JP6549070B2 - 蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置 - Google Patents

蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、蛍光体及びその製造方法、並びにその蛍光体を用いた発光装置に関する。
小型で低消費電力の発光素子として、赤、緑、青などの可視光帯のみならず、赤外光から紫外光にいたる幅広い波長帯で各種の半導体発光素子が利用されている。また、例えば、発光装置として、青色LED(Light Emitting Diode)などの半導体発光素子と、蛍光体とを組み合わせることにより白色光を放出する光半導体装置も開発されている。
このような光半導体装置には、蛍光体として、例えば、黄色発光蛍光体、緑色発光蛍光体及び赤色発光蛍光体のいずれか1種又は2種以上が用いられる。赤色発光蛍光体としては、例えば、Mn4+で賦活されたフッ素錯体蛍光体が知られている。
特許第5565539号公報 特開第2011−12091号公報 特開第2013−108016号公報
Sadao Adachi、Toru Takahashi、Direct synthesis and properties of K2SiF6:Mn4+ phosphor by wet chemical etching of Si wafer、JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104、023512、2008年
本発明が解決しようとする課題は、耐水性に優れ、且つ高発光効率の蛍光体及びその製造方法、並びにその蛍光体を用いた発光装置を提供することである。
実施形態によれば、蛍光体コアと被覆層とを備えた蛍光体が提供される。蛍光体コアは、下記一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアである。被覆層は、蛍光体コアの外側に位置している層である。蛍光体の平均粒径に対する蛍光体コアの平均粒径の比率は0.95未満であり、蛍光体の表面のMnの含有量は、全元素数を基準として0.2mol%より大きい。蛍光体コアのMnの含有量は、蛍光体コアの中心から蛍光体コアの外側に向かって増加し、蛍光体コアと被覆層との境界部で最大値を有する。
…(I)
一般式(I)中、Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
他の実施形態によれば、蛍光体コアを準備する工程と、懸濁液を得る工程と、その蛍光体コアの外側に被覆層を形成する工程とを含んだ蛍光体の製造方法が提供される。蛍光体コアを準備する工程は、一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアを準備する工程である。懸濁液を得る工程は、蛍光体コアと下記一般式(III)で表される化合物を含んだ第1の溶液とを混合する工程である。蛍光体コアの外側に被覆層を形成する工程は、懸濁液に、フッ化物を含んだ第2の溶液を添加する工程である。
…(I)
一般式(I)中、Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
LF …(III)
一般式(III)中、Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
また、他の実施形態によれば、蛍光層と発光部とを備えた発光装置が提供される。蛍光層は上述の蛍光体を含む層である。発光部はその蛍光体を励起する光を放出する。
実施形態に係る発光装置を概略的に示す断面図。 実施形態に係る蛍光体の断面におけるMnの含有量の分布を示す図。 実施例1〜3の蛍光体の内部量子効率の変化量と被覆層の厚さとの相関を示すグラフ。 実施例1及び比較例1の浸水試験前後の蛍光体の内部量子効率及び吸収率の変化を模式的に示すグラフ。 実施例2及び3と比較例2及び3の浸水試験前後の蛍光体の内部量子効率及び吸収率の変化を模式的に示すグラフ。 実施例1及び比較例1の浸水試験前後の蛍光体の励起スペクトルを模式的に示すグラフ。 実施例1及び比較例1の浸水試験前後の蛍光体の励起スペクトルを模式的に示すグラフ。
以下、実施形態について、必要に応じて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
まず、蛍光体について詳細に説明する。
〔蛍光体〕
本実施形態に係る蛍光体は、蛍光体コアと被覆層とを備える。この蛍光体は、紫外線から青色領域の波長の光により励起されて、波長600〜660nmの範囲内に発光ピーク、好ましくは、最大発光ピークを有する赤色の光を発光する蛍光体であることが望ましい。紫外線から青色領域の波長の光としては、例えば、波長250〜500nmの範囲の光の吸収が良好であり、特に、波長320〜390nmの紫外線、好ましくは波長360〜390nmの近紫外線、波長390〜420nmの紫色光、又は波長420〜500nm、より好ましくは波長420〜490nmの青色光である。
以下に、本実施形態に係る蛍光体の各構成について説明する。
(1)蛍光体コア
蛍光体コアは、下記一般式(I)で表される組成を有する。
・・・(I)
一般式(I)中、
Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。
a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
一般式(I)について以下に詳細に説明する。
Aは1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。1種又は2種以上のアルカリ金属としては、例えば、Li、Na、K、Rb、Cs及びFrが挙げられ、K又はNaが好ましく、Kがより好ましい。
Lは1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。1種又は2種以上の4価の元素としては、例えば、Si、Ti、Zr、Hf、Ge及びSnが挙げられ、Si又はTiが好ましく、Siがより好ましい。
Mは、Mnを含有する賦活元素である。Mnの価数は、+4価であることが好ましい。これにより、赤色の光を発光することができる。
a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。0.95≦a+b≦1.05を満たし、且つ0.003≦b≦0.2であることが好ましく、a+b=1を満たし、且つ0.005≦b≦0.1であることがより好ましい。これにより、十分な発光性能を有することができる。
Mnは賦活剤であるため、Mnを含有しない場合(b=0)、紫外から青色領域に発光ピークを有する光で励起しても発光を確認することはできない。そのため、上述の一般式(I)におけるbは0より大きい。
Mnの含有量が多くなると発光効率は向上する傾向がある。しかし、Mnの含有量が多過ぎる場合は、濃度消光現象が生じて、蛍光体の発光強度は減少する傾向がある。ここで、Mnの含有量は、例えば、蛍光体1個の重量あたりに占めるMnの元素数である。
蛍光体の平均粒径に対する蛍光体コアの平均粒径の比率は、0.95未満であり、0.9以下が好ましく、0.8以下がより好ましい。これにより、被覆層が厚くなり十分な耐水性を有することができる。また、蛍光体の平均粒径に対する蛍光体コアの平均粒径の比率は、0.7以上が好ましく、0.75以上がより好ましい。これにより、十分な発光効率を得ることができる。
蛍光体コア及び蛍光体の平均粒径は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)(日立社製、S−5500)を用いて測定される。具体的には、300倍で写真を撮影し、30〜70個の粒径を平均して算出する。ここで、蛍光体や蛍光体コアの粒径は、例えば粒子の長径、即ち一つの端点と別の端点との距離のうち直線距離が最も長い距離とする。
(2)被覆層
本実施形態に係る蛍光体が備える被覆層は、上述の蛍光体コアの外側に位置する。
被覆層は、上述の一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)で表される化合物とを含むことが好ましい。
LF ・・・(II)
Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
一般式(II)について以下に詳細に説明する。
一般式(II)中のA及びLは、一般式(I)で説明したA及びLと、各々、同様のものが挙げられる。被覆層が含む化合物を表す一般式(II)中のA及びLは、蛍光体コアの組成を表す一般式(I)中のA及びLと各々異なっていてもよく、同一であってもよい。一般式(I)及び(II)中のA及びLは、各々同一であることにより、蛍光体コアの表面に均一に被覆層を形成することができる。
被覆層の表面、すなわち蛍光体表面のMnの含有量は、蛍光体の表面の全元素数を基準(100mol%)として、0.2mol%より大きい。ここで、「表面」とは、現実の表面から、後述するSEM−EDX法により検出可能な深さまでをいう。被覆層の表面のMnの含有量は、蛍光体の表面の全元素数を基準として、0.25mol%以上が好ましく、0.5mol%以上がより好ましい。また、被覆層の表面のMnの含有量は、蛍光体の表面の全元素数を基準として、1mol%以下が好ましく、0.8mol%以下がより好ましい。これにより、Mnと水との接触を抑制することができ、蛍光体の耐水性を向上させることができる。
被覆層の表面のMnの含有量は、例えば、走査型電子顕微鏡・エネルギー分散型X線分光法(Scanning Electron Microscope and Energy Dispersive X-ray Spectroscopy;以下、「SEM−EDX法」ともいう。)により、蛍光体粒子の組成を分析して算出する。
SEM−EDX法は、走査型電子顕微鏡(SEM)測定において、蛍光体に電子線(例えば、加速電圧10kV)を照射し、蛍光体中に含まれる各元素から放出される特性X線を検出して元素分析を行う方法である。測定装置としては、例えば、SEM(日立製作所社製、S−5500)と、エネルギー分散型X線分析装置(EDX)(アメテック社製、Genesis XM4)とを用いることができる。これにより、蛍光体粒子中に含まれる全元素を同定して、各元素の含有量を測定することができる。
被覆層の厚さは、蛍光体の平均粒径と蛍光体コアの平均粒径との差分の2分の1に相当する値である。
蛍光体の平均粒径に対する被覆層の厚さの比率は、0.05以上であり、0.1以上が好ましく、0.12以上がより好ましい。これにより、Mnと水との接触を抑制することができ、十分な耐水性を得ることができる。また、蛍光体の平均粒径に対する被覆層の厚さの比率は、蛍光体に対して0.2以下が好ましく、0.15以下がより好ましい。これにより、蛍光体は十分な発光性能を有することができる。
上述した蛍光体コアと被覆層とを備えた蛍光体のMnの含有量は、蛍光体コアの中心から外側、すなわち表面に向かう方向に沿って増加して、被覆層との境界部で最大となることが好ましい。ここで、「境界部」とは、現実の境界を中心として蛍光体の径方向へ10μmの厚さ範囲の領域をいう。また、蛍光体のMnの含有量は、蛍光体コアと被覆層との境界部から被覆層の表面に向かう方向に沿って減少することが好ましい。これにより、被覆層の表面、すなわち蛍光体の表面のMnの含有量が少なくなり、蛍光体の耐水性を向上させることができる。
一例の態様の蛍光体では、蛍光体コアのMnの含有量は、蛍光体コアの中心から蛍光体コアの外側に向かって増加し、蛍光体コア内の領域に最大値を有する。つまり、蛍光体コアの表面付近の領域においてMnの含有量が最大の値となっている。このような態様の蛍光体は、蛍光体コアの表面付近の領域と比較して被覆層内の領域におけるMnの含有量が少なく、向上した耐水性を示す。
このような蛍光体におけるMnの含有量の分布は、例えば、レーザーラマン分光法を用いて、蛍光体の断面から得られたラマンスペクトルから算出した値で確認することができる。具体的には、ラマンスペクトル測定によると、蛍光体に含まれるSi−F結合及びMn−F結合に帰属されるピークをそれぞれ検出することができる。測定装置としては、例えば、PDP320(フォトンデザイン社製)を用いることができる。
実施形態による蛍光体の断面をラマンスペクトル測定すると、Si−F結合(SiF 2−)に起因した3種類のピークと、Mn−F結合(MnF 2−)に起因した3種類のピークとを確認することができる。これらのピークのうち、ラマンシフトが650±10cm−1の範囲に現れるSi−F結合に対応するピークの強度(v(SiF 2−))に対する、ラマンシフトが600±10cm−1の範囲に現れるMn−F結合に対応するピークの強度(v(MnF 2−))の比(v(MnF 2−)/v(SiF 2−))を求める。蛍光体の中心から外側に向かう方向に沿って等間隔で、Si−F結合とMn−F結合との相対量を比較することにより、蛍光体の断面のMnの含有量の分布を確認することができる。
蛍光体の平均粒径は、10μm以上70μm以下が好ましく、20μm以上60μm以下がより好ましい。蛍光体の平均粒径が上述の範囲にあることにより、実施形態に係る蛍光体を他の蛍光体と組み合わせて用いる場合も均一に混合することができる。
以上、説明した本実施形態に係る蛍光体によれば、一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアと、蛍光体コアの外側に位置した被覆層とを備え、蛍光体の平均粒径に対する蛍光体コアの平均粒径の比率は0.95未満であり、蛍光体の表面のMnの含有量は、全元素数を基準として0.2mol%より大きいことにより、蛍光体の耐水性が向上して、発光性能の低下を抑制することができる。
他の実施形態は、上述の蛍光体の製造方法である。以下に、蛍光体の製造方法について詳細に説明する。
〔蛍光体の製造方法〕
本実施形態に係る蛍光体の製造方法は、上述の一般式(I)Aで表される組成を有する蛍光体コアを準備する工程(以下、「工程(A)」ともいう。)と、その蛍光体コアと下記一般式(III)で表される化合物を含んだ第1の溶液とを混合して懸濁液を得る工程(以下、「工程(B)」ともいう。)と、その懸濁液にフッ化物を含んだ第2の溶液を添加して、蛍光体コアの外側に被覆層を形成する工程(以下、「工程(C)」ともいう。)とを含む。
LF ・・・(III)
一般式(III)中、Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表し、目的とする、被覆層に含まれる化合物の一般式(II)ALFのLと同じ種類の元素である。
以下に、本実施形態に係る各工程について説明する。
(1)一般式(I)Aで表される組成を有する蛍光体コアを準備する工程(A)
工程(A)は、例えば、共沈法により、一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアを析出させる方法が挙げられる。具体的には、以下のように行われる。
一般式(III)HLFで表される化合物と、下記一般式(IV)で表される化合物を含んだ溶液とを混合する。その混合溶液に下記一般式(V)で表される化合物を含んだ溶液を添加することにより、一般式(I)で表される化合物が析出する。析出した一般式(I)で表される化合物を濾別して、HF水溶液で洗浄する。さらに、有機溶媒で洗浄して、乾燥することにより、一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアを得ることができる。
MF ・・・(IV)
AF ・・・(V)
一般式(IV)及び(V)中、A及びMは、目的とする組成の蛍光体コアに含まれている元素と同じ種類の元素である。
一般式(III)HLFで表される化合物を含んだ溶液は、例えば、下記一般式(VI)で表される化合物とHF水溶液とを混合することにより調製される。
LO ・・・(VI)
一般式(VI)中、Lは、目的とする組成の蛍光体コアに含まれている元素と同じ種類の元素である。
一般式(III)HLFで表される化合物は市販品を使用することもできる。しかし、実施形態で製造する蛍光体は、水により発光性能が低下する等の悪影響を受ける。そのため、上述のようにして一般式(III)で表される化合物を含んだ溶液を準備することが好ましい。例えば、HSiFの場合、市販品の濃度は40〜45%程度であり、水を多く含んでいる。
一般式(IV)AMFで表される化合物は、例えば、Bode法により合成される。具体的には、以下のように合成する。
一般式(V)AFで表される化合物と下記一般式(VII)で表される化合物とHF水溶液とを混合する。その混合溶液に還元剤を添加することにより、一般式(IV)AMFで表される化合物を析出させる。析出した一般式(IV)で表される化合物を濾別して有機溶媒で洗浄し、乾燥することにより、一般式(IV)で表される化合物を得ることができる。
AMO ・・・(VII)
一般式(VII)中、A及びMは、目的とする組成の蛍光体コアに含まれている元素と同じ種類の元素である。
還元剤は、例えば、H又はシュウ酸が好ましく、Hがより好ましい。還元剤は、溶液の色が褐色に変化するまで添加することが望ましい。
洗浄に用いられる有機溶媒は、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール又はエタノールが好ましく、アセトンがより好ましい。
一般式(V)AFで表される化合物を含んだ溶液は、例えば、一般式(V)で表される化合物とHF水溶液とを混合することにより調製される。
このような工程(A)によれば、蛍光体コアのMnの含有量をその中心から外側に向かう方向に沿って増加させることができる。
蛍光体コアは上述の方法の他、例えば、非特許文献1に記載の方法でも準備することができる。この方法は、酸化剤であるKMnOをHF水溶液中のSiウエハーに添加することにより、化学的にエッチングして赤色蛍光体を得る方法である。
(2)上述の蛍光体コアと一般式(III)HLFで表される化合物を含んだ第1の溶液とを混合して懸濁液を得る工程(B)
懸濁液は、例えば、一般式(III)で表される化合物を含んだ第1の溶液に、上述の蛍光体コアを分散させることにより調製される。
一般式(III)で表される化合物を含んだ第1の溶液は、例えば、工程(A)で説明した方法と同様にして調製される。ここで、一般式(VI)LO中、Lは目的とする、被覆層に含まれる化合物の一般式(II)ALF中のLと同じ種類の元素である。
(3)工程(B)で得られた懸濁液にフッ化物を含んだ第2の溶液を添加して、蛍光体コアの外側に被覆層を形成する工程(C)
フッ化物を含んだ第2の溶液は、例えば、工程(A)で説明した、一般式(V)AFで表される化合物を含んだ溶液を調製する方法と同様にして調製される。ここで、一般式(II)ALF中のAがKの場合、一般式(V)AFで表される化合物の代わりに、KHFを用いることもできる。
このような工程(B)及び(C)によれば、還元剤を用いることなく、蛍光体コアの外側に一般式(I)Aで表される化合物と一般式(II)ALFで表される化合物とを含んだ被覆層を形成することができる。これにより形成された被覆層は、一般式(I)で表される化合物の含有量よりも一般式(II)で表される化合物の含有量が多い。
上述の工程の他、工程(C)で得られた被覆層を有する蛍光体を濾別する工程、濾別した蛍光体をHF水溶液で洗浄し、さらに有機溶媒で洗浄する工程、及び、洗浄した蛍光体を乾燥する工程を含んでいてもよい。
洗浄に用いられる有機溶媒は、例えば、工程(A)で説明した有機溶媒と同様なものを挙げることができる。
以上、説明した本実施形態に係る蛍光体の製造方法によれば、蛍光体コアのMnの含有量をその中心から外側に向かって増加させることができ、また、被覆層でMnの含有量を減少させることができる。このような製造方法により製造された蛍光体は、耐水性が向上して、発光性能の低下を抑制することができる。
他の実施形態は、上述の蛍光体を用いて形成された発光装置である。以下に、発光装置について詳細に説明する。
〔発光装置〕
実施形態の発光装置の一例である光半導体装置を図1に示す。
図1に示すように、光半導体装置1は、第1主面M1及び第2主面M2を有する層状の発光部である発光層2と、その第1主面M1上に設けられた接着層3と、その接着層3上に設けられた透光層5と、透光層5上に設けられた蛍光層4と、発光層2の第2主面M2の第1領域に設けられた反射層6と、その第2主面M2の第2領域に設けられた第1電極7aと、反射層6上に設けられた複数の第2電極7bと、第1電極7aに設けられた第1金属ポスト8aと、各第2電極7bに設けられた複数の第2金属ポスト8bと、発光層2の第2主面M2上に各金属ポスト8a、8bを避けて設けられた絶縁層9と、その絶縁層9上に各金属ポスト8a、8bを封止するように設けられた封止層10と、第1金属ポスト8aの端部に設けられた第1金属層11aと、各第2金属ポスト8bの端部に設けられた複数の第2金属層11bとを備えている。
以下に、この光半導体装置1の各構成について説明する。
(1)発光層(発光部)
発光部は、図1に示す発光層2のように層状であってもよいが、その形状は層状に限られない。実施形態の効果を奏する限り、発光部の形態は不問である。層状以外の形状としては、例えば円盤状、球状、楕円状、円錐状、カプセル状、シリンダ状などを挙げることができる。以下、発光部の一つの態様として、発光層2を詳述する。
発光層2は、第1半導体層2aと、その第1半導体層2aよりも狭面積の第2半導体層2bと、それらの第1半導体層2a及び第2半導体層2bにより挟持された活性層2cとを含む半導体積層体を有する。第1半導体層2aは、例えば、n型半導体層である第1クラッド層である。第2半導体層2bは、例えば、p型半導体層である第2クラッド層である。ただし、これら各層の導電形は、任意である。つまり、第1半導体層2aがp型で、第2半導体層2bがn型であってもよい。
第1半導体層2a、第2半導体層2b及び活性層2cには、例えば、InGaAlAs系化合物半導体、InGaAlP系化合物半導体、InGaAlN系加工物半導体をはじめとする各種の化合物半導体を用いることができる。
具体的には、活性層2cの材料としてGaAlAsを用いることにより、赤外光や赤色の発光を得ることができる。また、活性層2cの材料としてInGaAlPを用いることにより、橙色、黄色、緑色などの発光を得ることができる。また、活性層2cの材料としてInGaAlN系化合物半導体を用いることにより、緑色や青色の発光や紫外光を得ることができる。
第1半導体層2a、第2半導体層2b及び活性層2cは、それぞれ単層であっても、多層であってもよい。例えば、活性層2cが量子井戸層と障壁層とを組み合わせた多層構造であってもよい。同様に、第1半導体層2aや第2半導体層2bも、複数の半導体層を組み合わせた多層構造であってもよい。
なお、第1主面M1は第1半導体層2aの上面であり、第2主面M2は第1半導体層2aの下面及び第2半導体層2bの下面であり、途中に段差を有している。つまり、第1半導体層2a、第2半導体層2b及び活性層2cを含む半導体積層体は、第1主面M1とこれとは反対側の第2主面M2とを有する。そして、半導体積層体の第2主面M2の側に、第1電極7aと第2電極7bとが設けられている。
(2)接着層
接着層3は、発光層2の第1半導体層2aの第1主面M1と透光層5とを接着する。接着層3は、省略することができる。
(3)透光層
透光層5は、発光層2から放出される発光光に対する透光性を有する。透光層5は、省略することができる。
透光層5の材料は、透明材料に限られるものではなく、発光層2から放出される光を透過させるものであればよい。すなわち、透光層5の材料は、発光層2から放出される発光光を完全に吸収あるいは反射するものでなければよい。
また、透光層5は接着層3のように接着機能を備えてもよい。その場合、接着層3は省略し、発光層2の第1半導体層2aの第1主面M1と蛍光層4とを接着する。
(4)蛍光層
蛍光層4は、発光層2から放出された光の波長を変換する蛍光体粒子を含有している。蛍光体粒子には、実施形態の蛍光体の粒子が用いられる。また、蛍光体粒子に用いられる蛍光体は1組成であってもよく、実施形態の蛍光体又は実施形態の蛍光体以外の蛍光体を組み合わせて、2組成以上であってもよい。
具体的には、蛍光層4は、例えば、シリコーン樹脂などの有機材料に蛍光体粒子が分散された構造を有する。また、蛍光層4は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料に蛍光体粒子が分散されたものであってもよい。あるいは、蛍光層4は、有機材料や無機材料からなるバインダによって蛍光体粒子どうしが結合され成形されたものであってもよい。
(5)反射層
反射層6は、例えば、AgやAl等の金属により形成されている。この反射層6は、発光層2の第2半導体層2bの下面の全領域(第1領域)に設けられている。
(6)第1電極
第1電極7aは、例えば、Ni/Au等の金属により形成されている。この第1電極7aは、例えば、発光層2の第1半導体層2aの下面の露出領域(第2領域)に円形状に設けられている。
(7)第2電極
各第2電極7bも、例えば、Ni/Au等の金属により形成されている。これらの第2電極7bは、反射層6の下面に、例えば、円形状に所望のピッチで設けられている。
(8)第1金属ポスト
第1金属ポスト8aは、第1電極7aに通電している。第1金属ポスト8aは、例えばCu等の金属により円柱状に形成されている。
(9)第2金属ポスト
この第2金属ポスト8bは、第2電極7bに通電している。各第2金属ポスト8bは、例えば、それぞれCu等の金属により円柱状に形成されている。
(10)絶縁層
絶縁層9は、例えば、SiOなどの絶縁材料により形成されており、パッシベーション膜(保護膜)として機能する。
(11)封止層
封止層10は、例えば、熱硬化性樹脂により形成されている。また、封止層10は遮光性の樹脂を用いて形成されている。
(12)金属層
第1金属層11aは、第1金属ポスト8aの端部、すなわち露出部分に設けられている。各第2金属層11bは、それぞれ各第2金属ポスト8bの端部、すなわち露出部分に設けられている。
第1金属層11a及び各第2金属層11bは、例えば、それぞれNi/Au等の金属により形成されている。
このような光半導体装置1では、第1金属ポスト8a及び各第2金属ポスト8bに電圧が印加されると、第1金属ポスト8aから第1半導体層2aに電位が与えられ、各第2金属ポスト8bから第2半導体層2bに電位が与えられ、第1半導体層2aと第2半導体層2bとに挟まれた活性層2cから光が放射される。放射された光の一部は、透光層5を透過して蛍光体において波長変換されて外部に放出され、他の一部は、反射層6により反射されて透光層5を透過して蛍光体において波長変換されて外部に放出される。
以上、説明した本実施形態に係る発光装置によれば、実施形態の蛍光体を含むことにより、優れた発光性能を実現することができる。
<蛍光体>
〔合成例1−1〕
49%HF水溶液200mlを10〜18℃に冷却した。KFを48gと、KMnOを3gとを秤量し、冷却したHF水溶液に添加した。その溶液を10℃に冷却しながら、30分間撹拌して溶解した。その溶液にHを約2.4ml(溶液の色が紫色から褐色に変化するまで)滴下して、KMnFを析出させた。KMnFを濾別してアセトンで洗浄した。洗浄したKMnFを真空デシケータで乾燥して、褐色の粉末のKMnFを得た。
一方、SiOを2.2g秤量し、37%HF水溶液200mlに8時間撹拌しながら溶解して、無色透明の10%HSiF溶液を得た。
また、KFを12g秤量し、49%HF水溶液40mlに溶解して、KF溶解液を得た。
上述のKMnFを0.5g秤量し、上述の10%HSiF溶液200mlを22℃で混合した。その混合溶液に上述のKF溶解液を13ml/分の速度で3.5分間滴下しながら撹拌した。その後、22℃で10分間撹拌し、1分間静置して、KSiF:Mnを析出させた。KSiF:Mnを濾別して、20%HF水溶液300mlで洗浄し、さらにアセトンで洗浄した。洗浄したKSiF:Mn(KSiMnF)を真空デシケータで乾燥して、粉末のKSiF:Mnを得た。得られたKSiF:Mnを比較例1とした。
〔合成例1−2及び1−3〕
合成例1−1と同じ方法でKMnFとKF溶解液とを得た。
37%HF水溶液を49%HF水溶液とした以外は、合成例1−1と同じ方法で、HSiF溶液を得た。
MnFとHSiF溶液を合成例1−1と同じ方法で混合し、合成例1−1と同じ方法で粉末のKSiF:Mnを得た。合成例1−2で得られたKSiF:Mnを比較例2とし、合成例1−3で得られたKSiF:Mnを比較例3とした。
〔合成例2−1〕
KFを12g秤量し、49%HF水溶液40mlに溶解して、KF溶解液を得た。
また、SiOを2.2g秤量し、37%HF水溶液200mlに8時間撹拌しながら溶解して、無色透明の5%HSiF溶液を得た。
合成例1−1で得たKSiF:Mnを4g秤量し、5%HSiF溶液200mlと混合した。その混合溶液にKF溶解液を13ml/分の速度で3分間滴下しながら撹拌した。滴下終了後、22℃で1分間静置してKSiF:Mnの表面にKSiFを析出させた。そのKSiF:Mnを濾別して、20%HF水溶液300mlで洗浄し、さらにアセトンで洗浄した。洗浄した蛍光体を真空デシケータで乾燥して、KSiF:Mnの外側にKSiF:MnとKSiFとを含んだ被覆層を有する蛍光体を得た。得られた蛍光体を実施例1とした。実施例1の蛍光体の被覆層は、KSiF:Mnの含有量よりもKSiFの含有量が多い。
〔合成例2−2及び2−3〕
合成例2−3でKFを6gとした以外は、合成例2−1と同じ方法でKF溶解液を得た。
37%HF水溶液を49%HF水溶液とした以外は、合成例2−1と同じ方法で無色透明の5%HSiF溶液を得た。
SiF溶液の配合量を100mlとした以外は、合成例2−1と同じ方法で、合成例1−2及び1−3で得たKSiF:Mnの表面にKSiF:MnとKSiFとを含んだ被覆層を備えた蛍光体を得た。合成例2−2で得られた蛍光体を実施例2とし、合成例2−3で得られた蛍光体を実施例3とした。実施例2及び3の蛍光体の被覆層は、KSiF:Mnの含有量よりもKSiFの含有量が多い。
〔蛍光体及び蛍光体コアの平均粒径〕
実施例1〜3及び比較例1〜3の蛍光体又は蛍光体コアの平均粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)(日立社製、S−5500)を用いて、実施形態で説明した方法により算出した。結果を表3に示す。
〔蛍光体における蛍光体コアの比率〕
上述した方法により算出された平均粒径を用いて、蛍光体の平均粒径に対する蛍光体コアの平均粒径の比率を算出した。結果を表3に示す。
〔蛍光体の表面組成〕
蛍光体の表面組成は、実施形態で説明した方法により測定した。測定装置は、SEM−EDX(日立社製、S−5500;アメテック社製、Genesis XM4を使用した。測定条件は、加速電圧:10kV;倍率:5,000倍、傾斜:0度とした。
以下の表1に実施例1の蛍光体の表面組成を示す。
以下の表2に比較例1の蛍光体の表面組成を示す。
表1と2とを比較して、被覆層を有する実施例1の蛍光体の表面は、被覆層を有さない比較例1の蛍光体の表面、すなわち実施例1の蛍光体コアの表面よりもMnの含有量が少ないことが分かる。また、実施例1及び比較例1の蛍光体の表面に酸素を含有していないことが分かる。
〔蛍光体表面のMnの含有量〕
実施例1〜3及び比較例1〜3の蛍光体の表面のMnの含有量を実施形態で説明した方法により測定した。測定装置は、上述のSEMを使用し、測定条件は上述のSEMと同じとした。
〔蛍光体断面におけるMnの含有量の分布〕
実施例1の蛍光体の断面において、蛍光体断面の中心を0μmとし、中心から外側に向かって8μm、16μm、24μm、32μm、40μm及び48μmの位置でラマンシフトを実施形態で説明した方法により各々測定した。測定装置はPDP320(フォトンデザイン社製)を使用し、測定条件は以下のとおりとした。
測定モード:顕微ラマン;対物レンズ:100倍;ビーム径:1μm;クロススリット:100μm;光源:Arレーザー(514.5nm);光源出力:20mW;回析格子;1,800gr/mm;スリット:100μm;検出器:CCD(ローパー サイエンティフィック社製)
縦軸はv(MnF 2−)/v(SiF 2−))とし、横軸はラマンシフトを測定した中心からの位置として、実施例1の蛍光体の断面のMnの含有量の分布を図2に示す。これによれば、蛍光体コアと被覆層との境界付近でMnの含有量が最大となり、蛍光体表面では、Mnの含有量が減少していることが分かる。境界付近は、現実の境界を中心として蛍光体の径方向へ10μmの厚さ範囲の領域であった。
<評価>
〔浸水試験〕
実施例1〜3及び比較例1〜3の各蛍光体の粉末と純水とを1:1の重量比になるよう容器に入れて、1時間静置した。その後、真空デシケータで乾燥して、粉末の状態とした。
浸水試験前後の各蛍光体について以下の評価を行なった。
〔吸収率及び内部量子効率の各変化量〕
吸収率及び内部量子効率は、以下のように定義される。
式中、
E(λ):蛍光体へ照射した励起光源の全スペクトル(フォトン数換算)
R(λ):蛍光体の励起光源反射光スペクトル(フォトン数換算)
P(λ):蛍光体の発光スペクトル(フォトン数換算)
このような吸収率及び内部量子効率を、PL量子収率測定装置(Absolute PL quantum yield Measurement Systems)(浜松ホトニクス株式会社製、C9920−02G型)により測定した。ピーク波長が455nmの光で蛍光体を励起し、浸水試験前後の蛍光体の吸収率と内部量子効率とを測定した。
浸水試験前の吸収率から浸水試験後の吸収率を減じた値を吸収率の変化量とした。また、浸水試験前の内部量子効率から浸水試験後の内部量子効率を減じた値を内部量子効率の変化量とした。内部量子効率の変化量が小さいほど、浸水による影響は少なく、耐水性が良好であることを示す。
以下の表3に実施例1〜3及び比較例1〜3の評価結果を示す。
実施例1〜3と比較例1〜3とを比較して、被覆層を有する実施例1〜3の蛍光体は、浸水試験前後の吸収率及び内部量子効率の変化量が小さい。すなわち、被覆層を有する蛍光体は、耐水性に優れ、発光効率の低下を抑制することができる。これに対し、被覆層を有さない比較例1〜3の蛍光体は、浸水試験前後の吸収率の変化量は大きくない場合であっても、内部量子効率の変化量が大きく、発光効率の低下を抑制することができない。
図3は、実施例1〜3について、内部量子効率の変化量と被覆層の厚さとの相関を示すグラフである。これによれば、被覆層が厚いほど、内部量子効率の変化量が小さいことが分かる。
図4及び5は、実施例1と比較例1、実施例2及び3と比較例2及び3について、各々、吸収率と内部量子効率とを縦軸とし、時間を横軸として、浸水試験前後の蛍光体の吸収率と内部量子効率の変化量を相対的に示すグラフである。
図4において、A1は実施例1の被覆層を有する蛍光体の内部量子効率の変化を示し、A2は実施例1の被覆層を有する蛍光体の吸収率の変化を示す。B1は比較例1の被覆層を有さない蛍光体の内部量子効率の変化を示し、B2は比較例1の被覆層を有さない蛍光体の吸収率の変化を示す。
図5において、C1は実施例2の被覆層を有する蛍光体の内部量子効率の変化を示し、C2は実施例2の被覆層を有する蛍光体の吸収率の変化を示す。E1は実施例3の被覆層を有する蛍光体の内部量子効率の変化を示し、E2は実施例3の被覆層を有する蛍光体の吸収率の変化を示す。D1は比較例2の被覆層を有さない蛍光体の内部量子効率の変化を示し、D2は比較例2の被覆層を有さない蛍光体の吸収率の変化を示す。F1は比較例3の被覆層を有さない蛍光体の内部量子効率の変化を示し、F2は比較例3の被覆層を有さない蛍光体の吸収率の変化を示す。
図4及び図5によれば、被覆層を有する蛍光体は、吸収率及び内部量子効率ともに浸水試験前後の変化が小さいことが分かる。一方、被覆層を有さない蛍光体は、浸水試験前後の内部量子効率は大きく低下したが、吸収率の浸水試験前後の変化量は小さい。これは、浸水試験により、蛍光体の表面で以下の反応により黒色のMnOが形成されたことに起因すると推察される。
MnF+2HO→2KF+MnO+4HF
〔浸水試験前後における励起スペクトル〕
実施例1と比較例1の蛍光体について、浸水試験前後の各励起スペクトルをPL量子収率測定装置(Absolute PL quantum yield Measurement Systems)(浜松ホトニクス社製、C9920−02G型)を用いて測定した。
図6は、5nmステップで400〜700nmの帯域で浸水試験前後の各蛍光体を励起させたときの吸光度を模式的に示した図である。
図6において、Gは実施例1の浸水試験前の励起スペクトルを示し、Hは浸水試験後の励起スペクトルを示す。Iは比較例1の浸水試験前の励起スペクトルを示し、Jは浸水試験後の励起スペクトルを示す。
これによれば、実施例1において、浸水試験前後の励起スペクトルはほとんど変化しないことが分かる。また、比較例1の浸水試験後の励起スペクトルは、500〜650nmの波長での吸光度が増加している。これは、浸水試験により、蛍光体の表面に黒色のMnOが形成されたことに起因すると推察される。
〔浸水試験前後におけるMn−F結合〕
実施例1及び比較例1の蛍光体について、VERITEX 70v(ブルカー社製)を用いて、フーリエ変換型赤外分光法(FT−IR:Fourier Transform Infrared Spectroscopy)により分子構造を分析した。FT−IRは分子振動による赤外光(IR)の吸収から分子構造を分析するものである。測定条件は、測定方式:拡散反射、真空度:1hPa以下、スキャン範囲:400〜4000cm−1、スキャン回数:100、スキャンピッチ4cm−1とした。
図7は、Mn−F結合の結合状態を示す650cm−1付近を拡大した模式図である。図7において、Gは実施例1の浸水試験前の励起スペクトルを示し、Hは浸水試験後の励起スペクトルを示す。Iは比較例1の浸水試験前の励起スペクトルを示し、Jは浸水試験後の励起スペクトルを示す。Kは比較のために調製したMnを含有しないKSiFの浸水試験前の励起スペクトルを示し、Lは浸水試験後の励起スペクトルを示す。
これによれば、実施例1は、650〜630cm−1のピークに変化がほとんどなかった。これに対し、比較例1は、650cm−1付近で浸水試験後の励起スペクトルのピークが大きくなった。これは、浸水の影響によりMn−F結合の強度が変化したことに起因すると推察される。
以上述べた少なくとも1つの実施形態の蛍光体によれば、一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアと、その蛍光体コアの外側に位置した被覆層とを備え、蛍光体の平均粒径に対する蛍光体コアの平均粒径の比率は0.95未満であり、蛍光体の表面のMnの含有量は、全元素数を基準として0.2mol%より大きいことにより、耐水性が向上して、発光性能の低下を抑制することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]下記一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアと、
前記蛍光体コアの外側に位置した被覆層とを備え、
蛍光体の平均粒径に対する前記蛍光体コアの平均粒径の比率は0.95未満であり、
前記蛍光体の表面のMnの含有量は、全元素数を基準として0.2mol%より大きい蛍光体。
…(I)
一般式(I)中、
Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。
a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
[2]前記被覆層は、前記一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)で表される化合物とを含む[1]に記載の蛍光体。
LF …(II)
一般式(II)中、
Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
Lは、1種又は2種以上の4価の元素を表す。
[3]前記蛍光体コアのMnの含有量は、前記蛍光体コアの中心から前記蛍光体コアの外側に向かって増加し、前記蛍光体コア内の領域に最大値を有する[1]又は[2]に記載の蛍光体。
[4]前記蛍光体コアのMnの含有量は、前記蛍光体コアの中心から前記蛍光体コアの外側に向かって増加して、被覆層との境界部で最大である[1]又は[2]に記載の蛍光体。
[5]下記一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアを準備する工程と、
前記蛍光体コアと下記一般式(III)で表される化合物を含んだ第1の溶液とを混合して懸濁液を得る工程と、
前記懸濁液に、フッ化物を含んだ第2の溶液を添加して、前記蛍光体コアの外側に被覆層を形成する工程と
を含んだ[1]〜[4]のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
…(I)
一般式(I)中、
Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
Lは、1種又は2種以上の4価の元素を表す。
Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。
a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
LF …(III)
一般式(III)中、Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
[6][1]〜[4]のいずれか1項に記載の蛍光体を含んだ蛍光層と、前記蛍光体を励起する光を放出する発光部とを備えた発光装置。
1…光半導体装置、2…発光層、2a…第1半導体層、2b…第2半導体層、2c…活性層、3…接着層、4…蛍光層、5…透光層、6…反射層、7a…第1電極、7b…第2電極、8a…第1金属ポスト、8b…第2金属ポスト、9…絶縁層、10…封止層、11a…第1金属層、11b…第2金属層、M1…第1主面、M2…第2主面。

Claims (4)

  1. 下記一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアと、
    前記蛍光体コアの外側に位置した被覆層とを備え、
    蛍光体の平均粒径に対する前記蛍光体コアの平均粒径の比率は0.95未満であり、
    前記被覆層の表面のMnの含有量は、全元素数を基準として0.2mol%より大きく、
    前記蛍光体コアのMnの含有量は、前記蛍光体コアの中心から前記蛍光体コアの外側に向かって増加し、前記蛍光体コアと前記被覆層との境界部で最大値を有する蛍光体。
    …(I)
    一般式(I)中、
    Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
    Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
    Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。
    a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
  2. 前記被覆層は、前記一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)で表される化合物とを含む請求項1に記載の蛍光体。
    LF …(II)
    一般式(II)中、
    Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
    Lは、1種又は2種以上の4価の元素を表す。
  3. 下記一般式(I)で表される組成を有する蛍光体コアを準備する工程と、
    前記蛍光体コアと下記一般式(III)で表される化合物を含んだ第1の溶液とを混合して懸濁液を得る工程と、
    前記懸濁液に、フッ化物を含んだ第2の溶液を添加して、前記蛍光体コアの外側に被覆層を形成する工程と
    を含んだ請求項1又は2に記載の蛍光体の製造方法。
    …(I)
    一般式(I)中、
    Aは、1種又は2種以上のアルカリ金属元素を表す。
    Lは、1種又は2種以上の4価の元素を表す。
    Mは、Mnを含有する賦活元素を表す。
    a及びbは、0.9≦a+b≦1.1を満たし、且つ0<b≦0.5である。
    LF …(III)
    一般式(III)中、Lは、1種又は2種以上の4価のMn以外の元素を表す。
  4. 請求項1又は2に記載の蛍光体を含んだ蛍光層と、前記蛍光体を励起する光を放出する発光部とを備えた発光装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6545055B2 (ja) * 2015-09-24 2019-07-17 デンカ株式会社 蛍光体の製造方法
JP2019011429A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 デンカ株式会社 フッ化物蛍光体粉末及びそれを用いた発光装置
US12534667B2 (en) 2021-10-13 2026-01-27 Nichia Corporation Fluoride phosphor, production method therefor, and light-emitting device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003041246A (ja) 2001-07-31 2003-02-13 Noritake Itron Corp 蛍光体の製造方法および蛍光体
JP5682104B2 (ja) * 2008-09-05 2015-03-11 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP5446511B2 (ja) * 2009-06-30 2014-03-19 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
US8252613B1 (en) * 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
US9580643B2 (en) * 2012-02-16 2017-02-28 Koninklijke Philips N.V. Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for semiconductor LEDS
US9598636B2 (en) * 2012-12-28 2017-03-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor surface treatment method
JP2014177586A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Toshiba Corp 蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置
JP5783302B2 (ja) * 2013-07-03 2015-09-24 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
KR102443826B1 (ko) * 2013-12-30 2022-09-16 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 내습성 인광체 조성물 및 관련 방법
US9512357B2 (en) * 2014-07-22 2016-12-06 General Electric Company Red-emitting phosphors, associated processes and devices
KR102355081B1 (ko) * 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치

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