JP6440727B2 - 集積化ガスセンサ及びそれに関連する製造方法 - Google Patents
集積化ガスセンサ及びそれに関連する製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6440727B2 JP6440727B2 JP2016553728A JP2016553728A JP6440727B2 JP 6440727 B2 JP6440727 B2 JP 6440727B2 JP 2016553728 A JP2016553728 A JP 2016553728A JP 2016553728 A JP2016553728 A JP 2016553728A JP 6440727 B2 JP6440727 B2 JP 6440727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated
- gas sensor
- gas
- sensing element
- integrated gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
以下に詳細に説明するように、本解決(solution)に係る一実施形態は、主として標準的なCMOSプロセス工程及び材料を用い、特に、典型的なCMOS集積化構造の配線層(積層された金属層と誘電体層)の内部に集積化ガスセンサを設ける製造方法を考える。特に、以下に詳細に説明するように、本解決の一態様は、標準的なCMOSプロセスと、特にvHF(蒸気フッ化水素酸)による付加的なエッチング後プロセスとを用いる使用法とする。
Claims (16)
- ガス検知素子(21)を有する集積化ガスセンサ(1)であって、
半導体材料を含む基板(2)と、
前記基板(2)の上方に配置され、積層された複数の導電層(9、10、11)及び複数の誘電体層(13)を含む多層配線構造(8)とを備え、
前記ガス検知素子(21)は、前記多層配線構造(8)の内部に集積化されており、
少なくとも1つの電極(22a、22b)は、前記多層配線構造(8)の内部に設けられており、前記ガス検知素子(21)と電気的に接続され、且つ前記ガス検知素子(21)に加熱を生じさせるために、該ガス検知素子(21)に電流(IOX)を供給するように設計されており、
前記基板(2)の内部に、前記ガス検知素子(21)と動作的に結合された集積化電子回路(4)を含み、
前記集積化電子回路(4)は、少なくとも1つの動作状態において、前記電流(I OX )を前記ガス検知素子(21)に流すように構成され、
前記集積化電子回路(4)は、電源(40)と制御ユニット(42)とを含み、
前記制御ユニット(42)は、前記少なくとも1つの動作状態の間に前記電流(I OX )を前記ガス検知素子(21)に供給するために、前記電源(40)を制御するように構成されることにより、前記ガス検知素子(21)の金属体(21a)の酸化を生じさせることを特徴とする、集積化ガスセンサ。 - 請求項1に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記ガス検知素子(21)は、タングステンからなる金属体(21a)を含む、集積化ガスセンサ。 - 請求項1又は2に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記多層配線構造(8)の内部には、空洞(15)が設けられており、
前記ガス検知素子(21)は、前記空洞(15)の内部に配置されている、集積化ガスセンサ。 - 請求項3に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記ガス検知素子(21)は、前記複数の導電層(9、10、11)のうちの支持導電層(11)に取り付けられ、前記支持導電層(11)は、前記少なくとも1つの電極(22a、22b)をさらに形成し、
少なくとも1つの導電性コラム(24a、24b)は、前記多層配線構造(8)の内部に設けられ、前記少なくとも1つの電極(22a、22b)と電気的に接続され且つ前記少なくとも1つの同じ電極(22a、22b)から前記基板(2)に向かって延びており、
前記少なくとも1つの導電性コラム(24a、24b)は、前記支持導電層(11)の一部の積層体と、個々の前記誘電体層13を貫通するように形成された複数の導電性ビア(14)とを含む、集積化ガスセンサ。 - 請求項4に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記ガス検知素子(21)は、前記複数の導電性ビア(14)の少なくとも1つと同じ層によって実現されている、集積化ガスセンサ。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記ガス検知素子(21)は、長軸を有すると共に、前記長軸を横切る第1の寸法(W1)を持つ複数の側部(61)と、前記長軸を横切り、対応する第2の寸法(W2)を持つ中央部(62)とを含み、
前記第2の寸法(W2)は、前記第1の寸法(W1)をよりも大きく、
前記複数の側部(61)の少なくとも1つは、前記少なくとも1つの電極(22a、22b)と接続されている、集積化ガスセンサ。 - 請求項6に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記ガス検知素子(21)は、前記中央部(62)を前記複数の側部(61)と接続すると共に、前記第1の寸法(W1)から前記第2の寸法(W2)まで増大するテーパ形状を有する過渡部(64)をさらに含む、集積化ガスセンサ。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記制御ユニット(42)は、前記動作状態の発生を決定するように、且つ、その発生に応じて、前記金属体21aの抵抗値(ROX)が酸化閾値に到達するまで徐々に増大する酸化電圧(VOX)を印加することにより、前記金属体21aに酸化を生じさせるように、構成されている、集積化ガスセンサ。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の集積化ガスセンサにおいて、
前記動作状態は、前記集積化ガスセンサ(1)における始動及び最初の電源投入の少なくとも1つに対応し、
前記金属体21aの抵抗値(ROX)は、前もって設定された閾値よりも低い、集積化ガスセンサ。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の集積化ガスセンサ(1)を含む、移動デバイス(70)。
- 請求項10に記載の移動デバイスにおいて、
血中アルコール分測定器、空気質の監視、食料及び/又は飲料の検査、ガス漏れの検知並びに病気検出のための呼気分析器の各機能のうち少なくとも1つの機能を有している、移動デバイス。 - ガス検知素子(21)を有する集積化ガスセンサ(1)の製造方法であって、
半導体材料を含む基板(2)を用意すること、
前記基板(2)の上方に、積層された複数の導電層(9、10、11)及び複数の誘電体層(13)を含む多層配線構造(8)を形成すること、
並びに前記多層配線構造(8)の内部に、前記ガス検知素子(21)と、該ガス検知素子(21)と電気的に接続された少なくとも1つの電極(22a、22b)とを集積化することとを含み、
前記少なくとも1つの電極(22a、22b)は、前記ガス検知素子(21)に加熱を生じさせるために、電流(IOX)を前記ガス検知素子(21)に供給するように設計されており、
前記ガス検知素子(21)を集積化することは、
ウエットエッチング又はvHFエッチング工程で前記誘電体層(13)の一部を除去することにより、前記多層配線構造(8)の内部に空洞(15)を形成すること、
及び前記空洞(15)を形成した後に、前記電流(I OX )を前記少なくとも1つの電極(22a、22b)に印加することにより、前記ガス検知素子(21)の金属体(21a)に酸化を生じさせることを含む、集積化ガスセンサの製造方法。 - 請求項12に記載の集積化ガスセンサの製造方法において、
前記ガス検知素子(21)を集積化することは、
凹部(31)を区画するために、少なくとも1つの前記誘電体層(13)の一部を選択的に除去すること、
前記ガス検知素子(21)の金属体(21a)を前記凹部(31)に充填するために、少なくとも1つの前記誘電体層(13)の上に金属層を形成すること、
前記金属層の上に、積層された前記複数の導電層(9、10、11)のうちの支持導電層(11)を形成し、前記少なくとも1つの電極(22a、22b)を設けるために、前記金属体(21a)と接続される前記支持導電層(11)を区画すること、
及び前記多層配線構造(8)の内部に空洞(15)を形成するために、ウエットエッチング又はvHFエッチングにより、前記金属体(21a)の周囲の前記誘電体層(13)をエッチングすることを含み、
前記ガス検知素子(21)は、前記空洞(15)の内部に配置されると共に、前記支持導電層(11)と接触する、集積化ガスセンサの製造方法。 - 請求項12又は13に記載の集積化ガスセンサの製造方法において、
前記基板(2)を用意することは、
前記基板(2)の内部に前記ガス検知素子(21)と動作的に結合され、且つ、前記電流(IOX)を前記ガス検知素子(21)に流すように構成された集積化電子回路(4)を形成することを含む、集積化ガスセンサの製造方法。 - ガス検知素子(21)を有する集積化ガスセンサ(1)の操作方法であって、
前記ガス検知素子(21)は、
半導体材料を含む基板(2)と、
前記基板(2)の上方に配置され、積層された複数の導電層(9、10、11)及び複数の誘電体層(13)を含む多層配線構造(8)とを備え、
前記ガス検知素子(21)は、前記多層配線構造(8)の内部に集積化されており、
少なくとも1つの電極(22a、22b)は、前記多層配線構造(8)の内部に設けられており、前記ガス検知素子(21)と電気的に接続され、且つ前記ガス検知素子(21)に加熱を生じさせるために、該ガス検知素子(21)に電流(IOX)を供給するように設計されており、
前記集積化ガスセンサ(1)の最初の動作において、前記少なくとも1つの電極(22a、22b)に前記電流(IOX)を印加することによって、前記集積化ガスセンサ(1)における前記ガス検知素子(21)に酸化を生じさせることを特徴とする、ガス検知方法。 - 請求項15に記載の集積化ガスセンサの操作方法において、
前記集積化ガスセンサ(1)を製造した後に、その場で実行される、ガス検知方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361903073P | 2013-11-12 | 2013-11-12 | |
US61/903,073 | 2013-11-12 | ||
PCT/EP2014/074420 WO2015071337A1 (en) | 2013-11-12 | 2014-11-12 | Integrated gas sensor and related manufacturing process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016537654A JP2016537654A (ja) | 2016-12-01 |
JP6440727B2 true JP6440727B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=51871085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016553728A Expired - Fee Related JP6440727B2 (ja) | 2013-11-12 | 2014-11-12 | 集積化ガスセンサ及びそれに関連する製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160290946A1 (ja) |
EP (1) | EP3069130B1 (ja) |
JP (1) | JP6440727B2 (ja) |
KR (1) | KR20160106567A (ja) |
CN (1) | CN106030297B (ja) |
WO (1) | WO2015071337A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016088099A1 (en) | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Lfoundry S.R.L. | Cmos process for manufacturing an integrated gas sensor and corresponding cmos integrated gas sensor |
EP3144669A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-22 | IDT Europe GmbH | A single gas sensor for sensing different gases and a method using the gas sensor |
GB2542801A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | Cambridge Cmos Sensors Ltd | Micro gas sensor with a gas permeable region |
US10429330B2 (en) * | 2016-07-18 | 2019-10-01 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Gas analyzer that detects gases, humidity, and temperature |
US10254261B2 (en) * | 2016-07-18 | 2019-04-09 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Integrated air quality sensor that detects multiple gas species |
KR101853296B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2018-04-30 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 센서 패키지 및 마이크로 센서 패키지 제조방법 |
US10557812B2 (en) | 2016-12-01 | 2020-02-11 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Gas sensors |
CN107884443A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-04-06 | 余帝乾 | 一种气体传感器 |
CN107879310A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-04-06 | 余帝乾 | 一种多功能集成叠层传感器 |
CN107860870A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-30 | 余帝乾 | 一种室温阵列气体传感器 |
CN107860794A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-30 | 余帝乾 | 一种气体传感器封装结构 |
KR102517270B1 (ko) * | 2018-01-02 | 2023-04-03 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 및 그의 제어방법 |
US11486851B2 (en) * | 2018-09-18 | 2022-11-01 | Ams Ag | Electrochemical gas sensors |
TWI684759B (zh) * | 2018-12-20 | 2020-02-11 | 新唐科技股份有限公司 | 電阻整合式氣體感測器 |
CN109467044B (zh) * | 2018-12-29 | 2024-04-19 | 南京潇澳酒业有限公司 | 单片集成的cmos加mems的微加热器及制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4197089A (en) * | 1975-12-22 | 1980-04-08 | Ambac Industries, Incorporated | Reducing gas sensor |
JPH0726927B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1995-03-29 | 新コスモス電機株式会社 | におい検知素子 |
JPH041563A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オゾン検知素子およびその製造法 |
JP2006226860A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Ltd | セラミックスセンサおよびその製造方法 |
US7208327B2 (en) * | 2005-05-25 | 2007-04-24 | Intel Corporation | Metal oxide sensors and method of forming |
CN101101272B (zh) * | 2006-07-07 | 2010-10-13 | 中国科学院电子学研究所 | 一种生化微传感集成芯片、制作及模具制备方法 |
WO2008070058A2 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Purdue Research Foundation | Method and apparatus for detection of molecules using sensor array |
FR2962667A1 (fr) * | 2010-07-19 | 2012-01-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fonctionnalisation selective d'un materiau semiconducteur par activation thermique par effet joule |
EP2554980B1 (en) * | 2011-08-03 | 2014-06-25 | Nxp B.V. | Integrated circuit with sensor and method of manufacturing such an integrated circuit |
EP2645091B1 (en) * | 2012-03-30 | 2018-10-17 | ams international AG | Integrated circuit comprising a gas sensor |
-
2014
- 2014-11-12 US US15/036,187 patent/US20160290946A1/en not_active Abandoned
- 2014-11-12 CN CN201480072972.XA patent/CN106030297B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-12 KR KR1020167015303A patent/KR20160106567A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-11-12 WO PCT/EP2014/074420 patent/WO2015071337A1/en active Application Filing
- 2014-11-12 EP EP14796148.6A patent/EP3069130B1/en not_active Not-in-force
- 2014-11-12 JP JP2016553728A patent/JP6440727B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016537654A (ja) | 2016-12-01 |
EP3069130A1 (en) | 2016-09-21 |
EP3069130B1 (en) | 2018-01-31 |
KR20160106567A (ko) | 2016-09-12 |
CN106030297A (zh) | 2016-10-12 |
WO2015071337A1 (en) | 2015-05-21 |
US20160290946A1 (en) | 2016-10-06 |
CN106030297B (zh) | 2019-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6440727B2 (ja) | 集積化ガスセンサ及びそれに関連する製造方法 | |
KR101805784B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법 | |
US10739291B2 (en) | Microelectronic fluid detector | |
US20170188413A1 (en) | Micro-electromechanical temperature control system with thermal reservoir | |
JP2006194853A5 (ja) | ||
KR101808239B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
CN106093138B (zh) | 通过金属氧化物检测气体的传感器的制造方法及传感器 | |
KR20160035820A (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
US11674916B2 (en) | Gas sensor | |
CN104838492B (zh) | 具有集成热板和凹口衬底的半导体装置及制造方法 | |
KR100937593B1 (ko) | 반도체 가스 센서 소자 및 그의 제조방법 | |
US20210061643A1 (en) | Semiconductor sensor and method of manufacturing the same | |
JP2010008122A (ja) | ガスセンサ | |
US20190064094A1 (en) | Gas sensor and gas sensor package having the same | |
KR101720570B1 (ko) | 가스센서 어레이 및 그 제조방법 | |
WO2016088099A1 (en) | Cmos process for manufacturing an integrated gas sensor and corresponding cmos integrated gas sensor | |
WO2020099208A1 (en) | A gas sensor | |
JP2016109527A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP2012002590A (ja) | ダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20160614 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20161128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20161128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171020 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6440727 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |