JP6462251B2 - 機能性デバイス、分析システムおよび分析方法 - Google Patents
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Description
(1)本発明の一態様にかかる機能性デバイスは、2つ以上の基板が接合されてなり、前記2つ以上の基板のうち、いずれかの基板の一面に形成された溝と他の基板の一面とで形成されたチャネルと、少なくとも2つの光導波路を有し、前記チャネルと少なくとも1つの前記光導波路とが平面視重なるようにいずれかの基板に配置されたマッハツェンダー型光導波路とを備える。
図1は、本発明の一実施形態に係る機能性デバイスを模式的に示した鳥瞰模式図である。機能性デバイス100は、2つ以上の基板が接合されてなり、2つ以上の基板のうち、いずれかの基板の一面に形成された溝と他の基板の一面とで形成されたチャネル10と、少なくとも2つの光導波路21,22を有し、チャネル10と少なくとも1つの光導波路21,22とが平面視重なるようにいずれかの基板に配置されたマッハツェンダー型光導波路20とを備える。図1では、2つの基板が接合されて機能性デバイスが形成されている場合を例示しているが、3つ以上の基板が接合されて機能性デバイスが形成されてもよい。
また、ここで「いずれかの基板に配置された」とは、いずれかの基板の内部および接合面を意味する。
またこれらのマイクロチャネル12a,12bの中央部に、左右のマイクロチャネル12a,12bを連通させるようにして、直線状に延びるナノチャネル11が形成されている。
ナノチャネル11は、図1では1本としているが複数有していてもよい。一方のマイクロチャネル12aともう一方のマイクロチャネル12b間に圧力差を設けることでナノチャネル11に試料を供給することができる。
図2は、本発明の一実施形態に係る機能性デバイスのA−A面(図1)における断面を模式的に示した断面模式図である。図2で示すように、ナノチャネル11とマッハツェンダー型光導波路20は、同一平面上には存在しない。このとき、ナノチャネル11と光導波路21、22の最近接距離は0μm〜100μmであることが好ましい。また、0μm〜50μmであることがより好ましく、0μm〜30μmであることがさらに好ましい。
光導波路21、22は、ナノチャネル11の熱変化によって屈折率が変化する。位相差は、この屈折率変化によって生じる。そのため、ナノチャネル11で発生した熱変化が十分伝わる距離に光導波路21、22を設けることで、ナノチャネル11内を通過する試料の変化を高感度に検出することができる。
各光導波路間の最近接距離が近すぎると、ナノチャネル11で生じる熱の影響を、本来影響を及ぼすべき光導波路以外のその他の光導波路にも与えてしまう。そのため、この光導波路間の最近接距離を離すことで、より高感度な検出を行うことができる。このような最近接距離は、従来のレンズによる光の分光では実現することが難しく、当該機能デバイスでより高感度な検出を実現できることを示している。そのため、各光導波路間の最近接距離は離れていることが好ましいが、各光導波路間の最近接距離が離れすぎると、デバイスが不要に大型化してしまうため好ましくない。
本発明の分析システムは、上述の機能性デバイス100と、マッハツェンダー型光導波路20にプローブ光を入力するプローブ光源200と、チャネル10と光導波路21,22とが平面視で重なる交点C1,C2のうち、少なくとも一つの交点C1に熱を発生させる熱発生手段300と、マッハツェンダー型光導波路20の出力側で位相差に応じた合成干渉波の強度を計測する計測手段400とを備える。またチャネル10には、試料供給手段500から圧力を印加して試料Sを供給することができる。
分析システム1000は、チャネル10内に導入された試料Sの有無や濃度を分析できるシステムである。分析システム1000は、マッハツェンダー型光導波路20によりナノチャネル11内の変化を位相差という形で出力するため、種々の光学レンズ等を必要とせず、分析システム1000全体を小型化することができる。この分析システム1000を用いることで、例えばナノチャネル11内を通過する試料の濃度や変化を経時的に検出することができる。またナノチャネル11内に抗体を配設し、そのナノチャネル11内に試料Sを導入することで、試料S内に特定の抗原の存在の有無を検出するイムノアッセイシステムとして機能することもできる。
試料Sが気体の場合は、一方のマイクロチャネル12aに注入し、例えば他方のマイクロチャネル12b側から排気を行うことでナノチャネル11内に試料Sを通過させることができる。
また試料Sが液体の場合、以下のような方法でナノチャネル11内に試料Sを通過させることができる。一方のマイクロチャネル12aの一端から試料Sを注入し、もう一方の他端から排出する。また、もう一方のマイクロチャネル12bの一端には洗浄バッファ(図視略)を注入し、もう一方の他端へ排出する。このとき、試料Sを注入する圧力と、洗浄バッファを注入する圧力を調整することで、ナノチャネル11内に試料Sを通過させることができる。
本発明の一実施形態に係る分析方法は、上述の機能性デバイスのチャネルに試料を供給し、さらにマッハツェンダー型光導波路にプローブ光を入力する工程と、チャネル内を通過する試料内の対象物質により、チャネルと光導波路とが平面視で重なる交点のうち、少なくとも一つの交点に熱を発生させる工程と、試料に発生した熱により光導波路を導波する光の位相を変化させ、生じた位相差に応じた合成干渉波の強度を出力側で計測する工程とを有する。
ここで、「少なくとも一つ」には、全ての交点で熱を発生させる場合も当然含まれる。例えば、一つの交点には基準点を設定するための熱を発生させ、その他の交点にその基準点と比較可能な熱を発生させてもよい。
また「交点」とは、チャネルと光導波路が交差する一点を厳密に意味しておらず、チャネル内の試料が励起光の照射によって発生した熱が、伝播可能な程度の距離(熱拡散長)以内であれば、交点から多少ずれていても許容される。
図6において、チャネル10とマッハツェンダー型光導波路20とが平面視で重なる交点C1,C2のうち、一方の交点C1のナノチャネル11内を通過する試料Sに励起光が照射される。励起光は、例えば試料Sの特定の成分を励起できる波長が選択されている。試料Sに特定の成分が存在していると、励起光により特定の成分が励起され、その周囲の試料Sの温度が上昇する。この試料Sで発生した熱は周囲に伝播し、交点C1のナノチャネル11下部に存在する第1光導波路21まで伝播する。この熱により第1光導波路21の屈折率が変化する。屈折率が変化すると、第1光導波路21内を導波する光導波速度が変化し、第2導波路22内を導波する光と位相差が生じる。したがって、出力される合成干渉波は位相差に合せて強度が変化する。
これに対し、試料S内に特定の成分が存在しない場合は、励起に伴う熱が発生しない。したがって、第1光導波路21の屈折率変化も生じず、第1光導波路21と第2光導波路22間での位相差は生じない。
ここでは、試料S内に特定の成分の有無のみについて説明したが、特定の成分の濃度によっても生じる位相差が変化する。そのため、計測手段400でマッハツェンダー型光導波路20から出力された合成干渉波の強度を計測することで、特定の試料の存在の有無や、濃度の変化等を分析することができる。
本発明の第1実施形態にかかる機能性デバイスの製造方法は、2つ以上の基板のうち、第1の基板の一面に溝を形成する工程と、前記第1の基板の内部または第2の基板の一面または内部に、少なくとも2つの光導波路を備えるマッハツェンダー型光導波路を形成する工程と、接合されるそれぞれ一対の基板のうち、少なくとも一方の基板の接合面をフッ素処理して親水性を調整する工程と、前記溝と少なくとも1つの前記光導波路が平面視で重なるように、前記2つ以上の基板を接合し、チャネルを形成する工程とを有する。
まず、第1の基板P1と第2の基板P2とを準備する。準備した第1の基板P1に溝Cを作製する。溝Cの作製方法は特に制限されるものではないが、基板の表面に、レーザー加工、エッチング加工など、適宜手段を用いて、そのサイズを適宜調整しながら形成する。
またここで図9(b)に示すように、マッハツェンダー型光導波路20は基板の片面の最表面に形成しても、基板の内部に形成してもよい。
また図9(b)では、溝10が形成された基板と異なる基板にマッハツェンダー型光導波路20を作製しているが、同一基板の内部にマッハツェンダー型光導波路20を形成してもよい。
親水性を調整する工程として、基板の接合面をフッ素処理する。フッ素化処理は、種々の方法を用いることができ、例えば、酸素プラズマの照射と同時にフッ素(例えば、四フッ化メタン:CF4)を供給することで行うことで実現することができる。このときの酸素プラズマ条件としては、例えば酸素圧力60Pa、250W、40秒照射等を用いることができる。また親水化の程度としては、フッ素化処理を行った表面における水の接触角が10°〜50°になっていれば、十分親水化されているとみなすことができる。当該範囲の接触角を有していれば、接合後の接合強度を0.5J/m2以上とすることができ、十分な接合強度を得ることができる。
図9(c)では、溝10が形成された基板と、マッハツェンダー型光導波路を形成された基板の接合面両方に親水化処理として酸素プラズマPを照射しているが、そのいずれか一方の接合面のみに親水化処理を行ってもよい。
接合時の加熱温度は、25℃〜400℃であることが好ましく、常温かもしくはそれに近い温度(25℃〜100℃)であることがより好ましい。当該温度範囲内であれば、マッハツェンダー型光導波路20の光導波路を構成する材料(石英ガラス、シリコン、ポリマー類など)にダメージを与えずに接合することができる。これに対し、従来の熱融着法による基板接合では、温度が1000℃以上となるため、光導波路部分がダメージを受けるため本発明の機能性デバイスを作製することはできない。
また接合時の加圧圧力は、1000N〜5000Nであることが好ましく、4000N〜5000Nであることがより好ましい。1000N未満であると、十分な接合強度を維持することができない。接合面の最表面にチャネルを形成した場合は、そこを通過する試料が一部漏洩してしまう恐れも生じる。これに対し、5000Nを超えると基板が破損してしまう恐れがある。
また加圧時間は、1時間〜10時間であることが好ましく、9時間〜10時間であることがより好ましい。当該範囲であれば接合強度を高くすることができる。
図10は、機能性デバイスを3つの基板を用いて作製した場合を示す。
3つの基板を用いる場合は、図10(a)に示すように、溝Cが形成された第1基板P1とマッハツェンダー型光導波路20が形成された第2基板P2と、何も形成されていない第3基板P3を準備する。
3枚の基板からなる場合でも、溝Cを形成する工程と、マッハツェンダー型光導波路20を形成する工程は、第1実施形態と同様に行うことができる。
親水性の調整方法は、第1の実施形態と同様の方法を用いることができる。
本発明の第3実施形態に係る機能性デバイスの作製方法は、2つ以上の基板のうち、いずれかの基板の一面に溝を形成する工程と、前記溝が形成された基板を異なる別の基板と接合し、前記溝とその別の基板の接合面とでチャネルを形成すると共に、残りの基板を接合する工程と、前記いずれかの基板の内部に、前記チャネルと少なくとも1つの前記光導波路が平面視で重なるようにマッハツェンダー型光導波路を形成する工程とを有する。
まず、二つ以上の基板を準備する。次に、図11(a)に示すように、いずれかの基板に溝Cを作製する。溝Cの作製方法は特に制限されるものではないが、第1実施形態の機能性デバイスの作製方法と同一の方法を用いることができる。
また3枚以上の基板を用いる場合は、チャネル10を形成すると共に、残りの基板を接合する。
フェムト秒パルスレーザーを用いたマッハツェンダー型光導波路20の形成方法は、レーザーによる加工であるため、基板の外部からでも、基板内部の屈折率変化を起こすことができる。そのため、基板を接合後でも、外部からマッハツェンダー型光導波路20を形成することができる。
このとき、マッハツェンダー型光導波路から出力される合成干渉波の強度を計測した。図12は、試料濃度に対するマッハツェンダー型光導波路から出力される合成干渉波の強度を示す。合成干渉波の強度は、浜松ホトニクス社のアバランシェフォトダイオードを用いて計測した。縦軸は信号強度(μV)であり、横軸は試料の濃度(mM)である。
また当該合成波の強度は、試料から発生する熱と比例しており、試料が通過するナノチャネルから一定の距離に光導波路を配置すると、励起光によって発生した熱変化を適切にマッハツェンダー型光導波路から出力される合成干渉波として置き換えられていることがわかる。
Claims (4)
- 2つ以上の基板が接合されてなり、
前記2つ以上の基板のうち、いずれかの基板の一面に形成された溝と他の基板の一面とで形成されたチャネルと、
少なくとも2つの光導波路を有し、前記チャネルと少なくとも1つの前記光導波路とが平面視重なるようにいずれかの基板に配置されたマッハツェンダー型光導波路とを備え、
前記チャネルは、少なくとも前記チャネルと前記光導波路とが平面視重なる位置において、前記2つ以上の基板により囲まれた閉空間内に形成されている、機能性デバイス。 - 前記チャネルと前記光導波路の最近接距離が、0μm〜100μmであることを特徴とする請求項1に記載の機能性デバイス。
- 請求項1または請求項2のいずれかに記載された機能性デバイスと、
前記マッハツェンダー型光導波路にプローブ光を入力するプローブ光源と、
前記チャネルと前記光導波路とが平面視で重なる交点のうち、少なくとも一つの交点に熱を発生させる熱発生手段と、
前記マッハツェンダー型光導波路の出力側で位相差に応じた合成干渉波の強度を計測する計測手段とを備える分析システム。 - 請求項1または請求項2のいずれかに記載された機能性デバイスの前記チャネルに試料を供給し、さらにマッハツェンダー型光導波路にプローブ光を入力する工程と、
前記チャネル内を通過する試料内の対象物質により、前記チャネルと前記光導波路とが平面視で重なる交点のうち、少なくとも一つの交点に熱を発生させる工程と、
前記発生した熱により光導波路を導波する光の位相を変化させ、生じた位相差に応じた合成干渉波の強度を出力側で計測する工程とを有する分析方法。
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