JP6567831B2 - Crystal device - Google Patents

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、移動通信機器等の電子機器で用いられる水晶デバイスに関する。   The present invention relates to a crystal device used in electronic equipment such as mobile communication equipment.

水晶デバイスは、例えば、基板と蓋体とが接合され、基板と蓋体とで形成される凹部内に、基板の上面に実装されている水晶片が気密封止された構造となっている。水晶片は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、互いに直交しているX軸とY軸とZ軸とからなる結晶軸を有している水晶ウエハを用いて、水晶ウエハの所定の位置に、主面の所定の一辺側で固定された状態の水晶片部が形成された後、この水晶片部の所定の一辺側を折り取り、個片化して形成している。   The quartz crystal device has, for example, a structure in which a substrate and a lid are joined and a quartz piece mounted on the upper surface of the substrate is hermetically sealed in a recess formed by the substrate and the lid. The crystal piece is placed at a predetermined position of the crystal wafer by using a crystal wafer having crystal axes composed of an X axis, a Y axis, and a Z axis that are orthogonal to each other, for example, by photolithography technology and etching technology. After the crystal piece portion fixed in a predetermined side of the main surface is formed, the predetermined one side of the crystal piece portion is folded and separated into individual pieces.

このような水晶片には、所定の金属パターン、具体的には、第一励振電極部、第二励振電極部、第一配線部、第二配線部、第一搭載端子、第二搭載端子、第一引出端子および第一接続部が一体的に形成されている。第一励振電極部は、水晶片の上面に設けられている。第一配線部は、第一励振電極部から水晶片の上面の縁部にまで延設されている。第一引出端子は、第一配線部の端部に接続するように、水晶片の上面の縁部に設けられている。第一搭載端子は、水晶片の下面であって第一引出端子と対向する位置に設けられている。第一接続部は、一端が第一引出端子に接続されつつ他端が第一搭載端子に接続するように、水晶片の側面に設けられている。第二励振電極部は、水晶片の下面に設けられている。第二配線部は、第二励振電極部から水晶片の下面の縁部にまで延設されている。第二搭載端子は、第二配線部の端部に接続するように、水晶片の下面の縁部に設けられている。金属パターンが設けられている水晶片は、搭載端子(第一搭載端子および第二搭載端子)と基板の上面に設けられている搭載パッド(第一搭載パッドおよび第二搭載パッド)とが、導電性接着剤が塗付、硬化されることにより接着されて、基板の上面に実装されている(例えば、特許文献1参照)。   Such a crystal piece has a predetermined metal pattern, specifically, a first excitation electrode part, a second excitation electrode part, a first wiring part, a second wiring part, a first mounting terminal, a second mounting terminal, The first lead terminal and the first connection portion are integrally formed. The first excitation electrode part is provided on the upper surface of the crystal piece. The first wiring portion extends from the first excitation electrode portion to the edge portion of the upper surface of the crystal piece. The first lead terminal is provided on the edge of the upper surface of the crystal piece so as to be connected to the end of the first wiring part. The first mounting terminal is provided on the lower surface of the crystal piece at a position facing the first lead terminal. The first connection portion is provided on the side surface of the crystal piece so that one end is connected to the first lead terminal and the other end is connected to the first mounting terminal. The second excitation electrode part is provided on the lower surface of the crystal piece. The second wiring portion extends from the second excitation electrode portion to the edge portion of the lower surface of the crystal piece. The second mounting terminal is provided on the edge of the lower surface of the crystal piece so as to be connected to the end of the second wiring part. In the crystal piece provided with the metal pattern, the mounting terminals (first mounting terminal and second mounting terminal) and the mounting pads (first mounting pad and second mounting pad) provided on the upper surface of the substrate are electrically connected. The adhesive is applied and cured by being applied and mounted on the upper surface of the substrate (see, for example, Patent Document 1).

特開2014−11647号公報JP 2014-11647 A

従来の水晶デバイスでは、水晶片の上面の縁部に第一引出端子が設けられ、水晶片の下面の縁部に第一搭載端子が設けられ、水晶片の側面に一端が第一引出端子と接続されつつ他端が第一搭載端子と接続するように第一接続部が設けられており、第一引出端子、第一搭載端子および第一接続部が上下方向の厚みが同じとなるように一体的に設けられている。従って、従来の水晶デバイスでは、第一搭載端子と第一搭載パッドとの間に設けられている導電性接着剤を硬化させるときに生じる収縮応力が第一接続部に加わった場合、第一接続部と第一引出端子との接続箇所である水晶片の上面の端部、または、第一接続部と第一搭載端子との接続箇所である水晶片の下面の端部に応力が集中してしまい、水晶片の上面の端部、または、水晶片の下面の端部にて、第一接続部が剥離し、第一接続部と第一搭載端子との間、および、第一接続部と第一引出端子との間での導通不良が生じ、等価直列抵抗値が大きくなってしまう虞がある。   In the conventional crystal device, the first lead terminal is provided at the edge of the upper surface of the crystal piece, the first mounting terminal is provided at the edge of the lower face of the crystal piece, and one end is connected to the first lead terminal on the side surface of the crystal piece. The first connection part is provided so that the other end is connected to the first mounting terminal while being connected, so that the first drawer terminal, the first mounting terminal, and the first connection part have the same vertical thickness. It is provided integrally. Therefore, in the conventional crystal device, when the shrinkage stress generated when the conductive adhesive provided between the first mounting terminal and the first mounting pad is cured is applied to the first connection portion, the first connection Stress concentrates on the end of the top surface of the crystal piece, which is the connection location between the first lead terminal, or the end of the bottom surface of the crystal piece, which is the connection location between the first connection portion and the first mounting terminal. Therefore, at the end of the upper surface of the crystal piece or the end of the lower surface of the crystal piece, the first connection portion is peeled off, between the first connection portion and the first mounting terminal, and the first connection portion. There is a possibility that a conduction failure with the first lead terminal occurs and the equivalent series resistance value becomes large.

本発明では、接続部と引出端子との間、および接続部と搭載端子との間での導通不良を低減させることで、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる水晶デバイスを提供することを目的とする。   The present invention provides a crystal device capable of reducing an increase in equivalent series resistance value by reducing poor conduction between the connection portion and the lead terminal and between the connection portion and the mounting terminal. The purpose is to do.

前述した課題を解決するために、本発明に係る水晶デバイスは、略直方体形状の水晶片と、水晶片の上面に設けられている第一励振電極部と、第一励振電極部から水晶片の上面の縁部にまで延設されている第一配線部と、第一配線部に接続するように水晶片の上面の縁部に設けられている第一引出端子と、水晶片の下面の前記第一引出端子と対向する位置に設けられている第一搭載端子と、一端が前記第一引出端子と重なりつつ他端が第一搭載端子と重なるように設けられている第一接続部と、水晶片の下面に設けられている第二励振電極部と、第二励振電極部から水晶片の下面の縁部にまで延設されている第二配線部と、第二配線部に接続するように水晶片の下面の縁部に設けられている第二搭載端子と、第一搭載パッドおよび第二搭載パッドが上面に設けられている基板と、第一搭載パッドと第一搭載端子との間、および、第二搭載パッドと第二搭載端子との間に設けられている導電性接着剤と、基板の上面に接合される蓋体と、を備え、水晶片の側面を平面視した際の水晶片に設けられた第一接続部の幅が、水晶片の上面を平面視した際の水晶片の上面に設けられた第一接続部の幅と比較して狭くなっている。
In order to solve the above-described problems, a crystal device according to the present invention includes a substantially rectangular parallelepiped crystal piece, a first excitation electrode portion provided on an upper surface of the crystal piece, and a crystal piece from the first excitation electrode portion. A first wiring portion extending to an edge of the upper surface, a first lead terminal provided at an edge of the upper surface of the crystal piece so as to connect to the first wiring portion, and the lower surface of the crystal piece A first mounting terminal provided at a position facing the first lead terminal, a first connection part provided so that one end overlaps the first lead terminal and the other end overlaps the first mount terminal; The second excitation electrode portion provided on the lower surface of the crystal piece, the second wiring portion extending from the second excitation electrode portion to the edge of the lower surface of the crystal piece, and the second wiring portion A second mounting terminal, a first mounting pad and a second mounting pad provided on the edge of the lower surface of the crystal piece. A conductive adhesive provided between the first mounting pad and the first mounting terminal, and the second mounting pad and the second mounting terminal; A lid joined to the upper surface of the crystal piece, and the width of the first connecting portion provided on the crystal piece when the side surface of the crystal piece is viewed in plan is the width of the crystal piece when the upper surface of the crystal piece is viewed in plan It is narrower than the width of the first connection portion provided on the upper surface.

本発明に係る水晶デバイスでは、水晶片の上面の縁部に第一引出端子が設けられ、水晶片の下面の縁部に第一搭載端子が設けられ、一端が第一引出端子と重なりつつ他端が第一搭載端子と重なるように第一接続部が設けられ、水晶片の側面を平面視した際の水晶片に設けられた第一接続部の幅が、水晶片の上面を平面視した際の水晶片の上面に設けられた
第一接続部の幅と比較して狭くなっているので、第一搭載端子と第一搭載パッドとの間に設けられている導電性接着剤を固化させるときに生じる収縮応力が第一接続部に加わった場合、第一接続部と第一引出端子との接続箇所である水晶片の上面の端部、または、第一接続部と第一搭載端子との接続箇所である水晶片の下面の端部における応力集中を従来と比較して、緩和させることができる。従って、本発明に係る水晶デバイスでは、従来と比較して、水晶片の上面または下面の端部における応力集中を緩和させることができ、水晶片の端部における接続部の剥離を低減させることが可能となり、導電性接着剤が硬化するときに生じる収縮応力が第一接続部に加わった場合、第一接続部が応力集中により水晶片の端部で剥離し、第一接続部と第一引出端子との導通不良、または、第一接続部と第一搭載端子との導通不良を低減させることができる。この結果、本発明に係る水晶デバイスでは、第一接続部と第一搭載端子との間、および、第一接続部と第一引出端子との間での導通不良が原因となり等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。
In the crystal device according to the present invention, the first lead terminal is provided at the edge of the top surface of the crystal piece, the first mounting terminal is provided at the edge of the bottom surface of the crystal piece, and one end overlaps the first lead terminal. The first connection portion is provided so that the end overlaps the first mounting terminal, and the width of the first connection portion provided in the crystal piece when the side surface of the crystal piece is viewed in plan is the plan view of the upper surface of the crystal piece On the top of the quartz piece
Since the width of the first connecting portion is narrower than that of the first connecting portion, the shrinkage stress generated when the conductive adhesive provided between the first mounting terminal and the first mounting pad is solidified is the first connecting portion. In addition to the end of the upper surface of the crystal piece that is the connection location between the first connection portion and the first lead terminal, or the lower surface of the crystal piece that is the connection location between the first connection portion and the first mounting terminal. The stress concentration at the end can be relaxed compared to the conventional case. Therefore, in the quartz crystal device according to the present invention, compared to the conventional case, the stress concentration at the end of the upper surface or the lower surface of the quartz piece can be relaxed, and the peeling of the connection portion at the end of the quartz piece can be reduced. When the shrinkage stress generated when the conductive adhesive hardens is applied to the first connection part, the first connection part peels off at the end of the crystal piece due to the stress concentration, and the first connection part and the first drawer It is possible to reduce a conduction failure with the terminal or a conduction failure between the first connection portion and the first mounting terminal. As a result, in the quartz crystal device according to the present invention, the equivalent series resistance value between the first connection portion and the first mounting terminal and between the first connection portion and the first lead terminal is caused by poor conduction. It becomes possible to reduce the increase.

本発明に係る水晶デバイスの斜視図である。1 is a perspective view of a crystal device according to the present invention. 図1のA−A断面における断面図である。It is sectional drawing in the AA cross section of FIG. 本発明に係る水晶デバイスで用いる水晶素子の斜視図である。It is a perspective view of the crystal element used with the crystal device concerning the present invention. (a)は、本発明に係る水晶デバイスで用いる水晶素子の上面の平面図であり、(b)は、本発明に係る水晶デバイスで用いる水晶素子の下面を上面から透視した透視図である。(A) is a top view of the upper surface of the crystal element used in the crystal device according to the present invention, and (b) is a perspective view of the lower surface of the crystal element used in the crystal device according to the present invention seen through from above. 図4のB部の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the B section of FIG. (a)は、図4(b)のC−C断面における断面図であり、(b)は、図6(a)のD部の拡大図である。(A) is sectional drawing in CC cross section of FIG.4 (b), (b) is an enlarged view of the D section of Fig.6 (a). 厚みすべり振動の振動状態のイメージを示すイメージ図である。It is an image figure which shows the image of the vibration state of thickness shear vibration.

本発明に係る水晶デバイスは、図1〜図6に示されているように、水晶素子120と、水晶素子120が実装されている基板110と、基板110と接合され、水晶素子120を基板110とで形成される凹部133内に気密封止する蓋体130と、から構成されている。   As shown in FIGS. 1 to 6, the crystal device according to the present invention is bonded to the crystal element 120, the substrate 110 on which the crystal element 120 is mounted, and the substrate 110. And a lid 130 hermetically sealed in a recess 133 formed by

基板110は、水晶素子120を実装するためのものである。基板110は、図1および図2に示したように、例えば、平板状の矩形形状に形成されており、一方の主面に一対の搭載パッド111が設けられ、他方の主面に複数の外部端子112が設けられている。また、基板110には、一対の搭載パッド111と所定の外部端子112とを電気的に接続するための配線パターン(図示せず)が設けられている。基板110は、例えば、アルミナセラミックス、または、ガラスーセラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなっている。基板110は、絶縁層を一層で用いたものであっても、絶縁層を複数積層させたものであってもよい。   The substrate 110 is for mounting the crystal element 120. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 110 is formed in, for example, a flat rectangular shape, a pair of mounting pads 111 is provided on one main surface, and a plurality of external pads are provided on the other main surface. A terminal 112 is provided. The substrate 110 is provided with a wiring pattern (not shown) for electrically connecting the pair of mounting pads 111 and a predetermined external terminal 112. The substrate 110 is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110 may be one in which an insulating layer is used, or a plurality of insulating layers may be stacked.

ここで、図面に合わせて、外部端子112が設けられている基板110の他方の主面を基板110の下面とし、この基板110の下面と反対側を向く基板110の一方の主面を基板110の上面とする。   Here, according to the drawing, the other main surface of the substrate 110 on which the external terminals 112 are provided is the lower surface of the substrate 110, and one main surface of the substrate 110 facing the opposite side of the lower surface of the substrate 110 is the substrate 110. The top surface.

搭載パッド111は、水晶素子120を基板110に実装するためのものである。搭載パッド111は、例えば、基板110の上面を平面視したとき、基板110の短辺に沿って二つ並ぶように基板110の上面に設けられている。   The mounting pad 111 is for mounting the crystal element 120 on the substrate 110. For example, when the upper surface of the substrate 110 is viewed in plan, the mounting pads 111 are provided on the upper surface of the substrate 110 so as to be arranged along the short side of the substrate 110.

外部端子112は、電子機器等のマザーボードに実装するためのものであり、電子機器等のマザーボードに実装する際、マザーボード上にある所定の実装パッド(図示せず)に半田等により、接続固着される。外部端子112は、例えば、四つ設けられており、基板110の下面の四隅に一つずつ設けられている。外部端子112のうち所定の二つは、基板110設けられている配線パターン(図示せず)によって、基板110の上面に設けられている一対の搭載パッド111と電気的に接続されている。例えば、基板110は、基板110の上面を平面視して、長辺の寸法が0.6〜5.0mmとなっており、短辺の寸法が0.4〜3.2mmとなっている。   The external terminal 112 is for mounting on a motherboard such as an electronic device. When the external terminal 112 is mounted on a motherboard such as an electronic device, the external terminal 112 is connected and fixed to a predetermined mounting pad (not shown) on the motherboard by soldering or the like. The For example, four external terminals 112 are provided, one at each of the four corners of the lower surface of the substrate 110. Two of the external terminals 112 are electrically connected to a pair of mounting pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110 by a wiring pattern (not shown) provided on the substrate 110. For example, the substrate 110 has a long side dimension of 0.6 to 5.0 mm and a short side dimension of 0.4 to 3.2 mm in plan view of the upper surface of the substrate 110.

ここで、基板110の作製方法について説明する。基板110がアルミナセラミクッスからなる場合、まず、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加し混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面、または、セラミックグリーンシートに打ち抜きを施し予め設けていた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等を用いて導体パターンとなる位置に所定の導電ペーストを塗布する。次に、複数の絶縁層が積層されている場合にはセラミックグリーンシートを積層させプレス加工して高温で焼成する。焼成後、導体パターンの所定の部位、具体的には、搭載パッド111、外部端子112および配線パターン(図示せず)となる部分に、ニッケルメッキ、または、金メッキ等を施すことにより基板110が作製される。また、導電ペーストは、例えば、タングステン、モリブデン、銅、銀またはパラジウム等の金属封末の焼結体等から構成されている。   Here, a method for manufacturing the substrate 110 is described. When the substrate 110 is made of alumina ceramic, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder is prepared. Also, a predetermined conductive paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or a through hole previously formed by punching the ceramic green sheet at a position to be a conductor pattern by using conventionally known screen printing or the like. Next, when a plurality of insulating layers are laminated, ceramic green sheets are laminated, pressed, and fired at a high temperature. After firing, the substrate 110 is produced by applying nickel plating, gold plating, or the like to predetermined portions of the conductor pattern, specifically, the mounting pad 111, the external terminal 112, and the portion that becomes the wiring pattern (not shown). Is done. The conductive paste is made of, for example, a sintered body of metal powder such as tungsten, molybdenum, copper, silver, or palladium.

水晶素子120は、安定した機械振動を得ることができ、電子機器等の基準信号を発信するためのものである。水晶素子120は、水晶片121と、水晶片121の表面上に形成されている金属パターン、具体的には、励振電極部122(122a,122b)、配線部123(123a,123b)、引出端子124(124a,124b)、搭載端子125(125a,125b)および接続部126(126a,126b)と、からなる。また、水晶素子120は、図2に示したように、導電性接着剤140によって、水晶片121の下面に設けられている金属パターンの一部、具体的には、搭載端子125が、基板110の上面に設けられている一対の搭載パッド111と接着保持され電気的に接続された状態で、基板110の上面に実装されている。   The quartz crystal element 120 can obtain a stable mechanical vibration and transmits a reference signal for an electronic device or the like. The crystal element 120 includes a crystal piece 121 and a metal pattern formed on the surface of the crystal piece 121, specifically, an excitation electrode portion 122 (122a, 122b), a wiring portion 123 (123a, 123b), and an extraction terminal. 124 (124a, 124b), a mounting terminal 125 (125a, 125b), and a connection portion 126 (126a, 126b). Further, as shown in FIG. 2, the crystal element 120 has a part of the metal pattern provided on the lower surface of the crystal piece 121, specifically, the mounting terminal 125 by the conductive adhesive 140. A pair of mounting pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110 are mounted on the upper surface of the substrate 110 while being bonded and held in electrical connection.

ここで、図面に合わせて、基板110に実装されたとき、基板110の上面を向く水晶片121の面を水晶片121の下面とし、この水晶片121の下面と反対側を向く水晶片121の面を水晶片121の上面とする。また、水晶片121の上面および水晶片121の下面を水晶片121の主面とする。   Here, according to the drawing, when mounted on the substrate 110, the surface of the crystal piece 121 facing the upper surface of the substrate 110 is the lower surface of the crystal piece 121, and the crystal piece 121 facing the opposite side of the lower surface of the crystal piece 121 is The surface is the upper surface of the crystal piece 121. The upper surface of the crystal piece 121 and the lower surface of the crystal piece 121 are defined as the main surface of the crystal piece 121.

水晶片121は、安定した機械振動をする圧電材料が用いられ、例えば、水晶が用いられ、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて形成される。水晶片121は、互いに直交しているX軸とY軸とZ軸とからなる結晶軸を有しており、例えば、略矩形形状の平板状となっている。水晶片121の主面は、X軸およびZ軸と平行となっている面を、X軸を中心に、X軸の負の方向を見て反時計回りに回転させた面と平行となっており、例えば、約37°回転させた面と平行となっている。水晶片121の側面の一部には、Z軸に平行なm面(図示せず)が形成されている。m面は、水晶片121の主面となす角度が、90°と回転角度とを合わせた角度となっており、例えば、約123°となっている。このため、水晶片121は、水晶片121の両主面に電圧を印加し、厚みすべり振動させたとき、m面が形成されている水晶片121の端部において振動状態を変えることができ、水晶片121の端部での振動変位の減衰量を大きくすることができ、水晶素子120、ひいては、水晶デバイスの等価直列抵抗値が大きくなることを低減させている。   The crystal piece 121 is made of a piezoelectric material that performs stable mechanical vibration. For example, crystal is used, and is formed using a photolithography technique and an etching technique. The crystal piece 121 has a crystal axis composed of an X axis, a Y axis, and a Z axis that are orthogonal to each other, and has a substantially rectangular flat plate shape, for example. The main surface of the crystal piece 121 is parallel to a surface obtained by rotating a surface parallel to the X axis and the Z axis counterclockwise around the X axis as viewed in the negative direction of the X axis. For example, it is parallel to the surface rotated about 37 °. An m-plane (not shown) parallel to the Z axis is formed on a part of the side surface of the crystal piece 121. The m-plane has an angle formed with the main surface of the crystal piece 121, which is a combination of 90 ° and the rotation angle, for example, about 123 °. For this reason, when the crystal piece 121 applies a voltage to both main surfaces of the crystal piece 121 and vibrates in thickness, it can change the vibration state at the end of the crystal piece 121 where the m-plane is formed, The attenuation amount of the vibration displacement at the end portion of the crystal piece 121 can be increased, and the increase in the equivalent series resistance value of the crystal element 120 and thus the crystal device is reduced.

水晶片121の表面上に形成されている所定の金属パターンは、水晶片121の外部から水晶片121に電圧を印加するためのものである。また、水晶片121の表面上に形成されている所定の金属パターンは、励振電極122(第一励振電極122aおよび第二励振電極122b)、配線部123(第一配線部123aおよび第二配線部123b)、引出端子124(第一引出端子124aおよび第二引出端子124b)、搭載端子125(第一搭載端子125aおよび第二搭載端子125b)、および、接続端子126(第一接続部126aおよび第二接続部126b)からなっている。   The predetermined metal pattern formed on the surface of the crystal piece 121 is for applying a voltage to the crystal piece 121 from the outside of the crystal piece 121. Further, the predetermined metal pattern formed on the surface of the crystal piece 121 includes an excitation electrode 122 (first excitation electrode 122a and second excitation electrode 122b) and a wiring portion 123 (first wiring portion 123a and second wiring portion). 123b), the lead terminal 124 (the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b), the mounting terminal 125 (the first mounting terminal 125a and the second mounting terminal 125b), and the connection terminal 126 (the first connection portion 126a and the first lead terminal 124b). It consists of two connecting parts 126b).

励振電極部122は、水晶片121の一部分で逆圧電効果および圧電効果を生じさせ、水晶片121の一部分で機械振動をさせるためのものである。励振電極部122は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって水晶片121の所定の部分に設けられる。なお、ここで、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって設けている場合について説明しているが、水晶片121の所定の部分に設けることができれば、蒸着技術またはスパッタリング技術を用いてもよい。   The excitation electrode portion 122 is for causing a reverse piezoelectric effect and a piezoelectric effect in a part of the crystal piece 121 and causing mechanical vibration in a part of the crystal piece 121. The excitation electrode unit 122 is provided in a predetermined portion of the crystal piece 121 by, for example, a photolithography technique and an etching technique. Here, although the case where it is provided by a photolithography technique and an etching technique has been described, an evaporation technique or a sputtering technique may be used as long as it can be provided at a predetermined portion of the crystal piece 121.

励振電極部122は、第一励振電極部122aおよび第二励振電極部122bから構成されている。第一励振電極部122aは、水晶片121の上面に設けられており、水晶片121の上面を平面視して、略矩形形状となっている。第二励振電極部122bは、第一励振電極部122aと対向するように、水晶片121の下面に設けられている。また、第二励振電極部122bは、水晶片121の下面を平面視して、略矩形形状となっている。水晶片121の上面に設けられている第一励振電極部122a、および、水晶片121の下面に設けられている第二励振電極部122bに、電圧を印加することで、第一励振電極部122aと第二励振電極部122bとの間で電界を生じさせ、図7に示したように、水晶片121の上下方向(水晶片121の上面から水晶片121の下面に向かう向き)で振動する厚みすべり振動をさせることができる構成となっている。   The excitation electrode unit 122 includes a first excitation electrode unit 122a and a second excitation electrode unit 122b. The first excitation electrode portion 122a is provided on the upper surface of the crystal piece 121, and has a substantially rectangular shape when the upper surface of the crystal piece 121 is viewed in plan. The second excitation electrode portion 122b is provided on the lower surface of the crystal piece 121 so as to face the first excitation electrode portion 122a. Further, the second excitation electrode portion 122b has a substantially rectangular shape when the lower surface of the crystal piece 121 is viewed in plan. By applying a voltage to the first excitation electrode portion 122a provided on the upper surface of the crystal piece 121 and the second excitation electrode portion 122b provided on the lower surface of the crystal piece 121, the first excitation electrode portion 122a is applied. As shown in FIG. 7, an electric field is generated between the first excitation electrode portion 122 b and the second excitation electrode portion 122 b, and as shown in FIG. It has a configuration that can cause sliding vibration.

配線部123は、一端が励振電極部122に接続されており、励振電極部122へ電圧を印加するためのものである。配線部123は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、水晶片121の所定の部分に、励振電極部122と一体的に設けられている。   The wiring part 123 has one end connected to the excitation electrode part 122 and applies a voltage to the excitation electrode part 122. The wiring part 123 is provided integrally with the excitation electrode part 122 in a predetermined part of the crystal piece 121 by, for example, a photolithography technique and an etching technique.

配線部123は、第一配線部123aおよび第二配線部123bからなっている。第一配線部123aは、水晶片121の上面に設けられている第一励振電極部122aから水晶片121の上面の縁部にまで延設されており、一端が第一励振電極部122aに接続され、他端が第一引出端子124aに接続された状態となっている。第二配線部123bは、水晶片121の下面に設けられている第二励振電極部122bから水晶片121の下面の縁部にまで延設されており、一端が第二励振電極部122bに接続され、他端が第二搭載端子125bに接続された状態となっている。   The wiring part 123 includes a first wiring part 123a and a second wiring part 123b. The first wiring portion 123a extends from the first excitation electrode portion 122a provided on the upper surface of the crystal piece 121 to the edge of the upper surface of the crystal piece 121, and one end is connected to the first excitation electrode portion 122a. The other end is connected to the first lead terminal 124a. The second wiring portion 123b extends from the second excitation electrode portion 122b provided on the lower surface of the crystal piece 121 to the edge of the lower surface of the crystal piece 121, and one end is connected to the second excitation electrode portion 122b. The other end is connected to the second mounting terminal 125b.

引出端子124は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、水晶片121の上面の所定の位置に設けられている。引出端子124は、第一引出端子124aおよび第二引出端子124bからなっている。第一引出端子124aは、第一配線部123aの他端に接続するように、水晶片121の上面の縁部に設けられている。このとき、第一引出端子124aは、水晶片121の下面に設けられている第一搭載端子125aと対向する位置に設けられている。また、第一引出端子124aは、水晶片121の上面を平面視して、略矩形形状となっている。第二引出端子124bは、水晶片121の上面の縁部に設けられており、例えば、水晶片121の上面の所定の一辺の縁部に沿って第一引出端子124aと二つ並んで設けられている。   The lead terminal 124 is provided at a predetermined position on the upper surface of the crystal piece 121 by, for example, a photolithography technique and an etching technique. The lead terminal 124 includes a first lead terminal 124a and a second lead terminal 124b. The first lead terminal 124a is provided at the edge of the upper surface of the crystal piece 121 so as to be connected to the other end of the first wiring portion 123a. At this time, the first lead terminal 124 a is provided at a position facing the first mounting terminal 125 a provided on the lower surface of the crystal piece 121. The first lead terminal 124a has a substantially rectangular shape when the upper surface of the crystal piece 121 is viewed in plan. The second lead terminal 124b is provided at the edge of the upper surface of the crystal piece 121. For example, two second lead terminals 124b are provided side by side with the first lead terminal 124a along the edge of a predetermined side of the top surface of the crystal piece 121. ing.

このように引出端子124を水晶片121の上面に設けることで、第一励振電極部122aおよび第二励振電極部122bに電圧を印加させ、第一励振電極部122aおよび第二励振電極部122bに挟まれている水晶片121の一部分を厚みすべり振動させたときに、厚みすべり振動とは別に、水晶片121の輪郭が振動する輪郭すべり振動を、引出端子124の質量の分だけ振動しにくくなるので減衰させることができる。輪郭すべり振動は、厚みすべり振動とは別の振動のため、厚みすべり振動と結合する場合があり、厚みすべり振動と結合すると、等価直列抵抗値が大きくなってしまう虞がある。従って、本実施形態では、引出端子124を設けることで、引出端子124において、輪郭すべり振動の振動を減衰させ、輪郭すべり振動と厚みすべり振動との結合を低減させている。このため、輪郭すべり振動と厚みすべり振動との結合により等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。つまり、引出端子124が第一引出端子124aのみであってもこのような効果を奏することは可能である。また、引出端子124が第一引出端子124aおよび第二引出端子124bからなる場合には、第一引出端子124aだけの場合よりも、等価直列抵抗値が大きくなることをさらに低減させることが可能となる。   Thus, by providing the extraction terminal 124 on the upper surface of the crystal piece 121, a voltage is applied to the first excitation electrode portion 122a and the second excitation electrode portion 122b, and the first excitation electrode portion 122a and the second excitation electrode portion 122b are applied. When a portion of the sandwiched crystal piece 121 is subjected to a thickness-slip vibration, a contour-slip vibration in which the contour of the crystal piece 121 vibrates separately from the thickness-slip vibration is less likely to vibrate by the mass of the extraction terminal 124. So it can be attenuated. Since the contour slip vibration is a vibration different from the thickness shear vibration, it may be coupled with the thickness shear vibration. When coupled with the thickness shear vibration, the equivalent series resistance value may be increased. Therefore, in the present embodiment, by providing the lead terminal 124, the vibration of the contour slip vibration is attenuated in the lead terminal 124, and the coupling between the contour slip vibration and the thickness slip vibration is reduced. For this reason, it becomes possible to reduce an increase in the equivalent series resistance value due to the coupling between the contour slip vibration and the thickness shear vibration. That is, even if the lead terminal 124 is only the first lead terminal 124a, such an effect can be obtained. Further, when the lead terminal 124 includes the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b, it is possible to further reduce the increase in the equivalent series resistance value compared to the case where only the first lead terminal 124a is provided. Become.

また、水晶片121の上面の所定の一辺の縁部に沿って二つ並んで第一引出端子124aおよび第二引出端子124bを設けることによって、水晶素子120を導電性接着剤140で実装した場合に、水晶片121の下面の状態と水晶片121の上面の状態とをより近づけることが可能となる。水晶素子120を導電性接着剤140で実装する場合、図2に示したように、水晶片121の下面に設けられている第一搭載端子125aおよび第二搭載端子125bが導電性接着剤140により接着されることとり、水晶素子120の上面には導電性接着剤140が設けられない。従って、引出端子124を水晶片121の上面側に設けない場合には、水晶片121の下面側では導電性接着剤140により接着することで振動(厚みすべり振動および輪郭すべり振動)が影響され、水晶片121の上面側では振動(厚みすべり振動および輪郭すべり振動)が影響されない状態となっている。このため、水晶片121の上面側に第一引出端子124aよび第二引出端子124bを設けることで、水晶片121の上面側において第一引出端子124aおよび第二引出端子124bの質量の分だけ振動へ影響を与えることとなり、従来と比較して、水晶片121の上面側での振動に影響を与えることが可能となる。この結果、水晶素子120を導電性接着剤140で実装する場合、水晶片121の下面側と水晶片121の上面側とで振動への影響を近づけることができるため、振動バランスが良くなり、等価直列抵抗値が大きくなることをより低減させることができる。   When the crystal element 120 is mounted with the conductive adhesive 140 by providing two first lead terminals 124 a and second lead terminals 124 b along the edge of a predetermined side of the upper surface of the crystal piece 121. In addition, the state of the lower surface of the crystal piece 121 and the state of the upper surface of the crystal piece 121 can be made closer. When the crystal element 120 is mounted with the conductive adhesive 140, as shown in FIG. 2, the first mounting terminal 125 a and the second mounting terminal 125 b provided on the lower surface of the crystal piece 121 are formed by the conductive adhesive 140. As a result of the bonding, the conductive adhesive 140 is not provided on the upper surface of the crystal element 120. Therefore, when the lead terminal 124 is not provided on the upper surface side of the crystal piece 121, vibration (thickness shear vibration and contour slip vibration) is affected by bonding with the conductive adhesive 140 on the lower surface side of the crystal piece 121, On the upper surface side of the crystal piece 121, vibration (thickness shear vibration and contour shear vibration) is not affected. For this reason, by providing the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b on the upper surface side of the crystal piece 121, vibration is caused by the mass of the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b on the upper surface side of the crystal piece 121. As a result, the vibration on the upper surface side of the crystal piece 121 can be affected as compared with the conventional case. As a result, when the crystal element 120 is mounted with the conductive adhesive 140, since the influence on the vibration can be made closer on the lower surface side of the crystal piece 121 and the upper surface side of the crystal piece 121, the vibration balance is improved and the equivalent The increase in the series resistance value can be further reduced.

また、水晶片121の上面の所定の一辺に沿って二つ並んで設けられている第一引出端子124aおよび第二引出端子124bは、水晶片121の中心を通過しつつ水晶片121の所定の一辺に垂直な仮想垂線(図示せず)に対し、線対象となる位置に設けられている。従って、水晶片121の中心を通過しつつ水晶片121の所定の一辺に垂直な仮想垂線に対し、水晶片121の上面に設けられている金属パターンの質量を、仮想垂線の左右でより近づけることができる。このため、電圧を印加し水晶片121の一部分を振動させた場合に、仮想垂線の左右での振動状態を近づけることが可能となり、仮想垂線の左右での振動バランスが良好にすることができる。この結果、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが、より可能となる。   In addition, the first lead terminal 124 a and the second lead terminal 124 b provided side by side along a predetermined one side of the upper surface of the crystal piece 121 pass through the center of the crystal piece 121 and the predetermined piece of the crystal piece 121. It is provided at a position to be a line object with respect to a virtual perpendicular (not shown) perpendicular to one side. Therefore, the mass of the metal pattern provided on the upper surface of the crystal piece 121 is made closer to the left and right of the virtual perpendicular to the virtual perpendicular perpendicular to a predetermined side of the crystal piece 121 while passing through the center of the crystal piece 121. Can do. For this reason, when a part of the crystal piece 121 is vibrated by applying a voltage, it becomes possible to bring the vibration state on the left and right of the virtual perpendicular close to each other, and the vibration balance on the left and right of the virtual perpendicular can be improved. As a result, it becomes possible to reduce the increase of the equivalent series resistance value.

搭載端子125は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、水晶片121の下面の所定の位置に設けられている。搭載端子125は、第一搭載端子125aおよび第二搭載端子125bからなっている。第一搭載端子125aは、導電性接着剤140によって、基板110に設けられている第一搭載パッド111と接着され、電気的に接続された状態となっている。従って、第一搭載端子125aは、水晶片121の下面であって、第一搭載パッド111と向かいあう位置に設けられている。このとき、第一搭載端子125aは、水晶片121の上面に設けられる第一引出端子124aと対向するように、水晶片121の下面の所定の一辺の縁部に沿って設けられている。   The mounting terminal 125 is provided at a predetermined position on the lower surface of the crystal piece 121 by, for example, a photolithography technique and an etching technique. The mounting terminal 125 includes a first mounting terminal 125a and a second mounting terminal 125b. The first mounting terminal 125a is bonded to and electrically connected to the first mounting pad 111 provided on the substrate 110 by the conductive adhesive 140. Therefore, the first mounting terminal 125 a is provided on the lower surface of the crystal piece 121 and at a position facing the first mounting pad 111. At this time, the first mounting terminal 125 a is provided along an edge of a predetermined side of the lower surface of the crystal piece 121 so as to face the first lead terminal 124 a provided on the upper surface of the crystal piece 121.

第二搭載端子125bは、導電性接着剤140によって、基板110に設けられている第二搭載パッド111と接着され、電気的に接続された状態となっている。従って、第二搭載端子125bは、水晶片121の下面であって、第二搭載パッド111と向かいあう位置に設けられている。このとき、第二搭載端子125bは、水晶片121の上面に設けられている第二引出端子124bと対向するように、水晶片121の下面の所定の一辺の縁部に沿って、第一搭載端子125aと二つ並んで設けられている。また、第二搭載端子125bは、第二配線部123bの他端と接続されており、第二配線部123bを介して第二励振電極部122bと電気的に接続された状態となっている。   The second mounting terminal 125 b is bonded to the second mounting pad 111 provided on the substrate 110 by the conductive adhesive 140 and is electrically connected. Therefore, the second mounting terminal 125 b is provided on the lower surface of the crystal piece 121 and at a position facing the second mounting pad 111. At this time, the second mounting terminal 125b is arranged along the edge of a predetermined side of the lower surface of the crystal piece 121 so as to face the second lead terminal 124b provided on the upper surface of the crystal piece 121. Two terminals 125a are provided side by side. The second mounting terminal 125b is connected to the other end of the second wiring portion 123b, and is electrically connected to the second excitation electrode portion 122b via the second wiring portion 123b.

水晶片121の所定の一辺の縁部に沿って二つ並んでいる第一搭載端子125aおよび第二搭載端子125bは、図4(b)に示すように、水晶素子の下面を平面視して、水晶片121の中心を通過しつつ水晶片121の所定の一辺に垂直な仮想垂線(図示せず)に対し、線対称になるように設けられている。従って、導電性接着剤140により搭載端子125と基板110の搭載パッド111とを接着した場合、導電性接着剤140の接着による厚み滑り振動への影響を仮想垂線の左右で近づけることができる。このため、導電性接着剤140で接着したことによる仮想垂線に対する左右のバランスを近づけることができ、水晶素子120の保持の状態をより安定させることができ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   As shown in FIG. 4B, two first mounting terminals 125a and second mounting terminals 125b arranged along the edge of a predetermined side of the crystal piece 121 are obtained by viewing the lower surface of the crystal element in plan view. In addition, it is provided so as to be symmetrical with respect to a virtual perpendicular (not shown) perpendicular to a predetermined side of the crystal piece 121 while passing through the center of the crystal piece 121. Therefore, when the mounting terminal 125 and the mounting pad 111 of the substrate 110 are bonded by the conductive adhesive 140, the influence on the thickness-shear vibration due to the bonding of the conductive adhesive 140 can be made closer to the left and right of the virtual perpendicular line. For this reason, the right and left balance with respect to the virtual perpendicular due to bonding with the conductive adhesive 140 can be made closer, the holding state of the crystal element 120 can be further stabilized, and the equivalent series resistance value is reduced from increasing. It becomes possible to make it.

励振電極部122、配線部123、引出端子124および搭載端子125は、図6(b)に示したように、例えば、第一金属層M11と第二金属層M12とからなり、第一金属層M11上に第二金属層M12が積層された状態となっている。第一金属層M11に用いられる金属材料は、第二金属層M12に用いられる金属材料と比較して、水晶片121に密着しやすい性質となっている。従って、第二金属層M12を第一金属層M11上に積層させた状態にすることで、水晶片121に密着しにくい金属材料であっても、第二金属層M12に用いることができる。仮に、励振電極部122が第一金属層M11を設けることなく第二金属層M12からのみなる場合、第二金属層M12の一部が剥離しやすくなってしまうため、吸着ノズル等で水晶素子120を移動させ水晶素子120を基板110に実装する際、吸着ノズルとの接触により第二金属層M12が剥離し、等価直列抵抗値が大きくなってしまう虞がある。つまり、励振電極部122、配線部123、引出端子124および搭載端子125を、第一金属層M11と第一金属層M12上に積層された第二金属層M12とから構成することで、励振電極部122、配線部123、引出端子124および搭載端子125の一部が剥離することを低減させることができ、その結果、剥離による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   As shown in FIG. 6B, the excitation electrode portion 122, the wiring portion 123, the lead terminal 124, and the mounting terminal 125 include, for example, a first metal layer M11 and a second metal layer M12. The second metal layer M12 is laminated on M11. The metal material used for the first metal layer M11 has a property of being easily adhered to the crystal piece 121 as compared with the metal material used for the second metal layer M12. Therefore, when the second metal layer M12 is laminated on the first metal layer M11, even a metal material that is difficult to adhere to the crystal piece 121 can be used for the second metal layer M12. If the excitation electrode unit 122 is made only of the second metal layer M12 without providing the first metal layer M11, a part of the second metal layer M12 is easily peeled off, and therefore the quartz crystal element 120 is used with a suction nozzle or the like. When the quartz crystal element 120 is mounted on the substrate 110 by moving the second metal layer M12 due to contact with the suction nozzle, the equivalent series resistance value may increase. That is, the excitation electrode unit 122, the wiring unit 123, the lead terminal 124, and the mounting terminal 125 are configured by the first metal layer M11 and the second metal layer M12 stacked on the first metal layer M12, thereby providing the excitation electrode. It is possible to reduce the separation of part of the portion 122, the wiring portion 123, the lead terminal 124, and the mounting terminal 125, and as a result, it is possible to reduce an increase in the equivalent series resistance value due to the separation.

第一金属層M11は、水晶片121と密着性が良好な金属材料が用いられており、クロム、ニクロム、チタンまたはニッケルが用いられる。第二金属層M12は、金属材料の中で比較的、電気抵抗率が低い金属材料が用いられ、金、銀、アルミニウム、金を主とした合金、または、銀を主とした合金が用いられる。本実施形態中では、例えば、第一金属層M11にはクロムが用いられ、第二金属層M12には金が用いられる。第一金属層M11にクロムを用いることで、水晶片121と第二金属層M12との密着性を確保している。第二金属層M12に金を用いることで、励振電極部122、配線部123、引出端子124および搭載端子125における電気抵抗を抑えつつ、第二金属層M12が周囲の酸素と酸化し水晶素子120の周波数が変化することを低減させることができる。   For the first metal layer M11, a metal material having good adhesion to the crystal piece 121 is used, and chromium, nichrome, titanium, or nickel is used. For the second metal layer M12, a metal material having a relatively low electrical resistivity is used among metal materials, and gold, silver, aluminum, an alloy mainly containing gold, or an alloy mainly containing silver is used. . In the present embodiment, for example, chromium is used for the first metal layer M11, and gold is used for the second metal layer M12. By using chromium for the first metal layer M11, adhesion between the crystal piece 121 and the second metal layer M12 is ensured. By using gold for the second metal layer M12, the second metal layer M12 is oxidized with surrounding oxygen while suppressing electrical resistance in the excitation electrode portion 122, the wiring portion 123, the lead terminal 124, and the mounting terminal 125, and the crystal element 120 is oxidized. It is possible to reduce the change of the frequency of.

接続部126は、搭載端子125と引出端子124とを電気的に接続するためのものである。接続部126は、一端が引出端子124と重なっており、他端が搭載端子125と重なるように、水晶片121の上面、水晶片121の側面および水晶片121の下面にかけて設けられている。   The connection portion 126 is for electrically connecting the mounting terminal 125 and the extraction terminal 124. The connection portion 126 is provided over the upper surface of the crystal piece 121, the side surface of the crystal piece 121, and the lower surface of the crystal piece 121 so that one end overlaps the lead terminal 124 and the other end overlaps the mounting terminal 125.

このような構成にすることで、水晶片121の下面に垂直で、かつ、水晶片121の上面から水晶片121の下面に向かう向きに応力が加わった場合、水晶片121の上面の端部において接続部127が形成されていてその分応力が分散することにより、応力集中による膜剥離を低減させることが可能となる。従って、導電性接着剤140が硬化するときに、水晶片121の下面と垂直で、かつ、水晶片121の上面から下面へ向かう向きに収縮応力が加わった場合であっても、従来と比較して、水晶片121の上面の端部において応力集中による膜剥離を低減させることができる。このため、膜剥離により引出端子124と接続部127との導通不良となることを低減させ、この導通不良が原因で生じる等価直列抵抗値が大きくなることを軽減させることが可能となる。   With such a configuration, when stress is applied in a direction perpendicular to the lower surface of the crystal piece 121 and from the upper surface of the crystal piece 121 toward the lower surface of the crystal piece 121, at the end of the upper surface of the crystal piece 121. Since the connecting portion 127 is formed and the stress is dispersed accordingly, film peeling due to stress concentration can be reduced. Therefore, when the conductive adhesive 140 is cured, even when contraction stress is applied in a direction perpendicular to the lower surface of the crystal piece 121 and from the upper surface to the lower surface of the crystal piece 121, compared to the conventional case. Thus, film peeling due to stress concentration at the end of the upper surface of the crystal piece 121 can be reduced. For this reason, it becomes possible to reduce the occurrence of poor conduction between the lead terminal 124 and the connecting portion 127 due to film peeling, and to reduce the increase in the equivalent series resistance value caused by this poor conduction.

また、このような構成にすることで、水晶片121の下面に平行で、かつ、水晶片121の外縁から内縁に向かう向きに応力が加わった場合、水晶片121の下面の端部において接続部127の分だけ上下方向の膜厚が厚くなっているので、応力集中による膜剥離を低減させることが可能となる。従って、導電性接着剤140が硬化するときに、水晶片121の下面に平行で、かつ、水晶片121の外縁から内縁に向かう向きに応力が加わった場合であっても、従来と比較して、水晶片121の下面の端部において応力集中による膜剥離を低減させることができる。このため、膜剥離により搭載端子125と接続部126との導通不良となることを低減させ、この導通不良が原因で生じる等価直列抵抗値が大きくなることを軽減させることが可能となる。   Further, with such a configuration, when stress is applied in a direction parallel to the lower surface of the crystal piece 121 and toward the inner edge from the outer edge of the crystal piece 121, a connection portion is formed at the end of the lower surface of the crystal piece 121. Since the film thickness in the vertical direction is increased by 127, film peeling due to stress concentration can be reduced. Accordingly, when the conductive adhesive 140 is cured, even when stress is applied in a direction parallel to the lower surface of the crystal piece 121 and toward the inner edge from the outer edge of the crystal piece 121, compared to the conventional case. Further, film peeling due to stress concentration at the end of the lower surface of the crystal piece 121 can be reduced. For this reason, it is possible to reduce the occurrence of poor conduction between the mounting terminal 125 and the connection portion 126 due to film peeling, and to reduce the increase in the equivalent series resistance value caused by this conduction failure.

接続部126は、図4(a)および図4(b)に示したように、水晶片121を平面視して、接続部126の両端部が円弧形状となっている。このとき、この円弧の円の中心は、水晶片121の外縁側に位置している。このようにすることで、水晶片121の下面と平行で、かつ、水晶片121の外縁から内側へ向かう向きに応力が加わった場合、この応力を、接続部126の端部で緩和させることが可能となる。従って、接続部126の両端部を円弧形状にし、この円弧の円の中心が水晶片121の外縁側に位置するようにすることで、導電性接着剤140が硬化するときに、水晶片121の下面と平行で、かつ、水晶片121の外縁から内側へ向かう向きに収縮応力が加わった場合であっても、接続部126の端部で緩和させることができる。このため、水晶素子120は、水晶片121の端部に加わる応力を緩和させることができるので、水晶片121の端部における接続部126の剥離を低減させることが可能となる。この結果、第一接続部126aと第一搭搭載端125a子との導通不良を低減させることができ、第一接続部126aと第一搭載端子125aとの導通不良による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   As shown in FIGS. 4A and 4B, the connection portion 126 has a circular arc shape at both ends of the connection portion 126 when the crystal piece 121 is viewed in plan. At this time, the center of the circle of the arc is located on the outer edge side of the crystal piece 121. In this way, when stress is applied in a direction parallel to the lower surface of the crystal piece 121 and inward from the outer edge of the crystal piece 121, the stress can be relaxed at the end of the connection portion 126. It becomes possible. Therefore, when both ends of the connecting portion 126 are formed in an arc shape and the center of the circle of the arc is positioned on the outer edge side of the crystal piece 121, the conductive adhesive 140 is cured when the conductive adhesive 140 is cured. Even when a contraction stress is applied in a direction parallel to the lower surface and inward from the outer edge of the crystal piece 121, it can be relaxed at the end of the connection portion 126. For this reason, since the crystal element 120 can relieve the stress applied to the end of the crystal piece 121, it is possible to reduce peeling of the connection portion 126 at the end of the crystal piece 121. As a result, poor conduction between the first connection 126a and the first mounting end 125a can be reduced, and the equivalent series resistance value due to poor conduction between the first connection 126a and the first mounting terminal 125a increases. This can be reduced.

特に、接続部126の両端部を、半円、または、半楕円にすることで、水晶片121の下面と平行で、かつ、水晶片121の外縁から内側へ向かう向きに収縮応力が加わった場合であっても、より接続部126の端部で緩和させることができる。このため、水晶片121の端部に加わる応力を緩和させることができ、水晶121の端部における接続部126の剥離を低減させることが可能となる。この結果、第一接続部126aと第一搭載端子125aとの導通不良を低減させることができ、第一接続部126aと第一搭載端子125aとの導通不良による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   In particular, when both end portions of the connecting portion 126 are made into a semicircle or semi-ellipse, contraction stress is applied in a direction parallel to the lower surface of the crystal piece 121 and inward from the outer edge of the crystal piece 121. Even so, it can be more relaxed at the end of the connecting portion 126. For this reason, the stress applied to the end portion of the crystal piece 121 can be relaxed, and peeling of the connection portion 126 at the end portion of the crystal 121 can be reduced. As a result, the conduction failure between the first connection portion 126a and the first mounting terminal 125a can be reduced, and the equivalent series resistance value due to the conduction failure between the first connection portion 126a and the first mounting terminal 125a is increased. It can be reduced.

接続部126は、図3に示したように、水晶片121の側面に設けられている接続部126の幅が、水晶片121の上面に設けられている接続部126の幅よりも狭くなっている。ここで、水晶片121の側面に設けられている接続部126の幅とは、水晶片126の側面を平面視して、第一引出端子124aと第二引出端子124bとが並んで設けられている水晶片121の所定の一辺と平行な接続部126の長さである。本実施形態では、この水晶片121の側面に設けられている接続部126の幅を、側面距離とよぶ。なお、図5に示したように第一接続部126aの側面距離を第一側面距離SD1とし、第二接続部126bの側面距離を第二側面距離(図示せず)とする。また、水晶片121の上面に設けられている接続部126の幅とは、水晶片121の上面を平面視して、第一引出端子124aと第二引出端子124bとが並んで設けられている水晶片121の所定の一辺上の接続部126の長さである。本実施形態では、この水晶片121の上面に設けられている接続部126の幅を上面距離とよぶ。なお、図5に示したように第一接続部126aの上面距離を第一上面距離UD1とし、第二接続部126bの上面距離を第二上面距離(図示せず)とする。従って、第一接続部126aにおいては、第一側面距離SD1が第一上面距離UD1よりも短くなっており、第二接続部126bにおいては、第二側面距離が第二上面距離よりも短くなっている。   As shown in FIG. 3, the width of the connection portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121 is narrower than the width of the connection portion 126 provided on the upper surface of the crystal piece 121. Yes. Here, the width of the connecting portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121 means that the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b are provided side by side in a plan view of the side face of the crystal piece 126. It is the length of the connection part 126 parallel to the predetermined one side of the quartz crystal piece 121. In the present embodiment, the width of the connection portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121 is referred to as a side surface distance. As shown in FIG. 5, the side distance of the first connection portion 126a is defined as a first side surface distance SD1, and the side surface distance of the second connection portion 126b is defined as a second side surface distance (not shown). The width of the connecting portion 126 provided on the upper surface of the crystal piece 121 is such that the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b are provided side by side when the top surface of the crystal piece 121 is viewed in plan. This is the length of the connecting portion 126 on a predetermined side of the crystal piece 121. In the present embodiment, the width of the connection portion 126 provided on the upper surface of the crystal piece 121 is referred to as the upper surface distance. As shown in FIG. 5, the upper surface distance of the first connection portion 126a is a first upper surface distance UD1, and the upper surface distance of the second connection portion 126b is a second upper surface distance (not shown). Accordingly, in the first connection portion 126a, the first side surface distance SD1 is shorter than the first upper surface distance UD1, and in the second connection portion 126b, the second side surface distance is shorter than the second upper surface distance. Yes.

このような構成にすることで厚みすべり振動への振動阻害を低減させることができ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。この理由として次の事柄が考えられる。水晶片121の励振電極部122に電圧を印加すると、励振電極部122で挟まれている水晶片121の一部分が逆圧電効果および圧電効果により厚みすべり振動を開始する。厚みすべり振動は、前述したように、水晶片121の上面から水晶片121の下面に向かう向き、つまり、水晶片121の上下方向の厚み方向で振動している。励振電極部122に電圧が印加されたとき、水晶片121の厚みすべり振動の状態は、励振電極部122で挟まれている水晶片121の一部分が最も厚みすべり振動し、励振電極部122で挟まれていない水晶片121の部分でも、励振電極部122で挟まれている水晶片121の一部分から振動が漏れ、厚みすべり振動している。また、この励振電極部122で挟まれていない水晶片121では、励振電極部122の外縁から水晶片121の端部に向かうにつれて、厚みすべり振動が徐々に減衰している。従って、水晶片121の端部においても、厚みすべり振動している。つまり、水晶片121の端部においても厚みすべり振動をしているため、上下方向の厚み方向の水晶片121の面、言い換えると、水晶片121の側面における状態が変化した場合、例えば、水晶片121の側面に金属材料などの水晶とは異なる材料を設けたような場合、水晶片121の厚みすべり振動へ影響を与えることとなる。よって、水晶片121の側面の状態の変化量を小さくすることで、水晶片121の厚みすべり振動への振動阻害を低減させることが可能となり、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   By adopting such a configuration, it is possible to reduce the vibration inhibition to the thickness shear vibration, and it is possible to reduce the increase of the equivalent series resistance value. The following can be considered as the reason. When a voltage is applied to the excitation electrode portion 122 of the crystal piece 121, a part of the crystal piece 121 sandwiched between the excitation electrode portions 122 starts thickness-shear vibration due to the inverse piezoelectric effect and the piezoelectric effect. As described above, the thickness shear vibration vibrates in the direction from the upper surface of the crystal piece 121 toward the lower surface of the crystal piece 121, that is, in the thickness direction in the vertical direction of the crystal piece 121. When a voltage is applied to the excitation electrode unit 122, the thickness shear vibration state of the crystal piece 121 is such that a part of the crystal piece 121 sandwiched by the excitation electrode unit 122 undergoes the most thickness shear vibration and is sandwiched by the excitation electrode unit 122. Even in the portion of the crystal piece 121 that is not present, vibration leaks from a portion of the crystal piece 121 sandwiched between the excitation electrode portions 122, and the thickness piece vibrates. Further, in the crystal piece 121 not sandwiched between the excitation electrode portions 122, the thickness shear vibration is gradually attenuated from the outer edge of the excitation electrode portion 122 toward the end portion of the crystal piece 121. Therefore, thickness shear vibration is also generated at the end of the crystal piece 121. That is, since the thickness shear vibration is also generated at the end of the crystal piece 121, when the state of the crystal piece 121 in the thickness direction in the vertical direction, in other words, the state of the side surface of the crystal piece 121 changes, for example, the crystal piece When a material different from a crystal such as a metal material is provided on the side surface of 121, the thickness shear vibration of the crystal piece 121 is affected. Therefore, by reducing the amount of change in the state of the side surface of the crystal piece 121, it is possible to reduce the vibration inhibition to the thickness shear vibration of the crystal piece 121, and to reduce the increase of the equivalent series resistance value. It becomes possible.

本実施形態では、水晶片121の上面に設けられている引出端子124と水晶片121の上面に設けられている搭載端子125と接続部126によって電気的に接続された構成となっているため、接続部126の一部分が水晶片121の側面に設けられることとなる。このとき、水晶片121の側面に設けられている接続部126の幅(側面距離)を、水晶片121の上面に設けられている接続部126の幅(上面距離)より狭くなっている。このように、水晶片121の側面に設けられている接続部126の幅を狭くすることで、接続部126による水晶片121の側面の状態の変化量を小さくすることができ、水晶片121の厚みすべり振動への振動阻害を低減させることが可能となる。この結果、水晶片121の厚みすべり振動が阻害されることで等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。   In the present embodiment, since the lead terminal 124 provided on the upper surface of the crystal piece 121 and the mounting terminal 125 provided on the upper surface of the crystal piece 121 are electrically connected by the connection portion 126, A part of the connection portion 126 is provided on the side surface of the crystal piece 121. At this time, the width (side distance) of the connection portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121 is narrower than the width (upper surface distance) of the connection portion 126 provided on the upper surface of the crystal piece 121. Thus, by reducing the width of the connection portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121, the amount of change in the state of the side surface of the crystal piece 121 by the connection portion 126 can be reduced. It becomes possible to reduce the vibration inhibition to the thickness shear vibration. As a result, it is possible to reduce the increase in the equivalent series resistance value due to the inhibition of the thickness shear vibration of the crystal piece 121.

接続部126は、水晶片121の上面を平面して、引出端子124と接続部126とが重なっている部分の面積が、引出端子124の面積の半分以上となっている。このような構成にすることで、水晶片121の上面に設けられている接続部126によって、引出端子124との導通をより確実に確保することができる。従って、引出端子124が水晶片121の上面の外縁より内縁側に設けられている場合であっても、接続部126と引出端子124との導通をより確実に確保することができ、接続部126と引出端子124との導通不良による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   In the connection portion 126, the area of the portion where the extraction terminal 124 and the connection portion 126 overlap is more than half of the area of the extraction terminal 124 when the upper surface of the crystal piece 121 is planar. By adopting such a configuration, the connection with the lead terminal 124 can be more reliably ensured by the connection portion 126 provided on the upper surface of the crystal piece 121. Therefore, even when the extraction terminal 124 is provided on the inner edge side from the outer edge of the upper surface of the crystal piece 121, electrical connection between the connection portion 126 and the extraction terminal 124 can be ensured more reliably, and the connection portion 126. It is possible to reduce an increase in the equivalent series resistance value due to poor conduction between the lead terminal 124 and the lead terminal 124.

接続部126は、水晶片121の上面を平面視して、第一引出端子124aおよび第二引出端子124bが並んで設けられている水晶片121の上面の所定の一辺を含む側面に設けられている。このようにすることで、水晶片121の上面を平面視して、引出端子124側を向く励振電極部122の辺から水晶片121の側面に設けられている接続部126までの距離をより長くすることが可能となる。従って、水晶片121の端部まで漏れ伝わってきている厚みすべり振動への影響をより低減させることができ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   The connection portion 126 is provided on a side surface including a predetermined side of the upper surface of the crystal piece 121 in which the first extraction terminal 124a and the second extraction terminal 124b are arranged in a plan view when the upper surface of the crystal piece 121 is viewed in plan. Yes. By doing so, the distance from the side of the excitation electrode portion 122 facing the lead terminal 124 side to the connection portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121 in a plan view of the upper surface of the crystal piece 121 is made longer. It becomes possible to do. Therefore, it is possible to further reduce the influence on the thickness-shear vibration that has leaked to the end of the crystal piece 121, and to reduce the increase of the equivalent series resistance value.

接続部126は、例えば、スパッタリング技術または蒸着技術が用いられ、図6に示すように、励振電極部122、引出端子124、搭載端子125および配線部123が設けられている水晶片121に、一端が引出端子124と重なり、他端が搭載端子125と重なるように、水晶片121の上面、水晶片121の下面および水晶片121の側面にコの字状に設けられる。このように、接続部126の一端が引出端子124と重なり、接続部126の他端が搭載端子125と重なるようにすることで、接続部126と引出端子124との重なる部分の面積および接続部126と搭載端子125とが重なる部分の面積をより大きくすることができるので、接続部126と引出端子124との導通および接続部126と搭載端子125との導通を確実に確保することが可能となる。   For example, the connection part 126 uses a sputtering technique or a vapor deposition technique. As shown in FIG. Is provided in a U shape on the upper surface of the crystal piece 121, the lower surface of the crystal piece 121, and the side surface of the crystal piece 121 so that the other end overlaps the mounting terminal 125. In this way, by connecting one end of the connecting portion 126 with the lead terminal 124 and the other end of the connecting portion 126 with the mounting terminal 125, the area of the overlapping portion between the connecting portion 126 and the lead terminal 124 and the connecting portion Since the area of the portion where 126 and the mounting terminal 125 overlap can be increased, it is possible to reliably ensure the continuity between the connecting portion 126 and the lead terminal 124 and the continuity between the connecting portion 126 and the mounting terminal 125. Become.

また、スパッタリング技術または蒸着技術を用いて接続部126を設けることで、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いた場合と比較して、水晶片121の側面へより確実に設けることができる。フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いた場合、隣接する水晶片121等が影となり水晶片121の側面へ必要な強度の紫外光を照射することができず、水晶片121の側面に設けられる接続部126の一部が所望の線幅より細くなってしまう場合がある。この結果、接続部126の電気抵抗が大きくなり、水晶素子120の等価直列抵抗値が大きくなる虞がある。つまり、スパッタリング技術または蒸着技術を用いて接続部126を設けることで、水晶片121の側面に確実に接続部126を設けることができ、さらには、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いた場合と比較して、水晶片121に設けられている接続部126の線幅が所望の線幅より細くなることを低減させ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   In addition, by providing the connection portion 126 using a sputtering technique or a vapor deposition technique, the connection part 126 can be provided more reliably on the side surface of the crystal piece 121 than in the case where a photolithography technique and an etching technique are used. When the photolithography technique and the etching technique are used, the adjacent crystal piece 121 or the like becomes a shadow, and the side surface of the crystal piece 121 cannot be irradiated with ultraviolet light having a necessary intensity, and the connection portion provided on the side surface of the crystal piece 121 A part of 126 may become thinner than a desired line width. As a result, the electrical resistance of the connecting portion 126 increases, and the equivalent series resistance value of the crystal element 120 may increase. That is, by providing the connection part 126 using a sputtering technique or a vapor deposition technique, the connection part 126 can be reliably provided on the side surface of the crystal piece 121, and further compared with the case where the photolithography technique and the etching technique are used. Thus, it is possible to reduce the line width of the connection portion 126 provided in the crystal piece 121 from becoming smaller than a desired line width, and to reduce the equivalent series resistance value from increasing.

接続部126は、図6(b)に示したように、例えば、第三金属層M13と第四金属層M14とからなり、第三金属層M13上に第四金属層M14が積層された状態となっている。接続部126の一端が引出端子124と重なりつつ接続部126の他端が搭載端子125と重なった状態となっているので、接続部126の一端側に着目すると、水晶片121の上面に第一金属層M11、第二金属層M12、第三金属層M13、第四金属層M14の順で積層された状態となっており、接続部126の他端側に着目すると、水晶片121の下面に第一金属層M11、第二金属層M12、第三金属層M13、第四金属層M14の順で積層された状態となっている。   As shown in FIG. 6B, the connection portion 126 is composed of, for example, a third metal layer M13 and a fourth metal layer M14, and the fourth metal layer M14 is stacked on the third metal layer M13. It has become. Since one end of the connection portion 126 overlaps with the lead terminal 124 and the other end of the connection portion 126 overlaps with the mounting terminal 125, when attention is paid to one end side of the connection portion 126, the upper surface of the crystal piece 121 is first The metal layer M11, the second metal layer M12, the third metal layer M13, and the fourth metal layer M14 are stacked in this order. The first metal layer M11, the second metal layer M12, the third metal layer M13, and the fourth metal layer M14 are stacked in this order.

第三金属層M13は、水晶片121と密着性が良好な金属材料が用いられ、例えば、クロム、ニクロム、チタンまたはニッケルが用いられる。このような金属材料を用いることで、水晶片121と密着しにくい金属材料であっても第四金属層M14に用いることが可能となる。仮に、接続部126が第三金属層M13を設けることなく第四金属層M14からのみなる場合、第四金属層M14の一部が剥離しやすくなってしまうため、吸着ノズル等で水晶素子120を移動させ水晶素子120を基板110に実装する際、吸着ノズルや周囲との接触により第四金属層M14が剥離し、等価直列抵抗値が大きくなってしまう虞がある。つまり、接続部126を、第三金属層M13と、第三金属層M13上に積層された第四金属層M14と、から構成することで、接続部126の一部が剥離することを低減させることができ、その結果、剥離による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   For the third metal layer M13, a metal material having good adhesion to the crystal piece 121 is used, and for example, chromium, nichrome, titanium, or nickel is used. By using such a metal material, it is possible to use a metal material that does not easily adhere to the crystal piece 121 for the fourth metal layer M14. If the connection portion 126 is made only of the fourth metal layer M14 without providing the third metal layer M13, a part of the fourth metal layer M14 is easily peeled off. When the crystal element 120 is moved and mounted on the substrate 110, the fourth metal layer M14 may be peeled off due to contact with the suction nozzle or the surroundings, and the equivalent series resistance value may increase. That is, the connection portion 126 includes the third metal layer M13 and the fourth metal layer M14 laminated on the third metal layer M13, thereby reducing a part of the connection portion 126 from peeling off. As a result, an increase in the equivalent series resistance value due to peeling can be reduced.

第四金属層M14は、金属材料の中で比較的、電気抵抗率が低い金属材料、例えば、金、銀、アルミニウム、金を主とした合金、または、銀を主とした合金が用いられる。これにより、接続部、具体的には、第四金属層の電気抵抗を低減させることができ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   For the fourth metal layer M14, a metal material having a relatively low electrical resistivity among metal materials, for example, gold, silver, aluminum, an alloy mainly containing gold, or an alloy mainly containing silver is used. Thereby, the electrical resistance of the connection portion, specifically, the fourth metal layer can be reduced, and the increase in the equivalent series resistance value can be reduced.

第四金属層M14は、第二金属層M12と比較して電気抵抗率が低い金属材料が用いられる。これにより、第二金属層M12と同じ金属材料を用いた場合と比較して電気抵抗値をより低減させることができる。また、水晶片121の側面に設けられている接続部126の幅(側面距離)が細い場合であっても、接続部126の上下方向の厚みを、励振電極部122、配線部123、引出端子124および搭載端子125より上下方向の厚みを厚くすることで、接続部126の体積が小さいことによる電気抵抗値が大きくなることを低減させることができる。このため、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   The fourth metal layer M14 is made of a metal material having a lower electrical resistivity than the second metal layer M12. Thereby, compared with the case where the same metal material as the 2nd metal layer M12 is used, an electrical resistance value can be reduced more. Further, even when the width (side distance) of the connection portion 126 provided on the side surface of the crystal piece 121 is small, the thickness of the connection portion 126 in the vertical direction is set to the excitation electrode portion 122, the wiring portion 123, and the extraction terminal. Increasing the thickness in the vertical direction from 124 and the mounting terminal 125 can reduce the increase in the electrical resistance value due to the small volume of the connection portion 126. For this reason, it becomes possible to reduce that an equivalent series resistance value becomes large.

本実施形態中では、例えば、第三金属層M13にクロムが用いられ、第四金属層M14に銀が用いられている。第三金属層M13にクロムを用いることで、水晶片121との第四金属層M14との密着性を確保しつつ、第二金属層M12との第四金属層M14との密着性も確保することができる。第四金属層M14に銀を用いることで、接続部126における電気抵抗をより抑えつつ、第四金属層M14が周囲の酸素と酸化し水晶素子120の周波数が変化することを低減させることができる。また、第四金属層M14に銀を用いることで、シリコーン系の樹脂バインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されている導電性接着剤140を用いた場合に、第四金属層M14上にバインダーによる被膜ができるのを軽減させることができるので、導電性接着剤140に含有されている導電フィラーとの導通を確保することが可能となる。ここで、第四金属層M14が銀からなる場合について説明しているが、銀が硫化することを低減させるたえに、パラジウム等を数%程度添加させた銀を主成分とする金属であってもよい。   In the present embodiment, for example, chromium is used for the third metal layer M13, and silver is used for the fourth metal layer M14. By using chromium for the third metal layer M13, the adhesion between the crystal piece 121 and the fourth metal layer M14 is ensured, and the adhesion between the second metal layer M12 and the fourth metal layer M14 is also ensured. be able to. By using silver for the fourth metal layer M14, it is possible to reduce the change in the frequency of the crystal element 120 due to the oxidation of the fourth metal layer M14 with the surrounding oxygen while further suppressing the electrical resistance in the connection portion 126. . Further, by using silver for the fourth metal layer M14, when the conductive adhesive 140 containing conductive powder as a conductive filler in a silicone-based resin binder is used, Since it is possible to reduce the formation of a coating film with a binder, it is possible to ensure electrical continuity with the conductive filler contained in the conductive adhesive 140. Here, although the case where the fourth metal layer M14 is made of silver is described, it is a metal mainly composed of silver to which about several percent of palladium or the like is added in order to reduce silver sulfidation. May be.

ここで、水晶素子120の大きさについて説明する。水晶片121は、水晶片121を平面視して、長辺が0.5〜4.6mmとなっており、短辺が0.4〜2.8mmとなっており、水晶片121の上下方向の厚みが10〜300μmとなっている。励振電極部122は、第一励振電極部122aと第二励振電極部122bとが同じ大きさとなっており、水晶片121を平面視して、水晶片121の長辺に平行な辺が0.3〜4.6mmとなっており、水晶片121の短辺に平行な辺が0.3〜2.7mmとなっており、上下方向の厚みが50〜500Åとなっている。配線部123は、上下方向の厚みが50〜500Åとなっている。引出端子124は、水晶片121を平面視して、水晶片121の長辺に平行な辺が25〜300mmとなっており、水晶片121の短辺に平行な辺が75〜500mmとなっており、上下方向の厚みが50〜500Åとなっている。搭載端子125は、水晶片121を平面視して、水晶片121の長辺に平行な辺が25〜300mmとなっており、水晶片121の短辺に平行な辺が75〜500mmとなっており、上下方向の厚みが50〜500Åとなっている。接続部126は、水晶片121の上面に設けられている幅(上面距離)が75〜500mmとなっており、水晶片121の側面に設けられている幅(側面距離)が30〜400mmとなっており、上下方向の厚みが50〜500Åとなっている。   Here, the size of the crystal element 120 will be described. The crystal piece 121 has a long side of 0.5 to 4.6 mm and a short side of 0.4 to 2.8 mm in plan view of the crystal piece 121, and the vertical direction of the crystal piece 121. The thickness is 10 to 300 μm. In the excitation electrode portion 122, the first excitation electrode portion 122a and the second excitation electrode portion 122b have the same size, and the side parallel to the long side of the crystal piece 121 is 0. The side parallel to the short side of the crystal piece 121 is 0.3 to 2.7 mm, and the thickness in the vertical direction is 50 to 500 mm. The wiring part 123 has a thickness in the vertical direction of 50 to 500 mm. The lead terminal 124 has a side parallel to the long side of the crystal piece 121 of 25 to 300 mm and a side parallel to the short side of the crystal piece 121 of 75 to 500 mm in plan view of the crystal piece 121. The thickness in the vertical direction is 50 to 500 mm. The mounting terminal 125 has a side parallel to the long side of the crystal piece 121 of 25 to 300 mm in plan view of the crystal piece 121 and a side parallel to the short side of the crystal piece 121 of 75 to 500 mm. The thickness in the vertical direction is 50 to 500 mm. The connection portion 126 has a width (upper surface distance) provided on the upper surface of the crystal piece 121 of 75 to 500 mm, and a width (side distance) provided on the side surface of the crystal piece 121 of 30 to 400 mm. The thickness in the vertical direction is 50 to 500 mm.

また、ここで、導電性接着剤140を用いて、水晶素子120を基板110の上面に設けられている一対の搭載パッド111に電気的に接着させ、基板110に水晶素子120を実装する方法について説明する。まず、導電性接着剤140が、例えば、ディスペンサによって、搭載パッド111上に塗布される。その後、水晶素子120が導電性接着剤140上に搬送され、搭載パッド111と水晶片121の下面とで導電性接着剤140を挟むように水晶素子120が載置され、その状態で加熱硬化される。このとき、一方の搭載パッド111に塗布されている導電性接着剤140は、一方の搭載パッド111と水晶片121の下面に設けられている第一搭載端子125aとで挟まれつつ、一方の搭載パッド111と第一接続部126aとも挟まれている。導電性接着剤140は、加熱硬化されることで、硬化し一方の搭載パッド111と第一搭載端子125aとを電気的に接着しつつ、一方の搭載パッド111と第一接続部とを電気的に接着している。他方の搭載パッド111に塗布されている導電性接着剤140は、他方の搭載パッド111と水晶片121の下面に設けられている第二搭載端子125bとで挟まれつつ、他方の搭載パッド111と第二接続部126bとも挟まれている。導電性接着剤140は、加熱硬化されることで、固化し、他方の搭載パッド111と第二搭載端子125bとを電気的に接着しつつ、他方の搭載パッド111と第二接続部126bとを電気的に接着している。このように導電性接着剤140を、搭載端子125と搭載パッド111との間だけでなく、接続端子126と搭載パッド111との間に設けることにより、導電性接着剤140が硬化するときの収縮応力が加わった場合、収縮応力が搭載端子と接続部126とに加わることとなり、従来のように搭載パッド111と搭載端子125との間にのみ導電性接着剤140を設けた場合と比較し、搭載端子125に加わる収縮応力を軽減させることができる。このため、収縮応力により搭載端子125の一部が剥離し、等価直列抵抗値が大きくなることを軽減させることが可能となる。   Here, a method of mounting the crystal element 120 on the substrate 110 by electrically bonding the crystal element 120 to the pair of mounting pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110 using the conductive adhesive 140 is used. explain. First, the conductive adhesive 140 is applied onto the mounting pad 111 by, for example, a dispenser. Thereafter, the crystal element 120 is transported onto the conductive adhesive 140, and the crystal element 120 is placed so that the conductive adhesive 140 is sandwiched between the mounting pad 111 and the lower surface of the crystal piece 121, and is heated and cured in this state. The At this time, the conductive adhesive 140 applied to one mounting pad 111 is sandwiched between the one mounting pad 111 and the first mounting terminal 125 a provided on the lower surface of the crystal piece 121, while the one mounting pad 111 is mounted. The pad 111 and the first connection portion 126a are also sandwiched. The conductive adhesive 140 is cured by being heated and cured, and the one mounting pad 111 and the first connection portion 125a are electrically bonded to each other while the one mounting pad 111 and the first mounting terminal 125a are electrically bonded to each other. It is adhered to. The conductive adhesive 140 applied to the other mounting pad 111 is sandwiched between the other mounting pad 111 and the second mounting terminal 125b provided on the lower surface of the crystal piece 121, while the other mounting pad 111 and The second connecting portion 126b is also sandwiched. The conductive adhesive 140 is hardened by being heated and cured, and electrically bonds the other mounting pad 111 and the second mounting terminal 125b to each other while bonding the other mounting pad 111 and the second connection portion 126b. It is electrically bonded. Thus, by providing the conductive adhesive 140 not only between the mounting terminal 125 and the mounting pad 111 but also between the connection terminal 126 and the mounting pad 111, shrinkage when the conductive adhesive 140 is cured. When stress is applied, shrinkage stress is applied to the mounting terminal and the connection portion 126, as compared with the case where the conductive adhesive 140 is provided only between the mounting pad 111 and the mounting terminal 125 as in the past, The shrinkage stress applied to the mounting terminal 125 can be reduced. For this reason, it becomes possible to reduce that a part of the mounting terminal 125 is peeled off due to the contraction stress and the equivalent series resistance value is increased.

導電性接着剤140は、水晶素子120を基板110の上面に実装するためのものである。導電性接着剤140は、シリコーン系の樹脂バインダーの中に導電フィラーとしての導電性粉末が含有されているものである。導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケルまたはニッケル鉄のいずれか、或いは、これらを組み合わせたものを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えば、シリコーン系の樹脂、エポキシ系の樹脂、ポリイミド系の樹脂、または、ビスマレイミド系の樹脂が用いられる。   The conductive adhesive 140 is for mounting the crystal element 120 on the upper surface of the substrate 110. The conductive adhesive 140 contains a conductive powder as a conductive filler in a silicone-based resin binder. As the conductive powder, one containing aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, nickel, nickel iron, or a combination thereof is used. Further, as the binder, for example, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used.

導電性接着剤140は、搭載パッド111上に塗布され、搭載パッド111と搭載端子125とで挟んだ状態で加熱硬化されることで、固化し、搭載パッド111と搭載端子125とを電気的に接着させている。導電性接着剤140は、例えば、加熱硬化されたとき、樹脂バインダーが収縮し、導電フィラー同士がより近接する特性を有しているため、加熱硬化することで、搭載パッド111と搭載端子125とを接着しつつ、電気的に接続することができる。このため、導電性接着剤140が、加熱硬化され固化するとき、導電性接着剤140が収縮する。従って、導電性接着剤140が加熱硬化し固化するときには、導電性接着剤140に接触している搭載パッド111、搭載端子125および接続部126にそれぞれから導電性接着剤140に向かう向きに応力(収縮応力)が加わることとなる。   The conductive adhesive 140 is applied onto the mounting pad 111, and is hardened by being heated and cured while being sandwiched between the mounting pad 111 and the mounting terminal 125, so that the mounting pad 111 and the mounting terminal 125 are electrically connected. Glued. For example, when the conductive adhesive 140 is heat-cured, the resin binder contracts and the conductive fillers are closer to each other. Can be electrically connected with each other. For this reason, when the conductive adhesive 140 is cured by heating and solidified, the conductive adhesive 140 contracts. Therefore, when the conductive adhesive 140 is cured by heating and solidified, stress (in the direction toward the conductive adhesive 140 from the mounting pad 111, the mounting terminal 125, and the connection portion 126 that are in contact with the conductive adhesive 140 respectively) (Shrinkage stress) is applied.

蓋体130は、基板110の上面と接合部材150により接合されて、基板110の上面に実装されている水晶素子120を気密封止するためのものである。また、蓋体130は、封止基部131と封止枠部132とから構成されている。また、蓋体130は、封止基部131の下面に封止枠部132が設けられており、封止基部131の下面と封止枠部132の内壁面とで凹部133が形成されている。   The lid 130 is bonded to the upper surface of the substrate 110 by the bonding member 150 and hermetically seals the crystal element 120 mounted on the upper surface of the substrate 110. Further, the lid body 130 includes a sealing base portion 131 and a sealing frame portion 132. The lid 130 is provided with a sealing frame portion 132 on the lower surface of the sealing base 131, and a recess 133 is formed between the lower surface of the sealing base 131 and the inner wall surface of the sealing frame portion 132.

封止基部131は、例えば、略直方体形状となっており、その主面の大きさが水晶片121の主面の大きさより大きく、かつ、基板110の上面より小さくなっている。封止枠部132は、枠部132aおよび鍔部132bから構成されている。枠部132aは、蓋体130に凹部133を形成するためのものであり、封止基部131の下面の外縁に沿って設けられている。凹部133内には、基部110の上面に実装されている水晶素子120が収容される。鍔部132bは、蓋体130と基板110とを接合する面積を確保し接合強度を上げるためのものである。鍔部132bは、枠部132aの外周面に沿って環状で、かつ、枠部132aの外縁側へ延設されている。封止基部131および封止枠部132は、例えば、鉄、ニッケル、または、コバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような蓋体130は、真空状態にある凹部133、または、窒素ガスなどが充填された凹部133を気密封止するためのものである。具体的には、蓋体130は、所定の雰囲気中で、封止枠部132の下面(枠部132aの下面および鍔部132bの下面)と基板110の上面との間に設けられた接合部材とに熱が加えられることで、接合部材150が溶融され、封止枠部132の下面と基板110の上面とが溶融接合される。   The sealing base 131 has, for example, a substantially rectangular parallelepiped shape, and the size of the main surface is larger than the size of the main surface of the crystal piece 121 and smaller than the upper surface of the substrate 110. The sealing frame part 132 is comprised from the frame part 132a and the collar part 132b. The frame portion 132 a is for forming the concave portion 133 in the lid body 130, and is provided along the outer edge of the lower surface of the sealing base portion 131. In the recess 133, the crystal element 120 mounted on the upper surface of the base 110 is accommodated. The flange 132b is provided to secure an area for joining the lid 130 and the substrate 110 and increase the joining strength. The flange portion 132b is annular along the outer peripheral surface of the frame portion 132a and extends to the outer edge side of the frame portion 132a. The sealing base 131 and the sealing frame 132 are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a lid 130 is for hermetically sealing the recess 133 in a vacuum state or the recess 133 filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the lid body 130 is a bonding member provided between the lower surface of the sealing frame portion 132 (the lower surface of the frame portion 132a and the lower surface of the flange portion 132b) and the upper surface of the substrate 110 in a predetermined atmosphere. When the heat is applied, the joining member 150 is melted, and the lower surface of the sealing frame portion 132 and the upper surface of the substrate 110 are melt-bonded.

ここで、蓋体130の作製方法について説明する。蓋体130の作製には、例えば、従来周知のプレス加工が用いられる。矩形形状の平板を準備し、蓋体130の凹部133と同じ形状となっている凸部と凹部とを有した一対の金型で平板を挟み加圧し、封止基部131および封止枠部132が設けられ凹部133が形成される。このようにして、蓋体130は、プレス加工を用いて平板を塑性加工し、作成している。   Here, a method for manufacturing the lid 130 will be described. For the production of the lid 130, for example, conventionally known press working is used. A rectangular flat plate is prepared, and the flat plate is sandwiched and pressed by a pair of molds having a convex portion and a concave portion having the same shape as the concave portion 133 of the lid 130, and the sealing base portion 131 and the sealing frame portion 132 are pressed. Is provided to form the recess 133. In this manner, the lid body 130 is formed by plastic processing of a flat plate using press processing.

接合部材150は、蓋体130の封止枠132の下面と基板110の上面との間、具体的には、枠部132aの下面と基板110の上面との間、および、鍔部132bの下面と基板110の上面との間に設けられており、蓋体130と基板110とを接合するためのものである。接合部材150は、例えば、ガラスの場合には、300℃〜400℃で溶融するガラスであり、例えば、バナジウムを含有した低融点ガラス、または、酸化鉛系ガラスから構成されている。酸化鉛系ガラスの組成は、酸化鉛、フッ化鉛、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化第二鉄、酸化銅、および、酸化カルシウムから構成されている。   The joining member 150 is between the lower surface of the sealing frame 132 of the lid 130 and the upper surface of the substrate 110, specifically, between the lower surface of the frame portion 132a and the upper surface of the substrate 110, and the lower surface of the flange portion 132b. And the upper surface of the substrate 110 for joining the lid 130 and the substrate 110 together. In the case of glass, for example, the joining member 150 is a glass that melts at 300 ° C. to 400 ° C., and is made of, for example, low-melting glass containing vanadium or lead oxide glass. The composition of the lead oxide glass is composed of lead oxide, lead fluoride, titanium dioxide, niobium oxide, boron oxide, zinc oxide, ferric oxide, copper oxide, and calcium oxide.

次に、接合部材150を用いて、蓋体130と基板110とを接合する方法について説明する。接合部材150の原料となるガラスは、バインダーと溶剤とが加えられたペースト状であり、溶融された後、固化されることで他の部材と接着する。接合部材150は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で封止枠部132の下面、具体的には、枠部132aの下面および鍔部132bの下面に塗布され乾燥されることで設けられている。   Next, a method for joining the lid 130 and the substrate 110 using the joining member 150 will be described. The glass used as the raw material of the joining member 150 is a paste in which a binder and a solvent are added. After being melted, the glass is solidified and bonded to another member. The bonding member 150 is provided by applying and drying glass frit paste on the lower surface of the sealing frame portion 132, specifically, the lower surface of the frame portion 132a and the lower surface of the flange portion 132b by screen printing, for example. Yes.

また、接合部材150は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂から構成されている。このとき、絶縁性樹脂は、蓋体の封止枠部の下面に塗布される。絶縁性樹脂が塗付された蓋体は、封止枠部の下面と基板の上面とで絶縁性樹脂を挟むように載置される。その後、絶縁性樹脂を加熱硬化させて、蓋体と基板とを接合している。   In addition, in the case of an insulating resin, for example, the bonding member 150 is made of an epoxy resin or a polyimide resin. At this time, the insulating resin is applied to the lower surface of the sealing frame portion of the lid. The lid body to which the insulating resin is applied is placed so that the insulating resin is sandwiched between the lower surface of the sealing frame portion and the upper surface of the substrate. Thereafter, the insulating resin is heated and cured to join the lid and the substrate.

本実施形態に係る水晶デバイスは、略直方体形状の水晶片121と、水晶片121の上面に設けられている第一励振電極部122aと、第一励振電極部122aから水晶片121の上面の縁部にまで延設されている第一配線部123aと、第一配線部123aに接続するように水晶片121の上面の縁部に設けられている第一引出端子124aと、水晶片121の下面の第一引出端子124aと対向する位置に設けられている第一搭載端子125aと、一端が第一引出端子124aと重なりつつ他端が第一搭載端子125aと重なるように設けられている第一接続部126aと、水晶片121の下面に設けられている第二励振電極部122aと、第二励振電極部122bから水晶片121の下面の縁部にまで延設されている第二配線部123bと、第二配線部122bに接続するように水晶片121の下面の縁部に設けられている第二搭載端子125bと、第一搭載パッド111および第二搭載パッド111が上面に設けられている基板110と、第一搭載パッド111と第一搭載端子125aとの間、および、第二搭載パッド111と第二搭載端子125bとの間に設けられている導電性接着剤140と、基板110の上面に接合される蓋体130と、を備えている。   The crystal device according to the present embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped crystal piece 121, a first excitation electrode portion 122a provided on the upper surface of the crystal piece 121, and an edge of the upper surface of the crystal piece 121 from the first excitation electrode portion 122a. A first wiring portion 123a extending to the first wiring portion, a first lead terminal 124a provided at an edge of the upper surface of the crystal piece 121 so as to be connected to the first wiring portion 123a, and a lower surface of the crystal piece 121 The first mounting terminal 125a provided at a position facing the first extraction terminal 124a, and the first mounting terminal 125a provided so that one end overlaps the first extraction terminal 124a and the other end overlaps the first mounting terminal 125a. The connection portion 126a, the second excitation electrode portion 122a provided on the lower surface of the crystal piece 121, and the second wiring portion 123 extending from the second excitation electrode portion 122b to the edge of the lower surface of the crystal piece 121. The second mounting terminal 125b provided at the edge of the lower surface of the crystal piece 121, the first mounting pad 111, and the second mounting pad 111 are provided on the upper surface so as to be connected to the second wiring portion 122b. A conductive adhesive 140 provided between the substrate 110, the first mounting pad 111 and the first mounting terminal 125a, and between the second mounting pad 111 and the second mounting terminal 125b; A lid 130 joined to the upper surface.

本実施形態では、このような構成にすることで、水晶片121の上面の端部において、接続部127の分だけ上下方向の膜厚が厚くすることができ、水晶片121の下面に垂直で、かつ、水晶片121の上面から水晶片121の下面に向かう向きに応力が加わった場合、水晶片121の上面の端部における応力集中による膜剥離を低減させることが可能となる。従って、本実施形態では、導電性接着剤140が硬化するときに、水晶片121の下面と垂直で、かつ、水晶片121の上面から下面へ向かう向きに収縮応力が加わった場合であっても、従来と比較して、水晶片121の上面の端部において応力集中による膜剥離を低減させることができる。このため、本実施形態では、膜剥離により引出端子124と接続部127との導通不良となることを低減させ、この導通不良が原因で生じる等価直列抵抗値が大きくなることを軽減させることが可能となる。   In this embodiment, with such a configuration, the film thickness in the vertical direction can be increased by the amount of the connecting portion 127 at the end of the upper surface of the crystal piece 121, and perpendicular to the lower surface of the crystal piece 121. In addition, when stress is applied in a direction from the upper surface of the crystal piece 121 toward the lower surface of the crystal piece 121, film peeling due to stress concentration at the end of the upper surface of the crystal piece 121 can be reduced. Therefore, in the present embodiment, even when the conductive adhesive 140 is cured, even when contraction stress is applied in a direction perpendicular to the lower surface of the crystal piece 121 and from the upper surface to the lower surface of the crystal piece 121. Compared with the prior art, film peeling due to stress concentration at the end of the upper surface of the crystal piece 121 can be reduced. For this reason, in this embodiment, it is possible to reduce the occurrence of poor conduction between the lead terminal 124 and the connecting portion 127 due to film peeling, and to reduce the increase in the equivalent series resistance value caused by this poor conduction. It becomes.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、水晶片121の下面の二搭載端子125bと対向する位置に設けられている第二引出端子124bと、一端が第二引出端子124bと重なりつつ他端が第二搭載端子125bと重なるように設けられている第二接続部126bと、を備えている。このように第二引出端子124bを水晶片121の上面に設けることで、第一励振電極部122aおよび第二励振電極部122bに電圧を印加させ、第一励振電極部122aおよび第二励振電極部122bに挟まれている水晶片121の一部分を厚みすべり振動させたときに、厚みすべり振動とは別に、水晶片121の輪郭が振動する輪郭すべり振動を、第二引出端子124bの質量の分だけ振動しにくくなるので減衰させることができる。従って、本実施形態では、輪郭すべり振動と厚みすべり振動との結合により等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。なお、本実施形態では、引出端子124が第一引出端子124aのみであってもこのような効果を奏することは可能であるが、引出端子124が第一引出端子124aおよび第二引出端子124bからなる場合には、第一引出端子124aだけの場合よりも、等価直列抵抗値が大きくなることをさらに低減させることが可能となる。   In addition, the crystal device according to the present embodiment includes a second lead terminal 124b provided at a position facing the two mounting terminals 125b on the lower surface of the crystal piece 121, and one end overlapping the second lead terminal 124b while the other end is overlapped. And a second connection portion 126b provided so as to overlap the second mounting terminal 125b. Thus, by providing the 2nd extraction terminal 124b on the upper surface of the crystal piece 121, a voltage is applied to the 1st excitation electrode part 122a and the 2nd excitation electrode part 122b, and the 1st excitation electrode part 122a and the 2nd excitation electrode part When a portion of the crystal piece 121 sandwiched between 122b is subjected to a thickness-shear vibration, a contour-slip vibration in which the contour of the crystal piece 121 vibrates separately from the thickness-slip vibration is equal to the mass of the second lead terminal 124b. Since it becomes difficult to vibrate, it can be attenuated. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce the increase of the equivalent series resistance value due to the combination of the contour shear vibration and the thickness shear vibration. In the present embodiment, such an effect can be achieved even if the lead terminal 124 is only the first lead terminal 124a. However, the lead terminal 124 is connected to the first lead terminal 124a and the second lead terminal 124b. In this case, it is possible to further reduce the increase in the equivalent series resistance value as compared with the case of only the first lead terminal 124a.

また、本実施形態では、水晶片121の上面の所定の一辺の縁部に沿って二つ並んで第一引出端子124aおよび第二引出端子124bを設けることによって、水晶素子120を導電性接着剤140で実装した場合に、水晶片121の下面の状態と水晶片121の上面の状態とをより近づけることが可能となる。従って、本実施形態では、水晶片121の上面側に第一引出端子124aよび第二引出端子124bを設けることで、水晶片121の上面側において第一引出端子124aおよび第二引出端子124bの質量の分だけ振動へ影響を与えることとなり、従来と比較して、水晶片121の上面側での振動に影響を与えることが可能となる。この結果、本実施形態では、水晶素子120を導電性接着剤140で実装する場合、水晶片121の下面側と水晶片121の上面側とで振動への影響を近づけることができるため、振動バランスが良くなり、等価直列抵抗値が大きくなることをより低減させることができる。   In the present embodiment, the crystal element 120 is made of a conductive adhesive by providing two first lead terminals 124a and second lead terminals 124b side by side along an edge of a predetermined side of the upper surface of the crystal piece 121. When mounted at 140, the state of the lower surface of the crystal piece 121 and the state of the upper surface of the crystal piece 121 can be made closer. Therefore, in this embodiment, by providing the first extraction terminal 124 a and the second extraction terminal 124 b on the upper surface side of the crystal piece 121, the masses of the first extraction terminal 124 a and the second extraction terminal 124 b on the upper surface side of the crystal piece 121. Therefore, the vibration on the upper surface side of the crystal piece 121 can be affected as compared with the conventional case. As a result, in this embodiment, when the crystal element 120 is mounted with the conductive adhesive 140, the influence on the vibration can be made closer to the lower surface side of the crystal piece 121 and the upper surface side of the crystal piece 121, so that the vibration balance And an increase in the equivalent series resistance value can be further reduced.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、第一接続部126aの端部が円弧形状となっており、円弧の円の中心が水晶片121の外縁側に位置している。このようにすることで、本実施形態では、水晶片121の下面と平行で、かつ、水晶片121の外縁から内側へ向かう向きに応力が加わった場合、この応力を、第一接続部126aの端部で緩和させることが可能となる。従って、本実施形態では、第一接続部126aの両端部を円弧形状にし、この円弧の円の中心が水晶片121の外縁側に位置するようにすることで、導電性接着剤140が硬化するときに、水晶片121の下面と平行で、かつ、水晶片121の外縁から内側へ向かう向きに収縮応力が加わった場合であっても、第一接続部126aの端部で緩和させることができる。このため、本実施形態では、水晶片121の端部に加わる応力を緩和させることができ、水晶片121の端部における第一接続部126aの剥離を低減させることが可能となる。この結果、第一接続部126aと第一搭載端子125a子との導通不良を低減させることができ、第一接続部126aと第一搭載端子125aとの導通不良による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   In the crystal device according to the present embodiment, the end of the first connection portion 126 a has an arc shape, and the center of the arc circle is located on the outer edge side of the crystal piece 121. By doing in this way, in this embodiment, when stress is applied in a direction parallel to the lower surface of the crystal piece 121 and inward from the outer edge of the crystal piece 121, this stress is applied to the first connection portion 126a. It is possible to relax at the end. Therefore, in this embodiment, the both ends of the 1st connection part 126a are made into circular arc shape, and the conductive adhesive 140 hardens | cures by making the center of the circle | round | yen of this circular arc be located in the outer edge side of the crystal piece 121. Sometimes, even when contraction stress is applied in a direction parallel to the lower surface of the crystal piece 121 and inward from the outer edge of the crystal piece 121, it can be relaxed at the end of the first connection portion 126a. . For this reason, in this embodiment, the stress applied to the end portion of the crystal piece 121 can be relaxed, and peeling of the first connection portion 126a at the end portion of the crystal piece 121 can be reduced. As a result, the conduction failure between the first connection portion 126a and the first mounting terminal 125a can be reduced, and the equivalent series resistance value due to the conduction failure between the first connection portion 126a and the first mounting terminal 125a is increased. Can be reduced.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、第一接続部126aの端部が半円形状または半楕円形状となっている本実施形態では、このようにすることで、水晶片121の下面と平行で、かつ、水晶片121の外縁から内側へ向かう向きに収縮応力が加わった場合であっても、より第一接続部126aの端部で緩和させることができる。このため、本実施形態では、水晶片121の端部に加わる応力を緩和させることができ、水晶121の端部における第一接続部126aの剥離を低減させることが可能となる。この結果、本実施形態では、第一接続部126aと第一搭載端子125aとの導通不良を低減させることができ、第一接続部126aと第一搭載端子125aとの導通不良による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   Further, in the present embodiment in which the end portion of the first connection portion 126a has a semicircular shape or a semielliptical shape, the crystal device according to the present embodiment is parallel to the lower surface of the crystal piece 121 in this manner. And even if it is a case where contraction stress is added to the direction which goes to the inner side from the outer edge of the crystal piece 121, it can relieve | moderate more by the edge part of the 1st connection part 126a. For this reason, in this embodiment, the stress applied to the end portion of the crystal piece 121 can be relieved, and peeling of the first connection portion 126a at the end portion of the crystal 121 can be reduced. As a result, in this embodiment, the conduction failure between the first connection portion 126a and the first mounting terminal 125a can be reduced, and the equivalent series resistance value due to the conduction failure between the first connection portion 126a and the first mounting terminal 125a. Can be reduced.

本実施形態に係る水晶デバイスは、水晶片121の側面に設けられている第一接続部126aの幅が、水晶片121の上面に設けられている第一接続部126aの幅と比較して、狭くなっている。本実施形態では、このような構成にすることで厚みすべり振動への振動阻害を低減させることができ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。これは、厚みすべり振動が水晶片121の端部においても厚みすべり振動しているためである。厚みすべり振動とは、前述したように、図7に示したように、水晶片121の上面から水晶片121の下面に向かう向き、つまり、水晶片121の上下方向の厚み方向で振動している。励振電極部122に電圧を印加すると、励振電極部122で挟まれている水晶片121の一部分が逆圧電効果および圧電効果により厚みすべり振動するが、このとき、励振電極部122で挟まれていない部分へも厚みすべり振動が漏れている状態となっている。従って、励振電極部122に挟まれている水晶片121の一部分から徐々に厚みすべり振動が減衰するものの、水晶片121の端部においても厚みすべり振動がしている状態となっている。このため、水晶片121の側面の状態により、水晶片121の上下方向の厚み方向で振動している厚みすべり振動は、影響を受けやすくなる。以上のことから、水晶片121の側面部分に設けられる接続部126の幅を狭くすることで面積を小さくすることができ、水晶片121の側面状態の変化を小さくすることができ、水晶片121の端部における厚みすべり振動への阻害をより小さくすることが可能となる。この結果、厚みすべり振動への振動阻害を低減させることができ、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   In the crystal device according to the present embodiment, the width of the first connection portion 126a provided on the side surface of the crystal piece 121 is compared with the width of the first connection portion 126a provided on the upper surface of the crystal piece 121. It is narrower. In the present embodiment, by adopting such a configuration, it is possible to reduce the vibration inhibition to the thickness shear vibration, and it is possible to reduce the increase of the equivalent series resistance value. This is because the thickness shear vibration also vibrates in the end portion of the crystal piece 121. As described above, the thickness shear vibration vibrates in the direction from the upper surface of the crystal piece 121 toward the lower surface of the crystal piece 121, that is, in the thickness direction in the vertical direction of the crystal piece 121, as shown in FIG. . When a voltage is applied to the excitation electrode unit 122, a part of the crystal piece 121 sandwiched between the excitation electrode units 122 vibrates in thickness due to the reverse piezoelectric effect and the piezoelectric effect, but at this time, it is not sandwiched between the excitation electrode units 122. The thickness shear vibration is leaking to the part. Accordingly, although the thickness shear vibration is gradually attenuated from a part of the crystal piece 121 sandwiched between the excitation electrode portions 122, the thickness shear vibration is also present at the end portion of the crystal piece 121. For this reason, depending on the state of the side surface of the crystal piece 121, the thickness shear vibration that vibrates in the thickness direction in the vertical direction of the crystal piece 121 is easily affected. From the above, the area can be reduced by narrowing the width of the connecting portion 126 provided on the side surface portion of the crystal piece 121, the change in the side surface state of the crystal piece 121 can be reduced, and the crystal piece 121. It is possible to further reduce the inhibition of the thickness-shear vibration at the end portion. As a result, it is possible to reduce the vibration inhibition to the thickness shear vibration and to reduce the increase of the equivalent series resistance value.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、水晶片121の上面を平面視して、第一引出端子124aと第一接続部126aとが重なっている部分の面積が、第一引出端子124aの面積の半分以上となっている。本実施形態では、このような構成にすることで、水晶片121の上面に設けられている第一接続部126aによって、第一引出端子124aとの導通をより確実に確保することができる。従って、本実施形態では、第一引出端子124aが水晶片121の上面の外縁より内縁側に設けられている場合であっても、第一接続部126aと第一引出端子124aとの導通をより確実に確保することができ、第一接続部126aと第一引出端子124aとの導通不良による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   In the crystal device according to the present embodiment, the area of the portion where the first extraction terminal 124a and the first connection portion 126a overlap when the upper surface of the crystal piece 121 is viewed in plan is the area of the first extraction terminal 124a. It is more than half of. In the present embodiment, with such a configuration, the first connection portion 126a provided on the upper surface of the crystal piece 121 can more reliably ensure electrical continuity with the first lead terminal 124a. Therefore, in this embodiment, even if the first lead terminal 124a is provided on the inner edge side from the outer edge of the upper surface of the crystal piece 121, the first connection portion 126a and the first lead terminal 124a are more electrically connected. It can be ensured reliably, and it is possible to reduce an increase in the equivalent series resistance value due to poor conduction between the first connection portion 126a and the first lead terminal 124a.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、導電性接着剤140が、第一搭載端子125aと第一搭載パッド111との間だけでなく、第一接続端子126aの他端と第一搭載パッド111との間にも設けられている。本実施形態では、このようにすることで、導電性接着剤140が硬化するときの収縮応力が加わった場合、収縮応力が第一搭載端子125aと第一接続部126aとに加わることとなり、従来のように搭載パッド111と第一搭載端子125aとの間にのみ導電性接着剤140を設けた場合と比較し、第一搭載端子125aに加わる収縮応力を軽減させることができる。このため、本実施形態では、収縮応力により第一搭載端子125aの一部が剥離し、等価直列抵抗値が大きくなることを軽減させることが可能となる。   In the crystal device according to the present embodiment, the conductive adhesive 140 is not only between the first mounting terminal 125a and the first mounting pad 111, but also the other end of the first connection terminal 126a and the first mounting pad 111. It is also provided between. In this embodiment, by doing in this way, when contraction stress is applied when the conductive adhesive 140 is cured, the contraction stress is applied to the first mounting terminal 125a and the first connection portion 126a. Thus, compared with the case where the conductive adhesive 140 is provided only between the mounting pad 111 and the first mounting terminal 125a, the contraction stress applied to the first mounting terminal 125a can be reduced. For this reason, in this embodiment, it becomes possible to reduce that a part of 1st mounting terminal 125a peels by contraction stress, and an equivalent series resistance value becomes large.

また、本実実施形態に係る水晶デバイスは、第一励振電極部122a、第二励振電極部122b、第一搭載端子125a、第二搭載端子125b、第一配線部123a、第二配線部123b、第一引出端子124aが、第一金属層M11と、第一金属層M11上に設けられている第二金属層M12とからなり、第一接続部126aが、第三金属層M13と、第三金属層M13上に設けられている第四金属層M14とからなっている。このような構成にすることで、第一金属層M11および第三金属層M13に水晶片121と密着性の高い金属を用いることにより、第二金属層M12および第四金属層M14に水晶片121と密着しにくい金属材料を用いることが可能となる。従って、本実施形態では、吸着ノズル等で水晶素子120を移動させ水晶素子120を基板110に実装する際に、吸着ノズルや周囲との接触により、第二金属層M12および第四金属層M14の一部が剥離することを低減させることができる。このため、本実施形態では、第二金属層M12および第四金属層M14の一部が剥離することによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。   Further, the crystal device according to the present embodiment includes a first excitation electrode portion 122a, a second excitation electrode portion 122b, a first mounting terminal 125a, a second mounting terminal 125b, a first wiring portion 123a, a second wiring portion 123b, The first lead terminal 124a includes a first metal layer M11 and a second metal layer M12 provided on the first metal layer M11, and the first connection portion 126a includes a third metal layer M13 and a third metal layer M13. It consists of a fourth metal layer M14 provided on the metal layer M13. By adopting such a configuration, a crystal piece 121 is used for the second metal layer M12 and the fourth metal layer M14 by using a metal having high adhesion to the crystal piece 121 for the first metal layer M11 and the third metal layer M13. It is possible to use a metal material that is difficult to adhere to. Therefore, in this embodiment, when the crystal element 120 is moved by the suction nozzle or the like and the crystal element 120 is mounted on the substrate 110, the second metal layer M12 and the fourth metal layer M14 are brought into contact with the suction nozzle and the surroundings. Part peeling can be reduced. For this reason, in this embodiment, it becomes possible to reduce an increase in the equivalent series resistance value due to separation of a part of the second metal layer M12 and the fourth metal layer M14.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、第二金属層M12と第四金属M14とは異なる金属材料が用いられており、第四金属層M14の金属材料の電気抵抗率が、第二金属層M12の金属材料の電気抵抗率より小さい。本実施形態では、このような構成にすることで、第三金属層M13および第四金属層M14からなる接続部126の電気抵抗を低減させることができ、かつ、第二金属層M12と同じ金属材料を用いた場合と比較して電気抵抗値をより低減させることができる。従って、本実施形態では、接続部126の電気抵抗値を低減させることが可能となり、水晶素子120および水晶デバイスの等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。   The quartz crystal device according to this embodiment uses a metal material different from the second metal layer M12 and the fourth metal M14, and the electric resistivity of the metal material of the fourth metal layer M14 is the second metal layer. It is smaller than the electrical resistivity of the metal material of M12. In the present embodiment, by adopting such a configuration, the electrical resistance of the connection portion 126 including the third metal layer M13 and the fourth metal layer M14 can be reduced, and the same metal as the second metal layer M12 is used. The electric resistance value can be further reduced as compared with the case where a material is used. Therefore, in this embodiment, it becomes possible to reduce the electrical resistance value of the connection part 126, and it can reduce that the equivalent series resistance value of the crystal element 120 and a crystal device becomes large.

また、本実施形態に係る水晶デバイスは、第二金属層M12に金を主成分とする金属材料が用いられ、第四金属層M14に銀を主成分とする金属材料が用いられている。本実施形態では、このようなに第二金属層M12に金を主成分とする金属材料を用いることで、励振電極部122、配線部123、引出端子124および搭載端子125における電気抵抗を抑えつつ、第二金属層M12が周囲の酸素と酸化し水晶素子120の周波数が変化することを低減させることができる。また、第四金属層M14に銀を主性分とする金属材料を用いることで、接続部126における電気抵抗をより抑えつつ、第四金属層M14が周囲の酸素と酸化し水晶素子120の周波数が変化することを低減させることができる。ここで、第四金属層M14が銀からなる場合について説明しているが、銀が硫化することを低減させるために、パラジウム等を数%程度添加させた銀を主成分とする金属であってもよい。従って、このような構成にすることで、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させつつ、第二金属層M12および第四金属層M14が周囲の環境により変質が原因で生じる周波数変化を低減させることができる。   In the quartz crystal device according to this embodiment, a metal material containing gold as a main component is used for the second metal layer M12, and a metal material containing silver as a main component is used for the fourth metal layer M14. In the present embodiment, by using a metal material mainly composed of gold for the second metal layer M12 as described above, the electrical resistance in the excitation electrode portion 122, the wiring portion 123, the extraction terminal 124, and the mounting terminal 125 is suppressed. It is possible to reduce the change in the frequency of the crystal element 120 due to oxidation of the second metal layer M12 with surrounding oxygen. Further, by using a metal material mainly composed of silver for the fourth metal layer M14, the fourth metal layer M14 is oxidized with the surrounding oxygen while suppressing the electric resistance at the connection portion 126, and the frequency of the crystal element 120 is increased. Can be reduced. Here, the case where the fourth metal layer M14 is made of silver has been described. However, in order to reduce the sulfidation of silver, it is a metal mainly composed of silver to which about several percent of palladium or the like is added. Also good. Therefore, by adopting such a configuration, the second metal layer M12 and the fourth metal layer M14 reduce the frequency change caused by alteration due to the surrounding environment while reducing the increase in the equivalent series resistance value. be able to.

なお、本実施形態では、水晶片が略矩形形状の平板状の場合について説明しているが、上面を平面視して、略矩形形状になっていれば、例えば、水晶片の上下方向の厚みが水晶片の中央部で厚くなっているメサ型の水晶片であってもよいし、例えば、水晶片の上下方向の厚みが水晶片の中央部で薄くなっている逆メサ型の水晶片であってもよい。   In the present embodiment, the case where the crystal piece has a substantially rectangular flat plate shape is described. However, when the upper surface is viewed in plan, the crystal piece has a substantially rectangular shape, for example, the thickness of the crystal piece in the vertical direction. May be a mesa-type crystal piece that is thick at the center of the crystal piece, or, for example, an inverted mesa-type crystal piece whose thickness in the vertical direction of the crystal piece is thin at the center of the crystal piece. There may be.

110・・・基板
111・・・搭載パッド
112・・・外部端子
120・・・水晶素子
121・・・水晶片
122・・・励振電極部
122a・・・第一励振電極部
122b・・・第二励振電極部
123・・・配線部
123a・・・第一配線部
123b・・・第二配線部
124・・・引出端子
124a・・・第一引出端子
124b・・・第二引出端子
125・・・搭載端子
125a・・・第一搭載端子
125b・・・第二搭載端子
126・・・接続部
126a・・・第一接続部
126b・・・第二接続部
130・・・蓋体
131・・・封止基部
132・・・封止枠部
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
110 ... substrate 111 ... mounting pad 112 ... external terminal 120 ... crystal element 121 ... crystal piece 122 ... excitation electrode part 122a ... first excitation electrode part 122b ... first Double excitation electrode part 123... Wiring part 123 a... First wiring part 123 b... Second wiring part 124 .. extraction terminal 124 a... First extraction terminal 124 b. ..Mounting terminal 125a ... first mounting terminal 125b ... second mounting terminal 126 ... connecting portion 126a ... first connecting portion 126b ... second connecting portion 130 ... lid body 131 .... Sealing base part 132 ... Sealing frame part 140 ... Conductive adhesive 150 ... Joining member

Claims (7)

略直方体形状の水晶片と、
前記水晶片の上面に設けられている第一励振電極部と、
前記第一励振電極部から前記水晶片の上面の縁部にまで延設されている第一配線部と、
前記第一配線部に接続するように前記水晶片の上面の縁部に設けられている第一引出端子と、
前記水晶片の下面の前記第一引出端子と対向する位置に設けられている第一搭載端子と、
一端が前記第一引出端子と重なりつつ他端が前記第一搭載端子と重なるように設けられている第一接続部と、
前記水晶片の下面に設けられている第二励振電極部と、
前記第二励振電極部から前記水晶片の下面の縁部にまで延設されている第二配線部と、
前記第二配線部に接続するように前記水晶片の下面の縁部に設けられている第二搭載端子と、
第一搭載パッドおよび第二搭載パッドが上面に設けられている基板と、
前記第一搭載パッドと前記第一搭載端子との間、および、前記第二搭載パッドと前記第二搭載端子との間に設けられている導電性接着剤と、
前記基板の上面に接合される蓋体と、を備え、
前記水晶片の側面を平面視した際の前記水晶片に設けられた前記第一接続部の幅が、前記水晶片の上面を平面視した際の前記水晶片の上面に設けられた前記第一接続部の幅と比較して狭くなっている水晶デバイス。
An approximately rectangular parallelepiped crystal piece;
A first excitation electrode provided on an upper surface of the crystal piece;
A first wiring portion extending from the first excitation electrode portion to the edge of the upper surface of the crystal piece;
A first lead terminal provided at an edge of the upper surface of the crystal piece so as to be connected to the first wiring part;
A first mounting terminal provided at a position facing the first lead terminal on the lower surface of the crystal piece;
A first connection portion provided so that one end overlaps the first lead terminal and the other end overlaps the first mounting terminal;
A second excitation electrode portion provided on the lower surface of the crystal piece;
A second wiring portion extending from the second excitation electrode portion to the edge of the lower surface of the crystal piece;
A second mounting terminal provided at an edge of the lower surface of the crystal piece so as to connect to the second wiring portion;
A substrate on which the first mounting pad and the second mounting pad are provided on the upper surface;
A conductive adhesive provided between the first mounting pad and the first mounting terminal; and between the second mounting pad and the second mounting terminal;
A lid joined to the upper surface of the substrate,
The width of the first connection portion provided on the crystal piece when the side surface of the crystal piece is viewed in plan is the width of the first connection portion provided on the upper surface of the crystal piece when the top surface of the crystal piece is viewed in plan. A crystal device that is narrower than the width of the connection.
請求項1に記載の水晶デバイスであって、
前記水晶片の下面の記第二搭載端子と対向する位置に設けられている第二引出端子と、
一端が前記第二引出端子と重なりつつ他端が前記第二搭載端子と重なるように設けられている第二接続部と、
を備えていることを特徴とする水晶デバイス。
The crystal device according to claim 1,
A second lead terminal provided at a position facing the second mounting terminal on the lower surface of the crystal piece;
A second connection portion provided so that one end overlaps the second lead terminal and the other end overlaps the second mounting terminal;
A crystal device characterized by comprising:
請求項1に記載の水晶デバイスであって、
前記水晶片の上面を平面視して、
前記第一引出端子と前記第一接続部とが重なっている部分の面積が、前記第一引出端子の面積の半分以上となっている水晶デバイス。
The crystal device according to claim 1,
In plan view of the upper surface of the crystal piece,
A quartz crystal device in which an area of a portion where the first lead terminal and the first connection portion overlap is more than half of an area of the first lead terminal.
請求項1に記載の水晶デバイスであって、
前記導電性接着剤が、前記第一搭載端子と前記第一搭載パッドとの間だけでなく、前記第一接続部の他端と前記第一搭載パッドとの間にも設けられている水晶デバイス。
The crystal device according to claim 1,
The crystal device in which the conductive adhesive is provided not only between the first mounting terminal and the first mounting pad but also between the other end of the first connection portion and the first mounting pad. .
請求項1記載の水晶デバイスであって、
前記第一励振電極部、前記第二励振電極部、前記第一搭載端子、前記第二搭載端子、前記第一配線部、前記第二配線部、前記第一引出端子が、第一金属層と、前記第一金属層上に設けられている第二金属層とからなり、
前記第一接続部が、第三金属層と、前記第三金属層上に設けられている第四金属層とからなっている水晶デバイス。
The crystal device according to claim 1,
The first excitation electrode part, the second excitation electrode part, the first mounting terminal, the second mounting terminal, the first wiring part, the second wiring part, and the first lead terminal are a first metal layer and The second metal layer provided on the first metal layer,
The quartz crystal device, wherein the first connection portion includes a third metal layer and a fourth metal layer provided on the third metal layer.
請求項5に記載の水晶デバイスであって、
前記第二金属層と前記第四金属層とは異なる金属材料が用いられており、
前記第四金属層の金属材料の電気抵抗率が、前記第二金属層の金属材料の電気抵抗率より小さい水晶デバイス。
The crystal device according to claim 5,
Different metal materials are used for the second metal layer and the fourth metal layer,
A quartz crystal device in which an electrical resistivity of the metal material of the fourth metal layer is smaller than an electrical resistivity of the metal material of the second metal layer.
請求項6に記載の水晶デバイスであって、
前記第二金属層に金を主成分とする金属材料が用いられ、前記第四金属層に銀を主成分とする金属材料が用いられている水晶デバイス。
The crystal device according to claim 6,
A quartz crystal device in which a metal material mainly composed of gold is used for the second metal layer, and a metal material mainly composed of silver is used for the fourth metal layer.
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