JP6464818B2 - Dicing machine and table for dicing machine - Google Patents
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Description
本発明は、ダイシング装置及びダイシング装置用のテーブルに係り、特に複数の半導体素子が製造された半導体ウェーハをテーブルに吸着保持し、ブレードにて半導体素子をチップ毎に切断するダイシング装置及びダイシング装置用のテーブルに関する。 The present invention relates to a dicing apparatus and a table for the dicing apparatus, and more particularly to a dicing apparatus and a dicing apparatus in which a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are manufactured is sucked and held on the table and the semiconductor elements are cut into chips by a blade. Related to the table.
半導体製造工程では、薄い板状の半導体ウェーハの表面に各種の処理を施して、電子デバイスを有する複数の半導体素子を製造する。半導体素子の各チップは、検査装置によって電気的特性が検査され、その後、ダイシング装置(ダイサーともいう。)のブレード又はレーザ等の切断手段によってチップ毎に切断分離される。 In the semiconductor manufacturing process, various processes are performed on the surface of a thin plate-shaped semiconductor wafer to manufacture a plurality of semiconductor elements having electronic devices. Each chip of the semiconductor element is inspected for electrical characteristics by an inspection apparatus, and then cut and separated for each chip by a cutting means such as a blade of a dicing apparatus (also called a dicer) or a laser.
ダイシング工程においては、特許文献1の如く、半導体ウェーハをブレードにてハーフカットした後、裏面を研削加工してチップ毎に切断する第1の形態と、ダイシング加工に先立ち、半導体ウェーハの裏面を研削加工して半導体ウェーハの厚さを薄くした後、ダイシング加工を行う第2の形態とが知られている。 In the dicing process, as in Patent Document 1, the semiconductor wafer is half-cut with a blade, and then the back surface is ground and cut for each chip. Prior to dicing, the back surface of the semiconductor wafer is ground. A second mode is known in which dicing is performed after processing to reduce the thickness of a semiconductor wafer.
第1の形態は、一般に円板状の半導体ウェーハを、テーブル(ダイシングテーブルともいう。)の円形の吸着部に直接吸着保持させてダイシングを行う。このため、テーブルの吸着部の径は、半導体ウェーハの径よりも小さく構成されており、ダイシング中における吸着面の真空リークを防止している。 In the first mode, dicing is performed by generally sucking and holding a disk-shaped semiconductor wafer on a circular suction portion of a table (also referred to as a dicing table). For this reason, the diameter of the adsorption part of the table is configured to be smaller than the diameter of the semiconductor wafer, thereby preventing vacuum leakage of the adsorption surface during dicing.
一方、第2の形態は、ダイシング加工を行う前に、半導体ウェーハの裏面にテープ(ダイシングテープともいう。)を貼り付け、このテープを介してリング状のフレームに半導体ウェーハをマウントした後、ダイシング加工を行う。 On the other hand, in the second embodiment, a tape (also referred to as a dicing tape) is attached to the back surface of the semiconductor wafer before dicing, and the semiconductor wafer is mounted on a ring-shaped frame via the tape, and then dicing is performed. Processing.
第2の形態では、テーブルの吸着部の径が、半導体ウェーハの径よりも大きく構成されており、ダイシング中におけるチッピング等の不具合の発生を防止している。すなわち、吸着部の領域内で半導体ウェーハの全領域を、テープを介して保持することにより、特に半導体ウェーハの外周に位置する半導体素子のチッピングを防止している。 In the second embodiment, the diameter of the suction portion of the table is configured to be larger than the diameter of the semiconductor wafer, thereby preventing occurrence of problems such as chipping during dicing. That is, the entire area of the semiconductor wafer is held via the tape within the area of the suction portion, thereby preventing the chipping of the semiconductor element located particularly on the outer periphery of the semiconductor wafer.
なお、テーブルは、ポーラス材料にて製造された、吸着面が平坦な吸着部と、吸着部の外周部を支持する金属製のテーブル本体から構成され、吸着部の吸着面がテーブル本体の上面と同一面上に配置されている。 The table is composed of a suction part made of a porous material and having a flat suction surface, and a metal table body that supports the outer periphery of the suction part. The suction surface of the suction part is connected to the upper surface of the table body. It is arranged on the same plane.
また、第1の形態は、フレームレスダイシングと称され、第2の形態はフレームダイシングと称されることもある。 The first form is sometimes referred to as frameless dicing, and the second form is sometimes referred to as frame dicing.
第1の形態のテーブルを、第2の形態の半導体ウェーハ用のテーブルとして併用しようとした場合、以下の問題が発生する。まず前提として、真空リークを防止するためには、第1の形態のウェーハは、第1の形態のテーブルのみでしか使用することができない。そこで、第1の形態のテーブルに、第2の形態の半導体ウェーハを保持させて、ダイシング加工すると以下の問題が発生した。 When the table of the first form is used together as the table for the semiconductor wafer of the second form, the following problems occur. First, as a premise, in order to prevent vacuum leakage, the wafer of the first form can be used only by the table of the first form. Therefore, when the semiconductor wafer of the second form is held on the table of the first form and dicing is performed, the following problems occur.
第2の形態の半導体ウェーハは、一般的に第1の形態の半導体ウェーハよりも大径である。例えば、第2の形態の半導体ウェーハの径は300mmであり、第1の形態の半導体ウェーハの径は200mmである。この場合、第2の形態の半導体ウェーハを、第1の形態のテーブルに吸着保持させると、第2の形態の半導体ウェーハの外周部がテーブルの吸着面の外周から外方に位置する場合がある。つまり、第2の形態の半導体ウェーハの外周部が、テープを介して吸着面に吸着保持されていない不安定な状態でダイシング加工が行われる場合がある。 The semiconductor wafer of the second form is generally larger in diameter than the semiconductor wafer of the first form. For example, the diameter of the semiconductor wafer of the second embodiment is 300 mm, and the diameter of the semiconductor wafer of the first embodiment is 200 mm. In this case, if the semiconductor wafer of the second form is sucked and held on the table of the first form, the outer periphery of the semiconductor wafer of the second form may be located outward from the outer periphery of the suction surface of the table. . That is, dicing may be performed in an unstable state in which the outer peripheral portion of the semiconductor wafer of the second embodiment is not sucked and held on the suction surface via the tape.
第2の形態は、フレームからテープを介して半導体ウェーハにテンションを付与しながらダイシング加工を行うため、半導体ウェーハの外周部に位置する不安定な半導体素子は、そのテンションによって微動しながら切断される。この現象に起因して、ブレードによるカットラインが正規のラインから外れるので、外周部に位置する半導体素子に形状不良が発生し、その半導体素子の品質が低下するという問題があった。 In the second embodiment, dicing is performed while applying tension from the frame to the semiconductor wafer via the tape, and unstable semiconductor elements located on the outer periphery of the semiconductor wafer are cut while being finely moved by the tension. . Due to this phenomenon, since the cut line by the blade deviates from the regular line, there is a problem in that a shape defect occurs in the semiconductor element located on the outer peripheral portion and the quality of the semiconductor element is deteriorated.
また、テープは、テーブル本体の上面に対し、斜め下方に向けてテンションが付与される。このとき、テーブル本体の上面の外周縁とテープとが接触し、その接触部の内側、つまり接触部に対して吸着部側であって、接触部に近接するテープが膨らむという現象が生じる。この現象にも起因して、外周部に位置する半導体素子に形状不良が発生するという問題があった。 In addition, the tape is tensioned obliquely downward with respect to the upper surface of the table body. At this time, the outer peripheral edge of the upper surface of the table main body comes into contact with the tape, and a phenomenon occurs that the tape in the contact portion, that is, on the suction portion side with respect to the contact portion, swells near the contact portion. Due to this phenomenon as well, there has been a problem that a shape defect occurs in the semiconductor element located on the outer peripheral portion.
テープを介して半導体ウェーハにテンションを付与することは、半導体ウェーハをテーブルに固定するために必須な手段である。よって、従来のダイシング装置では、テープのテンションに起因する上記問題を解消することが困難であった。 Applying tension to the semiconductor wafer via the tape is an indispensable means for fixing the semiconductor wafer to the table. Therefore, in the conventional dicing apparatus, it has been difficult to solve the above-mentioned problem caused by the tape tension.
したがって、従来では、第1及び第2の形態の半導体ウェーハを、同一のダイシング装置にてダイシング加工を行う場合には、第1及び第2の形態の半導体ウェーハに適したテーブルに交換する必要があった。 Therefore, conventionally, when the semiconductor wafers of the first and second forms are diced by the same dicing apparatus, it is necessary to replace them with a table suitable for the semiconductor wafers of the first and second forms. there were.
しかしながら、テーブルの交換作業は、テーブルに対する吸引系の着脱作業に時間と手間がかかり、また、テーブルは非常に高価な部材でもあるので、テーブルを併用することが望まれていた。 However, replacing the table requires time and labor for attaching and detaching the suction system to and from the table, and the table is also a very expensive member, so it has been desired to use the table together.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、半導体ウェーハがテープに貼着されてダイシング加工される形態において、テーブルの吸着部の径よりも大きい径を有する半導体ウェーハを良好に切断することができるダイシング装置及びダイシング装置用のテーブルを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and in a form in which a semiconductor wafer is attached to a tape and diced, a semiconductor wafer having a diameter larger than the diameter of the adsorption portion of the table is satisfactorily cut. An object of the present invention is to provide a dicing apparatus and a table for the dicing apparatus that can be used.
本発明のダイシング装置の一態様は、本発明の目的を達成するために、半導体ウェーハをテーブルに吸着保持し、切断手段によって半導体ウェーハの半導体素子をチップ毎に切断するダイシング装置において、テーブルは、半導体ウェーハを吸着保持する吸着部と、吸着部の外側に配置されて吸着部を支持する平面視リング状の本体と、吸着部の吸着面と同一面上に配置された本体の上面と、本体の上面に形成された吸引口と、吸引口に接続された吸引手段と、を備えることを特徴とする。 One aspect of the dicing apparatus of the present invention is a dicing apparatus in which a semiconductor wafer is sucked and held on a table and a semiconductor element of the semiconductor wafer is cut for each chip by a cutting means in order to achieve the object of the present invention. An adsorbing part for adsorbing and holding a semiconductor wafer, a ring-shaped main body arranged outside the adsorbing part to support the adsorbing part, an upper surface of the main body arranged on the same surface as the adsorbing surface of the adsorbing part, and a main body And a suction means connected to the suction port.
本発明のダイシング装置用のテーブルの一態様は、本発明の目的を達成するために、半導体ウェーハを吸着保持するダイシング装置用のテーブルにおいて、テーブルは、半導体ウェーハを吸着保持する吸着部と、吸着部の外側に配置されて吸着部を支持する平面視リング状の本体と、吸着部の吸着面と同一面上に配置された本体の上面と、本体の上面に形成された吸引口と、吸引口に接続された吸引手段と、を備えることを特徴とする。 One aspect of a table for a dicing apparatus of the present invention is a table for a dicing apparatus that sucks and holds a semiconductor wafer in order to achieve the object of the present invention. A ring-shaped main body that is arranged outside the unit and supports the suction part, a top surface of the main body that is disposed on the same surface as the suction surface of the suction part, a suction port formed on the top surface of the main body, and suction And suction means connected to the mouth.
本発明の一態様によれば、テーブルの本体の上面に吸引口を形成し、吸引口に吸着部と同様の吸着機能を持たせた。これにより、第2の形態の半導体ウェーハを、そのテーブルに保持させた場合、半導体ウェーハの外周部が、テープを介して吸引口に吸着保持されるので、半導体ウェーハの外周部がテーブルに安定して保持される。 According to one aspect of the present invention, a suction port is formed on the upper surface of the main body of the table, and the suction port has the same suction function as the suction portion. Thereby, when the semiconductor wafer of the second form is held on the table, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is sucked and held by the suction port via the tape, so that the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is stabilized on the table. Held.
これにより、テープのテンションに起因する問題、つまり、ダイシング加工中の半導体素子の微動問題、及びテープの膨らみ問題を吸引口による吸引作用によって解消することができる。 Thereby, the problem caused by the tension of the tape, that is, the problem of fine movement of the semiconductor element during the dicing process and the problem of the swelling of the tape can be solved by the suction action by the suction port.
したがって、本発明の一態様によれば、半導体ウェーハがテープに貼着されてダイシング加工される形態において、テーブルの吸着部の径よりも大きい径を有する半導体ウェーハを良好に切断することができる。よって、第1の形態の半導体ウェーハ用のテーブルを、第2の形態の半導体ウェーハ用のテーブルとして併用することができる。これによって、半導体ウェーハの変更に伴うテーブルの段取り替えの作業が不要になるので、半導体ウェーハの加工効率が向上し、半導体素子の生産効率が向上する。 Therefore, according to one aspect of the present invention, a semiconductor wafer having a diameter larger than the diameter of the adsorption portion of the table can be satisfactorily cut in a form in which the semiconductor wafer is attached to a tape and diced. Therefore, the table for the semiconductor wafer of the first form can be used together as the table for the semiconductor wafer of the second form. This eliminates the need to change the table along with the change of the semiconductor wafer, thereby improving the processing efficiency of the semiconductor wafer and improving the production efficiency of the semiconductor element.
本発明の一態様は、吸引口は、吸着部の周囲に配置されることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, the suction port is preferably disposed around the suction portion.
本発明の一態様によれば、吸着部の周囲に吸引口を配置することにより、半導体ウェーハの外周部を、テープを介してテーブルに安定して保持することができる。 According to one aspect of the present invention, by arranging the suction port around the suction portion, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer can be stably held on the table via the tape.
本発明の一態様は、吸引口は、平面視円形状の吸着部の外周に沿って配置されることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, the suction port is preferably arranged along the outer periphery of the suction part having a circular shape in plan view.
本発明の一態様によれば、平面視円形状の吸着部の場合は、その吸着部の外周に沿って吸引口を配置する。これにより、半導体ウェーハの外周部を、テープを介してテーブルに安定して保持することができる。また、吸着部の平面視の形状が円形状ではない場合は、その吸着部の外側に吸引口を単数又は複数配置すればよい。 According to one aspect of the present invention, in the case of a suction part having a circular shape in plan view, the suction port is arranged along the outer periphery of the suction part. Thereby, the outer peripheral part of a semiconductor wafer can be stably hold | maintained on a table via a tape. Further, when the shape of the suction portion in plan view is not circular, a single or a plurality of suction ports may be arranged outside the suction portion.
本発明の一態様は、吸引口は、曲線状又は直線状の溝形状をなしていることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, the suction port preferably has a curved or straight groove shape.
本発明の一態様によれば、吸引口は溝形状をなしており、その形状は曲線状又は直線状であることが好ましい。これにより、半導体ウェーハの外周部を、テープを介してテーブルに安定して保持することができる。 According to one aspect of the present invention, the suction port has a groove shape, and the shape is preferably curved or linear. Thereby, the outer peripheral part of a semiconductor wafer can be stably hold | maintained on a table via a tape.
本発明のダイシング装置及びダイシング装置用のテーブルによれば、半導体ウェーハがテープに貼着されてダイシング加工される形態において、テーブルの吸着部の径よりも大きい径を有する半導体ウェーハを良好に切断することができる。 According to the dicing apparatus and the table for the dicing apparatus of the present invention, in the form in which the semiconductor wafer is bonded to the tape and diced, the semiconductor wafer having a diameter larger than the diameter of the adsorption portion of the table is cut well. be able to.
以下、添付図面に従って本発明に係るダイシング装置及びダイシング装置用のテーブルの好ましい実施形態について詳説する。 Hereinafter, preferred embodiments of a dicing apparatus and a table for the dicing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
〔ダイシング装置10の構成〕
図1は、実施形態のダイシング装置10の外観を示した斜視図である。
[Configuration of Dicing Device 10]
FIG. 1 is a perspective view illustrating an appearance of a
ダイシング装置10は、円板状の複数の半導体ウェーハWが収納されたカセットを外部装置との間で受け渡すロードポート12と、吸着パッド14を有し、半導体ウェーハWを装置各部に搬送する搬送手段16と、半導体ウェーハWを吸引保持するテーブル18と、半導体ウェーハWをダイシング加工する加工部20と、ダイシング加工後の半導体ウェーハWを洗浄し、乾燥させるスピンナ22とを備えている。ダイシング装置10の各部の動作は、制御手段としてのコントローラ24により制御される。
The
〈加工部20〉
加工部20には、半導体ウェーハWの表面を撮像するカメラ26が備えられる。加工部20の内部には、切断手段である対向配置された一対の円盤状のブレード28(一方のブレード28は不図示)と、ブレード28を保護するホイールカバー30が取り付けられた高周波モータ内蔵型のスピンドル32とが設けられている。
<Processing
The
スピンドル32は30000rpm〜80000rpmで高速回転されるとともに、不図示の移動軸により互いに独立して図1のY方向のインデックス送りとZ方向の切り込み送りとがなされる。更に、半導体ウェーハWを吸着保持するテーブル18が、不図示の移動軸によって図1のX方向に研削送りされるように構成されている。これらの動作によって高速回転するブレード28の加工点(最下点)が、半導体ウェーハWに接触し、半導体ウェーハWがX、Y方向にダイシング加工される。これにより、半導体ウェーハWから半導体素子がチップ毎に切断される。
The
ブレード28は、ダイヤモンド砥粒やCBN砥粒をニッケルで電着した電着ブレードの他、金属粉末を混入した樹脂で結合したメタルレジンボンドのブレード等が用いられる。
As the
〔ダイシング装置10の作用〕
ダイシング装置10では、まず、複数の半導体ウェーハWが収納されたカセットが、不図示の搬送装置、または手動でロードポート12に載置される。載置されたカセットから半導体ウェーハWが取り出され、搬送手段16によってテーブル18の上面に載置される。半導体ウェーハWの裏面側が、テーブル18のポーラスからなる吸着部34(図2参照)によって真空吸着保持される。テーブル18については後述する。
[Operation of Dicing Device 10]
In the
テーブル18に吸着保持された半導体ウェーハWは、図1のカメラ26によってその表面が撮像され、半導体ウェーハWの表面に形成されたダイシングされるカットラインの位置とブレード28との位置が、不図示のX、Y、θの各移動軸によりテーブル18を調整して合わせられる。
The surface of the semiconductor wafer W sucked and held on the table 18 is imaged by the camera 26 of FIG. 1, and the position of the cut line formed on the surface of the semiconductor wafer W and the
位置合わせが終了し、ダイシング加工が開始されると、スピンドル32が回転を開示し、ブレード28が高速に回転するとともに、不図示のノズルから加工点に切削液が供給される。この状態で半導体ウェーハWは、テーブル18とともに不図示の移動軸によって、図1に示すX方向へ加工送りされるとともに、スピンドル32が所定の高さまでZ方向へ下がりダイシングが行われる。
When alignment is completed and dicing is started, the
〔テーブル18に対する半導体ウェーハW1、W2の吸着形態〕
図2は、テーブル18の平面図である。
[Suction Form of Semiconductor Wafers W1, W2 on Table 18]
FIG. 2 is a plan view of the table 18.
図3は、図2のテーブル18の要部縦断面であり、テープ36に裏面が貼着された半導体ウェーハW1がテーブル18の吸着部34にテープ36を介して吸着保持された説明図である。テープ36の外周部は、リング状のフレーム38に固定されており、これによって半導体ウェーハW1は、テープ36を介してフレーム38にマウントされている。また、半導体ウェーハW1は、フレーム38を下方(矢印Z方向)に押し下げる不図示の張設装置によって、テープ36を介してテンションが付与された状態でテーブル18に固定されている。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of an essential part of the table 18 in FIG. 2, and is an explanatory view in which the semiconductor wafer W1 having the back surface attached to the
すなわち、図3の半導体ウェーハW1は、第2の形態の半導体ウェーハに相当する。つまり、半導体ウェーハW1は、ダイシング加工に先立ち、裏面が研削加工されて厚さが薄くされた半導体ウェーハである。また、半導体ウェーハW1の径は、吸着部34の径よりも大きく、半導体ウェーハW1の外周部が、吸着部34の吸着面34Aの外周から外方に位置している。
That is, the semiconductor wafer W1 in FIG. 3 corresponds to the semiconductor wafer of the second embodiment. That is, the semiconductor wafer W1 is a semiconductor wafer whose thickness is reduced by grinding the back surface prior to dicing. The diameter of the semiconductor wafer W1 is larger than the diameter of the
図4は、半導体ウェーハW2がテーブル18の吸着部34に、その裏面が直接吸着保持された説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram in which the semiconductor wafer W2 is directly held by suction on the
すなわち、図4の半導体ウェーハW2は、第1の形態の半導体ウェーハに相当する。つまり、半導体ウェーハW1は、ブレード28にてハーフカットされた後、裏面が研削加工されてチップ毎に切断される半導体ウェーハである。また、半導体ウェーハW2の径は、吸着部34の径よりも大きく、半導体ウェーハW2の外周部が、吸着部34の吸着面34Aの外周から外方に位置し、吸着部34の真空リークが防止されている。
That is, the semiconductor wafer W2 in FIG. 4 corresponds to the semiconductor wafer of the first embodiment. That is, the semiconductor wafer W1 is a semiconductor wafer that is half-cut by the
なお、図3の半導体ウェーハW1には、ブレード28(図1参照)によって切断溝40が既に加工されており、図4の半導体ウェーハW2にも、ブレード28によって切断溝42が既に加工されている。切断溝40、42の深さは、半導体ウェーハW1、W2の特性に基づいて設定されている。
3, the cutting
〔テーブル18の構成〕
図2〜図4の如くテーブル18は、半導体ウェーハW1、W2を吸着保持する、平面視円形状の吸着部34と、吸着部34の外側に配置されて吸着部34を支持する、平面視リング状の本体44とを備える。
[Configuration of Table 18]
As shown in FIGS. 2 to 4, the table 18 sucks and holds the semiconductor wafers W <b> 1 and W <b> 2 and has a
吸着部34の吸着面34Aと本体44の上面44Aとは同一面上に配置される。また、本体44の上面44Aであって、吸着部34の周囲には吸引口46が形成されている。
The
吸引口46は図2の如く、テーブル18の回転軸18Aを中心としたリング状の溝形状をなしている。また、吸着部34の吸着面34Aも同様に、回転軸18Aを中心とした円形状に構成されている。すなわち、吸引口46は、平面視円形状の吸着部34の外周に沿って配置される。
As shown in FIG. 2, the
吸引口46は図3、図4の如く、上面44Aに向けて幅が拡大したテーパ形状の溝である。また、吸引口46は、本体44を貫通する複数本の通気孔48を介して、吸引手段である真空ポンプ50に接続されている。したがって、真空ポンプ50が駆動されると、通気孔48内の空気が吸引されるので、吸引口46が吸着部34と同様の吸着手段として機能する。よって、図3の如く、吸着部34の外側に位置するテープ36が吸引口46に吸着保持され、これによって、吸着部34の外側に位置する半導体ウェーハW1の外周部が、テープ36を介してテーブル18に安定して吸着保持される。なお、吸引口46に吸着されるテープ36の一部分は、吸引口46に吸引されて凹状に変形するが、吸着部34の外周から吸引口46に至るまでの部分は、本体44の上面44Aに密着されて平坦に保持され、その位置はずれない。よって、テープ36の膨らみを防止するために、吸引口46の位置は、本体44の外周縁に近接した位置であることが好ましい。また、不図示であるが、吸着部34も吸引手段に接続されており、この吸着手段として真空ポンプ50を兼用してもよく、別箇の吸引手段を設けてもよい。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
〔ダイシング装置10及びテーブル18の特徴〕
実施形態のダイシング装置10及びテーブル18によれば、テーブル18の本体44の上面44Aに吸引口46を形成し、吸引口46に吸着部34と同様の吸着機能を持たせている。
[Features of dicing
According to the
これにより、第2の形態の半導体ウェーハW1を、第1の形態の半導体ウェーハW2用のテーブル18に保持させると、半導体ウェーハW1の外周部が図3の如く、テープ36を介して吸引口46に吸着保持されるので、半導体ウェーハW1の外周部がテーブル18に安定して保持される。
Thus, when the semiconductor wafer W1 of the second form is held on the table 18 for the semiconductor wafer W2 of the first form, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W1 is sucked through the
吸引口46によるテープ36の吸着保持作用によって、テープ36のテンションに起因する問題、つまり、ダイシング加工中の半導体素子の微動問題、及びテープ36の膨らみ問題を解消し、ブレード28によるカットラインのずれを防止することができる。
The suction and holding action of the
したがって、実施形態のダイシング装置10によれば、半導体ウェーハW1がテープ36に貼着されてダイシング加工される形態において、テーブル18の吸着部34の径よりも大きい径を有する半導体ウェーハW1を良好に切断することができる。
Therefore, according to the
上記効果によって、第1の形態の半導体ウェーハW2用のテーブル18を、第2の形態の半導体ウェーハW1用として併用することができる。よって、半導体ウェーハW1、W2の変更に伴うテーブルの段取り替えの作業が不要になるので、半導体ウェーハW1、W2の加工効率が向上し、半導体素子の生産効率が向上する。 Due to the above effects, the table 18 for the semiconductor wafer W2 of the first form can be used together for the semiconductor wafer W1 of the second form. Accordingly, the work of changing the table accompanying the change of the semiconductor wafers W1 and W2 becomes unnecessary, so that the processing efficiency of the semiconductor wafers W1 and W2 is improved and the production efficiency of the semiconductor elements is improved.
また、吸着部34の周囲に吸引口46を配置することにより、半導体ウェーハW1の外周部を、テープ36を介してテーブル18に安定して保持することができる。
Further, by arranging the
更に、平面視円形状の吸着部34の外周に沿ってリング形状の吸引口46を配置したので、半導体ウェーハW1の外周部を、テープ36を介してテーブル18に更に安定して保持することができる。
Further, since the ring-shaped
更にまた、吸引口46によるテープ36の吸引作用により、ダイシング加工において、吸着部34に切削液が浸入することを防止できるので、吸着部34による半導体ウェーハの吸着不良、及び吸着部34の目詰まりを防止でき、更には吸着部34のメンテナンスが容易になる。
Furthermore, the suction action of the
なお、吸着部34の平面視の形状が円形状ではない、例えば矩形状、楕円形状等の場合は、その吸着部34の外側に吸引口46を単数又は複数配置すればよい。
In addition, when the shape of the
〔テーブル18の変形例〕
図5は、テーブル18の第1変形例を示したテーブル18の平面図である。
[Modification of Table 18]
FIG. 5 is a plan view of the table 18 showing a first modification of the table 18.
図5によれば、吸引口46は、吸着部34の周囲に配置された4本の直線状の溝形状をなしている。4本の吸引口46は図5の如く、端部を連通させることなく独立した吸引口であってもよいが、それぞれの端部を連通させた矩形状の溝形状として構成したものであってもよい。
According to FIG. 5, the
また、吸引口46の形態は図2、図5に限定されるものではない。
Moreover, the form of the
例えば、図6のテーブル18の第2変形例に示すように、テーブル18の回転軸18Aを中心として放射状に構成した、直線状又は曲線状の複数の溝であってもよい。
For example, as shown in a second modification of the table 18 in FIG. 6, a plurality of linear or curved grooves configured radially around the
W…半導体ウェーハ、10…ダイシング装置、12…ロードポート、14…吸着パッド、16…搬送手段、18…テーブル、20…加工部、22…スピンナ、24…コントローラ、26…カメラ、28…ブレード、30…ホイールカバー、32…スピンドル、34…吸着部、36…テープ、38…フレーム、40…切断溝、42…切断溝、44…本体、46…吸引口、48…通気孔、50…真空ポンプ
W ... Semiconductor wafer, 10 ... Dicing machine, 12 ... Load port, 14 ... Suction pad, 16 ... Transport means, 18 ... Table, 20 ... Processing part, 22 ... Spinner, 24 ... Controller, 26 ... Camera, 28 ... Blade, DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記テーブルは、第1半導体ウェーハの裏面を研削加工する前に前記第1半導体ウェーハをハーフカットダイシングするために用いられる第1半導体ウェーハ用テーブルであり、
前記テーブルは、
前記第1半導体ウェーハの径よりも小さく構成され、前記第1半導体ウェーハを吸着保持する吸着部と、
前記吸着部の外側に配置されて前記吸着部を支持する平面視リング状の本体と、
前記吸着部の吸着面と同一面上に配置された前記本体の上面と、
前記本体の上面に形成された吸引口と、
前記吸引口に接続された吸引手段と、
を備え、
前記テーブルを、テープを介してフレームにマウントされた第2半導体ウェーハをフルカットダイシングするための第2半導体ウェーハ用テーブルとして兼用したことを特徴とするダイシング装置。 In a dicing apparatus that holds a semiconductor wafer by suction on a table and cuts the semiconductor element of the semiconductor wafer for each chip by a cutting means,
The table is a first semiconductor wafer table used for half-cut dicing the first semiconductor wafer before grinding the back surface of the first semiconductor wafer.
The table is
A suction portion configured to suck and hold the first semiconductor wafer ; and configured to be smaller than the diameter of the first semiconductor wafer;
A ring-shaped main body in plan view that is disposed outside the suction portion and supports the suction portion;
An upper surface of the main body disposed on the same surface as the suction surface of the suction portion;
A suction port formed on the upper surface of the main body;
Suction means connected to the suction port;
Equipped with a,
A dicing apparatus characterized in that the table is also used as a second semiconductor wafer table for full-cut dicing of a second semiconductor wafer mounted on a frame via a tape .
前記テーブルは、第1半導体ウェーハの裏面を研削加工する前に前記第1半導体ウェーハをハーフカットダイシングするために用いられる第1半導体ウェーハ用テーブルであり、
前記テーブルは、
前記第1半導体ウェーハの径よりも小さく構成され、前記第1半導体ウェーハを吸着保持する吸着部と、
前記吸着部の外側に配置されて前記吸着部を支持する平面視リング状の本体と、
前記吸着部の吸着面と同一面上に配置された前記本体の上面と、
前記本体の上面に形成された吸引口と、
前記吸引口に接続された吸引手段と、
を備え、
前記テーブルを、テープを介してフレームにマウントされた第2半導体ウェーハをフルカットダイシングするための第2半導体ウェーハ用テーブルとして兼用したことを特徴とするダイシング装置用のテーブル。 In a table for a dicing machine that holds a semiconductor wafer by suction,
The table is a first semiconductor wafer table used for half-cut dicing the first semiconductor wafer before grinding the back surface of the first semiconductor wafer.
The table is
A suction portion configured to suck and hold the first semiconductor wafer ; and configured to be smaller than the diameter of the first semiconductor wafer;
A ring-shaped main body in plan view that is disposed outside the suction portion and supports the suction portion;
An upper surface of the main body disposed on the same surface as the suction surface of the suction portion;
A suction port formed on the upper surface of the main body;
Suction means connected to the suction port;
Equipped with a,
A table for a dicing apparatus, wherein the table is also used as a second semiconductor wafer table for full-cut dicing of a second semiconductor wafer mounted on a frame via a tape .
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