficult to take a method of increasing the speed of lowering the blade.
本発明の目的は、スクライブラインの形成に要する時間を短縮することに寄与する薄膜太陽電池の加工装置、および、薄膜太陽電池の加工方法を提供することである。 The objective of this invention is providing the processing apparatus of a thin film solar cell and the processing method of a thin film solar cell which contribute to shortening the time required for formation of a scribe line.
〔１〕本発明に従う薄膜太陽電池の加工装置の一形態は、薄膜が形成された基板が載せられるステージと、前記薄膜にスクライブラインを形成する刃物と、前記刃物を前記薄膜に押し付けるヘッドと、前記ヘッドを前記ステージに対して相対的に移動させることにより、互いに平行な少なくとも２本の第１のスクライブラインが前記薄膜に形成されるように前記刃物を走査する走査手段と、前記ヘッドおよび前記走査手段の動作を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの一方の加工終了点から前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの他方の加工開始点まで前記刃物を前記薄膜に押し付けながら走査することにより前記加工終了点と前記加工開始点とを繋げる第２のスクライブラインを前記薄膜に形成する。 [1] One embodiment of a processing apparatus for a thin film solar cell according to the present invention includes a stage on which a substrate on which a thin film is formed, a blade that forms a scribe line on the thin film, a head that presses the blade against the thin film, Scanning means for scanning the blade so that at least two first scribe lines parallel to each other are formed on the thin film by moving the head relative to the stage, the head, and the head And a control device for controlling the operation of the scanning means, wherein the control device starts processing the other of the at least two first scribe lines from one processing end point of the at least two first scribe lines. A second scriber that connects the processing end point and the processing start point by scanning the blade to the point while pressing it against the thin film. Forming an in to the thin film.
この加工装置によれば、一方の第１のスクライブラインの形成が終了した後にそれに続けて第２のスクライブラインが形成され、さらにその形成が終了した後に続けて他方の第１のスクライブラインが形成される。このように、刃物が押し付けられた状態が維持されながら各スクライブラインが形成されるため、スクライブラインの加工工程の前に開口部が形成される場合、および、スクライブラインを形成する過程において刃物の昇降が実施される場合と比較して、工程の内容および刃物の動作が簡素化される。このため、スクライブラインの形成に要する時間が短縮される。なお、薄膜太陽電池が積層構造を備える薄膜を備える場合、基板に形成される薄膜は、積層が完了した薄膜または積層途中の薄膜を意味する。 According to this processing apparatus, after the formation of one first scribe line is completed, a second scribe line is formed subsequently, and after the formation is completed, the other first scribe line is formed. Is done. In this way, each scribe line is formed while the pressed state of the cutter is maintained. Therefore, when the opening is formed before the scribe line processing step, and in the process of forming the scribe line, Compared with the case where raising and lowering is performed, the contents of the process and the operation of the blade are simplified. For this reason, the time required for forming the scribe line is shortened. In addition, when a thin film solar cell is provided with the thin film provided with a laminated structure, the thin film formed in a board | substrate means the thin film in which lamination | stacking was completed, or the thin film in the middle of lamination | stacking.
〔２〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記制御装置は、前記第２のスクライブラインの形成時における前記刃物の走査速度を前記第１のスクライブラインの形成時における前記刃物の走査速度よりも遅くする。 [2] According to an example of the processing device for the thin film solar cell, the control device determines the scanning speed of the blade at the time of forming the second scribe line and the speed of the blade at the time of forming the first scribe line. Slower than scanning speed.
一方の第１のスクライブラインと他方の第１のスクライブラインとを繋げる第２のスクライブラインの役割から、第２のスクライブラインの形成時において刃物にかかる力の方向の変化の度合が第１のスクライブラインの形成時よりも大きくなりやすい。上記〔２〕に記載の加工装置によれば、そのような第２のスクライブラインの形成時における刃物の走査速度が遅い速度に設定されるため、刃物にかかる負荷が軽減される。 Because of the role of the second scribe line that connects one first scribe line and the other first scribe line, the degree of change in the direction of the force applied to the blade during the formation of the second scribe line is the first. It tends to be larger than when a scribe line is formed. According to the processing apparatus described in [2] above, since the scanning speed of the blade when the second scribe line is formed is set to a low speed, the load on the blade is reduced.
〔３〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記制御装置は、前記第２のスクライブラインの形成時において前記刃物を前記薄膜に押し付ける力である押付力を前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも弱くする。 [3] According to an example of the processing device for the thin film solar cell, the control device applies a pressing force, which is a force for pressing the blade against the thin film, when the second scribe line is formed. It is weaker than the pressing force at the time of forming.
一方の第１のスクライブラインと他方の第１のスクライブラインとを繋げる第２のスクライブラインの役割から、第２のスクライブラインの形成時において刃物にかかる力の方向の変化の度合が第１のスクライブラインの形成時よりも大きくなりやすい。上記〔３〕に記載の加工装置によれば、そのような第２のスクライブラインの形成時における刃物の押付力が弱い力に設定されるため、刃物にかかる負荷が軽減される。 Because of the role of the second scribe line that connects one first scribe line and the other first scribe line, the degree of change in the direction of the force applied to the blade during the formation of the second scribe line is the first. It tends to be larger than when a scribe line is formed. According to the processing apparatus described in [3] above, since the pressing force of the blade at the time of forming such a second scribe line is set to a weak force, the load on the blade is reduced.
〔４〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記制御装置は、前記第１のスクライブラインの形成時において前記刃物を前記薄膜に押し付ける力である押付力を前記第２のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも弱くする。 [4] According to an example of the processing apparatus for the thin film solar cell, the control device applies a pressing force, which is a force for pressing the blade against the thin film, when the first scribe line is formed. It is weaker than the pressing force at the time of forming.
第１のスクライブラインの長さは基本的には、一方の第１のスクライブラインと他方の第１のスクライブラインとを繋げるという補助的な役割を持つ第２のスクライブラインの長さよりも長く設定される。上記〔４〕に記載の加工装置によれば、そのような第１のスクライブラインの形成時における刃物の押付力が弱い力に設定されるため、スクライブラインの形成にともなう刃物の摩耗が低減される。 The length of the first scribe line is basically set longer than the length of the second scribe line having an auxiliary role of connecting one first scribe line and the other first scribe line. Is done. According to the processing apparatus described in [4] above, since the pressing force of the cutting tool at the time of forming the first scribe line is set to a weak force, the wear of the cutting tool accompanying the formation of the scribe line is reduced. The
〔５〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記制御装置は、前記第２のスクライブラインの加工開始点から所定の位置までの部分の形成時において前記刃物を前記薄膜に押し付ける力である押付力を前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも弱くし、前記所定の位置から前記第２のスクライブラインの加工終了点までの部分の形成時における前記押付力を前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも強くする。 [5] According to an example of the processing device of the thin film solar cell, the control device is configured to press the blade against the thin film when forming a portion from the processing start point of the second scribe line to a predetermined position. The pressing force is weaker than the pressing force at the time of forming the first scribe line, and the pressing force at the time of forming a portion from the predetermined position to the processing end point of the second scribe line is It is stronger than the pressing force at the time of forming the first scribe line.
この加工装置によれば、薄膜または積層途中の薄膜がより確実に除去された第２のスクライブラインが形成されやすく、それにともない他方の第１のスクライブラインの加工開始点においても薄膜または積層途中の薄膜が確実に除去され、第１のスクライブラインが安定して形成される。また、所定の位置までの形成時における刃物の押付力が弱い力に設定されるため、第２のスクライブラインの形成時に刃物にかかる負荷が軽減される。 According to this processing apparatus, it is easy to form the second scribe line from which the thin film or the thin film in the middle of lamination is more reliably removed, and accordingly, the thin film or in the middle of the lamination also at the processing start point of the other first scribe line. The thin film is reliably removed, and the first scribe line is stably formed. In addition, since the pressing force of the blade during formation up to a predetermined position is set to a weak force, the load applied to the blade during formation of the second scribe line is reduced.
〔６〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記所定の位置は前記第２のスクライブラインの加工終了点の直前の位置である。
この加工装置によれば、押付力が強められる部分が第２のスクライブラインの加工終了点を含む狭い範囲に限定されるため、第２のスクライブラインの形成時に刃物にかかる負荷が一層軽減される。
[6] According to an example of the thin film solar cell processing apparatus, the predetermined position is a position immediately before the processing end point of the second scribe line.
According to this processing apparatus, since the portion where the pressing force is increased is limited to a narrow range including the processing end point of the second scribe line, the load applied to the blade during the formation of the second scribe line is further reduced. .
〔７〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記制御装置は円弧状の形状を有する前記第２のスクライブラインが前記薄膜に形成されるように前記走査手段の動作を制御する。 [7] According to an example of the processing device for the thin film solar cell, the control device controls the operation of the scanning means so that the second scribe line having an arc shape is formed on the thin film.
〔８〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記制御装置は前記第２のスクライブライン上の同一の部分を前記刃物が往復するように前記走査手段の動作を制御する。
この加工装置によれば、第２のスクライブラインの形成時において刃物が往復する部分の薄膜または積層途中の薄膜が確実に除去され、引き続き加工される第１のスクライブラインの加工開始点においても薄膜または積層途中の薄膜が確実に除去され、第１のスクライブラインが安定して形成される。
[8] According to an example of the processing apparatus for the thin-film solar cell, the control device controls the operation of the scanning unit so that the blade reciprocates on the same portion on the second scribe line.
According to this processing apparatus, when the second scribe line is formed, the thin film at the portion where the blade reciprocates or the thin film in the middle of the lamination is surely removed, and the thin film is also processed at the processing start point of the first scribe line to be subsequently processed. Or the thin film in the middle of lamination | stacking is removed reliably, and a 1st scribe line is formed stably.
〔９〕前記薄膜太陽電池の加工装置の一例によれば、前記刃物の長手方向に交差する断面における前記刃物の刃先の形状が円形である。
この加工装置によれば、刃先の断面が角を含む場合と比較して、刃先が摩耗した場合における刃先の初期の形状からの変化の度合が小さいため、同一の刃物が長期間にわたって使用される場合においてスクライブラインの仕上がり品質がばらつきにくい。
[9] According to an example of the processing apparatus for the thin film solar cell, the shape of the blade edge of the blade in a cross section intersecting with the longitudinal direction of the blade is circular.
According to this processing apparatus, since the degree of change from the initial shape of the cutting edge when the cutting edge is worn is small compared to the case where the cross section of the cutting edge includes a corner, the same blade is used over a long period of time. In some cases, the finished quality of the scribe line is unlikely to vary.
〔１０〕本発明に従う薄膜太陽電池の製造方法の一形態は、基板に形成された薄膜に刃物を押し付けた状態において前記刃物を走査することにより互いに平行な少なくとも２本の第１のスクライブラインを前記薄膜に形成する薄膜太陽電池の加工方法であって、前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの一方が前記薄膜に形成されるように前記刃物を走査する第１の工程と、前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの一方の加工終了点から前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの他方の加工開始点まで前記刃物を前記薄膜に押し付けながら走査することにより前記加工終了点と前記加工開始点とを繋げる第２のスクライブラインを前記薄膜に形成する第２の工程と、前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの他方が前記薄膜に形成されるように前記刃物を走査する第３の工程とを備える。 [10] In one embodiment of the method for manufacturing a thin-film solar cell according to the present invention, at least two first scribe lines parallel to each other are obtained by scanning the blade in a state where the blade is pressed against the thin film formed on the substrate. A method of processing a thin film solar cell to be formed on the thin film, the first step of scanning the blade so that one of the at least two first scribe lines is formed on the thin film, and the at least 2 The processing end point and the processing by scanning while pressing the blade against the thin film from one processing end point of one first scribe line to the other processing start point of the at least two first scribe lines A second step of forming a second scribe line connecting the start point on the thin film, and the other of the at least two first scribe lines. And a third step of scanning the blade so as to form the thin film.
この加工方法によれば、一方の第１のスクライブラインの形成が終了した後にそれに続けて第２のスクライブラインが形成され、さらにその形成が終了した後に続けて他方の第１のスクライブラインが形成される。このように、刃物が押し付けられた状態が維持されながら各スクライブラインが形成されるため、スクライブラインの加工工程の前に開口部が形成される場合、および、スクライブラインを形成する過程において刃物の昇降が実施される場合と比較して、工程の内容および刃物の動作が簡素化される。このため、スクライブラインの形成に要する時間が短縮される。 According to this processing method, after the formation of one first scribe line is completed, a second scribe line is formed subsequently, and after the formation is completed, the other first scribe line is formed. Is done. In this way, each scribe line is formed while the pressed state of the cutter is maintained. Therefore, when the opening is formed before the scribe line processing step, and in the process of forming the scribe line, Compared with the case where raising and lowering is performed, the contents of the process and the operation of the blade are simplified. For this reason, the time required for forming the scribe line is shortened.
上記薄膜太陽電池の加工装置、および、薄膜太陽電池の加工方法はスクライブラインの形成に要する時間を短縮することに寄与する。 The thin film solar cell processing apparatus and the thin film solar cell processing method contribute to shortening the time required for forming the scribe line.
（実施の形態）
図１は薄膜太陽電池１を製造する機能を備えた加工装置１００の斜視図である。加工装置１００は各種の構成要素を収容する本体１１０、製造途中の薄膜太陽電池１が載せられるステージ１３０、その薄膜太陽電池１を加工するヘッド１５０、ヘッド１５０をステージ１３０に対して相対的に移動させるヘッドガイド１７０、ステージ１３０の様子を撮影するカメラ１４０、および、ヘッド１５０等の動作を制御する制御装置１２０を備える。
(Embodiment)
FIG. 1 is a perspective view of a processing apparatus 100 having a function of manufacturing a thin film solar cell 1. The processing apparatus 100 includes a main body 110 that houses various components, a stage 130 on which the thin-film solar cell 1 being manufactured, a head 150 that processes the thin-film solar cell 1, and a head 150 that moves relative to the stage 130. And a control device 120 that controls the operation of the head 150 and the like.
ステージ１３０は本体１１０により支持される。ステージ１３０の上面である載置面１３１は薄膜太陽電池１を支持可能な平面である。ヘッドガイド１７０は、本体１１０の奥行き方向であるＹ方向において本体１１０に対して移動可能な第１のガイド１７１、および、第１のガイド１７１により支持され本体１１０の幅方向であるＸ方向に延びる第２のガイド１７２を備える。第１のガイド１７１および第２のガイド１７２は本体１１０に対して一体的に移動する。 The stage 130 is supported by the main body 110. The mounting surface 131 that is the upper surface of the stage 130 is a plane that can support the thin-film solar cell 1. The head guide 170 is supported by the first guide 171 that can move with respect to the main body 110 in the Y direction that is the depth direction of the main body 110, and extends in the X direction that is the width direction of the main body 110. A second guide 172 is provided. The first guide 171 and the second guide 172 move integrally with the main body 110.
ヘッド１５０は、Ｘ方向に並べられ、ステージ１３０に対して昇降可能な複数の刃物１６０を備え、第２のガイド１７２に沿って移動可能な状態で第２のガイド１７２により支持される。ヘッド１５０は、ステージ１３０に載置された製造途中の薄膜太陽電池１に刃物１６０を押し付ける力である押付力を調節可能であり、薄膜太陽電池１の加工工程等に応じて設定される所定の押付力で刃物１６０を薄膜太陽電池１に押し付ける。ヘッド１５０が備える刃物１６０の本数の一例は２本である。図２に示されるとおり、刃物１６０の刃先１６１は円錐台状を有する。刃物１６０の長手方向に直交する断面における刃先１６１の形状は円形である。 The head 150 includes a plurality of blades 160 arranged in the X direction and movable up and down with respect to the stage 130, and is supported by the second guide 172 while being movable along the second guide 172. The head 150 can adjust a pressing force, which is a force for pressing the blade 160 against the thin film solar cell 1 being manufactured and placed on the stage 130, and is set according to a processing step of the thin film solar cell 1. The blade 160 is pressed against the thin film solar cell 1 with a pressing force. An example of the number of blades 160 provided in the head 150 is two. As shown in FIG. 2, the blade edge 161 of the blade 160 has a truncated cone shape. The shape of the blade edge 161 in the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the blade 160 is circular.
図３は加工装置１００の機能ブロックを示すブロック図である。加工装置１００は、第１のガイド１７１をステージ１３０に対してＹ方向に移動させる第１のアクチュエータ２０１、ヘッド１５０を第２のガイド１７２に対してＸ方向に移動させる第２のアクチュエータ２０２、ならびに、刃物１６０をステージ１３０に接近する方向およびステージ１３０から離間する方向に移動させる第３のアクチュエータ２０３をさらに備える。第１のアクチュエータ２０１は本体１１０内に搭載される。第２のアクチュエータ２０２はヘッドガイド１７０内に搭載される。第３のアクチュエータ２０３はヘッド１５０内に搭載される。なお、第１のアクチュエータ２０１、第２のアクチュエータ２０２、および、ヘッドガイド１７０は刃物１６０を走査する走査手段を構成している。 FIG. 3 is a block diagram showing functional blocks of the processing apparatus 100. The processing apparatus 100 includes a first actuator 201 that moves the first guide 171 in the Y direction with respect to the stage 130, a second actuator 202 that moves the head 150 in the X direction with respect to the second guide 172, and The third actuator 203 is further provided to move the blade 160 in a direction approaching the stage 130 and a direction away from the stage 130. The first actuator 201 is mounted in the main body 110. The second actuator 202 is mounted in the head guide 170. The third actuator 203 is mounted in the head 150. The first actuator 201, the second actuator 202, and the head guide 170 constitute a scanning unit that scans the blade 160.
制御装置１２０は、スクライブライン３０を形成するための制御を含む各種の制御を実行する制御部１２１、および、制御のために必要な情報を記憶するメモリ１２２を備え、第１のアクチュエータ２０１、第２のアクチュエータ２０２、第３のアクチュエータ２０３、および、カメラ１４０と電気的に接続される。制御部１２１の一例はマイクロコンピューターまたはＦＰＧＡ（Field of Programmable Gate Array）である。 The control device 120 includes a control unit 121 that executes various types of control including control for forming the scribe line 30, and a memory 122 that stores information necessary for the control. The second actuator 202, the third actuator 203, and the camera 140 are electrically connected. An example of the control unit 121 is a microcomputer or an FPGA (Field of Programmable Gate Array).
制御部１２１はヘッド１５０、ヘッドガイド１７０、および、カメラ１４０の動作を制御する。制御部１２１の制御により第１のアクチュエータ２０１および第２のアクチュエータ２０２が駆動することにより、ヘッド１５０がステージ１３０に対して移動し、これによりヘッド１５０の刃物１６０がＹ方向およびＸ方向に走査される。 The control unit 121 controls operations of the head 150, the head guide 170, and the camera 140. When the first actuator 201 and the second actuator 202 are driven by the control of the control unit 121, the head 150 moves with respect to the stage 130, whereby the blade 160 of the head 150 is scanned in the Y direction and the X direction. The
図４は加工装置１００による加工完了後の薄膜太陽電池１の平面図である。図５は図４のＸ−Ｘ断面図である。図５に示されるとおり、薄膜太陽電池１は基板１０およびその上に形成された薄膜２０を備える。薄膜２０は積層構造を備える。薄膜２０を構成する複数の層は、基板１０上に形成された第１の電極２１、第１の電極２１と電気的に接続された第２の電極２２、および、第１の電極２１と第２の電極２２との間に形成された中間層２３である。第１の電極２１、ならびに、第１の電極２１および中間層２３により構成される層は、それぞれ積層途中の薄膜である。第２の電極２２の上面の角にはステージ１３０上における薄膜太陽電池１の位置を検出するために用いられるアライメントマーク４０が形成されている。 FIG. 4 is a plan view of the thin-film solar cell 1 after processing by the processing apparatus 100 is completed. FIG. 5 is a sectional view taken along line XX in FIG. As shown in FIG. 5, the thin film solar cell 1 includes a substrate 10 and a thin film 20 formed thereon. The thin film 20 has a laminated structure. The plurality of layers constituting the thin film 20 includes a first electrode 21 formed on the substrate 10, a second electrode 22 electrically connected to the first electrode 21, and the first electrode 21 and the first electrode 21. This is an intermediate layer 23 formed between the two electrodes 22. The first electrode 21 and the layer constituted by the first electrode 21 and the intermediate layer 23 are thin films in the middle of lamination. An alignment mark 40 used for detecting the position of the thin-film solar cell 1 on the stage 130 is formed at the corner of the upper surface of the second electrode 22.
中間層２３は積層構造を備える。中間層２３を構成する複数の層は、第１の電極２１上に形成された光吸収層２３Ａ、光吸収層２３Ａ上に形成されたバッファ層２３Ｂ、および、バッファ層２３Ｂ上に形成された絶縁層２３Ｃである。 The intermediate layer 23 has a laminated structure. The plurality of layers constituting the intermediate layer 23 include a light absorption layer 23A formed on the first electrode 21, a buffer layer 23B formed on the light absorption layer 23A, and an insulation formed on the buffer layer 23B. Layer 23C.
薄膜２０には３種類のスクライブライン３０が形成されている。１種類目のスクライブライン３０は、第１の電極２１を分割するスクライブライン３０Ａである。２種類目のスクライブライン３０は、中間層２３を分割するスクライブライン３０Ｂである。３種類目のスクライブライン３０は、第２の電極２２および中間層２３を分割するスクライブライン３０Ｃである。スクライブライン３０Ａはメカニカルスクライブ法とは別の加工方法、例えばレーザースクライブ法により形成される。スクライブライン３０Ｂおよびスクライブライン３０Ｃは加工装置１００を用いたメカニカルスクライブ法により形成される。 Three types of scribe lines 30 are formed on the thin film 20. The first type of scribe line 30 is a scribe line 30 </ b> A that divides the first electrode 21. The second type of scribe line 30 is a scribe line 30 </ b> B that divides the intermediate layer 23. The third type of scribe line 30 is a scribe line 30 </ b> C that divides the second electrode 22 and the intermediate layer 23. The scribe line 30A is formed by a processing method different from the mechanical scribe method, for example, a laser scribe method. The scribe line 30B and the scribe line 30C are formed by a mechanical scribe method using the processing apparatus 100.
スクライブライン３０Ａは光吸収層２３Ａの一部により埋められている。スクライブライン３０Ｂは第２の電極２２の一部により埋められている。スクライブライン３０Ｃは他の物体により埋められていない。スクライブライン３０Ｂを埋める第２の電極２２の一部が第１の電極２１と接触していることにより、第１の電極２１と第２の電極２２とが電気的に接続される。 The scribe line 30A is filled with a part of the light absorption layer 23A. The scribe line 30 </ b> B is filled with a part of the second electrode 22. The scribe line 30C is not filled with other objects. A part of the second electrode 22 filling the scribe line 30 </ b> B is in contact with the first electrode 21, whereby the first electrode 21 and the second electrode 22 are electrically connected.
スクライブライン３０Ｂおよびスクライブライン３０Ｃは、加工開始点３０Ｘから加工終了点３０Ｙまでにわたり延びる溝であり、その加工工程の点から複数の第１のスクライブライン３１および複数の第２のスクライブライン３２の２種類の領域に区分される。スクライブライン３０Ｂおよびスクライブライン３０Ｃは実質的に連続して形成された複数の第１のスクライブライン３１および複数の第２のスクライブライン３２により構成される１本の溝である。 The scribe line 30B and the scribe line 30C are grooves extending from the machining start point 30X to the machining end point 30Y. From the point of the machining process, the scribe line 30B and the scribe line 30C are a plurality of first scribe lines 31 and a plurality of second scribe lines 32. Divided into types of areas. The scribe line 30B and the scribe line 30C are one groove constituted by a plurality of first scribe lines 31 and a plurality of second scribe lines 32 formed substantially continuously.
第１のスクライブライン３１は基板１０の辺に平行な長いスクライブライン３０であり、加工開始点３１Ｘから加工終了点３１Ｙまでにわたり延びる直線である。第２のスクライブライン３２は刃物１６０による第１のスクライブライン３１の加工を補助するために形成され、Ｘ方向において隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙと他方の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘとを繋げる。一例では、第２のスクライブライン３２の形状は円弧状である。第２のスクライブライン３２の長さは第１のスクライブライン３１の長さよりも短い。 The first scribe line 31 is a long scribe line 30 parallel to the side of the substrate 10, and is a straight line extending from the processing start point 31X to the processing end point 31Y. The second scribe line 32 is formed to assist the processing of the first scribe line 31 by the cutting tool 160, and the processing end point 31Y of one first scribe line 31 adjacent in the X direction and the other first scribe line 31. The processing start point 31X of the scribe line 31 is connected. In one example, the shape of the second scribe line 32 is an arc shape. The length of the second scribe line 32 is shorter than the length of the first scribe line 31.
なお、図４および図８〜図１２では、加工開始点３０Ｘが模式的に点として表示されているが、実際の加工開始点３０Ｘはスクライブライン３０Ｂ、３０Ｃの他の部分と実質的に同じ幅を有し、目視により加工開始点３０Ｘとスクライブライン３０Ｂ、３０Ｃの他の部分との相違を識別することは困難である。 4 and 8 to 12, the machining start point 30X is schematically displayed as a point, but the actual machining start point 30X is substantially the same width as the other parts of the scribe lines 30B and 30C. It is difficult to identify the difference between the processing start point 30X and other parts of the scribe lines 30B and 30C by visual inspection.
薄膜２０に関する製造工程は大きくは３つの工程、すなわち、第１の電極形成工程、中間層形成工程、および、第２の電極形成工程に区分される。図６は第１の電極形成工程が完了した製造途中の薄膜太陽電池１の断面である。図７は中間層形成工程が完了した製造途中の薄膜太陽電池１の断面である。図５は加工装置１００による加工完了後の薄膜太陽電池１の断面である。 The manufacturing process related to the thin film 20 is roughly divided into three processes, that is, a first electrode forming process, an intermediate layer forming process, and a second electrode forming process. FIG. 6 is a cross-sectional view of the thin-film solar cell 1 in the middle of manufacture after the first electrode formation step is completed. FIG. 7 is a cross section of the thin-film solar cell 1 in the middle of manufacture after the intermediate layer forming step is completed. FIG. 5 is a cross section of the thin-film solar cell 1 after completion of processing by the processing apparatus 100.
第１の電極形成工程では、最初に基板１０上に第１の電極２１が形成される。基板１０の材質の一例はソーダライムガラスである。第１の電極２１の材質の一例はモリブデンである。次に、第１の電極２１を分割するスクライブライン３０である複数のスクライブライン３０Ａが第１の電極２１に形成される。 In the first electrode formation step, first, the first electrode 21 is formed on the substrate 10. An example of the material of the substrate 10 is soda lime glass. An example of the material of the first electrode 21 is molybdenum. Next, a plurality of scribe lines 30 </ b> A that are scribe lines 30 that divide the first electrode 21 are formed on the first electrode 21.
中間層形成工程では、最初に第１の電極２１上に光吸収層２３Ａが形成される。次に、光吸収層２３Ａ上にバッファ層２３Ｂが形成される。次に、バッファ層２３Ｂ上に絶縁層２３Ｃが形成される。光吸収層２３Ａの一例は化合物半導体薄膜である。バッファ層２３Ｂの一例はＺｎＳ薄膜である。絶縁層２３Ｃの一例はＺｎＯ薄膜である。 In the intermediate layer forming step, first, the light absorption layer 23 </ b> A is formed on the first electrode 21. Next, the buffer layer 23B is formed on the light absorption layer 23A. Next, an insulating layer 23C is formed on the buffer layer 23B. An example of the light absorption layer 23A is a compound semiconductor thin film. An example of the buffer layer 23B is a ZnS thin film. An example of the insulating layer 23C is a ZnO thin film.
次に、加工装置１００により中間層２３に複数のスクライブライン３０Ｂが形成される。スクライブライン３０Ｂはスクライブライン３０Ａに対してＸ方向の一方に所定の距離だけオフセットした位置に形成される。 Next, a plurality of scribe lines 30 </ b> B are formed in the intermediate layer 23 by the processing apparatus 100. The scribe line 30B is formed at a position offset from the scribe line 30A by a predetermined distance in one of the X directions.
第２の電極形成工程では、最初に中間層２３上に第２の電極２２が形成される。第２の電極２２の材質の一例はＺｎＯ：Ａｌ薄膜である。次に、薄膜２０を構成する第２の電極２２および中間層２３を分割するスクライブライン３０である複数のスクライブライン３０Ｃが第２の電極２２および中間層２３に形成される。 In the second electrode formation step, first, the second electrode 22 is formed on the intermediate layer 23. An example of the material of the second electrode 22 is a ZnO: Al thin film. Next, a plurality of scribe lines 30 </ b> C, which are scribe lines 30 that divide the second electrode 22 and the intermediate layer 23 constituting the thin film 20, are formed on the second electrode 22 and the intermediate layer 23.
図８〜図１０はメカニカルスクライブ法によるスクライブライン３０の具体的な加工工程に関する図である。ここでは、スクライブライン３０を代表してスクライブライン３０Ｂの加工工程を取り上げている。スクライブライン３０Ｃはスクライブライン３０Ｂの加工工程に準じた加工工程を経て形成される。 8-10 is a figure regarding the specific manufacturing process of the scribe line 30 by the mechanical scribe method. Here, the processing process of the scribe line 30 </ b> B is taken up as a representative of the scribe line 30. The scribe line 30C is formed through a processing step according to the processing step of the scribe line 30B.
図８に示される第１の工程の第１の段階では、ステージ１３０の載置面１３１に平行な仮想面である走査面上における基板１０に対する刃物１６０の位置が調節される。一例では、第１の工程における第１の段階は次の具体的な工程を含む。制御装置１２０はカメラ１４０により検出されたアライメントマーク４０の位置に基づいて、走査面上における加工開始点３０Ｘの座標を算出し、刃先１６１の座標が加工開始点３０Ｘの座標と一致するように各アクチュエータ２０１、２０２に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて各アクチュエータ２０１、２０２が駆動することにより、刃先１６１の座標が加工開始点３０Ｘの座標と実質的に一致する。なお、中間層２３に最初に形成される第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘとスクライブライン３０Ｂの加工開始点３０Ｘとは同一の点である。また、中間層２３に最後に形成される第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙとスクライブライン３０Ｂの加工終了点３０Ｙとは同一の点である。 In the first stage of the first step shown in FIG. 8, the position of the blade 160 relative to the substrate 10 on the scanning plane which is a virtual plane parallel to the mounting surface 131 of the stage 130 is adjusted. In one example, the first step in the first step includes the following specific steps. The control device 120 calculates the coordinates of the machining start point 30X on the scanning plane based on the position of the alignment mark 40 detected by the camera 140, and each of the coordinates of the cutting edge 161 matches the coordinates of the machining start point 30X. Command signals are output to the actuators 201 and 202. When the actuators 201 and 202 are driven based on the command signal, the coordinates of the blade edge 161 substantially coincide with the coordinates of the machining start point 30X. Note that the processing start point 31X of the first scribe line 31 formed first in the intermediate layer 23 and the processing start point 30X of the scribe line 30B are the same point. The processing end point 31Y of the first scribe line 31 formed last in the intermediate layer 23 and the processing end point 30Y of the scribe line 30B are the same point.
図９に示される第１の工程の第２の段階では、刃先１６１が中間層２３に押し付けられ、中間層２３に第１のスクライブライン３１が形成される。一例では、第１の工程の第２の段階は次の具体的な工程を含む。制御装置１２０は最初に、刃先１６１が第１の押付力で中間層２３に押し付けられるように第３のアクチュエータ２０３に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて第３のアクチュエータ２０３が駆動することにより、刃先１６１が下降して第１の押付力で中間層２３に押し付けられ、刃先１６１の先端が中間層２３に食い込む。なお、第１の押付力の一例は１．３Ｎである。 In the second stage of the first step shown in FIG. 9, the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23, and the first scribe line 31 is formed in the intermediate layer 23. In one example, the second stage of the first process includes the following specific processes. First, the control device 120 outputs a command signal to the third actuator 203 so that the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23 by the first pressing force. When the third actuator 203 is driven based on the command signal, the blade edge 161 descends and is pressed against the intermediate layer 23 by the first pressing force, and the tip of the blade edge 161 bites into the intermediate layer 23. An example of the first pressing force is 1.3N.
制御装置１２０は次に、刃物１６０が第１の走査速度で第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘから加工終了点３１Ｙに向かう方向である第１の方向Ｄ１へ移動するように第１のアクチュエータ２０１に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて第１のアクチュエータ２０１が駆動することにより、刃先１６１が中間層２３に押し付けられた状態において刃物１６０が第１の方向Ｄ１へ移動し、中間層２３が刃先１６１により剥離され、中間層２３に第１のスクライブライン３１が形成される。なお、第１の走査速度の一例は１０００ｍｍ／秒である。 Next, the control device 120 moves the first tool 160 in the first direction D1 that is the direction from the processing start point 31X of the first scribe line 31 toward the processing end point 31Y at the first scanning speed. A command signal is output to the actuator 201. When the first actuator 201 is driven based on the command signal, the cutting tool 160 moves in the first direction D1 in a state where the cutting edge 161 is pressed against the intermediate layer 23, and the intermediate layer 23 is peeled off by the cutting edge 161. The first scribe line 31 is formed in the intermediate layer 23. An example of the first scanning speed is 1000 mm / second.
制御装置１２０は次に、刃物１６０の位置が第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙに到達したことに基づいて、刃物１６０の走査が一旦停止するように第１のアクチュエータ２０１に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて第１のアクチュエータ２０１が駆動することにより、刃物１６０が加工終了点３１Ｙで停止し、加工開始点３１Ｘから加工終了点３１Ｙまでの長さを持つ第１のスクライブライン３１が形成される。なお、第１のスクライブライン３１の長さは基板１０のサイズに応じて設定され、通常は０．２ｍ程度から１ｍ程度の範囲に含まれる。 Next, based on the fact that the position of the blade 160 has reached the processing end point 31Y of the first scribe line 31, the control device 120 sends a command signal to the first actuator 201 so that the scanning of the blade 160 is temporarily stopped. Output. When the first actuator 201 is driven based on the command signal, the blade 160 stops at the machining end point 31Y, and the first scribe line 31 having a length from the machining start point 31X to the machining end point 31Y is formed. It is formed. The length of the first scribe line 31 is set according to the size of the substrate 10 and is usually included in the range of about 0.2 m to 1 m.
図１０に示される第２の工程では、中間層２３に第２のスクライブライン３２が形成される。一例では、第２の工程は次の具体的な工程を含む。制御装置１２０は最初に、刃物１６０が第２の押付力で中間層２３に押し付けられ、その刃物１６０がＸ方向において隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙから他方の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘに第２の走査速度で移動するように各アクチュエータ２０１、２０２に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて各アクチュエータ２０１、２０２が駆動することにより、刃先１６１が中間層２３に押し付けられた状態において刃物１６０がＸ方向において隣り合う加工終了点３１Ｙから加工開始点３１Ｘに移動する。 In the second step shown in FIG. 10, the second scribe line 32 is formed in the intermediate layer 23. In one example, the second step includes the following specific steps. First, the control device 120 presses the cutting tool 160 against the intermediate layer 23 with the second pressing force, and the cutting tool 160 starts from the processing end point 31Y of one of the first scribe lines 31 adjacent in the X direction. A command signal is output to each of the actuators 201 and 202 so as to move to the machining start point 31X of the scribe line 31 at the second scanning speed. The actuators 201 and 202 are driven based on the command signal, whereby the cutting tool 160 moves from the processing end point 31Y adjacent in the X direction to the processing start point 31X in a state where the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23.
刃物１６０が移動することにより中間層２３が除去され、第２のスクライブライン３２が形成される。なお、第２の押付力の一例は第１の押付力よりも弱い０．９Ｎである。第２の走査速度の一例は第１の走査速度よりも遅い５０ｍｍ／秒である。第２の走査速度が第１の走査速度よりも遅いことにより第２のスクライブライン３２の加工が安定するため、上述のとおり第２の押付力が第１の押付力よりも弱い力に設定されても中間層２３が確実に除去される。 When the blade 160 moves, the intermediate layer 23 is removed, and the second scribe line 32 is formed. An example of the second pressing force is 0.9 N which is weaker than the first pressing force. An example of the second scanning speed is 50 mm / second, which is slower than the first scanning speed. Since the processing of the second scribe line 32 is stabilized by the second scanning speed being slower than the first scanning speed, the second pressing force is set to be weaker than the first pressing force as described above. However, the intermediate layer 23 is reliably removed.
制御装置１２０は次に、刃物１６０の位置が２番目の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘに到達したことに基づいて、刃物１６０の走査が一旦停止するように各アクチュエータ２０１、２０２に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて各アクチュエータ２０１、２０２が駆動することにより、刃物１６０が２番目の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘで停止し、円弧状の第２のスクライブライン３２が形成される。 Next, based on the fact that the position of the blade 160 has reached the processing start point 31X of the second first scribe line 31, the control device 120 causes each actuator 201, 202 to temporarily stop scanning the blade 160. A command signal is output. By driving the actuators 201 and 202 based on the command signal, the blade 160 stops at the machining start point 31X of the second first scribe line 31, and the arc-shaped second scribe line 32 is formed. The
図１１に示される第３の工程では、刃先１６１が中間層２３に押し付けられた状態が維持され、中間層２３に次の第１のスクライブライン３１が形成される。一例では、第３の工程は次の具体的な工程を含む。制御装置１２０は最初に、刃先１６１が第１の押付力で中間層２３に押し付けられるように第３のアクチュエータ２０３に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて第３のアクチュエータ２０３が駆動することにより、刃先１６１が下降して第１の押付力で中間層２３に押し付けられる。 In the third step shown in FIG. 11, the state in which the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23 is maintained, and the next first scribe line 31 is formed in the intermediate layer 23. In one example, the third step includes the following specific steps. First, the control device 120 outputs a command signal to the third actuator 203 so that the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23 by the first pressing force. When the third actuator 203 is driven based on the command signal, the blade edge 161 is lowered and pressed against the intermediate layer 23 by the first pressing force.
制御装置１２０は次に、刃物１６０が第１の走査速度で第１の方向Ｄ１とは反対の方向である第２の方向Ｄ２へ移動するように第１のアクチュエータ２０１に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて第１のアクチュエータ２０１が駆動することにより、刃先１６１が中間層２３に押し付けられた状態において刃物１６０が第２の方向Ｄ２へ移動し、中間層２３が刃先１６１により剥離され、中間層２３に次の第１のスクライブライン３１が形成される。 Next, the control device 120 outputs a command signal to the first actuator 201 so that the blade 160 moves at the first scanning speed in the second direction D2, which is the direction opposite to the first direction D1. When the first actuator 201 is driven based on the command signal, the cutting tool 160 moves in the second direction D2 while the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23, and the intermediate layer 23 is peeled off by the blade edge 161. The next first scribe line 31 is formed in the intermediate layer 23.
制御装置１２０は次に、刃物１６０の位置が加工終了点３１Ｙに到達したことに基づいて、刃物１６０の走査が一旦停止するように第１のアクチュエータ２０１に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて第１のアクチュエータ２０１が駆動することにより、刃物１６０が加工終了点３１Ｙで停止し、加工開始点３１Ｘから加工終了点３１Ｙまでの長さを持つ第１のスクライブライン３１が形成される。 Next, the control device 120 outputs a command signal to the first actuator 201 so that the scanning of the blade 160 is temporarily stopped based on the fact that the position of the blade 160 has reached the machining end point 31Y. When the first actuator 201 is driven based on the command signal, the blade 160 stops at the machining end point 31Y, and the first scribe line 31 having a length from the machining start point 31X to the machining end point 31Y is formed. It is formed.
図１２に示される第４の工程では、中間層２３に次の第２のスクライブライン３２が形成される。一例では、第４の工程は次の具体的な工程を含む。制御装置１２０は最初に、刃物１６０が第２の押付力で中間層２３に押し付けられ、その刃物１６０がＸ方向において隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙから他方の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘに第２の走査速度で移動するように各アクチュエータ２０１、２０２に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて各アクチュエータ２０１、２０２が駆動することにより、刃先１６１が中間層２３に押し付けられた状態において刃物１６０がＸ方向において隣り合う加工終了点３１Ｙから加工開始点３１Ｘに移動する。刃物１６０が移動することにより中間層２３が除去され、第２のスクライブライン３２が形成される。 In the fourth step shown in FIG. 12, the next second scribe line 32 is formed in the intermediate layer 23. In one example, the fourth step includes the following specific steps. First, the control device 120 presses the cutting tool 160 against the intermediate layer 23 with the second pressing force, and the cutting tool 160 starts from the processing end point 31Y of one of the first scribe lines 31 adjacent in the X direction. A command signal is output to each of the actuators 201 and 202 so as to move to the machining start point 31X of the scribe line 31 at the second scanning speed. The actuators 201 and 202 are driven based on the command signal, whereby the cutting tool 160 moves from the processing end point 31Y adjacent in the X direction to the processing start point 31X in a state where the blade edge 161 is pressed against the intermediate layer 23. When the blade 160 moves, the intermediate layer 23 is removed, and the second scribe line 32 is formed.
制御装置１２０は次に、刃物１６０の位置が３番目の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘに到達したことに基づいて、刃物１６０の走査が一旦停止するように各アクチュエータ２０１、２０２に指令信号を出力する。その指令信号に基づいて各アクチュエータ２０１、２０２が駆動することにより、刃物１６０が加工開始点３１Ｘで停止し、円弧状の第２のスクライブライン３２が形成される。 Next, based on the fact that the position of the blade 160 has reached the processing start point 31X of the third first scribe line 31, the control device 120 causes each actuator 201, 202 to temporarily stop scanning of the blade 160. A command signal is output. When the actuators 201 and 202 are driven based on the command signal, the cutter 160 stops at the machining start point 31X, and the arc-shaped second scribe line 32 is formed.
加工装置１００によれば、ヘッド１５０に複数本の刃物１６０が取り付けられているため、第１の方向Ｄ１または第２の方向Ｄ２に刃物１６０が１回走査されることにより複数の第１のスクライブライン３１が中間層２３に同時に形成される。また、Ｘ方向において隣り合う加工終了点３１Ｙから加工開始点３１Ｘに刃物１６０が１回走査されることにより、複数の第２のスクライブライン３２が中間層２３に同時に形成される。 According to the processing apparatus 100, since the plurality of blades 160 are attached to the head 150, the blades 160 are scanned once in the first direction D1 or the second direction D2, thereby causing a plurality of first scribes. A line 31 is simultaneously formed in the intermediate layer 23. In addition, the plurality of second scribe lines 32 are simultaneously formed in the intermediate layer 23 by the blade 160 being scanned once from the processing end point 31Y adjacent in the X direction to the processing start point 31X.
第１の工程から第４の工程を１回実施したことにより、互いに平行な一対の第１のスクライブライン３１、一対の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙと加工開始点３１Ｘとを繋げる第２のスクライブライン３２、および、他方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙに繋がる第２のスクライブライン３２が中間層２３に形成される。その後、制御装置１２０は第１の工程から第４の工程を繰り返すことにより、中間層２３への形成が予定されている残りの複数の第１のスクライブライン３１および複数の第２のスクライブライン３２を形成する。 By performing the first to fourth steps once, the pair of first scribe lines 31 parallel to each other, the processing end point 31Y of the pair of first scribe lines 31 and the processing start point 31X are connected. The second scribe line 32 and the second scribe line 32 connected to the processing end point 31 </ b> Y of the other first scribe line 31 are formed in the intermediate layer 23. Thereafter, the control device 120 repeats the first step to the fourth step, whereby the plurality of remaining first scribe lines 31 and the plurality of second scribe lines 32 that are scheduled to be formed on the intermediate layer 23. Form.
加工装置１００によれば、例えば以下に示される効果が得られる。
（１）加工装置１００は、互いに平行でありＸ方向に隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３０Ｙから他方の第１のスクライブライン３１の加工開始点３０Ｘまで刃物１６０を薄膜２０または積層途中の薄膜に押し付けながら走査する。この構成によれば、刃物１６０が押し付けられた状態が維持されながら各スクライブライン３１、３２が形成されるため、スクライブライン３０の加工工程の前に開口部が形成される場合、および、スクライブライン３０を形成する過程において刃物１６０の昇降が実施される場合と比較して、工程の内容および刃物１６０の動作が簡素化される。このため、スクライブライン３０の形成に要する時間が短縮される。
According to the processing apparatus 100, for example, the following effects can be obtained.
(1) The processing apparatus 100 moves the blade 160 from the processing end point 30 </ b> Y of one first scribe line 31 parallel to each other in the X direction to the processing start point 30 </ b> X of the other first scribe line 31. Or it scans, pressing on the thin film in the middle of lamination | stacking. According to this configuration, the scribe lines 31 and 32 are formed while the state in which the blade 160 is pressed is maintained. Therefore, when the opening is formed before the processing step of the scribe line 30, and the scribe line Compared with the case where the blade 160 is moved up and down in the process of forming 30, the contents of the process and the operation of the blade 160 are simplified. For this reason, the time required for forming the scribe line 30 is shortened.
（２）加工装置１００は、第２のスクライブライン３２の形成時の刃物１６０の走査速度である第２の走査速度を第１のスクライブライン３１の形成時の刃物１６０の走査速度である第１の走査速度よりも遅くする。この構成によれば、刃物１６０にかかる力の方向の変化の度合が第１のスクライブライン３１の形成時よりも大きくなりやすい第２のスクライブライン３２の形成時において、刃物１６０の走査速度が遅い速度に設定されるため、刃物１６０にかかる負荷が軽減される。また、第２のスクライブライン３２よりも長い第１のスクライブライン３１の形成時において刃物１６０の走査速度が速い速度に設定されるため、スクライブライン３０の形成にかかる時間が短縮される。 (2) The processing apparatus 100 uses the second scanning speed, which is the scanning speed of the blade 160 when forming the second scribe line 32, as the first scanning speed, which is the scanning speed of the blade 160 when forming the first scribe line 31. Slower than the scanning speed. According to this configuration, when the second scribe line 32 is formed, the degree of change in the direction of the force applied to the blade 160 is likely to be greater than when the first scribe line 31 is formed. Since the speed is set, the load on the blade 160 is reduced. In addition, when the first scribe line 31 longer than the second scribe line 32 is formed, the scanning speed of the blade 160 is set to a high speed, so that the time required for forming the scribe line 30 is shortened.
（３）加工装置１００は、第２のスクライブライン３２の形成時の刃物１６０の押付力である第２の押付力を第１のスクライブライン３１の形成時の刃物１６０の押付力である第１の押付力よりも弱くする。この構成によれば、上述のとおり刃物１６０にかかる力の方向の変化の度合が大きくなりやすい第２のスクライブライン３２の形成時において、刃物１６０の押付力が弱い力に設定されるため、刃物１６０にかかる負荷が軽減される。 (3) The machining apparatus 100 uses the second pressing force, which is the pressing force of the blade 160 when the second scribe line 32 is formed, as the first pressing force of the blade 160 when the first scribe line 31 is formed. It is weaker than the pressing force. According to this configuration, since the pressing force of the blade 160 is set to a weak force when forming the second scribe line 32 that tends to increase the degree of change in the direction of the force applied to the blade 160 as described above, the blade The load on 160 is reduced.
（４）刃先１６１の断面の形状が円形である。この構成によれば、刃先１６１の断面が角を含む場合と比較して、刃先１６１が摩耗した場合における初期の形状からの変化の度合が小さいため、同一の刃物１６０が長期間にわたって使用される場合においてスクライブライン３０の品質がばらつきにくい。 (4) The shape of the cross section of the blade edge 161 is circular. According to this configuration, since the degree of change from the initial shape when the cutting edge 161 is worn is small compared to the case where the cross section of the cutting edge 161 includes a corner, the same blade 160 is used over a long period of time. In some cases, the quality of the scribe line 30 is unlikely to vary.
（変形例）
上記実施の形態に関する説明は本発明に従う薄膜太陽電池の加工装置、および、薄膜太陽電池の加工方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本発明に従う薄膜太陽電池の加工装置、および、薄膜太陽電池の加工方法は実施の形態以外に例えば以下に示される上記実施の形態の変形例、および、相互に矛盾しない少なくとも２つの変形例が組み合わせられた形態を取り得る。
(Modification)
The description about the above embodiment is an example of the form that the thin film solar cell processing apparatus and the thin film solar cell processing method according to the present invention can take, and is not intended to limit the form. The thin-film solar cell processing apparatus and thin-film solar cell processing method according to the present invention is a combination of, in addition to the embodiments, for example, the following variations of the above-described embodiment and at least two variations that are not contradictory to each other Can take the form
・第１の電極２１を分割するスクライブライン３０Ａの加工方法はレーザースクライブ法に限られず、加工装置１００を用いたメカニカルスクライブ法に変更可能である。
・第１の押付力と第２の押付力との大小関係は任意に変更可能である。一例では、第１の押付力が第２の押付力よりも弱い。この変形例によれば、第２のスクライブライン３２よりも長い第１のスクライブライン３１の形成時における刃物１６０の押付力が弱い力に設定されるため、スクライブライン３０の形成にともなう刃物１６０の摩耗が低減される。別の一例では、第１の押付力と第２の押付力とが互いに等しい。
The processing method of the scribe line 30 </ b> A that divides the first electrode 21 is not limited to the laser scribe method, and can be changed to a mechanical scribe method using the processing apparatus 100.
The magnitude relationship between the first pressing force and the second pressing force can be arbitrarily changed. In one example, the first pressing force is weaker than the second pressing force. According to this modification, since the pressing force of the blade 160 when the first scribe line 31 longer than the second scribe line 32 is formed is set to a weak force, the blade 160 associated with the scribe line 30 is formed. Wear is reduced. In another example, the first pressing force and the second pressing force are equal to each other.
・第１の走査速度と第２の走査速度との大小関係は任意に変更可能である。一例では、第１の走査速度が第２の走査速度よりも速い。別の一例では、第１の走査速度と第２の走査速度とが互いに等しい。 The magnitude relationship between the first scanning speed and the second scanning speed can be arbitrarily changed. In one example, the first scanning speed is faster than the second scanning speed. In another example, the first scanning speed and the second scanning speed are equal to each other.
・上記実施の形態では第２のスクライブライン３２の形成時の押付力である第２の押付力が一定の大きさに設定されるが、第２の押付力は第２のスクライブライン３２の形成中に変更可能である。一例では、加工装置１００は第２のスクライブライン３２の加工開始点である第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙから所定の位置までの部分の形成時において第２の押付力を第１の押付力よりも弱くし、所定の位置から第２のスクライブライン３２の加工終了点である第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘまでの部分の形成時における第２の押付力を第１の押付力よりも強くする。 In the above embodiment, the second pressing force, which is the pressing force at the time of forming the second scribe line 32, is set to a constant magnitude, but the second pressing force is the formation of the second scribe line 32. It can be changed inside. In one example, the processing apparatus 100 applies the second pressing force when forming a portion from the processing end point 31Y of the first scribe line 31 that is the processing start point of the second scribe line 32 to a predetermined position. The second pressing force at the time of forming the portion from the predetermined position to the processing start point 31X of the first scribe line 31 that is the processing end point of the second scribe line 32 is made lower than the pressing force. Make it stronger than the pressing force.
この構成によれば、薄膜２０または積層途中の薄膜がより確実に除去された第２のスクライブライン３２が形成されやすく、それにともない次に形成される第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙにおいても薄膜２０または積層途中の薄膜が確実に除去され、第１のスクライブライン３１が安定して形成される。また、所定の位置までの形成時における刃物１６０の押付力が弱い力に設定されるため、第２のスクライブライン３２の形成時に刃物１６０にかかる負荷が軽減される。 According to this configuration, the second scribe line 32 from which the thin film 20 or the thin film in the middle of lamination is more reliably removed is easily formed, and accordingly, at the processing end point 31Y of the first scribe line 31 to be formed next. Also, the thin film 20 or the thin film in the middle of the lamination is surely removed, and the first scribe line 31 is stably formed. In addition, since the pressing force of the blade 160 when forming up to a predetermined position is set to a weak force, the load applied to the blade 160 when forming the second scribe line 32 is reduced.
・上記変形例の加工装置１００の一例は、所定の位置を第２のスクライブライン３２の加工終了点である第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘの直前の位置に設定する。この構成によれば、第２の押付力が強められる部分が第２のスクライブライン３２の加工終了点を含む狭い範囲に限定されるため、第２のスクライブライン３２の形成時に刃物１６０にかかる負荷が一層軽減される。 The example of the processing apparatus 100 according to the above modification sets the predetermined position to a position immediately before the processing start point 31X of the first scribe line 31 that is the processing end point of the second scribe line 32. According to this configuration, since the portion where the second pressing force is strengthened is limited to a narrow range including the processing end point of the second scribe line 32, the load applied to the blade 160 when the second scribe line 32 is formed. Is further reduced.
・第２のスクライブライン３２の形状は任意に変更可能である。図１３は第２のスクライブライン３２の形状に関する第１の変形例である。図１４は第２のスクライブライン３２の形状に関する第２の変形例である。図１５は第２のスクライブライン３２の形状に関する第３の変形例である。 The shape of the second scribe line 32 can be arbitrarily changed. FIG. 13 shows a first modification regarding the shape of the second scribe line 32. FIG. 14 shows a second modification regarding the shape of the second scribe line 32. FIG. 15 shows a third modification regarding the shape of the second scribe line 32.
図１３に示される第２のスクライブライン３２は、Ｘ方向において隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙから他方の第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘまでにわたり伸び、第２の方向Ｄ２に突出する円弧状の曲線である。加工装置１００は上記実施の形態における第２のスクライブライン３２の加工方法に準じた加工方法により第１の変形例の第２のスクライブライン３２を薄膜２０または積層途中の薄膜に形成する。 The second scribe line 32 shown in FIG. 13 extends from the processing end point 31Y of one of the first scribe lines 31 adjacent in the X direction to the processing start point 31X of the other first scribe line 31, 2 is an arcuate curve protruding in the direction D2. The processing apparatus 100 forms the second scribe line 32 of the first modified example on the thin film 20 or a thin film in the middle of lamination by a processing method according to the processing method of the second scribe line 32 in the above embodiment.
図１４に示される第２のスクライブライン３２は、加工終了点３１Ｙから交点３２Ｙまでにわたり伸びる第１の曲線３２Ａ、および、方向切替点３２Ｘから加工開始点３１Ｘまでにわたり伸びる第１の直線３２Ｂにより構成される。交点３２Ｙは第１の直線３２Ｂ上における方向切替点３２Ｘと加工開始点３１Ｘとの間の点である。第１の直線３２Ｂおよび第１のスクライブライン３１は実質的に連続した１本の溝である。方向切替点３２Ｘは加工開始点３１Ｘよりも中間層２３の辺の近くに形成される点であり、刃物１６０の走査方向が第１の方向Ｄ１から第２の方向Ｄ２に切り替えられる点である。 The second scribe line 32 shown in FIG. 14 is configured by a first curve 32A extending from the processing end point 31Y to the intersection point 32Y, and a first straight line 32B extending from the direction switching point 32X to the processing start point 31X. Is done. The intersection point 32Y is a point between the direction switching point 32X and the machining start point 31X on the first straight line 32B. The first straight line 32B and the first scribe line 31 are substantially continuous grooves. The direction switching point 32X is a point formed closer to the side of the intermediate layer 23 than the processing start point 31X, and the scanning direction of the blade 160 is switched from the first direction D1 to the second direction D2.
第２のスクライブライン３２は次の工程を経て形成される。刃物１６０がＸ方向において隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙに到達したとき、加工装置１００は第１の曲線３２Ａが形成されるように加工終了点３１Ｙから交点３２Ｙまで刃物１６０を走査する。加工装置１００は次に、交点３２Ｙから方向切替点３２Ｘまで第１の方向Ｄ１に刃物１６０を走査し、刃物１６０が方向切替点３２Ｘに到達したことに基づいて刃物１６０の走査を一旦停止し、方向切替点３２Ｘから加工開始点３１Ｘまで第２の方向Ｄ２に刃物１６０を走査する。 The second scribe line 32 is formed through the following steps. When the cutting tool 160 reaches the processing end point 31Y of one of the first scribe lines 31 adjacent in the X direction, the processing apparatus 100 cuts the cutting tool from the processing end point 31Y to the intersection point 32Y so that the first curve 32A is formed. 160 is scanned. Next, the processing apparatus 100 scans the blade 160 in the first direction D1 from the intersection point 32Y to the direction switching point 32X, and temporarily stops the scanning of the blade 160 based on the fact that the blade 160 has reached the direction switching point 32X. The cutter 160 is scanned in the second direction D2 from the direction switching point 32X to the machining start point 31X.
この構成によれば、第１の直線３２Ｂにおける交点３２Ｙと方向切替点３２Ｘとの間を刃物１６０が往復するため、その部分の薄膜２０または積層途中の薄膜がより確実に除去される。また、引き続き加工される第１のスクライブライン３１の加工開始点３１Ｘにおいても薄膜２０または積層途中の薄膜が確実に除去され、第１のスクライブライン３１が安定して形成される。 According to this configuration, the blade 160 reciprocates between the intersection point 32Y and the direction switching point 32X on the first straight line 32B, so that the thin film 20 or the thin film in the middle of the portion is more reliably removed. Moreover, the thin film 20 or the thin film in the middle of lamination is reliably removed at the processing start point 31X of the first scribe line 31 to be processed continuously, and the first scribe line 31 is stably formed.
図１５に示される第２のスクライブライン３２は、加工終了点３１Ｙから方向切替点３２Ｘまでにわたり伸びる第２の曲線３２Ｃ、および、方向切替点３２Ｘから加工開始点３１Ｘまでにわたり伸びる第２の直線３２Ｄにより構成される。第２の曲線３２Ｃの形状は円弧状である。第２の直線３２Ｄおよび第１のスクライブライン３１は実質的に連続した１本の溝である。方向切替点３２Ｘは加工開始点３１Ｘよりも中間層２３の辺の近くに形成される点であり、刃物１６０の走査方向が第１の方向Ｄ１から第２の方向Ｄ２に切り替えられる点である。 The second scribe line 32 shown in FIG. 15 includes a second curve 32C extending from the processing end point 31Y to the direction switching point 32X, and a second straight line 32D extending from the direction switching point 32X to the processing start point 31X. Consists of. The shape of the second curve 32C is an arc shape. The second straight line 32D and the first scribe line 31 are substantially continuous grooves. The direction switching point 32X is a point formed closer to the side of the intermediate layer 23 than the processing start point 31X, and the scanning direction of the blade 160 is switched from the first direction D1 to the second direction D2.
第２のスクライブライン３２は次の工程を経て形成される。刃物１６０がＸ方向において隣り合う一方の第１のスクライブライン３１の加工終了点３１Ｙに到達したとき、加工装置１００は、第２の曲線３２Ｃが形成されるように加工終了点３１Ｙから方向切替点３２Ｘまで刃物１６０を走査する。加工装置１００は次に、刃物１６０が方向切替点３２Ｘに到達したことに基づいて刃物１６０の走査を一旦停止し、方向切替点３２Ｘから加工開始点３１Ｘまで第２の方向Ｄ２に刃物１６０を走査する。 The second scribe line 32 is formed through the following steps. When the cutter 160 reaches the processing end point 31Y of one of the first scribe lines 31 adjacent in the X direction, the processing apparatus 100 changes the direction switching point from the processing end point 31Y so that the second curve 32C is formed. The blade 160 is scanned up to 32X. Next, the processing apparatus 100 temporarily stops scanning of the blade 160 based on the fact that the blade 160 has reached the direction switching point 32X, and scans the blade 160 in the second direction D2 from the direction switching point 32X to the processing start point 31X. To do.
・第２のスクライブライン３２が取り得る形状は、上記実施の形態および第１の変形例〜第３の変形例に例示された形状に限られず、さらに別の種々の形状を取り得る。その第１の例は２本の直線により形成され、１つの頂点を有する山形である。第２の例は３本の直線により形成され、２つの頂点を有する山形である。第３の例は複数の変曲点を有する曲線である。 -The shape which the 2nd scribe line 32 can take is not restricted to the shape illustrated by the said embodiment and the 1st modification-the 3rd modification, It can take another various shape. The first example is a mountain shape formed by two straight lines and having one vertex. The second example is a chevron formed by three straight lines and having two vertices. The third example is a curve having a plurality of inflection points.
・上記実施の形態の走査手段は、第１のアクチュエータ２０１、第２のアクチュエータ２０２、および、ヘッドガイド１７０により構成され、本体１１０に固定されたステージ１３０に対してヘッド１５０を移動させることにより刃物１６０を走査しているが、走査手段の構成はこれに限られず任意に変更可能である。変形例の走査手段は、例えば本体１１０に対して移動可能なステージ１３０、および、ステージ１３０を本体１１０に対して移動させるアクチュエータを備える。ヘッド１５０は本体１１０に固定される。この走査手段は、ヘッド１５０に対してステージ１３０を移動させることにより刃物１６０を走査する。走査手段に関するさらに別の変形例は、第１のアクチュエータ２０１、第２のアクチュエータ２０２、ヘッドガイド１７０、本体１１０に対して移動可能なステージ１３０、および、ステージ１３０を本体１１０に対して移動させるアクチュエータを備える。この走査手段は、ヘッドガイド１７０をステージ１３０に対して移動させること、および、ステージ１３０をヘッドガイド１７０に対して移動させることができる。 The scanning unit of the above embodiment includes the first actuator 201, the second actuator 202, and the head guide 170, and moves the head 150 with respect to the stage 130 fixed to the main body 110, thereby cutting the blade. Although 160 is scanned, the configuration of the scanning means is not limited to this, and can be arbitrarily changed. The scanning unit according to the modification includes, for example, a stage 130 that can move with respect to the main body 110 and an actuator that moves the stage 130 with respect to the main body 110. The head 150 is fixed to the main body 110. The scanning unit scans the blade 160 by moving the stage 130 with respect to the head 150. Still another modification regarding the scanning means includes a first actuator 201, a second actuator 202, a head guide 170, a stage 130 that can move relative to the main body 110, and an actuator that moves the stage 130 relative to the main body 110. Is provided. This scanning unit can move the head guide 170 with respect to the stage 130 and can move the stage 130 with respect to the head guide 170.
１ ：薄膜太陽電池
１０ ：基板
２０ ：薄膜
３０ ：スクライブライン
３１ ：第１のスクライブライン
３１Ｘ：加工開始点
３１Ｙ：加工終了点
３２ ：第２のスクライブライン
１００：加工装置
１２０：制御装置
１３０：ステージ
１６０：刃物
１６１：刃先
1: thin film solar cell 10: substrate 20: thin film 30: scribe line 31: first scribe line 31X: processing start point 31Y: processing end point 32: second scribe line 100: processing device 120: control device 130: stage 160: Cutting tool 161: Cutting edge
Claims (7)
前記薄膜にスクライブラインを形成する刃物と、
前記刃物を前記薄膜に押し付けるヘッドと、
前記ヘッドを前記ステージに対して相対的に移動させることにより、互いに平行な少なくとも２本の第１のスクライブラインが前記薄膜に形成されるように前記刃物を走査する走査手段と、
前記ヘッドおよび前記走査手段の動作を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの一方の加工終了点から前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの他方の加工開始点まで前記刃物を前記薄膜に押し付けながら走査することにより前記加工終了点と前記加工開始点とを繋げる第２のスクライブラインを前記薄膜に形成し、前記第２のスクライブラインの加工開始点から所定の位置までの部分の形成時において前記刃物を前記薄膜に押し付ける力である押付力を前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも弱くし、前記所定の位置から前記第２のスクライブラインの加工終了点までの部分の形成時における前記押付力を前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも強くする
薄膜太陽電池の加工装置。 A stage on which a substrate on which a thin film is formed is placed;
A blade for forming a scribe line in the thin film;
A head for pressing the blade against the thin film;
Scanning means for scanning the blade so that at least two first scribe lines parallel to each other are formed on the thin film by moving the head relative to the stage;
A control device for controlling the operation of the head and the scanning means,
The control device performs scanning while pressing the blade against the thin film from one processing end point of the at least two first scribe lines to the other processing start point of the at least two first scribe lines. To form a second scribe line connecting the processing end point and the processing start point on the thin film, and when the portion from the processing start point of the second scribe line to a predetermined position is formed, The pressing force, which is a pressing force against the thin film, is made weaker than the pressing force at the time of forming the first scribe line, and the portion at the time of forming the portion from the predetermined position to the processing end point of the second scribe line is reduced. An apparatus for processing a thin-film solar cell, wherein a pressing force is made stronger than the pressing force at the time of forming the first scribe line .
請求項１に記載の薄膜太陽電池の加工装置。 2. The thin film solar cell according to claim 1, wherein the control device makes a scanning speed of the blade at the time of forming the second scribe line slower than a scanning speed of the blade at the time of forming the first scribe line. Processing equipment.
請求項１または２に記載の薄膜太陽電池の加工装置。 It said predetermined position processing device of the thin-film solar cell according to claim 1 or 2 which is the position immediately before the machining end point of the second scribe line.
請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の加工装置。 The thin film solar cell according to any one of claims 1 to 3 , wherein the control device controls the operation of the scanning unit so that the second scribe line having an arc shape is formed in the thin film. Processing equipment.
請求項１〜４のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の加工装置。 The thin film solar cell processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein the control device controls the operation of the scanning unit so that the blade reciprocates on the same portion on the second scribe line. .
請求項１〜５のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の加工装置。 The thin-film solar cell processing device according to any one of claims 1 to 5 , wherein a shape of a blade edge of the blade in a cross section intersecting with a longitudinal direction of the blade is circular.
前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの一方が前記薄膜に形成されるように前記刃物を走査する第１の工程と、
前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの一方の加工終了点から前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの他方の加工開始点まで前記刃物を前記薄膜に押し付けながら走査することにより前記加工終了点と前記加工開始点とを繋げる第２のスクライブラインを前記薄膜に形成する第２の工程と、
前記少なくとも２本の第１のスクライブラインの他方が前記薄膜に形成されるように前記刃物を走査する第３の工程とを備え、
前記第２の工程では、前記第２のスクライブラインの加工開始点から所定の位置までの部分の形成時において前記刃物を前記薄膜に押し付ける力である押付力を、前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも弱くし、前記所定の位置から前記第２のスクライブラインの加工終了点までの部分の形成時における前記押付力を前記第１のスクライブラインの形成時における前記押付力よりも強くする
薄膜太陽電池の加工方法。 A thin film solar cell processing method for forming at least two first scribe lines parallel to each other by scanning the blade in a state in which the blade is pressed against the thin film formed on the substrate,
A first step of scanning the blade so that one of the at least two first scribe lines is formed in the thin film;
The processing end point is scanned by pressing the blade against the thin film from one processing end point of the at least two first scribe lines to the other processing start point of the at least two first scribe lines. And a second step of forming, on the thin film, a second scribe line connecting the processing start point and
And a third step of scanning the blade so that the other of the at least two first scribe lines is formed on the thin film ,
In the second step, when the portion from the processing start point of the second scribe line to a predetermined position is formed, a pressing force, which is a force for pressing the blade against the thin film, is formed on the first scribe line. The pressing force at the time of forming the portion from the predetermined position to the processing end point of the second scribe line is less than the pressing force at the time of forming the first scribe line. Thin film solar cell processing method to make it stronger .
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