JP6539973B2 - 光学装置及び光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光学装置及び光学装置の製造方法に関する。

フェルール（ファイバブロック）と光モジュールとの接続、フェルール同士の接続等、光学部品同士を接続する技術が知られている。光学部品同士の接続に関し、接続する光学部品の一方にピンを設け、他方に穴を設け、ピンを穴に挿入するようにして光学部品同士を配置することで、光学部品間の位置決めを行う技術が知られている。

特開２００５−４９３８９号公報 特開平８−９４８８３号公報

これまでのピンと穴には、平面視で相似形、例えば断面円形状のピンと平面円形状の穴が用いられており、それらの中心が位置基準の１つとされている。しかし、その場合、ピンが穴に挿入可能なようにピンと穴の間に設ける隙間（遊び）や、ピンと穴の公差（製造公差）が、穴に対する様々な方向へのピンの偏心、それによる光学部品の位置誤差を引き起こし、光学部品間の位置精度を低下させてしまう場合があった。

本発明の一観点によれば、第１ピン及び第２ピンを有する第１光学部品と、前記第１光学部品と対向し、平面視で前記第１ピン及び前記第２ピンとはそれぞれ非相似形の有底の第１穴及び第２穴を有する第２光学部品とを含み、前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第１穴及び前記第２穴に挿入され、前記第２光学部品の、前記第１光学部品との対向面に対し、前記第１穴及び前記第２穴の第１方向側に傾斜され、前記第１穴及び前記第２穴の底面に当接され、且つ、前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁に当接されている光学装置が提供される。

また、本発明の一観点によれば、第１光学部品に設けられた第１ピン及び第２ピンをそれぞれ、前記第１光学部品と対向する第２光学部品に設けられ平面視で前記第１ピン及び前記第２ピンとはそれぞれ非相似形の有底の第１穴及び第２穴に挿入する工程と、挿入された前記第１ピン及び前記第２ピンをそれぞれ、前記第１穴及び前記第２穴の底面に当接させ、且つ、前記第１穴及び前記第２穴の第１方向側の側壁に当接させる工程とを含み、前記第１穴及び前記第２穴の底面に当接され、且つ、前記第１方向側の側壁に当接される前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第２光学部品の、前記第１光学部品との対向面に対し、前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側に傾斜されて配置される光学装置の製造方法が提供される。

開示の技術によれば、ピンとそれが挿入される穴を用い、光学部品間の位置精度の高い光学装置を実現することが可能になる。

第１の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図（その１）である。 第１の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図（その２）である。 第１の実施の形態に係る光学装置の組み立て方法の一例を示す図（その１）である。 第１の実施の形態に係る光学装置の組み立て方法の一例を示す図（その２）である。 第２の実施の形態に係る光学装置の組み立て方法の一例を示す図（その１）である。 第２の実施の形態に係る光学装置の組み立て方法の一例を示す図（その２）である。 第２の実施の形態に係る組み立て後の光学装置の一例を示す図（その１）である。 第２の実施の形態に係る組み立て後の光学装置の一例を示す図（その２）である。 第２の実施の形態に係る光導波路基板の形成方法の一例を示す図（その１）である。 第２の実施の形態に係る光導波路基板の形成方法の一例を示す図（その２）である。 第２の実施の形態に係る光導波路基板の形成方法の一例を示す図（その３）である。 第２の実施の形態に係るガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図（その１）である。 第２の実施の形態に係るガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図（その２）である。 角度θと位置ずれ量の関係の一例を示す図である。 θ＝６０度，９０度，１２０度のピン穴とそれぞれに挿入されたガイドピンの平面配置の一例を示している。 第３の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。 第３の実施の形態に係るガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図（その１）である。 第３の実施の形態に係るガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図（その２）である。 第４の実施の形態に係るガイドピンの押し付け方向の説明図（その１）である。 第４の実施の形態に係るガイドピンの押し付け方向の説明図（その２）である。 第５の実施の形態に係るピン穴の構成例の説明図である。 ガイドピンとピン穴の公差の説明図である。 ガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図（その１）である。 ガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図（その２）である。

光信号は、高速、大容量の信号伝送に適しており、長距離の基幹通信システムでは既に実用化されている。コンピュータ等の情報系装置も信号の高速化により、装置間では既に光信号が実用化されており、装置内、ボード内への光信号の導入が視野に入ってきている。離れた位置を接続する配線部材としては、光ファイバが性能面、価格面で優れている。一方、光信号を加工する部分、例えば光トランシーバー、光カプラ、光スプリッタ、ＡＷＧ（Arrayed Waveguide Grating）等は、光導波路基板や光モジュール等の基板に形成されることが多い。更に、最近ではシリコンフォトニクスも用いられつつある。これはシリコンを半導体製造プロセスで微細加工することにより、同じ機能を非常に小さい部品として形成できる長所がある。光導波路基板や光モジュール等の基板に光ファイバを接続することで、加工した光信号を目的の場所に伝達することができる。

光導波路基板や光モジュール等の基板と、光ファイバとの接続は、２種類に大別することができる。１つは、基板端まで光導波路を形成し、基板面に対してほぼ平行に光ファイバを接続する形態である。もう１つは、基板面に対してほぼ垂直に光ファイバを接続する形態である。面発光レーザー等の面型光素子、グレーティングカプラ、４５度ミラー等が実用化され、光導波路基板や光モジュールに対してほぼ垂直方向にアクセスすることが比較的容易になったためである。いずれの接続形態でも、光ファイバは１本のほか、複数本を一括して接続することができる。

一方、光ファイバを低光損失で接続するためには、光ファイバの高精度な位置合わせが必要である。マルチモード光ファイバで５μｍ以内、シングルモード光ファイバで１μｍ以内の位置精度が求められる。更に、製造の観点から、高い位置精度を簡便に実現したいという要求もある。これを解決するための手段の１つが、精密に加工されたガイドピンを、精密に加工されたピン穴に差し込む構造である。即ち、光ファイバを配置したフェルール（ファイバブロック、ファイバアレイ）側に２本のガイドピンを設け、ガイドピンに対応するピン穴を光導波路基板や光モジュール等の基板側に設けて、ガイドピンをピン穴に挿入し、両者を接続する。これにより、光ファイバと基板の位置決めを行うものである。ガイドピンを使って間接的に光ファイバの位置決めを行うため、位置基準となるガイドピン及びそれに対応するピン穴は、高精度に形成されていることが望ましい。

ガイドピンとピン穴を用いる方式は、光ファイバの位置決めの高精度と簡便性の両立を目的とする方式である。但し、精度を確保するために、ガイドピンとピン穴との間に設ける隙間（遊び）を最小限に設定する必要がある。これは、ガイドピンの挿入が極めて難しくなることを意味する。このため、ガイドピンの先端部若しくはピン穴の挿入口をテーパー状に加工することが広く行われている。

しかし、ガイドピンとピン穴を用いる接続では、ピン穴でガイドピンを保持するために、ピン穴を、ガイドピンの先端部やピン穴の挿入口に設けるテーパー構造を上回る深い穴とするか、基板を貫通する穴とすることが望ましい。即ち、ドリル等の機械加工、長時間のウェットエッチング、レーザー加工等の手段が必要になる。いずれにしても、ピン穴が深いほど、ピン穴の位置及び径の精度が低下する可能性が高まる。

シリコンフォトニクスはシングルモードとなるため、高精度のピン穴加工が求められる。ガイドピンとピン穴を用いた高精度の接続を実現するためには、次のような２つの課題がある。

第１に、高精度なピン穴の加工方法である。これはフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術の組み合わせで実現できる。ドライエッチングは、プラズマやガスでエッチングすることにより、フォトリソグラフィーで形成したレジストパターンを高精度に転写した穴の形成が可能である。更に、ドライエッチングは、ウエハ上に一括処理することが可能であり、製造面でも有利である。しかし、このようなドライエッチングを用いる方法では、深い加工が難しく、数百μｍまでの浅い穴となる。これでは挿入の容易性と高い位置精度を両立する構造を実現することが難しい。

第２に、ガイドピンを使って光ファイバを位置決めするという点である。上記のように、ガイドピンとピン穴に隙間がないと、ガイドピンをピン穴に挿入できないため、その隙間分が光ファイバの位置誤差になり得る。更に、ガイドピン径及びピン穴径にも公差（製造公差）があるため、これも光ファイバの位置誤差になり得る。

ここで、図２２はガイドピンとピン穴の公差の説明図、図２３及び図２４はガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図である。
例えば、光ファイバ及びガイドピンが設けられたフェルールと、光ファイバと光学的に接続されるべき光素子（発光部、受光部、カプラ、ミラー等）及びピン穴が設けられた基板とを接続する場合、用いるガイドピン及びピン穴の径には、それぞれ公差が存在し得る。図２２には、このようなガイドピンとピン穴の公差の関係を示している。

図２２では、ガイドピン１００の半径の中心値をＲ₁、公差を±ΔＲ₁とし、ピン穴２００の半径の中心値をＲ₂、公差を±ΔＲ₂としている。即ち、ガイドピン１００の最小径はＲ₁−ΔＲ₁、最大径はＲ₁＋ΔＲ₁である。ピン穴２００の最小径はＲ₂−ΔＲ₂、最大径はＲ₂＋ΔＲ₂である。ガイドピン１００の径とピン穴２００の径の間には、ガイドピン１００がピン穴２００に挿入可能なように、Ｒ₂−ΔＲ₂≧Ｒ₁＋ΔＲ₁の関係がある。最小径Ｒ₁−ΔＲ₁のガイドピン１００と、最大径Ｒ₂＋ΔＲ₂のピン穴２００の組み合わせが発生すると、大きな位置誤差となる。

図２３には、最小径Ｒ₁−ΔＲ₁の一対のガイドピン１００が、最大径Ｒ₂＋ΔＲ₂の一対のピン穴２００のその方向Ｓ側の側壁に接して位置する場合を例示している。この例では、一対のガイドピン１００の間に、複数本（一例として１２本）の光ファイバ１１０が、それらの中心１１０ａをガイドピン１００の中心１００ａに揃えて、整列配置されている。一対のピン穴２００の間には、各光ファイバ１１０と光学的に接続されるべき光素子２１０が、それらの中心２１０ａをピン穴２００の中心２００ａに揃えて、整列配置されている。

図２３のように、最小径Ｒ₁−ΔＲ₁の一対のガイドピン１００が、最大径Ｒ₂＋ΔＲ₂の一対のピン穴２００のその方向Ｓ側の側壁に接して位置する場合、光ファイバ１１０と光素子２１０の間には、Ｒ₂−Ｒ₁＋ΔＲ₂＋ΔＲ₁の位置ずれが発生する。

また、図２４には、一方のガイドピン１００が、それに対応するピン穴２００の方向Ｓ側の側壁に接して位置し、もう一方のガイドピン１００が、それに対応するピン穴２００の、方向Ｓとは反対の方向Ｔ側の側壁に接して位置する場合を例示している。上記図２３の例と同様に、ガイドピン１００の径は最小径Ｒ₁−ΔＲ₁とし、ピン穴２００の径は最大径Ｒ₂＋ΔＲ₂としている。一対のガイドピン１００の間には、複数本の光ファイバ１１０が、それらの中心１１０ａをガイドピン１００の中心１００ａに揃えて、整列配置されている。一対のピン穴２００の間には、各光ファイバ１１０と光学的に接続されるべき光素子２１０が、それらの中心２１０ａをピン穴２００の中心２００ａに揃えて、整列配置されている。

図２４のような配置では、図２３のような配置に比べて、光ファイバ１１０と光素子２１０の間の位置ずれが緩和される。しかしそれでも、光ファイバ１１０と光素子２１０の間には、内側から外側に向かって大きくなるような位置ずれが発生する。

ガイドピンとピン穴を用いた光学部品の接続においては、用いるガイドピン及びピン穴の公差を踏まえ、それが光学部品間の位置精度に及ぼす影響を小さくできることが望ましい。

以上のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として示すような手法を用い、高い位置精度で配置され、光学的に接続された光学部品を含む、光学装置を実現する。
まず、第１の実施の形態について説明する。

図１及び図２は第１の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。図１は第１の実施の形態に係る光学装置の要部斜視模式図、図２は図１のＬ１−Ｌ１線に沿った位置の断面模式図である。

図１及び図２に示す光学装置１は、フェルール１０（光学部品）及び基板２０（光学部品）を有している。フェルール１０と基板２０は、対向して配置され、接続されている。
フェルール１０には、複数本の光ファイバ１１（光素子）、及び、一対のガイドピン１２が設けられている。ここでは、一対のガイドピン１２の間に、複数本（この例では１２本）の光ファイバ１１が１列に整列配置されたフェルール１０を例示している。ガイドピン１２には、例えば、円柱状のものが用いられている。ガイドピン１２の、基板２０側の端部は、フェルール１０の基板２０との対向面から、基板２０側に突出している。

基板２０には、フェルール１０の各光ファイバ１１とそれぞれ光学的に接続される複数個（この例では１２個）の光素子２１、及び、フェルール１０の一対のガイドピン１２が挿入される一対のピン穴２２が設けられている。

基板２０に設けられる光素子２１は、面発光レーザー（Vertical Cavity Surface Emitting Laser；ＶＣＳＥＬ）、フォトダイオード（Photo Diode；ＰＤ）、グレーティングカプラ（Grating Coupler；ＧＣ）、４５度ミラー等である。基板２０は、こういった光素子２１が設けられた、光導波路基板や光モジュール等である。

基板２０に設けられるピン穴２２は、ガイドピン１２の断面形状と相似形の平面円形状ではなく、平面視でガイドピン１２の断面形状とは非相似形の穴とされる。ピン穴２２は、挿入されるガイドピン１２よりも大きい領域２２ａと、その領域２２ａと連通し、フェルール１０との対向面に沿った方向Ｐに向かって幅が狭くなる領域２２ｂとを有する形状とされる。一対のピン穴２２の領域２２ｂは、同じ方向Ｐに向かって幅が狭くなっている。ここでは、平面視でＶ字状の領域２２ｂを例示している。

ピン穴２２は、挿入されたガイドピンをピン穴単独で保持するものとは異なり、比較的浅く形成することができ、ピン穴２２及びこれに挿入するガイドピン１２には、テーパー加工を施すことを要しない。ピン穴２２は、例えば、フォトリソグラフィー技術を用いて比較的容易に高精度で形成することができる。

光学装置１では、図１及び図２に示すように、一対のガイドピン１２の間に、複数本の光ファイバ１１が１列に整列配置され、一対のピン穴２２の間に、複数個の光素子２１が１列に整列配置されている。ピン穴２２に挿入されたガイドピン１２は、図１に示すように、方向Ｐに向かって幅が狭くなっている領域２２ｂの側壁に当接され、固定される。光学装置１では、このようにガイドピン１２が、ピン穴２２の領域２２ｂの側壁に当接された時に、対応する光ファイバ１１と光素子２１とが光学的に接続されるようになっている。

このような光学装置１の組み立ては、次のようにして行うことができる。
図３及び図４は第１の実施の形態に係る光学装置の組み立て方法の一例を示す図である。図３は第１の実施の形態に係る配置工程の一例の要部斜視模式図、図４は第１の実施の形態に係る接続工程の一例の要部斜視模式図である。

光学装置１の組み立てでは、まず、上記のような光ファイバ１１及びガイドピン１２を備えるフェルール１０、並びに、光素子２１及びピン穴２２を備える基板２０が準備される。

準備されたフェルール１０と基板２０を、図３に示すように、対向させて配置し、次いで、フェルール１０を基板２０側に接近させる（図３に太矢印で図示）。このようにフェルール１０を基板２０側に接近させ、ガイドピン１２をピン穴２２に挿入する。ガイドピン１２をピン穴２２に挿入する際には、図４に示すように、まずガイドピン１２を、それよりも大きく形成した、ピン穴２２の領域２２ａに挿入する。

そして、ガイドピン１２をピン穴２２の領域２２ａに挿入した状態で、フェルール１０を方向Ｐ、即ち方向Ｐに向かって幅が狭くなっているピン穴２２の領域２２ｂ側（図４に太矢印で図示）にスライドさせ、ガイドピン１２を領域２２ｂの側壁に当接させる。この例のように、ピン穴２２の領域２２ｂの側壁が平面視でＶ字状の場合には、そのＶ字状の一方の側壁と他方の側壁にガイドピン１２の側面が当接するようになる。ガイドピン１２を領域２２ｂの側壁に当接させることで、上記図１のような状態を得る。

対応する光ファイバ１１と光素子２１は、このようにガイドピン１２がピン穴２２の領域２２ｂの側壁に当接した時に光学的に接続されるように形成されている。ガイドピン１２をピン穴２２の領域２２ｂの側壁に当接させることで、対応する光ファイバ１１と光素子２１が位置合わせされ、光学的に接続された、上記図１及び図２に示したような光学装置１が得られる。

このように、まずフェルール１０のガイドピン１２を、基板２０のピン穴２２の広い領域２２ａに挿入し、その後、フェルール１０を方向Ｐにスライドさせ、ガイドピン１２を、方向Ｐに向かって幅が狭くなる領域２２ｂの側壁に当接させる。これにより、ガイドピン１２のピン穴２２への挿入の容易性と、フェルール１０（その光ファイバ１１）と基板２０（その光素子２１）の間の位置精度とを両立する。ピン穴２２に対してガイドピン１２を一方向Ｐに片寄せする構成としたことで、ガイドピン１２及びピン穴２２の公差によるフェルール１０と基板２０の位置ずれの方向や量の明確化、用いるガイドピン１２の組み合わせの選択や変更の容易化を図れる。

光学装置１において、ピン穴２２は、ガイドピン１２が挿入可能で、挿入後スライド可能な深さであればよく、比較的浅く形成することができる。浅いピン穴２２は、深いピン穴や基板２０を貫通するピン穴に比べて、寸法精度良く形成することができる。浅いピン穴２２でも、そのピン穴２２に上記のような領域２２ａと領域２２ｂを設け、ガイドピン１２を領域２２ａに挿入し、その後、領域２２ｂの側壁に押し付ける手法を用いることで、挿入容易性と位置精度の両立を図ることができる。

このような浅いピン穴２２には、深いピン穴や基板２０を貫通するピン穴のような、それ単独でガイドピン１２を保持する機能はない。そのため、上記のようにガイドピン１２をピン穴２２に挿入し、方向Ｐにスライドさせた後、フェルール１０を、方向Ｐに押し続ける機構を用いて固定するか、或いは、接着剤等を用いて基板２０に接着固定する。

尚、ここではピン穴２２の、方向Ｐに向かって幅が狭くなる領域２２ｂとして、側壁が平面視でＶ字状の領域を例示した。このほか、方向Ｐに向かって幅が狭くなる領域２２ｂとして、側壁が平面視で円弧状の領域を、ピン穴２２に設けることもできる。この場合、光学装置１の組み立て時には、フェルール１０のガイドピン１２が、基板２０のピン穴２２の、比較的広い領域２２ａに挿入された後、方向Ｐにスライドされ、平面円弧状の側壁に当接される。それにより、対応する光ファイバ１１と光素子２１が位置合わせされ、光学的に接続される。

また、ここでは１列に整列配置された光ファイバ１１及び光素子２１を例示した。このほか、光ファイバ及び光素子が２列、４列といったように複数列で整列配置されたフェルールと基板とを接続して得られる光学装置についても、上記のガイドピン１２及びピン穴２２を用いる手法を適用することが可能である。

また、ここではフェルール１０と、光導波路基板や光モジュール等の基板２０との接続を例示したが、上記のガイドピン１２及びピン穴２２を用いる手法は、各種光学部品同士の接続に適用することが可能である。

次に、第２の実施の形態について説明する。
図５及び図６は第２の実施の形態に係る光学装置の組み立て方法の一例を示す図である。図５は第２の実施の形態に係る配置工程の一例の要部斜視模式図、図６は第２の実施の形態に係る接続工程の一例の要部斜視模式図である。

また、図７及び図８は第２の実施の形態に係る組み立て後の光学装置の一例を示す図である。図７は第２の実施の形態に係る光学装置の要部斜視模式図、図８は図７のＬ２−Ｌ２線に沿った位置の断面模式図である。

第２の実施の形態では、図５〜図８を参照し、光ファイバ３１及びガイドピン３２を備えるフェルール３０（光学部品）と、グレーティングカプラ４１ｂ及びピン穴４２を備える光導波路基板４０（光学部品）とを接続し、光学装置１Ａ（図７及び図８）を得る手法を例示する。

光学装置１Ａの組み立て時には、まず、図５に示すような、光ファイバ３１（光素子）及び一対のガイドピン３２を備えるフェルール３０、並びに、光導波路４１ａとグレーティングカプラ４１ｂ（光素子）及び一対のピン穴４２を備える光導波路基板４０が準備される。フェルール３０のガイドピン３２には、例えば、円柱状のものが用いられる。光導波路基板４０のピン穴４２は、ガイドピン３２の断面形状と相似形の平面円形状ではなく、平面視でガイドピン３２の断面形状とは非相似形の穴とされる。光導波路基板４０のピン穴４２には、挿入されるガイドピン３２よりも大きい領域４２ａと、その領域４２ａと連通し、フェルール３０との対向面に沿った方向Ｐに向かって幅が狭くなる領域４２ｂとが含まれる。ここでは、平面視でＶ字状の領域４２ｂを例示している。

ここで、フェルール３０には、ＭＴ（Mechanically Transferable）フェルールが用いられる。フェルール３０は、光導波路基板４０側の面が、光導波路基板４０に設けられるグレーティングカプラ４１ｂの放射角度に合わせた角度、例えば８度〜１０度で研磨され、研磨後のフェルール３０にガイドピン３２が挿通される。

光導波路基板４０は、次の図９〜図１１に例示するような方法を用いて準備される。図９〜図１１は第２の実施の形態に係る光導波路基板の形成方法の一例を示す図である。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）はそれぞれ、第２の実施の形態に係る光導波路基板の各形成工程の要部断面模式図である。

まず図９（Ａ）に示すような、シリコン（Ｓｉ）基板４３ａ、埋め込み酸化膜（Buried OXide；ＢＯＸ）層４３ｂ及びＳＯＩ（Silicon On Insulator）層４３ｃを有するＳＯＩウエハ（基板）４３を準備する。ＢＯＸ層４３ｂの膜厚は、例えば３μｍとすることができる。ＳＯＩ層４３ｃの膜厚は、例えば２５０ｎｍとすることができる。このような基板４３のＳＯＩ層４３ｃ上に、図９（Ａ）に示すように、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜４４を形成する。ＳｉＯ₂膜４４は、シラン（ＳｉＨ₄）を原料ガスに用いた化学気相成長（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）法により、膜厚５０ｎｍで形成することができる。ＳｉＯ₂膜４４の形成後は、図９（Ａ）に示すように、ＳｉＯ₂膜４４上にフォトレジストパターン４５を形成する。フォトレジストパターン４５は、光導波路基板４０に設ける光導波路４１ａの形成領域に対応するＳｉＯ₂膜４４上に、形成する。

続いて、図９（Ｂ）に示すように、形成したフォトレジストパターン４５をマスクにしてＳｉＯ₂膜４４のエッチングを行い、ハードマスクパターン４４ａを形成する。ハードマスクパターン４４ａの形成は、四フッ化炭素（ＣＦ₄）をエッチングガスに用いたＳｉＯ₂膜４４の反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）で行うことができる。

続いて、図９（Ｃ）に示すように、フォトレジストパターン４５を除去した後、ＳｉＯ₂膜４４（ハードマスクパターン４４ａ）をマスクにしてＳＯＩ層４３ｃのエッチングを行う。ＳＯＩ層４３ｃは、臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスに用いたＲＩＥでエッチングすることができる。

これまでの工程で、基板４３のＳＯＩ層４３ｃに、光導波路基板４０に設ける光導波路４１ａ（Ｓｉ光導波路）を形成する。
次いで、図１０（Ａ）に示すように、グレーティングカプラ４１ｂの形成領域に、グレーティングカプラ４１ｂとして設ける凹凸のその凹部に対応する領域に開口部４６ａを有するフォトレジストパターン４６を形成する。

続いて、形成したフォトレジストパターン４６をマスクにしたＳｉＯ₂膜４４のエッチングにより、ハードマスクパターンを形成し、更に、これをマスクにしてＳＯＩ層４３ｃのハーフエッチングを行う。例えば、ＳＯＩ層４３ｃを、５０ｎｍ〜１００ｎｍの深さでハーフエッチングする。その後、ＳｉＯ₂膜４４を除去する。これにより、図１０（Ｂ）に示すような、光導波路４１ａの端部に設けられたグレーティングカプラ４１ｂが形成される。

続いて、図１０（Ｃ）に示すように、光導波路４１ａ及びグレーティングカプラ４１ｂが形成された基板４３上に、ＳｉＯ₂膜４７を形成する。例えば、ＣＶＤ法により、膜厚１μｍのＳｉＯ₂膜４７を形成する。

次いで、図１１（Ａ）に示すように、ピン穴４２（図５及び図６に示すような領域４２ａ及び領域４２ｂを含むピン穴４２）の形成領域に開口部４８ａを有するフォトレジストパターン４８を形成する。

続いて、図１１（Ｂ）に示すように、形成したフォトレジストパターン４８をマスクにして、ＳｉＯ₂膜４７及びＢＯＸ層４３ｂ（合計膜厚４μｍ）のエッチングを行う。例えば、ＲＩＥにより、ＳｉＯ₂膜４７及びＢＯＸ層４３ｂのエッチングを行う。

続いて、フォトレジストパターン４８の除去後、図１１（Ｃ）に示すように、ＳｉＯ₂膜４７及びＢＯＸ層４３ｂをハードマスクとして、Ｓｉ基板４３ａのエッチングを行う。例えば、深掘りＲＩＥで、１００μｍ〜５００μｍの深さでＳｉ基板４３ａのエッチングを行う。これにより、ピン穴４２（領域４２ａ及び領域４２ｂ）が形成される。

図９〜図１１に示したような工程により、光導波路基板４０が準備される。
図５及び図６に戻り、準備されたフェルール３０と光導波路基板４０の組み立て工程について説明する。

フェルール３０及び光導波路基板４０を準備した後は、図５に示すように、フェルール３０と、接着剤（図示せず）を塗布した光導波路基板４０とを対向させて配置し、フェルール３０を光導波路基板４０側に接近させる（図５に太矢印で図示）。このようにフェルール３０を光導波路基板４０側に接近させ、フェルール３０を光導波路基板４０に接触させると共に、ガイドピン３２をピン穴４２に挿入する。ガイドピン３２をピン穴４２に挿入する際には、図６に示すように、まずガイドピン３２を、それよりも大きく形成されている、ピン穴４２の領域４２ａに、挿入する。領域４２ａがガイドピン３２よりも大きなサイズで形成されているため、ピン穴４２（領域４２ａ）に対してガイドピン３２を容易に挿入することができる。

そして、フェルール３０を光導波路基板４０に接触させ、ガイドピン３２をピン穴４２の領域４２ａに挿入した状態で、フェルール３０を方向Ｐ、即ち方向Ｐに向かって幅が狭くなっているピン穴４２の領域４２ｂ側（図６に太矢印で図示）にスライドさせる。これにより、図７に示すように、ガイドピン３２を、ピン穴４２の領域４２ｂの、Ｖ字状の側壁に当接させる。

尚、この例では、グレーティングカプラ４１ｂを設けた光導波路基板４０と接続するためにフェルール３０が所定角度で研磨されており、ガイドピン３２が光導波路基板４０の基板平面に対し所定角度で傾斜して配置される。このようにガイドピン３２が傾斜して配置される場合には、フェルール３０を、そのガイドピン３２が倒れている方向にスライドさせ、ガイドピン３２をピン穴４２の領域４２ｂの側壁に当接させる。ピン穴４２は、ガイドピン３２の押し付け方向に領域４２ｂが設けられるように形成される。

ガイドピン３２をピン穴４２の領域４２ｂの側壁に当接させた状態で、例えば８０℃〜１２０℃に昇温し、接着剤を硬化させる。
対応する光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂは、このようにガイドピン３２がピン穴４２の領域４２ｂの側壁に当接した時に光学的に接続されるように形成されている。ガイドピン３２をピン穴４２の領域４２ｂの側壁に当接させることで、対応する光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂとを位置合わせし、光学的に接続することができる。

これにより、図７及び図８に示すような光学装置１Ａが得られる。
図１２及び図１３は第２の実施の形態に係るガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図である。

上記のようにピン穴４２をＲＩＥで形成した場合、その寸法精度は高いため、ここではガイドピン３２の公差のみを考える。ガイドピン３２の半径の中心値をＲ₁、公差を±ΔＲ₁とすると、ガイドピン３２の最小径はＲ₁−ΔＲ₁、最大径はＲ₁＋ΔＲ₁になる。

図１２には、最小径Ｒ₁−ΔＲ₁の一対のガイドピン３２（実線で図示）が、対応するピン穴４２の、比較的広い領域４２ａに連通する、方向Ｐ側にある平面Ｖ字状の領域４２ｂの側壁に接して位置する場合を例示している。最小径Ｒ₁−ΔＲ₁の一対のガイドピン３２の間に、１２本の光ファイバ３１が、それらの中心３１ａをガイドピン３２の中心３２ａに揃えて、整列配置されている。

更に図１２には、最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁の一対のガイドピン３２（点線で図示）が、対応するピン穴４２の、比較的広い領域４２ａに連通する、方向Ｐ側にある平面Ｖ字状の領域４２ｂの側壁に接して位置する場合を例示している。最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁の一対のガイドピン３２の間に、１２本の光ファイバ３１が、それらの中心３１ｂをガイドピン３２の中心３２ｂに揃えて、整列配置されている。

図１２において、一対のピン穴４２の間には、各光ファイバ３１と光学的に接続されるグレーティングカプラ４１ｂ（便宜上円形で図示）が、それらの中心４１ｂａをピン穴４２の点４２ｃに揃えて、整列配置されている。ピン穴４２の領域４２ｂは、平面Ｖ字状で、Ｖ字の側壁のなす角度をθとする。

ガイドピン３２とピン穴４２を用いる接続では、ガイドピン３２の径がばらつくと、ガイドピン３２の押し付け方向（方向Ｐ又はそれと反対の方向Ｑ）に沿って、ガイドピン３２の中心（３２ａ，３２ｂ）の位置が変化する。それにより、光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂとの位置関係（相対位置）が変化する。ガイドピン３２が最小径Ｒ₁−ΔＲ₁、最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁のいずれの場合も、光ファイバ３１の中心３２ａ，３２ｂの、グレーティングカプラ４１ｂの中心４１ｂａからのずれは、ΔＲ₁／ｓｉｎ（θ／２）となる。ピン穴４２を、ガイドピン３２の径の中心値Ｒ₁を基準に設計すると、公差の影響を小さく抑えることができる。

図１３には、一方のピン穴４２に最小径Ｒ₁−ΔＲ₁のガイドピン３２が挿入され、他方のピン穴４２に最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁のガイドピン３２が挿入された時の平面配置を例示している。両ガイドピン３２が、対応するピン穴４２の、比較的広い領域４２ａに連通する、方向Ｐ側にある平面Ｖ字状の領域４２ｂの側壁に接して位置している。両ガイドピン３２の間には、１２本の光ファイバ３１が、それらの中心３１ｃを両ガイドピン３２の中心３２ａ，３２ｂに揃えて、整列配置されている。一対のピン穴４２の間には、各光ファイバ３１と光学的に接続されるグレーティングカプラ４１ｂが、それらの中心４１ｂａをピン穴４２の点４２ｃに揃えて、整列配置されている。

図１３のように、一対のピン穴４２にそれぞれ最小径Ｒ₁−ΔＲ₁、最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁のガイドピン３２が配置される場合、両ガイドピン３２は、対応するピン穴４２の、同じ方向Ｐ側にある領域４２ｂの側壁に当接される。このようにピン穴４２に対してガイドピン３２を一方向Ｐに片寄せする構成とし、光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂとの位置ずれを抑える。

ガイドピン３２の公差の影響は、ガイドピン３２が当接する平面Ｖ字状の側壁の角度θに依存する。
図１４には、角度θ（度）とΔＲ₁＝１μｍの時の位置ずれ量（μｍ）の関係の一例を示している。また、図１５には、θ＝６０度，９０度，１２０度のピン穴４２とそれぞれに挿入されたガイドピン３２の平面配置の一例を示している。

図１４より、ピン穴４２の角度θが大きくなるほど、位置ずれ量が小さくなり、θ＝１８０度の時に、位置ずれ量がΔＲ₁に等しくなる。一方、図１５からもわかるように、ピン穴４２の平面Ｖ字状の側壁によるガイドピン３２の規定力（ガイドピン３２を１箇所に保持する能力）は、角度θが小さいほど期待できる。

このような関係を考慮して、ピン穴４２の角度θを設定する。例えば、角度θを、９０度以上、好ましくは９０度以上１２０度以下に設定する。これにより、ガイドピン３２の公差に起因した光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂの位置ずれの抑制、グレーティングカプラ４１ｂに対する光ファイバ３１の位置精度の確保を図ることができる。

尚、この第２の実施の形態では、グレーティングカプラ４１ｂを設けた光導波路基板４０とフェルール３０との接続を例示した。このほか、この第２の実施の形態で述べたようなガイドピン３２及びピン穴４２を用いる手法は、面発光レーザー、フォトダイオード、４５度ミラー等の光素子を設けた基板とフェルール３０との接続にも、同様に適用することが可能である。

また、ここでは１列に整列配置された光ファイバ３１、及びグレーティングカプラ４１ｂ等の光素子を例示した。このほか、光ファイバ及び光素子が２列、４列といったように複数列で整列配置されたフェルールと基板とを接続して得られる光学装置についても、この第２の実施の形態で述べたようなガイドピン３２及びピン穴４２を用いる手法を適用することが可能である。

また、ここでは基板とフェルールとの接続を例示したが、この第２の実施の形態で述べたようなガイドピン３２及びピン穴４２を用いる手法は、各種光学部品同士の接続に適用することが可能である。

次に、第３の実施の形態について説明する。
上記第２の実施の形態では、ピン穴４２の、ガイドピン３２が当接される領域４２ｂの側壁を平面Ｖ字状としたが、ピン穴４２には、ガイドピン３２が当接される側壁が平面円弧状の領域４２ｂを設けることもできる。このように側壁が平面円弧状の領域４２ｂを含むピン穴４２を用いた例を、第３の実施の形態として説明する。

図１６は第３の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。図１６は第３の実施の形態に係る光学装置の要部斜視模式図である。
第３の実施の形態に係る光学装置１Ｂにおいて、光導波路基板４０のピン穴４２は、平面視でガイドピン３２の断面形状とは非相似形の穴とされる。

光学装置１Ｂの光導波路基板４０のピン穴４２は、ガイドピン３２よりも大きなサイズとされた領域４２ａと、その領域４２ａに連通し、方向Ｐに向かって幅が狭くなった、側壁が平面円弧状の領域４２ｂとを含む。光学装置１Ｂは、このような点で、上記第２の実施の形態に係る光学装置１Ａと相違する。

側壁が平面円弧状の領域４２ｂを含むピン穴４２が設けられる光導波路基板４０は、上記第２の実施の形態で述べたような方法（図９〜図１１）の例に従って、準備することができる。

光学装置１Ｂの組み立ても、上記第２の実施の形態で述べたような方法（図５〜図８）の例に従って、行うことができる。即ち、準備された光導波路基板４０と、ガイドピン３２を設けたフェルール３０を対向、接近させ、ガイドピン３２をピン穴４２の領域４２ａに挿入し、フェルール３０を方向Ｐにスライドさせてガイドピン３２を領域４２ｂの平面円弧状の側壁に当接させる。ガイドピン３２をピン穴４２の領域４２ｂの側壁に当接させることで、対応する光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂとが位置合わせされ、光学的に接続される。これにより、図１６に示すような光学装置１Ｂを得る。

図１７及び図１８は第３の実施の形態に係るガイドピンとピン穴の公差による位置誤差の説明図である。
ここでも上記第２の実施の形態と同様に、ガイドピン３２とピン穴４２の公差のうち、ガイドピン３２の公差のみを考える。ガイドピン３２の半径の中心値をＲ₁、公差を±ΔＲ₁とする。ピン穴４２の領域４２ｂの、平面円弧状の側壁の曲率半径は、ガイドピン３２の最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁以上に設定する。

図１７には、最小径Ｒ₁−ΔＲ₁の一対のガイドピン３２（実線で図示）が、対応するピン穴４２の、平面円弧状の領域４２ｂの側壁に接して位置する場合を例示している。最小径Ｒ₁−ΔＲ₁の一対のガイドピン３２の間に、１２本の光ファイバ３１が、それらの中心３１ａをガイドピン３２の中心３２ａに揃えて、整列配置されている。

更に図１７には、最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁の一対のガイドピン３２（点線で図示）が、対応するピン穴４２の、平面円弧状の領域４２ｂの側壁に接して位置する場合を例示している。最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁の一対のガイドピン３２の間に、１２本の光ファイバ３１が、それらの中心３１ｂをガイドピン３２の中心３２ｂに揃えて、整列配置されている。

一対のピン穴４２の間には、各光ファイバ３１と光学的に接続されるグレーティングカプラ４１ｂ（便宜上円形で図示）が、それらの中心４１ｂａをピン穴４２の点４２ｃに揃えて、整列配置されている。

この第３の実施の形態では、ピン穴４２の領域４２ｂの側壁を平面円弧状とすることで、その側壁とガイドピン３２との接触を、円と円の接触とすることができる。そのため、上記第２の実施の形態で述べた平面Ｖ字状の側壁の角度θを１８０度とした時と同等の接触状態が実現される。ガイドピン３２が最小径Ｒ₁−ΔＲ₁、最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁のいずれの場合も、光ファイバ３１の中心３２ａ，３２ｂの、グレーティングカプラ４１ｂの中心４１ｂａからのずれは、ΔＲ₁となる。ガイドピン３２が当接される領域４２ｂの側壁を平面円弧状とすることで、光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂとの位置ずれを抑えることができる。

図１８には、一方のピン穴４２に最小径Ｒ₁−ΔＲ₁のガイドピン３２が挿入され、他方のピン穴４２に最大径Ｒ₁＋ΔＲ₁のガイドピン３２が挿入された時の平面配置を例示している。両ガイドピン３２が、対応するピン穴４２の、平面円弧状の領域４２ｂの側壁に接して位置している。両ガイドピン３２の間には、１２本の光ファイバ３１が、それらの中心３１ｃを両ガイドピン３２の中心３２ａ，３２ｂに揃えて、整列配置されている。一対のピン穴４２の間には、各光ファイバ３１と光学的に接続されるグレーティングカプラ４１ｂが、それらの中心４１ｂａをピン穴４２の点４２ｃに揃えて、整列配置されている。

図１８のように領域４２ｂの側壁が平面円弧状の場合も、ガイドピン３２を一方向Ｐに片寄せする構成により、光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂとの位置ずれが抑えられる。

尚、この第３の実施の形態では、グレーティングカプラ４１ｂを設けた光導波路基板４０とフェルール３０との接続を例示した。このほか、この第３の実施の形態で述べたようなガイドピン３２及びピン穴４２を用いる手法は、面発光レーザー、フォトダイオード、４５度ミラー等の光素子を設けた基板とフェルール３０との接続にも、同様に適用することが可能である。

また、ここでは１列に整列配置された光ファイバ３１、及びグレーティングカプラ４１ｂ等の光素子を例示した。このほか、光ファイバ及び光素子が２列、４列といったように複数列で整列配置されたフェルールと基板とを接続して得られる光学装置についても、この第３の実施の形態で述べたようなガイドピン３２及びピン穴４２を用いる手法を適用することが可能である。

また、ここでは基板とフェルールとの接続を例示したが、この第３の実施の形態で述べたようなガイドピン３２及びピン穴４２を用いる手法は、各種光学部品同士の接続に適用することが可能である。

次に、第４の実施の形態について説明する。
上記第１〜第３の実施の形態で述べたガイドピン（１２，３２）の押し付け方向は、上記の例に限定されるものではない。

図１９及び図２０は第４の実施の形態に係るガイドピンの押し付け方向の説明図である。
上記第２の実施の形態を例にとると、上記第２の実施の形態では、ガイドピン３２の公差による光ファイバ３１とグレーティングカプラ４１ｂ等の光素子４１との位置ずれが、ガイドピン３２の押し付け方向に発現する。

そこで、例えば図１９に示すように、ピン穴４２の側壁にガイドピン３２を押し付ける方向Ｐを、光ファイバ３１や光素子４１が整列する方向Ｕと斜めに交差する方向とする。或いは図２０に示すように、ガイドピン３２を押し付ける方向Ｐを、光ファイバ３１や光素子４１が整列する方向Ｕと一致させる。ガイドピン３２を図１９や図２０のような方向Ｐに押し付けて平面Ｖ字状の側壁に当接できるように、ピン穴４２を設ける。

ガイドピン３２を押し付ける方向Ｐを、この図１９や図２０のような方向Ｐに設定することで、ガイドピン３２の公差による光ファイバ３１と光素子４１との位置ずれの出現方向や量を調整することもできる。

尚、上記第１の実施の形態で述べた、ピン穴２２にガイドピン１２を押し付ける方向Ｐ、上記第３の実施の形態で述べた、ピン穴４２にガイドピン３２を押し付ける方向Ｐについても、図１９或いは図２０の例に従い、方向Ｐを設定することが可能である。

次に、第５の実施の形態について説明する。
上記第１〜第４の実施の形態で述べたピン穴（２２，４２）の形状は、上記の例に限定されるものではない。

図２１は第５の実施の形態に係るピン穴の構成例の説明図である。図２１（Ａ）〜図２１（Ｃ）は第５の実施の形態に係るピン穴とそれに挿入されるガイドピンの斜視模式図である。

例えば、上記第２〜第４の実施の形態で述べたピン穴４２に替えて、図２１（Ａ）〜図２１（Ｃ）に示すような形状のピン穴４２を用いることもできる。
図２１（Ａ）に示すピン穴４２は、挿入されたガイドピン３２の押し付け方向の、Ｖ字状の側壁がぶつかり合う部位４９ａが丸みを帯びている点で、上記第２及び第４の実施の形態で述べたピン穴４２と相違する。ピン穴４２（領域４２ｂ）の形成容易性の観点から、このような丸みを帯びた部位４９ａを形成することもできる。

図２１（Ｂ）に示すピン穴４２は、ガイドピン３２よりも大きなサイズとされる領域４２ａの側壁が円弧状の部位４９ｂを有している点で、上記第３の実施の形態で述べたピン穴４２と相違する。ピン穴４２（領域４２ａ）の形成容易性、ガイドピン３２の挿入容易性の観点から、このような円弧状の部位４９ｂを設けることもできる。

図２１（Ｃ）に示すピン穴４２は、平面矩形状の穴である。ガイドピン３２は、それよりも大きい領域４２ａに挿入され、一の頂点４９ｃに向かってスライドされ、その頂点４９ｃから延びるＶ字状の側壁に当接される。このような形状のピン穴４２を用いた場合でも、上記第２の実施の形態等で述べたピン穴４２を用いた場合と同様の効果を得ることができる。

尚、上記第１の実施の形態で述べたピン穴２２にも同様に、図２１（Ａ）〜図２１（Ｃ）に示すような構成を採用することが可能である。
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１） 第１ピン及び第２ピンを有する第１光学部品と、
前記第１光学部品と対向し、平面視で前記第１ピン及び前記第２ピンとはそれぞれ非相似形の第１穴及び第２穴を有する第２光学部品と
を含み、
前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第１穴及び前記第２穴に挿入され、前記第１穴及び前記第２穴の第１方向側の側壁に当接されていることを特徴とする光学装置。

（付記２） 前記第１穴は、前記第１ピンよりも大きい第１領域と、前記第１領域と連通し、前記第１方向に向かって幅が狭くなる第２領域とを有し、
前記第２穴は、前記第２ピンよりも大きい第３領域と、前記第３領域と連通し、前記第１方向に向かって幅が狭くなる第４領域とを有し、
前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第２領域及び前記第４領域の側壁に当接されていることを特徴とする付記１に記載の光学装置。

（付記３） 前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁が平面視でＶ字状であることを特徴とする付記１又は２に記載の光学装置。
（付記４） 前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁が平面視で円弧状であることを特徴とする付記１又は２に記載の光学装置。

（付記５） 前記第１光学部品及び前記第２光学部品はそれぞれ、第１光素子群及び第２光素子群を備え、
前記第１ピン及び前記第２ピンがそれぞれ前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁に当接されて、前記第１光素子群と前記第２光素子群とが光学的に接続されることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の光学装置。

（付記６） 前記第１光素子群及び前記第２光素子群はそれぞれ、前記第１方向と交差する方向に向かって配列されていることを特徴とする付記５に記載の光学装置。
（付記７） 前記第１光素子群及び前記第２光素子群はそれぞれ、前記第１方向に向かって配列されていることを特徴とする付記５に記載の光学装置。

（付記８） 第１光学部品に設けられた第１ピン及び第２ピンをそれぞれ、前記第１光学部品と対向する第２光学部品に設けられ平面視で前記第１ピン及び前記第２ピンとはそれぞれ非相似形の第１穴及び第２穴に挿入する工程と、
挿入された前記第１ピン及び前記第２ピンをそれぞれ、前記第１穴及び前記第２穴の第１方向側の側壁に当接させる工程と
を含むことを特徴とする光学装置の製造方法。

（付記９） 前記第１ピン及び前記第２ピンを当接させる工程は、前記第１光学部品を前記第１方向に向かってスライドさせる工程を含むことを特徴とする付記８に記載の光学装置の製造方法。

（付記１０） 前記第１穴は、前記第１ピンよりも大きい第１領域と、前記第１領域と連通し、前記第１方向に向かって幅が狭くなる第２領域とを有し、
前記第２穴は、前記第２ピンよりも大きい第３領域と、前記第３領域と連通し、前記第１方向に向かって幅が狭くなる第４領域とを有し、
前記第１ピン及び前記第２ピンを挿入する工程では、前記第１ピン及び前記第２ピンをそれぞれ前記第１領域及び前記第３領域に挿入し、
前記第１ピン及び前記第２ピンを当接させる工程では、前記第１領域及び前記第３領域に挿入された前記第１ピン及び前記第２ピンをそれぞれ前記第２領域及び前記第４領域の側壁に当接させることを特徴とする付記８又は９に記載の光学装置の製造方法。

（付記１１） 前記第１光学部品及び前記第２光学部品はそれぞれ、第１光素子群及び第２光素子群を備え、
前記第１ピン及び前記第２ピンを当接させる工程は、前記第１ピン及び前記第２ピンをそれぞれ前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁に当接させて、前記第１光素子群と前記第２光素子群とを光学的に接続する工程を含むことを特徴とする付記８乃至１０のいずれかに記載の光学装置の製造方法。

（付記１２） 前記第１光素子群及び前記第２光素子群はそれぞれ、前記第１方向と交差する方向に向かって配列されていることを特徴とする付記１１に記載の光学装置の製造方法。

（付記１３） 前記第１光素子群及び前記第２光素子群はそれぞれ、前記第１方向に向かって配列されていることを特徴とする付記１１に記載の光学装置の製造方法。

１，１Ａ，１Ｂ 光学装置
１０，３０ フェルール
１１，３１，１１０ 光ファイバ
１２，３２，１００ ガイドピン
２０，４３ 基板
２１，２１０ 光素子
２２，４２，２００ ピン穴
２２ａ，２２ｂ，４２ａ，４２ｂ 領域
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３２ａ，３２ｂ，４１ｂａ，１００ａ，１１０ａ，２００ａ，２１０ａ 中心
４０ 光導波路基板
４１ａ 光導波路
４１ｂ グレーティングカプラ
４２ｃ 点
４３ａ Ｓｉ基板
４３ｂ ＢＯＸ層
４３ｃ ＳＯＩ層
４４，４７ ＳｉＯ₂膜
４４ａ ハードマスクパターン
４５，４６，４８ フォトレジストパターン
４６ａ，４８ａ 開口部
４９ａ，４９ｂ 部位
４９ｃ 頂点

Claims (6)

1. 第１ピン及び第２ピンを有する第１光学部品と、
   前記第１光学部品と対向し、平面視で前記第１ピン及び前記第２ピンとはそれぞれ非相似形の有底の第１穴及び第２穴を有する第２光学部品と
   を含み、
   前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第１穴及び前記第２穴に挿入され、前記第２光学部品の、前記第１光学部品との対向面に対し、前記第１穴及び前記第２穴の第１方向側に傾斜され、前記第１穴及び前記第２穴の底面に当接され、且つ、前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁に当接されていることを特徴とする光学装置。
2. 前記第１穴は、前記第１ピンよりも大きい第１領域と、前記第１領域と連通し、前記第１方向に向かって幅が狭くなる第２領域とを有し、
   前記第２穴は、前記第２ピンよりも大きい第３領域と、前記第３領域と連通し、前記第１方向に向かって幅が狭くなる第４領域とを有し、
   前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第２領域及び前記第４領域の側壁に当接されていることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
3. 前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁が平面視でＶ字状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学装置。
4. 前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁が平面視で円弧状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学装置。
5. 前記第１光学部品及び前記第２光学部品はそれぞれ、第１光素子群及び第２光素子群を備え、
   前記第１ピン及び前記第２ピンがそれぞれ前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側の側壁に当接されて、前記第１光素子群と前記第２光素子群とが光学的に接続されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光学装置。
6. 第１光学部品に設けられた第１ピン及び第２ピンをそれぞれ、前記第１光学部品と対向する第２光学部品に設けられ平面視で前記第１ピン及び前記第２ピンとはそれぞれ非相似形の有底の第１穴及び第２穴に挿入する工程と、
   挿入された前記第１ピン及び前記第２ピンをそれぞれ、前記第１穴及び前記第２穴の底面に当接させ、且つ、前記第１穴及び前記第２穴の第１方向側の側壁に当接させる工程と
   を含み、
   前記第１穴及び前記第２穴の底面に当接され、且つ、前記第１方向側の側壁に当接される前記第１ピン及び前記第２ピンはそれぞれ、前記第２光学部品の、前記第１光学部品との対向面に対し、前記第１穴及び前記第２穴の前記第１方向側に傾斜して配置されることを特徴とする光学装置の製造方法。
   

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