JP6521236B2 - 物理量処理回路、物理量処理装置、電子機器及び移動体 - Google Patents

Description

本発明は、物理量処理回路、物理量処理装置、電子機器及び移動体に関する。

特許文献１には、外部装置からの出力要求に対し、角速度データと温度データを含む各種の情報を一括して出力する検出装置が開示されている。

特開２０１１−２０３０２８号公報

しかしながら、温度の変化は角速度の変化とくらべて頻繁に生じないが、特許文献１に記載の検出装置は、角速度データと同じ頻度で温度データを出力するため、外部装置が温度データを取得する処理が過剰に必要となり、外部装置の負担が大きくなるという問題がある。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、外部装置が情報を取得する負荷を軽減させることが可能な物理量処理回路を提供することができる。また、本発明のいくつかの態様によれば、処理部が当該物理量処理回路から情報を取得する負荷を軽減させることが可能な物理量処理装置を提供することができる。また、本発明のいくつかの態様によれば、当該物理量処理回路を用いた振動デバイス、電子機器及び移動体を提供することができる。

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例に係る物理量処理回路は、第１物理量の情報を発信する第１物理量検出部と、前記第１物理量以外の物理量である第２物理量の情報を発信する第２物理量検出部と、を備え、前記第２物理量の情報と共に、前記第１物理量の情報よりも情報量が小さい前記第１物理量の情報の更新情報を発信する。

第１物理量は、例えば、温度、角速度、角加速度、加速度、速度、力等であってもよい。同様に、第２物理量は、例えば、温度、角速度、角加速度、加速度、速度、力等であってもよい。

第２物理量は、第１物理量に依存性があってもよく、例えば、第１物理量が温度であり、第２物理量が角速度であってもよい。

第１物理量の情報の更新情報は、第１物理量の情報が新たに生成されたことを示す情報でもよいし、新たに生成された第１物理量の情報が変化したことを示す情報であってもよい。

本適用例に係る物理量処理回路は、第２物理量の情報と共に、第１物理量の情報の更新
情報を発信するので、外部装置は、第２物理量の情報を取得するとともに、更新情報が、第１物理量の情報が更新されたことを示す場合にのみ、第１物理量の情報を取得することが可能となる。従って、本適用例に係る物理量処理回路によれば、外部装置が第２物理量を取得するとともに第２物理量よりも低い頻度で第１物理量を取得することができる。また、更新情報は第１物理量の情報よりも情報量が小さいため、第２物理量の情報と共に第１物理量の情報を常に取得する場合と比較して、外部装置が取得する情報量を削減することができる。従って、本適用例に係る物理量処理回路によれば、外部装置が情報を取得する負荷を軽減させることができる。

［適用例２］
上記適用例に係る物理量処理回路は、前記第１物理量の情報を出力することを要求する要求信号を受けて前記第１物理量の情報を発信してもよい。

本適用例に係る物理量処理回路によれば、外部装置は、例えば、更新情報が、第１物理量の情報が更新されたことを示す場合にのみ、第１物理量の情報を出力することを要求する要求信号を発信して第１物理量の情報を取得することができる。従って、本適用例に係る物理量処理回路によれば、外部装置が情報を取得する負荷を軽減させることができる。

［適用例３］
上記適用例に係る物理量処理回路において、前記更新情報には、前記第１物理量の経時変化の有無を示す情報が含まれていてもよい。

本適用例に係る物理量処理回路は、前記第２物理量の情報を出力することを要求する要求信号を受けて、前記第２物理量の情報と共に、前記第１物理量の情報を発信してもよい。

本適用例に係る物理量処理回路によれば、外部装置は、例えば、更新情報が、第１物理量が計時変化したことを示す場合にのみ、第１物理量の情報を取得することができる。従って、本適用例に係る物理量処理回路によれば、外部装置が情報を取得する負荷を軽減させることができる。

［適用例４］
上記適用例に係る物理量処理回路において、前記第１物理量が温度であってもよい。

［適用例５］
上記適用例に係る物理量処理回路において、前記第２物理量が力もしくは力に関わる物理量であってもよい。

力もしくは力に関わる物理量は、例えば、傾斜、角速度、加速度等である。

［適用例６］
本適用例に係る物理量処理装置は、上記のいずれかの物理量処理回路と、前記更新情報を受信して、前記更新情報に応じて前記要求信号を発信し、前記第１物理量の情報を受信して、当該第１物理量の情報を用いた処理を行う処理部と、を備えている。

本適用例に係る物理量処理装置によれば、物理量処理回路は、第２物理量の情報と共に、第１物理量の情報の更新情報を発信するので、処理部は、第２物理量の情報を取得するとともに、更新情報が、第１物理量の情報が更新されたことを示す場合にのみ、第１物理量の情報を取得することが可能となる。従って、処理部が第２物理量を取得するとともに第２物理量よりも低い頻度で第１物理量を取得することができる。また、更新情報は第１
物理量の情報よりも情報量が小さいため、第２物理量の情報と共に第１物理量の情報を常に取得する場合と比較して、処理部が取得する情報量を削減することができる。従って、本適用例に係る物理量処理装置によれば、処理部が情報を取得する負荷を軽減させることができる。

［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの物理量処理回路を備えている。

［適用例８］
本適用例に係る移動体は、上記のいずれかの物理量処理回路を備えている。

これらの適用例によれば、外部装置が情報を取得する負荷を軽減させることが可能な物理量処理回路を用いるので、例えば、信頼性の高い電子機器及び移動体を実現することも可能である。

本実施形態の物理量処理装置の構成例を示す図。 物理量検出素子の振動片の平面図。 物理量検出素子の動作について説明するための図。 物理量検出素子の動作について説明するための図。 駆動回路の構成例を示す図。 検出回路の構成例を示す図。 第１実施形態における物理量処理回路の構成例を示す図。 第１実施形態における物理量処理回路（インターフェイス回路）の出力データの一例を示す図。 第２実施形態における物理量処理回路の構成例を示す図。 第２実施形態における物理量処理回路（インターフェイス回路）の出力データの一例を示す図。 本実施形態の電子機器の一例である横すべり防止装置の機能ブロック図。 本実施形態の移動体の一例を示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

以下では、物理量として角速度を検出する物理量検出装置（角速度検出装置）を含む物理量処理装置（角速度処理装置）を例にとり説明する。

１．物理量処理装置
１−１．第１実施形態
［物理量処理装置の構成］
図１は、本実施形態の物理量処理装置（角速度処理装置）の構成例を示す図である。本実施形態の物理量処理装置１は、物理量検出装置２とＭＣＵ（Micro Control Unit）３（処理部の一例）を含んで構成されている。

物理量検出装置２は、物理量に関わるアナログ信号を出力する物理量検出素子（センサー素子）１００と物理量検出用回路２００を含んで構成されている。

物理量検出素子１００は、駆動電極と検出電極が配置された振動片を有し、一般的に、
振動片のインピーダンスをできるだけ小さくして発振効率を高めるために、振動片は気密性が確保されたパッケージに封止されている。本実施形態では、物理量検出素子１００は、Ｔ型の２つの駆動振動腕を有するいわゆるダブルＴ型の振動片を有する。

図２は、本実施形態の物理量検出素子１００の振動片の平面図である。物理量検出素子１００は、例えば、Ｚカットの水晶基板により形成されたダブルＴ型の振動片を有する。水晶を材料とする振動片は、温度変化に対する共振周波数の変動が極めて小さいので、角速度の検出精度を高めることができるという利点がある。なお、図２におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は水晶の軸を示す。

図２に示すように、物理量検出素子１００の振動片は、２つの駆動用基部１０４ａ、１０４ｂからそれぞれ駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂが＋Ｙ軸方向及び−Ｙ軸方向に延出している。駆動振動腕１０１ａの側面及び上面にはそれぞれ駆動電極１１２及び１１３が形成されており、駆動振動腕１０１ｂの側面及び上面にはそれぞれ駆動電極１１３及び１１２が形成されている。駆動電極１１２、１１３は、それぞれ、図１に示した物理量検出用回路２００のＤＳ端子，ＤＧ端子を介して駆動回路２０に接続される。

駆動用基部１０４ａ、１０４ｂは、それぞれ−Ｘ軸方向と＋Ｘ軸方向に延びる連結腕１０５ａ、１０５ｂを介して矩形状の検出用基部１０７に接続されている。

検出振動腕１０２は、検出用基部１０７から＋Ｙ軸方向及び−Ｙ軸方向に延出している。検出振動腕１０２の上面には検出電極１１４及び１１５が形成されており、検出振動腕１０２の側面には共通電極１１６が形成されている。検出電極１１４、１１５は、それぞれ、図１に示した物理量検出用回路２００のＳ１端子，Ｓ２端子を介して検出回路３０に接続される。また、共通電極１１６は接地される。

駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの駆動電極１１２と駆動電極１１３との間に駆動信号として交流電圧が与えられると、図３に示すように、駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂは逆圧電効果によって矢印Ｂのように、２本の駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの先端が互いに接近と離間を繰り返す屈曲振動（励振振動）をする。

この状態で、物理量検出素子１００の振動片にＺ軸を回転軸とした角速度が加わると、駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂは、矢印Ｂの屈曲振動の方向とＺ軸の両方に垂直な方向にコリオリの力を得る。その結果、図４に示すように、連結腕１０５ａ、１０５ｂは矢印Ｃで示すような振動をする。そして、検出振動腕１０２は、連結腕１０５ａ、１０５ｂの振動（矢印Ｃ）に連動して矢印Ｄのように屈曲振動をする。このコリオリ力に伴う検出振動腕１０２の屈曲振動と駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの屈曲振動（励振振動）とは位相が９０°ずれている。

ところで、駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂが屈曲振動（励振振動）をするときの振動エネルギーの大きさ又は振動の振幅の大きさが２本の駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂで等しければ、駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの振動エネルギーのバランスがとれており、物理量検出素子１００に角速度がかかっていない状態では検出振動腕１０２は屈曲振動しない。ところが、２つの駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの振動エネルギーのバランスがくずれると、物理量検出素子１００に角速度がかかっていない状態でも検出振動腕１０２に屈曲振動が発生する。この屈曲振動は漏れ振動と呼ばれ、コリオリ力に基づく振動と同様に矢印Ｄの屈曲振動であるが、駆動信号とは同位相である。

そして、圧電効果によってこれらの屈曲振動に基づいた交流電荷が、検出振動腕１０２の検出電極１１４、１１５に発生する。ここで、コリオリ力に基づいて発生する交流電荷
は、コリオリ力の大きさ（言い換えれば、物理量検出素子１００に加わる角速度の大きさ）に応じて変化する。一方、漏れ振動に基づいて発生する交流電荷は、物理量検出素子１００に加わる角速度の大きさに関係せず一定である。

なお、駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの先端には、駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂよりも幅の広い矩形状の錘部１０３が形成されている。駆動振動腕１０１ａ、１０１ｂの先端に錘部１０３を形成することにより、コリオリ力を大きくするとともに、所望の共振周波数を比較的短い振動腕で得ることができる。同様に、検出振動腕１０２の先端には、検出振動腕１０２よりも幅の広い錘部１０６が形成されている。検出振動腕１０２の先端に錘部１０６を形成することにより、検出電極１１４、１１５に発生する交流電荷を大きくすることができる。

以上のようにして、物理量検出素子１００は、Ｚ軸を検出軸としてコリオリ力に基づく交流電荷（角速度成分）と、励振振動の漏れ振動に基づく交流電荷（振動漏れ成分）とを検出電極１１４、１１５を介して出力する。

図１に戻り、本実施形態の物理量検出用回路２００は、基準電圧回路１０、駆動回路２０、検出回路３０、物理量処理回路４０、記憶部５０、発振回路６０及び温度センサー７０を含んで構成されており、例えば、１チップの集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）であってもよい。なお、本実施形態の物理量検出用回路２００は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。

基準電圧回路１０は、物理量検出用回路２００のＶＤＤ端子より供給される電源電圧から基準電圧（アナロググランド電圧）などの定電圧や定電流を生成し、駆動回路２０や検出回路３０に供給する。

駆動回路２０は、物理量検出素子１００を励振振動させるための駆動信号を生成し、ＤＳ端子を介して物理量検出素子１００の駆動電極１１２に供給する。また、駆動回路２０は、物理量検出素子１００の励振振動により駆動電極１１３に発生する発振電流がＤＧ端子を介して入力され、この発振電流の振幅が一定に保持されるように駆動信号の振幅レベルをフィードバック制御する。また、駆動回路２０は、駆動信号と位相が同じ検波信号ＳＤＥＴを生成し、検出回路３０に出力する。

検出回路３０は、Ｓ１端子とＳ２端子を介して、物理量検出素子１００の２つの検出電極１１４、１１５に発生する交流電荷（検出電流）がそれぞれ入力され、検波信号ＳＤＥＴを用いて、これらの交流電荷（検出電流）に含まれる角速度成分を検出し、角速度成分の大きさに応じた電圧レベルの信号（角速度信号）ＶＡＯを生成して出力する。

記憶部５０は、不図示の不揮発性メモリーを有し、当該不揮発性メモリーには、駆動回路２０や検出回路３０に対する各種のトリミングデータ（調整データや補正データ）が記憶されている。不揮発性メモリーは、例えば、ＭＯＮＯＳ（Metal Oxide Nitride Oxide Silicon）型メモリーやＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）として構成することができる。さらに、記憶部５０は、不図示のレジスターを有し、物理量検出用回路２００電源投入時（ＶＤＤ端子の電圧が０Ｖから所望の電圧まで立ち上がる時）に不揮発性メモリーに記憶されている各種のトリミングデータがレジスターに転送されて保持され、レジスターに保持された各種のトリミングデータが駆動回路２０や検出回路３０に供給されるように構成してもよい。

温度センサー７０は、その周辺の温度に応じた電圧レベルの信号（温度信号）ＶＴＯを出力するものであり、温度が高いほど出力電圧が高い正極性のものであってもよいし、温
度が高いほど出力電圧が低い負極性のものであってもよい。温度センサー７０は、例えば、絶対温度にお比例した電圧（ＰＴＡＴ（Proportional To Absolute Temperature）電圧）を出力する回路であってもよい。

物理量処理回路４０は、デジタル演算回路４１及びインターフェイス回路４２を含んで構成されている。

デジタル演算回路４１は、マスタークロック信号ＭＣＬＫによって動作し、検出回路３０が出力する角速度信号ＶＡＯの電圧レベルをデジタル値に変換した後、所定の演算処理を行ってデジタルデータ（角速度データ）ＶＤＯ１を生成し、インターフェイス回路４２に出力する。また、デジタル演算回路４１は、温度センサー７０が出力する温度信号ＶＴＯの電圧レベルをデジタル値に変換した後、所定の演算処理を行ってデジタルデータ（温度データ）ＶＤＯ２を生成し、インターフェイス回路４２に出力する。また、デジタル演算回路４１は、デジタルデータ（温度データ）ＶＤＯ２が更新されたことを示す温度データ更新フラグＴＦＬＧを生成してインターフェイス回路４２に出力する。

インターフェイス回路４２は、ＭＣＵ３が発信する各種のコマンドを受信し、コマンドに応じたデータをＭＣＵ３に発信する処理を行う。また、インターフェイス回路４２は、ＭＣＵ３からの要求に応じて記憶部５０（不揮発性メモリーやレジスター）に記憶されているデータを読み出してＭＣＵ３に出力する処理や、ＭＣＵ３から入力されたデータを記憶部５０（不揮発性メモリーやレジスター）に書き込む処理などを行う。インターフェイス回路４２は、例えば、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）バスのインターフェイス回路であり、ＭＣＵ３が発信する選択信号、クロック信号、データ信号が、それぞれ、物理量検出用回路２００のＳＳ端子，ＳＣＬＫ端子，ＳＩ端子を介して入力され、物理量検出用回路２００のＳＯ端子を介してデータ信号をＭＣＵ３に出力する。なお、インターフェイス回路４２は、ＳＰＩバス以外の各種のバス（例えば、Ｉ^２Ｃ（Inter-Integrated
Circuit）バス等）に対応するインターフェイス回路であってもよい。

発振回路６０は、マスタークロック信号ＭＣＬＫを発生させて、物理量処理回路４０に含まれるデジタル演算回路４１に出力するクロック生成回路として機能する。発振回路６０は、例えば、リングオシレーターやＣＲ発振回路として構成される。

［駆動回路の構成］
次に、駆動回路２０について説明する。図５は、駆動回路２０の構成例を示す図である。図５に示すように、本実施形態の駆動回路２０は、Ｉ／Ｖ変換回路２１、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）２２、コンパレーター２３、全波整流回路２４、積分器２５及びコンパレーター２６を含んで構成されている。なお、本実施形態の駆動回路２０は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。

Ｉ／Ｖ変換回路２１は、物理量検出素子１００の励振振動により発生し、ＤＧ端子を介して入力された発振電流を交流電圧信号に変換する。

ハイパスフィルター２２は、Ｉ／Ｖ変換回路２１の出力信号のオフセットを除去する。

コンパレーター２３は、ハイパスフィルター２２の出力信号の電圧を基準電圧と比較して２値化信号を生成し、この２値化信号がハイレベルの時はＮＭＯＳトランジスターを導通させてローレベルを出力し、２値化信号がローレベルの時はＮＭＯＳトランジスターを非導通にし、抵抗を介してプルアップされる積分器２５の出力電圧をハイレベルとして出力する。そして、コンパレーター２３の出力信号は、駆動信号として、ＤＳ端子を介して物理量検出素子１００に供給される。この駆動信号の周波数（駆動周波数）を物理量検出
素子１００の共振周波数と一致させることで、物理量検出素子１００を安定発振させることができる。

全波整流回路２４は、Ｉ／Ｖ変換回路２１の出力信号を整流（全波整流）して直流化された信号を出力する。

積分器２５は、基準電圧回路１０から供給される所望の電圧ＶＲＤＲを基準に、全波整流回路２４の出力電圧を積分して出力する。この積分器２５の出力電圧は、全波整流回路２４の出力が高いほど（Ｉ／Ｖ変換回路２１の出力信号の振幅が大きいほど）低くなる。従って、発振振幅が大きいほど、コンパレーター２３の出力信号（駆動信号）のハイレベルの電圧が低くなり、発振振幅が小さいほど、コンパレーター２３の出力信号（駆動信号）のハイレベルの電圧が高くなるので、発振振幅が一定に保持されるように自動利得制御（ＡＧＣ：Auto Gain Control）がかかる。

コンパレーター２６は、ハイパスフィルター２２の出力信号の電圧を増幅して２値化信号（方形波電圧信号）を生成し、検波信号ＳＤＥＴとして出力する。

［検出回路の構成］
次に、検出回路３０について説明する。図６は、検出回路３０の構成例を示す図である。図６に示すように、本実施形態の検出回路３０は、チャージアンプ３１，３２、差動アンプ３３、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）３４、ＡＣアンプ３５、同期検波回路３６、可変ゲインアンプ３７、スイッチトキャパシタフィルター（ＳＣＦ）３８、出力バッファー３９を含んで構成されている。なお、本実施形態の検出回路３０は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。

チャージアンプ３１には、Ｓ１端子を介して物理量検出素子１００の振動片の検出電極１１４から角速度成分と振動漏れ成分を含む交流電荷（検出電流）が入力される。同様に、チャージアンプ３２には、Ｓ２端子を介して物理量検出素子１００の振動片の検出電極１１５から角速度成分と振動漏れ成分を含む交流電荷（検出電流）が入力される。

このチャージアンプ３１，３２は、それぞれ入力された交流電荷（検出電流）を交流電圧信号に変換する。チャージアンプ３１に入力される交流電荷（検出電流）とチャージアンプ３２に入力される交流電荷（検出電流）は互いに位相が１８０°異なり、チャージアンプ３１の出力信号とチャージアンプ３２の出力信号の位相は互いに逆位相である（１８０°ずれている）。

差動アンプ３３は、チャージアンプ３１の出力信号とチャージアンプ３２の出力信号を差動増幅する。差動アンプ３３により、同相成分はキャンセルされ、逆相成分は加算増幅される。

ハイパスフィルター３４は、差動アンプ３３の出力信号に含まれる直流成分を除去するする。

ＡＣアンプ３５は、ハイパスフィルター３４の出力信号を増幅した交流電圧信号を出力する。

同期検波回路３６は、駆動回路２０が出力する検波信号ＳＤＥＴを用いてＡＣアンプ３５の出力信号（被検波信号）に含まれる角速度成分を同期検波する。同期検波回路３６は、例えば、検波信号ＳＤＥＴがハイレベルの時はＡＣアンプ３５の出力信号をそのまま選択し、検波信号ＳＤＥＴがローレベルの時はＡＣアンプ３５の出力信号を基準電圧に対し
て反転した信号を選択する回路として構成することができる。

ＡＣアンプ３５の出力信号には角速度成分と振動漏れ成分が含まれているが、この角速度成分は検波信号ＳＤＥＴと同位相であるのに対して、振動漏れ成分は逆位相である。そのため、同期検波回路３６により角速度成分は同期検波されるが、振動漏れ成分は検波されないようになっている。

可変ゲインアンプ３７は、同期検波回路３６の出力信号を増幅又は減衰させて所望の電圧レベルの信号を出力し、可変ゲインアンプ３７の出力信号はスイッチトキャパシタフィルター（ＳＣＦ）３８に入力される。

スイッチトキャパシタフィルター（ＳＣＦ）３８は、可変ゲインアンプ３７の出力信号に含まれる高周波成分を除去するとともに仕様で決められる周波数範囲の信号を通過させるローパスフィルターとして機能する。このスイッチトキャパシタフィルター（ＳＣＦ）３８（ローパスフィルター）の周波数特性は、物理量検出素子１００の安定発振により得られるクロック信号（不図示）の周波数とキャパシター（不図示）の容量比によって決まるため、ＲＣローパスフィルターと比較して、周波数特性のばらつきが極めて小さいという利点がある。

スイッチトキャパシタフィルター（ＳＣＦ）３８の出力信号は、出力バッファー３９でバッファリングされるとともに、必要に応じて所望の電圧レベルの信号に増幅又は減衰される。この出力バッファー３９の出力信号は、角速度信号ＶＡＯとして検出回路３０から出力される。

［物理量処理回路の構成］
次に、物理量処理回路４０の詳細について説明する。図７は、物理量処理回路４０の構成例を示す図である。図１に示したように、本実施形態の物理量処理回路４０は、デジタル演算回路４１及びインターフェイス回路４２を含んで構成され、図７に示すように、デジタル演算回路４１は、クロック生成回路４３、Ａ／Ｄ変換回路４４、デジタルフィルター４５、デジタル補正部４６、Ａ／Ｄ変換回路４７及びデジタルフィルター４８を含んで構成されている。なお、本実施形態のデジタル演算回路４１は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。

クロック生成回路４３は、マスタークロック信号ＭＣＬＫ（発振回路６０の出力信号）を基に、Ａ／Ｄ変換回路４４のサンプリングクロック信号ＣＬＫ１とＡ／Ｄ変換回路４７のサンプリングクロック信号ＣＬＫ２を生成して出力する。

Ａ／Ｄ変換回路４４は、サンプリングクロック信号ＣＬＫ１に同期して、検出回路３０が出力する角速度信号ＶＡＯをサンプリングし、サンプリングした電圧値をデジタルデータに変換して出力する。

Ａ／Ｄ変換回路４７は、サンプリングクロック信号ＣＬＫ２に同期して、温度センサー７０が出力する温度信号ＶＴＯをサンプリングし、サンプリングした電圧値をデジタルデータに変換して出力する。ここで、物理量検出装置２の周囲温度が変化する頻度は、物理量検出装置２に加わる角速度が変化する頻度よりもかなり小さいため、消費電力を削減するために、Ａ／Ｄ変換回路４７のサンプリング周期（サンプリングクロック信号ＣＬＫ２の周期）は、Ａ／Ｄ変換回路４４のサンプリング周期（サンプリングクロック信号ＣＬＫ１の周期）よりもかなり長い時間に設定される。

また、Ａ／Ｄ変換回路４７は、温度信号ＶＴＯをサンプリングする毎に、Ａ／Ｄ変換回
路４４の１サンプリング周期（サンプリングクロック信号ＣＬＫ１の１周期）の間ハイレベルとなる温度データ更新フラグＴＦＬＧを出力する。この温度データ更新フラグＴＦＬＧは、インターフェイス回路４２及びデジタル補正部４６に入力される。

デジタルフィルター４５は、マスタークロック信号ＭＣＬＫに同期して、Ａ／Ｄ変換回路４４の出力信号に対してフィルタリング処理を行い、デジタルデータを出力する。

デジタルフィルター４８は、マスタークロック信号ＭＣＬＫに同期して、Ａ／Ｄ変換回路４７の出力信号に対してフィルタリング処理を行い、デジタルデータを出力する。デジタルフィルター４８が出力するデジタルデータは、温度データＶＤＯ２としてインターフェイス回路４２及びデジタル補正部４６に入力される。

デジタル補正部４６は、マスタークロック信号ＭＣＬＫに同期して、デジタルフィルター４５が出力するデジタルデータに対して、オフセット補正、感度補正、出力レンジ調整、ビット制限等の各種の処理を行う。

また、デジタル補正部４６は、デジタルフィルター４５が出力するデジタルデータが更新される度に（サンプリングクロック信号ＣＬＫ１の１周期毎に）、当該デジタルデータに、温度変動によるオフセットや感度の変動を補正するための補正量を加算する温度変動補正処理を行う。デジタル補正部４６は、温度データＶＤＯ２が更新される度に（サンプリングクロック信号ＣＬＫ２の１周期毎に）、例えば、温度データ更新フラグＴＦＬＧがハイレベルになる毎に、デジタルフィルター４８が出力する温度データＶＤＯ２に基づいて当該補正量を計算する。

さらに、デジタル補正部４６は、デジタルフィルター４５が出力するデジタルデータが更新される度に（サンプリングクロック信号ＣＬＫ１の１周期毎に）、当該デジタルデータに、電源電圧変動によるオフセットや感度の変動を補正するための補正量を加算する電源電圧変動補正処理を行ってもよい。

デジタル補正部４６が出力するデジタルデータは、角速度データＶＤＯ１としてインターフェイス回路４２に入力される。

本実施形態では、Ａ／Ｄ変換回路４７及びデジタルフィルター４８は、第１物理量として温度の情報を発信する第１物理量検出部４ａであり、Ａ／Ｄ変換回路４４、デジタルフィルター４５及びデジタル補正部４６は、第１物理量以外の物理量である第２物理量として、力もしくは力に関わる物理量である角速度の情報を発信する第２物理量検出部４ｂである。

［ＭＣＵとの通信］
物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＭＣＵ３が発信する各種のコマンドを受信し、コマンドに応じたデータをＭＣＵ３に発信する処理を行う。本実施形態では、ＭＣＵ３が発信する各種のコマンドには、角速度データ出力コマンド（角速度情報を出力することを要求する要求信号）と温度データ出力コマンド（温度情報を出力することを要求する要求信号）が含まれている。

本実施形態では、ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１の更新周期と同じ周期で角速度データ出力コマンドを発信し、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＭＣＵ３から角速度データ出力コマンドを受信して、ＭＣＵ３に、角速度データＶＤＯ１と共に、温度情報の更新情報を発信する。この温度情報の更新情報には温度データ更新フラグＴＦＬＧが含まれている。

図８（Ａ）は、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）が角速度データ出力コマンドを受信した場合に出力するデータの一例を示す図である。物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＳＩ端子を介して角速度データ出力コマンドを受信すると、ＳＯ端子を介して、温度データ更新フラグＴＦＬＧ、その他のフラグ群及び角速度データＶＤＯ１を１ビットずつシリアルに出力する。

ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１を受信し、角速度データＶＤＯ１を用いた所定の処理を行う。また、ＭＣＵ３は、温度データ更新フラグＴＦＬＧを受信して、温度データ更新フラグＴＦＬＧに応じて、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）に温度データ出力コマンドを発信する。例えば、ＭＣＵ３は、温度データ更新フラグＴＦＬＧが１（ハイレベル）の場合（温度データＶＤＯ２が更新されたことを示す場合）、更新後の温度データＶＤＯ２を取得するために温度データ出力コマンドを発信し、温度データ更新フラグＴＦＬＧが０（ローレベル）の場合（温度データＶＤＯ２が更新されていないことを示す場合）、温度データ出力コマンドを発信しない。

物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＭＣＵ３から温度データ出力コマンドを受信すると、ＭＣＵ３に、温度データＶＤＯ２を発信し、ＭＣＵ３は、温度データＶＤＯ２を受信して、温度データＶＤＯ２を用いて所定の処理を行う。

図８（Ｂ）は、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）が温度データ出力コマンドを受信した場合に出力するデータを示す図である。物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＳＩ端子を介して温度データ出力コマンドを受信すると、ＳＯ端子を介して、温度データ更新フラグＴＦＬＧ、その他のフラグ群及び温度データＶＤＯ２を１ビットずつシリアルに出力する。

［効果］
以上に説明したように、第１実施形態の物理量処理装置１では、物理量処理回路４０は、ＭＣＵ３からの角速度データ出力コマンドに応答して角速度データＶＤＯ１と共に温度データ更新フラグＴＦＬＧを発信するので、ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１を取得するとともに、温度データ更新フラグＴＦＬＧが、温度データＶＤＯ２が更新されたことを示す場合にのみ、温度データ出力コマンドを発信することができる。そして、物理量処理回路４０は、ＭＣＵ３からの温度データ出力コマンドに応答して温度データＶＤＯ２を発信するので、ＭＣＵ３は、温度データＶＤＯ２の更新周期（角速度データＶＤＯ１の更新周期よりも長い）と同期して、温度データＶＤＯ２を取得することができる。

従って、第１実施形態の物理量処理装置１（物理量処理回路４０）によれば、ＭＣＵ３が角速度データＶＤＯ１を取得するとともに角速度データＶＤＯ１よりも低い頻度で温度データＶＤＯ２を取得することができ、ＭＣＵ３の通信負荷及び処理負荷を軽減することができる。

また、第１実施形態の物理量処理装置１（物理量処理回路４０）によれば、温度データ更新フラグＴＦＬＧは温度データＶＤＯ２よりも情報量が小さいため、角速度データＶＤＯ１と共に温度データＶＤＯ２を常に受信する場合と比較して、ＭＣＵ３が取得するデータ量を削減することができ、ＭＣＵ３の負荷を軽減することができる。

１−２．第２実施形態
第２実施形態の物理量処理装置１は、第１実施形態と同様、物理量検出素子１００と物理量検出用回路２００を有する物理量検出装置２及びＭＣＵ３を含んで構成されており、物理量検出用回路２００は、第１実施形態と同様、基準電圧回路１０、駆動回路２０、検
出回路３０、物理量処理回路４０、記憶部５０、発振回路６０及び温度センサー７０を含んで構成されている。ただし、第２実施形態の物理量処理装置１では、物理量処理回路４０の構成が第１実施形態と異なる。

図９は、第２施形態の物理量処理装置１における物理量処理回路４０の構成例を示す図である。以下では、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付し、第１実施形態と異なる点について説明し、第１実施形態と重複する説明を省略する。

図９に示すように、物理量処理回路４０は、デジタル演算回路４１及びインターフェイス回路４２を含んで構成されており、デジタル演算回路４１は、クロック生成回路４３、Ａ／Ｄ変換回路４４、デジタルフィルター４５、デジタル補正部４６、Ａ／Ｄ変換回路４７、デジタルフィルター４８及び温度変化検出部４９を含んで構成されている。

クロック生成回路４３、Ａ／Ｄ変換回路４４、デジタルフィルター４５、デジタルフィルター４８の機能は、第１実施形態（図７）と同様である。また、Ａ／Ｄ変換回路４７の機能は、温度データ更新フラグＴＦＬＧを出力しない点を除いて、第１実施形態（図７）と同様である。

温度変化検出部４９は、デジタルフィルター４８が出力するデジタルデータ（温度データＶＤＯ２）が更新される毎に（サンプリングクロック信号ＣＬＫ２の１周期毎に）、更新前の温度データＶＤＯ２と更新後の温度データＶＤＯ２とを比較し、両者が異なる場合に、Ａ／Ｄ変換回路４４の１サンプリング周期（サンプリングクロック信号ＣＬＫ１の１周期）の間ハイレベルとなる温度データ変化フラグＴＣＦＬＧを出力する。この温度データ変化フラグＴＣＦＬＧは、温度の経時変化の有無を示す情報であり、インターフェイス回路４２及びデジタル補正部４６に入力される。

デジタル補正部４６は、第１実施形態と同様に、デジタルフィルター４５が出力するデジタルデータが更新される度に（ＣＬＫ１の１周期毎に）、当該デジタルデータに、温度変動によるオフセットや感度の変動を補正するための補正量を加算する温度変動補正処理を行う。デジタル補正部４６は、温度が経時変化する度に、すなわち温度データ変化フラグＴＣＦＬＧがハイレベルになる毎に、デジタルフィルター４８が出力する温度データＶＤＯ２に基づいて当該補正量を計算する。デジタル補正部４６は、この他第１実施形態と同様の各種処理を行い、デジタル補正部４６が出力するデジタルデータは、角速度データＶＤＯ１としてインターフェイス回路４２に入力される。

第１実施形態と同様に、Ａ／Ｄ変換回路４７及びデジタルフィルター４８は、第１物理量として温度の情報を発信する第１物理量検出部４ａであり、Ａ／Ｄ変換回路４４、デジタルフィルター４５及びデジタル補正部４６は、第２物理量として角速度の情報を発信する第２物理量検出部４ｂである。

本実施形態では、ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１の更新周期と同じ周期で角速度データ出力コマンドを発信し、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＭＣＵ３から角速度データ出力コマンドを受信して、ＭＣＵ３に、角速度データＶＤＯ１と共に、温度データＶＤＯ２及び温度情報の更新情報を発信する。この温度情報の更新情報には温度データ変化フラグＴＣＦＬＧが含まれている。

ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１を受信し、角速度データＶＤＯ１を用いて所定の処理を行う。また、ＭＣＵ３は、温度データ変化フラグを受信して、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧに応じて、温度データＶＤＯ２を受信する。例えば、ＭＣＵ３は、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧが１（ハイレベル）の場合（温度が経時変化したことを示す場合）
、温度データＶＤＯ２を受信し（取り込み）、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧが０（ローレベル）の場合（温度が経時変化していないことを示す場合）、温度データＶＤＯ２を受信しない（取り込まない）。そして、ＭＣＵ３は、直近に（最後に）受信した温度データＶＤＯ２を用いて所定の処理を行う。

図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）が角速度データ出力コマンドを受信した場合に出力するデータの一例を示す図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）のいずれでも、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＳＩ端子を介して角速度データ出力コマンドを受信すると、ＳＯ端子を介して、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧ、その他のフラグ群、角速度データＶＤＯ１を１ビットずつシリアルに出力する。

図１０（Ａ）では、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧが１（温度が経時変化したことを示す）であり、ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１の受信後もＳＣＬＫ端子からシリアルクロック信号を供給し、これに応じて、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、ＳＯ端子を介して、温度データＶＤＯ２を１ビットずつシリアルに出力する。ＭＣＵ３は、この温度データＶＤＯ２を受信する。

図１０（Ｂ）では、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧが０（温度が経時変化していないことを示す）であり、ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１の受信後もＳＣＬＫ端子からシリアルクロック信号を供給しない。これにより、物理量処理回路４０（インターフェイス回路４２）は、温度データＶＤＯ２を出力せず、ＭＣＵ３は、温度データＶＤＯ２を受信しない。

この第２実施形態の物理量処理装置１では、物理量処理回路４０は、ＭＣＵ３からの角速度データ出力コマンドに応答して角速度データＶＤＯ１と共に温度データ変化フラグＴＣＦＬＧを発信するので、ＭＣＵ３は、角速度データＶＤＯ１を取得するとともに、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧが、温度データＶＤＯ２が変化したことを示す場合にのみ、温度データを取得することができる。

従って、第２実施形態の物理量処理装置１（物理量処理回路４０）によれば、ＭＣＵ３が角速度データＶＤＯ１を取得するとともに、実際の温度変化に追従しながら角速度データＶＤＯ１よりも低い頻度で温度データＶＤＯ２を取得することができ、ＭＣＵ３の通信負荷及び処理負荷を軽減することができる。

また、第２実施形態の物理量処理装置１（物理量処理回路４０）によれば、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧは温度データＶＤＯ２よりも情報量が小さいため、角速度データＶＤＯ１と共に温度データＶＤＯ２を常に受信する場合と比較して、ＭＣＵ３が取得するデータ量を削減することができ、ＭＣＵ３の負荷を軽減することができる。

２．電子機器
図１１は、電子機器の一例である横滑り防止装置の機能ブロック図である。図１１に示す横滑り防止装置３００は、角速度センサー３１０、加速度センサー３２０、車速センサー３３０、舵角センサー３４０、制御装置（ＭＣＵ）３５０及びブレーキ装置３６０を含んで構成されており、例えば、不図示の車両に取り付けられる。

制御装置（ＭＣＵ）３５０は、角速度センサー３１０の出力信号（車両の角速度の情報）、加速度センサー３２０の出力信号（車両の加速度の情報）、車速センサー３３０の出力信号（車両の速度の情報）及び舵角センサー３４０（車両のハンドルもしくはタイヤの角度の情報）を取得し、車両の姿勢を保持するようにブレーキ装置３６０を制御する。

例えば、角速度センサー３１０として、例えば上述した各実施形態の物理量検出装置２を適用し、あるいは、角速度センサー３１０に含まれる角速度処理回路３１２として、例えば上述した各実施形態の物理量処理回路４０を適用することにより、制御装置（ＭＣＵ）３５０の負荷を軽減し、信頼性の高い横滑り防止装置３００を実現することができる。

なお、例えば、加速度センサー３２０として、上述した各実施形態の物理量検出装置２を適用し、あるいは、加速度センサー３２０に含まれる加速度処理回路（不図示）として、上述した各実施形態の物理量処理回路４０を適用することもできる。

上述した各実施形態の物理量検出装置２あるいは物理量処理回路４０を適用可能な電子機器としては、横滑り防止装置３００以外にも種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、エアーバッグ制御装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。

３．移動体
図１２は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図１２に示す移動体４００は、物理量検出装置４１０，４２０，４３０、コントローラー４４０，４５０，４６０、バッテリー４７０、ナビゲーション装置４８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図１２の構成要素（各部）の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。

物理量検出装置４１０，４２０，４３０、コントローラー４４０，４５０，４６０、ナビゲーション装置４８０は、バッテリー４７０から供給される電源電圧で動作する。

コントローラー４４０，４５０，４６０は、それぞれ、物理量検出装置４１０，４２０，４３０が出力する物理量信号の一部又は全部を用いて、姿勢制御システム、横転防止システム、ブレーキシステム、エアーバッグシステム等の各種の制御を行う。

ナビゲーション装置４８０は、内蔵のＧＰＳ受信機（不図示）の出力情報に基づき、移動体４００の位置や時刻その他の各種の情報をディスプレイに表示する。また、ナビゲーション装置４８０は、物理量検出装置４９０を内蔵しており、ＧＰＳの電波が届かない時でも物理量検出装置４９０の出力信号に基づいて移動体４００の位置や向きの計算を行い、必要な情報の表示を継続する。

物理量検出装置４１０，４２０，４３０，４９０は、検出した物理量に応じたレベルの信号（物理量信号）を出力する装置であり、それぞれ、例えば、角速度センサー、加速度センサー、速度センサー、傾斜計等である。

例えば、物理量検出装置４１０，４２０，４３０，４９０として、上述した各実施形態の物理量検出装置２を適用し、あるいは、物理量検出装置４１０，４２０，４３０，４９０に含まれる物理量処理回路（不図示）として、上述した各実施形態の物理量処理回路４０を適用することにより、コントローラー４４０，４５０，４６０あるいはナビゲーション装置４８０の負荷を軽減し、信頼性の高い移動体を実現することができる。

このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。

本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

例えば、上述した各実施形態では、温度センサー７０は、物理量検出用回路２００（例えば、１チップのＩＣ）の内部に設けられているが、物理量検出用回路２００の外部に設けられていてもよい。

また、例えば、上述した第１実施形態において、温度データ更新フラグＴＦＬＧを第２実施形態の温度データ変化フラグＴＣＦＬＧに置き換えてもよいし、上述した第２実施形態において、温度データ変化フラグＴＣＦＬＧを第１実施形態の温度データ更新フラグＴＦＬＧに置き換えてもよい。

また、上述した各実施形態では、角速度を検出する物理量検出装置２を含む角速度処理装置を例に挙げて説明したが、本発明は、種々の物理量を検出する物理量検出装置を含む物理量処理装置にも適用することができる。物理量検出装置が有する物理量検出素子が検出する物理量は、角速度に限らず、角加速度、加速度、速度、力などであってもよい。また、物理量検出素子の振動片は、ダブルＴ型でなくてもよく、例えば、音叉型やくし歯型であってもよいし、三角柱、四角柱、円柱状等の形状の音片型であってもよい。また、物理量検出素子の振動片の材料としては、水晶（ＳｉＯ₂）の代わりに、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）等の圧電単結晶やジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電セラミックスなどの圧電性材料を用いてもよいし、シリコン半導体を用いてもよい。また、例えば、シリコン半導体の表面の一部に、駆動電極に挟まれた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の圧電薄膜を配置した構造であってもよい。また、物理量検出素子は、圧電型の素子に限らず、動電型、静電容量型、渦電流型、光学型、ひずみゲージ型等の振動式の素子であってもよい。あるいは、物理量検出素子の方式は、振動式に限らず、例えば、光学式、回転式、流体式であってもよい。

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

１ 物理量処理装置、２ 物理量検出装置、３ ＭＣＵ、４ａ 第１物理量検出部、４ｂ
第２物理量検出部、１０ 基準電圧回路、２０ 駆動回路、２１ 帰還発振用回路、２１ Ｉ／Ｖ変換回路（電流電圧変換回路）、２２ ハイパスフィルター、２３ コンパレーター、２４ 全波整流回路、２５ 積分器、２６ コンパレーター、３０ 検出回路、３１，３２ チャージアンプ、３３ 差動アンプ、３４ ハイパスフィルター、３５ ＡＣアンプ、３６ 同期検波回路、３７ 可変ゲインアンプ、３８ スイッチトキャパシタフィルター（ＳＣＦ）、３９ 出力バッファー、４０ 物理量処理回路、４１ デジタル演算回路、４２ インターフェイス回路、４３ クロック生成回路、４４ Ａ／Ｄ変換回路、４５ デジタルフィルター、４６ デジタル補正部、４７ Ａ／Ｄ変換回路、４８ デジタルフィルター、４９ 温度変化検出部、５０ 記憶部、６０ 発振回路、７０ 温度センサー、１００ 物理量検出素子、１０１ａ〜１０１ｂ 駆動振動腕、１０２ 検出振動腕、１０３ 錘部、１０４ａ〜１０４ｂ 駆動用基部、１０５ａ〜１０５ｂ 連結腕、１０６ 錘部、１０７ 検出用基部、１１２〜１１３ 駆動電極、１１４〜１１５ 検出電極、１１６ 共通電極、２００ 物理量検出用回路、３００ 横滑り防止装置、３１０ 角速度センサー、３１２ 角速度処理回路、３２０ 加速度センサー、３３０ 車速センサー、３４０ 舵角センサー、３５０ 制御装置（ＭＣＵ）、３６０ ブレーキ装置、４００ 移動体、４１０，４２０，４３０ 物理量検出装置、４４０，４５０，４６０
コントローラー、４７０ バッテリー、４８０ ナビゲーション装置、４９０ 物理量検出装置

Claims (9)

1. 第１物理量の情報を発信する第１物理量検出部と、
   前記第１物理量以外の物理量である第２物理量の情報を発信する第２物理量検出部と、を備え、
   前記第２物理量の情報と共に、前記第１物理量の情報よりも情報量が小さい前記第１物理量の情報の更新情報を発信し、
   前記更新情報は、前記第１物理量の情報が新たに生成されたことを示す１ビットのフラグを含む、物理量処理回路。
2. 前記第１物理量の情報が更新される周期は、前記第２物理量の情報が更新される周期よりも長い、請求項１に記載の物理量処理回路。
3. 前記更新情報には、前記第１物理量の経時変化の有無を示す情報が含まれている、請求項１又は２に記載の物理量処理回路。
4. 前記第１物理量が温度である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の物理量処理回路。
5. 前記第２物理量が力もしくは力に関わる物理量である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の物理量処理回路。
6. 前記第１物理量の情報を出力することを要求する要求信号を受けて前記第１物理量の情報を発信する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の物理量処理回路。
7. 請求項６に記載の物理量処理回路と、
   前記更新情報を受信して、前記更新情報に応じて前記要求信号を発信し、前記第１物理量の情報を受信して、当該第１物理量の情報を用いた処理を行う処理部と、
   を備えている、物理量処理装置。
8. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の物理量処理回路を備えている、電子機器。
9. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の物理量処理回路を備えている、移動体。

Images