JP6458085B2 - ブロー成形制御システム - Google Patents
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Description
(付記1)
生成した容器の結晶度に影響を与えるブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の結晶度の指標を受信し、
材料分布システムからの前記少なくとも1つの容器の材料分布の指標を受信し、
複数のブロー成形入力パラメーターを前記結晶度の指標および前記材料分布に関連付けるモデルであって、当該モデルの結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に近づけ、前記結晶度をベースライン結晶度に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を含む、モデルを実行し、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を実行する、
ようにプログラムされている、
システム。
前記少なくとも1つの容器の結晶度の指標は、透明度状態の指標を含み、且つ前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の一部を示す少なくとも1つの画像を少なくとも1つのカメラから受信し、
前記少なくとも1つの画像から前記少なくとも1つの容器の結晶度状態の指標を導く、
ようにさらにプログラムされている、付記1に記載のシステム。
前記ブロー成形機は、ホットモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも1つの容器におけるヘイズの存在または不存在を示し、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記透明度状態が透明で、ヘイズが存在しないことを示す場合、前記少なくとも1つのプロセッサーがヘイズが存在することを示す前記透明度状態の第2指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を上昇させ、
ヘイズが存在することを示す透明度の指標に応じて、第1増分により前記プリホーム温度設定点を降下させる、
ようにさらにプログラムされている、付記2に記載のシステム。
前記ブロー成形機は、コールドモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも1つの容器における真珠光沢の存在または不存在を示し、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記透明度状態が透明で、真珠光沢が存在しないことを示す場合、前記少なくとも1つのプロセッサーが真珠光沢が存在することを示す前記透明度状態の第2指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を降下させ、
真珠光沢が存在することを示す透明度の指標に応じて、第1増分により前記プリホーム温度設定点を上昇させる、
ようにさらにプログラムされている、付記2に記載のシステム。
モデルはまた、前記複数のブロー成形パラメーターを前記少なくとも1つの容器の底温度に関連付けし、前記少なくとも1つのプロセッサーは、前記少なくとも1つの容器の前記底温度を示す信号を底温度センサーから受け取るようにさらにプログラムされ、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化はまた、前記底温度を温度の閾値より低くさせることである、付記1に記載のシステム。
前記ブロー成形機は、ホットモールドプロセスに従って動作し、前記モデルはまた、前記複数のブロー成形パラメーターを前記少なくとも1つの容器の寸法に関連付け、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記少なくとも1つの容器の第2画像を、第2の少なくとも1つのカメラから受信し、
前記少なくとも1つの容器の寸法の指標を、前記第2画像から導く、
ようにさらにプログラムされ、
前記ブロー成形機により生成される前記容器の寸法を寸法の閾値に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化はまた、前記モデルから予期されている、付記1に記載のシステム。
前記寸法は、前記容器の最終寸法である、付記6に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、型温度の指標を受け取るようにさらにプログラムされ、前記モデルはまた、前記複数のブロー成形入力パラメーターを前記型温度に関連付ける、付記1に記載のシステム。
前記少なくとも1つの容器の結晶度の指標は、複屈折センサーシステムから受け取る結晶度の指標を含む、付記1に記載のシステム。
前記少なくとも1つの容器の結晶度の指標は、近赤外(NIR)分光センサーシステムから受け取る結晶度の指標を含む、付記1に記載のシステム。
生成した容器の結晶度に影響を与えるホットモールドプロセスに従ったブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の結晶度の指標を受信し、
前記ブロー成形機により製造された前記少なくとも1つの容器の結晶度が結晶度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機にプリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにプログラムされている、システム。
前記結晶度の指標は、近赤外(NIR)吸収分光センサーシステムから受け取られる、付記11に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記結晶度の指標が結晶度の閾値未満である場合、前記ブロー成形機に第1増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後に、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の結晶度の指標を前記NIR吸収分光センサーシステムから受信し、
前記第2の少なくとも1つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記12に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記少なくとも1つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値未満であることを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
前記ブロー成形機に第1増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後に、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の結晶度の指標を前記NIR吸収分光センサーシステムから受信し、
前記第2の少なくとも1つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値を超えたことを判別し、
前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記12に記載のシステム。
前記少なくとも1つの容器の結晶度の指標は、ヘイズ状態を含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の一部を示す少なくとも1つの画像を少なくとも1つのカメラから受信し、
前記少なくとも1つの容器におけるヘイズの存在または不存在を示す、前記少なくとも1つの容器のヘイズ状態の指標を少なくとも1つの画像から導き、前記ヘイズ状態がヘイズの存在を示す場合、前記少なくとも1つの容器の結晶度は、前記結晶度の閾値を超える、
ようにさらにプログラムされている、付記11に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ヘイズ状態がヘイズの不存在を示すことを判別し、
第1増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の一部を示す第2の少なくとも1つの画像を前記少なくとも1つのカメラから受信し、
前記第2の少なくとも1つの画像から前記第2の少なくとも1つの容器のヘイズ状態の指標を導き、
前記第2の少なくとも1つの容器のヘイズ状態がヘイズの存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記15に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ヘイズ状態がヘイズの不存在を示すことを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
第1増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の一部を示す第2の少なくとも1つの画像を前記少なくとも1つのカメラから受信し、
前記第2の少なくとも1つの画像から前記第2の少なくとも1つの容器のヘイズ状態の指標を導き、
前記第2の少なくとも1つの容器のヘイズ状態がヘイズの存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記15に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーはまた、
前記少なくとも1つの画像から前記容器の寸法を導き、
前記容器の寸法が寸法の閾値未満である場合、前記プリホーム設定温度を上昇させる、
ようにプログラムされている、付記15に記載のシステム。
前記ブロー成形システムにおける変化の指標は、前記ブロー成形機により製造された容器の温度が変化したことを示す指標を含む、付記15に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記少なくとも1つの容器の材料分布の指標を材料分布システムから受信し、
複数のブロー成形入力パラメーターを前記材料分布に関連付けるモデルであって、当該モデルの結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を含む、モデルを実行し、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を実行する、
ようにさらにプログラムされている、付記11に記載のシステム。
前記複数のブロー成形入力パラメーターは、前記プリホーム設定温度を含まない、付記20に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーはまた、
前記少なくとも1つの容器の前記底温度を示す信号を底温度センサーから受信し、
前記底温度が底温度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにプログラムされている、付記11に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーはまた、
前記ブロー成形機の型温度における上昇の指標を受信し、
前記プリホーム温度設定点まで対応して降下させる、
ようにプログラムされている、付記11に記載のシステム。
生成した容器の結晶度に影響を与えるように、コールドモールドプロセスにより動作するブロー成形機の動作を制御するシステムであって、前記システムは、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の結晶度の指標を受信し、
前記ブロー成形機により前記少なくとも1つの容器の結晶度が結晶度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機にプリホーム設定温度を降下させる、
ように指示するようにプログラムされている、システム。
前記結晶度の指標は、複屈折センサーシステムから受け取られる、付記24に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記結晶度の指標が結晶度の閾値未満であることを判別し、
前記ブロー成形機に第1増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで降下した後、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の結晶度の指標を前記複屈折センサーシステムから受信し、
前記第2の少なくとも1つの容器の結晶度が、前記結晶度の閾値を超えていることを判別し、
前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を上昇させるように指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記25に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記少なくとも1つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値未満であることを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
前記ブロー成形機に第1増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の結晶度の指標を前記複屈折センサーシステムから受信し、
前記第2の少なくとも1つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値を超えていることを判別する、
ようにさらにプログラムされている、付記25に記載のシステム。
前記少なくとも1つの容器の結晶度の指標は、真珠光沢状態を含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の一部を示す少なくとも1つの画像を少なくとも1つのカメラから受信し、
前記少なくとも1つの容器において真珠光沢の存在または不存在を示す、前記少なくとも1つの容器の真珠光沢状態の指標を前記少なくとも1つの画像から導き、前記真珠光沢状態が真珠光沢の存在を示す場合、前記ブロー成形機により製造された前記少なくとも1つの容器の結晶度は、前記結晶度の閾値を超える、
ようにさらにプログラムされている、付記24に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記真珠光沢状態が真珠光沢の不存在を示すことを判別し、
第1増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の一部を示す第2の少なくとも1つの画像を前記少なくとも1つのカメラから受信し、
前記第2の少なくとも1つの画像から前記第2の少なくとも1つの容器の真珠光沢状態の指標を導き、
前記第2の少なくとも1つの容器の真珠光沢状態が真珠光沢の存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を上昇させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記28に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記真珠光沢状態が真珠光沢の不存在を示すことを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
第1増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第2の少なくとも1つの容器の一部を示す第2の少なくとも1つの画像を前記少なくとも1つのカメラから受信し、
前記第2の少なくとも1つの画像から前記第2の少なくとも1つの容器の真珠光沢状態の指標を導き、
前記第2の少なくとも1つの容器の真珠光沢状態が真珠光沢の存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記28に記載のシステム。
前記ブロー成形システムにおける変化の指標は、前記ブロー成形システムにより製造された容器の温度が変化したことを示す指標を含む、付記30に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記少なくとも1つの容器の材料分布の指標を材料分布システムから受信し、
複数のブロー成形入力パラメーターを前記材料分布に関連付けるモデルであって、当該モデルの結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に近づけるために、前記モデルにより予期された前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を含み、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの前記変化を実行する、
ようにさらにプログラムされている、付記24に記載のシステム。
前記複数のブロー成形入力パラメーターは、前記プリホーム設定温度を含まない、付記32に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーはまた、
前記少なくとも1つの容器の底温度を示す信号を底温度センサーから受信し、
前記底温度が底温度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにプログラムされている、付記24に記載のシステム。
前記少なくとも1つのプロセッサーはまた、
前記ブロー成形機の型温度における降下の指標を受信し、
前記プリホーム温度設定点まで対応して上昇させる、
ようにプログラムされている、付記24に記載のシステム。
インライン容器の結晶度を測定するシステムであって、前記システムは、
近赤外照射を発生させる照射光源と、
分光器であって、前記照射光源と当該分光器はその間に検査領域を有し、当該分光器は、前記容器による前記近赤外照射の吸収スペクトルを測定するように構成される、分光器と、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーと、を含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
少なくとも、前記容器による前記近赤外照射の前記吸収スペクトルに基いて、信号に基づく少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターへの変化を判別し、
ブロー成形機に、前記信号に基づく少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターへの変化を示すメッセージを送信する、
ようにプログラムされている、システム。
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
複数のキャリブレーション容器からの複数のキャリブレーションスペクトルを前記分光器から受信し、
前記複数のキャリブレーション容器の結晶度の指標を受信し、
非結晶度要因からの前記複数のキャリブレーションスペクトルにおける情報の少なくとも一部を除去するように前記複数のキャリブレーションスペクトルに条件付けをして、複数の条件付けされたキャリブレーションスペクトルを発生させ、
前記複数のキャリブレーション容器の複数の条件付けされたキャリブレーションスペクトルおよび結晶度に基いて、条件付けされたキャリブレーションスペクトルを結晶度に関連付けするモデルを発生させる、
ようにさらにプログラムされている、付記36に記載のシステム。
前記少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターへの変化の判別は、前記容器による近赤外照射の吸収スペクトルに前記モデルを適用させることを含む、付記37に記載のシステム。
前記少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターへの変化の判別は、前記容器による近赤外照射の吸収スペクトルに条件付けをして、非結晶度要因からの前記吸収スペクトルにおける情報の少なくとも一部を除去することを含む、付記38に記載のシステム。
前記モデルを発生させることは、部分最小二乗(PLS)法を適用することを含む、付記37に記載のシステム。
前記モデルはまた、前記少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターを前記容器の材料分布に関連付けする付記37に記載のシステム。
前記少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターは、プリホーム温度設定点を含む、付記36に記載のシステム。
前記容器は、ホットモールド生成された容器である、付記36に記載のシステム。
生成された容器の結晶度に影響を与えるようにブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
光源と、
偏光子と、
センサーであって、当該センサーおよび前記偏光子はその間に検査領域を有する、センサーと、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーと、を含み、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記センサーから、前記容器の結晶度を示す信号を受信し、
前記信号に基づく少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターへの変化を判別し、
ブロー成形機に、前記信号に基づく前記少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターへの変化を示すメッセージを送信する、
ようにプログラムされている、システム。
前記少なくとも1つのブロー成形入力パラメーターは、プリホーム温度設定点を含む、付記44に記載のシステム。
前記容器は、コールドモールド生成された容器である、付記44に記載のシステム。
Claims (7)
- 生成した容器の結晶度に影響を与える、前記容器の形成を制御する複数のブロー成形入力パラメーターを含むブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の垂直、側壁プロファイルに沿った複数の点における容器の側壁の材料分布の指標を測定する材料分布測定システムであって、測定された材料分布の特性は、前記容器の垂直プロファイルに沿った複数の点のそれぞれでの前記容器の反対側の側壁によって吸収されない入射光の量に基づく材料分布測定システム、
前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の画像を撮る少なくとも1つのカメラ、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、
前記少なくとも1つのプロセッサーは、前記材料分布測定システムおよび結晶度センサーシステムと通信し、
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の少なくとも1つの画像を少なくとも1つのカメラから受信し、
前記少なくとも1つの容器の透明度状態の指標を前記少なくとも1つの画像から導き、
前記少なくとも1つの容器の前記材料分布の指標を前記材料分布測定システムから受信し、
前記複数のブロー成形入力パラメーターを前記容器の前記少なくとも1つの画像から導かれた前記透明度状態の指標および前記材料分布測定システムからの前記材料分布の指標の両方に関連付ける数学モデルであって、当該数学モデルの実行の結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に、前記結晶度を前記ブロー成形機によって形成された容器のベースライン結晶度にそれぞれ同時に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を含む、数学モデルを実行して、前記ブロー成形機により形成された容器の結晶度および材料分布の両方を同時に制御する前記ブロー成形機のためのブロー成形入力パラメーターを決定し、
前記数学モデルの実行を介して決定された前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を実行する、
ようにプログラムされている、システム。 - 前記ブロー成形機は、ホットモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも1つの容器におけるヘイズの存在または不存在を示し、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記透明度状態が透明で、ヘイズが存在しないことを示す場合、前記少なくとも1つのプロセッサーがヘイズが存在することを示す前記透明度状態の第2指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を上昇させ、
ヘイズが存在することを示す透明度の指標に応じて、前記プリホーム温度設定点を降下させる、
ようにさらにプログラムされている、請求項1に記載のシステム。 - 前記ブロー成形機は、コールドモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも1つの容器における真珠光沢の存在または不存在を示し、前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記透明度状態が透明で、真珠光沢が存在しないことを示す場合、前記少なくとも1つのプロセッサーが真珠光沢が存在することを示す前記透明度状態の第2指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を降下させ、
真珠光沢が存在することを示す透明度の指標に応じて、前記プリホーム温度設定点を上昇させる、
ようにさらにプログラムされている、請求項1に記載のシステム。 - 生成した容器の結晶度に影響を与える、ホットモールドプロセスに従って容器を形成し、且つ前記容器の形成を制御する複数のブロー成形入力パラメーターを含むブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の垂直、側壁プロファイルに沿った複数の点における容器の側壁の材料分布の指標を測定する材料分布測定システムであって、測定された材料分布の特性は、前記容器の垂直プロファイルに沿った複数の点のそれぞれでの前記容器の反対側の側壁によって吸収されない入射光の量に基づく材料分布測定システム、
前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の結晶度の指標を感知する少なくとも1つの結晶度センサー、
前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の画像を撮る少なくとも1つのカメラ、
少なくとも1つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、
前記少なくとも1つのプロセッサーは、前記材料分布測定システムおよび結晶度センサーシステムと通信し、
前記少なくとも1つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも1つの容器の前記結晶度の指標を前記結晶度センサーから受信し、
前記少なくとも1つの容器の前記材料分布の指標を前記材料分布測定システムから受信し、
前記少なくとも1つの容器の少なくとも1つの画像を前記少なくとも1つのカメラから受信し、
前記少なくとも1つの画像から前記少なくとも1つの容器の寸法を導き、
前記複数のブロー成形入力パラメーターを前記結晶度センサーからの前記結晶度の指標、前記材料分布測定システムからの前記材料分布および前記少なくとも1つの画像から導かれた前記少なくとも1つの容器の寸法に関連付ける数学モデルであって、当該数学モデルの実行の結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に、前記結晶度を前記ブロー成形機によって形成された容器のベースライン結晶度に、および前記容器の寸法を寸法閾値にそれぞれ同時に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を含む、数学モデルを実行して、前記ブロー成形機により形成された容器の結晶度および材料分布の両方を同時に制御する前記ブロー成形機のためのブロー成形入力パラメーターを決定し、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも1つへの変化を実行する、
ようにプログラムされている、システム。 - 前記寸法は、前記容器の最終寸法である、請求項4に記載のシステム。
- 前記結晶度センサーは、第2カメラを含む、請求項4に記載のシステム。
- 前記結晶度センサーは、近赤外線分光センサーを含む、請求項4に記載のシステム。
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