JP6508724B2 - 半導体素子及びその製造方法、並びに脂肪族ポリカーボネート - Google Patents
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Description
1.本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法及び全体構成
図1乃至図8は、それぞれ、半導体素子の一例である薄膜トランジスタ100の製造方法の一過程を示す断面模式図である。また、図10は、本実施形態における薄膜トランジスタ100の製造方法の一過程及び全体構成を示す断面模式図である。本実施形態においては、薄膜トランジスタ100は、コプラナ型構造(換言すれば、トップゲート構造)を備えた薄膜トランジスタである。また、図11は、本実施形態における薄膜トランジスタ100のTransfer特性グラフである。
本実施形態のチャネルの代表的な一例は、半導体となり得る金属酸化物層(「第1材料層」ともいう)である。より具体的な本実施形態の第1材料層は、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とを含むとともに、そのインジウム(In)を1としたときに0.05の原子数比となるジルコニウム(Zr)からなる酸化物(不可避不純物を含み得る)(以下、「ZrInZnOx層」ともいう)である。なお、本実施形態においては、半導体となり得る金属酸化物を「第1材料」という。
本実施形態における薄膜トランジスタ100においては、ゲート絶縁層30が、シリコン(Si)を含む前駆体(例えば、ポリシラザン(polysilazane))を溶質とするゲート絶縁層用前駆体溶液を出発材とするシリコン酸化物(但し、不可避不純物を含み得る。以下、この材料の酸化物に限らず他の材料の酸化物についても同じ。)である。
ここで、本実施形態の脂肪族ポリカーボネートの代表例の1つである、ポリプロピレンカーボネート(PPC)の製造方法を以下に説明する。
IR(KBr)の吸収ピーク:1742,1456,1381,1229,1069,787(いずれも単位はcm−1)
また、得られたPPCの数平均分子量は、52000であった。
なお、上述の脂肪族ポリカーボネートの数平均分子量は、次の方法によって算出された。
具体的には、上述の脂肪族ポリカーボネート濃度が0.5質量%のクロロホルム溶液を調製し、高速液体クロマトグラフを用いて測定した。測定後、同一条件で測定した数平均分子量が既知のポリスチレンと比較することにより、分子量を算出した。また、測定条件は、以下の通りである。
機種:HLC−8020(東ソー株式会社製)
カラム:GPCカラム
(東ソー株式会社の商品名:TSK GEL Multipore HXL−M)
カラム温度:40℃
溶出液:クロロホルム
流速:1mL/分
上述の「(2)ゲート絶縁層及びゲート電極層の形成」の後、本実施形態においては、図8に示すように、スピンコート法により、半導体層20と、半導体層20上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層40とを覆う、脂肪族ポリカーボネート層50が形成される。より具体的には、本実施形態の脂肪族ポリカーボネート層50の形成方法は以下のとおりである。
グリセリン、ソルビタン等の多価アルコールエステル;
ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリエーテルポリオール;ポリエチレンイミン等のアミン;
ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸等の(メタ)アクリル樹脂;
イソブチレンまたはスチレンと無水マレイン酸との共重合体、及びそのアミン塩など
である。
その後、脂肪族ポリカーボネート層50、並びに、半導体層20、ゲート絶縁層30、及びゲート電極層40の積層構造が、約400℃で20分間加熱される。その結果、不純物含有PPC溶液中の錫アセチルアセトナートに含まれる錫(Sn)が半導体層20内に拡散することによって導入される。さらに、前述の加熱処理により、脂肪族ポリカーボネート層50の主たる材料であるポリプロピレンカーボネート(PPC)は、分解するとともに実質的に消失する。
ここで、半導体層20中へのドーパントの導入過程において脂肪族ポリカーボネート層50が実質的に消失する又は除去されることは、図9に示すTG−DTA特性からも裏付けられる。なお、本実施形態において、脂肪族ポリカーボネート層50の主たる材料であるポリプロピレンカーボネートは、熱分解性の良い吸熱分解型の脂肪族ポリカーボネートである。このような脂肪族ポリカーボネートは、酸素含有量が高く、比較的低温で低分子化合物に分解することが可能であるため、半導体層20中へのドーパントの導入過程における加熱処理後の炭素不純物に代表される不純物残存量を低減させることに積極的に寄与する。
上述の半導体層中へのドーパントの導入過程における加熱処理により、図10に示すように、半導体層20としての第1材料層の一部の領域内に、ソース電極22及びドレイン電極24が形成された薄膜トランジスタ100が形成される。本実施形態においては、ゲート電極層40を事実上のマスクとして、脂肪族ポリカーボネート層50から半導体層20へドーパントを導入させるため、プロセス上の工程数及び負荷を格段に低減し得るセルフアライン型の薄膜トランジスタを製造することができる。従って、本実施形態の薄膜トランジスタ100の製造方法によれば、母材となる半導体層20の変質又は改質を、寸法精度良く、かつ極めて簡便に実現することができる。
薄膜トランジスタ100の電気特性が測定された。図11は、薄膜トランジスタ100のTransfer特性測定結果を示すグラフである。横軸はゲート電極に印加された電圧(Vg)であり、縦軸はドレイン電流値(Id)である。
なお、本願の出願時においては、脂肪族ポリカーボネート層50から半導体層20内にドーパント(本実施形態では、錫)が導入される詳細なメカニズムは明らかではない。しかしながら、本願発明者らの研究と分析により、以下に示す幾つかの興味深い知見が得られた。
ところで、上述の第1の実施形態では、半導体層として第1材料層が採用されているが、第1の実施形態は、各種の第1材料に限定されない。例えば、図16に示すように、第1材料の代わりに、次に示す半導体層220としての第2材料層が用いられた薄膜トランジスタ200も、採用し得る他の好適な一態様である。具体的には、第2材料層220が、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ストロンチウム(Sr)、ランタン(La)、セレン(Se)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、及びアンチモン(Sb)の群から選択される1種又は2種以上の金属からなる酸化物の層又は硫化物の層であっても、次に示すドーパントとの組み合わせを行うことにより、第1の実施形態の薄膜トランジスタ100の効果と同様の、又は少なくとも一部の効果が奏され得る。また、第2材料層220がシリコン(Si)及びシリコン化合物(代表的には、SiC又はSiGe)の群から選択される1種の層であっても、次に示すドーパントとの組み合わせを行うことにより、第1の実施形態の薄膜トランジスタ100の効果と同様の、又は少なくとも一部の効果が奏され得る。
また、上述の第1の実施形態における脂肪族ポリカーボネートの種類は特に限定されない。例えば、エポキシドと二酸化炭素とを重合反応させた脂肪族ポリカーボネートも、本実施形態において採用し得る好適な一態様である。このようなエポキシドと二酸化炭素とを重合反応させた脂肪族ポリカーボネートを用いることにより、脂肪族ポリカーボネートの構造を制御することで吸熱分解性を向上させられる、所望の分子量を有する脂肪族ポリカーボネートが得られるという効果が奏される。とりわけ、脂肪族ポリカーボネートの中でも酸素含有量が高く、比較的低温で低分子化合物に分解する観点から言えば、脂肪族ポリカーボネートは、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
酢酸亜鉛、ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛等の有機亜鉛触媒、又は、
一級アミン、2価のフェノール、2価の芳香族カルボン酸、芳香族ヒドロキシ酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族モノカルボン酸等の化合物と亜鉛化合物とを反応させることにより得られる有機亜鉛触媒など
である。
これらの有機亜鉛触媒の中でも、より高い重合活性を有することから、亜鉛化合物と、脂肪族ジカルボン酸と、脂肪族モノカルボン酸とを反応させて得られる有機亜鉛触媒を採用することは好適な一態様である。
ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、又は、
クロロメタン、メチレンジクロリド、クロロホルム、四塩化炭素、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、エチルクロリド、トリクロロエタン、1−クロロプロパン、2−クロロプロパン、1−クロロブタン、2−クロロブタン、1−クロロ−2−メチルプロパン、クロルベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、又は、
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒など
である。
また、上述の第1の実施形態における型押し工程において、予め、型押し面が接触することになる各前駆体層の表面に対する離型処理及び/又はその型の型押し面に対する離型処理を施しておき、その後、各前駆体層に対して型押し加工を施すことが好ましい。そのような処理を施すことにより、各前駆体層と型との間の摩擦力を低減することができるため、各前駆体層に対してより一層精度良く型押し加工を施すことが可能となる。なお、離型処理に用いることができる離型剤としては、界面活性剤(例えば、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等)、フッ素含有ダイヤモンドライクカーボン等を例示することができる。
20 半導体層
30 ゲート絶縁層
40 ゲート電極層
50 脂肪族ポリカーボネート層
100,200 薄膜トランジスタ
M1 前駆体層用型
Claims (19)
- 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と、前記半導体層に接して 覆う、前記半導体層をn型又はp型の半導体層にするドーパントを有する脂肪族ポリカーボネートの層を形成する、脂肪族ポリカーボネート層形成工程と、
前記ドーパントを前記半導体層中に導入するとともに、前記脂肪族ポリカーボネートの層を分解する温度で加熱する加熱工程と、を含む、
半導体素子の製造方法。 - 前記半導体層が、第1材料層であり、
前記第1材料層は、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、ジルコニウム(Zr)、ガリウム(Ga)、アンチモン(Sb)、及び銅(Cu)の群から選択される1種又は2種以上の金属からなる酸化物の層、又は、シリコン(Si)及びシリコン化合物の群から選択される1種の層であり、
前記ドーパントが、n型ドーパントであり、かつ、錫(Sn)、フッ素(F)、アンチモン(Sb)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、リン(P)、ヒ素(As)、及びアルミニウム(Al)の群から選択される1種又は2種以上である、
請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体層が、第2材料層であり、
前記第2材料層は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ストロンチウム(Sr)、ランタン(La)、セレン(Se)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、及びアンチモン(Sb)の群から選択される1種又は2種以上の金属からなる酸化物の層又は硫化物の層か、あるいは、シリコン(Si)及びシリコン化合物の群から選択される1種の層であり、
前記ドーパントが、p型ドーパントであり、かつ、錫(Sn)、フッ素(F)、アンチモン(Sb)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)、ボロン(B)、及びマグネシウム(Mg)の群から選択される1種又は2種以上である、
請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記加熱工程が、オゾン(O3)雰囲気下において前記脂肪族ポリカーボネートの層に対して紫外線(UV)の照射を行う工程を含む、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記脂肪族ポリカーボネートがポリプロピレンカーボネートであり、かつ前記ポリプロピレンカーボネートのみの質量が1kgに対して、前記ドーパントが0.05mol以上0.1mol以下である、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - ゲート絶縁層を介して半導体層と接するゲート電極層と、
前記半導体層に接して覆う、加熱されたときに前記半導体層に導入してn型又はp型の半導体層にするドーパントを有する脂肪族ポリカーボネートの層と、を備える、
半導体素子の中間体。 - 前記半導体層が、第1材料層であり、
前記第1材料層は、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、ジルコニウム(Zr)、ガリウム(Ga)、アンチモン(Sb)、及び銅(Cu)の群から選択される1種又は2種以上の金属からなる酸化物の層、又は、シリコン(Si)及びシリコン化合物の群から選択される1種の層であり、
前記ドーパントが、n型ドーパントであり、かつ、錫(Sn)、フッ素(F)、アンチモン(Sb)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、リン(P)、ヒ素(As)、及びアルミニウム(Al)の群から選択される1種又は2種以上である、
請求項7に記載の半導体素子の中間体。 - 前記半導体層が、第2材料層であり、
前記第2材料層は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ストロンチウム(Sr)、ランタン(La)、セレン(Se)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、及びアンチモン(Sb)の群から選択される1種又は2種以上の金属からなる酸化物の層又は硫化物の層か、あるいは、シリコン(Si)及びシリコン化合物の群から選択される1種の層であり、
前記ドーパントが、p型ドーパントであり、かつ、錫(Sn)、フッ素(F)、アンチモン(Sb)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)、ボロン(B)、及びマグネシウム(Mg)の群から選択される1種又は2種以上である、
請求項7に記載の半導体素子の中間体。 - 前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体素子の中間体。 - 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と前記半導体層とを覆うとともに、前記半導体層をn型又はp型の半導体層にするドーパントを有し、
分解温度で加熱されたときに前記ドーパントを前記半導体層に導入することによって半導体素子のソース電極及びドレイン電極を形成する、ドーパント供給源となる、
脂肪族ポリカーボネート。 - 前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
請求項11に記載の脂肪族ポリカーボネート。 - 前記脂肪族ポリカーボネートがポリプロピレンカーボネートであり、かつ前記ポリプロピレンカーボネートのみの質量が1kgに対して、前記ドーパントが0.05mol以上0.1mol以下である、
請求項11又は請求項12に記載の脂肪族ポリカーボネート。 - 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と、前記半導体層上にゲー ト絶縁層を介して配置されたゲート電極層と、前記半導体層とを覆う、前記半導体層をn 型又はp型の半導体層にするドーパントを有する脂肪族ポリカーボネートの層を形成する 、脂肪族ポリカーボネート層形成工程と、
前記ドーパントを前記半導体層中に導入するとともに、前記脂肪族ポリカーボネートの 層を分解する温度で加熱する加熱工程と、
前記加熱工程が、オゾン(O 3 )雰囲気下において前記脂肪族ポリカーボネートの層に 対して紫外線(UV)の照射を行う工程と、を含む、
半導体素子の製造方法。 - 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と、前記半導体層とを覆う 、前記半導体層をn型又はp型の半導体層にするドーパントを有する脂肪族ポリカーボネ ートの層を形成する、脂肪族ポリカーボネート層形成工程と、
前記ドーパントを前記半導体層中に導入するとともに、前記脂肪族ポリカーボネートの 層を分解する温度で加熱する加熱工程と、を含み、
前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカー ボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
半導体素子の製造方法。 - 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と、前記半導体層とを覆う 、前記半導体層をn型又はp型の半導体層にするドーパントを有する脂肪族ポリカーボネ ートの層を形成する、脂肪族ポリカーボネート層形成工程と、
前記ドーパントを前記半導体層中に導入するとともに、前記脂肪族ポリカーボネートの 層を分解する温度で加熱する加熱工程と、を含み、
前記脂肪族ポリカーボネートがポリプロピレンカーボネートであり、かつ前記ポリプロ ピレンカーボネートのみの質量が1kgに対して、前記ドーパントが0.05mol以上 0.1mol以下である、
半導体素子の製造方法。 - ゲート絶縁層を介して半導体層と接するゲート電極層と、
前記半導体層に接し、加熱されたときに前記半導体層に導入してn型又はp型の半導体 層にするドーパントを有する脂肪族ポリカーボネートの層と、を備え、
前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカー ボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
半導体素子の中間体。 - 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と前記半導体層とを覆うと ともに、前記半導体層をn型又はp型の半導体層にするドーパントを有し、
分解温度で加熱されたときに前記ドーパントを前記半導体層に導入することによって半 導体素子のソース電極及びドレイン電極を形成する、ドーパント供給源となり、且つ
ポリエチレンカーボネート及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少 なくとも1種である、
脂肪族ポリカーボネート。 - 半導体層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極層と前記半導体層とを覆うと ともに、前記半導体層をn型又はp型の半導体層にするドーパントを有し、
分解温度で加熱されたときに前記ドーパントを前記半導体層に導入することによって半 導体素子のソース電極及びドレイン電極を形成する、ドーパント供給源となり、且つ
ポリプロピレンカーボネートであり、かつ前記ポリプロピレンカーボネートのみの質量 が1kgに対して、前記ドーパントが0.05mol以上0.1mol以下である、
脂肪族ポリカーボネート。
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TWI250968B (en) * | 2000-04-04 | 2006-03-11 | Asahi Kasei Corp | Coating composition for use in producing a silica insulating thin film and method for producing a silica insulating thin film |
JP2002267812A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 光散乱フィルム及びそれを用いた液晶表示装置 |
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JP2005260040A (ja) | 2004-02-12 | 2005-09-22 | Sony Corp | ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法 |
US20080213650A1 (en) * | 2004-02-19 | 2008-09-04 | Georgia Tech Research Corporation | Microstructures and Methods of Fabrication Thereof |
JP2006140335A (ja) | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Seiko Epson Corp | 相補型トランジスタ回路、電気光学装置、電子デバイス、及び相補型トランジスタの製造方法 |
JP4749024B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2011-08-17 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 脂肪族ポリカーボネートジオールおよびその製造方法 |
US7795061B2 (en) * | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
EP2078736A1 (en) * | 2006-10-31 | 2009-07-15 | Techno Polymer Co., Ltd. | Heat-dissipating resin composition, substrate for led mounting, reflector, and substrate for led mounting having reflector portion |
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EP2226171B1 (en) * | 2007-12-21 | 2019-04-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Fiber composite |
JP2009244382A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Sharp Corp | 機能性フィルム及び表示装置 |
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WO2012077727A1 (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | 旭硝子株式会社 | 粘着層付き透明面材、表示装置およびそれらの製造方法 |
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EP2819149A4 (en) * | 2012-02-23 | 2015-11-25 | Hitachi Chemical Co Ltd | COMPOSITION FOR FORMING AN N-LEADING DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH AN N-LEADING DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL ELEMENT |
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