JP6570547B2 - 制御装置、制御システムおよび高周波電力発生装置 - Google Patents
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 title description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 82
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 25
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 2
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
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- G05B11/06—Automatic controllers electric in which the output signal represents a continuous function of the deviation from the desired value, i.e. continuous controllers
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- H03H7/38—Impedance-matching networks
- H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Description
a.第1の目標値と第1の瞬時値と補正値との供給を受ける第1の制御器であって、当該補正値を考慮して第1の操作値を生成するように構成された第1の制御器と、
b.制御値の供給を受ける補正値算出装置であって、前記制御値および設定値を考慮して補正値を算出するように構成された補正値算出装置と、
を備えている。
a.第1の目標値と第1の瞬時値と補正値との供給を受ける第1の制御器であって、当該補正値を考慮して第1の操作値を生成するように構成された第1の制御器と、
b.制御値の供給を受ける補正値算出装置であって、前記制御値および設定値を考慮して補正値を算出するように構成された補正値算出装置と、
を備えており、
c.補正値算出装置および第1の制御器は、制御値が設定値から偏差する場合、第1の制御器の調整がなされた状態において第1の瞬時値を第1の目標値から偏差させるように、補正値が当該第1の制御器に影響を及ぼすように構成されている
制御装置により解決される。
a.第1の目標値と第1の瞬時値と補正値とから、第1の制御器の第1の操作値を生成するステップと、
b.制御値と設定値とから補正値を算出するステップと、
を有し、
c.制御値が設定値から偏差する場合、第1の制御器の調整がなされた状態において第1の瞬時値を第1の目標値から偏差させるように補正値を生成する
方法にも関する。
Claims (11)
- 高周波気体放電装置(7)における高周波電力発生器の出力インピーダンスのインピーダンス整合および/または電力制御のための制御装置(6)であって、
a.反射電力に関する第1の目標値(14)と前記反射電力に関する第1の瞬時値(12)と補正値(15)との供給を受ける第1の制御器(13)であって、当該補正値(15)を考慮して前記高周波気体放電装置(7)に対する第1の操作値(22)を生成するように構成された第1の制御器(13)と、
b.前記第1の操作値(22)または前記第1の操作値(22)によって直接的もしくは間接的に影響を受ける量である制御値(24)の供給を受ける補正値算出装置(16)であって、当該制御値(24)および前記高周波気体放電装置(7)の調整のための設定値(17)を考慮して前記補正値(15)を算出するように構成された補正値算出装置(16)と、
を備えている制御装置(6)において、
c.前記補正値算出装置(16)および前記第1の制御器(13)は、前記制御値(24)が前記設定値(17)から偏差する場合、前記第1の制御器(13)の調整がなされた状態において前記第1の瞬時値(12)を前記第1の目標値(14)から偏差させ、前記設定値(17)からの前記制御値(24)の偏差を減少させるように、前記補正値(15)が決定され、
前記第1の操作値(22)は、前記反射電力が0Wにならないように生成される、
ことを特徴とする制御装置(6)。 - 前記第1の制御器(13)は、積分器(40,40’)を有し、
前記補正値(15)は、前記積分器(40,40’)の積分成分としての前記第1の操作値(22)の積分成分に加算され、または、前記積分器(40,40’)の積分成分としての前記第1の操作値(22)の積分成分と乗算されて、後続の前記第1の操作値(22)の生成のために用いられる、
請求項1記載の制御装置。 - 前記補正値(15)は、前記設定値(17)と前記制御値(24)との偏差の関数である、
請求項1または2記載の制御装置。 - 請求項1から3までのいずれか1項記載の第1の制御装置(6)と、
前記第1の瞬時値(12)または当該第1の瞬時値(12)に関連する瞬時量の供給を受ける第2の制御装置(11)と、
を備えた制御システム(10)であって、
前記第2の制御装置(11)は、第2の操作値(28)を生成するように構成されている
ことを特徴とする制御システム(10)。 - 高周波電力発生器(3)と、
第1の瞬時値(12)を求めるための測定装置(4)と、
請求項1から3までのいずれか1項記載の制御装置(6)と、
を備えていることを特徴とする高周波発生装置(2)。 - 前記第1の操作値(22)は、前記高周波電力発生器(3)の周波数に影響を及ぼす、
請求項5記載の高周波発生装置。 - 高周波電力発生器(3)と、
第1の瞬時値(12)を求めるための測定装置(4)と、
請求項4記載の制御システム(10)と
を備えていることを特徴とする高周波発生装置(2)。 - 高周波電力発生器(3)と、
前記高周波電力発生器(3)によって生成された電力の供給を受けられるように当該高周波電力発生器(3)に接続されているプラズマ放電部と、
第1の瞬時値(12)を求めるための測定装置(4)と、
請求項1から3までのいずれか1項記載の制御装置(6)と、
を備えていることを特徴とするプラズマ励起システム(1)。 - 高周波電力発生器(3)と、
前記高周波電力発生器(3)によって生成された電力の供給を受けられるように当該高周波電力発生器(3)に接続されているプラズマ放電部と、
第1の瞬時値(12)を求めるための測定装置(4)と、
請求項4記載の制御システム(10)と、
を備えていることを特徴とするプラズマ励起システム(1)。 - 高周波気体放電装置(7)における高周波電力発生器(3)の出力インピーダンスのインピーダンス整合および/または電力制御のための方法であって、
a.反射電力に関する第1の目標値(14)と前記反射電力に関する第1の瞬時値(12)と補正値(15)とから、前記高周波気体放電装置(7)に対する第1の制御器(13)の第1の操作値(22)を生成するステップと、
b.前記第1の操作値(22)または前記第1の操作値(22)によって直接的もしくは間接的に影響を受ける量である制御値(24)と、前記高周波気体放電装置(7)の調整のための設定値(17)とから前記補正値(15)を算出するステップと、
を有する方法において、
c.前記制御値(24)が前記設定値(17)から偏差する場合、前記第1の制御器(13)の調整がなされた状態において前記第1の瞬時値(12)を前記第1の目標値(14)から偏差させ、前記設定値(17)からの前記制御値(24)の偏差を減少させるように前記補正値(15)を決定し、
前記第1の操作値(22)は、前記反射電力が0Wにならないように生成される、
ことを特徴とする方法。 - ステップa,b,cを第1の制御装置(6)において行い、
第2の瞬時値(27)または当該第2の瞬時値(27)に関連する値をさらに、第2の制御装置(11)によって制御する、
請求項10記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014209469.0A DE102014209469A1 (de) | 2014-05-19 | 2014-05-19 | Regelungsanordnung, Regelsystem und Hochfrequenzleistungserzeugungsvorrichtung |
DE102014209469.0 | 2014-05-19 | ||
PCT/EP2015/060853 WO2015177075A1 (de) | 2014-05-19 | 2015-05-18 | Regelungsanordnung, regelsystem und hochfrequenzleistungserzeugungsvorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017517848A JP2017517848A (ja) | 2017-06-29 |
JP6570547B2 true JP6570547B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=53276084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016568636A Active JP6570547B2 (ja) | 2014-05-19 | 2015-05-18 | 制御装置、制御システムおよび高周波電力発生装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10354840B2 (ja) |
JP (1) | JP6570547B2 (ja) |
KR (1) | KR102346570B1 (ja) |
CN (1) | CN106462115B (ja) |
DE (1) | DE102014209469A1 (ja) |
WO (1) | WO2015177075A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015212152B4 (de) * | 2015-06-30 | 2018-03-15 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Nicht lineare Hochfrequenzverstärkeranordnung |
DE102015212247A1 (de) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Hochfrequenzverstärkeranordnung |
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EP3396700A1 (en) * | 2017-04-27 | 2018-10-31 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Power converter unit, plasma processing equipment and method of controlling several plasma processes |
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KR102478203B1 (ko) * | 2021-01-19 | 2022-12-16 | (주)이큐글로벌 | 알에프 파워 전달 시스템 및 이에 있어서 파워 보정 방법 |
DE102021201937A1 (de) | 2021-03-01 | 2022-09-01 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Impedanzanpassung, Impedanzanpassungsanordnung und Plasmasystem |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2014
- 2014-05-19 DE DE102014209469.0A patent/DE102014209469A1/de active Pending
-
2015
- 2015-05-18 CN CN201580032851.7A patent/CN106462115B/zh active Active
- 2015-05-18 JP JP2016568636A patent/JP6570547B2/ja active Active
- 2015-05-18 WO PCT/EP2015/060853 patent/WO2015177075A1/de active Application Filing
- 2015-05-18 KR KR1020167035026A patent/KR102346570B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-11-18 US US15/355,330 patent/US10354840B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102346570B1 (ko) | 2021-12-31 |
WO2015177075A1 (de) | 2015-11-26 |
KR20170010795A (ko) | 2017-02-01 |
JP2017517848A (ja) | 2017-06-29 |
DE102014209469A1 (de) | 2015-11-19 |
US20170069465A1 (en) | 2017-03-09 |
US10354840B2 (en) | 2019-07-16 |
CN106462115B (zh) | 2019-10-18 |
CN106462115A (zh) | 2017-02-22 |
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