JP6424855B2

JP6424855B2 - 光変調器

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Publication number: JP6424855B2
Application number: JP2016061199A
Authority: JP
Inventors: 清水　亮; 亮清水; 加藤　圭; 圭加藤; 徳一宮崎
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 2016-03-25
Filing date: 2016-03-25
Publication date: 2018-11-21
Anticipated expiration: 2036-03-25
Also published as: CN107229141A; JP2017173660A; US9885889B2; CN107229141B; US20170276974A1

Description

本発明は、光変調器に関し、特に、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器に関する。

光通信分野や光計測分野において、マッハツェンダー型光導波路を有する強度変調器や位相変調器など各種の光変調器が用いられている。マッハツェンダー型光導波路から出力される光の強度変化は、変調電極に印加される電圧に対して例えば正弦関数的な特性を示す。光変調器の用途に応じて、最適な出力光の強度を得るため、変調電極に印加される変調信号は、適切な動作バイアス点に設定することが必要となる。

このため、従来では、光変調器から出力される信号光の一部、あるいはマッハツェンダー型光導波路の合波部から放射される放射光を、モニタ光として、光検出器のような受光素子で検出し、光変調器の出力光の強度の状態をモニタすることが行われている。そして、受光素子の検出値（モニタ出力）に基づき、変調電極に印加される変調信号の動作バイアス点を調整（バイアス制御）している。

このような光変調器に関し、これまでに種々の発明が提案されている。
例えば、特許文献１には、マッハツェンダー型光導波路の合波部からの２つの放射光を同時に受光モニタする場合でも、受光素子の周波数帯域の低下を抑制するようにした光変調器が開示されている。また、特許文献２には、基板上に受光素子を配置した場合でも、受光素子の受光感度を高めると共に、受光素子の周波数帯域の低下を抑制するようにした光変調器が開示されている。また、特許文献３には、受光素子の検出信号に電気的クロストークなどのノイズが入り込むのを抑制するようにした光変調器が開示されている。

特開２０１５−１９４５１７号公報特開２０１５−１３８１４５号公報特開２０１５−１９７４５１号公報

近年の通信の大容量化に伴い、１つの基板に複数の光変調部を設け、光変調部毎に異なる変調信号を変調電極に印加して光変調を行う構造の光変調器が開発されている。また、複数の光変調部が設けられた基板を複数備えた多素子構造の光変調器も開発されている。このような光変調器では、各々の光変調部で独立に変調信号のバイアス制御を行うために、基板に多数の受光素子を配置して、光変調部毎にモニタ光を検出する構成となる。
一方、光変調器の小型化の要請に伴い、光変調器を構成する基板の小型化が進められているが、基板に多数の受光素子を配置することは基板サイズの増大を招き、基板の小型化を進める上で難点となる。

本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、１つの基板に複数設けた光変調部毎に異なる変調信号を変調電極に印加して光変調を行う場合において、基板サイズの増大を抑えた光変調器を提供することである。

上記課題を解決するため、本発明の光変調器は、以下のような技術的特徴を有する。
（１）電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該変調電極に変調信号を印加して光変調を行う光変調部であり、互いに異なる変調信号を用いる少なくとも第１の光変調部と第２の光変調部とを並列に有し、前記第１の光変調部及び前記第２の光変調部は、それぞれ、少なくとも１つのマッハツェンダー型光導波路を用いて構成され、前記第１の光変調部及び前記第２の光変調部のそれぞれに対し、該光変調部で変調された信号光を導波する出力導波路と、該光変調部からの放射光を該出力用導波路の両側に導波する２つの放射光導波路とが設けられ、受光素子が該基板に配置され、該受光素子は、前記第１の光変調部の出力導波路と前記第２の光変調部の出力導波路との間の位置に配置され、該受光素子には、前記第１の光変調部の２つの放射光導波路のうちの前記第２の光変調部側の放射光導波路である第１の導波路部から放射光を検出する第１の受光部と、前記第２の光変調部の２つの放射光導波路のうちの前記第１の光変調部側の放射光導波路である第２の導波路部から放射光を検出する第２の受光部とが設けられていることを特徴とする。

（２）上記（１）に記載の光変調器において、該基板には、前記第１の導波路部と前記第２の導波路部の間で且つ該受光素子の直下を少なくとも含む位置に、光のクロストークを防止するための光クロストーク防止手段が形成されていることを特徴とする。

（３）上記（１）又は（２）に記載の光変調器において、該受光素子には、前記第１の受光部と前記第２の受光部の間に、光のクロストークを防止するための光クロストーク防止手段が形成されていることを特徴とする。

（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光変調器において、前記第１の導波路部及び前記第２の導波路部は、前記第１の受光部及び前記第２の受光部の領域における導波路幅を、該領域に至る前の導波路幅よりも広げてあることを特徴とする。

（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の光変調器において、該受光素子及び該基板の少なくとも一方には、該受光素子を該基板上の所定位置に配置するための目印が形成されていることを特徴とする。

本発明の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該変調電極に変調信号を印加して光変調を行う光変調部であり、互いに異なる変調信号を用いる少なくとも第１の光変調部と第２の光変調部とを有し、受光素子が該基板に配置され、該受光素子には、前記第１の光変調部からの信号光を伝搬する第１の導波路部から信号光を検出する第１の受光部と、前記第２の光変調部からの信号光を伝搬する第２の導波路部から信号光を検出する第２の受光部とが設けられているため、１つの基板に複数設けた光変調部毎に異なる変調信号を変調電極に印加して光変調を行う場合において、光変調部毎に受光素子を設ける場合に比べて基板サイズの増大を抑えた光変調器を提供することができる。

本発明の一実施例に係る光変調器を説明する平面図である。図１における受光素子部分の拡大平面図である。変形例に係る受光素子部分の拡大平面図である。出力導波路部に受光素子を設ける例を説明する平面図である。放射光導波路部に受光素子を設ける例を説明する平面図である。２つの光変調部で１つの受光素子を共用する構造を並列に設けた例を説明する平面図である。４つの光変調部で１つの受光素子を共用する例を説明する平面図である。基板及び受光素子に設ける目印の例を示す平面図である。基板及び受光素子に設ける目印の他の例を示す平面図である。基板に配線された電極を目印に用いる例を示す平面図である。基板に配線された電極を目印に用いる他の例を示す平面図である。

以下、本発明に係る光変調器について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に係る光変調器を説明する平面図である。図２は、図１における受光素子部分の拡大平面図である。
本発明の光変調器は、図１及び図２に示すように、電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極（不図示）とを有する光変調器に関するものである。
該光変調器は、該変調電極に変調信号を印加して光変調を行う光変調部であり、互いに異なる変調信号を用いる少なくとも第１の光変調部Ｍ１と第２の光変調部Ｍ２とを有する。また、受光素子３が該基板に配置され、該受光素子３には、前記第１の光変調部Ｍ１からの信号光を伝搬する第１の導波路部２３から信号光を検出する第１の受光部３１（３１ａ，３１ｂ）が設けられている。更に、該受光素子３には、前記第２の光変調部Ｍ２からの信号光を伝搬する第２の導波路部２４から信号光を検出する第２の受光部３２（３２ａ，３２ｂ）も設けられている。

基板１としては、石英、半導体など光導波路を形成できる基板や、電気光学効果を有する基板である、ＬｉＮｂＯ_３（ニオブ酸リチウム），ＬｉＴａＯ_３（タンタル酸リチウム）又はＰＬＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛ランタン）のいずれかの単結晶などを用いた基板がある。

基板に形成する光導波路２は、例えば、ＬｉＮｂＯ_３基板（ＬＮ基板）上にチタン（Ｔｉ）などの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路や光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。また、ＰＬＣ等の異なる基板に光導波路を形成し、これらの基板を貼り合せ集積した光回路にも、本発明を適用することが可能である。

変調電極は、信号電極や接地電極から構成され、基板表面に、Ｔｉ・Ａｕの電極パターンを形成し、金メッキ方法などにより形成する。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体ＳｉＯ_２等のバッファ層を設けることも可能である。なお、基板１（光導波路２）内を伝搬する信号光を、受光素子３側に導出する領域においては、バッファ層を形成すると、信号光を効率良く導出することが難しくなるため、当該領域にはバッファ層を形成しないことが好ましい。また、バッファ層を介して受光素子３を配置する場合には、受光感度を確保するには、受光素子３を配置する領域のバッファ層の厚みを他の領域よりも薄くする方がよい。

受光素子３は光導波路２に直接接触させてもよいが、光導波路２から放射される光（エバネセント波）を効率よく抽出するには、光導波路２上に高屈折率膜を形成してその上に配置することが好ましい。この場合、高屈折率膜の屈折率は、光導波路２の屈折率よりも高く、受光素子基板の屈折率よりも低く設定する必要がある。また、例えば特開２０１３−８０００９号公報に開示されているように、基板１（あるいは光導波路２等）に溝又は反射部材を配置して、信号光の一部を反射により受光素子の方に導くように構成してもよい。

図１の光変調器は、変調電極に変調信号を印加して光変調を行う２つの光変調部Ｍ１，Ｍ２を並列に有している。光変調部Ｍ１，Ｍ２は、互いに異なる変調信号を用いて光変調を行っており、各々独立に変調信号のバイアス制御を行うように構成されている。各光変調部を並列に有するとは、光波進行方向（図１における左右方向）の位置が一致することを求めるものではなく、光波進行方向の位置がずれていても構わない。
なお、互いに異なる変調信号を用いて光変調を行う光変調部としては、図１のように１つのマッハツェンダー型光導波路で形成したものに限定されない。すなわち、例えば、２つのマッハツェンダー型光導波路を入れ子型に配置したネスト型光導波路で形成したもの、２つのネスト型光導波路を更に入れ子型に配置したものなど、種々の形状のものを用いることができる。

基板１には、光変調部Ｍ１，Ｍ２の下流側の領域に、光変調部Ｍ１，Ｍ２で共用する受光素子３が配置される。図１の例では、光変調部Ｍ１で変調された信号光を光変調器の出力側に導くための出力導波路部２１と、光変調部Ｍ２で変調された信号光を光変調器の出力側に導くための出力導波路部２２との間に、受光素子３が配置されている。本例では、基板１として、２０μｍ以下の厚みの基板を用いているが、基板の厚みは任意である。

出力導波路部２１には、光変調部Ｍ１で変調された信号光の一部を抽出するモニタ用の導波路部２３を設けてある。このモニタ用導波路部２３は、出力導波路部２１から抽出した信号光を受光素子３に導くように形成されている。
また、出力導波路部２２には、光変調部Ｍ２で変調された信号光の一部を抽出するモニタ用の導波路部２４を設けてある。このモニタ用導波路部２４は、出力導波路部２２から抽出した信号光を受光素子３に導くように形成されている。

受光素子３は、図２に示すように、光変調部Ｍ１からの信号光を検出するための受光部３１と、光変調部Ｍ２からの信号光を検出するための受光部３２とを有する。本例では、受光部３１として、光変調部Ｍ１に対するモニタ用導波路部２３に沿って２つの受光部３１ａ，３１ｂを設けてあり、受光部３２として、光変調部Ｍ２に対するモニタ用導波路部２４に沿って２つの受光部３２ａ，３２ｂを設けてある。なお、受光部の数や配置は任意であり、基板１に設けた各々の光変調部からの信号光を検出できればよい。例えば図３には、受光部の他の例として、モニタ用導波路部２３，２４に沿う方向を長くした形状の１つの受光部３１ｃ，３２ｃを示してある。

以上のように、本例の光変調器は、基板１に対して１つの受光素子３を配置してあり、この受光素子３に、光変調部Ｍ１に対する受光部３１と光変調部Ｍ２に対する受光部３２とを設けている。すなわち、１つの受光素子３を２つの光変調部Ｍ１，Ｍ２で共用する構成となっている。このため、光変調部毎に受光素子を設ける場合に比べて、基板サイズの増大を大幅に抑えた光変調器を提供することができる。

なお、モニタ用導波路部２３，２４は、受光部３１及び受光部３２の領域に至るまでに導波路間の間隔が狭まるように形成されている。また、受光素子３は、モニタ用導波路部２３，２４の間隔が狭まった後の位置に配置されている。すなわち、モニタ用導波路部２３，２４の受光素子３側の間隔をＬ１とし、モニタ用導波路部２３，２４の信号入力側の間隔をＬ２とすると、Ｌ１＜Ｌ２となるようにモニタ用導波路部２３，２４が形成されている。これにより、受光素子３のサイズを小さくすることができるので、基板１の小型化を図る際に有効である。

図２のモニタ用導波路部２３，２４は、受光素子３の手前の領域において緩やかな曲線を描くようにして互いを近づけていき、間隔をＬ１に狭めた後は略平行な直線になるように形成してあるが、このような形状でなくとも構わない。すなわち、例えば、図３に変形例を示すように、モニタ用導波路部２３，２４を直線的に近づくように形成することもできる。

ここで、受光素子３における受光部３１と受光部３２との間隔Ｌ１が狭い場合には、受光部３１で受光するモニタ用導波路部２３と受光部３２で受光するモニタ用導波路部２４との間での光のクロストークの発生が懸念される。そこで、これらモニタ用導波路部２３，２４の間に、光のクロストークを防止するための光クロストーク防止手段４を設けることが望ましい。光クロストーク防止手段４としては、基板１におけるモニタ用導波路部２３，２４の間に、溝、スラブ導波路、金属、電極のいずれかを形成する構成が挙げられる。これにより、受光部３１と受光部３２を近接させる場合でも、モニタ用導波路部２３，２４間の光のクロストークを防止できるので、受光素子３のサイズをより小さくすることができ、基板１の更なる小型化を実現できる。なお、受光素子側にも、光のクロストークを防止するための光クロストーク防止手段を設けてもよい。

また、図２、３に示すように、受光部３１，３２の領域におけるモニタ用導波路部２３，２４の導波路幅は、該領域に至る前の導波路幅よりも広げた構造とすることが望ましい。これにより、受光素子３の受光部３１，３２で、光変調部Ｍ１からの信号光と光変調部Ｍ２からの信号光を効率よく受光できるようになる。

ここで、以上の説明では、出力導波路部から信号光の一部を抽出して伝搬するモニタ用導波路部に対して受光素子を設けたが、これに限定するものではない。
例えば、出力導波路部を伝搬する信号光そのものを受光するように受光素子を設けることができる。すなわち、図４に示すように、光変調部Ｍ１の出力導波路部２１と、光変調部Ｍ２の出力導波路部２２とに跨るように受光素子３を配置する。そして、受光素子３で、出力導波路部２１を伝搬する信号光の一部を受光すると共に、出力導波路部２２を伝搬する信号光の一部を受光するようにする。この場合、出力導波路部２１と出力導波路部２２を、それらの間隔が次第に狭まるように形成し、ある程度近づいた箇所に受光素子３を設けることで、受光素子３のサイズを小さくすることができる。なお、出力導波路部（２１，２２）から信号光の一部を抽出して受光素子３で受光するには、出力導波路部の断面の一部に溝や反射部材を設け、出力導波路部を伝搬する信号光の一部を反射により取り出して受光素子で受光すればよい。

また例えば、光変調部を構成するマッハツェンダー型光導波路の合波部を出力導波路部に接続する構造において、この合波部から放射される放射光を信号光として検出してもよい。すなわち、図５に示すように、光変調部Ｍ１の出力導波路部２１を挟むように、光変調部Ｍ１の合波部からの放射光を導く放射光導波路部２５ａ，２５ｂを設ける。また、光変調部Ｍ２の出力導波路部２２を挟むように、光変調部Ｍ２の合波部からの放射光を導く放射光導波路部２６ａ，２６ｂを設ける。また、光変調部Ｍ１の放射光導波路部２５ａ，２５ｂのうちの光変調部Ｍ２側の放射光導波路部２５ｂと、光変調部Ｍ２の放射光導波路部２６ａ，２６ｂのうちの光変調部Ｍ１側の放射光導波路部２６ａとに跨るように受光素子３を配置する。そして、受光素子３で、放射光導波路部２５ｂを伝搬する放射光を受光すると共に、放射光導波路部２６ａを伝搬する放射光を受光するようにする。この場合、放射光導波路部２５ｂと放射光導波路部２６ａを、それらの間隔が次第に狭まるように形成し、ある程度近づいた箇所に受光素子３を設けることで、受光素子３のサイズを小さくすることができる。

また、以上の説明では、１つの基板に２つの光変調部Ｍ１，Ｍ２と１つの受光素子を設け、１つの受光素子３を２つの光変調部Ｍ１，Ｍ２で共用する光変調器について説明したが、本発明は、より多くの光変調部を１つの基板に設けた光変調器に適用することもできる。

例えば、図６に示すように、１つの基板に４つの光変調部Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を並列に形成する場合に、光変調部Ｍ１，Ｍ２で第１の受光素子３ａを共用し、光変調部Ｍ３，Ｍ４で第２の受光素子３ｂを共用する構成とすることができる。この場合、光変調部Ｍ１の出力導波路部に対するモニタ用導波路部と、光変調部Ｍ２の出力導波路部に対するモニタ用導波路部とを縦断するように、第１の受光素子３ａを配置する。そして、この第１の受光素子３ａに、光変調部Ｍ１，Ｍ２に係る各々のモニタ用導波路部に対応する各領域に受光部を設ければよい。また、光変調部Ｍ３の出力導波路部に対するモニタ用導波路部と、光変調部Ｍ４の出力導波路部に対するモニタ用導波路部とを縦断するように、第２の受光素子３ｂを配置する。そして、この第２の受光素子３ｂに、光変調部Ｍ３，Ｍ４に係る各々のモニタ用導波路部に対応する各領域に受光部を設ければよい。
また、例えば、光変調部Ｍ２，Ｍ３に対して１つの受光素子を設けて共用するようにし、光変調部Ｍ１，Ｍ４に対してはそれぞれ個別に受光素子を設けるようにしてもよい。

また、例えば、１つの基板に４つの光変調部Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を並列に形成する場合に、全ての光変調部Ｍ１〜Ｍ４で１つの受光素子を共用する構成とすることもできる。すなわち、図７に示すように、光変調部Ｍ１〜Ｍ４の各々の出力導波路部を縦断するように、１つの受光素子３を設ける。そして、この受光素子３に、光変調部Ｍ１〜Ｍ４の各々の出力導波路部に対応する各領域に受光部を設ければよい。

次に、基板１に対して受光素子３を正確に配置するための工夫について説明する。
図８は、基板１及び受光素子３に設ける目印の例を示す平面図である。目印は、基板１に対して受光素子３を配置すべき位置（予め定められた位置）を特定するものである。
受光素子３には、上流側端辺の両端位置にマーク３３ａ，３３ｂを設けてあり、受光素子３の下流側端辺の中央位置にマーク３３ｃを設けてある。また、基板１には、受光素子３の配置位置を示すマークであり、受光素子３のマーク３３ａ，３３ｂ，３３ｃにそれぞれ対応させたマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃを設けてある。そして、基板１に受光素子３を配置する際には、マーク１１ａとマーク３３ａ、マーク１１ｂとマーク３３ｂ、マーク１１ｃとマーク３３ｃがそれぞれ突き合うように受光素子３を配置する。これにより、基板１に対して受光素子３を正確に配置することができる。なお、基板１に設ける各マークは種々の手法により形成でき、例えば、基板１に電極を所定形状に配置して形成したり、基板１にＴｉを所定形状に熱拡散して形成したりすることができる。また、受光素子３に設ける各マークも種々の手法により形成することができる。

図９は、基板１及び受光素子３に設ける目印の他の例を示す平面図である。
受光素子３には、上流側端辺の両端位置に切欠き３４ａ，３４ｂを設けてあり、受光素子３の下流側端辺の中央位置に切欠き３４ｃを設けてある。また、基板１には、受光素子３の配置位置を示すマークであり、受光素子３の切欠き３４ａ，３４ｂ，３４ｃにそれぞれ対応させたマーク１２ａ，１２ｂ，１２ｃを設けてある。そして、基板１に受光素子３を配置する際には、マーク１２ａが切欠き３４ａから露呈し、マーク１２ｂが切欠き３４ｂから露呈し、マーク２１ｃが切欠き３４ｃから露呈するように受光素子３を配置する。これにより、基板１に対して受光素子３を正確に配置することができる。

図１０は、基板１に配線された電極を目印に用いる例を示す平面図である。
同図では、基板１に配線された電極５は、その一部に矩形状の窪み５１を設けた平面形状としてある。そして、受光素子３の電極５に沿った辺側の角３５ａ，３５ｂが電極５の窪み５１に合うように、受光素子３を配置する。これにより、基板１に対して受光素子３を正確に配置することができる。

図１１は、基板１に配線された電極を目印に用いる他の例を示す平面図である。同図では、基板１に配線された電極５は、その一部に矩形状の窪み５１を設けた平面形状としてある。また、受光素子３の電極５に沿った辺に２つの突出部３６ａ，３６ｂを設けてある。そして、受光素子３の突出部３６ａ，３６ｂが電極５の窪み５１に合うように、受光素子３を配置する。これにより、基板１に対して受光素子３を正確に配置することができる。
なお、図８〜１１に示したものは一例に過ぎず、他の種々な形状・態様の目印を用いることができる。

ここで、これまでの説明では、１枚の基板に複数の光変調部を設けた光変調器を例にしたが、本発明は、複数の光変調部が設けられた基板を複数備えた多素子構造の光変調器にも適用することができる。また、複数の光変調部でそれぞれ異なる波長の光波を光変調する構成にも適用することができる。
また、各光変調部は、１つのマッハツェンダー型光導波路で形成したもの、２つのマッハツェンダー型光導波路を入れ子型に配置してネスト型光導波路としたもの、２つのネスト型光導波路を更に入れ子型に配置したものなど、種々の形状とすることができる。この場合、外側のマッハツェンダー型光導波路で構成される主変調部に対して受光素子を設けるだけでなく、内側のマッハツェンダー型光導波路で構成される副変調部に対しても受光素子を設けることができる。

以上、実施例に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した内容に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜設計変更可能であることはいうまでもない。

以上、説明したように、本発明によれば、１つの基板に複数設けた光変調部毎に異なる変調信号を変調電極に印加して光変調を行う場合において、光変調部毎に受光素子を設ける場合に比べて基板サイズの増大を抑えた光変調器を提供することができる。

１基板
２光導波路
３，３ａ，３ｂ受光素子
４クロストーク防止手段
５電極
１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃマーク
２１，２２出力導波路部
２３，２４モニタ用導波路部
２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ放射光導波路部
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ受光部
３３ａ〜３３ｃマーク
３４ａ〜３４ｃ切欠き
５１窪み
Ｍ１〜Ｍ４光変調部

Claims

電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、
該変調電極に変調信号を印加して光変調を行う光変調部であり、互いに異なる変調信号を用いる少なくとも第１の光変調部と第２の光変調部とを並列に有し、
前記第１の光変調部及び前記第２の光変調部は、それぞれ、少なくとも１つのマッハツェンダー型光導波路を用いて構成され、
前記第１の光変調部及び前記第２の光変調部のそれぞれに対し、該光変調部で変調された信号光を導波する出力導波路と、該光変調部からの放射光を該出力用導波路の両側に導波する２つの放射光導波路とが設けられ、
受光素子が該基板に配置され、
該受光素子は、前記第１の光変調部の出力導波路と前記第２の光変調部の出力導波路との間の位置に配置され、
該受光素子には、前記第１の光変調部の２つの放射光導波路のうちの前記第２の光変調部側の放射光導波路である第１の導波路部から放射光を検出する第１の受光部と、前記第２の光変調部の２つの放射光導波路のうちの前記第１の光変調部側の放射光導波路である第２の導波路部から放射光を検出する第２の受光部とが設けられていることを特徴とする光変調器。
請求項１に記載の光変調器において、
該基板には、前記第１の導波路部と前記第２の導波路部の間で且つ該受光素子の直下を少なくとも含む位置に、光のクロストークを防止するための光クロストーク防止手段が形成されていることを特徴とする光変調器。
請求項１又は請求項２に記載の光変調器において、
該受光素子には、前記第１の受光部と前記第２の受光部の間に、光のクロストークを防止するための光クロストーク防止手段が形成されていることを特徴とする光変調器。
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光変調器において、
前記第１の導波路部及び前記第２の導波路部は、前記第１の受光部及び前記第２の受光部の領域における導波路幅を、該領域に至る前の導波路幅よりも広げてあることを特徴とする光変調器。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光変調器において、
該受光素子及び該基板の少なくとも一方には、該受光素子を該基板上の所定位置に配置するための目印が形成されていることを特徴とする光変調器。