JP6445978B2 - イメージング検出器 - Google Patents

Description

本発明は、概してイメージング検出器に関し、特に高解像度及び／又はスペクトル弁別イメージング検出器に関し、コンピュータトモグラフィ（ＣＴ）に関連して記述される。しかしながら、本発明は、他のイメージングモダリティにも受け入れられる。

コンピュータトモグラフィ（ＣＴ）スキャナは、概して、ｚ軸を中心に検査領域のまわりを回転する回転可能なガントリに取り付けられたＸ線管を有する。Ｘ線管は放射線を放出し、放出された放射線は、検査領域及びそこに位置付けられる被検体又は対象を横切る。検出器アレイは、検査領域をはさんでＸ線管と反対側において円弧をなし、検査領域を横切る放射線を検出し、検出された放射線を示す信号を生成する。再構成器が、前記信号を処理し、スキャニング中、検査領域及び被検体又は対象の一部を示すボリュメトリック画像データを再構成する。

検出効率がより高い解像度と引きかえにトレードオフされるという点で、高解像度及び低線量イメージングの「現実の」検出器実現に関する事項は相反する。例えば、検出器装置は、非活性（又は非感光性）の領域によって隔てられる検出器ピクセルのアレイを有する。各々の検出器ピクセルは、その上に当たる光子を検出する活性（又は感光性）領域を有する。検出器アレイの面積の割合としての幾何学的な効率は、活性及び非活性領域の両方を含む検出器アレイの面積によって除算される、活性領域の面積の和として規定されることができる。

解像度を高めるために、静的な検出器アレイサイズが与えられている場合、各検出器ピクセルの活性領域の幅が、低減されることができ、これは、所与の静的な静止検出器アレイサイズにおける検出器ピクセルをより小さくする。しかしながら、ピクセル間の最小の固定の離間距離が与えられる場合、個別のピクセルの活性領域の面積を低減することは、非活性領域の面積の割合を増大させる。この活性領域の割合の低減は、検出器の幾何学的な効率を低下させ、ゆえに、解像度と幾何学的な効率との間のトレードオフがある。

少なくとも上述したものに関して、検出効率のより少ない損失及び任意にはより少ない線量を伴って解像度を高める他の検出器構成のまだ解決されていない必要がある。

ここに記述される見地は、上述の問題及び／又はその他に対処する。

１つの見地において、検出器アレイは、３次元ボリュームを規定するキャビティをもつ少なくとも１つの検出器ピクセルを有する。キャビティの表面は、少なくとも２つの感光性領域及びそれらの間の非感光性領域を有し、それにより少なくとも２つのサブピクセルを規定し、少なくとも２つのサブピクセルは、３次元キャビティ内を横切る光子を検出し、それを示す個々の信号を生成する。検出器アレイは更にシンチレータを有し、シンチレータは、キャビティ内に位置する第１のサブ部分を有し、第１のサブ部分は、Ｘ線光子を吸収することに応じて光子を放出する。第１のサブ部分によって放出される光子は、少なくとも２つのサブピクセルの両方によって検出される。

別の見地において、方法は、検出器ピクセルの３次元キャビティに配置されるシンチレータによって放出される光子を検出することを含み、キャビティは、感光性表面を有し、表面の第１のサブ部分は、検出器ピクセルの第１のサブピクセルに対応し、表面の第２の異なるサブ部分は、検出器ピクセルの第２のサブピクセルに対応し、第１及び第２のサブ部分の両方が、シンチレータによって放出される光子を検出する。

別の見地において、方法は、少なくとも１つの検出器ピクセルを有する検出器タイルを得るステップであって、検出器ピクセルが、少なくとも２つの個別の感光性表面をもつ３次元キャビティを有する、ステップと、シンチレータをキャビティ内に配設するステップと、を含む。

本発明は、さまざまな構成要素及び構成要素の取り合わせ並びにさまざまなステップ及びステップの取り合わせの形をとりうる。図面は、好適な実施形態を説明する目的で示されるにすぎず、本発明を制限するものとして解釈されるべきでない。

高解像度及び／又はスペクトルイメージングのために構成される検出器ピクセルをもつ検出器アレイを有する例示のイメージングシステムを示す概略図。 検出器アレイの検出器タイルの複数の行を示す概略図。 検出器アレイの例示の検出器タイルを示す概略図。 検出器アレイの高精細検出器ピクセルの概略上面図。 検出器アレイの高精細検出器ピクセルの、図４のラインＡ−Ａに沿った概略断面図。 活性領域に沿った位置の関数として、検出器ピクセルのサブピクセルの対の出力信号を示す図。 ４つの活性領域をもつ例示の検出器ピクセルを示す図。 ６つの活性領域をもつ例示の検出器ピクセルを示す図。 モノリシックシンチレータを有する検出器アレイのスペクトル検出器ピクセルの、図４のラインＡ−Ａに沿った概略断面図。 複数のスペクトル分離シンチレータを有する検出器アレイのスペクトル検出器ピクセルの、図４のラインＡ−Ａに沿った概略断面図。 検出器アレイの高精細スペクトル検出器ピクセルの、図４のラインＡ−Ａに沿った概略断面図。 平行六面体のキャビティを有する検出器アレイの例示の検出器タイルを示す概略図。 円形底部を有するキャビティを有する検出器アレイの例示の検出器タイルを示す概略図。 例示の方法を示す図。

図１を最初に参照して、コンピュータトモグラフィ（ＣＴ）スキャナのようなイメージングシステム１００が示されている。

イメージングシステム１００は、概して静止したガントリ１０２及び回転ガントリ１０４を有する。回転ガントリ１０４は、ベアリング（図示せず）等によって静止ガントリ１０２によって回転可能に支持され、長手軸又はｚ軸を中心に検査領域１０６のまわりを回転する。Ｘ線管のような放射線源１０８は、回転ガントリ１０４によって支持され、回転ガントリ１０４と共に回転し、放射線を放出する。コリメータ１０９は、放射線をコリメートし、検査領域１０６を横切る円錐形、扇形、くさび又は他の形状の放射線を生成する。

放射線感受性検出器アレイ１１２は、検査領域１０６をはさんで放射線源１０８の反対側に円弧をなして存在し、検査領域１０６を横切る放射線を検出し、それを示す信号を生成し出力する。放射線感受性検出器アレイ１１２は、検出器タイル１１４の１又は複数の行を有する。米国特許第6,510,195号明細書（Chappo他）は、適切な検出器タイルの例を記述しており、参照によってその全体がここに盛り込まれるものとする。任意には、集束又は非集束散乱防止グリッド（ＡＳＧ）が、放射線感受性検出器アレイ１１２と共に用いられることができる。

検出器アレイ１１２のサブ部分の例が、図２に概略的に示されている。この例では、Ｍ行（Ｍは整数である）２０２_１、２０２_２、...、２０２_Ｍ（集合的に行２０２と呼ばれる）が、Ｎ検出器タイル１１４（Ｎは整数である）を有する。行２０２_１は、検出器タイル１１４_１１、１１４_１２、...、１１４_{１（Ｎ−１）}、１１４_１Ｎを有する。行２０２_２は、検出器タイル１１４_２１、１１４_２２、...、１１４_{２（Ｎ−１）}、１１４_２Ｎを有する。行２０２_Ｍは、検出器タイル１１４_Ｍ１、１１４_Ｍ２、...、１１４_{Ｍ（Ｎ−１）}、１１４_ＭＮを有する。Ｎ検出器タイル１１４は、検出器モジュール２０４_１、２０４_２、...、２０４_Ｍにそれぞれ結合され、ｚ軸に沿って互いに平行に、システム１００に配置されるように構成される。

図３は、検出器タイル１１４_ＩＪ（Ｉ及びＪは整数である）の非限定的な例を概略的に示す。図示される検出器タイル１１４_ＩＪの相対的なジオメトリ（すなわち、形状、サイズ、その他）は制限的なものではないことに注意されたい。検出器タイル１１４_ＩＪは、感光層３０８の感光側３０４に光学的に結合されるシンチレータ層３０２を有する。感光層３０８は、非活性（又は非感光性）の領域によって隔てられる複数の活性領域又は感光性ピクセル３０６（明確さのため１つだけが示される）を有する。感光層３０８の非感光側３１０は、ＡＳＩＣ及び／又は他の回路のような読み出しエレクトロニクスを含む基板３１２に電気的に結合される。

１つの例において、感光層３０８及び感光性ピクセル３０６はシリコンであり、感光性ピクセル３０６は、感光層３０８の一部である。感光層３０８の非活性領域は、各々の検出器ピクセルを電気接点に相互接続する電極を有する。基板３１２は、電気接点と電気的に通信可能な、シリコン感光層３０８の非感光性領域に直接結合されるシリコンＡＳＩＣを有することができる。このようなシリコン検出器の非限定的な例は、米国特許出願公開第2009/012114６号明細書（Luhta他）に記述されており、その内容は参照によってここにすべて盛り込まれるものとする。

後で詳しく述べるように、一例において、感光性ピクセル３０６は、３次元（３Ｄ）ボリュームを規定する凹部又はキャビティを有し、凹部又はキャビティは、複数のサブピクセル又は非活性領域によって隔てられる活性領域をもつ３Ｄ表面を有し、シンチレータのサブ部分が、キャビティ内に配置され、その中で放出される光子は、複数のサブピクセルによって３次元的に検出される。キャビティが単一のピクセルしか含まない構成と比べて、このような構成は、高められた解像度を可能にする。加えて、活性領域が２次元である構成と比べて、光収集効率が増大され、これは、線量を低減することを可能にする。更に、複数のサブピクセルが、スペクトルイメージングを可能にする。

図１に戻って、再構成器１１６は、検出器アレイ１１２によって出力される信号を再構成し、ボリュメトリック３次元画像データを生成する。再構成器１１６は、信号を再構成するために、高解像度の、スペクトル分離の、及び／又は他の再構成アルゴリズムを用いることができる。寝台のような被検体支持体１１８が、検査領域１０６において被検体又は対象を支持する。汎用コンピューティングシステムが、オペレータコンソール１２０として機能し、オペレータコンソール１２０は、ディスプレイ及び／又はプリンタのような人間可読の出力装置、及びキーボード及び／又はマウスのような入力装置を有する。コンソール１２０に常駐するソフトウェアは、オペレータが、高解像度及び／又はスペクトルイメージングプロトコル及び／又は再構成アルゴリズムのようなイメージングプロトコル及び／又は再構成アルゴリズムの選択を含むイメージングシステム１００の動作を制御することを可能にする。

図４及び図５を参照して、検出器タイル１１４_ＩＪの例が、概略的に示されている。図４は、検出器タイル１１４_ＩＪの上面図を示し、図５は、図４のラインＡ−Ａに沿った断面を示す。この例において、検出器タイル１１４_ＩＪは、高精細タイルとして構成され、及び／又は高解像度アプリケーションのために構成される。

図示されるように、感光性ピクセル３０６は、複数の感光性側面４０２をもつ３次元の凹部又はキャビティ４００を有する。この構成において、光子は、複数の感光性側面４０２によって、３次元ボリューム内で検出される。この非限定的な例において、感光性ピクセル３０６は、５つの側面４０２を有し、具体的には、底部４０２_１、前部４０２_２、後部４０２_３、左部４０２_４及び右部４０２_５の側面を有し、底部４０２_１側面は、概してｘ−ｚ平面にあり、他の側面は、ｙ方向に延在する。

シンチレータ３０２の第１の又は突出したサブ部分４０４は、キャビティ４００内に存在し、シンチレータ３０２の第２のサブ部分４０６は、キャビティ４００外にある。シンチレータ３０２は、予め形成された突出したサブ部分４０４のアレイを有することができ、各サブ部分は、キャビティ４００の内部のジオメトリに対応するジオメトリを有する。このようなアレイは、光学接着剤等を通じてタイル１１４に設置されることができる。変形例において、個別の予め形成された突出したサブ部分４０４は、個別のキャビティ４００に個別に収容されることができる。別の変形例において、突出したサブ部分４０４は、各々のキャビティ４００に堆積される粉末又はスラリーでありうる。

任意の放射線遮蔽又は阻止材料４０８（例えばタングステン）が、キャビティ４００外の、入射放射線に対向する感光性ピクセル３０６の表面に、位置付けられる。材料４０８は、概して、非活性領域に当たる放射線を阻止し又は減衰する。任意の反射層４０９が、入力放射線に対向するシンチレータ３０２の表面４１０上に位置付けられる。反射層４０９は、キャビティ４００内の光子を、キャビティ４００内へ戻すように及び感光性領域へ向けるように反射する。反射層４０９は、コーティング、フィルム等でありうる。適切な反射層４０９の例は、白色塗料、ミラー、その他を含むが、これに限定されるものではない。

キャビティ４００は、より多い又はより少ない側面を有することができ、側面４０２の形状、底部側面４０２１に対する角度等及び／又は互いに対する側面４０２の方向が、異なっていてもよいことが理解されるべきである。例えば、底部側面４０２１は、代替として、円形、三角形、六角形、八角形又は他の形状の底部であってもよく、及び底部側面４０２１から垂直に及び／又は或る角度で延びる１、３、６、８又は他の数の側面があってもよい。

この例において、感光性ピクセル３０６は、ｘ方向に沿って互いに隣り合って配置される２つの別個の活性領域又はサブピクセル３０６_１及び３０６_２を有し、２つの別個のサブピクセルは、それら両方が第１のサブ部分４０４によって放出される光子を検出するという点で、シンチレータ３０２の第１のサブ部分４０４を共有する。非感光性領域４１２は、２つの別個のサブピクセル３０６_１と３０６_２との間に存在し、この例ではｚ方向に沿って延在する。しかしながら、非感光性領域４１２の１又は複数が、ｘ方向に沿って延在し、又はｘ−ｚ平面内で或る角度をなして延在しうる。電気接点４１４_１及び４１４_２は、２つの別個のサブピクセル３０６_１及び３０６_２から読み出しエレクトロニクス（明確さのため表示されない）まで、それぞれ信号をルーティングする。

図６に移って、ｘ方向に沿って図５において左から右に移動するサブピクセル３０６_１及び３０６_２の各々の出力が、表示される。図６において、ｘ軸６０２は位置を表し、ｙ軸６０４は出力レベルを表す。第１の曲線６０６は、サブピクセル３０６１の出力を表し、第２の曲線６０８は、サブピクセル３０６２の出力を表す。図示されるように、２つのサブピクセルピクセル３０６_１及び３０６_２は、それらがシンチレータ３０２の共通の第１のサブ部分４０４を共有するにもかかわらず、異なる出力信号を生成する。従って、非感光性領域４１２が省かれ及びピクセル３０６が単一の出力信号を生成する構成と比べて、検出器ピクセル３０６は、より高解像度のデータを生成する。

次に図７を参照して、感光性ピクセル３０６が、非感光性領域４１２_１及び４１２_２によって隔てられた４つの別個のサブピクセル７０２_１、７０２_２、７０２_３及び７０２_４を有し、４つの別個のサブピクセルが、キャビティ４００内のシンチレータ３０２の第１のサブ部分４０４を共有する例が、概略的に示されている。図８は、感光性ピクセル３０６が、３つの非感光性領域４１２_１、４１２_２及び４１２_３によって隔てられた６つの別個のサブピクセル８０２_１、８０２_２、８０２_３、８０２_４、８０２_５及び８０２_６を有し、６つの別個のサブピクセルがキャビティ４００内のシンチレータ３０２の第１のサブ部分４０４を共有する例を概略的に示す。他の数のサブピクセル及び／又は非感光性領域の他の構成が更にここで企図される。

図９は、検出器タイル１１４_ＩＪの別の例を概略的に示す。この例において、感光性ピクセル３０６は、２つの別個のサブピクセル３０６_１及び３０６_２を同様に有する。しかしながら、サブピクセル３０６_１及び３０６_２は、ｙ方向に積層化されており、この例では、サブピクセル３０６_１が、入射放射線により近い。非感光性領域９００が、２つの別個のサブピクセル３０６_１と３０６_２との間に同様に存在する。スルーシリコンバイア（ＴＳＶ）のようなバイア９０２が、サブピクセル３０６_１によって生成された信号をサブピクセル３０６_２を通じて電気接点４１４_２にルーティングする導電性電極を有し、電気接点は、読み出しエレクトロニクスと電気的に通信する。

感光性ピクセル３０６の２又はそれ以上の積層化されたサブピクセルが、シンチレータ３０２の第１のサブ部分４０４を共有し、入射放射線により近いサブピクセル（この例ではサブピクセル３０６_１）が、シンチレータ３０２の上側領域９０４により近いほうで吸収されるより低いエネルギーの光子を検出するために使用されることができ、入射放射線からより遠いサブピクセル（この例ではサブピクセル３０６_２）が、シンチレータ３０２の上側領域９０４を通ってシンチレータ３０２の下側領域９０６により近いほうで吸収されるより高いエネルギーの光子を検出するために使用されることができる。

このような構成は、スペクトルイメージングを可能にする。非感光性領域９００をそれらの間に有するサブピクセルのより多くの層を含むことによって、スペクトル分離が、増大されることができる。更に、サブピクセルのそれぞれの異なる層から信号は、非スペクトルスキャナに対応するデータを生成するために、組み合わせられることができる。明確さのために、図５からのさまざまなコンポーネントが図９には標識化されていないことに注意されたい。更に、任意のシールド４０８及び任意の反射層４０９が、明確さのために省かれている。

図１０は、検出器タイル１１４_ＩＪの別の例を概略的に示す。（図９に示されるモノリシックシンチレータ３０２に代わって、）それぞれ異なるシンチレーション材料を含む別々のシンチレータ１００_２及び１００_４が、各々の検出されるエネルギーレベルについて使用されることを除き、検出器タイル１１４_ＩＪのこの例は、図９に関連して記述したものとほぼ同様である。２つの別々のシンチレータ１００_２及び１００_４が、図１０に示されているが、検出器タイル１１４_ＩＪは、２より多くの別々のシンチレータを有することができることが理解されるべきである。反射層（図示せず）が、シンチレータ１００_２と１００_４との間に付加されることができる。

図１１は、図５及び図９の組み合わせである検出器タイル１１４_ＩＪの別の例を示す。この例において、上層は、サブピクセル１１０２_１ａ及び１１０２_１ｂを有し、下層は、サブピクセル１１０４_１ａ及び１１００_２ｂを有する。この例の場合、より高解像度のスペクトルイメージングデータが達成されることができる。

図１２は、キャビティ４００及びその中のシンチレータ部分３０２が矩形である実施形態を示す。図１３は、キャビティ４００が円形の底部１３００を有する実施形態を示す。

図１４は、方法を示す。

ここに記述される方法の工程の順序は制限的でないことが理解されるべきである。従って、他の順序がここで企図される。更に、１又は複数の工程が省かれることができ、及び／又は１又は複数の付加の工程が含められることができる。

工程１４０２において、複数の光検出表面をもつキャビティを有する検出器ピクセルを有する検出器タイルを有する放射線感受性検出器アレイが、取得される。

工程１４０４において、シンチレータが、キャビティのジオメトリに対応するジオメトリを有する突出を含むようにカットされる。シンチレータは、突出を生成するように、鋸、ホットワイヤ等によりカットされることができる。

工程１４０６において、突出がキャビティ内にあるように、カットされたシンチレータが検出器タイル上に配置される。糊、テープ等の光学接着剤が、シンチレータと検出器ピクセルとを結合するために利用されることができる。

工程１４０８において、シンチレータの、検出器タイルが取り付けられる側と反対の側が、薄くされる。これは、研摩を通じて又は他のやり方で達成されることができる。

工程１４１０において、任意には、反射層が、シンチレータの薄くされた側に付与されることができる。

ここに記述されたように、シンチレータは、代替として、粉末の形で又は結合剤と混合された粉末の形で凹部に与えられることができる。

本発明は、好適な実施形態を参照して記述された。変更例及び変形例が、上述の詳細な説明を読み理解することにより当業者に思いつくであろう。本発明は、すべてのそのような変更例及び変形例が添付の請求項又はそれらと等価なものの範囲内にある限り、それらの変更例及び変形例を含むように構成されることが意図される。

Claims (15)

1. ３次元ボリュームを規定するキャビティを有する少なくとも１つの検出器ピクセルであって、前記キャビティの、互いにある角度をなして配された複数の感光性表面が、少なくとも２つの感光性領域及びそれらの間の非感光性領域を有し、それにより少なくとも２つのサブピクセルを規定し、１の感光性領域が、互いに角度をなす少なくとも２の感光性表面を有し、かつ、１のサブピクセルを規定し、前記少なくとも２つのサブピクセルの各々が個別に、３次元のキャビティ内を横切る光子を検出し、それを示す個々の信号を生成する、検出器ピクセルと、
   第１のサブ部分を含むシンチレータであって、前記第１のサブ部分が、前記キャビティ内に位置し、Ｘ線光子の吸収に応じて光子を放出し、前記第１のサブ部分によって放出される光子が、前記少なくとも２つのサブピクセルによって検出される、シンチレータと、
   を有する検出器アレイ。
2. 前記少なくとも２つの感光性領域は、入射放射線の方向に対し横断する方向に沿って互い対して配され、前記シンチレータの第１のサブ部分を共有し、それぞれ異なる検出器信号を出力する、請求項１に記載の検出器アレイ。
3. 前記少なくとも２つの感光性領域のうち第１の感光性領域によって生成される第１の電気信号を、読み出しエレクトロニクスにルーティングする第１の電気接点と、
   前記少なくとも２つの感光性領域のうち第２の感光性領域によって生成される第２の電気信号を、前記読み出しエレクトロニクスにルーティングする第２の電気接点と、
   を有する、請求項２に記載の検出器アレイ。
4. 前記第１及び前記第２の電気信号の各々が別々に再構成される、請求項３に記載の検出器アレイ。
5. 前記検出器ピクセルが高解像度検出器ピクセルである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出器アレイ。
6. 前記少なくとも２つの感光性領域が、入射放射線の方向において積層化され、前記検出器アレイが、前記少なくとも２つのサブピクセルの間に配される非感光性材料を有し、前記少なくとも２つの感光性領域は、前記シンチレータの第１のサブ部分を共有し、各々が異なる検出器信号を出力する、請求項１に記載の検出器アレイ。
7. 前記少なくとも２つの感光性領域の両方が、前記シンチレータの第１のサブ部分によるＸ線光子の吸収に応じて前記シンチレータの第１のサブ部分によって放出された光子を検出する、請求項６に記載の検出器アレイ。
8. 前記少なくとも２つの感光性領域のうち一方は、主に第１のエネルギーの光子を検出し、前記少なくとも２つの感光性領域のうち他方は、主に第２のエネルギーの光子を検出し、前記第１及び前記第２のエネルギーはそれぞれ異なるエネルギーである、請求項６又は７に記載の検出器アレイ。
9. 前記シンチレータの第１のサブ部分がモノリシックである、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の検出器アレイ。
10. 前記シンチレータの第１のサブ部分は、積層化された複数のスペクトル分離サブシンチレータを有する、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の検出器アレイ。
11. 入射放射線に近いほうに位置する感光性領域によって生成される第１の電気信号を、入射放射線から遠いほうの感光性領域を通じて、第１の電気接点にルーティングする電極であって、前記第１の電気接点は、前記第１の電気信号を読み出しエレクトロニクスにルーティングする、電極と、
    入射放射線から遠いほうの感光性領域によって生成される第２の電気信号を、前記読み出しエレクトロニクスにルーティングする第２の電気接点と、
    を更に有する、請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の検出器アレイ。
12. 前記感光性領域は、横方向に沿って配される感光性領域の第１の対及び横方向に沿って配される感光性領域の第２の対を含む少なくとも４つの感光性領域を有し、
    前記感光性領域の第１及び第２の対は、入射放射線の方向に沿って、互いに対し積層化され、
    前記検出器アレイが、感光性領域の第１の対の間に配される第１の非感光性材料と、感光性領域の第１及び第２の対の間に配される第２の非感光性材料と、を更に有する、請求項１又は２に記載の検出器アレイ。
13. 前記シンチレータの第１のサブ部分は、前記キャビティのジオメトリを有する予め形成されたサブ部分であり、又は前記キャビティ内に存在する粉体又はスラリーである、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の検出器アレイ。
14. 検出器ピクセルの３次元キャビティに配されるシンチレータによって放出される光子を検出するステップを含み、前記３次元キャビティは、互いにある角度をなして配された複数の感光性表面を有し、前記感光性表面の第１のサブ部分が、互いに角度をなす少なくとも２の感光性表面を有し、かつ、前記検出器ピクセルの第１のサブピクセルに対応し、前記感光性表面の第２の異なるサブ部分が、互いに角度をなす少なくとも２の感光性表面を有し、かつ、前記検出器ピクセルの第２のサブピクセルに対応し、前記第１及び前記第２のサブ部分が個別に、前記シンチレータによって放出される光子を検出する、方法。
15. 前記第１及び前記第２のサブ部分は、入射放射線の方向において積層化され、又は入射放射線の方向を横切る方向に沿って互いに隣り合うよう配される、請求項１４に記載の方法。

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