JP6550066B2 - ミラー素子を製造する方法 - Google Patents
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Description
基板を用意するステップと、
少なくとも1つの反射層系を有する層スタックを基板上に形成するステップと
を含み、層スタックを、所定の動作温度に望ましいミラー素子の設定値曲率を層スタックが及ぼす曲げ力によって発生させるように形成し、基板は、層スタックの形成前にはミラー素子の上記設定値曲率から外れた曲率を有し、層スタックが及ぼす曲げ力は、層スタックの層張力を変えるための後処理を実行することによって少なくとも部分的に発生する。
基板を用意するステップと、
少なくとも1つの反射層系を有する層スタックを基板上に形成するステップと
を含み、層スタックの形成前に剛性に影響を及ぼす加工を基板に施し、この加工時に、層スタックの形成後に所定の動作温度に望ましいミラー素子の設定値曲率が得られるように剛性を設定する方法にも関する。
Claims (26)
- ミラー素子を製造する方法であって、
a)基板(101、102、103、104、201、202、301、302、401、402、501、502、801、901、951、961)を用意するステップと、
b)少なくとも1つの反射層系を有する層スタック(111、112、113、114、211、212、311、312、411、412、511、512)を前記基板上に形成するステップと
を含み、c)前記層スタック(111、112、113、114、211、212、311、312、411、412、511、512)を、所定の動作温度に望ましい前記ミラー素子の設定値曲率を前記層スタックが及ぼす曲げ力によって発生させるように形成し、前記基板は、前記層スタックの形成前には前記ミラー素子の前記設定値曲率から外れた曲率を有し、前記層スタックが及ぼす前記曲げ力は、前記層スタックの層張力を変えるための後処理を実行することによって少なくとも部分的に発生し、前記曲げ力は、前記曲率の不可逆的変化をもたらすことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記後処理は熱後処理を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1又は2のいずれか1項に記載の方法において、前記後処理は、イオン照射又は電子照射を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法において、前記後処理を、前記層スタックの1つ又は複数の部分に局所的に制限することを特徴とする方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法において、前記基板(101、102、103、104、201、202、301、302、401、402、501、502、801、901、951、961)は、前記層スタック(111、112、113、114、211、212、311、312、411、412、511、512)の形成前に平面であるか又は凸曲率を有することを特徴とする方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法において、前記基板は、前記層スタックの形成後に前記所定の動作温度に望ましい前記ミラー素子の前記設定値曲率が得られるように選択された局所的に変化する剛性を有することを特徴とする方法。
- ミラー素子を製造する方法であって、
基板(101、102、103、104、201、202、301、302、401、402、501、502、801、901、951、961)を用意するステップと、
少なくとも1つの反射層系を有する層スタック(111、112、113、114、211、212、311、312、411、412、511、512)を前記基板上に形成するステップと
を含み、前記層スタックの形成前に剛性に影響を及ぼす加工を前記基板に施し、前記加工時に、前記層スタックの形成後に所定の動作温度に望ましい前記ミラー素子の設定値曲率が得られるように剛性を設定し、
前記剛性は、化学構造、位相又は結晶方位の狙い通りの変化によって少なくとも部分的に生じることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法において、前記層スタックが及ぼす曲げ力と組み合わせて前記ミラー素子の所望の表面形状をもたらす、前記基板の局所的に変化する剛性を設定することを特徴とする方法。
- 請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法において、前記剛性は、前記基板の変動厚さプロファイルによって少なくともある程度は生じることを特徴とする方法。
- 請求項6〜9のいずれか1項に記載の方法において、前記基板は第1材料から製造され、前記剛性は、前記第1材料とは異なる第2材料の異種原子でドープすることによって少なくともある程度は生じることを特徴とする方法。
- 請求項6〜10のいずれか1項に記載の方法において、前記剛性は、該剛性に影響を及ぼす構造又は層によって少なくともある程度は生じることを特徴とする方法。
- 請求項11に記載の方法において、前記構造又は層を前記基板のうち層スタックとは反対側に配置することを特徴とする方法。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法において、前記層スタック(111、112、113、114、211、212、311、312、411、412、511、512)は、前記反射層系と前記基板(101、102、103、104、201、202、301、302、401、402、501、502、801、901、951、961)との間に追加の張力誘起層を有することを特徴とする方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法において、前記ミラー素子の所望の設定値曲率は、少なくとも100℃の動作温度で凹曲率であることを特徴とする方法。
- 請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法において、複数のミラー素子をそれぞれ製造し、前記ミラー素子の少なくとも2つは、前記設定値曲率に関して相互に異なることを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法において、前記相互に異なる設定値曲率を有するミラー素子の製造を、各前記層スタックが及ぼす同じ曲げ力を設定して、前記層スタックをそれぞれ異なる厚さを有する基板に施すことによって実行することを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法において、前記相互に異なる設定値曲率を有するミラー素子の製造を、各前記層スタックが及ぼす異なる曲げ力を設定して、前記層スタックをそれぞれ異なる厚さを有する基板に施すことによって実行することを特徴とする方法。
- 請求項1〜17のいずれか1項に記載の方法において、前記ミラー素子は、複数のミラー素子からなるミラー構成体のミラー素子であることを特徴とする方法。
- 請求項18に記載の方法において、前記ミラー素子は、相互に独立して傾斜可能であることを特徴とする方法。
- 請求項18又は19に記載の方法において、前記ミラー構成体は、ファセットミラーであることを特徴とする方法。
- 請求項1〜20のいずれか1項に記載の方法において、前記ミラー素子を、30nm未満の作動波長用に設計することを特徴とする方法。
- 請求項1〜21のいずれか1項に記載の方法において、前記ミラー素子は、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー素子であることを特徴とする方法。
- 請求項22に記載の方法において、前記マイクロリソグラフィ投影露光装置の動作時に、関連ミラー素子の温度を設定することによって曲率を補正することを特徴とする方法。
- 請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法を使用するマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子の製造方法。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系の製造方法であって、該光学系は、少なくとも1つのミラー素子を備え、該ミラー素子は、請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法により製造される、方法。
- 照明デバイス及び投影系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置の製造方法であって、前記照明デバイス及び投影系は、少なくとも1つのミラー素子を備え、該ミラー素子は、請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法により製造される、方法。
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