JP6488669B2 - substrate - Google Patents

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本発明は、電子部品を電気的に接続するランドを有する基板に関する。   The present invention relates to a substrate having lands that electrically connect electronic components.

回路パターンが形成されたプリント配線基板(以下、基板と称する)に表面実装タイプの電子部品を半田付けにより実装する際には、基板の基台上に形成されたランドにクリーム半田を塗布して電子部品を搭載する。その後、リフロー炉に通して基板を加熱することにより、クリーム半田が溶融、固化し電子部品の接続端子とランドとが半田により電気的に接続される。基板のランド以外の箇所には、半田ブリッジその他による短絡防止のために、絶縁被膜であるレジストが塗布されている。以下、本願明細書及び特許請求の範囲において「搭載」とはクリーム半田を塗布したランドの上に電子部品を載せた状態を意味し、「実装」とは、基板に搭載された電子部品がリフロー炉を通ることにより、クリーム半田が溶融、固化して電子部品の端子とランドとが半田により電気的に基板に接続された状態を意味する。   When surface-mount type electronic components are mounted on a printed wiring board (hereinafter referred to as a board) on which a circuit pattern is formed by soldering, cream solder is applied to lands formed on the base of the board. Mount electronic components. After that, the solder is melted and solidified by heating the substrate through a reflow furnace, and the connection terminals of the electronic component and the lands are electrically connected by the solder. A resist, which is an insulating film, is applied to a portion other than the land on the substrate in order to prevent a short circuit caused by a solder bridge or the like. Hereinafter, in the present specification and claims, “mounting” means a state in which an electronic component is placed on a land coated with cream solder, and “mounting” means that the electronic component mounted on the board is reflowed. By passing through the furnace, the cream solder is melted and solidified, and the terminals and lands of the electronic component are electrically connected to the substrate by the solder.

特許文献1には、パッド電極とランドとの間に発生した気泡を除去することができる回路基板が開示されている。当該回路基板においては、基板上のランドのいずれか一端に、当該ランドに一部が重なるように2つのレジストが設けられている。ランド上にクリーム半田を印刷し、この上に電子部品を乗せて加熱する。クリーム半田が溶融すると、電子部品の電極が回路基板上のこれらのレジストに接して、ランドと電子部品の電極間には、レジストによる隙間が発生する。溶融したクリーム半田はレジストによって濡れないため、クリーム半田の溶融に伴い発生する気泡はこの隙間を通ってランドの端部から除去される。   Patent Document 1 discloses a circuit board that can remove bubbles generated between a pad electrode and a land. In the circuit board, two resists are provided at one end of the land on the board so as to partially overlap the land. A cream solder is printed on the land, and an electronic component is placed on the land and heated. When the cream solder is melted, the electrode of the electronic component comes into contact with the resist on the circuit board, and a gap due to the resist is generated between the land and the electrode of the electronic component. Since the melted cream solder is not wetted by the resist, bubbles generated with the melting of the cream solder are removed from the end of the land through this gap.

特開2007−012850号公報JP 2007-012850 A

特許文献1において、電子部品を実装する回路基板のランド内にレジストを印刷し、クリーム半田溶融後のランドと電子部品の電極との間に生じる隙間から気泡を逃がす効果は、電子部品が半田溶融時に自重で沈み込むことが前提となっている。このような重量の大きい電子部品を用いた場合、ランドの上にレジストが塗布されたとしても、電子部品が自重で沈み込んでクリーム半田を押しつぶす。このため、レジストと電子部品とが接触したとしても、電子部品のサイズが大きいために傾きにくく、実装状態では電子部品は水平が維持される。   In Patent Document 1, a resist is printed in a land of a circuit board on which an electronic component is mounted, and the effect of releasing bubbles from a gap formed between the land after cream solder melting and the electrode of the electronic component is It is presupposed that it will sometimes sink due to its own weight. When such a heavy electronic component is used, even if a resist is applied on the land, the electronic component sinks under its own weight and crushes the cream solder. For this reason, even if the resist and the electronic component come into contact with each other, the electronic component is large in size and is not easily tilted, and the electronic component is kept horizontal in the mounted state.

一方、近年は小型軽量の電子部品が普及している。例えば、図1〜図3には、パッケージ12の底面12cから第1側面12aにかけて設けられた1つのドレイン端子14と、第1側面12aの対面である第2側面12bから突出する部分を有する4つのリード端子16とを備えた小型軽量タイプのFET10が示されている。ドレイン端子14はパッケージ12内のFETチップのドレインに接続され、リード端子16のそれぞれはゲート又はソースに接続されている。   On the other hand, in recent years, small and lightweight electronic components have become widespread. For example, FIGS. 1 to 3 each have one drain terminal 14 provided from the bottom surface 12c of the package 12 to the first side surface 12a, and a portion that protrudes from the second side surface 12b that faces the first side surface 12a. A small and lightweight FET 10 having two lead terminals 16 is shown. The drain terminal 14 is connected to the drain of the FET chip in the package 12, and each lead terminal 16 is connected to the gate or the source.

このFET10を実装する基板20を作製する場合には、まず、FET10のドレイン端子14とリード端子16の形状に対応したドレイン電極22とリード電極24を基板20の基台21上に形成する(図4参照)。その後ドレイン電極22とリード電極24の周りに、ドレイン電極22とリード電極24の厚さより薄いレジスト26を塗布することにより、ドレイン電極22のランドとリード電極24の第3ランド24aを形成する。これらのランドに、FET10のドレイン端子14とリード端子16とが半田30により電気的に接続される。   When manufacturing the substrate 20 on which the FET 10 is mounted, first, the drain electrode 22 and the lead electrode 24 corresponding to the shapes of the drain terminal 14 and the lead terminal 16 of the FET 10 are formed on the base 21 of the substrate 20 (FIG. 4). Thereafter, a resist 26 thinner than the thickness of the drain electrode 22 and the lead electrode 24 is applied around the drain electrode 22 and the lead electrode 24, thereby forming the land of the drain electrode 22 and the third land 24 a of the lead electrode 24. The drain terminal 14 and the lead terminal 16 of the FET 10 are electrically connected to these lands by solder 30.

しかし、FET10のドレイン端子14とリード端子16とでは、その形状及び面積が異なっているため、ドレイン電極22をそのままランドとして用いると、FET10の搭載時におけるドレイン端子14と、ドレイン電極22のランドに塗布されたクリーム半田との接触面積が、リード端子16と、第3ランド24aに塗布されたクリーム半田との接触面積よりも大きくなる。その結果、FET10の搭載時に、ドレイン端子14及びリード端子16と、ランド及び第3ランド24aとの間で基板20の部品実装面(以下、表面と称する)と平行な方向についての位置ずれが生じたときに、セルフアライメント効果が得られない。セルフアライメント効果とは、リフロー時のクリーム半田の溶融時の表面張力により基板20へのFET10搭載時の位置ずれを自動的に修復する効果である。   However, since the shape and area of the drain terminal 14 and the lead terminal 16 of the FET 10 are different, if the drain electrode 22 is used as a land as it is, the drain terminal 14 and the land of the drain electrode 22 when the FET 10 is mounted are used. The contact area with the applied cream solder is larger than the contact area between the lead terminal 16 and the cream solder applied to the third land 24a. As a result, when the FET 10 is mounted, a positional shift in the direction parallel to the component mounting surface (hereinafter referred to as the surface) of the substrate 20 occurs between the drain terminal 14 and the lead terminal 16 and the land and the third land 24a. The self-alignment effect cannot be obtained. The self-alignment effect is an effect of automatically repairing misalignment when the FET 10 is mounted on the substrate 20 due to the surface tension when the cream solder is melted during reflow.

そこで、図4に示すように、ドレイン電極22の一部に分断レジスト26aを塗布して、ドレイン電極22のランドを1つの第1ランド22aと4つの第2ランド22bの2つに分断する。4つの第2ランド22bのそれぞれは4つの第3ランド24aのそれぞれとほぼ同じ形状及び面積であり、第2ランド22bと第3ランド24aは第1ランド22aに対して対称に配置されている。   Therefore, as shown in FIG. 4, a parting resist 26a is applied to a part of the drain electrode 22, and the land of the drain electrode 22 is divided into two parts, one first land 22a and four second lands 22b. Each of the four second lands 22b has substantially the same shape and area as each of the four third lands 24a, and the second lands 22b and the third lands 24a are arranged symmetrically with respect to the first lands 22a.

このようなランド形状にすることにより、FET10の搭載時におけるドレイン端子14の第2部分14b(図3参照)と、第2ランド22bに塗布されたクリーム半田との接触面積と、リード端子16と、第3ランド24aに塗布されたクリーム半田との接触面積とはほぼ同じになる。その結果、FET10搭載時にドレイン端子14及びリード端子16とランドとの間で位置ずれが生じたとしても、セルフアライメント効果により、リフロー時に位置ずれが自動的に修復されることが期待できる。   With such a land shape, the contact area between the second portion 14b (see FIG. 3) of the drain terminal 14 when the FET 10 is mounted and the cream solder applied to the second land 22b, the lead terminal 16, The contact area with the cream solder applied to the third land 24a is almost the same. As a result, even if a misalignment occurs between the drain terminal 14 and the lead terminal 16 and the land when the FET 10 is mounted, it can be expected that the misalignment is automatically repaired during reflow due to the self-alignment effect.

図5に示すように、分断レジスト26aはドレイン電極22の上に塗布されている。上述したように、従来の電子部品であれば重量が大きいので、基板20に搭載して不図示のリフロー炉に通したときに自重で沈み込んでクリーム半田を押しつぶす。このため、分断レジスト26aと電子部品とが接触したとしても、電子部品のサイズが大きいために傾きにくく、実装状態では電子部品は基板20の表面に対して水平を維持することができる。しかし、FET10は小型軽量タイプのため、分断レジスト26aを押しつぶすことができず、分断レジスト26aの上に乗り上げたまま、基板20の表面に対して斜めに傾いた状態でクリーム半田が固化する。   As shown in FIG. 5, the dividing resist 26 a is applied on the drain electrode 22. As described above, since the conventional electronic component is heavy, when it is mounted on the substrate 20 and passed through a reflow furnace (not shown), it sinks by its own weight and crushes the cream solder. For this reason, even if the dividing resist 26a and the electronic component are in contact with each other, the size of the electronic component is large, so that the electronic component is not inclined easily, and the electronic component can be kept level with respect to the surface of the substrate 20 in the mounted state. However, since the FET 10 is a small and lightweight type, the dividing resist 26a cannot be crushed, and the cream solder is solidified while being inclined on the surface of the substrate 20 while riding on the dividing resist 26a.

FET10が傾いた状態でクリーム半田が固化すると、図5に示すように、右方ほど半田30の厚さが薄くなるので、リード端子16と第3ランド24aの間には十分な量の半田が存在できず、十分な接続強度が確保できないおそれがある。また、逆にドレイン端子14の第2部分14bと第2ランド22bの間隔が広がるので、厚みに対する半田の量が不足しこちらも接続強度が確保できなくなるおそれがある。また、このような接続状態であれば、外部から高低温の温度変化等のストレスが印加された場合には、半田30にクラックが生じるおそれがある。   When the cream solder is solidified with the FET 10 tilted, as shown in FIG. 5, the solder 30 becomes thinner toward the right, so that a sufficient amount of solder is present between the lead terminal 16 and the third land 24a. There is a possibility that sufficient connection strength cannot be ensured. On the contrary, since the distance between the second portion 14b of the drain terminal 14 and the second land 22b is widened, the amount of solder relative to the thickness is insufficient, and there is a possibility that the connection strength cannot be secured. Further, in such a connection state, there is a possibility that a crack may occur in the solder 30 when a stress such as a temperature change at high and low temperatures is applied from the outside.

上記問題に鑑み、本発明は、小型軽量の表面実装タイプの電子部品であっても基板表面に対して水平に実装可能なランドを有する基板を提供することを課題とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate having lands that can be mounted horizontally on the substrate surface even if it is a small and lightweight surface-mount type electronic component.

上記課題を解決するために、本発明に係る基板の特徴構成は、平面視で角状のパッケージの底面から第1側面にかけて設けられ、該パッケージの前記底面にある第1部分と前記第1側面から突出する部分を有し且つ前記第1部分以外の部分である第2部分とを有するドレイン端子と、前記第1側面の対面となる第2側面から突出する部分を有するリード端子と、を備える表面実装タイプのFETを半田付けによって電気的に接続するランドを備えた基板であって、前記基板は、絶縁性の基台の表面にドレイン電極とリード電極とを備え、前記ドレイン電極は、第1電極と第2電極とに分けて形成され、前記第1電極と前記第2電極と前記リード電極とはそれぞれ電気的に絶縁され、前記ドレイン電極と前記リード電極との周囲に絶縁被膜であるレジストを、前記基台の表面に直接、且つ、前記ドレイン電極と前記リード電極の厚さより薄く塗布しており、前記レジストは、前記第1電極、前記第2電極、前記リード電極のそれぞれの一部を覆っており、前記第1電極のうち前記レジストから露出する箇所が第1ランドであり、前記第2電極のうち前記レジストから露出する箇所が第2ランドであり、前記リード電極のうち前記レジストから露出する箇所が第3ランドであり、前記第2ランドと前記第3ランドのそれぞれは同じ形状及び面積であり、前記第2ランドと前記第3ランドとは、前記第1ランドに対して対称に配置され、前記第1ランドと前記第2ランドとの間の電気的に絶縁されている箇所に、前記レジストの一部である分断レジストが前記基台の表面に直接、且つ、前記ドレイン電極と前記リード電極の厚さより薄く形成されており、前記FETの前記第1部分の前記リード端子側の端部の形状と、前記第1ランドの前記第3ランド側の端面の形状が一致する点にある。 In order to solve the above-described problem, the characteristic configuration of the substrate according to the present invention is provided from the bottom surface of the rectangular package to the first side surface in a plan view, and the first portion and the first side surface on the bottom surface of the package. A drain terminal having a portion projecting from the first portion and a second portion which is a portion other than the first portion, and a lead terminal having a portion projecting from the second side surface facing the first side surface. A substrate comprising lands for electrically connecting surface-mount type FETs by soldering, wherein the substrate comprises a drain electrode and a lead electrode on the surface of an insulating base, The first electrode, the second electrode, and the lead electrode are electrically insulated from each other, and an insulating coating is formed around the drain electrode and the lead electrode. A resist is applied directly to the surface of the base and thinner than the drain electrode and the lead electrode, and the resist is one of each of the first electrode, the second electrode, and the lead electrode. A portion of the first electrode exposed from the resist is a first land, a portion of the second electrode exposed from the resist is a second land, and of the lead electrode The portion exposed from the resist is a third land, and each of the second land and the third land has the same shape and area, and the second land and the third land are in relation to the first land. The parting resist, which is a part of the resist, is arranged on the surface of the base directly and in front of the first land and the second land, which are symmetrically arranged and electrically insulated between the first land and the second land. A drain electrode said is formed thinner than the thickness of the lead electrodes, and the shape of the end portion of the lead terminal side of the first portion of the FET, the shape of the end face of the third land side of the first land match There is in point to do.

このような特徴構成とすれば、第1ランドと第2ランドの間の電気的に絶縁されている箇所に分断レジストが形成されることによりランドの上に分断レジストを形成する場合と比べて、ランド表面を平らにすることができる。そのため、当該基板のランドにクリーム半田を塗布した後、小型軽量タイプの電子部品を搭載しても、電子部品が傾くことがなく、そのままリフロー炉に通した後でも基板の表面に対して電子部品は水平を維持することができる。   With such a characteristic configuration, as compared with the case where the dividing resist is formed on the land by forming the dividing resist at the electrically insulated portion between the first land and the second land, The land surface can be flattened. Therefore, even if a small and lightweight electronic component is mounted after applying cream solder to the land of the substrate, the electronic component does not tilt, and the electronic component can be applied to the surface of the substrate even after passing through the reflow furnace. Can maintain level.

小型軽量で表面実装タイプのFETの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a small, light and surface mount type FET. FETの正面図である。It is a front view of FET. FETの底面図である。It is a bottom view of FET. 従来のランドを有する基板を表す平面図である。It is a top view showing the board | substrate which has the conventional land. 図4のV-V線断面図である。It is the VV sectional view taken on the line of FIG. 本実施形態に係るランドを有する基板を表す平面図である。It is a top view showing the board | substrate which has a land which concerns on this embodiment. 図6のVII-VII線断面図である。It is the VII-VII sectional view taken on the line of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図6は、本実施形態に係る基板40の平面図である。基板40は、第1ランド42cと第2ランド42dとを有する。基板40は、絶縁性の材料からなる基台41の上に、銅等の金属からなる電極を形成し、当該電極の周囲に絶縁被膜であるレジスト46を塗布して形成される。基板40には、図1〜図3に示す、ドレイン端子14とリード端子16を有する小型軽量のFET10が実装される。FET10の構成については既に上で説明したので、この場での詳細な説明は省略する。FET10は電子部品の、ドレイン端子14は第1端子の、リード端子16は第2端子の、それぞれ一例である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 6 is a plan view of the substrate 40 according to the present embodiment. The substrate 40 has a first land 42c and a second land 42d. The substrate 40 is formed by forming an electrode made of a metal such as copper on a base 41 made of an insulating material and applying a resist 46, which is an insulating film, around the electrode. A small and lightweight FET 10 having a drain terminal 14 and a lead terminal 16 shown in FIGS. 1 to 3 is mounted on the substrate 40. Since the configuration of the FET 10 has already been described above, a detailed description thereof will be omitted. The FET 10 is an example of an electronic component, the drain terminal 14 is a first terminal, and the lead terminal 16 is a second terminal.

基板40の電極は、ドレイン電極42とリード電極44からなる。本実施形態のドレイン電極42は1つの第1電極42aと4つの第2電極42bとに分けて形成されている。リード電極44は4つあり、第2電極42bとリード電極44は第1電極42aに対して対象に配置されている。第1電極42aと第2電極42bとリード電極44の間はそれぞれ電気的に絶縁されている。第2電極42bとリード電極44のそれぞれは同じ形状及び面積である。   The electrode of the substrate 40 includes a drain electrode 42 and a lead electrode 44. The drain electrode 42 of the present embodiment is formed by being divided into one first electrode 42a and four second electrodes 42b. There are four lead electrodes 44, and the second electrode 42b and the lead electrode 44 are arranged with respect to the first electrode 42a. The first electrode 42a, the second electrode 42b, and the lead electrode 44 are electrically insulated from each other. Each of the second electrode 42b and the lead electrode 44 has the same shape and area.

図6に示すように、基板40の表面のドレイン電極42とリード電極44の周囲にはレジスト46が塗布されている。レジスト46は第1電極42a、第2電極42b、リード電極44の一部を覆っている。レジスト46の厚さは、ドレイン電極42とリード電極44の厚さよりも薄い。第1電極42a、第2電極42b、リード電極44のうち、レジスト46から露出している箇所が、第1ランド42c、第2ランド42d、第3ランド44aである。   As shown in FIG. 6, a resist 46 is applied around the drain electrode 42 and the lead electrode 44 on the surface of the substrate 40. The resist 46 covers a part of the first electrode 42 a, the second electrode 42 b, and the lead electrode 44. The resist 46 is thinner than the drain electrode 42 and the lead electrode 44. Of the first electrode 42a, the second electrode 42b, and the lead electrode 44, the portions exposed from the resist 46 are the first land 42c, the second land 42d, and the third land 44a.

第2ランド42dと第3ランド44aは第1ランド42cに対して対称に配置されており、第1ランド42cと第2ランド42dと第3ランド44aの間はそれぞれ電気的に絶縁されている。第2ランド42dと第3ランド44aのそれぞれは同じ形状及び面積である。上述のように、本実施形態においては、第1ランド42cと第2ランド42dとは電気的に繋がっていないので、第1ランド42cと第2ランド42dとの間にある分断レジスト46aは基台41の上に直接形成されている(図7参照)。   The second land 42d and the third land 44a are arranged symmetrically with respect to the first land 42c, and the first land 42c, the second land 42d, and the third land 44a are electrically insulated from each other. Each of the second land 42d and the third land 44a has the same shape and area. As described above, in the present embodiment, since the first land 42c and the second land 42d are not electrically connected, the dividing resist 46a between the first land 42c and the second land 42d is used as a base. It is formed directly on 41 (see FIG. 7).

このような基板40の第1ランド42c、第2ランド42d、第3ランド44aにクリーム半田を塗布した後にFET10を搭載し、不図示のリフロー炉に通す。その結果、クリーム半田が熱で溶融、固化し、図7に示すように、FET10のドレイン端子14の第1部分14aと第1ランド42c、第2部分14bと第2ランド42d、リード端子16と第3ランド44aが、半田30によりそれぞれ電気的に接続される。   After the cream solder is applied to the first land 42c, the second land 42d, and the third land 44a of the substrate 40, the FET 10 is mounted and passed through a reflow furnace (not shown). As a result, the cream solder is melted and solidified by heat, and as shown in FIG. 7, the first portion 14a and the first land 42c, the second portion 14b and the second land 42d, and the lead terminal 16 of the drain terminal 14 of the FET 10 The third lands 44 a are electrically connected by the solder 30.

本実施形態においては、分断レジスト46aが基台41の上に直接、且つ、ドレイン電極42とリード電極44の厚さよりも薄く形成されているので、分断レジスト46aはドレイン電極42とリード電極44の上に突出していない。従って、小型軽量であってもFET10は基板40の表面に対して水平に搭載される。その状態でリフロー炉に通してクリーム半田を溶融、固化させても、基板40の表面に対するFET10の水平は維持される。従って、FET10の実装状態において、ドレイン端子14の第1部分14aと第1ランド42cの間、第2部分14bと第2ランド42dの間、及びリード端子16と第3ランド44aの間にはいずれも均一な厚さの半田30が存在している。また、第2部分14b及びリード端子16にはいずれも半田30によるフロントフィレットとバックフィレットが形成されている。これにより、基板40に対するFET10の十分な接続強度が確保されると共に、半田30において半田クラックが生じるおそれもなくなる。   In this embodiment, since the dividing resist 46 a is formed directly on the base 41 and thinner than the drain electrode 42 and the lead electrode 44, the dividing resist 46 a is formed between the drain electrode 42 and the lead electrode 44. It does not protrude upward. Therefore, the FET 10 is mounted horizontally with respect to the surface of the substrate 40 even if it is small and light. Even if the cream solder is melted and solidified by passing through a reflow furnace in this state, the FET 10 is kept horizontal with respect to the surface of the substrate 40. Therefore, when the FET 10 is mounted, any of the drain terminal 14 between the first portion 14a and the first land 42c, between the second portion 14b and the second land 42d, and between the lead terminal 16 and the third land 44a. There is also a uniform thickness of solder 30. Further, both the second portion 14 b and the lead terminal 16 are formed with a front fillet and a back fillet made of solder 30. This ensures sufficient connection strength of the FET 10 to the substrate 40 and eliminates the possibility of solder cracks occurring in the solder 30.

本実施形態に係る基板40によれば、第1ランド42cと第2ランド42dの間の電気的に絶縁されている箇所に分断レジスト46aが形成されることにより、従来の基板20のように第1ランド22aの上に分断レジスト26aを形成する場合と比べて、第1ランド42c及び第2ランド42dの表面を平らにすることができる。そのため、基板40の第1ランド42c及び第2ランド42dにクリーム半田を塗布した後で小型軽量タイプのFET10を搭載しても、FET10が傾くことがなく、そのままリフロー炉に通した後でも基板40の表面に対してFET10は水平を維持することができる。   According to the substrate 40 according to the present embodiment, the dividing resist 46a is formed at an electrically insulated portion between the first land 42c and the second land 42d, so that the first resist 20a is formed like the conventional substrate 20. Compared with the case where the dividing resist 26a is formed on one land 22a, the surfaces of the first land 42c and the second land 42d can be made flat. Therefore, even if the small and light type FET 10 is mounted after the cream solder is applied to the first land 42c and the second land 42d of the substrate 40, the FET 10 does not tilt, and the substrate 40 is passed through the reflow furnace as it is. The FET 10 can be kept horizontal with respect to the surface.

また、第2ランド42dと第3ランド44aの形状及び面積を同じにし、第2ランド42dと第3ランド44aを第1ランド42cに対して対称に配置する構成とすれば、リフロー後にクリーム半田が固化する際に、第2ランド42dと第3ランド44aとの固化速度を同等にすることができるので、固化速度の違いによって基板40の表面に対してFET10が傾くことを抑制することができる。   Further, if the second land 42d and the third land 44a have the same shape and area, and the second land 42d and the third land 44a are arranged symmetrically with respect to the first land 42c, the cream solder is applied after reflow. When solidifying, the solidification speeds of the second land 42d and the third land 44a can be made equal, so that the FET 10 can be prevented from being inclined with respect to the surface of the substrate 40 due to the difference in the solidification speed.

本実施形態に係るランド形状(第1ランド42cと第2ランド42d)はFET10を実装する場合についてのみ説明したが、FET10のみに限られるものではなく、FET10と同様の端子形状を有する他の小型軽量タイプの電子部品を実装する場合についても同様に適用可能である。このように、本実施形態に係る基板40の構成は、小型軽量の表面実装タイプの電子部品を実装する際に特に有効である。   The land shapes (first land 42c and second land 42d) according to the present embodiment have been described only in the case where the FET 10 is mounted. However, the land shape is not limited to the FET 10, and other small sizes having the same terminal shape as the FET 10 are used. The same applies to the case of mounting a lightweight electronic component. As described above, the configuration of the substrate 40 according to the present embodiment is particularly effective when mounting a small and lightweight surface-mount type electronic component.

本発明は、電子部品を電気的に接続するランドを有する基板に利用することが可能である。   The present invention can be used for a substrate having lands that electrically connect electronic components.

10 FET(電子部品)
12 パッケージ
12a 第1側面
12b 第2側面
12c 底面
14 ドレイン端子(第1端子)
14a 第1部分
14b 第2部分
16 リード端子(第2端子)
40 基板
42c 第1ランド(ランド)
42d 第2ランド(ランド)
44a 第3ランド(ランド)
46 レジスト
46a 分断レジスト
10 FET (electronic parts)
12 Package 12a First side surface 12b Second side surface 12c Bottom surface 14 Drain terminal (first terminal)
14a First part 14b Second part 16 Lead terminal (second terminal)
40 Substrate 42c First land (land)
42d 2nd land (land)
44a 3rd land
46 resist 46a parting resist

Claims (1)

平面視で角状のパッケージの底面から第1側面にかけて設けられ、該パッケージの前記底面にある第1部分と前記第1側面から突出する部分を有し且つ前記第1部分以外の部分である第2部分とを有するドレイン端子と、前記第1側面の対面となる第2側面から突出する部分を有するリード端子と、を備える表面実装タイプのFETを半田付けによって電気的に接続するランドを備えた基板であって、
前記基板は、絶縁性の基台の表面にドレイン電極とリード電極とを備え、
前記ドレイン電極は、第1電極と第2電極とに分けて形成され、前記第1電極と前記第2電極と前記リード電極とはそれぞれ電気的に絶縁され、
前記ドレイン電極と前記リード電極との周囲に絶縁被膜であるレジストを、前記基台の表面に直接、且つ、前記ドレイン電極と前記リード電極の厚さより薄く塗布しており、
前記レジストは、前記第1電極、前記第2電極、前記リード電極のそれぞれの一部を覆っており、前記第1電極のうち前記レジストから露出する箇所が第1ランドであり、前記第2電極のうち前記レジストから露出する箇所が第2ランドであり、前記リード電極のうち前記レジストから露出する箇所が第3ランドであり、
前記第2ランドと前記第3ランドのそれぞれは同じ形状及び面積であり、前記第2ランドと前記第3ランドとは、前記第1ランドに対して対称に配置され、
前記第1ランドと前記第2ランドとの間の電気的に絶縁されている箇所に、前記レジストの一部である分断レジストが前記基台の表面に直接、且つ、前記ドレイン電極と前記リード電極の厚さより薄く形成されており、
前記FETの前記第1部分の前記リード端子側の端部の形状と、前記第1ランドの前記第3ランド側の端面の形状が一致する基板。
A first portion which is provided from the bottom surface to the first side surface of the square package in plan view, has a first portion on the bottom surface of the package and a portion protruding from the first side surface, and is a portion other than the first portion. A land terminal for electrically connecting a surface-mount type FET comprising a drain terminal having two portions and a lead terminal having a portion protruding from the second side surface facing the first side surface by soldering; A substrate,
The substrate includes a drain electrode and a lead electrode on the surface of the insulating base,
The drain electrode is divided into a first electrode and a second electrode, and the first electrode, the second electrode, and the lead electrode are electrically insulated from each other,
A resist which is an insulating film is applied around the drain electrode and the lead electrode directly on the surface of the base and thinner than the thickness of the drain electrode and the lead electrode,
The resist covers a part of each of the first electrode, the second electrode, and the lead electrode, and a portion of the first electrode exposed from the resist is a first land, and the second electrode The portion exposed from the resist is the second land, and the portion of the lead electrode exposed from the resist is the third land,
Each of the second land and the third land has the same shape and area, and the second land and the third land are arranged symmetrically with respect to the first land,
A portion of the resist that is a part of the resist is directly on the surface of the base, and the drain electrode and the lead electrode are electrically insulated between the first land and the second land. of which is thinner than the thickness,
A substrate in which the shape of the end portion on the lead terminal side of the first portion of the FET matches the shape of the end surface on the third land side of the first land .
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