JP6456014B2 - 着座スイッチ装置 - Google Patents
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Description
図4に示した従来のスイッチ装置は、ケーシング1にダイアフラム2を設けて、ケーシング1内を一対の圧力室3,4に区画している。上記ダイアフラム2は、その外側にコンボリューション2aを設け、上記圧力室3,4の圧力差に応じて変形するようにしている。
なお、図中符号5は一方の圧力室3に圧力を導く圧力導入ポート、6は他方の圧力室4に圧力を導く圧力導入ポートである。
したがって、一方の圧力室3の圧力が相対的に高くなって、ダイアフラム2が他方の圧力室4側に変形すれば、作動ロッド7が軸方向に移動して永久磁石8が、図示の状態から上記突出室9内を上昇することになる。
また、上記のように永久磁石8を大きくストロークさせなければならないが、そのためにはダイアフラム2の変形量を大きくしなければならない。そして、ダイアフラム2の変形量を大きくするためには、当該ダイアフラム2のコンボリューション2aを大きくせざるをえない。
しかし、コンボリューション2aを大きくすれば、当然のこととして装置全体も大きくせざるを得ないという問題が発生する。
先ず、コンボリューション2aが大きければ、ダイアフラム2が反復して変形するときの反応が悪くなるとともに、弱い圧力でダイアフラム2が十分に変形しなくなる。
また、コンボリューション2aを大きくするためには、コンボリューション2aの厚さを厚くしなければならなくなるが、その厚さを厚くすれば、当然のこととして変形し易さが損なわれ、上記のように反復して変形するときの反応が悪くなる。
さらに、本願発明のような着座スイッチ装置は、精度の高い差圧の検出が求められるが、上記従来のスイッチ装置では、十分な精度が求められず、着座スイッチ装置としては利用できないという問題もあった。
さらに、供給源からの流体圧は、必ずしも一定ではないが、その変化が大きい中で、上記のように差圧検出の感度が悪いと、検出ノズルとそれに近接させる物体との距離を一方の軸にとり、両圧力室の差圧を他方の軸にとった二次元グラフにおいて、供給圧の変化によって特性線のゲインが大きく変化してしまう。特性線のゲインが変化すれば、差圧検出精度がさらに悪くなるという問題が発生する。
この発明の目的は、差圧の検出精度が高い着座スイッチ装置を提供することである。
なお、上記膜部材には、ダイアフラム、ベローズあるいは伸縮性を兼ね備えたゴムや樹脂からなる膜が含まれる。
また、大きなコンボリューションが不要なので、従来の装置に比べて全体を小型化できるし、膜部材の応答性や精度を向上させることができる。
さらに、流体によって圧力室内の温度が必要以上に上昇しないようにできる。したがって、スイッチ機構に電子部品を用いたときには、極端な温度上昇で当該電子部品の性能等に影響を及ぼさない。また、膜部材も高温にさらされることがないので、当該膜部材の弾性に影響を及ぼすことがない。
なお、図中符号17は設定圧力側通路13に設けたオリフィス、18は検出側通路14に設けたオリフィスである。
上記のようにしてダイアフラム20で区画された一方の圧力室21には、圧力導入ポートaを介して設定圧力側通路13の圧力が導入され、他方の圧力室22には、圧力導入ポートbを介して検出側通路14の圧力が導入されるようにしている。
なお、上記磁石23とリードスイッチ24とが相まってこの発明のスイッチ機構を構成するものである。
また、上記参考例では、ダイアフラム20の一方の側面に磁石23を設けたが、磁石23はダイアフラム20と一体成形してもよい。
設定圧調整手段15の開度を調整して、設定圧力側通路13の設定圧を特定した状態で圧力源11からエア等の流体を供給すると、一方の圧力室21には上記設定された圧力が、圧力導入ポートaを介して導かれる。また、他方の圧力室22には、検出側通路14の圧力が圧力導入ポートbを介して導かれる。
このとき、検出ノズル16に物体が近接していないときには、設定圧力側通路13及び一方の圧力室21の圧力が、検出側通路14及び他方の圧力室22の圧力よりも相対的に高くなるので、ダイアフラム20は他方の圧力室22側に変形して、磁石23とリードスイッチ24との対向間隔を大きくする。磁石23とリードスイッチ24との対向間隔が大きくなれば、リードスイッチ24はオフの状態を保つ。
他方の圧力室22の圧力上昇にともなって、ダイアフラム20は図示のノーマル位置に復帰するが、上記物体と検出ノズル16とがさらに近接すると、検出側通路14及び他方の圧力室22の圧力が、設定圧力側通路13及び一方の圧力室21の圧力よりも高くなり、磁石23とリードスイッチ24との間隔を狭くする。このように磁石23とリードスイッチ24との間隔が狭くなると、磁石23の磁束の影響でリードスイッチ24は、その端子24a,24bを接触させてオンの状態を保つ。
そして、この参考例では、ダイアフラム20の変形によって、磁石23とリードスイッチ24との対向間隔を制御することで、リードスイッチ24のスイッチング動作を制御できるので、磁石23の移動量を小さくしてリードスイッチ24をスイッチング動作させることができる。
磁石23の移動量を小さく抑えられということは、ダイアフラム20の変形量も小さくできるので、従来とは異なりコンボリューション20aを小さくできる。
また、コンボリューション20aを小さくできる分、コンボリューション20aを薄くできるので、ダイアフラム20の応答性や感度あるいは温度特性等の精度を向上させることができるし、供給圧の変化にも影響されない。
さらに、この参考例では、スイッチ機構を構成するリードスイッチ24をケーシング19の外に配置したので、リードスイッチ24が流体等で汚染されたりしない。
ただし、この第1実施形態は、参考例と異なり、リードスイッチ24を一方の圧力室21内に設け、この圧力室21において、リードスイッチ24は、それらの端子24a,24bを結ぶ方向である長手方向を、上記磁石23に対して平行もしくはほぼ平行にして対向配置したものである。
また、上記他方の圧力室22を検出側通路14の通路過程に設けている。すなわち、上記検出側通路14は、上流部14aと下流部14bとに分離するとともに、他方の圧力室22には流入ポート27と流出ポート28とを設け、流入ポート27を上記上流部14aに接続し、流出ポート28を上記下流部14bに接続している。
また、検出側通路14の上流部14aから流入ポート27を経由して他方の圧力室22に流入した圧力流体は、流出ポート28から上記下流部14bに流出するようになり、この他方の圧力室22にも流体の流れが発生する。
したがって、スイッチ機構に電子部品を用いたときには、極端な温度上昇で当該電子部品の性能等に影響を及ぼすことはない。また、ダイアフラム20等の膜部材も、高温にさらされることがないので、ダイアフラム20等の弾性に影響を及ぼすこともない。
また、この第1実施形態において、検出ノズル16に物体が密着したときに、磁石23がリードスイッチ24に近接して、それをオン状態に切り換えることは、参考例と同じなので、その詳細な説明は省略する。
さらに、上記参考例、及び第1実施形態では、磁石23を、圧力室21側に面した上記ダイアフラム20の一方の側面に設けたが、磁石23をダイアフラム等の膜部材に埋め込むようにしてもよい。また、この磁石23は、永久磁石あるいは電磁石のいずれであってもよい。
なお、図中符号30はスプリングで、このスプリング30のバネ力の作用で、磁石23の自由端23bが常時作動ピン29に接触するようにしている。
したがって、他方の圧力室22の圧力が上昇するにともなって、ダイアフラム20は一方の圧力室21方向に変形するが、この変形にともなって作動ピン29が移動して、磁石23をスプリング30のバネ力に抗して回動させ、当該磁石23をリードスイッチ24に正対させる。このように磁石23がリードスイッチ24に正対することによって、リードスイッチ24がオン動作をする。
なお、上記第2実施形態では、リードスイッチ24を一方の圧力室21の外側に設けたが、当該リードスイッチ24は、上記一方の圧力室21内に設けてもよい。
そして、リードスイッチ24を圧力室21の外部に設ければ、内部に設けたときよりも圧力室21の容積を相対的に小さくできる。圧力室21の容積が小さくなれば、その圧力変化に対してダイアフラムの応答性が向上するというメリットがある。
その他の構成は、第1実施形態と同じである。
なお、上記参考例、第1及び2実施形態のそれぞれでは膜部材としてダイアフラム20を用いたが、ダイアフラムに代えて、ベローズや、伸縮性を兼ね備えたゴムや樹脂からなる膜を用いてもよい。
13 設定圧力側通路
14 検出側通路
15 設定圧調整手段
16 検出ノズル
20 ダイアフラム
21,22 圧力室
23 磁石
24 リードスイッチ
25,27 流入ポート
26,28 流出ポート
Claims (2)
- 圧力流体の供給源に、設定圧力側通路及び検出側通路を並列に接続するとともに、
上記設定圧力側通路には設定圧調整手段を設け、
検出側通路には検出ノズルを設け、
上記設定圧力側通路を、可撓性を有する膜部材で区画された一方の圧力室に接続し、
検出側通路を上記膜部材で区画された他方の圧力室に接続する一方、
上記膜部材は、上記一対の圧力室の圧力差によって変形するとともに、
上記膜部材の変形によってスイッチング動作をするスイッチ機構を備え、
このスイッチ機構の動作に応じて上記一対の圧力室間の差圧を検出する着座スイッチ装置であって、
上記スイッチ機構は、
磁石とリードスイッチとからなり、
上記リードスイッチは上記一方の圧力室内に設け、
上記磁石は上記膜部材に固定するとともに、
リードスイッチはその長手方向を、上記磁石と平行もしくはほぼ平行な状態に保って磁石と対向させ、
上記膜部材の変形に応じて上記磁石と上記リードスイッチとの対向間隔を変化させてスイッチ機構にスイッチング動作をさせており、
少なくとも上記一方の圧力室に流入ポート及び流出ポートを設け、
上記流入ポート及び流出ポートを上記設定圧力側通路に接続し、圧力源から設定圧力側通路に流通する圧力流体が、上記流入ポート、上記一方の圧力室及び上記流出ポートを経由して圧力設定手段に導かれ、
上記圧力流体で上記スイッチ機構と膜部材とが冷却される構成にした
着座スイッチ装置。 - 圧力流体の供給源に、設定圧力側通路及び検出側通路を並列に接続するとともに、
上記設定圧力側通路には設定圧調整手段を設け、
検出側通路には検出ノズルを設け、
上記設定圧力側通路を、膜部材で区画された一方の圧力室に接続し、
検出側通路を膜部材で区画された他方の圧力室に接続する一方、
上記膜部材は、上記一対の圧力室の圧力差によって変形するとともに、
上記膜部材の変形によってスイッチング動作をするスイッチ機構を備え、
このスイッチ機構の動作に応じて上記一対の圧力室間の差圧を検出する着座スイッチ装置であって、
上記スイッチ機構は、
磁石とリードスイッチとからなり、
上記リードスイッチは一方の圧力室内に設け、
上記磁石は、上記一方の圧力室内に、膜部材の変形に応じて回動可能に設けられるとともに、上記磁石の回動支点が、上記リードスイッチの端子間とほぼ同じレベルに設けられ、
上記磁石の回転支点とは反対端である自由端には、膜部材に設けた作動ピンが接触しており、
上記磁石が上記リードスイッチの端子間のレベルとほぼ平行になったとき、当該磁石がリードスイッチと正対する構成にした
着座スイッチ装置。
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