JP6511127B2 - タッチセンシング電極構造物及びそれを含むタッチセンサー - Google Patents

タッチセンシング電極構造物及びそれを含むタッチセンサー Download PDF

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Description

本発明は、タッチセンシング電極構造物及びそれを含むタッチセンサーに関する。より詳しくは、複数の異なるパターンを含むタッチセンシング電極構造物及びそれを含むタッチセンサーに関する。
近年、情報化が進展するにつれて、ディスプレイ分野でも多様な形態の要求が増加している。これにより、薄型化、軽量化、低消費電力化などの特徴を持つ各種の平板表示装置(Flat Panel Display device)、例えば、液晶表示装置(Liquid Crystal Display device)、プラズマ表示装置(Plasma Display Panel device)、電界発光表示装置(Electro Luminescent Display device)、有機発光ダイオード表示装置(Organic Light-Emitting Diode Display device)などが研究されている。
その一方で、前記表示装置上に貼り付けられ、画面に表示される指示内容を人の手や物体で選択し、ユーザの命令を入力する入力装置であるタッチパネル(touch panel)をディスプレイ装置と結合することで、画像表示機能及び情報入力機能を共に実現した電子機器が開発されている。
また、前記ディスプレイ装置の薄型化につれて、折ったり曲げたりすることができるフレキシブル特性(柔軟性)の実現が試みられている。これにより、前記タッチパネルもまた、フレキシブルディスプレイ装置に採用できるものを開発する必要がある。
前記タッチパネルを前記ディスプレイ装置に組み込むと、電極パターンの視認により表示品質が低下することがある。このため、タッチパネルの柔軟化、薄型化を実現しつつ、光学的特性を共に向上させる必要がある。
例えば、韓国公開特許第2014−0092366号に開示されているように、最近、様々な画像表示装置にタッチセンサーを結合したタッチスクリーンパネルが開発されている。しかしながら、前述のように、機械的、光学的特性が向上した薄型タッチセンサー又はタッチパネルの要求が続いている。
韓国公開特許第2014−0092366号
本発明は、向上した光学的、電気的な特性を有するタッチセンシング電極構造物を提供することを目的とする。
本発明は、向上した光学的、電気的な特性を有するタッチセンシング電極構造物を含むタッチセンサーを提供することを目的とする。
本発明は、向上した光学的、電気的な特性を有するタッチセンサーを含む画像表示装置を提供することを目的とする。
1.第1の方向にジグザグライン形状に延び、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って配列される複数の電極ラインと、
前記第2の方向に延びて、隣り合う前記電極ラインを接続し、前記電極ラインと複数の凹多角形パターンを形成する接続電極とを含む、タッチセンシング電極構造物。
2.前記項目1において、前記電極ラインは、互いに交差して交互に繰り返される第1の電極パターンと第2の電極パターンとを含む、タッチセンシング電極構造物。
3.前記項目2において、前記凹多角形パターンは、前記第1の電極パターンと前記第2の電極パターンとの交差領域で定義される凸部及び凹部を含み、
前記接続電極は、隣り合う前記凹多角形パターンに含まれている前記凸部と前記凹部との間を接続する、タッチセンシング電極構造物。
4.前記項目2において、前記第1の方向に対する前記第1の電極パターンまたは前記第2の電極パターンの傾斜角は10〜70度である、タッチセンシング電極構造物。
5.前記項目4において、前記傾斜角は10〜50度である、タッチセンシング電極構造物。
6.前記項目2において、前記複数の凹多角形パターンは、それぞれ2つの互いに向かい合う前記第1の電極パターン、前記第2の電極パターン、及び前記接続電極によって定義される、タッチセンシング電極構造物。
7.前記項目2において、前記電極ライン及び前記接続電極によってメッシュ構造体が定義され、
前記メッシュ構造体がパターニングされて形成された複数のユニットセルが併合された電極セルを含む、タッチセンシング電極構造物。
8.前記項目7において、前記複数のユニットセルは凸多角形の構造を有し、前記電極セルは凹多角形の構造を有する、タッチセンシング電極構造物。
9.前記項目7において、前記電極セルと電気的に接続されるトレースをさらに含む、タッチセンシング電極構造物。
10.前記項目9において、前記トレースは、前記電極ラインの一部を含み、前記トレースに含まれている第1の電極パターン及び第2の電極パターンは、前記電極セルに含まれている第1の電極パターン及び第2の電極パターンと同一の長さ及び傾斜角を有する、タッチセンシング電極構造物。
11.前記項目9において、隣り合う前記トレースの間に配置されて前記第2の方向に延びるダミー電極をさらに含む、タッチセンシング電極構造物。
12.前記項目11において、前記ダミー電極は、隣り合う前記トレースのいずれか一つのトレースと接続される、タッチセンシング電極構造物。
13.前記項目12において、前記トレースは、それぞれ前記第1の方向に沿って凸部と凹部とが交互に繰り返されるジグザグライン形状を有し、
前記ダミー電極は、前記一つのトレースの前記凸部及び前記凹部毎に接続される、タッチセンシング電極構造物。
14.前記項目11において、前記ダミー電極は、隣り合う前記トレースと交互に接続されるように前記第1の方向に沿って配列される、タッチセンシング電極構造物。
15.前記項目11において、前記ダミー電極は、隣り合う前記トレースの間で前記トレースと離隔するように配置される、タッチセンシング電極構造物。
16.前記項目1〜15のいずれか一項に記載のタッチセンシング電極構造物を含む、タッチセンサー。
17.前記項目16において、自己静電容量方式である、タッチセンサー。
18.前記項目1〜15のいずれか一項に記載のタッチセンシング電極構造物を含む、画像表示装置。
本発明によると、タッチセンシング電極構造物は、接続電極を活用し、ジグザグに配列される複数の凹多角形パターンを含むように形成することができる。これにより、電極パターンの密度を向上させ、抵抗を下げるとともにタッチセンシングの解像度を高めることができる。
また、接続電極と前記凹多角形パターンとが形成する角度を制御することで、タッチセンシング電極の視認度を低減することができる。タッチセンサー構造物は、複数の多角形ユニットセルが併合された電極セルを含むことにより、タッチ点に応じて容量または抵抗値のばらつきが増加し、タッチセンシング解像度が向上し得る。
一部の実施形態では、タッチセンシング電極構造物またはタッチセンサーにおいて、トレース領域にダミー電極を形成し、前記トレース領域及びセンシング領域の電極配列、形状を実質的に同一または類似のものに形成することができる。したがって、電極配列のばらつきによる電極の視認、モアレ現象を抑制することができる。
前記タッチセンサーは、例えば、単一層または単一レベルの前記タッチセンシング電極構造物を含み、画像表示装置に含めることでフレキシブルディスプレイ装置を実現できる。
図1は、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。 図2は、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。 図3は、本発明の一部の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。 図4は、本発明の一部の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。 図5は、本発明の一部の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。 図6は、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物の電極セル及びトレース構造を説明するための概略的な平面図である。 図7は、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物の電極セル及びトレース構造を説明するための概略的な平面図である。 図8は、本発明の実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。 図9は、本発明の実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。 図10は、本発明の実施形態に係る画像表示装置を示す概略的な断面図である。
本発明の実施形態によると、複数の電極ライン及び接続電極によって定義され、ジグザグに繰り返し配列された凹多角形パターンを含み、視認性が低減するとともにタッチ解像度が向上したタッチセンシング電極構造物を提供できる。
本発明の実施形態によると、複数の電極ライン及び接続電極を含み、トレース領域にダミー電極を含めることにより、視認性が低減するとともにタッチ解像度が向上したタッチセンシング電極構造物を提供できる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態をより具体的に説明する。ただし、本明細書に添付される図面は、本発明の好適な実施形態を例示するものであって、発明の詳細な説明とともに本発明の技術思想をさらに理解する一助となる役割を果たすものであるため、本発明は図面に記載された事項のみに限定されて解釈されるものではない。
<タッチセンシング電極構造物>
図1及び図2は、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。具体的には、図1及び図2は、前記タッチセンシング電極構造に含まれる個々の電極パターンの配列を説明するための図である。
説明を容易にするために、図1では、前記タッチセンシング電極構造物の電極ラインを別途図示しており、図2では、前記電極ライン及び接続電極を共に図示している。例えば、図2は、タッチセンシング電極構造物のセンシング領域(I)での電極構造を示す平面図である。
図1及び図2において、同一平面上で互いに交差する二つの方向を第1の方向及び第2の方向と定義する。例えば、前記第1の方向と第2の方向は、互いに垂直に交差することができる。矢印で示す方向とその反対方向は同一の方向に説明される。前記の方向の定義は、以下の他の図面でも同様に適用され得る。
図1に示すように、前記タッチセンシング電極構造物は、複数の電極ライン10を含むことができる。例えば、各電極ライン10は、第1の方向に延び、第2の方向に沿って複数の電極ライン10を配列することができる。
電極ライン10は、第1の電極パターン13と第2の電極パターン15とを含むことができる。各電極ライン10は、繰り返し交互に配列される第1の電極パターン13と第2の電極パターン15とを含むことができる。第1の電極パターン13と第2の電極パターン15とは、互いに連続して接続することができる。
第1の電極パターン13及び第2の電極パターン15は、所定の角度で互いに交差することができる。これにより、電極ライン10は、複数の変曲部を含む折れ線の形状またはジグザグライン形状を持つことができる。
電極ライン10は、タッチセンシング電極構造物のセンシング領域(I)、仲介領域(III)及びトレース領域(II)に共に分布することができる(図6及び図7を参照)。
図2に示すように、隣り合う電極ライン10の間には接続電極20を配置できる。例示的な実施形態によると、隣接する第1の電極パターン13、第2の電極パターン15及び接続電極20によって、凹多角形パターンを定義することができる。前記凹多角形パターンは、互いにジグザグに配列できる。
例えば、隣り合う2つの凹多角形パターンは、一つの辺を共有し、複数の凹多角形パターンを繰り返し配列することができる。これにより、前記タッチセンシング電極構造物は、前記凹多角形パターンを含むメッシュ(mesh)構造体の形状を有することができる。
一部の実施形態では、前記凹多角形パターンは、凹六角形パターンであってもよい。図2に示されるように、前記第1の方向に隣接する接続電極20と、前記第2の方向に隣接する一対の第1のパターン13と、前記第2の方向に隣接する一対の第2のパターン15とにより、前記凹六角形パターンを定義することができる。
前記凹多角形パターンは、前記第2の方向に向き合う凸部30と凹部35とを含むことができる。例示的な実施形態では、接続電極20は、前記第2の方向に延び、隣り合う凹多角形パターンの凸部30及び凹部35を互いに接続することができる。
接続電極20は、前記第1の方向に沿って配列されて接続電極列を形成し、前記第2の方向に沿って複数の接続電極列を形成することができる。隣り合う前記接続電極列は、各々の列に属する接続電極20が前記第1の方向に部分的に重なるように配列できる。
前述のように、接続電極20により前記凹多角形パターンを互いにかみ合う形でジグザグに配列することにより、単位面積当たりの相互接続されている電極またはパターンの密度を、所望の開口率を確保しつつ増加させることができる。これにより、透過度および電気的特性(例えば、低抵抗)を同時に向上できる。
一部の実施形態では、第1の電極パターン13または第2の電極パターン15の傾斜角は、約10〜70度(°)の範囲であってもよく、好ましくは約10〜50度の範囲であってもよい。
前記傾斜角は、図2に示される前記第1の方向に延びる仮想の直線(点線で表示)と、第1の電極パターン13または第2の電極パターン15とが形成する角度と定義できる。前記傾斜角の範囲であると、所望のパターン密度および開口率が確保され、前記タッチセンシング電極構造を備えるタッチセンサーの光学的、電気的な特性を共に向上することができる。
電極ライン10及び接続電極20は、同一の導電性物質で形成することができる。例えば、電極ライン10及び接続電極20は、金属ワイヤまたは透明導電性酸化物を含むことができる。
前記金属ワイヤは、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)、チタニウム(Ti)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、またはこれらの合金を含むことができる。これらは、単独で又は2以上を組み合わせて用いることができる。
前記透明導電性酸化物の例としては、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、亜鉛酸化物(ZnO)、インジウム亜鉛スズ酸化物(IZTO)、カドミウムスズ酸化物(CTO)などが挙げられる。
例示的な実施形態では、電極ライン10及び接続電極20は、金属ワイヤで形成することができる。これにより、前記透明導電性酸化物を含む場合よりも相対的に抵抗が減少して信号伝達速度が向上し、フレキシブル特性が共に向上し得る。
また、前記タッチセンシング電極構造物は、前述の電極配列及び構造を有することにより、例えば、フレキシブルディスプレイなどの画像表示装置に適用した場合に、単位面積当たりのパターンの密集度を向上させながら開口率を確保することができる。これにより、電極またはパターンの視認性を最小限に抑えながら、向上したタッチセンシング解像度を実現できる。
図3〜図5は、本発明の一部の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物を説明するための概略的な平面図である。例えば、図3〜図5は、一部の実施形態におけるトレース領域での電極パターンの配列を示している。
図3に示すように、センシング領域(I)には、図2を参照して説明した電極構造が配置され、トレース領域(II)には、複数のトレース42,44が配置され得る。
トレース領域(II)では、図2を参照して説明したセンシング領域(I)の電極構造から分岐される複数のトレースを配置できる。例えば、前記第1の方向に沿って折れ線の形状又はジグザグライン形状に延びる第1のトレース42及び第2のトレース44を、互いに前記第2の方向に電気的、物理的に離隔して交互に配列することができる。
各トレースは、図1に示される電極ライン10を含むことができる。本発明の実施形態によると、トレース領域(II)ではダミー電極25を配置することができる。ダミー電極25は、隣り合う第1のトレース42と第2のトレース44との間に配置できる。ダミー電極25は、接続電極20と同一の物質を含むことができ、例えば金属ワイヤで形成できる。
ダミー電極25は、隣り合う第1のトレース42及び第2のトレース44のいずれか一つのトレースに選択的に接続できる。例えば、図3に示すように、ダミー電極25は、第1のトレース42のみに選択的に接続し、前記第1の方向に沿って繰り返し配列することができる。
一実施形態では、図3に示すように、ダミー電極25は、第1のトレース42に含まれている凸部30a及び凹部35a毎に接続されるように配列できる。例えば、ダミー電極25は、第1のトレース42から前記第2の方向に分岐され、前記第1の方向に沿ってジグザグに互いに部分的に重なるように配列することができる。
ダミー電極25は、第2のトレース44と電気的、物理的に分離又は離隔することができる。ダミー電極25は、いずれか一つの電極ライン10のみに接続されることを除いては、実質的に接続電極20と同一の形状を有することができる。トレース42,44に含まれた第1の電極パターン13及び第2の電極パターン15、及びダミー電極25によってトレース領域(II)においてもセンシング領域(I)と類似した電極配列を実現できる。例えば、トレース領域(II)では、いくつかの辺が未接続である凹多角形パターンを配列できる。
一部の実施形態では、図3に示すように、ダミー電極25は、センシング領域(I)とトレース領域(II)との境界領域にも配列することができる。これにより、ダミー電極25は、センシング領域(I)とトレース領域(II)との間におけるバッファパターンとして機能することができる。
図4に示すように、ダミー電極25aは、前記第1の方向に沿って第1のトレース42及び第2のトレース44に交互に接続するように配列することができる。
例えば、ダミー電極25aは、第1のトレース42の凸部30a毎に接続し、第2のトレース44の凹部35a毎に接続することができる。
図5に示すように、ダミー電極25bは、第1のトレース42と第2のトレース44との間に配置し、第1のトレース42及び第2のトレース44と物理的に離隔するように配置することもできる。例えば、ダミー電極25bは、トレース42,44の間でのフローティング(floating)電極形状を有することができる。これにより、ダミー電極25bによりトレースの電気的特性が変化しないようにすることができる。
一部の実施形態では、センシング領域(I)及びトレース領域(II)の境界領域に配列されたダミー電極25bもまた、隣り合う電極ラインの間で分離されたフローティング電極形状を有することができる。
前述したように、前記トレース領域にダミー電極を配列することによって、それぞれのトレースの間の絶縁性を維持しながら、前記センシング領域でのパターン構造と実質的に同一または類似のパターン構造を前記トレース領域でも実現することができる。これにより、前記のセンシング領域とトレース領域との間のパターン構造の差異による電極の視認、モアレ現象の発生を防止できる。また、ダミー電極を備えることにより、前記トレース領域での電極ラインまたはトレースのクラック、損傷等による劣化を防止できる。
図6及び図7は、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物の電極セル及びトレース構造を説明するための概略的な平面図である。
図6に示すように、前記タッチセンシング電極構造物は、例えば、基材層100上に形成され、図1及び図2を参照して説明したメッシュ構造体をパターニングして形成した電極セル120及びトレース(trace)130を含むことができる。
基材層100は、センシング領域(I)、仲介領域(III)およびトレース領域(II)に区分できる。例示的な実施形態によると、電極セル120は、基材層100のセンシング領域(I)上に形成され、複数のユニットセル110が一体に併合された形状を有することができる。例えば、複数のユニットセル110が併合部115によって互いに接続され、電極セル120を定義することができる。
各ユニットセル110の内部には、図1及び図2を参照して説明した電極パターン及び接続電極が含まれ得る。例えば、前記電極パターン及び接続電極を含むメッシュ構造体を多角形の形状にパターニングし、ユニットセル110を形成することができる。
各ユニットセル110は、前記メッシュ構造体に含まれている凹多角形パターンが集合して、全体として、ダイヤモンドまたは菱形のような凸多角形形状を有することができる。複数のユニットセル110が、例えば、前記第2の方向に沿って配列されて併合部115によって接続されることにより、各電極セル120は、実質的に凹多角形の形状を有することができる。
図6では、1つの電極セル120のみを示しているが、複数の電極セル120が互いに物理的、電気的に分離されて互いにかみ合うように配列することができる。
また、基材層100のトレース領域(II)上には、図1に示される電極ライン10を含むトレース130を形成することができる。一部の実施形態では、トレース130は、電極ライン10(図1参照)で構成することができ、前記第1の方向に延びるジグザグラインまたは折れ線の形状を有することができる。トレース130は、例えば、タッチセンサーの位置検出ラインのような配線として機能し、複数のトレース130がパッド部(図示せず)にて集束し、駆動回路と電気的に接続することができる。トレース130に含まれている電極パターンの長さ及び/又は傾斜角は、電極セル120またはユニットセル110に含まれている電極パターンと実質的に同一であってもよい。
例えば、各トレース130は、センシング領域(I)上に形成された電極セル120のいずれか一つの電極セルと電気的に接続することができる。
仲介領域(III)は、センシング領域(I)とトレース領域(II)との間に配置され、二つの領域の間のバッファ領域で提供され得る。
一部の実施形態では、仲介領域(III)上には、併合部115と実質的に同一または類似の形状の接続部117が配置され、電極ライン10(図1参照)の一部を仲介領域(III)上に配列することもできる。接続部117に含まれている凹多角形パターンの少なくとも一部は、ダミー電極25を含むこともできる。
例えば、仲介領域(III)上に配列された電極ラインの一部は、ダミーラインで提供され、他の一部は、電極セル120と接続されたトレースで提供され得る。
図6に示されているユニットセル110または電極セル120の形態は、例示的なものである。ユニットセル110の形状、および電極セル120に含まれているユニットセル110の数は、タッチセンサーのデザイン、回路設計によって適宜変更できる。
前述した例示的な実施形態によると、電極セル120を、例えば凸多角形形状の複数のユニットセル115を含むように形成することができる。したがって、単純な多角形(例えば、ダイヤモンド形状)の電極セルに比べ、タッチ位置による抵抗または容量のばらつきが増加し、これにより、タッチセンシングの解像度が向上し得る。
基材層100は、前記タッチセンシング電極構造物の形成のために、ベース層として用いられるフィルムタイプの基材を包括する意味で使用される。例えば、基材層100は、タッチセンサーに通常使用されるフィルム素材を特に制限なく使用でき、例えば、ガラス、高分子、及び/又は無機絶縁物質を含むことができる。前記高分子の例としては、環状オレフィン重合体(COP)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリアクリレート(PAR)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアリレート(polyallylate)、ポリイミド(PI)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、ポリエーテルスルホン(PES)、セルローストリアセテート(TAC)、ポリカーボネート(PC)、環状オレフィン共重合体(COC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)などが挙げられる。前記無機絶縁物質の例としては、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、金属酸化物などが挙げられる。
図7を参照すると、図3〜図5を参照して説明したように、トレース領域(II)上にはダミー電極25を、トレース130の絶縁性が確保されるように配列することができる。また、センシング領域(I)とトレース領域(II)との境界領域にもダミー電極25を配列して緩衝パターンとして提供できる。例えば、各電極セル120から分枝されるトレース130は、互いに電気的、物理的に分離され、例えば、ダミー電極25を互いに隣り合うトレース42,44の間に配置し、いずれか一つのトレースと選択的に接続できる。
図8及び図9は、本発明の実施形態に係るタッチセンサーを示す概略的な断面図である。
図8に示すように、前記タッチセンサーは、基材層100と、タッチセンシング電極構造物150と、絶縁層160とを含むことができる。
基材層100は、図6及び図7を参照して説明したものと実質的に同一であってもよい。基材層100上には、図1〜図5を参照して説明したタッチセンシング電極構造物150を形成することができる。
絶縁層160は、基材層100上に形成され、タッチセンシング電極構造物150を少なくとも部分的に覆うことができる。絶縁層160は、透明絶縁材料で形成できる。例えば、シリコン酸化物のような無機絶縁物質、またはアクリル系樹脂のような透明有機物質を用いて絶縁層160を形成できる。
一部の実施形態では、絶縁層160は、タッチセンシング電極構造物150を全体的にカバーするオーバーコート層を含むことができる。
例示的な実施形態において、前記タッチセンサーは、自己静電容量(Self−Capacitance)方式であってもよい。この場合には、タッチセンシング電極構造物150は、実質的に単一層または単一レベルで形成され、各電極セル120毎にトレース130を形成することができる(図6及び図7を参照)。これにより、例えば、相互静電容量(Mutual−Capacitance)方式で備えられるブリッジ電極を省略し、タッチセンサーの薄型化及びフレキシブル化を容易に実現できる。
図9を参照すると、タッチセンサーは、実質的にフィルムタイプまたは無機材タイプで提供できる。
例えば、前記タッチセンサーは、分離層103と、保護層105と、タッチセンシング電極構造物150と、絶縁層160と、粘着層170と、保護フィルム180とを含むことができる。
分離層103は、高分子有機膜を含むことができ、非限定的な例として、ポリイミド(polyimide)系高分子、ポリビニルアルコール(poly vinyl alcohol)系高分子、ポリアミック酸(polyamic acid)系高分子、ポリアミド(polyamide)系高分子、ポリエチレン(polyethylene)系高分子、ポリスチレン(polystylene)系高分子、ポリノルボルネン(polynorbornene)系高分子、フェニルマレイミド共重合体(phenylmaleimide copolymer)系高分子、ポリアゾベンゼン(polyazobenzene)系高分子、ポリフェニレンフタルアミド(polyphenylenephthalamide)系高分子、ポリエステル(polyester)系高分子、ポリメチルメタクリレート(polymethyl methacrylate)系高分子、ポリアリーレート(polyarylate)系高分子、シンナメート(cinnamate)系高分子、クマリン(coumarin)系高分子、フタルイミジン(phthalimidine)系高分子、カルコン(chalcone)系高分子、芳香族アセチレン系高分子などの高分子材料を含むことができる。これらは、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
一部の実施形態では、分離層103は、ガラス基板のようなキャリア基板(図示せず)上に形成され、タッチ電極構造物150を形成後、前記キャリア基板の剥離工程を容易にするために形成することができる。
保護層105は、分離層103上に形成され、タッチセンシング電極構造物150の保護、タッチセンサーの屈折率の整合などを考慮して備えることができる。保護層105は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁物質、または高分子系の有機絶縁物質を含むことができる。一部の実施形態では、保護層105の形成を省略することもできる。
分離層103及び/又は保護層105を含む下部膜上に、前述した例示的な実施形態に係るタッチセンシング電極構造物150を形成し、タッチセンシング電極構造物150を覆う絶縁層160を形成することができる。
一部の実施形態では、粘着層170が絶縁層160上に形成され、粘着層170上に保護フィルム180を貼り付けることができる。
保護フィルム180は、例えば、セルロースエステル(例えば、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、およびニトロセルロース)、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリオレフィン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリーレート、ポリエーテル−イミド、ポリメチルメタアクリレート、ポリエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル系の透明樹脂フィルムを含むことができる。これらは、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
保護フィルム180は、薄型タッチセンサーフィルムを製造するために、後続工程で剥離することもできる。一部の実施形態では、前記タッチセンサーは、偏光フィルム、位相差フィルムなどの光学機能性フィルムをさらに含んでいてもよい。
図10は、本発明の実施形態に係る画像表示装置を示す概略的な断面図である。
図10に示すように、前記画像表示装置は、ベース基板200と、画素定義膜205と、表示層210と、電極215と、層間絶縁膜220,230と、タッチセンシング電極構造物240と、保護層250と、光学層260と、ウィンドウ基板270とを含むことができる。
ベース基板200は、ディスプレイパターンの支持基板であってもよい。例示的な実施形態によると、ベース基板200は、ポリイミドのような柔軟性を有する樹脂物質を含むことができる。この場合、前記画像表示装置は、フレキシブルディスプレイで提供できる。
ベース基板200上には画素定義膜205が形成され、色又は画像が具現される画素領域が露出し得る。ベース基板200と画素定義膜205との間には、薄膜トランジスタ(TFT)アレイを形成することができ、前記TFTアレイを覆う絶縁構造物を形成することができる。画素定義膜205は、前記絶縁構造物上に形成され、例えば、前記絶縁構造物を貫通してTFTと電気的に接続される画素電極(例えば、陽極(anode))を露出させることができる。
画素定義膜205によって露出する前記画素領域毎に表示層210を形成することができる。表示層210は、例えば有機発光物質を含み、この場合、前記画像表示装置はOLED装置で提供できる。表示層210は、液晶物質を含むこともでき、この場合、前記画像表示装置はLCD装置で提供できる。
画素定義膜205及び表示層210の上には、電極215を配置することができる。電極215は、前記画素電極と向き合う対向電極で提供することができる。電極215は、画像表示装置の陰極(cathode)であってもよく、複数の画素領域上で連続して延びる共通電極であってもよい。
電極215上には層間絶縁膜220,230を形成することができる。前記層間絶縁膜は、第1の層間絶縁膜220と、第2の層間絶縁膜230とを含むことができる。第1の層間絶縁膜220は、平坦化膜で提供され、第2の層間絶縁膜230は、カプセル化(encapsulation)膜で提供され得る。
前記層間絶縁膜上には、前述した例示的な実施形態に係るタッチセンシング電極構造物240を配置することができる。タッチセンシング電極構造物240は、例えば、金属ワイヤを第2の層間絶縁膜230上に直接蒸着した後、パターニングして形成することができる。一部の実施形態では、タッチセンシング電極構造物240は、図8又は図9を参照して説明したタッチセンサーの形態で製造して画像表示装置に備えられてもよい。
タッチセンシング電極構造物240は、自己静電容量方式であってもよく、実質的に単一層または単一レベルの部材として画像表示装置に含まれ得る。また、この場合は、相互静電容量方式を採用する場合に発生する、例えば電極215との干渉及びノイズを低減することができる。
図1及び図2を参照して説明したように、タッチセンシング電極構造物240は、向上した視認防止の効果を有するので、画素定義膜205及び前記画素領域上に共に分布することができる。一部の実施形態では、タッチセンシング電極構造物240は、画素定義膜205と重なり、かつ前記画素領域とは重ならないように配列することもできる。
また、本発明の実施形態に係るタッチセンシング電極構造物240は、凹多角形パターンの集合構造を含む。このため、単純なダイヤモンドメッシュ構造の電極構造物に比べて、光学的に表示パネル上に分布された電極、配線との干渉が低減し、モアレ現象を抑制することができる。
一部の実施形態では、図3〜図5を参照して説明したように、タッチセンシング電極構造物240は、前述したダミー電極によって、トレース領域での電極の視認またはモアレ現象が抑制され、向上した透過率または開口率を有するので、画素定義膜205及び前記画素領域上に共に分布することができる。
第2の層間絶縁膜230上には、タッチセンシング電極構造物240を覆う保護層250が形成され、保護層250上には、光学層260及びウィンドウ基板270を積層することができる。
光学層260は、偏光子または偏光板、位相差フィルムなどの画像表示装置の光学特性、透過度などを向上できる機能層を含むことができる。ウィンドウ基板270は、ユーザ側に露出する封止層として機能できる。
例示的な実施形態に係るタッチセンシング電極構造物240は、例えば、フレキシブルOLED装置に採用され、前述の電極、パターン、及び/又はセル構造により、タッチ解像度、透過度、フレキシブル特性が同時に向上した画像表示装置を実現できる。
以下、本発明の理解を助けるために好適な実施例を提示するが、これらの実施例は本発明を例示するものに過ぎず、添付の特許請求の範囲を制限するものではない。これらの実施例に対し、本発明の範疇および技術思想の範囲内で種々の変更および修正を加えることが可能であることは当業者にとって明らかであり、これらの変形および修正が添付の特許請求の範囲に属することも当然のことである。
実施例及び比較例
実施例
COP基材層上に銀(Ag)、パラジウム(Pd)及び銅(Cu)の合金(APC)を用いて、図2に示される構造のメッシュ構造体を形成した。電極線幅は3μm、電極厚さは90nm、各電極パターン(第1の電極パターン、第2の電極パターン)及び接続電極の長さは、傾斜角によって54.549(5度)〜49.579(75度)μmに形成した。
図2に示す傾斜角(θ)を変化させながら、実施例に係るタッチセンシング電極構造部を形成した。
比較例
実施例と同一のCOP基材層上に、APCで形成され、且つ反復的なダイヤモンドパターン(または菱形パターン)を含むメッシュ構造体を形成した。電極線幅は3μm、電極厚さは90nm、各ダイヤモンドパターンの二つの対角線の長さは、それぞれ59.55μm及び75μmに形成した。
実験例
1.透過率の測定
実施例及び比較例により製造したメッシュ構造体の反射率を、550nm波長の条件下で分光測色計(CM−3600A,Konica Minolta)で測定した。
2.チャネル抵抗の測定
実施例及び比較例により製造したメッシュ構造体のチャネル抵抗を、抵抗測定器(87V,FLUKE)を用いて測定した。
3.視認性の評価
実施例及び比較例により製造したメッシュ構造体を肉眼で観察し、電極パターンの視認有無を評価した。具体的には、10人のパネルにメッシュ構造体を肉眼観察してもらい、電極パターンが明確に視認されたと評価したパネルの数を数えることで視認性を評価した。
評価結果を下記の表1に示す。
Figure 0006511127
上記表1に示すように、例示的な実施形態に係るメッシュ構造体を含む実施例の場合は、通常のダイヤモンドメッシュ形状の比較例よりも全体的に減少したチャネル抵抗、向上した視認特性を示した。実施例の場合は、メッシュ構造体において接続電極によって凹多角形形状に電極パターンを接続することにより、電極パターンの存在領域が増加し、通常のダイヤモンドメッシュ形状の比較例に比べて肉眼で視認されるサンプルの数が顕著に減少した。
傾斜角が70度を超えている実施例12及び実施例13の場合は、電極パターンの密度が増加するにつれて透過率が多少減少した。また、傾斜角が50度を超えている実施例9〜13の場合は、屈曲角度が増加するにつれてチャネル抵抗が多少増加した。
一方、傾斜角が10度未満に減少している実施例1の場合は、他の実施例に比べて視認の程度が増加した。
前述の評価結果から、傾斜角が約10〜70度、好ましくは約10〜50度の範囲で、透過度及びチャネル抵抗の低下なしに電極パターンの視認の防止を著しく向上できることが確認できた。

Claims (16)

  1. 第1の方向にジグザグライン形状に延び、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って配列される複数の電極ラインと、
    前記第2の方向に直線に延びて、隣り合う前記電極ラインを接続し、前記電極ラインと複数の凹六角形パターンを形成する接続電極とを含み、
    前記電極ラインは、互いに交差して交互に繰り返される第1の電極パターンと第2の電極パターンとを含み、
    前記複数の凹六角形パターンは、それぞれ2つの互いに隣り合って向かい合う前記第1の電極パターン、前記第2の電極パターン、及び前記接続電極によって定義され、
    前記一つの凹六角形パターンで向かい合う2つの接続電極は、互いに平行である、タッチセンシング電極構造物。
  2. 前記凹六角形パターンは、前記第1の電極パターンと前記第2の電極パターンとの交差領域で定義される凸部及び凹部を含み、
    前記接続電極は、隣り合う前記凹六角形パターンに含まれている前記凸部と前記凹部との間を接続する、請求項1に記載のタッチセンシング電極構造物。
  3. 前記第1の方向に対する前記第1の電極パターンまたは前記第2の電極パターンの傾斜角は10〜70度である、請求項1または2に記載のタッチセンシング電極構造物。
  4. 前記傾斜角は10〜50度である、請求項3に記載のタッチセンシング電極構造物。
  5. 前記電極ライン及び前記接続電極によってメッシュ構造体が定義され、
    前記メッシュ構造体がパターニングされて形成された複数のユニットセルが併合された電極セルを含む、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のタッチセンシング電極構造物。
  6. 前記複数のユニットセルは凸多角形の構造を有し、前記電極セルは凹多角形の構造を有する、請求項5に記載のタッチセンシング電極構造物。
  7. 前記電極セルと電気的に接続されるトレースをさらに含む、請求項5または6に記載のタッチセンシング電極構造物。
  8. 前記トレースは、前記電極ラインの一部を含み、
    前記トレースに含まれた第1の電極パターン及び第2の電極パターンは、前記電極セルに含まれた第1の電極パターン及び第2の電極パターンと同一の長さ及び傾斜角を有する、請求項7に記載のタッチセンシング電極構造物。
  9. 隣り合う前記トレースの間に配置され、前記第2の方向に延びるダミー電極をさらに含む、請求項7または8に記載のタッチセンシング電極構造物。
  10. 前記ダミー電極は、隣り合う前記トレースのいずれか一つのトレースと接続される、請求項9に記載のタッチセンシング電極構造物。
  11. 前記トレースは、それぞれ前記第1の方向に沿って凸部と凹部とが交互に繰り返されるジグザグライン形状を有し、
    前記ダミー電極は、前記一つのトレースの前記凸部及び前記凹部毎に接続される、請求項9または10に記載のタッチセンシング電極構造物。
  12. 前記ダミー電極は、隣り合う前記トレースと交互に接続されるように前記第1の方向に沿って配列される、請求項9ないし11のいずれか一項に記載のタッチセンシング電極構造物。
  13. 前記ダミー電極は、隣り合う前記トレースの間で前記トレースと離隔するように配置される、請求項9に記載のタッチセンシング電極構造物。
  14. 請求項1〜13のいずれか一項に記載のタッチセンシング電極構造物を含む、タッチセンサー。
  15. 自己静電容量方式である、請求項14に記載のタッチセンサー。
  16. 請求項1〜13のいずれか一項に記載のタッチセンシング電極構造物を含む、画像表示装置。
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