JP6491994B2

JP6491994B2 - Semiconductor device

Info

Publication number: JP6491994B2
Application number: JP2015218562A
Authority: JP
Inventors: 悟高久
Original assignee: Toshiba Memory Corp
Current assignee: Kioxia Corp
Priority date: 2015-11-06
Filing date: 2015-11-06
Publication date: 2019-03-27
Anticipated expiration: 2035-11-06
Also published as: JP2017092181A

Description

本発明による実施形態は、半導体装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a semiconductor device.

通信機器等に用いられる半導体装置、あるいは、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）等の磁性体を用いた半導体装置は、外部または内部からの電磁波または磁場を遮断するようにシールド材を備えることがある。しかし、シールド材が剥がれた場合にシールド効果が低減する。また、シールド材でコーティングされることによってレーザーマークが視認し難くなったり、あるいは、シールド材自体が汚染の原因にもなり得る。 A semiconductor device used for communication equipment or the like, or a semiconductor device using a magnetic material such as MRAM (Magnetic Random Access Memory) may include a shield material so as to block electromagnetic waves or magnetic fields from the outside or the inside. However, the shielding effect is reduced when the shield material is peeled off. Moreover, it becomes difficult to visually recognize a laser mark by coating with a shielding material, or the shielding material itself may cause contamination.

特開平４−３４５０５８号公報JP-A-4-345058 特開平９−０３６２６９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-036269

電磁波または磁場を良好に遮蔽することができる半導体装置を提供する。 Provided is a semiconductor device that can shield electromagnetic waves or magnetic fields satisfactorily.

本実施形態による半導体装置は、基板を備えている。金属からなる第１部材が、基板上に設けられている。第１部材は、基板上に設けられた底板と該底板の対辺のそれぞれにおいて基板から離れる方向へ突出した複数の側板とを含み、該複数の側板の対向面に窪みまたは孔が設けられている。半導体チップは、底板上に設けられている。金属からなる第２部材は、複数の側板間の幅よりも大きな幅を有し、端部が窪みまたは孔に嵌合している。樹脂は、第１および第２部材の周囲に設けられている。 The semiconductor device according to the present embodiment includes a substrate. A first member made of metal is provided on the substrate. The first member includes a bottom plate provided on the substrate and a plurality of side plates protruding in a direction away from the substrate at each of opposite sides of the bottom plate, and a depression or a hole is provided in an opposing surface of the plurality of side plates. . The semiconductor chip is provided on the bottom plate. The second member made of metal has a width larger than the width between the plurality of side plates, and the end portion is fitted in a recess or hole. Resin is provided around the first and second members.

第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す図。1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１金属部３０の構成の一例を示す図。The figure which shows an example of a structure of the 1st metal part. 第２金属部６０の構成の一例を示す図。The figure which shows an example of a structure of the 2nd metal part. 第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込むときの第１および第２金属部３０、６０の状態を示す図。The figure which shows the state of the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 when fitting the 2nd metal part 60 in the 1st metal part 30. FIG. 第２の実施形態に従った半導体装置２の構成の一例を示す平面図。The top view which shows an example of a structure of the semiconductor device 2 according to 2nd Embodiment. 第３の実施形態に従った半導体装置３の構成の一例を示す平面図。The top view which shows an example of a structure of the semiconductor device 3 according to 3rd Embodiment. 第３の実施形態による第１金属部３０の構成の一例を示す図。The figure which shows an example of a structure of the 1st metal part 30 by 3rd Embodiment. 第１金属部３０の変形例を示す平面図。The top view which shows the modification of the 1st metal part.

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment does not limit the present invention.

（第１の実施形態）
図１（Ａ）は、第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す側面図である。図１（Ｂ）は、第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）では、樹脂６５の内部を示している。 (First embodiment)
FIG. 1A is a side view showing an example of the configuration of the semiconductor device 1 according to the first embodiment. FIG. 1B is a plan view showing an example of the configuration of the semiconductor device 1 according to the first embodiment. In FIG. 1A and FIG. 1B, the inside of the resin 65 is shown.

半導体装置１は、基板１０と、接着剤２０と、第１金属部３０と、接着剤４０と、半導体チップ５０と、ボンディングワイヤ５５と、第２金属部６０と、樹脂６５とを備えている。 The semiconductor device 1 includes a substrate 10, an adhesive 20, a first metal part 30, an adhesive 40, a semiconductor chip 50, a bonding wire 55, a second metal part 60, and a resin 65. .

基板１０は、例えば、プリント基板やリードフレーム等のように、半導体チップ５０を半導体装置１の外部にある装置と電気的に接続可能な部材である。本実施形態では、基板１０は、プリント基板であり、樹脂基板等の絶縁性基板に導電性の配線（図示せず）を設けた基板である。配線は、基板側パッド１２に接続されており、ボンディングワイヤ５５を介して半導体チップ５０に電気的に接続される。基板側パッド１２は、配線を介して半導体装置１の外部にある装置と電気的に接続可能である。尚、ボンディングワイヤ５５および基板側パッド１２の数は限定しない。 The substrate 10 is a member that can electrically connect the semiconductor chip 50 to a device outside the semiconductor device 1 such as a printed circuit board or a lead frame. In the present embodiment, the substrate 10 is a printed circuit board, and is a substrate in which conductive wiring (not shown) is provided on an insulating substrate such as a resin substrate. The wiring is connected to the substrate-side pad 12 and is electrically connected to the semiconductor chip 50 via the bonding wire 55. The substrate-side pad 12 can be electrically connected to a device outside the semiconductor device 1 through wiring. The numbers of bonding wires 55 and substrate side pads 12 are not limited.

接着剤２０は、基板１０と第１金属部３０との間に設けられており、基板１０と第１金属部３０とを接着している。接着剤２０は、液体状の接着剤でもよく、シート状の接着シートであってもよい。 The adhesive 20 is provided between the substrate 10 and the first metal part 30 and adheres the substrate 10 and the first metal part 30. The adhesive 20 may be a liquid adhesive or a sheet-like adhesive sheet.

第１部材としての第１金属部３０は、基板１０上に設けられており、接着剤２０によって基板１０上に接着されている。第１金属部３０は、底板３１と、側板３２ａ、３２ｂとを備えている。第１金属部３０の１つの対辺Ｓａ、Ｓｂには、側板３２ａ、３２ｂが設けられており、他の対辺Ｓｃ、Ｓｄには、側板は設けられていない。側板３２ａ、３２ｂは、図１（Ａ）に示すように、それぞれ対辺Ｓａ、Ｓｂにおいて上方（Ｄ１）へ突出している。第１金属部３０のより詳細な構成は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を参照して後で説明する。 The first metal part 30 as the first member is provided on the substrate 10 and is bonded onto the substrate 10 with the adhesive 20. The first metal part 30 includes a bottom plate 31 and side plates 32a and 32b. Side plates 32a and 32b are provided on one opposite side Sa and Sb of the first metal part 30, and side plates are not provided on the other opposite sides Sc and Sd. As shown in FIG. 1A, the side plates 32a and 32b protrude upward (D1) at opposite sides Sa and Sb, respectively. A more detailed configuration of the first metal part 30 will be described later with reference to FIGS. 2 (A) to 2 (C).

半導体チップ５０は、接着剤（ダイアタッチメント剤）４０により第１金属部３０の底板３１上に接着されている。即ち、半導体チップ５０は、側板３２ａと側板３２ｂとの間において底板３１上に固定されている。半導体チップ５０は、半導体基板（図示せず）上に形成された半導体素子（例えば、トランジスタ、抵抗、キャパシタ等）で構成された電子回路を有する。半導体チップ５０は、単一の半導体チップであってもよく、積層された複数の半導体チップであってもよい。本実施形態では、半導体チップ５０は、単一の半導体チップとする。半導体チップ５０は、電極パッド５１を備えている。電極パッド５１は、半導体チップ５０の電子回路に電気的に接続されている。また、電極パッド５１は、ボンディングワイヤ５５を介して基板１０の基板側パッド１２に電気的に接続されている。 The semiconductor chip 50 is bonded onto the bottom plate 31 of the first metal part 30 with an adhesive (die attachment agent) 40. That is, the semiconductor chip 50 is fixed on the bottom plate 31 between the side plate 32a and the side plate 32b. The semiconductor chip 50 has an electronic circuit composed of semiconductor elements (for example, transistors, resistors, capacitors, etc.) formed on a semiconductor substrate (not shown). The semiconductor chip 50 may be a single semiconductor chip or a plurality of stacked semiconductor chips. In the present embodiment, the semiconductor chip 50 is a single semiconductor chip. The semiconductor chip 50 includes electrode pads 51. The electrode pad 51 is electrically connected to the electronic circuit of the semiconductor chip 50. The electrode pad 51 is electrically connected to the substrate-side pad 12 of the substrate 10 through the bonding wire 55.

ボンディングワイヤ５５は、電極パッド５１と基板側パッド１２との間を電気的に接続する。ボンディングワイヤ５５には、例えば、金、銀、銅、ＣｕＡｌ、ＡｇＡｌ等の低抵抗金属を用いる。例えば、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、第１金属部３０の四辺には、側板が設けられていない対辺Ｓｃ、Ｓｄがある。従って、ボンディングワイヤ５５は、図１（Ｂ）に示すように、側板が設けられていない対辺Ｓｃ、Ｓｄの上方を渡って電極パッド５１と基板側パッド１２との間に接続されている。 The bonding wire 55 electrically connects the electrode pad 51 and the substrate side pad 12. For the bonding wire 55, for example, a low resistance metal such as gold, silver, copper, CuAl, or AgAl is used. For example, as shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B), the four sides of the first metal part 30 have opposite sides Sc and Sd that are not provided with side plates. Accordingly, as shown in FIG. 1B, the bonding wire 55 is connected between the electrode pad 51 and the substrate-side pad 12 across the opposite sides Sc and Sd where no side plate is provided.

第２部材としての第２金属部６０は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ５０の上方に第１金属部３０の側板３２ａと側板３２ｂとの間に設けられている。第２金属部６０は、接着剤を用いること無く、その端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが側板３２ａ、３２ｂに設けられた孔７０ａ、７０ｂに嵌め込まれることによって固定されている。従って、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合するように、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａからＰ６０ｂまでの幅Ｗ６０は、側板３２ａと側板３２ｂとの間の幅（内径）Ｗ３０よりも大きい。尚、第２金属部６０のより詳細な構成は、図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して後で説明する。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the second metal portion 60 as the second member is provided between the side plate 32a and the side plate 32b of the first metal portion 30 above the semiconductor chip 50. It has been. The second metal portion 60 is fixed by fitting the end portions P60a and P60b into the holes 70a and 70b provided in the side plates 32a and 32b without using an adhesive. Accordingly, the width W60 from the end portions P60a to P60b of the second metal portion 60 is the width (inner diameter) W30 between the side plate 32a and the side plate 32b so that the end portions P60a and P60b fit into the holes 70a and 70b. Bigger than. In addition, the more detailed structure of the 2nd metal part 60 is later demonstrated with reference to FIG. 3 (A) and FIG. 3 (B).

樹脂６５は、半導体チップ５０、ボンディングワイヤ１２、第１および第２金属部３０、６０の周囲に設けられ、これらを封止する。樹脂６５は、第１金属部３０と第２金属部６０との間にも設けられてよい。 The resin 65 is provided around the semiconductor chip 50, the bonding wire 12, and the first and second metal parts 30 and 60, and seals them. The resin 65 may be provided between the first metal part 30 and the second metal part 60.

次に、第１金属部３０の構成について説明する。 Next, the configuration of the first metal part 30 will be described.

図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、第１金属部３０の構成の一例を示す図である。図２（Ａ）は、第１金属部３０の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の矢印Ａ１方向から見た第１金属部３０の正面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）の矢印Ａ２方向から見た第１金属部３０の側面図である。図２（Ａ）の矢印Ａ３方向から見た第１金属部３０の側面図は、図２（Ｃ）と同様であり、その参照番号は括弧内に示されている。 FIG. 2A to FIG. 2C are diagrams illustrating an example of the configuration of the first metal unit 30. 2A is a plan view of the first metal part 30, and FIG. 2B is a front view of the first metal part 30 as viewed from the direction of the arrow A1 in FIG. 2A. (C) is the side view of the 1st metal part 30 seen from the arrow A2 direction of FIG. 2 (A). The side view of the first metal part 30 viewed from the direction of the arrow A3 in FIG. 2A is the same as that in FIG. 2C, and the reference numbers are shown in parentheses.

第１金属部３０は、トレーのように、底板３１と、２つの側板３２ａ、３２ｂとを備えている。底板３１は、例えば、図２（Ａ）に示すように、平面形状において略四角形を有している。底板３１の１対の対辺Ｓａ、Ｓｂには、それぞれ側板３２ａ、３２ｂが設けられている。側板３２ａ、３２ｂは、図２（Ｂ）に示すように、底板３１の対辺Ｓａ、Ｓｂのそれぞれにおいて基板１０から離れる方向Ｄ１へ突出している。即ち、基板１０に対して第１金属部３０および半導体チップ５０が搭載されている方向Ｄ１を上方とすると、側板３２ａ、３２ｂは、それぞれ底板３１の対辺Ｓａ、Ｓｂから上方へ延伸している。底板３１および側板３２ａ、３２ｂは、一体形成されており、トレー型の第１金属部３０を成している。 The first metal part 30 includes a bottom plate 31 and two side plates 32a and 32b like a tray. For example, as shown in FIG. 2A, the bottom plate 31 has a substantially quadrangular shape in plan view. Side plates 32a and 32b are provided on a pair of opposite sides Sa and Sb of the bottom plate 31, respectively. As shown in FIG. 2B, the side plates 32a and 32b protrude in the direction D1 away from the substrate 10 at the opposite sides Sa and Sb of the bottom plate 31, respectively. That is, when the direction D1 in which the first metal part 30 and the semiconductor chip 50 are mounted on the substrate 10 is upward, the side plates 32a and 32b extend upward from the opposite sides Sa and Sb of the bottom plate 31, respectively. The bottom plate 31 and the side plates 32a and 32b are integrally formed and constitute a tray-type first metal portion 30.

側板３２ａ、３２ｂは、それぞれ対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂを有する。対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂは、互いに対向した面であり、対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂには、孔７０ａ、７０ｂが設けられている。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、孔７０ａ、７０ｂには、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが挿入され得る。従って、孔７０ａ、７０ｂは、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂに対応してそれぞれ３個ずつ対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂに設けられている。しかし、孔７０ａ、７０ｂおよび端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの個数は特に限定しない。孔７０ａ、７０ｂおよび端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの各個数を多くすることによって、第１金属部３０と第２金属部６０との接触面積を増大させることができるので、安定したシールド効果を確保できる。また、嵌合箇所が多くなると、樹脂封止工程において、第２金属部６０が第１金属部３０から外れてしまうことを抑制することができる。 The side plates 32a and 32b have opposing surfaces F1a and F1b, respectively. The facing surfaces F1a and F1b are surfaces facing each other, and holes 70a and 70b are provided in the facing surfaces F1a and F1b. As shown in FIGS. 1A and 1B, the ends P60a and P60b of the second metal part 60 can be inserted into the holes 70a and 70b. Therefore, three holes 70a and 70b are provided in the opposing surfaces F1a and F1b, respectively, corresponding to the end portions P60a and P60b. However, the numbers of the holes 70a and 70b and the end portions P60a and P60b are not particularly limited. Since the contact area between the first metal part 30 and the second metal part 60 can be increased by increasing the numbers of the holes 70a and 70b and the end parts P60a and P60b, a stable shielding effect can be ensured. Moreover, when a fitting location increases, it can suppress that the 2nd metal part 60 remove | deviates from the 1st metal part 30 in a resin sealing process.

孔７０ａ、７０ｂは、第２金属部６０が少なくとも半導体チップ５０に接触しないように、半導体チップ５０の上面の高さよりも高い位置に設けられている。即ち、底板３１から孔７０ａ、７０ｂまでの高さは、底板３１から半導体チップ５０の上面Ｆｔの高さよりも高い。より好ましくは、孔７０ａ、７０ｂは、第２金属部６０がボンディングワイヤ５５に接触しないように、ボンディングワイヤ５５の頂点よりも高い位置に設けられる。これにより、第２金属部６０は、半導体チップ５０およびボンディングワイヤ５５に接触しないので、半導体チップ５０に設けられた電子回路の誤動を抑制するこができる。 The holes 70 a and 70 b are provided at a position higher than the height of the upper surface of the semiconductor chip 50 so that the second metal part 60 does not contact at least the semiconductor chip 50. That is, the height from the bottom plate 31 to the holes 70a and 70b is higher than the height of the upper surface Ft of the semiconductor chip 50 from the bottom plate 31. More preferably, the holes 70 a and 70 b are provided at a position higher than the apex of the bonding wire 55 so that the second metal portion 60 does not contact the bonding wire 55. Thereby, since the second metal part 60 does not contact the semiconductor chip 50 and the bonding wire 55, it is possible to suppress malfunction of the electronic circuit provided in the semiconductor chip 50.

図２（Ｂ）に示すように、側板３２ａの上面Ｆ３ａは、対向面Ｆ１ａとは反対側の外側面Ｆ２ａから対向面Ｆ１ａへ向かって、底板３１に近付くように傾斜している。側板３２ｂの上面Ｆ３ｂは、対向面Ｆ１ｂとは反対側の外側面Ｆ２ｂから対向面Ｆ１ｂへ向かって、底板３１に近付くように傾斜している。即ち、上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂは、第１金属部３０の外側から内側へ向かうに従って下方（Ｄ１方向と反対方向）へ低下するように傾斜している。上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂの傾斜は、後述する第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの傾斜に対応しており、第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌める際に、第２金属部６０を第１金属部３０の内側へガイドする役目を果たす。このとき、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂは、第２金属部６０によって第１金属部３０の外側（対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂの対向方向とは反対方向）へ押し広げられ、底板３１と側板３２ａ、３２ｂとの間に弾性力が蓄勢される。第２金属部６０が孔７０ａ、７０ｂの高さまで押し下げられると、側板３２ａ、３２ｂは、蓄勢された弾性力によって対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂの対向方向へ戻る（スプリングバック）。これにより、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合または挿入され、第２金属部６０は、第１金属部３０に対して固定される。第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込む動作については、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して説明する。 As shown in FIG. 2B, the upper surface F3a of the side plate 32a is inclined so as to approach the bottom plate 31 from the outer surface F2a opposite to the facing surface F1a toward the facing surface F1a. The upper surface F3b of the side plate 32b is inclined so as to approach the bottom plate 31 from the outer surface F2b opposite to the facing surface F1b toward the facing surface F1b. That is, the upper surfaces F3a and F3b are inclined so as to decrease downward (in the direction opposite to the D1 direction) from the outside to the inside of the first metal part 30. The inclinations of the upper surfaces F3a and F3b correspond to the inclinations of the end portions P60a and P60b of the second metal part 60 described later, and when the second metal part 60 is fitted to the first metal part 30, the second metal part 60 is provided. This serves to guide the inside of the first metal part 30. At this time, the side plates 32a and 32b of the first metal part 30 are spread out by the second metal part 60 to the outside of the first metal part 30 (the direction opposite to the facing direction of the facing surfaces F1a and F1b). Elastic force is accumulated between the side plates 32a and 32b. When the second metal part 60 is pushed down to the height of the holes 70a and 70b, the side plates 32a and 32b return to the opposing direction of the opposing surfaces F1a and F1b (spring back) by the stored elastic force. Thereby, the end portions P60a and P60b of the second metal portion 60 are fitted or inserted into the holes 70a and 70b, and the second metal portion 60 is fixed to the first metal portion 30. The operation of fitting the second metal part 60 into the first metal part 30 will be described with reference to FIGS. 4 (A) and 4 (B).

尚、電磁波を遮蔽する場合、第１および第２金属部３０、６０には、例えば、銅等のような導電性の高い材料が用いられる。これにより、第１および第２金属部３０、６０は電磁波によって生じる電力をグランド等へ流すことができる。即ち、第１および第２金属部３０、６０に導電性の高い材料を用いることによって、第１および第２金属部３０、６０は、電磁波を良好にグランドへ逃がすことができる。 When shielding electromagnetic waves, the first and second metal parts 30 and 60 are made of a highly conductive material such as copper. Thereby, the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 can flow the electric power which arises by electromagnetic waves to a ground etc. That is, by using a highly conductive material for the first and second metal parts 30 and 60, the first and second metal parts 30 and 60 can escape electromagnetic waves to the ground satisfactorily.

一方、磁場を遮蔽する場合、第１および第２金属部３０、６０には、例えば、鉄等のような透磁率の高い材料が用いられる。これにより、第１および第２金属部３０、６０は磁場を良好に外部へ逃がす、あるいは、キャンセルすることができる。 On the other hand, when shielding a magnetic field, the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 use a material with high magnetic permeability like iron etc., for example. Thereby, the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 can escape or cancel a magnetic field favorably outside.

次に、第２金属部６０の構成について説明する。 Next, the configuration of the second metal part 60 will be described.

図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、第２金属部６０の構成の一例を示す図である。図３（Ａ）は、第２金属部６０の平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。第２部材としての第２金属部６０は、第１面Ｆ６０＿１と、第２面Ｆ６０＿２と、側面Ｆ６０＿３ａ〜Ｆ６０＿３ｄとを含む。第２面Ｆ６０＿２は、第１面Ｆ６０＿１の反対側にある。第１側面としての側面Ｆ６０＿３ａ〜Ｆ６０＿３ｄは、第１面Ｆ６０＿１と第２面Ｆ６０＿２との間に設けられている。側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂの少なくとも一部には、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが設けられている。図３（Ｂ）に示すように、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの端面ＦＰ６０ａ、ＦＰ６０ｂは、第１面Ｆ６０＿１または第２面Ｆ６０＿２に対して傾斜している。側面Ｆ６０＿３ａ〜Ｆ６０＿３ｄは、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂ以外の部分において、第１面Ｆ６０＿１または第２面Ｆ６０＿２に対して略垂直でよい。 FIG. 3A and FIG. 3B are diagrams showing an example of the configuration of the second metal part 60. FIG. 3A is a plan view of the second metal portion 60, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 3A. The second metal part 60 as the second member includes a first surface F60_1, a second surface F60_2, and side surfaces F60_3a to F60_3d. The second surface F60_2 is on the opposite side of the first surface F60_1. Side surfaces F60_3a to F60_3d as the first side surfaces are provided between the first surface F60_1 and the second surface F60_2. Protrusions P60a and P60b are provided on at least a part of the side surfaces F60_3a and F60_3b. As shown in FIG. 3B, the end surfaces FP60a and FP60b of the protrusions P60a and P60b are inclined with respect to the first surface F60_1 or the second surface F60_2. The side surfaces F60_3a to F60_3d may be substantially perpendicular to the first surface F60_1 or the second surface F60_2 in portions other than the protrusions P60a and P60b.

突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、図３（Ｂ）に示すように、第１面Ｆ６０＿１または第２面Ｆ６０＿２に対して略平行方向に突出している。突出部Ｐ６０ａは、図２（Ｃ）の孔７０ａに対応しており、孔７０ａと同数（例えば、３つ）、あるいはそれ未満だけ設けられている。突出部Ｐ６０ｂは、図２（Ｃ）の孔７０ｂに対応しており、孔７０ｂと同数（例えば、３つ）、あるいはそれ未満だけ設けられている。突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂがそれぞれ孔７０ａ、７０ｂに嵌合することによって、第２金属部６０は第１金属部３０に対して蓋のように固定される。 As shown in FIG. 3B, the protruding portions P60a and P60b protrude in a substantially parallel direction with respect to the first surface F60_1 or the second surface F60_2. The protrusion P60a corresponds to the hole 70a in FIG. 2C, and is provided in the same number (for example, three) or less than the hole 70a. The protrusions P60b correspond to the holes 70b in FIG. 2C, and are provided in the same number (for example, three) or less than the holes 70b. The protrusions P60a and P60b are fitted into the holes 70a and 70b, respectively, so that the second metal part 60 is fixed to the first metal part 30 like a lid.

上述の通り、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合するように、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａからＰ６０ｂまでの幅Ｗ６０は、側板３２ａと側板３２ｂとの間の幅（内径）Ｗ３０よりも大きい。一方、端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合したときに、第２金属部６０の側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂと第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂとの間が接するように、側面Ｆ６０＿３ａと側面Ｆ６０＿３ｂとの間の幅Ｗ３０ａは、側板３２ａと側板３２ｂとの間の幅（内径）Ｗ３０にほぼ等しいかそれより若干大きいことが好ましい。これにより、第２金属部６０が側板３２ａ、３２ｂの間に挟まれて、側板３２ａ、３２ｂが側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂに密着する。 As described above, the width W60 from the end portions P60a to P60b of the second metal portion 60 is the width (inner diameter) between the side plates 32a and 32b so that the end portions P60a and P60b fit into the holes 70a and 70b. ) Greater than W30. On the other hand, when the end portions P60a and P60b are fitted in the holes 70a and 70b, the side surfaces F60_3a are so arranged that the side surfaces F60_3a and F60_3b of the second metal portion 60 are in contact with the side plates 32a and 32b of the first metal portion 30. W30a between the side plate F60_3b and the side plate 32a is preferably substantially equal to or slightly larger than the width (inner diameter) W30 between the side plate 32a and the side plate 32b. Thereby, the 2nd metal part 60 is pinched | interposed between the side plates 32a and 32b, and the side plates 32a and 32b closely_contact | adhere to the side surface F60_3a and F60_3b.

図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込むときの第１および第２金属部３０、６０の状態を示す図である。第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込む際、第２金属部６０は、第２面Ｆ６０＿２を下方（半導体チップ２０へ向かう方向、あるいは、第１金属部３０の底板３１へ向かう方向）へ向けて嵌め込む。このとき、第２金属部６０の端面ＦＰ６０ａ、ＦＰ６０ｂは、それぞれ第１金属部３０の上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂに接触し、端面ＦＰ６０ａ、ＦＰ６０ｂが第１金属部３０の上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂを押す。図３（Ａ）に示すように、第２金属部６０の幅Ｗ６０が第１金属部３０の側板３２ａと３２ｂとの間の幅（間隔）Ｗ３０よりも広いので、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂには外側（対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂの対向方向とは反対方向）への応力が印加され、側板３２ａ、３２ｂは、上述の通り、外側へ押し広げられる。即ち、図４（Ｂ）に示すように、側板３２ａ、３２ｂは、底板３１の辺Ｓａ、Ｓｂを中心軸として第１金属部３０の外側へ押し広げられる。第２金属部６０が孔７０ａ、７０ｂの高さまで押し下げられると、側板３２ａ、３２ｂが元の位置に戻ろうとし（スプリングバックし）、図１（Ａ）に示すように、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂに嵌合する。このように、第２金属部６０は、第１金属部３０に対して嵌め込まれることによって第１金属部３０に対して固定される。その後、第１および第２金属部３０、６０は、樹脂によって封止される。 FIGS. 4A and 4B are views showing the state of the first and second metal parts 30 and 60 when the second metal part 60 is fitted into the first metal part 30. FIG. When fitting the second metal part 60 into the first metal part 30, the second metal part 60 moves down the second surface F60_2 (a direction toward the semiconductor chip 20 or a direction toward the bottom plate 31 of the first metal part 30). ). At this time, the end surfaces FP60a and FP60b of the second metal unit 60 are in contact with the upper surfaces F3a and F3b of the first metal unit 30, respectively, and the end surfaces FP60a and FP60b press the upper surfaces F3a and F3b of the first metal unit 30. As shown in FIG. 3A, since the width W60 of the second metal part 60 is wider than the width (interval) W30 between the side plates 32a and 32b of the first metal part 30, the side plate of the first metal part 30 A stress to the outside (a direction opposite to the facing direction of the facing surfaces F1a and F1b) is applied to the 32a and 32b, and the side plates 32a and 32b are pushed outward as described above. That is, as shown in FIG. 4 (B), the side plates 32a and 32b are spread out to the outside of the first metal part 30 with the sides Sa and Sb of the bottom plate 31 as the central axis. When the second metal part 60 is pushed down to the height of the holes 70a, 70b, the side plates 32a, 32b try to return to their original positions (spring back), and as shown in FIG. End portions P60a and P60b are fitted into the holes 70a and 70b. As described above, the second metal part 60 is fixed to the first metal part 30 by being fitted to the first metal part 30. Then, the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 are sealed with resin.

このように、本実施形態によれば、第２金属部６０の端部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが第１金属部３０の孔７０ａ、７０ｂに嵌合することによって、接着剤を用いること無く、第２金属部６０を第１金属部３０に対して容易に固定することができる。 Thus, according to the present embodiment, the end portions P60a and P60b of the second metal portion 60 are fitted into the holes 70a and 70b of the first metal portion 30, so that the second metal can be used without using an adhesive. The part 60 can be easily fixed to the first metal part 30.

また、第２金属部６０の側面Ｆ６０＿３ａと側面Ｆ６０＿３ｂとの幅Ｗ３０ａが第１金属部３０の側板３２ａと３２ｂとの間の幅Ｗ３０とほぼ等しいかそれより若干広いので、第１金属部３０の側面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂは、側板３２ａ、３２ｂからの応力によって第２金属部６０の側面Ｆ６０＿ａ、Ｆ６０＿ｂに密着している。これにより、第１および第２金属部３０、６０は、磁場を良好に遮蔽することができる。 Further, the width W30a between the side surface F60_3a and the side surface F60_3b of the second metal part 60 is substantially equal to or slightly wider than the width W30 between the side plates 32a and 32b of the first metal part 30. The side surfaces F1a and F1b are in close contact with the side surfaces F60_a and F60_b of the second metal part 60 due to the stress from the side plates 32a and 32b. Thereby, the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 can shield a magnetic field favorably.

さらに、本実施形態では、第２金属部６０を第１金属部３０へ向かって押し下げるだけで第２金属部６０を第１金属部３０に嵌め込むことができる。従って、本実施形態による半導体装置１は、接着剤を用いることなく、容易かつ安価に製造することができる。 Furthermore, in the present embodiment, the second metal part 60 can be fitted into the first metal part 30 simply by pushing down the second metal part 60 toward the first metal part 30. Therefore, the semiconductor device 1 according to the present embodiment can be easily and inexpensively manufactured without using an adhesive.

本実施形態では、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂは、底板３１の１対の対辺Ｓａ、Ｓｂに設けられており、他の対辺には設けられていない。磁場については、その影響を受ける方向に第１および第２金属部３０、６０を設ければ足り、それ以外の方向には、第１および第２金属部３０、６０を設ける必要は無い。例えば、半導体チップ５０が垂直磁化方式のＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）を記憶素子として有する場合、半導体チップ５０の主面に対して垂直な断面において、第１および第２金属部３０、６０が閉ループ構造であれば良い。閉ループ構造とは、半導体チップ５０の素子形成面に対して垂直方向の断面において、半導体チップ５０を取り囲むように連続した構造である。第１および第２金属部３０、６０を閉ループ構造にすることで、半導体チップ５０への磁場の影響を低減することができる。従って、本実施形態による半導体装置１は、主に磁場を遮蔽するのに有効である。尚、本実施形態による半導体装置１は、電磁波を遮蔽することは困難である。その理由は、電磁波は、側板３２ａ、３２ｂの設けられていない半導体装置１の側方から進入するからである。 In the present embodiment, the side plates 32 a and 32 b of the first metal part 30 are provided on a pair of opposite sides Sa and Sb of the bottom plate 31, and are not provided on the other opposite sides. For the magnetic field, it is sufficient to provide the first and second metal parts 30 and 60 in the direction affected by the magnetic field, and it is not necessary to provide the first and second metal parts 30 and 60 in the other directions. For example, when the semiconductor chip 50 has a perpendicular magnetization type MTJ (Magnetic Tunnel Junction) as a memory element, the first and second metal portions 30 and 60 are in a closed loop structure in a cross section perpendicular to the main surface of the semiconductor chip 50. If it is good. The closed loop structure is a structure that is continuous so as to surround the semiconductor chip 50 in a cross section perpendicular to the element formation surface of the semiconductor chip 50. By making the first and second metal parts 30 and 60 have a closed loop structure, the influence of the magnetic field on the semiconductor chip 50 can be reduced. Therefore, the semiconductor device 1 according to the present embodiment is effective mainly for shielding the magnetic field. Note that it is difficult for the semiconductor device 1 according to the present embodiment to shield electromagnetic waves. The reason is that electromagnetic waves enter from the side of the semiconductor device 1 where the side plates 32a and 32b are not provided.

（第２の実施形態）
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、第２の実施形態に従った半導体装置２の構成の一例を示す平面図である。第１の実施形態では、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂには、孔（貫通孔）７０ａ、７０ｂが設けられており、第２金属部６０の突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、第１金属部３０の孔７０ａ、７０ｂを貫通している。これに対し、第２の実施形態では、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂには、窪み７１ａ、７１ｂが設けられており、第２金属部６０の突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、第１金属部３０の窪み７１ａ、７１ｂに嵌合している。第２の実施形態のその他の構成は、第１の実施形態の対応する構成と同様でよい。 (Second Embodiment)
FIG. 5A and FIG. 5B are plan views showing an example of the configuration of the semiconductor device 2 according to the second embodiment. In the first embodiment, the side plates 32a and 32b of the first metal part 30 are provided with holes (through holes) 70a and 70b, and the protrusions P60a and P60b of the second metal part 60 are the first metal. The holes 30a and 70b of the portion 30 are penetrated. On the other hand, in the second embodiment, the side plates 32a and 32b of the first metal part 30 are provided with recesses 71a and 71b, and the protrusions P60a and P60b of the second metal part 60 are provided with the first metal. The recesses 71a and 71b of the part 30 are fitted. Other configurations of the second embodiment may be the same as the corresponding configurations of the first embodiment.

窪み７１ａ、７１ｂは、側板３２ａ、３２ｂを貫通せずに、側板３２ａ、３２ｂの側面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂに設けられている。窪み７１ａは、側面Ｆ１ａからＦ２ａへ向かって、側面Ｆ１ａと側面Ｆ２ａとの間の途中まで設けられている。窪み７１ｂは、側面Ｆ１ｂからＦ２ｂへ向かって、側面Ｆ１ｂと側面Ｆ２ｂとの間の途中まで設けられている。従って、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂは、側板３２ａ、３２ｂを貫通せずに、窪み７１ａ、７１ｂに嵌め込まれている。 The depressions 71a and 71b are provided on the side surfaces F1a and F1b of the side plates 32a and 32b without penetrating the side plates 32a and 32b. The recess 71a is provided partway between the side surface F1a and the side surface F2a from the side surface F1a to F2a. The depression 71b is provided partway between the side surface F1b and the side surface F2b from the side surface F1b to F2b. Therefore, the protrusions P60a and P60b are fitted into the recesses 71a and 71b without penetrating the side plates 32a and 32b.

窪み７１ａ、７１ｂの深さは、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂの長さと略等しいかそれよりも深い。これにより、窪み７１ａ、７１ｂは、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂを充分に受容し、第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂが第２金属部６０の側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂに接触することができる。側板３２ａ、３２ｂの側面Ｆ２ａ、Ｆ２ｂがそれぞれ側面Ｆ６０＿３ａ、Ｆ６０＿３ｂに接触することによって、磁場や電磁波をより良好に遮蔽することができる。 The depths of the recesses 71a and 71b are substantially equal to or deeper than the lengths of the protrusions P60a and P60b. Accordingly, the recesses 71a and 71b can sufficiently receive the protrusions P60a and P60b, and the side plates 32a and 32b of the first metal part 30 can contact the side surfaces F60_3a and F60_3b of the second metal part 60. When the side surfaces F2a and F2b of the side plates 32a and 32b are in contact with the side surfaces F60_3a and F60_3b, respectively, magnetic fields and electromagnetic waves can be better shielded.

このように、孔７０ａ、７０ｂに代わって窪み７１ａ、７１ｂが第１金属部３０の側板３２ａ、３２ｂに設けられていても、第２金属部６０は、第１金属部３０に固定され得る。従って、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。 Thus, even if the depressions 71 a and 71 b are provided in the side plates 32 a and 32 b of the first metal part 30 instead of the holes 70 a and 70 b, the second metal part 60 can be fixed to the first metal part 30. Therefore, the second embodiment can obtain the same effects as those of the first embodiment.

（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に従った半導体装置３の構成の一例を示す平面図である。第３の実施形態では、第１金属部３０の底板３１の全ての辺に側板が設けられている。例えば、第１金属部３０の底板３１は、略四角形であり、底板３１の四辺にそれぞれ側板３２ａ〜３２ｄが設けられている。第３の実施形態による第１金属部３０のより詳細な構成は、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照して説明する。半導体チップ５０は、底板３１の四方を側板３２ａ〜３２ｄによって囲まれているので、ボンディングワイヤを用いること無く、底板３１を貫通する電極（図示せず）を用いて半導体装置１の外部と接続すればよい。 (Third embodiment)
FIG. 6 is a plan view showing an example of the configuration of the semiconductor device 3 according to the third embodiment. In the third embodiment, side plates are provided on all sides of the bottom plate 31 of the first metal part 30. For example, the bottom plate 31 of the first metal part 30 has a substantially square shape, and side plates 32 a to 32 d are provided on four sides of the bottom plate 31, respectively. A more detailed configuration of the first metal part 30 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 7 (A) to 7 (C). Since the semiconductor chip 50 is surrounded on the four sides of the bottom plate 31 by the side plates 32a to 32d, it is connected to the outside of the semiconductor device 1 using electrodes (not shown) penetrating the bottom plate 31 without using bonding wires. That's fine.

図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、第３の実施形態による第１金属部３０の構成の一例を示す図である。図７（Ａ）は、第１金属部３０の平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の矢印Ａ１方向から見た第１金属部３０の正面図であり、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）の矢印Ａ２方向から見た第１金属部３０の側面図である。図７（Ａ）の矢印Ａ３方向から見た第１金属部３０の側面図は、図７（Ｃ）と同様であり、その参照番号は括弧内に示されている。 FIG. 7A to FIG. 7C are diagrams illustrating an example of the configuration of the first metal unit 30 according to the third embodiment. 7A is a plan view of the first metal part 30, and FIG. 7B is a front view of the first metal part 30 as viewed from the direction of the arrow A1 in FIG. 7A. (C) is the side view of the 1st metal part 30 seen from the arrow A2 direction of FIG. 7 (A). The side view of the first metal part 30 viewed from the direction of the arrow A3 in FIG. 7A is the same as that in FIG. 7C, and the reference numbers are shown in parentheses.

第１金属部３０は、トレーのように、底板３１と、４つの側板３２ａ〜３２ｄとを備えている。底板３１の形状は、第１の実施形態によるそれと同様に、平面形状において略四角形を有している。側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１の辺Ｓａ〜Ｓｄのそれぞれにおいて基板１０から離れる方向（図７（Ｂ）のＤ１方向）へ突出している。即ち、側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１の四辺Ｓａ〜Ｓｄのそれぞれから上方へ延伸している。底板３１および側板３２ａ〜３２ｄは、一体形成されており、第１金属部３０を成している。 The first metal part 30 includes a bottom plate 31 and four side plates 32a to 32d like a tray. The shape of the bottom plate 31 has a substantially quadrangular shape in the planar shape, similar to that according to the first embodiment. The side plates 32a to 32d protrude in the direction away from the substrate 10 (direction D1 in FIG. 7B) in each of the sides Sa to Sd of the bottom plate 31. That is, the side plates 32 a to 32 d extend upward from each of the four sides Sa to Sd of the bottom plate 31. The bottom plate 31 and the side plates 32 a to 32 d are integrally formed and form the first metal part 30.

側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１を取り囲むように設けられている。互いに隣接する側板３２ａ〜３２ｄは、境界面Ｆ３２ａｃ、Ｆ３２ｃｂ、Ｆ３２ｂｄ、Ｆ３２ｄａにおいて接している。しかし、側板３２ａ〜３２ｄはそれぞれ分離されており、互いに固定されていない。即ち、側板３２ａ〜３２ｄは、底板３１を介して繋がっており、それぞれ底板３１の辺Ｓａ〜Ｓｄを中心軸として第１金属部３０の外側へ押し広げられ得る。側板３２ａ〜３２ｄが押し広げられると、側板３２ａ〜３２ｄは、境界面Ｆ３２ａｃ、Ｆ３２ｃｂ、Ｆ３２ｂｄ、Ｆ３２ｄａにおいて一時的に分離され得る。 The side plates 32 a to 32 d are provided so as to surround the bottom plate 31. The side plates 32a to 32d adjacent to each other are in contact with each other at the boundary surfaces F32ac, F32cb, F32bd, and F32da. However, the side plates 32a to 32d are separated from each other and are not fixed to each other. That is, the side plates 32 a to 32 d are connected via the bottom plate 31, and can be spread outward of the first metal part 30 with the sides Sa to Sd of the bottom plate 31 as the central axis. When the side plates 32a to 32d are spread out, the side plates 32a to 32d can be temporarily separated at the boundary surfaces F32ac, F32cb, F32bd, and F32da.

孔７０ａ、７０ｂは、第１の実施形態のそれらと同様に、それぞれ側板３２ａ、３２ｂに設けられている。尚、本実施形態において、側板３２ｃ、３２ｄには孔が設けられていない。しかし、側板３２ｃ、３２ｄにも孔を設けてもよい。この場合、側板３２ｃ、３２ｄの孔に対応するように、第２金属部６０に突出部を設ければよい。即ち、第２金属部６０には、４辺の全てに突出部を設けてもよい。これにより、第２金属部６０は、第１金属部３０により強く嵌合することができる。 The holes 70a and 70b are provided in the side plates 32a and 32b, respectively, similarly to those in the first embodiment. In the present embodiment, the side plates 32c and 32d are not provided with holes. However, holes may be provided in the side plates 32c and 32d. In this case, a protrusion may be provided in the second metal part 60 so as to correspond to the holes of the side plates 32c and 32d. That is, the second metal part 60 may be provided with protrusions on all four sides. Thereby, the second metal part 60 can be more strongly fitted to the first metal part 30.

側板３２ａ、３２ｂの上面は、第１の実施形態におけるそれらと同様に傾斜している。また、側板３２ｃ、３２ｄの上面も、第１金属部３０の外側から内側へ向かうに従って下方（Ｄ１方向と反対方向）へ低下するように傾斜していてもよい。これにより、第２金属部６０を側板３２ｃと側板３２ｄとの間に容易に案内することができる。一方、側板３２ｃと側板３２ｄとの間の幅（内径）Ｗ３１が、図３（Ａ）に示す第２金属部６０の辺Ｆ６０＿３ｃとＦ６０＿３ｄとの間の幅Ｗ３１ａとほぼ等しいか若干大きい場合には、側板３２ｃ、３２ｄの上面は、傾斜せずに第１および第２面Ｆ６０＿１、Ｆ６０＿２に対して略垂直な平面であってもよい。第１金属部３０の幅Ｗ３１が、第２金属部６０の幅Ｗ３１ａとほぼ等しいか若干大きい場合には、側板３２ｃ、３２ｄの上面が平坦であっても、第２金属部６０は、第１金属部３０へ嵌め込むことができるからである。 The upper surfaces of the side plates 32a and 32b are inclined in the same manner as those in the first embodiment. Moreover, the upper surfaces of the side plates 32c and 32d may also be inclined so as to decrease downward (in the direction opposite to the D1 direction) from the outside to the inside of the first metal part 30. Thereby, the 2nd metal part 60 can be easily guided between the side plate 32c and the side plate 32d. On the other hand, when the width (inner diameter) W31 between the side plate 32c and the side plate 32d is substantially equal to or slightly larger than the width W31a between the sides F60_3c and F60_3d of the second metal part 60 shown in FIG. The upper surfaces of the side plates 32c and 32d may be planes that are substantially perpendicular to the first and second surfaces F60_1 and F60_2 without being inclined. When the width W31 of the first metal part 30 is substantially equal to or slightly larger than the width W31a of the second metal part 60, the second metal part 60 is not formed even if the upper surfaces of the side plates 32c and 32d are flat. This is because the metal part 30 can be fitted.

このように、第３の実施形態では、側板３２ａ〜３２ｄが底板３１の４辺に設けられている。隣接する側板３２ａ〜３２ｄは分離しているものの接しているので、第２金属部６０が第１金属部３０に嵌め込まれると、第１および第２金属部３０、６０は、半導体チップ５０の周囲を取り囲むことができる。これにより、第１および第２金属部３０、６０は、外部または半導体チップ５０の様々な方向からの電磁波を良好に遮蔽することができる。 Thus, in the third embodiment, the side plates 32 a to 32 d are provided on the four sides of the bottom plate 31. Since the adjacent side plates 32 a to 32 d are separated but in contact with each other, when the second metal portion 60 is fitted into the first metal portion 30, the first and second metal portions 30 and 60 are surrounded by the periphery of the semiconductor chip 50. Can surround. Thereby, the 1st and 2nd metal parts 30 and 60 can shield electromagnetic waves from various directions of the exterior or semiconductor chip 50 satisfactorily.

さらに、第３の実施形態では、第２金属部６０を第１金属部３０へ向かって押し下げるだけで第２金属部６０を第１金属部３０に嵌め込むことができる。従って、第３の実施形態による半導体装置３も、第１および第２実施形態と同様に、接着剤を用いることなく、容易に製造することができる。 Furthermore, in the third embodiment, the second metal part 60 can be fitted into the first metal part 30 simply by pressing the second metal part 60 toward the first metal part 30. Therefore, the semiconductor device 3 according to the third embodiment can be easily manufactured without using an adhesive, as in the first and second embodiments.

（変形例）
図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、第１金属部３０の変形例を示す平面図である。本変形例による第１金属部３０は、側板３２ａ、３２ｂの対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂに設けられたガイドＧａ、Ｇｂをさらに有する。図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示すように、ガイドＧａ、Ｇｂは、上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂから孔７０ａ、７０ｂまで設けられた溝である。ガイドＧａ、Ｇｂは、図８（Ａ）に示すように、対向面Ｆ１ａ、Ｆ１ｂから窪んでいる。 (Modification)
FIG. 8A to FIG. 8C are plan views showing modifications of the first metal part 30. The first metal portion 30 according to this modification further includes guides Ga and Gb provided on the opposing surfaces F1a and F1b of the side plates 32a and 32b. As shown in FIGS. 8B and 8C, the guides Ga and Gb are grooves provided from the upper surfaces F3a and F3b to the holes 70a and 70b. As shown in FIG. 8A, the guides Ga and Gb are recessed from the facing surfaces F1a and F1b.

溝としてのガイドＧａ、Ｇｂは、第２金属部６０の突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂにそれぞれ対応しており、第２金属部６０を第１金属部３０へ押し込むときに、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂを孔７０ａ、７０ｂへ案内する。これにより、第２金属部６０を第１金属部３０へ嵌め込む際に、突出部Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂが孔７０ａ、７０ｂの方向へ確実に案内することができ、第２金属部６０を第１金属部３０へ容易に嵌め込むことができる。 The guides Ga and Gb as grooves respectively correspond to the protrusions P60a and P60b of the second metal part 60, and when the second metal part 60 is pushed into the first metal part 30, the protrusions P60a and P60b are holes. Guide to 70a, 70b. Thereby, when fitting the 2nd metal part 60 in the 1st metal part 30, protrusion part P60a, P60b can guide to the direction of hole 70a, 70b reliably, and the 2nd metal part 60 is made into the 1st metal. It can be easily fitted into the portion 30.

尚、本変形例は、第２または第３の実施形態と組み合わせてもよい。本変形例を第２の実施形態に組み合わせた場合、ガイドＧａ、Ｇｂは、上面Ｆ３ａ、Ｆ３ｂから窪み７１ａ、７１ｂまで設けられた溝となる。 Note that this modification may be combined with the second or third embodiment. When this modification is combined with the second embodiment, the guides Ga and Gb are grooves provided from the upper surfaces F3a and F3b to the depressions 71a and 71b.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１・・・半導体装置、１０・・・基板、２０・・・接着剤、３０・・・第１金属部、３１・・・底板、３２ａ、３２ｂ・・・側板、４０・・・接着剤、５０・・・半導体チップ、５５・・・ボンディングワイヤ、６０・・・第２金属部、６５・・・樹脂、７０ａ、７０ｂ・・・孔、Ｐ６０ａ、Ｐ６０ｂ・・・突出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 10 ... Board | substrate, 20 ... Adhesive, 30 ... 1st metal part, 31 ... Bottom plate, 32a, 32b ... Side plate, 40 ... Adhesive, 50 ... Semiconductor chip, 55 ... Bonding wire, 60 ... Second metal part, 65 ... Resin, 70a, 70b ... Hole, P60a, P60b ... Projection

Claims

A substrate,
A first member made of metal provided on the substrate, comprising: a bottom plate provided on the substrate; and a plurality of side plates protruding in a direction away from the substrate at each of opposite sides of the bottom plate, A first member provided with a recess or hole in the opposing surface of the side plate;
A semiconductor chip provided on the bottom plate;
A second member made of metal , having a width larger than the width between the plurality of side plates, and having an end fitted into the recess or the hole;
And a semiconductor device provided around the first and second members.

The semiconductor device according to claim 1, wherein a height from the bottom plate to the recess or the hole is higher than a height of the upper surface of the semiconductor chip from the bottom plate.

3. The semiconductor device according to claim 1, wherein upper surfaces of the plurality of side plates are inclined so as to approach the bottom plate from a side surface opposite to the facing surface toward the facing surface.

The second member includes a first surface, a second surface on the opposite side of the first surface, and a first side surface provided between the first surface and the second surface,
The protrusion part which protruded in the substantially parallel direction with respect to the said 1st surface or the said 2nd surface is provided in at least one part of the said 1st side surface. The semiconductor device described.

The semiconductor device according to claim 4, wherein an end surface of the protruding portion is inclined with respect to the first surface or the second surface.