JP6574513B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等(以下、単に「基板」という)に、処理を施す基板処理技術に関する。   The present invention includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a glass substrate for a photomask, a substrate for a solar cell, etc. The present invention relates to a substrate processing technique for performing processing on a substrate simply).

このような処理を行う基板処理装置として、特許文献1には、チャックピンによって基板を略水平に保持しつつ回転するスピンベース(「保持部材」)と、当該基板の上面から所定間隔を空けて平行に対向する蓋部材と、蓋部材の中央部に設けられた貫通孔を介して当該基板の上面にフッ酸や純水などを選択的に供給するノズルとを備える装置が開示されている。また、当該装置は、底面を有する円筒状の処理カップをさらに備える。スピンベースは、処理カップの底面の上方に回転可能に支持されている。当該装置は、円筒状のガードを更に備える。ガードは、処理カップの側壁の内周面に沿って設けられおり、スピンベースを取り囲む。ガードは、駆動機構によって所定の下方位置と上方位置との間で昇降される。基板の処理時にノズルから基板に供給された液は、基板から排出される際にスピンベースの側面に付着する。そこで、当該装置は、スピンベースの側面の洗浄を行う洗浄ノズルをさらに備える。洗浄ノズルは、スピンベースから径方向外側に離れて、処理カップの底面に設けられている。洗浄ノズルは、洗浄液をスピンベースの側面に向けて斜め上方に吐出し、スピンベースの側面を洗浄する。   As a substrate processing apparatus for performing such processing, Patent Document 1 discloses a spin base ("holding member") that rotates while holding a substrate substantially horizontally by chuck pins, and a predetermined interval from the upper surface of the substrate. An apparatus is disclosed that includes a cover member facing in parallel and a nozzle that selectively supplies hydrofluoric acid, pure water, or the like to the upper surface of the substrate through a through-hole provided in the center of the cover member. The apparatus further includes a cylindrical processing cup having a bottom surface. The spin base is rotatably supported above the bottom surface of the processing cup. The apparatus further includes a cylindrical guard. The guard is provided along the inner peripheral surface of the side wall of the processing cup and surrounds the spin base. The guard is raised and lowered between a predetermined lower position and an upper position by the drive mechanism. The liquid supplied from the nozzle to the substrate during the processing of the substrate adheres to the side surface of the spin base when discharged from the substrate. Therefore, the apparatus further includes a cleaning nozzle that cleans the side surface of the spin base. The cleaning nozzle is provided on the bottom surface of the processing cup away from the spin base radially outward. The cleaning nozzle discharges the cleaning liquid obliquely upward toward the side surface of the spin base to clean the side surface of the spin base.

特開平11−102882号公報JP-A-11-102882

ガードの上端部分は、通常、スピンベースの回転軸に向かって斜め上方に延設される。特許文献1の基板処理装置は、ガードが上方位置に配置されている状態で、ノズルから基板に液を供給する。供給された液は、基板から排出される際に飛散し、ガードの内周面にも付着する。付着した液が残留した状態で処理を繰り返すと、当該液が乾燥し固化した堆積物が、ガードに徐々に堆積してゆく。このような堆積物が剥離するとパーティクルの原因となる。ガードの上端部分は基板に近いため、上端部分に付着した堆積物は、パーティクルの原因になりやすい。   The upper end portion of the guard is usually extended obliquely upward toward the rotation axis of the spin base. The substrate processing apparatus of Patent Document 1 supplies a liquid from a nozzle to a substrate in a state where a guard is disposed at an upper position. The supplied liquid scatters when discharged from the substrate and adheres to the inner peripheral surface of the guard. When the treatment is repeated with the adhered liquid remaining, deposits obtained by drying and solidifying the liquid gradually accumulate on the guard. When such a deposit is peeled off, it causes particles. Since the upper end portion of the guard is close to the substrate, the deposit attached to the upper end portion tends to cause particles.

しかしながら、特許文献1の装置においては、スピンベースの側面を洗浄する洗浄ノズルによって、ガードの内周面を洗浄することはできないといった問題がある。また、例えば、ガードの内周面に向けて洗浄液を吐出する専用の洗浄ノズルをさらに設けると、装置構成が複雑化し、製造コストが増加するといった問題がある。また、パーティクルを効果的に抑制するためには、ガードの上端部分の内周面に付着した液を洗浄することが有効である。しかし、スピンベースが基板を保持している状態で、洗浄ノズルが当該上端部分の内周面に向けて下方から洗浄液を吐出すると、洗浄液がガードの上端部分から基板側に飛散して基板に付着するといった問題がある。また、この洗浄液の付着を避けようとすると、基板をスピンベースから待避させた後に、ガードを洗浄する必要があるといった問題もある。   However, the apparatus of Patent Document 1 has a problem that the inner peripheral surface of the guard cannot be cleaned by the cleaning nozzle that cleans the side surface of the spin base. Further, for example, if a dedicated cleaning nozzle that discharges the cleaning liquid toward the inner peripheral surface of the guard is further provided, there is a problem that the apparatus configuration becomes complicated and the manufacturing cost increases. In order to effectively suppress particles, it is effective to wash the liquid adhering to the inner peripheral surface of the upper end portion of the guard. However, when the cleaning nozzle discharges the cleaning liquid from below toward the inner peripheral surface of the upper end portion while the spin base is holding the substrate, the cleaning liquid scatters from the upper end portion of the guard to the substrate side and adheres to the substrate. There is a problem such as. Further, if it is attempted to avoid the adhesion of the cleaning liquid, there is a problem that the guard needs to be cleaned after the substrate is retracted from the spin base.

本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、保持部材が基板を保持している状態で、ガードと保持部材との双方を共通の洗浄液吐出部によって洗浄できる技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve such problems, and provides a technique capable of cleaning both the guard and the holding member with a common cleaning liquid discharge section in a state where the holding member holds the substrate. Objective.

上記の課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられ、前記回転軸を中心軸とする円板状の基部と、前記基部の周壁部から径方向外側に突出するフランジ部とを備える保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転駆動部と、上端側部分が前記回転軸に向かって斜め上方に延びる筒形状を有して前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能に設けられたガードと、前記基板の処理面に処理液を吐出可能な処理液吐出部と、前記保持部材の前記フランジ部の下方から前記フランジ部に洗浄液を吐出可能な洗浄液吐出部と、前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な上方位置と、前記ガードの上端が前記フランジ部の側方に位置する下方位置との間で前記ガードを昇降させることができる昇降駆動部と、前記昇降駆動部と前記処理液吐出部と前記洗浄液吐出部とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させた状態で前記洗浄液吐出部に前記基板を保持しつつ回転する前記保持部材の前記フランジ部に向けて前記洗浄液を吐出させる。   In order to solve the above-described problem, a substrate processing apparatus according to a first aspect includes a top surface that holds a substrate substantially horizontally from below and faces the bottom surface of the substrate with a gap therebetween, and has a predetermined rotation axis. A holding member comprising: a disc-shaped base portion that is rotatably provided on the rotation axis; and a flange portion that protrudes radially outward from a peripheral wall portion of the base portion; and A rotation drive unit that rotates about an axis, a guard having a cylindrical shape with an upper end side portion extending obliquely upward toward the rotation axis, surrounding the periphery of the holding member, and capable of moving up and down; and the substrate A treatment liquid discharger capable of discharging a treatment liquid onto the treatment surface, a cleaning liquid discharger capable of discharging a cleaning liquid from below the flange part of the holding member to the flange part, and supplying the substrate from the treatment liquid discharge part to the substrate Is removed from the substrate after An elevating drive unit capable of elevating the guard between an upper position where the treatment liquid can be received and a lower position where an upper end of the guard is located on a side of the flange portion; A controller that controls the drive unit, the processing liquid discharge unit, and the cleaning liquid discharge unit, wherein the control unit is configured to dispose the cleaning liquid discharge unit in a state in which the guard is disposed at the lower position in the elevation drive unit. The cleaning liquid is discharged toward the flange portion of the holding member that rotates while holding the substrate.

第2の態様に係る基板処理方法は、フランジ部を備える保持部材により基板を保持する保持ステップと、前記基板を回転させる回転ステップと、処理液を前記基板に供給する供給ステップと、ガードにより前記処理液を受ける処理ステップと、前記フランジ部の下から洗浄液を前記フランジ部に供給することによって、前記ガードに付着した前記処理液を洗浄する洗浄ステップと、を備え、前記ガードは、前記保持部材の周囲を取り囲む昇降可能な筒状の内部材と、該内部材の外側に設けられ昇降可能な筒状の外部材と、を有し、前記外部材が上昇している状態で前記外部材が前記処理液を受ける前記処理ステップと、前記内部材が下降している状態で前記内部材を洗浄する前記洗浄ステップと、を同時に実行するA substrate processing method according to a second aspect includes a holding step of holding a substrate by a holding member having a flange portion, a rotating step of rotating the substrate, a supplying step of supplying a processing liquid to the substrate, and a guard A treatment step for receiving a treatment liquid; and a washing step for washing the treatment liquid adhering to the guard by supplying a washing liquid from below the flange part to the flange part, and the guard includes the holding member A cylindrical inner member that can be moved up and down, and a cylindrical outer member that is provided on the outer side of the inner member and that can be moved up and down. The processing step for receiving the processing liquid and the cleaning step for cleaning the inner member while the inner member is lowered are simultaneously performed .

第1および第2の態様に係る発明によっても、保持部材に基板を保持した状態で、処理液が付着しているガードと保持部材との双方を共通の洗浄液吐出部によって洗浄できる。
Also according to the first and second aspects of the invention, both the guard to which the processing liquid is attached and the holding member can be cleaned by the common cleaning liquid discharge unit while the substrate is held by the holding member.

実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 処理位置に配置された図1の遮断板とスピンベースとを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the interruption | blocking board and spin base of FIG. 1 which are arrange | positioned at a process position. 図2のスピンベースを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spin base of FIG. 図2の遮断板を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a blocking plate of FIG. 2. 図2のスピンベースを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spin base of FIG. 図2の遮断板とスピンベースの周縁部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the peripheral part of the interruption | blocking board of FIG. 2, and a spin base. 図2の遮断板とスピンベースの周縁部を示す他の縦断面図である。It is another longitudinal cross-sectional view which shows the peripheral part of the interruption | blocking board of FIG. 2, and a spin base. 図6の規制部の横断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the restricting portion in FIG. 6. 図8の規制部が弾性部材により覆われた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the control part of FIG. 8 was covered with the elastic member. 実施形態に係る遮断板とスピンベースの他の構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other structural example of the shielding board and spin base which concern on embodiment. 図10の遮断板が処理位置に配置された状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the interruption | blocking board of FIG. 10 was arrange | positioned in the process position. 実施形態に係る遮断板とスピンベースの他の構成例の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the other structural example of the interruption | blocking board which concerns on embodiment, and a spin base. 図12の遮断板とスピンベースの他の断面を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other cross section of the shielding board of FIG. 12, and a spin base. 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other structural example of the control part which concerns on embodiment. 図14の規制部の他の状態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other state of the control part of FIG. 図14の規制部の他の状態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other state of the control part of FIG. 図14の規制部の他の状態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the other state of the control part of FIG. 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other structural example of the control part which concerns on embodiment. 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other structural example of the control part which concerns on embodiment. 実施形態に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 図20のフローチャートに示される動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the operation | movement shown by the flowchart of FIG. 図20のフローチャートにおける一部の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the one part operation | movement in the flowchart of FIG.

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンベースに対して基板側が上である。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The following embodiment is an example embodying the present invention, and is not an example of limiting the technical scope of the present invention. In each of the drawings referred to below, the size and number of each part may be exaggerated or simplified for easy understanding. The vertical direction is the vertical direction, and the substrate side is above the spin base.

<実施形態について>
<1.基板処理装置1の構成>
基板処理装置1の構成について、図1〜図5を参照しながら説明する。図1は、基板処理装置1の構成を説明するための模式図である。図1では、遮断板90が待避位置に配置されている状態が示されている。また、処理位置に配置された遮断板90が仮想線で示されている。図2は、遮断板90が処理位置に配置された状態で、回転軸a1周りに回転する遮断板90とスピンベース21とを示す概略斜視図である。図3は、基板9を保持して回転軸a1周りに回転するスピンベース21を斜め上方からみた概略斜視図である。遮断板90の記載は省略されている。基板9の表面形状は略円形である。基板9の基板処理装置1への搬入搬出は、遮断板90が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置1に搬入された基板9は、スピンベース21により着脱自在に保持される。図4は、遮断板90を斜め下方から見た概略斜視図である。図5は、スピンベース21を斜め上方から見た概略斜視図である。
<About embodiment>
<1. Configuration of Substrate Processing Apparatus 1>
The configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1. FIG. 1 shows a state in which the blocking plate 90 is disposed at the retracted position. Further, the shielding plate 90 arranged at the processing position is indicated by a virtual line. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the shielding plate 90 and the spin base 21 rotating around the rotation axis a1 in a state where the shielding plate 90 is disposed at the processing position. FIG. 3 is a schematic perspective view of the spin base 21 that holds the substrate 9 and rotates about the rotation axis a1 when viewed obliquely from above. The description of the blocking plate 90 is omitted. The surface shape of the substrate 9 is substantially circular. Loading and unloading of the substrate 9 to and from the substrate processing apparatus 1 is performed by a robot or the like in a state where the blocking plate 90 is disposed at the retracted position. The substrate 9 carried into the substrate processing apparatus 1 is detachably held by the spin base 21. FIG. 4 is a schematic perspective view of the blocking plate 90 as viewed obliquely from below. FIG. 5 is a schematic perspective view of the spin base 21 as viewed obliquely from above.

なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液(「洗浄液」とも称される)」と、が含まれる。   In the following description, “processing liquid” includes “chemical liquid” used for chemical liquid processing and “rinsing liquid (also referred to as“ cleaning liquid ”)” used for rinsing for rinsing the chemical liquid. It is.

基板処理装置1は、スピンチャック2、飛散防止部3、表面保護部4、処理部5、洗浄部6、および制御部130を備える。これら各部2〜6は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130からの指示に応じて動作する。制御部130としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部130は、例えば、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部130においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのCPUが演算処理を行うことにより、基板処理装置1の各部を制御する。   The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2, a splash prevention unit 3, a surface protection unit 4, a processing unit 5, a cleaning unit 6, and a control unit 130. These units 2 to 6 are electrically connected to the control unit 130 and operate according to instructions from the control unit 130. As the control unit 130, for example, the same one as a general computer can be adopted. That is, the control unit 130 stores, for example, a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, control software, data, and the like. It has a magnetic disk to keep. In the control unit 130, the CPU as the main control unit performs arithmetic processing according to the procedure described in the program, thereby controlling each unit of the substrate processing apparatus 1.

<スピンチャック2>
スピンチャック2は、基板9を、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板9を、主面の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転させる。
<Spin chuck 2>
The spin chuck 2 is a substrate holding unit that holds the substrate 9 in a substantially horizontal posture with one main surface thereof facing upward, and the substrate 9 is vertically rotated through the center c1 of the main surface. Rotate around axis a1.

スピンチャック2は、基板9より若干大きい円板状の部材であるスピンベース(「保持部材」)21を備える。スピンベース21は、その上面、下面の中央にそれぞれ開口する円筒状の貫通孔21aが、その中心軸が回転軸a1に一致するように形成されている。貫通孔21aの下側の開口には、円筒状の回転軸部22が連結されている。これにより貫通孔21aと回転軸部22の中空部とが連通する。回転軸部22は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部22には、回転駆動部(例えば、モータ)23が接続される。回転駆動部23は、回転軸部22をその軸線まわりに回転駆動する。回転軸部22の軸線は、回転軸a1と一致する。従って、スピンベース21は、回転軸部22とともに回転軸a1周りに回転可能である。回転軸部22および回転駆動部23は、筒状のケーシング24内に収容されている。   The spin chuck 2 includes a spin base (“holding member”) 21 that is a disk-like member that is slightly larger than the substrate 9. The spin base 21 is formed with a cylindrical through-hole 21a that opens at the center of the upper surface and the lower surface thereof so that the central axis thereof coincides with the rotation axis a1. A cylindrical rotary shaft 22 is connected to the lower opening of the through hole 21a. Thereby, the through-hole 21a and the hollow part of the rotating shaft part 22 are connected. The rotating shaft portion 22 is arranged in such a posture that its axis is along the vertical direction. In addition, a rotation drive unit (for example, a motor) 23 is connected to the rotation shaft unit 22. The rotation drive unit 23 drives the rotation shaft unit 22 to rotate about its axis. The axis of the rotary shaft portion 22 coincides with the rotary shaft a1. Accordingly, the spin base 21 can rotate around the rotation axis a <b> 1 together with the rotation shaft portion 22. The rotating shaft portion 22 and the rotation driving portion 23 are accommodated in a cylindrical casing 24.

また、スピンベース21の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個(例えば6個)のチャックピン25が設けられている。各チャックピン25は、スピンベース21の上面に設けられた複数の開口21bにおいてスピンベース21に取り付けられている。チャックピン25は、基板9の端面と当接して基板9の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース21の上面より僅かに高い位置で(すなわち、スピンベース21の上面から定められた間隔を隔てて)、基板9を略水平姿勢で保持する。すなわち、スピンベース21は、チャックピン25を介して基板9を下方から略水平に保持する。スピンベース21の上面は、基板9の下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。スピンベース21の円筒状の側面部分には、2つの突出部26が周方向に沿って等間隔に設けられている。突出部26は、少なくとも1つ設けられればよく、多数の突出部26が設けられてもよい。   In addition, a plurality of (for example, six) chuck pins 25 are provided in the vicinity of the peripheral edge of the upper surface of the spin base 21 with appropriate intervals. Each chuck pin 25 is attached to the spin base 21 through a plurality of openings 21 b provided on the upper surface of the spin base 21. The chuck pins 25 are in contact with the end surface of the substrate 9 to position the substrate 9 in the horizontal direction, and at a position slightly higher than the upper surface of the spin base 21 (that is, at a predetermined interval from the upper surface of the spin base 21). The substrate 9 is held in a substantially horizontal posture. That is, the spin base 21 holds the substrate 9 substantially horizontally from below via the chuck pins 25. The upper surface of the spin base 21 faces, for example, substantially parallel to the lower surface of the substrate 9 with a gap. Two protrusions 26 are provided at equal intervals along the circumferential direction on the cylindrical side surface portion of the spin base 21. It is sufficient that at least one protrusion 26 is provided, and a large number of protrusions 26 may be provided.

この構成において、スピンベース21がその上方でチャックピン25によって基板9を保持した状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転すると、スピンベース21が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース21上に保持された基板9が、その面内の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転される。後述する表面保護部4には遮断板90が回転軸a1を中心とする周方向に回転可能に設けられている。当該周方向におけるスピンベース21と遮断板90との相対位置は、規制可能である。当該相対位置が規制された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転させるとスピンベース21、基板9、および遮断板90が同じ回転方向に、同じ回転速度で回転する。回転駆動部23と、突出部26と、規制構造94とは、スピンベース21と遮断板90とを、回転軸a1を中心に互いに同じ方向に回転させる回転機構231である。   In this configuration, when the rotation drive unit 23 rotates the rotation shaft portion 22 with the spin base 21 holding the substrate 9 by the chuck pin 25 above the spin base 21, the spin base 21 rotates about the axis along the vertical direction. Thus, the substrate 9 held on the spin base 21 is rotated around a vertical rotation axis a1 passing through the center c1 in the plane. The surface protection unit 4 described later is provided with a blocking plate 90 so as to be rotatable in the circumferential direction about the rotation axis a1. The relative position of the spin base 21 and the blocking plate 90 in the circumferential direction can be regulated. When the rotation drive unit 23 rotates the rotation shaft unit 22 in a state where the relative position is regulated, the spin base 21, the substrate 9, and the shielding plate 90 rotate in the same rotation direction at the same rotation speed. The rotation drive unit 23, the protrusion 26, and the restriction structure 94 are a rotation mechanism 231 that rotates the spin base 21 and the blocking plate 90 in the same direction around the rotation axis a1.

なお、当該相対位置が規制された状態で回転軸a1を中心に遮断板90を回転させる他の回転駆動部が、回転駆動部23に代えて設けられてもよい。この場合、当該他の回転駆動部が、回転駆動部23の代わりに回転機構231の構成要素の1つとなる。また、回転駆動部23と当該他の回転駆動部との双方が設けられてもよい。すなわち、回転機構231は、周方向におけるスピンベース21と遮断板90との相対位置が規制された状態で、スピンベース21と遮断板90との少なくとも一方を、回転軸a1を中心に回転させる。回転機構231がスピンベース21と遮断板90とを同じ方向に同じ速度で回転させれば、基板9の上面と遮断板90の下面との間に、基板9の中心c1側に向かう気流が発生することを抑制できる。これにより、処理液の液適が基板の上面に吸い込まれることを抑制できる。   Note that another rotation drive unit that rotates the blocking plate 90 about the rotation axis a <b> 1 in a state where the relative position is regulated may be provided instead of the rotation drive unit 23. In this case, the other rotation drive unit is one of the components of the rotation mechanism 231 instead of the rotation drive unit 23. Moreover, both the rotational drive part 23 and the said other rotational drive part may be provided. That is, the rotation mechanism 231 rotates at least one of the spin base 21 and the blocking plate 90 about the rotation axis a1 in a state where the relative position between the spin base 21 and the blocking plate 90 in the circumferential direction is restricted. If the rotation mechanism 231 rotates the spin base 21 and the shielding plate 90 in the same direction at the same speed, an air flow toward the center c1 side of the substrate 9 is generated between the upper surface of the substrate 9 and the lower surface of the shielding plate 90. Can be suppressed. Thereby, it can suppress that the liquid suitability of the processing liquid is sucked into the upper surface of the substrate.

回転駆動部23と当該他の回転駆動部との双方が設けられる場合には、規制構造94と突出部26とが設けられていなくてもよい。この場合には、さらに、回転駆動部23がスピンベース21を回転させる速度と、当該他の回転駆動部が遮断板90をスピンベース21と同じ方向に回転させる速度とが異なっていてもよい。また、回転駆動部23と当該他の回転機構との双方が設けられる場合には、延設部92の先端が、スピンベース21の上面よりも若干上側に位置していてもよい。   When both the rotation drive unit 23 and the other rotation drive unit are provided, the restricting structure 94 and the protruding portion 26 may not be provided. In this case, the speed at which the rotation driving unit 23 rotates the spin base 21 may be different from the speed at which the other rotation driving unit rotates the blocking plate 90 in the same direction as the spin base 21. Further, when both the rotation drive unit 23 and the other rotation mechanism are provided, the tip of the extension unit 92 may be positioned slightly above the upper surface of the spin base 21.

チャックピン25および回転駆動部23は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、スピンベース21上に基板9を保持するタイミング、保持された基板9を開放するタイミング、および、スピンベース21の回転態様(具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数(すなわち、回転速度)、等)は、制御部130によって制御される。   The chuck pin 25 and the rotation driving unit 23 are electrically connected to the control unit 130 and operate under the control of the control unit 130. That is, the timing of holding the substrate 9 on the spin base 21, the timing of releasing the held substrate 9, and the rotation mode of the spin base 21 (specifically, the rotation start timing, the rotation end timing, the rotation speed (that is, , Rotation speed), etc. are controlled by the control unit 130.

<飛散防止部3>
飛散防止部3は、スピンベース21とともに回転される基板9から飛散する処理液等を受け止める。
<Spattering prevention part 3>
The scattering prevention unit 3 receives a processing liquid or the like scattered from the substrate 9 rotated together with the spin base 21.

飛散防止部3は、スプラッシュガード31を備える。スプラッシュガード31は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック2を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード31は、例えば、底部材311、内部材(「内側ガード」とも、単に「ガード」とも称する)312、および、外部材(「外側ガード」とも称する)313の3個の部材を含んで構成されている。外部材313が設けられていなくてもよいし、逆に、外部材313の外側に、スピンチャック2を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。   The scattering prevention unit 3 includes a splash guard 31. The splash guard 31 is a cylindrical member having an open upper end and is provided so as to surround the spin chuck 2. In this embodiment, the splash guard 31 includes, for example, a bottom member 311, an inner member (also referred to as “inner guard” or simply “guard”) 312, and an outer member (also referred to as “outer guard”) 313. It is configured to include individual members. The external member 313 may not be provided, and conversely, a guard may be further provided outside the outer member 313 so as to surround the spin chuck 2.

底部材311は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部と、底部の内側縁部から上方に延びる円筒状の内側壁部と、底部の外側縁部から上方に延びる円筒状の外側壁部と、を備える。内側壁部の少なくとも先端付近は、スピンチャック2のケーシング24に設けられた鍔状部材241の内側空間に収容される。   The bottom member 311 is a cylindrical member having an open upper end, and has an annular bottom, a cylindrical inner wall extending upward from the inner edge of the bottom, and a cylinder extending upward from the outer edge of the bottom. A shaped outer wall. At least the vicinity of the tip of the inner wall portion is accommodated in an inner space of a bowl-shaped member 241 provided in the casing 24 of the spin chuck 2.

底部には、内側壁部と外側壁部との間の空間と連通する排液溝(図示省略)が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内側壁部と外側壁部との間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内側壁部と外側壁部との間の空間は、基板9の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。   A drainage groove (not shown) that communicates with the space between the inner wall portion and the outer wall portion is formed in the bottom portion. The drainage groove is connected to a factory drainage line. The drainage groove is connected to an exhaust fluid mechanism that forcibly exhausts the groove and places the space between the inner wall portion and the outer wall portion in a negative pressure state. The space between the inner wall portion and the outer wall portion is a space for collecting and draining the processing liquid used for processing the substrate 9, and the processing liquid collected in this space is discharged from the drain groove. Drained.

内部材312は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材312の上部(「上端側部分」、「上端部分」)は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸a1に向かって斜め上方に延びている。内部材312の下部には、上部の内周面に沿って下方に延びる筒状の内周壁部と、上部の外周面に沿って下方に延びる筒状の外周壁部とが形成される。底部材311と内部材312とが近接する状態(図1に示される状態)において、底部材311の外側壁部は、内部材312の内周壁部と外周壁部との間に収容される。内部材312の上部が受けた処理液等は、底部材311を介して排出される。   The inner member 312 is a cylindrical member having an open upper end, and the upper portion (“upper end portion”, “upper end portion”) of the inner member 312 extends inward and upward. That is, the upper part extends obliquely upward toward the rotation axis a1. A cylindrical inner peripheral wall portion extending downward along the upper inner peripheral surface and a cylindrical outer peripheral wall portion extending downward along the upper outer peripheral surface are formed at the lower portion of the inner member 312. In a state where the bottom member 311 and the inner member 312 are close to each other (the state shown in FIG. 1), the outer wall portion of the bottom member 311 is accommodated between the inner peripheral wall portion and the outer peripheral wall portion of the inner member 312. The processing liquid received by the upper part of the inner member 312 is discharged through the bottom member 311.

外部材313は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材312の外側に設けられている。外部材313の上部(「上端側部分」、「上端部分」)は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸a1に向かって斜め上方に延びている。下部は、内部材312の外周壁部に沿って下方に延びている。外部材313の上部が受けた処理液等は、内部材312の外周壁部と外部材313の下部との隙間から排出される。   The outer member 313 is a cylindrical member having an open upper end and is provided outside the inner member 312. The upper part (“upper end portion”, “upper end portion”) of the external member 313 extends inward and upward. That is, the upper part extends obliquely upward toward the rotation axis a1. The lower portion extends downward along the outer peripheral wall portion of the inner member 312. The processing liquid received by the upper part of the outer member 313 is discharged from the gap between the outer peripheral wall part of the inner member 312 and the lower part of the outer member 313.

スプラッシュガード31には、これを昇降移動させるガード駆動機構(「昇降駆動部」)32が配設されている。ガード駆動機構32は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、ガード駆動機構32は、スプラッシュガード31が備える3個の部材311,312,313を、独立して昇降させる。   The splash guard 31 is provided with a guard driving mechanism (“elevating drive unit”) 32 that moves the splash guard 31 up and down. The guard drive mechanism 32 is configured by, for example, a stepping motor. In this embodiment, the guard drive mechanism 32 raises and lowers the three members 311, 312, and 313 included in the splash guard 31 independently.

内部材312、および、外部材313の各々は、ガード駆動機構32の駆動を受けて、各々の上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材312,313の上方位置は、当該部材312,313の上端縁部が、スピンベース21上に保持された基板9の側方、かつ、上方に配置される位置である。一方、各部材312,313の下方位置は、当該部材312,313の上端縁部が、スピンベース21の上面よりも下方に配置される位置である。外部材313の上方位置(下方位置)は、内部材312の上方位置(下方位置)よりも若干上方に位置する。内部材312と外部材313とは、互いにぶつからないように同時に、若しくは順次に昇降される。底部材311は、その内側壁部が、ケーシング24に設けられた鍔状部材241の内側空間に収容される位置と、その下方の位置との間でガード駆動機構32によって駆動される。ただし、ガード駆動機構32は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード31の位置(具体的には、底部材311、内部材312、および、外部材313各々の位置)は、制御部130によって制御される。   Each of the inner member 312 and the outer member 313 receives the drive of the guard drive mechanism 32 and is moved between the upper position and the lower position. Here, the upper positions of the members 312 and 313 are positions at which the upper edge portions of the members 312 and 313 are arranged on the side and above the substrate 9 held on the spin base 21. On the other hand, the lower positions of the members 312 and 313 are positions where the upper edge portions of the members 312 and 313 are disposed below the upper surface of the spin base 21. The upper position (lower position) of the external member 313 is located slightly above the upper position (lower position) of the inner member 312. The inner member 312 and the outer member 313 are raised or lowered simultaneously or sequentially so as not to collide with each other. The bottom member 311 is driven by the guard drive mechanism 32 between a position where the inner wall portion is accommodated in the inner space of the flange-shaped member 241 provided in the casing 24 and a position below the bottom member 311. However, the guard driving mechanism 32 is electrically connected to the control unit 130 and operates under the control of the control unit 130. That is, the position of the splash guard 31 (specifically, the position of each of the bottom member 311, the inner member 312, and the outer member 313) is controlled by the control unit 130.

<表面保護部4>
表面保護部4は、スピンベース21上に保持された基板9の上面の中央付近に対して、ガス(カバーガス)を供給して、基板9の上面を、下面に供給された処理液の雰囲気等から保護する。
<Surface protector 4>
The surface protection unit 4 supplies gas (cover gas) to the vicinity of the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21, and the atmosphere of the processing liquid supplied to the lower surface of the upper surface of the substrate 9. Protect from etc.

表面保護部4は、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガスを吐出する円筒状のカバーガスノズル41を備える。カバーガスノズル41は、水平に延在するアーム42の先端寄りの部分に取り付けられおり、アーム42を鉛直方向に貫通している。カバーガスノズル41の中心軸は、回転軸a1と一致している。カバーガスノズル41の下端部分は、アーム42の下端面からさらに下方に延設されている。カバーガスノズル41の下端部分には、円板状の回転部93がベアリングを介して取り付けられている。回転部93の中心軸は、回転軸a1と一致している。これにより、回転部93は、回転軸a1を中心としてカバーガスノズル41の周囲を周方向に回転可能となっている。   The surface protection unit 4 includes a cylindrical cover gas nozzle 41 that discharges a gas toward the vicinity of the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21. The cover gas nozzle 41 is attached to a portion near the tip of the arm 42 extending horizontally, and penetrates the arm 42 in the vertical direction. The center axis of the cover gas nozzle 41 coincides with the rotation axis a1. The lower end portion of the cover gas nozzle 41 extends further downward from the lower end surface of the arm 42. A disc-shaped rotating portion 93 is attached to the lower end portion of the cover gas nozzle 41 via a bearing. The central axis of the rotation part 93 coincides with the rotation axis a1. Thereby, the rotation part 93 can rotate in the circumferential direction around the cover gas nozzle 41 around the rotation axis a1.

回転部93の下部には、円板状の遮断板(「対向部材」)90が回転部93と供に回転可能なように取り付けられている。遮断板90の上面は、略水平となるように設けられており、その形状は、スピンベース21よりも若干大きい円形であり、その中心を回転軸a1が通る。これにより、遮断板90は、回転軸a1を中心とする周方向に回転可能である。遮断板90は、回転軸a1を中心軸とする円板状の本体部91と、本体部91の周縁部に設けられた延設部92とを備えている。本体部91の中央部には、カバーガスノズル41と連通する貫通孔91aが設けられている。延設部92は、本体部91の周縁部から下方に延設された筒状壁部(環状壁部)であり、当該周縁部の周方向に沿って設けられている。延設部92は、本体部91の周縁部から基板9の端面を取り囲んでスピンベース21側に延びる筒状の部材である。延設部92は、基板9を含む平面を、基板9の端面の外側において横切って基板9よりもスピンベース21側に突出している。   A disc-shaped blocking plate (“opposing member”) 90 is attached to the lower portion of the rotating portion 93 so as to be rotatable together with the rotating portion 93. The upper surface of the blocking plate 90 is provided so as to be substantially horizontal, and the shape thereof is a circle slightly larger than that of the spin base 21, and the rotation axis a1 passes through the center thereof. Thereby, the interruption | blocking board 90 can rotate to the circumferential direction centering on the rotating shaft a1. The blocking plate 90 includes a disc-shaped main body portion 91 having the rotation axis a <b> 1 as a central axis, and an extending portion 92 provided at the peripheral edge of the main body portion 91. A through hole 91 a that communicates with the cover gas nozzle 41 is provided at the center of the main body 91. The extending portion 92 is a cylindrical wall portion (annular wall portion) that extends downward from the peripheral edge portion of the main body portion 91, and is provided along the circumferential direction of the peripheral edge portion. The extending portion 92 is a cylindrical member that surrounds the end surface of the substrate 9 from the peripheral edge of the main body 91 and extends toward the spin base 21. The extending portion 92 protrudes toward the spin base 21 from the substrate 9 across the plane including the substrate 9 outside the end surface of the substrate 9.

アーム42の基端部は、ノズル基台43に連結されている。ノズル基台43は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、鉛直方向に沿って伸縮可能なように構成されている。アーム42の基端部はノズル基台43の上端に連結されている。ノズル基台43には、ノズル基台43をその軸線に沿って伸縮させる駆動部(「移動部」)44が配設されている。駆動部44は、例えば、ステッピングモータなどを備えて構成される。   The base end portion of the arm 42 is connected to the nozzle base 43. The nozzle base 43 is arranged in such a posture that its axis is along the vertical direction, and is configured to be able to expand and contract along the vertical direction. The base end portion of the arm 42 is connected to the upper end of the nozzle base 43. The nozzle base 43 is provided with a drive unit (“moving unit”) 44 that expands and contracts the nozzle base 43 along its axis. The drive unit 44 includes, for example, a stepping motor.

駆動部44は、ノズル基台43を伸縮させることによって、処理位置(「第1位置」)と、処理位置の上方の待避位置(「第2位置」)との間で遮断板90を回転軸a1方向に沿ってスピンベース21に対して相対的に移動させる。遮断板90の処理位置は、スピンベース21上に保持される基板9の上方の位置であって、遮断板90の下面が基板9の上面と対向しつつ、当該上面と非接触状態で近接する位置である。遮断板90の待避位置は、遮断板90が基板9の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、スプラッシュガード31の上端縁部よりも上方の位置である。遮断板90が処理位置に配置されたときに、本体部91は、スピンベース21に保持された基板9の上面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。駆動部44は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、遮断板90の位置は、制御部130によって制御される。   The drive unit 44 expands and contracts the nozzle base 43 to rotate the blocking plate 90 between the processing position (“first position”) and the retracted position (“second position”) above the processing position. Move relative to the spin base 21 along the a1 direction. The processing position of the shielding plate 90 is a position above the substrate 9 held on the spin base 21, and the lower surface of the shielding plate 90 faces the upper surface of the substrate 9 and is close to the upper surface in a non-contact state. Position. The retracting position of the blocking plate 90 is a position where the blocking plate 90 does not interfere with the transport path of the substrate 9, and is, for example, a position above the upper edge of the splash guard 31. When the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the main body 91 faces the upper surface of the substrate 9 held by the spin base 21 with a gap therebetween, for example, substantially in parallel. The drive unit 44 is electrically connected to the control unit 130 and operates under the control of the control unit 130. That is, the position of the blocking plate 90 is controlled by the control unit 130.

延設部92の先端側部分には、2つの規制構造94が設けられている。規制構造94として、例えば、図4に示されるように、延設部92の先端面から、延設部92の内周面にかけて開口する凹み部が採用される。当該凹み部には、突出部26の少なくとも一部が収容される。   Two restriction structures 94 are provided at the distal end side portion of the extending portion 92. As the restriction structure 94, for example, as shown in FIG. 4, a recess that opens from the distal end surface of the extending portion 92 to the inner peripheral surface of the extending portion 92 is employed. At least a part of the protruding portion 26 is accommodated in the recess.

スピンベース21、遮断板90には、それぞれの周方向における初期位置(初期回転角度)が予め設定されている。遮断板90が処理位置の上方の待避位置に配置されているときには、スピンベース21、遮断板90は、それぞれ周方向の初期位置に配置されている。2つの規制構造94は、この状態で、遮断板90の上方から透視したときに、スピンベース21の側面部分に設けられた2つの突出部26とそれぞれ重なるように、延設部92の先端側部分にそれぞれ設けられている。   An initial position (initial rotation angle) in each circumferential direction is set in advance on the spin base 21 and the blocking plate 90. When the blocking plate 90 is disposed at the retracted position above the processing position, the spin base 21 and the blocking plate 90 are respectively disposed at the initial positions in the circumferential direction. In this state, the two restricting structures 94, when seen through from above the blocking plate 90, overlap the two projecting portions 26 provided on the side surface portion of the spin base 21, respectively, on the distal end side of the extending portion 92 Each part is provided.

図6に示されるように、遮断板90が処理位置に配置された状態において、突出部26の少なくとも一部が規制構造94に収容される。この場合、規制構造94は、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置されて突出部26の周方向への相対的な動きを規制する。また、遮断板90が処理位置に配置された状態では、延設部92は、本体部91の周縁部からスピンベース21の側方に延びている。そして、規制構造94は、スピンベース21の上面よりも下方に配置されている。すなわち、突出部26と規制構造94の双方が、スピンベース21の上面よりも下方に配置されている。スピンベース21と遮断板90とは、回転軸a1を中心とする周方向への相対的な動きを突出部26と規制構造94とを介して相互に規制される。すなわち、規制構造94と突出部26とは、スピンベース21と遮断板90との周方向への相対的な動きを規制する規制部201である。換言すれば、規制部201は、回転軸a1を中心とする周方向において遮断板90のスピンベース21に対する相対位置を規制する。   As shown in FIG. 6, at least a part of the protruding portion 26 is accommodated in the restriction structure 94 in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position. In this case, the restricting structure 94 is disposed so as to face the protruding portion 26 from the front and rear in the circumferential direction around the rotation axis a <b> 1, and restricts relative movement of the protruding portion 26 in the circumferential direction. In addition, in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the extending portion 92 extends from the peripheral portion of the main body portion 91 to the side of the spin base 21. The restricting structure 94 is disposed below the upper surface of the spin base 21. That is, both the protruding portion 26 and the restricting structure 94 are disposed below the upper surface of the spin base 21. The spin base 21 and the blocking plate 90 are mutually restricted in relative movement in the circumferential direction around the rotation axis a <b> 1 through the protruding portion 26 and the restriction structure 94. That is, the restricting structure 94 and the protruding portion 26 are restricting portions 201 that restrict relative movement of the spin base 21 and the blocking plate 90 in the circumferential direction. In other words, the restricting portion 201 restricts the relative position of the blocking plate 90 with respect to the spin base 21 in the circumferential direction around the rotation axis a1.

遮断板90が待避位置に配置されているときには、回転軸a1を中心とする規制構造94と突出部26とのそれぞれの周方向の回転位置は、互いに位置合わせされている。規制構造94は、待避位置から処理位置への遮断板90の移動過程における突出部26の規制構造94に対する相対的な移動経路を避けて配置されている。これにより、当該移動過程における規制構造94と突出部26との衝突を回避することができる。遮断板90が処理位置に配置されると、規制構造94が回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置される。より詳細には、規制構造94が処理位置に配置された直後で、スピンベース21が停止しているときは、規制構造94は、当該周方向の前後から、突出部26に接触することなく突出部26に対向して配置される。これにより、当該周方向において遮断板90のスピンベース21に対する相対位置が規制される。また、遮断板90が待避位置に配置されると、規制構造94は回転軸a1方向に沿って突出部26から相対的に離れて配置される。   When the blocking plate 90 is disposed at the retracted position, the circumferential rotational positions of the restricting structure 94 and the protrusion 26 around the rotational axis a1 are aligned with each other. The restricting structure 94 is disposed so as to avoid a relative movement path of the protruding portion 26 with respect to the restricting structure 94 in the process of moving the blocking plate 90 from the retracted position to the processing position. Thereby, the collision with the control structure 94 and the protrusion part 26 in the said movement process can be avoided. When the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the restricting structure 94 is disposed to face the protruding portion 26 from the front and rear in the circumferential direction around the rotation axis a1. More specifically, when the spin base 21 is stopped immediately after the restricting structure 94 is disposed at the processing position, the restricting structure 94 projects without contacting the projecting portion 26 from the front and rear in the circumferential direction. It is arranged to face the part 26. Thereby, the relative position of the blocking plate 90 with respect to the spin base 21 in the circumferential direction is restricted. Further, when the blocking plate 90 is disposed at the retracted position, the restricting structure 94 is disposed relatively away from the protruding portion 26 along the direction of the rotation axis a1.

遮断板90が処理位置に配置されて、規制部201によって、スピンベース21に対する遮断板90の周方向における相対位置が規制された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転させると、スピンベース21が基板9とともに回転する。これにより、規制構造94のうち突出部26に対して回転方向下流側の部分に突出部26が当接する。その後、遮断板90がスピンベース21と同じ回転方向に、同じ回転速度で従動回転する。   When the blocking plate 90 is arranged at the processing position and the rotation driving unit 23 rotates the rotating shaft unit 22 in a state where the relative position in the circumferential direction of the blocking plate 90 with respect to the spin base 21 is regulated by the regulating unit 201, The spin base 21 rotates with the substrate 9. As a result, the protrusion 26 abuts against the protrusion 26 in the restricting structure 94 on the downstream side in the rotation direction. Thereafter, the blocking plate 90 is driven to rotate in the same rotational direction as the spin base 21 at the same rotational speed.

ここで、例えば、基板処理装置1が基板を回転させつつ処理している最中に、緊急停止動作が行われた場合を考える。例えばこの場合には、基板処理装置1は、遮断板90を待避位置に移動させることが想定される。このように遮断板90およびスピンベース21が初期位置(初期回転角度)になっていない場合でも、自動的に処理を再開させる必要がある。   Here, for example, consider a case where an emergency stop operation is performed while the substrate processing apparatus 1 is processing while rotating the substrate. For example, in this case, it is assumed that the substrate processing apparatus 1 moves the blocking plate 90 to the retracted position. Thus, even when the blocking plate 90 and the spin base 21 are not at the initial position (initial rotation angle), it is necessary to automatically restart the processing.

スピンベース21は回転駆動部23に駆動されることにより回転可能である一方、遮断板90はスピンベース21の回転に従動回転する。そのため、以下の動作が必要となる。制御部130は、駆動部44を制御して、例えば、遮断板90がスピンベース21に僅かに接触するように遮断板90を上下方向に移動させる。その後、制御部130は、回転駆動部23を制御して、スピンベース21を低速で回転させることにより、遮断板90を回転軸a1を中心とする周方向に回転させる。   The spin base 21 can be rotated by being driven by the rotation driving unit 23, while the blocking plate 90 is rotated by the rotation of the spin base 21. Therefore, the following operation is required. For example, the control unit 130 controls the driving unit 44 to move the blocking plate 90 in the vertical direction so that the blocking plate 90 slightly contacts the spin base 21. Thereafter, the control unit 130 controls the rotation driving unit 23 to rotate the spin base 21 at a low speed, thereby rotating the shielding plate 90 in the circumferential direction around the rotation axis a1.

遮断板90は、当該周方向における遮断板90の初期位置を検出可能なセンサーを備えている。制御部130は、当該センサーの出力に基づいて、遮断板90が初期位置に到達した時点で回転駆動部23を制御して遮断板90の回転を停止させる。   The blocking plate 90 includes a sensor that can detect the initial position of the blocking plate 90 in the circumferential direction. Based on the output of the sensor, the control unit 130 controls the rotation driving unit 23 to stop the rotation of the blocking plate 90 when the blocking plate 90 reaches the initial position.

その後、制御部130は、駆動部44を制御して遮断板90を上方の待避位置に移動させるとともに、回転駆動部23を制御して、スピンベース21を周方向の初期位置に回転させる。これにより、遮断板90が待避位置に配置された状態で、遮断板90とスピンベース21とは周方向の初期位置に配置される。遮断板90が待避位置と処理位置との間で、スピンベース21に対して相対的に移動する際に、遮断板90が周方向の初期位置からずれないようすることが好ましい。このため、表面保護部4は、好ましくは、遮断板90が周方向の初期位置に配置された状態で、アーム42に対する回転部93および遮断板90の周方向の位置を固定するロック機構を備える。遮断板90が処理位置に配置されているときには、当該ロック機構は解放される。   Thereafter, the control unit 130 controls the drive unit 44 to move the blocking plate 90 to the upper retracted position, and controls the rotation drive unit 23 to rotate the spin base 21 to the initial position in the circumferential direction. Thereby, the shielding plate 90 and the spin base 21 are disposed at the initial position in the circumferential direction in a state where the shielding plate 90 is disposed at the retracted position. When the shielding plate 90 moves relative to the spin base 21 between the retracted position and the processing position, it is preferable that the shielding plate 90 does not deviate from the initial position in the circumferential direction. For this reason, the surface protection unit 4 is preferably provided with a lock mechanism that fixes the circumferential position of the rotation unit 93 and the shielding plate 90 with respect to the arm 42 in a state where the shielding plate 90 is disposed at the initial position in the circumferential direction. . When the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the lock mechanism is released.

図4、図5の例では、規制構造94が延設部92の先端側部分(下端側部分)に設けられるとともに、突出部26がスピンベース21の側面部分に設けられているが、規制構造94がスピンベース21の側面部分に設けられるとともに、突出部26が延設部92の先端側部分に設けられてもよい。すなわち、遮断板90の延設部92の先端側部分とスピンベース21の側面部分とのうち一方の部分に突出部26が設けられるとともに、他方の部分に規制構造94が設けられる。   4 and 5, the restricting structure 94 is provided at the front end side portion (lower end side portion) of the extending portion 92 and the protruding portion 26 is provided at the side surface portion of the spin base 21. 94 may be provided on the side surface portion of the spin base 21, and the projecting portion 26 may be provided on the distal end side portion of the extending portion 92. In other words, the protruding portion 26 is provided in one of the distal end side portion of the extending portion 92 of the blocking plate 90 and the side surface portion of the spin base 21, and the restriction structure 94 is provided in the other portion.

規制構造94として、凹み部に代えて、例えば、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置される一対の突出部が採用されてもよい。この場合も、当該規制構造によって突出部26の周方向への相対的な動きを規制できるので、本発明の有用性を損なうものではない。図4に示されるように、突出部26の少なくとも一部を収容可能な凹み部が規制構造として採用される場合には、スピンベース21と遮断板90の延設部92との間隔をより狭くできるので、遮断板90をより小径にすることができる。   For example, a pair of projecting portions disposed opposite to the projecting portions 26 from the front and rear in the circumferential direction around the rotation axis a <b> 1 may be employed as the restricting structure 94. Also in this case, since the relative movement of the protruding portion 26 in the circumferential direction can be restricted by the restriction structure, the usefulness of the present invention is not impaired. As shown in FIG. 4, when a recess that can accommodate at least a part of the protruding portion 26 is employed as the restricting structure, the distance between the spin base 21 and the extending portion 92 of the blocking plate 90 is made narrower. Therefore, the blocking plate 90 can be made smaller in diameter.

また、図4に示される延設部92は筒状部材であるが、延設部として、本体部91の周縁部において周方向に分散して配置され、周縁部から下方に延びる複数の壁部、あるいは柱部が用いられてもよい。この延設部は、本体部91の周縁部のうち少なくとも一部からスピンベース21の側方に延びる。延設部が筒状部材であれば、基板9に供給されて基板9から外部に排出される処理液の流れを横切らないので、延設部から基板9側に跳ね返る処理液を少なくすることができる。   Moreover, although the extending part 92 shown by FIG. 4 is a cylindrical member, it is distributed in the circumferential direction in the peripheral part of the main-body part 91 as an extending part, and several wall part extended below from a peripheral part. Or a pillar part may be used. The extending portion extends from at least a part of the peripheral edge of the main body 91 to the side of the spin base 21. If the extending portion is a cylindrical member, the flow of the processing liquid supplied to the substrate 9 and discharged from the substrate 9 to the outside is not traversed, so that the processing liquid that rebounds from the extending portion to the substrate 9 side can be reduced. it can.

カバーガスノズル41には、これにガス(ここでは、例えば、窒素(N2)ガス)を供給する配管系であるカバーガス供給部45が接続されている。カバーガス供給部45は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源451が、開閉弁453が介挿された配管452を介して、カバーガスノズル41に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁453が開放されると、窒素ガス供給源451から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル41を経て、遮断板90の中央部に設けられた貫通孔91aから吐出される。なお、カバーガスノズル41に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体(例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等)であってもよい。   The cover gas nozzle 41 is connected to a cover gas supply unit 45 that is a piping system for supplying gas (here, for example, nitrogen (N 2) gas). Specifically, for example, the cover gas supply unit 45 is connected to the cover gas nozzle 41 through a pipe 452 in which an on-off valve 453 is inserted, for example, a nitrogen gas supply source 451 that is a supply source for supplying nitrogen gas. It has a configuration. In this configuration, when the on-off valve 453 is opened, the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 451 is discharged from the through hole 91 a provided in the central portion of the blocking plate 90 through the cover gas nozzle 41. The gas supplied to the cover gas nozzle 41 may be a gas other than nitrogen gas (for example, various inert gases other than nitrogen gas, dry air, etc.).

遮断板90が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部45からカバーガスノズル41にガスが供給されると、カバーガスノズル41から、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガス(カバーガス)が基板9の上面に向けて吐出される。ただし、カバーガス供給部45の開閉弁453は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル41からのガスの吐出態様(具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。   When gas is supplied from the cover gas supply unit 45 to the cover gas nozzle 41 in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21 from the cover gas nozzle 41. A gas (cover gas) is discharged toward the upper surface of the substrate 9 toward the vicinity. However, the on-off valve 453 of the cover gas supply unit 45 is electrically connected to the control unit 130 and is opened and closed under the control of the control unit 130. That is, the discharge mode (specifically, discharge start timing, discharge end timing, discharge flow rate, etc.) of the gas from the cover gas nozzle 41 is controlled by the control unit 130.

<処理部5>
処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の処理面(図1の例では、下面)に対する処理を行う。具体的には、処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の処理面に処理液を供給する。
<Processing unit 5>
The processing unit 5 performs processing on the processing surface (the lower surface in the example of FIG. 1) of the substrate 9 held on the spin base 21. Specifically, the processing unit 5 supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate 9 held on the spin base 21.

図1に示されるように、処理部5は、例えば、スピンチャック2の回転軸部22の中空部に貫通して配置された供給管81を備える。供給管81の先端は、供給管81とスピンベース21の貫通孔21aとが連通するように、貫通孔21aの下側の開口に接続されている。貫通孔21aの上側(基板9側)の開口には、ノズル50が接続されている。ノズル50は、スピンベース21に保持されて回転している基板9の処理面に吐出口を備えている。ノズル50は、供給管81を経て供給される処理液を当該吐出口から基板の下面に吐出する。なお、処理面である基板9の上面(全体または周縁部)に処理液を供給可能なノズルが採用されてもよい。このようなノズルは、例えば、遮断板90に設けられる。ノズル50として、基板9の処理面に処理液を吐出可能な種々のノズルが採用され得る。   As shown in FIG. 1, the processing unit 5 includes, for example, a supply pipe 81 that is disposed so as to penetrate through the hollow portion of the rotation shaft portion 22 of the spin chuck 2. The tip of the supply pipe 81 is connected to the opening below the through hole 21a so that the supply pipe 81 and the through hole 21a of the spin base 21 communicate with each other. A nozzle 50 is connected to the opening on the upper side (substrate 9 side) of the through hole 21a. The nozzle 50 includes a discharge port on the processing surface of the substrate 9 that is held by the spin base 21 and is rotating. The nozzle 50 discharges the processing liquid supplied through the supply pipe 81 from the discharge port to the lower surface of the substrate. In addition, a nozzle capable of supplying a processing liquid to the upper surface (the whole or a peripheral portion) of the substrate 9 as a processing surface may be employed. Such a nozzle is provided on the blocking plate 90, for example. As the nozzle 50, various nozzles capable of discharging the processing liquid onto the processing surface of the substrate 9 can be employed.

供給管81には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部83が接続されている。処理液供給部83は、具体的には、SC−1供給源831a、DHF供給源831b、SC−2供給源831c、リンス液供給源831d、複数の配管832a,832b,832c,832d、および、複数の開閉弁833a,833b,833c,833dを、組み合わせて構成されている。   The supply pipe 81 is connected to a treatment liquid supply unit 83 which is a piping system for supplying a treatment liquid thereto. Specifically, the processing liquid supply unit 83 includes an SC-1 supply source 831a, a DHF supply source 831b, an SC-2 supply source 831c, a rinse liquid supply source 831d, a plurality of pipes 832a, 832b, 832c, 832d, and A plurality of on-off valves 833a, 833b, 833c, and 833d are combined.

SC−1供給源831aは、SC−1を供給する供給源である。SC−1供給源831aは、開閉弁833aが介挿された配管832aを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833aが開放されると、SC−1供給源831aから供給されるSC−1が、ノズル50から吐出される。   The SC-1 supply source 831a is a supply source that supplies SC-1. The SC-1 supply source 831a is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832a in which an on-off valve 833a is inserted. Therefore, when the on-off valve 833a is opened, SC-1 supplied from the SC-1 supply source 831a is discharged from the nozzle 50.

DHF供給源831bは、DHFを供給する供給源である。DHF供給源831bは、開閉弁833bが介挿された配管832bを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833bが開放されると、DHF供給源831bから供給されるDHFが、ノズル50から吐出される。   The DHF supply source 831b is a supply source that supplies DHF. The DHF supply source 831b is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832b in which an on-off valve 833b is inserted. Therefore, when the on-off valve 833b is opened, DHF supplied from the DHF supply source 831b is discharged from the nozzle 50.

SC−2供給源831cは、SC−2を供給する供給源である。SC−2供給源831cは、開閉弁833cが介挿された配管832cを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833cが開放されると、SC−2供給源831cから供給されるSC−2が、ノズル50から吐出される。   The SC-2 supply source 831c is a supply source that supplies SC-2. The SC-2 supply source 831c is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832c in which an on-off valve 833c is inserted. Therefore, when the on-off valve 833c is opened, SC-2 supplied from the SC-2 supply source 831c is discharged from the nozzle 50.

リンス液供給源831dは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源831dは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源831dは、開閉弁833dが介挿された配管832dを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833dが開放されると、リンス液供給源831dから供給されるリンス液が、ノズル50から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水(水素水)、各種の有機溶剤(イオン水、IPA(イソプロピルアルコール)、機能水(CO2水など)、などが用いられてもよい。   The rinse liquid supply source 831d is a supply source that supplies a rinse liquid. Here, the rinse liquid supply source 831d supplies, for example, pure water as the rinse liquid. The rinse liquid supply source 831d is connected to the supply pipe 81 via a pipe 832d in which an on-off valve 833d is inserted. Therefore, when the on-off valve 833d is opened, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 831d is discharged from the nozzle 50. As the rinsing liquid, pure water, warm water, ozone water, magnetic water, reducing water (hydrogen water), various organic solvents (ion water, IPA (isopropyl alcohol), functional water (CO2 water, etc.)), etc. are used. May be.

処理液供給部83から供給管81に処理液(SC−1、DHF、SC−2、あるいは、リンス液)が供給されると、ノズル50から、スピンベース21上に保持された基板9の処理面の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部83が備える開閉弁833a,833b,833c,833dの各々は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、ノズル50からの処理液の吐出態様(具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。ノズル50と供給管81と処理液供給部83とは、制御部130の制御によって基板9の処理面に処理液を吐出する処理液吐出部83Aである。   When the processing liquid (SC-1, DHF, SC-2, or rinsing liquid) is supplied from the processing liquid supply unit 83 to the supply pipe 81, the processing of the substrate 9 held on the spin base 21 from the nozzle 50 is performed. The treatment liquid is discharged toward the vicinity of the center of the surface. However, each of the on-off valves 833a, 833b, 833c, and 833d provided in the processing liquid supply unit 83 is electrically connected to the control unit 130 and is opened and closed under the control of the control unit 130. That is, the control unit 130 controls the discharge mode of the processing liquid from the nozzle 50 (specifically, the type of processing liquid to be discharged, the discharge start timing, the discharge end timing, the discharge flow rate, etc.). The nozzle 50, the supply pipe 81, and the processing liquid supply unit 83 are a processing liquid discharge unit 83 </ b> A that discharges the processing liquid onto the processing surface of the substrate 9 under the control of the control unit 130.

<洗浄部6>
洗浄部6は、スピンベース21の側面と、スプラッシュガード31の内部材312との双方に対する洗浄処理を行う。具体的には、洗浄部6は、スピンベース21のフランジ部29(図6)の下方からフランジ部29の下面に処理液を供給する。図1に示されるように、洗浄部6は、例えば、スピンチャック2のケーシング24の側面に設けられた複数(例えば、4個)のリンス液吐出口86と複数(例えば、2個)のリンス液吐出口87とを備える。
<Washing part 6>
The cleaning unit 6 performs a cleaning process on both the side surface of the spin base 21 and the inner member 312 of the splash guard 31. Specifically, the cleaning unit 6 supplies the processing liquid to the lower surface of the flange portion 29 from below the flange portion 29 (FIG. 6) of the spin base 21. As shown in FIG. 1, the cleaning unit 6 includes, for example, a plurality (for example, four) of rinsing liquid discharge ports 86 provided on the side surface of the casing 24 of the spin chuck 2 and a plurality (for example, two) of rinses. And a liquid discharge port 87.

複数のリンス液吐出口86は、スピンベース21のフランジ部29の下面(より好ましくは、フランジ部29の基端部分の下面である曲面211(図6))に対向して当該下面の下方に、スピンベース21の周方向に分散して設けられている。各リンス液吐出口86は、フランジ部29の下面(より好ましくは、曲面211)に向けて、鉛直方向に沿って上向きにリンス液を吐出可能に構成されている。   The plurality of rinse liquid discharge ports 86 are opposed to the lower surface of the flange portion 29 of the spin base 21 (more preferably, the curved surface 211 (FIG. 6) that is the lower surface of the proximal end portion of the flange portion 29) and below the lower surface. Are distributed in the circumferential direction of the spin base 21. Each rinse liquid discharge port 86 is configured to be capable of discharging the rinse liquid upward along the vertical direction toward the lower surface (more preferably, the curved surface 211) of the flange portion 29.

複数のリンス液吐出口87は、スピンベース21の円板状の基部28(図6)の下面の周縁部に対向して当該周縁部の下方に、スピンベース21の周方向に分散して設けられている。各リンス液吐出口87は、基部28の下面の周縁部に向けて、鉛直方向に沿って上向きにリンス液を吐出可能に構成されている。   The plurality of rinse liquid discharge ports 87 are provided in a distributed manner in the circumferential direction of the spin base 21 so as to face the peripheral portion of the lower surface of the disk-shaped base portion 28 (FIG. 6) of the spin base 21 and below the peripheral portion. It has been. Each rinse liquid discharge port 87 is configured to discharge the rinse liquid upward along the vertical direction toward the peripheral edge of the lower surface of the base portion 28.

なお、上述したケーシング24の軸線は、回転軸a1と一致する。ケーシング24の上端部分は、回転軸a1を軸線とする円筒状に形成されており、その径は、スピンベース21の円板状の基部28の径よりも若干小さい。従って、基部28の下面の周縁部は、下方から見たときに、ケーシング24の上端部分の外周面から外側にはみ出して当該外周面を取り囲んでいる。これにより、基部28の下面の周縁部に向けて下方からリンス液を吐出可能となっている。また、ケーシング24は、スピンベース21のフランジ部29の下面に斜めに対向する斜面を備えている。当該斜面は、円錐台の側面のような形状を有しており、上端(スピンベース21側)に近づくにつれて径が小さくなる。各リンス液吐出口86、87は、例えば、当該斜面に開口して設けられる。   Note that the axis of the casing 24 described above coincides with the rotation axis a1. The upper end portion of the casing 24 is formed in a cylindrical shape whose axis is the rotation axis a <b> 1, and the diameter thereof is slightly smaller than the diameter of the disk-shaped base portion 28 of the spin base 21. Therefore, when viewed from below, the peripheral edge of the lower surface of the base portion 28 protrudes outward from the outer peripheral surface of the upper end portion of the casing 24 and surrounds the outer peripheral surface. Thereby, the rinse liquid can be discharged from below toward the peripheral edge of the lower surface of the base portion 28. Further, the casing 24 includes a slope that obliquely faces the lower surface of the flange portion 29 of the spin base 21. The slope has a shape like a side surface of a truncated cone, and the diameter decreases as it approaches the upper end (on the spin base 21 side). The rinse liquid discharge ports 86 and 87 are provided, for example, so as to open on the slope.

各リンス液吐出口86、87には、これにリンス液を供給する配管系であるリンス液供給部85が接続されている。リンス液供給部85は、スピンベース21が回転しているときにリンス液を供給する。リンス液供給部85は、具体的には、リンス液供給源851d、配管852d、および、開閉弁853dを、組み合わせて構成されている。   A rinsing liquid supply unit 85 that is a piping system for supplying a rinsing liquid to each of the rinsing liquid discharge ports 86 and 87 is connected thereto. The rinsing liquid supply unit 85 supplies the rinsing liquid when the spin base 21 is rotating. Specifically, the rinsing liquid supply unit 85 is configured by combining a rinsing liquid supply source 851d, a pipe 852d, and an on-off valve 853d.

リンス液供給源851dは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源851dは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源851dは、開閉弁853dが介挿された配管852dを介して、各リンス液吐出口86、87に接続されている。配管852dは、ケーシング24の内部で複数の枝管に分岐し、各枝管の上端が各リンス液吐出口86、87に接続している。したがって、開閉弁853dが開放されると、リンス液供給源851dから供給されるリンス液が、各リンス液吐出口86、87から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水(水素水)、各種の有機溶剤(イオン水、IPA(イソプロピルアルコール)、機能水(CO2水など)、などが用いられてもよい。   The rinse liquid supply source 851d is a supply source that supplies a rinse liquid. Here, the rinse liquid supply source 851d supplies, for example, pure water as a rinse liquid. The rinsing liquid supply source 851d is connected to the rinsing liquid discharge ports 86 and 87 via a pipe 852d in which an on-off valve 853d is inserted. The pipe 852 d branches into a plurality of branch pipes inside the casing 24, and the upper ends of the branch pipes are connected to the rinse liquid discharge ports 86 and 87. Therefore, when the on-off valve 853d is opened, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 851d is discharged from the rinse liquid discharge ports 86 and 87. As the rinsing liquid, pure water, warm water, ozone water, magnetic water, reducing water (hydrogen water), various organic solvents (ion water, IPA (isopropyl alcohol), functional water (CO2 water, etc.)), etc. are used. May be.

内部材312(外部材313)は、その上方位置に配置された状態で、ノズル50から基板9に供給された後に基板9から排出される処理液を受けることができる。また、内部材312が、その下方位置に配置された状態では、内部材312の上端がスピンベース21のフランジ部29の側方に位置する。   The inner member 312 (outer member 313) can receive the processing liquid discharged from the substrate 9 after being supplied from the nozzle 50 to the substrate 9 in a state of being disposed above the inner member 312. When the inner member 312 is disposed at the lower position, the upper end of the inner member 312 is located on the side of the flange portion 29 of the spin base 21.

リンス液供給部85からリンス液吐出口86、87にリンス液が供給されると、リンス液吐出口86、87から、スピンベース21のフランジ部29の下面と、基部28の下面の周縁部とに向けて、当該リンス液が吐出されることになる。基部28の下面の周縁部に向けて吐出されたリンス液によって基部28の下面が洗浄される。フランジ部29の下面に向けて吐出されたリンス液は、基部28の側面を洗浄しつつ、当該側面に沿って進み、フランジ部29の下面に当たる。この処理液は、スピンベース21の回転による遠心力によってフランジ部29の下面に沿ってスピンベース21の径方向外側に移動し、フランジ部29の先端部からスピンベース21の外部に排出される。下方位置に配置された内部材312は、その上端側部分の内周面によって、スピンベース21の外部に排出された当該リンス液を受ける。これにより、内部材312の内周面が洗浄される。ただし、リンス液供給部85が備える開閉弁853dは、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、リンス液吐出口86、87からのリンス液の吐出態様(具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。リンス液吐出口86、87と、処理液供給部83とは、制御部130の制御によってリンス液を吐出するリンス液吐出部(「洗浄液吐出部」)85Aである。   When the rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply unit 85 to the rinsing liquid discharge ports 86 and 87, the lower surface of the flange portion 29 of the spin base 21 and the peripheral portion of the lower surface of the base portion 28 from the rinsing liquid discharge ports 86 and 87. The rinsing liquid is discharged toward the head. The lower surface of the base portion 28 is cleaned by the rinsing liquid discharged toward the peripheral portion of the lower surface of the base portion 28. The rinse liquid discharged toward the lower surface of the flange portion 29 proceeds along the side surface while washing the side surface of the base portion 28 and hits the lower surface of the flange portion 29. The processing liquid moves to the outside in the radial direction of the spin base 21 along the lower surface of the flange portion 29 by the centrifugal force generated by the rotation of the spin base 21, and is discharged from the tip portion of the flange portion 29 to the outside of the spin base 21. The inner member 312 disposed at the lower position receives the rinse liquid discharged to the outside of the spin base 21 by the inner peripheral surface of the upper end side portion thereof. Thereby, the inner peripheral surface of the inner member 312 is cleaned. However, the on-off valve 853d provided in the rinse liquid supply unit 85 is electrically connected to the control unit 130 and is opened and closed under the control of the control unit 130. That is, the discharge mode of the rinse liquid from the rinse liquid discharge ports 86 and 87 (specifically, the discharge start timing, the discharge end timing, the discharge flow rate, etc.) is controlled by the control unit 130. The rinse liquid discharge ports 86 and 87 and the processing liquid supply unit 83 are a rinse liquid discharge unit (“cleaning liquid discharge unit”) 85 </ b> A that discharges the rinse liquid under the control of the control unit 130.

<2.遮断板とスピンベースの構成>
図6、図7は、遮断板90が処理位置に配置されているときの遮断板90とスピンベース21の周縁部の構成を示す縦断面図である。図6には、規制部201における断面が示され、図7には、規制部201以外の部分における断面が示されている。図6、図7の例では、スプラッシュガード31の外部材313が上方位置に配置され、内部材312が下方位置に配置されている。図8は、規制部201を示す横断面図である。図9は、実施形態に係る他の規制部201Fを示す横断面図である。
<2. Structure of shielding plate and spin base>
FIGS. 6 and 7 are longitudinal sectional views showing the configuration of the peripheral portion of the shielding plate 90 and the spin base 21 when the shielding plate 90 is disposed at the processing position. FIG. 6 shows a cross section of the restricting portion 201, and FIG. 7 shows a cross section of a portion other than the restricting portion 201. 6 and 7, the outer member 313 of the splash guard 31 is disposed at the upper position, and the inner member 312 is disposed at the lower position. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the restricting portion 201. FIG. 9 is a cross-sectional view showing another restricting portion 201F according to the embodiment.

スピンベース21は、上面形状が円形である円板状の基部28と、基部28の周縁(側面)において、基部28の上面よりも若干下方の位置から径方向外側に突設する環状のフランジ部29とを備えている。基部28およびフランジ部29は、例えば、塩化ビニルによって、一体的に形成されている。フランジ部29の上面と下面(より詳細には、フランジ部29のうち基端部分以外の部分の下面、すなわちフランジ部29の先端側部分の下面)とは、水平面に沿って形成され、基部28の側面は、鉛直面である。フランジ部29の基端部分には、スピンベース21の周方向に沿う環状の曲面(「曲面部」)211が形成されている。曲面211は、例えば、回転軸a1に向かって斜め上方に凸の1/4円弧状の断面形状を有している。当該円弧の半径は、例えば、5mm〜10mmに設定される。フランジ部29の先端側部分の下面と、基部28の側面のうちフランジ部29よりも下側の部分とは、曲面211によってなだらかに接続されている。   The spin base 21 includes a disk-shaped base portion 28 having a circular upper surface shape, and an annular flange portion projecting radially outward from a position slightly below the upper surface of the base portion 28 at the periphery (side surface) of the base portion 28. 29. The base portion 28 and the flange portion 29 are integrally formed of, for example, vinyl chloride. The upper surface and the lower surface of the flange portion 29 (more specifically, the lower surface of the flange portion 29 other than the base end portion, that is, the lower surface of the distal end side portion of the flange portion 29) are formed along the horizontal plane, and the base portion 28 The side surface is a vertical surface. An annular curved surface (“curved surface portion”) 211 along the circumferential direction of the spin base 21 is formed at the proximal end portion of the flange portion 29. The curved surface 211 has, for example, a ¼ arc-shaped cross-section that protrudes obliquely upward toward the rotation axis a1. The radius of the arc is set to 5 mm to 10 mm, for example. The lower surface of the front end side portion of the flange portion 29 and the portion of the side surface of the base portion 28 below the flange portion 29 are gently connected by a curved surface 211.

フランジ部29の上面と、基部28の側面のうちフランジ部29の上側部分とによって環状の凹みが形成されている。この凹みには、環状の板状部材である水切り部27がボルトによって固定されている。水切り部27は、好ましくは、基部28よりも耐熱性の高い、例えば、フッ素樹脂などにより形成される。水切り部27の外周縁部は、基部28の径方向においてフランジ部29の外周縁よりも外側に延びている。水切り部27の外周縁の径、すなわちスピンベース21の外周縁の径は、基板9の径よりも大きい。水切り部27のうち外周縁部(「先端部分」)以外の部分の上面は、基部28の上面と同一の水平面をなしている。水切り部27の外周縁部の上面は、斜め上方外側に向けて張り出して湾曲した曲面である。当該外周縁部は、外周縁に近づくにつれて徐々に厚みが薄くなっている。上述した2つの突出部26は、水切り部27の外周縁部の先端(外縁)から遮断板90の径方向外側に向けてそれぞれ突設されている。突出部26は、例えば、図5、図6、図8に示されるように四角柱状の形状に形成される。この突出部26の上面261は、長方形状の水平面である。突出部26の先端面262は、上面261と直交し、その中心を通る法線が回転軸a1と交わる長方形状の鉛直面である。突出部26の側面263、264は、上面261、先端面262の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面261は、基部28の上面よりも下方に位置する。これにより突出部26全体が基部28の上面よりも下方に位置する。   An annular recess is formed by the upper surface of the flange portion 29 and the upper portion of the flange portion 29 among the side surfaces of the base portion 28. A draining portion 27, which is an annular plate member, is fixed to the recess by a bolt. The draining portion 27 is preferably formed of, for example, a fluororesin having higher heat resistance than the base portion 28. The outer peripheral edge portion of the draining portion 27 extends outward from the outer peripheral edge of the flange portion 29 in the radial direction of the base portion 28. The diameter of the outer peripheral edge of the draining portion 27, that is, the diameter of the outer peripheral edge of the spin base 21 is larger than the diameter of the substrate 9. The upper surface of the draining portion 27 other than the outer peripheral edge portion (“tip portion”) is the same horizontal plane as the upper surface of the base portion 28. The upper surface of the outer peripheral edge portion of the draining portion 27 is a curved surface that protrudes obliquely upward and outward and is curved. The outer peripheral edge portion gradually decreases in thickness as it approaches the outer peripheral edge. The two protrusions 26 described above are provided so as to protrude from the tip (outer edge) of the outer peripheral edge of the draining portion 27 toward the radially outer side of the blocking plate 90. For example, the protrusion 26 is formed in a quadrangular prism shape as shown in FIGS. 5, 6, and 8. The upper surface 261 of the protruding portion 26 is a rectangular horizontal plane. The front end surface 262 of the protruding portion 26 is a rectangular vertical surface in which a normal line passing through the center of the front end surface 262 intersects with the rotation axis a1. The side surfaces 263 and 264 of the protruding portion 26 are rectangular vertical surfaces that are orthogonal to both the upper surface 261 and the tip surface 262. The upper surface 261 is located below the upper surface of the base portion 28. As a result, the entire protrusion 26 is positioned below the upper surface of the base 28.

遮断板90の本体部91は、例えば、塩化ビニルによって形成された円板状の部材である。本体部91の下面のうち周縁部以外の下面911は、スピンベース21のチャックピン25に保持された基板9の上面と、隙間を隔てて対向している。下面911と基板9の上面との間隔D2は、例えば、1mm程度である。本体部91の下面のうち周縁部には、周縁に沿う環状の凹みが形成されている。これにより、本体部91の周縁部の厚みは、他の部分の半分程度となっている。延設部92は、この凹みに嵌合可能な環状の形状を有する。延設部92は、この凹みに嵌合してボルトによって本体部91に固定されている。延設部92は、好ましくは、本体部91よりも耐熱性に優れた、例えば、フッ素樹脂などの材料により形成される。延設部92の環状の内周面921は、その下端から上方に向かって立設された後、回転軸a1側に向かって基板9の周縁部の上方まで延びている。内周面921のうち回転軸a1側の環状の周縁部は、本体部91の下面911になだらかに接続しており、下面911とともに、基板9の上面に対向する対向面をなしている。延設部92は、本体部91の周縁部から下方に延設された筒状壁部となっており、その先端側部分は、スピンベース21の側方部分に延びている。延設部92の内周面921のうち延設部92の先端側(下端側)の部分は、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に張り出すように湾曲した曲面である。これにより、遮断板90の径方向における延設部92の先端側部分の幅は、下方、すなわち、スピンベース21の側方部分に向かうにつれて徐々に細くなっている。このように、内周面921は、遮断板90の下面と連続するとともに、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に張り出すように膨らんで湾曲している。   The main body 91 of the blocking plate 90 is a disk-shaped member made of, for example, vinyl chloride. The lower surface 911 other than the peripheral portion of the lower surface of the main body 91 faces the upper surface of the substrate 9 held by the chuck pins 25 of the spin base 21 with a gap. A distance D2 between the lower surface 911 and the upper surface of the substrate 9 is, for example, about 1 mm. An annular recess along the periphery is formed on the periphery of the lower surface of the main body 91. Thereby, the thickness of the peripheral part of the main-body part 91 is about half of the other part. The extending portion 92 has an annular shape that can be fitted into the recess. The extending portion 92 is fitted in the recess and is fixed to the main body portion 91 with a bolt. The extending portion 92 is preferably formed of a material having better heat resistance than the main body portion 91, for example, a fluororesin. The annular inner peripheral surface 921 of the extending portion 92 is erected upward from the lower end thereof, and then extends to the upper side of the peripheral portion of the substrate 9 toward the rotating shaft a1 side. An annular peripheral portion on the rotation axis a1 side of the inner peripheral surface 921 is gently connected to the lower surface 911 of the main body 91, and forms an opposing surface that faces the upper surface of the substrate 9 together with the lower surface 911. The extending portion 92 is a cylindrical wall portion extending downward from the peripheral edge portion of the main body portion 91, and the tip side portion extends to a side portion of the spin base 21. Of the inner peripheral surface 921 of the extended portion 92, the tip side (lower end side) portion of the extended portion 92 is a curved surface that curves so as to protrude obliquely upward and outward with respect to the upper surface of the spin base 21. Thereby, the width of the distal end side portion of the extending portion 92 in the radial direction of the blocking plate 90 is gradually reduced toward the lower side, that is, the side portion of the spin base 21. As described above, the inner peripheral surface 921 is continuous with the lower surface of the blocking plate 90 and bulges and curves so as to protrude obliquely upward and outward with respect to the upper surface of the spin base 21.

延設部92の先端側部分には、規制構造94が形成されている。規制構造94は、例えば、図4、図6、図8に示されるように、延設部92の先端面から、延設部92の内周面にかけて開口する凹み部である。この規制構造94は、遮断板90が処理位置に配置されたときに、突出部26の少なくとも一部を収容可能なように形成されている。規制構造94の上面941は、長方形状の水平面である。規制構造94の底面942は、上面941と直交し、その中心を通る法線が回転軸a1と交わる長方形状の鉛直面である。規制構造94の側面943、944は、上面941、底面942の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面941は、基部28の上面よりも下方、かつ、突出部26の上面261よりも上方に位置する。これにより規制構造94全体が基部28の上面よりも下方に位置する。   A restricting structure 94 is formed at the distal end portion of the extending portion 92. For example, as shown in FIGS. 4, 6, and 8, the restriction structure 94 is a dent that opens from the distal end surface of the extending portion 92 to the inner peripheral surface of the extending portion 92. The restriction structure 94 is formed so as to be able to accommodate at least a part of the protruding portion 26 when the blocking plate 90 is disposed at the processing position. The upper surface 941 of the restriction structure 94 is a rectangular horizontal plane. The bottom surface 942 of the restriction structure 94 is a rectangular vertical surface that is orthogonal to the top surface 941 and whose normal passing through the center intersects the rotation axis a1. The side surfaces 943 and 944 of the restriction structure 94 are rectangular vertical surfaces that are orthogonal to both the upper surface 941 and the bottom surface 942. The upper surface 941 is located below the upper surface of the base portion 28 and above the upper surface 261 of the protruding portion 26. As a result, the entire restriction structure 94 is positioned below the upper surface of the base portion 28.

遮断板90が処理位置に配置されたときに、2つの規制構造94の一方が、2つの突出部26の一方の少なくとも一部を収容し、他方の規制構造94が、他方の突出部26の少なくとも一部を収容する。   When the blocking plate 90 is disposed at the processing position, one of the two restricting structures 94 accommodates at least a part of one of the two projecting portions 26, and the other restricting structure 94 is disposed on the other projecting portion 26. Accommodates at least a portion.

突出部26が規制構造94に収容された直後の状態において、スピンベース21が停止しているときは、規制構造94の上面941と、突出部26の上面261とが隙を隔てて互いに対向するとともに、規制構造94の底面942と、突出部26の先端面262とが隙間を隔てて互いに対向する。そして、規制構造94の側面943は、突出部26の側面263と対向し、規制構造94の側面944は、突出部26の側面264と対向する。これにより、規制構造94は、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置されて突出部26の周方向への相対的な動きを規制可能となる。規制構造94と、突出部26とは、回転軸a1を中心とする周方向に沿ったスピンベース21と遮断板90との相対的な動きを規制する規制部201である。   When the spin base 21 is stopped immediately after the protruding portion 26 is accommodated in the restricting structure 94, the upper surface 941 of the restricting structure 94 and the upper surface 261 of the protruding portion 26 face each other with a gap. At the same time, the bottom surface 942 of the restricting structure 94 and the front end surface 262 of the protruding portion 26 face each other with a gap. The side surface 943 of the restricting structure 94 faces the side surface 263 of the protruding portion 26, and the side surface 944 of the restricting structure 94 faces the side surface 264 of the protruding portion 26. Thereby, the restricting structure 94 is disposed so as to face the protruding portion 26 from the front and rear in the circumferential direction around the rotation axis a <b> 1, and can restrict relative movement of the protruding portion 26 in the circumferential direction. The restricting structure 94 and the protruding portion 26 are restricting portions 201 that restrict the relative movement of the spin base 21 and the blocking plate 90 along the circumferential direction around the rotation axis a1.

図7に示されるように、遮断板90が処理位置に配置された状態で、延設部92の先端側部分と、スピンベース21の側部、より具体的には、水切り部27の先端部分との間には、規制部201以外の部分において、隙間G1が形成される。隙間G1の幅D1は、例えば、1mm〜5mm程度である。処理部5のノズル50が基板9の処理面に吐出した処理液は、処理面に沿って、基板9の外部に排出され、さらにスピンベース21の周縁部から隙間G1を通って外部に排出される。延設部92の内周面921のうち延設部92の先端の部分と、水切り部27の先端部分の上面とが、上述のように、互いに湾曲していれば、処理液は、隙間G1からスムーズに外部へ排出される。   As shown in FIG. 7, in the state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position, the distal end side portion of the extending portion 92, the side portion of the spin base 21, more specifically, the distal end portion of the draining portion 27. A gap G1 is formed in a portion other than the restricting portion 201. The width D1 of the gap G1 is, for example, about 1 mm to 5 mm. The processing liquid discharged by the nozzle 50 of the processing unit 5 onto the processing surface of the substrate 9 is discharged to the outside of the substrate 9 along the processing surface, and further discharged to the outside from the peripheral portion of the spin base 21 through the gap G1. The If the tip portion of the extension portion 92 and the top surface of the tip portion of the draining portion 27 of the inner peripheral surface 921 of the extension portion 92 are curved with each other as described above, the processing liquid will be in the gap G1. Is smoothly discharged to the outside.

延設部92の内周面921の上端部分は、遮断板90の下面のうち基板9に対向する対向面(より詳細には、当該対向面の周縁部)よりも上方、すなわちスピンベース21の上面に対して当該対向面よりも高い位置にある。これにより、内周面921の上端側部分に、環状の凹み部922が形成されている。凹み部922は、回転軸a1を中心とする周方向に沿って形成されている。凹み部922は、延設部92の先端側部分と、遮断板90のうち基板9に対向する部分との間に形成されている。すなわち、凹み部922は、遮断板90の内側面901のうち、延設部92の先端側部分と、基板9に対向する対向部分との間の部分に形成されている。内側面901は、基板9の上面及び端面を取り囲む面である。内側面901は、本体部91の下面911と延設部92の内周面921とを含んでいる。凹み部922は、遮断板90のうち基板9の上面に対向する対向部分の周縁部よりも上方にくぼんでいる。凹み部922と、スピンベース21の上面との間には、環状の膨んだ空間(「膨らみ空間」)923が形成される。空間923は、遮断板90のうち基板9に対向する対向面よりも上方に膨らんでいる。凹み部922の最もくぼんだ部分と基板9の上面との間隔D3は、間隔D2よりも長い。遮断板90の径方向における凹み部922の幅D4は、好ましくは、例えば、20mm以上に設定される。   The upper end portion of the inner peripheral surface 921 of the extending portion 92 is located above the opposing surface (more specifically, the peripheral edge portion of the opposing surface) of the lower surface of the shielding plate 90, that is, the spin base 21. It exists in the position higher than the said opposing surface with respect to an upper surface. Thereby, an annular recess 922 is formed at the upper end portion of the inner peripheral surface 921. The recess 922 is formed along the circumferential direction with the rotation axis a1 as the center. The recessed portion 922 is formed between the distal end portion of the extending portion 92 and the portion of the blocking plate 90 that faces the substrate 9. That is, the recessed portion 922 is formed in a portion of the inner side surface 901 of the blocking plate 90 between the tip side portion of the extending portion 92 and the facing portion facing the substrate 9. The inner side surface 901 is a surface surrounding the upper surface and the end surface of the substrate 9. The inner side surface 901 includes a lower surface 911 of the main body portion 91 and an inner peripheral surface 921 of the extending portion 92. The recess 922 is recessed above the peripheral edge of the opposing portion of the blocking plate 90 that faces the upper surface of the substrate 9. An annular bulged space (“bulged space”) 923 is formed between the recessed portion 922 and the upper surface of the spin base 21. The space 923 swells above the opposing surface of the blocking plate 90 that faces the substrate 9. A distance D3 between the most recessed portion of the recess 922 and the upper surface of the substrate 9 is longer than the distance D2. The width D4 of the recess 922 in the radial direction of the blocking plate 90 is preferably set to 20 mm or more, for example.

遮断板90の内側面901(より詳細には、延設部92の内周面921)のうち、下面911に対して凹み部922よりも外側(遮断板90の径方向外側)の部分には、上述のように、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に膨らんで湾曲する湾曲面が形成されている。なお、図示の例では、下面911は、基板9の上面と平行である。しかし、例えば、下面911のうちその周縁部を除く部分が、下面911の中心に向かうにつれて基板9の上面から高くなるなど、下面911全体が基板9の上面と平行でなくてもよい。   Of the inner side surface 901 of the blocking plate 90 (more specifically, the inner peripheral surface 921 of the extending portion 92), the portion outside the recessed portion 922 (the radially outer side of the blocking plate 90) with respect to the lower surface 911 As described above, a curved surface that bulges and curves obliquely upward and outward with respect to the upper surface of the spin base 21 is formed. In the illustrated example, the lower surface 911 is parallel to the upper surface of the substrate 9. However, the entire lower surface 911 may not be parallel to the upper surface of the substrate 9, for example, a portion of the lower surface 911 excluding the peripheral edge portion becomes higher from the upper surface of the substrate 9 toward the center of the lower surface 911.

隙間G1から排出される処理液は、処理液の量と、隙間G1の幅によっては、延設部92と水切り部27との間の空間に滞留する場合があるが、凹み部922により形成された空間923が、バッファとなる。これにより、滞留した処理液に起因して、処理液が基板9の非処理面に跳ね返って付着することを抑制できる。   The processing liquid discharged from the gap G1 may stay in the space between the extending portion 92 and the draining portion 27 depending on the amount of the processing liquid and the width of the gap G1, but is formed by the recess 922. The space 923 becomes a buffer. Thereby, it can suppress that a process liquid rebounds and adheres to the non-processing surface of the board | substrate 9 resulting from the staying process liquid.

また、水切り部27の先端部分から排出される処理液の一部は、規制構造94、突出部26に当たって跳ね返る。しかしながら、遮断板90が処理位置に配置された状態で、遮断板90の規制構造94と、スピンベース21の突出部26との双方がスピンベース21の上面より下方にあることから、跳ね返された処理液が、基板9の処理面以外の主面(「非処理面」)に付着することが抑制される。   Further, a part of the processing liquid discharged from the tip portion of the draining portion 27 hits the regulation structure 94 and the protruding portion 26 and rebounds. However, in a state where the blocking plate 90 is disposed at the processing position, both the restriction structure 94 of the blocking plate 90 and the protruding portion 26 of the spin base 21 are below the upper surface of the spin base 21, so that they are rebounded. The treatment liquid is prevented from adhering to the main surface (“non-treatment surface”) other than the treatment surface of the substrate 9.

延設部92、水切り部27が、耐熱性に優れたフッ素樹脂などにより形成されていれば、処理液が高温である場合でも、高温による遮断板90、スピンベース21の損傷を抑制することができる。しかしながら、例えば、フッ素樹脂は、塩化ビニルに比べて、耐熱性に優れるが、硬度が低い。遮断板90が処理位置に配置された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を介してスピンベース21を回転させる場合、加速時、減速時には、突出部26と規制構造94とが互いに当接する。これにより、規制構造94と突出部26同士、すなわちフッ素樹脂製の部材同士が衝突し、塵が発生する場合がある。この塵が基板9に付着すると欠陥となる。なお、延設部92、スピンベース21がそれぞれ同じ材料で一体的に形成されていてもよい。   If the extending portion 92 and the draining portion 27 are formed of a fluororesin or the like having excellent heat resistance, it is possible to suppress damage to the shielding plate 90 and the spin base 21 due to the high temperature even when the treatment liquid is at a high temperature. it can. However, for example, a fluororesin is superior in heat resistance to vinyl chloride but has a low hardness. When the rotation driving unit 23 rotates the spin base 21 via the rotating shaft portion 22 with the blocking plate 90 disposed at the processing position, the projecting portion 26 and the regulating structure 94 contact each other during acceleration and deceleration. Touch. Thereby, the restricting structure 94 and the protrusions 26, that is, the members made of fluororesin may collide, and dust may be generated. When this dust adheres to the substrate 9, it becomes a defect. Note that the extending portion 92 and the spin base 21 may be integrally formed of the same material.

図9の構成例では、スピンベース21の突出部26は、その外周面のうち先端面262以外の面を、EPDMなどの弾性部材により形成されたOリングなどによって覆われている。規制構造94と突出部26とがスピンベース21の加速時などに互いに当接する場合でも、塵の発生を抑制できる。なお、突出部26と規制構造94とのうち少なくも一方が、他方と対向する部分を弾性部材に覆われていれば発塵を抑制できる。突出部26と規制構造94の何れもが、弾性部材によって覆われていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。   In the configuration example of FIG. 9, the protruding portion 26 of the spin base 21 is covered with an O-ring formed of an elastic member such as EPDM on the outer peripheral surface other than the tip surface 262. Even when the restricting structure 94 and the protruding portion 26 come into contact with each other when the spin base 21 is accelerated, generation of dust can be suppressed. Note that dust generation can be suppressed if at least one of the protruding portion 26 and the restricting structure 94 is covered with an elastic member at a portion facing the other. Even if neither the protrusion 26 nor the restriction structure 94 is covered with the elastic member, the usefulness of the present invention is not impaired.

図12、図13は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板90Bとスピンベース21Bとを示す縦断面図である。図12、図13では、遮断板90Bとスピンベース21Bとの周縁部が示されている。図12では、規制部201における断面が示され、図13では、規制部201以外の部分における断面が示されている。遮断板90Bは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Bを備えていることを除いて、遮断板90と同様の構成を備えている。スピンベース21Bは、スピンベース21の水切り部27に代えて、水切り部27Bを備えていることを除いてスピンベース21と同様の構成を備えている。   12 and 13 are longitudinal sectional views showing a blocking plate 90B and a spin base 21B as another configuration example of the blocking plate and the spin base of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 12 and 13 show the peripheral portions of the blocking plate 90B and the spin base 21B. In FIG. 12, the cross section in the control part 201 is shown, and in FIG. 13, the cross section in parts other than the control part 201 is shown. The blocking plate 90B has the same configuration as the blocking plate 90 except that the extending portion 92B is provided instead of the extending portion 92 of the blocking plate 90. The spin base 21 </ b> B has the same configuration as the spin base 21 except that a draining portion 27 </ b> B is provided instead of the draining portion 27 of the spin base 21.

延設部92Bの内周面(下面)921Bは、本体部91のうち薄肉の周縁部以外の部分の下面と滑らかに接続されている。内周面921Bには、延設部92の凹み部922が形成されていない。また、水切り部27Bには、水切り部27の先端部分の上面に設けられている曲面が形成されておらず、水切り部27Bの先端面は、鉛直面である。処理液は、基板9の処理面およびスピンベース21Bの上面の周縁部を経て、延設部92Bと水切り部27Bとの間の隙間G2から外部に排出される。規制部201が設けられている部分においては、処理液は、規制部201(規制構造94、突出部26)により跳ね返される。   The inner peripheral surface (lower surface) 921B of the extending portion 92B is smoothly connected to the lower surface of the main body portion 91 other than the thin peripheral edge portion. The inner peripheral surface 921B is not formed with the recessed portion 922 of the extending portion 92. Moreover, the curved surface provided in the upper surface of the front-end | tip part of the draining part 27 is not formed in the draining part 27B, and the front end surface of the draining part 27B is a vertical surface. The processing liquid is discharged to the outside through the gap G2 between the extending portion 92B and the draining portion 27B through the processing surface of the substrate 9 and the peripheral edge of the upper surface of the spin base 21B. In the portion where the restricting portion 201 is provided, the processing liquid is rebounded by the restricting portion 201 (the restricting structure 94, the protruding portion 26).

しかしながら、水切り部27Bの先端部分、すなわちスピンベース21Bの側面部分に設けられた突出部26と、延設部92Bの先端側部分に設けられた規制構造94とが、スピンベース21Bの上面よりも下方に配置されている。これにより、跳ね返された処理液の基板9の非処理面への侵入と付着が抑制される。従って、遮断板90に代えて遮断板90Bが採用されるとともに、スピンベース21に代えてスピンベース21Bが採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。また、遮断板90Bが、スピンベース21と組み合わされてもよく、遮断板90が、スピンベース21Bと組み合わされてもよい。   However, the protruding portion 26 provided at the tip portion of the draining portion 27B, that is, the side surface portion of the spin base 21B, and the regulation structure 94 provided at the tip side portion of the extending portion 92B are more than the upper surface of the spin base 21B. It is arranged below. Thereby, the penetration | invasion and adhesion to the non-processing surface of the board | substrate 9 of the processing liquid bounced back are suppressed. Therefore, the blocking plate 90B is used instead of the blocking plate 90, and even if the spin base 21B is used instead of the spin base 21, the usefulness of the present invention is not impaired. Further, the blocking plate 90B may be combined with the spin base 21, and the blocking plate 90 may be combined with the spin base 21B.

<3.基板処理装置の動作と構成>
図20は、基板処理装置1がノズル50、洗浄部6によって、基板9の下面の処理と、スピンベース21の側面および内部材312の洗浄処理を行う動作を示すフローチャートである。図21は、図20のフローチャートに示される動作を説明するための模式図である。図21には、図20の処理の順序に従って基板処理装置1の縦断面が示されている。図22は、図20のフローチャートにおけるステップS150の動作を、より詳しく説明するための模式図である。ステップS150は、基板処理装置1が、洗浄部6によって洗浄処理を行うステップである。図22には、基板処理装置1のうち、遮断板90およびスピンベース21の周縁部と、内部材312および外部材313の上側の一部とを含む部分の縦断面が示されている。スプラッシュガード31の外部材313が上方位置に配置され、内部材312が下方位置に配置されている。
<3. Operation and configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 20 is a flowchart showing an operation of the substrate processing apparatus 1 performing the processing of the lower surface of the substrate 9 and the cleaning processing of the side surface of the spin base 21 and the inner member 312 by the nozzle 50 and the cleaning unit 6. FIG. 21 is a schematic diagram for explaining the operation shown in the flowchart of FIG. FIG. 21 shows a longitudinal section of the substrate processing apparatus 1 according to the processing order of FIG. FIG. 22 is a schematic diagram for explaining in more detail the operation of step S150 in the flowchart of FIG. Step S <b> 150 is a step in which the substrate processing apparatus 1 performs a cleaning process by the cleaning unit 6. FIG. 22 shows a longitudinal section of a portion of the substrate processing apparatus 1 that includes the peripheral portions of the blocking plate 90 and the spin base 21 and the upper portions of the inner member 312 and the outer member 313. The outer member 313 of the splash guard 31 is disposed at the upper position, and the inner member 312 is disposed at the lower position.

以下に、図20〜図22を参照しつつ、基板処理装置1が基板9の下面の処理と、スピンベース21の側面および内部材312の洗浄処理を行う動作の一例について説明する。また、遮断板90、スピンベース21、内部材312、外部材313の位置関係等についても適宜説明する。必要に応じて、他の図面も適宜参照する。ここでは、ノズル50が基板9の下面に処理液を吐出する場合について説明するが、例えば、遮断板90の中央部に設けられたノズルから基板9の上面に処理液を供給して基板9の上面を処理してもよい。   Hereinafter, an example of an operation in which the substrate processing apparatus 1 performs a process on the lower surface of the substrate 9 and a cleaning process on the side surface of the spin base 21 and the inner member 312 will be described with reference to FIGS. Further, the positional relationship of the blocking plate 90, the spin base 21, the inner member 312, and the outer member 313 will be described as appropriate. If necessary, other drawings are also referred to as appropriate. Here, the case where the nozzle 50 discharges the processing liquid to the lower surface of the substrate 9 will be described. For example, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate 9 from the nozzle provided in the central portion of the blocking plate 90 and the substrate 9 The top surface may be treated.

図20に示される動作の開始に先立って、基板9がスピンベース21上に搬送されて、チャックピン25によって保持されている。また、遮断板90は、処理位置に配置され、内部材312、外部材313は、それぞれの下方位置に配置されている。スピンベース21は回転を停止されており、ノズル50、リンス液吐出口86、87は、処理液、リンス液の吐出を行っていない。   Prior to the start of the operation shown in FIG. 20, the substrate 9 is transferred onto the spin base 21 and held by the chuck pins 25. Further, the blocking plate 90 is disposed at the processing position, and the inner member 312 and the outer member 313 are disposed at respective lower positions. The rotation of the spin base 21 is stopped, and the nozzle 50 and the rinse liquid discharge ports 86 and 87 do not discharge the processing liquid and the rinse liquid.

基板処理装置1は、内部材312、外部材313がそれぞれの下方位置に配置されている状態から、内部材312、外部材313をそれぞれの上方位置に移動する(ステップS110)。具体的には、制御部130がガード駆動機構32を制御して、内部材312、外部材313をそれぞれの上方位置に移動させて、上方位置に配置させる。その後、好ましくは、表面保護部4のカバーガスノズル41(図1)が、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガス(カバーガス)の吐出を開始する。   The substrate processing apparatus 1 moves the inner member 312 and the outer member 313 to their upper positions from the state in which the inner member 312 and the outer member 313 are disposed at their lower positions (step S110). Specifically, the control unit 130 controls the guard driving mechanism 32 to move the inner member 312 and the outer member 313 to their upper positions and arrange them at the upper positions. Thereafter, preferably, the cover gas nozzle 41 (FIG. 1) of the surface protection unit 4 starts to discharge gas (cover gas) toward the vicinity of the center of the upper surface of the substrate 9 held on the spin base 21.

ステップS110の処理が完了すると、基板処理装置1は、スピンベース21の回転を開始する(ステップS120)。具体的には、制御部130が、回転駆動部23を制御して回転軸部22の回転を開始させる。これにより、スピンベース21が回転軸部22とともに回転を開始する。スピンベース21、すなわち基板9の回転数は、例えば、1000〜1500rpmに設定される。   When the process of step S110 is completed, the substrate processing apparatus 1 starts rotating the spin base 21 (step S120). Specifically, the control unit 130 controls the rotation driving unit 23 to start the rotation of the rotation shaft unit 22. As a result, the spin base 21 starts rotating together with the rotating shaft portion 22. The rotation speed of the spin base 21, that is, the substrate 9, is set to 1000 to 1500 rpm, for example.

次に、基板処理装置1は、処理液による基板9の下面の処理を行う(ステップS130)。具体的には、具体的には、制御部130が、例えば、開閉弁833a〜833dを選択的に開かせることにより、処理液供給部83に処理液(SC−1、DHF、SC−2、あるいは、リンス液)の供給を開始させる。処理液は、配管832a等を介してノズル50に供給され、ノズル50が基板9の処理面(図示の例では、下面)に向けて処理液の吐出を開始する。処理液は、例えば、600ml/分の流量で、7〜10秒間供給される。その後、制御部130は、開閉弁833a〜833dを閉じさせることにより、処理液供給部83に処理液の供給を停止させる。これにより、ノズル50が基板9の下面に向けた処理液の吐出を停止する。   Next, the substrate processing apparatus 1 processes the lower surface of the substrate 9 with the processing liquid (step S130). Specifically, for example, the control unit 130 selectively opens the on-off valves 833a to 833d to cause the processing liquid supply unit 83 to process the processing liquids (SC-1, DHF, SC-2, Alternatively, the supply of the rinse liquid) is started. The processing liquid is supplied to the nozzle 50 through the pipe 832a and the like, and the nozzle 50 starts to discharge the processing liquid toward the processing surface (the lower surface in the illustrated example) of the substrate 9. For example, the processing liquid is supplied at a flow rate of 600 ml / min for 7 to 10 seconds. Thereafter, the control unit 130 causes the processing liquid supply unit 83 to stop supplying the processing liquid by closing the on-off valves 833a to 833d. Thereby, the nozzle 50 stops the discharge of the processing liquid toward the lower surface of the substrate 9.

処理液供給部83に処理液の供給を停止させると、基板処理装置1は、内部材312を下方位置に移動させて、下方位置に配置する(ステップS140)。具体的には、制御部130が、ガード駆動機構32に内部材312を上方位置から下方位置に移動させて、下方位置で内部材312を停止させる。   When the supply of the processing liquid to the processing liquid supply unit 83 is stopped, the substrate processing apparatus 1 moves the inner member 312 to the lower position and arranges it at the lower position (step S140). Specifically, the control unit 130 causes the guard driving mechanism 32 to move the inner member 312 from the upper position to the lower position, and stops the inner member 312 at the lower position.

内部材312が下方位置に配置されると、内部材312の上端がフランジ部29の下面の側方に位置する。より具体的には、内部材312の上端の下面は、フランジ部29の先端側部分の下面に対して、例えば、下方25mm〜上方25mmの範囲に配置される。好ましくは、図22に示されるように、内部材312の上端の下面とフランジ部29の先端側部分の下面とは同じ高さに配置される。内部材312が下方位置に配置されたことにより内部材312の上端がフランジ部29の下面の側方に位置すると、内部材312は、その上端部分の内周面によって、フランジ部29の下面に沿ってスピンベース21の外部に排出されるリンス液を受けることができる。   When the inner member 312 is disposed at the lower position, the upper end of the inner member 312 is located on the side of the lower surface of the flange portion 29. More specifically, the lower surface of the upper end of the inner member 312 is disposed in a range of, for example, 25 mm below to 25 mm above the lower surface of the distal end portion of the flange portion 29. Preferably, as shown in FIG. 22, the lower surface of the upper end of the inner member 312 and the lower surface of the distal end side portion of the flange portion 29 are disposed at the same height. When the upper end of the inner member 312 is positioned on the side of the lower surface of the flange portion 29 due to the inner member 312 being disposed at the lower position, the inner member 312 is placed on the lower surface of the flange portion 29 by the inner peripheral surface of the upper end portion. A rinse liquid discharged to the outside of the spin base 21 can be received.

内部材312、外部材313の上端部と、遮断板90の外周面との水平方向の間隔D5は、例えば、1mm〜5mmに設定される。間隔D5は、内部材312、外部材313の昇降に関わらず一定である。また、内部材312、外部材313の上端部と、水切り部27の先端との水平方向の間隔D6は、例えば、5mm〜10mmに設定される。内部材312、外部材313の上端部と、フランジ部29の先端面との水平方向の間隔D7は、例えば、15mm〜25mmに設定される。また、内部材312、外部材313の上端部と、基部28の側面との水平方向の間隔D8は、例えば、40mmに設定される。内部材312、外部材313の上端部の厚みは、例えば、5mm程度である。水切り部27の下面と、遮断板90の延設部92の下端面とは略同じ高さに設定され、これらの面と、内部材312の上端部の下面との鉛直方向の間隔D9は、例えば、10mmに設定される。   The horizontal distance D5 between the upper end portions of the inner member 312 and the outer member 313 and the outer peripheral surface of the blocking plate 90 is set to 1 mm to 5 mm, for example. The interval D5 is constant regardless of the elevation of the inner member 312 and the outer member 313. Further, a horizontal distance D6 between the upper end portions of the inner member 312 and the outer member 313 and the tip of the draining portion 27 is set to 5 mm to 10 mm, for example. The horizontal distance D7 between the upper end portions of the inner member 312 and the outer member 313 and the front end surface of the flange portion 29 is set to 15 mm to 25 mm, for example. Further, a horizontal distance D8 between the upper end portions of the inner member 312 and the outer member 313 and the side surface of the base portion 28 is set to 40 mm, for example. The thicknesses of the upper ends of the inner member 312 and the outer member 313 are, for example, about 5 mm. The lower surface of the draining portion 27 and the lower end surface of the extending portion 92 of the blocking plate 90 are set at substantially the same height, and the vertical distance D9 between these surfaces and the lower surface of the upper end portion of the inner member 312 is: For example, it is set to 10 mm.

基板処理装置1は、内部材312を下方位置に配置させた状態で、処理液による基板9の下面の処理を行いつつ、スピンベース21の側面と、内部材312の内周面との洗浄処理を行う(ステップS150)。すなわち、制御部130は、ガード駆動機構32に内部材312を下方位置に配置させた状態で、基板9を保持しつつ回転しているスピンベース21のフランジ部29の下面に向けて、リンス液吐出口86、87にリンス液を吐出させる。具体的には、制御部130は、開閉弁353dを開かせて、リンス液供給源851dから各リンス液吐出口86、87に、例えば、600ml/分の流量で、7〜10秒間リンス液を供給させる。リンス液は、配管852dを介して各リンス液吐出口86、87に供給され、各リンス液吐出口86、87は、リンス液を鉛直方向上方に吐出する。   The substrate processing apparatus 1 cleans the side surface of the spin base 21 and the inner peripheral surface of the inner member 312 while processing the lower surface of the substrate 9 with the processing liquid in a state where the inner member 312 is disposed at the lower position. (Step S150). That is, the controller 130 rinses the rinsing liquid toward the lower surface of the flange portion 29 of the spin base 21 that rotates while holding the substrate 9 in a state where the inner member 312 is disposed at the lower position in the guard driving mechanism 32. A rinse liquid is discharged to the discharge ports 86 and 87. Specifically, the control unit 130 opens the on-off valve 353d and supplies the rinsing liquid from the rinsing liquid supply source 851d to each of the rinsing liquid discharge ports 86 and 87 at a flow rate of, for example, 600 ml / min for 7 to 10 seconds. Supply. The rinse liquid is supplied to the rinse liquid discharge ports 86 and 87 through the pipe 852d, and the rinse liquid discharge ports 86 and 87 discharge the rinse liquid upward in the vertical direction.

なお、各リンス液吐出口86、87へのリンス液の供給開始に先立って、制御部130は、好ましくは、回転駆動部23を制御して、スピンベース21の回転数を上昇させる。具体的には、当該回転数は、例えば、2000rpm〜2500rpm程度に設定される。これにより、フランジ部29の下面に吐出されるリンス液が内部材312により到達しやすくなる。   Prior to the start of supplying the rinse liquid to the rinse liquid discharge ports 86 and 87, the control unit 130 preferably controls the rotation drive unit 23 to increase the rotation speed of the spin base 21. Specifically, the rotation speed is set to, for example, about 2000 rpm to 2500 rpm. Thereby, the rinse liquid discharged to the lower surface of the flange portion 29 can easily reach the inner member 312.

また、制御部130は、ステップS150において、各リンス液吐出口86、87からリンス液を鉛直方向上向きに吐出させつつ、ステップS130の処理と同様に処理液供給部83を制御して基板9の下面に向けてノズル50に処理液を吐出させる。ステップS150において吐出される処理液は、ステップS130において吐出される処理液と同じものでもよいし、異なってもよい。   Further, in step S150, the control unit 130 controls the processing liquid supply unit 83 in the same manner as the processing in step S130 while discharging the rinsing liquid upward from each of the rinsing liquid discharge ports 86 and 87 in the same manner as in step S130. The processing liquid is discharged from the nozzle 50 toward the lower surface. The processing liquid discharged in step S150 may be the same as or different from the processing liquid discharged in step S130.

図22に示されるように、フランジ部29の曲面211に向けて吐出されたリンス液は、基部28の側面に沿って流れ、当該側面を洗浄する。曲面211に達したリンス液の進行方向は、曲面211によってスピンベース21の径方向外側向きに変更される。リンス液は、スピンベース21の回転による遠心力によってフランジ部29の先端から内部材312の上端側に向けて飛ばされる。内部材312が下方位置に配置されて、その上端がフランジ部29の先端側部分の下面の側方に配置された場合には、フランジ部29の先端から飛ばされたリンス液は、図22に示されるように、内部材312の上端側部分の下面を含む内部材312の内周面に飛散し、当該内周面を洗浄する。   As shown in FIG. 22, the rinse liquid discharged toward the curved surface 211 of the flange portion 29 flows along the side surface of the base portion 28 and cleans the side surface. The traveling direction of the rinsing liquid that has reached the curved surface 211 is changed outward in the radial direction of the spin base 21 by the curved surface 211. The rinse liquid is blown from the tip of the flange portion 29 toward the upper end side of the inner member 312 by the centrifugal force generated by the rotation of the spin base 21. When the inner member 312 is disposed at the lower position and the upper end thereof is disposed on the side of the lower surface of the distal end side portion of the flange portion 29, the rinse liquid blown off from the distal end of the flange portion 29 is shown in FIG. As shown, the inner member 312 is scattered on the inner peripheral surface including the lower surface of the upper end side portion, and the inner peripheral surface is cleaned.

また、ノズル50によって基板9の下面に供給された処理液は、遮断板90の延設部92の先端部(下端部)と、スピンベース21の水切り部27の先端部との隙間G1(図7)からスピンベース21の外部に排出される。水切り部27は、フランジ部29よりも上方に位置するとともに、フランジ部29よりもスピンベース21の径方向外側に突出している。従って、水切り部27の上面から排出される処理液と、フランジ部29の下面から排出されるリンス液とは互いに分離された状態でスピンベース21から排出される。排出された処理液とリンス液とは、内部材312の上端側部分によって互いに分離された状態で、上下方向に拡がりつつスピンベース21の径方向外側に飛散する。処理液は、外部材313の上端側部分の上面上方位置に配置されている外部材313によって受けられる。リンス液は、内部材312の上端側部分の内周面を含む外部材313の内周面に受けられて、内周面を洗浄する。   Further, the processing liquid supplied to the lower surface of the substrate 9 by the nozzle 50 is a gap G <b> 1 between the distal end portion (lower end portion) of the extending portion 92 of the blocking plate 90 and the distal end portion of the draining portion 27 of the spin base 21 (FIG. 7) and discharged to the outside of the spin base 21. The draining portion 27 is located above the flange portion 29 and protrudes outward in the radial direction of the spin base 21 from the flange portion 29. Accordingly, the treatment liquid discharged from the upper surface of the draining portion 27 and the rinse liquid discharged from the lower surface of the flange portion 29 are discharged from the spin base 21 in a state of being separated from each other. The discharged processing liquid and rinsing liquid are separated from each other by the upper end side portion of the inner member 312, and spread to the outside in the radial direction of the spin base 21 while spreading in the vertical direction. The processing liquid is received by the outer member 313 disposed at a position above the upper surface of the upper end portion of the outer member 313. The rinse liquid is received by the inner peripheral surface of the outer member 313 including the inner peripheral surface of the upper end side portion of the inner member 312 and cleans the inner peripheral surface.

制御部130は、ステップS150の処理が終了すると、処理液供給部83、リンス液供給部85に処理液、リンス液の供給を停止させて、内部材312、外部材313の下方位置への移動、あるいはスピンベース21の回転停止等を行う。   When the process of step S150 is completed, the control unit 130 causes the processing liquid supply unit 83 and the rinsing liquid supply unit 85 to stop supplying the processing liquid and the rinsing liquid, and the inner member 312 and the outer member 313 are moved to lower positions. Alternatively, the rotation of the spin base 21 is stopped.

既述したように、水切り部27の外周縁部の上面は、斜め上方外側に向けて張り出して湾曲した曲面であり、水切り部27の外周縁部(先端部分)、外周縁に近づくにつれて徐々に厚みが薄くなっている。従って、隙間G1から排出された処理液が、水切り部27の下面に沿ってフランジ部29側に回り込むことが抑制される。従って、処理液が、フランジ部29から排出されるリンス液に混じって内部材312の内周面に向けて飛散することが抑制される。   As described above, the upper surface of the outer peripheral edge portion of the draining portion 27 is a curved surface that protrudes obliquely upward and outward, and is gradually curved toward the outer peripheral edge (tip portion) of the draining portion 27 and the outer peripheral edge. The thickness is thin. Accordingly, the treatment liquid discharged from the gap G <b> 1 is suppressed from flowing around the flange portion 29 side along the lower surface of the draining portion 27. Accordingly, the processing liquid is prevented from being scattered toward the inner peripheral surface of the inner member 312 by being mixed with the rinse liquid discharged from the flange portion 29.

例えば、後述する水切り部27B(図13)の先端面は鉛直面であるが、水切り部27Bも、フランジ部29より上方に位置するとともに、フランジ部29よりスピンベース21の径方向外側に突出している。従って、水切り部27Bの上面から排出される処理液と、フランジ部29の下面から排出されるリンス液とは互いに分離された状態でスピンベース21から排出される。このように、水切り部27Bが採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。   For example, although the front end surface of a draining portion 27B (FIG. 13) to be described later is a vertical surface, the draining portion 27B is also located above the flange portion 29 and protrudes radially outward of the spin base 21 from the flange portion 29. Yes. Therefore, the treatment liquid discharged from the upper surface of the draining portion 27B and the rinse liquid discharged from the lower surface of the flange portion 29 are discharged from the spin base 21 in a state of being separated from each other. Thus, even if the draining part 27B is employed, the usefulness of the present invention is not impaired.

例えば、水切り部27(27B)が設けられない場合には、基板9に吐出されて基板を経てスピンベース21から排出される処理液の一部は、フランジ部29の下面側に回り込む。この場合には、回り込んだ処理液は、フランジ部の下面に向けて下方から吐出されて当該下面に沿って排出されるリンス液と混じってスピンベース21から排出される。しかしながら、基板9に供給される処理液として、リンス液供給部85が供給するリンス液と同じリンス液が採用されれば、当該混合による問題は生じることなく、リンス液によって基板9の洗浄と、内部材312の内周面の洗浄とを並行して行うことができる。従って、水切り部27(27B)が設けられないとしても本発明の有用性を損なうものではない。   For example, when the draining portion 27 (27B) is not provided, a part of the processing liquid discharged to the substrate 9 and discharged from the spin base 21 through the substrate wraps around the lower surface side of the flange portion 29. In this case, the wrapping processing liquid is discharged from the spin base 21 together with the rinsing liquid discharged from below toward the lower surface of the flange portion and discharged along the lower surface. However, if the same rinsing liquid as the rinsing liquid supplied by the rinsing liquid supply unit 85 is adopted as the processing liquid supplied to the substrate 9, the substrate 9 is cleaned with the rinsing liquid without causing problems due to the mixing. Cleaning of the inner peripheral surface of the inner member 312 can be performed in parallel. Therefore, even if the draining portion 27 (27B) is not provided, the usefulness of the present invention is not impaired.

また、例えば、ステップS150においてノズル50から処理液を吐出せずにリンス液吐出口86、87からのリンス液を吐出すれば、ステップ130において基板9に付着して残存している処理液を、基板9の高速回転によって振り切って基板9を乾燥させることができる。この場合には、ステップS150において、多量の処理液が基板9を経てスピンベース21から排出されることがない。従って、外部材313を設けられない場合でも、ステップS150において、スピンベース21の側面の洗浄と、内部材312の内周面の洗浄とを、リンス液吐出口86、87によって行うことかできる。従って、外部材313が設けられないとしても本発明の有用性を損なうものではない。   Further, for example, if the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid discharge ports 86 and 87 without discharging the processing liquid from the nozzle 50 in step S150, the remaining processing liquid attached to the substrate 9 in step 130 is The substrate 9 can be dried by being shaken off by the high-speed rotation of the substrate 9. In this case, a large amount of processing liquid is not discharged from the spin base 21 through the substrate 9 in step S150. Therefore, even if the outer member 313 is not provided, the cleaning of the side surface of the spin base 21 and the cleaning of the inner peripheral surface of the inner member 312 can be performed by the rinse liquid discharge ports 86 and 87 in step S150. Therefore, even if the outer member 313 is not provided, the usefulness of the present invention is not impaired.

また、フランジ部29の基端部分の下面に曲面211が形成されておらず、例えば、フランジ部29の下面と、基部28の側面とが略直交していてもよい。この場合においても、フランジ部29の下面に吐出されたリンス液は、スピンベース21の回転による遠心力によりフランジ部29の先端から内部材312の内周面に向けて排出される。   Further, the curved surface 211 is not formed on the lower surface of the base end portion of the flange portion 29, and for example, the lower surface of the flange portion 29 and the side surface of the base portion 28 may be substantially orthogonal. Even in this case, the rinse liquid discharged to the lower surface of the flange portion 29 is discharged from the tip of the flange portion 29 toward the inner peripheral surface of the inner member 312 by the centrifugal force generated by the rotation of the spin base 21.

また、各リンス液吐出口87が、スピンベース21の下面周縁部に向けてリンス液を吐出しない場合でも、各リンス液吐出口86がフランジ部29の下面に向けてリンス液を吐出すれば、スピンベース21の側面の洗浄と、内部材312の内周面の洗浄とを行うことができる。従って、各リンス液吐出口87が設けられないとしても本発明の有用性を損なうものではない。   Further, even when each rinse liquid discharge port 87 does not discharge the rinse liquid toward the lower surface peripheral portion of the spin base 21, if each rinse liquid discharge port 86 discharges the rinse liquid toward the lower surface of the flange portion 29, Cleaning of the side surface of the spin base 21 and cleaning of the inner peripheral surface of the inner member 312 can be performed. Therefore, even if each rinse liquid discharge port 87 is not provided, the usefulness of the present invention is not impaired.

また、スピンベース21、リンス液吐出口86、87、および内部材312のうちスピンベース21のみが回転軸a1を中心に回転する。このため、多数のリンス液吐出口86がスピンベース21の周方向に沿って分散して配置されれば、内部材312の内周面をより均一に洗浄できるので好ましいが、1つのリンス液吐出口86のみが設けられるとしてもスピンベース21の側面と内部材312の内周面とを並行して洗浄できるので、本発明の有用性を損なうものではない。   Further, only the spin base 21 of the spin base 21, the rinse liquid discharge ports 86 and 87, and the inner member 312 rotates around the rotation axis a1. For this reason, it is preferable that a large number of rinse liquid discharge ports 86 are arranged along the circumferential direction of the spin base 21 because the inner peripheral surface of the inner member 312 can be more uniformly cleaned. Even if only the outlet 86 is provided, the side surface of the spin base 21 and the inner peripheral surface of the inner member 312 can be cleaned in parallel, so that the usefulness of the present invention is not impaired.

<4.他の実施形態について>
図10、図11は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板90Aとスピンベース21Aとを示す斜視図である。図11は、遮断板90Aが処理位置に配置されたときの遮断板90Aとスピンベース21Aを示す斜視図である。
<4. About other embodiments>
10 and 11 are perspective views showing a blocking plate 90A and a spin base 21A as another configuration example of the blocking plate and the spin base of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 11 is a perspective view showing the shielding plate 90A and the spin base 21A when the shielding plate 90A is disposed at the processing position.

遮断板90Aは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Aを備えることを除いて、遮断板90と同様に構成されている。延設部92Aは、延設部92と同様に、円板状の本体部91の周縁部からスピンベース21Aの側方に延設されており、回転軸a1を中心とする周方向に沿って環状に延在する筒状壁部である。延設部92Aと延設部92との差異は、遮断板90がその先端側部分に2つの規制構造94を備えていたことに対して、延設部92Aが、その先端側部分に複数の規制構造94Aを備えることである。   The blocking plate 90 </ b> A is configured in the same manner as the blocking plate 90 except that the extending portion 92 </ b> A is provided instead of the extending portion 92 of the blocking plate 90. Similarly to the extending portion 92, the extending portion 92 </ b> A extends from the peripheral portion of the disk-shaped main body portion 91 to the side of the spin base 21 </ b> A, and extends along the circumferential direction about the rotation axis a <b> 1. It is the cylindrical wall part extended cyclically | annularly. The difference between the extending portion 92A and the extending portion 92 is that the blocking plate 90 has two restriction structures 94 at the distal end side portion thereof, whereas the extending portion 92A has a plurality of distal end side portions. The restriction structure 94A is provided.

また、スピンベース21Aは、スピンベース21の水切り部27の先端部分に、突出部26に代えて、突出部26Aを備えることを除いてスピンベース21と同様に構成されている。規制構造94Aと突出部26Aとは、回転軸a1を中心とする周方向へのスピンベース21Aと遮断板90Aとの互いの相対的な動きを規制する規制部201Aである。   The spin base 21A is configured in the same manner as the spin base 21 except that a protrusion 26A is provided in place of the protrusion 26 at the tip of the draining portion 27 of the spin base 21. The restricting structure 94A and the protruding portion 26A are restricting portions 201A that restrict the relative movement of the spin base 21A and the blocking plate 90A in the circumferential direction about the rotation axis a1.

複数の規制構造94Aは、延設部92Aの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。各規制構造94Aは、突出部26Aの少なくとも一部を収容可能な形状に形成された凹み部である。各規制構造94Aは、延設部92Aの先端部分を遮断板90Aの径方向に沿って貫通するとともに、当該先端部分の下方にも開口している。すなわち、規制構造94Aは、スピンベース21Aの側面部分から突出する突出部26Aへ回転軸a1方向に沿って向かう方向に開口している。なお、図6に示される規制構造94のように、規制構造94Aが、延設部92Aの先端部分を遮断板90Aの径方向に沿って貫通していないとしても、本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、遮断板90Aによる基板9の密閉性を向上させることができる。   The plurality of restriction structures 94A are continuously provided over the entire circumference in the circumferential direction of the distal end side portion of the extending portion 92A. Each restricting structure 94A is a recess formed in a shape capable of accommodating at least a part of the protruding portion 26A. Each restricting structure 94A penetrates the distal end portion of the extending portion 92A along the radial direction of the blocking plate 90A, and also opens below the distal end portion. That is, the restricting structure 94A opens in a direction along the direction of the rotation axis a1 to the protruding portion 26A protruding from the side surface portion of the spin base 21A. Note that, even if the restriction structure 94A does not penetrate through the distal end portion of the extending portion 92A along the radial direction of the blocking plate 90A as in the restriction structure 94 shown in FIG. 6, the usefulness of the present invention is impaired. It is not a thing. In this case, the sealing property of the substrate 9 by the blocking plate 90A can be improved.

規制構造94Aのうち少なくとも下方側の開口部分の周方向に沿った幅W1は、当該開口に近づくにつれて広くなっている。具体的には、規制構造94Aは、回転軸a1を中心とする周方向に沿って互いに斜めに対向する側面(斜面)943A、944Aを備えている。側面943Aと、側面944Aとの当該周方向に沿った幅W1は、下方に近づくにつれて広くなっている。   The width W1 along the circumferential direction of at least the lower opening portion of the restricting structure 94A becomes wider as the opening approaches. Specifically, the restriction structure 94A includes side surfaces (slopes) 943A and 944A that are diagonally opposed to each other along the circumferential direction around the rotation axis a1. The width W1 along the circumferential direction of the side surface 943A and the side surface 944A becomes wider as approaching downward.

突出部26Aは、例えば、五角柱状に形成されており、その軸方向は、スピンベース21Aの径方向に沿っている。突出部26Aは、長方形状の水平な底面267Aと、スピンベース21Aの周方向における底面267Aの両端のそれぞれから上方、すなわち規制構造94Aの開口側に立設された長方形状の側面265A、266Aとを備える。側面265A、266Aは、鉛直面である。側面265A、266Aの上端部には、斜面263A、264Aが接続している。斜面263Aと斜面264Aとは、突出部26Aの先端部分(上端部分)を形成している。斜面263Aと、規制構造94Aの側面943Aとは互いに略平行であり、斜面264Aと側面944Aも互いに略平行である。斜面263Aと斜面264Aとの回転軸a1を中心とする周方向の幅W2は、上方に近づくにつれて狭くなっている。すなわち、突出部26Aのうち少なくとも先端部分は、延設部92Aの先端側部分の規制構造94Aに対向し、当該先端部分の回転軸a1を中心とする周方向に沿った幅W2は、規制構造94に近づくにつれて狭くなっている。また、規制構造94Aと突出部26Aとは、好ましくは、突出部26Aのうち少なくとも先端側部分が、規制構造94Aのうち少なくとも突出部26A側の開口部分に嵌合可能なようにそれぞれ形成される。   The protruding portion 26A is formed in a pentagonal column shape, for example, and its axial direction is along the radial direction of the spin base 21A. The protruding portion 26A includes a rectangular horizontal bottom surface 267A, and rectangular side surfaces 265A and 266A provided upright from both ends of the bottom surface 267A in the circumferential direction of the spin base 21A, that is, on the opening side of the restricting structure 94A. Is provided. The side surfaces 265A and 266A are vertical surfaces. Slopes 263A, 264A are connected to the upper ends of the side surfaces 265A, 266A. The slope 263A and the slope 264A form a tip portion (upper end portion) of the protruding portion 26A. The slope 263A and the side surface 943A of the restriction structure 94A are substantially parallel to each other, and the slope 264A and the side surface 944A are also substantially parallel to each other. The width W2 in the circumferential direction centering on the rotation axis a1 between the slope 263A and the slope 264A becomes narrower as approaching upward. That is, at least the tip portion of the protruding portion 26A faces the restriction structure 94A on the tip side portion of the extending portion 92A, and the width W2 along the circumferential direction around the rotation axis a1 of the tip portion has a restriction structure. As it approaches 94, it becomes narrower. Further, the restricting structure 94A and the protruding portion 26A are preferably formed so that at least the tip side portion of the protruding portion 26A can be fitted to at least the opening portion on the protruding portion 26A side of the restricting structure 94A. .

ここで、スピンベース21Aと遮断板90Aとのうち少なくとも一方が周方向の初期位置に配置されておらず、かつ、何れか一方が、当該周方向への回転をロックされておらず、他方がロックされている状態で、遮断板90Aが待避位置から処理位置に移動される場合について、検討する。   Here, at least one of the spin base 21A and the blocking plate 90A is not disposed at the initial position in the circumferential direction, and either one is not locked for rotation in the circumferential direction, and the other is Consider the case where the blocking plate 90A is moved from the retracted position to the processing position in the locked state.

複数の規制構造94Aは、延設部92Aの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。従って、遮断板90Aの処理位置への移動の途中で、突出部26Aの先端が、複数の規制構造94Aのうち何れか1つの規制構造94Aに当接する。殆どの場合は、図10に示されるように、規制構造94の側面944Aと、突出部26Aの斜面264Aとが当接するか、あるいは、規制構造94の側面943Aと、突出部26Aの斜面263Aとが当接することとなる。すなわち、互いにほぼ同じ傾斜の斜面同士が互いに当接する。   The plurality of restriction structures 94A are continuously provided over the entire circumference in the circumferential direction of the distal end side portion of the extending portion 92A. Accordingly, during the movement of the blocking plate 90A to the processing position, the tip of the protrusion 26A comes into contact with any one of the plurality of restriction structures 94A. In most cases, as shown in FIG. 10, the side surface 944A of the restricting structure 94 and the inclined surface 264A of the protruding portion 26A come into contact with each other, or the side surface 943A of the restricting structure 94 and the inclined surface 263A of the protruding portion 26A Will come into contact. That is, the inclined surfaces having substantially the same inclination contact each other.

この状態から、遮断板90Aがさらに処理位置へと移動されると、その過程で、規制構造94Aの頂部と突出部26Aの先端とが互いに周方向に沿って近づくように、延設部92Aが、スピンベース21Aに対して周方向に相対的に回転しつつ処理位置へと移動される。そして、図11に示されるように、遮断板90Aが処理位置に配置されたときに、突出部26Aの先端側部分が、規制構造94Aに収容される。これにより、遮断板90Aは、スピンベース21Aに対する周方向への相対的な動きを規制される。   From this state, when the blocking plate 90A is further moved to the processing position, in the process, the extending portion 92A is moved so that the top of the restricting structure 94A and the tip of the protruding portion 26A approach each other in the circumferential direction. Then, it is moved to the processing position while rotating relative to the spin base 21A in the circumferential direction. Then, as shown in FIG. 11, when the blocking plate 90A is disposed at the processing position, the tip end portion of the protruding portion 26A is accommodated in the restricting structure 94A. Thereby, the blocking plate 90A is restricted from moving in the circumferential direction with respect to the spin base 21A.

また、遮断板90Aが処理位置に配置されたときに、各規制構造94Aの上端と、突出部26Aの上端とは、スピンベース21Aの上面よりも下方に設けられている。従って、基板9の処理面から排出される処理液が、規制部201Aに当たって跳ね返る場合でも、跳ね返った処理液の基板9の非処理面への付着を抑制できる。   When the blocking plate 90A is disposed at the processing position, the upper ends of the restricting structures 94A and the upper ends of the protruding portions 26A are provided below the upper surface of the spin base 21A. Therefore, even when the processing liquid discharged from the processing surface of the substrate 9 hits the regulating portion 201A and rebounds, the rebounding of the processing liquid on the non-processing surface of the substrate 9 can be suppressed.

なお、複数の規制構造94Aがスピンベース21Aの側面部分において周方向に沿って設けられ、突出部26Aが、延設部92Aの先端側部分に設けられてもよい。   A plurality of restricting structures 94A may be provided along the circumferential direction at the side surface portion of the spin base 21A, and the protruding portion 26A may be provided at the tip side portion of the extending portion 92A.

図14〜図17は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、遮断板90Cとスピンベース21Cとの規制部201Cを示す横断面図である。遮断板90Cは、処理位置に配置されている。図14は、スピンベース21が静止している状態の規制部201を示し、図15は、スピンベース21Cが加速しつつ回転しているときの規制部201Cを示している。図16は、スピンベース21Cが等速回転しているときの規制部201Cを示し、図17は、スピンベース21Cが減速しつつ回転しているときの規制部201Cを示している。   14 to 17 are cross-sectional views showing a restricting portion 201C of the shield plate 90C and the spin base 21C as another configuration example of the shield plate and the spin base restricting portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. The shielding plate 90C is disposed at the processing position. FIG. 14 shows the restricting portion 201 in a state where the spin base 21 is stationary, and FIG. 15 shows the restricting portion 201C when the spin base 21C is rotating while accelerating. FIG. 16 shows the restricting portion 201C when the spin base 21C rotates at a constant speed, and FIG. 17 shows the restricting portion 201C when the spin base 21C rotates while decelerating.

スピンベース21Cは、スピンベース21の突出部26に代えて、突出部26Cを備えることを除いて、スピンベース21と同様に構成されている。突出部26Cは、内部に磁石101aを備えることを除いて、突出部26と同様に構成されている。磁石101aのN極は、側面263側に配置され、S極は側面264側に配置されている。磁石101aは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように突出部26Cに設けられている。   The spin base 21 </ b> C is configured in the same manner as the spin base 21 except that the protrusion 26 </ b> C is provided instead of the protrusion 26 of the spin base 21. The protruding portion 26C is configured in the same manner as the protruding portion 26 except that the protruding portion 26C includes a magnet 101a therein. The N pole of the magnet 101a is disposed on the side surface 263 side, and the S pole is disposed on the side surface 264 side. The magnet 101a is provided on the protruding portion 26C so that the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction around the rotation axis a1.

遮断板90Cは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Cを備えることを除いて、遮断板90と同様に構成されている。延設部92Cは、内部に磁石101b、101cを備えることを除いて、延設部92と同様に構成されている。磁石101bは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、N極が、S極よりも規制構造94の側面943に近くなるように規制構造94に対してスピンベース21Cの回転方向上流側に設けられている。磁石101cは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、S極が、N極よりも規制構造94の側面944に近くなるように規制構造94に対してスピンベース21Cの回転方向下流側に設けられている。   The shielding plate 90 </ b> C is configured in the same manner as the shielding plate 90 except that the extending portion 92 </ b> C is provided instead of the extending portion 92 of the shielding plate 90. The extending portion 92C is configured in the same manner as the extending portion 92, except that the magnets 101b and 101c are provided inside. The magnet 101b is configured such that the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction around the rotation axis a1, and the N pole is closer to the side surface 943 of the restriction structure 94 than the S pole. The structure 94 is provided on the upstream side in the rotation direction of the spin base 21C. The magnet 101c is configured such that the N pole and the S pole are sequentially arranged substantially along the circumferential direction around the rotation axis a1, and the S pole is closer to the side surface 944 of the restriction structure 94 than the N pole. The structure 94 is provided on the downstream side in the rotation direction of the spin base 21C.

このように、磁石101a〜101cは、磁石101bのN極と、磁石101aのN極とが向き合い、磁石101aのS極と磁石101cのS極とが互いに向き合うように配列されている。そして、N極同士、S極同士の間に磁気的な斥力が働く。また、各磁石101a〜101c、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。   Thus, the magnets 101a to 101c are arranged so that the N pole of the magnet 101b and the N pole of the magnet 101a face each other, and the S pole of the magnet 101a and the S pole of the magnet 101c face each other. And a magnetic repulsion works between N poles and between S poles. Moreover, it is preferable that the magnets 101a to 101c generate magnetic fields having substantially the same strength.

すなわち、磁石101a〜101cは、規制構造94のうち突出部26Cに対して回転軸a1を中心とする周方向の前後に配置された側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を広げるように磁気的な斥力を作用させる。当該磁気的な斥力によって、規制構造94に対する突出部26Cの周方向への相対的な動きが規制される。また、磁石101a〜101cのそれぞれのN極とS極とが互いに反転するように磁石101a〜101cが設けられてもよい。   That is, the magnets 101a to 101c widen the gaps between the protrusions 26C and the side surfaces 943 and 944 disposed on the front and rear in the circumferential direction around the rotation axis a1 with respect to the protrusions 26C of the restricting structure 94. Magnetic repulsive force is applied to By the magnetic repulsive force, the relative movement in the circumferential direction of the protruding portion 26 </ b> C with respect to the restricting structure 94 is restricted. Further, the magnets 101a to 101c may be provided so that the N pole and the S pole of the magnets 101a to 101c are inverted from each other.

図14に示されるように、スピンベース21が静止しているときには、側面943と側面263との間隔を広げるように作用する力と、側面944と側面264との間隔を広げるように作用する力とは、互いに略等しくなり、これらの間隔は、略等しくなる。図16に示されるように、スピンベース21が等速回転しているときも、これらの間隔は、略等しくなる。   As shown in FIG. 14, when the spin base 21 is at rest, a force that acts to widen the distance between the side surface 943 and the side surface 263 and a force that acts to widen the distance between the side surface 944 and the side surface 264. And are substantially equal to each other, and their intervals are substantially equal. As shown in FIG. 16, even when the spin base 21 is rotating at a constant speed, these intervals are substantially equal.

図15に示されるように、スピンベース21が加速しているときには、各磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース21の加速によって、側面944と側面264との間隔を狭めるとともに、側面943と側面263との間隔を広げる力が更に作用する。このため、側面944と側面264との間隔は、側面943と側面263との間隔よりも広くなる。   As shown in FIG. 15, when the spin base 21 is accelerating, the distance between the side surface 944 and the side surface 264 is reduced by the acceleration of the spin base 21 in addition to the magnetic repulsive force between the magnets. A force that widens the distance between 943 and the side surface 263 further acts. For this reason, the interval between the side surface 944 and the side surface 264 is wider than the interval between the side surface 943 and the side surface 263.

図17に示されるように、スピンベース21が減速しているときには、磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース21の減速によって、側面944と側面264との間隔を拡げるとともに、側面943と側面263との間隔を狭める力が更に作用する。このため、側面944と側面264との間隔は、側面943と側面263との間隔よりも狭くなる。   As shown in FIG. 17, when the spin base 21 is decelerating, in addition to the magnetic repulsive force between the magnets, the spin base 21 is decelerated to widen the distance between the side surface 944 and the side surface 264, and the side surface 943. The force which narrows the space | interval with the side surface 263 acts further. For this reason, the distance between the side surface 944 and the side surface 264 is narrower than the distance between the side surface 943 and the side surface 263.

各磁石101a〜101cと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Cである。   Each of the magnets 101a to 101c, the restricting structure 94, and the protruding portion 26C are restricting portions 201C that restrict the relative movement (position) of the blocking plate 90C with respect to the spin base 21C in the circumferential direction around the rotation axis a1. It is.

図14〜図17に示されるように遮断板90Cが処理位置に配置されているときには、スピンベース21の加速中、減速中を含めて、突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とは、常に、非接触の状態で、互いに回転軸a1を中心とする周方向の動きを規制することが好ましい。この場合には、突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94との接触による発塵を完全に防止できる。仮に、各磁石が作用させる斥力の大きさや、スピンベース21Cの加速度の大きさに起因して、スピンベース21の加速中、減速中に突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とが接触するとしても、各磁石101a〜101cが設けられない場合に比べて、接触時の衝撃を大幅に軽減できる。従って、スピンベース21の加速中、減速中に突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とが接触するとしても、本発明の有用性を損なうものではない。   As shown in FIGS. 14 to 17, when the blocking plate 90C is disposed at the processing position, the projecting portion 26C and the regulating structure 94 of the extending portion 92C, including during the acceleration and deceleration of the spin base 21, It is preferable to always regulate the circumferential movement around the rotation axis a1 in a non-contact state. In this case, dust generation due to contact between the protruding portion 26C and the restriction structure 94 of the extending portion 92C can be completely prevented. Temporarily, due to the magnitude of repulsive force applied by each magnet and the magnitude of the acceleration of the spin base 21C, the protruding portion 26C and the restricting structure 94 of the extending portion 92C are during the acceleration and deceleration of the spin base 21. Even if it contacts, compared with the case where each magnet 101a-101c is not provided, the impact at the time of a contact can be reduced significantly. Therefore, even if the projecting portion 26C comes into contact with the regulating structure 94 of the extending portion 92C during acceleration or deceleration of the spin base 21, the usefulness of the present invention is not impaired.

図18は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部92Dとスピンベース21Cとの規制部201Dを示す断面図である。図19は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部92Eとスピンベース21Cとの規制部201Eを示す断面図である。図18、図19は、規制部201D、201E部分を、回転軸a1を中心とする円筒によってそれぞれ切断した断面図である。   FIG. 18 is a cross-sectional view showing a restricting portion 201D of the extending portion 92D and the spin base 21C as another configuration example of the blocking plate and the spin base restricting portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 19 is a cross-sectional view showing a restricting portion 201E of the extending portion 92E and the spin base 21C as another configuration example of the blocking plate and the spin base restricting portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 18 and 19 are cross-sectional views in which the restricting portions 201D and 201E are cut by a cylinder having the rotation axis a1 as the center.

図18、図19に示されるスピンベース21Cは、図14に示されるスピンベース21Cと同様の構成を備えている。図18の遮断板90Dは、図14の遮断板90Cの延設部92Cに代えて、延設部92Dを備えることを除いて、遮断板90Cと同様に構成されている。延設部92Dは、内部に磁石101dをさらに備えることを除いて、延設部92Cと同様に構成されている。各磁石101a〜101eは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石101dは、規制構造94の上面941に沿って、N極とS極とが回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように設けられている。磁石101dのN極は、磁石101aのN極と向き合い、磁石101dのS極は、磁石101aのS極と向き合う。これにより、磁石101a、101d間には、磁気的な斥力が働く。これにより、上面941と上面261との間隔を拡げようとする力が作用する。   The spin base 21C shown in FIGS. 18 and 19 has the same configuration as the spin base 21C shown in FIG. A blocking plate 90D in FIG. 18 is configured in the same manner as the blocking plate 90C except that an extending portion 92D is provided instead of the extending portion 92C of the blocking plate 90C in FIG. The extending portion 92D is configured in the same manner as the extending portion 92C except that the extending portion 92D further includes a magnet 101d. Each of the magnets 101a to 101e preferably generates a magnetic field having substantially the same strength. The magnet 101d is provided such that the N pole and the S pole are sequentially arranged along the upper surface 941 of the restricting structure 94 substantially along the circumferential direction around the rotation axis a1. The north pole of the magnet 101d faces the north pole of the magnet 101a, and the south pole of the magnet 101d faces the south pole of the magnet 101a. As a result, a magnetic repulsive force acts between the magnets 101a and 101d. As a result, a force acts to increase the distance between the upper surface 941 and the upper surface 261.

磁石101a〜101cは、規制構造94の側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を、回転軸a1を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石101a、101dは、規制構造94の上面941と、突出部26Cの上面261との間隔を回転軸a1方向(鉛直方向)に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面941と上面261とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造94と突出部26Cとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。   The magnets 101a to 101c act on a magnetic repulsive force that widens the intervals between the side surfaces 943 and 944 of the restricting structure 94 and the protruding portion 26C in the circumferential direction around the rotation axis a1. Further, the magnets 101a and 101d apply a magnetic repulsive force so as to widen the distance between the upper surface 941 of the restricting structure 94 and the upper surface 261 of the protruding portion 26C in the direction of the rotation axis a1 (vertical direction). Thereby, the movement of the upper surface 941 and the upper surface 261 approaching each other is restricted, and the mutual contact is also suppressed, so that the generation of dust due to the contact between the restriction structure 94 and the protruding portion 26C can be further suppressed.

各磁石101a〜101dと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Dである。   Each of the magnets 101a to 101d, the restricting structure 94, and the protruding portion 26C has a relative movement (position) of the blocking plate 90C with respect to the spin base 21C in both the circumferential direction around the rotation axis a1 and the vertical direction. ) Is a restriction unit 201D.

図19の遮断板90Eは、図14の遮断板90Cの延設部92Cに代えて、延設部92Eを備えることを除いて、遮断板90Cと同様に構成されている。延設部92Eは、内部に磁石101e、101fをさらに備えることを除いて、延設部92Cと同様に構成されている。各磁石101a〜101c、101e、101fは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石101eは、規制構造94の上面941の上方において、そのN極が上面941に近接し、その上方にS極が位置するように設けられている。また、磁石101dのN極と、磁石101aのN極とは互いに向き合っている。磁石101fは、規制構造94の上面941の上方において、そのS極が上面941に近接し、その上方にN極が位置するように設けられている。また、磁石101dのS極と、磁石101aのS極とは互いに向き合っている。   A blocking plate 90E in FIG. 19 is configured in the same manner as the blocking plate 90C except that an extending portion 92E is provided instead of the extending portion 92C of the blocking plate 90C in FIG. The extending portion 92E is configured in the same manner as the extending portion 92C, except that magnets 101e and 101f are further provided inside. Each of the magnets 101a to 101c, 101e, and 101f preferably generates a magnetic field having substantially the same strength. The magnet 101e is provided above the upper surface 941 of the restricting structure 94 such that the N pole is close to the upper surface 941 and the S pole is positioned above the upper surface 941. Further, the N pole of the magnet 101d and the N pole of the magnet 101a face each other. The magnet 101f is provided above the upper surface 941 of the restricting structure 94 such that the south pole is close to the upper surface 941 and the north pole is positioned above the upper surface 941. Further, the south pole of the magnet 101d and the south pole of the magnet 101a face each other.

これにより、磁石101a、101e間に、磁気的な斥力が働くとともに、磁石101a、101fの間にも磁気的な斥力が働く。これにより、上面941と上面261との間隔を拡げようとする力が作用する。   Thereby, a magnetic repulsive force acts between the magnets 101a and 101e, and a magnetic repulsive force also acts between the magnets 101a and 101f. As a result, a force acts to increase the distance between the upper surface 941 and the upper surface 261.

磁石101a〜101eは、規制構造94の側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を、回転軸a1を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石101a、101e、101fは、規制構造94の上面941と、突出部26Cの上面261との間隔を回転軸a1方向(鉛直方向)に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面941と上面261とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造94と突出部26Cとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。   The magnets 101a to 101e act on a magnetic repulsive force that widens the intervals between the side surfaces 943 and 944 of the restricting structure 94 and the protruding portion 26C in the circumferential direction around the rotation axis a1. Furthermore, the magnets 101a, 101e, and 101f apply a magnetic repulsive force so as to widen the distance between the upper surface 941 of the restricting structure 94 and the upper surface 261 of the protruding portion 26C in the direction of the rotation axis a1 (vertical direction). Thereby, the movement of the upper surface 941 and the upper surface 261 approaching each other is restricted, and the mutual contact is also suppressed, so that the generation of dust due to the contact between the restriction structure 94 and the protruding portion 26C can be further suppressed.

各磁石101a〜101c、101e、101fと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Eである。   The magnets 101a to 101c, 101e, and 101f, the restricting structure 94, and the projecting portion 26C are relative to the spin base 21C relative to the spin base 21C in both the circumferential direction around the rotation axis a1 and the vertical direction. It is the regulation part 201E which regulates a gentle movement (position).

なお、基板処理装置1が遮断板90、90A〜90Eを備えていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、内部材312、外部材313の処理位置は、遮断板90等が設けられている場合に比べて上方の位置、例えば、基板9の上面よりも上方の位置に設定される。また、遮断板90、90A〜90Eが設けられている場合において、規制部201、201C〜201Eがスピンベース21の上面と同じ高さ、若しくは、当該上面よりも上方に設けられたとしても本発明の有用性を損なうものではない。   In addition, even if the substrate processing apparatus 1 does not include the shielding plates 90 and 90A to 90E, the usefulness of the present invention is not impaired. In this case, the processing positions of the inner member 312 and the outer member 313 are set to an upper position, for example, a position higher than the upper surface of the substrate 9 as compared with the case where the blocking plate 90 or the like is provided. Further, in the case where the blocking plates 90 and 90A to 90E are provided, the present invention even if the restricting portions 201 and 201C to 201E are provided at the same height as the upper surface of the spin base 21 or above the upper surface. It does not impair the usefulness.

以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、基板9から排出される処理液を受けることが可能な上方位置に内部材312が配置された状態で、処理液吐出部83Aが基板9の処理面に向けて処理液を吐出する。その後、内部材312の上端がスピンベース21のフランジ部29の側方に位置する下方位置に内部材312が配置された状態で、リンス液吐出部85Aが、基板を保持しつつ回転するスピンベース21のフランジ部29に向けてリンス液を吐出する。吐出されたリンス液は、フランジ部29の下面からスピンベース21の径方向外側に向けて排出される。下方位置に配置された内部材312の上端は、フランジ部29の側方に位置するので、排出された処理液は内部材312の上端部分の内周面に当る。これにより、スピンベース21に基板9を保持した状態で、処理液が付着している内部材312とスピンベース21との双方を共通のリンス液吐出部85Aによって洗浄できる。   In any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the upper position can receive the processing liquid discharged from the substrate 9. In a state where the inner member 312 is disposed, the processing liquid discharge unit 83 </ b> A discharges the processing liquid toward the processing surface of the substrate 9. After that, the rinse base 85A is rotated while holding the substrate while the inner member 312 is disposed at a lower position where the upper end of the inner member 312 is located on the side of the flange portion 29 of the spin base 21. The rinse liquid is discharged toward the flange portion 29 of 21. The discharged rinse liquid is discharged from the lower surface of the flange portion 29 toward the radially outer side of the spin base 21. Since the upper end of the inner member 312 disposed at the lower position is located on the side of the flange portion 29, the discharged processing liquid hits the inner peripheral surface of the upper end portion of the inner member 312. Accordingly, both the inner member 312 and the spin base 21 to which the processing liquid is attached can be cleaned by the common rinse liquid discharger 85A while the substrate 9 is held on the spin base 21.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、水切り部27がフランジ部29よりも上方に位置するとともに、フランジ部29よりもスピンベース21の径方向外側に突出している。下方からフランジ部29に吐出されたリンス液は、フランジ部29の下面に沿ってフランジ部29の先端に移動し、先端からスピンベース21の径方向外側に向けて排出される。基板9の処理面に吐出されて基板9から排出される処理液は、水切り部27の上面を経てリンス液よりも径方向外側かつ上方からからスピンベース21の径方向外側に向けて排出される。従って、処理液とリンス液とは互いに分離された状態でスピンベース21から排出されるので、排出された処理液とリンス液とが混合することを抑制できる。   Further, according to any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the draining portion 27 is located above the flange portion 29, and It protrudes radially outward of the spin base 21 from the flange portion 29. The rinse liquid discharged from below to the flange portion 29 moves along the lower surface of the flange portion 29 to the tip of the flange portion 29 and is discharged from the tip toward the radially outer side of the spin base 21. The processing liquid discharged to the processing surface of the substrate 9 and discharged from the substrate 9 is discharged from the outer side in the radial direction than the rinsing liquid and from the upper side to the outer side in the radial direction of the spin base 21 through the upper surface of the draining portion 27. . Accordingly, since the processing liquid and the rinsing liquid are discharged from the spin base 21 in a state of being separated from each other, mixing of the discharged processing liquid and the rinsing liquid can be suppressed.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、リンス液吐出部85Aは、フランジ部29の曲面211に向けて下方からリンス液を吐出する。曲面211は、スピンベース21の基部28の外周面と、フランジ部29の下面とのそれぞれになだらかに接続する。従って、曲面211に吐出された後、下方に跳ね返されるリンス液を減少させて、より多くのリンス液をフランジ部29の下面に沿って排出することができる。これにより、内部材312の内周面をより効率良く洗浄できる。   Also, the rinse liquid discharge portion 85A is directed toward the curved surface 211 of the flange portion 29 by any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above. Then, rinse out from below. The curved surface 211 is gently connected to each of the outer peripheral surface of the base portion 28 of the spin base 21 and the lower surface of the flange portion 29. Accordingly, the rinse liquid that is sprinkled downward after being discharged onto the curved surface 211 can be reduced, and more rinse liquid can be discharged along the lower surface of the flange portion 29. Thereby, the inner peripheral surface of the inner member 312 can be more efficiently cleaned.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、内部材312が下方位置に配置されるとともに、処理液吐出部83Aから基板9に供給された後に基板9から排出される処理液を受けることが可能な位置に外部材313が配置される。この状態で、基板9の処理面に向けて処理液が吐出されるとともに、フランジ部29の下面に向けてリンス液が吐出される。従って、基板9の処理と、スピンベース21および内部材312の洗浄処理とを並行して行うことができる。   Further, both of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the inner member 312 is disposed at the lower position and the processing liquid is discharged. The outer member 313 is disposed at a position where it can receive the processing liquid discharged from the substrate 9 after being supplied to the substrate 9 from the portion 83A. In this state, the processing liquid is discharged toward the processing surface of the substrate 9 and the rinsing liquid is discharged toward the lower surface of the flange portion 29. Therefore, the processing of the substrate 9 and the cleaning processing of the spin base 21 and the inner member 312 can be performed in parallel.

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、遮断板90によって基板9の密閉性を高めた状態で、スピンベース21および内部材312の洗浄をすることができるので、基板9の上面をさらに保護することができる。   Further, in any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, in a state where the sealing performance of the substrate 9 is enhanced by the blocking plate 90, Since the spin base 21 and the inner member 312 can be cleaned, the upper surface of the substrate 9 can be further protected.

本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。   Although the invention has been shown and described in detail, the above description is illustrative in all aspects and not restrictive. Therefore, embodiments of the present invention can be modified or omitted as appropriate within the scope of the invention.

1 基板処理装置
21 スピンベース(保持部材)
23 回転駆動部
231 回転機構
26 突出部
44 駆動部
50 ノズル
83 処理液供給部
83A 処理液吐出部
85 リンス液供給部
85A リンス液吐出部
86,87 リンス液吐出口
90 遮断板(対向部材)
91 本体部
92 延設部
94 規制構造
312 内部材(ガード)
313 外部材(外側ガード)
1 Substrate processing equipment 21 Spin base (holding member)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 23 Rotation drive part 231 Rotation mechanism 26 Protrusion part 44 Drive part 50 Nozzle 83 Treatment liquid supply part 83A Treatment liquid discharge part 85 Rinse liquid supply part 85A Rinse liquid discharge part 86, 87 Rinse liquid discharge port 90 Blocking plate (opposing member)
91 Body portion 92 Extension portion 94 Restriction structure 312 Inner member (guard)
313 External material (outer guard)

Claims (2)

基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられ、前記回転軸を中心軸とする円板状の基部と、前記基部の周壁部から径方向外側に突出するフランジ部とを備える保持部材と、
前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転駆動部と、
上端側部分が前記回転軸に向かって斜め上方に延びる筒形状を有して前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能に設けられたガードと、
前記基板の処理面に処理液を吐出可能な処理液吐出部と、
前記保持部材の前記フランジ部の下方から前記フランジ部に洗浄液を吐出可能な洗浄液吐出部と、
前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な上方位置と、前記ガードの上端が前記フランジ部の側方に位置する下方位置との間で前記ガードを昇降させることができる昇降駆動部と、
前記昇降駆動部と前記処理液吐出部と前記洗浄液吐出部とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させた状態で前記洗浄液吐出部に前記基板を保持しつつ回転する前記保持部材の前記フランジ部に向けて前記洗浄液を吐出させる、基板処理装置。
A disk-shaped base portion that holds a substrate substantially horizontally from below and has an upper surface that faces the lower surface of the substrate with a gap therebetween and is rotatable about a predetermined rotation axis, with the rotation axis as a central axis And a holding member comprising a flange portion protruding radially outward from the peripheral wall portion of the base portion,
A rotation drive unit that rotates the holding member around the rotation axis;
A guard having a cylindrical shape with an upper end side portion extending obliquely upward toward the rotation axis, surrounding the holding member, and being provided so as to be movable up and down;
A processing liquid discharger capable of discharging a processing liquid onto the processing surface of the substrate;
A cleaning liquid discharger capable of discharging a cleaning liquid from below the flange part of the holding member;
An upper position where the processing liquid discharged from the substrate after being supplied to the substrate from the processing liquid discharge portion can be received, and a lower position where the upper end of the guard is located on the side of the flange portion An elevating drive unit capable of elevating the guard between,
A control unit that controls the elevating drive unit, the processing liquid discharge unit, and the cleaning liquid discharge unit;
With
The controller is
A substrate processing apparatus that causes the cleaning liquid to be discharged toward the flange portion of the holding member that rotates while holding the substrate in the cleaning liquid discharge section in a state where the guard is disposed at the lower position in the elevating drive unit.
フランジ部を備える保持部材により基板を保持する保持ステップと、
前記基板を回転させる回転ステップと、
処理液を前記基板に供給する供給ステップと、
ガードにより前記処理液を受ける処理ステップと、
前記フランジ部の下から洗浄液を前記フランジ部に供給することによって、前記ガードに付着した前記処理液を洗浄する洗浄ステップと、
を備え
前記ガードは、前記保持部材の周囲を取り囲む昇降可能な筒状の内部材と、該内部材の外側に設けられ昇降可能な筒状の外部材と、を有し、
前記外部材が上昇している状態で前記外部材が前記処理液を受ける前記処理ステップと、前記内部材が下降している状態で前記内部材を洗浄する前記洗浄ステップと、を同時に実行する、基板処理方法。
A holding step of holding the substrate by a holding member having a flange portion;
A rotating step of rotating the substrate;
Supplying a treatment liquid to the substrate;
A treatment step for receiving the treatment liquid by a guard;
A cleaning step of cleaning the treatment liquid adhering to the guard by supplying a cleaning liquid from under the flange to the flange;
Equipped with a,
The guard includes a cylindrical inner member that can be raised and lowered to surround the holding member, and a cylindrical outer member that is provided outside the inner member and can be raised and lowered.
Simultaneously executing the processing step in which the outer member receives the processing liquid while the outer member is raised, and the cleaning step of washing the inner member in a state where the inner member is lowered ; Substrate processing method.
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