JP6542367B2 - 表面改質部材の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 title description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 title description 17
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 120
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 78
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 14
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 9
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 9
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001347 Stellite Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N chromium;cobalt;iron;manganese;methane;molybdenum;nickel;silicon;tungsten Chemical compound C.[Si].[Cr].[Mn].[Fe].[Co].[Ni].[Mo].[W] AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010289 gas flame spraying Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
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- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
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Description
(a):金属、合金又はサーメットからなる基材上に、金属、合金又はサーメットであり、かつ基材と異なる材料からなる溶射皮膜を形成する工程
(b):前記工程(a)で形成した溶射皮膜の表面に高エネルギービームを照射して、厚み方向における当該溶射皮膜の全体及び前記基材の一部を溶融し、凝固させて、緻密化された改質層を形成する工程
(c):直前に形成した改質層上に、金属、合金又はサーメットであり、かつ前記基材と異なる材料からなる溶射皮膜を形成する工程
(d):前記工程(c)で形成した溶射皮膜の表面に高エネルギービームを照射して、厚み方向における当該溶射皮膜の全体及び前記直前に形成した改質層の一部を溶融し、凝固させて、緻密化された改質層を形成する工程
(1)前記工程(a)で形成した溶射皮膜の熱伝導率は、前記基材の熱伝導率よりも小さい。
(2)前記工程(c)で形成した溶射皮膜の熱伝導率は、前記直前に形成した改質層の熱伝導率よりも小さい。
(3)前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、熱伝導率が20W/(m・K)以下である。
(4)前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、膜厚が50〜300μmである。
(5)前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、他の溶射皮膜の少なくとも一つと異なる材料からなる。
(6)前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、他の溶射皮膜の少なくとも一つと同一の材料からなる。
(7)前記高エネルギービームは、レーザであり、そのエネルギー密度は1.0×102〜1.0×104J/cm2である。
熱伝導率k(W/(m・K))=熱拡散率a(m2/s)×比熱c(J/(K・kg))×密度ρ(kg/m3)
基材として100mm角×10mmのステンレス鋼(SUS304)のバルク材を用意し、Co合金(ステライトNo.21)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に1層目の溶射皮膜を膜厚150μmで形成した。次に、1層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度3000J/cm2で照射して、1層目の溶射皮膜の全体及び基材の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された1層目の改質層が得られた。続いて、1層目の改質層に対し、1層目と同じCo合金(ステライトNo.21)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に2層目の溶射皮膜を膜厚150μmで形成した。次に、2層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度3000J/cm2で照射して、2層目の溶射皮膜の全体及び1層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された2層目の改質層が得られた。続いて、2層目の改質層に対し、1層目と同じCo合金(ステライトNo.21)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、2層目の改質層上に3層目の溶射皮膜を膜厚150μmで形成した。次に、3層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度3000J/cm2で照射して、3層目の溶射皮膜の全体及び2層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された3層目の改質層が得られた。以上の操作を繰り返し、実施例1における表面改質部材を作製した。
連続発振レーザ(CW)のエネルギー密度を1000J/cm2としたこと、及び各溶射皮膜の膜厚を50μmとしたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例2における表面改質部材を作製した。
連続発振レーザ(CW)のエネルギー密度を6000J/cm2としたこと、及び各溶射皮膜の膜厚を300μmとしたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例3における表面改質部材を作製した。
連続発振レーザ(CW)のエネルギー密度を200J/cm2としたこと、及び各溶射皮膜の膜厚を10μmとしたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例4における表面改質部材を作製した。
基材として100mm角×10mmのステンレス鋼(SUS304)のバルク材を用意し、Co合金(ステライトNo.21)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に溶射皮膜を膜厚5μmで形成した。次に、溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度100J/cm2で照射したところ、溶射皮膜は溶融したが、基材までは溶融させることができず、溶融時に溶射皮膜が凝集し、基材表面が露出する結果となった。
連続発振レーザ(CW)のエネルギー密度を9000J/cm2としたこと、及び各溶射皮膜の膜厚を450μmとしたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例5における表面改質部材を作製した。
基材として100mm角×10mmのステンレス鋼(SUS304)のバルク材を用意し、Co合金(ステライトNo.21)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に溶射皮膜を膜厚600μmで形成した。次に、溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度12000J/cm2で照射したところ、溶射皮膜は溶融することができたものの、溶射皮膜の表面に多くのブローホールが発生し、基材が露出する結果となった。
連続発振レーザ(CW)のエネルギー密度を12000J/cm2としたこと、及び各溶射皮膜の膜厚を450μmとしたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例6における表面改質部材を作製した。
溶射皮膜を形成する際の溶射条件(具体的には、溶射距離と燃焼炎の温度)を制御し、熱伝導率の異なる溶射皮膜を形成したこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例7における表面改質部材を作製した。
基材にNi合金(ハステロイC276)を用いたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例8における表面改質部材を作製した。
基材として100mm角×10mmのNi合金(ハステロイC276)のバルク材を用意し、Co合金(ステライトNo.21)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に溶射皮膜を膜厚150μmで形成した。続いて、溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度3000J/cm2で照射したところ、溶射皮膜は溶融することができたものの、基材に対して熱拡散が起こり、基材を溶融させることができず、溶融した溶射皮膜が凝集し、基材の一部が露出する結果となった。
3層目の溶射皮膜を形成するための溶射材料として、Ni合金(NiCrAlY)の粉末を用いたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例9における表面改質部材を作製した。
2層目の溶射皮膜を形成するための溶射材料として、Ni合金(NiCrAlY)の粉末を用いたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例10における表面改質部材を作製した。
1層目の溶射皮膜を形成するための溶射材料として、Ni合金(NiCrAlY)の粉末を用いたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例11における表面改質部材を作製した。
基材として100mm角×10mmのAlのバルク材を用意し、Siの粉末を溶射材料として、大気圧プラズマ溶射法により、基材上に1層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、1層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度2000J/cm2で照射して、1層目の溶射皮膜の全体及び基材の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された1層目の改質層が得られた。続いて、1層目の改質層に対し、1層目と同じSiの粉末を溶射材料として、大気圧プラズマ溶射法により、基材上に2層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、2層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度2000J/cm2で照射して、2層目の溶射皮膜の全体及び1層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された2層目の改質層が得られた。続いて、2層目の改質層に対し、1層目と同じSiの粉末を溶射材料として、大気圧プラズマ溶射法により、2層目の改質層上に3層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、3層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度2000J/cm2で照射して、3層目の溶射皮膜の全体及び2層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された3層目の改質層が得られた。以上の操作を繰り返し、実施例12における表面改質部材を作製した。
基材として、Ni合金(ハステロイC276)を用いたこと以外は実施例12と同様の方法により、実施例13における表面改質部材を作製した。
基材として100mm角×10mmのCuのバルク材を用意し、Ni合金(NiCrAlY)の粉末を溶射材料として、大気圧プラズマ溶射法により、基材上に1層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、1層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度2500J/cm2で照射して、1層目の溶射皮膜の全体及び基材の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された1層目の改質層が得られた。続いて、1層目の改質層に対し、Ni合金(NiCrAlY)の粉末を溶射材料として、大気圧プラズマ溶射法により、基材上に2層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、2層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度2500J/cm2で照射して、2層目の溶射皮膜の全体及び1層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された2層目の改質層が得られた。続いて、2層目の改質層に対し、Ni合金(NiCrAlY)の粉末を溶射材料として、大気圧プラズマ溶射法により、2層目の改質層上に3層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、3層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度2500J/cm2で照射して、3層目の溶射皮膜の全体及び2層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された3層目の改質層が得られた。以上の操作を繰り返し、実施例14における表面改質部材を作製した。
基材として100mm角×10mmのステンレス鋼(SUS304)を用意し、Cr3C2サーメット(Cr3C2−NiCr)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に1層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、1層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度1500J/cm2で照射して、1層目の溶射皮膜の全体及び基材の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された1層目の改質層が得られた。続いて、1層目の改質層に対し、Cr3C2サーメット(Cr3C2−NiCr)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、基材上に2層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、2層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度1500J/cm2で照射して、2層目の溶射皮膜の全体及び1層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された2層目の改質層が得られた。続いて、2層目の改質層に対し、Cr3C2サーメット(Cr3C2−NiCr)の粉末を溶射材料として、高速フレーム溶射法により、2層目の改質層上に3層目の溶射皮膜を膜厚100μmで形成した。次に、3層目の溶射皮膜に対し、連続発振レーザ(CW)をエネルギー密度1500J/cm2で照射して、3層目の溶射皮膜の全体及び2層目の改質層の一部を溶融させ、冷却凝固させた。これにより、緻密化された3層目の改質層が得られた。以上の操作を繰り返し、実施例15における表面改質部材を作製した。
2 基材
3 被覆層
4 第1の改質層
5 第2の改質層
6 第3の改質層
7 第4の改質層
8 第5の改質層
10 第1の溶射皮膜
11 第2の溶射皮膜
12 第3の溶射皮膜
20 表面改質部材
Claims (7)
- 次の工程(a)及び工程(b)をこの順に行った後、工程(c)及び工程(d)をこの順に1回、又はこの順に複数回繰り返し行うことを特徴とする表面改質部材の製造方法。
(a):金属、合金又はサーメットからなる基材上に、金属、合金又はサーメットであり、かつ前記基材と異なる材料からなると共に、前記基材の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する溶射皮膜を形成する工程
(b):前記工程(a)で形成した溶射皮膜の表面に高エネルギービームを照射して、厚み方向における当該溶射皮膜の全体及び前記基材の一部を溶融し、凝固させて、緻密化された改質層を形成する工程
(c):直前に形成した改質層上に、金属、合金又はサーメットであり、かつ前記基材と異なる材料からなる溶射皮膜を形成する工程
(d):前記工程(c)で形成した溶射皮膜の表面に高エネルギービームを照射して、厚み方向における当該溶射皮膜の全体及び前記直前に形成した改質層の一部を溶融し、凝固させて、緻密化された改質層を形成する工程 - 前記工程(c)で形成した溶射皮膜の熱伝導率は、前記直前に形成した改質層の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の表面改質部材の製造方法。
- 前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、熱伝導率が20W/(m・K)以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表面改質部材の製造方法。
- 前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、膜厚が50〜300μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の表面改質部材の製造方法。
- 前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、他の溶射皮膜の少なくとも一つと異なる材料からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の表面改質部材の製造方法。
- 前記製造方法で形成した溶射皮膜の少なくとも一つは、他の溶射皮膜の少なくとも一つと同一の材料からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の表面改質部材の製造方法。
- 前記高エネルギービームは、レーザであり、そのエネルギー密度は1.0×102〜1.0×104J/cm2であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の表面改質部材の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015146236 | 2015-07-23 | ||
JP2015146236 | 2015-07-23 | ||
PCT/JP2016/068957 WO2017014002A1 (ja) | 2015-07-23 | 2016-06-27 | 表面改質部材の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019109289A Division JP6712662B2 (ja) | 2015-07-23 | 2019-06-12 | 表面改質部材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017014002A1 JPWO2017014002A1 (ja) | 2018-03-15 |
JP6542367B2 true JP6542367B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=57833891
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017529517A Active JP6542367B2 (ja) | 2015-07-23 | 2016-06-27 | 表面改質部材の製造方法 |
JP2019109289A Active JP6712662B2 (ja) | 2015-07-23 | 2019-06-12 | 表面改質部材の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019109289A Active JP6712662B2 (ja) | 2015-07-23 | 2019-06-12 | 表面改質部材の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10900111B2 (ja) |
EP (1) | EP3327168B1 (ja) |
JP (2) | JP6542367B2 (ja) |
KR (1) | KR102043418B1 (ja) |
CN (1) | CN107849677B (ja) |
TW (1) | TWI647321B (ja) |
WO (1) | WO2017014002A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10124580B2 (en) * | 2015-06-30 | 2018-11-13 | Shibaura Mechatronics Corporation | Tablet printing apparatus and tablet printing method |
CN108531844B (zh) * | 2018-05-11 | 2020-08-18 | 广东正德材料表面科技有限公司 | 一种用于h13钢表面防护的稀土氧化物掺杂的抗高温氧化与耐磨涂层的制备方法 |
CN109648187B (zh) * | 2019-02-12 | 2023-04-07 | 黄山学院 | 一种工具钢搅拌摩擦加工改性的方法及改性用填充板材结构 |
FR3095973B1 (fr) * | 2019-05-16 | 2021-05-07 | Safran Aircraft Engines | Procédé de de fabrication additive pour une pièce métallique |
JP7493680B2 (ja) | 2021-04-19 | 2024-05-31 | トーカロ株式会社 | レーザ肉盛層を有する部材の製造方法 |
CN113249721B (zh) * | 2021-06-18 | 2023-08-25 | 浙江翰德圣智能再制造技术有限公司 | 一种提高Hastelloy c-276镍铬钼合金激光熔覆层性能的方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3415050A1 (de) | 1984-04-21 | 1985-10-31 | Kabel- und Metallwerke Gutehoffnungshütte AG, 3000 Hannover | Verfahren zur herstellung einer stranggiesskokille mit verschleissfester schicht |
JPS61235551A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-20 | Kobe Steel Ltd | 海洋構造部材の表面被覆方法 |
JP2715213B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 軽水炉炉内構造物の表面改質方法 |
JPH06322508A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-22 | Hitachi Ltd | 構造物の表面改質方法 |
JPH09170037A (ja) | 1995-10-18 | 1997-06-30 | Showa Alum Corp | アルミニウム材の表面改質法 |
JP2000054105A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-22 | Sulzer Metoco Ag | 表面の前処理および被覆方法 |
JP3510993B2 (ja) | 1999-12-10 | 2004-03-29 | トーカロ株式会社 | プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 |
TW200624573A (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-16 | Metal Ind Res & Dev Ct | Method for modifying alloy with thermal spray coating and assistance of solid state stirring |
JP4643478B2 (ja) | 2006-03-20 | 2011-03-02 | トーカロ株式会社 | 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法 |
CN101112701A (zh) * | 2007-09-05 | 2008-01-30 | 南京航空航天大学 | 基于多次激光重熔的热喷涂梯度涂层加工方法 |
RU2533982C2 (ru) * | 2009-04-30 | 2014-11-27 | Шеврон Ю.Эс.Эй.Инк. | Обработка поверхности аморфных покрытий |
WO2011142097A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
DE102011102602A1 (de) * | 2011-05-27 | 2012-11-29 | Mtu Aero Engines Gmbh | Kaltgasspritzverfahren mit verbesserter Haftung und verringerter Schichtporosität |
JP5670862B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-02-18 | トーカロ株式会社 | 溶射皮膜における緻密化層の形成方法 |
CN102424944A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-04-25 | 九江学院 | 一种激光重熔三元硼化物金属陶瓷梯度涂层的方法 |
-
2016
- 2016-06-27 CN CN201680042893.3A patent/CN107849677B/zh active Active
- 2016-06-27 EP EP16827566.7A patent/EP3327168B1/en active Active
- 2016-06-27 JP JP2017529517A patent/JP6542367B2/ja active Active
- 2016-06-27 KR KR1020187001332A patent/KR102043418B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-27 US US15/746,795 patent/US10900111B2/en active Active
- 2016-06-27 WO PCT/JP2016/068957 patent/WO2017014002A1/ja active Application Filing
- 2016-06-28 TW TW105120246A patent/TWI647321B/zh active
-
2019
- 2019-06-12 JP JP2019109289A patent/JP6712662B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10900111B2 (en) | 2021-01-26 |
JPWO2017014002A1 (ja) | 2018-03-15 |
JP6712662B2 (ja) | 2020-06-24 |
KR102043418B1 (ko) | 2019-11-12 |
TWI647321B (zh) | 2019-01-11 |
US20200087771A1 (en) | 2020-03-19 |
EP3327168A1 (en) | 2018-05-30 |
WO2017014002A1 (ja) | 2017-01-26 |
EP3327168B1 (en) | 2021-08-04 |
CN107849677B (zh) | 2020-04-17 |
KR20180017186A (ko) | 2018-02-20 |
EP3327168A4 (en) | 2019-01-02 |
CN107849677A (zh) | 2018-03-27 |
JP2019163550A (ja) | 2019-09-26 |
TW201704503A (zh) | 2017-02-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6542367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |