JP6505486B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等(以下、単に「基板」という)に、処理を施す基板処理技術に関する。   The present invention includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magnetooptical disk, a glass substrate for a photomask, a substrate for a solar cell, etc. The present invention relates to a substrate processing technique for processing a substrate (hereinafter simply referred to as "substrate").

このような処理を行う基板処理装置として、特許文献1には、下方から基板を水平に保持する保持部材と、保持部材と基板との間に設けられた円板状のノズルとを備える装置が開示されている。円板状のノズルは、基板Wの下面の中央部分に対向する。当該装置は、保持部材を回転させつつ、処理液を円板状のノズルから基板の下面の中央部に向けて吐出する。吐出された処理液は、遠心力によって基板の下面全体を覆うように、下面の中央部から周縁部に移動して周縁部から基板外部に排出される。これにより、基板の下面全体が処理される。   As a substrate processing apparatus for performing such processing, Patent Document 1 discloses an apparatus including a holding member for holding a substrate horizontally from below and a disk-shaped nozzle provided between the holding member and the substrate. It is disclosed. The disk-shaped nozzle faces the central portion of the lower surface of the substrate W. The said apparatus discharges a process liquid towards the center part of the lower surface of a board | substrate from a disk shaped nozzle, rotating a holding member. The discharged processing liquid moves from the central portion of the lower surface to the peripheral portion and is discharged from the peripheral portion to the outside of the substrate so as to cover the entire lower surface of the substrate by centrifugal force. This processes the entire lower surface of the substrate.

特開2011−211094号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-211094

しかしながら、特許文献1の装置においては、基板の下面に吐出された処理液の一部が、基板下面から保持部材の上面に落下して付着し、そのまま残存するといった問題がある。   However, in the apparatus of Patent Document 1, there is a problem that a part of the processing liquid discharged onto the lower surface of the substrate drops from the lower surface of the substrate, adheres to the upper surface of the holding member, and remains as it is.

本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、保持部材に保持されて回転する基板の下面に供給された処理液が保持部材上に落下して付着し、そのまま残存することを抑制できる技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve these problems, and prevents the treatment liquid supplied to the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member from falling and adhering onto the holding member and remaining as it is. It aims to provide technology that can

上記の課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理方法は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材を、前記基板とともに前記回転軸周りに回転させる回転ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。 In order to solve the above problems, the substrate processing method according to the first aspect holds the substrate substantially horizontally from the lower side, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and has a predetermined rotation axis. Rotating the holding member rotatably provided around the rotation axis with the substrate, and from below the central portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member to the central portion Between the central portion of the substrate held and rotated by the holding member and the central portion of the holding member so as to discharge the treatment liquid so that the treatment liquid is spread toward the lower surface of the substrate; And a cleaning liquid discharge step of discharging the cleaning liquid toward the radial outside of the holding member along the upper surface of the holding member, and the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel.

第2の態様に係る基板処理方法は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材を、前記基板とともに前記回転軸周りに回転させる回転ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。 In the substrate processing method according to the second aspect, a holding member which holds a substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided around a predetermined rotation axis. And rotating the substrate and the substrate about the rotation axis, and discharging the chemical solution as the processing liquid from below the central portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member. A treatment liquid discharge step, from the center portion of the substrate held and rotated by the holding member to the central portion of the holding member and directed radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member And a cleaning liquid discharge step of discharging the cleaning liquid, and the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel.

第3の態様に係る基板処理方法は、第1または第2の態様に係る基板処理方法であって、処理液吐出ステップは、前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、前記洗浄液吐出ステップは、前記ノズルの前記板状部材の上面または下面に設けられた洗浄液吐出口から前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って、前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである。   The substrate processing method according to the third aspect is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein the processing liquid discharging step includes both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. And the step of discharging the processing liquid toward the central portion of the lower surface from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with the plate-like member facing the gap The diameter of the holding member along the surfaces of both the upper surface or the lower surface of the plate member and the upper surface of the holding member from the cleaning solution discharge port provided on the upper surface or the lower surface of the plate member of the nozzle It is a step of discharging the cleaning liquid outward in the direction.

第4の態様に係る基板処理方法は、第1または第2の態様に係る基板処理方法であって、処理液吐出ステップは、前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、前記洗浄液吐出ステップは、前記ノズルの前記板状部材の側面に設けられた洗浄液吐出口から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである。   A substrate processing method according to a fourth aspect is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein the processing liquid discharging step includes both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. And the step of discharging the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with the plate-like member facing the gap The discharging step is a step of discharging the washing solution from the washing solution discharge port provided on the side surface of the plate-like member of the nozzle along the upper surface of the holding member toward the radially outer side of the holding member.

第5の態様に係る基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。
第6の態様に係る基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。
A substrate processing apparatus according to a fifth aspect of the present invention is a holding member that holds a substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided around a predetermined rotation axis. And a rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis, and discharging the processing liquid so that the processing liquid spreads on the lower surface of the substrate from below the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion A processing liquid discharge port, and a cleaning liquid discharge port for discharging a cleaning liquid radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member; And a nozzle provided , wherein the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel.
A substrate processing apparatus according to a sixth aspect holds a substrate substantially horizontally from the lower side, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is provided rotatably around a predetermined rotation axis. A rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis, a treatment liquid discharge port for discharging a chemical solution as a treatment liquid from below the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion, and the substrate And a nozzle provided with a cleaning liquid discharge port for discharging a cleaning liquid from the central portion of the holding member to the radial outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the holding member And performing the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step in parallel.

第7の態様に係る基板処理装置は、第5又は第6の態様に係る基板処理装置であって、前記ノズルは、基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の上面または下面に設けられて前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する。 A substrate processing apparatus according to a seventh aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth or sixth aspect, wherein the nozzle has a gap between both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate, and the cleaning liquid discharge port is provided with the processing liquid discharge port. It is provided on the upper surface or the lower surface of the plate-like member, and the cleaning solution is discharged radially outward of the holding member along both the upper surface or the lower surface of the plate-like member and the upper surface of the holding member.

第8の態様に係る基板処理装置は、第5又は第6の態様に係る基板処理装置であって、前記ノズルは、基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の側面に設けられて前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する。 A substrate processing apparatus according to an eighth aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth or sixth aspect, wherein the nozzle has a gap between both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate, and the cleaning liquid discharge port is provided with the processing liquid discharge port. It is provided on the side surface of the plate-like member, and discharges the cleaning solution radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member.

第1、第2、第5および第6の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液は、保持部材の上面に沿って保持部材の径方向外側に向けて吐出される。これにより、洗浄液が基板の下面に当たって下面に付着している処理液と混合することを抑制しつつ、洗浄液によって保持部材の上面を洗浄できるとともに、基板の下面から落下した処理液が、保持部材の上面に付着する前に洗浄液によって洗い流すことができる。従って、基板の下面に供給された処理液が保持部材上に落下して付着し、そのまま残存することを抑制できる。 In the invention according to any of the first, second, fifth, and sixth aspects, the cleaning liquid is discharged toward the radially outer side of the holding member along the upper surface of the holding member. As a result, it is possible to clean the upper surface of the holding member by the cleaning liquid while suppressing the cleaning liquid from being mixed with the processing liquid adhering to the lower surface by hitting the lower surface of the substrate, and the processing liquid dropped from the lower surface of the substrate It can be washed away with the cleaning solution before it adheres to the top surface. Therefore, it is possible to suppress that the processing liquid supplied to the lower surface of the substrate drops and adheres onto the holding member and remains as it is.

第1及び第2の態様に係る発明によれば、処理液吐出ステップと洗浄液吐出ステップとが並行して行われるので、基板の裏面に吐出された処理液が保持部材の上面に付着することを効率的に抑制できる。第5及び第6の態様においても、基板の裏面に吐出された処理液が保持部材の上面に付着することを効率的に抑制できる。 According to the invention of the first and second aspects, the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel, so that the processing liquid discharged on the back surface of the substrate adheres to the upper surface of the holding member. It can be efficiently suppressed. Also in the fifth and sixth aspects, adhesion of the processing liquid discharged on the back surface of the substrate to the top surface of the holding member can be efficiently suppressed.

第3および第7の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液は、ノズルの板状部材の上面または下面と、保持部材の上面との双方の面に沿って、保持部材の径方向外側に向けて吐出されるので、保持部材の洗浄中にノズルの洗浄も行うことができる。 In the invention according to any of the third and seventh aspects, the cleaning solution is directed radially outward of the holding member along both the upper surface or the lower surface of the plate member of the nozzle and the upper surface of the holding member. Since the discharge is performed, the nozzle can also be cleaned during the cleaning of the holding member.

第4および第8の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液は、ノズルの板状部材の側面に設けられた洗浄液吐出口から保持部材の上面に沿って保持部材の径方向外側に向けて吐出される。従って、洗浄液吐出口の形状を板状部材の周方向に長くして、吐出される洗浄液を拡げることが容易となる。 Also in the invention according to the fourth and eighth aspects, the cleaning liquid is discharged radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member from the cleaning liquid discharge port provided on the side surface of the plate member of the nozzle Be done. Therefore, the shape of the cleaning liquid discharge port can be elongated in the circumferential direction of the plate-like member, and the discharged cleaning liquid can be easily spread.

実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 処理位置に配置された図1の遮断板とスピンベースとを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the blocking plate and the spin base of FIG. 1 disposed at a processing position. 図2のスピンベースを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spin base of FIG. 図2の遮断板を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the blocking plate of FIG. 図2のスピンベースを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spin base of FIG. 図2の遮断板とスピンベースの周縁部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the shielding plate of FIG. 2, and the peripheral part of spin base. 図2の遮断板とスピンベースの周縁部を示す他の縦断面図である。FIG. 3 is another longitudinal cross-sectional view showing the blocking plate of FIG. 2 and the peripheral portion of the spin base. 図6の規制部の横断面図である。It is a cross-sectional view of the control part of FIG. 図8の規制部が弾性部材により覆われた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the control part of FIG. 8 was covered by the elastic member. 実施形態に係る遮断板とスピンベースの他の構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other structural example of the blocking plate which concerns on embodiment, and a spin base. 図10の遮断板が処理位置に配置された状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state in which the shielding plate of FIG. 10 was arrange | positioned in the process position. 実施形態に係る遮断板とスピンベースの他の構成例の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the other structural example of the blocking plate which concerns on embodiment, and a spin base. 図12の遮断板とスピンベースの他の断面を示す縦断面図である。FIG. 13 is a longitudinal cross-sectional view showing another cross section of the blocking plate and the spin base of FIG. 12; 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other structural example of the control part which concerns on embodiment. 図14の規制部の他の状態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other state of the control part of FIG. 図14の規制部の他の状態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other state of the control part of FIG. 図14の規制部の他の状態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other state of the control part of FIG. 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other structural example of the control part which concerns on embodiment. 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other structural example of the control part which concerns on embodiment. 図1のノズルの構成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the structure of the nozzle of FIG. 実施形態に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment.

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンベースに対して基板側が上である。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The following embodiment is an example embodying the present invention, and is not an example limiting the technical scope of the present invention. Further, in each of the drawings referred to below, the dimensions and the number of each part may be exaggerated or simplified for ease of understanding. The vertical direction is the vertical direction, and the substrate side is above the spin base.

<実施形態について>
<1.基板処理装置1の構成>
基板処理装置1の構成について、図1〜図5を参照しながら説明する。図1は、基板処理装置1の構成を説明するための模式図である。図1では、遮断板90が待避位置に配置されている状態が示されている。また、処理位置に配置された遮断板90が仮想線で示されている。図2は、遮断板90が処理位置に配置された状態で、回転軸a1周りに回転する遮断板90とスピンベース21とを示す概略斜視図である。図3は、基板9を保持して回転軸a1周りに回転するスピンベース21を斜め上方からみた概略斜視図である。遮断板90の記載は省略されている。基板9の表面形状は略円形である。基板9の基板処理装置1への搬入搬出は、遮断板90が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置1に搬入された基板9は、スピンベース21により着脱自在に保持される。図4は、遮断板90を斜め下方から見た概略斜視図である。図5は、スピンベース21を斜め上方から見た概略斜視図である。
<About the embodiment>
<1. Configuration of Substrate Processing Apparatus 1>
The configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. 1 is a schematic view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1. FIG. 1 shows a state in which the blocking plate 90 is disposed at the retracted position. Also, the blocking plate 90 disposed at the processing position is shown by a phantom line. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the blocking plate 90 and the spin base 21 which rotate around the rotation axis a1 in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position. FIG. 3 is a schematic perspective view of the spin base 21 holding the substrate 9 and rotating around the rotation axis a1, as viewed obliquely from above. The description of the shield plate 90 is omitted. The surface shape of the substrate 9 is substantially circular. The loading and unloading of the substrate 9 to and from the substrate processing apparatus 1 is performed by a robot or the like in a state where the shielding plate 90 is disposed at the retreat position. The substrate 9 carried into the substrate processing apparatus 1 is detachably held by the spin base 21. FIG. 4 is a schematic perspective view of the blocking plate 90 as viewed obliquely from below. FIG. 5 is a schematic perspective view of the spin base 21 as viewed obliquely from above.

なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液(「洗浄液」とも称される)」と、が含まれる。   In the following description, the term "treatment liquid" includes "chemical solution" used for chemical solution treatment and "rinse solution (also referred to as" cleaning fluid ") used for rinse treatment to rinse out the chemical solution. Be

基板処理装置1は、スピンチャック2、飛散防止部3、表面保護部4、処理部5、および制御部130を備える。これら各部2〜5は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130からの指示に応じて動作する。制御部130としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部130は、例えば、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部130においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのCPUが演算処理を行うことにより、基板処理装置1の各部を制御する。   The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2, a scattering prevention unit 3, a surface protection unit 4, a processing unit 5, and a control unit 130. These units 2 to 5 are electrically connected to the control unit 130, and operate according to an instruction from the control unit 130. As the control unit 130, for example, the same one as a general computer can be adopted. That is, for example, the control unit 130 stores a CPU that performs various arithmetic processing, a ROM that is a read only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, and stores control software and data. It has a magnetic disk, etc. In the control unit 130, the CPU as the main control unit performs arithmetic processing in accordance with the procedure described in the program to control each unit of the substrate processing apparatus 1.

<スピンチャック2>
スピンチャック2は、基板9を、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板9を、主面の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転させる。
<Spin chuck 2>
The spin chuck 2 is a substrate holding unit that holds the substrate 9 in a substantially horizontal posture with the one main surface directed upward, and is a vertical rotation passing the center c1 of the main surface. Rotate around axis a1.

スピンチャック2は、基板9より若干大きい円板状の部材であるスピンベース(「保持部材」)21を備える。スピンベース21は、その上面、下面の中央にそれぞれ開口する円筒状の貫通孔21aが、その中心軸が回転軸a1に一致するように形成されている。貫通孔21aの下側の開口には、円筒状の回転軸部22が連結されている。これにより貫通孔21aと回転軸部22の中空部とが連通する。回転軸部22は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部22には、回転駆動部(例えば、モータ)23が接続される。回転駆動部23は、回転軸部22をその軸線まわりに回転駆動する。回転軸部22の軸線は、回転軸a1と一致する。従って、スピンベース21は、回転軸部22とともに回転軸a1周りに回転可能である。回転軸部22および回転駆動部23は、筒状のケーシング24内に収容されている。   The spin chuck 2 includes a spin base (“holding member”) 21 which is a disk-shaped member slightly larger than the substrate 9. The spin base 21 is formed with cylindrical through holes 21a respectively opened at the centers of the upper and lower surfaces thereof such that the central axes thereof coincide with the rotation axis a1. A cylindrical rotary shaft 22 is connected to the lower opening of the through hole 21a. As a result, the through hole 21 a and the hollow portion of the rotary shaft portion 22 communicate with each other. The rotating shaft portion 22 is disposed in such a posture as to follow the axis in the vertical direction. Further, a rotary drive unit (for example, a motor) 23 is connected to the rotary shaft unit 22. The rotation drive unit 23 rotationally drives the rotation shaft unit 22 around its axis. The axis of the rotation shaft 22 coincides with the rotation axis a1. Accordingly, the spin base 21 can rotate around the rotation axis a1 together with the rotation shaft portion 22. The rotary shaft portion 22 and the rotary drive portion 23 are accommodated in a cylindrical casing 24.

また、スピンベース21の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個(例えば6個)のチャックピン25が設けられている。各チャックピン25は、スピンベース21の上面に設けられた複数の開口21bにおいてスピンベース21に取り付けられている。チャックピン25は、基板9の端面と当接して基板9の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース21の上面より僅かに高い位置で(すなわち、スピンベース21の上面から定められた間隔を隔てて)、基板9を略水平姿勢で保持する。すなわち、スピンベース21は、チャックピン25を介して基板9を下方から略水平に保持する。スピンベース21の上面は、基板9の下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。スピンベース21の円筒状の側面部分には、2つの突出部26が周方向に沿って等間隔に設けられている。突出部26は、少なくとも1つ設けられればよく、多数の突出部26が設けられてもよい。   In addition, a plurality of (for example, six) chuck pins 25 are provided in the vicinity of the peripheral portion of the upper surface of the spin base 21 at appropriate intervals. Each chuck pin 25 is attached to the spin base 21 at a plurality of openings 21 b provided on the top surface of the spin base 21. The chuck pin 25 abuts on the end face of the substrate 9 to position the substrate 9 in the horizontal direction, and at a position slightly higher than the upper surface of the spin base 21 (that is, spaced apart from the upper surface of the spin base 21 And hold the substrate 9 in a substantially horizontal posture. That is, the spin base 21 holds the substrate 9 substantially horizontally from below via the chuck pins 25. The upper surface of the spin base 21 faces the lower surface of the substrate 9 with a gap, for example, substantially in parallel. Two protrusions 26 are provided at equal intervals along the circumferential direction on the cylindrical side portion of the spin base 21. At least one protrusion 26 may be provided, and a large number of protrusions 26 may be provided.

この構成において、スピンベース21がその上方でチャックピン25によって基板9を保持した状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転すると、スピンベース21が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース21上に保持された基板9が、その面内の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転される。後述する表面保護部4には遮断板90が回転軸a1を中心とする周方向に回転可能に設けられている。当該周方向におけるスピンベース21と遮断板90との相対位置は、規制可能である。当該相対位置が規制された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転させるとスピンベース21、基板9、および遮断板90が同じ回転方向に、同じ回転速度で回転する。回転駆動部23と、突出部26と、規制構造94とは、スピンベース21と遮断板90とを、回転軸a1を中心に互いに同じ方向に回転させる回転機構231である。   In this configuration, with the spin base 21 holding the substrate 9 by the chuck pins 25 thereabove, when the rotary drive unit 23 rotates the rotary shaft portion 22, the spin base 21 rotates around an axis along the vertical direction. Thus, the substrate 9 held on the spin base 21 is rotated about a vertical rotation axis a1 passing through the center c1 in the plane. In the surface protection unit 4 described later, a blocking plate 90 is provided rotatably in a circumferential direction around the rotation axis a1. The relative position of the spin base 21 and the shield plate 90 in the circumferential direction can be regulated. In the state where the relative position is restricted, when the rotation drive unit 23 rotates the rotation shaft portion 22, the spin base 21, the substrate 9, and the shield plate 90 rotate in the same rotation direction at the same rotation speed. The rotation drive unit 23, the protrusion 26, and the restriction structure 94 are rotation mechanisms 231 that rotate the spin base 21 and the blocking plate 90 in the same direction around the rotation axis a1.

なお、当該相対位置が規制された状態で回転軸a1を中心に遮断板90を回転させる他の回転駆動部が、回転駆動部23に代えて設けられてもよい。この場合、当該他の回転駆動部が、回転駆動部23の代わりに回転機構231の構成要素の1つとなる。また、回転駆動部23と当該他の回転駆動部との双方が設けられてもよい。すなわち、回転機構231は、周方向におけるスピンベース21と遮断板90との相対位置が規制された状態で、スピンベース21と遮断板90との少なくとも一方を、回転軸a1を中心に回転させる。回転機構231がスピンベース21と遮断板90とを同じ方向に同じ速度で回転させれば、基板9の上面と遮断板90の下面との間に、基板9の中心c1側に向かう気流が発生することを抑制できる。これにより、処理液の液適が基板の上面に吸い込まれることを抑制できる。   In addition, the other rotation drive part which rotates the blocking plate 90 centering | focusing on the rotating shaft a1 in the state by which the said relative position was restrict | limited may be replaced with the rotation drive part 23, and may be provided. In this case, the other rotation drive unit is one of the components of the rotation mechanism 231 instead of the rotation drive unit 23. Moreover, both the rotation drive part 23 and the said other rotation drive part may be provided. That is, the rotation mechanism 231 rotates at least one of the spin base 21 and the shield plate 90 about the rotation axis a1 in a state where the relative position between the spin base 21 and the shield plate 90 in the circumferential direction is restricted. When the rotation mechanism 231 rotates the spin base 21 and the blocking plate 90 at the same speed in the same direction, an air flow toward the center c1 of the substrate 9 is generated between the upper surface of the substrate 9 and the lower surface of the blocking plate 90. Can be suppressed. This can suppress the suction of the processing solution from the upper surface of the substrate.

回転駆動部23と当該他の回転駆動部との双方が設けられる場合には、規制構造94と突出部26とが設けられていなくてもよい。この場合には、さらに、回転駆動部23がスピンベース21を回転させる速度と、当該他の回転駆動部が遮断板90をスピンベース21と同じ方向に回転させる速度とが異なっていてもよい。また、回転駆動部23と当該他の回転機構との双方が設けられる場合には、延設部92の先端が、スピンベース21の上面よりも若干上側に位置していてもよい。   In the case where both the rotation drive unit 23 and the other rotation drive unit are provided, the restriction structure 94 and the protrusion 26 may not be provided. In this case, the speed at which the rotation drive unit 23 rotates the spin base 21 may be different from the speed at which the other rotation drive unit rotates the blocking plate 90 in the same direction as the spin base 21. Further, in the case where both the rotation drive unit 23 and the other rotation mechanism are provided, the tip end of the extended portion 92 may be located slightly above the upper surface of the spin base 21.

チャックピン25および回転駆動部23は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、スピンベース21上に基板9を保持するタイミング、保持された基板9を開放するタイミング、および、スピンベース21の回転態様(具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数(すなわち、回転速度)、等)は、制御部130によって制御される。   The chuck pin 25 and the rotational drive unit 23 are electrically connected to the control unit 130, and operate under the control of the control unit 130. That is, the timing of holding the substrate 9 on the spin base 21, the timing of opening the held substrate 9, and the rotation mode of the spin base 21 (specifically, the rotation start timing, the rotation end timing, the rotation number , Rotational speed), etc. are controlled by the control unit 130.

<飛散防止部3>
飛散防止部3は、スピンベース21とともに回転される基板9から飛散する処理液等を受け止める。
Scattering prevention unit 3
The scattering prevention unit 3 receives the processing liquid etc. scattered from the substrate 9 rotated with the spin base 21.

飛散防止部3は、スプラッシュガード31を備える。スプラッシュガード31は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック2を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード31は、例えば、底部材311、内部材(「内側ガード」とも、単に「ガード」とも称する)312、および、外部材(「外側ガード」とも称する)313の3個の部材を含んで構成されている。外部材313が設けられていなくてもよいし、逆に、外部材313の外側に、スピンチャック2を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。   The scattering prevention unit 3 includes a splash guard 31. The splash guard 31 is a cylindrical member having an open upper end, and is provided to surround the spin chuck 2. In this embodiment, the splash guard 31 is, for example, three of a bottom member 311, an inner member (also referred to as "inner guard" or simply "guard") 312, and an outer member (also referred to as "outer guard") 313. It is comprised including each member. The outer member 313 may not be provided, and conversely, a guard may be provided outside the outer member 313 so as to surround the spin chuck 2.

底部材311は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部と、底部の内側縁部から上方に延びる円筒状の内側壁部と、底部の外側縁部から上方に延びる円筒状の外側壁部と、を備える。内側壁部の少なくとも先端付近は、スピンチャック2のケーシング24に設けられた鍔状部材241の内側空間に収容される。   The bottom member 311 is a cylindrical member having an open upper end, and a circular bottom, a cylindrical inner side wall extending upward from the inner edge of the bottom, and a cylinder extending upward from the outer edge of the bottom And an outer wall portion of At least near the tip of the inner wall portion is accommodated in the inner space of a bowl-shaped member 241 provided on the casing 24 of the spin chuck 2.

底部には、内側壁部と外側壁部との間の空間と連通する排液溝(図示省略)が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内側壁部と外側壁部との間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内側壁部と外側壁部との間の空間は、基板9の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。   At the bottom, a drainage groove (not shown) communicating with the space between the inner side wall and the outer side wall is formed. The drainage groove is connected to the drainage line of the factory. Further, an exhaust liquid mechanism is connected to the drainage groove for forcibly exhausting the inside of the groove to make the space between the inner side wall portion and the outer side wall portion a negative pressure state. A space between the inner side wall portion and the outer side wall portion is a space for collecting and draining the treatment liquid used for the treatment of the substrate 9, and the treatment liquid collected in this space is Be drained.

内部材312は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材312の上部(「上端側部分」、「上端部分」)は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸a1に向かって斜め上方に延びている。内部材312の下部には、上部の内周面に沿って下方に延びる筒状の内周壁部と、上部の外周面に沿って下方に延びる筒状の外周壁部とが形成される。底部材311と内部材312とが近接する状態(図1に示される状態)において、底部材311の外側壁部は、内部材312の内周壁部と外周壁部との間に収容される。内部材312の上部が受けた処理液等は、底部材311を介して排出される。   The inner member 312 is a cylindrical member having an open upper end, and the upper portion ("upper end portion", "upper end portion") of the inner member 312 extends inward and upward. That is, the upper portion extends obliquely upward toward the rotation axis a1. The lower portion of the inner member 312 is formed with a cylindrical inner peripheral wall extending downward along the upper inner peripheral surface and a cylindrical outer peripheral wall extending downward along the upper outer peripheral surface. In a state where the bottom member 311 and the inner member 312 are close to each other (the state shown in FIG. 1), the outer wall of the bottom member 311 is accommodated between the inner circumferential wall and the outer circumferential wall of the inner member 312. The treatment liquid and the like received by the upper portion of the inner member 312 are discharged through the bottom member 311.

外部材313は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材312の外側に設けられている。外部材313の上部(「上端側部分」、「上端部分」)は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸a1に向かって斜め上方に延びている。下部は、内部材312の外周壁部に沿って下方に延びている。外部材313の上部が受けた処理液等は、内部材312の外周壁部と外部材313の下部との隙間から排出される。   The outer member 313 is a tubular member whose upper end is opened, and is provided outside the inner member 312. An upper portion ("upper end portion", "upper end portion") of the outer member 313 extends inward and upward. That is, the upper portion extends obliquely upward toward the rotation axis a1. The lower portion extends downward along the outer peripheral wall of the inner member 312. The treatment liquid and the like received by the upper portion of the outer member 313 are discharged from the gap between the outer peripheral wall portion of the inner member 312 and the lower portion of the outer member 313.

スプラッシュガード31には、これを昇降移動させるガード駆動機構(「昇降駆動部」)32が配設されている。ガード駆動機構32は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、ガード駆動機構32は、スプラッシュガード31が備える3個の部材311,312,313を、独立して昇降させる。   The splash guard 31 is provided with a guard drive mechanism ("lifting drive unit") 32 that moves the splash guard 31 up and down. The guard drive mechanism 32 is configured by, for example, a stepping motor. In this embodiment, the guard drive mechanism 32 raises and lowers the three members 311, 312 and 313 provided in the splash guard 31 independently.

内部材312、および、外部材313の各々は、ガード駆動機構32の駆動を受けて、各々の上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材312,313の上方位置は、当該部材312,313の上端縁部が、スピンベース21上に保持された基板9の側方、かつ、上方に配置される位置である。一方、各部材312,313の下方位置は、当該部材312,313の上端縁部が、スピンベース21の上面よりも下方に配置される位置である。外部材313の上方位置(下方位置)は、内部材312の上方位置(下方位置)よりも若干上方に位置する。内部材312と外部材313とは、互いにぶつからないように同時に、若しくは順次に昇降される。底部材311は、その内側壁部が、ケーシング24に設けられた鍔状部材241の内側空間に収容される位置と、その下方の位置との間でガード駆動機構32によって駆動される。ただし、ガード駆動機構32は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード31の位置(具体的には、底部材311、内部材312、および、外部材313各々の位置)は、制御部130によって制御される。   Each of the inner member 312 and the outer member 313 is moved between the upper position and the lower position under the drive of the guard drive mechanism 32. Here, the upper positions of the members 312 and 313 are positions where the upper end edges of the members 312 and 313 are disposed on the side and upper side of the substrate 9 held on the spin base 21. On the other hand, the lower positions of the members 312 and 313 are positions where the upper end edges of the members 312 and 313 are disposed lower than the upper surface of the spin base 21. The upper position (lower position) of the outer member 313 is located slightly above the upper position (lower position) of the inner member 312. The inner member 312 and the outer member 313 are raised or lowered simultaneously or sequentially so as not to collide with each other. The bottom member 311 is driven by the guard drive mechanism 32 between a position where the inner side wall portion thereof is accommodated in the inner space of the bowl-like member 241 provided in the casing 24 and a position below it. However, the guard drive mechanism 32 is electrically connected to the control unit 130, and operates under the control of the control unit 130. In other words, the position of the splash guard 31 (specifically, the positions of the bottom member 311, the inner member 312, and the outer member 313) is controlled by the control unit 130.

<表面保護部4>
表面保護部4は、スピンベース21上に保持された基板9の上面の中央付近に対して、ガス(カバーガス)を供給して、基板9の上面を、下面に供給された処理液の雰囲気等から保護する。
<Surface protection unit 4>
The surface protection unit 4 supplies a gas (cover gas) to the vicinity of the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21 to make the upper surface of the substrate 9 the atmosphere of the processing liquid supplied to the lower surface. Protect from etc.

表面保護部4は、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガスを吐出する円筒状のカバーガスノズル41を備える。カバーガスノズル41は、水平に延在するアーム42の先端寄りの部分に取り付けられおり、アーム42を鉛直方向に貫通している。カバーガスノズル41の中心軸は、回転軸a1と一致している。カバーガスノズル41の下端部分は、アーム42の下端面からさらに下方に延設されている。カバーガスノズル41の下端部分には、円板状の回転部93がベアリングを介して取り付けられている。回転部93の中心軸は、回転軸a1と一致している。これにより、回転部93は、回転軸a1を中心としてカバーガスノズル41の周囲を周方向に回転可能となっている。   The surface protection unit 4 includes a cylindrical cover gas nozzle 41 that discharges gas toward the vicinity of the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21. The cover gas nozzle 41 is attached to a portion near the tip of the horizontally extending arm 42 and penetrates the arm 42 in the vertical direction. The central axis of the cover gas nozzle 41 coincides with the rotation axis a1. The lower end portion of the cover gas nozzle 41 extends further downward from the lower end surface of the arm 42. A disc-shaped rotating portion 93 is attached to the lower end portion of the cover gas nozzle 41 via a bearing. The central axis of the rotating portion 93 coincides with the rotation axis a1. Thus, the rotating portion 93 can rotate in the circumferential direction around the cover gas nozzle 41 about the rotation axis a1.

回転部93の下部には、円板状の遮断板(「対向部材」)90が回転部93と供に回転可能なように取り付けられている。遮断板90の上面は、略水平となるように設けられており、その形状は、スピンベース21よりも若干大きい円形であり、その中心を回転軸a1が通る。これにより、遮断板90は、回転軸a1を中心とする周方向に回転可能である。遮断板90は、回転軸a1を中心軸とする円板状の本体部91と、本体部91の周縁部に設けられた延設部92とを備えている。本体部91の中央部には、カバーガスノズル41と連通する貫通孔91aが設けられている。延設部92は、本体部91の周縁部から下方に延設された筒状壁部(環状壁部)であり、当該周縁部の周方向に沿って設けられている。延設部92は、本体部91の周縁部から基板9の端面を取り囲んでスピンベース21側に延びる筒状の部材である。延設部92は、基板9を含む平面を、基板9の端面の外側において横切って基板9よりもスピンベース21側に突出している。   A disc-shaped blocking plate (“opposite member”) 90 is rotatably attached to the lower portion of the rotating portion 93 together with the rotating portion 93. The upper surface of the blocking plate 90 is provided so as to be substantially horizontal, and its shape is a circle slightly larger than the spin base 21, and the rotation axis a1 passes through the center thereof. Thus, the blocking plate 90 can rotate in the circumferential direction about the rotation axis a1. The blocking plate 90 includes a disc-shaped main body 91 having the rotation axis a1 as a central axis, and an extending portion 92 provided on the peripheral edge of the main body 91. A through hole 91 a communicating with the cover gas nozzle 41 is provided at the center of the main body 91. The extending portion 92 is a cylindrical wall portion (annular wall portion) extended downward from the peripheral edge portion of the main body portion 91, and is provided along the circumferential direction of the peripheral edge portion. The extending portion 92 is a cylindrical member extending from the peripheral edge of the main body 91 to the spin base 21 so as to surround the end face of the substrate 9. The extending portion 92 crosses the plane including the substrate 9 at the outside of the end face of the substrate 9 and protrudes toward the spin base 21 more than the substrate 9.

アーム42の基端部は、ノズル基台43に連結されている。ノズル基台43は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、鉛直方向に沿って伸縮可能なように構成されている。アーム42の基端部はノズル基台43の上端に連結されている。ノズル基台43には、ノズル基台43をその軸線に沿って伸縮させる駆動部(「移動部」)44が配設されている。駆動部44は、例えば、ステッピングモータなどを備えて構成される。   The proximal end of the arm 42 is connected to the nozzle base 43. The nozzle base 43 is disposed in such a posture as to align its axis in the vertical direction, and is configured to be extensible and contractible in the vertical direction. The proximal end of the arm 42 is connected to the upper end of the nozzle base 43. The nozzle base 43 is provided with a drive portion ("moving portion") 44 which extends and retracts the nozzle base 43 along its axis. The drive unit 44 includes, for example, a stepping motor.

駆動部44は、ノズル基台43を伸縮させることによって、処理位置(「第1位置」)と、処理位置の上方の待避位置(「第2位置」)との間で遮断板90を回転軸a1方向に沿ってスピンベース21に対して相対的に移動させる。遮断板90の処理位置は、スピンベース21上に保持される基板9の上方の位置であって、遮断板90の下面が基板9の上面と対向しつつ、当該上面と非接触状態で近接する位置である。遮断板90の待避位置は、遮断板90が基板9の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、スプラッシュガード31の上端縁部よりも上方の位置である。遮断板90が処理位置に配置されたときに、本体部91は、スピンベース21に保持された基板9の上面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。駆動部44は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、遮断板90の位置は、制御部130によって制御される。   The drive unit 44 rotates the blocking plate 90 between the processing position ("first position") and the retracted position ("second position") above the processing position by extending and retracting the nozzle base 43. It moves relative to the spin base 21 along the a1 direction. The processing position of the blocking plate 90 is a position above the substrate 9 held on the spin base 21 and the lower surface of the blocking plate 90 approaches the upper surface of the substrate 9 in a non-contact state while facing the upper surface It is a position. The retracted position of the blocking plate 90 is a position at which the blocking plate 90 does not interfere with the transport path of the substrate 9, for example, a position above the upper edge of the splash guard 31. When the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the main body 91 faces the upper surface of the substrate 9 held by the spin base 21 with a gap, for example, substantially in parallel. The drive unit 44 is electrically connected to the control unit 130, and operates under the control of the control unit 130. That is, the position of the blocking plate 90 is controlled by the control unit 130.

延設部92の先端側部分には、2つの規制構造94が設けられている。規制構造94として、例えば、図4に示されるように、延設部92の先端面から、延設部92の内周面にかけて開口する凹み部が採用される。当該凹み部には、突出部26の少なくとも一部が収容される。   Two restricting structures 94 are provided at the tip end portion of the extending portion 92. As the restriction structure 94, for example, as shown in FIG. 4, a recessed portion which is open from the tip end surface of the extending portion 92 to the inner peripheral surface of the extending portion 92 is employed. At least a part of the protrusion 26 is accommodated in the recess.

スピンベース21、遮断板90には、それぞれの周方向における初期位置(初期回転角度)が予め設定されている。遮断板90が処理位置の上方の待避位置に配置されているときには、スピンベース21、遮断板90は、それぞれ周方向の初期位置に配置されている。2つの規制構造94は、この状態で、遮断板90の上方から透視したときに、スピンベース21の側面部分に設けられた2つの突出部26とそれぞれ重なるように、延設部92の先端側部分にそれぞれ設けられている。   Initial positions (initial rotation angles) in the circumferential direction of the spin base 21 and the shield plate 90 are set in advance. When the blocking plate 90 is disposed at the retracted position above the processing position, the spin base 21 and the blocking plate 90 are disposed at initial positions in the circumferential direction. In this state, the two restricting structures 94 are on the tip end side of the extending portion 92 so as to respectively overlap with the two projecting portions 26 provided on the side surface portion of the spin base 21 when viewed from above the blocking plate 90. It is provided in each part.

図6に示されるように、遮断板90が処理位置に配置された状態において、突出部26の少なくとも一部が規制構造94に収容される。この場合、規制構造94は、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置されて突出部26の周方向への相対的な動きを規制する。また、遮断板90が処理位置に配置された状態では、延設部92は、本体部91の周縁部からスピンベース21の側方に延びている。そして、規制構造94は、スピンベース21の上面よりも下方に配置されている。すなわち、突出部26と規制構造94の双方が、スピンベース21の上面よりも下方に配置されている。スピンベース21と遮断板90とは、回転軸a1を中心とする周方向への相対的な動きを突出部26と規制構造94とを介して相互に規制される。すなわち、規制構造94と突出部26とは、スピンベース21と遮断板90との周方向への相対的な動きを規制する規制部201である。換言すれば、規制部201は、回転軸a1を中心とする周方向において遮断板90のスピンベース21に対する相対位置を規制する。   As shown in FIG. 6, at least a part of the protrusion 26 is accommodated in the restriction structure 94 in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position. In this case, the restriction structure 94 is disposed to face the protrusion 26 from the front and rear in the circumferential direction around the rotation axis a1, and restricts the relative movement of the protrusion 26 in the circumferential direction. Further, in the state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the extending portion 92 extends from the peripheral edge portion of the main body portion 91 to the side of the spin base 21. The restricting structure 94 is disposed below the upper surface of the spin base 21. That is, both the protrusion 26 and the restriction structure 94 are disposed below the upper surface of the spin base 21. The relative movement between the spin base 21 and the shield plate 90 in the circumferential direction about the rotation axis a1 is mutually restricted via the projection 26 and the restriction structure 94. That is, the restricting structure 94 and the protrusion 26 are the restricting portion 201 which restricts the relative movement of the spin base 21 and the blocking plate 90 in the circumferential direction. In other words, the restricting portion 201 restricts the relative position of the blocking plate 90 to the spin base 21 in the circumferential direction around the rotation axis a1.

遮断板90が待避位置に配置されているときには、回転軸a1を中心とする規制構造94と突出部26とのそれぞれの周方向の回転位置は、互いに位置合わせされている。規制構造94は、待避位置から処理位置への遮断板90の移動過程における突出部26の規制構造94に対する相対的な移動経路を避けて配置されている。これにより、当該移動過程における規制構造94と突出部26との衝突を回避することができる。遮断板90が処理位置に配置されると、規制構造94が回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置される。より詳細には、規制構造94が処理位置に配置された直後で、スピンベース21が停止しているときは、規制構造94は、当該周方向の前後から、突出部26に接触することなく突出部26に対向して配置される。これにより、当該周方向において遮断板90のスピンベース21に対する相対位置が規制される。また、遮断板90が待避位置に配置されると、規制構造94は回転軸a1方向に沿って突出部26から相対的に離れて配置される。   When the blocking plate 90 is disposed at the retracted position, the circumferential rotational positions of the restricting structure 94 and the protrusion 26 centering on the rotation axis a1 are aligned with each other. The restricting structure 94 is disposed so as to avoid the movement path of the projection 26 relative to the restricting structure 94 in the process of moving the blocking plate 90 from the retracted position to the processing position. Thereby, the collision with the regulation structure 94 and the protrusion part 26 in the said movement process can be avoided. When the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the regulating structure 94 is disposed to face the protrusion 26 from the front and rear in the circumferential direction centering on the rotation axis a1. More specifically, immediately after the restricting structure 94 is disposed at the processing position, when the spin base 21 is stopped, the restricting structure 94 protrudes from the front and back of the circumferential direction without contacting the protrusion 26. It is disposed to face the portion 26. Thereby, the relative position of the blocking plate 90 to the spin base 21 is restricted in the circumferential direction. In addition, when the blocking plate 90 is disposed at the retracted position, the restriction structure 94 is disposed relatively away from the protrusion 26 along the direction of the rotation axis a1.

遮断板90が処理位置に配置されて、規制部201によって、スピンベース21に対する遮断板90の周方向における相対位置が規制された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転させると、スピンベース21が基板9とともに回転する。これにより、規制構造94のうち突出部26に対して回転方向下流側の部分に突出部26が当接する。その後、遮断板90がスピンベース21と同じ回転方向に、同じ回転速度で従動回転する。   When the rotation drive unit 23 rotates the rotation shaft portion 22 in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position and the relative position in the circumferential direction of the blocking plate 90 with respect to the spin base 21 is regulated by the regulating portion 201, The spin base 21 rotates with the substrate 9. As a result, the protrusion 26 abuts on the portion of the restriction structure 94 on the downstream side in the rotational direction with respect to the protrusion 26. Thereafter, the blocking plate 90 is driven to rotate at the same rotational speed in the same rotational direction as the spin base 21.

ここで、例えば、基板処理装置1が基板を回転させつつ処理している最中に、緊急停止動作が行われた場合を考える。例えばこの場合には、基板処理装置1は、遮断板90を待避位置に移動させることが想定される。このように遮断板90およびスピンベース21が初期位置(初期回転角度)になっていない場合でも、自動的に処理を再開させる必要がある。スピンベース21は回転駆動部23に駆動されることにより回転可能である一方、遮断板90はスピンベース21の回転に従動回転する。そのため、以下の動作が必要となる。制御部130は、駆動部44を制御して、例えば、遮断板90がスピンベース21に僅かに接触するように遮断板90を上下方向に移動させる。その後、制御部130は、回転駆動部23を制御して、スピンベース21を低速で回転させることにより、遮断板90を回転軸a1を中心とする周方向に回転させる。   Here, for example, it is assumed that the emergency stop operation is performed while the substrate processing apparatus 1 is processing while rotating the substrate. For example, in this case, it is assumed that the substrate processing apparatus 1 moves the blocking plate 90 to the retreat position. Thus, even when the blocking plate 90 and the spin base 21 are not at the initial position (initial rotation angle), it is necessary to automatically restart the process. The spin base 21 is rotatable by being driven by the rotation drive unit 23, while the blocking plate 90 is driven to rotate by the rotation of the spin base 21. Therefore, the following operation is required. The control unit 130 controls the drive unit 44 to move the blocking plate 90 in the vertical direction, for example, so that the blocking plate 90 slightly contacts the spin base 21. Thereafter, the control unit 130 controls the rotation drive unit 23 to rotate the spin base 21 at a low speed, thereby rotating the blocking plate 90 in the circumferential direction around the rotation axis a1.

遮断板90は、当該周方向における遮断板90の初期位置を検出可能なセンサーを備えている。制御部130は、当該センサーの出力に基づいて、遮断板90が初期位置に到達した時点で回転駆動部23を制御して遮断板90の回転を停止させる。   The blocking plate 90 includes a sensor capable of detecting an initial position of the blocking plate 90 in the circumferential direction. The control unit 130 controls the rotation drive unit 23 to stop the rotation of the shielding plate 90 when the shielding plate 90 reaches the initial position based on the output of the sensor.

その後、制御部130は、駆動部44を制御して遮断板90を上方の待避位置に移動させるとともに、回転駆動部23を制御して、スピンベース21を周方向の初期位置に回転させる。これにより、遮断板90が待避位置に配置された状態で、遮断板90とスピンベース21とは周方向の初期位置に配置される。遮断板90が待避位置と処理位置との間で、スピンベース21に対して相対的に移動する際に、遮断板90が周方向の初期位置からずれないようすることが好ましい。このため、表面保護部4は、好ましくは、遮断板90が周方向の初期位置に配置された状態で、アーム42に対する回転部93および遮断板90の周方向の位置を固定するロック機構を備える。遮断板90が処理位置に配置されているときには、当該ロック機構は解放される。   Thereafter, the control unit 130 controls the drive unit 44 to move the blocking plate 90 to the upper retraction position, and controls the rotation drive unit 23 to rotate the spin base 21 to the initial position in the circumferential direction. Thus, in a state where the blocking plate 90 is disposed at the retracted position, the blocking plate 90 and the spin base 21 are disposed at initial positions in the circumferential direction. When the blocking plate 90 moves relative to the spin base 21 between the retracted position and the processing position, it is preferable that the blocking plate 90 not deviate from the initial position in the circumferential direction. For this reason, the surface protection unit 4 preferably includes a lock mechanism for fixing the circumferential position of the rotating portion 93 and the blocking plate 90 with respect to the arm 42 in a state where the blocking plate 90 is disposed at the initial position in the circumferential direction. . When the blocking plate 90 is in the processing position, the locking mechanism is released.

図4、図5の例では、規制構造94が延設部92の先端側部分(下端側部分)に設けられるとともに、突出部26がスピンベース21の側面部分に設けられているが、規制構造94がスピンベース21の側面部分に設けられるとともに、突出部26が延設部92の先端側部分に設けられてもよい。すなわち、遮断板90の延設部92の先端側部分とスピンベース21の側面部分とのうち一方の部分に突出部26が設けられるとともに、他方の部分に規制構造94が設けられる。   In the example of FIGS. 4 and 5, the restricting structure 94 is provided on the tip end portion (lower end side portion) of the extending portion 92, and the protrusion 26 is provided on the side surface portion of the spin base 21. The protrusion portion 26 may be provided on the tip end side portion of the extending portion 92 while the side surface portion 94 of the spin base 21 is provided. That is, the projecting portion 26 is provided on one of the tip end side portion of the extending portion 92 of the blocking plate 90 and the side surface portion of the spin base 21, and the restricting structure 94 is provided on the other portion.

規制構造94として、凹み部に代えて、例えば、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置される一対の突出部が採用されてもよい。この場合も、当該規制構造によって突出部26の周方向への相対的な動きを規制できるので、本発明の有用性を損なうものではない。図4に示されるように、突出部26の少なくとも一部を収容可能な凹み部が規制構造として採用される場合には、スピンベース21と遮断板90の延設部92との間隔をより狭くできるので、遮断板90をより小径にすることができる。   As the restriction structure 94, for example, a pair of projecting portions may be employed, which are disposed to face the projecting portion 26 from the front and rear in the circumferential direction about the rotation axis a1, instead of the recess. Also in this case, the relative movement of the protrusion 26 in the circumferential direction can be restricted by the restriction structure, so the usefulness of the present invention is not impaired. As shown in FIG. 4, when the recess capable of accommodating at least a part of the protrusion 26 is employed as the restricting structure, the distance between the spin base 21 and the extending portion 92 of the blocking plate 90 is narrower. Since it is possible, the blocking plate 90 can be made smaller in diameter.

また、図4に示される延設部92は筒状部材であるが、延設部として、本体部91の周縁部において周方向に分散して配置され、周縁部から下方に延びる複数の壁部、あるいは柱部が用いられてもよい。この延設部は、本体部91の周縁部のうち少なくとも一部からスピンベース21の側方に延びる。延設部が筒状部材であれば、基板9に供給されて基板9から外部に排出される処理液の流れを横切らないので、延設部から基板9側に跳ね返る処理液を少なくすることができる。   In addition, although the extending portion 92 shown in FIG. 4 is a cylindrical member, a plurality of wall portions which are dispersed in the circumferential direction in the peripheral portion of the main body 91 as the extending portion and extend downward from the peripheral portion Or, a column may be used. The extension portion extends laterally from the spin base 21 from at least a part of the peripheral portion of the main body portion 91. If the extending portion is a cylindrical member, the flow of the processing liquid supplied to the substrate 9 and discharged to the outside from the substrate 9 is not traversed, so that the amount of processing liquid rebounding from the extending portion toward the substrate 9 may be reduced. it can.

カバーガスノズル41には、これにガス(ここでは、例えば、窒素(N)ガス)を供給する配管系であるカバーガス供給部45が接続されている。カバーガス供給部45は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源451が、開閉弁453が介挿された配管452を介して、カバーガスノズル41に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁453が開放されると、窒素ガス供給源451から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル41を経て、遮断板90の中央部に設けられた貫通孔91aから吐出される。なお、カバーガスノズル41に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体(例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等)であってもよい。 The cover gas nozzle 41 is connected to a cover gas supply unit 45 which is a piping system for supplying a gas (here, for example, nitrogen (N 2 ) gas) thereto. Specifically, in the cover gas supply unit 45, for example, a nitrogen gas supply source 451, which is a supply source for supplying nitrogen gas, is connected to the cover gas nozzle 41 via a pipe 452 in which an on-off valve 453 is inserted. It has the following configuration. In this configuration, when the on-off valve 453 is opened, nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 451 is discharged from the through hole 91 a provided at the center of the blocking plate 90 through the cover gas nozzle 41. The gas supplied to the cover gas nozzle 41 may be a gas other than nitrogen gas (for example, various inert gases other than nitrogen gas, dry air, etc.).

遮断板90が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部45からカバーガスノズル41にガスが供給されると、カバーガスノズル41から、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガス(カバーガス)が基板9の上面に向けて吐出される。ただし、カバーガス供給部45の開閉弁453は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル41からのガスの吐出態様(具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。   When gas is supplied from the cover gas supply unit 45 to the cover gas nozzle 41 in the state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21 from the cover gas nozzle 41 A gas (cover gas) is discharged toward the upper surface of the substrate 9 toward the vicinity. However, the on-off valve 453 of the cover gas supply unit 45 is electrically connected to the control unit 130, and is opened and closed under the control of the control unit 130. That is, the control unit 130 controls the discharge mode of the gas from the cover gas nozzle 41 (specifically, discharge start timing, discharge end timing, discharge flow rate, and the like).

<処理部5>
処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の処理面(図1の例では、下面)に対する処理を行う。具体的には、処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の処理面、すなわち下面に処理液を供給する。また、処理部5は、スピンベース21の上面に沿ってリンス液を供給し、当該上面を洗浄する。
<Processing unit 5>
The processing unit 5 performs processing on the processing surface (the lower surface in the example of FIG. 1) of the substrate 9 held on the spin base 21. Specifically, the processing unit 5 supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate 9 held on the spin base 21, that is, the lower surface. Further, the processing unit 5 supplies a rinse liquid along the upper surface of the spin base 21 to clean the upper surface.

図1に示されるように、処理部5は、例えば、スピンチャック2の回転軸部22の中空部と貫通孔21aとを貫通して配置された供給管81を備える。供給管81の先端(基板9側の端)には、ノズル50Aが接続されている。供給管81には、処理液供給管811、リンス液供給管812が挿通されている。処理液供給管811には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部83が接続されている。リンス液供給管812には、これにリンス液を供給する配管系であるリンス液供給部84が接続されている。   As shown in FIG. 1, the processing unit 5 includes, for example, a supply pipe 81 disposed through the hollow portion of the rotation shaft portion 22 of the spin chuck 2 and the through hole 21 a. A nozzle 50A is connected to the tip of the supply pipe 81 (the end on the substrate 9 side). The treatment liquid supply pipe 811 and the rinse liquid supply pipe 812 are inserted through the supply pipe 81. The treatment liquid supply pipe 83 is connected to a treatment liquid supply unit 83 which is a piping system for supplying the treatment liquid thereto. The rinse liquid supply pipe 812 is connected to a rinse liquid supply unit 84 which is a piping system for supplying a rinse liquid thereto.

図20は、ノズル50Aの構成を説明するための模式図である。ノズル50Aは、基板9の下面の中央部と、スピンベース21の上面との双方の面と隙間を隔てて略平行に対向する円形の板状部材51を備える。板状部材51の中心軸は、回転軸部22と同じく回転軸a1である。板状部材51の径は、例えば、回転軸部22の径と同程度か、若しくは若干大きく設定される。   FIG. 20 is a schematic view for explaining the configuration of the nozzle 50A. The nozzle 50A is provided with a circular plate-like member 51 opposed substantially parallel to the central portion of the lower surface of the substrate 9 and the upper surface of the spin base 21 with a gap therebetween. The central axis of the plate-like member 51 is the rotation axis a1, as with the rotation shaft portion 22. The diameter of the plate-like member 51 is set, for example, to the same size as or slightly larger than the diameter of the rotary shaft portion 22.

板状部材51の上面52は、基板9の下面と略平行に対向し、下面53は、スピンベース21の上面の中央部分と略平行に対向する。上面52の中央部分は、上面52の周縁部よりも基板9側に凸の形状を有し、下面53の中央部分は、下面53の中央部分よりもスピンベース21の上面側に凸の形状を有している。図20の例では、上面52の中央部分は、円錐台状に形成され、下面53の中央部分は、円板状に形成されている。   The upper surface 52 of the plate-like member 51 faces substantially parallel to the lower surface of the substrate 9, and the lower surface 53 faces substantially central portion of the upper surface of the spin base 21. The central portion of the upper surface 52 has a convex shape closer to the substrate 9 than the peripheral portion of the upper surface 52, and the central portion of the lower surface 53 has a convex shape closer to the upper surface of the spin base 21 than the central portion of the lower surface 53. Have. In the example of FIG. 20, the central portion of the upper surface 52 is formed in a truncated cone shape, and the central portion of the lower surface 53 is formed in a disk shape.

板状部材51の上面52の中央部分には、基板9の中心に対向する開口を有する処理液吐出口54が設けられている。処理液吐出口54は、処理液供給管811と接続されている。処理液吐出口54は、処理液供給管811を介して処理液供給部83から供給される処理液を、基板9の中央部の下方から基板9の下面の中央部に向けて略鉛直方向に吐出する。また、上面52の中央部分の側面には、リンス液吐出口(「洗浄液吐出口」)55が設けられており、下面53の中央部分の側面には、リンス液吐出口56が設けられている。リンス液吐出口55、56は、リンス液供給管812とそれぞれ接続されている。リンス液吐出口55、56は、リンス液供給管812を介してリンス液供給部84から供給されるリンス液をスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けてそれぞれ吐出する。より詳細には、リンス液吐出口55は、上面52と、スピンベース21の上面との双方の面に沿ってリンス液をスピンベース21の径方向外側に向けて吐出し、リンス液吐出口56は、下面53と、スピンベース21の上面との双方の面に沿ってリンス液をスピンベース21の径方向外側に向けて吐出する。   At a central portion of the upper surface 52 of the plate-like member 51, a treatment liquid discharge port 54 having an opening facing the center of the substrate 9 is provided. The treatment liquid discharge port 54 is connected to the treatment liquid supply pipe 811. The treatment liquid discharge port 54 is directed in the substantially vertical direction from the lower side of the central portion of the substrate 9 toward the central portion of the lower surface of the substrate 9 from the lower portion of the central portion of the substrate 9. Discharge. Further, a rinse liquid discharge port ("washing liquid discharge port") 55 is provided on the side surface of the central portion of the upper surface 52, and a rinse liquid discharge port 56 is provided on the side surface of the central portion of the lower surface 53. . The rinse liquid discharge ports 55 and 56 are connected to the rinse liquid supply pipe 812 respectively. The rinse liquid discharge ports 55 and 56 respectively discharge the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply unit 84 through the rinse liquid supply pipe 812 along the upper surface of the spin base 21 radially outward of the spin base 21. . More specifically, the rinse liquid discharge port 55 discharges the rinse liquid outward in the radial direction of the spin base 21 along the upper surface 52 and the upper surface of the spin base 21, and the rinse liquid discharge port 56. The discharge liquid is discharged outward in the radial direction of the spin base 21 along the lower surface 53 and the upper surface of the spin base 21.

ノズル50Aが、リンス液吐出口55、56の何れか一方のみを備えてもよい。また、板状部材51の外周面(側面)に形成され、リンス液をスピンベース21の上面に沿って、スピンベース21の径方向外側に吐出する側面吐出口が、リンス液吐出口55、56に代えて、あるいは、リンス液吐出口55、56の少なくとも一方に加えて、設けられてもよい。   The nozzle 50A may have only one of the rinse liquid discharge ports 55 and 56. Further, side discharge ports formed on the outer peripheral surface (side surface) of the plate-like member 51 and discharging the rinse liquid to the radially outer side of the spin base 21 along the upper surface of the spin base 21 are rinse liquid discharge ports 55, 56. Alternatively, it may be provided in addition to at least one of the rinse liquid discharge ports 55, 56.

なお、基板処理装置1に、基板9の上面(より詳細には、上面の全体または周縁部)に処理液を供給可能なノズルがさらに設けられてもよい。このようなノズルは、例えば、遮断板90に設けられる。   The substrate processing apparatus 1 may further be provided with a nozzle capable of supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate 9 (more specifically, the entire upper surface or the peripheral portion thereof). Such a nozzle is provided, for example, on the blocking plate 90.

処理液供給部83は、具体的には、SC−1供給源831a、DHF供給源831b、SC−2供給源831c、リンス液供給源831d、複数の配管832a,832b,832c,832d、および、複数の開閉弁833a,833b,833c,833dを、組み合わせて構成されている。リンス液供給部84は、具体的には、リンス液供給源841d、配管842d、および開閉弁843dを備えて構成されている。   Specifically, the treatment liquid supply unit 83 includes an SC-1 supply source 831a, a DHF supply source 831b, an SC-2 supply source 831c, a rinse liquid supply source 831d, a plurality of pipes 832a, 832b, 832c, 832d, and A plurality of on-off valves 833a, 833b, 833c, and 833d are configured in combination. Specifically, the rinse liquid supply unit 84 is configured to include a rinse liquid supply source 841 d, a pipe 842 d, and an on-off valve 843 d.

SC−1供給源831aは、SC−1を供給する供給源である。SC−1供給源831aは、開閉弁833aが介挿された配管832aを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833aが開放されると、SC−1供給源831aから供給されるSC−1が、ノズル50Aから吐出される。   The SC-1 source 831a is a source for supplying SC-1. The SC-1 supply source 831a is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832a in which an on-off valve 833a is interposed. Therefore, when the on-off valve 833a is opened, SC-1 supplied from the SC-1 supply source 831a is discharged from the nozzle 50A.

DHF供給源831bは、DHFを供給する供給源である。DHF供給源831bは、開閉弁833bが介挿された配管832bを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833bが開放されると、DHF供給源831bから供給されるDHFが、ノズル50Aから吐出される。   The DHF source 831 b is a source that supplies DHF. The DHF supply source 831 b is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832 b in which an on-off valve 833 b is interposed. Therefore, when the on-off valve 833b is opened, DHF supplied from the DHF supply source 831b is discharged from the nozzle 50A.

SC−2供給源831cは、SC−2を供給する供給源である。SC−2供給源831cは、開閉弁833cが介挿された配管832cを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833cが開放されると、SC−2供給源831cから供給されるSC−2が、ノズル50Aから吐出される。   The SC-2 source 831 c is a source that supplies SC-2. The SC-2 supply source 831c is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832c in which an on-off valve 833c is interposed. Therefore, when the on-off valve 833c is opened, SC-2 supplied from the SC-2 supply source 831c is discharged from the nozzle 50A.

リンス液供給源831d、841dは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源(「洗浄液供給源」)831d、841dは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源831dは、開閉弁833dが介挿された配管832dを介して、処理液供給管811に接続されている。したがって、開閉弁833dが開放されると、リンス液供給源831dから供給されるリンス液が、ノズル50Aの処理液吐出口54から吐出される。また、リンス液供給源841dは、開閉弁843dが介挿された配管842dを介して、リンス液供給管812に接続されている。したがって、開閉弁843dが開放されると、リンス液供給源841dから供給されるリンス液が、ノズル50Aのリンス液吐出口55、56から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水(水素水)、各種の有機溶剤(イオン水、IPA(イソプロピルアルコール)、機能水(CO2水など)、などが用いられてもよい。   The rinse liquid supply sources 831 d and 841 d are supply sources for supplying the rinse liquid. Here, the rinse liquid supply sources (“washing liquid supply sources”) 831 d and 841 d supply, for example, pure water as the rinse liquid. The rinse liquid supply source 831 d is connected to the processing liquid supply pipe 811 via a pipe 832 d in which an on-off valve 833 d is interposed. Therefore, when the open / close valve 833d is opened, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 831d is discharged from the processing liquid discharge port 54 of the nozzle 50A. Further, the rinse liquid supply source 841 d is connected to the rinse liquid supply pipe 812 via a pipe 842 d in which an on-off valve 843 d is interposed. Therefore, when the open / close valve 843d is opened, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 841d is discharged from the rinse liquid discharge ports 55, 56 of the nozzle 50A. In addition, pure water, warm water, ozone water, magnetic water, reduced water (hydrogen water), various organic solvents (ion water, IPA (isopropyl alcohol), functional water (CO 2 water etc.), etc. are used as the rinse liquid. May be

処理液供給部83から処理液供給管811に処理液(SC−1、DHF、SC−2、あるいは、リンス液)が供給されると、ノズル50Aの処理液吐出口54から、スピンベース21上に保持された基板9の処理面の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。また、リンス液供給部84からリンス液供給管812にリンス液が供給されると、ノズル50Aのリンス液吐出口55、56からスピンベース21の上面に沿って、スピンベース21の径方向外側に向けてリンス液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部83が備える開閉弁833a,833b,833c,833dの各々と、リンス液供給部84が備える開閉弁843dとは、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、ノズル50Aからの処理液(すなわち、処理液およびリンス液)の吐出態様(具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。   When the processing liquid (SC-1, DHF, SC-2, or rinse liquid) is supplied from the processing liquid supply unit 83 to the processing liquid supply pipe 811, the processing liquid discharge port 54 of the nozzle 50A is on the spin base 21. The processing liquid is discharged toward the vicinity of the center of the processing surface of the substrate 9 held on the substrate. In addition, when the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply unit 84 to the rinse liquid supply pipe 812, the rinse liquid discharge ports 55 and 56 of the nozzle 50 A move radially outward of the spin base 21 along the upper surface of the spin base 21. The rinse liquid is discharged toward the head. However, each of the on-off valves 833a, 833b, 833c, and 833d included in the treatment liquid supply unit 83 and the on-off valve 843d included in the rinse solution supply unit 84 are electrically connected to the control unit 130. It is opened and closed under control of That is, the discharge mode (specifically, the type of the processing liquid to be discharged, the discharge start timing, the discharge end timing, the discharge flow rate, etc.) of the processing liquid (that is, the processing liquid and the rinse liquid) from the nozzle 50A is controlled It is controlled by the unit 130.

なお、ノズル50Aは、処理液吐出口54からの処理液の吐出と、リンス液吐出口55、56からのリンス液の吐出とを並行して行うことができるし、当該処理液の吐出と、当該リンス液の吐出とを選択的に行うこともできるノズル50Aと供給管81と処理液供給部83とは、制御部130の制御によって基板9の処理面に処理液を吐出する処理液吐出部83Aである。ノズル50Aと供給管81とリンス液供給部84とは、リンス液をスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けて吐出するリンス液吐出部84Aである。   The nozzle 50A can perform the discharge of the treatment liquid from the treatment liquid discharge port 54 and the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid discharge ports 55 and 56 in parallel. The nozzle 50A, the supply pipe 81, and the processing liquid supply unit 83, which can selectively perform the discharge of the rinse liquid, discharge the processing liquid onto the processing surface of the substrate 9 under the control of the control unit 130. It is 83A. The nozzle 50A, the supply pipe 81, and the rinse solution supply unit 84 are a rinse solution discharge unit 84A that discharges the rinse solution radially outward of the spin base 21 along the upper surface of the spin base 21.

<2.遮断板とスピンベースの構成>
図6、図7は、遮断板90が処理位置に配置されているときの遮断板90とスピンベース21の周縁部の構成を示す縦断面図である。図6には、規制部201における断面が示され、図7には、規制部201以外の部分における断面が示されている。図6、図7の例では、スプラッシュガード31の外部材313が上方位置に配置され、内部材312が下方位置に配置されている。図8は、規制部201を示す横断面図である。図9は、実施形態に係る他の規制部201Fを示す横断面図である。
<2. Barrier plate and spin-based configuration>
FIG. 6 and FIG. 7 are longitudinal sectional views showing the configurations of the peripheral portion of the blocking plate 90 and the spin base 21 when the blocking plate 90 is disposed at the processing position. 6 shows a cross section of the restricting portion 201, and FIG. 7 shows a cross section of a portion other than the restricting portion 201. As shown in FIG. In the example of FIGS. 6 and 7, the outer member 313 of the splash guard 31 is disposed at the upper position, and the inner member 312 is disposed at the lower position. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the restricting portion 201. As shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing another restricting portion 201F according to the embodiment.

スピンベース21は、上面形状が円形である円板状の基部28と、基部28の周縁(側面)において、基部28の上面よりも若干下方の位置から径方向外側に突設する環状のフランジ部29とを備えている。基部28およびフランジ部29は、例えば、塩化ビニルによって、一体的に形成されている。フランジ部29の上面と下面(より詳細には、フランジ部29のうち基端部分以外の部分の下面、すなわちフランジ部29の先端側部分の下面)とは、水平面に沿って形成され、基部28の側面は、鉛直面である。フランジ部29の基端部分には、スピンベース21の周方向に沿う環状の曲面(「曲面部」)211が形成されている。曲面211は、例えば、回転軸a1に向かって斜め上方に凸の1/4円弧状の断面形状を有している。当該円弧の半径は、例えば、5mm〜10mmに設定される。フランジ部29の先端側部分の下面と、基部28の側面のうちフランジ部29よりも下側の部分とは、曲面211によってなだらかに接続されている。   The spin base 21 has an annular flange portion projecting radially outward from a position slightly below the upper surface of the base 28 at a disk-shaped base 28 whose upper surface shape is a circular shape and a peripheral edge (side surface) of the base 28 It has 29 and. The base portion 28 and the flange portion 29 are integrally formed of, for example, vinyl chloride. The upper surface and the lower surface of the flange portion 29 (more specifically, the lower surface of a portion other than the base end portion of the flange portion 29, that is, the lower surface of the distal end portion of the flange portion 29) are formed along a horizontal surface. The side of the is a vertical plane. An annular curved surface (“curved surface portion”) 211 along the circumferential direction of the spin base 21 is formed at the base end portion of the flange portion 29. The curved surface 211 has, for example, a cross-sectional shape of a 1⁄4 arc shape that is convex obliquely upward toward the rotation axis a1. The radius of the said circular arc is set, for example to 5 mm-10 mm. The lower surface of the tip end portion of the flange portion 29 and the portion of the side surface of the base portion 28 below the flange portion 29 are smoothly connected by a curved surface 211.

フランジ部29の上面と、基部28の側面のうちフランジ部29の上側部分とによって環状の凹みが形成されている。この凹みには、環状の板状部材である水切り部27がボルトによって固定されている。水切り部27は、好ましくは、基部28よりも耐熱性の高い、例えば、フッ素樹脂などにより形成される。水切り部27の外周縁部は、基部28の径方向においてフランジ部29の外周縁よりも外側に延びている。水切り部27の外周縁の径、すなわちスピンベース21の外周縁の径は、基板9の径よりも大きい。水切り部27のうち外周縁部(「先端部分」)以外の部分の上面は、基部28の上面と同一の水平面をなしている。水切り部27の外周縁部の上面は、斜め上方外側に向けて張り出して湾曲した曲面である。当該外周縁部は、外周縁に近づくにつれて徐々に厚みが薄くなっている。上述した2つの突出部26は、水切り部27の外周縁部の先端(外縁)から遮断板90の径方向外側に向けてそれぞれ突設されている。突出部26は、例えば、図5、図6、図8に示されるように四角柱状の形状に形成される。この突出部26の上面261は、長方形状の水平面である。突出部26の先端面262は、上面261と直交し、その中心を通る法線が回転軸a1と交わる長方形状の鉛直面である。突出部26の側面263、264は、上面261、先端面262の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面261は、基部28の上面よりも下方に位置する。これにより突出部26全体が基部28の上面よりも下方に位置する。   An annular recess is formed by the upper surface of the flange portion 29 and the upper portion of the side surface of the base portion 28. A draining portion 27 which is an annular plate member is fixed to the recess by a bolt. The draining portion 27 is preferably made of, for example, a fluorine resin or the like, which is higher in heat resistance than the base portion 28. The outer peripheral edge portion of the draining portion 27 extends outside the outer peripheral edge of the flange portion 29 in the radial direction of the base portion 28. The diameter of the outer peripheral edge of the drainage portion 27, that is, the diameter of the outer peripheral edge of the spin base 21 is larger than the diameter of the substrate 9. The upper surface of the portion other than the outer peripheral edge portion (“tip portion”) of the draining portion 27 forms a horizontal plane identical to the upper surface of the base portion 28. The upper surface of the outer peripheral edge portion of the water draining portion 27 is a curved surface that protrudes and curves diagonally upward and outward. The outer peripheral portion gradually decreases in thickness as it approaches the outer peripheral edge. The two projecting portions 26 described above are respectively protruded from the tip end (outer edge) of the outer peripheral edge portion of the water draining portion 27 outward in the radial direction of the blocking plate 90. The protrusion 26 is formed in, for example, a quadrangular prism shape as shown in FIG. 5, FIG. 6, and FIG. The upper surface 261 of the protrusion 26 is a rectangular horizontal surface. The tip end surface 262 of the protrusion 26 is a rectangular vertical surface orthogonal to the upper surface 261 and whose normal passing through the center intersects the rotation axis a1. The side surfaces 263 and 264 of the protrusion 26 are rectangular vertical surfaces orthogonal to both the upper surface 261 and the tip surface 262. The upper surface 261 is located below the upper surface of the base 28. As a result, the entire protrusion 26 is positioned below the upper surface of the base 28.

遮断板90の本体部91は、例えば、塩化ビニルによって形成された円板状の部材である。本体部91の下面のうち周縁部以外の下面911は、スピンベース21のチャックピン25に保持された基板9の上面と、隙間を隔てて対向している。下面911と基板9の上面との間隔D2は、例えば、1mm程度である。本体部91の下面のうち周縁部には、周縁に沿う環状の凹みが形成されている。これにより、本体部91の周縁部の厚みは、他の部分の半分程度となっている。延設部92は、この凹みに嵌合可能な環状の形状を有する。延設部92は、この凹みに嵌合してボルトによって本体部91に固定されている。延設部92は、好ましくは、本体部91よりも耐熱性に優れた、例えば、フッ素樹脂などの材料により形成される。延設部92の環状の内周面921は、その下端から上方に向かって立設された後、回転軸a1側に向かって基板9の周縁部の上方まで延びている。内周面921のうち回転軸a1側の環状の周縁部は、本体部91の下面911になだらかに接続しており、下面911とともに、基板9の上面に対向する対向面をなしている。延設部92は、本体部91の周縁部から下方に延設された筒状壁部となっており、その先端側部分は、スピンベース21の側方部分に延びている。延設部92の内周面921のうち延設部92の先端側(下端側)の部分は、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に張り出すように湾曲した曲面である。これにより、遮断板90の径方向における延設部92の先端側部分の幅は、下方、すなわち、スピンベース21の側方部分に向かうにつれて徐々に細くなっている。このように、内周面921は、遮断板90の下面と連続するとともに、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に張り出すように膨らんで湾曲している。   The main body 91 of the blocking plate 90 is, for example, a disk-shaped member formed of vinyl chloride. A lower surface 911 other than the peripheral edge of the lower surface of the main body 91 faces the upper surface of the substrate 9 held by the chuck pins 25 of the spin base 21 with a gap therebetween. The distance D2 between the lower surface 911 and the upper surface of the substrate 9 is, for example, about 1 mm. An annular recess is formed in the peripheral edge portion of the lower surface of the main body portion 91 along the peripheral edge. Thus, the thickness of the peripheral portion of the main body portion 91 is about half that of the other portion. The extending portion 92 has an annular shape that can be fitted in the recess. The extending portion 92 is fitted to the recess and fixed to the main body 91 by a bolt. The extension portion 92 is preferably made of, for example, a material such as a fluorine resin, which is more heat resistant than the main portion 91. The annular inner circumferential surface 921 of the extension portion 92 is erected upward from the lower end, and then extends to the upper side of the peripheral portion of the substrate 9 toward the rotation axis a1 side. An annular peripheral edge of the inner circumferential surface 921 on the side of the rotation axis a 1 is gently connected to the lower surface 911 of the main body 91, and forms an opposing surface facing the upper surface of the substrate 9 together with the lower surface 911. The extending portion 92 is a cylindrical wall portion extended downward from the peripheral edge portion of the main body portion 91, and the tip end portion extends to the side portion of the spin base 21. A portion on the tip end side (lower end side) of the extending portion 92 in the inner peripheral surface 921 of the extending portion 92 is a curved surface that is curved so as to protrude obliquely upward and outward with respect to the top surface of the spin base 21. Thereby, the width of the tip end side portion of the extending portion 92 in the radial direction of the blocking plate 90 is gradually narrowed toward the lower side, that is, the side portion of the spin base 21. As described above, the inner circumferential surface 921 is continuous with the lower surface of the blocking plate 90, and is expanded and curved so as to protrude obliquely upward and outward with respect to the upper surface of the spin base 21.

延設部92の先端側部分には、規制構造94が形成されている。規制構造94は、例えば、図4、図6、図8に示されるように、延設部92の先端面から、延設部92の内周面にかけて開口する凹み部である。この規制構造94は、遮断板90が処理位置に配置されたときに、突出部26の少なくとも一部を収容可能なように形成されている。規制構造94の上面941は、長方形状の水平面である。規制構造94の底面942は、上面941と直交し、その中心を通る法線が回転軸a1と交わる長方形状の鉛直面である。規制構造94の側面943、944は、上面941、底面942の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面941は、基部28の上面よりも下方、かつ、突出部26の上面261よりも上方に位置する。これにより規制構造94全体が基部28の上面よりも下方に位置する。   A restricting structure 94 is formed on the distal end side portion of the extending portion 92. For example, as shown in FIGS. 4, 6, and 8, the restriction structure 94 is a recess that opens from the tip end surface of the extending portion 92 to the inner circumferential surface of the extending portion 92. The restriction structure 94 is formed to be able to accommodate at least a part of the protrusion 26 when the blocking plate 90 is disposed at the processing position. The upper surface 941 of the restriction structure 94 is a rectangular horizontal surface. The bottom surface 942 of the restriction structure 94 is a rectangular vertical surface perpendicular to the top surface 941 and whose normal passing through the center intersects the rotation axis a1. The side surfaces 943 and 944 of the restriction structure 94 are rectangular vertical surfaces orthogonal to both the top surface 941 and the bottom surface 942. The upper surface 941 is located below the upper surface of the base 28 and above the upper surface 261 of the protrusion 26. As a result, the entire restriction structure 94 is located below the upper surface of the base 28.

遮断板90が処理位置に配置されたときに、2つの規制構造94の一方が、2つの突出部26の一方の少なくとも一部を収容し、他方の規制構造94が、他方の突出部26の少なくとも一部を収容する。   When the blocking plate 90 is placed in the processing position, one of the two restricting structures 94 accommodates at least a portion of one of the two protrusions 26 and the other restricting structure 94 of the other protrusion 26. Accommodate at least a part.

突出部26が規制構造94に収容された直後の状態において、スピンベース21が停止しているときは、規制構造94の上面941と、突出部26の上面261とが隙を隔てて互いに対向するとともに、規制構造94の底面942と、突出部26の先端面262とが隙間を隔てて互いに対向する。そして、規制構造94の側面943は、突出部26の側面263と対向し、規制構造94の側面944は、突出部26の側面264と対向する。これにより、規制構造94は、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置されて突出部26の周方向への相対的な動きを規制可能となる。規制構造94と、突出部26とは、回転軸a1を中心とする周方向に沿ったスピンベース21と遮断板90との相対的な動きを規制する規制部201である。   When the spin base 21 is stopped immediately after the protrusion 26 is accommodated in the restriction structure 94, the upper surface 941 of the restriction structure 94 and the upper surface 261 of the protrusion 26 face each other with a gap. In addition, the bottom surface 942 of the restriction structure 94 and the tip end surface 262 of the protrusion 26 face each other with a gap. The side surface 943 of the restriction structure 94 faces the side surface 263 of the protrusion 26, and the side surface 944 of the restriction structure 94 faces the side surface 264 of the protrusion 26. Thus, the restricting structure 94 is disposed to face the protrusion 26 from the front and rear in the circumferential direction centering on the rotation axis a1, so that relative movement of the protrusion 26 in the circumferential direction can be restricted. The restricting structure 94 and the protruding portion 26 are restricting portions 201 that restrict relative movement between the spin base 21 and the blocking plate 90 along the circumferential direction centering on the rotation axis a1.

図7に示されるように、遮断板90が処理位置に配置された状態で、延設部92の先端側部分と、スピンベース21の側部、より具体的には、水切り部27の先端部分との間には、規制部201以外の部分において、隙間G1が形成される。隙間G1の幅D1は、例えば、1mm〜5mm程度である。処理部5のノズル50Aが基板9の下面に吐出した処理液は、下面に沿って、基板9の外部に排出され、さらにスピンベース21の周縁部から隙間G1を通って外部に排出される。延設部92の内周面921のうち延設部92の先端の部分と、水切り部27の先端部分の上面とが、上述のように、互いに湾曲していれば、処理液は、隙間G1からスムーズに外部へ排出される。   As shown in FIG. 7, with the blocking plate 90 disposed at the processing position, the tip end portion of the extending portion 92 and the side portion of the spin base 21, more specifically, the tip portion of the drainage portion 27 And a gap G1 is formed in a portion other than the regulation portion 201. The width D1 of the gap G1 is, for example, about 1 mm to 5 mm. The processing liquid discharged from the nozzle 50A of the processing unit 5 to the lower surface of the substrate 9 is discharged to the outside of the substrate 9 along the lower surface, and further discharged from the peripheral portion of the spin base 21 through the gap G1. If the tip portion of the extending portion 92 of the inner circumferential surface 921 of the extending portion 92 and the upper surface of the tip portion of the draining portion 27 are curved with each other as described above, the processing liquid flows in the gap G1. Smoothly discharged to the outside.

延設部92の内周面921の上端部分は、遮断板90の下面のうち基板9に対向する対向面(より詳細には、当該対向面の周縁部)よりも上方、すなわちスピンベース21の上面に対して当該対向面よりも高い位置にある。これにより、内周面921の上端側部分に、環状の凹み部922が形成されている。凹み部922は、回転軸a1を中心とする周方向に沿って形成されている。凹み部922は、延設部92の先端側部分と、遮断板90のうち基板9に対向する部分との間に形成されている。すなわち、凹み部922は、遮断板90の内側面901のうち、延設部92の先端側部分と、基板9に対向する対向部分との間の部分に形成されている。内側面901は、基板9の上面及び端面を取り囲む面である。内側面901は、本体部91の下面911と延設部92の内周面921とを含んでいる。凹み部922は、遮断板90のうち基板9の上面に対向する対向部分の周縁部よりも上方にくぼんでいる。凹み部922と、スピンベース21の上面との間には、環状の膨んだ空間(「膨らみ空間」)923が形成される。空間923は、遮断板90のうち基板9に対向する対向面よりも上方に膨らんでいる。凹み部922の最もくぼんだ部分と基板9の上面との間隔D3は、間隔D2よりも長い。遮断板90の径方向における凹み部922の幅D4は、好ましくは、例えば、20mm以上に設定される。   The upper end portion of the inner circumferential surface 921 of the extending portion 92 is above the opposing surface (more specifically, the peripheral portion of the opposing surface) of the lower surface of the blocking plate 90 facing the substrate 9, It is located higher than the opposing surface with respect to the upper surface. Thus, an annular recessed portion 922 is formed in the upper end side portion of the inner circumferential surface 921. The recess 922 is formed along the circumferential direction centering on the rotation axis a1. The recessed portion 922 is formed between the tip end portion of the extending portion 92 and the portion of the blocking plate 90 facing the substrate 9. That is, the recess 922 is formed in the portion of the inner side surface 901 of the blocking plate 90 between the tip end portion of the extending portion 92 and the opposing portion facing the substrate 9. The inner side surface 901 is a surface surrounding the upper surface and the end surface of the substrate 9. The inner side surface 901 includes the lower surface 911 of the main body portion 91 and the inner peripheral surface 921 of the extending portion 92. The recess 922 is recessed above the peripheral edge of the opposing portion of the blocking plate 90 that faces the upper surface of the substrate 9. Between the recess 922 and the top surface of the spin base 21, an annular bulging space (“bulging space”) 923 is formed. The space 923 bulges above the facing surface of the blocking plate 90 facing the substrate 9. The distance D3 between the most depressed portion of the recess 922 and the upper surface of the substrate 9 is longer than the distance D2. The width D4 of the recess 922 in the radial direction of the blocking plate 90 is preferably set to, for example, 20 mm or more.

遮断板90の内側面901(より詳細には、延設部92の内周面921)のうち、下面911に対して凹み部922よりも外側(遮断板90の径方向外側)の部分には、上述のように、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に膨らんで湾曲する湾曲面が形成されている。なお、図示の例では、下面911は、基板9の上面と平行である。しかし、例えば、下面911のうちその周縁部を除く部分が、下面911の中心に向かうにつれて基板9の上面から高くなるなど、下面911全体が基板9の上面と平行でなくてもよい。   Of the inner surface 901 of the blocking plate 90 (more specifically, the inner circumferential surface 921 of the extending portion 92), a portion outside the recessed portion 922 with respect to the lower surface 911 (radially outside of the blocking plate 90) As described above, a curved surface is formed which bulges outward and diagonally with respect to the upper surface of the spin base 21 and curves. In the illustrated example, the lower surface 911 is parallel to the upper surface of the substrate 9. However, the entire lower surface 911 may not be parallel to the upper surface of the substrate 9, for example, the portion of the lower surface 911 excluding the peripheral edge becomes higher from the upper surface of the substrate 9 toward the center of the lower surface 911.

隙間G1から排出される処理液は、処理液の量と、隙間G1の幅によっては、延設部92と水切り部27との間の空間に滞留する場合があるが、凹み部922により形成された空間923が、バッファとなる。これにより、滞留した処理液に起因して、処理液が基板9の非処理面(図1の例では、上面)に跳ね返って付着することを抑制できる。   Although the processing liquid discharged from the gap G1 may stay in the space between the extended portion 92 and the draining portion 27 depending on the amount of processing liquid and the width of the gap G1, it is formed by the recessed portion 922 The space 923 becomes a buffer. As a result, it is possible to suppress that the processing liquid bounces back and adheres to the non-processing surface (the upper surface in the example of FIG. 1) of the substrate 9 due to the processing liquid that has stagnated.

また、水切り部27の先端部分から排出される処理液の一部は、規制構造94、突出部26に当たって跳ね返る。しかしながら、遮断板90が処理位置に配置された状態で、遮断板90の規制構造94と、スピンベース21の突出部26との双方がスピンベース21の上面より下方にあることから、跳ね返された処理液が、基板9の処理面以外の主面(「非処理面」)に付着することが抑制される。   Further, a part of the processing liquid discharged from the tip end portion of the draining portion 27 strikes the restricting structure 94 and the projecting portion 26 and bounces back. However, when the blocking plate 90 is disposed at the processing position, both the restricting structure 94 of the blocking plate 90 and the projecting portion 26 of the spin base 21 are below the upper surface of the spin base 21 so that they are rebounded. It is suppressed that a process liquid adheres to main surfaces ("non-processing surface") other than the processing surface of the board | substrate 9. As shown in FIG.

延設部92、水切り部27が、耐熱性に優れたフッ素樹脂などにより形成されていれば、処理液が高温である場合でも、高温による遮断板90、スピンベース21の損傷を抑制することができる。しかしながら、例えば、フッ素樹脂は、塩化ビニルに比べて、耐熱性に優れるが、硬度が低い。遮断板90が処理位置に配置された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を介してスピンベース21を回転させる場合、加速時、減速時には、突出部26と規制構造94とが互いに当接する。これにより、規制構造94と突出部26同士、すなわちフッ素樹脂製の部材同士が衝突し、塵が発生する場合がある。この塵が基板9に付着すると欠陥となる。なお、延設部92、スピンベース21がそれぞれ同じ材料で一体的に形成されていてもよい。   If the extending portion 92 and the draining portion 27 are formed of a fluorine resin or the like excellent in heat resistance, even if the processing liquid has a high temperature, the damage to the blocking plate 90 and the spin base 21 due to the high temperature can be suppressed. it can. However, for example, a fluorine resin is superior in heat resistance to vinyl chloride, but has a low hardness. When the rotation drive unit 23 rotates the spin base 21 via the rotation shaft 22 with the blocking plate 90 disposed at the processing position, the protrusion 26 and the restriction structure 94 are in contact with each other during acceleration and deceleration. Contact. As a result, the restriction structure 94 and the protrusions 26 may collide with each other, that is, members made of fluorine resin may collide with each other to generate dust. When the dust adheres to the substrate 9, it becomes a defect. The extension 92 and the spin base 21 may be integrally formed of the same material.

図9の構成例では、スピンベース21の突出部26は、その外周面のうち先端面262以外の面を、EPDMなどの弾性部材により形成されたOリングなどによって覆われている。規制構造94と突出部26とがスピンベース21の加速時などに互いに当接する場合でも、塵の発生を抑制できる。なお、突出部26と規制構造94とのうち少なくも一方が、他方と対向する部分を弾性部材に覆われていれば発塵を抑制できる。突出部26と規制構造94の何れもが、弾性部材によって覆われていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。   In the configuration example of FIG. 9, the protruding portion 26 of the spin base 21 is covered with an O-ring or the like formed of an elastic member such as EPDM, of the outer peripheral surface other than the tip end surface 262. Even when the restriction structure 94 and the protrusion 26 abut each other at the time of acceleration of the spin base 21 or the like, generation of dust can be suppressed. Dust generation can be suppressed if at least one of the protrusion 26 and the restricting structure 94 is covered with the elastic member at a portion facing the other. Even if neither the protrusion 26 nor the restricting structure 94 is covered by the elastic member, the usefulness of the present invention is not impaired.

図12、図13は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板90Bとスピンベース21Bとを示す縦断面図である。図12、図13では、遮断板90Bとスピンベース21Bとの周縁部が示されている。図12では、規制部201における断面が示され、図13では、規制部201以外の部分における断面が示されている。遮断板90Bは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Bを備えていることを除いて、遮断板90と同様の構成を備えている。スピンベース21Bは、スピンベース21の水切り部27に代えて、水切り部27Bを備えていることを除いてスピンベース21と同様の構成を備えている。   12 and 13 are longitudinal sectional views showing a blocking plate 90B and a spin base 21B as another configuration example of the blocking plate and the spin base of the substrate processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 12 and FIG. 13, peripheral portions of the blocking plate 90B and the spin base 21B are shown. In FIG. 12, the cross section in the control part 201 is shown, and in FIG. 13, the cross section in parts other than the control part 201 is shown. The blocking plate 90B has the same configuration as the blocking plate 90 except that the extending portion 92B is provided instead of the extending portion 92 of the blocking plate 90. The spin base 21B has a configuration similar to that of the spin base 21 except that a draining portion 27B is provided instead of the draining portion 27 of the spin base 21.

延設部92Bの内周面(下面)921Bは、本体部91のうち薄肉の周縁部以外の部分の下面と滑らかに接続されている。内周面921Bには、延設部92の凹み部922が形成されていない。また、水切り部27Bには、水切り部27の先端部分の上面に設けられている曲面が形成されておらず、水切り部27Bの先端面は、鉛直面である。処理液は、基板9の処理面およびスピンベース21Bの上面の周縁部を経て、延設部92Bと水切り部27Bとの間の隙間G2から外部に排出される。規制部201が設けられている部分においては、処理液は、規制部201(規制構造94、突出部26)により跳ね返される。   An inner peripheral surface (lower surface) 921 B of the extended portion 92 B is smoothly connected to the lower surface of a portion of the main body portion 91 other than the thin peripheral portion. The recessed portion 922 of the extending portion 92 is not formed on the inner circumferential surface 921B. Moreover, the curved surface provided in the upper surface of the front-end | tip part of the drainage part 27 is not formed in the drainage part 27B, but the front end surface of the drainage part 27B is a vertical surface. The processing liquid is discharged to the outside from the gap G2 between the extended portion 92B and the draining portion 27B through the peripheral surface of the processing surface of the substrate 9 and the top surface of the spin base 21B. In the portion where the restricting portion 201 is provided, the processing liquid is repelled by the restricting portion 201 (the restricting structure 94, the protruding portion 26).

しかしながら、水切り部27Bの先端部分、すなわちスピンベース21Bの側面部分に設けられた突出部26と、延設部92Bの先端側部分に設けられた規制構造94とが、スピンベース21Bの上面よりも下方に配置されている。これにより、跳ね返された処理液の基板9の非処理面への侵入と付着が抑制される。従って、遮断板90に代えて遮断板90Bが採用されるとともに、スピンベース21に代えてスピンベース21Bが採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。また、遮断板90Bが、スピンベース21と組み合わされてもよく、遮断板90が、スピンベース21Bと組み合わされてもよい。   However, the tip end portion of the draining portion 27B, that is, the projecting portion 26 provided on the side surface portion of the spin base 21B and the restricting structure 94 provided on the tip side portion of the extending portion 92B are more than the top surface of the spin base 21B. It is located below. Thereby, the penetration and adhesion to the non-processing surface of the board | substrate 9 of the process liquid which rebounded are suppressed. Therefore, even if the shield plate 90B is replaced by the shield plate 90B and the spin base 21 is replaced by the spin base 21B, the usefulness of the present invention is not impaired. Also, the blocking plate 90B may be combined with the spin base 21, and the blocking plate 90 may be combined with the spin base 21B.

<3.基板処理装置の動作について>
図21は、基板処理装置1の動作の一例を示すフローチャートである。以下に、図21のフローチャートに基づいて、基板処理装置1の動作について説明する。このフローチャートは、スピンベース21が既に基板9を保持している状態から、基板処理装置1が、処理液を用いた基板9の下面の処理と、リンス液を用いたスピンベース21の上面の洗浄とを行う動作を示す。
<3. About operation of substrate processing equipment>
FIG. 21 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 1. The operation of the substrate processing apparatus 1 will be described below based on the flowchart of FIG. In this flowchart, from the state where the spin base 21 already holds the substrate 9, the substrate processing apparatus 1 processes the lower surface of the substrate 9 using the processing liquid and cleans the upper surface of the spin base 21 using the rinse liquid. Show the action of

基板処理装置1は、処理液供給部83が供給する処理液による基板9の下面の処理と、リンス液供給部84が供給するリンス液によるスピンベース21の上面の洗浄とを行う際に、先ず、制御部130が、回転駆動部23を駆動して、基板9を保持するスピンベース21を回転させることによって、基板9の回転を開始する(ステップS10)。   The substrate processing apparatus 1 first performs processing of the lower surface of the substrate 9 by the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit 83 and cleaning of the upper surface of the spin base 21 by the rinse liquid supplied by the rinse liquid supply unit 84. The control unit 130 drives the rotation drive unit 23 to rotate the spin base 21 holding the substrate 9 to start the rotation of the substrate 9 (step S10).

基板処理装置1は、基板9が回転している状態で、処理液供給部83、リンス液供給部84を制御して、処理液、リンス液の吐出を開始する(ステップS20)。具体的には、制御部130が、例えば、開閉弁833a〜833dを選択的に開かせることにより、処理液供給部83に処理液(SC−1、DHF、SC−2、あるいは、リンス液)の供給を開始させる。処理液は、処理液供給管811を介してノズル50Aの処理液吐出口54に供給され、処理液吐出口54が基板9の下面に向けて処理液の吐出を開始する。下面に吐出された処理液は、基板9の下面とスピンベース21とのうち基板9の下面のみに接触し、スピンベース21には接触することなく、回転している基板9の下面をその周縁側に拡がる。   While the substrate 9 is rotating, the substrate processing apparatus 1 controls the processing liquid supply unit 83 and the rinse liquid supply unit 84 to start discharging the processing liquid and the rinse liquid (step S20). Specifically, the control unit 130, for example, selectively opens the on-off valves 833a to 833d to allow the treatment liquid supply unit 83 to treat the treatment liquid (SC-1, DHF, SC-2, or rinse liquid). Start the supply of The processing liquid is supplied to the processing liquid discharge port 54 of the nozzle 50A through the processing liquid supply pipe 811, and the processing liquid discharge port 54 starts discharging the processing liquid toward the lower surface of the substrate 9. The processing liquid discharged to the lower surface contacts only the lower surface of the substrate 9 among the lower surface of the substrate 9 and the spin base 21, and does not contact the spin base 21, and the lower surface of the substrate 9 is rotated. Spread to the edge.

制御部130は、処理液の供給開始と並行して、開閉弁843dを開いてリンス液供給部84にリンス液の供給を開始させる。リンス液は、リンス液供給管812を介してノズル50Aのリンス液吐出口55、56に供給され、リンス液吐出口55、56がスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けてリンス液の吐出を開始する。   The control unit 130 opens the on-off valve 843d in parallel with the start of the supply of the processing liquid to cause the rinse liquid supply unit 84 to start the supply of the rinse liquid. The rinse liquid is supplied to the rinse liquid discharge ports 55 and 56 of the nozzle 50A through the rinse liquid supply pipe 812, and the rinse liquid discharge ports 55 and 56 extend radially outward of the spin base 21 along the upper surface of the spin base 21. Start discharging the rinse solution.

吐出されたリンス液は、基板9の下面とスピンベース21の上面とのうちスピンベース21の上面にのみ接触し、基板9の下面には接触することなく、回転しているスピンベース21の上面をその周縁側に拡がる。これにより、基板処理装置1は、処理液による基板9の下面の処理と、スピンベース21の上面の洗浄処理とを並行して行う。処理中の基板Wの回転速度は、例えば、300rpmに設定される。処理時間は、例えば、30秒間などに設定される。   The discharged rinse liquid contacts only the top surface of the spin base 21 out of the bottom surface of the substrate 9 and the top surface of the spin base 21 and does not contact the bottom surface of the substrate 9 and rotates the top surface of the spin base 21 rotating. To the peripheral side. Thereby, the substrate processing apparatus 1 performs the processing of the lower surface of the substrate 9 with the processing liquid and the cleaning processing of the upper surface of the spin base 21 in parallel. The rotation speed of the substrate W during processing is set to, for example, 300 rpm. The processing time is set to, for example, 30 seconds.

基板9の下面の処理が終了すると、基板処理装置1は、基板9が回転している状態で、処理液供給部83、リンス液供給部84を制御して、処理液、リンス液の吐出を停止する(ステップS30)。具体的には、制御部130が、例えば、開閉弁833a〜833dを閉じさせることにより、処理液供給部83に処理液の供給を停止させる。これにより、処理液吐出口54が基板9の下面に向けた処理液の吐出を停止する。制御部130は、処理液の吐出の停止と並行して、開閉弁843dを閉じさせてリンス液供給部84にリンス液の供給を停止させる。これにより、リンス液吐出口55、56が、リンス液の吐出を停止する。   When the processing of the lower surface of the substrate 9 is completed, the substrate processing apparatus 1 controls the processing liquid supply unit 83 and the rinse liquid supply unit 84 while the substrate 9 is rotating to discharge the processing liquid and the rinse liquid. It stops (step S30). Specifically, the control unit 130 causes the treatment liquid supply unit 83 to stop the supply of the treatment liquid, for example, by closing the on-off valves 833a to 833d. As a result, the discharge of the processing liquid with the processing liquid discharge port 54 directed to the lower surface of the substrate 9 is stopped. The control unit 130 causes the rinse liquid supply unit 84 to stop the supply of the rinse liquid by closing the on-off valve 843d in parallel with the stop of the discharge of the processing liquid. Thereby, the rinse liquid discharge ports 55 and 56 stop the discharge of the rinse liquid.

処理液の吐出による基板9の下面の処理と、リンス液の吐出によるスピンベース21の上面の処理とは、上記のように並行して行われてもよいし、順次に行われてもよい。   The processing of the lower surface of the substrate 9 by the discharge of the processing liquid and the processing of the upper surface of the spin base 21 by the discharge of the rinse liquid may be performed in parallel as described above or may be performed sequentially.

基板9の下面の処理および洗浄液によるスピンベース21の上面の洗浄処理が終了すると、制御部130が回転駆動部23を制御してスピンベース21を高速で回転させることによって、基板処理装置1は、基板9およびノズル50Aに付着している処理液、リンス液等の液体を振り切って基板9およびノズル50Aを乾燥させる振り切り処理(「液振り切り処理」)を行う(ステップS40)。   When the processing of the lower surface of the substrate 9 and the cleaning processing of the upper surface of the spin base 21 by the cleaning liquid are completed, the control unit 130 controls the rotation drive unit 23 to rotate the spin base 21 at high speed. A shake-off process ("liquid shake-off process") is performed to shake off the liquid such as the processing liquid and the rinse liquid adhering to the substrate 9 and the nozzle 50A to dry the substrate 9 and the nozzle 50A (step S40).

液振り切り処理が終了すると、基板処理装置1の制御部130が、回転駆動部23を制御して、スピンベース21の回転を停止し(ステップS60)、一連の基板処理を終了する。   When the liquid shaking-off processing is completed, the control unit 130 of the substrate processing apparatus 1 controls the rotation driving unit 23 to stop the rotation of the spin base 21 (step S60), and a series of substrate processing is ended.

<4.他の実施形態について>
図10、図11は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板90Aとスピンベース21Aとを示す斜視図である。図11は、遮断板90Aが処理位置に配置されたときの遮断板90Aとスピンベース21Aを示す斜視図である。
<4. About other embodiments>
10 and 11 are perspective views showing a blocking plate 90A and a spin base 21A as another configuration example of the blocking plate and the spin base of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 11 is a perspective view showing the blocking plate 90A and the spin base 21A when the blocking plate 90A is disposed at the processing position.

遮断板90Aは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Aを備えることを除いて、遮断板90と同様に構成されている。延設部92Aは、延設部92と同様に、円板状の本体部91の周縁部からスピンベース21Aの側方に延設されており、回転軸a1を中心とする周方向に沿って環状に延在する筒状壁部である。延設部92Aと延設部92との差異は、遮断板90がその先端側部分に2つの規制構造94を備えていたことに対して、延設部92Aが、その先端側部分に複数の規制構造94Aを備えることである。   The blocking plate 90A is configured in the same manner as the blocking plate 90 except that the extending portion 92A is provided instead of the extending portion 92 of the blocking plate 90. Similar to the extending portion 92, the extending portion 92A is extended from the peripheral portion of the disk-shaped main body portion 91 to the side of the spin base 21A, and extends along the circumferential direction centering on the rotation axis a1. It is a cylindrical wall extending annularly. The difference between the extending portion 92A and the extending portion 92 is that the blocking portion 90 is provided with the two restricting structures 94 at its tip end portion, while the extending portion 92A has a plurality of tip end portions. A regulation structure 94A is provided.

また、スピンベース21Aは、スピンベース21の水切り部27の先端部分に、突出部26に代えて、突出部26Aを備えることを除いてスピンベース21と同様に構成されている。規制構造94Aと突出部26Aとは、回転軸a1を中心とする周方向へのスピンベース21Aと遮断板90Aとの互いの相対的な動きを規制する規制部201Aである。   Further, the spin base 21A is configured in the same manner as the spin base 21 except that a protrusion 26A is provided at the tip of the draining portion 27 of the spin base 21 instead of the protrusion 26. The restricting structure 94A and the projecting portion 26A are restricting portions 201A that restrict the relative movement of the spin base 21A and the blocking plate 90A in the circumferential direction centering on the rotation axis a1.

複数の規制構造94Aは、延設部92Aの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。各規制構造94Aは、突出部26Aの少なくとも一部を収容可能な形状に形成された凹み部である。各規制構造94Aは、延設部92Aの先端部分を遮断板90Aの径方向に沿って貫通するとともに、当該先端部分の下方にも開口している。すなわち、規制構造94Aは、スピンベース21Aの側面部分から突出する突出部26Aへ回転軸a1方向に沿って向かう方向に開口している。なお、図6に示される規制構造94のように、規制構造94Aが、延設部92Aの先端部分を遮断板90Aの径方向に沿って貫通していないとしても、本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、遮断板90Aによる基板9の密閉性を向上させることができる。   The plurality of restricting structures 94A are provided continuously over the entire circumferential direction of the tip end portion of the extending portion 92A. Each restriction structure 94A is a recess formed in a shape that can accommodate at least a part of the protrusion 26A. Each restricting structure 94A penetrates the tip end portion of the extending portion 92A along the radial direction of the blocking plate 90A, and also opens below the tip end portion. That is, the restricting structure 94A opens in a direction toward the protrusion 26A protruding from the side surface portion of the spin base 21A in the direction along the rotation axis a1. Even if the restricting structure 94A does not penetrate the end portion of the extending portion 92A along the radial direction of the shield plate 90A as in the restricting structure 94 shown in FIG. 6, the usefulness of the present invention is impaired. It is not a thing. In this case, the sealing property of the substrate 9 by the blocking plate 90A can be improved.

規制構造94Aのうち少なくとも下方側の開口部分の周方向に沿った幅W1は、当該開口に近づくにつれて広くなっている。具体的には、規制構造94Aは、回転軸a1を中心とする周方向に沿って互いに斜めに対向する側面(斜面)943A、944Aを備えている。側面943Aと、側面944Aとの当該周方向に沿った幅W1は、下方に近づくにつれて広くなっている。   The width W1 along the circumferential direction of at least the lower opening of the restriction structure 94A is wider as the opening is approached. Specifically, the restricting structure 94A includes side surfaces (inclined surfaces) 943A and 944A that obliquely face each other along the circumferential direction around the rotation axis a1. The width W1 along the circumferential direction between the side surface 943A and the side surface 944A becomes wider as approaching downward.

突出部26Aは、例えば、五角柱状に形成されており、その軸方向は、スピンベース21Aの径方向に沿っている。突出部26Aは、長方形状の水平な底面267Aと、スピンベース21Aの周方向における底面267Aの両端のそれぞれから上方、すなわち規制構造94Aの開口側に立設された長方形状の側面265A、266Aとを備える。側面265A、266Aは、鉛直面である。側面265A、266Aの上端部には、斜面263A、264Aが接続している。斜面263Aと斜面264Aとは、突出部26Aの先端部分(上端部分)を形成している。斜面263Aと、規制構造94Aの側面943Aとは互いに略平行であり、斜面264Aと側面944Aも互いに略平行である。斜面263Aと斜面264Aとの回転軸a1を中心とする周方向の幅W2は、上方に近づくにつれて狭くなっている。すなわち、突出部26Aのうち少なくとも先端部分は、延設部92Aの先端側部分の規制構造94Aに対向し、当該先端部分の回転軸a1を中心とする周方向に沿った幅W2は、規制構造94に近づくにつれて狭くなっている。また、規制構造94Aと突出部26Aとは、好ましくは、突出部26Aのうち少なくとも先端側部分が、規制構造94Aのうち少なくとも突出部26A側の開口部分に嵌合可能なようにそれぞれ形成される。   The protruding portion 26A is formed in, for example, a pentagonal pillar shape, and the axial direction thereof is along the radial direction of the spin base 21A. The protrusion 26A has a rectangular horizontal bottom surface 267A, and rectangular side surfaces 265A and 266A erected upward from each end of the bottom 267A in the circumferential direction of the spin base 21A, that is, on the opening side of the regulation structure 94A. Equipped with Sides 265A, 266A are vertical planes. Slopes 263A and 264A are connected to the upper ends of the side surfaces 265A and 266A. The slopes 263A and the slopes 264A form the tip portion (upper end portion) of the protrusion 26A. The inclined surface 263A and the side surface 943A of the restriction structure 94A are substantially parallel to each other, and the inclined surface 264A and the side surface 944A are also substantially parallel to each other. The width W2 in the circumferential direction centering on the rotation axis a1 of the slope 263A and the slope 264A narrows toward the upper side. That is, at least the tip of the protrusion 26A faces the restriction structure 94A at the tip of the extension 92A, and the width W2 of the tip along the circumferential direction about the rotation axis a1 is the restriction It becomes narrower as it approaches 94. Further, preferably, at least the tip end portion of the projecting portion 26A is formed to be able to be fitted to at least an opening portion on the projecting portion 26A side of the regulating structure 94A. .

ここで、スピンベース21Aと遮断板90Aとのうち少なくとも一方が周方向の初期位置に配置されておらず、かつ、何れか一方が、当該周方向への回転をロックされておらず、他方がロックされている状態で、遮断板90Aが待避位置から処理位置に移動される場合について、検討する。   Here, at least one of the spin base 21A and the shield plate 90A is not disposed at the initial position in the circumferential direction, and either one is not locked in the circumferential direction, and the other is not A case where the blocking plate 90A is moved from the stand-by position to the processing position in the locked state will be examined.

複数の規制構造94Aは、延設部92Aの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。従って、遮断板90Aの処理位置への移動の途中で、突出部26Aの先端が、複数の規制構造94Aのうち何れか1つの規制構造94Aに当接する。殆どの場合は、図10に示されるように、規制構造94の側面944Aと、突出部26Aの斜面264Aとが当接するか、あるいは、規制構造94の側面943Aと、突出部26Aの斜面263Aとが当接することとなる。すなわち、互いにほぼ同じ傾斜の斜面同士が互いに当接する。   The plurality of restricting structures 94A are provided continuously over the entire circumferential direction of the tip end portion of the extending portion 92A. Therefore, during the movement of the blocking plate 90A to the processing position, the tip end of the protrusion 26A abuts on any one of the plurality of restricting structures 94A. In most cases, as shown in FIG. 10, the side surface 944A of the restriction structure 94 abuts on the slope 264A of the protrusion 26A, or the side surface 943A of the restriction structure 94 and the slope 263A of the protrusion 26A Will abut. That is, slopes having substantially the same inclination abut each other.

この状態から、遮断板90Aがさらに処理位置へと移動されると、その過程で、規制構造94Aの頂部と突出部26Aの先端とが互いに周方向に沿って近づくように、延設部92Aが、スピンベース21Aに対して周方向に相対的に回転しつつ処理位置へと移動される。そして、図11に示されるように、遮断板90Aが処理位置に配置されたときに、突出部26Aの先端側部分が、規制構造94Aに収容される。これにより、遮断板90Aは、スピンベース21Aに対する周方向への相対的な動きを規制される。   From this state, when the blocking plate 90A is further moved to the processing position, in the process, the extending portion 92A extends in such a manner that the top of the restriction structure 94A and the tip of the protruding portion 26A approach each other in the circumferential direction. While rotating relative to the spin base 21A in the circumferential direction, it is moved to the processing position. Then, as shown in FIG. 11, when the blocking plate 90A is disposed at the processing position, the tip end side portion of the protrusion 26A is accommodated in the restriction structure 94A. Thus, the blocking plate 90A is restricted from moving relative to the spin base 21A in the circumferential direction.

また、遮断板90Aが処理位置に配置されたときに、各規制構造94Aの上端と、突出部26Aの上端とは、スピンベース21Aの上面よりも下方に設けられている。従って、基板9の処理面から排出される処理液が、規制部201Aに当たって跳ね返る場合でも、跳ね返った処理液の基板9の非処理面への付着を抑制できる。   Further, when the blocking plate 90A is disposed at the processing position, the upper end of each restriction structure 94A and the upper end of the protrusion 26A are provided below the upper surface of the spin base 21A. Therefore, even when the processing liquid discharged from the processing surface of the substrate 9 strikes the regulating portion 201A and bounces back, it is possible to suppress the adhesion of the processing liquid which has bounced to the non-processing surface of the substrate 9.

なお、複数の規制構造94Aがスピンベース21Aの側面部分において周方向に沿って設けられ、突出部26Aが、延設部92Aの先端側部分に設けられてもよい。   A plurality of restricting structures 94A may be provided along the circumferential direction on the side surface portion of the spin base 21A, and the protruding portion 26A may be provided on the tip end portion of the extending portion 92A.

図14〜図17は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、遮断板90Cとスピンベース21Cとの規制部201Cを示す横断面図である。遮断板90Cは、処理位置に配置されている。図14は、スピンベース21が静止している状態の規制部201を示し、図15は、スピンベース21Cが加速しつつ回転しているときの規制部201Cを示している。図16は、スピンベース21Cが等速回転しているときの規制部201Cを示し、図17は、スピンベース21Cが減速しつつ回転しているときの規制部201Cを示している。   14 to 17 are cross-sectional views showing a regulating portion 201C of a blocking plate 90C and a spin base 21C as another configuration example of the blocking plate and the spin-based regulating portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. The blocking plate 90C is disposed at the processing position. FIG. 14 shows the restricting portion 201 in a state in which the spin base 21 is at rest, and FIG. 15 shows the restricting portion 201C when the spin base 21C is accelerating and rotating. FIG. 16 shows the restricting portion 201C when the spin base 21C rotates at a constant speed, and FIG. 17 shows the restricting portion 201C when the spin base 21C rotates while decelerating.

スピンベース21Cは、スピンベース21の突出部26に代えて、突出部26Cを備えることを除いて、スピンベース21と同様に構成されている。突出部26Cは、内部に磁石101aを備えることを除いて、突出部26と同様に構成されている。磁石101aのN極は、側面263側に配置され、S極は側面264側に配置されている。磁石101aは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように突出部26Cに設けられている。   The spin base 21C is configured in the same manner as the spin base 21 except that a protrusion 26C is provided instead of the protrusion 26 of the spin base 21. The protrusion 26C is configured the same as the protrusion 26 except that the magnet 101a is provided inside. The N pole of the magnet 101 a is disposed on the side surface 263 side, and the S pole is disposed on the side surface 264 side. The magnet 101a is provided on the protrusion 26C such that the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction centering on the rotation axis a1.

遮断板90Cは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Cを備えることを除いて、遮断板90と同様に構成されている。延設部92Cは、内部に磁石101b、101cを備えることを除いて、延設部92と同様に構成されている。磁石101bは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、N極が、S極よりも規制構造94の側面943に近くなるように規制構造94に対してスピンベース21Cの回転方向上流側に設けられている。磁石101cは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、S極が、N極よりも規制構造94の側面944に近くなるように規制構造94に対してスピンベース21Cの回転方向下流側に設けられている。   The blocking plate 90C is configured in the same manner as the blocking plate 90 except that the extending portion 92C is provided instead of the extending portion 92 of the blocking plate 90. The extending portion 92C is configured the same as the extending portion 92 except that the magnets 101b and 101c are provided inside. In the magnet 101b, the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction around the rotation axis a1, and the N pole is regulated to be closer to the side surface 943 of the regulating structure 94 than the S pole. It is provided upstream of the structure 94 in the rotational direction of the spin base 21C. In the magnet 101c, the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction centering on the rotation axis a1, and the S pole is regulated to be closer to the side surface 944 of the regulating structure 94 than the N pole. It is provided downstream of the structure 94 in the rotational direction of the spin base 21C.

このように、磁石101a〜101cは、磁石101bのN極と、磁石101aのN極とが向き合い、磁石101aのS極と磁石101cのS極とが互いに向き合うように配列されている。そして、N極同士、S極同士の間に磁気的な斥力が働く。また、各磁石101a〜101c、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。   Thus, the magnets 101a to 101c are arranged such that the N pole of the magnet 101b and the N pole of the magnet 101a face each other, and the S pole of the magnet 101a and the S pole of the magnet 101c face each other. And, magnetic repulsion works between the north poles and between the south poles. In addition, it is preferable that the magnets 101a to 101c generate magnetic fields having substantially the same strength.

すなわち、磁石101a〜101cは、規制構造94のうち突出部26Cに対して回転軸a1を中心とする周方向の前後に配置された側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を広げるように磁気的な斥力を作用させる。当該磁気的な斥力によって、規制構造94に対する突出部26Cの周方向への相対的な動きが規制される。また、磁石101a〜101cのそれぞれのN極とS極とが互いに反転するように磁石101a〜101cが設けられてもよい。   That is, the magnets 101a to 101c increase the distance between the projecting portion 26C and the side surfaces 943 and 944 disposed in the front and rear in the circumferential direction centering on the rotation axis a1 with respect to the projecting portion 26C in the regulating structure 94. Exert a magnetic repulsive force on the The magnetic repulsion regulates the relative movement of the protrusion 26C in the circumferential direction with respect to the restriction structure 94. In addition, magnets 101a to 101c may be provided such that the respective N poles and S poles of the magnets 101a to 101c are mutually inverted.

図14に示されるように、スピンベース21が静止しているときには、側面943と側面263との間隔を広げるように作用する力と、側面944と側面264との間隔を広げるように作用する力とは、互いに略等しくなり、これらの間隔は、略等しくなる。図16に示されるように、スピンベース21が等速回転しているときも、これらの間隔は、略等しくなる。   As shown in FIG. 14, when the spin base 21 is at rest, the force acting to widen the distance between the side 943 and the side 263 and the force acting to widen the distance between the side 944 and the side 264 Are approximately equal to one another, and their intervals are approximately equal. As shown in FIG. 16, even when the spin base 21 is rotating at a constant speed, these intervals are substantially equal.

図15に示されるように、スピンベース21が加速しているときには、各磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース21の加速によって、側面944と側面264との間隔を狭めるとともに、側面943と側面263との間隔を広げる力が更に作用する。このため、側面944と側面264との間隔は、側面943と側面263との間隔よりも広くなる。   As shown in FIG. 15, when the spin base 21 is accelerating, in addition to the magnetic repulsion between the magnets, the acceleration of the spin base 21 narrows the distance between the side surface 944 and the side surface 264 and A force that further increases the distance between 943 and the side surface 263 further acts. Therefore, the distance between the side 944 and the side 264 is larger than the distance between the side 943 and the side 263.

図17に示されるように、スピンベース21が減速しているときには、磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース21の減速によって、側面944と側面264との間隔を拡げるとともに、側面943と側面263との間隔を狭める力が更に作用する。このため、側面944と側面264との間隔は、側面943と側面263との間隔よりも狭くなる。   As shown in FIG. 17, when the spin base 21 is decelerating, in addition to the magnetic repulsion between the magnets, the decelerating of the spin base 21 enlarges the distance between the side 944 and the side 264, and Further, a force to narrow the distance between the side face 263 and the side face 263 acts. Therefore, the distance between the side surface 944 and the side surface 264 is smaller than the distance between the side surface 943 and the side surface 263.

各磁石101a〜101cと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Cである。   Each magnet 101a to 101c, the regulation structure 94, and the protrusion 26C regulate the relative movement (position) of the shield plate 90C with respect to the spin base 21C in the circumferential direction around the rotation axis a1. It is.

図14〜図17に示されるように遮断板90Cが処理位置に配置されているときには、スピンベース21の加速中、減速中を含めて、突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とは、常に、非接触の状態で、互いに回転軸a1を中心とする周方向の動きを規制することが好ましい。この場合には、突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94との接触による発塵を完全に防止できる。仮に、各磁石が作用させる斥力の大きさや、スピンベース21Cの加速度の大きさに起因して、スピンベース21の加速中、減速中に突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とが接触するとしても、各磁石101a〜101cが設けられない場合に比べて、接触時の衝撃を大幅に軽減できる。従って、スピンベース21の加速中、減速中に突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とが接触するとしても、本発明の有用性を損なうものではない。   As shown in FIGS. 14 to 17, when the blocking plate 90C is disposed at the processing position, the protrusion 26C and the restricting structure 94 of the extending portion 92C, including during deceleration of the spin base 21, are included. Preferably, in the non-contact state, it is preferable to restrict the circumferential movement about the rotation axis a1. In this case, it is possible to completely prevent dust generation due to the contact between the protruding portion 26C and the restriction structure 94 of the extended portion 92C. Temporarily, due to the magnitude of the repulsive force exerted by each magnet and the magnitude of the acceleration of the spin base 21C, the protrusion 26C and the restriction structure 94 of the extended portion 92C are in motion during deceleration of the spin base 21. Even when they are in contact, the impact at the time of contact can be significantly reduced as compared with the case where the magnets 101a to 101c are not provided. Therefore, the contact between the projection 26C and the restriction structure 94 of the extended portion 92C during deceleration of the spin base 21 does not impair the usefulness of the present invention.

図18は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部92Dとスピンベース21Cとの規制部201Dを示す断面図である。図19は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部92Eとスピンベース21Cとの規制部201Eを示す断面図である。図18、図19は、規制部201D、201E部分を、回転軸a1を中心とする円筒によってそれぞれ切断した断面図である。   FIG. 18 is a cross-sectional view showing a restricting portion 201D of the extending portion 92D and the spin base 21C as another configuration example of the shield plate and the spin base restricting portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 19 is a cross-sectional view showing a restricting portion 201E of the extending portion 92E and the spin base 21C as another configuration example of the shield plate and the spin base restricting portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIGS. 18 and 19 are cross-sectional views in which the portions of the regulation portions 201D and 201E are respectively cut by a cylinder whose center is the rotation axis a1.

図18、図19に示されるスピンベース21Cは、図14に示されるスピンベース21Cと同様の構成を備えている。図18の遮断板90Dは、図14の遮断板90Cの延設部92Cに代えて、延設部92Dを備えることを除いて、遮断板90Cと同様に構成されている。延設部92Dは、内部に磁石101dをさらに備えることを除いて、延設部92Cと同様に構成されている。各磁石101a〜101eは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石101dは、規制構造94の上面941に沿って、N極とS極とが回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように設けられている。磁石101dのN極は、磁石101aのN極と向き合い、磁石101dのS極は、磁石101aのS極と向き合う。これにより、磁石101a、101d間には、磁気的な斥力が働く。これにより、上面941と上面261との間隔を拡げようとする力が作用する。   The spin base 21C shown in FIGS. 18 and 19 has the same configuration as the spin base 21C shown in FIG. The blocking plate 90D of FIG. 18 is configured in the same manner as the blocking plate 90C, except that the extending portion 92D is provided instead of the extending portion 92C of the blocking plate 90C of FIG. The extending portion 92D is configured in the same manner as the extending portion 92C except for further including a magnet 101d inside. Each of the magnets 101a to 101e preferably generates a magnetic field of approximately the same strength. The magnet 101 d is provided along the upper surface 941 of the restriction structure 94 so that the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction centering on the rotation axis a 1. The north pole of the magnet 101d faces the north pole of the magnet 101a, and the south pole of the magnet 101d faces the south pole of the magnet 101a. Thereby, a magnetic repulsive force works between the magnets 101a and 101d. As a result, a force acts to expand the distance between the upper surface 941 and the upper surface 261.

磁石101a〜101cは、規制構造94の側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を、回転軸a1を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石101a、101dは、規制構造94の上面941と、突出部26Cの上面261との間隔を回転軸a1方向(鉛直方向)に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面941と上面261とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造94と突出部26Cとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。   The magnets 101a to 101c exert magnetic repulsion to widen the distance between the side surfaces 943 and 944 of the restriction structure 94 and the protrusion 26C in the circumferential direction around the rotation axis a1. Furthermore, the magnets 101a and 101d exert a magnetic repulsive force so as to increase the distance between the upper surface 941 of the restriction structure 94 and the upper surface 261 of the protrusion 26C in the direction of the rotation axis a1 (vertical direction). As a result, the movement in which the upper surface 941 and the upper surface 261 approach each other is restricted, and the mutual contact is also suppressed, so that the generation of dust due to the contact between the restriction structure 94 and the protrusion 26C can be further suppressed.

各磁石101a〜101dと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Dである。   Each of the magnets 101a to 101d, the restriction structure 94, and the protrusion 26C move relative to the spin plate 21C relative to the spin base 21C in both the circumferential direction about the rotation axis a1 and the vertical direction (position ), And the regulation unit 201D.

図19の遮断板90Eは、図14の遮断板90Cの延設部92Cに代えて、延設部92Eを備えることを除いて、遮断板90Cと同様に構成されている。延設部92Eは、内部に磁石101e、101fをさらに備えることを除いて、延設部92Cと同様に構成されている。各磁石101a〜101c、101e、101fは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石101eは、規制構造94の上面941の上方において、そのN極が上面941に近接し、その上方にS極が位置するように設けられている。また、磁石101dのN極と、磁石101aのN極とは互いに向き合っている。磁石101fは、規制構造94の上面941の上方において、そのS極が上面941に近接し、その上方にN極が位置するように設けられている。また、磁石101dのS極と、磁石101aのS極とは互いに向き合っている。   The shield plate 90E of FIG. 19 is configured in the same manner as the shield plate 90C except that an extension portion 92E is provided instead of the extension portion 92C of the shield plate 90C of FIG. The extending portion 92E is configured in the same manner as the extending portion 92C except that the magnets 101e and 101f are further provided inside. Each of the magnets 101a to 101c, 101e, and 101f preferably generates a magnetic field having substantially the same strength. The magnet 101 e is provided above the upper surface 941 of the restriction structure 94 such that the N pole is close to the upper surface 941 and the S pole is positioned above the upper surface 941. Further, the N pole of the magnet 101 d and the N pole of the magnet 101 a face each other. The magnet 101 f is provided above the top surface 941 of the restriction structure 94 such that the south pole thereof is close to the top surface 941 and the north pole thereof is positioned above it. Further, the S pole of the magnet 101 d and the S pole of the magnet 101 a face each other.

これにより、磁石101a、101e間に、磁気的な斥力が働くとともに、磁石101a、101fの間にも磁気的な斥力が働く。これにより、上面941と上面261との間隔を拡げようとする力が作用する。   As a result, a magnetic repulsion works between the magnets 101a and 101e, and a magnetic repulsion works between the magnets 101a and 101f. As a result, a force acts to expand the distance between the upper surface 941 and the upper surface 261.

磁石101a〜101eは、規制構造94の側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を、回転軸a1を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石101a、101e、101fは、規制構造94の上面941と、突出部26Cの上面261との間隔を回転軸a1方向(鉛直方向)に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面941と上面261とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造94と突出部26Cとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。   The magnets 101a to 101e exert magnetic repulsion to widen the distance between the side surfaces 943 and 944 of the restriction structure 94 and the protrusion 26C in the circumferential direction about the rotation axis a1. Furthermore, the magnets 101a, 101e, and 101f exert a magnetic repulsive force so as to increase the distance between the upper surface 941 of the restriction structure 94 and the upper surface 261 of the protrusion 26C in the direction of the rotation axis a1 (vertical direction). As a result, the movement in which the upper surface 941 and the upper surface 261 approach each other is restricted, and the mutual contact is also suppressed, so the generation of dust due to the contact between the restriction structure 94 and the protrusion 26C can be further suppressed.

各磁石101a〜101c、101e、101fと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Eである。   Each of the magnets 101a to 101c, 101e, and 101f, the restriction structure 94, and the protrusion 26C are relative to the shield base 90C with respect to the spin base 21C in both the circumferential direction about the rotation axis a1 and the vertical direction. Control unit 201E that restricts the movement (position).

なお、基板処理装置1が遮断板90、90A〜90Eを備えていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、内部材312、外部材313の処理位置は、遮断板90等が設けられている場合に比べて上方の位置、例えば、基板9の上面よりも上方の位置に設定される。また、遮断板90、90A〜90Eが設けられている場合において、規制部201、201C〜201Eがスピンベース21の上面と同じ高さ、若しくは、当該上面よりも上方に設けられたとしても本発明の有用性を損なうものではない。   Even if the substrate processing apparatus 1 does not include the blocking plates 90 and 90A to 90E, the usefulness of the present invention is not impaired. In this case, the processing positions of the inner member 312 and the outer member 313 are set to a position above, for example, a position above the upper surface of the substrate 9, as compared with the case where the blocking plate 90 or the like is provided. Further, in the case where the blocking plates 90 and 90A to 90E are provided, the present invention is provided even if the restricting portions 201 and 201C to 201E are provided at the same height as the upper surface of the spin base 21 or above the upper surface. It does not impair the usefulness of

以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、洗浄液は、スピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けて吐出される。これにより、洗浄液が基板9の下面に当たって下面に付着している処理液と混合することを抑制しつつ、洗浄液によってスピンベース21の上面を洗浄できるとともに、基板9の下面から落下した処理液が、スピンベース21の上面に付着する前に洗浄液によって洗い流すことができる。従って、基板9の下面に供給された処理液がスピンベース21上に落下して付着し、そのまま残存することを抑制できる。   In either of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the cleaning liquid is formed along the upper surface of the spin base 21 in the radial direction of the spin base 21. It is discharged toward the outside. Thus, the upper surface of the spin base 21 can be cleaned by the cleaning liquid while suppressing the cleaning liquid from being mixed with the processing liquid adhering to the lower surface of the lower surface of the substrate 9, and the processing liquid dropped from the lower surface of the substrate 9 It can be washed away with a cleaning solution before adhering to the top surface of the spin base 21. Therefore, the processing liquid supplied to the lower surface of the substrate 9 can be prevented from dropping and adhering onto the spin base 21 and remaining as it is.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、基板9の下面への処理液の吐出と、スピンベース21の上面に沿った洗浄液の吐出とが並行して行われるので、基板9の裏面に吐出された処理液がスピンベース21の上面に付着することを効率的に抑制できる。   Further, the discharge of the processing liquid onto the lower surface of the substrate 9 and the spin base 21 can be performed by any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above. Since the discharge of the cleaning liquid along the upper surface is performed in parallel, adhesion of the processing liquid discharged to the back surface of the substrate 9 to the upper surface of the spin base 21 can be efficiently suppressed.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、洗浄液は、ノズル50Aの板状部材51の上面または下面と、スピンベース21の上面との双方の面に沿って、スピンベース21の径方向外側に向けて吐出されるので、スピンベース21の洗浄中にノズル50Aの洗浄も行うことができる。   Further, in any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the cleaning liquid is the upper surface or the lower surface of the plate member 51 of the nozzle 50A. The nozzle 50A can be cleaned during the cleaning of the spin base 21 because the ink is discharged radially outward of the spin base 21 along the upper surface of the spin base 21.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、洗浄液は、ノズル50Aの板状部材51の側面に設けられたリンス液吐出口55、56からスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けて吐出される。従って、リンス液吐出口55、56の形状を板状部材51の周方向に長くして、吐出される洗浄液を拡げることが容易となる。   Further, the cleaning liquid is provided on the side surface of the plate-like member 51 of the nozzle 50A by any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above. The solution is discharged from the rinse solution discharge ports 55 and 56 radially outward of the spin base 21 along the upper surface of the spin base 21. Therefore, it becomes easy to extend the shape of the rinse liquid discharge ports 55 and 56 in the circumferential direction of the plate-like member 51 and to spread the discharged cleaning liquid.

本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。   Although the present invention has been shown and described in detail, the above description is illustrative and not restrictive in all aspects. Therefore, in the present invention, within the scope of the invention, the embodiment can be appropriately modified or omitted.

1 基板処理装置
21 スピンベース(保持部材)
23 回転駆動部
231 回転機構
26 突出部
44 駆動部
50A ノズル
83 処理液供給部
83A 処理液吐出部
90 遮断板(対向部材)
91 本体部
92 延設部
94 規制構造
312 内部材(ガード)
313 外部材(外側ガード)
1 substrate processing apparatus 21 spin base (holding member)
23 rotation drive unit 231 rotation mechanism 26 protrusion 44 drive unit 50A nozzle 83 treatment liquid supply unit 83A treatment liquid discharge unit 90 shield plate (opposite member)
91 main part 92 extension part 94 restriction structure 312 inner member (guard)
313 External material (outside guard)

Claims (8)

基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材を、前記基板とともに前記回転軸周りに回転させる回転ステップと、
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出ステップと、
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、
を備え
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理方法。
A holding member which holds a substrate substantially horizontally from below and which has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap therebetween and which is rotatably provided about a predetermined rotation axis is rotated about the rotation axis with the substrate. Rotation step to make
A treatment liquid discharge step of discharging the treatment liquid so that the treatment liquid spreads on the lower surface of the substrate from below the central portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member toward the central portion;
A cleaning solution for discharging a cleaning solution from the central portion of the substrate held and rotated by the holding member to the radial direction outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member Discharge step,
Equipped with
The substrate processing method which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel .
基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材を、前記基板とともに前記回転軸周りに回転させる回転ステップと、
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出ステップと、
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、
を備え、
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理方法。
A holding member which holds a substrate substantially horizontally from below and which has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap therebetween and which is rotatably provided about a predetermined rotation axis is rotated about the rotation axis with the substrate. Rotation step to make
A process liquid discharge step of discharging a chemical solution as a process liquid from below the center of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member toward the center;
A cleaning solution for discharging a cleaning solution from the central portion of the substrate held and rotated by the holding member to the radial direction outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member Discharge step,
Equipped with
The substrate processing method which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel.
請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、
処理液吐出ステップは、
前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、
前記洗浄液吐出ステップは、
前記ノズルの前記板状部材の上面または下面に設けられた洗浄液吐出口から前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って、前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである、基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein
The treatment liquid discharge step is
The center of the lower surface from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with a plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween Discharging the processing solution to the
In the cleaning solution discharging step,
The radially outer side of the holding member along the surfaces of both the upper surface or the lower surface of the plate member and the upper surface of the holding member from the cleaning solution discharge port provided on the upper surface or the lower surface of the plate member of the nozzle The substrate processing method which is a step which discharges a washing | cleaning liquid towards.
請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、
処理液吐出ステップは、
前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、
前記洗浄液吐出ステップは、
前記ノズルの前記板状部材の側面に設けられた洗浄液吐出口から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである、基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein
The treatment liquid discharge step is
The lower surface of the substrate from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with the plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween Discharging the processing solution toward the center of the
In the cleaning solution discharging step,
A substrate processing method, wherein the cleaning solution is discharged from the cleaning solution discharge port provided on the side surface of the plate-like member of the nozzle along the upper surface of the holding member radially outward of the holding member.
基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材と、
前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、
前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、
を備え
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理装置。
A holding member that holds the substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided about a predetermined rotation axis;
A rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis;
A processing liquid discharge port for discharging the processing liquid so that the processing liquid spreads from the lower side of the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion toward the central portion, a central portion of the substrate and a central portion of the holding member A nozzle provided with a cleaning solution discharge port for discharging a cleaning solution toward the radially outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between
Equipped with
The substrate processing apparatus which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel .
基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材と、  A holding member that holds the substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided about a predetermined rotation axis;
前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、  A rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis;
前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、  A processing liquid discharge port for discharging a chemical solution as a processing liquid from below the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion, and an upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member A nozzle provided with a cleaning solution outlet for discharging the cleaning solution radially outward of the holding member along the
を備え、Equipped with
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理装置。  The substrate processing apparatus which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel.
請求項5又は請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、
基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、
前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、
前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の上面または下面に設けられて前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する、基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to claim 5 or 6 , wherein
The nozzle is
And a plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween.
The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate.
The cleaning solution discharge port is provided on the upper surface or the lower surface of the plate-like member and directed radially outward of the holding member along both the upper surface or the lower surface of the plate-like member and the upper surface of the holding member. Substrate processing apparatus that discharges the cleaning solution.
請求項5又は請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、
基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、
前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、
前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の側面に設けられて前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する、基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to claim 5 or 6 , wherein
The nozzle is
And a plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween.
The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate.
The cleaning solution discharge port is provided on a side surface of the plate-like member and discharges the cleaning solution radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member.
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