JP6567681B2 - マスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法 - Google Patents

マスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6567681B2
JP6567681B2 JP2017542238A JP2017542238A JP6567681B2 JP 6567681 B2 JP6567681 B2 JP 6567681B2 JP 2017542238 A JP2017542238 A JP 2017542238A JP 2017542238 A JP2017542238 A JP 2017542238A JP 6567681 B2 JP6567681 B2 JP 6567681B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask pattern
mask
liquid crystal
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2017542238A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018500610A (ja
Inventor
大▲為▼ 史
大▲為▼ 史
▲紅▼亮 ▲劉▼
▲紅▼亮 ▲劉▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2018500610A publication Critical patent/JP2018500610A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6567681B2 publication Critical patent/JP6567681B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/62—Switchable arrangements whereby the element being usually not switchable

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明の実施例はマスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法に関する。
通常のマスクプレートのマスクパターンは、各領域内の線密度の大きさが異なり、例えば、一般的に、走査線のｆａｎｏｕｔ配線（セクタ配線）領域に対応するマスクパターンの線密度（ファンアウト配線領域の配線密度と合致）が比較的大きく（又はマスクパターンの透過ギャップが比較的小さく）、ピクセル（画素）領域に対応するマスクパターンの線密度が比較的小さい（又はマスクパターンの透過ギャップが比較的大きい）。露光時、マスクプレートの異なる領域が同じ露光量を受けても、線密度が異なるので異なる領域内での光透過率が異なり（例えばパターンが密集する領域内での光透過率は低く）、それにより、線密度が大きい領域に必要な露光量も大きく、従って、異なる領域内において良好に露光現像した後、サイズを同時に確保しにくく、マスクプロセスの簡略化に不利である。
本発明は、マスクプレートを提供し、前記マスクプレートは、対向して設置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、前記第１基板上に形成され、前記液晶層及び前記第１基板の同一側に位置する透明導電層と、不透明な導電材料で前記第２基板上に形成されたマスクパターンとを備え、前記マスクパターン及び前記透明導電層は、それらの間に電界を発生させて該液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するように構成される。
本発明は、マスクプレートの製造方法をさらに提供し、前記マスクプレートの製造方法は、第１基板上に透明導電層を形成するステップと、不透明な導電材料が用いられるマスクパターンを第２基板上に形成するステップと、前記第１基板と前記第２基板とを位置合わせしてボックスを形成し、前記第１基板と前記第２基板との間に、前記透明導電層及び前記第１基板の同一側に位置する液晶層を形成するステップと、前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給して電界を発生させて前記液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するように構成される給圧ユニットと前記透明導電層との間、及び前記給圧ユニットと前記マスクパターンとの間を電気的に接続するステップとを含む。
本発明は、上記のマスクプレートによるパターニング方法をさらに提供し、前記パターニング方法は、前記給圧ユニットによって前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給してそれらの間に電界を発生させて前記液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するステップと、前記第１基板に照射し、一部の光を前記第１基板、前記透明導電層、前記液晶層及び前記第２基板に順次透過させ、前記第２基板の前記マスクパターン以外の領域から射出するステップとを含む。
本発明の技術案をさらに詳しく説明するために、以下、実施例又は関連技術の説明に必要な図面を簡単に説明する。勿論、以下説明される図面は本発明のいくつかの実施例のみに関するものであり、本発明を限定するものではない。
本発明の一実施例に係るマスクプレートの構成模式図である。 本発明の一実施例に係るマスクプレートの作動原理の模式図である。
本発明の実施例の目的、技術案及び利点をさらに明確にするために、以下、本発明の実施例の図面を参照しながら、本発明の実施例の技術案を明確かつ完全に説明する。勿論、説明される実施例は本発明の実施例の一部であり、実施例の全てではない。本発明の実施例に基づき、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得られるほかの実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
ただし、本発明の説明において、用語「上」、「下」等により指示される方位又は位置関係は図面に示される方位又は位置関係であり、本発明の実施例を容易に説明し及び説明を簡略化するためのものであり、説明される装置又は素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作されることを指示又は示唆するものではないので、本発明を制限するものではないと理解すべきである。特に明確な規定または限定がない限り、用語「取り付ける」、「接続される」、「接続する」は広義に理解されるべきであり、例えば、固定して接続されてもよく、取り外し可能に接続されてもよく、一体に接続されてもよく、機械的に接続されてもよく、電気的に接続されてもよく、直接接続されてもよく、中間媒体を介して間接接続されてもよく、２つの素子の内部が連通してもよい。当業者にとって、必要に応じて本発明の実施例の上記用語の具体的な意味を理解できる。
本発明の実施例はマスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法を提供して、異なる線密度の領域の露光量が非常に異なり、露光現像後のサイズを制御できないという問題を解決する。
図１は本発明の一実施例に係るマスクプレートの構造を示し、図１の上半分は該マスクプレートの断面構造を示し、図１の下半分は該マスクプレートの下面図の一部を示す。図１に示すように、該マスクプレートは、
対向して設置される第１基板１０１及び第２基板１０２と、
第１基板１０１と第２基板１０２との間に位置する液晶層１０３と、
第１基板１０１上に形成され、上記液晶層１０３と第１基板１０１の同一側に位置する透明導電層１０４と、
不透明な導電材料で第２基板１０２上に形成されるマスクパターン１０５と、を備える。マスクパターン１０５と透明導電層１０４は、それらの間に電界を発生させて液晶層１０３内の液晶分子の偏向を駆動するように構成される。
図１の下半分に示すように、黒いストライプ状のパターンに示されるマスクパターン１０５は、Ａ領域内の第１サブマスクパターン１０５ＡとＢ領域内の第２サブマスクパターン１０５Ｂとを備える。図１において、第１サブマスクパターン１０５Ａは互いに分離する複数の第１マスクパターン部分、例えば、等間隔で平行に配列される複数の斜めマスクストライプを備え、第２サブマスクパターン１０５Ｂも互いに分離する複数の第２マスクパターン部分、例えば、等間隔で平行に配列される複数のストレートマスクストライプ（図１に２本のみを示す）を備える。Ａ領域の隣接する２本ごとの斜めマスクストライプ間の第１間隔はＢ領域の隣接する２本ごとのストレートマスクストライプ間の第２間隔より小さい。
本実施例において、該マスクプレートは透明導電層１０４及びマスクパターン１０５に接続され、マスクパターン１０５と透明導電層１０４に予め設定された電圧を供給してそれらの間に該電界を発生させる給圧ユニット１０６を備えてもよい。
該マスクプレートにおける液晶層１０３に対して、第２基板に平行な横方向（図１及び２の矢印により示される方向）において、マスクパターンに近い部分は、電界が強く、対応する液晶偏向度が規則的であるので、対応する液晶の光透過率が比較的大きく、マスクパターンに遠い部分は、電界が弱く、対応する液晶偏向が不規則的であるので、対応する液晶の光透過率が比較的小さい。該マスクプレートの液晶層１０３以外の構造に対して、マスクパターンに近い部分の光透過率が比較的小さいが、マスクパターンに遠い部分の光透過率が比較的大きく、両者が相殺して各透過ギャップでの光透過率が均一になり、さらに異なるサイズの透過ギャップでの光透過率も一致するようになる。つまり、本発明の実施例によれば、同一強度の光をマスクプレートの異なる線密度の領域を透過させた後の光強度が一致するようになるので、異なる線密度の領域の露光量が非常に異なり、露光現像後のサイズを制御できないという問題を解決することができる。
ただし、図面において、第２基板１０２上においてＡ領域内の複数の斜めストライプ状のマスクパターン部分を備える第１サブマスクパターン１０５ＡとＢ領域内の複数のストレートストライプ状のマスクパターン部分を備える第２サブマスクパターン１０５Ｂのみを例として、第２基板１０２上におけるマスクパターン１０５の形状と領域分割の状況を示す。
マスクパターン１０５は互いに離間する複数のストリップ状の電極（図１の黒いストライプ領域）を備えてもよい。図１において、マスクパターン１０５は第２基板上に領域分割して形成され（図１に示されるＡ領域とＢ領域）、各領域内の全てのストリップ状の電極は同じ幅を有し、２つごとの隣接するストリップ状の電極間の間隔が等間隔である（即ち、マスクパターンはストリップ状の電極の幅及び間隔に応じて領域分割される）。ストリップ状の電極は光の透過を遮断することによって、例えばアレイ基板におけるファンアウト配線（セクタ配線）領域又はピクセル（画素）領域の配線パターンを形成する。勿論、マスクパターン１０５は他の形状のパターン（例えば、ドット、矩形ブロック、ストリップ、弧線の一種又は複数種を含むパターン）であってもよく、他の方式で領域分割を行ってもよく、本発明の実施例はそれを制限しない。且つ、図１には、マスクパターン１０５を第２基板１０２の外側（液晶層１０３と反対側）に位置させるが、マスクパターン１０５を第２基板１０２の内側（液晶層１０３と同一側）に位置させてもよく、本発明の実施例はそれを制限しない。
本実施例において、第１基板１０１と第２基板１０２が対向して設置され、液晶層１０３における液晶が２つの基板の間に封入され、給圧ユニット１０６が透明導電層１０４とマスクパターン１０５に電圧を供給し、液晶層１０３における液晶をそれらの間の電界作用で偏向させる。つまり、この実施例のマスクプレートが液晶ボックス、透明導電層１０４が共通電極又は上部電極、マスクパターン１０５が画素電極又は下部電極とみなされてもよく、液晶層１０３における液晶の偏向状況の主な影響要素はマスクパターン１０５の形状及びマスクパターン１０５に印加される電圧の大きさである。
第１基板１０１及び第２基板１０２の形成材料は透明で、非導電性の性質を有し、具体的には、ガラス、石英又は類似物、プラスチック、ゴム、ガラス繊維、透明樹脂又は他の高分子材料を含んでもよい。
透明導電層１０４の形成材料は透明で、導電性の性質を有し、具体的には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、透明導電樹脂又は他の透明導電材料を含んでもよい。
マスクパターン１０５の形成材料は不透明で、導電性の性質を有し、具体的には、例えば鉄、銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、クロム又は他の金属、或いは金属の酸化物又は窒素化物、合金、金属層を含む多層膜、不透明導電樹脂材料（カーボンブラックが添加された樹脂材料）等々を含んでもよい。一例において、マスクパターン１０５の形成材料は金属クロムを含み、マスクパターン１０５の遮光性、導電性、安定性等に対する要件を満たすことができる。
マスクパターン１０５と透明導電層１０４に予め設定された電圧を供給するための給圧ユニット１０６は、一般的に、電圧源と出力電圧の大きさを変更するための抵抗器又は他の電気部品とを備える。給圧ユニット１０６の１つの出力電極が透明導電層１０４の表面又は側面の電極引出位置に接続され、給圧ユニット１０６のもう１つの出力電極が透明導電媒体を介してマスクパターン１０５の電極引出位置に接続される。勿論、他の構造の給圧ユニット１０６又は他の電気的接続方式を採用してもよく、例えば、透明導電層１０４とマスクパターン１０５はそれぞれ異なる給圧ユニットに接続されてもよく、本発明の実施例はそれを限定しない。
上記構造を有する本発明の実施例によるマスクプレートの作動原理は以下のとおりである。
図２に示されるマスクプレートの作動原理の模式図を参照し、図２に示されるマスクプレートと図１に示されるマスクプレートとの構造は一致する。給圧ユニット１０６を利用して第１サブマスクパターン１０５Ａ、第２サブマスクパターン１０５Ｂ及び透明電極層１０４に予め設定された電圧を供給して電界を発生させた後、液晶層１０３における液晶が電界作用で所定角度だけ偏向する。第２基板１０２上方の液晶層１０３に対して、サブマスクパターン１０５Ａ、１０５Ｂに対応する領域（例えば、サブマスクパターン１０５Ａ、１０５Ｂの真上領域）及び近傍の領域内における液晶は規則的に偏向するので、これらの領域内の液晶層１０３の透過率が比較的高く、サブマスクパターン１０５Ａ、１０５Ｂから遠い領域内における液晶層１０３の液晶は比較的に不規則的に偏向するので、これらの領域内の液晶層１０３の透過率が比較的低い。従って、同一強度の光Ｌ１Ａ及びＬ１Ｂがそれぞれ第１基板１０１におけるＡ領域とＢ領域に対応する領域内に照射される場合に、Ａ領域内の第１マスクパターン１０５Ａの透過ギャップが小さい（線密度が高い）ので、液晶層１０３における液晶は全体として規則的に偏向して、Ａ領域内の液晶層の透過率が比較的大きく、Ｂ領域内の第２マスクパターン１０５Ｂの線密度が低いので、液晶層１０３における液晶は一部の領域内に比較的に不規則的に偏向して、Ｂ領域内の液晶層の透過率が比較的小さい。上記効果により、元の透過率が大きい低線密度領域内の光透過率が相対的に小さくなり、元の透過率が小さい高線密度領域内の光透過率が相対的に大きくなる（即ち、異なる線密度領域の透過率の自己補償）ので、Ａ領域から射出される光Ｌ２ＡとＢ領域から射出される光Ｌ２Ｂとは全体として光強度が一致するようになることにより、異なる線密度領域の露光量が非常に異なり、露光現像後のサイズを制御できないという問題を解決することができる。
実施例において、パターン中断又は他の原因で互いに分離するマスクパターン部分（例えば、図１における互いに分離するストリップ状の電極）が存在すると、これらの分離するマスクパターン部分は、それぞれ給圧ユニット１０６の出力電極に接続されることにより、前記分離するマスクパターン部分ごとは予め設定された電圧をそれぞれ有する。この時、給圧ユニット１０６は各マスクパターン部分に同一大きさの予め設定された電圧を供給することができる。一例において、各マスクパターン部分はいずれも電圧源の１つの電極に接続されるが、各マスクパターン部分に異なる大きさの予め設定された電圧を供給してもよい。例えば、各マスクパターン部分はいずれも給圧ユニット１０６の１つの電圧源の電極に接続される。電圧の大きさの設定について、簡単に全てのマスクパターン部分に同一電圧を供給してもよく、異なる領域内のマスクパターン部分にそれぞれ異なる電圧を供給してもよく、まだ、透過率制御効果をより一層果たすために、各マスクパターン部分に提供された電圧をそれぞれ精密に調整してもよい。
しかしながら、電圧源の電極との直接接続を採用すると、多くの冗長な配線が発生してしまい、空間と原料の利用率の向上に不利である。これに対して、図２に示される接続パターン１０７を使用して互いに分離するマスクパターン部分を電気的に接続することができる。マスクパターンの実際の遮光領域を変更しないために、透明導電材料を選択して接続パターン１０７を形成する。一例において、接続パターン１０７がマスクパターン１０５の下に設置されてもよく、つまり、まず接続パターン１０７を形成し、次にマスクパターン１０５を形成してもよく、別の例において、マスクパターン１０５の上に設置されてもよく、つまり、まずマスクパターン１０５を形成し、次に接続パターン１０７を形成してもよく、このように、マスクパターン１０５は透明導電層１０４に平行な平面に位置するとともに、マスクパターン１０５に形成される電界の強度と電界強度の均一性を確保する。
一実施形態において、上記接続パターンはさらに第２基板１０２における任意の２つの互いに分離するマスクパターン部分を電気的に接続する。給圧ユニット１０６は上記接続パターンを介してマスクパターン１０５に接続され、マスクパターン１０５と透明導電層１０４との間に予め設定された電圧を供給する電圧源を備える。即ち、全ての互いに分離する部分のマスクパターン１０５を接続パターンを介して電気的に接続することにより、マスクパターン全体を一体電極に形成し、全体にわたり電圧が同じである。マスクパターン１０５の電極引出位置も接続パターンに含まれることにより、透過領域に給圧ユニット１０６に接続する金属ワイヤを設置する必要がない。
別の実施形態において、マスクパターン１０５は第２基板１０２上に領域分割して形成され、上記接続パターンはさらに第２基板１０２における同一領域内の任意の２つの互いに分離するマスクパターン部分を互いに電気的に接続する。給圧ユニット１０６はそれぞれ少なくとも１つの領域内のマスクパターン部分に接続され、それぞれ少なくとも１つの領域内のマスクパターン部分及び透明導電層１０４に予め設定された電圧を供給する少なくとも１つの電圧源を備える。即ち、各領域内のマスクパターン部分に一つの領域電極を形成し、給圧ユニット１０６によりそれぞれ予め設定された電圧を供給し、接続パターンが各領域電極の電極引出位置を含む。上記の有益な効果以外に、該設計によって、各領域電極における電圧を別々に制御することができる。電圧を予め設定する時であっても、電圧を均等化しなければならない。該設計は材料の抵抗による電圧降下がないので、電圧の均一性をさらに向上させることができ、大きいサイズのマスクプレートの設計に適用できる。
上記接続パターンは、例えば、いずれか一つのストリップ状のマスクパターン部分に非平行なストリップ状の接続パターンを含んでもよく、図２の接続パターン１０７に示すように、該ストリップ状の接続パターンはいずれか一つのストリップ状のマスクパターン部分に平行ではないので、これらのストリップ状のマスクパターンに交差しやすく、互いに分離するマスクパターン部分同士の電気的接続を形成する役割を果たし、特にマスクパターンがストライプ状のマスクプレートの設計に適用できる。ストリップ状の接続パターンは製造プロセスで実現しやすいだけでなく、異なる形状のマスクパターンに適用でき、適用範囲が広い。この他、接続パターン１０７は、例えばマスクプレートの一非透過領域内に形成されてもよい。
上記のいずれかの実施例に、マスクパターン１０５と液晶層１０３が第２基板１０２の同一側それとも異なる側に位置することを限定していない。どちら側に位置してもマスクパターン１０５は液晶層１０３における液晶を偏向させるように制御することができるからである。マスクパターン１０５と液晶層１０３とがそれぞれ第２基板１０２の両側に位置する場合、液晶層１０３は全層にわたり同一の厚みを保持し、マスクパターン１０５に対して他の後続の操作を行いやすい。
上記のいずれかの実施例において、液晶層１０３における液晶は予め設定されたプレチルト角を有してもよく、例えば、液晶ボックス形成プロセスの液晶配向技術によって実現でき、液晶層１０３の光学的特性をさらに改善し、透過率制御の精度を向上させる。
上記マスクプレートの構造に基づき、以下、マスクプレートの製造方法の実施例を挙げる。本発明の一実施例はマスクプレートの製造方法を提供し、
第１基板上に透明導電層を備えるパターンを形成するステップ３０１と、
互いに分離する少なくとも２つのマスクパターン部分を備える、不透明な導電材料が用いられるマスクパターンを第２基板上に形成するステップ３０２と、
前記第１基板と前記第２基板を位置合わせしてボックスを形成し、前記第１基板と前記第２基板との間に、前記透明導電層と前記第１基板の同一側に位置する液晶層を形成するステップ３０３と、
前記マスクパターンと前記透明導電層との間に予め設定された電圧を供給する給圧ユニットと前記透明導電層との間、及び給圧ユニットと前記マスクパターンとの間を電気的に接続するステップ３０４と、を含む。
例えば、ステップ３０２の後且つステップ３０３の前に、透明導電材料が用いられ、互いに分離する少なくとも２つのマスクパターン部分を互いに電気的に接続するための接続パターンを前記第２基板上に形成するステップ３０２ａをさらに含む。
以下、マスクプレートの製造方法の実例を提供する。厚みが１０ｍｍ程度の石英基板（第１基板）上にインジウムスズ酸化物ＩＴＯ等の透明導電材料を透明導電層として蒸着する。他のガラス基板（第２基板）の上面及び上記透明導電層上にＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ポリイミド）液を塗布し、摩擦配向、ボックス位置合わせ等の工程によって液晶を所定のプレチルト角で２つの基板の間に封入し、透明導電層が外部電圧に接続することを確保する。ガラス基板の下面にクロム等の不透明な導電金属を蒸着し、次にフォトレジストを塗布し、マスクプロセスによって上記マスクパターンを形成し、その後、透過率と導電性が高い１層の材料を蒸着し、コーティング、レーザ照射、エッチング、剥離等のマスクプロセスによって、上記接続パターンを形成して上記マスクパターンの互いに分離する部分をこの材料で接続する。該接続パターンが透明であるので、透過に影響を与えず、基板に追加のパターンが残ることがない。最終的に、外部に接続される給圧ユニットを設置し、共通電極とマスクパターンを外部電圧に接続する。
本発明の実施例によるマスクプレートの製造方法は上記マスクプレートと対応する技術的特徴を有するので、同様な技術的課題を解決し、同じ技術的効果を達成することができる。
上記マスクプレートの構造に基づき、以下、マスクプレートによるパターニング方法の実施例を挙げる。本発明の一実施例はマスクプレートによるパターニング方法を提供し、
前記給圧ユニットによって前記マスクパターンと前記透明導電層に予め設定された電圧を供給して、それらの間に一電界を発生させるステップ４０１と、
前記第１基板に照射し、一部の光を前記第１基板、前記透明導電層、前記液晶層、前記第２基板に順次透過させ、第２基板の前記マスクパターン以外の領域から射出するステップ４０２と、を含む。
マスクプレートによるパターニングの主なプロセスは、マスクプレートに照射することによって透過光を利用して他の構造に対してリソグラフィー等の操作を行うことであり、本発明の実施例に係るパターニング方法は、予め設定された電圧の設定（既に説明した）及び上記マスクプレートでの均一な光透過率を主な特徴とする。本発明の実施例に係るマスクプレートによるパターニングは上記マスクプレートと対応する技術的特徴を有するので、同様な技術的課題を解決し、同じ技術的効果を達成することができる。
上記説明、本開示の実施例に基づいて少なくとも以下の構造及び方法を提供することができる。
（１）マスクプレートであって、
対向して設置された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
前記第１基板上に形成され、前記液晶層及び前記第１基板の同一側に位置する透明導電層と、
不透明な導電材料で前記第２基板上に形成されたマスクパターンと、を備え、
前記マスクパターン及び前記透明導電層は、それらの間に電界を発生させて該液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するように構成されるマスクプレート。
（２）前記マスクパターンは、第１領域内に位置する第１サブマスクパターン及び第１領域と異なる第２領域内に位置する第２サブマスクパターンを備え、前記第１サブマスクパターンが第１間隔で分離する少なくとも２つの第１マスクパターン部分を備え、前記第２サブマスクパターンが前記第１間隔以上の第２間隔で分離する少なくとも２つの第２マスクパターン部分を備える、（１）に記載のマスクプレート。
（３）前記透明導電層及び前記マスクパターンに接続され、前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給して前記電界を発生させるように構成される給圧ユニットをさらに備える、（１）又は（２）に記載のマスクプレート。
（４）全ての前記第１マスクパターン部分と全ての前記第２マスクパターン部分とが互いに電気的に接続される、（２）又は（３）に記載のマスクプレート。
（５）前記第２基板は透明導電材料で形成される接続パターンをさらに備え、全ての第１マスクパターン部分と全ての前記第２マスクパターン部分とが前記接続パターンによって互いに電気的に接続される、（４）に記載のマスクプレート。
（６）全ての前記第１マスクパターン部分が互いに電気的に接続され、全ての前記第２マスクパターン部分が互いに電気的に接続され、任意の前記第１マスクパターン部分と任意の前記第２マスクパターン部分とが電気的に分離される、（２）又は（３）に記載のマスクプレート。
（７）前記第１マスクパターン部分がストリップ状の電極を備え、前記第２マスクパターン部分がストリップ状の電極を備える、（１）〜（６）のいずれか一項に記載のマスクプレート。
（８）前記マスクパターン及び前記液晶層がそれぞれ前記第２基板の両側に位置する、（１）〜（７）のいずれか一項に記載のマスクプレート。
（９）前記液晶層における液晶がプレチルト角を有する、（１）〜（８）のいずれか一項に記載のマスクプレート。
（１０）前記マスクパターンの形成材料が金属クロムを含む、（１）〜（９）のいずれか一項に記載のマスクプレート。
（１１）マスクプレートの製造方法であって、
第１基板上に透明導電層を形成するステップと、
不透明な導電材料が用いられるマスクパターンを第２基板上に形成するステップと、
前記第１基板と前記第２基板とを位置合わせしてボックスを形成し、前記第１基板と前記第２基板との間、前記透明導電層及び前記第１基板の同一側に位置する液晶層を形成するステップと、
前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給して電界を発生させて前記液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するように構成される給圧ユニットと前記透明導電層との間、及び前記給圧ユニットと前記マスクパターンとの間を電気的に接続するステップとを含むマスクプレートの製造方法。
（１２）前記第２基板上にマスクパターンを形成した後、
互いに分離するマスクパターン部分を電気的に接続するように構成される、透明導電材料が用いられる接続パターンを前記第２基板上に形成するステップをさらに含む、（１１）に記載の方法。
（１３）（１）〜（１０）のいずれか一項に記載のマスクプレートによるパターニング方法であって、
前記給圧ユニットによって前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給してそれらの間に電界を発生させて前記液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するステップと、
前記第１基板に照射し、一部の光を前記第１基板、前記透明導電層、前記液晶層及び前記第２基板に順次透過させ、前記第２基板の前記マスクパターン以外の領域から射出するステップと、を含むマスクプレートによるパターニング方法。
ただし、明細書において、第１及び第２のような関係用語は、エンティティ又は操作間の実際の関係又は順序を必ずしも要求又は示唆せず、あるエンティティ又は操作を別のエンティティ又は操作と区別するために使用される。且つ、用語「備える」、「含む」又は他の変形は非排他的に含むことを意味し、一連の要素を含む過程、方法、物品又は装置は、それらの要素を含むだけでなく、明確に挙げていない他の要素も含み、或いは、この過程、方法、物品又は装置に固有される要素をさらに含む。特に明確な規定または限定がない限り、「１つの……を含む」のような記載に限定される要素は、前記要素を含む過程、方法、物品又は装置に他の同じ要素がさらに存在していることを除外しない。
以上、一般的な説明及び具体的な実施形態によって、本開示を詳しく説明したが、本開示に基づき、本発明に対して様々な変更や改良を行うことができることは、当業者にとって明らかである。従って、本開示の精神を逸脱せずに行った様々な変更や改良は、いずれも本開示の請求の範囲に属する。
本願は、２０１４年１０月２８に出願された中国特許出願番号２０１４１０５８９９７６．７の優先権を主張し、ここで、上記中国特許出願に開示されている内容の全体が本願の一部として援用される。
１０１ 第１基板
１０２ 第２基板
１０３ 液晶層
１０４ 透明導電層（電極層）
１０５ マスクパターン
１０５Ａ 第１サブマスクパターン
１０５Ｂ 第２サブマスクパターン
１０６ 給圧ユニット
１０７ 接続パターン

Claims (13)

  1. マスクプレートであって、
    対向して設置された第１基板及び第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
    前記第１基板上に形成され、前記液晶層及び前記第１基板の同一側に位置する透明導電層と、
    不透明な導電材料で前記第２基板上に形成されたマスクパターンと、を備え、
    前記マスクパターン及び前記透明導電層が、それらの間に電界を発生させて該液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するように構成されるマスクプレート。
  2. 前記マスクパターンが、第１領域内に位置する第１サブマスクパターン及び第１領域と異なる第２領域内に位置する第２サブマスクパターンを備え、前記第１サブマスクパターンが第１間隔で分離する少なくとも２つの第１マスクパターン部分を備え、前記第２サブマスクパターンが前記第１間隔以上の第２間隔で分離する少なくとも２つの第２マスクパターン部分を備える、請求項１に記載のマスクプレート。
  3. 前記透明導電層及び前記マスクパターンに接続され、前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給して前記電界を発生させるように構成される給圧ユニットをさらに備える、請求項１又は２に記載のマスクプレート。
  4. 全ての前記第１マスクパターン部分と全ての前記第２マスクパターン部分とが互いに電気的に接続される、請求項２に記載のマスクプレート。
  5. 前記第２基板が、透明導電材料で形成される接続パターンをさらに備え、全ての前記第１マスクパターン部分と全ての前記第２マスクパターン部分とが前記接続パターンによって互いに電気的に接続される、請求項４に記載のマスクプレート。
  6. 全ての前記第１マスクパターン部分が互いに電気的に接続され、全ての前記第２マスクパターン部分が互いに電気的に接続され、任意の前記第１マスクパターン部分と任意の前記第２マスクパターン部分とが電気的に分離される、請求項２に記載のマスクプレート。
  7. 前記第１マスクパターン部分がストリップ状の電極を備え、前記第２マスクパターン部分がストリップ状の電極を備える、請求項２に記載のマスクプレート。
  8. 前記マスクパターンが前記第２基板の第一側に位置し、前記液晶層が前記第２基板の第二側に位置し、前記第一側が前記第二側に対向する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマスクプレート。
  9. 前記液晶層における液晶がプレチルト角を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のマスクプレート。
  10. 前記マスクパターンの形成材料が金属クロムを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のマスクプレート。
  11. マスクプレートの製造方法であって、
    第１基板上に透明導電層を形成するステップと、
    不透明な導電材料が用いられるマスクパターンを第２基板上に形成するステップと、
    前記第１基板と前記第２基板とを位置合わせしてボックスを形成し、前記第１基板と前記第２基板との間に、前記透明導電層及び前記第１基板の同一側に位置する液晶層を形成するステップと、
    前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給して電界を発生させて前記液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するように構成される給圧ユニットと前記透明導電層との間、及び前記給圧ユニットと前記マスクパターンとの間を電気的に接続するステップとを含むマスクプレートの製造方法。
  12. 前記第２基板上にマスクパターンを形成した後、
    互いに分離するマスクパターン部分を電気的に接続するように構成される、透明導電材料が用いられる接続パターンを前記第２基板上に形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 請求項３に記載のマスクプレートによるパターニング方法であって、
    前記給圧ユニットによって前記マスクパターン及び前記透明導電層に予め設定された電圧を供給してそれらの間に電界を発生させて前記液晶層内の液晶分子の偏向を駆動するステップと、
    前記第１基板に照射し、一部の光を前記第１基板、前記透明導電層、前記液晶層及び前記第２基板に順次透過させ、前記第２基板の前記マスクパターン以外の領域から射出するステップと、を含むマスクプレートによるパターニング方法。
JP2017542238A 2014-10-28 2015-03-16 マスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法 Expired - Fee Related JP6567681B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410589976.7 2014-10-28
CN201410589976.7A CN104280997B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法
PCT/CN2015/074301 WO2016065799A1 (zh) 2014-10-28 2015-03-16 掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018500610A JP2018500610A (ja) 2018-01-11
JP6567681B2 true JP6567681B2 (ja) 2019-08-28

Family

ID=52256016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017542238A Expired - Fee Related JP6567681B2 (ja) 2014-10-28 2015-03-16 マスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9488917B2 (ja)
EP (1) EP3214495B1 (ja)
JP (1) JP6567681B2 (ja)
KR (2) KR101729674B1 (ja)
CN (1) CN104280997B (ja)
WO (1) WO2016065799A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104280997B (zh) 2014-10-28 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法
CN105093807B (zh) * 2015-09-16 2024-01-23 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板及其制备方法和曝光系统
CN109856919B (zh) * 2017-11-30 2020-04-10 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光阑挡片装置、边缘曝光镜头与光刻系统
CN109913931B (zh) * 2019-04-12 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 电镀金属膜层的方法及设备、背光模组以及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56135931A (en) * 1980-03-28 1981-10-23 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Forming method for pattern
US4653860A (en) * 1985-01-07 1987-03-31 Thomson Components-Mostek Corporation Programable mask or reticle with opaque portions on electrodes
JPS63210844A (ja) * 1987-02-26 1988-09-01 Mitsubishi Electric Corp 露光用マスク
JPS6474535A (en) * 1987-09-17 1989-03-20 Canon Kk Reticle
JP3879282B2 (ja) * 1998-11-25 2007-02-07 セイコーエプソン株式会社 液晶装置の製造方法並びに露光マスク及び露光装置
KR100486720B1 (ko) 2001-05-24 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 포토 마스크
KR20030057601A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 리소그래피용 액정마스크
US7023528B2 (en) * 2002-06-10 2006-04-04 International Business Machines Corporation Hybrid electronic mask
US20040197672A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Numerical Technologies, Inc. Programmable aperture for lithographic imaging systems
JP2006243580A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Seiko Epson Corp 液晶マスク、露光装置及び電気光学装置の製造方法
KR20090106905A (ko) * 2008-04-07 2009-10-12 주식회사 하이닉스반도체 편광수단을 구비하는 포토마스크
CN101770091A (zh) * 2008-12-31 2010-07-07 北京京东方光电科技有限公司 掩膜版及其制造方法
KR20120108233A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 삼성전자주식회사 능동 광학 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN202421717U (zh) * 2012-01-06 2012-09-05 北京京东方光电科技有限公司 一种掩模板
CN104280997B (zh) 2014-10-28 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104280997B (zh) 2018-05-22
EP3214495A1 (en) 2017-09-06
JP2018500610A (ja) 2018-01-11
KR20160067808A (ko) 2016-06-14
CN104280997A (zh) 2015-01-14
EP3214495B1 (en) 2019-07-17
KR101978744B1 (ko) 2019-05-15
WO2016065799A1 (zh) 2016-05-06
US20160252817A1 (en) 2016-09-01
US9488917B2 (en) 2016-11-08
KR20170045387A (ko) 2017-04-26
EP3214495A4 (en) 2018-05-23
KR101729674B1 (ko) 2017-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6567681B2 (ja) マスクプレート及びその製造方法、マスクプレートによるパターニング方法
JP5774272B2 (ja) 表示基板及びこれを有する表示パネル
KR101878882B1 (ko) 나노 메쉬 투명 전극과 이의 제조방법, 나노 메쉬 투명 전극을 포함하는 터치 스크린 및 디스플레이 장치
US20110316810A1 (en) Display device with touch panel
US9581867B2 (en) Display panel having a plurality of pixel electrode bars with different spacing
KR102039682B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
KR102153664B1 (ko) 액정표시장치
JP2015184326A (ja) 液晶表示装置
KR20160098898A (ko) 디스플레이패널 및 디스플레이장치
CN105138210B (zh) 触控面板、触控显示面板及触控显示装置
JP5736913B2 (ja) カラーフィルタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
CN103677411A (zh) 触控显示装置及其制造方法
CN104049397B (zh) 一种面板及显示装置
WO2016098268A1 (ja) 電極付きカラーフィルタ基板、該基板を含む表示装置、ならびに該基板の製造方法
US8941797B2 (en) Method of manufacturing polarizing plate, method of manufacturing display apparatus having the same and the display apparatus
JP2012215764A (ja) カラーフィルタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
CN103105707A (zh) 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN105445995A (zh) 液晶显示面板及其制造方法
WO2018133343A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示面板
KR20060132414A (ko) 액정표시패널
KR20080108831A (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN109582162B (zh) 触控显示模组及其制作方法、触控显示装置
KR20070052860A (ko) 표시기판 및 이를 갖는 표시장치
JP2010211239A (ja) 液晶表示パネル
KR20190074472A (ko) 배리어패널 및 이를 포함하는 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190708

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190731

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6567681

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees