JP6486264B2

JP6486264B2 - 絶縁トランス

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Publication number: JP6486264B2
Application number: JP2015254143A
Authority: JP
Inventors: 岡田　真一; 真一岡田; 長谷川　武敏; 武敏長谷川; 良介中川; 幸夫中嶋; 修一長光
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2015-12-25
Filing date: 2015-12-25
Publication date: 2019-03-20
Anticipated expiration: 2035-12-25
Also published as: JP2017118020A

Description

本発明は、絶縁トランスに関し、特に平面コイル型トランスに関する。

ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等のスイッチングデバイスを用いたスイッチング電源においては、制御回路がゲート電圧を制御することにより、スイッチング制御を行う。スイッチングデバイス側の回路と制御回路は、相互に電気的に絶縁されていなければならない。従来から、この絶縁のために、絶縁トランスが用いられている。

このような絶縁トランスとしては、例えば特許文献１（特開２０００−９１１３８号公報）記載の絶縁トランスが提案されている。特許文献１記載の絶縁トランスは、１次側のコイルと、２次側のコイルと、１次側のコイルと２次側のコイルの間に挟み込まれた絶縁シートと、１次側のコイルと２次側コイルに挿入されたコアとを有している。１次側のコイル及び２次側のコイルは、プリント基板と、プリント基板上に渦巻き状に形成されたコイル導体とを有している。

特開２０００−９１１３８号公報

しかしながら、特許文献１記載の絶縁トランスにおいては、コアとコイル導体との間に十分な絶縁距離が確保されていない。そのため、特許文献１記載の絶縁トランスにおいては、スイッチングデバイスに高い電圧が印加される場合の絶縁性能が不十分である。別の観点からいえば、特許文献１記載の絶縁トランスは、絶縁性能を確保するために、大型化をする必要がある。

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。具体的には、本発明の目的は、大型化を行うことなく、高耐圧化を実現することができる絶縁トランスを提供することにある。

本発明に係る絶縁トランスは、コアと、複数のコイルとを有している。複数のコイルの各々は、開口部を含む基板と、基板上に渦巻状に配置されたコイル導体とを有している。コアは、開口部に挿入されている。コイル導体は、内周部と外周部とを有している。内周部及び外周部は、コアにより形成される磁路面と直交する部分において、コアから遠ざかるように配置されている。

本発明によると、絶縁トランスの大型化を行うことなく、絶縁トランスの高耐圧化を実現することができる。

第１の実施形態に係る絶縁トランスの上面図である。第１の実施形態に係る絶縁トランスの断面図である。第１の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイルの上面図である。第１の実施形態に係る絶縁トランスの第２コイルの上面図である。第１の実施形態に係るシールド導体層の上面図である。比較例に係る絶縁トランスの第１コイルの上面図である。第２の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイルの上面図である。第３の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイルの上面図である。第４の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイルの上面図である。第５の実施形態に係る絶縁トランスの断面図である。

（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態について、図を参照して説明する。なお、各図中同一または相当部分には同一符号を付している。また、以下に記載する実施の形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。

（第１の実施形態に係る絶縁トランスの構造）
以下に、第１の実施形態に係るトランスの構造について説明する。図１は、第１の実施形態に係る絶縁トランスの上面図である。図２は、第１の実施形態に係る絶縁トランスの断面図である。図２に示すように、第１の実施形態に係る絶縁トランスは、コア１と、第１コイル２と、第２コイル３と、シールド導体層４と、絶縁層５とを有している。第１コイル２及び第２コイル３は、隣接して積層されている。シールド導体層４は、第１コイル２及び第２コイル３を挟み込むように積層されている。

コア１は、第１コイル２と第２コイルを磁気結合する部材である。コア１は、例えばＥ型コア１１と、Ｉ型コア１２とを組み合わせることにより形成されている。Ｅ型コア１１は、端部突起１１ａと中央部突起１１ｂとを有している。

コア１は透磁率が高く、電気抵抗が小さい材料であることが好ましい。コア１の材料としては、例えばフェライト、センダスト等が用いられる。

図３は、第１コイル２の上面図である。図３に示すように、第１コイル２は、基板２１と、コイル導体２２とを有している。第１コイル２は、例えば絶縁トランスの１次側のコイルとして機能する。

基板２１は、長辺２１ａと、短辺２１ｂと、中央付近に形成された開口部２１ｃと、スルーホール２１ｄとを有している。長辺２１ａ側には、Ｅ型コア１１の端部突起１１ａが配置される。開口部２１ｃには、Ｅ型コア１１の中央部突起１１ｂが挿入される。スルーホール２１ｄは、基板２１の表面及び裏面を貫通している。

基板２１の材料としては、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。

コイル導体２２は、基板２１の表面及び裏面上に形成されている。基板２１の表面に形成されるコイル導体２２と、基板２１の裏面に形成されるコイル導体２２は、スルーホール２１ｄにより接続されている。なお、コイル導体２２は、基板２１の表面及び裏面のいずれか一方に形成されていてもよい。

コイル導体２２は、開口部２１ｃの周囲を、渦巻状に取り囲む形状を有している。コイル導体２２は、かかる形状を有することにより、コイルとして機能する。

コイル導体２２は、外周部２２ａ及び内周部２２ｂを有している。外周部２２ａは、渦巻状に形成されたコイル導体２２の最外周に位置している。内周部２２ｂは、渦巻状に形成されたコイル導体２２の最内周に位置している。

コイル導体２２は、端部突起１１ａと中央部突起１１ｂの間の領域を通過している部分を含んでいる。コイル導体２２は、この部分において、コア１により形成される磁路面と直交している。

コイル導体２２は、磁路面と直交する部分に、狭窄部２２ｃを含んでいる。狭窄部２２ｃにおけるコイル導体２２の幅Ｗ１は、他の部分におけるコイル導体２２の幅より狭い。

なお、磁路面と直交する部分のコイル導体２２の全てが、狭窄部２２ｃを含んでいる必要はない。例えば、外周部２２ａ及び内周部２２ｂのいずれか一方が、磁路面と直交する部分に狭窄部２２ｃを含んでいてもよい。また、例えば、外周部２２ａ及び内周部２２ｂ以外のコイル導体２２が、磁路面と直交する部分に狭窄部２２ｃを含んでいてもよい。

外周部２２ａ及び内周部２２ｂは、曲部２２ｄを有している。曲部２２ｄは、狭窄部２２ｃ前後に配置されている。外周部２２ａは、曲部２２ｄにおいて、内周部２２ｂ側に曲がっている。内周部２２ｂは、曲部２２ｄにおいて、外周部２２ａ側に曲がっている。

なお、外周部２２ａ及び内周部２２ｂのいずれか一方が、曲部２２ｄを有していてもよい。すなわち、外周部２２ａ及び内周部２２ｂのうち少なくとも一方が、曲部２２ｄにおいて、コア１から遠ざかる方向に曲がっていればよい。

上記の狭窄部２２ｃ及び曲部２２ｄの構成は、コイル導体２２の配置の例示である。コイル導体２２は、要するに、外周部２２ａ及び内周部２２ｂのうち少なくとも一方が、コア１から遠ざかるように配置されていればよい。

短辺２１ｂに沿って形成されているコイル導体２２は、拡幅部２２ｅを含んでいてもよい。拡幅部２２ｅにおけるコイル導体２２は、他の部分におけるコイル導体２２よりも幅が広い。

例えば、拡幅部２２ｅにおけるコイル導体２２の幅Ｗ２は、狭窄部２２ｃにおけるコイル導体２２の幅Ｗ１より広い。好ましくは、例えば、拡幅部２２ｅにおけるコイル導体２２の幅Ｗ２は、曲部２２ｄにおけるコイル導体２２の幅よりも広い。さらに、例えば、拡幅部２２ｅにおけるコイル導体の幅Ｗ２は、狭窄部２２ｃ及び曲部２２ｄ以外におけるコイル導体２２の幅よりも広い。

拡幅部２２ｅにおけるコイル導体２２は、他の部分におけるコイル導体２２よりも電気抵抗が低い。そのため、拡幅部２２ｅを設けることにより、狭窄部２２ｃを設けることに伴うコイル導体２２の電気抵抗上昇を抑制することができる。

コイル導体２２は、基板２１の表面及び裏面上に貼り付けられた銅（Ｃｕ）等の導体をエッチングすることにより形成される。

図４は、第１の実施形態に係る絶縁トランスの第２コイル３の上面図である。図３に示すように、第２コイル３は、例えば２次側コイルとして機能する。

第２コイル３は第１コイル２と同様の構造を有している。すなわち、第２コイル３は、基板３１と、基板３１上に形成されたコイル導体３２とを有している。基板３１は、長辺３１ａと、短辺３１ｂと、開口部３１ｃと、スルーホール３１ｄとを有している。コイル導体３２は、外周部３２ａ、内周部３２ｂを有している。また、コイル導体３２は、コア１により形成される磁路面と直交する部分において、狭窄部３２ｃを有している。さらに、コイル導体３２は、狭窄部３２ｃの前後の部分において、曲部３２ｄを有している。コイル導体３２は、曲部３２ｄにおいて、コア１から遠ざかる方向に曲がっている。

図５は、第１の実施形態に係る絶縁トランスのシールド導体層４の上面図である。図５に示すように、シールド導体層４は、基板４１と、シールド導体４２と、ソルダレジスト４３とを有している。

基板４１は、長辺４１ａと、短辺４１ｂと、中央付近に形成された開口部４１ｃと、スルーホール４１ｄとを有している。長辺４１ａ側には、Ｅ型コア１１の端部突起１１ａが配置される。開口部４１ｃには、Ｅ型コア１１の中央部突起１１ｂが挿入される。

スルーホール４１ｄは、基板２１の表面及び裏面を貫通している。スルーホール４１ｄ及びスルーホール２１ｄを介して、第１コイル２は、制御回路等と接続される。また、同様に、スルーホール４１ｄ及びスルーホール３１ｄを介して、第２コイル３は、スイッチングデバイス側の回路等と接続される。

基板４１の材料としては、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。

シールド導体４２は、基板４１上において、開口部４１ｃの周囲を取り囲むように形成されている。すなわち、シールド導体４２は、平面視において第１コイル２のコイル導体２２及び第２コイル３のコイル導体３２と重なる位置に形成されている。そのため、シールド導体４２は、第１コイル２及び第２コイル３を静電遮蔽する。

シールド導体４２は、シールド導体４２の内周側と外周側を連通するスリット４２ａを有していてもよい。スリット４２ａを形成することにより、シールド導体４２に短絡電流が流れることを防止することができる。

シールド導体４２は、基板４１上に貼り付けられたＣｕ等の導体をエッチングすることにより形成される。

ソルダレジスト４３は、基板４１上及びシールド導体４２上に形成されている。ソルダレジスト４３を基板４１上に形成することにより、基板４１の汚損及び基板４１へのソルダ付着を抑制することができる。また、ソルダレジスト４３をシールド導体４２上に形成することにより、コア１に対して導体が露出している部分が無くなる。その結果、絶縁トランスの耐圧が向上する。

絶縁層５は、図２に示すように、第１コイル２と第２コイル３の間に形成されている。これにより、第１コイル２と第２コイル３が絶縁分離される。また、絶縁層５は、第１コイル２とシールド導体層４の間及び第２コイル３及びシールド導体層４の間にも形成されている。

絶縁層５は、例えば、プリプレグシートを、真空ヒートプレス成型することにより形成される。プリプレグシートは、例えばエポキシ等の樹脂を含浸したガラス繊維である。

真空ヒートプレス成型の際、プリプレグシートの樹脂が、基板２１とコイル導体２２の間の段差等に回り込む。そのため、絶縁層５中のボイドを低減することができる。その結果、高電圧の印加時においても、部分放電の発生を抑制することができる。

（第１の実施形態に係る絶縁トランスの効果）
以下に、第１の実施形態に係る絶縁トランスの効果について説明する。図６は、比較例に係る絶縁トランスにおける第１コイル２の上面図である。図６に示すように、比較例に係る絶縁トランスにおける第１コイル２は、第１の実施形態に係る絶縁トランスと同様、基板２１と、外周部２２ａ及び内周部２２ｂを含むコイル導体２２とを有している。

比較例に係る絶縁トランスにおいては、磁路面と直交する部分のコイル導体２２は、他の部分におけるコイル導体２２と同一の幅を有している。また、比較例に係る絶縁トランスにおいては、磁路面と直交する部分の前後で、外周部２２ａ及び内周部２２ｂが、コア１から遠ざかる方向に曲がっていない。

比較例に係る絶縁トランスにおいては、外周部２２ａと端部突起１１ａの間の沿面距離及び内周部２２ｂと中央部突起１１ｂとの沿面距離が短い。これらの距離が短い場合、ＩＧＢＴ等のスイッチングデバイスに高電圧が印加されると、コイル導体２２とコア１との間で絶縁破壊が生じてしまう。その結果、比較例においては、これらの距離を確保するために、絶縁トランスを大型化せざるを得ない。

他方、第１の実施形態に係る絶縁トランスにおいては、外周部２２ａ及び内周部２２ｂは、コア１から遠ざかるように配置されている。そのため、第１の実施形態に係る絶縁トランスにおいては、外周部２２ａと端部突起１１ａの間の沿面距離及び内周部２２ｂと中央部突起１１ｂとの沿面距離が確保されている。

したがって、ＩＧＢＴ等のスイッチングデバイスに高電圧が印加される場合でも、コイル導体２２とコア１との間で絶縁破壊が生じにくい。すなわち、第１の実施形態では、絶縁トランスの大型化を行うことなく、耐圧を確保することができる。

（第２の実施形態）
以下に、図を参照して第２の実施形態について説明する。ここでは、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。

（第２の実施形態に係る絶縁トランスの構造）
図７は、第２の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイル２及び第２コイル３の上面図である。図７に示すとおり、第２の実施形態に係る絶縁トランスは、コア１、第１コイル２及び第２コイル３を有している点において、第１の実施形態と同様である。しかし、絶縁トランスの第１コイル２及び第２コイル３は、第１の実施形態に係る絶縁トランスと異なり、１枚の基板２１上に配置されている。

コア１は、第１の実施形態に係る絶縁トランスと異なり、Ｉ型コア１２とＵ型コア１３を組み合わせることにより形成されている。Ｕ型コア１３は、端部突起１３ａを有している。端部突起１３ａは、開口部２１ｃ及び開口部３１ｃに挿入されている。

第１コイル２の内周部２２ｂ及び第２コイル３の内周部３２ｂは、長辺２１ａと平行に端部突起１３ａの側方の通過している。第１コイル２の内周部２２ｂ及び第２コイル３の内周部３２ｂは、この部分において、コア１によって形成される磁路面と直交している。

第１コイル２の内周部２２ｂ及び第２コイル３の内周部３２ｂは、磁路面と直交する部分において、狭窄部２２ｃ及び狭窄部３２ｃを有している。第１コイル２の内周部２２ｂ及び第２コイル３の内周部３２ｂは、曲部２２ｄ及び曲部３２ｄにおいて、外周部２２ａ及び外周部３２ａ側に曲がっている。すなわち、第１コイル２の内周部２２ｂ及び第２コイル３の内周部３２ｂは、磁路面と直交する部分において、コア１から遠ざかるように配置されている。

第２の実施形態においては、第１コイル２の外周部２２ａ及び第２コイル３の外周部３２ａは、端部突起１３ａの近傍を通過しない。そのため、第１コイル２の外周部２２ａ及び第２コイル３の外周部３２ａとコア１を絶縁する必要性は低い。したがって、第２の実施形態においては、第１コイル２の外周部２２ａ及び第２コイル３の外周部３２ａは、磁路面と直交する部分において、コア１から遠ざかるように配置されなくてもよい。

（第２の実施形態に係る絶縁トランスの効果）
第２の実施形態に係る絶縁トランスにおいては、第１コイル２の外周部２２ａ及び第２コイル３の内周部３２ｂとコア１との沿面距離が確保される。そのため、ＩＧＢＴ等のスイッチングデバイスに高電圧が印加される場合でも、コイル導体２２とコア１との間で絶縁破壊が生じにくい。すなわち、第１の実施形態では、絶縁トランスの大型化を行うことなく、耐圧を確保することができる。

（第３の実施形態）
以下に、図を参照して第２の実施形態について説明する。ここでは、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。

（第３の実施形態に係る絶縁トランスの構造）
図８は、第３の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイル２の上面図である。図８に示すように、第３の実施形態に係る絶縁トランスは、第１コイル２が外周部２２ａ及び内周部２２ｂを含むコイル導体２２を有する点において、第１の実施形態に係る絶縁トランスと同様である。

しかし、第３の実施形態に係る絶縁トランスは、第１コイル２が、さらに浮遊導体２３を有している点において、第１の実施形態に係る絶縁トランスと異なっている。浮遊導体２３は、外周部２２ａと端部突起１１ａとの間及び内周部２２ｂと中央部突起１１ｂとの間に形成されている。浮遊導体２３は、電気的にフローティング状態となっている。

浮遊導体２３は、コイル導体２２よりも幅が狭いことが好ましい。浮遊導体２３の幅を狭くすることにより、浮遊導体２３とコア１との沿面距離を確保し、絶縁トランスの耐圧を向上させることができる。

また、浮遊導体２３の端部は、丸められていることが好ましい。浮遊導体２３端部の丸みの曲率半径は、浮遊導体２３の幅よりも大きいことが、特に好ましい。

コイル導体２２と浮遊導体２３の間の静電容量と、コア１と浮遊導体２３の間の静電容量は、等しいことが好ましい。これにより、浮遊導体２３の電位がコア１の電位とコイル導体２２の電位の中間の電位となる。その結果、絶縁トランスの耐圧を向上させることができる。なお、浮遊導体２３の面積及び浮遊導体２３とコイル導体２２、コア１との距離を適宜調整することにより、コイル導体２２と浮遊導体２３の間の静電容量とコア１と浮遊導体２３の間の静電容量を等しくすることができる。

浮遊導体２３は、基板２１に貼り付けたＣｕ等の導体をエッチングすることにより形成される。

（第３の実施形態に係る絶縁トランスの効果）
浮遊導体２３とコア１の沿面距離がコイル導体２２とコア１の沿面距離の１／２となるように、浮遊導体２３を配置する。簡単のため、このように浮遊導体２３の配置により、浮遊導体２３とコア１の間の電圧は、コイル導体２２とコア１の間の電圧の１／２に分圧されるものとする。

沿面放電が発生する電圧は、経験的に距離の平方根に比例することが知られている。したがって、浮遊導体２３を設けることにより、沿面放電が発生する電圧は１／√２倍となる。

上記のとおり、浮遊導体２３とコア１の間の電圧は、コイル導体２２とコア１の間の電圧の１／２に分圧されている。そのため、沿面放電が発生するコイル導体２２とコア１の間の電圧は、浮遊導体２３を設けた場合、浮遊導体２３を設けない場合と比較して、√２（１／√２÷１／２＝√２）倍となる。

以上から、浮遊導体２３を設けることにより、絶縁トランスの高耐圧化を図ることができる。別の観点からいえば、同一の耐圧であれば沿面距離Ｄを小さくして、絶縁トランスの小型化を図ることができる。

（第４の実施形態）
以下に、図を参照して第４の実施形態について説明する。ここでは、第２の実施形態と異なる点について主に説明する。

（第４の実施形態に係る絶縁トランスの構造）
図９は、第４の実施形態に係る絶縁トランスの第１コイル２及び第２コイル３の上面図である。図９に示すとおり、第４の実施形態に係る絶縁トランスは、第１コイル２及び第２コイル３に浮遊導体２３が形成されている点を除いて、第２の実施形態に係る絶縁トランスと同様の構造を有している。

浮遊導体２３は、端部突起１３ａと第１コイル２の内周部２２ｂの間、及び端部突起１３ａと第２コイル３の内周部３２ｂの間に形成されている。

（第４の実施形態に係る絶縁トランスの効果）
第４の実施形態に係る絶縁トランスにおいても、浮遊導体２３を形成することにより、絶縁トランスの高耐圧化を図る又は絶縁トランスの小型化を図ることができる。

（第５の実施形態）
以下に、図を参照して第５の実施形態について説明する。ここでは、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。

（第５の実施形態に係る絶縁トランスの構造）
図１０は、絶縁層５の断面図である。図１０に示すように、絶縁層５中において、第１の絶縁部材５ａが２枚以上積層されている。同様に、絶縁層５中において、第２の絶縁部材５ｂは２枚以上積層されている。第１の絶縁部材５ａは、第２の絶縁部材５ｂよりも、熱伝導率が高い。

第２の絶縁部材５ｂは、例えばエポキシ等の樹脂を含浸したガラス繊維である。第１の絶縁部材５ａは、例えばエポキシ等の樹脂を含浸したガラス繊維であるが、ガラス繊維の含有量が第２の絶縁部材５ｂよりも多い。

さらに、第１の絶縁部材５ａは、例えばエポキシ等の樹脂を含浸した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）等の無機材料であってもよい。

絶縁層５は、第１コイル２のコイル導体２２及び第２コイル３のコイル導体３２によって挟み込まれている。第１コイル２の狭窄部２２ｃと第２コイル３の狭窄部３２ｃの間には、第１の絶縁部材５ａが配置されている。それ以外の部分には、第２の絶縁部材５ｂが配置されている。

好ましくは、２枚以上の第１の絶縁部材５ａの各々は、端部の位置が一致しないように配置されている。別の観点からいえば、第１の絶縁部材５ａと第２の絶縁部材５ｂの境界面は、第１コイル２の外周部２２ａに対し垂直な方向から傾いていることが好ましい。

（第５の実施形態に係る絶縁トランスの効果）
第１コイル２の狭窄部２２ｃ及び第２コイル３の狭窄部３２ｃは、導体の幅が狭くなっているため、電気抵抗が高い。すなわち、第１コイル２の狭窄部２２ｃ及び第２コイル３の狭窄部３２ｃからの発熱量は、他の部分からの発熱量よりも多い。

そのため、第１コイル２の狭窄部２２ｃ及び第２コイル３の狭窄部３２ｃの間に熱伝導率が高い第１の絶縁部材５ａを配置することにより、効率的に第１コイル２の狭窄部２２ｃ及び第２コイル３の狭窄部３２ｃからの発熱を放熱することができる。

また、複数枚の第１の絶縁部材５ａの各々が、その端部の位置を一致させるように配置されると、第１の絶縁部材５ａと第２の絶縁部材５ｂとの境目に空気層ができやすい。このような空気層ができてしまうと、そこから絶縁破壊が生じやすい。

そのため、複数枚の第１の絶縁部材５ａの各々を、端部の位置を一致させないように配置することで、熱伝導性を向上させるのみならず、高耐圧化を図ることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１コア、１１Ｅ型コア、１１ａ端部突起、１１ｂ中央部突起、１２Ｉ型コア、１３Ｕ型コア、１３ａ端部突起、２第１コイル、２１基板、２１ａ長辺、２１ｂ短辺、２１ｃ開口部、２１ｄスルーホール、２２コイル導体、２２ａ外周部、２２ｂ内周部、２２ｃ狭窄部、２２ｄ曲部、２２ｅ拡幅部、２３浮遊導体、３第１コイル、３１基板、３１ａ長辺、３１ｂ短辺、３１ｃ開口部、３１ｄスルーホール、３２コイル導体、３２ａ外周部、３２ｂ内周部、３２ｃ狭窄部、３２ｄ曲部、４シールド導体層、４１基板、４１ｃ開口部、４１ｄスルーホール４２シールド導体、４２ａスリット、４３ソルダレジスト、５絶縁層、５ａ第１の絶縁部材、５ｂ第２の絶縁部材、Ｗ１狭窄部におけるコイル導体の幅、Ｗ２拡幅部におけるコイル導体の幅。

Claims

コアと、
複数のコイルとを備え、
前記複数のコイルの各々は、開口部を含む基板と、前記基板上に渦巻状に配置されたコイル導体とを有しており、
前記コアは、前記開口部に挿入されており、
前記コイル導体は、内周部と外周部とを含んでおり、
前記内周部及び前記外周部は、前記コアにより形成される磁路面と直交する部分において、前記コアから遠ざかるように配置されると伴に、狭窄部を有しており、
前記基板は、長辺と短辺とを有しており、
前記狭窄部は、前記長辺に沿って形成されており、
前記短辺に沿って形成されている前記コイル導体の前記内周部及び前記外周部の幅は、前記狭窄部の幅よりも広い、絶縁トランス。
前記短辺に沿って形成されている前記コイル導体における前記内周部と前記外周部との間の前記コイル導体の幅は、前記狭窄部の幅よりも広い、請求項１記載の絶縁トランス。
前記複数のコイルの間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は第１の部分と前記第１の部分よりも熱伝導率が高い第２の部分とを含んでおり、
前記第２の部分は、前記狭窄部上に配置されている、請求項１または請求項２記載の絶縁トランス。
コアと、
複数のコイルとを備え、
前記複数のコイルの各々は、開口部を含む基板と、前記基板上に渦巻状に配置されたコイル導体とを有しており、
前記コアは、前記開口部に挿入されており、
前記コイル導体は、内周部と外周部とを含んでおり、
前記内周部及び前記外周部は、前記コアにより形成される磁路面と直交する部分において、前記コアから遠ざかるように配置されると伴に、狭窄部を有しており、
前記複数のコイルの間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は第１の部分と前記第１の部分よりも熱伝導率が高い第２の部分とを含んでおり、
前記第２の部分は、前記狭窄部上に配置されており、
前記絶縁層において、前記第１の部分と前記第２の部分とを含む層が複数積層されており、複数の前記層のそれぞれにおける前記第１の部分と前記第２の部分との境界は、互いにずらして配置されている、絶縁トランス。
前記内周部及び前記外周部は、前記狭窄部の前後において、前記コアから遠ざかる方向に曲がっている、請求項１または請求項２記載の絶縁トランス。
コアと、
複数のコイルとを備え、
前記複数のコイルの各々は、開口部を含む基板と、前記基板上に渦巻状に配置されたコイル導体とを有しており、
前記コアは、前記開口部に挿入されており、
前記コイル導体は、内周部と外周部とを含んでおり、
前記内周部及び前記外周部は、前記コアにより形成される磁路面と直交する部分において、前記コアから遠ざかるように配置されており、
前記コイルは、前記外周部及び前記コアの間に形成された浮遊導体を含んでいる、絶縁トランス。
前記複数のコイルを静電遮蔽するシールド導体層をさらに備えている、請求項１または請求項２記載の絶縁トランス。
前記シールド導体層を被覆するソルダレジストを有している、請求項７記載の絶縁トランス。
前記シールド導体層は、シールドの基板と、前記シールドの基板上に配置され、内周及び外周を有するシールド導体を含んでおり、前記シールド導体は前記内周及び前記外周を連通するスリットを有している、請求項８記載の絶縁トランス。