JP6453765B2 - Solvent composition for manufacturing electrical devices - Google Patents

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Description

本発明は、溶剤と増粘剤を含み、加熱溶解することによってペースト組成物を形成する溶剤組成物に関する。前記ペースト組成物は電子デバイスの製造工程において、被塗布面を有する部材(以後、「被塗布面部材」と称する場合がある)に印刷法を用いて塗布することにより配線又は塗膜を形成する用途に用いられる。本願は、2013年12月9日に日本に出願した、特願2013−254105号の優先権を主張し、その内容をここに援用する。   The present invention relates to a solvent composition containing a solvent and a thickener and forming a paste composition by heating and dissolving. In the electronic device manufacturing process, the paste composition is applied to a member having a surface to be coated (hereinafter sometimes referred to as a “surface to be coated”) using a printing method to form a wiring or a coating film. Used for applications. This application claims the priority of Japanese Patent Application No. 2013-254105 for which it applied to Japan on December 9, 2013, and uses the content here.

印刷法を用いて製造する電子デバイスにはコンデンサ、インダクタ、バリスタ、サーミスタ、トランジスタ、スピーカ、アクチュエータ、アンテナ、固体酸化物燃料電池(SOFC)などがある。   Electronic devices manufactured using a printing method include capacitors, inductors, varistors, thermistors, transistors, speakers, actuators, antennas, solid oxide fuel cells (SOFC), and the like.

例えば積層コンデンサは、一般的に、次のような工程を経て製造される。
1.セラミックスの粉末をポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール樹脂又はアクリル樹脂等のバインダー樹脂と溶剤で分散させてスラリーとし、シート状に成形してグリーンシートを得る。
2.導電性金属材料(例えば、ニッケル、パラジウム等)、バインダー樹脂(例えば、エチルセルロース等)、及び有機溶剤(例えば、ターピネオール等)を主成分とするペースト組成物を、グリーンシート上に印刷法等により塗布し配線、塗膜を形成する(塗布工程)。
3.上記ペースト組成物中の有機溶剤を乾燥させる(乾燥工程)。
4.配線、塗膜が形成された積層シートを所定寸法に切断し、複数枚積み重ねて加熱圧着して積層体とする。
5.該積層体に電極等を取り付け、高温で焼成させると積層コンデンサが得られる(焼成工程)。
For example, a multilayer capacitor is generally manufactured through the following processes.
1. A ceramic sheet is dispersed in a polyvinyl acetal resin such as polyvinyl butyral or a binder resin such as an acrylic resin and a solvent to form a slurry, which is then formed into a sheet to obtain a green sheet.
2. A paste composition mainly composed of a conductive metal material (for example, nickel, palladium), a binder resin (for example, ethyl cellulose), and an organic solvent (for example, terpineol) is applied on a green sheet by a printing method or the like. Wiring and coating film are formed (application process).
3. The organic solvent in the paste composition is dried (drying step).
4). The laminated sheet on which the wiring and coating film are formed is cut into a predetermined size, and a plurality of sheets are stacked and thermocompression bonded to obtain a laminated body.
5. When an electrode or the like is attached to the multilayer body and fired at a high temperature, a multilayer capacitor is obtained (firing step).

上記バインダー樹脂は導電性金属材料又は絶縁材料をグリーンシート上に固定する働きを有する。従来、塗布性に優れ、精密な形状の塗膜を容易に形成することができるという理由から、エチルセルロース樹脂が主に用いられてきた。しかし、エチルセルロース樹脂は熱分解性が低いため焼成後にカーボン成分が灰分として残留し、それにより電気特性が低下したり、熱分解する過程で揮発分となり空隙(ボイド)を発生させ、配線・塗膜の形成不良や層間剥離(デラミネーション)等により歩留まりを低下させたりすることが問題であった。   The binder resin has a function of fixing the conductive metal material or the insulating material on the green sheet. Conventionally, an ethyl cellulose resin has been mainly used because it is excellent in applicability and a coating film having a precise shape can be easily formed. However, since ethylcellulose resin has low thermal decomposability, the carbon component remains as ash after firing, which reduces electrical properties and causes volatiles to form voids in the process of thermal decomposition, resulting in wiring and coating films. It has been a problem that the yield is lowered due to the formation failure of the film, delamination or the like.

従来は各層の膜厚が厚かったために、これらの問題が発生することはそれほど多くなかったが、近年、電子デバイスの高性能化、小型化に伴い、装置を構成する配線、塗膜、セラミック層の薄層化が求められるようになったため、これらの問題の発生が顕著に認められるようになった。   Previously, these problems did not occur so much because the thickness of each layer was large, but in recent years, with the improvement in performance and miniaturization of electronic devices, the wiring, coating films, and ceramic layers that make up the device Therefore, the occurrence of these problems has been remarkably recognized.

そこで、電気特性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を改善する方法として、ペースト組成物に含まれるバインダー樹脂の改善が種々検討された。例えば、特許文献1には、エチルセルロース樹脂に代えてポリビニルアセタール樹脂を用いることでグリーンシートとの密着性向上や灰分を低減することが開示されている。しかしながら、上記ポリビニルアセタール樹脂を使用しても導電性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を完全に防ぐことは困難であった。   In view of this, various attempts have been made to improve the binder resin contained in the paste composition as a method for improving the deterioration of the electrical characteristics, the formation failure of the wiring / coating film and the occurrence of delamination. For example, Patent Document 1 discloses that using a polyvinyl acetal resin instead of an ethyl cellulose resin improves adhesion with a green sheet and reduces ash content. However, even if the polyvinyl acetal resin is used, it has been difficult to completely prevent the decrease in conductivity, the formation failure of the wiring / coating film, and the occurrence of delamination.

特開2006−299030号公報JP 2006-299030 A

従って、本発明の目的は、印刷法を使用して精度良く塗布することができ、塗布後、焼成することにより、灰分や揮発物の発生を抑制して電気特性に優れた配線・塗膜を歩留まりよく形成することができるペースト組成物の原料となる電子デバイス製造用溶剤組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、印刷法を使用して精度良く塗布することができ、塗布後、焼成することにより、灰分や揮発物の発生を抑制して電気特性に優れた配線・塗膜を歩留まりよく形成することができる電子デバイス製造用ペースト組成物、及びその製造方法を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is to be able to apply with high accuracy using a printing method, and by firing after application, it is possible to suppress the generation of ash and volatiles and to provide a wiring / coating film excellent in electrical characteristics. An object of the present invention is to provide a solvent composition for manufacturing an electronic device, which is a raw material of a paste composition that can be formed with a high yield.
Another object of the present invention is to provide a wiring / coating film that can be applied with high accuracy using a printing method and is excellent in electrical characteristics by suppressing the generation of ash and volatiles by baking after coating. An object of the present invention is to provide an electronic device manufacturing paste composition that can be formed with high yield, and a manufacturing method thereof.

本発明者等は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、下記式(1)で表される低分子量の化合物は、加熱溶解すると溶剤中において自己組織化することによりひも状会合体を形成して高分子のような粘性を示すこと、エチルセルロース等の高分子化合物に比べて低温で揮発すること、熱分解性に優れ、焼成による灰分の残留や揮発分の発生を著しく低減することができることを見いだした。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a low molecular weight compound represented by the following formula (1) forms a string-like aggregate by self-organizing in a solvent when heated and dissolved. It exhibits viscosity like a polymer, volatilizes at a lower temperature than polymer compounds such as ethyl cellulose, has excellent thermal decomposability, and can significantly reduce the residue of ash and the generation of volatiles due to baking. I found it.

そして、印刷法による電子デバイス製造において、エチルセルロース等のバインダー樹脂を溶剤と混合して得られたペースト組成物に代えて前記式(1)で表される低分子量の化合物と溶剤との混合物を加熱溶解して得られるペースト組成物を使用すると、塗布工程においては印刷法による配線・塗膜の形成に適した粘度を有し、液ダレしにくく高精度の配線パターンを形成することができること、乾燥・焼成工程においては、高温で長時間加熱する必要が無く、低温で速やかに乾燥・焼成することができ、被塗布面部材が高温に長時間曝されることにより軟化、変形することを防止できること、焼成工程を経ても配線・塗膜中に灰分の残留や揮発分の発生を著しく低減することができ、これらにより引き起こされていた電気特性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を抑制することができることを見いだした。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。   And in the electronic device manufacture by a printing method, it replaces with the paste composition obtained by mixing binder resin, such as ethylcellulose, with a solvent, and heats the mixture of the low molecular weight compound and solvent which are represented by said Formula (1). When the paste composition obtained by dissolution is used, the coating process has a viscosity suitable for forming a wiring / coating film by a printing method, and is capable of forming a highly accurate wiring pattern that is difficult to drip and drying. -In the firing process, there is no need to heat at high temperature for a long time, it can be quickly dried and fired at low temperature, and the coated surface member can be prevented from being softened and deformed by being exposed to high temperature for a long time. Even after the firing process, the residue of ash and the generation of volatile matter in the wiring and coating film can be significantly reduced. - the occurrence of forming defect and delamination of the coating film was found that it is possible to suppress. The present invention has been completed based on these findings.

すなわち、本発明は、印刷法を用いて電子デバイスを製造するための溶剤組成物であって、溶剤と下記式(1)

Figure 0006453765
(式中、環Zはベンゼン、ベンゾフェノン、ビフェニル、及びナフタレンから選択される環を示し、Rは炭素数6以上の脂肪族炭化水素基を示す。nは3以上の整数を示す。n個のRは同一であってもよく、異なっていてもよい)
で表される化合物を含む電子デバイス製造用溶剤組成物を提供する。That is, this invention is a solvent composition for manufacturing an electronic device using a printing method, Comprising: A solvent and following formula (1)
Figure 0006453765
(In the formula, ring Z represents a ring selected from benzene, benzophenone, biphenyl, and naphthalene, R represents an aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, and n represents an integer of 3 or more. R may be the same or different)
The solvent composition for electronic device manufacture containing the compound represented by these is provided.

本発明は、また、式(1)中のRが、炭素数6〜20の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基若しくはアルキニル基である前記の電子デバイス製造用溶剤組成物を提供する。   The present invention also provides the above-mentioned solvent composition for producing an electronic device, wherein R in the formula (1) is a linear or branched alkyl group, alkenyl group or alkynyl group having 6 to 20 carbon atoms. To do.

本発明は、また、溶剤が、25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が7.0〜9.2の範囲にある溶剤、及び25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が10.0〜14.0の範囲にある溶剤から選択される少なくとも1種の溶剤である前記の電子デバイス製造用溶剤組成物を提供する。The present invention also provides a solvent having a SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 ] at 25 ° C. in the range of 7.0 to 9.2, and an SP value [(cal / cm 3 ) at 25 ° C. 0.5 ] is at least one solvent selected from solvents in the range of 10.0 to 14.0. The above-mentioned solvent composition for producing an electronic device is provided.

本発明は、また、溶剤が、n−デカン、プロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、シクロヘキシルアセテート、2−メチルシクロヘキシルアセテート、4−t−ブチルシクロヘキシルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、3−メトキシブタノール、及び1,2,5,6−テトラヒドロベンジルアルコールから選択される少なくとも1つである前記の電子デバイス製造用溶剤組成物を提供する。   In the present invention, the solvent may be n-decane, propylene glycol methyl-n-propyl ether, propylene glycol methyl-n-butyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl-n-propyl ether, dipropylene glycol methyl- n-butyl ether, cyclohexyl acetate, 2-methylcyclohexyl acetate, 4-t-butylcyclohexyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, 3-methoxybutanol, And at least one selected from 1,2,5,6-tetrahydrobenzyl alcohol Providing chair manufacturing solvent composition.

本発明は、また、式(1)で表される化合物の含有量が、電子デバイス製造用溶剤組成物全体の0.1〜50重量%である前記の電子デバイス製造用溶剤組成物を提供する。   This invention also provides the said solvent composition for electronic device manufacture whose content of the compound represented by Formula (1) is 0.1 to 50 weight% of the whole solvent composition for electronic device manufacture. .

本発明は、また、前記の電子デバイス製造用溶剤組成物を30〜90℃で加熱溶解することを特徴とする電子デバイス製造用ペースト組成物の製造方法を提供する。   The present invention also provides a method for producing a paste composition for producing an electronic device, wherein the solvent composition for producing an electronic device is dissolved by heating at 30 to 90 ° C.

本発明は、また、前記の電子デバイス製造用ペースト組成物の製造方法により得られる電子デバイス製造用ペースト組成物を提供する。   This invention also provides the paste composition for electronic device manufacture obtained by the manufacturing method of the said paste composition for electronic device manufacture.

本発明は、また、更に、導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料を含む前記の電子デバイス製造用ペースト組成物を提供する。   The present invention also provides the above-mentioned paste composition for manufacturing an electronic device, further comprising a conductive metal material, a semiconductor material, a magnetic material, a dielectric material, or an insulating material.

本発明は、また、バインダー樹脂含有量が10重量%以下である前記の電子デバイス製造用ペースト組成物を提供する。   The present invention also provides the above-mentioned paste composition for producing an electronic device, wherein the binder resin content is 10% by weight or less.

すなわち、本発明は以下に関する。
[1] 印刷法を用いて電子デバイスを製造するための溶剤組成物であって、溶剤と式(1)で表される化合物を含む電子デバイス製造用溶剤組成物。
[2] 電子デバイス製造用溶剤組成物が、印刷法を用いて電子デバイスを製造する際に、導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料の分散媒として使用する溶剤組成物である[1]に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[3] 電子デバイス製造用溶剤組成物が、印刷法を用いて電子デバイスを構成する配線又は塗膜を形成する際に使用する電子デバイス製造用ペースト組成物において分散媒として使用する溶剤組成物である[1]又は[2]に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[4] 式(1)中のRが、炭素数6〜20の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基若しくはアルキニル基である[1]〜[3]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[5] 式(1)で表される化合物が、式(1)中のRが、全て同一に、炭素数6〜18の直鎖状アルキル基である化合物及び/又は、式(1)中のRが2種の異なる基であり、一方の基が炭素数6〜18の分岐鎖状アルキル基、他の一方の基が炭素数12〜18の直鎖状アルケニル基である化合物である[1]〜[3]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[6] 式(1)で表される化合物が、式(1-1)〜(1-22)で表される化合物から選択される少なくとも1種の化合物である[1]〜[3]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[7] 溶剤が、25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が7.0〜9.2の範囲にある溶剤、及び25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が10.0〜14.0の範囲にある溶剤から選択される少なくとも1種の溶剤である[1]〜[6]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[8] 溶剤が、n−デカン、プロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、シクロヘキシルアセテート、2−メチルシクロヘキシルアセテート、4−t−ブチルシクロヘキシルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、3−メトキシブタノール、及び1,2,5,6−テトラヒドロベンジルアルコールから選択される少なくとも1つである[1]〜[7]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[9] 溶剤と式(1)で表される化合物の組み合わせが、溶剤としてSP値が7.0〜9.2(cal/cm30.5の溶剤を使用する場合は、n個のRの少なくとも1つが炭素数が18〜20の脂肪族炭化水素基(特に好ましくは、炭素数が18〜20の直鎖状アルケニル基)である式(1)で表される化合物を使用し、溶剤としてSP値が10.0〜14.0(cal/cm30.5の溶剤を使用する場合はn個のRの少なくとも1つが炭素数が18〜20の脂肪族炭化水素基(特に好ましくは、炭素数が6〜12の直鎖状アルキル基)である式(1)で表される化合物を使用する[7]又は[8]に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[10] 式(1)で表される化合物の含有量が、電子デバイス製造用溶剤組成物全体の0.1〜50重量%である[1]〜[9]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。
[11] [1]〜[10]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用溶剤組成物を30〜90℃で加熱溶解することを特徴とする電子デバイス製造用ペースト組成物の製造方法。
[12] [11]に記載の電子デバイス製造用ペースト組成物の製造方法により得られる電子デバイス製造用ペースト組成物。
[13] 更に、導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料を含む[12]に記載の電子デバイス製造用ペースト組成物。
[14] 導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料を、電子デバイス製造用ペースト組成物全量の0.1〜90重量%含有する[13]に記載の電子デバイス製造用ペースト組成物。
[15] バインダー樹脂の含有量が10重量%以下である[12]〜[14]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用ペースト組成物。
[16] 電子デバイス製造用ペースト組成物が、印刷法を用いて電子デバイスを構成する配線又は塗膜を形成するためのペースト組成物である[12]〜[15]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用ペースト組成物。
[17] [12]〜[16]の何れか1つに記載の電子デバイス製造用ペースト組成物を印刷法により塗布する工程、乾燥工程、及び焼成工程を経て導電性若しくは絶縁性を有する配線又は塗膜を形成する配線又は塗膜の製造方法
[18] [17]に記載の配線又は塗膜の製造方法で得られた配線又は塗膜を備えた電子デバイス。
That is, the present invention relates to the following.
[1] A solvent composition for producing an electronic device using a printing method, comprising a solvent and a compound represented by formula (1) for producing an electronic device.
[2] A solvent composition used as a dispersion medium for a conductive metal material, a semiconductor material, a magnetic material, a dielectric material, or an insulating material when the solvent composition for manufacturing an electronic device manufactures an electronic device using a printing method. [1] The solvent composition for manufacturing an electronic device according to [1].
[3] The solvent composition for manufacturing an electronic device is a solvent composition used as a dispersion medium in a paste composition for manufacturing an electronic device used when forming a wiring or a coating film constituting the electronic device by using a printing method. A solvent composition for producing an electronic device according to [1] or [2].
[4] R1 in Formula (1) is any one of [1] to [3], which is a linear or branched alkyl group, alkenyl group, or alkynyl group having 6 to 20 carbon atoms. Solvent composition for manufacturing electronic devices.
[5] The compound represented by the formula (1) is a compound in which R in the formula (1) is the same and is a linear alkyl group having 6 to 18 carbon atoms, and / or in the formula (1). In which R is two different groups, one group is a branched alkyl group having 6 to 18 carbon atoms, and the other group is a linear alkenyl group having 12 to 18 carbon atoms [ The solvent composition for electronic device manufacture as described in any one of 1]-[3].
[6] The compound represented by formula (1) is at least one compound selected from the compounds represented by formulas (1-1) to (1-22). The solvent composition for electronic device manufacture as described in any one.
[7] The solvent has an SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 ] in the range of 7.0 to 9.2 at 25 ° C. and an SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 ] at 25 ° C. The solvent composition for producing an electronic device according to any one of [1] to [6], which is at least one solvent selected from solvents in the range of 10.0 to 14.0.
[8] The solvent is n-decane, propylene glycol methyl-n-propyl ether, propylene glycol methyl-n-butyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl-n-propyl ether, dipropylene glycol methyl-n-butyl ether. , Cyclohexyl acetate, 2-methylcyclohexyl acetate, 4-t-butylcyclohexyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, 3-methoxybutanol, and 1, Any one of [1] to [7], which is at least one selected from 2,5,6-tetrahydrobenzyl alcohol The solvent composition for electronic device manufacture as described in one.
[9] When the combination of the solvent and the compound represented by the formula (1) uses a solvent having an SP value of 7.0 to 9.2 (cal / cm 3 ) 0.5 as the solvent, n R A compound represented by the formula (1) in which at least one is an aliphatic hydrocarbon group having 18 to 20 carbon atoms (particularly preferably, a linear alkenyl group having 18 to 20 carbon atoms) is used as a solvent. When a solvent having an SP value of 10.0 to 14.0 (cal / cm 3 ) 0.5 is used, at least one of n R is an aliphatic hydrocarbon group having 18 to 20 carbon atoms (particularly preferably, carbon The solvent composition for electronic device manufacture as described in [7] or [8] using the compound represented by Formula (1) which is a C6-C12 linear alkyl group.
[10] The content of the compound represented by the formula (1) is 0.1 to 50% by weight of the entire electronic device manufacturing solvent composition, according to any one of [1] to [9] Solvent composition for manufacturing electronic devices.
[11] A method for producing a paste composition for producing an electronic device, wherein the solvent composition for producing an electronic device according to any one of [1] to [10] is dissolved by heating at 30 to 90 ° C.
[12] A paste composition for manufacturing an electronic device obtained by the method for manufacturing a paste composition for manufacturing an electronic device according to [11].
[13] The paste composition for manufacturing an electronic device according to [12], further including a conductive metal material, a semiconductor material, a magnetic material, a dielectric material, or an insulating material.
[14] For manufacturing an electronic device according to [13], containing a conductive metal material, a semiconductor material, a magnetic material, a dielectric material, or an insulating material in an amount of 0.1 to 90% by weight based on the total amount of the paste composition for manufacturing an electronic device. Paste composition.
[15] The electronic device manufacturing paste composition according to any one of [12] to [14], wherein the content of the binder resin is 10% by weight or less.
[16] The paste composition for producing an electronic device is any one of [12] to [15], which is a paste composition for forming a wiring or a coating film constituting the electronic device using a printing method. A paste composition for manufacturing electronic devices.
[17] Conductive or insulating wiring through a step of applying the electronic device manufacturing paste composition according to any one of [12] to [16] by a printing method, a drying step, and a baking step, or Wiring or coating film manufacturing method for forming a coating film [18] An electronic device comprising a wiring or coating film obtained by the wiring or coating film manufacturing method according to [17].

本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物は、溶剤と上記式(1)で表される低分子量の化合物を含有するため、加熱溶解することにより、印刷法による配線・塗膜の形成に適した粘度を有するペースト組成物を形成することができる。前記ペースト組成物を使用すると、液ダレしにくく高精度の配線パターンを形成することができる。また、乾燥・焼成工程において、低温で乾燥・焼成することができ、被塗布面部材が高温に長時間曝されることにより軟化、変形することを防止できる。更に、焼成工程を経ても配線・塗膜中に灰分の残留や揮発分の発生を著しく低減することができ、これらにより引き起こされていた電気特性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を抑制することができる。従って、本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物は、各印刷法により微細パターンを精度良く形成することができ、配線・塗膜の形成不良や層間剥離(デラミネーション)等により歩留まりが低下する問題を解消することができるため、電気特性に優れた配線、塗膜を形成するペースト組成物の原料として極めて有用である。   Since the solvent composition for producing an electronic device of the present invention contains a solvent and a low molecular weight compound represented by the above formula (1), it is suitable for forming a wiring / coating film by a printing method by dissolving with heating. A paste composition having a viscosity can be formed. When the paste composition is used, a highly accurate wiring pattern can be formed which is difficult to drip. Further, in the drying / firing step, drying and firing can be performed at a low temperature, and the coated surface member can be prevented from being softened and deformed by being exposed to a high temperature for a long time. In addition, the ash residue and volatile matter in the wiring / coating film can be remarkably reduced even after the firing process, resulting in the deterioration of electrical characteristics, wiring / coating film formation defects and delamination. Can be suppressed. Therefore, the solvent composition for manufacturing an electronic device of the present invention can form a fine pattern with high accuracy by each printing method, and the yield decreases due to poor formation of wiring / coating film or delamination (delamination). Therefore, it is extremely useful as a raw material for a paste composition for forming a wiring or coating film having excellent electrical characteristics.

図1は実施例及び比較例で得られたペースト組成物について20℃から400℃まで10℃/分で昇温した際の重量減少態様と、300℃における残留灰分量を示す図である。FIG. 1 is a view showing a weight reduction mode when the paste compositions obtained in Examples and Comparative Examples are heated from 20 ° C. to 400 ° C. at a rate of 10 ° C./min and the amount of residual ash at 300 ° C.

[電子デバイス製造用溶剤組成物]
本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物は、印刷法により電子デバイスを製造するための溶剤組成物(より詳細には、電子デバイスの製造工程において、印刷法により電子回路を製造する際に使用される溶剤組成物)であって、溶剤と下記式(1)で表される化合物を含むことを特徴とする。
[Solvent composition for manufacturing electronic devices]
The solvent composition for producing an electronic device of the present invention is a solvent composition for producing an electronic device by a printing method (more specifically, used in producing an electronic circuit by a printing method in the production process of the electronic device. And a solvent and a compound represented by the following formula (1).

(式(1)で表される化合物:増粘剤)
本発明の増粘剤は、下記式(1)で表される。

Figure 0006453765
(Compound represented by formula (1): thickener)
The thickener of the present invention is represented by the following formula (1).
Figure 0006453765

式(1)中、環Zはベンゼン、ベンゾフェノン、ビフェニル、及びナフタレンから選択される環である。   In formula (1), ring Z is a ring selected from benzene, benzophenone, biphenyl, and naphthalene.

式(1)中、Rは炭素数6以上の脂肪族炭化水素基であり、例えば、ヘキシル、オクチル、2−エチルヘキシル、デシル、ドデシル、ミリスチル、ステアリル、ノナデシル基等の炭素数6〜20程度(好ましくは6〜18)の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基;2−ヘキセニル、3−ヘキセニル、4−ヘキセニル、5−ヘキセニル、7−オクテニル、9−デセニル、11−ドデセニル、オレイル基等の炭素数6〜20程度(好ましくは6〜18、特に好ましくは12〜18)の直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基;ヘキシニル、オクチニル、デシニル、ペンタデシニル、オクタデシニル基等の炭素数6〜20程度(好ましくは6〜18、特に好ましくは12〜18)の直鎖状又は分岐鎖状アルキニル基等を挙げることができる。   In the formula (1), R is an aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, for example, about 6 to 20 carbon atoms such as hexyl, octyl, 2-ethylhexyl, decyl, dodecyl, myristyl, stearyl, nonadecyl group ( 6-18) linear or branched alkyl group; carbon such as 2-hexenyl, 3-hexenyl, 4-hexenyl, 5-hexenyl, 7-octenyl, 9-decenyl, 11-dodecenyl, oleyl group, etc. A linear or branched alkenyl group having about 6 to 20 (preferably 6 to 18, particularly preferably 12 to 18); about 6 to 20 carbon atoms such as hexynyl, octynyl, decynyl, pentadecynyl, octadecynyl group (preferably May be a linear or branched alkynyl group of 6 to 18, particularly preferably 12 to 18).

式(1)中、nは3以上の整数を示し、好ましくは3〜4、特に好ましくは4である。   In formula (1), n shows an integer greater than or equal to 3, Preferably it is 3-4, Most preferably, it is 4.

n個のRは同一であってもよく、異なっていてもよい。   The n Rs may be the same or different.

式(1)で表される化合物のうちnが4である化合物としては、下記式で表される化合物等を挙げることができる。下記式中、R1、R2は互いに異なって、炭素数6以上の脂肪族炭化水素基を示し、上記Rと同様の例を挙げることができる。

Figure 0006453765
Figure 0006453765
Among the compounds represented by the formula (1), examples of the compound in which n is 4 include compounds represented by the following formulas. In the following formulae, R 1 and R 2 are different from each other and represent an aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, and examples similar to R can be given.
Figure 0006453765
Figure 0006453765

式(1)で表される化合物としては、なかでも、蒸発温度(常圧下における)が120〜380℃(好ましくは150〜330℃、更に好ましくは150〜320℃、特に好ましくは150〜315℃、最も好ましくは170〜315℃)のものが好ましく、蒸発温度は、側鎖の種類によりコントロールすることができる。蒸発温度が上記範囲を上回ると、低温条件において速やかに気化させることが困難となり、被塗布面部材が高温に長時間曝されることにより軟化、変形する場合がある。一方、蒸発温度が上記範囲を下回ると、ペースト組成物調整時若しくは印刷時に気化して組成が変動する恐れがあり、安定した配線・塗膜形成が困難となる傾向がある。尚、式(1)で表される化合物の蒸発温度は、示差熱熱重量同時測定装置(TG/DTA)を使用して20℃から400℃まで10℃/分で昇温した場合に、重量の5%が減少した時点の温度である。   As the compound represented by the formula (1), the evaporation temperature (under normal pressure) is 120 to 380 ° C. (preferably 150 to 330 ° C., more preferably 150 to 320 ° C., particularly preferably 150 to 315 ° C.). , Most preferably 170 to 315 ° C.), and the evaporation temperature can be controlled by the type of side chain. When the evaporation temperature exceeds the above range, it becomes difficult to quickly vaporize under low temperature conditions, and the coated surface member may be softened and deformed by being exposed to a high temperature for a long time. On the other hand, if the evaporation temperature is lower than the above range, the composition may change due to vaporization at the time of preparing the paste composition or at the time of printing, so that stable wiring / coating film formation tends to be difficult. In addition, the evaporation temperature of the compound represented by the formula (1) is the weight when the temperature is increased from 20 ° C. to 400 ° C. at 10 ° C./min using a differential thermogravimetric simultaneous measurement apparatus (TG / DTA). Is the temperature at which 5% of the decrease occurred.

式(1)で表される化合物としては、環Zがベンゼンであり、Rが炭素数6〜20程度(好ましくは6〜18)の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はアルケニル基、nが3又は4である化合物、及び環Zがベンゾフェノンであり、Rが炭素数6〜20程度(好ましくは6〜18)の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、nが3又は4である化合物が好ましい。   As the compound represented by the formula (1), a ring Z is benzene, and R is a linear or branched alkyl or alkenyl group having about 6 to 20 carbon atoms (preferably 6 to 18), n Is a compound in which ring 3 is benzophenone, R is a linear or branched alkyl group having about 6 to 20 carbon atoms (preferably 6 to 18), and n is 3 or 4. Is preferred.

式(1)で表される化合物は、アミド結合部位において水素結合により自己会合してファイバー状の自己組織体を形成することができる。更に、R基が溶剤に対して親和性を有するため、溶剤と相溶させることにより、溶剤を増粘することができる。そして、特に、式(1)で表される化合物においてRが2種以上の異なる基である場合は、溶剤が透明性を有する場合はその透明性を維持しつつ増粘することができ、経時的に安定な電子デバイス製造用ペースト組成物を形成することができる。   The compound represented by the formula (1) can self-associate by hydrogen bonding at the amide bond site to form a fibrous self-assembly. Furthermore, since the R group has an affinity for the solvent, the solvent can be thickened by being compatible with the solvent. In particular, when R is two or more different groups in the compound represented by the formula (1), when the solvent has transparency, the solvent can be thickened while maintaining its transparency. A stable paste composition for manufacturing an electronic device can be formed.

式(1)で表される化合物は、例えば、下記方法等により製造することができる。
1、下記式(2)

Figure 0006453765
(式中、環Z、nは前記に同じ)
で表される芳香族カルボン酸を塩化チオニルと反応させて芳香族カルボン酸クロライドを得、得られた芳香族カルボン酸クロライドにアミン(R−NH2)(Rは前記に同じ)を反応させる方法
2、前記芳香族カルボン酸に対応する芳香族カルボン酸無水物にアミン(1)(R−NH2)(Rは前記に同じ)を反応させてアミック酸を得、更にアミン(2)(R−NH2)(Rは前記に同じ)[アミン(2)はアミン(1)と同一であっても異なっていてもよい]をカルボジイミドを用いて縮合させる方法The compound represented by Formula (1) can be manufactured by the following method etc., for example.
1, following formula (2)
Figure 0006453765
(Wherein ring Z and n are the same as above)
Is reacted with thionyl chloride to obtain an aromatic carboxylic acid chloride, and the resulting aromatic carboxylic acid chloride is reacted with an amine (R—NH 2 ) (R is as defined above). 2. An amine (1) (R—NH 2 ) (R is the same as above) is reacted with an aromatic carboxylic acid anhydride corresponding to the aromatic carboxylic acid to obtain an amic acid, and further an amine (2) (R -NH 2) (method R is for the same) [amine (2) can also be optionally substituted by one or more identical with the amine (1) condensed with carbodiimide

前記芳香族カルボン酸としては、例えば、1,3,5−ベンゼントリカルボン酸、1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸、2,4,5−ベンゾフェノントリカルボン酸、3,4,3’−ベンゾフェノントリカルボン酸、3,4,4’−ベンゾフェノントリカルボン酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、1,1’−ビフェニル−2,4,4’−トリカルボン酸、1,1’−ビフェニル−2,3,3’,4’−テトラカルボン酸、1,6,7−ナフタレントリカルボン酸、1,2,3−ナフタレントリカルボン酸、1,3,8−ナフタレントリカルボン酸、1,4,6−ナフタレントリカルボン酸、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸等を挙げることができる。   Examples of the aromatic carboxylic acid include 1,3,5-benzenetricarboxylic acid, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 2,4,5-benzophenone tricarboxylic acid, 3,4,3′- Benzophenone tricarboxylic acid, 3,4,4′-benzophenone tricarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic acid, 1,1′-biphenyl-2,4,4′-tricarboxylic acid, 1,1 '-Biphenyl-2,3,3', 4'-tetracarboxylic acid, 1,6,7-naphthalenetricarboxylic acid, 1,2,3-naphthalenetricarboxylic acid, 1,3,8-naphthalenetricarboxylic acid, 1, Examples include 4,6-naphthalene tricarboxylic acid and 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid.

アミン(R−NH2)としては、例えば、へキシルアミン、オクチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ミリスチルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン等の炭素数6以上(好ましくは、炭素数6〜20)の脂肪族炭化水素基(好ましくは、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基)を有するアミンを挙げることができる。Examples of the amine (R—NH 2 ) include 6 or more carbon atoms such as hexylamine, octylamine, 2-ethylhexylamine, decylamine, dodecylamine, myristylamine, stearylamine, oleylamine, etc. And an amine having an aliphatic hydrocarbon group (preferably a linear or branched alkyl group, alkenyl group, or alkynyl group).

上記1の製造方法において、芳香族カルボン酸クロライドとアミンの反応は、例えばアミンを仕込んだ系内に芳香族カルボン酸クロライドを滴下することにより行うことができる。   In the production method of 1 above, the reaction between the aromatic carboxylic acid chloride and the amine can be carried out, for example, by dropping the aromatic carboxylic acid chloride into a system charged with the amine.

アミンの使用量は、芳香族カルボン酸クロライド1モルに対して、例えば4〜8モル程度、好ましくは4〜6モルである。ここで、2種以上の異なるアミンを使用すると、式(1)で表される化合物であってn個のRが2種以上の異なる基である化合物を得ることができる。   The usage-amount of an amine is about 4-8 mol with respect to 1 mol of aromatic carboxylic acid chlorides, Preferably it is 4-6 mol. Here, when two or more different amines are used, a compound represented by the formula (1) in which n Rs are two or more different groups can be obtained.

芳香族カルボン酸クロライドとアミンの反応は、溶媒の存在下又は非存在下で行うことができる。前記溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル等の飽和又は不飽和炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;塩化メチレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒;アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒;スルホラン等のスルホラン系溶媒;ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒;シリコーンオイル等の高沸点溶媒等を挙げることができる。これらは1種を単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。   The reaction between the aromatic carboxylic acid chloride and the amine can be carried out in the presence or absence of a solvent. Examples of the solvent include saturated or unsaturated hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, heptane, octane and petroleum ether; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene; methylene chloride, chloroform, 1, 2 -Halogenated hydrocarbon solvents such as dichloroethane, chlorobenzene, bromobenzene; ether solvents such as diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, cyclopentyl methyl ether; acetonitrile, benzonitrile, etc. Nitrile solvents; sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; sulfolane solvents such as sulfolane; amide solvents such as dimethylformamide; high-boiling solvents such as silicone oil. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

前記溶媒の使用量としては、芳香族カルボン酸クロライドとアミンの総量に対して、例えば50〜300重量%程度である。溶媒の使用量が上記範囲を上回ると反応成分の濃度が低くなり、反応速度が低下する傾向がある。   The amount of the solvent used is, for example, about 50 to 300% by weight with respect to the total amount of aromatic carboxylic acid chloride and amine. When the usage-amount of a solvent exceeds the said range, the density | concentration of a reaction component will become low and there exists a tendency for reaction rate to fall.

芳香族カルボン酸クロライドとアミンの反応(=滴下)は、通常、常圧下で行われる。また、上記反応(=滴下時)の雰囲気としては反応を阻害しない限り特に限定されず、例えば、空気雰囲気、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の何れであってもよい。反応温度(=滴下時温度)は、例えば30〜60℃程度である。反応時間(=滴下時間)は、例えば0.5〜20時間程度である。反応(=滴下)終了後は、熟成工程を設けてもよい。熟成工程を設ける場合、熟成温度は例えば30〜60℃程度、熟成時間は例えば1〜5時間程度である。また、反応はバッチ式、セミバッチ式、連続式等の何れの方法でも行うことができる。   The reaction (= dropping) of the aromatic carboxylic acid chloride and the amine is usually performed under normal pressure. Further, the atmosphere of the above reaction (= drip) is not particularly limited as long as the reaction is not inhibited, and may be any of an air atmosphere, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, and the like. Reaction temperature (= temperature at the time of dripping) is about 30-60 degreeC, for example. The reaction time (= dropping time) is, for example, about 0.5 to 20 hours. After completion of the reaction (= dropping), an aging step may be provided. When the aging step is provided, the aging temperature is, for example, about 30 to 60 ° C., and the aging time is, for example, about 1 to 5 hours. The reaction can be carried out by any method such as batch, semi-batch and continuous methods.

反応終了後、得られた反応生成物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。   After completion of the reaction, the obtained reaction product can be separated and purified by separation means such as filtration, concentration, distillation, extraction, crystallization, adsorption, recrystallization, column chromatography, etc., or a separation means combining these.

上記2の製造方法では、例えば、芳香族カルボン酸無水物とアミン(1)及び下記溶媒を系内に仕込み、熟成させることによりアミック酸を形成し、その後、アミン(2)と縮合剤(カルボジイミド又はその塩)を仕込み、熟成させることにより式(1)で表される化合物を製造することができる。アミン(1)、(2)として、互いに異なる2種以上のアミンを使用すると、式(1)で表される化合物であってn個のRが2種以上の異なる基である化合物を得ることができる。   In the above production method 2, for example, an aromatic carboxylic acid anhydride, an amine (1) and the following solvent are charged into the system and aged to form an amic acid, and then an amine (2) and a condensing agent (carbodiimide). Alternatively, the compound represented by the formula (1) can be produced by charging and aging the salt. When two or more different amines are used as the amines (1) and (2), a compound represented by the formula (1) in which n R are two or more different groups is obtained. Can do.

前記芳香族カルボン酸無水物としては、上記式(2)で表される芳香族カルボン酸に対応する二無水物を挙げることができる。例えば、1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸−1,2:4,5−二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸−3,4:3’,4’−二無水物、1,1’−ビフェニル−2,3,3’,4’−テトラカルボン酸−2,3:3’,4’−二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸−1,8:4,5−二無水物等を挙げることができる。   Examples of the aromatic carboxylic acid anhydride include dianhydrides corresponding to the aromatic carboxylic acid represented by the above formula (2). For example, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid-1,2: 4,5-dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid-3,4: 3 ′, 4 '-Dianhydride, 1,1'-biphenyl-2,3,3', 4'-tetracarboxylic acid-2,3: 3 ', 4'-dianhydride, naphthalene-1,4,5,8 -Tetracarboxylic acid-1,8: 4,5-dianhydride etc. can be mentioned.

前記アミン(1)、(2)としては、上記1の製造方法で使用されるアミンと同様の例を挙げることができる。   Examples of the amines (1) and (2) include the same examples as the amines used in the production method 1 above.

アミン(1)の使用量としては、芳香族カルボン酸無水物1モルに対して、例えば2〜4モル程度、好ましくは2〜3モルである。また、アミン(2)の使用量としては、芳香族カルボン酸無水物1モルに対して、例えば2〜4モル程度、好ましくは2〜3モルである。   The amount of the amine (1) used is, for example, about 2 to 4 mol, preferably 2 to 3 mol, per 1 mol of the aromatic carboxylic acid anhydride. Moreover, as the usage-amount of amine (2), it is about 2-4 mol with respect to 1 mol of aromatic carboxylic anhydrides, Preferably it is 2-3 mol.

前記カルボジイミドは下記式で表される。
3−N=C=N−R4
上記式中、R3、R4としては、例えば、ヘテロ原子含有置換基を有していてもよい、炭素数3〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は3〜8員のシクロアルキル基である。R3、R4は同一であってもよく、異なっていてもよい。また、R3とR4は互いに結合して(−N=C=N−)基と共に環を形成していてもよい。
The carbodiimide is represented by the following formula.
R 3 —N═C═N—R 4
In the above formula, as R 3 and R 4 , for example, a linear or branched alkyl group having 3 to 8 carbon atoms, which may have a heteroatom-containing substituent, or 3 to 8 membered A cycloalkyl group; R 3 and R 4 may be the same or different. R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring together with the (—N═C═N—) group.

前記炭素数3〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、t−ペンチル、n−ヘキシル、イソヘキシル、s−ヘキシル、t−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル基等を挙げることができる。   Examples of the linear or branched alkyl group having 3 to 8 carbon atoms include n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, isopentyl, s- Examples include pentyl, t-pentyl, n-hexyl, isohexyl, s-hexyl, t-hexyl, n-heptyl, n-octyl group and the like.

前記3〜8員のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基等を挙げることができる。   Examples of the 3- to 8-membered cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cyclooctyl groups.

前記ヘテロ原子含有置換基としては、窒素原子含有基(例えば、アミノ基や、ジメチルアミノ基等のジ(C1-3)アルキルアミノ基)等を挙げることができる。Examples of the heteroatom-containing substituent include a nitrogen atom-containing group (for example, an amino group or a di (C 1-3 ) alkylamino group such as a dimethylamino group).

カルボジイミドとしては、例えば、ジイソプロピルカルボジイミド、ジシクロヘキシルカルボジイミド、N−(3−ジメチルアミノプロピル)−N’−エチルカルボジイミド等を挙げることができる。また、カルボジイミドの塩としては、例えば、塩酸塩(具体的には、N−(3−ジメチルアミノプロピル)−N’−エチルカルボジイミド塩酸塩等)等を挙げることができる。   Examples of the carbodiimide include diisopropylcarbodiimide, dicyclohexylcarbodiimide, N- (3-dimethylaminopropyl) -N′-ethylcarbodiimide and the like. Examples of the carbodiimide salt include hydrochloride (specifically, N- (3-dimethylaminopropyl) -N′-ethylcarbodiimide hydrochloride) and the like.

カルボジイミドの使用量としては、芳香族カルボン酸無水物1モルに対して、例えば2〜6モル程度、好ましくは2〜4モルである。   The amount of carbodiimide used is, for example, about 2 to 6 mol, preferably 2 to 4 mol, per 1 mol of the aromatic carboxylic acid anhydride.

前記溶媒としては、例えば、ピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のアミック酸の溶解性に優れるプロトン受容性溶媒を使用することが好ましい。これらは1種を単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。   As the solvent, for example, it is preferable to use a proton-accepting solvent excellent in solubility of amic acid such as pyridine, triethylamine, tributylamine and the like. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

前記溶媒の使用量としては、アミック酸の総量に対して、例えば50〜300重量%程度、好ましくは100〜250重量%である。溶媒の使用量が上記範囲を上回ると反応成分の濃度が低くなり、反応速度が低下する傾向がある。   As the usage-amount of the said solvent, it is about 50 to 300 weight% with respect to the total amount of amic acid, Preferably it is 100 to 250 weight%. When the usage-amount of a solvent exceeds the said range, the density | concentration of a reaction component will become low and there exists a tendency for reaction rate to fall.

上記反応は、通常、常圧下で行われる。また、上記反応の雰囲気としては反応を阻害しない限り特に限定されず、例えば、空気雰囲気、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の何れであってもよい。熟成温度(反応温度)は、例えば30〜70℃程度である。芳香族カルボン酸無水物とアミンの熟成時間は、例えば0.5〜5時間程度であり、アミック酸とアミンの熟成時間は、例えば0.5〜20時間程度である。また、反応はバッチ式、セミバッチ式、連続式等の何れの方法でも行うことができる。   The above reaction is usually performed under normal pressure. Further, the atmosphere of the reaction is not particularly limited as long as the reaction is not inhibited, and may be any of an air atmosphere, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, and the like. The aging temperature (reaction temperature) is, for example, about 30 to 70 ° C. The aging time of the aromatic carboxylic acid anhydride and the amine is, for example, about 0.5 to 5 hours, and the aging time of the amic acid and the amine is, for example, about 0.5 to 20 hours. The reaction can be carried out by any method such as batch, semi-batch and continuous methods.

反応終了後、得られた反応生成物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。   After completion of the reaction, the obtained reaction product can be separated and purified by separation means such as filtration, concentration, distillation, extraction, crystallization, adsorption, recrystallization, column chromatography, etc., or a separation means combining these.

(溶剤)
本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物に含まれる溶剤は、上記式(1)で表される化合物と共に加熱溶解することにより増粘する性質を有する溶剤を使用することが好ましい。
(solvent)
As the solvent contained in the electronic device manufacturing solvent composition of the present invention, it is preferable to use a solvent having a property of thickening by heating and dissolving together with the compound represented by the above formula (1).

前記溶剤としては、なかでも、25℃におけるSP値[(cal/cm30.5:Fedors計算値]が7.0〜9.2(好ましくは7.0〜8.5、特に好ましくは7.0〜8.0)の範囲にある溶剤、及び25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が10.0〜14.0(好ましくは10.0〜12.0、特に好ましくは10.0〜11.5)の範囲にある溶剤から選択される少なくとも1種の溶剤を使用することが、上記式(1)で表される化合物の溶解性に優れ、上記式(1)で表される化合物を溶解する際の加熱温度を抑制することができ、温和な条件下で容易に増粘することができる点で好ましい。SP値が上記範囲を外れる溶剤は上記式(1)で表される化合物の溶解性が低いため、該溶剤を含む電子デバイス製造用溶剤組成物は、増粘させる際に、より高い温度での加熱が必要となる傾向がある。Among these solvents, the SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 : Fedors calculated value] at 25 ° C. is 7.0 to 9.2 (preferably 7.0 to 8.5, particularly preferably 7. 0 to 8.0), and a SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 ] at 25 ° C. of 10.0 to 14.0 (preferably 10.0 to 12.0, particularly preferably 10). It is excellent in the solubility of the compound represented by the above formula (1) to use at least one solvent selected from the solvents in the range of .0 to 11.5), and is represented by the above formula (1). It is preferable in that the heating temperature at the time of dissolving the compound to be dissolved can be suppressed and the viscosity can be easily increased under mild conditions. Since a solvent having an SP value outside the above range has low solubility of the compound represented by the formula (1), the solvent composition for producing an electronic device containing the solvent has a higher temperature at the time of thickening. There is a tendency to require heating.

前記溶剤としては、例えば、n−プロパノール(SP値:11.8)、1,2,5,6−テトラヒドロベンジルアルコール(SP値:11.3)、ジエチレングリコールエチルエーテル(SP値:10.9)、3−メトキシブタノール(SP値:10.9)、トリアセチン(SP値:10.2)、シクロペンタノン(SP値:10.0)、シクロヘキシルアセテート(SP値:9.2)、2−メチルシクロヘキシルアセテート(SP値:9.0)、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート(SP値:9.0)、エチレングリコールメチルエーテルアセテート(SP値:9.0)、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(SP値:8.9)、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(SP値:8.9)、メチルアセテート(SP値:8.8)、エチルアセテート(SP値:8.7)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(SP値:8.7)、n−プロピルアセテート(SP値:8.7)、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(SP値:8.7)、3−メトキシブタノールアセテート(SP値:8.7)、ブチルアセテート(SP値:8.7)、4−t−ブチルシクロヘキシルアセテート(SP値:8.6)、イソプロピルアセテート(SP値:8.5)、テトラヒドロフラン(SP値:8.3)、ジプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル(SP値:8.0)、ジプロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル(SP値:8.0)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(SP値:7.9)、プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル(SP値:7.8)、プロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル(SP値:7.8)、n−デカン(SP値:7.7)、3−メトキシブチルアセテート(SP値:8.7)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(SP値:10.2)等を挙げることができる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   Examples of the solvent include n-propanol (SP value: 11.8), 1,2,5,6-tetrahydrobenzyl alcohol (SP value: 11.3), diethylene glycol ethyl ether (SP value: 10.9). 3-methoxybutanol (SP value: 10.9), triacetin (SP value: 10.2), cyclopentanone (SP value: 10.0), cyclohexyl acetate (SP value: 9.2), 2-methyl Cyclohexyl acetate (SP value: 9.0), diethylene glycol ethyl ether acetate (SP value: 9.0), ethylene glycol methyl ether acetate (SP value: 9.0), diethylene glycol monobutyl ether acetate (SP value: 8.9) , Ethylene glycol monobutyl ether acetate (SP value: 8.9), methyl Acetate (SP value: 8.8), ethyl acetate (SP value: 8.7), propylene glycol monomethyl ether acetate (SP value: 8.7), n-propyl acetate (SP value: 8.7), dipropylene Glycol methyl ether acetate (SP value: 8.7), 3-methoxybutanol acetate (SP value: 8.7), butyl acetate (SP value: 8.7), 4-t-butylcyclohexyl acetate (SP value: 8) .6), isopropyl acetate (SP value: 8.5), tetrahydrofuran (SP value: 8.3), dipropylene glycol methyl-n-butyl ether (SP value: 8.0), dipropylene glycol methyl-n-propyl Ether (SP value: 8.0), dipropylene glycol dimethyl ether (SP value: 7.9), Lopylene glycol methyl-n-butyl ether (SP value: 7.8), propylene glycol methyl-n-propyl ether (SP value: 7.8), n-decane (SP value: 7.7), 3-methoxybutyl acetate (SP value: 8.7), propylene glycol monomethyl ether (SP value: 10.2), and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

化合物(1)と溶剤の組み合わせは、化合物(1)と溶剤が相溶すれば特に制限されないが、最小添加量(最低増粘濃度)の観点から、溶剤の極性が低い(例えば、SP値が7.0〜9.2(cal/cm30.5)場合は、n個のRの少なくとも1つが炭素数が8〜20(特に好ましくは18〜20)の脂肪族炭化水素基である化合物(1)を使用することが好ましい。また、溶剤の極性が高い(例えば、SP値が10.0〜14.0(cal/cm30.5)場合はn個のRの少なくとも1つが炭素数が6〜12(特に好ましくは6〜8)の脂肪族炭化水素基である化合物(1)を使用することが好ましい。The combination of the compound (1) and the solvent is not particularly limited as long as the compound (1) and the solvent are compatible, but from the viewpoint of the minimum addition amount (minimum thickening concentration), the polarity of the solvent is low (for example, the SP value is low). 7.0 to 9.2 (cal / cm 3 ) 0.5 ), a compound in which at least one of n R is an aliphatic hydrocarbon group having 8 to 20 carbon atoms (particularly preferably 18 to 20) ( It is preferable to use 1). Moreover, when the polarity of the solvent is high (for example, the SP value is 10.0 to 14.0 (cal / cm 3 ) 0.5 ), at least one of n R has 6 to 12 carbon atoms (particularly preferably 6 to 12 carbon atoms). It is preferable to use the compound (1) which is an aliphatic hydrocarbon group of 8).

電子デバイス製造用溶剤組成物中の式(1)で表される化合物の含有量(2種以上含有する場合は合計含有量)は、例えば0.1〜50重量%程度、好ましくは0.5〜30重量%、特に好ましくは0.5〜10重量%である。また、電子デバイス製造用溶剤組成物中の式(1)で表される化合物の含有量(2種以上含有する場合は合計含有量)は、溶剤100重量部に対して、例えば0.1〜50重量部程度であり、上限は好ましくは30重量部、特に好ましくは10重量部、最も好ましくは5重量部、下限は好ましくは0.5重量部である。式(1)で表される化合物の含有量が上記範囲を下回ると温度変化によって溶液化する等、ゲル状態を安定的に有するペースト組成物を得ることが困難となり、液ダレにより高精度の配線パターンを形成することが困難となる場合がある。一方、式(1)で表される化合物の含有量が上記範囲を上回ると、式(1)で表される化合物を完全に溶解させることが困難となる場合がある。   The content of the compound represented by the formula (1) in the solvent composition for producing an electronic device (the total content when two or more are contained) is, for example, about 0.1 to 50% by weight, preferably 0.5. -30% by weight, particularly preferably 0.5-10% by weight. In addition, the content of the compound represented by the formula (1) in the solvent composition for manufacturing an electronic device (the total content when two or more are contained) is, for example, 0.1 to 100 parts by weight of the solvent. The upper limit is preferably 30 parts by weight, particularly preferably 10 parts by weight, most preferably 5 parts by weight, and the lower limit is preferably 0.5 parts by weight. When the content of the compound represented by the formula (1) is below the above range, it becomes difficult to obtain a paste composition having a stable gel state, for example, it becomes a solution due to a temperature change. It may be difficult to form a pattern. On the other hand, when the content of the compound represented by formula (1) exceeds the above range, it may be difficult to completely dissolve the compound represented by formula (1).

また、本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物には、上記式(1)で表される化合物以外にも、増粘性を付与する効果を有する他の化合物を含有していてもよいが、本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物に含まれる全ての増粘性を付与する効果を有する化合物(100重量%)における上記式(1)で表される化合物(2種以上含有する場合はその総量)の占める割合は、例えば5重量%以上、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、特に好ましくは50重量%以上、最も好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90重量%以上である。尚、上限は100重量%である。   In addition to the compound represented by the above formula (1), the solvent composition for producing an electronic device of the present invention may contain other compounds having an effect of imparting thickening. Compound represented by the above formula (1) in the compound (100% by weight) having the effect of imparting all thickening properties contained in the solvent composition for producing an electronic device of the invention (when two or more compounds are contained, the total amount) Is, for example, 5% by weight or more, preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, particularly preferably 50% by weight or more, most preferably 80% by weight or more, and further preferably 90% by weight or more. is there. The upper limit is 100% by weight.

電子デバイス製造用溶剤組成物中の溶剤の含有量(2種以上含有する場合は合計含有量)は、例えば10〜99.9重量%程度、好ましくは20〜99.5重量%、特に好ましくは30〜99.5重量%、最も好ましくは40〜99.5重量%である。溶剤の含有量が上記範囲を下回ると、ペースト組成物の粘度が高くなりすぎ、印刷法への適用が困難となる場合がある。一方、溶剤の含有量が上記範囲を上回ると、温度変化によって溶液化する等、ゲル状態を安定的に有するペースト組成物を得ることが困難となり、液ダレにより高精度の配線パターンを形成することが困難となる場合がある。   The content of the solvent in the solvent composition for producing an electronic device (the total content when two or more are contained) is, for example, about 10 to 99.9% by weight, preferably 20 to 99.5% by weight, particularly preferably. 30 to 99.5 wt%, most preferably 40 to 99.5 wt%. When the content of the solvent is below the above range, the viscosity of the paste composition becomes too high, and it may be difficult to apply to the printing method. On the other hand, if the content of the solvent exceeds the above range, it becomes difficult to obtain a paste composition having a stable gel state such as a solution by temperature change, and a highly accurate wiring pattern is formed by liquid dripping. May be difficult.

また、本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物には、その効果を損なわない範囲であれば、上記溶剤以外に他の有機溶剤を添加していてもよい。他の有機溶剤を添加することにより本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物の物性を用途に合わせて調整することができる。他の有機溶剤の添加量としては、電子デバイス製造用溶剤組成物全量の、例えば50重量%未満、好ましくは30重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。他の有機溶剤の含有量が上記範囲を上回ると、上記式(1)で表される化合物の溶解性が低下し、温和な温度における加熱では溶解することが困難となる場合がある。   Moreover, in the electronic device manufacturing solvent composition of the present invention, other organic solvents may be added in addition to the above solvents as long as the effects are not impaired. By adding another organic solvent, the physical properties of the solvent composition for producing an electronic device of the present invention can be adjusted according to the application. The addition amount of the other organic solvent is, for example, less than 50% by weight, preferably 30% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less, based on the total amount of the solvent composition for manufacturing an electronic device. . If the content of the other organic solvent exceeds the above range, the solubility of the compound represented by the above formula (1) decreases, and it may be difficult to dissolve by heating at a mild temperature.

他の有機溶剤としては、例えば、シクロアルキルアルコール、シクロアルキルアセテート、アルキレングリコール、アルキレングリコールジアセテート、アルキレングリコールモノエーテル、アルキレングリコールジアルキルエーテル、アルキレングリコールモノエーテルアセテート、ジアルキレングリコールモノエーテル、ジアルキレングリコールジアルキルエーテル、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、トリアルキレングリコールモノエーテル、トリアルキレングリコールモノエーテルアセテート、テトラヒドロフルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアセテート、テルペン系化合物とその誘導体等を挙げることができる。   Examples of other organic solvents include cycloalkyl alcohol, cycloalkyl acetate, alkylene glycol, alkylene glycol diacetate, alkylene glycol monoether, alkylene glycol dialkyl ether, alkylene glycol monoether acetate, dialkylene glycol monoether, dialkylene glycol. Examples include dialkyl ether, dialkylene glycol monoalkyl ether acetate, trialkylene glycol monoether, trialkylene glycol monoether acetate, tetrahydrofurfuryl alcohol, tetrahydrofurfuryl acetate, terpene compounds and their derivatives.

前記シクロアルキルアルコールとしては、例えば、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロオクチルアルコール、メチルシクロヘキシルアルコール、エチルシクロヘキシルアルコール、プロピルシクロヘキシルアルコール、iso−プロピルシクロヘキシルアルコール、ブチルシクロヘキシルアルコール、iso−ブチルシクロヘキシルアルコール、s−ブチルシクロヘキシルアルコール、t−ブチルシクロヘキシルアルコール、ペンチルシクロヘキシルアルコール等のC1-5アルキル基等の置換基を有していてもよい3員〜15員のシクロアルキルアルコール等を挙げることができる。Examples of the cycloalkyl alcohol include cyclopentanol, cyclohexanol, cyclooctyl alcohol, methyl cyclohexyl alcohol, ethyl cyclohexyl alcohol, propyl cyclohexyl alcohol, iso-propyl cyclohexyl alcohol, butyl cyclohexyl alcohol, iso-butyl cyclohexyl alcohol, s- Examples thereof include a 3- to 15-membered cycloalkyl alcohol optionally having a substituent such as a C 1-5 alkyl group such as butylcyclohexyl alcohol, t-butylcyclohexyl alcohol, and pentylcyclohexyl alcohol.

前記シクロアルキルアセテートとしては、例えば、シクロペンチルアセテート、シクロオクチルアセテート、エチルシクロヘキシルアセテート、プロピルシクロヘキシルアセテート、iso−プロピルシクロヘキシルアセテート、ブチルシクロヘキシルアセテート、iso−ブチルシクロヘキシルアセテート、s−ブチルシクロヘキシルアセテート、ペンチルシクロヘキシルアセテート等のC1-5アルキル基等の置換基を有していてもよい3員〜15員のシクロアルキルアセテート等を挙げることができる。Examples of the cycloalkyl acetate include cyclopentyl acetate, cyclooctyl acetate, ethyl cyclohexyl acetate, propyl cyclohexyl acetate, iso-propyl cyclohexyl acetate, butyl cyclohexyl acetate, iso-butyl cyclohexyl acetate, s-butyl cyclohexyl acetate, pentyl cyclohexyl acetate, and the like. Examples thereof include a 3- to 15-membered cycloalkyl acetate which may have a substituent such as a C 1-5 alkyl group.

前記アルキレングリコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール等を挙げることができる。   Examples of the alkylene glycol include ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, and the like. Can be mentioned.

前記アルキレングリコールジアセテートとしては、例えば、エチレングリコールジアセテート、1,3−プロパンジオールジアセテート、1,3−ブチレングリコールジアセテート、1,5−ペンタンジオールジアセテート、1,6−ヘキサンジオールジアセテート等を挙げることができる。   Examples of the alkylene glycol diacetate include ethylene glycol diacetate, 1,3-propanediol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,5-pentanediol diacetate, and 1,6-hexanediol diacetate. Etc.

前記アルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル等のエチレングリコールモノC1-5アルキルエーテル;プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノペンチルエーテル等のプロピレングリコールモノC1-5アルキルエーテル等を挙げることができる。Examples of the alkylene glycol monoether include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, and other ethylene glycol mono C 1-5 alkyl ethers; propylene Examples include propylene glycol mono C 1-5 alkyl ethers such as glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, and propylene glycol monopentyl ether.

前記アルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールジペンチルエーテル等のエチレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基対称);エチレングリコールエチルメチルエーテル、エチレングリコールメチルプロピルエーテル、エチレングリコールブチルメチルエーテル、エチレングリコールメチルペンチルエーテル、エチレングリコールエチルプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエチルエーテル、エチレングリコールエチルペンチルエーテル、エチレングリコールブチルプロピルエーテル、エチレングリコールプロピルペンチルエーテル、エチレングリコールブチルペンチルエーテル等のエチレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基非対称);プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジペンチルエーテル等のプロピレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基対称);プロピレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルペンチルエーテル、プロピレングリコールエチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエチルエーテル、プロピレングリコールエチルペンチルエーテル、プロピレングリコールブチルプロピルエーテル、プロピレングリコールプロピルペンチルエーテル、プロピレングリコールブチルペンチルエーテル等のプロピレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基非対称)等を挙げることができる。Examples of the alkylene glycol dialkyl ether include ethylene glycol C 1-5 alkyl (straight chain) C 1- such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, and ethylene glycol dipentyl ether. 5 alkyl (straight chain) ether (terminal alkyl group symmetrical); ethylene glycol ethyl methyl ether, ethylene glycol methyl propyl ether, ethylene glycol butyl methyl ether, ethylene glycol methyl pentyl ether, ethylene glycol ethyl propyl ether, ethylene glycol butyl ethyl ether, Ethylene glycol ethyl pentyl ether, ethylene glycol butyl propyl ether Ethylene glycol propyl pentyl ether, ethylene glycol C 1-5 alkyl such as ethylene glycol butyl pentyl ether (linear) C 1-5 alkyl (linear) ether (terminal alkyl group asymmetric); propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, Propylene glycol C 1-5 alkyl (straight chain) C 1-5 alkyl (straight chain) ether (symmetrical terminal alkyl group) such as propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether, propylene glycol dipentyl ether; propylene glycol ethyl methyl ether , Propylene glycol methyl propyl ether, propylene glycol butyl methyl ether, propylene glycol methyl pentyl ether, propylene glycol ether Le propyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol ethyl pentyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol propyl pentyl ether, propylene glycol C 1-5 alkyl such as propylene glycol butyl pentyl ether (linear) C 1-5 Examples thereof include alkyl (straight chain) ether (terminal alkyl group asymmetric).

前記アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノC1-5アルキルエーテルアセテート;プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノC1-5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether acetate include ethylene glycol mono C 1-5 alkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, and ethylene glycol monopentyl ether acetate. A propylene glycol mono C 1-5 alkyl ether acetate such as propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monopentyl ether acetate, etc. (including isomers); ).

前記ジアルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル等のジエチレングリコールモノC1-5アルキルエーテル;ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテル等のジプロピレングリコールモノC1-5アルキルエーテル等を挙げることができる(異性体を含む)。Examples of the dialkylene glycol monoether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol mono C 1-5 alkyl ether such as diethylene glycol monopentyl ether; dipropylene glycol monomethyl ether, Dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol mono C 1-5 alkyl ethers such as dipropylene glycol monopentyl ether, etc. can be mentioned (including isomers). .

前記ジアルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジペンチルエーテル等のジエチレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基対称);ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールプロピルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルペンチルエーテル等のジエチレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキルエーテル(直鎖)(末端アルキル基非対称);ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジペンチルエーテル等のジプロピレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基対称);ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルペンチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルペンチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルペンチルエーテルなどのジプロピレングリコールC1-5アルキル(直鎖)C1-5アルキル(直鎖)エーテル(末端アルキル基非対称、異性体を含む)等を挙げることができる。Examples of the dialkylene glycol dialkyl ether include diethylene glycol C 1-5 alkyl (straight chain) C 1-5 alkyl (straight chain) such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, and diethylene glycol dipentyl ether. ) Ether (symmetrical terminal alkyl group); diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol methyl propyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol methyl pentyl ether, diethylene glycol ethyl propyl ether, diethylene glycol butyl ethyl ether, diethylene glycol ethyl pentyl ether, diethylene glycol Call butyl propyl ether, diethylene glycol propyl pentyl ether, diethylene glycol C 1-5 alkyl (straight chain) C 1-5 alkyl ethers (straight chain) and diethylene glycol butyl pentyl ether (terminal alkyl group asymmetric); dipropylene glycol diethyl ether, di Dipropylene glycol such as propylene glycol dipropyl ether, dipropylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol dipentyl ether, etc. C 1-5 alkyl (straight chain) C 1-5 alkyl (straight chain) ether (symmetrical terminal alkyl group); dipropylene Glycol ethyl methyl ether, dipropylene glycol methyl propyl ether, dipropylene glycol butyl methyl ether, dipropylene glycol methyl pentyl ether, dipro Glycol ethyl propyl ether, dipropylene glycol butyl ether, dipropylene glycol ethyl pentyl ether, dipropylene glycol butyl propyl ether, dipropylene glycol butyl propyl ether, dipropylene glycol C 1-5 alkyl, such as dipropylene glycol propyl pentyl ether (Linear) C 1-5 alkyl (Linear) ether (terminal alkyl group asymmetric, including isomers) and the like can be mentioned.

前記ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノC1-5アルキルエーテルアセテート;ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノC1-5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。Examples of the dialkylene glycol monoalkyl ether acetate include diethylene glycol mono C 1-5 alkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, and diethylene glycol monopentyl ether acetate; Examples thereof include dipropylene glycol mono C 1-5 alkyl ether acetates such as propylene glycol monopropyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate and dipropylene glycol monopentyl ether acetate (including isomers).

前記トリアルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノペンチルエーテル等のトリエチレングリコールモノC1-5アルキルエーテル;トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテル等のトリプロピレングリコールモノC1-5アルキルエーテル等を挙げることができる(異性体を含む)。Examples of the trialkylene glycol monoether include triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monopentyl ether, and the like. 1-5 alkyl ether; tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monopropyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol mono C 1-5 alkyl ether and tripropylene glycol mono-pentyl ether (Including isomers).

前記トリアルキレングリコールモノエーテルアセテートとしては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のトリエチレングリコールモノC1-5アルキルエーテルアセテート;トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のトリプロピレングリコールモノC1-5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。Examples of the trialkylene glycol monoether acetate include triethylene glycol monomethyl ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monopropyl ether acetate, triethylene glycol monobutyl ether acetate, and triethylene glycol monopentyl ether acetate. Triethylene glycol mono C 1-5 alkyl ether acetate; tripropylene glycol monomethyl ether acetate, tripropylene glycol monoethyl ether acetate, tripropylene glycol monopropyl ether acetate, tripropylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol monopentyl ether acetate etc And tripropylene glycol mono C 1-5 alkyl ether acetate (including isomers).

前記テルペン系化合物とその誘導体としては、例えば、ターピネオール、ターピネオールアセテート、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピニルアセテート、ジヒドロターピニルプロピオネート、リモネン、メンタン、メントール等を挙げることができる。   Examples of the terpene compound and derivatives thereof include terpineol, terpineol acetate, dihydroterpineol, dihydroterpinyl acetate, dihydroterpinylpropionate, limonene, menthane, and menthol.

[電子デバイス製造用ペースト組成物]
本発明の電子デバイス製造用ペース組成物は、上記電子デバイス製造用溶剤組成物を30〜90℃(好ましくは40〜80℃)で加熱溶解することにより、溶剤と式(1)で表される化合物を相溶させて、製造することができる。
[Paste composition for manufacturing electronic devices]
The pace composition for producing an electronic device of the present invention is represented by the solvent and the formula (1) by heating and dissolving the solvent composition for producing an electronic device at 30 to 90 ° C. (preferably 40 to 80 ° C.). The compound can be made to be compatible with each other.

加熱溶解に要する時間としては、例えば3〜60分間程度(好ましくは10〜30分間)である。   The time required for heating and dissolving is, for example, about 3 to 60 minutes (preferably 10 to 30 minutes).

加熱溶解後は室温(例えば、25℃以下)にまで冷却することが好ましく、室温で徐々に冷却してもよいし、氷冷等により急速冷却してもよい。   It is preferable to cool to room temperature (for example, 25 degrees C or less) after heat-dissolution, you may cool gradually at room temperature, and may cool rapidly by ice cooling etc.

本発明の電子デバイス製造用ペースト組成物には、更に、導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料を添加することが、電気特性を付与することができる点で好ましい。導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料の含有量としては、電子デバイス製造用ペースト組成物全量(100重量%)の0.1〜90重量%程度である。   It is preferable that a conductive metal material, a semiconductor material, a magnetic material, a dielectric material, or an insulating material is further added to the paste composition for manufacturing an electronic device of the present invention in terms of imparting electrical characteristics. The content of the conductive metal material, semiconductor material, magnetic material, dielectric material, or insulating material is about 0.1 to 90% by weight of the total amount (100% by weight) of the electronic device manufacturing paste composition.

前記導電性金属材料、磁性材料としては周知慣用のものを使用することができ、例えば、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、鉄、白金、モリブデン、タングステン、亜鉛、鉛、コバルト、酸化鉄・酸化クロム、フェライト、及びこれらの合金等を挙げることができる。半導体材料としては周知慣用のものを使用することができ、例えば、ペンタセン、フラーレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、金属(銅、インジウム、ガリウム、セレン、砒素、カドミウム、テルル、及びこれらの合金)、シリコン微粒子等を挙げることができる。誘電材料、絶縁材料としては周知慣用のものを使用することができ、例えば、シクロオレフィンポリマー、フッ素樹脂、ブチラール樹脂、ガラス、紙、テフロン(登録商標)等を挙げることができる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   As the conductive metal material and magnetic material, well-known and commonly used materials can be used. For example, gold, silver, copper, nickel, palladium, aluminum, iron, platinum, molybdenum, tungsten, zinc, lead, cobalt, oxidation Examples thereof include iron / chromium oxide, ferrite, and alloys thereof. Known and commonly used semiconductor materials can be used, such as pentacene, fullerene derivatives, polythiophene derivatives, metals (copper, indium, gallium, selenium, arsenic, cadmium, tellurium, and alloys thereof), silicon fine particles, etc. Can be mentioned. As the dielectric material and the insulating material, well-known and customary materials can be used, and examples thereof include cycloolefin polymer, fluororesin, butyral resin, glass, paper, Teflon (registered trademark) and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

また、本発明の電子デバイス製造用ペースト組成物はバインダー樹脂(例えば、アルキルセルロース樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂等)を含有していてもよいが、その含有量としては、電子デバイス製造用ペースト組成物全量(100重量%)の、例えば10重量%以下程度が好ましく、特に好ましくは5重量%以下である。バインダー樹脂の含有量が上記範囲を上回ると、電気特性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を抑制することが困難となる傾向がある。   Moreover, although the paste composition for electronic device manufacture of this invention may contain binder resin (For example, alkyl cellulose resin, polyvinyl acetal resin, an acrylic resin, etc.), as the content, it is paste for electronic device manufacture. The total amount (100% by weight) of the composition is, for example, preferably about 10% by weight or less, particularly preferably 5% by weight or less. When the content of the binder resin exceeds the above range, it tends to be difficult to suppress the deterioration of electrical characteristics, the formation failure of the wiring / coating film, and the occurrence of delamination.

上記製造方法により得られる本発明の電子デバイス製造用ペースト組成物は、印刷法(例えば、スクリーン印刷法)による電子デバイス製造に好適な粘度を有し、その粘度[25℃、せん断速度20(1/s)における]は、例えば0.1〜200Pa・s、好ましくは0.1〜10Pa・sである。   The paste composition for producing an electronic device of the present invention obtained by the above production method has a viscosity suitable for producing an electronic device by a printing method (for example, a screen printing method), and the viscosity [25 ° C., shear rate 20 (1 ] In / s) is, for example, 0.1 to 200 Pa · s, preferably 0.1 to 10 Pa · s.

また、従来のエチルセルロース等の高分子バインダー樹脂により粘度が付与されたペースト組成物に比べて、低温で乾燥、焼成することができ、乾燥・焼成工程における被塗布面部材の軟化、変形を防止することができる。更に、焼成工程を経ても配線・塗膜の中に灰分を残さず、電気特性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を抑制することができる。   In addition, it can be dried and fired at a lower temperature than conventional paste compositions to which a viscosity is imparted by a polymer binder resin such as ethyl cellulose, preventing the coated surface member from being softened or deformed in the drying / firing process. be able to. Furthermore, no ash remains in the wiring / coating film even after the firing step, and it is possible to suppress the deterioration of electrical characteristics, the formation failure of the wiring / coating film, and the occurrence of delamination.

本発明の電子デバイス製造用ペースト組成物を使用すれば、印刷法により、被塗布面部材(例えば、セラミック基板、グリーンシート等)に塗布し、乾燥、焼成工程を経ることにより導電性又は絶縁性に優れた配線、塗膜を形成することができ、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生による歩留まりの低下を防止することができる。従って、本発明の電子デバイス製造用ペースト組成物は、例えば、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、サーミスタ、スピーカ、アクチュエータ、アンテナ、固体酸化物燃料電池(SOFC)等(特に、積層セラミックコンデンサ)の製造用に特に有用である。   If the paste composition for manufacturing an electronic device of the present invention is used, it is applied to a surface member (for example, a ceramic substrate, a green sheet, etc.) by a printing method, dried, and then subjected to a baking process to be conductive or insulating. It is possible to form excellent wiring and coating film, and to prevent a decrease in yield due to poor formation of wiring / coating film and occurrence of delamination. Therefore, the electronic device manufacturing paste composition of the present invention is used, for example, for manufacturing capacitors, inductors, varistors, thermistors, speakers, actuators, antennas, solid oxide fuel cells (SOFC), etc. (especially multilayer ceramic capacitors). It is particularly useful.

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

調製例1(増粘剤(1):1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸テトラヘキシルアミドの合成)
ジムロート冷却管、窒素導入口および滴下ロート、熱電対を備えた100mL4つ口セパラブルフラスコにクロロホルム20mL、ヘキシルアミン3.6g(0.036mol)を仕込んで、系内温度を40℃に設定した。
その後、ピロメリット酸テトラクロリド3g(0.009mol)の10mLクロロホルム溶液を2時間かけて滴下し、更に2時間熟成を行った。
その後、得られた粗液の低沸分をエバポレータにて除去し、メタノールで洗浄し、白色の湿粉を得た。更に得られた湿粉についてCHCl3/CH3OH(70/30(v/v))で再結晶を行い、1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸テトラ(ヘキシルアミド)を3.5g得た(収率:67%)。反応生成物の構造は1H−NMRにより確認した。
また、生成物の蒸発温度は308℃であった。
Preparation Example 1 (Thickener (1): Synthesis of 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid tetrahexylamide)
Chloroform 20 mL and hexylamine 3.6 g (0.036 mol) were charged into a 100 mL four-neck separable flask equipped with a Dimroth condenser, nitrogen inlet and dropping funnel, and thermocouple, and the system temperature was set to 40 ° C.
Thereafter, a 10 mL chloroform solution of 3 g (0.009 mol) of pyromellitic acid tetrachloride was added dropwise over 2 hours, followed by further aging for 2 hours.
Thereafter, the low boiling content of the obtained crude liquid was removed by an evaporator and washed with methanol to obtain a white wet powder. Further, the obtained wet powder was recrystallized with CHCl 3 / CH 3 OH (70/30 (v / v)) to obtain 3.5 g of 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid tetra (hexylamide). Obtained (yield: 67%). The structure of the reaction product was confirmed by 1 H-NMR.
The evaporation temperature of the product was 308 ° C.

調製例2(増粘剤(2):1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸テトラオクチルアミドの合成)
ヘキシルアミンに代えてオクチルアミン4.8g(0.036mol)を使用した以外は調製例1と同様にして、1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸テトラ(オクチルアミド)を3.7g得た(収率:59%)。
生成物の蒸発温度は315℃であった。
Preparation Example 2 (Thickener (2): Synthesis of 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid tetraoctylamide)
3.7 g of 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid tetra (octylamide) was obtained in the same manner as in Preparation Example 1, except that 4.8 g (0.036 mol) of octylamine was used instead of hexylamine. (Yield: 59%).
The product evaporation temperature was 315 ° C.

調製例3(増粘剤(3):1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸ジ2−エチルヘキシルアミドジオレイルアミドの合成)
ジムロート冷却管、窒素導入口および滴下ロート、熱電対を備えた100mL4つ口セパラブルフラスコにピリジン20mL、1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸−1,2:4,5−二無水物3.0g(0.014mol)、オレイルアミン7.4g(0.028mol)を仕込んだ。系内温度を50℃に設定し、3時間熟成した。
その後、2−エチルヘキシルアミン3.6g(0.028mol)、ジイソプロピルカルボジイミド7.0g(0.056mol)を仕込み、更に8時間熟成を行った。
その後、得られた粗液の低沸分をエバポレータにて除去し、メタノールで洗浄し、淡黄色の湿粉を得た。更に得られた湿粉についてCHCl3/CH3OH(70/30(v/v))で再結晶を行い、1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸ジ2−エチルヘキシルアミドジオレイルアミド[1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸−1,4−ジ(2−エチルヘキシルアミド)−2,5−ジ(オレイルアミド)と1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸−1,5−ジ(2−エチルヘキシルアミド)−2,4−ジ(オレイルアミド)の混合物]を5.9g得た(収率:51%)。
生成物の蒸発温度は289℃であった。
Preparation Example 3 (Thickener (3): Synthesis of 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid di-2-ethylhexylamide dioleylamide)
20 mL of pyridine, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid-1,2: 4,5-dianhydride in a 100 mL four-necked separable flask equipped with a Dimroth condenser, nitrogen inlet and dropping funnel, thermocouple 3.0 g (0.014 mol) and 7.4 g (0.028 mol) of oleylamine were charged. The system temperature was set to 50 ° C. and aged for 3 hours.
Thereafter, 3.6 g (0.028 mol) of 2-ethylhexylamine and 7.0 g (0.056 mol) of diisopropylcarbodiimide were added, followed by further aging for 8 hours.
Thereafter, the low boiling content of the obtained crude liquid was removed by an evaporator and washed with methanol to obtain a pale yellow wet powder. Further, the obtained wet powder was recrystallized with CHCl 3 / CH 3 OH (70/30 (v / v)), and 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid di-2-ethylhexylamide dioleylamide [ 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid-1,4-di (2-ethylhexylamide) -2,5-di (oleylamide) and 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid-1, 5.9 g of a mixture of 5-di (2-ethylhexylamide) -2,4-di (oleylamide)] (yield: 51%).
The evaporation temperature of the product was 289 ° C.

調製例4(増粘剤(4):3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸テトラドデシルアミドの合成)
ジムロート冷却管、窒素導入口および滴下ロート、熱伝対を備えた100mL4つ口セパラブルフラスコにCHCl320mL、ドデシルアミン11.4g(0.062mol)を仕込んだ。系内温度を50℃に設定し、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボキシテトラクロリド4.97g(0.011mol)の10mLクロロホルム溶液を0.5時間かけて滴下し、更に4時間熟成を行った。その後、得られた粗液の低沸分をエバポレータにて除去し、メタノールで洗浄し、淡黄色の湿粉を得た。更に得られた湿粉についてCHCl3/CH3OH(70/30(v/v))で再結晶を行い、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸テトラ(ドデシルアミド)を2.4g得た(収率:27%)。
生成物の蒸発温度は188℃であった。
Preparation Example 4 (Thickener (4): Synthesis of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid tetradodecylamide)
A 100 mL four-neck separable flask equipped with a Dimroth condenser, nitrogen inlet and dropping funnel, and thermocouple was charged with 20 mL of CHCl 3 and 11.4 g (0.062 mol) of dodecylamine. The system temperature was set to 50 ° C., and a solution of 3.97 g (0.011 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxytetrachloride in 10 mL of chloroform was added dropwise over 0.5 hours, and further 4 hours. Aged. Thereafter, the low boiling content of the obtained crude liquid was removed by an evaporator and washed with methanol to obtain a pale yellow wet powder. Further, the obtained wet powder was recrystallized with CHCl 3 / CH 3 OH (70/30 (v / v)) to obtain 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid tetra (dodecylamide). 0.4 g was obtained (yield: 27%).
The product evaporation temperature was 188 ° C.

実施例1
調製例1で得られた増粘剤(1)を、溶剤としてのn−デカン(和光純薬工業(株)製)に増粘剤濃度が0.5重量%になるように添加して溶剤組成物(1)を得た。
得られた溶剤組成物(1)を液温80℃で0.5時間加熱溶解し、室温(25℃)まで放冷して、増粘したペースト組成物(1)(粘度:3Pa・s)を得た。
Example 1
The thickener (1) obtained in Preparation Example 1 was added to n-decane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as a solvent so that the thickener concentration was 0.5% by weight. A composition (1) was obtained.
The obtained solvent composition (1) was heated and dissolved at a liquid temperature of 80 ° C. for 0.5 hours, allowed to cool to room temperature (25 ° C.), and thickened paste composition (1) (viscosity: 3 Pa · s). Got.

実施例2〜7、比較例1
下記表1に記載の組成(単位:重量比)に変更した以外は実施例1と同様にして溶剤組成物(2)〜(8)を得、ペースト組成物(2)〜(8)を得た。尚、比較例1では増粘剤に代えて高分子バインダー樹脂であるエチルセルロース(商品名「エトセルSTD200」、日新化成(株)製)を樹脂濃度が5重量%になるように添加し、液温80℃で3時間加熱溶解し、室温(25℃)で放冷して、ペースト組成物を得た。
Examples 2-7, Comparative Example 1
Solvent compositions (2) to (8) were obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition (unit: weight ratio) described in Table 1 was changed, and paste compositions (2) to (8) were obtained. It was. In Comparative Example 1, ethyl cellulose (trade name “Etocel STD200”, manufactured by Nisshin Kasei Co., Ltd.), which is a polymer binder resin, was added in place of the thickener so that the resin concentration was 5% by weight. The mixture was dissolved by heating at a temperature of 80 ° C. for 3 hours and allowed to cool at room temperature (25 ° C.) to obtain a paste composition.

<評価>
実施例で及び比較例で得られたペースト組成物について、下記方法により蒸発温度、残留灰分量、及び塗布性について評価した。
蒸発温度及び残留灰分量:
各20mgを、TG−DTAにて20℃から400℃まで10℃/分で昇温測定を行い、温度毎の重量を測定し、蒸発温度(ペースト組成物の蒸発温度は、重量が0.1%以下に減少した時点の温度である)と350℃における残留灰分量(ペースト組成物全量に対する残留灰分の割合)を評価した(図1参照)。
その結果、実施例で得られたペースト組成物は何れも、比較例で得られたペースト組成物より低温で気化した。さらに、比較例で得られたペースト組成物(8)は350℃の加熱を行ってもペースト組成物全体の3.0重量%が灰分として残ったのに対し、実施例で得られたペースト組成物の残留灰分はペースト組成物全体の0.5重量%以下であった。
塗布性:
「LS−150型TVスクリーン印刷機」(ニューロング精密工業(株)製)を用い、塗布できたものを「○」、塗布できなかったものを「×」とした。
結果を下記表にまとめて示す。
<Evaluation>
About the paste composition obtained by the Example and the comparative example, the evaporation temperature, the residual ash content, and the applicability | paintability were evaluated by the following method.
Evaporation temperature and residual ash content:
For each 20 mg, the temperature was measured from 20 ° C. to 400 ° C. at 10 ° C./min with TG-DTA, the weight at each temperature was measured, and the evaporation temperature (the evaporation temperature of the paste composition was 0.1 wt. And the amount of residual ash at 350 ° C. (the ratio of residual ash to the total paste composition) was evaluated (see FIG. 1).
As a result, all the paste compositions obtained in the examples were vaporized at a lower temperature than the paste compositions obtained in the comparative examples. Furthermore, the paste composition (8) obtained in the comparative example remained as ash in 3.0% by weight of the entire paste composition even when heated at 350 ° C., whereas the paste composition obtained in the example The residual ash content of the product was 0.5% by weight or less of the entire paste composition.
Applicability:
Using an “LS-150 type TV screen printer” (manufactured by Neurong Seimitsu Kogyo Co., Ltd.), those that could be applied were indicated by “◯” and those that could not be applied were indicated by “X”.
The results are summarized in the following table.

Figure 0006453765
Figure 0006453765

表1中の略号は以下の通りである。
増粘剤
1:1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸テトラヘキシルアミド
2:1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸テトラオクチルアミド
3:1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸ジ2−エチルヘキシルアミドジオレイルアミド
4:3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸テトラドデシルアミド
樹脂
EC200:エチルセルロース、商品名「エトセルSTD200」(日新化成(株)製)
溶剤
decane:n−デカン(和光純薬工業(株)製、SP値:7.7)
PMNB:プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル((株)ダイセル製、SP値:7.8)
MB:3−メトキシブタノール((株)ダイセル製、SP値:10.9)
Abbreviations in Table 1 are as follows.
Thickener 1: 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid tetrahexylamide 2: 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid tetraoctylamide 3: 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic Acid di-2-ethylhexylamide dioleylamide 4: 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid tetradodecylamide resin EC200: ethyl cellulose, trade name “Etocel STD200” (manufactured by Nisshin Kasei Co., Ltd.)
Solvent decane: n-decane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., SP value: 7.7)
PMNB: Propylene glycol methyl-n-butyl ether (manufactured by Daicel Corporation, SP value: 7.8)
MB: 3-methoxybutanol (manufactured by Daicel Corporation, SP value: 10.9)

本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物は、加熱溶解することにより、印刷法による配線・塗膜の形成に適した粘度を有するペースト組成物を形成することができる。前記ペースト組成物を使用すると、液ダレしにくく高精度の配線パターンを形成することができる。また、乾燥・焼成工程において、低温で乾燥・焼成することができ、被塗布面部材が高温に長時間曝されることにより軟化、変形することを防止できる。更に、焼成工程を経ても配線・塗膜中に灰分の残留や揮発分の発生を著しく低減することができ、これらにより引き起こされていた電気特性の低下、配線・塗膜の形成不良やデラミネーションの発生を抑制することができる。従って、本発明の電子デバイス製造用溶剤組成物は、各印刷法により微細パターンを精度良く形成することができ、配線・塗膜の形成不良や層間剥離等により歩留まりが低下する問題を解消することができるため、電気特性に優れた配線、塗膜を形成するペースト組成物の原料として極めて有用である。   The solvent composition for producing an electronic device of the present invention can form a paste composition having a viscosity suitable for formation of a wiring / coating film by a printing method by heating and dissolving. When the paste composition is used, a highly accurate wiring pattern can be formed which is difficult to drip. Further, in the drying / firing step, drying and firing can be performed at a low temperature, and the coated surface member can be prevented from being softened and deformed by being exposed to a high temperature for a long time. In addition, the ash residue and volatile matter in the wiring / coating film can be remarkably reduced even after the firing process, resulting in the deterioration of electrical characteristics, wiring / coating film formation defects and delamination. Can be suppressed. Therefore, the solvent composition for manufacturing an electronic device of the present invention can form a fine pattern with high accuracy by each printing method, and solves the problem that the yield decreases due to poor formation of wiring / coating film or delamination. Therefore, it is extremely useful as a raw material for a paste composition for forming a wiring or coating film having excellent electrical characteristics.

Claims (9)

印刷法を用いて電子デバイスを製造するための溶剤組成物であって、溶剤と下記式(1)
Figure 0006453765
(式中、環Zはベンゼン、ベンゾフェノン、ビフェニル、及びナフタレンから選択される環を示し、Rは炭素数6以上の脂肪族炭化水素基を示す。nは3以上の整数を示す。n個のRは同一であってもよく、異なっていてもよい)
で表される化合物を含む電子デバイス製造用溶剤組成物。
A solvent composition for producing an electronic device using a printing method, wherein the solvent and the following formula (1)
Figure 0006453765
(In the formula, ring Z represents a ring selected from benzene, benzophenone, biphenyl, and naphthalene, R represents an aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, and n represents an integer of 3 or more. R may be the same or different)
The solvent composition for electronic device manufacture containing the compound represented by these.
式(1)中のRが、炭素数6〜20の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基若しくはアルキニル基である請求項1に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。   2. The solvent composition for producing an electronic device according to claim 1, wherein R in the formula (1) is a linear or branched alkyl group, alkenyl group, or alkynyl group having 6 to 20 carbon atoms. 溶剤が、25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が7.0〜9.2の範囲にある溶剤、及び25℃におけるSP値[(cal/cm30.5]が10.0〜14.0の範囲にある溶剤から選択される少なくとも1種の溶剤である請求項1又は2に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。The solvent has a SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 ] at 25 ° C. in the range of 7.0 to 9.2, and an SP value [(cal / cm 3 ) 0.5 ] at 25 ° C. of 10.0. The solvent composition for producing an electronic device according to claim 1, wherein the solvent composition is at least one solvent selected from solvents in the range of ˜14.0. 溶剤が、n−デカン、プロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル、シクロヘキシルアセテート、2−メチルシクロヘキシルアセテート、4−t−ブチルシクロヘキシルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、3−メトキシブタノール、及び1,2,5,6−テトラヒドロベンジルアルコールから選択される少なくとも1つである請求項1〜3の何れか1項に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。   Solvent is n-decane, propylene glycol methyl-n-propyl ether, propylene glycol methyl-n-butyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl-n-propyl ether, dipropylene glycol methyl-n-butyl ether, cyclohexyl acetate 2-methylcyclohexyl acetate, 4-t-butylcyclohexyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, 3-methoxybutanol, and 1,2,5 The at least one selected from 1,6-tetrahydrobenzyl alcohol. Electronic device manufacturing solvent composition. 式(1)で表される化合物の含有量が、電子デバイス製造用溶剤組成物全体の0.1〜50重量%である請求項1〜4の何れか1項に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物。   Content of the compound represented by Formula (1) is 0.1 to 50 weight% of the whole solvent composition for electronic device manufacture, The solvent for electronic device manufacture of any one of Claims 1-4 Composition. 請求項1〜5の何れか1項に記載の電子デバイス製造用溶剤組成物を30〜90℃で加熱溶解することを特徴とする電子デバイス製造用ペースト組成物の製造方法。   The manufacturing method of the paste composition for electronic device manufacture characterized by heat-dissolving the solvent composition for electronic device manufacture of any one of Claims 1-5 at 30-90 degreeC. 請求項6に記載の電子デバイス製造用ペースト組成物の製造方法により得られる電子デバイス製造用ペースト組成物。   The paste composition for electronic device manufacture obtained by the manufacturing method of the paste composition for electronic device manufacture of Claim 6. 更に、導電性金属材料、半導体材料、磁性材料、誘電材料、又は絶縁材料を含む請求項7に記載の電子デバイス製造用ペースト組成物。   The paste composition for manufacturing an electronic device according to claim 7, further comprising a conductive metal material, a semiconductor material, a magnetic material, a dielectric material, or an insulating material. バインダー樹脂の含有量が10重量%以下である請求項7又は8に記載の電子デバイス製造用ペースト組成物。   The paste composition for manufacturing an electronic device according to claim 7 or 8, wherein the content of the binder resin is 10% by weight or less.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3168209B1 (en) 2014-07-07 2019-12-11 Daicel Corporation Thickening/stabilizing agent and thickened/stabilized composition using the same
JP2018095661A (en) * 2015-04-02 2018-06-21 株式会社ダイセル Solvent composition for manufacturing electric device
JP6921669B2 (en) * 2016-08-05 2021-08-18 花王株式会社 Three-dimensional object precursor treatment agent composition
ES2937741T3 (en) 2016-08-05 2023-03-30 Kao Corp Composition for treating a three-dimensional object precursor
CN112133469B (en) * 2020-09-28 2022-03-11 长春黄金研究院有限公司 Mixed organic solvent for preparing high-temperature sintering conductive slurry
JP7205705B2 (en) * 2021-03-05 2023-01-17 株式会社リコー Modeling liquid and manufacturing method of modeled object

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284814A (en) * 1997-03-31 1998-10-23 Kawaguchiko Seimitsu Kk Circuit pattern and its formation
JP2006299030A (en) 2005-04-19 2006-11-02 Sekisui Chem Co Ltd Vehicle for coating paste, and coating paste
JP5401644B2 (en) * 2007-12-28 2014-01-29 新日本理化株式会社 Novel organogelator
US8178192B2 (en) * 2008-03-06 2012-05-15 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic green sheet, ceramic green sheet laminate, production method of ceramic green sheet, and production method of ceramic green sheet laminate
JP2012077195A (en) * 2010-10-01 2012-04-19 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Method for adjusting viscosity of fluid organic substance, and viscosity adjusting agent for the same
JP5940790B2 (en) * 2010-10-26 2016-06-29 株式会社ダイセル Solvent for printing or solvent composition
JP5733612B2 (en) * 2011-03-08 2015-06-10 国立大学法人信州大学 Material for organic semiconductor thin film, method of forming organic semiconductor thin film using the material, and organic thin film transistor
CN103874741B (en) * 2011-09-23 2017-06-16 SynOil流体控股有限公司 A kind of down-hole liquid and its preparation method and application
WO2014057846A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 株式会社ダイセル Solvent composition for manufacturing electric device
US9464036B2 (en) * 2013-02-08 2016-10-11 Daicel Corporation Thickening stabilizer, and thickening/stabilizing composition using the same
WO2014208380A1 (en) * 2013-06-25 2014-12-31 株式会社ダイセル Thickening agent and composition thickened using same

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