JP6484332B2 - ダイヤモンド単位格子のコンビナトリアル合成法 - Google Patents
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Description
「コンビナトリアル合成」とは、本明細書中で使用する場合、ダイヤモンド単位格子を産生する、テトラヘドラノイダル化合物と炭素原子との反応を意味する。本明細書中、「テトラヘドラノイダル」(「テトラヘドラン様物質」との意味)および「テトラヘドラノイド」(「テトラヘドラン様物質」又は「テトラヘドラン誘導体」との意味)という語は交換可能に使用される。
キュバン(C8H8):MW=104.1491、mp=131℃、bp=133℃、蒸気圧=1.1mmHg(25℃)
固体状態ダイヤモンド単位格子形成反応を以下のように実施した。
気相ダイヤモンド単位格子形成反応を以下のように実施した。
直径2cm、壁高5cmの内側をテフロン(登録商標)でコーティングされたガラス受器シリンダー(これを「第2のガラス受器シリンダー」とする)を、ネジ付広口とガス/真空バルブポートと電子制御のシリンジポンプを取り付けた隔膜ポートとを有するシュレンク容器(これを「第2のシュレンク容器」とする)の中に入れた。(第2の)容器(シュレンク容器)を密封し、空にし、続いてアルゴンを入れ、ドライアイス−クロロベンゼン浴(−45℃)中で冷却した。シリンジポンプを使用して、ジクロロメタン中0.125mmolのキュバンの溶液を(第2の)容器シリンダー中に入れた。
シリンジライン(ニードル)を両容器から取り出した。両容器へのアルゴン流を停止した。両容器にゆっくりと真空を適用して突沸を最小限に抑え、そして完全真空下で溶媒を除去した(約10分)。目視観察でシリンダーがどちらも乾燥(無溶媒)固体を含むことがわかったら、アルゴンを両容器に再度入れた。アルゴン流の一部をgc/msによってサンプリングして、ジクロロメタンが完全に除去され、かつベンゼンが存在しないことを確認した。冷浴をはずした。容器を、アルゴン雰囲気を有するグローブボックスのロードロックに移し、キュバンを入れたシリンダーをマイクロ波放電セル内に含まれるエバポレータに移し、密封した。ベンズバレンを含むシリンダーを、ガス/真空バルブ付接続器具を有する蒸発セルに移し、閉じた。ガス/真空接続器具を取り付け、そしてCVDによるダイヤモンド形成反応のための設定がなされたCVDリアクターに両セルを移した。
気相反応について、正確な化学量論は必要ない。むしろ、過剰のテトラヘドラノイダル化合物が好ましい。すなわち、テトラヘドラノイダル化合物対キュバン比で8:1以上のものを使用する。すべての原子状炭素が気相で反応して、基材上にダイヤモンド単位格子を析出させることを確実にするためには、好ましくは、比率は16:1(またはそれ以上)である。このために使用できるテトラヘドラノイダル化合物はベンズバレンおよび2,3,4−メチニル−シクロブタノン(「テトラヘドラノン」)である。ベンズバレンの方が安定であり、より容易かつ経済的に得られるので、ベンズバレンはテトラヘドラノンよりも有利である。ベンズバレンについての自己転位に起因する不純物はベンゼンであり、一方、テトラヘドラノンの自己分解によって得られる不純物はジシクロブタジエンであり、これはベンゼンよりも気相で維持するのがはるかに困難である。ベンゼンは、蒸着基材と接触させた場合、ダイヤモンド単位格子形成反応の間にその蒸着によって得られるダイヤモンドに黒鉛不純物を導入する可能性がある。ベンゼンは、存在する場合、2つの手段によりダイヤモンド単位格子形成反応(気相)によって基材上に蒸着したダイヤモンドを汚染するのを防ぐことができる。まず、基材ホルダー(したがって基材)を約80〜85℃まで加熱するだけで、存在し得るベンゼンを「除去する」ために蒸着基材に近接した気相反応ゾーンを加熱するために充分な熱を伝達する。あるいは、加熱したキャリアガスの第2の流れを蒸着基材の表面に沿って提供して、ベンゼンが存在する場合はベンゼンに対して「熱障壁ゾーン」を維持することができる。ベンズバレンが特に気化する際に適切に取り扱われるならば、ベンゼン汚染に対するそのような手段は必ずしも必要でない可能性がある。したがって、ベンズバレンをその気化温度まで急速に加熱することが回避される場合、ベンゼン形成は回避できる。
ダイヤモンド単位格子形成反応は、キュバンと前記テトラヘドラノイダル化合物のいずれかとの均質な混合物を用いて固体状態で実施することができる。この均質なブレンドは8:1のモル比のテトラヘドラノイド対キュバンである。キュバン分子は分解して8個の炭素原子と8個の水素原子を提供する。ダイヤモンド単位格子形成反応によって高純度のダイヤモンド生成物が得られる場合、キュバンとテトラヘドラノイドとの均質なブレンドを調製する際に高度の化学量論的精度が要求されることを当業者は理解するであろう。過剰のキュバン(炭素原子源)はダイヤモンド生成物に黒鉛およびアモルファス炭素不純物を導入する。過剰のテトラヘドラノイドは、黒鉛、カルベノイド、およびさらにはヘテロ原子不純物をダイヤモンド生成物に導入し得る。
Claims (15)
- ダイヤモンド単位格子のコンビナトリアル合成法であって、
当該方法は、テトラヘドラノイダル分子を炭素原子と反応させることを含み、
前記テトラヘドラノイダル分子は、ベンズバレン、3,4−ジアザベンズバレン、または2,3,4−メチニルシクロブタノンを含む、コンビナトリアル合成法。 - 前記炭素原子が、アルカン、シクロアルカン、及び、キュバンからなる群から選択される炭化水素源から得られるものである、請求項1に記載のコンビナトリアル合成法。
- ラジカル不純物による影響を受けていない炭素を生成すべく前記炭化水素源を高エネルギー放電に曝すことで、前記炭素が得られる、請求項2に記載のコンビナトリアル合成法。
- 複数のダイヤモンド単位格子を集合させることで、ダイヤモンド塊が形成される、請求項1に記載のコンビナトリアル合成法。
- 気相で実施される、請求項1に記載のコンビナトリアル合成法。
- 前記炭化水素源はキュバンである、請求項2に記載のコンビナトリアル合成法。
- 前記炭素原子の全てがダイヤモンド単位格子の生成反応によって消費されるのを確実ならしめるために、ラジカル不純物による影響を受けていない炭素に対して化学量論的に過剰量のテトラヘドラノイダル分子が用いられる、請求項5に記載のコンビナトリアル合成法。
- 不活性キャリアガス中でラジカル不純物による影響を受けていない炭素原子の第1の流れを形成すること、
不活性キャリアガス中でテトラヘドラノイダル分子の第2の流れを形成すること、並びに、
蒸着基材に隣接した前記不活性キャリアガス中で、前記第1および第2の流れの反応種を組み合わせて、気相から前記蒸着基材上に蒸着するダイヤモンド単位格子を生成し、ダイヤモンド塊を形成すること、
を含んでなる、請求項1に記載のコンビナトリアル合成法。 - 前記テトラヘドラノイダル分子は、ベンズバレン、または2,3,4−メチニルシクロブタノンである、請求項8に記載のコンビナトリアル合成法。
- 不活性キャリアガス中でラジカル不純物による影響を受けていない炭素原子の第1の流れは、
アルカン、シクロアルカン、及びキュバンからなる群より選択される炭化水素源から形成されるものであると共に、
前記不活性ガスの流れの中に前記炭化水素源を揮発させることで混合物を形成すること、及び、そうして得られた混合物を、当該蒸気混合物が高エネルギー放電に曝されるところの高エネルギー放出セルに通して、不活性キャリアガス中でラジカル不純物による影響を受けていない炭素原子の前記流れを生成すること、により形成される、請求項8に記載のコンビナトリアル合成法。 - 分光学的に検出される黒鉛の不純物が存在しないダイヤモンド塊が得られる、請求項1に記載のコンビナトリアル合成法。
- ダイヤモンド単位格子のコンビナトリアル合成法であって、
当該方法は、固相状態でテトラヘドラノイダル分子を炭素原子と反応させることを含み、前記テトラヘドラノイダル分子は、ベンズバレン、3,4−ジアザベンズバレン、及び、2,3,4−メチニルシクロブタノンからなる群から選択されるものである、コンビナトリアル合成法。 - モル比が8:1であるテトラヘドラノイダル分子とキュバンの均質な混合物が、高エネルギー放電セル内に置かれると共に、ダイヤモンド単位格子の生成反応が完成するのを確実ならしめるに十分な時間、高エネルギー放電に曝される、ことを特徴とする請求項12に記載のコンビナトリアル合成法。
- 前記高エネルギー放電はマイクロ波である、請求項13に記載のコンビナトリアル合成法。
- 分光学的に検出される黒鉛の不純物が存在しないダイヤモンド塊が得られる、請求項12に記載のコンビナトリアル合成法。
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