JP6537279B2 - Surface-treated copper foil, laminate using the same, printed wiring board, electronic device, and method of manufacturing printed wiring board - Google Patents

Surface-treated copper foil, laminate using the same, printed wiring board, electronic device, and method of manufacturing printed wiring board Download PDF

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本発明は、表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法に関し、特に、銅箔をエッチングした後の残部の樹脂の透明性が要求される分野に好適な表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a surface-treated copper foil, a laminate using the same, a printed wiring board, an electronic device, and a method for producing a printed wiring board, and in particular, the transparency of the remaining resin after etching the copper foil is required. The present invention relates to a surface-treated copper foil suitable for the field to be treated, a laminate using the same, a printed wiring board, an electronic device, and a method of manufacturing the printed wiring board.

スマートフォンやタブレットPCといった小型電子機器には、配線の容易性や軽量性からフレキシブルプリント配線板(以下、FPC)が採用されている。近年、これら電子機器の高機能化により信号伝送速度の高速化が進み、FPCにおいてもインピーダンス整合が重要な要素となっている。信号容量の増加に対するインピーダンス整合の方策として、FPCのベースとなる樹脂絶縁層(例えば、ポリイミド)の厚層化が進んでいる。また配線の高密度化要求によりFPCの多層化がより一層進んでいる。一方、FPCは液晶基材への接合やICチップの搭載などの加工が施されるが、この際の位置合わせは銅箔と樹脂絶縁層との積層板における銅箔をエッチングした後に残る樹脂絶縁層を透過して視認される位置決めパターンを介して行われるため、樹脂絶縁層の視認性が重要となる。   For small electronic devices such as smartphones and tablet PCs, flexible printed wiring boards (hereinafter referred to as FPCs) are adopted because of ease of wiring and lightness. In recent years, with the advancement of the functions of these electronic devices, the signal transmission speed has been increased, and impedance matching has become an important factor also in FPCs. As a measure of impedance matching with respect to the increase of signal capacity, thickening of a resin insulation layer (for example, polyimide) to be a base of FPC is in progress. In addition, with the demand for higher density of wiring, multi-layering of FPCs is further advanced. On the other hand, FPC is subjected to processing such as bonding to a liquid crystal substrate and mounting of an IC chip, but the alignment in this case is resin insulation remaining after etching the copper foil in the laminate of copper foil and resin insulation layer The visibility of the resin insulating layer is important because it is performed via a positioning pattern that is visible through the layer.

また、銅箔と樹脂絶縁層との積層板である銅張積層板は、表面に粗化めっきが施された圧延銅箔を使用しても製造できる。この圧延銅箔は、通常タフピッチ銅(酸素含有量100〜500重量ppm)又は無酸素銅(酸素含有量10重量ppm以下)を素材として使用し、これらのインゴットを熱間圧延した後、所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造される。   Moreover, the copper clad laminated board which is a laminated board of copper foil and a resin insulation layer can be manufactured also using the rolled copper foil in which the roughening plating was given to the surface. The rolled copper foil is usually made of tough pitch copper (oxygen content 100 to 500 ppm by weight) or oxygen free copper (oxygen content 10 ppm by weight or less) as a raw material, and these ingots are hot-rolled. It is manufactured by repeating cold rolling and annealing to a thickness.

このような技術として、例えば、特許文献1には、ポリイミドフィルムと低粗度銅箔とが積層されてなり、銅箔エッチング後のフィルムの波長600nmでの光透過率が40%以上、曇価(HAZE)が30%以下であって、接着強度が500N/m以上である銅張積層板に係る発明が開示されている。
また、特許文献2には、電解銅箔による導体層を積層された絶縁層を有し、当該導体層をエッチングして回路形成した際のエッチング領域における絶縁層の光透過性が50%以上であるチップオンフレキ(COF)用フレキシブルプリント配線板において、前記電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面にニッケル−亜鉛合金による防錆処理層を備え、該接着面の表面粗度(Rz)は0.05〜1.5μmであるとともに入射角60°における鏡面光沢度が250以上であることを特徴とするCOF用フレキシブルプリント配線板に係る発明が開示されている。
また、特許文献3には、印刷回路用銅箔の処理方法において、銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルト−ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成することを特徴とする印刷回路用銅箔の処理方法に係る発明が開示されている。
As such technology, for example, in Patent Document 1, a polyimide film and a low roughness copper foil are laminated, and the light transmittance of the film after copper foil etching at a wavelength of 600 nm is 40% or more, and the haze value is The invention which concerns on the copper clad laminated board whose (HAZE) is 30% or less and whose adhesive strength is 500 N / m or more is disclosed.
Further, Patent Document 2 has an insulating layer in which a conductor layer made of electrolytic copper foil is laminated, and the light transmittance of the insulating layer in the etching region at the time of forming the circuit by etching the conductor layer is 50% or more. In a flexible printed wiring board for a chip on flexible (COF), the electrodeposited copper foil is provided with a rustproofing layer of a nickel-zinc alloy on the bonding surface bonded to the insulating layer, and the surface roughness (Rz) of the bonding surface. The invention relating to a flexible printed wiring board for COF characterized in that is 0.05 to 1.5 μm and a specular gloss at an incident angle of 60 ° is 250 or more.
Further, in Patent Document 3, in a method of treating a copper foil for printed circuit, a cobalt-nickel alloy plated layer is formed on the surface of the copper foil after roughening treatment by copper-cobalt-nickel alloy plating, and further zinc-nickel The invention which concerns on the processing method of the copper foil for printed circuits characterized by forming an alloy plating layer is disclosed.

また、電子機器の高機能化により信号伝送速度の高速化が進んだ場合、高周波用基板には、出力信号の品質を確保するため、伝送損失の低減が求められる。伝送損失は、主に、樹脂(基板側)に起因する誘電体損失と、導体(銅箔側)に起因する導体損失からなっている。誘電体損失は、樹脂の誘電率及び誘電正接が小さくなるほど減少する。高周波信号において、導体損失は、周波数が高くなるほど電流は導体の表面しか流れなくなるという表皮効果によって電流が流れる断面積が減少し、抵抗が高くなることが主な原因となっている。   In addition, when the signal transmission speed has been increased due to the high functionality of the electronic device, the high frequency substrate is required to reduce the transmission loss in order to ensure the quality of the output signal. The transmission loss mainly consists of dielectric loss due to the resin (substrate side) and conductor loss due to the conductor (copper foil side). The dielectric loss decreases as the dielectric constant and dielectric loss tangent of the resin decrease. In high frequency signals, conductor loss is mainly caused by a reduction in the cross section through which current flows due to the skin effect that the current flows only at the surface of the conductor as the frequency increases, and the resistance increases.

特許文献4には、銅箔の表面の一部がコブ状突起からなる表面粗度が2〜4μmの凹凸面であることを特徴とする電解銅箔が開示されている。そして、これによれば、高周波伝送特性に優れた電解銅箔を提供することができると記載されている。   Patent Document 4 discloses an electrodeposited copper foil characterized in that a part of the surface of the copper foil is an uneven surface having a surface roughness of 2 to 4 μm, which is a bump-like protrusion. And according to this, it is described that the electrolytic copper foil excellent in the high frequency transmission characteristic can be provided.

特開2004−98659号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-98659 WO2003/096776号WO2003 / 096776 特許第2849059号公報Patent No. 2849059 特開2004−244656号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-244656

特許文献1において、黒化処理又はめっき処理後の有機処理剤により接着性が改良処理されて得られる低粗度銅箔は、銅張積層板に屈曲性が要求される用途では、疲労によって断線することがあり、樹脂透視性に劣る場合がある。
また、特許文献2では、粗化処理がなされておらず、COF用フレキシブルプリント配線板以外の用途においては銅箔と樹脂との密着強度が低く不十分である。
さらに、特許文献3に記載の処理方法では、銅箔へのCu−Co−Niによる微細処理は可能であったが、当該銅箔を樹脂と接着させてエッチングで除去した後の樹脂について、優れた透明性を実現できていない。
また、特許文献1〜3においては伝送損失の低減について実現できていない。
特許文献4において、当該銅箔を樹脂と接着させてエッチングで除去した後の樹脂について、優れた透明性を実現できていない。
本発明は、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れかつ信号の伝送損失が小さい表面処理銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
In Patent Document 1, the low-roughness copper foil obtained by improving the adhesion with the organic treatment agent after the blackening treatment or plating treatment is broken due to fatigue in applications where the copper-clad laminate is required to have flexibility. And may be inferior to resin transparency.
Further, in Patent Document 2, roughening treatment is not performed, and in applications other than the flexible printed wiring board for COF, the adhesion strength between the copper foil and the resin is low and insufficient.
Furthermore, although the fine processing to Cu-Co-Ni to copper foil was possible by the processing method of patent document 3, it is excellent about the resin after making the said copper foil adhere to resin and removing by etching Transparency has not been achieved.
Moreover, in patent documents 1-3, it has not realized about reduction of a transmission loss.
In Patent Document 4, excellent transparency can not be realized for a resin after the copper foil is adhered to a resin and removed by etching.
The present invention provides a surface-treated copper foil which adheres well to a resin, is excellent in transparency of the resin after removing the copper foil by etching, and has a small signal transmission loss, and a laminate using the same.

本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、表面処理によって表面の二乗平均平方根高さRqが所定範囲に制御された銅箔を、当該処理面側から貼り合わせて除去したポリイミド基板に対し、マークを付した印刷物を下に置き、当該印刷物をポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影した当該マーク部分の画像から得られる観察地点−明度グラフにおいて描かれるマーク端部付近の明度曲線の傾きに着目し、当該明度曲線の傾きを制御することが、基板樹脂フィルムの種類や基板樹脂フィルムの厚さの影響を受けずに、銅箔をエッチング除去した後の樹脂透明性および信号の伝送損失に影響を及ぼすことを見出した。
また、本発明者らは、銅箔の表面処理金属種及びその付着量が信号の伝送損失に影響を与える因子であり、これらの因子を銅箔表面の粗化粒子の個数密度および光沢度とともに制御することで、高周波回路基板に用いても信号の伝送損失が小さい表面処理銅箔が得られることを見出した。
As a result of intensive studies, the present inventors have made a mark on a polyimide substrate which is removed by bonding from the treated surface side a copper foil whose surface mean square height Rq is controlled to a predetermined range by surface treatment. The printed matter with the mark below is placed under, and attention is paid to the inclination of the lightness curve in the vicinity of the mark end portion drawn in the observation point-brightness graph obtained from the image of the marked portion Controlling the slope of the lightness curve affects resin transparency and signal transmission loss after etching away the copper foil without being affected by the type of substrate resin film and the thickness of the substrate resin film. I found out.
In addition, the inventors of the present invention have found that the surface-treated metal species of the copper foil and the amount of adhesion thereof are factors affecting the signal transmission loss, and these factors together with the number density and the glossiness of the roughened particles on the copper foil surface By controlling, it discovered that the surface treatment copper foil with a small transmission loss of a signal was obtained, even if it used for a high frequency circuit board.

以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、一方の銅箔表面が、表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされている表面処理銅箔であり、前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmであり、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzが、0.35μm以上であり、前記銅箔を表面処理面S側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt2としたときに、下記(1)式で定義されるSvが3.5以上となり、表面処理面SはNi、Coからなる群から選択されたいずれか1種以上の元素を含み、表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
The present invention completed based on the above findings is, in one aspect, a surface-treated copper foil in which one copper foil surface is the surface-treated surface S and the other copper foil surface is surface-treated. The laser light of the surface of the copper foil which is not the surface treated surface S is a root mean square height Rq of 0.14 to 0.63 μm measured by a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface treated surface S is 405 nm. The ten-point average roughness Rz of TD measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm is 0.35 μm or more, and the copper foil is attached to both sides of the polyimide resin substrate from the surface treated surface S side and then etched. The copper foils on both sides were removed and the printed matter on which the line mark was printed was placed under the exposed polyimide substrate, and the printed matter was photographed by the CCD camera through the polyimide substrate When the mark obtained in the observation point-lightness graph is manufactured by measuring the lightness at each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, with respect to the image obtained by the photographing. The difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve that occurs from the end of the area to the portion where the mark is not drawn is ΔB (ΔB = Bt−Bb), and the observation point—the lightness curve Of the points of intersection with Bt, a value indicating the position of the point of intersection closest to the line-shaped mark is t1, and the lightness curve is from the point of intersection of the lightness curve and Bt to the depth range of 0.1 ΔB with When the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark among the intersections with 0.1 ΔB is t2, Sv defined by the following equation (1) is 3.5 or more, and the surface treatment is performed. Surface S is Ni, include any one or more elements selected from the group consisting of Co, when the treated surface S comprises Ni is deposited amount of Ni is less than 1400μg / dm 2, the treated surface When S contains Co, the adhesion amount of Co is 2400 μg / dm 2 or less.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)

本発明は別の一側面において、一方の銅箔表面が、表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされている表面処理銅箔であり、前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmであり、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaが、0.05μm以上であり、前記銅箔を表面処理面S側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt2としたときに、下記(1)式で定義されるSvが3.5以上となり、前記表面処理面SはNi、Coからなる群から選択されたいずれか1種以上の元素を含み、前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である表面処理銅箔である。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
In the present invention, in another aspect, one surface of the copper foil is a surface-treated surface S, and the other surface of the copper foil is surface-treated. Laser whose root mean square height Rq is 0.14 to 0.63 μm measured with a laser microscope whose wavelength of the laser light is 405 nm, and whose wavelength of the laser light on the copper foil surface which is not the surface treated surface S is 405 nm Arithmetic mean roughness Ra of TD measured with a microscope is 0.05 μm or more, and after bonding the copper foil to both sides of the polyimide resin substrate from the surface treated surface S side, the copper foils on both sides are removed by etching When the printed matter on which the line-shaped mark is printed is placed under the exposed polyimide substrate and the printed matter is photographed by the CCD camera through the polyimide substrate, In the observation point-lightness graph prepared by measuring the lightness at each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, the mark from the end of the mark Let ΔB (ΔB = Bt−Bb) be the difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve that occurs over the undrawn part, and in the observation point-lightness graph, within the intersection of the lightness curve and Bt, Assuming that the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark is t1, the intersection of the lightness curve and 0.1ΔB in the depth range from the intersection of the lightness curve and Bt to 0.1ΔB based on Bt Wherein, when the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark is t2, Sv defined by the following equation (1) is 3.5 or more, and the surface treatment surface S is made of Ni, Co The Include any one or more elements selected from the group, the adhesion amount of Ni in the case where the treated surface S comprises Ni is less 1400μg / dm 2, when the treated surface S contains Co The surface-treated copper foil has an adhesion amount of Co of 2400 μg / dm 2 or less.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)

本発明は更に別の一側面において、一方の銅箔表面が、表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされている表面処理銅箔であり、前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmであり、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqが、0.08μm以上であり、前記銅箔を表面処理面S側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt2としたときに、下記(1)式で定義されるSvが3.5以上となり、前記表面処理面SはNi、Coからなる群から選択されたいずれか1種以上の元素を含み、前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である表面処理銅箔である。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
In the present invention, according to still another aspect, the surface-treated copper foil is one surface-treated surface S and the other copper foil surface is surface-treated, the surface-treated surface S The wavelength of the laser beam at the surface of the copper foil which is not the surface treated surface S is 405 nm, the root mean square height Rq measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm is 0.14 to 0.63 μm. The root-mean-square height Rq of TD measured with a laser microscope is 0.08 μm or more, and after bonding the copper foil to both sides of the polyimide resin substrate from the surface treated surface S side, the copper foils on both sides by etching The printed matter on which the line mark has been printed is placed under the exposed polyimide substrate, and the printed matter is photographed with the CCD camera through the polyimide substrate. In the observation point-brightness graph produced by measuring the lightness at each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, the image obtained by Let ΔB (ΔB = Bt−Bb) be the difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve that occurs from the point to the portion where the mark is not drawn, and let ΔB (ΔB = Bt−Bb) Among the intersection points, a value indicating the position of the intersection point closest to the linear mark is t1, and the lightness curve and the 0.1ΔB in the depth range from the intersection of the lightness curve and Bt to 0.1ΔB based on Bt When the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark is t2 among the intersections with, the Sv defined by the following equation (1) is 3.5 or more, and the surface treated surface S is Ni, include any one or more elements selected from the group consisting of o, the adhesion amount of Ni in the case including the treated surface S of Ni is less than 1400μg / dm 2, the treated surface S is Co In the case where the amount of Co attached is 2400 μg / dm 2 or less.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)

本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1000μg/dm2以下である。 In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is 1000 μg / dm 2 or less.

本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は100μg/dm2以上である。 In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is 100 μg / dm 2 or more.

本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2000μg/dm2以下である。 In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, when the surface-treated surface S contains Co, the adhesion amount of Co is 2000 μg / dm 2 or less.

本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は300μg/dm2以上である。 In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, when the surface-treated surface S contains Co, the adhesion amount of Co is 300 μg / dm 2 or more.

本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.25〜0.60μmである。   In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the root mean square height Rq of the surface-treated surface S measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm is 0.25 to 0.60 μm. .

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記明度曲線における(1)式で定義されるSvが3.9以上となる。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, Sv defined by the equation (1) in the lightness curve is 3.9 or more.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記明度曲線における(1)式で定義されるSvが5.0以上となる。   In another embodiment of the surface-treated copper foil which concerns on this invention, Sv defined by (1) Formula in the said brightness curve becomes 5.0 or more.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sの接触式粗さ計で測定したTDの十点平均粗さRzが0.20〜0.64μmである。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the ten-point average roughness Rz of TD measured by the contact-type roughness meter of the surface-treated surface S is 0.20 to 0.64 μm.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sの接触式粗さ計で測定したTDの十点平均粗さRzが0.26〜0.62μmである。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the ten-point average roughness Rz of TD measured by the contact-type roughness meter of the surface-treated surface S is 0.26 to 0.62 μm.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sの三次元表面積Aと二次元表面積Bとの比A/Bが1.0〜1.7である。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the ratio A / B of the three-dimensional surface area A to the two-dimensional surface area B of the surface treated surface S is 1.0 to 1.7.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sの三次元表面積Aと二次元表面積Bとの比A/Bが1.0〜1.6である。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the ratio A / B of the three-dimensional surface area A to the two-dimensional surface area B of the surface treated surface S is 1.0 to 1.6.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzが、0.35μm以上である。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the ten-point average roughness Rz of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light on the surface-treated surface S is 405 nm is 0.35 μm or more It is.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaが、0.05μm以上である。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the arithmetic average roughness Ra of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface-treated surface S is 405 nm is 0.05 μm or more is there.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqが、0.08μm以上である。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the root mean square height Rq of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface treated surface S is 405 nm is 0.08 μm or more It is.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理面Sが、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれか1種以上を含む。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the surface-treated surface S is selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc. Includes one or more.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、表面処理銅箔は前記表面処理面Sに樹脂層を備える。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the surface-treated copper foil has a resin layer on the surface-treated surface S.

本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記樹脂層は誘電体を含む。   In still another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the resin layer contains a dielectric.

本発明は更に別の側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が本発明に係る表面処理銅箔であるキャリア付銅箔である。   The present invention provides, in still another aspect, a copper foil with a carrier comprising a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, wherein the ultrathin copper layer is a surface-treated copper foil according to the present invention. It is a foil.

本発明に係るキャリア付銅箔の別の実施形態においては、前記キャリアの両面に前記極薄銅層を備える。   In another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the ultrathin copper layer is provided on both sides of the carrier.

本発明に係るキャリア付銅箔の更に別の実施形態においては、前記キャリアの前記極薄銅層側とは反対側の面に粗化処理層を備える。   In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, a roughening treatment layer is provided on the surface of the carrier opposite to the very thin copper layer side.

本発明は更に別の側面において、本発明の表面処理銅箔又は本発明のキャリア付銅箔と樹脂基板とを積層して製造した積層板である。   In still another aspect, the present invention is a laminate produced by laminating the surface-treated copper foil of the present invention or the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate.

本発明は更に別の側面において、本発明の表面処理銅箔又は本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板である。   In still another aspect, the present invention is a printed wiring board using the surface-treated copper foil of the present invention or the copper foil with a carrier of the present invention.

本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板又は本発明のキャリア付銅箔を用いた電子機器である。   Another aspect of the present invention is an electronic device using the printed wiring board of the present invention or the copper foil with a carrier of the present invention.

本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を2つ以上接続して、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。   In still another aspect, the present invention is a method of manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected by connecting two or more printed wiring boards according to the present invention.

本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を含む、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。   In yet another aspect, the present invention includes the step of connecting at least one printed wiring board of the present invention to a printed wiring board other than the printed wiring board of the present invention or the printed wiring board of the present invention. This is a method of manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected.

本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板が少なくとも1つ接続したプリント配線板を1つ以上用いた電子機器である。   In still another aspect, the present invention is an electronic device using one or more printed wiring boards to which at least one printed wiring board of the present invention is connected.

本発明は更に別の側面において、本発明の方法で作製されたプリント配線板と、部品とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板を製造する方法である。   In still another aspect, the present invention is a method for producing a printed wiring board, which comprises at least a step of connecting the printed wiring board produced by the method of the present invention and a component.

本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続してプリント配線板Aを製造する工程、および、
前記プリント配線板Aと、部品とを接続する工程
を少なくとも含む、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。
In still another aspect, the present invention connects a printed wiring board according to the present invention to at least one printed wiring board according to the present invention and a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board according to the present invention or the present invention. A process of producing A, and
It is a method of manufacturing the printed wiring board which two or more printed wiring boards connected including the process of connecting the said printed wiring board A and components at least.

本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板、
本発明の方法で作製されたプリント配線板、及び、
本発明のプリント配線板若しくは本発明の方法で作製されたプリント配線板のいずれにも該当しないプリント配線板、
からなる群から選択される一種以上のプリント配線板と、
本発明の方法で製造されたプリント配線板と、
を接続して、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。
In still another aspect of the present invention, a printed wiring board of the present invention,
A printed wiring board produced by the method of the present invention, and
A printed wiring board which does not correspond to either the printed wiring board of the present invention or the printed wiring board produced by the method of the present invention,
And at least one printed wiring board selected from the group consisting of
A printed wiring board manufactured by the method of the present invention,
Are connected to produce a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected.

本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention, a process of preparing the copper foil with carrier of the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier.
Thereafter, the method is a method for producing a printed wiring board including the step of forming a circuit by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method or a modified semi-additive method.

本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention, a circuit is formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier according to the present invention,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is embedded;
Forming a circuit on the resin layer;
Separating the carrier or the ultrathin copper layer after forming a circuit on the resin layer;
After peeling off the carrier or the ultrathin copper layer, the ultrathin copper layer or the carrier is removed to be buried in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface. Method of manufacturing a printed wiring board including the step of exposing the circuit.

本発明は別の一側面において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程であるプリント配線板の製造方法である。   In another aspect of the present invention, in the step of forming a circuit on the resin layer, another copper foil with a carrier is bonded to the resin layer from the very thin copper layer side, and the carrier is bonded to the resin layer. It is the manufacturing method of the printed wiring board which is a process of forming the said circuit using attached copper foil.

本発明は別の一側面において、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、本発明のキャリア付銅箔であるプリント配線板の製造方法である。   In another aspect, the present invention is the method for producing a printed wiring board, wherein the other copper foil with a carrier to be bonded on the resin layer is the copper foil with a carrier of the present invention.

本発明は別の一側面において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われるプリント配線板の製造方法である。   In another aspect of the present invention, a printed wiring board is manufactured, wherein the step of forming a circuit on the resin layer is performed by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partory additive method or a modified semi-additive method. It is a method.

本発明は別の一側面において、前記表面に回路を形成するキャリア付銅箔が、当該キャリア付銅箔のキャリア側の表面又は前記極薄銅層側の表面に基板または樹脂層を有するプリント配線板の製造方法である。   In another aspect of the present invention, there is provided a printed wiring in which a copper foil with a carrier forming a circuit on the surface has a substrate or a resin layer on the surface on the carrier side of the copper foil with a carrier or the surface on the very thin copper layer side. It is a manufacturing method of a board.

本発明によれば、樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性に優れ、かつ信号の伝送損失が小さい表面処理銅箔及びそれを用いた積層板を提供することができる。   According to the present invention, a surface-treated copper foil which adheres well to the resin, is excellent in transparency of the resin after removing the copper foil by etching, and has a small signal transmission loss, and a laminate using the same Can be provided.

Bt及びBbを定義する模式図である。It is a schematic diagram which defines Bt and Bb. t1及びt2及びSvを定義する模式図である。It is a schematic diagram which defines t1 and t2 and Sv. 明度曲線の傾き評価の際の、撮影装置の構成及び明度曲線の傾きの測定方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the structure of an imaging device in the case of inclination evaluation of a lightness curve, and the measuring method of the inclination of a lightness curve. Rz評価の際の、比較例1の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of comparative example 1 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例1の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 1 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例2の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 2 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例3の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 3 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例4の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 4 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例5の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph on the surface of copper foil of Example 5 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例6の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 6 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例7の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 7 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例8の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of Example 8 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、実施例9の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph on the surface of copper foil of Example 9 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、比較例2の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of comparative example 2 in the case of Rz evaluation. Rz評価の際の、比較例3の銅箔表面のSEM観察写真である。It is a SEM observation photograph of the copper foil surface of comparative example 3 in the case of Rz evaluation. A〜Cは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。A to C are schematic views of the cross section of the wiring board in the steps up to circuit plating and resist removal, according to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention. D〜Fは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び2層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。D to F are schematic views of a cross section of a wiring board in a process from resin and second layer copper foil lamination with carrier to laser drilling according to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention It is. G〜Iは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から1層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。G to I are schematic views of a cross section of a wiring board in steps from via fill formation to first layer carrier peeling according to a specific example of a method for producing a printed wiring board using a copper foil with a carrier of the present invention. J〜Kは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。J to K are schematic views of a cross section of a wiring board in steps from flash etching to formation of bumps and copper pillars according to a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention. 実施例で用いた夾雑物の外観写真である。It is an external appearance photograph of the foreign substance used in the Example. 実施例で用いた夾雑物の外観写真である。It is an external appearance photograph of the foreign substance used in the Example.

〔表面処理銅箔の形態及び製造方法〕
本発明の一つの実施の形態である表面処理銅箔は、樹脂基板と接着させて積層体を作製し、エッチングにより除去することで使用される銅箔に有用である。
本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでも良い。通常、銅箔の、樹脂基板と接着する面、即ち表面処理側の表面には積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理が施されてもよい。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくすることができる。本発明においては、粗化処理を行う場合には、粗化処理は銅−コバルト−ニッケル合金めっきや銅−ニッケル−りん合金めっき、ニッケル−亜鉛合金めっき等の合金めっきにより行う。また、好ましくは銅合金めっきにより行うことができる。銅合金めっき浴としては例えば銅と銅以外の元素を一種以上含むめっき浴、より好ましくは銅とコバルト、ニッケル、砒素、タングステン、クロム、亜鉛、リン、マンガンおよびモリブデンからなる群から選択されたいずれか1種以上とを含むめっき浴を用いることが好ましい。そして、本発明においては、粗化処理を行う場合には当該粗化処理を従来の粗化処理よりも電流密度を高くし、粗化処理時間を短縮する。以下、本発明において、こうした処理を含む表面処理が行われた銅箔表面を表面処理表面Sともいう。
[Form and Method of Surface Treated Copper Foil]
The surface-treated copper foil which is one embodiment of the present invention is useful as a copper foil to be used by bonding it with a resin substrate to produce a laminate and removing it by etching.
The copper foil used in the present invention may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. Usually, the surface of the copper foil to be bonded to the resin substrate, that is, the surface on the surface treatment side, is shaped like a bump on the surface of the copper foil after degreasing for the purpose of improving the peel strength of the copper foil after lamination. The roughening process which performs electrodeposition of these may be given. Although the electrodeposited copper foil has irregularities at the time of manufacture, the projections can be reinforced by the roughening treatment to make the asperity larger. In the present invention, when the roughening treatment is performed, the roughening treatment is performed by alloy plating such as copper-cobalt-nickel alloy plating, copper-nickel-phosphorus alloy plating, nickel-zinc alloy plating and the like. Moreover, Preferably it can carry out by copper alloy plating. The copper alloy plating bath is, for example, a plating bath containing one or more elements other than copper and copper, more preferably any selected from the group consisting of copper and cobalt, nickel, arsenic, tungsten, chromium, zinc, phosphorus, manganese and molybdenum It is preferable to use a plating bath containing one or more kinds. And in this invention, when performing a roughening process, a current density is made higher than the conventional roughening process, and the roughening process time is shortened. Hereinafter, in the present invention, the copper foil surface on which the surface treatment including such treatment is performed is also referred to as a surface-treated surface S.

本発明の表面処理銅箔は、一方の銅箔表面、及び/又は、両方の銅箔表面が表面処理面Sである。粗化処理前の前処理として通常の銅めっき等が行われることがあり、粗化後の仕上げ処理として電着物の脱落を防止するために通常の銅めっき等が行なわれることもある。本発明においては、こうした前処理及び仕上げ処理を行ってもよい。また、両方の銅箔表面に表面処理がされていてもよい。
また、本発明の表面処理銅箔は、一方の銅箔表面が表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされていてもよい。
In the surface-treated copper foil of the present invention, one copper foil surface and / or both copper foil surfaces are the surface-treated surface S. Conventional copper plating and the like may be performed as pretreatment before the roughening treatment, and normal copper plating and the like may be performed as a finishing treatment after the roughening to prevent detachment of the electrodeposit. In the present invention, such pretreatment and finishing may be performed. Moreover, surface treatment may be carried out to both copper foil surfaces.
In the surface-treated copper foil of the present invention, one copper foil surface may be the surface-treated surface S, and the other copper foil surface may be surface-treated.

本発明の一つの実施の形態である表面処理銅箔は、粗化処理を行った後、又は、粗化処理を省略して、耐熱(めっき)層や防錆(めっき)層を表面に施されていてもよい。粗化処理を省略して耐熱層や防錆層を設ける場合には、従来の正常めっき条件よりも電流密度を高くし、めっき時間を短縮する。
なお、本発明において使用する銅箔の厚みは特に限定する必要は無いが、例えば1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上であり、例えば3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下である。
なお、本発明に係る銅箔にはAg、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。上記元素の濃度が高くなる(例えば合計で10質量%以上)と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは50%IACS以上、より好ましくは60%IACS以上、更に好ましくは80%IACS以上である。前記銅合金箔は銅以外の元素を合計で0mass%以上50mass%以下含んでもよく、0.0001mass%以上40mass%以下含んでもよく、0.0005mass%以上30mass%以下含んでもよく、0.001mass%以上20mass%以下含んでもよい。
また、本発明において使用する銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で有するキャリア付銅箔であってもよい。本発明においてキャリア付銅箔を使用する場合であって、前記粗化処理を行う場合には、極薄銅層表面に前記粗化処理を行う。なお、本発明の別の実施の形態であるキャリア付銅箔については後述する。
なお、本発明において使用する銅箔は、表面処理面Sを形成するための表面処理前の表面処理される側の表面について、後述するように所定の表面粗さRz(十点平均粗さ(JIS B0601 1994に準拠))ならびに60度光沢度を有する必要がある。
また、本発明において使用するキャリア付銅箔のキャリアは、中間層が設けられる側の表面について、後述するように所定のRz(十点平均粗さ(JIS B0601 1994に準拠))ならびに60度光沢度を有さなければならない。
なお、本発明に係る表面処理銅箔の厚みは特に限定はされないが、典型的には0.5〜3000μmであり、好ましくは1.0〜1000μm、好ましくは1.0〜300μm、好ましくは1.0〜100μm、好ましくは1.0〜75μm、好ましくは1.0〜40μm、好ましくは1.5〜20μm、好ましくは1.5〜15μm、好ましくは1.5〜12μm、好ましくは1.5〜10μmである。
The surface-treated copper foil which is one embodiment of the present invention is provided with a heat-resistant (plating) layer or a rust-preventing (plating) layer on the surface after the roughening treatment is performed or the roughening treatment is omitted. It may be done. When the heat-resistant layer and the rust-preventive layer are provided by omitting the roughening treatment, the current density is made higher than in the conventional normal plating conditions, and the plating time is shortened.
The thickness of the copper foil used in the present invention is not particularly limited, but is, for example, 1 μm or more, 2 μm or more, 3 μm or more, 5 μm or more, for example, 3000 μm or less, 1500 μm or less, 800 μm or less, 300 μm or less, 150 μm or less 100 μm or less, 70 μm or less, 50 μm or less, and 40 μm or less.
The copper foil according to the present invention is also a copper alloy foil containing one or more elements such as Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb, V, B, etc. included. When the concentration of the above elements becomes high (for example, 10% by mass or more in total), the conductivity may decrease. The conductivity of the rolled copper foil is preferably 50% IACS or more, more preferably 60% IACS or more, and still more preferably 80% IACS or more. The copper alloy foil may contain 0 mass% to 50 mass% in total of elements other than copper, may contain 0.0001 mass% to 40 mass%, may contain 0.0005 mass% to 30 mass%, and 0.001 mass%. More than 20 mass% may contain.
In addition, the copper foil used in the present invention may be a copper foil with carrier having a carrier, an intermediate layer, and a very thin copper layer in this order. In the case of using a copper foil with a carrier in the present invention and performing the above-mentioned roughening treatment, the above-mentioned roughening treatment is performed on the surface of the ultrathin copper layer. In addition, the copper foil with a carrier which is another embodiment of this invention is mentioned later.
In the present invention, the copper foil used in the present invention has a predetermined surface roughness Rz (ten-point average roughness (the ten-point average roughness (see below)) as described later on the surface to be surface-treated before surface treatment to form the surface-treated surface S. According to JIS B0601 1994)) and 60 degree glossiness.
In addition, the carrier of the copper foil with carrier used in the present invention has a predetermined Rz (ten-point average roughness (based on JIS B 0601 1994)) and 60 degree gloss on the surface on which the intermediate layer is provided, as described later. You must have a degree.
Although the thickness of the surface-treated copper foil according to the present invention is not particularly limited, it is typically 0.5 to 3000 μm, preferably 1.0 to 1000 μm, preferably 1.0 to 300 μm, and preferably 1 0 to 100 μm, preferably 1.0 to 75 μm, preferably 1.0 to 40 μm, preferably 1.5 to 20 μm, preferably 1.5 to 15 μm, preferably 1.5 to 12 μm, preferably 1.5 ~ 10 μm.

また、本発明に用いることができる電解銅箔の製造条件の一例は、以下に示される。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
Moreover, an example of the manufacturing conditions of the electrolytic copper foil which can be used for this invention is shown below.
<Electrolyte composition>
Copper: 90 to 110 g / L
Sulfuric acid: 90 to 110 g / L
Chlorine: 50 to 100 ppm
Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
The amine compound of the following chemical formula can be used for the above-mentioned amine compound.

(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
なお、本発明に用いられる、デスミア処理、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
(In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of hydroxyalkyl group, ether group, aryl group, aromatic substituted alkyl group, unsaturated hydrocarbon group, alkyl group.)
The remainder of the treatment liquid used in the present invention for desmear treatment, electrolysis, surface treatment, plating, etc. is water unless otherwise specified.

<製造条件>
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
<Manufacturing conditions>
Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50 to 60 ° C
Electrolyte linear velocity: 3 to 5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes

粗化処理としての銅−コバルト−ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が15〜40mg/dm2の銅−250〜2400μg/dm2のコバルト−50〜1400μg/dm2のニッケルであるような3元系合金層を形成するように実施することができる。Co付着量が250μg/dm2未満では、耐熱性が悪化する場合があり、エッチング性が悪くなることがある。Co付着量が2400μg/dm2を超えると、信号の伝送損失が大きくなる。また、エッチングシミが生じたり、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ni付着量が50μg/dm2未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ni付着量が1400μg/dm2を超えると、信号の伝送損失が大きくなる。また、エッチング残が多くなることがある。好ましいCo付着量は300〜2000μg/dm2であり、より好ましいCo付着量は300〜1800μg/dm2であり、好ましいニッケル付着量は100〜1000μg/dm2であり、より好ましいニッケル付着量は100〜800μg/dm2である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Coが溶解せずに残ってしまうことを意味し、そしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Niが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。 Copper as roughening treatment - cobalt - nickel alloy plating, by electrolytic plating, coating weight is to be the 15~40mg / dm 2 of copper -250~2400μg / dm 2 of cobalt -50~1400μg / dm 2 of nickel It can be implemented to form a ternary ternary alloy layer. If the Co adhesion amount is less than 250 μg / dm 2 , the heat resistance may be deteriorated and the etching property may be deteriorated. When the Co deposition amount exceeds 2400 μg / dm 2 , the signal transmission loss increases. In addition, etching spots may occur, and acid resistance and chemical resistance may be deteriorated. If the amount of Ni attached is less than 50 μg / dm 2 , the heat resistance may deteriorate. On the other hand, when the adhesion amount of Ni exceeds 1400 μg / dm 2 , the transmission loss of the signal becomes large. In addition, the etching residue may be increased. The preferred Co deposition amount is 300 to 2000 μg / dm 2 , the more preferred Co deposition amount is 300 to 1800 μg / dm 2 , the preferred nickel deposition amount is 100 to 1000 μg / dm 2 , and the more preferred nickel deposition amount is 100. It is ̃800 μg / dm 2 . Here, the etching stain means that Co does not dissolve when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni does not dissolve when alkaline etching is performed with ammonium chloride. It means to end up.

このような3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の一例は次の通りである:
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度Dk:25〜50A/dm2
めっき時間:0.2〜3.0秒
本発明の一つの実施の形態においては、表面処理面Sを形成するための粗化処理において、従来の粗化処理条件よりも粗化処理の電流密度を高くし、粗化処理時間を短縮する。
An example of a plating bath and plating conditions for forming such ternary copper-cobalt-nickel alloy plating is as follows:
Plating bath composition: Cu 10 to 20 g / L, Co 1 to 10 g / L, Ni 1 to 10 g / L
pH: 1 to 4
Temperature: 30 to 50 ° C
Current density D k : 25 to 50 A / dm 2
Plating time: 0.2 to 3.0 seconds In one embodiment of the present invention, in the roughening treatment for forming the surface treatment surface S, the current density of the roughening treatment is higher than that of the conventional roughening treatment conditions. To reduce roughening processing time.

粗化処理後、粗化処理面上に耐熱層、防錆層および耐候性層の群から選択される層の内1種以上を設けてもよい。また、各層は2層、3層等、複数の層であってもよく、各層を積層する順はいかなる順であってもよく、各層を交互に積層してもよい。
なお本発明の表面処理銅箔において「表面処理面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の表面処理銅箔の表面のことをいう。また、表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、「表面処理面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄銅層の表面のことをいう。
ここで、耐熱層としては公知の耐熱層を用いることが出来る。また、例えば以下の表面処理を用いることが出来る。
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。防錆層はクロメート処理層であってもよい。クロメート処理層には公知のクロメート処理層を用いることが出来る。例えばクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。
After the roughening treatment, one or more types of layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an anticorrosive layer, and a weather resistant layer may be provided on the roughened surface. Each layer may be a plurality of layers such as two layers, three layers, etc. The layers may be laminated in any order, and the layers may be laminated alternately.
In the surface-treated copper foil of the present invention, the "surface-treated surface" refers to the surface treatment when roughening treatment is followed by surface treatment for providing a heat-resistant layer, an antirust layer, a weather resistant layer, etc. Surface of the surface-treated copper foil after In the case where the surface-treated copper foil is an ultrathin copper layer of copper foil with a carrier, the "surface-treated surface" is to provide a heat-resistant layer, an anticorrosive layer, a weather resistant layer, etc. after roughening treatment. When the surface treatment is performed, it means the surface of the ultrathin copper layer after the surface treatment.
Here, as the heat-resistant layer, a known heat-resistant layer can be used. Also, for example, the following surface treatment can be used.
A well-known heat-resistant layer and an antirust layer can be used as the heat-resistant layer and the antirust layer. For example, the heat resistant layer and / or the rustproof layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum Layer containing one or more elements selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements It may be a metal layer or an alloy layer composed of one or more elements selected from the group of iron and tantalum. In addition, the heat resistant layer and / or the rustproof layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron and tantalum. And oxides, nitrides, and silicides containing one or more elements selected from In addition, the heat resistant layer and / or the rustproof layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rustproof layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% of nickel and 50 wt% to 1 wt% of zinc, excluding unavoidable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , and preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the adhesion amount of nickel to the adhesion amount of zinc of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= adhesion amount of nickel / adhesion amount of zinc) is 1.5 to 10 Is preferred. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing It is more preferable that When the heat resistant layer and / or the rustproof layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the interface between the copper foil and the resin substrate is eroded by the desmear liquid when the inner wall portion such as a through hole or a via hole contacts the desmear liquid. It is difficult to improve the adhesion between the copper foil and the resin substrate. The rustproof layer may be a chromate treatment layer. A known chromate-treated layer can be used for the chromate-treated layer. For example, a chromate-treated layer refers to a layer treated with a solution containing chromic acid anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, titanium and other elements (metals, alloys, oxides, nitrides, sulfides, etc.) May be included. As a specific example of a chromate treatment layer, a pure chromate treatment layer, a zinc chromate treatment layer, etc. are mentioned. In the present invention, a chromate-treated layer treated with an aqueous solution of chromic acid anhydride or potassium dichromate is referred to as a pure chromate-treated layer. In the present invention, a chromate-treated layer treated with a treatment solution containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc is referred to as a zinc chromate-treated layer.

例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。当該耐熱層および/または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。
また、耐熱層および/または防錆層として、付着量が200〜2400μg/dm2のコバルト−50〜1400μg/dm2のニッケルのコバルト−ニッケル合金めっき層、より好ましくは付着量が200〜2000μg/dm2のコバルト−50〜1000μg/dm2のニッケルのコバルト−ニッケル合金めっき層、より好ましくは付着量が200〜2000μg/dm2のコバルト−50〜700μg/dm2のニッケルのコバルト−ニッケル合金めっき層を形成することができる。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。このコバルト−ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行う必要がある。コバルト付着量が200μg/dm2未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。また、もう一つの理由として、コバルト量が少ないと処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。コバルト付着量が2400μg/dm2を超えると、信号の伝送損失が大きくなるため好ましくない。また、エッチングシミが生じる場合があり、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化することがある。耐熱層および/または防錆層として、好ましいコバルト付着量は500〜1000μg/dm2である。一方、ニッケル付着量が50μg/dm2未満では耐熱剥離強度が低下し耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。ニッケルが1400μg/dm2を超えると、信号の伝送損失が大きくなる。耐熱層および/または防錆層として、好ましいニッケル付着量は50〜600μg/dm2であり、より好ましいニッケル付着量は100〜600μg/dm2である。
For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer of nickel - molybdenum, nickel - zinc, nickel - molybdenum - cobalt Or any one of the above. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 Is more preferred. The heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer preferably have an adhesion amount of nickel in nickel or nickel alloy / an adhesion amount of tin of 0.25 to 10, and 0.33 to 3. More preferable. When the heat resistant layer and / or the rustproof layer are used, the copper foil with carrier is processed into a printed wiring board, and the peel strength of the circuit after that, the chemical resistance deterioration rate of the peel strength, etc. become good.
Further, as the heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, cobalt nickel adhesion amount of 200~2400μg / dm 2 of cobalt -50~1400μg / dm 2 - nickel alloy plating layer, more preferably the amount of deposition is 200~2000Myug / dm 2 cobalt-50 to 1000 μg / dm 2 of nickel-cobalt-nickel alloy plating layer of nickel, more preferably cobalt-nickel alloy plating of 200 to 2000 μg / dm 2 of cobalt-50 to 700 μg / dm 2 of nickel Layers can be formed. This treatment can be regarded in a broad sense as a kind of rustproofing treatment. The cobalt-nickel alloy plating layer needs to be performed to such an extent that the adhesion strength between the copper foil and the substrate is not substantially reduced. When the cobalt deposition amount is less than 200 μg / dm 2 , the heat resistant peel strength may be reduced, and the oxidation resistance and the chemical resistance may be deteriorated. As another reason, when the amount of cobalt is small, the treated surface becomes reddish, which is not preferable. If the cobalt deposition amount exceeds 2400 μg / dm 2 , the transmission loss of the signal becomes large, which is not preferable. In addition, etching spots may occur, and acid resistance and chemical resistance may be deteriorated. As a heat-resistant layer and / or an anticorrosion layer, the preferable cobalt adhesion amount is 500 to 1000 μg / dm 2 . On the other hand, when the nickel adhesion amount is less than 50 μg / dm 2 , the heat resistant peel strength may be lowered, and the oxidation resistance and the chemical resistance may be deteriorated. When the nickel content exceeds 1400 μg / dm 2 , the transmission loss of the signal increases. As a heat-resistant layer and / or an anticorrosion layer, the preferable nickel adhesion amount is 50 to 600 μg / dm 2 , and the more preferable nickel adhesion amount is 100 to 600 μg / dm 2 .

また、コバルト−ニッケル合金めっきの条件の一例は次の通りである:
めっき浴組成:Co1〜20g/L、Ni1〜20g/L
pH:1.5〜3.5
温度:30〜80℃
電流密度Dk:6.0〜20.0A/dm2
めっき時間:0.2〜1秒
Moreover, an example of the conditions of cobalt-nickel alloy plating is as follows:
Plating bath composition: Co 1 to 20 g / L, Ni 1 to 20 g / L
pH: 1.5 to 3.5
Temperature: 30-80 ° C
Current density D k : 6.0 to 20.0 A / dm 2
Plating time: 0.2 to 1 second

また、前記コバルト−ニッケル合金めっき上に更に付着量の30〜250μg/dm2の亜鉛めっき層を形成してもよい。亜鉛付着量が30μg/dm2未満では耐熱劣化率改善効果が無くなることがある。他方、亜鉛付着量が250μg/dm2を超えると耐塩酸劣化率が極端に悪くなることがある。好ましくは、亜鉛付着量は30〜240μg/dm2であり、より好ましくは80〜220μg/dm2である。 Moreover, you may form the zinc-plating layer of 30-250 microgram / dm < 2 > of adhesion amounts further on the said cobalt- nickel alloy plating. If the amount of zinc adhesion is less than 30 μg / dm 2 , the effect of improving the thermal degradation rate may be lost. On the other hand, when the zinc adhesion amount exceeds 250 μg / dm 2 , the hydrochloric acid resistance deterioration rate may extremely deteriorate. Preferably, the zinc coverage is 30 to 240 μg / dm 2 , more preferably 80 to 220 μg / dm 2 .

上記亜鉛めっきの条件の一例は次の通りである:
めっき浴組成:Zn100〜300g/L
pH:3〜4
温度:50〜60℃
電流密度Dk:6.0〜20.0A/dm2
めっき時間:0.2〜1秒
An example of the conditions of the above-mentioned galvanization is as follows:
Plating bath composition: Zn 100 to 300 g / L
pH: 3 to 4
Temperature: 50-60 ° C
Current density D k : 6.0 to 20.0 A / dm 2
Plating time: 0.2 to 1 second

なお、亜鉛めっき層の代わりに亜鉛−ニッケル合金めっき等の亜鉛合金めっき層を形成してもよく、さらに最表面にはクロメート処理やシランカップリング剤の塗布等によって防錆層や耐候性層を形成してもよい。   In addition, you may form a zinc alloy plating layer such as zinc-nickel alloy plating instead of the zinc plating layer, and further, on the outermost surface, a rustproof layer or a weather resistant layer by chromate treatment or application of a silane coupling agent. You may form.

また、粗化処理を省略して、耐熱めっき層や防錆めっき層を表面に施す処理として、下記条件のNiめっき浴によるめっき処理を用いることができる。
Ni:15〜25g/L
pH:2.5
温度:35〜45℃
電流密度Dk:6.0〜20.0A/dm2
めっき時間:0.2〜1秒
Moreover, the metal-plating process by Ni-plating bath of the following conditions can be used as a process which abbreviate | omits a roughening process and gives a heat-resistant plating layer and a rust-prevention plating layer on the surface.
Ni: 15 to 25 g / L
pH: 2.5
Temperature: 35-45 ° C
Current density D k : 6.0 to 20.0 A / dm 2
Plating time: 0.2 to 1 second

耐候性層としては公知の耐候性層を用いることが出来る。また、耐候性層としては例えば公知のシランカップリング処理層を用いることができ、また以下のシランを用いて形成するシランカップリング処理層を用いることが出来る。
シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐3‐(4‐(3‐アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。
A well-known weathering layer can be used as a weathering layer. In addition, as the weather resistant layer, for example, a known silane coupling treated layer can be used, and a silane coupling treated layer formed using the following silane can be used.
A well-known silane coupling agent may be used for the silane coupling agent used for a silane coupling process, for example, an amino type silane coupling agent, an epoxy-type silane coupling agent, and a mercapto type silane coupling agent may be used. Further, as a silane coupling agent, vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, γ-aminopropyl Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, It is also possible to use γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like.

前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。   The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as epoxy based silane, amino based silane, methacryloxy based silane, mercapto based silane and the like. In addition, you may use such a silane coupling agent in mixture of 2 or more types. Among them, those formed using an amino-based silane coupling agent or an epoxy-based silane coupling agent are preferable.

ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N‐(2‐アミノエチル)‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐(3‐アクリルオキシ‐2‐ヒドロキシプロピル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、4‐アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリス(2‐エチルヘキソキシ)シラン、6‐(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3‐(1‐アミノプロポキシ)‐3,3‐ジメチル‐1‐プロペニルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、3‐(2‐N‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N‐ジエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N‐ジメチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。   As used herein, the term "amino-based silane coupling agent" means N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyl trimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3- Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2 -N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N- Dimethyl-3-aminopropyl) to Limethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N Even selected from the group consisting of -β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane Good.

シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材樹脂と表面処理銅箔との密着性をより向上させることができる。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atom. It is desirable to provide in the range of / m 2 . In the case of the above-mentioned range, the adhesion between the base resin and the surface treated copper foil can be further improved.

本発明の表面処理銅箔は、表面処理面Sを形成するための表面処理が粗化無しである場合は、上記のようにメッキ皮膜に凹凸ができないように粗化処理よりも低電流密度で、かつ通常の正常めっきよりも高電流密度で、通常の正常めっきよりも短時間で処理を行うことで、また、粗化処理を行う場合は、高電流密度にすることで粗化粒子を小型化し、短時間でメッキすることで、粗さの小さい表面処理を可能とし、これにより表面の二乗平均平方根高さRqを制御している。
なお、本発明において「正常めっき」は粗化めっき(焼けめっき)で無いめっきのことを表す。
In the surface-treated copper foil of the present invention, when the surface treatment for forming the surface-treated surface S is not roughened, the current density is lower than that of the roughening treatment so that the plated film can not be uneven as described above And by processing in a shorter time than normal plating at a higher current density than normal plating, and by using a high current density in the case of performing a roughening treatment, the size of the roughened particles can be reduced. And plating in a short time enables surface treatment with a small roughness, thereby controlling the root mean square height Rq of the surface.
In the present invention, "normal plating" refers to plating that is not roughening plating (burnt plating).

〔表面処理銅箔表面の二乗平均平方根高さRq〕
本発明の表面処理銅箔は、表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmに制御されている。このような構成により、ピール強度が高くなって樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性が高くなる。この結果、当該樹脂を透過して視認される位置決めパターンを介して行うICチップ搭載時の位置合わせ等が容易となる。また、表面の凹凸が非常に小さいため、電子が流れる長さに相当する表面処理銅箔表面の長さが短くなり、伝送損失が小さくなる。二乗平均平方根高さRqが0.14μm未満であると、銅箔表面の凹凸の程度が不十分となり、樹脂と十分に接着できないという問題が生じる。一方、二乗平均平方根高さRqが0.63μm超であると、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂表面の凹凸が大きくなり、その結果樹脂の透明性が不良となる問題が生じる。表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqは、0.25〜0.60μmがより好ましく、0.32〜0.56μmが更により好ましい。
ここで、表面の二乗平均平方根高さRqは、JIS B 0601(2001)に準拠した非接触式粗さ計(レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡)による表面粗さ測定における、凹凸の程度を示す指標であり、下記式で表され、表面粗さのZ軸方向の凹凸(山の)高さであって、基準長さlrにおける山の高さZ(x)の二乗平均平方根である。
基準長さlrにおける山の高さの二乗平均平方根高さRq:
√{(1/lr)×∫Z2(x)dx(但しインテグラルは0からlrまでの積算値)}
[Root mean square height Rq of surface treated copper foil surface]
The surface-treated copper foil of the present invention has a root-mean-square height Rq of 0.14 to 0.63 μm, which is measured with a laser microscope in which the wavelength of laser light on the surface-treated surface S is 405 nm. With such a configuration, the peel strength is increased to adhere well to the resin, and the transparency of the resin after the copper foil is removed by etching is increased. As a result, alignment at the time of mounting the IC chip and the like performed through the positioning pattern which is visually recognized through the resin becomes easy. In addition, since the surface unevenness is very small, the length of the surface-treated copper foil surface corresponding to the length of electron flow becomes short, and the transmission loss becomes small. If the root mean square height Rq is less than 0.14 μm, the degree of irregularities on the surface of the copper foil will be insufficient, resulting in the problem that the resin can not be sufficiently adhered. On the other hand, if the root mean square height Rq is more than 0.63 μm, the irregularities on the resin surface after removing the copper foil by etching become large, resulting in a problem that the transparency of the resin becomes poor. As for root mean square height Rq measured with a laser microscope whose wavelength of a laser beam of surface treatment side S is 405 nm, 0.25-0.60 micrometers is more preferred, and 0.32-0.56 micrometers is still more preferred.
Here, the root mean square height Rq of the surface is the degree of unevenness in the surface roughness measurement with a noncontact roughness meter (laser microscope having a laser beam having a wavelength of 405 nm) according to JIS B 0601 (2001). The surface roughness is represented by the following equation, and is the height of unevenness (mountain) in the Z-axis direction of the surface roughness, and is the root mean square of the mountain height Z (x) at the reference length lr .
Root-mean-square height Rq of mountain height at reference length lr:
√ {(1 / lr) x ∫ Z 2 (x) dx (where integral is an integrated value from 0 to lr)}

〔表面処理銅箔表面の十点平均粗さRz〕
本発明の表面処理銅箔は、無粗化処理銅箔でも、粗化粒子が形成された粗化処理銅箔でもよく、表面処理表面Sの接触式粗さ計で測定したTD(圧延方向に垂直の方向(銅箔の幅方向)、電解銅箔にあっては電解銅箔製造装置における銅箔の通箔方向に垂直の方向)の十点平均粗さRz(JIS B0601 1994)が0.20〜0.64μmであるのが好ましい。このような構成により、よりピール強度が高くなって樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性がより高くなる。この結果、当該樹脂を透過して視認される位置決めパターンを介して行うICチップ搭載時の位置合わせ等がより容易となる。また、表面の凹凸が非常に小さいため、電子が流れる長さに相当する表面処理銅箔表面の長さが短くなり、伝送損失が小さくなる。TDの十点平均粗さRzが0.20μm未満であると、銅箔表面の凹凸の程度が不十分であるおそれがあり、樹脂と十分に接着できないという問題が生じるおそれがある。一方、TDの十点平均粗さRzが0.64μm超であると、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂表面の凹凸が大きくなるおそれがあり、その結果樹脂の透明性が不良となる問題が生じるおそれがある。表面処理表面Sの接触式粗さ計で測定したTDの十点平均粗さRzは、0.26〜0.62μmがより好ましく、0.40〜0.55μmが更により好ましい。
[Ten-point average roughness Rz of surface-treated copper foil surface]
The surface-treated copper foil of the present invention may be a non-roughened treated copper foil or a roughened treated copper foil on which roughened particles are formed, and the TD measured in the contact direction roughness meter of the surface treated surface S (in the rolling direction The ten-point average roughness Rz (JIS B0601 1994) in the vertical direction (width direction of the copper foil) and in the direction perpendicular to the foil passing direction of the copper foil in the electrolytic copper foil manufacturing apparatus in the case of the electrodeposited copper foil is 0. It is preferable that it is 20-0.64 micrometer. With such a configuration, the peel strength is further enhanced, and the resin adheres well to the resin, and the transparency of the resin after the copper foil is removed by etching is further enhanced. As a result, the alignment at the time of mounting the IC chip and the like performed through the positioning pattern which is visually recognized through the resin becomes easier. In addition, since the surface unevenness is very small, the length of the surface-treated copper foil surface corresponding to the length of electron flow becomes short, and the transmission loss becomes small. If the ten-point average roughness Rz of TD is less than 0.20 μm, the degree of irregularities on the surface of the copper foil may be insufficient, and there may be a problem that the resin can not be sufficiently adhered. On the other hand, if the ten-point average roughness Rz of TD is more than 0.64 μm, the unevenness of the resin surface after removing the copper foil by etching may become large, and as a result, the transparency of the resin becomes poor. May occur. The ten-point average roughness Rz of TD measured by the contact-type roughness meter of the surface-treated surface S is more preferably 0.26 to 0.62 μm, and still more preferably 0.40 to 0.55 μm.

ここで、本発明の視認性の効果ならびに伝送損失低減の効果を得るために、表面処理表面Sを形成するための表面処理前の銅箔の処理側の表面(表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、中間層形成前のキャリアの中間層を設ける側の表面)の接触式粗さ計で測定したTD(圧延方向に垂直の方向(銅箔の幅方向)、電解銅箔にあっては電解銅箔製造装置における銅箔の通箔方向に垂直の方向)の粗さ(Rz(十点平均粗さRz(JIS B0601 1994)のことを意味する。本明細書において同じ。))及び光沢度(60度光沢度(JIS Z8741に準拠して測定)のことを意味する。本明細書において同じ。)を制御しておくことが必要である。具体的には、表面処理前の銅箔(表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、中間層形成前のキャリア)の接触式粗さ計で測定したTDの表面粗さ(十点平均粗さRz)が0.20〜0.55μmであり、好ましくは、より好ましくは0.20〜0.42μmである。
また、表面処理表面Sを形成するための表面処理前の銅箔は、TDの60度光沢度が400〜710%であり、500〜710%であるのがより好ましい。表面処理前の銅箔のTDの60度光沢度が400%未満であると400%以上の場合よりも上述の樹脂の透明性が不良となるおそれがあり、また信号の伝送損失が大きくなる恐れがある。710%を超えると、製造することが難しくなるという問題が生じるおそれがある。このような銅箔(表面処理銅箔がキャリア付銅箔の場合には、キャリアを意味する。以下同じ)としては、圧延油の油膜当量を調整して圧延を行う(高光沢圧延)または圧延ロールの粗さを調整して圧延を行う、或いは、ケミカルエッチングのような化学研磨やリン酸溶液中の電解研磨により作製することができる。また、所定の電解液、所定の電解条件で電解銅箔を製造することで作製することが出来る。
Here, in order to obtain the effect of visibility of the present invention and the effect of reduction of transmission loss, the surface on the treated side of the copper foil before the surface treatment for forming the surface treated surface S In the case of an ultrathin copper layer of foil, the direction TD (direction of the copper foil width) measured with a contact-type roughness meter on the surface of the carrier on which the intermediate layer is to be provided before formation of the intermediate layer In the case of an electrodeposited copper foil, it means the roughness (Rz (ten-point average roughness Rz (JIS B0601 1994)) of the direction perpendicular to the foil passing direction of the copper foil in the electrodeposited copper foil manufacturing apparatus). It is necessary to control the same in the specification) and gloss (meaning 60 degree gloss (measured in accordance with JIS Z8741); the same in this specification). Specifically, the TD of the copper foil before surface treatment (in the case where the surface treated copper foil is the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier, the carrier before formation of the intermediate layer) The surface roughness (ten-point average roughness Rz) is 0.20 to 0.55 μm, preferably 0.20 to 0.42 μm.
In addition, the copper foil before surface treatment for forming the surface treated surface S has a TD 60 degree glossiness of 400 to 710%, and more preferably 500 to 710%. If the 60 degree gloss of the TD of the copper foil before surface treatment is less than 400%, the transparency of the above-mentioned resin may be worse than in the case of 400% or more, and the transmission loss of the signal may be increased. There is. If it exceeds 710%, there may be a problem that it becomes difficult to manufacture. As such a copper foil (in the case where the surface-treated copper foil is a carrier-attached copper foil, this means a carrier). The rolling is performed by adjusting the oil film equivalent of rolling oil (high gloss rolling) or rolling Roll roughness can be adjusted to perform rolling, or it can be produced by chemical polishing such as chemical etching or electropolishing in a phosphoric acid solution. Moreover, it can manufacture by manufacturing an electrolytic copper foil on a predetermined | prescribed electrolyte solution and predetermined | prescribed electrolysis conditions.

なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を8500〜24000以下とすることで行うことが出来る。
油膜当量={(圧延油粘度[cSt])×(通板速度[mpm]+ロール周速度[mpm])}/{(ロールの噛み込み角[rad])×(材料の降伏応力[kg/mm2])}
圧延油粘度[cSt]は40℃での動粘度である。
油膜当量を8500〜24000とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
圧延ロールの表面粗さは例えば、算術平均粗さRa(JIS B0601 1994)で0.01〜0.25μmとすることができる。圧延ロールの算術平均粗さRaの値が大きい場合、表面処理表面Sを形成するための表面処理前の銅箔の表面のTDの粗さ(Rz)が大きくなり、表面処理前の銅箔の表面のTDの60度光沢度が低くなる傾向がある。また、圧延ロールの算術平均粗さRaの値が小さい場合、表面処理前の銅箔の表面のTDの粗さ(Rz)が小さくなり、表面処理前の銅箔の表面のTDの60度光沢度が高くなる傾向がある。
化学研磨は硫酸−過酸化水素−水系またはアンモニア−過酸化水素−水系等のエッチング液で、通常よりも濃度を低くして、長時間かけて行う。
High gloss rolling can be performed by setting the oil film equivalent defined by the following equation to 8500 to 24000 or less.
Oil film equivalent = {(rolled oil viscosity [cSt]) × (passing speed [mpm] + roll peripheral speed [mpm])} / {(roll bite angle [rad]) × (yield stress of material [kg / mm 2 ])}
The rolling oil viscosity [cSt] is the kinematic viscosity at 40 ° C.
In order to set the oil film equivalent to 8500 to 24000, a known method may be used, such as using a low viscosity rolling oil, or slowing the threading speed.
The surface roughness of a rolling roll can be 0.01-0.25 micrometer by arithmetic mean roughness Ra (JIS B0601 1994), for example. When the value of the arithmetic average roughness Ra of the rolling rolls is large, the TD roughness (Rz) of the surface of the copper foil before the surface treatment for forming the surface treated surface S becomes large, and the copper foil before the surface treatment There is a tendency for the 60 degree gloss of the surface TD to be low. In addition, when the value of the arithmetic average roughness Ra of the rolling rolls is small, the TD roughness (Rz) of the surface of the copper foil before surface treatment becomes small, and the 60 degree gloss of the TD of the surface of the copper foil before surface treatment The degree tends to be high.
Chemical polishing is performed for a long time with an etching solution such as sulfuric acid-hydrogen peroxide-water system or ammonia-hydrogen peroxide-water system at a lower concentration than usual.

また、本発明に使用することが出来る電解銅箔の製造条件等は下記の通りである。
・電解液組成
銅:80〜120g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:30〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
Moreover, the manufacturing conditions etc. of the electrolytic copper foil which can be used for this invention are as follows.
-Electrolyte composition copper: 80 to 120 g / L
Sulfuric acid: 80 to 120 g / L
Chlorine: 30 to 100 ppm
Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
The amine compound of the following chemical formula can be used for the above-mentioned amine compound.

(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。) (In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of hydroxyalkyl group, ether group, aryl group, aromatic substituted alkyl group, unsaturated hydrocarbon group, alkyl group.)

・製造条件
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜65℃
電解液線速:1.5〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間(析出させる銅厚、電流密度により調整)
また、本発明に使用することが出来る電解銅箔として、JX日鉱日石金属株式会社製電解銅箔HLP箔を用いることが出来る。
-Manufacturing conditions Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50 to 65 ° C
Electrolyte linear velocity: 1.5 to 5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes (Copper thickness to be deposited, adjusted by current density)
In addition, as an electrolytic copper foil that can be used in the present invention, an electrolytic copper foil HLP foil manufactured by JX Nippon Mining & Metals Corporation can be used.

〔明度曲線の傾き〕
本発明の表面処理銅箔は、表面処理表面S側から当該表面処理銅箔をポリイミド基材樹脂の両面に貼り合わせた後、エッチングで両面の銅箔を除去し、ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、撮影によって得られた画像について、観察されたライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点をt2としたときに、(1)式で定義されるSvが3.5以上となる。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
なお、前記観察位置−明度グラフにおいて、横軸は位置情報(ピクセル×0.1)、縦軸は明度(階調)の値を示す。
ここで、「明度曲線のトップ平均値Bt」、「明度曲線のボトム平均値Bb」、及び、後述の「t1」、「t2」、「Sv」について、図を用いて説明する。
図1(a)及び図1(b)に、マークの幅を約0.3mmとした場合のBt及びBbを定義する模式図を示す。マークの幅を約0.3mmとした場合、図1(a)に示すようにV型の明度曲線となる場合と、図1(b)に示すように底部を有する明度曲線となる場合がある。いずれの場合も「明度曲線のトップ平均値Bt」は、マークの両側の端部位置から50μm離れた位置から30μm間隔で5箇所(両側で合計10箇所)測定したときの明度の平均値を示す。一方、「明度曲線のボトム平均値Bb」は、明度曲線が図1(a)に示すようにV型となる場合は、このV字の谷の先端部における明度の最低値を示し、図1(b)の底部を有する場合は、約0.3mmの中心部の値を示す。なお、マークの幅は、0.2mm、0.16mm、0.1mm程度としてもよい。さらに、「明度曲線のトップ平均値Bt」は、マークの両側の端部位置から100μm離れた位置、300μm離れた位置、或いは、500μm離れた位置から、それぞれ30μm間隔で5箇所(両側で合計10箇所)測定したときの明度の平均値としてもよい。
図2に、t1及びt2及びSvを定義する模式図を示す。「t1(ピクセル×0.1)」は、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点並びにその交点の位置を示す値(前記観察地点−明度グラフの横軸の値)を示す。「t2(ピクセル×0.1)」は、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点並びにその交点の位置を示す値(前記観察地点−明度グラフの横軸の値)を示す。このとき、t1およびt2を結ぶ線で示される明度曲線の傾きについては、y軸方向に0.1ΔB、x軸方向に(t1−t2)で計算されるSv(階調/ピクセル×0.1)で定義される。なお、横軸の1ピクセルは10μm長さに相当する。また、Svは、マークの両側を測定し、小さい値を採用する。さらに、明度曲線の形状が不安定で上記「明度曲線とBtとの交点」が複数存在する場合は、最もマークに近い交点を採用する。
CCDカメラで撮影した上記画像において、マークが付されていない部分では高い明度となるが、マーク端部に到達したとたんに明度が低下する。ポリイミド基板の視認性が良好であれば、このような明度の低下状態が明確に観察される。一方、ポリイミド基板の視認性が不良であれば、明度がマーク端部付近で一気に「高」から「低」へ急に下がるのではなく、低下の状態が緩やかとなり、明度の低下状態が不明確となってしまう。
本発明はこのような知見に基づき、本発明の表面処理銅箔を貼り合わせて除去したポリイミド基板に対し、マークを付した印刷物を下に置き、ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影した上記マーク部分の画像から得られる観察地点−明度グラフにおいて描かれるマーク端部付近の明度曲線の傾きを制御している。より詳細には、明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値(前記観察地点−明度グラフの横軸の値)をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状マークに最も近い交点の位置を示す値(前記観察地点−明度グラフの横軸の値)をt2としたときに、上記(1)式で定義されるSvが3.5以上となる。このような構成によれば、基板樹脂の種類や厚みの影響を受けずに、CCDカメラによるポリイミド越しのマークの識別力が向上する。このため、視認性に優れるポリイミド基板を作製することができ、電子基板製造工程等でポリイミド基板に所定の処理を行う場合のマーキングによる位置決め精度が向上し、これによって歩留まりが向上する等の効果が得られる。Svは好ましくは3.9以上、より好ましくは4.5以上、更により好ましくは5.0以上、更により好ましくは5.5以上である。Svの上限は特に限定する必要はないが、例えば70以下、30以下、15以下、10以下である。このような構成によれば、マークとマークで無い部分との境界がより明確になり、位置決め精度が向上して、マーク画像認識による誤差が少なくなり、より正確に位置合わせができるようになる。
そのため、本発明の実施の形態に係る銅箔をプリント配線板に用いた場合、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上する。
なお、明度曲線の傾きの測定に用いるポリイミドフィルムは、銅箔に張り合わせ前のΔB(ΔB(PI))の値が50以上65以下であることが好ましい。Svを測定することがより容易となるためである。
[Slope of lightness curve]
In the surface-treated copper foil of the present invention, after bonding the surface-treated copper foil to both sides of the polyimide base resin from the surface-treated surface S side, the copper foils on both sides were removed by etching and line marks were printed. When a printed matter is placed under the exposed polyimide substrate and the printed matter is photographed with a CCD camera through the polyimide substrate, a direction perpendicular to the direction in which the observed line-shaped mark extends in the image obtained by photographing In the observation point-lightness graph, which is produced by measuring the lightness of each observation point along the line, the top average value Bt and the bottom average value Bb of the lightness curve generated from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn Let the difference be ΔB (ΔB = Bt−Bb), and in the observation point-lightness graph, among the intersections of the lightness curve and Bt, the intersection closest to the line mark is t1. Then, in the depth range from the intersection of the brightness curve and Bt to 0.1 ΔB with reference to Bt, when the intersection closest to the linear mark is t2 among the intersections of the brightness curve and 0.1 ΔB. In addition, Sv defined by equation (1) is 3.5 or more.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)
In the observation position-lightness graph, the horizontal axis represents position information (pixel × 0.1), and the vertical axis represents the value of lightness (tone).
Here, “top average value Bt of lightness curve”, “bottom average value Bb of lightness curve”, and “t1”, “t2”, and “Sv” described later will be described with reference to the drawings.
FIGS. 1A and 1B show schematic diagrams defining Bt and Bb when the width of the mark is about 0.3 mm. When the mark width is about 0.3 mm, it may be a V-shaped lightness curve as shown in FIG. 1A or a lightness curve having a bottom as shown in FIG. 1B. . In any case, “Top average value Bt of lightness curve” indicates the average value of lightness measured at five points (total ten points on both sides) at intervals of 30 μm from positions 50 μm away from the end positions on both sides of the mark. . On the other hand, “bottom average value Bb of lightness curve” indicates the lowest value of lightness at the tip of the V-shaped valley when the lightness curve is V-shaped as shown in FIG. When it has the bottom of (b), the value of the center of about 0.3 mm is shown. The width of the mark may be about 0.2 mm, 0.16 mm, and 0.1 mm. Furthermore, the “top average value Bt of the brightness curve” is 5 positions at intervals of 30 μm from the positions separated by 100 μm, 300 μm or 500 μm from the end positions on both sides of the mark (total 10 on both sides Location) It may be an average value of lightness when measured.
FIG. 2 shows a schematic diagram defining t1 and t2 and Sv. “T1 (pixel × 0.1)” is a value indicating the intersection closest to the line-like mark among the intersections of the lightness curve and Bt, and the position of the intersection (the value of the horizontal axis of the observation point-lightness graph ). “T2 (pixel × 0.1)” is the line-like mark of the intersections of the brightness curve and 0.1 ΔB in the depth range from the intersection of the brightness curve and Bt to 0.1 ΔB with reference to Bt. And the value indicating the position of the intersection point (the value of the observation point-the horizontal axis of the lightness graph). At this time, the slope of the lightness curve indicated by the line connecting t1 and t2 is Sv (tone / pixel × 0.1) calculated by 0.1 ΔB in the y-axis direction and (t1-t2) in the x-axis direction. Defined in). Note that one pixel on the horizontal axis corresponds to 10 μm in length. Also, Sv measures both sides of the mark and adopts a small value. Furthermore, in the case where the shape of the lightness curve is unstable and there are a plurality of "intersections of the lightness curve and Bt", the intersection closest to the mark is adopted.
In the above-mentioned image taken by the CCD camera, the brightness is high in the part where the mark is not attached, but the brightness drops as soon as the mark end is reached. If the visibility of the polyimide substrate is good, such a decrease in brightness is clearly observed. On the other hand, if the visibility of the polyimide substrate is poor, the lightness does not drop sharply from "high" to "low" at once in the vicinity of the mark end, but the state of decline becomes moderate and the state of lightness is unclear It becomes.
On the basis of such findings, the present invention places the printed matter with a mark on the bottom of the polyimide substrate removed by bonding the surface-treated copper foil of the present invention, and the mark portion photographed with a CCD camera over the polyimide substrate. The inclination of the lightness curve near the end of the mark drawn in the observation point-lightness graph obtained from the image of (b) is controlled. More specifically, the difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve is ΔB (ΔB = Bt−Bb), and in the observation point-lightness graph, the line among the intersections of the lightness curve and Bt. Assuming that the value indicating the position of the intersection closest to the shape mark (the value of the observation point-the horizontal axis of the lightness graph) is t1, in the depth range from the intersection of the lightness curve and Bt to 0.1ΔB with Bt as a reference When the value indicating the position of the intersection closest to the line-like mark (the observation point-the value of the horizontal axis of the lightness graph) of the intersections of the lightness curve and 0.1ΔB is t2, Sv defined by is 3.5 or more. According to such a configuration, the discriminating power of the mark over the polyimide by the CCD camera is improved without being affected by the type and thickness of the substrate resin. For this reason, a polyimide substrate excellent in visibility can be manufactured, positioning accuracy by marking in the case of performing predetermined processing on a polyimide substrate in an electronic substrate manufacturing process etc. is improved, and effects such as yield improvement are improved. can get. Sv is preferably 3.9 or more, more preferably 4.5 or more, still more preferably 5.0 or more, and still more preferably 5.5 or more. Although the upper limit of Sv does not need to be specifically limited, it is 70 or less, 30 or less, 15 or less, 10 or less, for example. According to such a configuration, the boundary between the mark and the non-mark portion becomes clearer, the positioning accuracy is improved, the error due to the mark image recognition is reduced, and the alignment can be performed more accurately.
Therefore, when the copper foil which concerns on embodiment of this invention is used for a printed wiring board, when connecting one printed wiring board and another printed wiring board, a connection defect is reduced and a yield improves.
In addition, it is preferable that the values of (DELTA) B ((DELTA) B (PI)) before bonding to a copper foil are 50 or more and 65 or less for the polyimide film used for measurement of the inclination of a brightness curve. It is because it becomes easier to measure Sv.

〔表面処理銅箔表面のNi、Coの付着量〕
本発明の表面処理銅箔は、表面処理表面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、表面処理表面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である。ここで、表面処理表面SのNiおよびCoの付着量とは、銅箔表面に形成されている全ての表面処理層に含まれるNiおよびCoの合計の付着量を意味する。例えば、銅箔の表面に粗化処理層、耐熱層、防錆層、耐候性層を設けた場合には、銅箔の表面に形成されている表面処理層である粗化処理層、耐熱層、防錆層、耐候性層に含まれるNiおよびCoの付着量の合計の付着量を意味する。
発明者らの検討により表面処理層における所定の金属の付着量が伝送損失に顕著に影響を与えることが判明した。本発明者の検討により、そのような表面処理金属種のうち、特に透磁率が比較的高く導電率が比較的低いCo,Niが伝送損失に影響を与えることが判明した。そのため、上記のようにNiおよび/またはCoの付着量を制限することは、伝送損失を低減するために有効である。
Niの付着量が1400μg/dm2より大きくなると、伝送損失が大きくなるため好ましくない。また、Coの付着量が2400μg/dm2より大きくなると、伝送損失が大きくなるため好ましくない。
伝送損失をより低減させるため、表面処理表面SがNiを含む場合には、Niの付着量は1000μg/dm2以下であることが好ましく、900μg/dm2以下であることが好ましく、800μg/dm2以下であることが好ましく、700μg/dm2以下であることがより好ましい。
また、表面処理表面SがNiを含む場合にはNiの付着量は100μg/dm2以上であることが好ましく、120μg/dm2以上であることが好ましく、150μg/dm2以上であることがより好ましい。Niの付着量が100μg/dm2未満の場合、耐熱性が劣化する場合があるためである。
伝送損失をより低減させるため、表面処理表面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2000μg/dm2以下であることが好ましく、1800μg/dm2以下であることが好ましく、1600μg/dm2以下であることが好ましく、1400μg/dm2以下であることがより好ましい。
また、表面処理表面SがCoを含む場合にはCoの付着量は300μg/dm2以上であることが好ましく、350μg/dm2以上であることが好ましく、400μg/dm2以上であることがより好ましい。Coの付着量が300μg/dm2未満の場合、耐熱性が劣化する場合があるためである。
なお、上述の範囲にNi、Coの付着量を制御するためには、粗化処理めっきや耐熱層などの表面処理(めっき)液中のNi、Co濃度を制御すること、ならびに表面処理の際の電流密度、表面処理時間を制御することが有効である。表面処理(めっき)液中のNi、Coの濃度を高くすると、Ni、Co付着量を大きくすることが出来る。また、Ni、Coの濃度を低くすると、Ni、Co付着量を小さくすることが出来る。また、表面処理の際の電流密度を高くし、および/または、表面処理時間を長くすると、Ni、Co付着量を大きくすることが出来る。また、表面処理の際の電流密度を低くし、および/または、表面処理時間を短くすると、Ni、Co付着量を小さくすることが出来る。
[Attachment amount of Ni and Co on the surface treated copper foil surface]
In the surface-treated copper foil of the present invention, when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is 1400 μg / dm 2 or less, and when the surface-treated surface S contains Co, the adhesion amount of Co is 2400 μg / Dm 2 or less. Here, the adhesion amount of Ni and Co on the surface treated surface S means the adhesion amount of the total of Ni and Co contained in all the surface treatment layers formed on the copper foil surface. For example, when the surface of a copper foil is provided with a roughening treatment layer, a heat resistant layer, an antirust layer, and a weather resistant layer, the roughening treatment layer which is a surface treatment layer formed on the surface of the copper foil, a heat resistant layer It means the adhesion amount of the sum total of the adhesion amounts of Ni and Co contained in the rustproof layer and the weather resistant layer.
As a result of studies by the inventors, it has been found that the adhesion amount of a predetermined metal in the surface treatment layer significantly affects the transmission loss. According to the study of the present inventor, it has been found that among such surface-treated metal species, Co and Ni, in particular, which have relatively high permeability and relatively low conductivity, affect transmission loss. Therefore, limiting the deposition amount of Ni and / or Co as described above is effective to reduce the transmission loss.
When the adhesion amount of Ni becomes larger than 1400 μg / dm 2 , the transmission loss becomes large, which is not preferable. On the other hand, when the adhesion amount of Co is larger than 2400 μg / dm 2 , the transmission loss becomes large, which is not preferable.
In order to further reduce the transmission loss, when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is preferably 1000 μg / dm 2 or less, preferably 900 μg / dm 2 or less, and 800 μg / dm 2 preferably 2 or less, more preferably 700 [mu] g / dm 2 or less.
When the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is preferably 100 μg / dm 2 or more, preferably 120 μg / dm 2 or more, and more preferably 150 μg / dm 2 or more. preferable. If the adhesion amount of Ni is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance may be deteriorated.
Order to further reduce the transmission loss, the adhesion amount of Co in the case of surface treatment the surface S comprises a Co is preferably not more than 2000 [mu] g / dm 2, is preferably 1800 [mu] g / dm 2 or less, 1600μg / dm 2 It is preferable that it is the following and it is more preferable that it is 1400 microgram / dm < 2 > or less.
When the surface-treated surface S contains Co, the adhesion amount of Co is preferably 300 μg / dm 2 or more, preferably 350 μg / dm 2 or more, and more preferably 400 μg / dm 2 or more. preferable. If the adhesion amount of Co is less than 300 μg / dm 2 , the heat resistance may deteriorate.
In addition, in order to control the adhesion amount of Ni and Co in the above-mentioned range, controlling the Ni and Co concentration in the surface treatment (plating) solution such as roughening treatment plating and heat resistant layer, and in the case of surface treatment It is effective to control the current density and surface treatment time. By increasing the concentration of Ni and Co in the surface treatment (plating) solution, the amount of Ni and Co adhesion can be increased. In addition, if the concentrations of Ni and Co are lowered, the amounts of Ni and Co deposited can be reduced. In addition, if the current density at the time of surface treatment is increased and / or the surface treatment time is lengthened, the amount of Ni and Co adhesion can be increased. In addition, if the current density at the time of surface treatment is lowered and / or the surface treatment time is shortened, the amount of Ni and Co adhesion can be reduced.

本発明の表面処理銅箔は、前記表面処理面S、及び/又は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzが、0.35μm以上であるのが好ましい。更には、本発明の表面処理銅箔の表面処理表面Sではない銅箔表面は表面処理されていることがより好ましい。このような構成により、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積をより増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題をより良好に抑制することができる。本発明の表面処理銅箔は、前記表面処理面S、及び/又は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzが、0.40μm以上であるのがより好ましく、0.50μm以上であるのが更により好ましく、0.60μm以上であるのが更により好ましく、0.80μm以上であるのが更により好ましい。なお、本発明の表面処理銅箔の、前記表面処理面S、及び/又は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzの上限は特に限定する必要は無いが、典型的には4.0μm以下であり、より典型的には3.0μm以下であり、より典型的には2.5μm以下であり、より典型的には2.0μm以下である。   The surface-treated copper foil of the present invention has a ten-point average roughness TD measured by a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface-treated surface S and / or the copper foil surface other than the surface-treated surface S is 405 nm. It is preferable that Rz is 0.35 μm or more. Furthermore, it is more preferable that the copper foil surface which is not the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil of this invention is surface-treated. With such a configuration, by further increasing the contact area between the copper foil and the protective film, the problem of the protective film sticking to the copper foil in the lamination step with the resin substrate is better suppressed. be able to. The surface-treated copper foil of the present invention has a ten-point average roughness TD measured by a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface-treated surface S and / or the copper foil surface other than the surface-treated surface S is 405 nm. Rz is more preferably 0.40 μm or more, still more preferably 0.50 μm or more, still more preferably 0.60 μm or more, and still more preferably 0.80 μm or more. In addition, the wavelength of the laser beam of the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil of the present invention and / or the laser light on the surface of the copper foil other than the surface-treated surface S is 405 nm The upper limit of the roughness Rz is not particularly limited, but is typically 4.0 μm or less, more typically 3.0 μm or less, and more typically 2.5 μm or less. It is typically 2.0 μm or less.

本発明の表面処理銅箔は、前記表面処理面S、及び/又は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaが、0.05μm以上であるのが好ましい。更には、本発明の表面処理銅箔の表面処理表面Sではない銅箔表面は表面処理されていることがより好ましい。このような構成により、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積をより増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題をより良好に抑制することができる。本発明の表面処理銅箔は、前記表面処理面S、及び/又は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaが、0.08μm以上であるのがより好ましく、0.10μm以上であるのが更により好ましく、0.20μm以上であるのが更により好ましく、0.30μm以上であるのが更により好ましい。なお、本発明の表面処理銅箔の、前記表面処理面S、及び/又は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaの上限は特に限定する必要は無いが、典型的には0.80μm以下であり、より典型的0.65μm以下であり、より典型的には0.50μm以下であり、より典型的には0.40μm以下である。   The surface-treated copper foil of the present invention has an arithmetic average roughness Ra of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface-treated surface S and / or the copper foil surface other than the surface-treated surface S is 405 nm. Is preferably 0.05 μm or more. Furthermore, it is more preferable that the copper foil surface which is not the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil of this invention is surface-treated. With such a configuration, by further increasing the contact area between the copper foil and the protective film, the problem of the protective film sticking to the copper foil in the lamination step with the resin substrate is better suppressed. be able to. The surface-treated copper foil of the present invention has an arithmetic average roughness Ra of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the surface-treated surface S and / or the copper foil surface other than the surface-treated surface S is 405 nm. Is more preferably 0.08 μm or more, still more preferably 0.10 μm or more, still more preferably 0.20 μm or more, and still more preferably 0.30 μm or more. In addition, the arithmetic mean roughness of TD measured with the laser microscope whose wavelength of the laser beam of the copper foil surface which is not the said surface-treated surface S and / or the said surface-treated surface S of the surface-treated copper foil of this invention is 405 nm. The upper limit of the thickness Ra is not particularly limited, but is typically 0.80 μm or less, more typically 0.65 μm or less, more typically 0.50 μm or less, and more typically Is 0.40 μm or less.

本発明の表面処理銅箔は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqが、0.08μm以上であるのが好ましい。更には、本発明の表面処理銅箔の表面処理表面Sではない銅箔表面は表面処理されていることがより好ましい。このような構成により、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積をより増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題をより良好に抑制することができる。本発明の表面処理銅箔は、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqが、0.10μm以上であるのがより好ましく、0.15μm以上であるのが更により好ましく、0.20μm以上であるのが更により好ましく、0.30μm以上であるのが更により好ましい。なお、本発明の表面処理銅箔の、前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqの上限は特に限定をする必要は無いが、典型的には0.80μm以下であり、より典型的には0.60μm以下であり、より典型的には0.50μm以下であり、より典型的には0.40μm以下である。   In the surface-treated copper foil of the present invention, the root mean square height Rq of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the copper foil surface other than the surface-treated surface S is 405 nm is 0.08 μm or more Is preferred. Furthermore, it is more preferable that the copper foil surface which is not the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil of this invention is surface-treated. With such a configuration, by further increasing the contact area between the copper foil and the protective film, the problem of the protective film sticking to the copper foil in the lamination step with the resin substrate is better suppressed. be able to. In the surface-treated copper foil of the present invention, the root mean square height Rq of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the copper foil surface other than the surface-treated surface S is 405 nm is 0.10 μm or more Is more preferably 0.15 μm or more, still more preferably 0.20 μm or more, and still more preferably 0.30 μm or more. The upper limit of the root mean square height Rq of TD of the surface-treated copper foil of the present invention measured by a laser microscope whose wavelength of the laser light on the surface of the copper foil other than the surface S is 405 nm is particularly limited. Although not necessary, it is typically 0.80 μm or less, more typically 0.60 μm or less, more typically 0.50 μm or less, and more typically 0.40 μm or less. is there.

前記表面処理面Sではない銅箔表面は、表面処理として、めっき(正常めっき、粗化めっきでないめっき)により耐熱層または防錆層を設ける処理を施されてもよい。また、前記表面処理面Sではない銅箔表面は、表面処理として、粗化処理を施されてもよい。
粗化処理については、例えば、硫酸銅と硫酸水溶液を含むめっき液を用いて粗化処理を行ってもよく、また硫酸銅と硫酸水溶液から成るめっき液を用いて粗化処理を行ってもよい。銅−コバルト−ニッケル合金めっきや銅−ニッケル−りん合金めっき、ニッケル−亜鉛合金めっき等の合金めっきでもよい。また、好ましくは銅合金めっきにより行うことができる。銅合金めっき浴としては例えば銅と銅以外の元素を一種以上含むめっき浴、より好ましくは銅とコバルト、ニッケル、砒素、タングステン、クロム、亜鉛、リン、マンガンおよびモリブデンからなる群から選択されたいずれか1種以上とを含むめっき浴を用いることが好ましい。
また、表面処理面Sではない銅箔表面に対して上記の粗化処理以外の粗化処理を用いてもよく、粗化処理でない場合も上記のめっき処理以外の表面処理を用いてもよい。
また、前記表面処理面Sではない銅箔表面は、表面に凹凸を形成するための表面処理を施されてもよい。
表面に凹凸を形成するための表面処理としては、電解研磨による表面処理を行ってもよい。例えば、硫酸銅と硫酸水溶液から成る溶液中で、表面処理面Sではない銅箔表面を電解研磨することにより、前記表面処理面Sではない銅箔表面に凹凸を形成させることができる。一般に電解研磨は平滑化を目的とするが、本発明の表面処理面Sではない銅箔表面の表面処理では電解研磨により凹凸を形成するので、通常とは逆の考え方である。電解研磨により凹凸を形成する方法は公知の技術で行っても良い。前記凹凸を形成するための電解研磨の公知の技術の例としては特開2005-240132、特開2010-059547、特開2010-047842に記載の方法が挙げられる。電解研磨で凹凸を形成させる処理の具体的な条件としては、例えば、
・処理溶液:Cu:20g/L、H2SO4:100g/L、温度:50℃
・電解研磨電流:15A/dm2
・電解研磨時間:15秒
などが挙げられる。
表面処理面Sではない銅箔表面に凹凸を形成するための表面処理としては、例えば、表面処理面Sではない銅箔表面を機械研磨することで凹凸を形成しても良い。機械研磨は公知の技術で行ってもよい。
なお、本発明の表面処理銅箔における表面処理面Sではない銅箔表面の表面処理後に、耐熱層や防錆層や耐候性層を設けても良い。耐熱層や防錆層および耐候性層は、上記記載や実験例記載の方法でもよいし、公知の技術の方法でもよい。
The surface of the copper foil which is not the surface treated surface S may be subjected to a treatment of providing a heat-resistant layer or an anticorrosive layer by plating (normal plating, plating not roughening plating) as surface treatment. Moreover, the copper foil surface which is not the said surface treatment surface S may be roughened as surface treatment.
For the roughening treatment, for example, the roughening treatment may be performed using a plating solution containing copper sulfate and a sulfuric acid aqueous solution, or the roughening treatment may be performed using a plating solution composed of a copper sulfate and a sulfuric acid aqueous solution . Alloy plating such as copper-cobalt-nickel alloy plating, copper-nickel-phosphorus alloy plating, nickel-zinc alloy plating, etc. may be used. Moreover, Preferably it can carry out by copper alloy plating. The copper alloy plating bath is, for example, a plating bath containing one or more elements other than copper and copper, more preferably any selected from the group consisting of copper and cobalt, nickel, arsenic, tungsten, chromium, zinc, phosphorus, manganese and molybdenum It is preferable to use a plating bath containing one or more kinds.
Moreover, you may use roughening processes other than said roughening process with respect to the copper foil surface which is not surface treatment surface S, and when not roughening process, you may use surface treatments other than said plating process.
Moreover, the copper foil surface which is not the said surface treatment surface S may be surface-treated for forming an unevenness | corrugation in the surface.
As surface treatment for forming unevenness on the surface, surface treatment by electrolytic polishing may be performed. For example, by electropolishing the copper foil surface which is not the surface treatment surface S in a solution composed of copper sulfate and a sulfuric acid aqueous solution, irregularities can be formed on the copper foil surface which is not the surface treatment surface S. In general, the purpose of the electrolytic polishing is to smooth the surface, but in the surface treatment of the surface of the copper foil which is not the surface treated surface S of the present invention, irregularities are formed by the electrolytic polishing. The method of forming the unevenness by electrolytic polishing may be performed by a known technique. As an example of the well-known technique of the electropolishing for forming the said unevenness | corrugation, the method as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-240132, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-059547, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-047842 is mentioned. As specific conditions of the process which forms an unevenness | corrugation by electrolytic polishing, for example,
Processing solution: Cu: 20 g / L, H 2 SO 4 : 100 g / L, temperature: 50 ° C.
Electrolytic polishing current: 15 A / dm 2
Electrolytic polishing time: 15 seconds, etc. may be mentioned.
As surface treatment for forming unevenness on the copper foil surface which is not the surface treatment surface S, for example, the unevenness may be formed by mechanically polishing the copper foil surface which is not the surface treatment surface S. Mechanical polishing may be performed by known techniques.
In addition, you may provide a heat-resistant layer, a rustproof layer, and a weather resistant layer after surface treatment of the copper foil surface which is not the surface-treated surface S in the surface-treated copper foil of this invention. The heat-resistant layer, the rust-preventive layer and the weather-resistant layer may be the methods described above or in the experimental examples, or may be methods of known techniques.

〔銅箔表面の面積比〕
銅箔の表面処理面Sの三次元表面積Aと二次元表面積Bとの比A/Bは、上述の樹脂の透明性に大いに影響を及ぼす。すなわち、表面粗さRzが同じであれば、比A/Bが小さい銅箔ほど、上述の樹脂の透明性が良好となる。このため、本発明の表面処理銅箔は、当該比A/Bが1.0〜1.7であるのが好ましく、1.0〜1.6であるのがより好ましい。ここで、表面処理面Sの粗化粒子の三次元表面積Aと二次元表面積Bとの比A/Bは、例えば当該表面が粗化処理されている場合、粗化粒子の表面積Aと、銅箔を表面処理面S側から平面視したときに得られる面積Bとの比A/Bとも云うことができる。
[Area ratio of copper foil surface]
The ratio A / B of the three-dimensional surface area A to the two-dimensional surface area B of the surface treated surface S of the copper foil greatly affects the transparency of the above-mentioned resin. That is, when the surface roughness Rz is the same, the transparency of the above-mentioned resin becomes better as the ratio A / B is smaller. Therefore, in the surface-treated copper foil of the present invention, the ratio A / B is preferably 1.0 to 1.7, and more preferably 1.0 to 1.6. Here, the ratio A / B of the three-dimensional surface area A of the roughened particles to the two-dimensional surface area B of the surface treated surface S is, for example, the surface area A of the roughened particles and copper when the surface is roughened. It can be said that the ratio A / B to the area B obtained when the foil is viewed in plan from the surface treated surface S side.

粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度とメッキ時間とを制御することで、表面処理後の銅箔の表面処理面Sの表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、上記二乗平均平方根高さRq、Sv、表面粗さRz、光沢度及び銅箔表面の面積比A/Bを制御することができる。   By controlling the current density of the surface treatment and the plating time at the time of surface treatment such as roughening particle formation, the surface condition of the surface treatment surface S of the copper foil after surface treatment and the form and formation density of roughening particles are determined. The above root mean square heights Rq and Sv, surface roughness Rz, glossiness, and area ratio A / B of the copper foil surface can be controlled.

[伝送損失]
伝送損失が小さい場合、高周波で信号伝送を行う際の、信号の減衰が抑制されるため、高周波で信号の伝送を行う回路において、安定した信号の伝送を行うことができる。そのため、伝送損失の値が小さい方が、高周波で信号の伝送を行う回路用途に用いることに適するため好ましい。表面処理銅箔を、市販の液晶ポリマー樹脂((株)クラレ製Vecstar CTZ−50μm)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数20GHzおよび周波数40GHzでの伝送損失を求めた場合に、周波数20GHzにおける伝送損失が、5.0dB/10cm未満が好ましく、4.1dB/10cm未満がより好ましく、4.0dB/10cm未満がより好ましく、3.7dB/10cm未満が更により好ましい。
[Transmission loss]
When the transmission loss is small, signal attenuation at the time of signal transmission at high frequency is suppressed, so that stable signal transmission can be performed in a circuit that performs signal transmission at high frequency. Therefore, it is preferable that the value of the transmission loss is small because it is suitable for use in a circuit application that performs signal transmission at high frequency. After bonding a surface-treated copper foil to a commercially available liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 μm, manufactured by Kuraray Co., Ltd.), a microstrip line is formed by etching so that the characteristic impedance is 50 Ω, and a network made by HP When the transmission coefficient is measured using the analyzer HP8720C and the transmission loss at a frequency of 20 GHz and a frequency of 40 GHz is obtained, the transmission loss at a frequency of 20 GHz is preferably less than 5.0 dB / 10 cm, more preferably less than 4.1 dB / 10 cm Preferably, less than 4.0 dB / 10 cm is more preferred, and less than 3.7 dB / 10 cm is even more preferred.

[耐熱性]
耐熱性が高い場合、高温環境下におかれても、表面処理銅箔と樹脂との密着性が劣化しにくいため、高温環境下でも使用することができるため、好ましい。
本発明では耐熱性をピール強度保持率で評価する。表面処理銅箔の表面処理面Sをラミネート用熱硬化性接着剤付きポリイミドフィルム(厚み50μm、宇部興産製ユーピレックス){ユーピレックス(登録商標)−VT、BPDA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水物)系(BPDA−PDA(パラフェニレンジアミン)系)のポリイミド樹脂基板}に積層した後と、150℃、168時間加熱後において、IPC−TM−650に準拠し、引張り試験機オートグラフ100で常態ピール強度と150℃、168時間加熱後ピール強度を測定した。
そして次式で表されるピール強度保持率を算出した。
ピール強度保持率(%)=150℃、168時間加熱後ピール強度(kg/cm)/常態ピール強度(kg/cm)×100
そして、ピール強度保持率が50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、70%以上であることが更により好ましい。
[Heat-resistant]
When the heat resistance is high, the adhesion between the surface-treated copper foil and the resin is less likely to deteriorate even in a high temperature environment, and therefore it is preferable because it can be used in a high temperature environment.
In the present invention, the heat resistance is evaluated by the peel strength retention rate. Polyimide film with a thermosetting adhesive for lamination (surface thickness S: 50 μm, UPI REX made by Ube Industries, Ltd.) {Eupirex (registered trademark)-VT, BPDA (biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride) type After laminating on a polyimide resin substrate of BPDA-PDA (para-phenylenediamine) and after heating at 150 ° C. for 168 hours, the tensile tester autograph 100 conforms to normal peel strength in accordance with IPC-TM-650. The peel strength was measured after heating at 150 ° C. for 168 hours.
And the peeling strength retention represented by following Formula was computed.
Peel strength retention (%) = 150 ° C after heating for 168 hours Peel strength (kg / cm) / Normal peel strength (kg / cm) × 100
And, the peel strength retention rate is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 70% or more.

〔キャリア付銅箔〕
本発明の別の実施の形態であるキャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備える。そして、前記極薄銅層が前述の本発明の一つの実施の形態である表面処理銅箔である。また、キャリア付銅箔はキャリア、中間層および極薄銅層をこの順で備えても良い。キャリア付銅箔はキャリア側の表面および極薄銅層側の表面のいずれか一方または両方に粗化処理層等の表面処理層を有してもよい。また、キャリア付銅箔は、極薄銅層のキャリア側表面および/またはキャリア側とは反対側の表面に表面処理面S等の表面処理面を有してもよい。なお、キャリア付銅箔は、極薄銅層のキャリア側とは反対側の表面に、表面処理面S等の表面処理面を有することが、作業効率を向上させる上で好ましい。
キャリア付銅箔のキャリア側の表面に粗化処理層を設けた場合、キャリア付銅箔を当該キャリア側の表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板などの支持体とが剥離し難くなるという利点を有する。
[Copper foil with carrier]
A copper foil with a carrier, which is another embodiment of the present invention, comprises a carrier, an intermediate layer laminated on the carrier, and an ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer. And the said ultra-thin copper layer is the surface-treated copper foil which is one embodiment of the above-mentioned this invention. In addition, the copper foil with carrier may be provided with a carrier, an intermediate layer and a very thin copper layer in this order. The copper foil with carrier may have a surface treatment layer such as a roughening treatment layer on either or both of the surface on the carrier side and the surface on the very thin copper layer side. In addition, the copper foil with carrier may have a surface treated surface such as a surface treated surface S or the like on the surface on the carrier side of the ultrathin copper layer and / or the surface opposite to the carrier side. In addition, it is preferable in order to improve working efficiency that the copper foil with carrier has a surface-treated surface such as the surface-treated surface S on the surface opposite to the carrier side of the ultrathin copper layer.
When a roughening treatment layer is provided on the surface of the carrier side of the copper foil with carrier, when laminating the copper foil with carrier from the surface side of the carrier to a support such as a resin substrate, the support such as a carrier and a resin substrate It has the advantage that it becomes difficult to peel off.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム(例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、フッ素樹脂フィルム等)の形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用することが好ましい。銅箔は電気伝導度が高いため、その後の中間層、極薄銅層の形成が容易となるからである。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
<Carrier>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum It is provided in the form of an alloy foil, an insulating resin film (for example, a polyimide film, a liquid crystal polymer (LCP) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyamide film, a polyester film, a fluorine resin film, etc.).
It is preferable to use a copper foil as a carrier that can be used in the present invention. Since the copper foil has high electrical conductivity, the subsequent formation of the intermediate layer and the extremely thin copper layer is facilitated. The carrier is typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. Generally, an electrolytic copper foil is manufactured by electrolytically depositing copper on a drum of titanium or stainless steel from a copper sulfate plating bath, and a rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat treatment by rolling rolls. As a material of the copper foil, besides copper of high purity such as tough pitch copper and oxygen free copper, copper containing Sn, copper containing Ag, copper alloy to which Cr, Zr, Mg or the like is added, Corson type to which Ni, Si or the like is added Copper alloys such as copper alloys can also be used.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば12μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。   The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be suitably adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, for example, 12 μm or more. However, if it is too thick, the production cost will increase, so in general, the thickness is preferably 35 μm or less. Thus, the thickness of the carrier is typically 12 to 70 μm, more typically 18 to 35 μm.

また、本発明に用いるキャリアは前述した通り、中間層が形成される側の表面粗さRzならびに光沢度が制御されている必要がある。極薄銅層の表面処理が行われている表面の上記二乗平均平方根高さRq、Sv、表面粗さRz、光沢度及び銅箔表面の面積比A/Bを制御するためである。   Further, as described above, the carrier used in the present invention needs to control the surface roughness Rz on the side where the intermediate layer is formed and the glossiness. This is to control the root mean square heights Rq and Sv, the surface roughness Rz, the glossiness and the area ratio A / B of the copper foil surface of the surface on which the surface treatment of the ultrathin copper layer is performed.

<中間層>
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。
また、中間層は前記有機物として公知の有機物を用いることが出来、また、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれか一種以上を用いることが好ましい。例えば、具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。
中間層の厚みが大きくなりすぎると、中間層の厚みが表面処理した後の極薄銅層の粗化処理表面の光沢度ならびに粗化粒子の大きさと個数に影響を及ぼす場合があるため、極薄銅層の粗化処理表面の中間層の厚みは1〜1000nmであることが好ましく、1〜500nmであることが好ましく、2〜200nmであることが好ましく、2〜100nmであることが好ましく、3〜60nmであることがより好ましい。なお、キャリアの両側に中間層を設けてもよい。
<Middle class>
An intermediate layer is provided on the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is difficult to peel from the carrier prior to the lamination step on the insulating substrate with the copper foil with carrier, while the ultrathin copper layer from the carrier is after the lamination step on the insulating substrate The configuration is not particularly limited as long as the configuration is such that it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier according to the present invention may be made of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, their alloys, their hydrates, their oxides, One or more selected from the group consisting of organic substances may be included. Also, the intermediate layer may be a plurality of layers.
Also, for example, the intermediate layer is a single metal layer consisting of a kind of element selected from the group of elements consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side Or form an alloy layer composed of one or more elements selected from the group of elements composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, A layer comprising a hydrate or oxide of one or more elements selected from the group of elements consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn Can be configured.
In the intermediate layer, a known organic substance can be used as the organic substance, and it is preferable to use any one or more of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid. For example, as specific nitrogen-containing organic compounds, 1,2,3-benzotriazole which is a triazole compound having a substituent, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H It is preferable to use -1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole or the like.
As the sulfur-containing organic compound, mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole sodium, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol and the like are preferably used.
As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and among them, it is preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid and the like.
Also, for example, the intermediate layer can be configured by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy, and chromium in this order on the carrier. Since the adhesion between nickel and copper is higher than the adhesion between chromium and copper, when peeling off the very thin copper layer, it peels off at the interface between the very thin copper layer and the chromium. In addition, a barrier effect is expected in the nickel of the intermediate layer to prevent the diffusion of the copper component from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of chromium in the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less. When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide an anticorrosive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier.
If the thickness of the intermediate layer is too large, the thickness of the intermediate layer may affect the gloss of the roughened surface of the ultrathin copper layer after surface treatment and the size and number of roughened particles, so The thickness of the intermediate layer on the roughened surface of the thin copper layer is preferably 1 to 1000 nm, preferably 1 to 500 nm, preferably 2 to 200 nm, and more preferably 2 to 100 nm, More preferably, it is 3 to 60 nm. Intermediate layers may be provided on both sides of the carrier.

<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層の間には他の層を設けてもよい。また、キャリアの両側に極薄銅層を設けてもよい。当該キャリアを有する極薄銅層は、本発明の一つの実施の形態である表面処理銅箔である。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1.5〜5μmである。また、中間層の上に極薄銅層を設ける前に、極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。
なお、表面処理面Sは極薄銅層のキャリア側の面とは反対側の面、及び/又は、極薄銅層のキャリア側の面のいずれか一方又は両方に設けてもよい。また、表面処理面Sは極薄銅層のキャリア側の面とは反対側の面に設けることが好ましい。
また、本発明の極薄銅層は下記の条件で形成する。平滑な極薄銅層を形成することにより、極薄銅層の表面処理後の表面処理面Sの上記二乗平均平方根高さRq、Sv、表面粗さRz、光沢度及び銅箔表面の面積比A/Bを制御するためである。
・電解液組成
銅:80〜120g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:30〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
<Ultra-thin copper layer>
An ultra-thin copper layer is provided on the middle layer. Other layers may be provided between the intermediate layer and the very thin copper layer. Also, ultra-thin copper layers may be provided on both sides of the carrier. The ultrathin copper layer having the carrier is a surface-treated copper foil according to an embodiment of the present invention. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. It is typically 0.5 to 12 μm, and more typically 1.5 to 5 μm. Also, prior to providing the ultrathin copper layer on the intermediate layer, strike plating with a copper-phosphorus alloy may be performed to reduce pinholes in the ultrathin copper layer. The strike plating includes copper pyrophosphate plating solution and the like.
The surface treatment surface S may be provided on either or both of the surface of the ultrathin copper layer opposite to the carrier side and / or the surface of the ultrathin copper layer on the carrier side. Moreover, it is preferable to provide the surface treatment surface S on the surface on the opposite side to the surface on the carrier side of the ultrathin copper layer.
In addition, the ultrathin copper layer of the present invention is formed under the following conditions. By forming a smooth ultrathin copper layer, the root mean square height Rq, Sv of the surface treated surface S after surface treatment of the ultrathin copper layer, surface roughness Rz, glossiness, and area ratio of copper foil surface This is to control A / B.
-Electrolyte composition copper: 80 to 120 g / L
Sulfuric acid: 80 to 120 g / L
Chlorine: 30 to 100 ppm
Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
The amine compound of the following chemical formula can be used for the above-mentioned amine compound.

(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。) (In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of hydroxyalkyl group, ether group, aryl group, aromatic substituted alkyl group, unsaturated hydrocarbon group, alkyl group.)

・製造条件
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜65℃
電解液線速:1.5〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間(析出させる銅厚、電流密度により調整)
-Manufacturing conditions Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50 to 65 ° C
Electrolyte linear velocity: 1.5 to 5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes (Copper thickness to be deposited, adjusted by current density)

〔表面処理面S上の樹脂層〕
本発明の表面処理銅箔の表面処理面Sの上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
[Resin layer on surface treatment surface S]
A resin layer may be provided on the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil of the present invention. The resin layer may be an insulating resin layer.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive or may be an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. In the semi-cured state (B-stage state), there is no sticky feeling even when the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when heat treatment is further performed. Including.

前記樹脂層は接着用樹脂、すなわち接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive resin, that is, an adhesive, or may be an insulating resin layer in an adhesive semi-cured state (B-stage state). In the semi-cured state (B-stage state), there is no sticky feeling even when the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when heat treatment is further performed. Including.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399号、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. In addition, the resin layer may contain a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton and the like. In addition, the resin layer may be formed of, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent No. 3184485, WO Nos. WO 97/02728, Patent No. 3676375, JP-A 2000-43188, Patent No. 3612594, JP-A 2002-179772, JP-A 2002-359444, JP-A 2003-304068, JP 3992225, JP-A 2003 No. 249739, Patent No. 4136509, Japanese Patent No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent No. 20 Patent No. 5-53218, Patent No. 3949676, Patent No. 4178415, International Publication No. WO 2004/005588, Japanese Patent Publication No. 2006-257153, Japanese Patent Publication No. 2007-326923, Japanese Patent Publication No. 2008-111169, Patent No. 5024930, International Publication No. WO2006 / 028207, Patent No. 4828427, JP2009-67029, International Publication No. WO2006 / 134868, Patent No. 5046927, JP2009-173017, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Publication No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 001850, International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication No. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (a resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeletal material, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.

また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。   The type of the resin layer is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polymaleimide compound, maleimide resin, aromatic maleimide resin , Polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyether sulfone (also referred to as polyether sulfone or polyether sulfone), polyether sulfone (also referred to as polyether sulfone or polyether sulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic Polyamide resin polymer, rubber resin, polyamine, aromatic polyamine, polyamide imide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin Fat, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, anhydride of carboxylic acid, anhydride of polyvalent carboxylic acid, linear polymer having crosslinkable functional group, polyphenylene ether resin, 2, 2-bis (4 -Cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenol compound, manganese naphthenate, 2,2-bis (4-glycidylphenyl) propane, polyphenylene ether-cyanate resin, siloxane modified polyamideimide resin, cyano ester resin, phosphazene resin, Select from the group of rubber modified polyamideimide resin, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinyl butyral, phenoxy, high molecular weight epoxy, aromatic polyamide, fluorocarbon resin, bisphenol, block copolymer polyimide resin and cyano ester resin It can be mentioned resins containing one or more kinds as suitable to be.

また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
The epoxy resin may be used without particular problems as long as it has two or more epoxy groups in the molecule and can be used for electrical and electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin which is epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. In addition, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (brominated) epoxy Resin, phenol novolac epoxy resin, naphthalene epoxy resin, brominated bisphenol A epoxy resin, ortho cresol novolac epoxy resin, rubber modified bisphenol A epoxy resin, glycidyl amine epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, N, N Glycidyl amine compounds such as -diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl It may be used by mixing one or two or more selected from the group consisting of phenyl novolac epoxy resin, trishydroxyphenylmethane epoxy resin, tetraphenylethane epoxy resin, or a hydrogenated product of the above epoxy resin or Halogenated products can be used.
A phosphorus-containing epoxy resin known as the phosphorus-containing epoxy resin can be used. Also, the phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. Is preferred.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化4(HCA−NQ)又は化5(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有エポキシ樹脂としたものである。   The epoxy resin obtained as a derivative from this 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After naphthoquinone and hydroquinone were reacted to form a compound represented by the following chemical formula 4 (HCA-NQ) or chemical formula 5 (HCA-HQ), the OH group portion was reacted with an epoxy resin to obtain a phosphorus-containing epoxy resin It is a thing.

上述の化合物を原料として得られた前記E成分であるリン含有エポキシ樹脂は、以下に示す化6〜化8のいずれかに示す構造式を備える化合物の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いためである。   The phosphorus-containing epoxy resin which is the component E obtained using the above-mentioned compound as a raw material is used by mixing one or two kinds of compounds having the structural formula shown in any one of chemical formulas 6 to 8 shown below. Is preferred. It is because it is excellent in the stability of the resin quality in a semi-hardened state, and at the same time the flame retardancy effect is high.

また、前記ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂として、公知のブロム化(臭素化)されているエポキシ樹脂を用いることができる。例えば、前記ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂は分子内に2以上のエポキシ基を備えるテトラブロモビスフェノールAからの誘導体として得られる化9に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂、以下に示す化10に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。 Further, as the brominated (brominated) epoxy resin, a known brominated (brominated) epoxy resin can be used. For example, the brominated (brominated) epoxy resin is a brominated epoxy resin having a structural formula shown in Chemical formula 9 obtained as a derivative from tetrabromobisphenol A having two or more epoxy groups in the molecule, It is preferable to use 1 type or 2 types of brominated epoxy resin provided with Structural formula shown to, mixing.

前記マレイミド系樹脂または芳香族マレイミド樹脂またはマレイミド化合物またはポリマレイミド化合物としては、公知のマレイミド系樹脂または芳香族マレイミド樹脂またはマレイミド化合物またはポリマレイミド化合物を用いることができる。例えばマレイミド系樹脂または芳香族マレイミド樹脂またはマレイミド化合物またはポリマレイミド化合物としては4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、ポリフェニルメタンマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、3,3’−ジメチル−5,5’−ジエチル−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、4,4’−ジフェニルスルフォンビスマレイミド、1,3−ビス(3−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−マレイミドフェノキシ)ベンゼン並びに上記化合物と、上記化合物またはその他の化合物とを重合させたポリマー等の使用が可能である。また、前記マレイミド系樹脂は、分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂であってもよく、分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂とポリアミンまたは芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物であってもよい。
前記ポリアミンまたは芳香族ポリアミンとしては、公知のポリアミンまたは芳香族ポリアミンを用いることができる。例えば、ポリアミンまたは芳香族ポリアミンとして、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、2,6−ジアミノピリジン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノ−3−メチルジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルアミン、m−キシレンジアミン、p−キシレンジアミン、1,3−ビス[4−アミノフェノキシ]ベンゼン、3−メチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’,5,5’−テトラクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(3−メチル−4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−エチル−4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(2,3−ジクロロ−4−アミノフェニル)プロパン、ビス(2,3−ジメチル−4−アミノフェニル)フェニルエタン、エチレンジアミンおよびヘキサメチレンジアミン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン並びに上記化合物と、上記化合物またはその他の化合物とを重合させたポリマー等を用いることができる。また、公知のポリアミンおよび/または芳香族ポリアミンまたは前述のポリアミンまたは芳香族ポリアミンを一種または二種以上用いることができる。
前記フェノキシ樹脂としては公知のフェノキシ樹脂を用いることができる。また、前記フェノキシ樹脂として、ビスフェノールと2価のエポキシ樹脂との反応により合成されるものを用いることができる。エポキシ樹脂としては、公知のエポキシ樹脂および/または前述のエポキシ樹脂を用いることができる。
前記ビスフェノールとしては、公知のビスフェノールを使用することができ、またビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールA、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、HCA(9,10−Dihydro−9−Oxa−10−Phosphaphenanthrene−10−Oxide)とハイドロキノン、ナフトキノン等のキノン類との付加物として得られるビスフェノール等を使用することができる。
前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーとしては、公知の架橋可能な官能基を有する線状ポリマーを用いることができる。例えば、前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは水酸基、カルボキシル基等のエポキシ樹脂の硬化反応に寄与する官能基を備えることが好ましい。そして、この架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤に可溶であることが好ましい。ここで言う官能基を有する線状ポリマーを具体的に例示すると、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等である。
前記樹脂層は架橋剤を含んでもよい。架橋剤には、公知の架橋剤を用いることができる。架橋剤として例えばウレタン系樹脂を用いることができる。
前記ゴム性樹脂は公知のゴム性樹脂を用いることができる。例えば前記ゴム性樹脂とは、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム(アクリル酸エステル共重合体)、ポリブタジエンゴム、イソプレンゴム等がある。更に、形成する樹脂層の耐熱性を確保する際には、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、芳香族ポリアミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するようにするため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、CTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。また、アクリロニトリルブタジエンゴムの中でも、カルボキシル変性体であると、エポキシ樹脂と架橋構造を取り、硬化後の樹脂層のフレキシビリティを向上させることができる。カルボキシル変性体としては、カルボキシ基末端ニトリルブタジエンゴム(CTBN)、カルボキシ基末端ブタジエンゴム(CTB)、カルボキシ変性ニトリルブタジエンゴム(C‐NBR)を用いることができる。
前記ポリアミドイミド樹脂としては公知のポリイミドアミド樹脂を用いることができる。また、前記ポリイミドアミド樹脂としては例えば、トリメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物及びビトリレンジイソシアネートをN−メチル−2−ピロリドン又は/及びN,N−ジメチルアセトアミド等の溶剤中で加熱することで得られる樹脂や、トリメリット酸無水物、ジフェニルメタンジイソシアネート及びカルボキシル基末端アクリロニトリル−ブタジエンゴムをN−メチル−2−ピロリドン又は/及びN,N−ジメチルアセトアミド等の溶剤中で加熱することで得られるものを用いることができる。
前記ゴム変成ポリアミドイミド樹脂として、公知のゴム変成ポリアミドイミド樹脂を用いることができる。ゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものである。ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて用いるのは、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。すなわち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ポリアミドイミド樹脂には公知のポリアミドイミド樹脂を用いることができる。また、ゴム性樹脂には公知のゴム性樹脂または前述のゴム性樹脂を用いることができる。ゴム変成ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。
前記フォスファゼン系樹脂として、公知のフォスファゼン系樹脂を用いることができる。フォスファゼン系樹脂は、リン及び窒素を構成元素とする二重結合を持つフォスファゼンを含む樹脂である。フォスファゼン系樹脂は、分子中の窒素とリンの相乗効果により、難燃性能を飛躍的に向上させることができる。また、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体と異なり、樹脂中で安定して存在し、マイグレーションの発生を防ぐ効果が得られる。
前記フッ素樹脂として、公知のフッ素樹脂を用いることができる。また、フッ素樹脂として例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン(4フッ化))、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、FEP(テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(4.6フッ化))、ETFE(テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体)、PVDF(ポリビニリデンフルオライド(2フッ化))、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン(3フッ化))、ポリアリルスルフォン、芳香族ポリスルフィドおよび芳香族ポリエーテルの中から選ばれるいずれか少なくとも1種の熱可塑性樹脂とフッ素樹脂とからなるフッ素樹脂等を用いてもよい。
また、前記樹脂層は樹脂硬化剤を含んでもよい。樹脂硬化剤としては公知の樹脂硬化剤を用いることができる。例えば樹脂硬化剤としてはジシアンジアミド、イミダゾール類、芳香族アミン等のアミン類、ビスフェノールA、ブロム化ビスフェノールA等のフェノール類、フェノールノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のノボラック類、無水フタル酸等の酸無水物、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂等を用いることができる。また、前記樹脂層は前述の樹脂硬化剤の1種又は2種以上を含んでもよい。これらの硬化剤はエポキシ樹脂に特に有効である。
前記ビフェニル型フェノール樹脂の具体例を化11に示す。
As the maleimide resin or the aromatic maleimide resin or the maleimide compound or the polymaleimide compound, a known maleimide resin or an aromatic maleimide resin or a maleimide compound or a polymaleimide compound can be used. For example, as a maleimide resin or an aromatic maleimide resin or a maleimide compound or a polymaleimide compound, 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, polyphenylmethane maleimide, m-phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl -5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, 4,4'-diphenylether bismaleimide, 4,4'-diphenylsulfone bismaleimide, 1,4 It is possible to use 3-bis (3-maleimidophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-maleimidophenoxy) benzene, and polymers obtained by polymerizing the above-mentioned compound and the above-mentioned compound or other compounds. The maleimide resin may be an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule, and an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule and a polyamine or an aromatic polyamine It may be a polymerized adduct obtained by polymerizing
As the polyamine or the aromatic polyamine, known polyamines or aromatic polyamines can be used. For example, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 1,4-diaminocyclohexane, 2,6-diaminopyridine, 4,4'-diaminodiphenylmethane as a polyamine or an aromatic polyamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diamino-3-methyldiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminobenzophenone 4,4'-Diaminodiphenyl sulfone, bis (4-aminophenyl) phenylamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,3-bis [4-aminophenoxy] benzene, 3-methyl-4,4 ' -Diaminodiphenylmethane, 3,3'-diethyl-4 4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2 ', 5,5'-tetrachloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (3- Methyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-ethyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (2,3-dichloro-4-aminophenyl) propane, bis (2,3 -Dimethyl-4-aminophenyl) phenylethane, ethylenediamine and hexamethylenediamine, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane and the above compound and the above compound or other compounds were polymerized A polymer etc. can be used. In addition, one or more known polyamines and / or aromatic polyamines or the above-mentioned polyamines or aromatic polyamines can be used.
A well-known phenoxy resin can be used as said phenoxy resin. Moreover, as said phenoxy resin, what is synthesize | combined by reaction of a bisphenol and a bivalent epoxy resin can be used. As an epoxy resin, a well-known epoxy resin and / or the above-mentioned epoxy resin can be used.
As the bisphenol, known bisphenols can be used, and bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, tetrabromobisphenol A, 4,4'-dihydroxybiphenyl, HCA (9,10-Dihydro-9-Oxa- A bisphenol etc. obtained as an adduct of 10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide) and quinones, such as hydroquinone and naphthoquinone, can be used.
As the linear polymer having a crosslinkable functional group, a known linear polymer having a crosslinkable functional group can be used. For example, the linear polymer having a crosslinkable functional group preferably has a functional group such as a hydroxyl group or a carboxyl group that contributes to the curing reaction of the epoxy resin. The linear polymer having a crosslinkable functional group is preferably soluble in an organic solvent having a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. Specific examples of the linear polymer having a functional group as referred to herein include polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, polyether sulfone resin, polyamide imide resin and the like.
The resin layer may contain a crosslinking agent. A well-known crosslinking agent can be used for a crosslinking agent. For example, a urethane resin can be used as the crosslinking agent.
The rubber resin can be a known rubber resin. For example, the rubber resin is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, acrylic rubber ( (Acrylic acid ester copolymer), polybutadiene rubber, isoprene rubber and the like. Furthermore, in order to secure the heat resistance of the resin layer to be formed, it is also useful to select and use heat-resistant synthetic rubber such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicone rubber, urethane rubber and the like. With regard to these rubbery resins, in order to produce a copolymer by reacting with an aromatic polyamide resin or a polyamideimide resin, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy-terminated butadiene nitrile). Moreover, among the acrylonitrile butadiene rubbers, when it is a carboxyl-modified product, it is possible to take a crosslinked structure with an epoxy resin and improve the flexibility of the resin layer after curing. As the carboxyl modified product, carboxy group-terminated nitrile butadiene rubber (CTBN), carboxy group-terminated butadiene rubber (CTB), and carboxy-modified nitrile butadiene rubber (C-NBR) can be used.
A well-known polyimide amide resin can be used as said polyamide imide resin. Moreover, as the polyimide amide resin, for example, trimellitic acid anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride and bitorylene diisocyanate are heated in a solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and / or N, N-dimethylacetamide. Resin, trimellitic acid anhydride, diphenylmethane diisocyanate and carboxyl group-terminated acrylonitrile-butadiene rubber by heating in a solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and / or N, N-dimethylacetamide What is obtained can be used.
A known rubber-modified polyamideimide resin can be used as the rubber-modified polyamideimide resin. The rubber modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubbery resin. The reaction of the polyamideimide resin and the rubber resin is carried out for the purpose of improving the flexibility of the polyamideimide resin itself. That is, a polyamideimide resin and a rubbery resin are reacted to substitute a part of an acid component (such as cyclohexanedicarboxylic acid) of the polyamideimide resin with a rubber component. A well-known polyamide imide resin can be used for a polyamide imide resin. In addition, as the rubbery resin, a known rubbery resin or the above-mentioned rubbery resin can be used. Examples of solvents used to dissolve the polyamideimide resin and the rubber resin when polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, nitromethane, nitroethane and tetrahydrofuran. It is preferable to use cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone or the like singly or in combination of two or more.
A known phosphazene resin can be used as the phosphazene resin. The phosphazene resin is a resin containing phosphazene having a double bond containing phosphorus and nitrogen as constituent elements. The phosphazene resin can dramatically improve the flame retardant performance by the synergetic effect of nitrogen and phosphorus in the molecule. Also, unlike the 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, it stably exists in the resin, and the effect of preventing the occurrence of migration can be obtained.
A well-known fluorine resin can be used as said fluorine resin. Moreover, as a fluorine resin, for example, PTFE (polytetrafluoroethylene (tetrafluorinated), PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer), FEP (tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (4.6) Fluorinated), ETFE (tetrafluoroethylene-ethylene copolymer), PVDF (polyvinylidene fluoride (difluorinated)), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene (trifluorinated)), polyallyl sulfone, aromatic You may use the fluorine resin etc. which consist of any at least 1 sort (s) of thermoplastic resin and fluorine resin which are chosen from polysulfide and aromatic polyether.
Further, the resin layer may contain a resin curing agent. A well-known resin curing agent can be used as a resin curing agent. For example, as resin curing agents, amines such as dicyandiamide, imidazoles, aromatic amines, phenols such as bisphenol A, brominated bisphenol A, novolaks such as phenol novolac resin and cresol novolac resin, acid anhydride such as phthalic anhydride , A biphenyl type phenol resin, a phenol aralkyl type phenol resin and the like can be used. Moreover, the said resin layer may also contain 1 type, or 2 or more types of the above-mentioned resin hardening agent. These hardeners are particularly effective for epoxy resins.
The specific example of the said biphenyl type phenol resin is shown to Chemical formula 11.

また、前記フェノールアラルキル型フェノール樹脂の具体例を化12に示す。   Further, a specific example of the above-mentioned phenol aralkyl type phenol resin is shown in Chemical formula 12.

イミダゾール類としては、公知のものを用いることができ、例えば、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられ、これらを単独若しくは混合して用いることができる。
また、中でも、以下の化13に示す構造式を備えるイミダゾール類を用いる事が好ましい。この化13に示す構造式のイミダゾール類を用いることで、半硬化状態の樹脂層の耐吸湿性を顕著に向上でき、長期保存安定性に優れる。イミダゾール類は、エポキシ樹脂の硬化に際して触媒的な働きを行うものであり、硬化反応の初期段階において、エポキシ樹脂の自己重合反応を引き起こす反応開始剤として寄与するからである。
As the imidazoles, known ones can be used. For example, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-yl Hydroxymethyl imidazole etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture.
Further, among them, it is preferable to use an imidazole having a structural formula shown in the following chemical formula 13. By using the imidazoles of the structural formula shown in Formula 13, the moisture absorption resistance of the resin layer in the semi-cured state can be remarkably improved, and the long-term storage stability is excellent. The imidazoles function as a catalyst for curing the epoxy resin, and contribute as an initiator that causes the self-polymerization reaction of the epoxy resin in the initial stage of the curing reaction.

前記アミン類の樹脂硬化剤としては、公知のアミン類を用いることができる。また、前記アミン類の樹脂硬化剤としては例えば前述のポリアミンや芳香族ポリアミンを用いることが出来、また、芳香族ポリアミン、ポリアミド類及びこれらをエポキシ樹脂や多価カルボン酸と重合或いは縮合させて得られるアミンアダクト体の群から選ばれた1種又は2種以上を用いてもよい。また、前記アミン類の樹脂硬化剤としては、4,4’−ジアミノジフェニレンサルフォン、3,3’−ジアミノジフェニレンサルフォン、4,4−ジアミノジフェニレル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンまたはビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]サルフォンのいずれか一種以上を用いることが好ましい。
前記樹脂層は硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤としては公知の硬化促進剤を用いることができる。例えば、硬化促進剤としては、3級アミン、イミダゾール、尿素系硬化促進剤等を用いることができる。
前記樹脂層は反応触媒を含んでもよい。反応触媒としては公知の反応触媒を用いることができる。例えば反応触媒として微粉砕シリカ、三酸化アンチモン等を用いることができる。
Well-known amines can be used as a resin hardening agent of the said amines. Further, as the resin curing agent of the above-mentioned amines, for example, the above-mentioned polyamines and aromatic polyamines can be used, and aromatic polyamines, polyamides and these are obtained by polymerizing or condensing these with epoxy resin or polyvalent carboxylic acid. One or more selected from the group of amine adducts may be used. Moreover, as a resin curing agent for the above-mentioned amines, 4,4'-diaminodiphenylene sulfone, 3,3'-diaminodiphenylene sulfone, 4,4-diaminodiphenylel, 2,2-bis [4 It is preferable to use any one or more of-(4-aminophenoxy) phenyl] propane or bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone.
The resin layer may contain a curing accelerator. A well-known hardening accelerator can be used as a hardening accelerator. For example, as a curing accelerator, tertiary amines, imidazoles, urea-based curing accelerators and the like can be used.
The resin layer may contain a reaction catalyst. A well-known reaction catalyst can be used as a reaction catalyst. For example, finely ground silica, antimony trioxide or the like can be used as a reaction catalyst.

前記多価カルボン酸の無水物はエポキシ樹脂の硬化剤として寄与する成分であることが好ましい。また、前記多価カルボン酸の無水物は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、テトラヒドロキシ無水フタル酸、ヘキサヒドロキシ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロキシ無水フタル酸、ナジン酸、メチルナジン酸であることが好ましい。   The polyvalent carboxylic acid anhydride is preferably a component that contributes as a curing agent for the epoxy resin. Further, the anhydride of the polyvalent carboxylic acid is phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, tetrahydroxyphthalic anhydride, hexahydroxyphthalic anhydride, methylhexahydroxyphthalic anhydride, nadine It is preferable that it is an acid, methyl nadic acid.

前記熱可塑性樹脂はエポキシ樹脂と重合可能なアルコール性水酸基以外の官能基を有する熱可塑性樹脂であってもよい。
前記ポリビニルアセタール樹脂は酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有してもよい。また、前記ポリビニルアセタール樹脂はその分子内にカルボキシル基、アミノ基または不飽和二重結合を導入したものであってもよい。
前記芳香族ポリアミド樹脂ポリマーとしては、芳香族ポリアミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものが挙げられる。ここで、芳香族ポリアミド樹脂とは、芳香族ジアミンとジカルボン酸との縮重合により合成されるものである。このときの芳香族ジアミンには、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、m−キシレンジアミン、3,3’−オキシジアニリン等を用いる。そして、ジカルボン酸には、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フマル酸等を用いる。
前記芳香族ポリアミド樹脂と反応させる前記ゴム性樹脂とは、公知のゴム性樹脂または前述のゴム性樹脂を用いることができる。
この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、銅張積層板に加工した後の銅箔をエッチング加工する際に、エッチング液によりアンダーエッチングによる損傷を受けないことを目的に用いたものである。
The thermoplastic resin may be a thermoplastic resin having a functional group other than the epoxy resin and polymerizable alcoholic hydroxyl group.
The polyvinyl acetal resin may have a functional group capable of polymerizing with an epoxy resin or a maleimide compound other than an acid group and a hydroxyl group. The polyvinyl acetal resin may have a carboxyl group, an amino group or an unsaturated double bond introduced into its molecule.
As said aromatic polyamide resin polymer, what is obtained by making an aromatic polyamide resin and rubbery resin react is mentioned. Here, the aromatic polyamide resin is one synthesized by condensation polymerization of an aromatic diamine and a dicarboxylic acid. As the aromatic diamine at this time, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, m-xylenediamine, 3,3'-oxydianiline or the like is used. And, as the dicarboxylic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, fumaric acid and the like are used.
A known rubbery resin or the above-mentioned rubbery resin can be used as the rubbery resin to be reacted with the aromatic polyamide resin.
This aromatic polyamide resin polymer is used for the purpose of not being damaged by an etching solution by an etching solution when the copper foil after being processed into a copper-clad laminate is etched.

また、前記樹脂層は銅箔側(すなわちキャリア付銅箔の極薄銅層側)から順に硬化樹脂層(「硬化樹脂層」とは硬化済みの樹脂層のことを意味するとする。)と半硬化樹脂層とを順次形成した樹脂層であってもよい。前記硬化樹脂層は、熱膨張係数が0ppm/℃〜25ppm/℃のポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、これらの複合樹脂のいずれかの樹脂成分で構成されてもよい。   The resin layer is a cured resin layer ("cured resin layer" means a cured resin layer) in order from the copper foil side (that is, the very thin copper layer side of the copper foil with carrier). It may be a resin layer in which a cured resin layer is sequentially formed. The said cured resin layer may be comprised by the resin component in any one of the polyimide resin whose thermal expansion coefficient is 0 ppm / degrees C-25 ppm / degrees C, polyamidoimide resin, and these composite resin.

また、前記硬化樹脂層上に、硬化した後の熱膨張係数が0ppm/℃〜50ppm/℃の半硬化樹脂層を設けてもよい。また、前記硬化樹脂層と前記半硬化樹脂層とが硬化した後の樹脂層全体の熱膨張係数が40ppm/℃以下であってもよい。前記硬化樹脂層は、ガラス転移温度が300℃以上であってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、マレイミド系樹脂または芳香族マレイミド樹脂を用いて形成したものであってもよい。前記半硬化樹脂層を形成するための樹脂組成物は、マレイミド系樹脂、エポキシ樹脂、架橋可能な官能基を有する線状ポリマーを含むことが好ましい。エポキシ樹脂は公知のエポキシ樹脂または本明細書に記載のエポキシ樹脂を用いることができる。また、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、架橋可能な官能基を有する線状ポリマーとしては公知のマレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー又は前述のマレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、架橋可能な官能基を有する線状ポリマーを用いることができる。   In addition, a semi-cured resin layer having a thermal expansion coefficient of 0 ppm / ° C. to 50 ppm / ° C. after curing may be provided on the cured resin layer. In addition, the thermal expansion coefficient of the entire resin layer after the cured resin layer and the semi-cured resin layer are cured may be 40 ppm / ° C. or less. The cured resin layer may have a glass transition temperature of 300 ° C. or higher. The semi-cured resin layer may be formed using a maleimide resin or an aromatic maleimide resin. The resin composition for forming the semi-cured resin layer preferably contains a maleimide resin, an epoxy resin, and a linear polymer having a crosslinkable functional group. The epoxy resin can be a known epoxy resin or the epoxy resin described in the present specification. In addition, maleimide resin, aromatic maleimide resin, known maleimide resin as a linear polymer having a crosslinkable functional group, aromatic maleimide resin, linear polymer having a crosslinkable functional group, or the maleimide resin described above Aromatic maleimide resins, linear polymers having crosslinkable functional groups can be used.

また、立体成型プリント配線板製造用途に適した、樹脂層を有するキャリア付銅箔を提供する場合、前記硬化樹脂層は硬化した可撓性を有する高分子ポリマー層であることが好ましい。前記高分子ポリマー層は、はんだ実装工程に耐えられるように、150℃以上のガラス転移温度をもつ樹脂からなるものが好適である。前記高分子ポリマー層は、ポリアミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、アラミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂のいずれか1種又は2種以上の混合樹脂からなることが好ましい。また、前記高分子ポリマー層の厚さは3μm〜10μmであることが好ましい。
また、前記高分子ポリマー層は、エポキシ樹脂、マレイミド系樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂のいずれか1種又は2種以上を含むことが好ましい。また、前記半硬化樹脂層は厚さが10μm〜50μmのエポキシ樹脂組成物で構成されていることが好ましい。
Moreover, when providing the copper foil with a carrier which has a resin layer suitable for a three-dimensional molded printed wiring board manufacture use, it is preferable that the said cured resin layer is a polymeric polymer layer which has hardened flexibility. The polymer layer is preferably made of a resin having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher so as to withstand the solder mounting process. The polymer layer is preferably made of one or more of a polyamide resin, a polyether sulfone resin, an aramid resin, a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyvinyl acetal resin and a polyamideimide resin. Moreover, it is preferable that the thickness of the said high molecular polymer layer is 3 micrometers-10 micrometers.
The polymer layer preferably contains one or more of an epoxy resin, a maleimide resin, a phenol resin, and a urethane resin. Moreover, it is preferable that the said semi-hardened resin layer is comprised with a 10 micrometers-50 micrometers-thick epoxy resin composition.

また、前記エポキシ樹脂組成物は以下のA成分〜E成分の各成分を含むものであることが好ましい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか1種又はこれらを混合した樹脂であるリン含有難燃性樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: 樹脂硬化剤。
Moreover, it is preferable that the said epoxy resin composition is what contains each component of the following A component-E component.
Component A: An epoxy resin consisting of one or more selected from the group consisting of bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and bisphenol AD-type epoxy resin which has an epoxy equivalent of 200 or less and is liquid at room temperature.
Component B: High heat resistant epoxy resin.
Component C: A phosphorus-containing flame retardant resin which is a resin obtained by mixing any one or a mixture of a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene resin.
Component D: A rubber-modified polyamideimide resin modified with a liquid rubber component having a solubility in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C.
E component: resin curing agent.

B成分は、所謂ガラス転移点Tgの高い「高耐熱性エポキシ樹脂」である。ここで言う「高耐熱性エポキシ樹脂」は、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂であることが好ましい。
C成分のリン含有エポキシ樹脂として、前述のリン含有エポキシ樹脂を用いることができる。また、C成分のフォスファゼン系樹脂として前述のフォスファゼン系樹脂を用いることができる。
D成分のゴム変成ポリアミドイミド樹脂として、前述のゴム変成ポリアミドイミド樹脂を用いることができる。E成分の樹脂硬化剤として、前述の樹脂硬化剤を用いることができる。
The component B is a "high heat resistant epoxy resin" having a high so-called glass transition point Tg. The “high heat resistant epoxy resin” referred to here is preferably a polyfunctional epoxy resin such as novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, naphthalene epoxy resin and the like.
The phosphorus-containing epoxy resin described above can be used as the C-component phosphorus-containing epoxy resin. Moreover, the above-mentioned phosphazene resin can be used as phosphazene resin of C component.
The rubber-modified polyamideimide resin described above can be used as the rubber-modified polyamideimide resin of the component D. The above-mentioned resin curing agent can be used as a resin curing agent of E component.

以上に示した樹脂組成物に溶剤を加えて樹脂ワニスとして用い、プリント配線板の接着層として熱硬化性樹脂層を形成する。当該樹脂ワニスは、上述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30wt%〜70wt%の範囲に調製し、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜の形成が可能である。溶剤には、公知の溶剤または前述の溶剤を用いることができる。   A solvent is added to the resin composition shown above and it uses as a resin varnish, and forms a thermosetting resin layer as an adhesive layer of a printed wiring board. The said resin varnish adds a solvent to the above-mentioned resin composition, prepares resin solid content in the range of 30 wt%-70 wt%, and the resin flow when it measures based on MIL-P-13949G in MIL specification It is possible to form a semi-cured resin film in the range of 5% to 35%. As the solvent, known solvents or the above-mentioned solvents can be used.

前記樹脂層は銅箔側から順に第1熱硬化性樹脂層と、当該第1熱硬化性樹脂層の表面に位置する第2熱硬化性樹脂層とを有する樹脂層であって、第1熱硬化性樹脂層は、配線板製造プロセスにおけるデスミア処理時の薬品に溶解しない樹脂成分で形成されたものであり、第2熱硬化性樹脂層は、配線板製造プロセスにおけるデスミア処理時の薬品に溶解し洗浄除去可能な樹脂を用いて形成したものであってもよい。前記第1熱硬化性樹脂層は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンオキサイドのいずれか一種又は2種以上を混合した樹脂成分を用いて形成したものであってもよい。前記第2熱硬化性樹脂層は、エポキシ樹脂成分を用いて形成したものであってもよい。前記第1熱硬化性樹脂層の厚さt1(μm)は、キャリア付銅箔の粗化面粗さをRz(μm)とし、第2熱硬化性樹脂層の厚さをt2(μm)としたとき、t1は、Rz<t1<t2の条件を満たす厚さであることが好ましい。   The resin layer is a resin layer having a first thermosetting resin layer and a second thermosetting resin layer positioned on the surface of the first thermosetting resin layer in order from the copper foil side, The curable resin layer is formed of a resin component which does not dissolve in chemicals during desmearing in the wiring board manufacturing process, and the second thermosetting resin layer dissolves in chemicals during desmearing in the wiring board manufacturing process. It may be formed using a resin that can be removed by washing. The first thermosetting resin layer may be formed using a resin component in which one or two or more of a polyimide resin, a polyether sulfone, and a polyphenylene oxide are mixed. The second thermosetting resin layer may be formed using an epoxy resin component. For the thickness t1 (μm) of the first thermosetting resin layer, the roughened surface roughness of the copper foil with carrier is Rz (μm), and the thickness of the second thermosetting resin layer is t2 (μm) Preferably, t1 is a thickness satisfying the condition of Rz <t1 <t2.

前記樹脂層は骨格材に樹脂を含浸させたプリプレグであってもよい。前記骨格材に含浸させた樹脂は熱硬化性樹脂であることが好ましい。前記プリプレグは公知のプリプレグまたはプリント配線板製造に用いるプリプレグであってもよい。   The resin layer may be a prepreg in which a skeleton material is impregnated with a resin. It is preferable that the resin impregnated in the frame material is a thermosetting resin. The prepreg may be a known prepreg or a prepreg used for producing a printed wiring board.

前記骨格材はアラミド繊維又はガラス繊維又は全芳香族ポリエステル繊維を含んでもよい。前記骨格材はアラミド繊維又はガラス繊維又は全芳香族ポリエステル繊維の不織布若しくは織布であることが好ましい。また、前記全芳香族ポリエステル繊維は融点が300℃以上の全芳香族ポリエステル繊維であることが好ましい。前記融点が300℃以上の全芳香族ポリエステル繊維とは、所謂液晶ポリマーと称される樹脂を用いて製造される繊維であり、当該液晶ポリマーは2−ヒドロキシル−6−ナフトエ酸及びp−ヒドロキシ安息香酸の重合体を主成分とするものである。この全芳香族ポリエステル繊維は、低誘電率、低い誘電正接を持つため、電気的絶縁層の構成材として優れた性能を有し、ガラス繊維及びアラミド繊維と同様に使用することが可能なものである。
なお、前記不織布及び織布を構成する繊維は、その表面の樹脂との濡れ性を向上させるため、シランカップリング剤処理を施す事が好ましい。このときのシランカップリング剤は、使用目的に応じて公知のアミノ系、エポキシ系等のシランカップリング剤または前述のシランカップリング剤を用いることができる。
The framework may comprise aramid fibers or glass fibers or wholly aromatic polyester fibers. The framework is preferably a non-woven fabric or a woven fabric of aramid fibers or glass fibers or wholly aromatic polyester fibers. The wholly aromatic polyester fiber is preferably a wholly aromatic polyester fiber having a melting point of 300 ° C. or higher. The wholly aromatic polyester fiber having a melting point of 300 ° C. or higher is a fiber produced using a resin called a so-called liquid crystal polymer, and the liquid crystal polymer is 2-hydroxy-6-naphthoic acid and p-hydroxybenzoic acid. It has an acid polymer as a main component. Since this wholly aromatic polyester fiber has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, it has excellent performance as a constituent material of the electrical insulation layer and can be used like glass fiber and aramid fiber. is there.
In addition, in order to improve the wettability with the resin of the surface, it is preferable to perform the silane coupling agent process for the fiber which comprises the said nonwoven fabric and woven fabric. At this time, known silane coupling agents such as amino type and epoxy type or the above-mentioned silane coupling agents can be used as the silane coupling agent depending on the purpose of use.

また、前記プリプレグは公称厚さが70μm以下のアラミド繊維又はガラス繊維を用いた不織布、あるいは、公称厚さが30μm以下のガラスクロスからなる骨格材に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグであってもよい。   The prepreg is a non-woven fabric using aramid fibers or glass fibers having a nominal thickness of 70 μm or less, or a prepreg in which a thermosetting resin is impregnated into a skeleton made of glass cloth having a nominal thickness of 30 μm or less. It is also good.

(樹脂層が誘電体(誘電体フィラー)を含む場合)
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta29(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
(When the resin layer contains a dielectric (dielectric filler))
The resin layer may contain a dielectric (dielectric filler).
When a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for forming a capacitor layer to increase the electric capacity of the capacitor circuit. As the dielectric (dielectric filler), BaTiO 3 , SrTiO 3 , Pb (Zr-Ti) O 3 (common name PZT), PbLaTiO 3 · PbLaZrO (common name PLZT), SrBi 2 Ta 2 O 9 (common name SBT), etc. The dielectric powder of complex oxide having a pebroskite structure is used.

誘電体(誘電体フィラー)は粉状であってもよい。誘電体(誘電体フィラー)が粉状である場合、この誘電体(誘電体フィラー)の粉体特性は、まず粒径が0.01μm〜3.0μm、好ましくは0.02μm〜2.0μmの範囲のものである必要がある。ここで言う粒径は、粉粒同士がある一定の2次凝集状態を形成しているため、レーザー回折散乱式粒度分布測定法やBET法等の測定値から平均粒径を推測するような間接測定では精度が劣るものとなるため用いることができず、誘電体(誘電体フィラー)を走査型電子顕微鏡(SEM)で直接観察し、そのSEM像を画像解析し得られる平均粒径を言うものである。本件明細書ではこの時の粒径をDIAと表示している。なお、本件明細書における走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察される誘電体(誘電体フィラー)の粉体の画像解析は、旭エンジニアリング株式会社製のIP−1000PCを用いて、円度しきい値10、重なり度20として円形粒子解析を行い、平均粒径DIAを求めたものである。
上述の実施の形態により、当該内層コア材の内層回路表面と誘電体を含む樹脂層との密着性を向上させ、低い誘電正接を備えるキャパシタ回路層を形成するための誘電体を含む樹脂層を有するキャリア付銅箔を提供することができる。
The dielectric (dielectric filler) may be powdery. When the dielectric (dielectric filler) is in the form of powder, the powder characteristics of the dielectric (dielectric filler) first have a particle diameter of 0.01 μm to 3.0 μm, preferably 0.02 μm to 2.0 μm. It must be in range. Since the particle diameter said here forms a certain secondary aggregation state which powder particles have a certain fixed, it is indirect such that an average particle diameter is estimated from measurement values, such as a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring method and BET method. It can not be used because the accuracy becomes poor in measurement, and dielectrics (dielectric fillers) are directly observed with a scanning electron microscope (SEM), and mean particle diameter obtained by image analysis of the SEM image It is. In the present specification, the particle size at this time is indicated as DIA. In addition, the image analysis of the powder of the dielectric (dielectric filler) observed using the scanning electron microscope (SEM) in the present specification is circularity using IP-1000PC manufactured by Asahi Engineering Co., Ltd. The circular particle analysis is performed with a threshold value of 10 and an overlap degree of 20, and the average particle diameter DIA is determined.
According to the above-described embodiment, the adhesion between the inner layer circuit surface of the inner layer core material and the resin layer containing the dielectric is improved, and the resin layer containing the dielectric for forming the capacitor circuit layer having a low dielectric loss tangent The carrier-attached copper foil can be provided.

前述の樹脂層に含まれる樹脂および/または樹脂組成物および/または化合物を例えばメチルエチルケトン(MEK)、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液(樹脂ワニス)とし、これを前記表面処理銅箔の表面処理面Sの上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分3wt%〜70wt%、好ましくは、3wt%〜60wt%、好ましくは10wt%〜40wt%、より好ましくは25wt%〜40wt%の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が50℃〜200℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
また、前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付表面処理銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数1に基づいて算出した値である。
The resin and / or resin composition and / or compound contained in the aforementioned resin layer may be, for example, methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol, ethanol, propylene glycol monomethyl ether The resin solution (resin varnish) is dissolved in a solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, etc. The surface-treated copper foil is coated on its surface-treated surface S by, for example, a roll coater method, and then dried by heating if necessary to remove the solvent and put it in a B-stage state. For drying, for example, a hot air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C., preferably 130 to 200 ° C. The composition of the resin layer is dissolved using a solvent, and the resin solid content is 3 wt% to 70 wt%, preferably 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, more preferably 25 wt% to 40 wt% It may be a resin liquid. In addition, it is most preferable at the present stage from the environmental point of view to dissolve using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone. In addition, it is preferable to use the solvent whose boiling point is the range of 50 degreeC-200 degreeC for a solvent.
Moreover, it is preferable that the said resin layer is a semi-hardened resin film which has a resin flow in the range of 5%-35% when it measures based on MIL-P-13949G in MIL specification.
In the present specification, resin flow refers to four 10 cm square samples from a resin-coated surface-treated copper foil having a resin thickness of 55 μm in accordance with MIL-P-13949G in the MIL standard. A value calculated based on equation 1 based on the result of measuring resin outflow weight at the time of laminating the samples (laminate) in a press temperature of 171 ° C, a press pressure of 14 kgf / cm 2 and a press time of 10 minutes. It is.

前記樹脂層を備えた表面処理銅箔(樹脂付き表面処理銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合にはキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、表面処理銅箔の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。   The surface-treated copper foil provided with the resin layer (surface-treated copper foil with resin) is made by laminating the resin layer on a substrate and then thermocompression bonding the whole to thermally cure the resin layer, and then the surface-treated copper foil When the carrier is an ultrathin copper layer of copper foil with carrier, the carrier is peeled off to expose the ultrathin copper layer (naturally, it is the surface on the middle layer side of the ultrathin copper layer) It is used in the aspect of forming a predetermined | prescribed wiring pattern from the surface on the opposite side to the side by which the roughening process of the surface treatment copper foil is carried out.

この樹脂付き表面処理銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   By using this surface-treated copper foil with resin, it is possible to reduce the number of used prepreg materials at the time of manufacturing a multilayer printed wiring board. In addition, the thickness of the resin layer can be made such that interlayer insulation can be secured, or a copper-clad laminate can be manufactured without using any prepreg material. At this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the surface smoothness.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは0.1〜120μmであることが好ましい。
In the case where a prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved, and the lamination process is simplified, which is economically advantageous. Furthermore, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.
The thickness of this resin layer is preferably 0.1 to 120 μm.

樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付き表面処理銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを120μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
なお、樹脂層を有する表面処理銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは0.1〜50μmであることが好ましく、0.5μm〜25μmであることが好ましく、1.0μm〜15μmであることがより好ましい。
また、前記硬化樹脂層、半硬化樹脂層との総樹脂層厚みは0.1μm〜120μmであるものが好ましく、5μm〜120μmであるものが好ましく、10μm〜120μmであるものが好ましく、10μm〜60μmのものがより好ましい。そして、硬化樹脂層の厚みは2μm〜30μmであることが好ましく、3μm〜30μmであることが好ましく、5〜20μmであることがより好ましい。また、半硬化樹脂層の厚みは3μm〜55μmであることが好ましく、7μm〜55μmであることが好ましく、15〜115μmであることがより望ましい。総樹脂層厚みが120μmを超えると、薄厚の多層プリント配線板を製造することが難しくなる場合があり、5μm未満では薄厚の多層プリント配線板を形成し易くなるものの、内層の回路間における絶縁層である樹脂層が薄くなりすぎ、内層の回路間の絶縁性を不安定にする傾向が生じる場合があるためである。また、硬化樹脂層厚みが2μm未満であると、表面処理銅箔の表面処理面Sの表面粗さを考慮する必要が生じる場合がある。逆に硬化樹脂層厚みが20μmを超えると硬化済み樹脂層による効果は特に向上することがなくなる場合があり、総絶縁層厚は厚くなる。
When the thickness of the resin layer is smaller than 0.1 μm, the adhesive force is reduced, and when the resin-coated surface-treated copper foil is laminated on a substrate provided with an inner layer material without interposing a prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to secure interlayer insulation between them. On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 120 μm, it may be difficult to form the resin layer of the desired thickness in one application step, which may be economically disadvantageous because extra material costs and man-hours are required.
In addition, when the surface-treated copper foil which has a resin layer is used for manufacturing an ultra-thin multilayer printed wiring board, the thickness of the said resin layer is 0.1 micrometer-5 micrometers, More preferably, 0.5 micrometer-5 micrometers, More preferably, the thickness is 1 μm to 5 μm to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board.
When the resin layer contains a dielectric, the thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 50 μm, more preferably 0.5 μm to 25 μm, and more preferably 1.0 μm to 15 μm. preferable.
The total resin layer thickness of the cured resin layer and the semi-cured resin layer is preferably 0.1 μm to 120 μm, preferably 5 μm to 120 μm, and preferably 10 μm to 120 μm, and 10 μm to 60 μm. Is more preferable. The thickness of the cured resin layer is preferably 2 μm to 30 μm, preferably 3 μm to 30 μm, and more preferably 5 to 20 μm. The thickness of the semi-cured resin layer is preferably 3 μm to 55 μm, preferably 7 μm to 55 μm, and more preferably 15 to 115 μm. If the total resin layer thickness exceeds 120 μm, it may be difficult to produce a thin multilayer printed wiring board, and if it is less than 5 μm, it becomes easy to form a thin multilayer printed wiring board, but the insulating layer between the inner layer circuits This is because the resin layer may be too thin, which may make the insulation between the circuits in the inner layer unstable. When the thickness of the cured resin layer is less than 2 μm, it may be necessary to consider the surface roughness of the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil. On the other hand, when the thickness of the cured resin layer exceeds 20 μm, the effect of the cured resin layer may not be particularly improved, and the total insulating layer thickness becomes large.

なお、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μmとする場合には、樹脂層と表面処理銅箔との密着性を向上させるため、表面処理銅箔の表面処理面Sに耐熱層および/または防錆層および/または耐候性層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層または耐候性層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の10点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。
When the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, the heat-resistant layer and / or the surface-treated surface S of the surface-treated copper foil are used to improve the adhesion between the resin layer and the surface-treated copper foil. After providing the rustproof layer and / or the weather resistant layer, it is preferable to form a resin layer on the heat resistant layer or the rustproof layer or the weather resistant layer.
In addition, the thickness of the above-mentioned resin layer says the average value of the thickness measured by cross-sectional observation in ten arbitrary points.

更に、この樹脂付き表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層(表面処理銅箔)の表面処理面Sの上に樹脂層を設け、樹脂層を半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き極薄銅層(表面処理銅箔)の形で製造することも可能である。   Furthermore, as another product form in the case where this resin-coated surface-treated copper foil is an ultra-thin copper layer of copper foil with a carrier, it is formed on the surface-treated surface S of the ultra-thin copper layer (surface-treated copper foil). After the resin layer is provided and the resin layer is in a semi-cured state, it is also possible to peel off the carrier and manufacture it in the form of a resin-attached ultrathin copper layer (surface-treated copper foil) without a carrier.

以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。   Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier which concerns on this invention are shown.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, with the carrier After laminating the copper foil and the insulating substrate so that the very thin copper layer side faces the insulating substrate, the carrier of the copper foil with carrier is removed to form a copper-clad laminate, and then the semi-additive method, modified semi Forming a circuit by any of an additive method, a partory additive method and a subtractive method. The insulating substrate may be one including an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the semi-additive method refers to a method of performing thin electroless plating on an insulating substrate or a copper foil seed layer, forming a pattern, and then forming a conductor pattern using electroplating and etching.

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the very thin copper layer by etching;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。   In the present invention, in the modified semi-additive method, a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, copper plating of the circuit forming portion is performed by electrolytic plating, and then the resist is removed. And a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit formation portion by (flash) etching.

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier;
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultrathin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, in the partly additive method, a catalyst core is provided on a substrate provided with a conductor layer, and a substrate provided with holes for through holes and via holes as necessary, and a conductor circuit is formed by etching. And a method of manufacturing a printed wiring board by providing a solder resist or a plating resist as necessary, and thickening the through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the partory additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Applying catalytic nuclei to the area including the through holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma,
Removing the etching resist;
Providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided;
including.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method in which an unnecessary portion of the copper foil on the copper clad laminate is selectively removed by etching or the like to form a conductor pattern.

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the very thin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer, the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer where the mask is not formed;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the very thin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid;
Removing the etching resist;
including.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。   The step of providing through holes or / and blind vias and the subsequent desmear step may not be performed.

ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔を例に説明するが、これに限られず、粗化処理層が形成されていない極薄銅層を有するキャリア付銅箔を用いても同様に下記のプリント配線板の製造方法を行うことができる。
まず、図5−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図5−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図5−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図6−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図6−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図6−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図7−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図7−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図5−B及び図5−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図7−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図8−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図8−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
Here, a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, although the copper foil with a carrier which has the ultrathin copper layer in which the roughening process layer was formed is demonstrated to an example here, it is not restricted to this, The carrier which has the ultrathin copper layer in which the roughening process layer is not formed Even when using the attached copper foil, the following method for producing a printed wiring board can be carried out similarly.
First, as shown to FIG. 5-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer by which the roughening process layer was formed in the surface is prepared.
Next, as shown in FIG. 5B, a resist is applied on the roughened layer of the extremely thin copper layer, exposed and developed, and the resist is etched into a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 5C, plating for a circuit is formed, and then the resist is removed to form a circuit plating of a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 6-D, the embedded resin is provided on the ultrathin copper layer to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and the resin layer is laminated, and then another carrier is attached. Bond the copper foil (second layer) from the very thin copper layer side.
Next, as shown in FIG. 6E, the carrier is peeled off from the second layer of copper foil with carrier.
Next, as shown in FIG. 6F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose circuit plating and form a blind via.
Next, as shown in FIG. 7G, copper is buried in the blind vias to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 7-H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 5-B and 5-C.
Next, as shown in FIG. 7I, the carrier is peeled off from the first layer of copper foil with carrier.
Next, as shown in FIG. 8J, the ultrathin copper layer on both surfaces is removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.
Next, as shown in FIG. 8K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention is produced.

上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図7−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。   The other copper foil with carrier (second layer) may use the copper foil with carrier of the present invention, may use a conventional copper foil with carrier, and may further use a normal copper foil. Further, one or more layers of circuits may be further formed on the circuit of the second layer shown in FIG. 7-H, and these circuits may be formed by semi-additive method, subtractive method, party additive method or modified semi-conductor. It may be carried out by any of the additive methods.

本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層表面の色差が以下(1)を満たすように制御されていることが好ましい。本発明において「極薄銅層表面の色差」とは、極薄銅層の表面の色差、又は、粗化処理等の各種表面処理が施されている場合はその表面処理層表面の色差を示す。すなわち、本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層の粗化処理表面の色差が以下(1)を満たすように制御されていることが好ましい。なお本発明の表面処理銅箔において「粗化処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の表面処理銅箔の表面のことをいう。また、表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、「粗化処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄銅層の表面のことをいう。
(1)極薄銅層表面の色差はJISZ8730に基づく色差ΔE*abが45以上である。
It is preferable that the copper foil with a carrier which concerns on this invention is controlled so that the color difference of the ultra-thin copper layer surface may satisfy following (1). In the present invention, the "color difference on the surface of the very thin copper layer" refers to the color difference on the surface of the very thin copper layer, or the color difference on the surface of the surface treatment layer when various surface treatments such as roughening treatment are applied. . That is, it is preferable that the copper foil with a carrier which concerns on this invention is controlled so that the color difference of the roughening process surface of an ultra-thin copper layer may satisfy following (1). In the surface-treated copper foil of the present invention, the "roughened surface" refers to the surface when the heat-resistant layer, the rustproof layer, the weather resistant layer, etc. are provided after the roughening treatment. It refers to the surface of the surface-treated copper foil after the treatment. When the surface-treated copper foil is an ultrathin copper layer of copper foil with a carrier, the "roughened surface" means that a heat-resistant layer, an antirust layer, a weather resistant layer, etc. are provided after the roughening treatment. When the surface treatment for the purpose is performed, it means the surface of the very thin copper layer after the surface treatment is performed.
(1) The color difference on the surface of the ultrathin copper layer is 45 or more in color difference ΔE * ab based on JIS Z8730.

ここで、色差ΔL、Δa、Δbは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、JIS Z8730に基づくL*a*b表色系を用いて示される総合指標であり、ΔL:白黒、Δa:赤緑、Δb:黄青として表される。また、ΔE*abはこれらの色差を用いて下記式で表される。   Here, the color differences ΔL, Δa, Δb are each measured with a color difference meter, are added black / white / red / green / yellow / blue, and are shown using the L * a * b color system based on JIS Z8730. It is a comprehensive index and is expressed as ΔL: black and white, Δa: red-green, Δb: yellow-blue. Further, ΔE * ab is expressed by the following equation using these color differences.

上述の色差は、極薄銅層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
また上述の色差は、極薄銅層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電解液を用いて、従来よりも電流密度を高く(例えば40〜60A/dm2)し、処理時間を短く(例えば0.1〜1.3秒)することで調整することができる。極薄銅層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Niの濃度をその他の元素の2倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄銅層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にNi合金メッキ(例えばNi−W合金メッキ、Ni−Co−P合金メッキ、Ni−Zn合金めっき)を従来よりも低電流密度(0.1〜1.3A/dm2)で処理時間を長く(20秒〜40秒)設定して処理することで達成できる。
The above color difference can be adjusted by increasing the current density when forming the ultrathin copper layer, decreasing the copper concentration in the plating solution, and increasing the linear flow velocity of the plating solution.
The color difference described above can also be adjusted by roughening the surface of the very thin copper layer and providing a roughened layer. In the case of providing the roughened layer, the current density is made higher (for example, 40 to 60 A) by using an electrolytic solution containing one or more elements selected from the group consisting of copper and nickel, cobalt, tungsten, and molybdenum. / Dm < 2 > and it can adjust by shortening processing time (for example, 0.1-1.3 second). When a roughening treatment layer is not provided on the surface of the ultrathin copper layer, a plating bath in which the concentration of Ni is twice or more that of other elements is used to form an ultrathin copper layer or heat resistant layer or a rustproof layer or chromate Ni alloy plating (for example, Ni-W alloy plating, Ni-Co-P alloy plating, Ni-Zn alloy plating) on the surface of the treated layer or silane coupling treated layer has a lower current density (0.1 to 1. This can be achieved by setting the processing time to be longer (20 seconds to 40 seconds) at 3 A / dm 2 ).

極薄銅層表面の色差がJISZ8730に基づく色差ΔE*abが45以上であると、例えば、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に回路を形成する際に、極薄銅層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。極薄銅層表面のJISZ8730に基づく色差ΔE*abは、好ましくは50以上であり、より好ましくは55以上であり、更により好ましくは60以上である。   If the color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 is 45 or more, for example, when forming a circuit on the surface of an ultrathin copper layer of a copper foil with a carrier, The contrast becomes clear, and as a result, the visibility is improved, and the circuit alignment can be performed with high accuracy. The color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 on the surface of the ultrathin copper layer is preferably 50 or more, more preferably 55 or more, and still more preferably 60 or more.

極薄銅層表面の色差が上記のようの制御されている場合には、回路めっきとのコントラストが鮮明となり、視認性が良好となる。従って、上述のようなプリント配線板の例えば図5−Cに示すような製造工程において、回路めっきを精度良く所定の位置に形成することが可能となる。また、上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図8−Jに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図8−J及び図8−Kに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。   When the color difference on the surface of the ultrathin copper layer is controlled as described above, the contrast with the circuit plating becomes clear and the visibility becomes good. Therefore, in the manufacturing process as shown, for example to FIG. 5-C of the above printed wired boards, it becomes possible to form circuit plating in a predetermined | prescribed position accurately. Further, according to the method for manufacturing a printed wiring board as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, the removal of the ultrathin copper layer by flash etching as shown in FIG. In this case, the circuit plating is protected by the resin layer and its shape is maintained, thereby facilitating the formation of the fine circuit. In addition, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved and the conduction of the wiring of the circuit is well suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. Also, as shown in FIG. 8-J and FIG. 8-K, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating has a concaved shape from the resin layer, so bumps are formed on the circuit plating. Further, copper pillars can be easily formed thereon, and the manufacturing efficiency is improved.

なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。   In addition, well-known resin and a prepreg can be used for embedding resin (resin). For example, a prepreg which is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. In addition, the resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in the present specification can be used as the embedding resin (resin).

また、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。   Further, the copper foil with carrier used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the copper foil with carrier. By having the said board | substrate or a resin layer, since the copper foil with a carrier used for a first layer is supported and it becomes difficult to get wrinkled, there exists an advantage that productivity improves. As the substrate or the resin layer, any substrate or resin layer can be used as long as it has the effect of supporting the copper foil with carrier used in the first layer. For example, the carrier described in the specification as the substrate or resin layer, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, a foil of an inorganic compound, a plate of an organic compound, Foils of organic compounds can be used.

本発明の表面処理銅箔を、表面処理面S側から樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、フッ素樹脂、テフロン(登録商標)フィルム等を使用する事ができる。なお、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルム、テフロン(登録商標)フィルムを用いた場合、ポリイミドフィルムを用いた場合よりも、当該フィルムと表面処理銅箔とのピール強度が小さくなる傾向にある。よって、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムを用いた場合には、銅回路を形成後、銅回路をカバーレイで覆うことによって、当該フィルムと銅回路とが剥がれにくくし、ピール強度の低下による当該フィルムと銅回路との剥離を防止することができる。
なお、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムは誘電正接が小さいため、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムと本発明に係る表面処理銅箔をとを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板は高周波回路(高周波で信号の伝送を行う回路)用途に適する。また、本発明に係る表面処理銅箔は表面粗さRzが小さく、光沢度が高いため表面が平滑であり、高周波回路用途にも適する。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
The surface-treated copper foil of the present invention can be bonded to a resin substrate from the surface-treated surface S side to produce a laminate. The resin substrate is not particularly limited as long as it has characteristics applicable to a printed wiring board etc. For example, for rigid PWB, paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin , Glass cloth / paper composite base epoxy resin, glass cloth / glass non-woven composite base epoxy resin, glass cloth base epoxy resin, etc., polyester film or polyimide film for FPC, liquid crystal polymer (LCP) film, fluorine Resin, Teflon (registered trademark) film, etc. can be used. In addition, when a liquid crystal polymer (LCP) film, a fluororesin film, or a Teflon (registered trademark) film is used, the peel strength of the film and the surface-treated copper foil tends to be smaller than when a polyimide film is used. . Therefore, when a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluorine resin film is used, after the copper circuit is formed, the film and the copper circuit are less likely to be peeled off by covering the copper circuit with a coverlay, and the peel strength is reduced. Peeling between the film and the copper circuit can be prevented.
In addition, since a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluorine resin film has a small dielectric loss tangent, a copper-clad laminate using a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluorine resin film and the surface-treated copper foil according to the present invention Boards and printed circuit boards are suitable for high frequency circuits (circuits that transmit signals at high frequencies). In addition, the surface-treated copper foil according to the present invention has a small surface roughness Rz and a high glossiness, so that the surface is smooth and is suitable for high frequency circuit applications. In the present invention, a "printed wiring board" includes a printed wiring board on which components are mounted, a printed circuit board and a printed circuit board.

貼り合わせの方法は、リジッドPWB用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を表面処理面Sからプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。FPCの場合、ポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層板を製造することができる。
ポリイミド基材樹脂の厚みは特に制限を受けるものではないが、一般的に25μmや50μmが挙げられる。
In the case of a rigid PWB, a method of bonding is to impregnate a base material such as a glass cloth with a resin and prepare a prepreg in which the resin is cured to a semi-cured state. It can be carried out by overlapping the copper foil from the surface treatment surface S on the prepreg and heating and pressing it. In the case of FPC, lamination adhesion is carried out to copper foil under high temperature and high pressure through a base material such as a polyimide film through an adhesive or without using an adhesive, or a polyimide precursor is applied / dried / cured etc. Can produce a laminate.
The thickness of the polyimide base resin is not particularly limited, but generally 25 μm or 50 μm.

本発明の積層体は各種のプリント配線板(PWB)に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面PWB、両面PWB、多層PWB(3層以上)に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドPWB、フレキシブルPWB(FPC)、リジッド・フレックスPWBに適用可能である。   The laminate of the present invention can be used for various printed wiring boards (PWBs), and is not particularly limited. For example, from the viewpoint of the number of conductor pattern layers, single-sided PWBs, double-sided PWBs, multilayer PWBs (3 The present invention is applicable to rigid PWBs, flexible PWBs (FPCs), and rigid flex PWBs from the viewpoint of the type of insulating substrate material.

(積層板及びそれを用いたプリント配線板の位置決め方法)
本発明の表面処理銅箔と樹脂基板との積層板の位置決めをする方法について説明する。まず、表面処理銅箔と樹脂基板との積層板を準備する。本発明の表面処理銅箔と樹脂基板との積層板の具体例としては、本体基板と付属の回路基板と、それらを電気的に接続するために用いられる、ポリイミド等の樹脂基板の少なくとも一方の表面に銅配線が形成されたフレキシブルプリント基板とで構成される電子機器において、フレキシブルプリント基板を正確に位置決めして当該本体基板及び付属の回路基板の配線端部に圧着させて作製される積層板が挙げられる。すなわち、この場合であれば、積層板は、フレキシブルプリント基板及び本体基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層体、或いは、フレキシブルプリント基板及び回路基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層板となる。積層板は、当該銅配線の一部や別途材料で形成したマークを有している。マークの位置については、当該積層板を構成する樹脂越しにCCDカメラ等の撮影手段で撮影可能な位置であれば特に限定されない。なお、本発明の表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層(キャリアを有する極薄銅層)である場合には、表面処理銅箔と樹脂基板との積層板から必要に応じてキャリアを除去する。
(Laminated board and method of positioning printed wiring board using the same)
The method of positioning the laminate of the surface-treated copper foil of the present invention and the resin substrate will be described. First, a laminate of surface-treated copper foil and a resin substrate is prepared. Specific examples of the laminate of the surface-treated copper foil and the resin substrate of the present invention include at least one of the main substrate and the attached circuit substrate, and a resin substrate such as polyimide used to electrically connect them. In an electronic device configured of a flexible printed circuit board having a copper wiring formed on the surface, a laminated board manufactured by correctly positioning the flexible printed circuit board and pressing the flexible printed circuit board to the wiring end of the main circuit board and the attached circuit board Can be mentioned. That is, in this case, in the laminated board, a laminate obtained by bonding the flexible printed circuit board and the wiring end of the main substrate by pressure bonding, or the wiring end of the flexible printed circuit and the circuit board is bonded by pressure bonding Become a laminated board. The laminate has a part of the copper wiring and a mark formed of a separate material. The position of the mark is not particularly limited as long as it can be photographed by a photographing means such as a CCD camera through the resin constituting the laminate. In the case where the surface-treated copper foil of the present invention is an ultrathin copper layer (an ultrathin copper layer having a carrier) of a copper foil with a carrier, a laminate of the surface treated copper foil and a resin substrate may be used as needed. Remove the carrier.

このように準備された積層板において、上述のマークを樹脂越しに撮影手段で撮影すると、前記マークの位置を良好に検出することができる。そして、このようにして前記マークの位置を検出して、前記検出されたマークの位置に基づき表面処理銅箔と樹脂基板との積層板の位置決めを良好に行うことができる。また、積層板としてプリント配線板を用いた場合も同様に、このような位置決め方法によって撮影手段がマークの位置を良好に検出し、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。   In the laminate prepared as above, when the above mark is photographed by the photographing means through the resin, the position of the mark can be detected favorably. And the position of the said mark can be detected in this way, and the positioning of the laminated board of a surface-treated copper foil and a resin substrate can be performed favorably based on the position of the said detected mark. Also, even when a printed wiring board is used as a laminate, similarly, the imaging means can detect the position of the mark well by such a positioning method, and the printed wiring board can be positioned more accurately.

そのため、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上すると考えられる。なお、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する方法としては半田付けや異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film、ACF)を介した接続、異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste、ACP)を介した接続または導電性を有する接着剤を介しての接続など公知の接続方法を用いることができる。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を2つ以上接続して、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。さらに、本発明のプリント配線板を、部品と接続してプリント配線板を製造してもよい。また、本発明のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続し、さらに、本発明のプリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板と、部品とを接続することで、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造してもよい。ここで、「部品」としては、コネクタやLCD(Liquid Cristal Display)、LCDに用いられるガラス基板などの電子部品、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large scale integrated circuit)、VLSI(Very Large scale integrated circuit)、ULSI (Ultra−Large Scale Integrated circuit)などの半導体集積回路を含む電子部品(例えばICチップ、LSIチップ、VLSIチップ、ULSIチップ)、電子回路をシールドするための部品およびプリント配線板にカバーなどを固定するために必要な部品等が挙げられる。   Therefore, when connecting one printed wiring board to another printed wiring board, it is considered that connection failure is reduced and the yield is improved. In addition, as a method of connecting one printed wiring board and another printed wiring board, soldering, connection via an anisotropic conductive film (Anisotropic Conductive Film, ACF), anisotropic conductive paste (Anisotropic Conductive Paste, A known connection method such as connection via ACP) or connection via an adhesive having conductivity can be used. In the present invention, a "printed wiring board" includes a printed wiring board on which components are mounted, a printed circuit board and a printed circuit board. In addition, two or more printed wiring boards of the present invention can be connected to produce a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected, and at least one printed wiring board of the present invention and another Two printed wiring boards according to the present invention or printed wiring boards not corresponding to the printed wiring board according to the present invention can be connected, and electronic devices can be manufactured using such printed wiring boards. In the present invention, "copper circuit" includes copper wiring. Furthermore, the printed wiring board of the present invention may be connected to components to produce a printed wiring board. Further, at least one printed wiring board of the present invention is connected to another printed wiring board of the present invention or a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board of the present invention, and the printed wiring board of the present invention A printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected may be manufactured by connecting a printed wiring board connected with one or more components and a component. Here, "parts" include electronic parts such as connectors, LCDs (Liquid Cristal Display), glass substrates used for LCDs, Integrated Circuits (ICs), Large scale integrated circuits (LSI), Very Large scale integrated circuits (VLSI). ), Electronic components including semiconductor integrated circuits such as ULSI (Ultra-Large Scale Integrated circuits) (for example, IC chips, LSI chips, VLSI chips, ULSI chips), components for shielding electronic circuits, covers for printed wiring boards, etc. Parts required to fix the

なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は積層板(銅箔と樹脂基板との積層板やプリント配線板を含む)を移動させる工程を含んでいてもよい。移動工程においては例えばベルトコンベヤーやチェーンコンベヤーなどのコンベヤーにより移動させてもよく、アーム機構を備えた移動装置により移動させてもよく、気体を用いて積層板を浮遊させることで移動させる移動装置や移動手段により移動させてもよく、略円筒形などの物を回転させて積層板を移動させる移動装置や移動手段(コロやベアリングなどを含む)、油圧を動力源とした移動装置や移動手段、空気圧を動力源とした移動装置や移動手段、モーターを動力源とした移動装置や移動手段、ガントリ移動型リニアガイドステージ、ガントリ移動型エアガイドステージ、スタック型リニアガイドステージ、リニアモーター駆動ステージなどのステージを有する移動装置や移動手段などにより移動させてもよい。また、公知の移動手段による移動工程を行ってもよい。
なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は表面実装機やチップマウンターに用いてもよい。
また、本発明において位置決めされる表面処理銅箔と樹脂基板との積層板が、樹脂板及び前記樹脂板の上に設けられた回路を有するプリント配線板であってもよい。また、その場合、前記マークが前記回路であってもよい。
The positioning method according to the embodiment of the present invention may include the step of moving a laminate (including a laminate of a copper foil and a resin substrate and a printed wiring board). In the moving process, for example, it may be moved by a conveyor such as a belt conveyor or a chain conveyor, or may be moved by a moving device provided with an arm mechanism, or a moving device which moves by floating the laminate using gas. It may be moved by a moving means, or a moving device or moving means (including rollers, bearings, etc.) for moving the laminate by rotating an approximately cylindrical object or the like, a moving device or moving means using hydraulic pressure as a power source, Moving devices and moving means powered by air pressure, moving devices and moving means powered by motor, gantry moving linear guide stage, gantry moving air guide stage, stacked linear guide stage, linear motor drive stage, etc. It may be moved by a moving device having a stage or moving means. Further, the moving step may be performed by a known moving means.
The positioning method according to the embodiment of the present invention may be used for a surface mounter or a chip mounter.
Moreover, the printed wiring board which has a circuit board provided on the resin board and the said resin board may be sufficient as the laminated board of the surface-treated copper foil and the resin substrate which are positioned in this invention. Also, in this case, the mark may be the circuit.

本発明において「位置決め」とは「マークや物の位置を検出すること」を含む。また、本発明において、「位置合わせ」とは、「マークや物の位置を検出した後に、前記検出した位置に基づいて、当該マークや物を所定の位置に移動すること」を含む。
なお、プリント配線板においては、印刷物のマークの代わりにプリント配線板上の回路をマークとして、樹脂越しに当該回路をCCDカメラで撮影してSvの値を測定することができる。また、銅張積層板については、銅をエッチングによりライン状とした後に、印刷物のマークの代わりに当該ライン状とした銅をマークとして、樹脂越しに当該ライン状とした銅をCCDカメラで撮影してSvの値を測定することができる。
In the present invention, "positioning" includes "detecting the position of a mark or an object". Further, in the present invention, “alignment” includes “moving the mark or the object to a predetermined position based on the detected position after detecting the position of the mark or the object”.
In the printed wiring board, a circuit on the printed wiring board can be used as a mark instead of the mark on the printed matter, and the circuit can be photographed with a CCD camera through resin to measure the value of Sv. In addition, for copper-clad laminates, copper is made into a line by etching, and then the line-shaped copper is taken as a mark instead of the printed mark, and the line-shaped copper is photographed with a CCD camera. The value of Sv can be measured.

実施例1〜10、実施例15〜20及び比較例1〜5として、表1に記載の各銅箔を準備し、一方の表面に、表面処理として表2に記載の条件にてめっき処理を行った。
また、実施例11〜14については表1に記載の各種キャリアを準備し、下記条件で、キャリアの表面に中間層を形成し、中間層の表面に極薄銅層を形成した。そして、極薄銅層の表面に表2に記載の表面処理を行った。
なお、粗化処理を行わない表面処理銅箔も準備した。表2の「表面処理」の「粗化処理」欄の「無」は、表面処理が粗化処理でないことを示し、「有」は、表面処理が粗化処理であることを示す。
・実施例11
<中間層>
(1)Ni層(Niめっき)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより1000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
硫酸ニッケル:270〜280g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
ホウ酸:30〜40g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
pH:4〜6
浴温:55〜65℃
電流密度:10A/dm2
(2)Cr層(電解クロメート処理)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でNi層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0g/L
pH:7〜10
液温:40〜60℃
電流密度:2A/dm2
<極薄銅層>
次に、(2)にて形成したCr層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Cr層の上に厚み1.5μmの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
銅濃度:90〜110g/L
硫酸濃度:90〜110g/L
塩化物イオン濃度:50〜90ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
なお、レべリング剤2として下記のアミン化合物を用いた。
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
電解液温度:50〜80℃
電流密度:100A/dm2
電解液線速:1.5〜5m/sec
・実施例12
<中間層>
(1)Ni−Mo層(ニッケルモリブデン合金めっき)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより3000μg/dm2の付着量のNi-Mo層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
(液組成)硫酸Ni六水和物:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
<極薄銅層>
(1)で形成したNi-Mo層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを3μmとした以外は実施例11と同様の条件で極薄銅層を形成した。
・実施例13
<中間層>
(1)Ni層(Niめっき)
実施例11と同じ条件でNi層を形成した。
(2)有機物層(有機物層形成処理)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、下記の条件でNi層表面に対して濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより有機物層を形成した。
<極薄銅層>
(2)で形成した有機物層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを2μmとした以外は実施例11と同様の条件で極薄銅層を形成した。
・実施例14
<中間層>
(1)Co-Mo層(コバルトモリブデン合金めっき)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより4000μg/dm2の付着量のCo-Mo層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
(液組成)硫酸Co:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
<極薄銅層>
(1)で形成したCo-Mo層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを5μmとした以外は実施例11と同様の条件で極薄銅層を形成した。
The copper foils described in Table 1 are prepared as Examples 1 to 10, Examples 15 to 20, and Comparative Examples 1 to 5, and plating treatment is performed on one surface under the conditions described in Table 2 as surface treatment. went.
In Examples 11 to 14, various carriers described in Table 1 were prepared, and an intermediate layer was formed on the surface of the carrier under the following conditions, and an ultrathin copper layer was formed on the surface of the intermediate layer. Then, the surface treatment described in Table 2 was performed on the surface of the ultrathin copper layer.
In addition, the surface-treated copper foil which does not perform a roughening process was also prepared. "None" in the "roughening treatment" column of "surface treatment" in Table 2 indicates that the surface treatment is not roughening treatment, and "presence" indicates that the surface treatment is roughening treatment.
Example 11
<Middle class>
(1) Ni layer (Ni plating)
The carrier was electroplated on a continuous roll-to-roll plating line under the following conditions to form a 1000 μg / dm 2 adhesion amount Ni layer. Specific plating conditions are described below.
Nickel sulfate: 270 to 280 g / L
Nickel chloride: 35 to 45 g / L
Nickel acetate: 10 to 20 g / L
Boric acid: 30 to 40 g / L
Brightener: Saccharin, butynediol, etc. Sodium dodecyl sulfate: 55 to 75 ppm
pH: 4 to 6
Bath temperature: 55 to 65 ° C
Current density: 10A / dm 2
(2) Cr layer (electrolytic chromate treatment)
Next, after washing the surface of the Ni layer formed in (1) with water and pickling, a Cr layer of 11 μg / dm 2 deposited on the Ni layer on a continuous roll-to-roll plating line. It was made to adhere by carrying out an electrolytic chromate process on condition of the following.
Potassium dichromate 1 to 10 g / L, zinc 0 g / L
pH: 7 to 10
Liquid temperature: 40 to 60 ° C
Current density: 2A / dm 2
<Ultra-thin copper layer>
Next, after washing and pickling the surface of the Cr layer formed in (2), a 1.5 μm-thick ultra-thin copper layer is subsequently formed on the Cr layer on a roll-to-roll type continuous plating line. It formed by electroplating on condition of the following, and produced the carrier with ultra-thin copper foil.
Copper concentration: 90 to 110 g / L
Sulfuric acid concentration: 90 to 110 g / L
Chloride ion concentration: 50 to 90 ppm
Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
The following amine compound was used as leveling agent 2.
(In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of hydroxyalkyl group, ether group, aryl group, aromatic substituted alkyl group, unsaturated hydrocarbon group, alkyl group.)
Electrolyte temperature: 50-80 ° C
Current density: 100A / dm 2
Electrolyte linear velocity: 1.5 to 5 m / sec
Example 12
<Middle class>
(1) Ni-Mo layer (nickel-molybdenum alloy plating)
The carrier was electroplated on a continuous roll-to-roll plating line under the following conditions to form a Ni-Mo layer with a loading of 3000 μg / dm 2 . Specific plating conditions are described below.
(Liquid composition) Nitric acid sulfate hexahydrate: 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds <very thin copper layer>
An ultra-thin copper layer was formed on the Ni-Mo layer formed in (1). An ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 11 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 3 μm.
Example 13
<Middle class>
(1) Ni layer (Ni plating)
A Ni layer was formed under the same conditions as in Example 11.
(2) Organic matter layer (organic matter layer formation processing)
Next, the surface of the Ni layer formed in (1) is washed with water and acid, and subsequently, the solution temperature contains 1 to 30 g / L of carboxybenzotriazole (CBTA) with respect to the surface of the Ni layer under the following conditions. The organic layer was formed by showering and spraying an aqueous solution at 40 ° C. and pH 5 for 20 to 120 seconds.
<Ultra-thin copper layer>
An ultrathin copper layer was formed on the organic layer formed in (2). An ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 11 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 2 μm.
Example 14
<Middle class>
(1) Co-Mo layer (cobalt molybdenum alloy plating)
The carrier was electroplated on a continuous roll-to-roll plating line under the following conditions to form a Co-Mo layer with a loading of 4000 μg / dm 2 . Specific plating conditions are described below.
(Liquid composition) sulfuric acid Co: 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds <very thin copper layer>
An ultra-thin copper layer was formed on the Co-Mo layer formed in (1). An ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 11 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 5 μm.

なお、圧延銅箔(表1の「種類」欄の「タフピッチ銅」は圧延銅箔であることを示す。)は以下のように製造した。所定の銅インゴットを製造し、熱間圧延を行った後、300〜800℃の連続焼鈍ラインの焼鈍と冷間圧延を繰り返して1〜2mm厚の圧延板を得た。この圧延板を300〜800℃の連続焼鈍ラインで焼鈍して再結晶させ、表1の厚みまで表1に記載の条件で最終冷間圧延し、銅箔を得た。表1の「タフピッチ銅」はJIS H3100 C1100に規格されているタフピッチ銅を示す。
なお、表1に表面処理前の銅箔作製工程のポイントを記載した。「高光沢圧延」は、最終の冷間圧延(最終の再結晶焼鈍後の冷間圧延)を記載の油膜当量の値で行ったことを意味する。なお、実施例1、2については銅箔の厚みが6μm、12μm、35μmである銅箔も製造した。
なお、実施例2のレべリング剤1、レべリング剤2は上述の実施例11〜14における極薄銅層形成時のメッキ浴に使用したレべリング剤1、レべリング剤2と同じとした。
また、実施例2については析出面(電解銅箔製造時に電解ドラムに接している側の面とは反対側の面)に所定の表面処理を行った。また、表1の電解銅箔については析出面側の表面粗さRzおよび光沢度を記載している。
なお、実施例1〜3、実施例5〜10、及び、比較例1で得られた表面処理銅箔について、他方の表面に表4に記載の表面処理を行った表面処理銅箔も製造した。ここで、表4の「実施例No.−数字」は実施例で得られた表面処理銅箔の他方の表面に表4に記載の表面処理を行ったことを意味する。例えば、表4において、「実施例1−1」は、実施例1の他方の表面に表4に記載の表面処理を行ったものであり、「実施例2−1」は、実施例2の他方の表面に表4に記載の表面処理を行ったものである。
In addition, rolled copper foil ("tough pitch copper" of the "type" column of Table 1 shows that it is a rolled copper foil.) Was manufactured as follows. After predetermined copper ingots were produced and subjected to hot rolling, annealing and cold rolling of a continuous annealing line at 300 to 800 ° C. were repeated to obtain a rolled sheet having a thickness of 1 to 2 mm. The rolled sheet was annealed and recrystallized in a continuous annealing line at 300 to 800 ° C., and finally cold-rolled to the thickness shown in Table 1 under the conditions described in Table 1 to obtain a copper foil. "Tough pitch copper" of Table 1 shows tough pitch copper standardized to JIS H3100 C1100.
In addition, the point of the copper foil preparation process before surface treatment was described in Table 1. "High gloss rolling" means that the final cold rolling (cold rolling after final recrystallization annealing) was performed at the value of the oil film equivalent value described. In Examples 1 and 2, copper foils having thicknesses of 6 μm, 12 μm, and 35 μm were also produced.
The leveling agent 1 and the leveling agent 2 in Example 2 are the leveling agent 1 and the leveling agent 2 used in the plating bath at the time of forming the ultrathin copper layer in Examples 11 to 14 described above. Same.
Moreover, about Example 2, predetermined | prescribed surface treatment was performed to the precipitation surface (surface on the opposite side to the surface on the side which is in contact with the electrolytic drum at the time of electrolytic copper foil manufacture). In addition, for the electrodeposited copper foil of Table 1, the surface roughness Rz and the degree of gloss on the deposition surface side are described.
In addition, the surface-treated copper foil which surface-treated in Table 4 in the other surface was manufactured also about the surface-treated copper foil obtained by Examples 1-3, Examples 5-10, and the comparative example 1 was also manufactured. . Here, "Example No.-number" in Table 4 means that the surface treatment described in Table 4 was performed on the other surface of the surface-treated copper foil obtained in the example. For example, in Table 4, “Example 1-1” is the other surface of Example 1 subjected to the surface treatment described in Table 4, and “Example 2-1” is the same as Example 2. The other surface was subjected to the surface treatment described in Table 4.

上述のようにして作製した実施例及び比較例の各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
(1−1)表面粗さ(Rz)の測定;
各実施例、比較例の表面処理後の銅箔について、株式会社小阪研究所製接触式粗さ計Surfcorder SE−3Cを使用してJIS B0601−1994に準拠して十点平均粗さを表面処理面について測定した。測定基準長さ0.8mm、評価長さ4mm、カットオフ値0.25mm、送り速さ0.1mm/秒の条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向(圧延時の銅箔の進行方向:TD、すなわち幅方向)に測定位置を変えて、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向(TD、すなわち幅方向)に測定位置を変えて、それぞれ10回行い、10回の測定値の平均値を表面粗さ(Rz)の値とした。表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、極薄銅層の表面処理面について上記の測定を行った。
なお、表面処理前の銅箔についても、同様にして表面粗さ(Rz)を求めておいた。
Various evaluations were performed as follows about each sample of the Example and comparative example which were produced as mentioned above.
(1-1) Measurement of surface roughness (Rz);
About the copper foil after the surface treatment of each example and comparative example, the Kosaka research institute Co., Ltd. product contact-type roughness meter Surfcorder SE-3C is used and surface treatment of ten-point average roughness is carried out based on JIS B0601-1994. The surface was measured. Under the conditions of measurement standard length 0.8 mm, evaluation length 4 mm, cut-off value 0.25 mm, feed speed 0.1 mm / sec, for rolled copper foil, the direction perpendicular to the rolling direction Travel direction: Change the measurement position to TD, that is, the width direction, or, for electro-deposited copper foil, measure position in the direction (TD, ie, the width direction) perpendicular to the travel direction of electro-deposited copper foil in the electrolytic copper foil manufacturing equipment Was changed ten times each, and the average value of ten measurements was taken as the value of the surface roughness (Rz). When the surface-treated copper foil is the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier, the above measurement was performed on the surface-treated surface of the ultrathin copper layer.
In addition, surface roughness (Rz) was similarly calculated | required about the copper foil before surface treatment.

(1−2)表面の二乗平均平方根高さRqの測定;
各実施例、比較例の表面処理後の銅箔の表面処理面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000にて、銅箔表面の二乗平均平方根高さRqを測定した。評価長さ647μm、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向(TD)の測定で、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向(TD)の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面の二乗平均平方根高さRqの測定環境温度は23〜25℃とした。表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、極薄銅層の表面処理面について上記の測定を行った。
(1-2) Measurement of the root mean square height Rq of the surface;
About the surface treatment surface of the copper foil after surface treatment of each Example and a comparative example, root mean square height Rq of the copper foil surface was measured with Olympus Corporation laser microscope OLS4000. Evaluation length 647μm, with a cutoff value of zero, for rolled copper foil, measurement in the direction (TD) perpendicular to the rolling direction, or for electrodeposited copper foil, progress of electrodeposited copper foil in a device for producing electrodeposited copper foil Each value was determined by measurement in the direction (TD) perpendicular to the direction. In addition, the measurement environmental temperature of the root mean square height Rq of the surface by a laser microscope was 23-25 degreeC. When the surface-treated copper foil is the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier, the above measurement was performed on the surface-treated surface of the ultrathin copper layer.

(2)他方の表面(表面処理表面Sではない銅箔表面)の表面粗さの測定;
各実施例、比較例の他方の表面については非接触式の方法を用いて表面の粗さを測定することが好ましい。具体的にはレーザー顕微鏡で測定した粗さの値で各実施例、比較例の表面処理後の他方の表面の状態を評価する。表面の状態をより詳細に評価することができるからである。
(2) Measurement of surface roughness of the other surface (copper foil surface not surface treated surface S);
It is preferable to measure surface roughness using the non-contact method about the other surface of each Example and a comparative example. Specifically, the condition of the other surface after the surface treatment of each example and comparative example is evaluated by the value of roughness measured with a laser microscope. This is because the surface condition can be evaluated in more detail.

・表面粗さ(Rz)の測定;
各実施例、比較例の表面処理銅箔の他方の表面(他方の表面に表面処理を行った場合は、表面処理後の他方の表面)について、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000にて、表面粗さ(十点平均粗さ)RzをJIS B0601 1994に準拠して測定した。対物レンズ50倍を使用して、銅箔表面の観察において評価長さ258μm、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向(TD)の測定で、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向(TD)の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面粗さRzの測定環境温度は23〜25℃とした。Rzを任意に10箇所測定し、そのRzの10箇所の平均値を表面粗さ(十点平均粗さ)Rzの値とした。また、測定に用いたレーザー顕微鏡のレーザー光の波長は405nmとした。なお、表面処理表面Sについても同様の測定を行った。
・ Measurement of surface roughness (Rz);
The surface roughness of the other surface of each of the surface-treated copper foils of the examples and the comparative examples (the other surface after the surface treatment when the other surface is subjected to the surface treatment) was subjected to surface roughness using a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus Corporation. (Ten-point average roughness) Rz was measured in accordance with JIS B0601 1994. Using a 50 × objective lens, evaluation length of 258 μm in observation of copper foil surface, with a cutoff value of zero, for a rolled copper foil by measurement in the direction (TD) perpendicular to the rolling direction, or electrolytic copper About foil, each value was calculated | required by measurement of the direction (TD) perpendicular | vertical to the advancing direction of the electrolytic copper foil in the manufacturing apparatus of an electrolytic copper foil. In addition, the measurement environmental temperature of surface roughness Rz by a laser microscope was 23-25 degreeC. Rz was arbitrarily measured at 10 points, and the average value of the 10 points of Rz was taken as the value of surface roughness (ten-point average roughness) Rz. Moreover, the wavelength of the laser beam of the laser microscope used for measurement was 405 nm. The same measurement was performed for the surface treated surface S.

・表面の二乗平均平方根高さRqの測定;
各実施例、比較例の表面処理銅箔の他方の表面(他方の表面に表面処理を行った場合は、表面処理後の他方の表面)について、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000にて、銅箔表面の二乗平均平方根高さRqをJIS B0601 2001に準拠して測定した。対物レンズ50倍を使用して、銅箔表面の観察において評価長さ258μm、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向(TD)の測定で、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向(TD)の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面の二乗平均平方根高さRqの測定環境温度は23〜25℃とした。Rqを任意に10箇所測定し、そのRqの10箇所の平均値を二乗平均平方根高さRqの値とした。また、測定に用いたレーザー顕微鏡のレーザー光の波長は405nmとした。なお、表面処理表面Sについても同様の測定を行った。
・ Measurement of root mean square height Rq of surface;
The other surface of the surface-treated copper foil of each example and comparative example (the other surface after the surface treatment when the other surface is subjected to the surface treatment) is a copper foil surface with a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus Corporation. The root mean square height Rq of was measured in accordance with JIS B0601 2001. Using a 50 × objective lens, evaluation length of 258 μm in observation of copper foil surface, with a cutoff value of zero, for a rolled copper foil by measurement in the direction (TD) perpendicular to the rolling direction, or electrolytic copper About foil, each value was calculated | required by measurement of the direction (TD) perpendicular | vertical to the advancing direction of the electrolytic copper foil in the manufacturing apparatus of an electrolytic copper foil. In addition, the measurement environmental temperature of the root mean square height Rq of the surface by a laser microscope was 23-25 degreeC. Rq was arbitrarily measured at 10 points, and the average value of 10 points of Rq was taken as the value of root mean square height Rq. Moreover, the wavelength of the laser beam of the laser microscope used for measurement was 405 nm. The same measurement was performed for the surface treated surface S.

・表面の算術平均粗さRaの測定;
各実施例・比較例の銅箔の他方の表面(他方の表面に表面処理を行った場合は、表面処理後の他方の表面)について、表面粗さRaを、JIS B0601−1994に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000にて測定した。対物レンズ50倍を使用して、銅箔表面の観察において評価長さ258μm、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向(TD)の測定で、また、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向(TD)の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面の算術平均粗さRaの測定環境温度は23〜25℃とした。Raを任意に10箇所測定し、そのRaの10箇所の平均値を算術平均粗さRaの値とした。また、測定に用いたレーザー顕微鏡のレーザー光の波長は405nmとした。なお、表面処理表面Sについても同様の測定を行った。
・ Measurement of surface arithmetic mean roughness Ra;
Based on JIS B0601-1994, the surface roughness Ra of the other surface of the copper foil of each Example and Comparative Example (the other surface after surface treatment when the other surface is subjected to surface treatment) , And a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus Corporation. Electrolyzed copper by measurement (direction TD perpendicular to the rolling direction) for rolled copper foil under the condition of evaluation length of 258 μm in observation of copper foil surface and cutoff value of zero using objective lens 50 times About foil, each value was calculated | required by measurement of the direction (TD) perpendicular | vertical to the advancing direction of the electrolytic copper foil in the manufacturing apparatus of an electrolytic copper foil. In addition, the measurement environmental temperature of arithmetic mean roughness Ra of the surface by a laser microscope was 23-25 degreeC. Ra was arbitrarily measured at 10 points, and the average value of 10 points of the Ra was taken as the value of the arithmetic average roughness Ra. Moreover, the wavelength of the laser beam of the laser microscope used for measurement was 405 nm. The same measurement was performed for the surface treated surface S.

(3)銅箔表面の面積比(A/B);
銅箔表面の表面積はレーザー顕微鏡による測定法を使用した。各実施例、比較例の表面処理後の銅箔の表面処理面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000を用いて処理表面の倍率20倍における647μm×646μm相当面積B(実データでは417,953μm2)における三次元表面積Aを測定して、三次元表面積A÷二次元表面積B=面積比(A/B)とする手法により設定を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Aの測定環境温度は23〜25℃とした。表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、極薄銅層の表面処理面について上記の測定を行った。
(3) Area ratio of copper foil surface (A / B);
The surface area of the copper foil surface was measured by a laser microscope. The surface treated surface of the copper foil after the surface treatment of each example and comparative example, using a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus, has an area B equivalent to 647 μm × 646 μm at 20 times magnification of the treated surface (actual data is 417, 953 μm 2 ) The three-dimensional surface area A in was measured, and the setting was performed by the method of three-dimensional surface area A / two-dimensional surface area B = area ratio (A / B). In addition, the measurement environmental temperature of the three-dimensional surface area A by a laser microscope was 23-25 degreeC. When the surface-treated copper foil is the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier, the above measurement was performed on the surface-treated surface of the ultrathin copper layer.

(4)光沢度;
JIS Z8741に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターPG−1を使用し、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向(TD)の入射角60度での光沢度、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向に垂直な方向(TD)の入射角60度での光沢度を、それぞれ表面処理前の銅箔について測定した。
(4) glossiness;
Glossmeter Handy Gloss Meter PG-1 manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd. in accordance with JIS Z8741 is used. For rolled copper foils, the glossiness at an incident angle of 60 degrees in the direction (TD) perpendicular to the rolling direction, or For the electrodeposited copper foil, the glossiness at an incident angle of 60 degrees in the direction (TD) perpendicular to the traveling direction of the electrodeposited copper foil in the production apparatus of the electrodeposited copper foil was measured for each of the copper foils before surface treatment.

(5)明度曲線の傾き
表面処理銅箔を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))の両面に貼り合わせ、表面処理銅箔をエッチング(塩化第二鉄水溶液)で除去してサンプルフィルムを作製した。なお、表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、キャリア付銅箔を極薄銅層の表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルムの両面に貼り合わせ、その後、キャリアを剥離した後に、極薄銅層をエッチング(塩化第二鉄水溶液)で除去してサンプルフィルムを作製した。続いて、ライン状の黒色マークを印刷した印刷物を、サンプルフィルムの下に敷いて、印刷物をサンプルフィルム越しにCCDカメラ(8192画素のラインCCDカメラ)で撮影し、撮影によって得られた画像について、観察されたライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線の傾き(角度)を測定した。このとき用いた撮影装置の構成及び明度曲線の傾きの測定方法を表す模式図を図3に示す。
また、ΔB及びt1、t2、Svは、図2で示すように下記撮影装置で測定した。なお、横軸の1ピクセルは10μm長さに相当する。
なお、明度曲線の傾きの測定に用いるポリイミドフィルムは、銅箔に張り合わせ前のΔB(ΔB(PI))の値が50以上65以下であればどのようなポリイミドフィルムを用いてもよい。なお、本実施例、比較例に用いたポリイミドフィルムのΔB(PI)の値は50以上65以下(例えば59)であった。
上記「ライン状の黒色マークを印刷した印刷物」は、光沢度43.0±2の白色の光沢紙上にJIS P8208(1998)(図1 きょう雑物計測図表のコピー)及びJIS P8145(2011)(附属書JA(規定)目視法異物比較チャート 図JA.1−目視法異物比較チャートのコピー)のいずれにも採用されている図9に示す透明フィルムに各種の線等が印刷されたきょう雑物(夾雑物)(株式会社朝陽会製 品名:「きょう雑物測定図表-フルサイズ判」 品番:JQA160−20151−1(独立行政法人国立印刷局で製造された))を載せたものを使用した。
上記光沢紙の光沢度は、JIS Z8741に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターPG−1を使用し、入射角60度で測定した。
撮影装置は、CCDカメラ、マークを付した紙(夾雑物を載せた光沢紙)を下に置いたポリイミド基板を置くステージ(白色)、ポリイミド基板の撮影部に光を照射する照明用電源、撮影対象のマークが付された紙を下に置いた評価用ポリイミド基板をステージ上に搬送する搬送機(不図示)を備えている。当該撮影装置の主な仕様を以下に示す:
・撮影装置:株式会社ニレコ製シート検査装置Mujiken
・ラインCCDカメラ:8192画素(160MHz)、1024階調ディジタル(10ビット)
・照明用電源:高周波点灯電源(電源ユニット×2)
・照明:蛍光灯(30W、形名:FPL27EX−D、ツイン蛍光灯)
Sv測定用のラインは、0.7mm2の図9の夾雑物に描かれた矢印で示すラインを使用した。当該ラインの幅は0.3mmである。また、ラインCCDカメラ視野は図9の点線の配置とした。
ラインCCDカメラによる撮影では、フルスケール256階調にて信号を確認し、測定対象のポリイミドフィルム(ポリイミド基板)を置かない状態で、印刷物の黒色マークが存在しない箇所(上記白色の光沢紙の上に上記透明フィルムを載せ、透明フィルム側から夾雑物に印刷されているマーク外の箇所をCCDカメラで測定した場合)のピーク階調信号が230±5に収まるようにレンズ絞りを調整した。カメラスキャンタイム(カメラのシャッターが開いている時間、光を取り込む時間)は250μ秒固定とし、上記階調以内に収まるようにレンズ絞りを調整した。
なお、プリント配線板および銅張積層板について、ライン状の銅箔をマークとしてΔB並びにSvを測定する場合には、ライン状にした銅箔の背面に光沢度43.0±2の白色の光沢紙を敷き、当該ポリイミドフィルム越しにCCDカメラ(8192画素のラインCCDカメラ)で撮影し、撮影によって得られた画像について、観察された銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、マークの端部からマークがない部分にかけて生じる明度曲線からΔB及びt1、t2、Svを測定する以外は、上記の「ライン状の黒色マークを印刷した印刷物」を用いてΔB並びにSvを測定した条件と同じとする。
なお、図3に示された明度について、0は「黒」を意味し、明度255は「白」を意味し、「黒」から「白」までの灰色の程度(白黒の濃淡、グレースケール)を256階調に分割して表示している。
(5) Inclination of lightness curve From the surface side of the surface-treated copper foil, a polyimide film (Kaneka thickness 50 μm (PixEo for two-layer copper-clad laminates (polyimide type: FRS), copper) Bonded to both sides of polyimide film with adhesive layer for tension laminates, PMDA (pyromellitic anhydride) -based polyimide film (PMDA-ODA (4, 4'-diaminodiphenyl ether) -based polyimide film)), and surface treatment The copper foil was removed by etching (ferric chloride aqueous solution) to prepare a sample film. When the surface-treated copper foil is an ultrathin copper layer of copper foil with carrier, the copper foil with carrier is attached to both sides of the polyimide film from the surface side where the surface treatment of the ultrathin copper layer is performed, Then, after peeling off the carrier, the ultrathin copper layer was removed by etching (aqueous ferric chloride solution) to prepare a sample film. Subsequently, the printed matter on which the line-like black mark is printed is placed under the sample film, and the printed matter is photographed through the sample film with a CCD camera (line CCD camera of 8192 pixels). Observation point-brightness graph produced by measuring the lightness at each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, occurs from the end of the mark to the part where the mark is not drawn The slope (angle) of the lightness curve was measured. FIG. 3 is a schematic view showing the configuration of the photographing apparatus used at this time and the method of measuring the inclination of the lightness curve.
In addition, ΔB and t1, t2 and Sv were measured by the following imaging apparatus as shown in FIG. Note that one pixel on the horizontal axis corresponds to 10 μm in length.
In addition, as a polyimide film used for the measurement of the inclination of a brightness curve, as long as the value of (DELTA) B ((DELTA) B (PI)) before bonding to copper foil is 50 or more and 65 or less, you may use what kind of polyimide film. In addition, the value of (DELTA) B (PI) of the polyimide film used for the present Example and the comparative example was 50-65 (for example, 59).
The above-mentioned "printed matter on which a line-like black mark is printed" is formed on a white glossy paper having a gloss of 43.0 ± 2 according to JIS P8208 (1998) (Fig. 1 copy of the measurement chart of foreign matters) and JIS P 8145 (2011) Contamination with various lines printed on the transparent film shown in Fig. 9 which is adopted in any of Annex JA (Standard) visual method foreign matter comparison chart Fig. JA 1-Copy of visual method foreign matter comparison chart) (Miscellaneous materials) (Product name of Chaoseikai Co., Ltd. Product name: "Kyoto miscellaneous materials measurement chart-full size size" Part number: JQA 160-20151-1 (manufactured by the National Administrative Agency, Independent Administrative Agency)) .
The glossiness of the glossy paper was measured at an incident angle of 60 degrees using a glossmeter Handy Gloss Meter PG-1 manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd. according to JIS Z8741.
The imaging device includes a CCD camera, a stage (white) on which a polyimide substrate with a mark-marked paper (glossy paper on which foreign matter is placed) is placed down (white), an illumination power source for irradiating light to the imaging unit of the polyimide substrate, imaging There is provided a conveyer (not shown) for conveying the evaluation polyimide substrate on which the paper marked with the object of interest is placed on the stage. The main specifications of the imaging device are as follows:
・ Photographing device: Sheet inspection device Mujiken made by Nireko Co., Ltd.
Line CCD camera: 8192 pixels (160 MHz), 1024 gradation digital (10 bits)
・ Lighting power supply: High frequency lighting power supply (power supply unit x 2)
・ Lighting: Fluorescent lamp (30 W, Model name: FPL27EX-D, Twin fluorescent lamp)
The line for Sv measurement used the line shown by the arrow drawn to the contaminant of FIG. 9 of 0.7 mm 2 . The width of the line is 0.3 mm. In addition, the line CCD camera field of view is arranged in a dotted line in FIG.
In shooting with a line CCD camera, the signal is checked at full scale 256 gradations, and the place where the black mark of the printed matter does not exist in the state where the polyimide film (polyimide substrate) to be measured is not placed The above-mentioned transparent film was placed on the lens, and the lens aperture was adjusted so that the peak gray scale signal of the area out of the mark printed on the foreign matter from the transparent film side was measured by a CCD camera within 230 ± 5. The camera scan time (the time when the shutter of the camera is open, the time when light is taken in) was fixed at 250 μsec, and the lens aperture was adjusted to be within the above gradation.
In the case of measuring ΔB and Sv with a line-shaped copper foil as a mark for printed wiring boards and copper-clad laminates, a white gloss of 43.0 ± 2 in glossiness is formed on the back of the line-shaped copper foil. A sheet of paper is taken and photographed with a CCD camera (line CCD camera of 8192 pixels) through the polyimide film, and an image obtained by the photographing is observed for each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed copper foil extends. In the observation point-lightness graph prepared by measuring lightness, the above-mentioned “line-shaped black mark except that ΔB and t1, t2, and Sv are measured from the lightness curve generated from the end of the mark to the unmarked portion Is the same as the conditions under which ΔB and Sv were measured using the “printed matter printed”.
In the lightness shown in FIG. 3, 0 means "black" and lightness 255 means "white", and the degree of gray from "black" to "white" (black and white shades, gray scale) Is divided into 256 gradations.

(6)視認性(樹脂透明性);
表面処理銅箔を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))の両面に貼り合わせ、表面処理銅箔をエッチング(塩化第二鉄水溶液)で除去してサンプルフィルムを作成した。なお、表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、キャリア付銅箔を極薄銅層の表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルムの両面に貼り合わせ、その後、キャリアを剥離した後に、極薄銅層をエッチング(塩化第二鉄水溶液)で除去してサンプルフィルムを作製した。得られた樹脂層の一面に印刷物(直径6cmの黒色の円)を貼り付け、反対面から樹脂層越しに印刷物の視認性を判定した。印刷物の黒色の円の輪郭が円周の90%以上の長さにおいてはっきりしたものを「◎」、黒色の円の輪郭が円周の80%以上90%未満の長さにおいてはっきりしたものを「○」(以上合格)、黒色の円の輪郭が円周の0〜80%未満の長さにおいてはっきりしたもの及び輪郭が崩れたものを「×」(不合格)と評価した。
(6) Visibility (resin transparency);
Surface-treated copper foil, from the surface side where the surface treatment is performed Polyimide film (Kaneka thickness 50 μm (Pixeo for two-layer copper-clad laminate (PIDEO) (polyimide type: FRS), with adhesive layer for copper-clad laminate) Polyimide film, bonded to both sides of PMDA (Pyramellitic anhydride) -based polyimide film (PMDA-ODA (4, 4'-diaminodiphenyl ether) -based polyimide film)), surface-treated copper foil was etched The sample film was prepared by removing with aqueous diiron solution). When the surface-treated copper foil is an ultrathin copper layer of copper foil with carrier, the copper foil with carrier is attached to both sides of the polyimide film from the surface side where the surface treatment of the ultrathin copper layer is performed, Then, after peeling off the carrier, the ultrathin copper layer was removed by etching (aqueous ferric chloride solution) to prepare a sample film. Printed matter (black circle with a diameter of 6 cm) was attached to one side of the obtained resin layer, and the visibility of the printed matter was judged from the opposite side through the resin layer. If the outline of the black circle of the printed matter is clear when the length is 90% or more of the circumference, "」 ", the outline of the black circle is clear when the length is 80% or more and less than 90% of the circumference. (Circle or more pass), what the outline of a black circle clarified in the length less than 0-80% of circumference, and what the outline broke was evaluated as "x" (reject).

(7)ピール強度(接着強度);
IPC−TM−650に準拠し、引張り試験機オートグラフ100で常態ピール強度を測定し、上記常態ピール強度が0.7N/mm以上を積層基板用途に使用できるものとした。なお、ピール強度の測定は銅箔厚みを12μmとして測定を行った。厚みが12μmに満たない銅箔については銅めっきを行って銅箔厚みを12μmとした。また、厚みが12μmよりも大きい場合にはエッチングを行って銅箔厚みを12μmとした。なお、本ピール強度の測定にはカネカ製の厚み50μmのポリイミドフィルム(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))と本発明の実施例および比較例に係る表面処理銅箔の表面処理面とを張り合わせたサンプルを用いた。また、測定の際に、ポリイミドフィルムを硬質基材(ステンレスの板または合成樹脂の板(ピール強度測定中に変形しなければよい))に両面テープで、もしくは瞬間接着剤で貼り付けることにより固定した。なお、実施例11〜14については、表面処理銅箔(極薄銅層)を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))に張り合わせた後、キャリアを剥離し、ポリイミドフィルムと積層されている前記極薄銅層の厚みが12μmとなるように銅めっきを行ってからピール強度を測定した。
(7) Peel strength (adhesive strength);
According to IPC-TM-650, the normal-state peel strength was measured by a tensile tester autograph 100, and the above-mentioned normal-state peel strength of 0.7 N / mm or more could be used for laminated substrate applications. In addition, the measurement of peel strength measured copper foil thickness as 12 micrometers. About copper foil whose thickness is less than 12 micrometers, copper plating was performed and copper foil thickness was 12 micrometers. Moreover, when thickness was larger than 12 micrometers, it etched and copper foil thickness was 12 micrometers. For the measurement of this peel strength, a 50 μm thick polyimide film made of Kaneka (Pixio for two-layer copper-clad laminates (PIXEO) (polyimide type: FRS), polyimide film with an adhesive layer for copper-clad laminates, PMDA (Mellitic acid anhydride) polyimide film (PMDA-ODA (4, 4'-diaminodiphenyl ether) polyimide film))) and the surface-treated surface of the surface-treated copper foil according to the examples and comparative examples of the present invention The bonded sample was used. Also, at the time of measurement, the polyimide film is fixed to a hard base material (stainless steel plate or synthetic resin plate (do not deform during peel strength measurement)) with double-sided tape or by using an instant adhesive. did. In Examples 11 to 14, the surface-treated copper foil (very thin copper layer) was coated with a polyimide film (Kaneka thickness 50 μm (Pixeo for two-layer copper-clad laminate) from the surface side on which the surface treatment was performed. ) (Polyimide type: FRS), polyimide film with adhesive layer for copper clad laminate, polyimide film of PMDA (pyromellitic anhydride) type (polyimide film of PMDA-ODA (4, 4'-diaminodiphenyl ether) type))) The carrier was peeled off, copper plating was performed so that the thickness of the ultrathin copper layer laminated with the polyimide film was 12 μm, and then the peel strength was measured.

(8)耐熱性;
表面処理銅箔を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))に張り合わせた後、150℃、168時間加熱後において、IPC−TM−650に準拠し、引張り試験機オートグラフ100で常態ピール強度と150℃、168時間加熱後ピール強度を測定した。
そして次式で表されるピール強度保持率を算出した。
ピール強度保持率(%)=150℃、168時間加熱後ピール強度(kg/cm)/常態ピール強度(kg/cm)×100
そして、ピール強度保持率が70%以上の場合、耐熱性を「◎」、ピール強度保持率が60%以上70%未満の場合、耐熱性を「〇」、ピール強度保持率が50%以上60%未満の場合、耐熱性を「△」、ピール強度保持率が50%未満の場合、耐熱性を「×」とした。なお、実施例11〜14については、表面処理銅箔(極薄銅層)を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm)に張り合わせた後、キャリアを剥離し、ポリイミドフィルムと積層されている前記極薄銅層の厚みが12μm厚みとなるように銅めっきを行ってからピール強度を測定した。
(8) Heat resistance;
Surface-treated copper foil, from the surface side where the surface treatment is performed Polyimide film (Kaneka thickness 50 μm (Pixeo for two-layer copper-clad laminate (PIDEO) (polyimide type: FRS), with adhesive layer for copper-clad laminate) After lamination to a polyimide film, a polyimide film of PMDA (pyromellitic anhydride) (PMDA-ODA (4, 4′-diaminodiphenyl ether) polyimide film), IPC after heating at 150 ° C. for 168 hours In accordance with -TM-650, normal peel strength and peel strength after heating at 150 ° C for 168 hours were measured by a tensile tester Autograph 100.
And the peeling strength retention represented by following Formula was computed.
Peel strength retention (%) = 150 ° C after heating for 168 hours Peel strength (kg / cm) / Normal peel strength (kg / cm) × 100
And, when the peel strength retention rate is 70% or more, the heat resistance is “、”, and when the peel strength retention rate is 60% or more and less than 70%, the heat resistance is “〇”, the peel strength retention rate is 50% or more 60 When it is less than%, the heat resistance is "Δ", and when the peel strength retention is less than 50%, the heat resistance is "X". In Examples 11 to 14, after the surface-treated copper foil (very thin copper layer) is bonded to a polyimide film (50 μm made by Kaneka) from the surface side on which the surface treatment is performed, the carrier is peeled off, Peeling strength was measured after copper plating so that the thickness of the said ultra-thin copper layer laminated | stacked with the polyimide film might be 12 micrometers in thickness.

(9)はんだ耐熱評価;
表面処理銅箔を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))の両面に貼り合わせた。得られた両面積層板について、JIS C6471に準拠したテストクーポンを作成した。作成したテストクーポンを85℃、85%RHの高温高湿下で48時間暴露した後に、300℃のはんだ槽に浮かべて、はんだ耐熱特性を評価した。はんだ耐熱試験後に、銅箔粗化処理面とポリイミド樹脂接着面の界面において、テストクーポン中の銅箔面積の5%以上の面積において、膨れにより界面が変色したものを×(不合格)、面積が5%未満の膨れ変色の場合を○、全く膨れ変色が発生しなかったものを◎として評価した。
(9) Solder heat resistance evaluation;
Surface-treated copper foil, from the surface side where the surface treatment is performed Polyimide film (Kaneka thickness 50 μm (Pixeo for two-layer copper-clad laminate (PIDEO) (polyimide type: FRS), with adhesive layer for copper-clad laminate) A polyimide film and a polyimide film of PMDA (pyromellitic anhydride) (PMDA-ODA (4, 4′-diaminodiphenyl ether) polyimide film) were laminated to each other. The test coupon based on JISC6471 was created about the obtained double-sided laminated board. The test coupons were exposed for 48 hours under high temperature and high humidity conditions of 85 ° C. and 85% RH, and then floated in a solder bath at 300 ° C. to evaluate solder heat resistance characteristics. After the solder heat resistance test, at the interface between the copper foil roughened surface and the polyimide resin adhesion surface, the discolored interface due to swelling in the area of 5% or more of the copper foil area in the test coupon is x (failed), area In the case of blistering of less than 5%, the case of blistering was evaluated as ○, and the case where blistering did not occur at all was evaluated as 。.

(10)歩留まり
表面処理銅箔を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm(二層銅張積層板用ピクシオ(PIXEO)(ポリイミドタイプ:FRS)、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、PMDA(ピロメリット酸無水物)系のポリイミドフィルム(PMDA−ODA(4、4’-ジアミノジフェニルエーテル)系のポリイミドフィルム)))の両面に貼り合わせ、銅箔をエッチング(塩化第二鉄水溶液)して、L/Sが30μm/30μmの回路幅のFPCを作成した。その後、20μm×20μm角のマークをポリイミド越しにCCDカメラで検出することを試みた。10回中9回以上検出できた場合には「◎」、7〜8回検出できた場合には「○」、6回検出できた場合には「△」、5回以下検出できた場合には「×」とした。
なお、実施例11〜14については、表面処理銅箔(極薄銅層)を、表面処理が行われている表面側からポリイミドフィルム(カネカ製厚み50μm)両面に貼り合わせ、キャリアを剥離した後に、上述と同様に歩留りを評価した。
(10) Yield surface-treated copper foil, from the surface side where the surface treatment is performed Polyimide film (Kaneka thickness 50 μm (Pixeo for double-layer copper-clad laminate (PIDEO) (polyimide type: FRS), copper-clad laminate) Adhesive film with adhesive layer, PMDA (pyromellitic anhydride) based polyimide film (PMDA-ODA (4, 4'-diaminodiphenyl ether) based polyimide film) bonded on both sides, and etching the copper foil ( A ferric chloride aqueous solution was used to prepare an FPC with a circuit width of 30 μm / 30 μm for L / S. After that, an attempt was made to detect a 20 μm × 20 μm square mark through a polyimide with a CCD camera. "◎" if detected 9 or more out of 10 times, "○" if detected 7 to 8 times, "○" if detected 6 times if "Δ", detected 5 times or less Was "X".
In Examples 11 to 14, a surface-treated copper foil (very thin copper layer) is bonded to both sides of a polyimide film (50 μm made by Kaneka) from the surface side on which surface treatment is performed, and the carrier is peeled off. The yield was evaluated in the same manner as described above.

(11)伝送損失の測定
表面処理銅箔を、表面処理が行われている表面側から市販の液晶ポリマー樹脂((株)クラレ製Vecstar CTZ−50μm)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数20GHzおよび周波数40GHzでの伝送損失を求めた。周波数20GHzにおける伝送損失の評価として、3.7dB/10cm未満を◎、3.7dB/10cm以上且つ4.0dB/10cm未満を○○、4.0dB/10cm以上且つ4.1dB/10cm未満を○、4.1dB/10cm以上且つ5.0dB/10cm未満を△、5.0dB/10cm以上を×とした。
なお、表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、極薄銅層の表面処理が行われている表面について上記の測定を行った。
(11) Measurement of transmission loss After bonding a surface-treated copper foil to a commercially available liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 μm, manufactured by Kuraray Co., Ltd.) from the surface side where the surface treatment is performed, the characteristic impedance is obtained by etching. A microstrip line was formed to be 50 Ω, and the transmission coefficient was measured using a network analyzer HP8720C manufactured by HP Co., and transmission loss at a frequency of 20 GHz and a frequency of 40 GHz was determined. As evaluation of the transmission loss at a frequency of 20 GHz, 未 満 for 3.7 dB / 10 cm or less, 3.7 3.7 dB / 10 cm or more and 4.0 dB / 10 cm or less ○, 4.0 dB / 10 cm or more and 4.1 dB / 10 cm or less cm Δ of 4.1 dB / 10 cm or more and less than 5.0 dB / 10 cm, and X of 5.0 dB / 10 cm or more.
In addition, when the surface-treated copper foil is an ultrathin copper layer of copper foil with a carrier, the above-mentioned measurement was performed about the surface where surface treatment of an ultrathin copper layer is performed.

(12)表面処理銅箔の表面のニッケルおよびコバルトの付着量
表面処理が行われている表面のニッケル付着量およびコバルト付着量はサンプルを濃度20質量%の硝酸で溶解して、VARIAN社製の原子吸光分光光度計(型式:AA240FS)を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。実施例、比較例のニッケル、コバルト付着量の測定サンプルの大きさは50mm×50mmとした。
なお、前記表面処理が行われている表面のニッケル、コバルトの付着量の測定は以下のようにして行った。表面処理銅箔の表面処理されていない側の表面にプリプレグ(FR4)を加熱圧着して積層した後に、表面処理銅箔の表面処理がされている側の表面を厚み2μm溶解して、表面処理銅箔の表面処理がされている側の表面に付着しているニッケルおよびコバルトの付着量を測定した。そして得られたニッケルおよびコバルトの付着量をそれぞれ、表面処理銅箔の表面処理が行われている表面のニッケルおよびコバルトの付着量とした。なお、表面処理銅箔の当該表面処理がされている側の溶解する厚みは正確に2μmである必要はなく、表面処理されている表面部分が全て溶解していることが明らかな厚み分(例えば、1.5〜2.5μm)を溶解して測定してもよい。また、表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、キャリア側の表面にまず、プリプレグ(FR4)を加熱圧着して積層した後に、極薄銅層の表面処理がされている側の表面を、当該表面付近のみを溶解して(極薄銅層の厚みが1.4μm以上である場合には極薄銅層の表面処理がされている側の表面から0.5μm厚みのみ溶解する、極薄銅層の厚みが1.4μm未満の場合には極薄銅層の表面処理がされている側の表面から極薄銅層厚みの20%のみ溶解する。)、極薄銅層の表面処理がされている側の表面のニッケルとコバルトの付着量を測定する。そして得られたニッケルおよびコバルトの付着量をそれぞれ表面処理銅箔の表面処理が行われている表面のニッケルおよびコバルトの付着量とした。
なお、上記ニッケルおよびコバルトの付着量は、サンプル単位面積(1dm2)当たりのニッケルおよびコバルトの付着量(質量)のことを言う。
なお、プリント配線板または銅張積層板においては、樹脂を溶かして除去することで、銅回路または銅箔表面について、前述の(1)表面粗さ(Rz)、(2)表面の二乗平均平方根高さRq、(3)銅箔表面の面積比(A/B)、(12)表面処理銅箔または銅回路の表面のニッケルおよびコバルトの付着量を測定することができる。
(12) Adhesion amount of nickel and cobalt on the surface of the surface-treated copper foil The nickel adhesion amount and the cobalt adhesion amount of the surface on which the surface treatment is performed are prepared by dissolving the sample with nitric acid having a concentration of 20% by mass. It measured by performing quantitative analysis by atomic absorption spectrometry using an atomic absorption spectrophotometer (model: AA240FS). The size of the measurement sample of the nickel and cobalt adhesion amount of the example and the comparative example was 50 mm × 50 mm.
In addition, the measurement of the adhesion amount of nickel and cobalt of the surface in which the said surface treatment is performed was performed as follows. After laminating the prepreg (FR4) on the non-surface-treated side of the surface-treated copper foil by thermocompression bonding, the surface-treated side of the surface-treated copper foil is dissolved in a thickness of 2 μm for surface treatment The amount of adhesion of nickel and cobalt adhering to the surface of the surface-treated side of the copper foil was measured. And the adhesion amount of nickel and cobalt which were obtained was made into the adhesion amount of nickel and cobalt of the surface in which the surface treatment of the surface-treated copper foil is performed, respectively. In addition, the melt | dissolution thickness of the side by which the said surface treatment is carried out of the surface-treated copper foil does not need to be exactly 2 micrometers, and it is clear that all the surface parts which are surface-treated melt | dissolve (for example, thickness , 1.5 to 2.5 μm) may be dissolved and measured. When the surface-treated copper foil is an ultrathin copper layer of a copper foil with a carrier, first, a prepreg (FR4) is heat-pressed and laminated on the surface on the carrier side, and then the surface treatment of the ultrathin copper layer is performed. The surface on the side where it is made is dissolved only in the vicinity of the surface (if the thickness of the ultrathin copper layer is 1.4 μm or more, 0. When the thickness of the ultrathin copper layer is less than 1.4 μm, only 20% of the thickness of the ultrathin copper layer is dissolved from the surface of the ultrathin copper layer that is surface-treated. The amount of nickel and cobalt deposited on the surface of the ultrathin copper layer on which the surface is treated is measured. And the adhesion amount of nickel and cobalt which were obtained was made into the adhesion amount of nickel and cobalt of the surface in which the surface treatment of the surface-treated copper foil is performed, respectively.
In addition, the adhesion amount of the said nickel and cobalt says the thing of the adhesion amount (mass) of nickel and cobalt per sample unit area (1 dm < 2 >).
In the printed wiring board or copper-clad laminate, the resin is dissolved and removed to remove the surface (1) surface roughness (Rz) and (2) root mean square of the surface of the copper circuit or copper foil surface. It is possible to measure height Rq, (3) area ratio of copper foil surface (A / B), and (12) adhesion amount of nickel and cobalt on the surface of the surface-treated copper foil or copper circuit.

(13)ラミネート加工による銅箔シワ等の評価;
厚さ25μmのポリイミド樹脂の両表面に、それぞれ実施例、比較例の表面処理銅箔を、一方の表面(表面処理表面S)側から積層し、さらに、各表面処理銅箔の他方の表面(表面処理表面Sとは反対側の表面)側へ厚さ125μmの保護フィルム(ポリイミド製)を積層させた状態、すなわち、保護フィルム/表面処理銅箔/ポリイミド樹脂/表面処理銅箔/保護フィルムの5層とした状態で、両方の保護フィルムの外側からラミネートロールを用いて熱と圧力をかけながら貼り合わせ加工(ラミネート加工)を行い、ポリイミド樹脂の両面に表面処理銅箔を貼り合わせた。続いて、両表面の保護フィルムを剥がした後、表面処理銅箔の他方の表面を目視観察し、シワ又はスジの有無を確認し、シワ又はスジが全く発生しないときを◎、銅箔長さ5mあたりにシワ又はスジが1箇所だけ観察されるときを○、銅箔5mあたりシワ又はスジが2箇所以上観察されるときを×と評価した。
上記各試験の条件及び評価結果を表1〜4に示す。
(13) Evaluation of copper foil wrinkles by lamination;
The surface-treated copper foils of Examples and Comparative Examples are laminated on both surfaces of a 25 μm-thick polyimide resin from one surface (surface-treated surface S) side, and the other surface of each surface-treated copper foil ( In the state where a 125 μm thick protective film (made of polyimide) is laminated on the surface opposite to the surface-treated surface S, ie, protective film / surface treated copper foil / polyimide resin / surface treated copper foil / protective film In the state made into five layers, lamination processing was performed (lamination processing), applying heat and pressure from the outer side of both protective films using a lamination roll, and surface-treated copper foil was bonded together on both surfaces of polyimide resin. Then, after peeling off the protective film on both surfaces, the other surface of the surface-treated copper foil is visually observed to confirm the presence or absence of wrinkles or streaks, and when no wrinkles or streaks are generated, ◎, copper foil length When only one wrinkle or streak was observed per 5 m was evaluated as ○, when two or more wrinkles or streaks were observed per 5 m of copper foil was evaluated as x.
The conditions and evaluation results of each of the above tests are shown in Tables 1 to 4.

(評価結果)
実施例1〜20は、いずれも表面の二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmの範囲にあり、且つ、Svが3.5以上であり、表面処理が行われている面の表面がNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、前記表面処理が行われている面の表面がCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下であり、視認性、ピール強度、はんだ耐熱評価及び歩留まりが良好であった。また、伝送損失も小さく、良好であった。また、実施例1、2について製造した、厚みが6μm、12μm、35μmである銅箔についても、実施例1、2の厚みが18μmの場合と同じ結果となった。すなわち、実施例1、2について製造した、厚みが6μm、12μm、35μmである銅箔はいずれも表面の二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmの範囲にあり、且つ、Svが3.5以上であり、視認性、ピール強度、はんだ耐熱評価及び歩留まりが良好であった。
比較例1は、表面の二乗平均平方根高さRqが0.14μm未満であり、ピール強度及びはんだ耐熱性が不良であった。
比較例2〜5は、表面の二乗平均平方根高さRqが0.63μmを超え、さらにSvが3.5未満であり、視認性が不良であった。
なお、前記各実施例、比較例と同じ銅箔を用いて同じ条件で銅箔の両面に、表面処理を行い、および、前記各実施例と同じキャリアを用いて同じ条件でキャリアの両面に、中間層、極薄銅層の形成を行った後に同じ表面処理を行って表面処理銅箔を製造して評価した結果、両面共に前記各実施例、比較例と同じ評価結果が得られた。なお、実施例2については銅箔の光沢面(電解銅箔製造時にドラムと接触している側の面)について電解研磨および/または化学研磨を行うことにより、そのTDの粗さRzと光沢度を析出面と同じとした後に所定の表面処理を行った。
銅箔の両面に粗化処理等の表面処理を行う場合、両面に同時に表面処理をしてもよく、一方の面と、他方の面とに、それぞれ別々に表面処理を行ってもよい。なお、両面に同時に表面処理を行う場合には、銅箔の両面側にアノードを設けた、表面処理装置(めっき装置)を用いて表面処理を行うと良い。なお、本実施例では、同時に両面に表面処理を行った。
また、実施例4〜20の表面処理がされた銅箔表面(表面処理表面S)のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzは、いずれも0.35μm以上であった。また、実施例4〜20の表面処理がされた銅箔表面(表面処理表面S)のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaは、いずれも0.05μm以上であった。また、実施例4〜20の表面処理がされた銅箔表面(表面処理表面S)のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqは、いずれも0.08μm以上であった。
図4に、上記Rz評価の際の、(a)比較例1、(b)実施例1、(c)実施例2、(d)実施例3、(e)実施例4、(f)実施例5、(g)実施例6、(h)実施例7、(i)実施例8、(j)実施例9、(k)比較例2、(l)比較例3の銅箔表面のSEM観察写真をそれぞれ示す。
また、上記実施例1〜20において、マークの幅を0.3mmから0.16mm(夾雑物のシートの面積0.5mm2の0.5の記載に近いほうから3番目のマーク(図10の矢印が指すマーク))に変更して同様のSv値の測定を行ったが、いずれもSv値はマークの幅を0.3mmとした場合と同じ値となった。
さらに、上記実施例1〜20において、「明度曲線のトップ平均値Bt」について、マークの両側の端部位置から50μm離れた位置を、100μm離れた位置、300μm離れた位置、500μm離れた位置として、当該位置から、それぞれ30μm間隔で5箇所(両側で合計10箇所)測定したときの明度の平均値に変更して同様のSv値の測定を行ったが、いずれもSv値は、マークの両側の端部位置から50μm離れた位置から30μm間隔で5箇所(両側で合計10箇所)測定したときの明度の平均値を「明度曲線のトップ平均値Bt」とした場合のSv値と同じ値となった。
(Evaluation results)
In Examples 1 to 20, in all cases, the root mean square height Rq of the surface is in the range of 0.14 to 0.63 μm, Sv is 3.5 or more, and the surface treatment is performed. When the surface contains Ni, the adhesion amount of Ni is 1400 μg / dm 2 or less, and when the surface of the surface on which the surface treatment is performed contains Co, the adhesion amount of Co is 2400 μg / dm 2 or less There were good visibility, peel strength, solder heat resistance evaluation and yield. Also, the transmission loss was small and good. Moreover, also about the copper foil which is about 6 micrometers, 12 micrometers, and 35 micrometers in thickness manufactured about Example 1 and 2, the thickness of Example 1 and 2 became the same result as the case where it is 18 micrometers. That is, the copper foils having thicknesses of 6 μm, 12 μm, and 35 μm manufactured for Examples 1 and 2 all have a root mean square height Rq of 0.14 to 0.63 μm on the surface, and Sv is It was 3.5 or more, and the visibility, the peel strength, the solder heat resistance evaluation and the yield were good.
In Comparative Example 1, the root mean square height Rq of the surface was less than 0.14 μm, and the peel strength and the solder heat resistance were poor.
In Comparative Examples 2 to 5, the root mean square height Rq of the surface exceeded 0.63 μm, Sv was less than 3.5, and the visibility was poor.
In addition, surface treatment is performed on both sides of the copper foil under the same conditions using the same copper foil as the respective examples and comparative examples, and on both sides of the carrier under the same conditions using the same carriers as the respective examples. After the formation of the intermediate layer and the ultrathin copper layer, the same surface treatment was performed to manufacture and evaluate a surface-treated copper foil. As a result, the same evaluation results as those of the respective examples and comparative examples were obtained on both sides. In Example 2, by performing electropolishing and / or chemical polishing on the shiny side of the copper foil (the side which is in contact with the drum at the time of production of the electrodeposited copper foil), its TD roughness Rz and glossiness After making the same as the deposition surface, predetermined surface treatment was performed.
When surface treatment such as roughening treatment is performed on both surfaces of the copper foil, surface treatment may be simultaneously performed on both surfaces, or surface treatment may be separately performed on one surface and the other surface. In addition, when surface-treating simultaneously on both surfaces, it is good to surface-treat using the surface treatment apparatus (plating apparatus) which provided the anode on both surfaces side of copper foil. In addition, in the present Example, surface treatment was performed to both surfaces simultaneously.
Moreover, as for the ten-point average roughness Rz of TD measured by the laser microscope whose wavelength of the laser beam of the copper foil surface (surface-treated surface S) surface-treated in Examples 4-20 is 405 nm, all were 0. It was 35 μm or more. Moreover, as for the arithmetic mean roughness Ra of all of TD measured with the laser microscope whose wavelength of the laser beam of the copper foil surface (surface-treated surface S) surface-treated in Examples 4-20 is 405 nm, all are 0.05 micrometer. It was over. Moreover, the root mean square height Rq of TD measured with the laser microscope whose wavelength of the laser beam of the copper foil surface (surface-treated surface S) surface-treated in Examples 4-20 is 405 nm is all 0. It was over 08 μm.
In FIG. 4, (a) Comparative Example 1, (b) Example 1, (c) Example 2, (d) Example 3, (e) Example 4, (f) Example in the case of the above Rz evaluation. Example 5, (g) Example 6, (h) Example 7, (i) Example 8, (j) Example 9, (k) Comparative Example 2, (l) SEM of Surface of Copper Foil of Comparative Example 3 The observation photographs are shown respectively.
In Examples 1 to 20, the width of the mark is 0.3 mm to 0.16 mm (the third mark from the side closer to the 0.5 description of the area 0.5 mm 2 of the sheet of the foreign matter (FIG. 10 The same Sv value was measured by changing to the mark indicated by the arrow)), but in each case, the Sv value was the same value as when the mark width was 0.3 mm.
Furthermore, in the above Examples 1 to 20, with respect to “top average value Bt of lightness curve”, positions separated 50 μm from the end positions on both sides of the mark are positions separated by 100 μm, positions separated by 300 μm, and positions separated by 500 μm The same Sv value was measured by changing to the average value of lightness when measured at five points (total ten points on both sides) at intervals of 30 μm from the position respectively, but both Sv values were measured on both sides of the mark The same value as the Sv value when the average value of brightness when measured at 5 locations (10 locations on both sides) at intervals of 30 μm from the position 50 μm away from the end position of the “top average value Bt of brightness curve” became.

Claims (38)

一方の銅箔表面が、表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされている表面処理銅箔であり、
前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmであり、
前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzが、0.35μm以上であり、
前記銅箔を表面処理面S側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、
ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、
前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、
前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt2としたときに、下記(1)式で定義されるSvが3.5以上となり、前記表面処理面SはNi、Coからなる群から選択されたいずれか1種以上の元素を含み、前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である表面処理銅箔。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
One surface of the copper foil is a surface-treated surface S, and the other surface of the copper foil is surface-treated, and
The root mean square height Rq measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm of the laser light of the surface treated surface S is 0.14 to 0.63 μm,
The ten-point average roughness Rz of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the copper foil surface other than the surface treated surface S is 405 nm is 0.35 μm or more.
After bonding the said copper foil to both surfaces of a polyimide resin substrate from the surface treatment surface S side, the copper foil of the said both surfaces is removed by etching,
When a printed matter on which a linear mark is printed is placed under the exposed polyimide substrate, and the printed matter is photographed by the CCD camera through the polyimide substrate,
In an observation point-lightness graph produced by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, with respect to the image obtained by the photographing,
Let ΔB (ΔB = Bt−Bb) be the difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve generated from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn, and Of the points of intersection of the curve and Bt, the value indicating the position of the point of intersection closest to the linear mark is t1, and the lightness in the depth range from the point of intersection of the lightness curve and Bt to 0.1 ΔB based on Bt When the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark among the intersections of the curve and 0.1ΔB is t2, Sv defined by the following equation (1) becomes 3.5 or more, The surface-treated surface S contains any one or more elements selected from the group consisting of Ni and Co, and when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is 1400 μg / dm 2 or less, The surface treatment surface S is treated copper foil attached amount of Co is less than 2400μg / dm 2 in the case of containing o.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)
一方の銅箔表面が、表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされている表面処理銅箔であり、
前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmであり、
前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaが、0.05μm以上であり、
前記銅箔を表面処理面S側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、
ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、
前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、
前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt2としたときに、下記(1)式で定義されるSvが3.5以上となり、前記表面処理面SはNi、Coからなる群から選択されたいずれか1種以上の元素を含み、前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である表面処理銅箔。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
One surface of the copper foil is a surface-treated surface S, and the other surface of the copper foil is surface-treated, and
The root mean square height Rq measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm of the laser light of the surface treated surface S is 0.14 to 0.63 μm,
Arithmetic mean roughness Ra of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the copper foil surface which is not the surface treated surface S is 405 nm is 0.05 μm or more,
After bonding the said copper foil to both surfaces of a polyimide resin substrate from the surface treatment surface S side, the copper foil of the said both surfaces is removed by etching,
When a printed matter on which a linear mark is printed is placed under the exposed polyimide substrate, and the printed matter is photographed by the CCD camera through the polyimide substrate,
In an observation point-lightness graph produced by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, with respect to the image obtained by the photographing,
Let ΔB (ΔB = Bt−Bb) be the difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve generated from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn, and Of the points of intersection of the curve and Bt, the value indicating the position of the point of intersection closest to the linear mark is t1, and the lightness in the depth range from the point of intersection of the lightness curve and Bt to 0.1 ΔB based on Bt When the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark among the intersections of the curve and 0.1ΔB is t2, Sv defined by the following equation (1) becomes 3.5 or more, The surface-treated surface S contains any one or more elements selected from the group consisting of Ni and Co, and when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is 1400 μg / dm 2 or less, The surface treatment surface S is treated copper foil attached amount of Co is less than 2400μg / dm 2 in the case of containing o.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)
一方の銅箔表面が、表面処理面Sであり、且つ、他方の銅箔表面に表面処理がされている表面処理銅箔であり、
前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.14〜0.63μmであり、
前記表面処理面Sではない銅箔表面のレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqが、0.08μm以上であり、
前記銅箔を表面処理面S側からポリイミド樹脂基板の両面に貼り合わせた後、エッチングで前記両面の銅箔を除去し、
ライン状のマークを印刷した印刷物を、露出した前記ポリイミド基板の下に敷いて、前記印刷物を前記ポリイミド基板越しにCCDカメラで撮影したとき、
前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状のマークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点−明度グラフにおいて、
前記マークの端部から前記マークが描かれていない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Btとボトム平均値Bbとの差をΔB(ΔB=Bt−Bb)とし、観察地点−明度グラフにおいて、明度曲線とBtとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt1として、明度曲線とBtとの交点からBtを基準に0.1ΔBまでの深さ範囲において、明度曲線と0.1ΔBとの交点の内、前記ライン状のマークに最も近い交点の位置を示す値をt2としたときに、下記(1)式で定義されるSvが3.5以上となり、前記表面処理面SはNi、Coからなる群から選択されたいずれか1種以上の元素を含み、前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1400μg/dm2以下であり、前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2400μg/dm2以下である表面処理銅箔。
Sv=(ΔB×0.1)/(t1−t2) (1)
One surface of the copper foil is a surface-treated surface S, and the other surface of the copper foil is surface-treated, and
The root mean square height Rq measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm of the laser light of the surface treated surface S is 0.14 to 0.63 μm,
The root mean square height Rq of TD measured with a laser microscope in which the wavelength of the laser light of the copper foil surface other than the surface treated surface S is 405 nm is 0.08 μm or more
After bonding the said copper foil to both surfaces of a polyimide resin substrate from the surface treatment surface S side, the copper foil of the said both surfaces is removed by etching,
When a printed matter on which a linear mark is printed is placed under the exposed polyimide substrate, and the printed matter is photographed by the CCD camera through the polyimide substrate,
In an observation point-lightness graph produced by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed line-like mark extends, with respect to the image obtained by the photographing,
Let ΔB (ΔB = Bt−Bb) be the difference between the top average Bt and the bottom average Bb of the lightness curve generated from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn, and Of the points of intersection of the curve and Bt, the value indicating the position of the point of intersection closest to the linear mark is t1, and the lightness in the depth range from the point of intersection of the lightness curve and Bt to 0.1 ΔB based on Bt When the value indicating the position of the intersection closest to the linear mark among the intersections of the curve and 0.1ΔB is t2, Sv defined by the following equation (1) becomes 3.5 or more, The surface-treated surface S contains any one or more elements selected from the group consisting of Ni and Co, and when the surface-treated surface S contains Ni, the adhesion amount of Ni is 1400 μg / dm 2 or less, The surface treatment surface S is treated copper foil attached amount of Co is less than 2400μg / dm 2 in the case of containing o.
Sv = (ΔB × 0.1) / (t1-t2) (1)
前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は1000μg/dm2以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesion amount of Ni is 1,000 μg / dm 2 or less when the surface treated surface S contains Ni. 前記表面処理面SがNiを含む場合にはNiの付着量は100μg/dm2以上である請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesion amount of Ni is 100 μg / dm 2 or more when the surface treatment surface S contains Ni. 前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は2000μg/dm2以下である請求項1〜5のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 5, wherein the adhesion amount of Co is 2000 μg / dm 2 or less when the surface-treated surface S contains Co. 前記表面処理面SがCoを含む場合にはCoの付着量は300μg/dm2以上である請求項1〜6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。 The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 6, wherein the adhesion amount of Co is 300 μg / dm 2 or more when the surface-treated surface S contains Co. 前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した二乗平均平方根高さRqが0.25〜0.60μmである請求項1〜7のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface treatment according to any one of claims 1 to 7, wherein the root mean square height Rq measured with a laser microscope having a wavelength of 405 nm of the laser beam on the surface treatment surface S is 0.25 to 0.60 μm. Copper foil. 前記明度曲線における(1)式で定義されるSvが3.9以上となる請求項1〜8のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil as described in any one of Claims 1-8 which Sv defined by (1) Formula in the said brightness curve becomes 3.9 or more. 前記明度曲線における(1)式で定義されるSvが5.0以上となる請求項9に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil according to claim 9, wherein Sv defined by equation (1) in the lightness curve is 5.0 or more. 前記表面処理面Sの接触式粗さ計で測定したTDの十点平均粗さRzが0.20〜0.64μmである請求項1〜10のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 10, wherein the ten-point average roughness Rz of TD measured by the contact-type roughness meter of the surface-treated surface S is 0.20 to 0.64 μm. 前記表面処理面Sの接触式粗さ計で測定したTDの十点平均粗さRzが0.26〜0.62μmである請求項11に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil according to claim 11, wherein the ten-point average roughness Rz of TD measured by the contact-type roughness meter of the surface-treated surface S is 0.26 to 0.62 μm. 前記表面処理面Sの三次元表面積Aと二次元表面積Bとの比A/Bが1.0〜1.7である請求項1〜12のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface treated copper foil according to any one of claims 1 to 12, wherein the ratio A / B of the three-dimensional surface area A to the two-dimensional surface area B of the surface treated surface S is 1.0 to 1.7. 前記表面処理面Sの三次元表面積Aと二次元表面積Bとの比A/Bが1.0〜1.6である請求項13に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil according to claim 13, wherein a ratio A / B of the three-dimensional surface area A to the two-dimensional surface area B of the surface treated surface S is 1.0 to 1.6. 前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの十点平均粗さRzが、0.35μm以上である請求項1〜14のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface treatment according to any one of claims 1 to 14, wherein a ten-point average roughness Rz of TD measured by a laser microscope having a laser beam wavelength of 405 nm on the surface treatment surface S is 0.35 μm or more. Copper foil. 前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの算術平均粗さRaが、0.05μm以上である請求項1〜15のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface treated copper according to any one of claims 1 to 15, wherein an arithmetic average roughness Ra of TD measured by a laser microscope having a wavelength of laser light of 405 nm on the surface treated surface S is 0.05 μm or more. Foil. 前記表面処理面Sのレーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定したTDの二乗平均平方根高さRqが、0.08μm以上である請求項1〜16のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface treatment according to any one of claims 1 to 16, wherein a root mean square height Rq of TD measured by a laser microscope having a laser beam wavelength of 405 nm on the surface treatment surface S is 0.08 μm or more. Copper foil. 前記表面処理面Sが、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれか1種以上を含む請求項1〜17のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   18. The surface-treated surface S according to any one of claims 1 to 17, which contains at least one selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc. Surface treated copper foil. 前記表面処理面Sに樹脂層を備える請求項1〜18のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil as described in any one of Claims 1-18 provided with the resin layer in the said surface treatment surface S. 前記樹脂層が誘電体を含む請求項19に記載の表面処理銅箔。   The surface-treated copper foil according to claim 19, wherein the resin layer contains a dielectric. キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が請求項1〜20のいずれか一項に記載の表面処理銅箔であるキャリア付銅箔。   A copper foil with a carrier comprising a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, wherein the ultrathin copper layer is a surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 20 . 前記キャリアの両面に前記極薄銅層を備えた請求項21に記載のキャリア付銅箔。   22. The copper foil with carrier according to claim 21, wherein the ultrathin copper layer is provided on both sides of the carrier. 前記キャリアの前記極薄銅層側とは反対側の面に粗化処理層を備えた請求項21に記載のキャリア付銅箔。   22. The copper foil with a carrier according to claim 21, further comprising: a roughened layer on the surface of the carrier opposite to the very thin copper layer side. 請求項1〜20のいずれか一項に記載の表面処理銅箔又は請求項21〜23のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂基板とを積層して製造した積層板。   The laminated board manufactured by laminating | stacking the surface-treated copper foil as described in any one of Claims 1-20, or the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 21-23, and a resin substrate. 請求項1〜20のいずれか一項に記載の表面処理銅箔又は請求項21〜23のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板。   The printed wiring board using the surface-treated copper foil as described in any one of Claims 1-20, or the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 21-23. 請求項25に記載のプリント配線板を用いた電子機器。   An electronic device using the printed wiring board according to claim 25. 請求項25に記載のプリント配線板を2つ以上接続して、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。   A method of manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected by connecting two or more printed wiring boards according to claim 25. 請求項25に記載のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの請求項25に記載のプリント配線板又は請求項25に記載のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。   At least a step of connecting at least one printed wiring board according to claim 25 with a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board according to claim 25 or the printed wiring board according to claim 25. , A method of manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected. 請求項27又は28に記載の方法で作製されたプリント配線板を1つ以上用いた電子機器。   An electronic device using one or more printed wiring boards manufactured by the method according to claim 27 or 28. 請求項25に記載のプリント配線板、又は、請求項27又は28に記載の方法で作製されたプリント配線板と、部品とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板を製造する方法。   A method for producing a printed wiring board, comprising at least a step of connecting the printed wiring board according to claim 25 or a printed wiring board produced by the method according to claim 27 or 28 with a component. 請求項25に記載のプリント配線板を少なくとも1つと、もう一つの請求項25に記載のプリント配線板又は請求項25に記載のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続してプリント配線板Aを製造する工程、および、
前記プリント配線板Aと、部品とを接続する工程
を少なくとも含む、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
A printed wiring board by connecting at least one printed wiring board according to claim 25 and a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board according to claim 25 or the printed wiring board according to claim 25 A process of producing A, and
A method of manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected, comprising at least a step of connecting the printed wiring board A and a component.
請求項25に記載のプリント配線板、
請求項27若しくは28に記載の方法で作製されたプリント配線板、及び、
請求項25に記載のプリント配線板若しくは請求項27若しくは28に記載の方法で作製されたプリント配線板のいずれにも該当しないプリント配線板、
からなる群から選択される一種以上のプリント配線板と、
請求項30に記載の方法で製造されたプリント配線板と、
を接続して、プリント配線板が2つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
The printed wiring board according to claim 25,
A printed wiring board produced by the method according to claim 27 or 28, and
A printed wiring board which does not correspond to any of the printed wiring board according to claim 25 or the printed wiring board produced by the method according to claim 27 or 28;
And at least one printed wiring board selected from the group consisting of
A printed wiring board manufactured by the method according to claim 30;
A method of manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected by connecting
請求項21〜23のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
A process of preparing a copper foil with a carrier according to any one of claims 21 to 23 and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier.
And then forming a circuit by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method or a modified semi-additive method.
請求項21〜23のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A process for forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier according to any one of claims 21 to 23,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is embedded;
Forming a circuit on the resin layer;
Separating the carrier or the ultrathin copper layer after forming a circuit on the resin layer;
After peeling off the carrier or the ultrathin copper layer, the ultrathin copper layer or the carrier is removed to be buried in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface. Method of producing a printed wiring board including the step of exposing the circuit.
前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である請求項34に記載のプリント配線板の製造方法。   In the step of forming a circuit on the resin layer, another copper foil with a carrier is bonded to the resin layer from the very thin copper layer side, and the copper foil with a carrier bonded to the resin layer is used to form the circuit. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 34, which is a forming step. 前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、請求項21〜23のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である請求項34に記載のプリント配線板の製造方法。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 34, wherein the other copper foil with carrier attached to the resin layer is the copper foil with carrier according to any one of claims 21 to 23. 前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われる請求項34〜36のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。   The print according to any one of claims 34 to 36, wherein the step of forming a circuit on the resin layer is performed by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partory additive method or a modified semi-additive method. Wiring board manufacturing method. 前記表面に回路を形成するキャリア付銅箔が、当該キャリア付銅箔のキャリア側の表面又は前記極薄銅層側の表面に基板または樹脂層を有する請求項34〜37のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。   The copper foil with a carrier which forms a circuit on the surface has a substrate or a resin layer on the surface on the carrier side of the copper foil with a carrier or the surface on the very thin copper layer side. The manufacturing method of the printed wiring board as described.
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