JP6458085B2 - ブロー成形制御システム - Google Patents

Description

プラスチック容器のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）および他の種類は、再加熱延伸ブロー成形機と呼ばれる機械を利用して概して製造される。ブロー成形機はプリホームを受け取りおよび容器を出力する。プリホームがブロー成形機に受け取られると、最初加熱され、型に配置される。プリホームに空気を吹きこませてプリホームを軸方向および円周方向に伸ばすようにロッドがプリホームを伸ばし、型の形状を取る。典型的な再加熱延伸ブロー成形機は、１０および４８の間またはそれ以上の型を有する。これは、ブロー成形機の製造率を増加させるが、１以上のブロー成形プロセスパラメーターを含む問題がある場合、欠陥容器が生じ得る割合が増加する。したがって、容器製造者は、可能な限り効率的にブロー成形プロセス問題を検知し且つ補正することに熱心である。

ブロー成形容器を製造する過程において、所望の容器寸法、材料分布、強度、欠陥の不存在等を含む所望の容器特性を達成することが望ましい。これは、典型的には手動で達成される。１つの共通技術によれば、ブロー成形機のオペレータは、オフライン検査用に完成した１組の容器を取り出す。オフライン検査の様々な種類は、容器の異なる態様を測定するために用いられる。材料または厚さの分布は、多くの場合、定性的な「圧搾」試験および／または定量的な断片重量試験を用いて測定される。圧搾試験において、オペレータ、または他の検査員は、容器の鍵となる位置に十分な材料があるか否かの定性的な指標を得るために容器を圧搾する。断片重量試験において、容器が円周方向の断片に物理的に分割される。各断片は、個別に加重され、断片の重みを得る。他の一般的なオフライン検査は、容器強度、容器の大きさおよび形状等を測定するための体積充填高さおよび底クリアランス試験を測定するためのトップロードおよびバースト圧試験を含む。これらのような試験の定性的および定量的な結果に基づいて、オペレータは、ボトル内の適切な位置に材料を移動させるためブロー成形の入力パラメーターを修正する。

しかしながら、手動測定および調整技術にはいくつかの欠点がある。試験のいくつかの定性的な性質は、１つのテスターから他のテスターへの一貫した結果を維持させることが難しい。例えば、異なるオペレータが、圧搾試験中に同一の材料分布を異なっているように解釈し得る。また、リグを用いても、複数の容器試料にわたる切り抜き断片を正確に複製することは困難であり、手動で得られた断片重量の正確性を低減させる。さらに、オペレータにとって、所望の材料分布を得るようにブロー成形を一貫して同調することは非常に困難である。ブロー成形機の入力パラメーターおよび出力材料分布の間の相関は、非常に複雑である。別のブロー成形機のオペレータは、これらのパラメーターの異なる理解水準を有し、それゆえ、所望の容器分布を得るための能力が異なる。結果として、たとえ代替材料分布が望ましい場合であっても、容器の設計許容範囲外でない限り、多くのオペレータは、ブロー成形機入力パラメーターの修正を単純に避ける。

Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ ＯｈｉｏのＰｒｅｓｓｃｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃから販売されているＩｎｔｅｌｌｉｓｐｅｃ（商標）製品、およびｔｈｅ Ｋｒｏｎｅｓ Ｇｒｏｕｐ ｏｆ Ｎｅｕｔｒａｕｂｌｉｎｇ， Ｇｅｒｍａｎｙから販売されているＰＥＴ−ビュー製品のような初期のオンライン検査システムは、ブロー成形機内のまたはブロー成形機の下流の一方において容器を検査し、奇形の容器を拒絶するコンピュータビジョンを利用する。これらのシステムは、ランダムに発生した損傷、介在物を備える容器、およびひどく形成された容器を除去することによって容器の生産の質を向上させているが、容器の品質および性能を駆動させる問題に関連するプロセスに対処する成功方法が限られている。

その後の検査装置は、より微細なシステム特性を検出するように、より詳細な検査を可能した。例えばＢｕｔｌｅｒ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＡＧＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから販売されている、種々の赤外吸収測定装置は、個々の容器の材料分布を測定することが可能である。測定は、ブロー成形機内またはブロー成形機の下流の一方に配置された一連のエミッタおよびセンサーを使用してなされている。センサーは容器の側壁に向かって配置され、１２．５ｍｍ間隔でコンテナ上で測定を行い、このように容器の側壁における材料分布のプロファイルを提供している。同時に、より再現性ある結果を提供しながら、ＡＧＲ赤外吸収測定装置のような装置からの測定は、圧搾と断片重量試験を実施する必要性を取り除く。また、このようなＢｕｔｌｅｒ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＡＧＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから販売されている、Ｐｉｌｏｔ Ｖｉｓｉｏｎ（商標）システムのような高度なビジョンシステムも、高解像度を提供し、より微細な容器の欠陥を検出することができる。

ブロー成形技術の最近の進歩は、ブロー成形機での自動化されたプロセス制御をある程度許可する。例えば、現在の多くのブロー成形機は、サーボモーターや他のスマート技術を利用して動作させることができる機械的な型のコントロールを有する。オーブンの設計および制御の改善も向上している。また、最近Ｌｅ Ｈａｖｒｅ、ＦｒａｎｃｅのＳｉｄｅｌ Ｓ．Ａ．Ｓ． Ｃｏｍｐａｎｙは、型に到達するプリホームの温度の変化に対応するために、型制御ループを有するブロー成形機を導入した。型の制御ループは、プリホーム特性の変化を検出するためのプリブロー開始およびプリブロー圧力を制御し、プリホームのエネルギーまたはエネルギー分布の偏差を考慮してプリブロー圧力プロファイルを適応する。

別のプロセス制御システムは、Ｂｕｔｌｅｒ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＡＧＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから販売されているＰｒｏｃｅｓｓ Ｐｉｌｏｔ（登録商標）製品である。Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｐｉｌｏｔ（登録商標）製品は、再熱伸縮およびブロー成形プロセスを管理するように使用される閉ループ制御システムである。上述のように、赤外線吸収型測定システムは、材料分布プロファイルを生成するために使用される。Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｐｉｌｏｔ（登録商標）製品は、ブロー成形入力パラメーターの調整に連動してなされた一連の自動測定を用いて、容器ブロープロセスおよび容器の材料位置の間の関係を学ぶ。この情報は、ブロー成形機の将来の調整の基礎を形成する。カスタム式は、ブロー成形入力パラメーターおよび得られた材料分布の関係を表すために使用される。制御ループは、様々なブロー成形入力に対する基準材料分布および底ライン値を確立することによって実現される。材料分布は、ブロー成形工程中にドリフトするので、ブロー成形入力パラメーターおよび容器特性の関係は、ブロー成形入力パラメーターの底ラインに対する制御変化も最小にしながら、底ラインおよび測定された材料分布の差を最小にするブロー成形パラメーター値を決定するように追加の計算と共同して利用されている。Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｐｉｌｏｔ（登録商標）製品は、全体的なプロセス変動を最小限にするために連続的に動作させ得る。

電流ブロー成形機のプロセス制御システムは、従来のオフラインおよび度々の手動方法を超えた改善を示す。しかしながら、さらなる課題が残っている。例えば、上述した電流制御システムは、結晶性、物質密度、底のたるみ、様々な容器寸法等の容器特性を考慮しない。容器全体の品質に重大な影響を与え得るこれらまたは他の特性は、手動オフライン試験およびブロー成形入力パラメーターの手動調整で未だ管理されなければならない。ブロー成形機の改善されたプロセス制御システムが必要とされている。

様々な実施形態が、下記の図面とともに実施例の様式で本明細書に記載されている。

図１は、ブロー成形システムの一実施形態を示すブロック図である。 図２は、ブロー成形制御システムの一実施形態のブロック図である。 図３は、材料分配システムに伴い得る材料分布測定装置の一実施形態を示す。 図４は、基本ビジョンシステムの一実施形態を示すブロック図である。 図５は、側壁ビジョンシステムの一実施形態を示すブロック図である。 図６は、最終ビジョンシステムの一実施形態を示すブロック図である。 図７は、最終ビジョンシステムを利用して測定され得る例示的な最終寸法を示す図である。 図８は、透明状態を判別するための様々な方法を説明する容器の画像を示す図である。 図９は、底温度センサーシステムの一実施形態を示す図である。 図１０は、結晶度および／または配向を測定する複屈折センサーシステムの一実施形態を示す図である。 図１１は、結晶度を測定するための近赤外（ＮＩＲ）分光センサー装置の一実施形態を示す図である。 図１２は、結晶度にＮＩＲ吸収スペクトルを関連づける結晶度モデルを生成するためのシステムによって実行され得るプロセスフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図１３は、１組の校正スペクトルの一実施形態を示す図である。 図１４は、コンディショニング後の図１３の校正スペクトルの一実施形態を示す図である。 図１５は、図１４の処理フローによって決定されたモデルを用いたインライン容器の結晶度を判別するためのプロセスフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図１６は、ブロー成形システムを制御するための制御システムによって実行され得るワークフローの一実施形態を示すブロック図である。 図１７は、図１６のモデルを実行するためのプロセスフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図１８は、ブロー成形システムによって生成される容器の容器特性に基づくブロー成形入力パラメーターを修正するために、図１６のモデルを適用する制御システムによって実行され得るプロセスフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図１９は、追加の入力容器特性を含む、図１６のワークフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図２０は、２つの制御ループを利用したブロー成形システムを制御するための制御システムによって実行され得るワークフローの一実施形態を示すブロック図である。 図２１は、コールドモールドプロセスにおける図２０に示された材料分布制御ループおよびプリホーム温度制御ループを実行するための１組のプロセスフローの一実施形態を表すフローチャートである。 図２２は、コールドモールドプロセスにおける容器底温度も考慮した図２０のプリホーム温度制御ループのプリホーム温度アルゴリズムの別の実施を示すプロセスフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図２３は、ホットモールド構成における図２０のプリホーム温度制御ループのプリホーム温度アルゴリズムの別の実施を示すプロセスフローの一実施形態を示すフローチャートである。 図２４は、ホットモールド構成における図２０のプリホーム温度制御ループのプリホーム温度アルゴリズムの別の実施を示すプロセスフローの一実施形態を示し、且つ容器寸法を修正する追加の動作を含むフローチャートである。

本明細書に記載の様々な実施形態は、例えば、結晶度、底のたるみ、および様々な容器の寸法のような容器特性を最適化するブロー成形入力パラメーターを制御するためのシステムおよび方法に関する。例えば、上記のＰｒｏｃｅｓｓ Ｐｉｌｏｔ（登録商標）製品のような既存のブロー成形プロセスに制御システムは、容器の材料分布を最適化し得る。しかしながら、上記参照されたようなもののような他の容器特性も最適化するシステムおよび方法が必要とされている。

ＰＥＴ容器における結晶度は、その容器のＰＥＴ分子における配向度を説明する。典型的なＰＥＴ容器の結晶度は、容器の種類に応じて、〜２０％から〜４０％の範囲である。容器内の結晶度は、トップロード性能、透明度（例えば、曇り（ヘイズ）または真珠光沢）、透過性等を含むその構造強度を含む容器の他の多くの品質関連特性に影響を与える。それ故、結晶度の最適化は、結晶度関連特性も効率的に最適化し得る。結晶度は、利用されるブロー成形プロセスの種類に基づいて異なって製造され、最適化され得る（例えば、コールドモールドプロセスまたはホットモールドプロセス）。

コールドモールドプロセスにおいて、二軸性結晶は、機械的延伸および吹き込みによって誘導され、歪み硬化とも呼ばれる。このような構成では、プリホームが型に到達する前に加熱される。延伸ロッドおよび圧縮空気が、型内でプリホームを拡張するために利用される。例えば、型自体は、典型的には冷却水または他の冷却流体を用いて冷却される。延伸プロセスは、ＰＥＴ分子の結晶度を増加させるだけでなく、容器内の残留ストレスをも生む。残留ストレスは、実質的に冷たい型との接触によって設定される。コールドモールド生成容器のために、結晶度もしばしば配向度とも呼ばれる。コールドモールド生成容器の結晶度または配向度は、容器の分子が二軸の格子構造に従って構成されている程度を説明する。例えば、コールドモールド生成容器の結晶度または配向度は、二軸の格子構造の一部である容器中の分子の部分または割合を示し得る。

コールドモールドプロセスを利用して生成された容器の例は、水ボトルと炭酸清涼飲料（ＣＳＤ）容器を含む。ＣＳＤボトルは、典型的には、より高い容器の性能を提供するために、機械的に誘発される結晶度または配向度のより高いレベルを有する。通常の条件下では、コールドモールドプロセスで発生する結晶度または配向度のレベルは、オーブンの出口でプリホームの温度を操作することによって管理され得る。プリホームが、ブロー前に適切な全体温度またはエネルギーおよびエネルギー分布を有する場合、再加熱延伸ブロープロセスは、結晶度または配向度の所望のレベルを生成するように最適化され得る。しかしながら、プリホームのエネルギーまたはエネルギー分布が変化する場合は、望ましくない結果が発生し得る。例えば、プリホームが冷たすぎるとき、真珠光沢が発生し得る。最大の延伸が発生した領域で容器の主に内側部分に真珠光沢が白い粉を吹いたような物質として現れる。例えば、クレームのための二軸格子構造が破壊したとき、真珠光沢が発生し得る。様々な実施形態によれば、結晶度または配向度の最適なレベルは、真珠光沢が延伸プロセス後に見られる点のすぐ上までプリホームのエネルギーを低下させることによって得られる。

ホットモールドプロセスでは、ブロー成形機の型は、多くの場合、熱油または型を通じて循環する別の加熱流体によって加熱される。ホットモールド生成容器は球晶結晶度を示す。ホットモールド生成容器内の結晶度の測定は、例えば、球晶結晶構造に従って容器の分子が構成されている程度を示し得る。例えば、ホットモールド生成容器の結晶度は、球晶構造の一部である容器内の分子の一部または割合を示し得る。ホットモールドプロセスでは、容器の結晶度は、機械的および熱的の両方の力によって生成され、保存される。ホットモールドプロセスは、より高い結晶度を生じそれゆえ、優れた、より安定した容器特性をもたらす。例えば、型の熱が球晶結晶化を引き起こし、また、後に変形を引き起こし得る残留ストレスを解放するように、容器をアニールする。さらに、より高い温度レベルは、熱セットおよび非炭酸清涼飲料のためのより大きな型充填要因を提供し得る。ホットモールドプロセスは残留ストレスをセットするよりむしろ開放するので、ホットモールド生成容器は多くの場合、コールドモールド容器よりも良い形状を保持し、熱液体に対する特性をより耐久性であり且つより適正なものとする。コールドモールドプロセスと同様に、ホットモールドプロセスにおける結晶度は、オーブンによる設定またはホットモールド自体による設定により、プリホームの温度を制御することによって管理され得る。より高いプリホームエネルギーは、一般的により高い容器の結晶度をもたらし、より高いトップロードは、よりよい体積充填等となる。しかしながら、プリホームエネルギーが高すぎる場合、熱曇りが生じ得る。熱曇り、または単に曇りは、ヘイズ（ｈａｚｅ）と呼ばれる雲形状として現れ、ＰＥＴ容器に存在する。プリホームおよびモールド温度の組み合わせが球晶結晶が過剰発生するほど高いときに、曇りは引き起こされ、光散乱や最終的には不透明を引き起こす。ヘイズは、容器の美的特性に影響を与え、脆性をも示し得る。ホットモールドプロセスにおいて、熱曇りの発生に応じたレベルに近いが、それ未満である結晶度を達成することがしばしば最適である。したがって、様々な実施形態において、最適な結晶度は、熱曇りが発生する点のすぐ下まで、プリホームのエネルギーを増加させることによって達成され得る。

本明細書で使用する場合、結晶度の用語は、コールドモールド生成容器およびホットモールド生成容器の両方を示す。例えば、コールドモールド生成容器を示す場合、結晶度の用語は、配向度または二軸の格子構造の程度を示し得る。例えば、ホットモールド生成容器を示す場合にも、結晶度の用語が球晶構造の程度を示し得る。

底のたるみは、問題になり得る別の容器特性であるが、特にコールドモールドプロセスに限られない。底のたるみは、容器ストレス割れと関係していると信じられている。ストレス割れは、炭酸清涼飲料（ＣＳＤ）容器の特定の問題であり、多くの場合、容器の花弁状底における問題である。ストレス割れは、充填後に発生する取り扱いや保管中の容器と特定の化学物質との接触によって引き起こされると考えられている。底のたるみの最小化または排除は、容器の静止面に接触している容器の面積を減少させ得、それによって潜在的に有害な化学的性質との接触を最小限にする。

容器の寸法もブロー成形プロセスにより影響され、電流プロセス制御システムで適切に制御され得ない。「ブローおよびトリム」プロセスを利用する場合、容器の寸法を最適化する必要性が特に関連し得る。ブローおよびトリムプロセスによれば、容器の最終形態は、型自体の内部で形成される。これは、型充填率（例えば、容器が型を埋める程度）が別々に製造されたキャップと整合しなければならないねじ山を含む最終の正確な成形を決定することを意味する。ブローおよびトリムプロセスの例は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第７４５５９１４号明細書に提供されている。

本明細書に記載されたブロー成形プロセス制御システムおよび方法は、例えば、結晶度、配向度、底のたるみ、および／または様々な容器寸法を含む容器特性を最適化するブロー成形入力パラメーター制御に関する。様々な実施形態において、ブロー成形制御システムは、ブロー成形機によって生成した容器の特性を測定する1以上の検査システムと同様にブロー成形機と通信する。この検査システムは、容器の異なる部分の画像を撮影する様々な視覚システム、容器の様々な部分の温度を検知する温度センサー、および／または容器内の材料の分布を測定する、上記の赤外吸収測定装置のような材料分布システムを含み得る。

コールドモールドプロセスにおいて、容器の結晶度は、プリホーム温度設定点を修正することにより管理され得る。例えば、視覚システムは、ブロー成形機によって生成された容器の画像を撮影し得る。視覚システム、および／または制御システムは、真珠光沢があるかどうかを判別するために画像を処理し得る。真珠光沢が存在する場合、制御システムは、プリホーム温度設定点を上昇し得る。真珠光沢がもはや生じた容器内に存在しなくなるまで、例えば、制御システムは、プリホーム温度設定点を漸次上昇し得る。また、いくつかの実施形態において、真珠光沢の存在および／または量を測定することに加えまたは代わり、直接結晶度を測定し得る。例えば、結晶度は、複屈折法、Ｘ線回折、ラマン分光法、近赤外（ＮＩＲ）吸収分光法などを利用して直接測定され得る。コールドモールドプロセスにおいて、結晶度が直接測定される場合、制御システムは、結晶度を所望の値および／または値の範囲になるように、プリホーム温度設定点および／または他のブロー成形入力を修正し得る。

様々な実施形態において、コールドモールドプロセスで動作する制御システムも製造された容器の温度を考慮し得る。この温度は、例えば底温度のようなボトルの任意の適切な部分で測定され得る。また、いくつかの実施形態において、容器の温度は、型の温度に基づいて間接的にモニターされる。温度は、温度センサーから受け取られ得る。いくつかの実施形態において、制御システムは、プリホーム温度設定点への対応する変更を行うことにより、容器温度の変化に応答する。また、種々の実施形態において、制御システムは、最適な結晶度またはその近傍におけるプロセスを再配向するための制御シーケンスを実行するようにプログラムされている。例えば、制御システムは、真珠光沢が検出されるまで、プリホーム温度設定点を減少し始め、その後真珠光沢がもはや存在しなくなるまで、プリホーム温度設定点を上昇し得る。これは、最適なコールドモールド結晶度でまたはその近くでブロー成形機が容器を生成することを保証し得る。再配向制御シーケンスは、例えば、プロセスの開始時および／または容器の温度の変化（例えば、容器の温度の上昇）を検出する際に実行され得る。再配向制御シーケンスはまた、結晶度が直接測定される実施形態において利用され得る。例えば、所定の結晶性が達成されるまで、制御システムは、プリホーム温度設定点を減少し得る。所定の結晶度は、真珠光沢の発生と関連し得、または、いくつかの実施形態において、容器が真珠光沢が生じる閾値結晶度近傍であることを示し得る。例えば、所望の結晶度の読み取りが達成されるまで、結晶度が所定量になるまで等、プリホーム温度設定点は、所定の温度の上昇により上昇され得る。

ホットモールドプロセスにおいて、容器の結晶度は、プリホーム温度設定点を修正することおよび／または型の修正することにより再度管理され得、そのような修正は、ブロー成形機によって許可されている。再度、視覚システムは、ブロー成形機によって生成された容器の画像を撮影する。視覚システムおよび／または制御システムは、熱曇りが（例えば、「ヘイズ」）が存在するかどうかを判別するために画像を処理する。ヘイズが検出された場合、制御システムは、プリホーム温度設定点を減少し得る。様々な実施形態において、ヘイズがもはや発生容器内に存在しなくなるまで、制御システムは、プリホーム温度設定点を漸次減少する。型温度を別々に制御可能である場合には、型温度は、プリホーム温度設定点の修正に加えて修正するか、その代わりに修正し得る。本明細書に記載されるシステムおよび方法が、型温度の制御を可能とするブロー成形機とともに利用される場合、温度設定をプリホームすることとして記載される変化は、型温度への変化および／または型温度およびプリホーム温度設定点を含むブロー成形入力パラメーターの組み合わせへの変化によって等価的に実現され得ることが理解されるであろう。ホットモールドプロセスにおいても、結晶度はヘイズの存在または量を測定することに加えまたはその代わりに直接測定され得る。例えば、制御システムは、容器の結晶度を所望の値または範囲にするために、プリホーム温度設定点および／または型の温度を変更し得る。

様々な実施形態において、ホットモールドプロセスで動作する制御システムも、プロセスのドリフトを検出するために、容器温度または型温度の測定を利用し得る。容器温度は、例えば側壁を含む容器の任意の部分において採取され得る。測定は、制御システムと通信する別個の温度センサーによってなされ、および／またはブロー成形機から直接受け取られ得る。コールドモールドプロセスと同様に、制御システムは、容器の温度の変化に応じて、プリホーム温度設定点を上または下に調整し得る。いくつかの実施形態において、制御システムは、最適なホットモールド結晶度またはその付近にプロセスを配置するために再配向制御シーケンスを実行し得る。例えば、制御システムは、ヘイズの開始まで容器温度を上昇させることを許容または故意に引きこし得、その後、ヘイズがもはや存在しなくなるまで、プリホーム温度設定点を降下し得る。これは、ブロー成形機が最適なホットモールド結晶度またはその付近で容器を生成していることを保証し得る。再配向制御シーケンスは、容器温度における上昇または低下の検知時等の、プロセスの開始時に実行され得る。

再配向制御シーケンスはまた、結晶度が直接測定される実施形態において利用され得る。例えば、制御システムは、予め設定された結晶度に達するまで、容器温度の上昇を許容しまたは容器温度の上昇を引き起こし得る。予め決められた結晶度は、ヘイズの開始と関連づけられ得、いくつかの実施形態において、容器が曇りが発生する閾値結晶度に非常に近いことを示し得る。その後、例えば予め決められた温度の上昇だけ、所望の結晶度の読み取りが達成されるまで、結晶度が予め決められた量になるまで等、プリホーム温度設定点は降下され得る。

ホットモールドプロセスを用いたものなど様々な実施形態において、生成された容器の結晶度は、型の温度を測定することから誘導され得る。例えば、型の温度変化は、製造された容器の結晶度の変化に対応させて示し得る。型の温度は、制御システムにより提供された結果とともに温度センサーによって測定され得る。制御システムは、所望の結晶度のレベルを維持するために、プリホーム温度設定点を調整することにより、型温度変化を補償し得る。

様々な実施形態において、底のたるみは、底における過剰な材料および／または温度を補正することによって最適化され得る。例えば、あまりにも多くのエネルギーまたは材料を吹き付けられた容器底は、底をたるませ得て、容器を望ましくない化学試薬との接触の高いリスクにさらす。様々な実施形態において、プロセスが底がたるみ得る容器を製造しているか否かを判別するために、制御システムは、製造された容器の底の隙間を定期的に測定し得る。底の隙間は、例えば容器の底の画像を撮影するように配置された視覚システムで測定され得る。不十分な底の隙間が検知された場合、制御システムは、補うようにプリホーム温度設定点を調整（例えば、降下）し得る。いくつかの実施形態（例えば、コールドモールドプロセスを利用する実施形態）において、制御システムは、プリホーム温度設定点の補正に加えてまたはその代わりに、型の底のカップ部の温度を修正し得る。本明細書に記載されているように、これは、ストレス割れのリスクのいくつかを軽減するのに役立ち得る。また、いくつかの実施形態において、制御システムは、例えば温度センサーからの信号に基づいて、製造された容器の底の温度を定期的に測定し得る。温度が閾値を超えると、プリホーム温度設定点は降下され得る。例えば、底が多くの材料を有する場合、例えば、成形時間は、たるみ得ない点にまで底を冷却するには不十分な時間であり得る。同様に、型の底カップが熱すぎると、底の材料が正確な量であってもたるむ傾向がある。

制御システムは、最終寸法のような容器寸法を最適化するために、ホットおよびコールドモールドプロセスの両方においてブロー成形機を同じように制御し得る。例えば、吹き付けプロセス（例えば、「フィル−ファクター」）中に、プリホームが型の形状に適合する度合いにより、容器寸法は決定され得る。プリホームが十分なエネルギーを含んでいない（例えば、十分熱くない）場合、それは型に十分充填され得ず、所望の寸法より小さい容器につながる。したがって、１以上の様々な視覚システムは、生成された容器の画像を取り込み得る。視覚システムおよび／または制御システムは、生成された容器の画像寸法に由来する。寸法が閾値未満である場合、制御システムはプリホーム温度設定点を上昇し得る。

本明細書に記載されているように、結晶度、底のたるみおよび様々な容器寸法は、ブロー成形プリホーム温度設定点、または、支持される場合は、型のすべて若しくは一部の温度の修正により、成形プロセス中にプリホームの温度を調整することによって制御され得る。しかしながら、単離における型温度および／またはプリホーム設置温度点を修正することは、材料分布における所望しない重大な変化をしばしば引き起こし得る。それゆえ、本明細書に記載されたシステムおよび方法の様々な実施形態は、材料分布をモニターする材料分布制御ループとともに実行され得る。いくつかの実施形態において、プリホーム温度設定点または型温度を制御するためのプリホーム温度制御ループは、材料分配制御ループとともに実行され得る。別個の制御ループは、ブロー成形入力パラメーターの異なるサブセットを制御し得る。例えば、プリホームの温度制御ループは、プリホーム温度設定点および／または型温度を制御し得る。材料の厚さの制御は、プリホーム温度制御ループによって制御されるもの（例えば、オーブンランプの設定、プレブロータイミング、プレブロー圧、高圧ブロータイミング、高圧ブロー圧力等）を除く他のブロー成形入力パラメーターを制御し得る。いくつかの実施形態において、本明細書に記載されるように、結晶度、底のたるみ、および／または容器寸法を管理するために、制御システムは、プリホーム温度設定点を含むすべてのブロー成形パラメーターを制御するための単一の制御ループを実施し得る。

より詳細に制御システムおよび方法を説明する前に、ブロー成形システムの概要が提供される。図１は、様々な実施形態によるブロー成形システム４の一実施例を示すブロック図である。ブロー成形システム４は、容器のブロー成形をする前にプリホームを予熱するオーブン部を介したスピンドル上でプラスチック製のプリホームを一般的に運ぶプリホームオーブン２を備える。プリホームオーブン２は、例えば、赤外線加熱ランプまたはプリホームのガラス転移温度超にプリホームを加熱する他の加熱要素を含み得る。多くのブロー成形機６は、プリホームの異なる部分を加熱するように配置された複数の加熱要素を定義するプリホームオーブンを利用する。プリホームオーブン２を出たプリホームは、例えば従来の搬送システム７によってブロー成形機６に入り得る（破線で示される）。

ブロー成形機６は、例えば、円状に配置され、矢印Ｃにより示される方向に回転する、１０〜２４オーダーのような多くの型を含む。型によって規定された形状にプリホームを適合させるために、空気および／またはコアロッドを使用してブロー成形機６においてプリホームは延伸され得る。多くのブロー成形機６において、型に対してプリホームの今延伸された壁を押す高圧ブローの前に容器形成プロセスを開始させるために、初期プレブローが利用される。生成する容器の種類に依存して、型は、加熱（ホットモールドプロセス）または冷却（コールドモールドプロセス）され得る。ブロー成形機６から出てくる容器８のような容器は、矢印Ｄにより示される方向に回転する、搬送アセンブリ１２の搬送アーム１０から吊り下げられ得る。同様に、搬送アーム１４および１６は、搬送アセンブリ１２が回転するにつれて容器８を持ち上げ、以下に説明する１以上の検査システムにより検査され得る検査領域２０を通って容器を搬送し得る。拒絶領域２４は、搬送アセンブリ１２から、拒絶されるとみなされる任意の容器を物理的に除去し得る拒絶機構２６を有する。いくつかの実施形態において、ブロー成形システム４は、代替の検査領域を含み得る。

図１の実施例において、容器３０は拒絶領域２４を越えて通過し、方向Ｅに回転し、例えばポケット３６、３８、４０のような複数のポケットを有する、スターホイール機構３４内に拾い上げられ得る。容器４６は、そのようなスターホイールのポケットの中に存在するものとして図１に示されている。容器はその後、所望の輸送経路およびシステムの性質に応じて、コンベアまたは他の搬送機構に本技術分野の当業者に知られた方法で搬送され得る。ブロー成形システム４は、検査領域２０に加えまたはその代わりに１以上の検査領域を含み得ることが理解されよう。例えば、代替検査領域は、搬送アセンブリ１２のような追加の輸送アセンブリを追加することにより造られ得る。また、代替検査領域は、コンベアまたはブロー成形機６から下方にある他の位置に位置し得る。

ブロー成形システム４は、１時間当たり２０，０００から１２０，０００個の速度で容器を生産し得、メーカーは、速度を増加させたブロー成形機を開発し続けているが、いくつかの実施形態において、より低い速度でブロー成形システム４を実行することが望まれ得る。ブロー成形システム４は、生成された容器の特性に影響を与える種々の入力パラメーターを受け取る。例えば、プリホームオーブン２は、個々の加熱要素の間での熱の分布を規定する追加の入力パラメーターと同様に、プリホーム温度設定点と呼ばれる全体的な温度入力パラメーターを受け取る。他の制御可能なパラメーターは、例えば、プレブロータイミング、プレブロー圧等を含む。

図２は、ブロー成形制御システム１００の１つの実施形態のブロック図を示す。システム１００は、ブロー成形システム４、制御システム１０２、および様々な検査システム１０３を含む。検査システム１０３は、ブロー成形機により製造された容器の特性を検知するように配置されている。検査システム１０３は、容器がブロー成形システム４により製造されたとき容器の特性を検知するためにインラインに配置されている。制御システム１０２は、１以上のサーバーまたは他のコンピューター装置を含む。制御システム１０２は、以下に説明するように、容器特性を示す様々な検査システム１０３からの信号を受信し、且つブロー成形システム４に所望の許容範囲内の容器を生成させるように、ブロー成形入力パラメーターまたはそれへの変化を発生させ得る。

異なる種類の様々な検査システム１０３が使用され得る。例えば、材料分布測定システム１０６は、容器の材料分布プロファイルを測定し得る。様々な実施形態によれば、材料分布測定システム１０６は、形成後の容器の材料分布を見出す（例えば、ブロー成形システム４内または下流）。例えば、材料分布測定システム１０６は、容器のプロファイル（例えば、垂直プロファイル）を横切って１以上の容器特性の複数の直接または間接的な読み取りを得るために使用され得る。容器の特性は、例えば、壁の厚さ（例えば、２つの壁の平均の厚さ）、質量、体積、等を含み得る。材料分布は、これらの測定のいずれかから由来し得る。システム１０６は、容器の材料分布を導出するために容器のプロファイルにわたって見出された測定された容器特性を利用し得る。すべてではない一部の実施形態において、測定値およびそれから計算された材料分布は、容器の配向または延伸部分にわたって採取されることのみが必要であり、例えば、最終領域、底のカップ等の容器の非配向部分を除去し得る。未加工の測定値を材料分布に変換する計算は、システム１０６に備わるオンボードコンピューター装置によりおよび／または制御システム１０２により実行され得る。

材料分布測定システム１０６は、材料分布プロファイルを測定可能な測定装置の任意の適切な種類を利用し得る。例えば、図３は、材料分布測定システム１０６に備えられ得る検査装置５０の一実施形態を示す。検査装置５０は、検査のためにプロセスラインから容器を取り除く必要なく且つ検査のために容器を破壊する必要なく、容器が形成された時に、または容器の形成後できるだけ早く、形成された容器を検査するインライン検査システムであり得る。検査装置５０は、形成された容器がブロー成形に続く検査領域２０を通じて回転され、さもなくば搬送されたとき、ブロー成形システム４により形成された各容器の特性を決定し得る（例えば、２つの壁の平均厚さ、質量、容積および／または材料分布）。検査領域２１は、図１に示された例示的検査領域２０および／または例えば上記の他の適切なインライン位置に同様に配置され得る。ブロー成形続き、容器６６のような容器は、例えば、搬送アセンブリ１２、コンベアのような搬送アセンブリのような任意の適切な機構により検査領域２１を通過する。

これら図３に示すように、検査装置５０は、アーム５２、５４の下部にそれらの間にクロスバー部５６を備える２つの垂直アーム５２、５４を含み得る。一方のアーム５２は多くの光エネルギー放射アセンブリ６０を含み得、他方のアーム５４はアーム５２、５４の間を通りプラスチック容器６６を通過した放射アセンブリ６０からの光エネルギーを検知する多くの広帯域センサー６２を含み得る。したがって、容器６６によって吸収されなかった放射アセンブリ６０からの光エネルギーは、容器の２つの反対側の側壁を通過し得、センサー６２により検知され得る。容器６６は、搬送アセンブリ１２によりアーム５２、５４の間の検査領域２０を通じて回転され得る（図１参照）。他の実施形態において、コンベアは検査領域２０を通って容器を搬送するために用いられ得る。

様々な実施形態によれば、放射アセンブリ６０は、異なる、離散した狭い波長帯域で光エネルギーを放射する１対の発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオードを含む。例えば、各放射アセンブリ６０の１つのＬＥＤは、容器の材料の吸収特性がプラスチック容器６６の材料の厚さに強く依存している狭い帯域波長範囲における光エネルギーを放射する（「吸収波長」）。他のＬＥＤは、プラスチック容器６６の材料によって実質的に透過性（「基準波長」）である狭い帯域波長の光エネルギーを放射し得る。様々な実施形態において、アーム５２の各放射アセンブリ６０のためのアーム５４において１つの広帯域センサー６２が存在し得る。吸収波長および参照波長の両方で検知されたエネルギーに基づいて、容器６６の２つの壁を通る厚さは、放射センサーペアの高レベルにおいて決定され得る。容器の壁が仕様を満たさない（例えば、壁が薄すぎるまたは厚すぎる）ので、この情報は容器を拒絶するか否かを判別するのに用いられる。さらに下記に説明するように、様々な実施形態によれば、この情報は、プリホームオーブン２および／またはブロー成形機６（図１）のパラメーターの調整のためのフィードバックとしても用いられ得る。

より近接した放射−センサーのペアは、垂直に離間して配置され、より具体的には、厚さ情報は、容器６６に関して得られ得る。様々な実施形態によると、上から下までの容器の高さに及ぶ３から５０個の間の放射−センサーペアがあり得る。例えば、状況に応じて、追加の放射−センサーペアが用いられ得るが、３２個の放射−センサーペアが０．５インチ以下毎に離間して配置され得る。そのような近接して離間して配置された放射−センサーペアは、容器６６のかなり完全な垂直な壁の厚さプロファイルを効果的に提供し得る。近接して離間して配置された放射−センサーペアを備えるいくつかの実施形態において、近隣の放射−センサーペアは、クロストークを最小限にするように互いに僅かな時間のオフセットで操作をするように構成され得る。

様々な実施形態によれば、検査装置５０が、プラスチック（またはＰＥＴ）容器６６を検査するために使用される場合、吸収波長狭帯域は２３５０ｎｍ付近であり得、参照波長帯は１８３５ｎｍ付近であり得る。もちろん、他の実施形態において、異なる波長帯域が使用され得る。本明細書で使用されるように、用語「狭帯域」または「狭波長帯域」とは、最大強度値の半分（ＦＷＨＭ）で全幅２００ｎｍ以下の波長帯域を意味する。すなわち、１つの光源の放射強度が、ある波長において、その最大強度の半分である波長の間の差が２００ｎｍ以下である。好ましくは、光源が１００ｎｍ以下のＦＷＨＭ、好ましくは５０ｎｍ以下のＦＷＨＭである狭帯域を有する。

アーム５２、５４は、放射アセンブリ６０およびセンサー６２が設置されたフレーム６８を有し得る。フレーム６８は、例えばアルミニウムのような任意の適切な材料から製造され得る。放射アセンブリ６０およびセンサー６２を制御／駆動するための回路上のコントローラー（図示せず）は、フレーム６８により規定された開放空間に配置され得る。クロスバー部５６は、アーム５２、５４のためのフレーム６８と同じ材料から造られ得る。

フレーム６８は、検査領域２０に向かう多くの開口６９を規定し得る。図２に示されるように、各センサー６２のための開口が存在し得る。各放射アセンブリ６０のための対応する開口も存在し得る。放射アセンブリからの光エネルギーは、対応する開口を通じて検査領域２０に向かい、各開口６９の後ろのセンサー６２の方に向かうように導かれる。上記のようなシステムの１つの実施例は、２００７年８月３１日に出願された米国特許第７，９２４，４２１号明細書に記載され、その全体が参照をもってここに組み込まれる。

使用され得る測定装置の別の種類は、広帯域光源、チョッパホイール、および、ブロー成形機によって製造された後に光源と分光器との間の検査領域を容器が通過したときに容器の壁の厚さを測定する分光器を利用する。このようなシステムにおける広帯域光源は、プラスチック容器の表面に衝突を与え、容器の両壁を通じて進行し、且つ離散的な波長でプラスチックに吸収レベルを決定するために、分光器によって検知される細断されたＩＲ光エネルギーを提供し得る。この情報は、壁の厚さ、材料分布等のプラスチックボトルの特性を決定するために、例えばプロセッサーにより用いられ得る。実際、そのようなシステムは、可視内の広帯域光および目的の赤外スペクトルを発生させる熱源を使用し得る。広帯域光は、細断され、コリメートされ、プラスチック容器の２つの壁を透過し、且つ分光により目的の波長に最終的に分割される。類似したシステムの例は、２００２年３月２６日に出願された米国特許第６，８６３，８６０号明細書、２００５年１月２４日に出願された米国特許第７，３７８，０４７号明細書、２００６年１０月５日に出願された米国特許第７，３７４，７１３号明細書、２００８年４月２１日に出願された米国特許第７，７８０，８９８号明細書において提供され、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

様々な実施形態において、検査システム１０３はまた、例えば、底視覚システム１０８、側壁視覚システム１１０、最終視覚システム１１２、底温度センサーシステム１１４を含む様々な視覚および他のシステムを含み得る。選択的に、検査システム１０３はまた、結晶度を直接測定するセンサーシステムを含み得る。例えば、複屈折センサーシステム１１５は、コールドモールドで生成された容器における結晶度を測定し得る。近赤外（ＮＩＲ）分光センサーは、ホットホールドで生成された容器における結晶度を測定し得る。様々な検査システム１０３のいずれかまたは全部は、検査のためにプロセスラインから容器を取り除くことなく、且つ検査のために容器を破壊する必要なく、容器が形成された時に、または容器の形成後できるだけ早く、インラインで操作され容器を検査するように構成され得る。

視覚システム（１又は複数）は、Ｂｕｔｌｅｒ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＡＧＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから販売されているまたは２０００年４月２１日に出願され、本願明細書に参照をもって組み込まれる米国特許第６，９６７，７１６号明細書に記載された赤外吸収測定装置に使用される視覚システムと同様である。図４は、底視覚システム１０８の１つの実施形態を表すブロック図である。システム１０８は、カメラ２０２、光学系２０４、光源２０８および選択的に画像プロセッサー２１０を含む。容器６６が、光源２０８およびカメラ２０２の間に位置し得る検査領域２１にある間に画像が撮影される。以下に説明するように、得られた画像は、ヘイズおよび真珠光沢の存在を判別するのに有用であり得る。透明状態（例えば、ヘイズまたは真珠光沢状態）、（様々な容器寸法等）のような容器６６の特性を決定するために、カメラ２０２からの画像は、様々な予備処理および／または画像評価を行い得る画像プロセッサー２１０に供給され得る。いくつかの実施形態において、画像プロセッサー２１０が省略され、画像処理が制御システム１０２で行われ得る。図４に示された実施形態において、カメラ２０２および光学系２０４は、容器６６上に配置される。光学系２０４は、最終領域６６ｂを通じて容器６６の底領域６６ａを検知するためにカメラ２０２をビュー２０６の適切な視野に与えるように構成された、様々なレンズ、または、他の光学要素を含み得る。底視覚システム１０８の他の構成も可能であることが理解されるであろう。いくつかの実施形態において、カメラ／光学系２０２／２０４および光源２０８の位置を逆にしてもよい。また、いくつかの実施形態において、ビューの追加の視野を有する追加のカメラ（図示せず）が利用され得る。

図５は、側壁視覚システム１１０の1つの実施形態を示すブロック図である。示された模範的な側壁視覚システム１１０は、カメラ２１４、２１４’、光学系２１６、２１６’、光源２１２および選択的に画像プロセッサー２１０’を含む。画像は、容器６６が光源２１２およびカメラ２１４、２１４’の間に配置され得る検査領域２１にある間に撮影され得る。図示されているように、カメラ２１４、２１４’および光学系２１６、２１６’は、容器６６の側壁領域６６ｃを示すビュー２１８、２１８’の視野を生じるように構成される。画像プロセッサー２１０’は、例えば、容器欠陥の検出、容器の透明状態の検出（例えば、ヘイズまたは真珠光沢状態）等を含むカメラ２１４により生じた画像の様々な処理を行い得る。いくつかの実施形態において、画像プロセッサー２１０’は、制御システム１０２によってさらなる処理が直接行いながら、カメラ２１４によって生じた画像の前処理を行う。また、いくつかの実施形態において、画像プロセッサー２１０’は完全に省略され得る。また、いくつかの実施形態において、１以上のカメラ２１４、２１４’は、省略され得および／または追加のビュー（示されていない）の追加の視野を備えた追加のカメラであり得る。

図６は、最終視覚システム１１２の１つの実施形態を示すブロック図である。図示された典型的な最終視覚システム１１２は、カメラ２２０、光学系２２２、光源２２４、２２６、および選択的に画像プロセッサー２１０’’を含む。画像は、容器６６が光源２２４、２２６およびカメラ２２０との間に配置され得る検査領域２１にある間に撮影され得る。図示されているように、カメラ２２０および光学系２２２は、容器６６の最終領域６６ｂを含むビュー２２５の視野を生じるように構成される。いくつかの構成において、最終視覚システム１１２は、最終領域６６ｂを照射するために、ビュー２２５の視野に位置する光源２２６を含む。また、いくつかの実施形態において、最終視覚システム１１２は、最終領域６６ｂ上に位置する丸またはボウル状の光源２２４を含む。画像プロセッサー２１０’’は、例えば、様々な容器の特性（例えば、寸法、透明状態等）画像由来のものを含む画像を様々に処理し得る。しかしながら、画像処理のいくつかまたは全ては、制御システム１０２により行われ得、いくつかの実施形態において、画像プロセッサー２１０’’は省略し得る。図７は、最終視覚システム１１２を利用して測定され得る典型的な最終寸法を示す図である。例えば、寸法Ｈは、最終の高さを示す。寸法Ａは、最終領域６６ｂの全幅を示す。寸法Ｔは、容器６６のスレッド６６ｅの幅を示す。寸法Ｅは、最終のシール６６ｆの幅を示す。

様々な視覚システム１０８、１１０、１１２が、容器６６の所望の部分の画像を生じ得る任意の適切な種類のシステムによって具現化され得ることが理解されるであろう。例えば、底および側壁視覚システム１０８、１１０は、Ｂｕｔｌｅｒ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＡＧＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから利用可能なＰｉｌｏｔ Ｖｉｓｉｏｎ（商標）を利用して実行され得る。最終視覚システム１１２は、同様にＢｕｔｌｅｒ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＡＧＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから利用可能なＯｐｔｉｃｈｅｃｋ（商標）システムを利用して実行され得る。さらなる視野からの画像が、例えば、検査領域２０またはブロー成形システム４の下流内の異なる位置にカメラおよび光源を配置することにより得られ得ることがさらに理解されるであろう。

いくつかの実施形態において、様々な視覚システム１０８、１１０、１１２の出力は、本明細書において概して透明度の状態と呼ばれるヘイズまたは真珠光沢の存在を判別するために利用され得る。容器の透明度の状態を決定する処理は、本明細書に記載の、制御システム１０２および／または種々の画像プロセッサー２１０、２１０’、２１０’’のいずれかによって、遂行され得る。任意の適切な画像処理アルゴリズムは、容器のヘイズまたは真珠光沢（例えば、透明度の状態）を判別するのに利用され得る。例えば、図８は、透明度の状態を決定する様々な方法を説明する容器６６の画像２４０を示す図である。画像２４０は、複数の画素からなり、各画素は値を有する。例えば、画像２４０がグレースケール画像であるとき、各画素は、画素の位置において画像の明るさを示す値を有し得る。画像がカラー画像のとき、各画素の値は、明るさと色とを示し得る。図８において、強調領域２４２は、画像画素２４３を説明するためにより大きな形式で再度描かれている。様々な画素のグレースケール値は、陰影により示されている。実際、制御システム１０２または他の適切なプロセッサーは、異常画素の画像を調査することによりヘイズまたは真珠光沢の事例を識別し得る。異常画素は、例えば、容器６６が予想よりも暗いことを示すような、予想した値と異なるグレースケールまたは他の値を有する画素であり得る。異常画素は、任意の適切な方法で識別され得る。例えば、異常画素は、閾値よりも暗いおよび／または容器を構成するすべての画素平均より暗い閾値量よりも大きくなり得る。真珠光沢またはヘイズは、例えば、容器６６および／またはその一部（例えば、底部）を示す領域における異常画素数を識別することにより検出され得る。また、いくつかの実施形態において、グループ化２４４のような異常画素の隣接グループ化の大きさまたは数が利用され得る。アルゴリズムの結果は、バイナリ様式（例えば、真珠光沢またはヘイズが存在する、真珠光沢またはヘイズが存在しない）または例えば異常画素若しくは画素グループ化の数に基づく量的様式により表現され得る。

図９は、底温度センサーシステム１１４の１つの実施形態を示す図である。システム１１４は、容器６６の底領域６６ａを含むビュー２３２の視野に位置する温度センサー２３０を含み得る。容器６６の底領域６６ａの温度は、容器６６が、温度センサー２３０のビューの視野をもって位置し得る検査領域２１にある間採取され得る。温度センサー２３０は、例えば任意の適切な高温計、赤外線カメラ等を含む任意の適切な非接触または赤外線センサーを含み得る。センサー２３０からの信号は、信号から底温度を導出する、制御システム１０２および／または他の適切なプロセッサーに供給され得る。例えば、容器６６の側壁領域６６ｃに向けられたビューの視野を備える側壁温度センサー（示されていない）を含む様々な他の温度センサーが利用され得ることが理解されるであろう。

図１０は、結晶度および／または配向を測定する複屈折センサーシステム１１５の１つの実施形態を示す図である。複屈折は、ＰＥＴを含む多くの材料に見られる効果である。いくつかの実施形態において、複屈折センサーシステム１１５は、二軸格子構造として表される結晶度（または配向）を測定するためにコールドモールド生成容器と共に利用され得る。２つの直交成分を含む直線偏光が材料を通って異なる速度で移動するとき、複屈折が発生する。直交成分は、容器６６を通じて異なる速度で移動するので、２つの光成分の間に位相差が生じる。光成分の移動速度の差、およびそれにより観察された位相差は、容器が示す結晶度のレベルに依存する。例えば、一方の成分は高速光線と考えられ得、他方は低速光線と考えられ得る。速度、およびそれによる位相の差は、材料の光路に沿った複屈折作用の統合された効果であるリターダンスとして測定される。リターダンスは、しばしば（ｎｍ／ｃｍ厚さ）の単位に従って測定される。使用される光の波長を考慮した場合、リターダンスは、位相角としても表され得る。

リターダンスを測定するために、複屈折センサーシステム１１５は、容器６６を通って直線偏光を透過し得る。システム１１５は、照射光源２５０、偏光子２５２、およびセンサー２５４を含む。結晶度の測定は、容器６６が、照射光源２５０とセンサー２５４との間に位置する検査領域２１にある間に採取され得る。例えば、照射光源２５０および偏光子２５２は、容器６６の一方の横側に位置され得、容器６６を照射するように構成され得る。センサー２５４は、照射光源２５０および偏光子２５２の反対側の容器６６の横側に位置し得、照射光源２５０により提供された照射光を受け取るように構成され得る。偏光子２５２は、容器６６に直接向かう照射光が２つ直交成分を有する直線偏光になるように方向づけられる。例えば、偏光子２５２は、光軸２５１について互いに直交して方向づけられる２つの偏光成分２５２ａ、２５２ｂを有し得る。いくつかの実施形態において、直線偏光子２５２の向きは、容器６６の結晶度の軸に対して約４５度回転され得る。光源の反対側のセンサー２５４は、２つの直交成分を含む光を受け取り得る。いくつかの実施形態において、選択的に電気的に制御される液晶可変偏光装置２５６または光をフィルターする同等物は、容器６６およびセンサー２５４の間に配置される。可変偏光装置２５６は、入射光線の２つの以前の直交成分を交互に検知するようにセンサー２５４が修正され得、それにより位相差および／または速度の差を測定し得る。２つの以前の直交成分を測定するとき、例えば、可変偏光装置２５６の位置の間の角度差は位相差に比例し得る。容器壁の厚さ単位当たりの位相差の量は、リターダンスである。したがって、最終結果は、材料の結晶度および厚さの関数であり得る。例えば、制御システム１０２は、容器結晶度の量的測定をバックアウトするために容器の厚さ（例えば、材料分布測定システム１０６によって測定されるように）を利用し得る。システム１１５は、容器６６の側壁領域６６ｃを通じた照射を導く構成において説明されているが、システム１１５は、容器６６の任意の適切な部分を通じて複屈折を測定するように構成され得る。いくつかの実施形態において、センサーシステム１１５はまたプロセッサー２５８を含む。プロセッサー２５８は、例えば、容器６６の結晶度読み取りを発生するためにセンサーの出力を処理し得る。可変偏光装置２５６を含む実施形態において、プロセッサー２５８はまたその偏光値を制御するために可変偏光装置２５６と通信し得る。様々な実施形態において、制御システム１０２によりこれらの機能の一部または全てが実行され得る。例えば、プロセッサー２５８は省略され得る。また、任意の適切な方法または装置は、複屈折またはリターダンスを測定するために用いられ得る。複屈折またはリターダンスを測定するための適切な方法または装置の例は、次の出典にみられ、その全体が参照をもって本願明細書に組み込まれる。Ｈａｇｅｎ， ｅｔ ａｈ， 「Ｃｏｍｐａｃｔ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｓｔｒｅｓｓ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ」； Ａｉ ｅｔ ａｈ， 「Ｔｅｓｔｉｎｇ ｓｔｒｅｓｓ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ ｏｆ ａｎ ｏｐｔｉｃａｌ ｗｉｎｄｏｗ， 」 ＳＰＩＥ Ｖｏｌ． １５３１ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ａｎｄ Ｔｅｓｔｉｎｇ ＩＩ （１９９１）； Ｄｕｐａｉｘ ｅｔ ａｈ， 「Ｆｉｎｉｔｅ ｓｔｒａｉｎ ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ） （ＰＥＴ） ａｎｄ ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａａｔｅ）−ｇｌｙｃｏｌ （ＰＥＴＧ）， Ｐｏｌｙｍｅｒ， Ｖｏｌ． ４６， Ｉｓｓ． １３， ｐｇｓ． ４８２７−４８３８ （１７ Ｊｕｎｅ ２００５）」；および１９９８年２月３日に出願された米国特許第５，８６４，４０３号明細書。

図１１は、結晶度を測定するための近赤外（ＮＩＲ）スペクトルセンサーシステム１１７の1つの実施形態を示す図である。システム１１７は、ブロー成形システム４の検査領域２０および／またはブロー成形システム４の下流に配置され得る。いくつかの実施形態において、ＮＩＲスペクトルセンサーシステム１１７は、球晶構造として表現される結晶度を測定するためにホットモールド生成容器とともに用いられ得る。システム１１７は、容器６６の1つの横側に配置された照射光源２６０と、容器６６の反対側の容器６６の他の横側に配置された分光計２６２をと含む。照射光源２６０および分光計２６２は、近赤外スペクトルの全てまたは一部にわたって容器６６を通じた吸光度を測定するように構成され得る。例えば、照射光源２６０および分光計２６２は、８００ｎｍから３０００ｎｍ範囲の波長範囲にわたる吸光度を測定し得る。いくつかの実施形態において、照射光源２６０および分光計２６２は、２０００ｎｍから２４００ｎｍの範囲の波長にわたる吸光度を測定し得る。

照射光源２６０および分光計２６２は、任意の適切な方法で、特定の波長または波長範囲に調整され得る。例えば、照射光源２６０は、所望の波長範囲にわたって照射を発生する広帯域光源であり得る。分光計２６２は、異なる波長の照射（例えば、容器６６を透過した後）の強度を測定するように構成され得る。例えば、分光計２６２は、受けた照射光を所望の範囲にわたる波長の違いにより分離（例えば、受けた照射光を波長により空間的に分離する）する回折格子２６６または他の適切な光装置を含み得る。制御可能なマイクロミラー２６８または他の同様の装置は、ＩｎＧａＡｓ検出器として、波長または波長範囲に対応する空間的に分離された照射光の一部をセンサー２６９に導き得る。センサー２６９は、マイクロミラー２６８によりセンサー２６９に導かれた波長または波長範囲の受け取られた照射光の強度に比例する出力信号を提供し得る。所望の波長範囲にわたる容器６６による、照射光の吸光度を示すセンサー２６９からの１組の信号を提供しつつ、マイクロミラー２６８は、異なる波長または波長範囲をセンサー２６９に向けるように徐々に調整され得る。これは、容器６６の吸収スペクトルまたはスペクトルと呼ばれ得る。例えば、任意の所与の波長での容器６６により透過された照射光の量は、その波長での容器６６の吸光度の逆数であり得る。

プロセッサー２６４は、容器６６の吸収スペクトルを決定するために、マイクロミラー２６８を制御し、および／またはセンサー２６９からの信号を受信しかつ貯蔵するように構成され得る。いくつかの実施形態において、プロセッサー２６４の機能の一部または全ては制御システム１０２により行われ得る。例えば、プロセッサー２６４は省略され得る。また、照射光は、側壁領域６６ｃで容器６６と交差する様に示されているが、吸収スペクトルは容器６６の任意の適切な部分で採取され得る。また、図１１は、１つの典型的な分光計２６２を示すだけである。任意の適切な種類の分光計が用いられ得る。

捕捉された吸収スペクトルは、容器６６の分子における結晶度のレベルと相関し得る。プロセッサー２６４は、プロセッサー２６４および／または制御システム１０２は、任意の適切な方法により容器６６の結晶度を測定するために、ＮＩＲスペクトルセンサーシステム１１７で測定される、吸収スペクトルを利用し得る。図１２は、ＮＩＲ吸収スペクトルを結晶度に相関させる結晶度モデルを生じるために、システム１００によって行われ得るプロセスフロー２７０の１つの実施形態を表すフローチャートである。例えば、プロセスフロー２７０は、プロセッサー２６４および／または制御システム１０２によって行われ得る。２７２で、システム１００は、１組のキャリブレーションスペクトルを生じ得る。例えば、システム１００は、既知の結晶度を有する１組のプラスチック容器６６を受け取り得る。例えば、プラスチック容器６６は、例えば、複屈折法、Ｘ線回折、ラマン分光法、近赤外（ＮＩＲ）吸収分光法のようなオフラインまたは実験室ベースの方法を用いて、事前に測定されたそれらの結晶度を有し得た。

プラスチック容器６６は、上記で本明細書において記載されたように、プラスチック容器６６の各吸収スペクトルを発生させるために、ＮＩＲスペクトルセンサーシステム１１７を用いてシステム１０２により処理され得る。例えば、図１３は、１組のキャリブレーションスペクトル２９２の１つの実施形態を示すチャート２９０である。チャート２９０は、波長を示す横軸２９４と、スペクトル２９２の振幅を示す縦軸２９６とを含む。示された波長範囲は、２０００ｎｍおよび２４５５ｎｍの間であるが、いくつかの実施形態において、スペクトルは２０００ｎｍおよび２４００ｎｍの間で採取され得る。

本明細書で記載されるように、キャリブレーションスペクトル２９２は結晶度を示し得る。例えば、結晶度が、振幅の山と谷の波長位置等の異なる波長でのスペクトルの振幅によって示され得る。しかしながら、結晶度情報に加えて、キャリブレーションスペクトル２９２は、直流（ＤＣ）バイアス、システム１１７の様々な構成要素の傾き、散乱効果、照明経路長、並びに例えば、容器６６の製造材料、容器の材料の厚さ等のような容器の他の特性のようなプロセス要因を含む他の要因の人工表示も含み得る。図１２を再び参照すると、２７４において、システム１００は、プロセス要因からの寄与を除去するためにキャリブレーションスペクトル２９２を調整し得る。調整は、任意の適切な形式をとり得る。例えば、システム１００は、センタリング、スケーリング、平滑化、誘導化（第１および／または第２の誘導化）、様々な変換、ベースライン化などを適用し得る。図１４は、調整後の図１３のキャリブレーションスペクトル２９２の１つの実施形態を示すチャート２９１である。

図１２を再び参照すると、２７６で、システム１００は、容器結晶度に調整されたキャリブレーションスペクトル２９３を関連付けるモデルを生成するように調整されたキャリブレーションスペクトル２９３を利用し得る。モデルは、任意の適切な方法に従って、任意の適切な方法に応じて生成され得る。いくつかの実施形態において、モデルは、部分最小二乗またはＰＬＳ法により生成され得る。例えば、各キャリブレーション容器の測定された結晶度を示す性能データは、データの独立変数またはｘブロックを構成し得る。調整されたキャリブレーションスペクトル２９３は、従属変数またはｙブロックを表し得る。ＰＬＳモデルは、ｘブロックをｙブロックに関連づけて生成され得る。モデルは、任意の適切な項の数を含み得る。例えば、いくつかの実施形態において、モデルの項の数は、所望の精度を提供するように選択され得る。

プロセスフロー２７０により生じたモデルは、従属変数（例えば、容器６６からの調整されたスペクトル）を受け取り、且つ容器６６に対する対応する結晶度を出力するように構成され得る。このように、モデルは、インラインで容器６６に対する結晶度の直接的な決定を容易にし得る。図１５は、プロセスフロー２７０により決定されたモデルを利用したインラインでの容器の結晶度を決定するためのプロセスフロー２８０の１つの実施形態を示すフローチャートである。プロセスフロー２８０は、例えば、制御システム１０２および／またはプロセッサー２６４のようなシステム１００により行われ得る。２８２で、システム１００は、容器６６の吸収スペクトルを受け取り得る。吸収スペクトルは、例えば、容器がインラインであるような、本明細書に記載されたＮＩＲスペクトルセンサーシステム１１７によって捕捉され得る。２８４で、システムは、受け取ったスペクトルを調整し得る。例えば、システム１００は、モデルを生成するためにキャリブレーションスペクトル２９２に適用される上記２７４で説明したのと同じ調整を適用し得る。２８６で、システム１００は、容器６６の結晶度を決定するためにキャリブレーションモデルを適用し得る。

様々な実施形態において、制御システム１０２は、様々な検査システム１０３からの結果を、本明細書に参照をもって組み込まれる、例えば米国特許第７，３７４，７１３号明細書に記載されたブロー成形機６内の特定のモデルおよびスピンドルに統合するようにプログラムされ得る。

本明細書に記載されているように、制御システム１０２は、単一の制御ループまたは複数の制御ループを実行し得る。図１６は、単一の制御ループを有するブロー成形システム４を制御するために制御システム１０２によって実行され得るワークフロー３００の1つの実施形態を示すブロック図である。モデル３０４は、ブロー成形機により生成された容器を説明する様々な入力容器特性３０２として受け取る。図１６に示される実施形態において、入力容器特性は、材料分布３０８、透明度状態３１０である。透明度状態は、モデル３０４がホットモールドプロセスにおいて使用される場合ヘイズ状態を示し、モデル３０４がコールドモールドプロセスにおいて使用される場合真珠光沢の状態を示す。透明度状態に加えてまたは代えて、モデル３０４は、いくつかの実施形態において、容器結晶度３１１の直接測定を受け取り得る。入力容器特性３０２に基づいて、モデル３０４は、制御システム１０２（図２）によりブロー成形システム４に提供されるブロー成形入力パラメーターの値を生成する。図１６は、ブロー成形システム入力パラメーターの例の一覧である。しかしながら、モデル３０４により予測された１組のブロー成形入力パラメーター３０６が示されたものと同じである必要はなく、追加のパラメーターを含み得または図１６に示されたパラメーターの幾つかを省略し得ることが理解されるであろう。

モデル３０４は、任意の適切な種類のモデルであり得、任意の適切な方法で生成され得る。例えば、モデル３０４は、入力容器特性３０２およびブロー成形入力パラメーター３０６の間の強いＲ^２相関のため可能であり得る。モデル３０４は、任意の適切な方法で実行され、訓練され得る。例えば、図１７は、モデル３０４を訓練するためのプロセスフロー１１００の１つの実施形態を示すフローチャートである。プロセスフロー１１００は、例えば、制御システム１０２により実行され得る。１１０２でシステム１０２は、ブロー成形システム４により生じた容器の特性を測定し得る。例えば、材料分布３０８は、材料分布測定システム１０６とともに測定され得る。透明度状態３１０は、１以上の視覚システム１０８、１１０、１１２とともに測定され得る。結晶度は、複屈折センサーシステム１１５および／またはＮＩＲスペクトルセンサーシステム１１７により測定され得る。いくつかの実施形態において、ブロー成形システム４の動作は、測定された容器の材料分布および透明度状態が正しくなるように１以上の容器の測定前に、調整（例えば、手動で）される。したがって、測定された容器は、モデルのベースライン材料分布および透明度状態を確立し得る。

いくつかの実施形態において、１１０２で、ベースライン特性測定を行う前に、結晶度および透明度状態に対して追加の調整が行われ得る。コールドモールドプロセスにおいて、例えば、制御システム１０２は、真珠光沢発生まで（例えば、真珠光沢が存在するということを示す透明度状態まで）プリホーム温度設定点を降下し得る。そして、制御システム１０２は、真珠光沢がもはや存在しなくなるまでプリホーム温度設定点を上昇し得る。続いて、制御システムは、１１０２でベースライン測定を行い得る。同様に、ホットモールドプロセスについて、制御システム１０２は、ヘイズ発生まで（例えば、ヘイズが存在するということを示す透明度状態まで）プリホーム温度設定点を増大し得る。そして、制御システム１０２は、１１０２で、ベースライン測定を行う前に、真珠光沢がもはや存在しなくなるまでプリホーム温度設定点を降下し得る。これは、モデル３０４のベースライン測定が、最適値又はその付近の結晶度とともに採用されることを保証し得る。また、様々な実施形態において、制御システム１０２は、ブロー成形システム４の動作中に記載された透明度調整を定期的に行うようにプログラムされ得る。これは、ブロー成形システム４を最適な結晶度で容器が生成されることから遠ざける傾向があるプロセスドリフトを補正し得る。いくつかの実施形態において、１１０２でのベースライン測定は、小さいが、許容範囲のヘイズまたは真珠光沢を備える容器を発生するように調整されたブロー成形システム４で採取され得る。これは、本明細書に記載されているように、最適な結晶度を備える容器を生成するようにモデル３０４を誘導し得る。

１１０４で制御システム１０２は、各容器が製造されたときに、ブロー成形システム４のブロー成形入力パラメーター３０６の値に沿った各生成された容器の容器特性３０２を記録し得る（例えば、メモリーに保管）。これらの値は、下記の本願明細書に記載されるように、例えば、用いられ得る多次元マトリックスに入力され得る。１１０６で制御システム１０２は、ブロー成形入力パラメーターおよび容器特性に関するモデル３０４を生成し得る。例えば、制御システム１０２は、得られた容器特性に対するブロー成形システム４パラメーターのモデルを誘導するためにマトリックスを利用し得る。モデル３０４は、任意の適切な1つまたは複数の技術を用いて生成され得る。用いられ得る典型的なモデリング技術は、例えば、線形回帰法、段階的回帰、主成分回帰等を含む。いくつかの実施形態において、モデルにより示されたブロー成形入力パラメーターおよび材料分布の間の関係は、材料分布の所望の変化およびブロー成形入力パラメーターにおける対応する変化の間の関係である。

選択的に、モデルは、１１０６での発生で試験され、検証され得る。例えば、モデルが、許容範囲外のブロー成形入力パラメーターを生じる場合または動作１１０２、１１０４の間に生じた容器の特性が許容のベースラインを示さない場合、制御システム１０２は、１１０８でブロー成形入力パラメーターを補正し得、１１１０で新しい容器を生成し得る。制御システム１０２は、１１０２で容器特性を測定および／または導き出し、１６０４（例えば、多次元マトリックスまで）で容器特性３０２および新しいブロー成形入力パラメーターを記録（例えば、メモリーに保存）し、再びモデルが１１０６で有効か否かを判別し得る。いくつかの実施形態において、このプロセスは、モデル３０４が有効になるまで繰り返される。

モデル３０４が生成されると、完成した容器特性３０２の特性に基づくブロー成形システム４のパラメーターを補正するためにそれが使用され得る。例えば、制御システム１０２は、製造された容器の特性３０２をベースライン材料分布に誘導するようにプログラムされ得る。製造された容器の容器特性がベースラインから外れると（例えば、閾値量超）、制御システム１０２は、ベースライン材料分布に戻った次に製造される容器の材料分布に移動するように補正され得るブロー成形システム４の制御パラメーター（１又は複数）を決定するモデルを利用し得る。例えば、ブロー成形システム４により生成された容器の材料分布は、ブロー成形システム４の条件またはそこでの変化によりドリフトし得る。

図１８は、ブロー成形システム４により製造された容器の容器特性３０２に基づくブロー成形入力パラメーター３０６を補正するモデル３０４を適用するために制御システム１０２により実行され得るプロセスフロー３５０の１つの実施形態を示すフローチャートである。３５２で制御システム１０２は、容器特性３０２の値を受け取り得る。いくつかの実施形態において、本明細書に記載されているように、制御システム１０２は、材料分布、透明度状態、結晶度等の容器特性を導き出すために検査システム１０３からの入力信号に処理を行い得る。３５４で制御システム１０２は、ブロー成形入力パラメーターを導き出すためにモデル３０４を利用し得る。例えば、制御システム１０２は、図１１に関して記載されているように、３５２で受け取られるおよび／または導かれる生成された容器の容器特性およびモデル訓練中に測定されたベースライン特性の間の差を表す誤差信号を計算し得る。誤差信号は、ブロー成形システム４により生成した容器特性における所望の変化を表し得る。誤差信号は、およその所望の変化をもたらし且つ容器特性をベースラインに戻すために、ブロー成形システム４入力パラメーターになされ得る変化を戻し得るモデル３０４に適用され得る。例えば、容器特性３０２およびブロー成形入力パラメーター３０６の間の関係を利用しつつ、制御システム１０２は、誘導されたブロー成形入力パラメーター３０６およびブロー成形システム４で適用されている現在のパラメーターとの間の差も最小化しながら、容器パラメータおよびベースライン容器パラメーター（例えば、誤差信号）の間の差を最小化するブロー成形入力パラメーター３０６を導き得る。３５６で制御システム１０２は、ブロー成形システム４に導き出されたブロー成形入力パラメーター３０６を適用し得る。

上述したように、最初のベースライン材料分布は、モデルを生成するために測定された容器に基づき得る。いくつかの実施形態において、モデルおよび／または付加的に生成されたモデルは、材料分散値をセクションの重みに相関させるために使用され得、このことは、例えば２０１１年１１月１８日出願された同時係属中の米国特許出願公開第２０１２−０１３０６７７号明細書に記載されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

図１６〜１７に関して記載された方法で生じ且つ図１８に関して記載されているように適用されたモデルは、決定されたベースラインにより結晶度を最適化するようにプリホーム温度設定点に対する変化がなされるように構成され得る。例えば、ホットモールドプロセスのために使用される場合、モデル３０４はプリホーム温度設定点を減少する傾向になり得、またはブロー成形モデル入力パラメーターと等価であり得、透明度状態はヘイズの存在を示す場合である。また、コールドモールドプロセスのために用いられる場合、透明度状態は真珠光沢の存在を示す場合であるモデル３０４はプリホーム温度設定点を増大し得、またはブロー成形入力パラメーターと等価であり得る。直接結晶度測定がヘイズまたは真珠光沢測定に加えまたは代わりに用いられる場合、モデル３０４は、例えばベースラインによりセットされた所望の値に容器結晶度を誘導する傾向になり得る。

モデル３０４は、さらなる入力容器特性３０２を考慮するようにさらに拡張され得る。例えば、図１９は、さらなる入力容器特性を含む、図１６のワークフロー３００の1つの実施形態を示すフローチャートである。図１９は、底温度特性３１２および容器寸法特性３１４を示す。底温度特性３１２は、例えば底のたるみを管理するためにコールドモールドプロセスにおいて利用され得る。例えば底温度特性３１２は、容器底のエネルギーおよび／または容器底の材料の量のいずれかを示し得る。本明細書に記載されているように、いずれかの高い値は、容器が底のたるみを示す高い可能性と一貫する。容器寸法特性３１４は、容器の任意の部分の任意の寸法を示し得る。例えば容器寸法特性３１４は、例えば図７に関して本明細書に記載されているように、１以上の最終寸法を含み得る。さらなる容器寸法特性３１４、型温度３１６を組み込むために、ブロー成形システム４は上述のように調整され（例えば、手動で）、容器寸法特性３１４のベースライン値を達成する。そしてモデルは、例えば図１６および図１７に関して本明細書に記載され且つ適用されているように、図１８に関して本明細書に記載されているように適用され、発展され且つ訓練され得る。

いくつかの実施形態において、モデル３０４は、型温度３１６などのさらなる入力をとり得る。型温度３１６は、例えば高温計または赤外線カメラなど、ブロー成形機６の１以上の型に向けて個別のセンサーにより測定され得る。いくつかの実施形態において、ブロー成形機６は、型の温度を測定するための１つ内蔵センサーまたは複数の内蔵センサーとともに製造され得る。制御システム１０２は、次に、ブロー成形機から直接型温度を受け取り得る。型温度に対するベースライン値は、図１６および１７に示されているように、モデル発生前に設定され得る。例えば、容器特性が所望の値ではない場合、ベースライン型温度は型温度であり得る。

図２０は、２つの制御ループ４０１、４０３を利用してブロー成形システム４を制御するために制御システム１０２により実行され得るワークフロー４００の１つの実施形態を示すブロック図である。材料分布制御ループ４０３は、上記のように、所望のベースライン分布へと生成した容器の材料分布を誘導するブロー成形システム４に提供され得るブロー成形入力パラメーター３０６’を生成するためにモデル３０４を実行し得る。しかしながら、材料分布制御ループ４０３において、プリホーム温度制御ループ４０１によって導かれ得る、プリホーム温度設定点４０４および／または等価ブロー成形パラメーターを排除する１組のブロー成形入力パラメーター３０６’を導くために、モデル３０４は生成されまたは調整され得る。プリホーム温度制御ループ４０１は、制御システム１０２により実行され、結晶度３１１、透明度状態３１０、底温度特性３１２および１以上の容器寸法特性３１４のような１以上の容器特性を入力として受け取り、且つプリホーム温度設定点４０４または等価のパラメーターを出力として生成するプリホーム温度アルゴリズム４０２を含む。このように、プリホーム温度制御ループ４０１は、透明度、底のたるみ、および特定の容器寸法に影響を与えるブロー成形入力パラメーター（例えば、プリホーム温度設定点４０４または等価物）を導き得るが、分布制御ループ４０３は、材料分布に影響を与えるブロー成形入力パラメーター３０６’を導き得る。さらなる容器特性入力は、例えば、上記で本明細書に記載されているように、材料分布制御ループ４０３および／またはプリホーム温度制御ループの一方に組み込まれ得る。

図２１は、コールドモールドプロセスにおける図２０に示されている材料分布制御ループ４０３およびプリホーム温度制御ループ４０１を実行するための１組のプロセスフロー４２０、３５０の１つの実施形態を示すフローチャートである。プロセスフロー４２０は、プリホーム温度制御ループ４０１のプリホーム温度アルゴリズム４０２の典型的な実施である。プロセスフロー３５０は、材料分布制御ループ４０３の典型的な実施である。プロセスフロー４２０、３５０は、制御システム１０２により実行され得、例えば、同時に関連するブロー成形入力パラメーターを制御する。このように、プリホーム温度制御ループ４０１の一部としてプロセスフロー４２０の適用から生じる材料分布への任意の意図しない変化は、材料分布制御ループ４０３の一部としてプロセスフロー３５０のアルゴリズムにより補正され得る。プロセスフロー３５０は、図１８に関して上記で示されたプロセスフロー３５０に類似し得る。例えばブロー成形機により製造された容器の材料分布をベースライン材料分布の方に誘導するために、図１６、１７および１８に関して上記で示されたものと類似の方法で、材料分布制御ループ４０３はモデル３０４を実行し得る。

４２１においてプロセスフロー４２０を参照すると、制御システム１０２は結晶度の指標を受け取り得る。結晶度の指標は、例えば１１５のような複屈折センサーシステムにより測定されるような、結晶度の直接的な指標であり得る、または真珠光沢または透明度状態のような結晶度の非直接的な測定であり得る。結晶度が閾値レベル超である場合、制御システムは４２４でプリホーム設定温度点を増大し得る。結晶度の指標が結晶度の直接的な測定である場合、閾値レベルは、結晶度の特定の値または値の範囲であり得る。結晶度の指標が真珠光沢または透明状態である場合、閾値レベルは、真珠光沢状態が存在する（例えば、出力容器に検知された真珠光沢がある）および／または真珠光沢閾値レベルを超えている場合であり得る。結晶度の指標が閾値を超えた場合、制御システム１０２は、４２４でプリホーム設定温度点を増大し得る。例えばプリホーム温度設定点は、予め決められた増大分だけ増大し得る。結晶度の指標が閾値を超えない場合、制御システム１０２は、アクション４２１に戻り、且つプロセスフロー４２０を実行し続け得る。このように、プリホーム温度制御ループ４０１は、真珠光沢を示す容器の発生から離れるようにブロー成形システム４を誘導するために、プリホーム温度設定点を制御し得る。いくつかの実施形態において、結晶度の指標が閾値を超えない場合、制御システム１０２は、アクション４２１に戻る前にプリホーム温度設定点を降下し得る。直接結晶度測定が行われる実施形態において、プリホーム温度制御ループ４０１は、制御システム１０２が容器結晶度を所望の閾値または範囲と比較する決定工程を含み得る。結晶度が所望の閾値または範囲を超える場合、プリホーム温度設定点は増大し得る。結晶度が所望の閾値または範囲未満である場合、プリホーム温度設定点は維持または降下され得る。これは、４２２で閾値との真珠光沢の比較に加えてまたはその代わりに行われ得る。

選択的に、プロセスフロー４２０は、最適な結晶度（例えば、真珠光沢を回避する最低のプリホーム／型温度）へプロセスを再配向するさらなる工程を含み得る。例えば、結晶度が閾値を超えていないと、４２２で決定された際に、４２１へ戻る処理の代わりに、制御システム１０２は、（もしあれば）結晶度が閾値を超えていた最後のときからシステム変化があるか否かを４２６で判別し得る。４２６で、制御システム１０２は、最後のシステム変化から結晶度が閾値を超えていることを判別する場合、制御システム１０２は、上記のように４２１まで進み得る。システム変化は、システム条件が容器結晶度を移動し（真珠光沢またはヘイズを引き起こさない方向を除く）得る方法で変化したことを示す。例えば、システム変化は、プロセスフロー４２０が実行される最初の時間を示し得る。また、例えば、制御システム１０２が生成した容器の温度または型の温度が変化したという指標を受け取ったときに、システム変化が示され得る。容器温度におけるそのような変化は、容器温度（例えば、底温度）の直接測定によりおよび／または型温度の測定から示され得る。いくつかの実施形態において、システム変化は、製造された容器の結晶度が閾値未満まで落ちる場合に示され得る。

４２６で制御システム１０２は、最後のシステムの変化から結晶度が閾値を超えていないと判別した場合、制御システム１０２は、４２８でプリホーム設定温度を降下させ、４２１にまで戻る。これは、ブロー成形システム４を結晶度閾値、さらには最適な結晶度近くまで誘導する。４２８でのプリホーム温度設定点における降下がブロー成形システム４を結晶度閾値を越えて押した場合、得られた真珠光沢が４２２で検知され得、４２４におけるプリホーム温度設定点において正しい増大を生じる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載されているように、透明度状態は、容器の結晶度を積極的に見出す代わりに利用され得る。また、いくつかの実施形態において、決定アクション４２６は省略され得、制御システム１０２は、結晶度が閾値を超える任意の時間に４２８でプリホーム設定点を降下し得る。

図２２は、コールドモールドプロセスにおける容器底温度も考慮するプリホーム温度制御ループ４０１のプロセスフロー４２０のプリホーム温度アルゴリズムの代替実行を示すプロセスフロー４３０の１つの実施形態を示すフローチャートである。４３１で制御システム１０２は、ブロー成形システム４により生成した容器の真珠光沢状態を受け取り得る。４３２で、制御システム１０２は、ブロー成形システム４により生成した容器の底温度読み取りを受け取り得る。いくつかの実施形態において、底温度読み取りおよび結晶度は、任意の順または同時に受け取られ得る。結晶度指標が４３４で閾値を超える場合、制御システム１０２は、４３６でプリホーム温度設定点を増大し、且つアクション４３１に戻り得る。結晶度が、閾値を超えない場合、制御システム１０２は、４３８で底温度が閾値底温度を超えているか否かを判別し得る。底温度が閾値底温度を超えている場合、制御システム１０２は、４４０でプリホーム温度設定点を降下し、且つアクション４３１に戻り得る。底温度が閾値底温度を超えない場合、制御システム１０２は、プリホーム温度設定点を降下させること無くアクション４３１に戻り得る。

プロセスフロー４３０のアルゴリズムはまた、システム変化を検出したときに最適な結晶度に向かうようにプロセスを再配向するための任意の工程を含む。例えば、底温度が閾値より大きくないという決定後に４３１に進む代わりに、制御システム１０２は、４４２で、結晶度が閾値を満たした最後のときからシステム変化があるか否かを判別し得る。変化がない場合は、制御システム１０２は４３１に進み得る。変化がある場合は、制御システム１０２は、４３１に戻る前に４４０でプリホーム設定点を降下し得る。アクション４３４、４３８の順番は、底温度に対する結晶度の相対重要性を逆転するように逆転され得ることが理解されるであろう。例えば、真珠光沢を避けるよりも底たるみを避けることが相対的により重要であるアプリケーションにおいて、アクション４３８はアクション４３４の前に実行され得る。また、さらなる入力値は、４３４、４３８に似たようなさらなる決定工程を利用して適用され得る。

図２３は、ホットモールド構成におけるプリホーム温度制御ループ４０１のプリホーム温度アルゴリズム４０２の代替実行を表すプロセスフロー４５０の１つの実施形態を示すフローチャートである。４５１で、制御システム１０２は、結晶度の指標を受け取り得る（例えば、直接結晶度測定および／またはヘイズの存在または不存在を示す透明度状態）。結晶度の指標が４５２で閾値超である場合、制御システム１０２は、４５４でプリホーム温度設定点を減少し得る。結晶度の指標が直接結晶度測定である場合、それは、それが特定値超である場合の閾値を超え得る。結晶度の指標が透明度またはヘイズ状態である場合、それは閾値超であり得、例えば、透明度状態はヘイズが存在するおよび／またはヘイズが閾値レベル超であることを示し得る。結晶度の指標が４５２において閾値超でない場合、制御システム１０２はアクション４５１に戻り得る。

選択的に、制御システム１０２は、最適な結晶度付近のプロセスを再配向するための制御シーケンスを実行し得る。例えば、結晶度の指標が、４５２で閾値未満である場合、４５１に戻る代わりに、制御システム１０２は、４５６で結晶度が閾値超であった最後のときからシステム変化があった否かを判別し得る。システム変化が、例えば、ブロー成形システム４により生成された容器の温度における変化（例えば、側壁温度）、１つの型または複数の型の温度における変化等を含む様々な異なる値により示され得る。ヘイズ状態が存在した最後のときからシステム変化がなかった場合、制御システム１０２はアクション４５１に戻り得る。ヘイズ状態が存在した最後のときからシステム変化があった場合、システム１０２は４５８でプリホーム温度設定点を増大し得、且つアクション４５１に進み得る。選択的に、４５２でヘイズ状態が存在および／またはヘイズ閾値より大きいと判別された場合、アクション４５６は省略され得、プリホーム温度設定点は４５８で降下され得る。

図２４は、ホットモールド構成における図２０のプリホーム温度制御ループのプリホーム温度アルゴリズム４０２の代替の実行を示すプロセスフロー４６０の１つの実施形態を示すフローチャートであり、容器寸法を修正するさらなるアクションを含む。４６１で制御システム１０２は、ブロー成形システム４により生成した容器の結晶度の指標を受け取り得る。４６２で制御システム１０２は、ブロー成形システム４により生成した容器の容器寸法の指標を受け取り得る。制御システム１０２は、任意の順でまたは同時に、４６１で結晶度の指標を受け取り、４６２で容器寸法の指標を受け取り得ることが理解されるであろう。４６４で結晶度の指標が閾値より大きい場合、制御システム１０２は、４７０でプリホーム温度設定点を降下し４６１に戻り得る。４６４で結晶度が閾値より大きくない場合、制御システム１０２は、１以上の容器寸法が所望の寸法閾値以下であるか否かを判別し得る。上記で本明細書に記載されているように、これは、プリホームが適切な型充填率を発生するのに十分熱くないことを示し得る。測定された１つの寸法または複数の寸法が閾値より小さい場合、制御システム１０２は、４７４でプリホーム温度設定点を増大し得る。そうでない場合、制御システム１０２は、４６１に進み得る。

最適な結晶度付近にプロセスを再配向させるための選択的な制御シーケンスにおいて、４６１に戻る代わりに、容器寸法が閾値未満でない場合、制御システムは４７２に進み得る。４７２で制御システム１０２が、（もしあれば）結晶度の指標が閾値超であった最後のときからシステム変化が全く無かったと判別する場合、制御システム１０２は４６１に戻り得る。結晶度の指標が閾値超であった最後のときからシステム変化があった場合、制御システムは４６１に戻る前に４７４でプリホーム温度設定点を増大し得る。プロセスフロー４５０および４６０の変数の相対的な重要度は、それらの相対的決定工程が考慮される順番を変化させて変更され得る。また、実行に応じて、さらなる変数のための更なる決定工程が追加され、および／または、いくつかの記載された変数のための決定工程が省略され得る。

本明細書に提示される実施例は、実施形態の潜在的および特定の実施を説明することを意図されている。典型的な実施形態は、本分野の当業者に説明する目的であることを主に意図していることが理解されるであろう。実施例の特定の１つの態様または複数の態様は、記載された実施形態の範囲を限定することを意図していない。

請求項において用いられているように、「プラスチック容器（１又は複数）」は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、配向されたポリプロピレン（ＯＰＰ）等を含むプラスチック材料からなる任意の種類から製造された任意の種類の容器を意味する。

これは、明確さのために他の要素を排除しているが、他の要素実施形態の図および説明が、実施形態の明確な理解のために関連して要素を説明するように単純化されていると理解されなければならない。例えば、ある動作システムの詳細および電源共有関連要素は、本明細書に記載されていない。しかしながら、本分野の当業者は、これらまたは他の要素は、上記で本明細書に記載されているような検査システムにおいて望まれ得ると認識されるであろう。しかしながら、そのような要素は本分野で知られているので、且つそれらは本実施形態のより良い理解を容易にしないので、そのような要素の議論は本明細書では提供されていない。

一般に、本明細書に記載されている実施形態の少なくともいくつかは、ソフトウエア、ファームウエアおよび／またはハードウェアの多くの異なる実施形態において実行され得るということを本分野の当業者にとって明白であろう。ソフトウエアおよびファームウエアコードは、プロセッサー（様々な画像プロセッサー２１０等の制御システム１０２のプロセッサーのような）または任意の類似のコンピューター装置により実行され得る。実施形態の実行に用いられるソフトウエアコードまたは特別な制御ハードウェアは、限定されていない。本明細書に開示されたプロセッサーおよび他のプログラム可能な要素は、情報を得る、処理するおよび通信することにおいて用いられる特定のソフトウエアアプリケーションを保存するため非一過性メモリーを含み得る。そのような非一時的のメモリーは、開示された実施形態の動作に関して内部または外部にあり得ることが理解されるであろう。メモリーはソフトウエアを保存する任意の手段を含み得、ハードディスク、光学ディスク、フロッピーディスク、ＲＯＭ（リードオンメモリー）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー）、ＰＲＯＭ（プログラム可能なＲＯＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（電気的消去可能なＰＲＯＭ）および／またはたのコンピューター読み込み可能なメディアを含む。

本明細書に開示された様々な実施形態において、特定の１または複数の機能を行うために、単一の構成要素は複数の構成要素で置き換えられ得、複数の構成要素は単一の構成要素で置き換えられ得る。そのような置き換えが動作的ではない場合を除いて、そのような置き換えは、本実施形態の意図する範囲内である。例えば、プロセッサー１４２は、複数のプロセッサーで置き換えられ得る。

様々な実施形態が本明細書に記載されているが、それらの実施形態に対する様々な修正、変更および適応は、少なくともいくつかの利点の達成とともに、当業者にとって思いつくことができるこということは明らかである。開示された実施形態は、したがって、本明細書に記載される実施形態の範囲から逸脱することなく、全てのそのような修正、変更および適応を含むことを意図する。

（付記）
（付記１）
生成した容器の結晶度に影響を与えるブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の結晶度の指標を受信し、
材料分布システムからの前記少なくとも１つの容器の材料分布の指標を受信し、
複数のブロー成形入力パラメーターを前記結晶度の指標および前記材料分布に関連付けるモデルであって、当該モデルの結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に近づけ、前記結晶度をベースライン結晶度に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を含む、モデルを実行し、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を実行する、
ようにプログラムされている、
システム。

（付記２）
前記少なくとも１つの容器の結晶度の指標は、透明度状態の指標を含み、且つ前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の一部を示す少なくとも１つの画像を少なくとも１つのカメラから受信し、
前記少なくとも１つの画像から前記少なくとも１つの容器の結晶度状態の指標を導く、
ようにさらにプログラムされている、付記１に記載のシステム。

（付記３）
前記ブロー成形機は、ホットモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも１つの容器におけるヘイズの存在または不存在を示し、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記透明度状態が透明で、ヘイズが存在しないことを示す場合、前記少なくとも１つのプロセッサーがヘイズが存在することを示す前記透明度状態の第２指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を上昇させ、
ヘイズが存在することを示す透明度の指標に応じて、第１増分により前記プリホーム温度設定点を降下させる、
ようにさらにプログラムされている、付記２に記載のシステム。

（付記４）
前記ブロー成形機は、コールドモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも１つの容器における真珠光沢の存在または不存在を示し、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記透明度状態が透明で、真珠光沢が存在しないことを示す場合、前記少なくとも１つのプロセッサーが真珠光沢が存在することを示す前記透明度状態の第２指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を降下させ、
真珠光沢が存在することを示す透明度の指標に応じて、第１増分により前記プリホーム温度設定点を上昇させる、
ようにさらにプログラムされている、付記２に記載のシステム。

（付記５）
モデルはまた、前記複数のブロー成形パラメーターを前記少なくとも１つの容器の底温度に関連付けし、前記少なくとも１つのプロセッサーは、前記少なくとも１つの容器の前記底温度を示す信号を底温度センサーから受け取るようにさらにプログラムされ、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化はまた、前記底温度を温度の閾値より低くさせることである、付記１に記載のシステム。

（付記６）
前記ブロー成形機は、ホットモールドプロセスに従って動作し、前記モデルはまた、前記複数のブロー成形パラメーターを前記少なくとも１つの容器の寸法に関連付け、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記少なくとも１つの容器の第２画像を、第２の少なくとも１つのカメラから受信し、
前記少なくとも１つの容器の寸法の指標を、前記第２画像から導く、
ようにさらにプログラムされ、
前記ブロー成形機により生成される前記容器の寸法を寸法の閾値に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化はまた、前記モデルから予期されている、付記１に記載のシステム。

（付記７）
前記寸法は、前記容器の最終寸法である、付記６に記載のシステム。

（付記８）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、型温度の指標を受け取るようにさらにプログラムされ、前記モデルはまた、前記複数のブロー成形入力パラメーターを前記型温度に関連付ける、付記１に記載のシステム。

（付記９）
前記少なくとも１つの容器の結晶度の指標は、複屈折センサーシステムから受け取る結晶度の指標を含む、付記１に記載のシステム。

（付記１０）
前記少なくとも１つの容器の結晶度の指標は、近赤外（ＮＩＲ）分光センサーシステムから受け取る結晶度の指標を含む、付記１に記載のシステム。

（付記１１）
生成した容器の結晶度に影響を与えるホットモールドプロセスに従ったブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の結晶度の指標を受信し、
前記ブロー成形機により製造された前記少なくとも１つの容器の結晶度が結晶度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機にプリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにプログラムされている、システム。

（付記１２）
前記結晶度の指標は、近赤外（ＮＩＲ）吸収分光センサーシステムから受け取られる、付記１１に記載のシステム。

（付記１３）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記結晶度の指標が結晶度の閾値未満である場合、前記ブロー成形機に第１増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後に、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の結晶度の指標を前記ＮＩＲ吸収分光センサーシステムから受信し、
前記第２の少なくとも１つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記１２に記載のシステム。

（付記１４）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記少なくとも１つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値未満であることを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
前記ブロー成形機に第１増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後に、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の結晶度の指標を前記ＮＩＲ吸収分光センサーシステムから受信し、
前記第２の少なくとも１つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値を超えたことを判別し、
前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記１２に記載のシステム。

（付記１５）
前記少なくとも１つの容器の結晶度の指標は、ヘイズ状態を含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の一部を示す少なくとも１つの画像を少なくとも１つのカメラから受信し、
前記少なくとも１つの容器におけるヘイズの存在または不存在を示す、前記少なくとも１つの容器のヘイズ状態の指標を少なくとも１つの画像から導き、前記ヘイズ状態がヘイズの存在を示す場合、前記少なくとも１つの容器の結晶度は、前記結晶度の閾値を超える、
ようにさらにプログラムされている、付記１１に記載のシステム。

（付記１６）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ヘイズ状態がヘイズの不存在を示すことを判別し、
第１増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の一部を示す第２の少なくとも１つの画像を前記少なくとも１つのカメラから受信し、
前記第２の少なくとも１つの画像から前記第２の少なくとも１つの容器のヘイズ状態の指標を導き、
前記第２の少なくとも１つの容器のヘイズ状態がヘイズの存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記１５に記載のシステム。

（付記１７）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ヘイズ状態がヘイズの不存在を示すことを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
第１増分により前記プリホーム設定温度を上昇させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の一部を示す第２の少なくとも１つの画像を前記少なくとも１つのカメラから受信し、
前記第２の少なくとも１つの画像から前記第２の少なくとも１つの容器のヘイズ状態の指標を導き、
前記第２の少なくとも１つの容器のヘイズ状態がヘイズの存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記１５に記載のシステム。

（付記１８）
前記少なくとも１つのプロセッサーはまた、
前記少なくとも１つの画像から前記容器の寸法を導き、
前記容器の寸法が寸法の閾値未満である場合、前記プリホーム設定温度を上昇させる、
ようにプログラムされている、付記１５に記載のシステム。

（付記１９）
前記ブロー成形システムにおける変化の指標は、前記ブロー成形機により製造された容器の温度が変化したことを示す指標を含む、付記１５に記載のシステム。

（付記２０）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記少なくとも１つの容器の材料分布の指標を材料分布システムから受信し、
複数のブロー成形入力パラメーターを前記材料分布に関連付けるモデルであって、当該モデルの結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を含む、モデルを実行し、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を実行する、
ようにさらにプログラムされている、付記１１に記載のシステム。

（付記２１）
前記複数のブロー成形入力パラメーターは、前記プリホーム設定温度を含まない、付記２０に記載のシステム。

（付記２２）
前記少なくとも１つのプロセッサーはまた、
前記少なくとも１つの容器の前記底温度を示す信号を底温度センサーから受信し、
前記底温度が底温度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにプログラムされている、付記１１に記載のシステム。

（付記２３）
前記少なくとも１つのプロセッサーはまた、
前記ブロー成形機の型温度における上昇の指標を受信し、
前記プリホーム温度設定点まで対応して降下させる、
ようにプログラムされている、付記１１に記載のシステム。

（付記２４）
生成した容器の結晶度に影響を与えるように、コールドモールドプロセスにより動作するブロー成形機の動作を制御するシステムであって、前記システムは、
少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の結晶度の指標を受信し、
前記ブロー成形機により前記少なくとも１つの容器の結晶度が結晶度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機にプリホーム設定温度を降下させる、
ように指示するようにプログラムされている、システム。

（付記２５）
前記結晶度の指標は、複屈折センサーシステムから受け取られる、付記２４に記載のシステム。

（付記２６）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記結晶度の指標が結晶度の閾値未満であることを判別し、
前記ブロー成形機に第１増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで降下した後、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の結晶度の指標を前記複屈折センサーシステムから受信し、
前記第２の少なくとも１つの容器の結晶度が、前記結晶度の閾値を超えていることを判別し、
前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を上昇させるように指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記２５に記載のシステム。

（付記２７）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記少なくとも１つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値未満であることを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
前記ブロー成形機に第１増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の結晶度の指標を前記複屈折センサーシステムから受信し、
前記第２の少なくとも１つの容器の結晶度が前記結晶度の閾値を超えていることを判別する、
ようにさらにプログラムされている、付記２５に記載のシステム。

（付記２８）
前記少なくとも１つの容器の結晶度の指標は、真珠光沢状態を含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の一部を示す少なくとも１つの画像を少なくとも１つのカメラから受信し、
前記少なくとも１つの容器において真珠光沢の存在または不存在を示す、前記少なくとも１つの容器の真珠光沢状態の指標を前記少なくとも１つの画像から導き、前記真珠光沢状態が真珠光沢の存在を示す場合、前記ブロー成形機により製造された前記少なくとも１つの容器の結晶度は、前記結晶度の閾値を超える、
ようにさらにプログラムされている、付記２４に記載のシステム。

（付記２９）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記真珠光沢状態が真珠光沢の不存在を示すことを判別し、
第１増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の一部を示す第２の少なくとも１つの画像を前記少なくとも１つのカメラから受信し、
前記第２の少なくとも１つの画像から前記第２の少なくとも１つの容器の真珠光沢状態の指標を導き、
前記第２の少なくとも１つの容器の真珠光沢状態が真珠光沢の存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を上昇させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記２８に記載のシステム。

（付記３０）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記真珠光沢状態が真珠光沢の不存在を示すことを判別し、
前記ブロー成形システムにおける変化の指標を受信し、
第１増分により前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示し、
前記プリホーム設定温度まで上昇した後、前記ブロー成形機により製造された第２の少なくとも１つの容器の一部を示す第２の少なくとも１つの画像を前記少なくとも１つのカメラから受信し、
前記第２の少なくとも１つの画像から前記第２の少なくとも１つの容器の真珠光沢状態の指標を導き、
前記第２の少なくとも１つの容器の真珠光沢状態が真珠光沢の存在を示すことを判別し、
前記プリホーム設定温度を降下させるように前記ブロー成形機に指示する、
ようにさらにプログラムされている、付記２８に記載のシステム。

（付記３１）
前記ブロー成形システムにおける変化の指標は、前記ブロー成形システムにより製造された容器の温度が変化したことを示す指標を含む、付記３０に記載のシステム。

（付記３２）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記少なくとも１つの容器の材料分布の指標を材料分布システムから受信し、
複数のブロー成形入力パラメーターを前記材料分布に関連付けるモデルであって、当該モデルの結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に近づけるために、前記モデルにより予期された前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を含み、
前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの前記変化を実行する、
ようにさらにプログラムされている、付記２４に記載のシステム。

（付記３３）
前記複数のブロー成形入力パラメーターは、前記プリホーム設定温度を含まない、付記３２に記載のシステム。

（付記３４）
前記少なくとも１つのプロセッサーはまた、
前記少なくとも１つの容器の底温度を示す信号を底温度センサーから受信し、
前記底温度が底温度の閾値を超えた場合、前記ブロー成形機に前記プリホーム設定温度を降下させるように指示する、
ようにプログラムされている、付記２４に記載のシステム。

（付記３５）
前記少なくとも１つのプロセッサーはまた、
前記ブロー成形機の型温度における降下の指標を受信し、
前記プリホーム温度設定点まで対応して上昇させる、
ようにプログラムされている、付記２４に記載のシステム。

（付記３６）
インライン容器の結晶度を測定するシステムであって、前記システムは、
近赤外照射を発生させる照射光源と、
分光器であって、前記照射光源と当該分光器はその間に検査領域を有し、当該分光器は、前記容器による前記近赤外照射の吸収スペクトルを測定するように構成される、分光器と、
少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーと、を含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
少なくとも、前記容器による前記近赤外照射の前記吸収スペクトルに基いて、信号に基づく少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターへの変化を判別し、
ブロー成形機に、前記信号に基づく少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターへの変化を示すメッセージを送信する、
ようにプログラムされている、システム。

（付記３７）
前記少なくとも１つのプロセッサーは、
複数のキャリブレーション容器からの複数のキャリブレーションスペクトルを前記分光器から受信し、
前記複数のキャリブレーション容器の結晶度の指標を受信し、
非結晶度要因からの前記複数のキャリブレーションスペクトルにおける情報の少なくとも一部を除去するように前記複数のキャリブレーションスペクトルに条件付けをして、複数の条件付けされたキャリブレーションスペクトルを発生させ、
前記複数のキャリブレーション容器の複数の条件付けされたキャリブレーションスペクトルおよび結晶度に基いて、条件付けされたキャリブレーションスペクトルを結晶度に関連付けするモデルを発生させる、
ようにさらにプログラムされている、付記３６に記載のシステム。

（付記３８）
前記少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターへの変化の判別は、前記容器による近赤外照射の吸収スペクトルに前記モデルを適用させることを含む、付記３７に記載のシステム。

（付記３９）
前記少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターへの変化の判別は、前記容器による近赤外照射の吸収スペクトルに条件付けをして、非結晶度要因からの前記吸収スペクトルにおける情報の少なくとも一部を除去することを含む、付記３８に記載のシステム。

（付記４０）
前記モデルを発生させることは、部分最小二乗（ＰＬＳ）法を適用することを含む、付記３７に記載のシステム。

（付記４１）
前記モデルはまた、前記少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターを前記容器の材料分布に関連付けする付記３７に記載のシステム。

（付記４２）
前記少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターは、プリホーム温度設定点を含む、付記３６に記載のシステム。

（付記４３）
前記容器は、ホットモールド生成された容器である、付記３６に記載のシステム。

（付記４４）
生成された容器の結晶度に影響を与えるようにブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
光源と、
偏光子と、
センサーであって、当該センサーおよび前記偏光子はその間に検査領域を有する、センサーと、
少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーと、を含み、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
前記センサーから、前記容器の結晶度を示す信号を受信し、
前記信号に基づく少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターへの変化を判別し、
ブロー成形機に、前記信号に基づく前記少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターへの変化を示すメッセージを送信する、
ようにプログラムされている、システム。

（付記４５）
前記少なくとも１つのブロー成形入力パラメーターは、プリホーム温度設定点を含む、付記４４に記載のシステム。

（付記４６）
前記容器は、コールドモールド生成された容器である、付記４４に記載のシステム。

Claims (7)

1. 生成した容器の結晶度に影響を与える、前記容器の形成を制御する複数のブロー成形入力パラメーターを含むブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
   前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の垂直、側壁プロファイルに沿った複数の点における容器の側壁の材料分布の指標を測定する材料分布測定システムであって、測定された材料分布の特性は、前記容器の垂直プロファイルに沿った複数の点のそれぞれでの前記容器の反対側の側壁によって吸収されない入射光の量に基づく材料分布測定システム、
   前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の画像を撮る少なくとも１つのカメラ、
   少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、
   前記少なくとも１つのプロセッサーは、前記材料分布測定システムおよび結晶度センサーシステムと通信し、
   前記少なくとも１つのプロセッサーは、
   前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の少なくとも１つの画像を少なくとも１つのカメラから受信し、
   前記少なくとも１つの容器の透明度状態の指標を前記少なくとも１つの画像から導き、
   前記少なくとも１つの容器の前記材料分布の指標を前記材料分布測定システムから受信し、
   前記複数のブロー成形入力パラメーターを前記容器の前記少なくとも１つの画像から導かれた前記透明度状態の指標および前記材料分布測定システムからの前記材料分布の指標の両方に関連付ける数学モデルであって、当該数学モデルの実行の結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に、前記結晶度を前記ブロー成形機によって形成された容器のベースライン結晶度にそれぞれ同時に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を含む、数学モデルを実行して、前記ブロー成形機により形成された容器の結晶度および材料分布の両方を同時に制御する前記ブロー成形機のためのブロー成形入力パラメーターを決定し、
   前記数学モデルの実行を介して決定された前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を実行する、
   ようにプログラムされている、システム。
2. 前記ブロー成形機は、ホットモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも１つの容器におけるヘイズの存在または不存在を示し、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
   前記透明度状態が透明で、ヘイズが存在しないことを示す場合、前記少なくとも１つのプロセッサーがヘイズが存在することを示す前記透明度状態の第２指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を上昇させ、
   ヘイズが存在することを示す透明度の指標に応じて、前記プリホーム温度設定点を降下させる、
   ようにさらにプログラムされている、請求項１に記載のシステム。
3. 前記ブロー成形機は、コールドモールドプロセスに従って動作し、前記透明度状態は、前記少なくとも１つの容器における真珠光沢の存在または不存在を示し、前記少なくとも１つのプロセッサーは、
   前記透明度状態が透明で、真珠光沢が存在しないことを示す場合、前記少なくとも１つのプロセッサーが真珠光沢が存在することを示す前記透明度状態の第２指標を受け取るまで、前記ブロー成形機のプリホーム温度設定点を降下させ、
   真珠光沢が存在することを示す透明度の指標に応じて、前記プリホーム温度設定点を上昇させる、
   ようにさらにプログラムされている、請求項１に記載のシステム。
4. 生成した容器の結晶度に影響を与える、ホットモールドプロセスに従って容器を形成し、且つ前記容器の形成を制御する複数のブロー成形入力パラメーターを含むブロー成形機の動作を制御するシステムであって、当該システムは、
   前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の垂直、側壁プロファイルに沿った複数の点における容器の側壁の材料分布の指標を測定する材料分布測定システムであって、測定された材料分布の特性は、前記容器の垂直プロファイルに沿った複数の点のそれぞれでの前記容器の反対側の側壁によって吸収されない入射光の量に基づく材料分布測定システム、
   前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の結晶度の指標を感知する少なくとも１つの結晶度センサー、
   前記ブロー成形機により形成された後の前記容器の画像を撮る少なくとも１つのカメラ、
   少なくとも１つのプロセッサーおよび連動するメモリーを含み、
   前記少なくとも１つのプロセッサーは、前記材料分布測定システムおよび結晶度センサーシステムと通信し、
   前記少なくとも１つのプロセッサーは、
   前記ブロー成形機により製造された少なくとも１つの容器の前記結晶度の指標を前記結晶度センサーから受信し、
   前記少なくとも１つの容器の前記材料分布の指標を前記材料分布測定システムから受信し、
   前記少なくとも１つの容器の少なくとも１つの画像を前記少なくとも１つのカメラから受信し、
   前記少なくとも１つの画像から前記少なくとも１つの容器の寸法を導き、
   前記複数のブロー成形入力パラメーターを前記結晶度センサーからの前記結晶度の指標、前記材料分布測定システムからの前記材料分布および前記少なくとも１つの画像から導かれた前記少なくとも１つの容器の寸法に関連付ける数学モデルであって、当該数学モデルの実行の結果は、前記材料分布をベースライン材料分布に、前記結晶度を前記ブロー成形機によって形成された容器のベースライン結晶度に、および前記容器の寸法を寸法閾値にそれぞれ同時に近づけるために、前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を含む、数学モデルを実行して、前記ブロー成形機により形成された容器の結晶度および材料分布の両方を同時に制御する前記ブロー成形機のためのブロー成形入力パラメーターを決定し、
   前記複数のブロー成形入力パラメーターの少なくとも１つへの変化を実行する、
   ようにプログラムされている、システム。
5. 前記寸法は、前記容器の最終寸法である、請求項４に記載のシステム。
6. 前記結晶度センサーは、第２カメラを含む、請求項４に記載のシステム。
7. 前記結晶度センサーは、近赤外線分光センサーを含む、請求項４に記載のシステム。